KR20200020586A - 패키지 기판의 가공 방법 - Google Patents

패키지 기판의 가공 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20200020586A
KR20200020586A KR1020190088271A KR20190088271A KR20200020586A KR 20200020586 A KR20200020586 A KR 20200020586A KR 1020190088271 A KR1020190088271 A KR 1020190088271A KR 20190088271 A KR20190088271 A KR 20190088271A KR 20200020586 A KR20200020586 A KR 20200020586A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cutting
package substrate
substrate
fluid
burr
Prior art date
Application number
KR1020190088271A
Other languages
English (en)
Inventor
겐지 다케노우치
미츠타네 고쿠부
나오코 야마모토
지사토 야마다
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
Publication of KR20200020586A publication Critical patent/KR20200020586A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/561—Batch processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67121—Apparatus for making assemblies not otherwise provided for, e.g. package constructions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/86—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using tape automated bonding [TAB]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Control And Other Processes For Unpacking Of Materials (AREA)

Abstract

(과제) 가공 상의 문제의 발생 및 가공 효율의 저하를 억제하면서 버를 제거하는 것이 가능한 패키지 기판의 가공 방법을 제공한다.
(해결 수단) 절삭 예정 라인에 형성된 전극을 갖는 패키지 기판의 가공 방법으로서, 그 절삭 예정 라인을 따라 절삭 블레이드로 그 패키지 기판을 절단하는 절삭 스텝과, 그 절삭 스텝을 실시한 후, 유체를 그 절삭 예정 라인을 따라 분사하여 그 절삭 스텝에서 발생한 버를 제거하는 버 제거 스텝을 구비하고, 그 절삭 스텝에서는, 그 절삭 블레이드가 그 패키지 기판을 절삭하는 절삭 영역에 유기산과 산화제를 함유하는 절삭액을 공급하면서 그 패키지 기판을 절삭한다.

Description

패키지 기판의 가공 방법{PROCESSING METHOD OF PACKAGE SUBSTRATE}
본 발명은, 패키지 기판을 절단할 때에 사용되는 패키지 기판의 가공 방법에 관한 것이다.
기판 상에 배치된 디바이스 칩을 수지로 이루어지는 봉지재 (몰드 수지) 로 피복함으로써, 패키지 기판이 형성된다. 이 패키지 기판을 절삭 예정 라인 (스트리트) 을 따라 분할함으로써, 디바이스 칩을 각각 포함하는 복수의 패키지 디바이스가 얻어진다.
패키지 기판의 분할에는, 예를 들어 패키지 기판을 유지하는 척 테이블과, 패키지 기판을 절삭하는 원환상의 절삭 블레이드가 장착된 스핀들을 구비하는 절삭 장치가 사용된다. 척 테이블에 의해 패키지 기판을 유지한 상태에서, 절삭 블레이드를 회전시켜 패키지 기판에 절입시킴으로써, 패키지 기판이 절삭된다.
패키지 기판의 절삭 예정 라인에는, 디바이스 칩과 접속된 전극 등이 형성되는 경우가 있다. 이 경우, 절삭 블레이드를 절삭 예정 라인을 따라 절입시키면, 그 전극이 회전하는 절삭 블레이드와 접촉하여 잡아 늘여져, 수염상의 버가 발생한다. 이 버는, 전극끼리의 단락이나 본딩 불량 등의 원인이 되어, 패키지 기판을 분할하여 제조된 패키지 디바이스의 품질 저하를 초래하기 때문에, 제거되는 것이 요망된다.
그래서, 절삭 블레이드로 패키지 기판을 절삭한 후, 절삭된 영역을 향하여 물을 분사함으로써 버를 제거하는 수법이 제안되어 있다. 예를 들어 특허문헌 1 에는, 버 제거 노즐이 절삭 블레이드와 인접하는 위치에 형성된 절삭 장치가 개시되어 있다. 이 절삭 장치는, 절삭 블레이드에 의해 패키지 기판을 절삭하여 절단한 후, 버 제거 노즐로부터 물을 분사함으로써 버를 제거한다.
절단된 패키지 기판을 향하여 물을 분사하면, 수압에 의해 패키지 기판의 일부가 비산되는 경우가 있다. 또, 패키지 기판이 테이프를 개재하여 척 테이블에 의해 유지된 상태에서 패키지 기판을 절단하면, 절단 영역에 있어서 테이프가 노출되고, 이 노출된 영역에 물이 분사되면 수압에 의해 테이프가 파단되는 경우가 있다. 그 때문에, 수압은 이와 같은 가공 상의 문제가 발생하지 않는 범위에서 설정된다. 그러나, 가공 상의 문제를 방지하기 위해 수압을 낮게 설정하면, 버의 제거가 불충분해지기 쉽다.
한편, 특허문헌 2 에는, 패키지 기판이 완전히는 절단되어 있지 않은 상태에서 물을 분사하여 버를 제거하는 수법이 개시되어 있다. 구체적으로는, 먼저, 패키지 기판의 두께 미만의 깊이의 절삭홈을 절삭 예정 라인을 따라 형성하여 전극을 절삭하는 1 회째의 절삭을 실시한다. 그리고, 그 절삭홈을 향하여 물을 분사하여 버를 제거한 후, 절삭 예정 라인을 따라 절삭 블레이드를 다시 절입시키는 2 회째의 절삭을 실시하여, 패키지 기판을 절단한다.
패키지 기판이 완전히는 절단되어 있지 않은 상태에서는, 물을 분사해도 패키지 기판의 일부의 비산이나 테이프의 파단이 잘 발생하지 않는다. 그 때문에, 이 수법을 사용하면 수압을 높이는 것이 가능해져, 버를 제거하기 쉬워진다.
일본 공개특허공보 2016-157722호 일본 공개특허공보 2016-181569호
전술한 바와 같이, 패키지 기판을 절단한 후에 물을 분사하여 버를 제거하는 수법을 사용하는 경우, 가공 상의 문제의 발생을 방지하기 위해 수압을 낮게 억제할 필요가 있어, 버가 충분히 제거되기 어렵다.
한편, 절삭을 2 회로 나누어 실시하는 수법에서는, 패키지 기판을 절단한 후에 물을 분사하는 경우와 비교하여 수압을 높일 수는 있지만, 동일한 절삭 예정 라인에 대하여 복수 회의 절삭을 실시할 필요가 있기 때문에 가공 효율이 저하된다. 또, 2 회째의 절삭시, 1 회째의 절삭의 절삭면에서 노출된 전극에 절삭 블레이드가 접촉하여, 버가 다시 발생하는 경우가 있다.
본 발명은 이러한 문제를 감안하여 이루어진 것으로서, 가공 상의 문제의 발생 및 가공 효율의 저하를 억제하면서 버를 제거하는 것이 가능한 패키지 기판의 가공 방법의 제공을 과제로 한다.
본 발명의 일 양태에 의하면, 절삭 예정 라인에 형성된 전극을 갖는 패키지 기판의 가공 방법으로서, 그 절삭 예정 라인을 따라 절삭 블레이드로 그 패키지 기판을 절단하는 절삭 스텝과, 그 절삭 스텝을 실시한 후, 유체를 그 절삭 예정 라인을 따라 분사하여 그 절삭 스텝에서 발생한 버를 제거하는 버 제거 스텝을 구비하고, 그 절삭 스텝에서는, 그 절삭 블레이드가 그 패키지 기판을 절삭하는 절삭 영역에 유기산과 산화제를 함유하는 절삭액을 공급하면서 그 패키지 기판을 절삭하는 패키지 기판의 가공 방법이 제공된다.
또, 본 발명의 일 양태에 있어서, 그 절삭 스텝을 실시하기 전에, 그 패키지 기판에 테이프를 첩착 (貼着) 하는 테이프 첩착 스텝과, 그 테이프를 개재하여 그 패키지 기판을 유지 수단으로 유지하는 유지 스텝을 추가로 구비하고, 그 절삭 스텝에서는, 그 테이프에 이르는 깊이로 그 절삭 블레이드를 그 패키지 기판에 절입시킴으로써, 그 테이프가 첩착된 그 패키지 기판을 절단하고, 그 버 제거 스텝에서는, 그 테이프가 그 패키지 기판에 첩착된 상태에서 그 유체를 분사해도 된다.
또, 본 발명의 일 양태에 있어서, 그 절삭 스텝을 실시하기 전에, 그 절삭 예정 라인에 대응한 홈이 형성된 지그 테이블로 그 패키지 기판을 유지하는 유지 스텝을 추가로 구비하고, 그 절삭 스텝에서는, 그 지그 테이블의 그 홈에 이르는 깊이로 그 절삭 블레이드를 그 패키지 기판에 절입시킴으로써, 그 지그 테이블로 유지된 그 패키지 기판을 절단하고, 그 버 제거 스텝에서는, 그 지그 테이블로 유지된 그 패키지 기판에 그 유체를 분사해도 된다.
본 발명의 일 양태에 관련된 패키지 기판의 가공 방법에서는, 유기산과 산화제를 함유하는 절삭액을 공급하면서 패키지 기판을 절삭한 후, 유체의 분사에 의해 버를 제거한다. 그 절삭액의 공급에 의해 버의 발생이 억제됨과 함께 버가 제거되기 쉬워지기 때문에, 버를 제거하는 유체의 압력을 저감시킬 수 있다. 이로써, 가공 상의 문제의 발생 및 가공 효율의 저하를 억제하면서 버를 제거하는 것이 가능해진다.
도 1(A) 는 패키지 기판을 나타내는 평면도이고, 도 1(B) 는 패키지 기판을 나타내는 저면도이다.
도 2 는 패키지 기판을 나타내는 확대 평면도이다.
도 3 은 절삭 장치를 나타내는 사시도이다.
도 4 는 프레임 유닛을 나타내는 평면도이다.
도 5 는 절삭 유닛을 나타내는 사시도이다.
도 6 은 절삭 스텝의 모습을 나타내는 일부 단면 정면도이다.
도 7 은 버 제거 스텝의 모습을 나타내는 일부 단면 정면도이다.
도 8 은 버 제거 스텝의 모습을 나타내는 일부 단면 정면도이다.
도 9(A) 는 지그 테이블을 나타내는 평면도이고, 도 9(B) 는 지그 테이블을 나타내는 단면도이다.
도 10 은 절삭 스텝의 모습을 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 실시형태를 설명한다. 먼저, 본 실시형태에 관련된 패키지 기판의 가공 방법에 의해 가공하는 것이 가능한 패키지 기판의 구성예에 대해 설명한다. 도 1(A) 는 패키지 기판 (11) 의 표면측을 나타내는 평면도이고, 도 1(B) 는 패키지 기판 (11) 의 이면측을 나타내는 저면도이다.
패키지 기판 (11) 은, 표면 (13a) 및 이면 (13b) 을 갖고 평면에서 봤을 때에 사각형상으로 형성된 판상의 기판 (13) 과, IC (Integrated Circuit) 등의 디바이스를 포함하고 기판 (13) 의 이면 (13b) 측에 배치된 복수의 디바이스 칩 (도시 생략) 을 구비한다. 또, 기판 (13) 의 이면 (13b) 측에는, 복수의 디바이스 칩을 덮어 봉지하는 수지층 (몰드 수지) (15) 이 형성되어 있다.
도 1(A) 에 나타내는 바와 같이, 패키지 기판 (11) 은 서로 교차하도록 격자상으로 배열된 복수의 절삭 예정 라인 (스트리트) (17) 에 의해 구획된 복수의 영역 (11a) 을 구비하고, 디바이스 칩은 각각 이 영역 (11a) 에 배치되어 있다. 또한, 패키지 기판 (11) 의 재질, 형상, 구조, 크기 등에 제한은 없다. 또, 디바이스 칩의 종류, 수량, 형상, 구조, 크기, 배치 등에도 제한은 없다.
패키지 기판 (11) 을 절삭 예정 라인 (17) 을 따라 절단함으로써, 디바이스 칩을 각각 포함하는 복수의 패키지 디바이스가 얻어진다. 패키지 기판 (11) 의 절단은, 예를 들어 원환상의 절삭 블레이드를 사용하여 패키지 기판 (11) 을 절삭함으로써 실시된다. 또한, 기판 (13) 의 표면 (13a) 측에는 절삭 예정 라인 (17) 의 위치를 나타내는 복수의 마커 (21) 가 부여되어 있고, 이 마커 (21) 는 패키지 기판 (11) 과 절삭 블레이드의 위치 맞춤을 실시할 때의 표식이 된다.
또, 기판 (13) 의 표면 (13a) 측에는, 금속으로 이루어지는 복수의 전극 (19) 이 절삭 예정 라인 (17) 을 따라 배열되어 있다. 전극 (19) 은, 기판 (13) 의 이면 (13b) 측에 배치된 디바이스 칩과 금속 와이어 (도시 생략) 등을 통하여 접속되어 있고, 기판 (13) 의 표면 (13a) 측으로 노출되어 있다. 이 전극 (19) 은, 패키지 기판 (11) 이 복수의 패키지 디바이스로 분할된 후, 그 패키지 디바이스를 다른 실장 기판 등에 실장할 때의 접속 전극으로서 기능한다.
도 2 는 패키지 기판 (11) 을 나타내는 확대 평면도이다. 도 2 에 나타내는 바와 같이, 절삭 예정 라인 (17) 에 형성된 복수의 전극 (19) 은 각각, 기판 (13) 의 표면 (13a) 측에서 이면 (13b) 측을 향하여 형성된 오목부 (캐비티) (19a) 를 구비한다. 오목부 (19a) 는 평면에서 봤을 때에 타원상으로 형성되어 있고, 그 깊이는 전극 (19) 의 두께 미만이다.
절삭 블레이드에 의해 패키지 기판 (11) 을 절삭하면, 절삭 예정 라인 (17) 에 형성된 전극 (19) 도 절삭된다. 이 때 절삭 블레이드는, 전극 (19) 에 형성된 오목부 (19a) 의 내측을 통과하도록 위치된다. 그리고, 패키지 기판 (11) 이 절삭 예정 라인 (17) 을 따라 절단되면, 오목부 (19a) 에 의해, 전극 (19) 과 다른 전극 (실장 기판의 접속 전극 등) 을 접속시키기 위한 금속 재료 (땜납 등) 가 매립되는 공간이 형성된다.
패키지 기판 (11) 을 절삭 예정 라인 (17) 을 따라 절삭 블레이드로 절삭하면, 전극 (19) 이 회전하는 절삭 블레이드와 접촉하여 잡아 늘여져, 수염상의 버가 발생하는 경우가 있다. 이 버는 전극 (19) 끼리의 단락이나 본딩 불량 등의 가공 불량의 원인이 되기 때문에, 제거되는 것이 바람직하다. 버의 제거는, 예를 들어 절삭에 의해 발생한 버를 향하여 가압된 물 등의 유체를 분사하여 버를 날려버림으로써 실시된다.
패키지 기판 (11) 의 절삭 및 유체의 분사는, 패키지 기판 (11) 을 절삭하는 절삭 유닛과, 패키지 기판 (11) 을 향하여 유체를 분사하는 유체 분사 유닛을 구비한 절삭 장치를 사용하여 실시된다. 절삭 유닛 및 유체 분사 유닛을 구비하는 절삭 장치의 구성예를 도 3 에 나타낸다.
도 3 은 절삭 장치 (2) 를 나타내는 사시도이다. 절삭 장치 (2) 는, 절삭 장치 (2) 를 구성하는 각 구성 요소를 지지하는 기대 (4) 를 구비한다. 기대 (4) 상에는, X 축 방향 (가공 이송 방향) 을 따라 배치된 1 쌍의 가이드 레일 (6a, 6b) 이 고정되어 있고, 1 쌍의 가이드 레일 (6a, 6b) 상에는 이동 블록 (8) 이 배치되어 있다. 또, 이동 블록 (8) 은 이동 유닛 (10) 과 접속되어 있고, 이동 유닛 (10) 은 이동 블록 (8) 을 X 축 방향을 따라 이동시킨다.
이동 유닛 (10) 은, 볼 나사 (12) 와 펄스 모터 (14) 를 구비한다. 볼 나사 (12) 는, 그 길이 방향이 X 축 방향을 따르도록 배치되어 있고, 이동 블록 (8) 은 볼 나사 (12) 에 나사 결합되어 있다. 또, 펄스 모터 (14) 는 볼 나사 (12) 의 일단부에 연결되어 있다. 펄스 모터 (14) 에 의해 볼 나사 (12) 를 회전시키면, 이동 블록 (8) 이 1 쌍의 가이드 레일 (6a, 6b) 을 따라 이동한다.
또, 이동 유닛 (10) 은, 가이드 레일 (6a) 을 따라 기대 (4) 상에 형성되고 이동 블록 (8) 의 위치를 나타내는 좌표값이 부여된 스케일 (16) 과, 스케일 (16) 의 좌표값을 판독하는 판독 헤드 (도시 생략) 를 구비한다. 판독 헤드에 의해 스케일 (16) 의 좌표값을 판독함으로써, 이동 블록 (8) 의 위치가 확인된다.
이동 블록 (8) 상에는 원통상의 지지 부재 (18) 가 형성되고, 지지 부재 (18) 상에는 척 테이블 (20) 이 고정되어 있다. 이 척 테이블 (20) 은, 패키지 기판 (11) 을 유지하는 유지 수단에 상당한다. 척 테이블 (20) 은 모터 등의 회전 구동원 (도시 생략) 에 연결되어 있고, Z 축 방향 (연직 방향) 에 대체로 평행한 회전축의 둘레로 회전한다. 또, 이동 유닛 (10) 에 의해 척 테이블 (20) 의 X 축 방향에 있어서의 위치가 제어된다.
척 테이블 (20) 의 상면은, 다공성 세라믹스 등에 의해 형성되고 패키지 기판 (11) 을 유지하는 유지면 (20a) 을 구성한다. 유지면 (20a) 은, X 축 방향 및 Y 축 방향 (산출 이송 방향) 에 대하여 대체로 평행하게 형성되어 있고, 척 테이블 (20) 의 내부에 형성된 흡인로 (도시 생략) 등을 통하여 이젝터 등의 흡인원 (도시 생략) 에 접속되어 있다.
패키지 기판 (11) 을 절삭할 때에는, 예를 들어, 환상 프레임에 지지된 패키지 기판 (11) 이 척 테이블 (20) 에 의해 유지된다. 도 4 는 패키지 기판 (11) 이 환상 프레임 (27) 에 의해 지지된 프레임 유닛 (23) 을 나타내는 평면도이다.
패키지 기판 (11) 의 수지층 (15) (도 1(B) 참조) 측에는, 패키지 기판 (11) 의 전체를 덮는 것이 가능한 직경을 갖는 원형의 테이프 (25) 가 첩착된다. 테이프 (25) 는, 예를 들어 폴리올레핀, 폴리염화비닐, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 수지로 이루어지는 기재 상에, 고무계나 아크릴계의 점착층 (풀층) 이 형성된 유연한 필름이다.
환상 프레임 (27) 을 테이프 (25) 의 외주부에 첩착함과 함께, 패키지 기판 (11) 의 수지층 (15) 측을 테이프 (25) 의 중앙부에 첩착함으로써, 프레임 유닛 (23) 이 구성된다. 그리고, 패키지 기판 (11) 은 기판 (13) 의 표면 (13a) 이 상방으로 노출된 상태에서, 테이프 (25) 를 개재하여 환상 프레임 (27) 에 지지된다.
도 3 에 나타내는 바와 같이, 척 테이블 (20) 의 주위에는 환상 프레임 (27) 을 사방으로부터 고정시키기 위한 4 개의 클램프 (22) 가 형성되어 있다. 또, 척 테이블 (20) 의 근방에는, 패키지 기판 (11) 을 척 테이블 (20) 상으로 반송하는 반송 유닛 (도시 생략) 이 배치되어 있다.
패키지 기판 (11) 을 가공할 때에는, 먼저, 척 테이블 (20) 의 유지면 (20a) 상에 테이프 (25) 를 개재하여 패키지 기판 (11) 을 배치함과 함께, 환상 프레임 (27) 을 클램프 (22) 에 의해 고정시킨다. 이 상태에서 흡인원의 부압을 유지면 (20a) 에 작용시킴으로써, 패키지 기판 (11) 이 테이프 (25) 를 개재하여 척 테이블 (20) 에 의해 흡인 유지된다.
척 테이블 (20) 의 상방에는, 패키지 기판 (11) 을 절삭하는 환상의 절삭 블레이드가 장착되는 절삭 유닛 (24) 과, 유체를 패키지 기판 (11) 을 향하여 분사하는 유체 분사 유닛 (26) 이 형성되어 있다. 또, 기대 (4) 의 상면에는, 절삭 유닛 (24) 과 유체 분사 유닛 (26) 을 지지하기 위한 문형의 지지 구조 (28) 가, 척 테이블 (20) 에 걸쳐지도록 배치되어 있다.
지지 구조 (28) 의 전면 (前面) 상부에는, 절삭 유닛 (24) 을 Y 축 방향 및 Z 축 방향으로 이동시키는 이동 유닛 (30a) 과, 유체 분사 유닛 (26) 을 Y 축 방향 및 Z 축 방향으로 이동시키는 이동 유닛 (30b) 이 형성되어 있다. 이동 유닛 (30a) 은 이동 플레이트 (34a) 를, 이동 유닛 (30b) 은 이동 플레이트 (34b) 를 각각 구비한다. 이동 플레이트 (34a) 및 이동 플레이트 (34b) 는, 지지 구조 (28) 의 전면에 Y 축 방향을 따라 배치된 1 쌍의 가이드 레일 (32) 에 슬라이드 가능하게 장착되어 있다.
이동 플레이트 (34a) 의 이면측 (후면측) 에는 너트부 (도시 생략) 가 형성되어 있고, 이 너트부에는 가이드 레일 (32) 에 대하여 대체로 평행하게 배치된 볼 나사 (36a) 가 나사 결합되어 있다. 또, 이동 플레이트 (34b) 의 이면측 (후면측) 에는 너트부 (도시 생략) 가 형성되어 있고, 이 너트부에는 가이드 레일 (32) 에 대하여 대체로 평행하게 배치된 볼 나사 (36b) 가 나사 결합되어 있다.
볼 나사 (36a, 36b) 의 일단부에는 각각, 펄스 모터 (38) 가 연결되어 있다. 볼 나사 (36a) 와 연결된 펄스 모터 (38) 에 의해 볼 나사 (36a) 를 회전시킴으로써, 이동 플레이트 (34a) 가 가이드 레일 (32) 을 따라 Y 축 방향으로 이동한다. 또, 볼 나사 (36b) 와 연결된 펄스 모터 (38) 에 의해 볼 나사 (36b) 를 회전시킴으로써, 이동 플레이트 (34b) 가 가이드 레일 (32) 을 따라 Y 축 방향으로 이동한다.
이동 플레이트 (34a) 의 표면 (전면) 측에는, 1 쌍의 가이드 레일 (40a) 이 Z 축 방향을 따라 형성되어 있고, 이동 플레이트 (34b) 의 표면 (전면) 측에는, Z 축 방향을 따라 1 쌍의 가이드 레일 (40b) 이 형성되어 있다. 또, 1 쌍의 가이드 레일 (40a) 에는 이동 플레이트 (42a) 가 슬라이드 가능하게 장착되고, 1 쌍의 가이드 레일 (40b) 에는 이동 플레이트 (42b) 가 슬라이드 가능하게 장착되어 있다.
이동 플레이트 (42a) 의 이면측 (후면측) 에는 너트부 (도시 생략) 가 형성되어 있고, 이 너트부에는 가이드 레일 (40a) 에 대하여 대체로 평행하게 배치된 볼 나사 (44a) 가 나사 결합되어 있다. 볼 나사 (44a) 의 일단부에는 펄스 모터 (46) 가 연결되어 있고, 이 펄스 모터 (46) 에 의해 볼 나사 (44a) 를 회전시킴으로써, 이동 플레이트 (42a) 가 가이드 레일 (40a) 을 따라 Z 축 방향으로 이동한다.
이동 플레이트 (42b) 의 이면측 (후면측) 에는 너트부 (도시 생략) 가 형성되어 있고, 이 너트부에는 가이드 레일 (40b) 에 대하여 대체로 평행하게 배치된 볼 나사 (44b) 가 나사 결합되어 있다. 볼 나사 (44b) 의 일단부에는 펄스 모터 (46) 가 연결되어 있고, 이 펄스 모터 (46) 에 의해 볼 나사 (44b) 를 회전시킴으로써, 이동 플레이트 (42b) 가 가이드 레일 (40b) 을 따라 Z 축 방향으로 이동한다.
이동 플레이트 (42a) 의 하부에는 절삭 유닛 (24) 이 형성되고, 이동 플레이트 (42b) 의 하부에는 유체 분사 유닛 (26) 이 형성되어 있다. 그리고, 이동 유닛 (30a) 에 의해 절삭 유닛 (24) 의 Y 축 방향 및 Z 축 방향의 위치가 제어되고, 이동 유닛 (30b) 에 의해 유체 분사 유닛 (26) 의 Y 축 방향 및 Z 축 방향의 위치가 제어된다. 즉, 절삭 유닛 (24) 의 위치와 유체 분사 유닛 (26) 의 위치는 각각 독립적으로 제어된다.
도 5 는 절삭 유닛 (24) 을 나타내는 사시도이다. 절삭 유닛 (24) 은, 척 테이블 (20) 의 유지면 (20a) 에 대하여 대체로 평행한 방향으로 축심을 취하는 스핀들 (도시 생략) 을 구비하고 있고, 이 스핀들의 선단부에는 환상의 절삭 블레이드 (50) 가 장착되어 있다. 스핀들은 모터 등의 회전 구동원과 연결되어 있고, 스핀들에 장착된 절삭 블레이드 (50) 는 회전 구동원으로부터 전달되는 힘에 의해 회전한다.
절삭 블레이드 (50) 는, 예를 들어 다이아몬드 등으로 이루어지는 지립을 본드재로 고정시켜 형성된다. 본드재로는, 예를 들어 메탈 본드, 레진 본드, 비트리파이드 본드 등이 사용된다.
또, 절삭 유닛 (24) 은 절삭 블레이드 (50) 를 덮는 블레이드 커버 (52) 를 구비한다. 블레이드 커버 (52) 는, 절삭 블레이드 (50) 에 절삭액을 공급하는 제 1 노즐 블록 (54) 을 구비하고 있다. 제 1 노즐 블록 (54) 은, 절삭액이 공급되는 호스 (도시 생략) 와 접속되는 제 1 접속부 (56) 와, 제 1 접속부 (56) 와 접속되고 절삭 블레이드 (50) 에 절삭액을 공급하는 1 쌍의 블레이드 쿨러 노즐 (58a, 58b) 을 구비한다.
블레이드 쿨러 노즐 (58a, 58b) 은, 절삭 블레이드 (50) 를 표면 (50a) 측 및 이면 (50b) 측으로부터 끼우도록 배치된다. 또, 블레이드 쿨러 노즐 (58a, 58b) 에는 각각, 절삭 블레이드 (50) 와 대향하는 위치에 절삭 블레이드 (50) 에 절삭액을 공급하기 위한 복수의 개구 (도시 생략) 가 형성되어 있다. 제 1 접속부 (56) 에 공급된 절삭액은 블레이드 쿨러 노즐 (58a, 58b) 에 유입되고, 그 개구로부터 절삭 블레이드 (50) 의 표면 (50a) 측 및 이면 (50b) 측을 향하여 분사된다.
또, 블레이드 커버 (52) 는, 절삭 블레이드 (50) 와 척 테이블 (20) 에 의해 유지된 패키지 기판 (11) 에 절삭액을 공급하는 제 2 노즐 블록 (60) 을 구비하고 있다. 제 2 노즐 블록 (60) 은, 절삭액이 공급되는 호스 (도시 생략) 와 접속되는 제 2 접속부 (62) 및 제 3 접속부 (64) 를 구비한다.
제 2 접속부 (62) 는, 제 2 노즐 블록 (60) 의 내부에 형성된 샤워 노즐 (도시 생략) 과 접속되고, 샤워 노즐의 선단은 절삭 블레이드 (50) 의 외주부를 향하여 개구되어 있다. 제 2 접속부 (62) 에 공급된 절삭액은 샤워 노즐에 유입되고, 샤워 노즐의 선단으로부터 절삭 블레이드 (50) 의 외주부를 향하여 분사된다. 그리고, 절삭액은 절삭 블레이드 (50) 의 회전에 의해 절삭 블레이드 (50) 와 패키지 기판 (11) 의 접촉 영역에 공급된다.
제 3 접속부 (64) 는, 척 테이블 (20) 에 의해 유지된 패키지 기판 (11) 에 절삭액을 공급하는 스프레이 노즐 (66) 과 접속되어 있다. 스프레이 노즐 (66) 의 선단은, 척 테이블 (20) 의 유지면 (20a) 을 향하여 개구되어 있다. 제 3 접속부 (64) 에 공급된 절삭액은 스프레이 노즐 (66) 에 유입되고, 스프레이 노즐 (66) 의 선단으로부터 척 테이블 (20) 에 의해 유지된 패키지 기판 (11) 의 상면을 향하여 분사된다.
절삭 블레이드 (50) 에 의해 패키지 기판 (11) 을 절삭할 때에는, 상기 블레이드 쿨러 노즐 (58a, 58b), 샤워 노즐, 및 스프레이 노즐 (66) 로부터 절삭 블레이드 (50) 및 패키지 기판 (11) 에 절삭액을 공급한다. 이 절삭액의 공급에 의해, 절삭 블레이드 (50) 와 패키지 기판 (11) 이 접촉하는 영역이 냉각됨과 함께, 절삭에 의해 발생한 부스러기 (절삭 부스러기) 가 씻겨내어진다.
또, 절삭 유닛 (24) 에 인접하는 위치에는, 척 테이블 (20) 에 의해 흡인 유지된 패키지 기판 (11) 등을 촬상하기 위한 촬상 유닛 (70) 이 형성되어 있다. 촬상 유닛 (70) 에 의해 취득한 화상에 기초하여, 절삭 유닛 (24) 과 척 테이블 (20) 의 위치 맞춤이 실시된다.
도 3 에 나타내는 유체 분사 유닛 (26) 은, 척 테이블 (20) 에 의해 유지된 패키지 기판 (11) 을 향하여 유체를 분사하는 분사 노즐 (72) 을 구비한다. 절삭 유닛 (24) 에 의해 패키지 기판 (11) 을 절단한 후, 분사 노즐 (72) 로부터 패키지 기판 (11) 에 유체를 분사함으로써, 절삭 가공에 의해 발생한 버를 제거할 수 있다. 또한, 버의 제거가 가능하면, 분사 노즐 (72) 로부터 분사되는 유체에 제한은 없다. 예를 들어, 가압된 물 등의 액체가 분사 노즐 (72) 로부터 분사된다.
또, 유체 분사 유닛 (26) 에 인접하는 위치에는, 척 테이블 (20) 에 의해 흡인 유지된 패키지 기판 (11) 등을 촬상하기 위한 촬상 유닛 (도시 생략) 이 형성되어 있다. 이 촬상 유닛에 의해 취득한 화상에 기초하여, 유체 분사 유닛 (26) 과 척 테이블 (20) 의 위치 맞춤이 실시된다.
또한, 이동 유닛 (10), 척 테이블 (20), 절삭 유닛 (24), 유체 분사 유닛 (26), 이동 유닛 (30a, 30b) 등의 각 구성 요소는 절삭 장치 (2) 의 제어 유닛 (도시 생략) 과 접속되어 있고, 제어 유닛에 의해 그 동작이 제어된다.
분사 노즐 (72) 로부터 분사되는 유체의 압력은, 패키지 기판 (11) 의 절삭에 의해 발생한 버가 적절히 제거되도록 설정된다. 단, 유체의 압력이 커지면, 절단된 패키지 기판 (11) 의 일부가 비산되는 경우가 있다. 또, 패키지 기판 (11) 의 절삭에 의해 테이프 (25) (도 4 참조) 가 노출되고, 이 노출된 영역에 고압의 유체가 분사되어 테이프 (25) 가 파단되는 경우가 있다.
그 때문에, 유체의 압력은 상기와 같은 가공 상의 문제가 발생하지 않는 범위에서 설정된다. 그러나, 가공 상의 문제를 방지하기 위해 유체의 압력을 낮게 설정하면, 버의 제거가 불충분해지기 쉽다.
한편, 패키지 기판 (11) 이 완전히는 절단되지 않는 깊이까지 절삭 블레이드 (50) 를 절입시켜 전극 (19) 을 절삭한 후, 절삭에 의해 발생한 버를 유체의 분사에 의해 제거할 수도 있다. 이 경우, 패키지 기판 (11) 이 완전히는 절단되어 있지 않은 상태에서 유체가 분사되기 때문에, 유체의 압력을 높여도 패키지 기판 (11) 의 일부의 비산이나 테이프 (25) 의 파단 등의 가공 상의 문제가 잘 발생하지 않는다.
그러나, 이 수법을 사용하는 경우, 버를 제거한 후에 절삭 블레이드 (50) 를 패키지 기판 (11) 에 다시 절입시켜 패키지 기판 (11) 을 절단할 필요가 있다. 그 때문에, 동일한 절삭 예정 라인 (17) 에 대하여 복수 회의 절삭을 실시할 필요가 있어, 패키지 기판 (11) 의 가공 효율이 저하된다. 또, 2 회째의 절삭시, 1 회째의 절삭의 절삭면에서 노출된 전극 (19) 에 절삭 블레이드 (50) 가 접촉하여, 버가 다시 발생하는 경우가 있다.
그래서, 본 발명의 일 양태에 관련된 패키지 기판의 가공 방법에서는, 유기산과 산화제를 함유하는 절삭액을 공급하면서 패키지 기판 (11) 을 절삭한 후, 절삭에 의해 발생한 버를 유체의 분사에 의해 제거한다. 절삭 가공시에 유기산과 산화제를 함유하는 절삭액을 공급하면, 유기산에 의해 전극 (19) 이 개질됨과 함께 산화제에 의해 전극 (19) 이 산화되어, 전극 (19) 의 연성이 저하된다. 그 결과, 전극 (19) 이 절삭 블레이드 (50) 에 의해 잡아 늘여지기 어려워져 버의 발생이 억제됨과 함께, 유체의 분사에 의해 버가 제거되기 쉬워진다.
이로써, 유체를 분사하여 버를 제거할 때에 유체의 압력을 저감시킬 수 있어, 유체의 분사에 의한 가공 상의 문제의 발생이 억제된다. 또, 동일한 절삭 예정 라인 (17) 에 대하여 복수 회의 절삭을 실시하지 않고 버를 제거할 수 있기 때문에, 가공 효율의 저하를 방지할 수 있다.
절삭액에 함유되는 유기산으로는, 예를 들어, 분자 내에 적어도 1 개의 카르복실기와 적어도 1 개의 아미노기를 갖는 화합물을 사용할 수 있다. 이 경우, 아미노기 중 적어도 하나는, 2 급 또는 3 급의 아미노기이면 바람직하다. 또, 유기산으로서 사용하는 화합물은, 치환기를 갖고 있어도 된다.
유기산으로서 사용할 수 있는 아미노산으로는, 글리신, 디하이드록시에틸글리신, 글리실글리신, 하이드록시에틸글리신, N-메틸글리신, β-알라닌, L-알라닌, L-2-아미노부티르산, L-노르발린, L-발린, L-류신, L-노르류신, L-알로이소류신, L-이소류신, L-페닐알라닌, L-프롤린, 사르코신, L-오르니틴, L-리신, 타우린, L-세린, L-트레오닌, L-알로트레오닌, L-호모세린, L-티록신, L-티로신, 3,5-디요오드-L-티로신, β-(3,4-디하이드록시페닐)-L-알라닌, 4-하이드록시-L-프롤린, L-시스테인, L-메티오닌, L-에티오닌, L-란티오닌, L-시스타티오닌, L-시스틴, L-시스테인산, L-글루탐산, L-아스파르트산, S-(카르복시메틸)-L-시스테인, 4-아미노부티르산, L-아스파라긴, L-글루타민, 아자세린, L-카나바닌, L-시트룰린, L-아르기닌, δ-하이드록시-L-리신, 크레아틴, L-키뉴레닌, L-히스티딘, 1-메틸-L-히스티딘, 3-메틸-L-히스티딘, L-트립토판, 악티노마이신 C1, 에르고티오네인, 아파민, 안지오텐신 Ⅰ, 안지오텐신 Ⅱ 및 안티파인 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 글리신, L-알라닌, L-프롤린, L-히스티딘, L-리신, 디하이드록시에틸글리신이 바람직하다.
또, 유기산으로서 사용할 수 있는 아미노폴리산으로는, 이미노디아세트산, 니트릴로삼아세트산, 디에틸렌트리아민오아세트산, 에틸렌디아민사아세트산, 하이드록시에틸이미노디아세트산, 니트릴로트리스메틸렌포스폰산, 에틸렌디아민-N,N,N',N'-테트라메틸렌술폰산, 1,2-디아미노프로판사아세트산, 글리콜에테르디아민사아세트산, 트랜스시클로헥산디아민사아세트산, 에틸렌디아민오르토하이드록시페닐아세트산, 에틸렌디아민디숙신산 (SS 체), β-알라닌디아세트산, N-(2-카르복실레이트에틸)-L-아스파르트산, N,N'-비스(2-하이드록시벤질)에틸렌디아민-N,N'-디 아세트산 등을 들 수 있다.
또한, 유기산으로서 사용할 수 있는 카르복실산으로는, 포름산, 글리콜산, 프로피온산, 아세트산, 부티르산, 길초산, 헥산산, 옥살산, 말론산, 글루타르산, 아디프산, 말산, 숙신산, 피멜산, 메르캅토아세트산, 글리옥실산, 클로로아세트산, 피루브산, 아세토아세트산, 글루타르산 등의 포화 카르복실산이나, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 푸마르산, 말레산, 메사콘산, 시트라콘산, 아코니트산 등의 불포화 카르복실산, 벤조산류, 톨루산, 프탈산류, 나프토산류, 피로멜리트산, 나프탈산 등의 고리형 불포화 카르복실산 등을 들 수 있다.
절삭액에 함유되는 산화제로는, 예를 들어, 과산화수소, 과산화물, 질산염, 요오드산염, 과요오드산염, 차아염소산염, 아염소산염, 염소산염, 과염소산염, 과황산염, 중크롬산염, 과망간산염, 세륨산염, 바나드산염, 오존수 및 은 (Ⅱ) 염, 철 (Ⅲ) 염이나, 그 유기 착염 등을 사용할 수 있다.
또, 절삭액에는, 방식제가 혼합되어도 된다. 방식제를 혼합함으로써, 패키지 기판 (11) 에 함유되는 금속의 부식 (용출) 을 방지할 수 있다. 방식제로는, 예를 들어, 분자 내에 3 개 이상의 질소 원자를 갖고, 또한, 축고리 구조를 갖는 복소 방향 고리 화합물, 또는 분자 내에 4 개 이상의 질소 원자를 갖는 복소 방향 고리 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 방향 고리 화합물은, 카르복실기, 술포기, 하이드록시기, 알콕시기를 함유하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 테트라졸 유도체, 1,2,3-트리아졸 유도체, 및 1,2,4-트리아졸 유도체인 것이 바람직하다.
방식제로서 사용할 수 있는 테트라졸 유도체로는, 테트라졸 고리를 형성하는 질소 원자 상에 치환기를 갖지 않고, 또한 테트라졸의 5 위치에, 술포기, 아미노기, 카르바모일기, 카르본아미드기, 술파모일기, 및 술폰아미드기로 이루어지는 군에서 선택된 치환기, 또는 하이드록시기, 카르복시기, 술포기, 아미노기, 카르바모일기, 카르본아미드기, 술파모일기, 및 술폰아미드기로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1 개의 치환기로 치환된 알킬기가 도입된 것을 들 수 있다.
또, 방식제로서 사용할 수 있는 1,2,3-트리아졸 유도체로는, 1,2,3-트리아졸 고리를 형성하는 질소 원자 상에 치환기를 갖지 않고, 또한 1,2,3-트리아졸의 4 위치 및/또는 5 위치에, 하이드록시기, 카르복시기, 술포기, 아미노기, 카르바모일기, 카르본아미드기, 술파모일기, 및 술폰아미드기로 이루어지는 군에서 선택된 치환기, 혹은 하이드록시기, 카르복시기, 술포기, 아미노기, 카르바모일기, 카르본아미드기, 술파모일기, 및 술폰아미드기로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1 개의 치환기로 치환된 알킬기 또는 아릴기가 도입된 것을 들 수 있다.
또, 방식제로서 사용할 수 있는 1,2,4-트리아졸 유도체로는, 1,2,4-트리아졸 고리를 형성하는 질소 원자 상에 치환기를 갖지 않고, 또한 1,2,4-트리아졸의 2 위치 및/또는 5 위치에, 술포기, 카르바모일기, 카르본아미드기, 술파모일기, 및 술폰아미드기로 이루어지는 군에서 선택된 치환기, 혹은 하이드록시기, 카르복시기, 술포기, 아미노기, 카르바모일기, 카르본아미드기, 술파모일기, 및 술폰아미드기로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1 개의 치환기로 치환된 알킬기 또는 아릴기가 도입된 것을 들 수 있다.
상기와 같은 유기산과 산화제를 함유하는 절삭액은, 도 5 에 나타내는 절삭 유닛 (24) 이 구비하는 블레이드 쿨러 노즐 (58a, 58b), 샤워 노즐 (도시 생략), 및 스프레이 노즐 (66) 로부터 절삭 블레이드 (50) 및 패키지 기판 (11) 에 공급된다. 단, 그 절삭액은 이들 노즐 중 적어도 하나로부터 공급되면 된다.
다음으로, 상기 절삭 장치 (2) 를 사용한 패키지 기판의 가공 방법의 구체예에 대해 설명한다. 먼저, 도 4 에 나타내는 바와 같이 패키지 기판 (11) 에 테이프 (25) 를 첩착한다 (테이프 첩착 스텝). 또한, 테이프 (25) 는, 기판 (13) 의 표면 (13a) 측이 노출되도록 패키지 기판 (11) 의 수지층 (15) 측에 첩착된다. 그 후, 테이프 (25) 를 개재하여 패키지 기판 (11) 을 유지 수단으로 유지한다 (유지 스텝). 도 3 에 나타내는 절삭 장치 (2) 에서는, 척 테이블 (20) 이 유지 수단에 상당한다.
다음으로, 절삭 블레이드 (50) 에 의해 패키지 기판 (11) 을 절단한다 (절삭 스텝). 도 6 은 절삭 스텝의 모습을 나타내는 일부 단면 정면도이다. 절삭 스텝에서는 먼저, 절삭 블레이드 (50) 를 그 하단이 수지층 (15) 의 하단보다 하방에 위치되도록 배치한다. 그리고, 유지면 (20a) 과 대체로 평행하고, 또한 절삭 블레이드 (50) 가 장착된 스핀들의 축심과 대체로 수직인 방향 (가공 이송 방향) 을 따라, 척 테이블 (20) 을 이동시키는 가공 이송을 실시한다.
이로써, 절삭 블레이드 (50) 와 패키지 기판 (11) 이 상대적으로 이동하고, 절삭 블레이드 (50) 가 테이프 (25) 에 이르는 깊이로 패키지 기판 (11) 에 절입된다. 그 결과, 패키지 기판 (11) 이 절삭 예정 라인 (17) 을 따라 절단된다. 또한, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 절삭 블레이드 (50) 의 두께는 절삭 예정 라인 (17) 을 따라 배열된 전극 (19) 의 오목부 (19a) 의 길이 방향에 있어서의 길이보다 작고, 절삭 블레이드 (50) 는 오목부 (19a) 의 내측을 통과하도록 패키지 기판 (11) 을 절삭한다.
절삭 스텝에서는, 블레이드 쿨러 노즐 (58a, 58b), 샤워 노즐 (도시 생략), 및 스프레이 노즐 (66) (도 5 참조) 로부터 유기산과 산화제를 함유하는 절삭액 (74) 을 절삭 블레이드 (50) 및 패키지 기판 (11) 을 향하여 분사하면서 패키지 기판 (11) 을 절단한다. 이로써, 절삭 블레이드 (50) 가 패키지 기판 (11) 을 절삭하는 절삭 영역 (11b) 에 절삭액 (74) 이 공급된다.
절삭 영역 (11b) 에 절삭액 (74) 이 공급되면, 절삭액 (74) 에 함유되는 유기산에 의해 전극 (19) 이 개질됨과 함께, 절삭액 (74) 에 함유되는 산화제에 의해 전극 (19) 의 표면이 산화되어, 전극 (19) 의 연성이 저하된다. 이로써, 전극 (19) 의 절삭에 의한 버의 발생이 억제된다.
또한, 절삭액 (74) 의 공급에 의해 버의 발생은 억제되지만, 버의 발생을 완전히는 회피할 수 없는 경우가 있다. 그 때문에, 절삭 스텝을 실시한 후, 유체를 절삭 예정 라인 (17) 을 따라 분사함으로써 절삭 스텝에서 발생한 버를 제거한다 (버 제거 스텝). 도 7 은 버 제거 스텝의 모습을 나타내는 일부 단면 정면도이다.
버 제거 스텝은, 유체 분사 유닛 (26) 이 구비하는 분사 노즐 (72) 로부터 절삭 영역 (11b) 을 향하여 유체 (76) 를 분사시킴으로써 실시된다. 분사 노즐 (72) 은, 예를 들어 가압된 물 등의 유체 (76) 를 분사구 (72a) 로부터 분사하여, 전극 (19) 으로부터 발생한 버 (19b) 를 날려버린다. 버 (19b) 를 제거함으로써, 패키지 기판 (11) 을 분할하여 얻어지는 패키지 디바이스의 품질 저하를 방지할 수 있다.
분사 노즐 (72) 의 분사구 (72a) 는, 예를 들어 원형으로 형성된다. 또, 분사 노즐 (72) 은, 예를 들어 도 7 에 나타내는 바와 같이, 분사구 (72a) 의 중심이 절삭 영역 (11b) 과 중첩되도록 위치된다. 그리고, 분사구 (72a) 로부터 유체 (76) 를 분사하면서 척 테이블 (20) 을 가공 이송 방향으로 이동시킴으로써, 절삭 예정 라인 (17) 을 따라 유체 (76) 가 분사되어 버 (19b) 가 제거된다.
또한, 버 (19b) 는 전극 (19) 으로부터 발생하기 때문에, 분사 노즐 (72) 을 전극 (19) 상에 위치시켜 버 제거 스텝을 실시해도 된다. 도 8 은 도 7 과는 상이한 버 제거 스텝의 모습을 나타내는 일부 단면 정면도이다.
도 8 에 나타내는 바와 같이, 분사 노즐 (72) 은, 분사구 (72a) 의 중심이 전극 (19) 과 중첩되도록 위치시켜도 된다. 보다 바람직하게는, 분사구 (72a) 의 중심이 특히 버 (19b) 가 잔류하기 쉬운 오목부 (19a) 와 중첩되도록 분사 노즐 (72) 을 위치시킨다. 이로써, 버 (19b) 에 유체 (76) 가 강하게 분사되어, 버 (19b) 가 제거되기 쉬워진다.
또한, 패키지 기판 (11) 에는, 절삭 블레이드 (50) 에 의한 절삭에 의해 측벽 (11c, 11d) 이 형성되어 있고, 예를 들어 분사 노즐 (72) 은, 측벽 (11c) 에서 분사구 (72a) 의 중심까지의 수평 방향에 있어서의 거리 (D) 가 20 ㎛ 이하가 되도록 위치된다. 단, 거리 (D) 의 값은 전극 (19) 이나 오목부 (19a) 의 치수 등에 따라 적절히 설정할 수 있다.
또, 분사 노즐 (72) 로부터 분사된 유체 (76) 는, 오목부 (19a) 의 내부에 고이기 쉽다. 그 때문에, 특히 버 (19b) 가 발생하기 쉬운 오목부 (19a) 에 유체 (76) 가 공급되기 쉬워, 버의 발생이 효과적으로 억제된다.
상기와 같이 일방의 측벽 (11c) 측에 잔류한 버 (19b) 를 제거한 후, 타방의 측벽 (11d) 측에서도 동일하게 하여 버의 제거를 실시한다. 이와 같이, 측벽 (11c) 측과 측벽 (11d) 측의 양방에 유체를 분사함으로써, 버를 확실히 제거할 수 있다.
그리고, 상기 절삭 스텝 및 버 제거 스텝을 모든 절삭 예정 라인 (17) 에 대하여 실시함으로써, 패키지 기판 (11) 이 복수의 패키지 디바이스로 분할된다.
또한, 절삭 유닛 (24) 의 이동과 유체 분사 유닛 (26) 의 이동은 각각, 도 3 에 나타내는 이동 유닛 (30a, 30b) 에 의해 독립적으로 제어된다. 그 때문에, 패키지 기판 (11) 에 유체 (76) 를 분사하는 타이밍은 자유롭게 설정할 수 있다.
예를 들어, 척 테이블 (20) 을 제 1 가공 이송 방향으로 이동시키면서 절삭 유닛 (24) 으로 패키지 기판 (11) 을 절삭하고, 그 후, 척 테이블 (20) 을 제 1 가공 이송 방향과는 역방향 (제 2 가공 이송 방향) 으로 이동시키면서 유체 분사 유닛 (26) 에 의해 버를 제거해도 된다. 이로써, 가공 이송의 왕로와 귀로에서 각각 절삭 스텝과 버 제거 스텝을 실시할 수 있다.
단, 버의 제거를 실시하는 타이밍은 상기에 한정되지 않는다. 예를 들어, 모든 절삭 예정 라인 (17) 을 따라 패키지 기판 (11) 을 절삭한 후에 버의 제거를 합쳐서 실시해도 된다. 또, 하나의 절삭 예정 라인 (17) 을 따라 패키지 기판 (11) 을 절삭함과 동시에, 이미 절삭된 다른 절삭 예정 라인 (17) 을 따라 버의 제거를 실시해도 된다. 이 경우, 패키지 기판 (11) 의 절삭과 버의 제거를 동시 진행으로 실시할 수 있다.
또, 도 3 에서는 절삭 유닛 (24) 의 위치와 유체 분사 유닛 (26) 의 위치가 각각 독립적으로 제어되는 구성에 대해 설명하였지만, 절삭 유닛 (24) 과 유체 분사 유닛 (26) 은 일체로서 구성되어 있어도 된다. 예를 들어, 도 5 에 나타내는 블레이드 커버 (52) 에 분사 노즐 (72) 을 장착함으로써, 절삭과 액체 분사의 양방을 실시하는 유닛을 구성해도 된다. 이 경우, 절삭 블레이드 (50) 와 분사 노즐 (72) 은 척 테이블 (20) 에 대하여 일체로서 이동하고, 절삭 블레이드 (50) 에 의한 패키지 기판 (11) 의 절삭에 추종하여 분사 노즐 (72) 에 의한 버의 제거가 실시된다.
이상과 같이, 본 발명의 일 양태에 관련된 패키지 기판의 가공 방법에서는, 유기산과 산화제를 함유하는 절삭액 (74) 을 공급하면서 패키지 기판 (11) 을 절삭하는 절삭 스텝을 실시한 후, 유체 (76) 의 분사에 의해 버를 제거하는 버 제거 스텝을 실시한다. 이 절삭액 (74) 의 공급에 의해 버의 발생이 억제됨과 함께 버가 제거되기 쉬워지기 때문에, 버를 제거하는 유체 (76) 의 압력을 저감시킬 수 있다. 이로써, 가공 상의 문제의 발생 및 가공 효율의 저하를 억제하면서 버를 제거하는 것이 가능해진다.
또한, 상기에서는 테이프 (25) 를 개재하여 패키지 기판 (11) 을 척 테이블 (20) 로 흡인 유지하여 가공하는 양태에 대해 설명하였지만, 패키지 기판 (11) 을 유지하는 유지 수단으로서 지그 테이블을 사용할 수도 있다. 패키지 기판 (11) 을 유지하는 지그 테이블의 구성예를 도 9 에 나타낸다. 도 9(A) 는 지그 테이블 (80) 을 나타내는 평면도이고, 도 9(B) 는 지그 테이블 (80) 을 나타내는 단면도이다.
지그 테이블 (80) 은, 평면에서 봤을 때에 사각형상으로 형성된 지그 베이스 (82) 를 구비한다. 이 지그 베이스 (82) 는, 도 3 에 나타내는 척 테이블 (20) 대신에 이동 블록 (8) 상에 배치된다. 또, 지그 베이스 (82) 는 모터 등의 회전 구동원 (도시 생략) 에 연결되어 있고, 연직 방향에 대체로 평행한 회전축의 둘레로 회전한다. 지그 베이스 (82) 의 상면 (82a) 에는, 패키지 기판 (11) 의 형상에 대응한 유지 부재 (84) 가 분리 가능하게 장착된다.
유지 부재 (84) 는, 평면에서 봤을 때에 사각형상의 판상으로 형성되고, 유지 부재 (84) 의 상면은 패키지 기판 (11) 을 흡인 유지하기 위한 유지면 (84a) 을 구성한다. 유지 부재 (84) 의 유지면 (84a) 측에는, 패키지 기판 (11) 의 절삭 예정 라인 (17) 에 대응하는 홈 (84c) 이 형성되어 있고, 홈 (84c) 의 상단은 유지면 (84a) 에서 개구되어 있다. 이 홈 (84c) 에 의해, 유지면 (84a) 은 패키지 기판 (11) 의 영역 (11a) (도 1(A) 참조) 에 대응하는 복수의 영역으로 구획되어 있다.
홈 (84c) 에 의해 구획된 각 영역에는, 유지 부재 (84) 를 상하로 관통하는 흡인공 (84d) 이 형성되어 있다. 도 9(B) 에 나타내는 바와 같이, 지그 베이스 (82) 의 상면 (82a) 에 유지 부재 (84) 를 얹으면, 각 흡인공 (84d) 은 지그 베이스 (82) 의 상면 (82a) 측의 중앙 부분에 형성된 제 1 유로 (82b) 에 접속된다.
제 1 유로 (82b) 는, 밸브 (86a) 를 개재하여 흡인원 (88) 에 접속되어 있다. 유지 부재 (84) 의 유지면 (84a) 상에 패키지 기판 (11) 을 배치하고, 패키지 기판 (11) 의 절삭 예정 라인 (17) 을 홈 (84c) 에 중첩시킨 상태에서 밸브 (86a) 를 개방하면, 패키지 기판 (11) 이 지그 테이블 (80) 에 의해 흡인 유지된다.
또한, 지그 베이스 (82) 의 외주 부분에는, 유지 부재 (84) 를 지그 베이스 (82) 에 장착하기 위한 제 2 유로 (82c) 가 형성되어 있다. 이 제 2 유로 (82c) 는, 밸브 (86b) 를 개재하여 흡인원 (88) 에 접속되어 있다. 지그 베이스 (82) 의 상면 (82a) 에 유지 부재 (84) 의 하면 (84b) 을 접촉시켜 밸브 (86b) 를 개방하면, 유지 부재 (84) 가 지그 베이스 (82) 의 상면 (82a) 에 고정된다.
본 실시형태에 있어서의 절삭 스텝 및 버 제거 스텝은, 패키지 기판 (11) 을 지그 테이블 (80) 에 의해 유지한 상태에서도 실시할 수 있다. 도 10 은 지그 테이블 (80) 을 사용한 절삭 스텝의 모습을 나타내는 단면도이다.
패키지 기판 (11) 을 지그 테이블 (80) 로 유지하면, 유지 부재 (84) 의 홈 (84c) 과 중첩되는 위치에 패키지 기판 (11) 의 절삭 예정 라인 (17) 이 배치된다. 그리고, 절삭 블레이드 (50) 를, 그 하단이 홈 (84c) 의 내부에 이르는 높이에 위치시켜 패키지 기판 (11) 을 절삭한다. 이로써, 지그 테이블 (80) 의 홈 (84c) 에 이르는 깊이로 절삭 블레이드 (50) 가 패키지 기판 (11) 에 절입되어, 패키지 기판 (11) 이 절단된다.
그 후, 지그 테이블 (80) 에 의해 유지된 패키지 기판 (11) 에 유체가 분사되어, 버 제거 스텝이 실시된다. 또한, 상기에서 설명한 것 이외의 공정의 상세한 내용에 대해서는, 유지 수단으로서 척 테이블 (20) 을 사용한 경우와 동일하다.
다음으로, 본 실시형태에 관련된 패키지 기판의 가공 방법을 사용하여 가공한 패키지 기판의 평가 결과에 대해 설명한다. 본 평가에서는, 테이프 (25) 를 개재하여 패키지 기판 (11) 을 척 테이블 (20) 에 의해 유지하고, 유기산과 산화제를 함유하는 절삭액을 공급하면서 절삭 스텝을 실시하고, 소정의 압력의 유체를 분사하여 버 제거 스텝을 실시하였다. 그리고, 가공 후의 패키지 기판에 있어서의 테이프 (25) 의 파단 유무와 버의 잔류 유무를 관찰하였다.
패키지 기판 (11) 으로는 폭 65 ㎜, 길이 75 ㎜, 두께 0.55 ㎜ 의 QFN 패키지 (Quad For Non-Lead Package) 를 사용하고, 테이프 (25) 로는, 기재가 PET (Polyethylene terephthalate) 로 이루어지고, 두께가 200 ㎛ 인 린텍사 제조의 테이프 (D-218) 을 사용하였다. 그리고, 테이프 (25) 를 개재하여 패키지 기판 (11) 을 척 테이블 (20) 에 의해 유지한 상태에서, 절삭 블레이드 (50) 를 테이프 (25) 에 도달하는 깊이로 패키지 기판 (11) 에 절입시켜, 패키지 기판 (11) 을 절삭 예정 라인 (17) 을 따라 절삭하는 절삭 스텝을 실시하였다. 또한, 패키지 기판 (11) 의 절삭은, 유기산과 산화제를 함유하는 절삭액을 공급하면서 실시하였다.
그 후, 분사 노즐 (72) 로부터 절삭 예정 라인 (17) 을 향하여 유체를 분사시켜, 버 제거 스텝을 실시하였다. 또한, 유체로는 물을 사용하였다. 버 제거 스텝은, 분사 노즐 (72) 로부터 분사되는 유체의 압력을 25 ㎫, 30 ㎫, 35 ㎫, 40 ㎫ 로 한 경우 각각에 대해 실시하였다. 그리고, 버 제거 스텝 후의 패키지 기판 (11) 에 대해, 테이프 (25) 의 파단 유무 및 버의 잔류 유무를 관찰하였다.
패키지 기판 (11) 의 평가 결과를 표 1 에 나타낸다. 또한, 표 1 에는, 절삭액으로서 순수를 사용하고, 분사 노즐 (72) 로부터 35 ㎫ 의 압력으로 유체를 분사하여 가공한 패키지 기판 (11) 의 관찰 결과도 비교예로서 나타내고 있다.
Figure pat00001
표 1 에 나타내는 바와 같이, 연삭액으로서 순수를 사용하고, 유체의 압력을 35 ㎫ 로 한 경우, 패키지 기판 (11) 에 버가 잔류하고 있는 것이 확인되었다. 이것으로부터, 연삭액이 순수인 경우에는, 유체의 압력을 35 ㎫ 로 설정해도 버의 제거에는 불충분한 것을 알 수 있다. 그 때문에, 연삭액이 순수인 경우, 유체의 압력은 통상적으로 70 ㎫ 정도로 설정된다.
한편, 유기산과 산화제를 함유하는 절삭액을 사용하고, 유체의 압력을 30 ㎫, 35 ㎫, 40 ㎫ 로 한 경우에는, 패키지 기판 (11) 에 눈에 띄는 버는 관찰되지 않았다. 이것으로부터, 절삭액으로서 순수를 사용한 경우와 비교하여, 버의 제거에 필요한 유체의 압력이 저감된 것을 확인할 수 있었다. 이것은, 유기산과 산화제를 함유하는 절삭액의 공급에 의해, 버의 발생이 억제됨과 함께 버가 제거되기 쉬워졌기 때문인 것으로 추찰된다.
단, 유체의 압력이 25 ㎫ 인 경우에는 패키지 기판 (11) 에 근소한 버의 잔류가 관찰되었다. 그 때문에, 버를 확실히 제거하기 위해서는, 유체의 압력을 25 ㎫ 보다 크게 하는 것이 바람직하고, 30 ㎫ 이상으로 하는 것이 보다 바람직하다.
또, 유기산과 산화제를 함유하는 절삭액을 사용한 경우라도, 유체의 압력을 40 ㎫ 로 하면 테이프 (25) 의 파단이 발생하였다. 그 때문에, 테이프 (25) 의 파단을 방지하기 위해서는, 유체의 압력은 40 ㎫ 미만으로 하는 것이 바람직하고, 35 ㎫ 이하로 하는 것이 보다 바람직하다. 이와 같이, 버 제거 스텝에서 분사되는 유체의 압력은, 버가 제거되고, 또한 가공 상의 문제 (테이프의 파단, 패키지 기판의 비산 등) 가 발생하지 않는 값으로 설정하는 것이 바람직하다.
상기 결과로부터, 유기산과 산화제를 함유하는 절삭액을 사용하여 패키지 기판 (11) 을 절삭함으로써, 버를 제거하기 위해 분사되는 유체의 압력이 저감되어, 가공 상의 문제의 발생을 억제하면서 버를 제거 가능해지는 것이 확인되었다.
그 밖에, 상기 실시형태에 관련된 구조, 방법 등은, 본 발명의 목적으로 하는 범위를 일탈하지 않는 한에 있어서 적절히 변경하여 실시할 수 있다.
11 : 패키지 기판
11a : 영역
11b : 절삭 영역
11c : 측벽
11d : 측벽
13 : 기판
13a : 표면
13b : 이면
15 : 수지층
17 : 절삭 예정 라인
19 : 전극
19a : 오목부
19b : 버
21 : 마커
23 : 프레임 유닛
25 : 테이프
27 : 환상 프레임
2 : 절삭 장치
4 : 기대
6a, 6b : 가이드 레일
8 : 이동 블록
10 : 이동 유닛
12 : 볼 나사
14 : 펄스 모터
16 : 스케일
18 : 지지 부재
20 : 척 테이블
20a : 유지면
22 : 클램프
24 : 절삭 유닛
26 : 유체 분사 유닛
28 : 지지 구조
30a, 30b : 이동 유닛
32 : 가이드 레일
34a, 34b : 이동 플레이트
36a, 36b : 볼 나사
38 : 펄스 모터
40a, 40b : 가이드 레일
42a, 42b : 이동 플레이트
44a, 44b : 볼 나사
46 : 펄스 모터
50 : 절삭 블레이드
50a : 표면
50b : 이면
52 : 블레이드 커버
54 : 제 1 노즐 블록
56 : 제 1 접속부
58a, 58b : 블레이드 쿨러 노즐
60 : 제 2 노즐 블록
62 : 제 2 접속부
64 : 제 3 접속부
66 : 스프레이 노즐
70 : 촬상 유닛
72 : 분사 노즐
72a : 분사구
74 : 절삭액
76 : 유체
80 : 지그 테이블
82 : 지그 베이스
82a : 상면
82b : 제 1 유로
82c : 제 2 유로
84 : 유지 부재
84a : 유지면
84b : 하면
84c : 홈
84d : 흡인공
86a, 86b : 밸브
88 : 흡인원

Claims (3)

  1. 절삭 예정 라인에 형성된 전극을 갖는 패키지 기판의 가공 방법으로서,
    그 절삭 예정 라인을 따라 절삭 블레이드로 그 패키지 기판을 절단하는 절삭 스텝과,
    그 절삭 스텝을 실시한 후, 유체를 그 절삭 예정 라인을 따라 분사하여 그 절삭 스텝에서 발생한 버를 제거하는 버 제거 스텝을 구비하고,
    그 절삭 스텝에서는, 그 절삭 블레이드가 그 패키지 기판을 절삭하는 절삭 영역에 유기산과 산화제를 함유하는 절삭액을 공급하면서 그 패키지 기판을 절삭하는 것을 특징으로 하는 패키지 기판의 가공 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    그 절삭 스텝을 실시하기 전에, 그 패키지 기판에 테이프를 첩착하는 테이프 첩착 스텝과, 그 테이프를 개재하여 그 패키지 기판을 유지 수단으로 유지하는 유지 스텝을 추가로 구비하고,
    그 절삭 스텝에서는, 그 테이프에 이르는 깊이로 그 절삭 블레이드를 그 패키지 기판에 절입시킴으로써, 그 테이프가 첩착된 그 패키지 기판을 절단하고,
    그 버 제거 스텝에서는, 그 테이프가 그 패키지 기판에 첩착된 상태에서 그 유체를 분사하는 것을 특징으로 하는 패키지 기판의 가공 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    그 절삭 스텝을 실시하기 전에, 그 절삭 예정 라인에 대응한 홈이 형성된 지그 테이블로 그 패키지 기판을 유지하는 유지 스텝을 추가로 구비하고,
    그 절삭 스텝에서는, 그 지그 테이블의 그 홈에 이르는 깊이로 그 절삭 블레이드를 그 패키지 기판에 절입시킴으로써, 그 지그 테이블로 유지된 그 패키지 기판을 절단하고,
    그 버 제거 스텝에서는, 그 지그 테이블로 유지된 그 패키지 기판에 그 유체를 분사하는 것을 특징으로 하는 패키지 기판의 가공 방법.
KR1020190088271A 2018-08-17 2019-07-22 패키지 기판의 가공 방법 KR20200020586A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2018-153474 2018-08-17
JP2018153474A JP7340911B2 (ja) 2018-08-17 2018-08-17 パッケージ基板の加工方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20200020586A true KR20200020586A (ko) 2020-02-26

Family

ID=69523364

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190088271A KR20200020586A (ko) 2018-08-17 2019-07-22 패키지 기판의 가공 방법

Country Status (8)

Country Link
US (1) US11101151B2 (ko)
JP (1) JP7340911B2 (ko)
KR (1) KR20200020586A (ko)
CN (1) CN110838450B (ko)
DE (1) DE102019212183A1 (ko)
MY (1) MY192105A (ko)
SG (1) SG10201906893VA (ko)
TW (1) TWI803681B (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113257713B (zh) * 2021-05-11 2024-05-17 日月新半导体(苏州)有限公司 集成电路去毛刺装置、集成电路去毛刺辅助装置以及集成电路去毛刺方法
CN114571340B (zh) * 2022-05-09 2022-09-16 杭州荆鑫机械有限公司 一种机械精加工用抛光装置及抛光方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016157722A (ja) 2015-02-23 2016-09-01 株式会社ディスコ 切削装置
JP2016181569A (ja) 2015-03-24 2016-10-13 株式会社ディスコ パッケージ基板の切削方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008130929A (ja) * 2006-11-22 2008-06-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2015138950A (ja) * 2014-01-24 2015-07-30 株式会社ディスコ 切削装置
JP6274926B2 (ja) * 2014-03-17 2018-02-07 株式会社ディスコ 切削方法
JP6426407B2 (ja) * 2014-09-03 2018-11-21 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6707396B2 (ja) * 2016-05-11 2020-06-10 株式会社ディスコ 切削装置
JP6791581B2 (ja) * 2016-11-11 2020-11-25 株式会社ディスコ パッケージ基板切断用治具テーブル

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016157722A (ja) 2015-02-23 2016-09-01 株式会社ディスコ 切削装置
JP2016181569A (ja) 2015-03-24 2016-10-13 株式会社ディスコ パッケージ基板の切削方法

Also Published As

Publication number Publication date
US11101151B2 (en) 2021-08-24
JP2020027917A (ja) 2020-02-20
SG10201906893VA (en) 2020-03-30
CN110838450B (zh) 2024-05-24
TWI803681B (zh) 2023-06-01
TW202009998A (zh) 2020-03-01
JP7340911B2 (ja) 2023-09-08
DE102019212183A1 (de) 2020-03-05
US20200058525A1 (en) 2020-02-20
CN110838450A (zh) 2020-02-25
MY192105A (en) 2022-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201836749A (zh) 加工方法
KR20200020586A (ko) 패키지 기판의 가공 방법
KR102058767B1 (ko) 가공 방법
TWI736747B (zh) 加工方法
KR102448221B1 (ko) 가공 방법
TW201838005A (zh) 加工方法
TWI733994B (zh) 加工方法
CN108695145A (zh) 加工方法
JP6991663B2 (ja) 加工方法
US10522405B2 (en) Method of processing workpiece including cutting step that uses cutting fluid with organic acid and oxidizing agent to reduce ductility of layered bodies containing metal
TW201933514A (zh) 加工裝置
TWI801498B (zh) 加工裝置
US10468302B2 (en) Workpiece processing method
US20240071784A1 (en) Cutting apparatus
TW202245023A (zh) 基板之加工方法
US20180286753A1 (en) Method of processing workpiece
KR20180112684A (ko) 가공 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal