TWI803681B - 封裝基板的加工方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的課題，係提供可一邊抑制加工上之不妥的發生及加工效率的降低，一邊去除溢料之封裝基板的加工方法。 解決手段是一種封裝基板的加工方法，係具有形成於預定切削線的電極之封裝基板的加工方法，其特徵為具備：沿著該預定切削線以切削刀切斷該封裝基板的切削步驟；及實施該切削步驟之後，沿著該預定切削線噴射流體，以去除該切削步驟中所產生之溢料的溢料去除步驟；在該切削步驟中，一邊對該切削刀切削該封裝基板的切削區域，供給包含有機酸與氧化劑的切削液，一邊切削該封裝基板。

Description

封裝基板的加工方法
本發明係關於切斷封裝基板時所用之封裝基板的加工方法。
藉由以由樹脂所成的封止材(壓模樹脂)被覆配置於基板上的裝置晶片，形成封裝基板。藉由沿著預定切削線(切割道)分割該封裝基板，獲得分別包含裝置晶片的複數封裝裝置。
於封裝基板的分割，使用例如具備保持封裝基板之吸盤台，與安裝了切削封裝基板之圓環狀的切削刀之主軸的切削裝置。在藉由吸盤台保持封裝基板的狀態下，藉由旋轉切削刀使其切入封裝基板，來切削封裝基板。
於封裝基板的預定切削線，有形成與裝置晶片連接的電極等之狀況。此時，使切削刀沿著預定切削線切入的話，該電極會與旋轉的切削刀接觸而被拉伸，產生鬚狀的溢料(毛邊)。該溢料成為電極彼此的短路及接合不良等的原因，導致分割封裝基板所製造出的封裝裝置的品質降低，故期望可去除。
因此，提案以切削刀切削封裝基板之後，藉由朝向被切削的區域噴射水，去除溢料的手法。例如於專利文獻1，揭示溢料去除噴嘴設置於與切削刀鄰接的位置的切削裝置。該切削裝置係藉由切削刀切削封裝基板進行切斷之後，藉由從溢料去除噴嘴噴射水來去除溢料。
朝向被切斷的封裝基板噴射水的話，有因為水壓而造成封裝基板的一部分飛濺的狀況。又，在封裝基板隔著膠帶藉由吸盤台保持的狀態下切斷封裝基板的話，於切斷區域中膠帶會露出，對該露出的區域噴射水的話會有因為水壓而導致膠帶斷裂的狀況。因此，水壓係設定在不會發生此種加工上的不妥的範圍內。然而，為了防止加工上的不妥而將水壓設定為較低的話，溢料的去除容易變成不夠充分。
另一方面，於專利文獻2，揭示在封裝基板並未被完全切斷的狀態下噴射水來去除溢料的手法。具體來說，首先，沿著預定切削線形成未滿封裝基板的厚度的切削溝，進行切削電極之第1次的切削。然後，朝向該切削溝噴射水以去除溢料之後，沿著預定切削線進行再次使切削刀切入的第2次的切削，切斷封裝基板。
在封裝基板未完全被切斷的狀態中，即使噴射水也難以發聲封裝基板之一部分的飛濺及膠帶的斷裂。因此，使用該手法的話可提升水壓，容易去除溢料。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2016-157722號公報 [專利文獻2]日本特開2016-181569號公報
[發明所欲解決之課題]
如上所述，使用切斷封裝基板之後噴射水來去除溢料的手法時，為了防止加工上之不妥的發生，需要將水壓抑制成較低，溢料難以充分被去除。
另一方面，在將切削分成兩次實施的手法中，雖然相較於切斷封裝基板之後噴射水的狀況，可提升水壓，但是，因為需要對於相同預定切削線進行複數次切削，加工效率會降低。又，第2次的切削時，切削刀會接觸第1次的切削的切削面中露出的電極，有再次發生溢料的狀況。
本發明係有鑑於相關課題所發明者，課題為提供可一邊抑制加工上之不妥的發生及加工效率的降低，一邊去除溢料之封裝基板的加工方法。 [用以解決課題之手段]
依據本發明的一樣態，提供一種封裝基板的加工方法，係具有形成於預定切削線的電極之封裝基板的加工方法，具備：沿著該預定切削線以切削刀切斷該封裝基板的切削步驟；及實施該切削步驟之後，沿著該預定切削線噴射流體，以去除該切削步驟中所產生之溢料的溢料去除步驟；在該切削步驟中，一邊對該切削刀切削該封裝基板的切削區域，供給包含有機酸與氧化劑的切削液，一邊切削該封裝基板。
又，於本發明的一樣態中，更具備在實施該切削步驟之前，將膠帶黏合於該封裝基板的膠帶黏合步驟，與隔著該膠帶，以保持手段保持該封裝基板的保持步驟；在該切削步驟中，利用使該切削刀以到達該膠帶的深度，切入該封裝基板，切斷黏合該膠帶的該封裝基板；在該溢料去除步驟中，在該膠帶被黏合於該封裝基板的狀態下噴射該流體亦可。
又，於本發明的一樣態中，更具備在實施該切削步驟之前，以形成了對應該預定切削線之溝的治具台，保持該封裝基板的保持步驟；在該切削步驟中，利用使該切削刀以到達該治具台的該溝的深度，切入該封裝基板，切斷以該治具台保持的該封裝基板；在該溢料去除步驟中，對以該治具台保持的該封裝基板噴射該流體亦可。 [發明的效果]
在本發明的一樣態之封裝基板的加工方法中，一邊供給包含有機酸與氧化劑的切削液一邊切削封裝基板之後，藉由流體的噴射來去除溢料。藉由該切削液的供給，抑制溢料的發生，並且變得容易去除溢料，故可減低去除溢料之流體的壓力。藉此，可一邊抑制加工上之不妥的發生及加工效率的降低，一邊去除溢料。
以下，參照添附圖面來說明本實施形態。首先，針對可藉由本實施形態之封裝基板的加工方法來進行加工的封裝基板的構造例進行說明。圖1(A)係揭示封裝基板11之表面側的俯視圖，圖1(B)係揭示封裝基板11之背面側的仰視圖。
封裝基板11係具備具有表面13a及背面13b，俯視形成為矩形狀之板狀的基板13，與包含IC(Integrated Circuit)等的裝置，配置於基板13之背面13b側的複數裝置晶片(未圖示)。又，於基板13的背面13b側，形成有覆蓋封止複數裝置晶片的樹脂層(壓模樹脂)15。
如圖1(A)所示，封裝基板11係具備藉由以相互交叉之方式排列成格子狀的複數預定切削線(切割道)17所區劃之複數區域11a，裝置晶片分別配置於該區域11a。再者，封裝基板11的材質、形狀、構造、大小等並未有限制。又，裝置晶片的種類、數量、形狀、構造、大小、配置等也未有限制。
藉由沿著預定切削線17切斷封裝基板11，獲得分別包含裝置晶片的複數封裝裝置。封裝基板11的切斷，係藉由例如使用圓環狀的切削刀，切削封裝基板11來實施。再者，於基板13的表面13a側附加有表示預定切削線17的位置的複數標記21，該標記21成為進行封裝基板11與切削刀的對位時的記號。
又，於基板13的表面13a側，以金屬所成的複數電極19沿著預定切削線17排列。電極19係透過金屬引線(未圖示)等與配置於基板13之背面13b側的裝置晶片連接，露出於基板13的表面13a側。該電極19係具有作為在封裝基板11被分割成複數封裝裝置之後，將該封裝裝置安裝於其他安裝基板等時的連接電極之功能。
圖2係揭示封裝基板11的放大仰視圖。如圖2所示，形成於預定切削線17的複數電極19係分別具備從基板13的表面13a側朝向背面13b側形成的凹部(空腔) 19a。凹部19a係俯視形成為橢圓狀，其深度未滿電極19的厚度。
藉由切削刀切削封裝基板11的話，也會切削到形成於預定切削線17的電極19。此時，切削刀係以通過形成於電極19之凹部19a的內側之方式定位。然後，沿著預定切削線17切斷封裝基板11的話，藉由凹部19a，形成埋入用以連接電極19與其他電極(安裝基板的連接電極等)之金屬材料(焊錫等)的空間。
沿著預定切削線17以切削刀切削封裝基板11時，電極19會與旋轉的切削刀接觸而被拉伸，產生鬚狀的溢料。該溢料會成為電極19彼此的短路及接合不良等之加工不良的原因，故去除為佳。溢料的去除係例如朝向因為切削所產生的溢料噴射加壓的水等之流體，藉由沖走溢料來進行。
封裝基板11的切削及流體的噴射，係使用具備切削封裝基板11的切削單元，與朝向封裝基板11噴射流體的流體噴射單元的切削裝置來實施。於圖3揭示具備切削單元及流體噴射單元之切削裝置的構造例。
圖3係揭示切削裝置2的立體圖。切削裝置2係具備支持構成切削裝置2之各構成要素的基台4。於基台4上，固定有沿著X軸方向(加工進送方向)配置的一對導引軌道6a、6b，於一對導引軌道6a、6b配置有移動組8。又，移動組8係與移動單元10連接，移動單元10係使移動組8沿著X軸方向移動。
移動單元10係具備滾珠螺桿12與脈衝馬達14。滾珠螺桿12係以其長度方向沿著X軸方向之方式配置，移動組8係螺合於滾珠螺桿12。又，脈衝馬達14係連結於滾珠螺桿12的一端部。藉由脈衝馬達14旋轉滾珠螺桿12時，移動組8會沿著一對導引軌道6a、6b移動。
又，移動單元10係具備表示沿著導引軌道6a設置於基台4上之移動組8的位置之座標值的標度16，與讀取標度16之座標值的讀取頭(未圖示)。藉由利用讀取頭讀取標度16的座標值，確認移動組8的位置。
於移動組8上設置圓筒狀的支持構件18，於支持構件18上固定吸盤台20。該吸盤台20相當於保持封裝基板11的保持手段。吸盤台20係連結於馬達等的旋轉驅動源(未圖示)，繞著與Z軸方向(垂直方向)大略平行的旋轉軸周圍旋轉。又，藉由移動單元10控制吸盤台20的X軸方向之位置。
吸盤台20的上面係藉由多孔性陶瓷等形成，構成保持封裝基板11的保持面20a。保持面20a係形成為大略平行於X軸方向及Y軸方向(分度進送方向)，透過形成於吸盤台20的內部之吸引路徑(未圖示)等連接於噴射器等的吸引源(未圖示)。
切削封裝基板11時，例如被環狀框支持的封裝基板11藉由吸盤台20保持。圖4係揭示封裝基板11藉由環狀框27支持的框架單元23的俯視圖。
於封裝基板11的樹脂層15(參照圖1(B))側，黏合具有可覆蓋封裝基板11整體的直徑之圓形的膠帶25。膠帶25係例如於以聚烯、聚氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯等的樹脂所成的基材上，形成橡膠系或丙烯酸系的黏著層(糊層)的柔軟薄膜。
藉由將環狀框27黏合於膠帶25的外周部，並且將封裝基板11的樹脂層15側黏合於膠帶25的中央部，構成框架單元23。然後，封裝基板11在基板13的表面13a露出於上方的狀態下，隔著膠帶25被環狀框27支持。
如圖3所示，於吸盤台20的周圍，設置有用以從四方固定環狀框27的4個箝夾22。又，於吸盤台20的附近，配置有將封裝基板11搬送至吸盤台20上的搬送單元(未圖示)。
對封裝基板11進行加工時，首先，於吸盤台20的保持面20a上，隔著膠帶25配置封裝基板11，並且藉由箝夾22固定環狀框27。在該狀態下藉由使吸引源的負壓作用於保持面20a，封裝基板11隔著膠帶25藉由吸盤台20吸引保持。
於吸盤台20的上方，設置有安裝切削封裝基板11之環狀的切削刀的切削單元24，與將流體朝向封裝基板11噴射的流體噴射單元26。又，於基台4的上面，用以支持切削單元24與流體噴射單元26之門型的支持構造28，以跨越吸盤台20之方式配置。
於支持構造28的前面上部，設置有使切削單元24移動於Y軸方向及Z軸方向的移動單元30a，與使流體噴射單元26移動於Y軸方向及Z軸方向的移動單元30b。移動單元30具備移動板34a，移動單元30b具備移動板34b。移動板34a及移動板34b係可滑動地安裝於沿著Y軸方向配置於支持構造28的前面的一對導引軌道32。
於移動板34a的背面側(後面側)，設置有螺帽部(未圖示)，於該螺帽部，螺合與導引軌道32大略平行地配置的滾珠螺桿36a。又，於移動板34b的背面側(後面側)，設置有螺帽部(未圖示)，於該螺帽部，螺合與導引軌道32大略平行地配置的滾珠螺桿36b。
於滾珠螺桿36a、36b的一端部，連結脈衝馬達38。藉由利用與滾珠螺桿36a連結的脈衝馬達38來使滾珠螺桿36a旋轉，移動板34a會沿著導引軌道32，移動於Y軸方向。又，藉由利用與滾珠螺桿36b連結的脈衝馬達38來使滾珠螺桿36b旋轉，移動板34b會沿著導引軌道32，移動於Y軸方向。
於移動板34a的表面(前面)側，沿著Z軸方向設置一對導引軌道40a，於移動板34b的表面(前面)側，沿著Z軸方向設置一對導引軌道40b。又，於一對導引軌道40a可滑動地安裝移動板42a，於一對導引軌道40b可滑動地安裝移動板42b。
於移動板42a的背面側(後面側)，設置有螺帽部(未圖示)，於該螺帽部，螺合與導引軌道40a大略平行地配置的滾珠螺桿44a。於滾珠螺桿44a的一端部連接有脈衝馬達46，藉由該脈衝馬達46來使滾珠螺桿44a旋轉，移動板42a會沿著導引軌道40a，移動於Z軸方向。
於移動板42b的背面側(後面側)，設置有螺帽部(未圖示)，於該螺帽部，螺合與導引軌道40b大略平行地配置的滾珠螺桿44b。於滾珠螺桿44b的一端部連接有脈衝馬達46，藉由該脈衝馬達46來使滾珠螺桿44b旋轉，移動板42b會沿著導引軌道40b，移動於Z軸方向。
於移動板42a的下部設置切削單元24，於移動板42b的下部設置流體噴射單元26。然後，藉由移動單元30a控制切削單元24的Y軸方向及Z軸方向的位置，藉由移動單元30b控制流體噴射單元26的Y軸方向及Z軸方向的位置。亦即，切削單元24的位置與流體噴射單元26的位置分別獨立地被控制。
圖5係揭示切削單元24的立體圖。切削單元24係具備軸心設為大略平行於吸盤台20的保持面20a之方向的主軸(未圖示)，於該主軸的前端部安裝有環狀的切削刀50。主軸係與馬達等的旋轉驅動源連結，安裝於主軸的切削刀50藉由從旋轉驅動源傳達的力來旋轉。
切削刀50係例如以結合材固定由鑽石等所成的研磨粒所形成。作為接合材，例如使用金屬黏結、樹脂結合、黏土燒結等。
又，切削單元24係具備覆蓋切削刀50的刀套52。刀套52係具備對切削刀50供給切削液的第1噴嘴組54。第1噴嘴組54係具備和供給切削液的軟管(未圖示)連接的第1連接部56，與和第1連接部56連接，對切削刀50供給切削液的一對刀片冷卻噴嘴58a、58b。
刀片冷卻噴嘴58a、58b係以從表面50a側及背面50b側挾持切削刀50之方式配置。又，於刀片冷卻噴嘴58a、58b分別在與切削刀50對向的位置，設置有用以對切削刀50供給切削液的複數開口(未圖示)。供給至第1連接部56的切削液係流入刀片冷卻噴嘴58a、58b，從該開口朝向切削刀50的表面50a側及背面50b側噴射。
又，刀套52係具備對切削刀50與藉由吸盤台20保持的封裝基板11供給切削液的第2噴嘴組60。第2噴嘴組60係具備與供給切削液的軟管(未圖示)連接的第2連接部62及第3連接部64。
第2連接部62係與設置於第2噴嘴組60的內部的噴頭(未圖示)連接，噴頭的前端朝向切削刀50的外周部開口。供給至第2連接部62的切削液係流入噴頭，從噴頭的前端朝向切削刀50的外周部噴射。然後，切削液係藉由切削刀50的旋轉，供給至切削刀50與封裝基板11的接觸區域。
第3連接部64係與對藉由吸盤台20保持的封裝基板11供給切削液的噴射噴嘴66連接。噴射噴嘴66的前端係朝向吸盤台20的保持面20a開口。供給至第3連接部64的切削液係流入噴射噴嘴66，從噴射噴嘴66的前端朝向藉由吸盤台20保持的封裝基板11的上面噴射。
藉由切削刀50切削封裝基板11時，係從前述之刀片冷卻噴嘴58a、58b、噴頭、及噴射噴嘴66對切削刀50及封裝基板11供給切削液。藉由該切削液的供給，冷卻切削刀50與封裝基板11接觸的區域，並且沖走因為切削所產生的細屑(切削屑)。
又，於鄰接於切削單元24的位置，設置有對藉由吸盤台20吸引保持的封裝基板11等進行攝像的攝像單元70。依據藉由攝像單元70所取得的畫像，進行切削單元24與吸盤台20的對位。
圖3所示的流體噴射單元26係具備朝向藉由吸盤台20保持的封裝基板11噴射流體的噴射噴嘴72。藉由切削單元24切斷封裝基板11之後，從噴射噴嘴72對封裝基板11噴射流體，藉此可去除因為切削加工所產生的溢料。再者，只要可進行溢料的去除，從噴射噴嘴72噴射的流體並未有限制。例如，被加壓的水等之液體從噴射噴嘴72噴射。
又，於鄰接於流體噴射單元26的位置，設置有對藉由吸盤台20吸引保持的封裝基板11等進行攝像的攝像單元(未圖示)。依據藉由該攝像單元所取得的畫像，進行流體噴射單元26與吸盤台20的對位。
再者，移動單元10、吸盤台20、切削單元24、流體噴射單元26、移動單元30a、30b等之各構成要素係與切削裝置2的控制單元(未圖示)連接，藉由控制單元控制其動作。
從噴射噴嘴72噴射之流體的壓力，係以可適切去除因為封裝基板11的切削所產生的溢料之方式設定。但是，流體的壓力變大的話，會有被切斷的封裝基板11的一部分飛濺的狀況。又，因為封裝基板11的切削而膠帶25(參照圖4)露出，對該露出的區域噴射高壓的流體會有導致膠帶25斷裂的狀況。
因此，流體的壓力係設定在如上述之不會發生加工上的不妥的範圍內。然而，為了防止加工上的不妥而將流體的壓力設定為較低的話，溢料的去除容易變成不夠充分。
另一方面，使切削刀50切入到封裝基板11未被完全切斷的深度為止以切削電極19之後，也可藉由流體的噴射來去除因為切削所產生的溢料。此時，在封裝基板11未被完全切斷的狀態下噴射流體，故即使提升流體的壓力也難以發生封裝基板11的一部分的飛濺及膠帶25的斷裂等之加工上的不妥。
然而，使用該手法時，需要在去除溢料之後再次使切削刀50切入封裝基板11，以切斷封裝基板11。因此，需要對於相同的預定切削線17進行複數次的切削，封裝基板11的加工效率會降低。又，第2次的切削時，切削刀50會接觸第1次的切削的切削面中露出的電極19，會有再次發生溢料的狀況。
因此，在本發明的一樣態之封裝基板的加工方法中，一邊供給包含有機酸與氧化劑的切削液一邊切削封裝基板11之後，藉由流體的噴射來去除因為切削所產生的溢料。切削加工時供給包含有機酸與氧化劑的切削液的話，因為有機酸而電極19改質，並且因為氧化劑導致電極19氧化，電極19的延展性會降低。結果，電極19難以被切削刀50拉伸，可抑制溢料的發生，並且也容易藉由流體的噴射去除溢料。
藉此，噴射流體來去除溢料時可減低流體的壓力，抑制流體的噴射所致之加工上的不妥的發生。又，可不對於相同的預定切削線17進行複數次的切削而去除溢料，故可防止加工效率的降低。
作為包含於切削液的有機酸，例如可使用分子內具有至少1個羧基與至少1個胺基的化合物。此時，胺基中至少之一為2級或3級的胺基為佳。又，作為有機酸所用的化合物係具有取代基亦可。
可使用來作為有機酸的胺基酸，可舉出甘胺酸、二羥乙基甘胺酸、甘胺醯甘胺酸、羥乙基甘胺酸、N-甲基甘胺酸、β-丙胺酸、L-丙胺酸、L-2-胺基丁酸、L-正纈胺酸、L-纈胺酸、L-白胺酸、L-正白胺酸、L-別異白胺酸、L-異白胺酸、L-***酸、L-脯胺酸、肌胺酸、L-鳥胺酸、L-離胺酸、牛磺酸、L-絲胺酸、L-蘇胺酸、L-別蘇胺酸、L-高絲胺酸、L-甲狀腺素、L-酪胺酸、3,5-二碘-L-酪胺酸、β-(3,4-二羥苯基)-L-丙胺酸、4-羥-L-脯胺酸、L-胱胺酸、L-甲硫胺酸、L-乙硫胺酸、L-羊毛硫胺酸、L-胱硫醚、L-胱胺酸、L-磺基丙胺酸、L-麩胺酸、L-天門冬胺酸、S-(羧甲基纖維素)-L-胱胺酸、4-胺基丁酸、L-天門冬醯胺、L-麩醯胺酸、氮絲胺酸、L-刀豆胺酸、L-瓜胺酸、L-精胺酸、δ-羥-L-蓖麻毒蛋白、肌酸、L-犬尿胺酸、L-組胺酸、1-甲基-L-組胺酸、3-甲基-L-組胺酸、L-色胺酸、放線菌素C1、麥角硫因、蜂毒神經肽、血管收縮素I、血管收縮素II及抗痛素等。其中，甘氨酸、L-丙胺酸、L-脯胺酸、L-組胺酸、L-蓖麻毒蛋白、二羥乙基甘胺酸為佳。
又，可用來作為有機酸的胺基聚酸，可舉出亞胺基二乙酸、氮基三醋酸、二乙撐三胺五乙酸、乙二胺四乙酸、羥乙基亞胺二乙酸、次氮基三亞甲基磷酸、乙二胺-N,N,N’,N’-環丁碸酸、1,2-二胺丙烷四乙酸、乙二醇雙氨乙基醚四乙酸、環己二胺四乙酸、乙二胺鄰羥基苯乙酸、乙二胺二琥珀酸(SS體)、β-丙胺酸乙醯乙酸、N-(2-羧酸乙酯)-L-天門冬胺酸、N,N’-雙(2-羥基)乙二胺-N,N’-乙醯乙酸等。
又，可用來作為有機酸的羧酸，可舉出甲酸、乙醇酸、丙酸、乙酸、丁酸、吉藥酸、己酸、草酸、丙二酸、戊二酸、己二酸、蘋果酸、琥珀酸、庚二酸、巰基乙酸、乙醛酸、氯乙酸、丙酮酸、乙醯乙酸、戊二酸等的飽和羧酸、丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、延胡索酸、馬來酸、中康酸、焦檸檬酸、烏頭酸等的不飽和羧酸、安息香酸類、甲苯甲酸、鄰苯二甲酸類、萘甲酸類、均苯四甲酸、萘二甲酸等的環狀不飽和羧酸等。
作為包含於切削液的氧化劑，例如可使用過氧化氫、過氧化物、硝酸鹽、碘酸鹽、過碘酸鹽、次氯酸鹽、亞氯酸鹽、氯酸鹽、過氯酸鹽、過硫酸鹽、重鉻酸鹽、過錳酸鹽、鈰酸鹽、釩酸鹽、臭氧水及銀(II)鹽、鐵(III)鹽、及其有機複合鹽等。
又，於切削液混合防腐蝕劑亦可。利用混合防腐蝕劑，可防止包含於封裝基板11之金屬的腐蝕(熔析)。作為防腐蝕劑，例如使用分子內具有3個以上的氮原子，且具有稠環構造的芳香雜環化合物，或分子內具有4個以上的氮原子的芳香雜環化合物為佳。進而，芳香環化合物係包含羧基、磺基、羥基、烷氧基為佳。具體來說，四唑衍生物、1,2,3-***衍生物、及1,2,4-***衍生物為佳。
又，可用來作為防腐蝕劑的四唑衍生物，可舉出於形成四唑環的氮原子上不具有取代基，且於四唑的5位，導入以選自磺基、胺基、胺甲醯基、羧醯胺基、胺磺醯基、及磺胺基所成之群的取代基，或選自羥基、羧基、磺基、胺基、胺甲醯基、羧醯胺基、胺磺醯基、及磺胺基所成之群的至少1個取代基取代的烷基者。
又，可用來作為防腐蝕劑的1,2,3-***衍生物，可舉出於形成1,2,3-***環的氮原子上不具有取代基，且於1,2,3-***的4位及/或5位，導入以選自羥基、羧基、磺基、胺基、胺甲醯基、羧醯胺基、胺磺醯基、及磺胺基所成之群的取代基，或選自羥基、羧基、磺基、胺基、胺甲醯基、羧醯胺基、胺磺醯基、及磺胺基所成之群的至少1個取代基取代的烷基或芳基者。
又，可用來作為防腐蝕劑的1,2,4-***衍生物，可舉出於形成1,2,4-***環的氮原子上不具有取代基，且於1,2,4-***的2位及/或5位，導入以選自磺基、胺甲醯基、羧醯胺基、胺磺醯基、及磺胺基所成之群的取代基，或選自羥基、羧基、磺基、胺基、胺甲醯基、羧醯胺基、胺磺醯基、及磺胺基所成之群的至少1個取代基取代的烷基或芳基者。
如上述之包含有機酸與氧化劑的切削液，係從圖5所示的切削單元24具備的刀片冷卻噴嘴58a、58b、噴頭(未圖示)、及噴射噴嘴66，供給至切削刀50及封裝基板11。但是，該切削液係從該等噴嘴的至少之一供給即可。
接著，針對使用上述的切削裝置2之封裝基板的加工方法進行說明。首先，如圖4所示，將膠帶25黏合於封裝基板11(膠帶黏合步驟)。再者，膠帶25係以基板13的表面13a側露出之方式黏合於封裝基板11的樹脂層15側。之後，隔著膠帶25，以保持手段保持封裝基板11(保持步驟)。在圖3所示的切削裝置2中，吸盤台20相當於保持手段。
接著，藉由切削刀50切斷封裝基板11(切削步驟)。圖6係揭示切削步驟之樣子的一部分剖面前視圖。在切削步驟中，首先，將切削刀50以其下端位於比樹脂層15的下端更下方之方式配置。然後，沿著與保持面20a大略平行，且與安裝切削刀50之主軸的軸心大略垂直的方向(加工進送方向)，進行移動吸盤台20的加工進送。
藉此，切削刀50與封裝基板11相對移動，切削刀50切入封裝基板11至膠帶25的深度。結果，封裝基板11沿著預定切削線17被切斷。再者，如圖6所示，切削刀50的厚度係比沿著預定切削線17排列之電極19的凹部19a的長邊方向之長度還小，切削刀50係以通過凹部19a的內側之方式切削封裝基板11。
在切削步驟中，一邊從刀片冷卻噴嘴58a、58b、噴頭(未圖示)、及噴射噴嘴66(參照圖5)，將包含有機酸與氧化劑的切削液74朝向切削刀50及封裝基板11噴射，一邊切斷封裝基板11。藉此，對切削刀50切削封裝基板11的切削區域11b供給切削液74。
對切削區域11b供給切削液74時，因為包含於切削液74的有機酸而造成電極19改質，並且因為包含於切削液74的氧化劑導致電極19的表面氧化，電極19的延展性會降低。藉此，抑制電極19的切削所致之溢料的發生。
再者，雖然藉由切削液74的供給，抑制溢料的發生，但是，有無法完全迴避溢料的發生的狀況。因此，實施切削步驟之後，藉由沿著預定切削線17噴射流體，以去除切削步驟中所產生之溢料(溢料去除步驟)。圖7係揭示溢料去除步驟之樣子的一部分剖面前視圖。
溢料去除步驟係藉由從流體噴射單元26所具備的噴射噴嘴72朝向切削區域11b噴射流體76來實施。噴射噴嘴72係將例如被加壓的水等的流體76從噴射口72a噴射，沖走從電極19產生的溢料19b。藉由去除溢料19b，可防止分割封裝基板11所得之封裝裝置的品質降低。
噴射噴嘴72的噴射口72a例如形成為圓形。又，噴射噴嘴72係例如圖7所示，以噴射口72a的中心與切削區域11b重疊之方式定位。然後，藉由一邊從噴射口72a噴射流體76一邊使吸盤台20往加工進送方向移動，沿著預定切削線17噴射流體76以去除溢料19b。
再者，溢料19b從電極19產生，故將噴射噴嘴72定位於電極19上來實施溢料去除步驟亦可。圖8係揭示與圖7不同的溢料去除步驟之樣子的一部分剖面前視圖。
如圖8所示，噴射噴嘴72係以噴射口72a的中心與電極19重疊之方式定位亦可。更理想為以噴射口72a的中心與尤其溢料19b容易殘留的凹部19a重疊之方式定位噴射噴嘴72。藉此，對溢料19b強力噴射流體76，容易去除溢料19b。
再者，於封裝基板11，藉由切削刀50所致之切削，形成側壁11c、11d，例如噴射噴嘴72係以從側壁11c到噴射口72a的中心為止的水平方向之距離D成為20μm以下之方式定位。但是，距離D之值可因應電極19及凹部19a的尺寸等適當設定。
又，從噴射噴嘴72噴射的流體76容易貯留於凹部19a的內部。因此，尤其易於對容易產生溢料19b的凹部19a供給流體76，有效果地抑制溢料的發生。
如上所述，去除殘留於一方的側壁11c側的溢料19b之後，另一方的側壁11d側也可同樣地進行溢料的去除。如此，藉由對側壁11c側與側壁11d側雙方噴射流體，可確實去除溢料。
然後，藉由對於所有預定切削線17實施前述的切削步驟及溢料去除步驟，將封裝基板11分割成複數封裝裝置。
再者，切削單元24的移動與流體噴射單元26的移動分別藉由圖3所示的移動單元30a、36b獨立地控制。因此，可自由設定對封裝基板11噴射流體76的時機。
例如，一邊使吸盤台20往第1加工進送方向移動一邊利用切削單元24切削封裝基板11，之後，一邊使吸盤台20往與第1加工進送方向相反方向(第2加工進送方向)移動一邊藉由流體噴射單元26去除溢料亦可。藉此，可在加工進送的去路與歸路中分別實施切削步驟與溢料去除步驟。
但是，實施溢料的去除的時機並不被前述內容限定。例如，沿著所有預定切削線17切削封裝基板11之後總括進行溢料的去除亦可。又，沿著1條預定切削線17切削封裝基板11，同時沿著已經切削過之其他預定切削線17進行溢料的去除亦可。此時，可利用同時進行來實施封裝基板11的切削與溢料的去除。
又，在圖3中，已針對切削單元24的位置與流體噴射單元26的位置分別獨立控制的構造進行說明，但是，切削單元24與流體噴射單元26一體構成亦可。例如，藉由將噴射噴嘴72安裝於圖5所示的刀套52，構成進行切削與液體之噴射雙方的單元亦可。此時，切削刀50與噴射噴嘴72係對於吸盤台20一體移動，追隨切削刀50所致之封裝基板11的切削，進行噴射噴嘴72所致之溢料的去除。
如上所述，在本發明的一樣態之封裝基板的加工方法中，實施一邊供給包含有機酸與氧化劑的切削液74一邊切削封裝基板11的切削步驟之後，實施藉由流體76的噴射來去除溢料的溢料去除步驟。藉由該切削液74的供給，抑制溢料的發生，並且變得容易去除溢料，故可減低去除溢料之流體76的壓力。藉此，可一邊抑制加工上之不妥的發生及加工效率的降低，一邊去除溢料。
再者，前述內容中已針對隔著膠帶25以吸盤台20吸引保持封裝基板11並進行加工的樣態進行說明，但是，作為保持封裝基板11的保持手段，也可使用治具台。於圖9揭示保持封裝基板11之治具台的構造例。圖9(A)係揭示治具台80的俯視圖，圖9(B)係揭示治具台80的剖面圖。
治具台80係具備俯視中形成為矩形狀的治具基座82。該治具基座82係代替圖3所示的吸盤台20，配置於移動組8上。又，治具基座82係連結於馬達等的旋轉驅動源(未圖示)，旋轉於與垂直方向大略平行的旋轉軸周圍。於治具基座82的上面82a，可拆卸地安裝對應封裝基板11之形狀的保持構件84。
保持構件84係俯視中形成為矩形狀的板狀，保持構件84的上面係構成用以吸引保持封裝基板11的保持面84a。於保持構件84的保持面84a側，形成對應封裝基板11之預定切削線17的溝84c，溝84c的上端在保持面84a中開口。藉由該溝84c，保持面84a係區劃成對應封裝基板11的區域11a(參照圖1(A))的複數區域。
於藉由溝84c區劃的各區域，形成有上下貫通保持構件84的吸引孔84d。如圖9(B)所示，於治具基座82的上面82a載置保持構件84的話，各吸引孔84d會連接於形成於治具基座82的上面82a側之中央部分的第1流通路徑82b。
第1流通路徑82b係透過閥86a連接於吸引源88。於保持構件84的保持面84a上配置封裝基板11，在使封裝基板11的預定切削線17重疊於溝84c的狀態下打開閥86a時，封裝基板11藉由治具台80被吸引保持。
再者，於治具基座82的外周部份，形成有用以將保持構件84安裝於治具基座82的第2流通路徑82c。該第2流通路徑82c係透過閥86b連接於吸引源88。使保持構件84的下面84b接觸治具基座82的上面82a而打開閥86b時，保持構件84會被固定於治具基座82的上面82a。
本實施形態之切削步驟及溢料去除步驟，係藉由治具台80保持封裝基板11的狀態下也可實施。圖10係揭示使用治具台80的切削步驟之樣子的剖面圖。
以治具台80保持封裝基板11時，於與保持構件84的溝84c重疊的位置，配置封裝基板11的預定切削線17。然後，將切削刀50定位於其下端到達溝84c的內部的高度，切削封裝基板11。藉此，切削刀50切入封裝基板11到治具台80的溝84c的深度，切斷封裝基板11。
之後，對藉由治具台80保持的封裝基板11噴射流體，實施溢料去除步驟。再者，關於前述所說明內容以外之工程的詳細內容，與作為保持手段使用吸盤台20的狀況相同。
接著，針對使用本實施形態之封裝基板的加工方法來進行加工的封裝基板的評估結果進行說明。在本評估中，隔著膠帶25藉由吸盤台20保持封裝基板11，一邊供給包含有機酸與氧化劑的切削液一邊實施切削步驟，噴射所定壓力的流體以實施溢料去除步驟。然後，確認加工後的封裝基板之膠帶25的斷裂的有無與溢料之殘留的有無。
作為封裝基板11，使用寬度65mm、長度75 mm、厚度0.55mm的QFN封裝(Quad For Non-Lead Package)，作為膠帶25，使用基材為PET(Polyethylene terephthalate)，厚度為200μm之琳得科公司製的膠帶(D-218)。然後，在隔著膠帶25藉由吸盤台20保持封裝基板11的狀態下，實施使切削刀50切入封裝基板11至到達膠帶25的深度，沿著預定切削線17切削封裝基板11的切削步驟。再者，封裝基板11的切削，係一邊供給包含有機酸與氧化劑的切削液一邊進行。
之後，對從噴射噴嘴72朝向預定切削線17噴射流體，實施溢料去除步驟。再者，作為流體使用水。溢料去除步驟係針對將從噴射噴嘴72噴射之流體的壓力設為25MPa、30MPa、35MPa、40MPa的狀況分別進行。然後，針對溢料去除步驟後的封裝基板11，觀察膠帶25的斷裂的有無與溢料之殘留的有無。
於表1揭示封裝基板11的評估結果。再者，於表1，作為比較例也揭示作為切削液使用純水，從噴射噴嘴72以35MPa的壓力噴射流體以進行加工的封裝基板11的觀察結果。
Figure 02_image001
如表1所示，作為研削液使用純水，將流體的壓力設為35Pa時，確認封裝基板11殘留溢料。據此，可知研削液為純水時，即使將流體的壓力設為35Pa，對於溢料的去除來說也不夠充分。因此，研削液為純水時，流體的壓力通常設定為70MPa程度。
另一方面，使用包含有機酸與氧化劑的切削液，將流體的壓力設為30MPa、35MPa、40MPa時，封裝基板11並未觀察到明顯的溢料。據此，相較於作為切削液使用純水的狀況，可確認溢料的去除所需之流體的壓力被減低。此係可推測是因為藉由包含有機酸與氧化劑的切削液的供給，抑制溢料的發生並且變得容易去除溢料。
但是，流體的壓力為25MPa時，封裝基板11觀察到些微之溢料的殘留。因此，對於為了確實去除溢料來說，將流體的壓力設為大於25MPa為佳，設為30MPa以上更佳。
又，即使使用包含有機酸與氧化劑的切削液的狀況中，將流體的壓力設為40MPa的話也會發生膠帶25的斷裂。因此，對於為了防止膠帶25的斷裂來說，流體的壓力設為未滿40MPa為佳，設為35MPa以下更佳。如此，溢料去除步驟中噴射之流體的壓力，係設定為去除溢料，且不會發生加工上的不妥(膠帶的斷裂、封裝基板的飛濺等)之值為佳。
根據前述的結果，可確認藉由使用包含有機酸與氧化劑的切削液來切削封裝基板11，減低為了去除溢料所噴射之流體的壓力，可一邊抑制加工上的不妥的發生一邊去除溢料。
此外，前述實施形態的構造、方法等只要不脫離本發明的目的的範圍，可適當變更來實施。
2‧‧‧切削裝置 4‧‧‧基台 6a，6b‧‧‧導引軌道 8‧‧‧移動組 10‧‧‧移動單元 11‧‧‧封裝基板 12‧‧‧滾珠螺桿 11a‧‧‧區域 11b‧‧‧切削區域 11c‧‧‧側壁 11d‧‧‧側壁 13‧‧‧基板 13a‧‧‧表面 13b‧‧‧背面 14‧‧‧脈衝馬達 15‧‧‧樹脂層 16‧‧‧標度 17‧‧‧預定切削線 18‧‧‧支持構件 19‧‧‧電極 19a‧‧‧凹部 19b‧‧‧溢料 20‧‧‧吸盤台 20a‧‧‧保持面 21‧‧‧標記 22‧‧‧箝夾 23‧‧‧框架單元 24‧‧‧切削單元 25‧‧‧膠帶 26‧‧‧流體噴射單元 27‧‧‧環狀框 28‧‧‧支持構造 30a，30b‧‧‧移動單元 32‧‧‧導引軌道 34a，34b‧‧‧移動板 36a，36b‧‧‧滾珠螺桿 38‧‧‧脈衝馬達 40a，40b‧‧‧導引軌道 42a，42b‧‧‧移動板 44a，44b‧‧‧滾珠螺桿 46‧‧‧脈衝馬達 50‧‧‧切削刀 50a‧‧‧表面 50b‧‧‧背面 52‧‧‧刀套 54‧‧‧第1噴嘴組 56‧‧‧第1連接部 58a，58b‧‧‧刀片冷卻噴嘴 60‧‧‧第2噴嘴組 62‧‧‧第2連接部 64‧‧‧第3連接部 66‧‧‧噴射噴嘴 70‧‧‧攝像單元 72‧‧‧噴射噴嘴 72a‧‧‧噴射口 74‧‧‧切削液 76‧‧‧流體 80‧‧‧治具台 82‧‧‧治具基座 82a‧‧‧上面 82b‧‧‧第1流通路徑 82c‧‧‧第2流通路徑 84‧‧‧保持構件 84a‧‧‧保持面 84b‧‧‧下面 84c‧‧‧溝 84d‧‧‧吸引孔 86a，86b‧‧‧閥 88‧‧‧吸引源
[圖1]圖1(A)係揭示封裝基板的俯視圖，圖1(B)係揭示封裝基板的仰視圖。 [圖2]揭示封裝基板的放大仰視圖。 [圖3]揭示切削裝置的立體圖。 [圖4]揭示框架單元的俯視圖。 [圖5]揭示切削單元的立體圖。 [圖6]揭示切削步驟之樣子的一部分剖面前視圖。 [圖7]揭示溢料去除步驟之樣子的一部分剖面前視圖。 [圖8]揭示溢料去除步驟之樣子的一部分剖面前視圖。 [圖9]圖9(A)係揭示治具台的俯視圖，圖9(B)係揭示治具台的剖面圖。 [圖10]揭示切削步驟之樣子的剖面圖。
11‧‧‧封裝基板
11a‧‧‧區域
13‧‧‧基板
13a‧‧‧表面
13b‧‧‧背面
15‧‧‧樹脂層
17‧‧‧預定切削線
19‧‧‧電極
21‧‧‧標記

Claims (4)

  1. 一種封裝基板的加工方法，係具有形成於預定切削線的電極之封裝基板的加工方法，其特徵為具備：沿著該預定切削線以切削刀切斷該封裝基板的切削步驟；及實施該切削步驟之後，沿著該預定切削線噴射流體，以去除該切削步驟中所產生之溢料的溢料去除步驟；在該切削步驟中，一邊從以挾持該切削刀之方式配置的一對噴嘴朝向設置於該切削刀切削該封裝基板的切削區域的該電極，供給包含有機酸與氧化劑的切削液，一邊切削該封裝基板；該流體的壓力，係大於25MPa且未滿40MPa。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之封裝基板的加工方法，其中，在前述溢料去除步驟中，將噴射該流體的噴射噴嘴之噴射口的中心以與該電極重疊之方式進行定位。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之封裝基板的加工方法，其中，更具備在實施該切削步驟之前，將膠帶黏合於該封裝基板的膠帶黏合步驟，與隔著該膠帶，以保持手段保持該封裝基板的保持步驟； 在該切削步驟中，利用使該切削刀以到達該膠帶的深度，切入該封裝基板，切斷黏合該膠帶的該封裝基板；在該溢料去除步驟中，在該膠帶被黏合於該封裝基板的狀態下噴射該流體。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之封裝基板的加工方法，其中，更具備在實施該切削步驟之前，以形成了對應該預定切削線之溝的治具台，保持該封裝基板的保持步驟；在該切削步驟中，利用使該切削刀以到達該治具台的該溝的深度，切入該封裝基板，切斷以該治具台保持的該封裝基板；在該溢料去除步驟中，對以該治具台保持的該封裝基板噴射該流體。
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