CN110838450A - 封装基板的加工方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供封装基板的加工方法,能够抑制加工上的不良状况的产生和加工效率的降低,并且能够除去毛刺。该封装基板的加工方法是具有形成于切削预定线的电极的封装基板的加工方法,其具备下述步骤:切削步骤,利用切削刀具沿着该切削预定线将该封装基板切断;以及毛刺除去步骤,在实施了该切削步骤后,沿着该切削预定线喷射流体,除去在该切削步骤中产生的毛刺,在该切削步骤中,一边将包含有机酸和氧化剂的切削液供给至该切削刀具对该封装基板进行切削的切削区域,一边对该封装基板进行切削。

Description

封装基板的加工方法
技术领域
本发明涉及在切断封装基板时所使用的封装基板的加工方法。
背景技术
通过将配置在基板上的器件芯片利用由树脂构成的密封材料(模塑树脂)包覆而形成封装基板。通过将该封装基板沿着切削预定线(间隔道)进行分割,得到分别包含器件芯片的多个封装器件。
在封装基板的分割中,例如使用切削装置,该切削装置具备:卡盘工作台,其对封装基板进行保持;以及主轴,其安装有对封装基板进行切削的圆环状的切削刀具。在利用卡盘工作台保持封装基板的状态下使切削刀具旋转而切入封装基板,由此对封装基板进行切削。
有时在封装基板的切削预定线上形成有与器件芯片连接的电极等。这种情况下,在切削刀具沿着切削预定线切入时,该电极与旋转的切削刀具接触而被拉长,产生须状的毛刺。该毛刺成为电极之间的短路或接合不良等的原因,会招致分割封装基板而制造的封装器件的品质降低,因而希望将其除去。
因此提出了在用切削刀具切削封装基板后朝向切削后的区域喷射水而除去毛刺的方法。例如在专利文献1中公开了一种在与切削刀具相邻的位置设置有去毛刺喷嘴的切削装置。该切削装置中,在利用切削刀具切削封装基板并将其切断后,通过从去毛刺喷嘴喷射水而除去毛刺。
在朝向被切断的封装基板喷射水时,有时封装基板的一部分会由于水压的作用而飞散。另外,在隔着带而利用卡盘工作台保持封装基板的状态下将封装基板切断时,带在切断区域露出,水喷射到该露出的区域时,有时带会由于水压的作用而断裂。因此,水压被设定为不会产生这样的加工上的不良状况的范围。但是,在为了防止加工上的不良状况而将水压设定得较低时,容易导致毛刺的除去不充分。
另一方面,专利文献2中公开了一种在封装基板未被完全切断的状态下喷射水来除去毛刺的方法。具体地说,首先进行第1次切削,沿着切削预定线形成深度小于封装基板的厚度的切削槽而切削电极。之后,在朝向该切削槽喷射水而除去毛刺后,进行第2次切削,沿着切削预定线将切削刀具再次切入,从而将封装基板切断。
在封装基板未被完全切断的状态下,即使喷射水,也不容易产生封装基板的一部分的飞散或带的断裂。因此,在使用该方法时,能够升高水压,容易除去毛刺。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2016-157722号公报
专利文献2:日本特开2016-181569号公报
发明内容
发明所要解决的课题
如上所述,在使用将封装基板切断后喷射水来除去毛刺的方法的情况下,为了防止加工上的不良状况的产生,需要将水压抑制得较低,不容易充分除去毛刺。
另一方面,在分两次实施切削的方法中,尽管与切断封装基板后喷射水的情况相比能够升高水压,但需要对同一切削预定线进行多次切削,因此加工效率降低。另外,在第2次切削时,切削刀具与在第1次切削的切削面露出的电极接触,有时会再次产生毛刺。
本发明是鉴于该问题而完成的,其课题在于提供封装基板的加工方法,能够抑制加工上的不良状况的产生和加工效率的降低,并且能够除去毛刺。
用于解决课题的手段
根据本发明的一个方式,提供一种封装基板的加工方法,其是具有形成于切削预定线的电极的封装基板的加工方法,其特征在于,该加工方法具备下述步骤:切削步骤,利用切削刀具沿着该切削预定线将该封装基板切断;以及毛刺除去步骤,在实施了该切削步骤后,沿着该切削预定线喷射流体,除去在该切削步骤中产生的毛刺,在该切削步骤中,一边将包含有机酸和氧化剂的切削液供给至该切削刀具对该封装基板进行切削的切削区域,一边对该封装基板进行切削。
另外,在本发明的一个方式中,可以在实施该切削步骤之前还具备下述步骤:带粘贴步骤,将带粘贴于该封装基板;以及保持步骤,隔着该带而利用保持单元对该封装基板进行保持,在该切削步骤中,将该切削刀具以到达该带的深度切入该封装基板,由此将粘贴有该带的该封装基板切断,在该毛刺除去步骤中,在该带粘贴于该封装基板的状态下喷射该流体。
另外,在本发明的一个方式中,可以在实施该切削步骤之前还具备保持步骤,利用形成有与该切削预定线对应的槽的治具工作台对该封装基板进行保持,在该切削步骤中,将该切削刀具以到达该治具工作台的该槽的深度切入该封装基板,由此将该治具工作台所保持的该封装基板切断,在该毛刺除去步骤中,将该流体喷射至该治具工作台所保持的该封装基板。
发明效果
在本发明的一个方式的封装基板的加工方法中,一边供给包含有机酸和氧化剂的切削液一边切削封装基板,之后通过流体的喷射除去毛刺。通过该切削液的供给可抑制毛刺的产生并且容易除去毛刺,因此能够降低除去毛刺的流体的压力。由此,能够抑制加工上的不良状况的产生和加工效率的降低,并且能够除去毛刺。
附图说明
图1的(A)是示出封装基板的俯视图,图1的(B)是示出封装基板的仰视图。
图2是示出封装基板的放大俯视图。
图3是示出切削装置的立体图。
图4是示出框架单元的俯视图。
图5是示出切削单元的立体图。
图6是示出切削步骤的状况的局部剖面主视图。
图7是示出毛刺除去步骤的状况的局部剖面主视图。
图8是示出毛刺除去步骤的状况的局部剖面主视图。
图9的(A)是示出治具工作台的俯视图,图9的(B)是示出治具工作台的剖视图。
图10是示出切削步骤的状况的剖视图。
具体实施方式
下面参照附图对本实施方式进行说明。首先对能够通过本实施方式的封装基板的加工方法进行加工的封装基板的构成例进行说明。图1的(A)是示出封装基板11的正面侧的俯视图,图1的(B)是示出封装基板11的背面侧的仰视图。
封装基板11具备:板状的基板13,其具有正面13a和背面13b,俯视时形成为矩形状;以及多个器件芯片(未图示),它们包含IC(Integrated Circuit,集成电路)等器件,配置在基板13的背面13b侧。另外,在基板13的背面13b侧形成有覆盖多个器件芯片而进行密封的树脂层(模塑树脂)15。
如图1的(A)所示,封装基板11具有由按照相互交叉的方式排列成格子状的多条切削预定线(间隔道)17划分的多个区域11a,器件芯片分别配置在该区域11a中。需要说明的是,封装基板11的材质、形状、结构、尺寸等并无限定。另外,器件芯片的种类、数量、形状、结构、尺寸、配置等也无限定。
通过将封装基板11沿着切削预定线17切断,可得到分别包含器件芯片的多个封装器件。封装基板11的切断例如通过使用圆环状的切削刀具对封装基板11进行切削来实施。需要说明的是,在基板13的正面13a侧附加有表示切削预定线17的位置的多个标记21,该标记21为进行封装基板11与切削刀具的对位时的记号。
另外,在基板13的正面13a侧沿着切削预定线17排列有由金属形成的多个电极19。电极19借助金属线(未图示)等与配置在基板13的背面13b侧的器件芯片连接,在基板13的正面13a侧露出。该电极19在封装基板11被分割成多个封装器件后将该封装器件安装于其他安装基板等时作为连接电极发挥功能。
图2是示出封装基板11的放大俯视图。如图2所示,形成于切削预定线17的多个电极19分别具备从基板13的正面13a侧朝向背面13b侧形成的凹部(内腔)19a。凹部19a俯视时形成为椭圆状,其深度小于电极19的厚度。
在利用切削刀具对封装基板11进行切削时,形成于切削预定线17的电极19也被切削。此时,切削刀具按照通过形成于电极19的凹部19a的内侧的方式进行定位。并且,在将封装基板11沿着切削预定线17切断时,利用凹部19a形成埋入用于将电极19与其他电极(安装基板的连接电极等)连接的金属材料(焊料等)的空间。
在利用切削刀具沿着切削预定线17对封装基板11进行切削时,电极19与旋转的切削刀具接触而被拉长,有时产生须状的毛刺。该毛刺成为电极19彼此间的短路或接合不良等加工不良的原因,因此优选被除去。毛刺的除去例如通过朝向由于切削产生的毛刺喷射经加压的水等流体而吹飞毛刺来进行。
封装基板11的切削和流体的喷射使用切削装置来实施,该切削装置具备对封装基板11进行切削的切削单元、以及朝向封装基板11喷射流体的流体喷射单元。将具备切削单元和流体喷射单元的切削装置的构成例示于图3。
图3是示出切削装置2的立体图。切削装置2具备对构成切削装置2的各构成要件进行支承的基台4。在基台4上固定有沿着X轴方向(加工进给方向)配置的一对导轨6a、6b,在一对导轨6a、6b上配置有移动块8。另外,移动块8与移动单元10连接,移动单元10使移动块8沿着X轴方向移动。
移动单元10具备滚珠丝杠12和脉冲电动机14。滚珠丝杠12配置成其长度方向沿着X轴方向,移动块8与滚珠丝杠12螺合。另外,脉冲电动机14与滚珠丝杠12的一个端部连结。在利用脉冲电动机14使滚珠丝杠12旋转时,移动块8沿着一对导轨6a、6b移动。
另外,移动单元10具备:标尺16,其沿着导轨6a设置在基台4上,带有表示移动块8的位置的坐标值;以及读取头(未图示),其读取标尺16的坐标值。通过利用读取头读取标尺16的坐标值来确认移动块8的位置。
在移动块8上设置有圆筒状的支承部件18,卡盘工作台20固定于支承部件18上。该卡盘工作台20相当于保持封装基板11的保持单元。卡盘工作台20与电动机等旋转驱动源(未图示)连结,绕着大致平行于Z轴方向(铅直方向)的旋转轴旋转。另外,利用移动单元10控制卡盘工作台20在X轴方向的位置。
卡盘工作台20的上表面由多孔性陶瓷等形成,构成保持封装基板11的保持面20a。保持面20a相对于X轴方向和Y轴方向(分度进给方向)大致平行地形成,经由设置于卡盘工作台20的内部的吸引路(未图示)等与喷射器等吸引源(未图示)连接。
在对封装基板11进行切削时,例如将支承于环状框架的封装基板11利用卡盘工作台20保持。图4是示出利用环状框架27对封装基板11进行支承的框架单元23的俯视图。
在封装基板11的树脂层15(参照图1的(B))侧粘贴具有能够覆盖整个封装基板11的直径的圆形带25。带25例如是在由聚烯烃、聚氯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等树脂形成的基材上形成有橡胶系或丙烯酸系粘接层(糊料层)的柔软的膜。
通过将环状框架27粘贴在带25的外周部、并且将封装基板11的树脂层15侧粘贴在带25的中央部,由此构成框架单元23。并且,封装基板11在基板13的正面13a向上方露出的状态下借助带25而支承于环状框架27。
如图3所示,在卡盘工作台20的周围设置有4个用于从四面固定环状框架27的夹具22。另外,在卡盘工作台20的附近配置有将封装基板11搬送到卡盘工作台20上的搬送单元(未图示)。
在对封装基板11进行加工时,首先将封装基板11隔着带25配置在卡盘工作台20的保持面20a上,并且利用夹具22将环状框架27固定。通过在该状态下使吸引源的负压作用于保持面20a,隔着带25而利用卡盘工作台20对封装基板11进行吸引保持。
在卡盘工作台20的上方设置有:切削单元24,其安装有对封装基板11进行切削的环状的切削刀具;以及流体喷射单元26,其朝向封装基板11喷射流体。另外,在基台4的上表面按照横跨卡盘工作台20的方式配置有用于支承切削单元24和流体喷射单元26的门型的支承结构28。
在支承结构28的前表面上部设置有:使切削单元24沿着Y轴方向和Z轴方向移动的移动单元30a;以及使流体喷射单元26沿着Y轴方向和Z轴方向移动的移动单元30b。移动单元30a具备移动板34a,移动单元30b具备移动板34b。移动板34a和移动板34b以能够在沿着Y轴方向配置的一对导轨32上滑动的方式安装在支承结构28的前表面。
在移动板34a的背面侧(后表面侧)设置有螺母部(未图示),相对于导轨32大致平行地配置的滚珠丝杠36a与该螺母部螺合。另外,在移动板34b的背面侧(后表面侧)设置有螺母部(未图示),相对于导轨32大致平行地配置的滚珠丝杠36b与该螺母部螺合。
在滚珠丝杠36a、36b的一个端部分别连结有脉冲电动机38。通过利用与滚珠丝杠36a连结的脉冲电动机38使滚珠丝杠36a旋转,移动板34a沿着导轨32在Y轴方向上移动。另外,通过利用与滚珠丝杠36b连结的脉冲电动机38使滚珠丝杠36b旋转,移动板34b沿着导轨32在Y轴方向上移动。
在移动板34a的正面(前表面)侧沿着Z轴方向设置有一对导轨40a,在移动板34b的正面(前表面)侧沿着Z轴方向设有一对导轨40b。另外,在一对导轨40a上可滑动地安装有移动板42a,在一对导轨40b上可滑动地安装有移动板42b。
在移动板42a的背面侧(后表面侧)设置有螺母部(未图示),相对于导轨40a大致平行地配置的滚珠丝杠44a与该螺母部螺合。脉冲电动机46与滚珠丝杠44a的一个端部连结,通过利用该脉冲电动机46使滚珠丝杠44a旋转,移动板42a沿着导轨40a在Z轴方向上移动。
在移动板42b的背面侧(后表面侧)设置有螺母部(未图示),相对于导轨40b大致平行地配置的滚珠丝杠44b与该螺母部螺合。脉冲电动机46与滚珠丝杠44b的一个端部连结,通过利用该脉冲电动机46使滚珠丝杠44b旋转,移动板42b沿着导轨40b在Z轴方向上移动。
在移动板42a的下部设置有切削单元24,在移动板42b的下部设置有流体喷射单元26。并且,利用移动单元30a控制切削单元24的Y轴方向和Z轴方向的位置,利用移动单元30b控制流体喷射单元26的Y轴方向和Z轴方向的位置。即,切削单元24的位置与流体喷射单元26的位置被各自独立地控制。
图5是示出切削单元24的立体图。切削单元24具备轴心取在相对于卡盘工作台20的保持面20a大致平行的方向上的主轴(未图示),环状的切削刀具50安装在该主轴的前端部。主轴与电动机等旋转驱动源连结,安装在主轴上的切削刀具50通过从旋转驱动源传递的力而旋转。
切削刀具50例如将由金刚石等形成的磨粒利用结合材料固定而形成。作为结合材料,例如使用金属结合剂、树脂结合剂、玻璃结合剂等。
另外,切削单元24具备覆盖切削刀具50的刀具罩52。刀具罩52具备向切削刀具50供给切削液的第1喷嘴块54。第1喷嘴块54具备:与供给切削液的软管(未图示)连接的第1连接部56;以及与第1连接部56连接并向切削刀具50供给切削液的一对刀具冷却喷嘴58a、58b。
刀具冷却喷嘴58a、58b按照从正面50a侧和背面50b侧夹着切削刀具50的方式进行配置。另外,刀具冷却喷嘴58a、58b分别在与切削刀具50对置的位置设置有用于向切削刀具50供给切削液的多个开口(未图示)。供给至第1连接部56的切削液流入刀具冷却喷嘴58a、58b,从该开口朝向切削刀具50的正面50a侧和背面50b侧喷射。
另外,刀具罩52具备将切削液供给至切削刀具50和卡盘工作台20所保持的封装基板11的第2喷嘴块60。第2喷嘴块60具备与供给切削液的软管(未图示)连接的第2连接部62和第3连接部64。
第2连接部62与设置在第2喷嘴块60的内部的喷淋喷嘴(未图示)连接,喷淋喷嘴的前端朝向切削刀具50的外周部开口。供给至第2连接部62的切削液流入喷淋喷嘴,从喷淋喷嘴的前端朝向切削刀具50的外周部喷射。并且,切削液通过切削刀具50的旋转而被供给至切削刀具50与封装基板11的接触区域。
第3连接部64与将切削液供给至卡盘工作台20所保持的封装基板11的喷雾喷嘴66连接。喷雾喷嘴66的前端朝向卡盘工作台20的保持面20a开口。供给至第3连接部64的切削液流入喷雾喷嘴66,从喷雾喷嘴66的前端朝向卡盘工作台20所保持的封装基板11的上表面喷射。
在利用切削刀具50切削封装基板11时,从上述的刀具冷却喷嘴58a、58b、喷淋喷嘴以及喷雾喷嘴66向切削刀具50和封装基板11供给切削液。通过该切削液的供给,切削刀具50和封装基板11接触的区域被冷却,并且由于切削产生的屑(切削屑)被洗掉。
另外,在与切削单元24相邻的位置设置有拍摄单元70,其用于对卡盘工作台20所吸引保持的封装基板11等进行拍摄。基于由拍摄单元70取得的图像进行切削单元24与卡盘工作台20的对位。
图3所示的流体喷射单元26具备朝向卡盘工作台20所保持的封装基板11喷射流体的喷射喷嘴72。在利用切削单元24切断封装基板11后,通过从喷射喷嘴72朝向封装基板11喷射流体,能够除去由于切削加工而产生的毛刺。需要说明的是,只要能够除去毛刺,则对从喷射喷嘴72喷射的流体没有限制。例如,也可以从喷射喷嘴72喷射经加压的水等液体。
另外,在与流体喷射单元26相邻的位置设置有拍摄单元(未图示),其用于对卡盘工作台20所吸引保持的封装基板11等进行拍摄。基于由该拍摄单元取得的图像进行流体喷射单元26与卡盘工作台20的对位。
需要说明的是,移动单元10、卡盘工作台20、切削单元24、流体喷射单元26、移动单元30a、30b等各构成要素与切削装置2的控制单元(未图示)连接,通过控制单元对它们的动作进行控制。
从喷射喷嘴72喷射的流体的压力设定成可适当地除去由于封装基板11的切削而产生的毛刺。其中,在流体的压力增大时,有时被切断的封装基板11的一部分会飞散。另外,由于封装基板11的切削而使带25(参照图4)露出,有时高压的流体喷射到该露出的区域而使带25断裂。
因此,流体的压力被设定为不会产生上述的加工上的不良状况的范围。但是,在为了防止加工上的不良状况而将流体的压力设定得较低时,容易导致毛刺的除去不充分。
另一方面,也可以在将切削刀具50切入到封装基板11未被完全切断的深度而切削电极19,之后通过流体的喷射而除去由于切削产生的毛刺。这种情况下,由于在封装基板11未被完全切断的状态下喷射流体,因此即使流体的压力升高,也不容易产生封装基板11的一部分飞散或带25断裂等加工上的不良状况。
但是,在使用该方法的情况下,在除去毛刺后需要将切削刀具50再次切入封装基板11以将封装基板11切断。因此,需要对于同一切削预定线17进行多次切削,封装基板11的加工效率降低。另外,在第2次切削时,切削刀具50与在第1次切削的切削面露出的电极19接触,有时会再次产生毛刺。
因此,在本发明的一个方式的封装基板的加工方法中,一边供给包含有机酸和氧化剂的切削液一边对封装基板11进行切削,之后通过流体的喷射而除去由于切削产生的毛刺。在切削加工时供给包含有机酸和氧化剂的切削液时,利用有机酸使电极19改性,并且利用氧化剂使电极19氧化,降低电极19的延展性。其结果,电极19不容易被切削刀具50拉长、毛刺的产生受到抑制,并且容易通过流体的喷射除去毛刺。
由此,在喷射流体而除去毛刺时,能够降低流体的压力,可抑制因流体的喷射所致的加工上的不良状况的产生。另外,不对同一切削预定线17进行多次切削而能够除去毛刺,因此能够防止加工效率的降低。
作为切削液中包含的有机酸,例如可以使用在分子内具有至少1个羧基和至少1个氨基的化合物。这种情况下,优选氨基中的至少1个为仲氨基或叔氨基。另外,作为有机酸使用的化合物可以具有取代基。
作为能够用作有机酸的氨基酸,可以举出甘氨酸、二羟基乙基甘氨酸、双甘氨肽、羟基乙基甘氨酸、N-甲基甘氨酸、β-丙氨酸、L-丙氨酸、L-2-氨基丁酸、L-正缬氨酸、L-缬氨酸、L-亮氨酸、L-正亮氨酸、L-别异亮氨酸、L-异亮氨酸、L-苯丙氨酸、L-脯氨酸、肌氨酸、L-鸟氨酸、L-赖氨酸、牛磺酸、L-丝氨酸、L-苏氨酸、L-别苏氨酸、L-高丝氨酸、L-甲状腺素、L-酪氨酸、3,5-二碘-L-酪氨酸、β-(3,4-二羟基苯基)-L-丙氨酸、4-羟基-L-脯氨酸、L-半胱氨酸、L-甲硫氨酸、L-乙硫氨酸、L-羊毛硫氨酸、L-胱硫醚、L-胱氨酸、L-磺基丙氨酸、L-谷氨酸、L-天冬氨酸、S-(羧甲基)-L-半胱氨酸、4-氨基丁酸、L-天冬酰胺、L-谷氨酰胺、氮杂丝氨酸、L-刀豆氨酸、L-瓜氨酸、L-精氨酸、δ-羟基-L-赖氨酸、甲胍基乙酸、L-犬尿氨酸、L-组氨酸、1-甲基-L-组氨酸、3-甲基-L-组氨酸、L-色氨酸、放线菌素C1、麦角硫因、蜂毒明肽、血管紧张素I、血管紧张素II和抗痛素等。其中,优选甘氨酸、L-丙氨酸、L-脯氨酸、L-组氨酸、L-赖氨酸、二羟基乙基甘氨酸。
另外,作为能够用作有机酸的氨基多元酸,可以举出亚氨基二乙酸、次氮基三乙酸、二亚乙基三胺五乙酸、乙二胺四乙酸、羟基乙基亚氨基二乙酸、次氮基三亚甲基膦酸、乙二胺-N,N,N’,N’-四亚甲基磺酸、1,2-二氨基丙烷四乙酸、乙二醇醚二胺四乙酸、反式环己烷二胺四乙酸、乙二胺邻羟基苯基乙酸、乙二胺二琥珀酸(SS体)、β-丙氨酸二乙酸、N-(2-羧酸乙基)-L-天冬氨酸、N,N’-双(2-羟基苄基)乙二胺-N,N’-二乙酸等。
进而,作为能够用作有机酸的羧酸,可以举出甲酸、乙醇酸、丙酸、乙酸、丁酸、戊酸、己酸、草酸、丙二酸、戊二酸、己二酸、苹果酸、琥珀酸、庚二酸、巯基乙酸、乙醛酸、氯乙酸、乙酰甲酸、乙酰乙酸、戊二酸等饱和羧酸;丙烯酸、甲基丙烯酸、丁烯酸、富马酸、马来酸、中康酸、柠康酸、乌头酸等不饱和羧酸;苯甲酸类、甲基苯甲酸、邻苯二甲酸类、萘甲酸类、均苯四甲酸、萘二酸等环状不饱和羧酸等。
作为切削液中包含的氧化剂,例如可以使用过氧化氢、过氧化物、硝酸盐、碘酸盐、高碘酸盐、次氯酸盐、亚氯酸盐、氯酸盐、高氯酸盐、过硫酸盐、重铬酸盐、高锰酸盐、铈酸盐、钒酸盐、臭氧水和银(II)盐、铁(III)盐及其有机络盐等。
另外,可以在切削液中混合防蚀剂。通过混合防蚀剂,能够防止封装基板11中含有的金属的腐蚀(溶出)。作为防蚀剂,例如优选使用在分子内具有3个以上的氮原子且具有稠环结构的芳杂环化合物、或者在分子内具有4个以上的氮原子的芳杂环化合物。进而,芳香环化合物优选包含羧基、磺基、羟基、烷氧基。具体地说,优选为四唑衍生物、1,2,3-***衍生物以及1,2,4-***衍生物。
作为能够用作防蚀剂的四唑衍生物,可以举出:在形成四唑环的氮原子上不具有取代基且在四唑的5位上导入了选自由磺基、氨基、氨基甲酰基、酰胺基、氨磺酰基以及磺酰胺基组成的组中的取代基、或者被选自由羟基、羧基、磺基、氨基、氨基甲酰基、酰胺基、氨磺酰基以及磺酰胺基组成的组中的至少1种取代基所取代的烷基的物质。
另外,作为能够用作防蚀剂的1,2,3-***衍生物,可以举出在形成1,2,3-***环的氮原子上不具有取代基且在1,2,3-***的4位和/或5位上导入了选自由羟基、羧基、磺基、氨基、氨基甲酰基、酰胺基、氨磺酰基以及磺酰胺基组成的组中的取代基、或者被选自由羟基、羧基、磺基、氨基、氨基甲酰基、酰胺基、氨磺酰基以及磺酰胺基组成的组中的至少1种取代基所取代的烷基或芳基的物质。
另外,作为能够用作防蚀剂的1,2,4-***衍生物,可以举出在形成1,2,4-***环的氮原子上不具有取代基且在1,2,4-***的2位和/或5位上导入了选自由磺基、氨基甲酰基、酰胺基、氨磺酰基以及磺酰胺基组成的组中的取代基、或者被选自由羟基、羧基、磺基、氨基、氨基甲酰基、酰胺基、氨磺酰基以及磺酰胺基组成的组中的至少1种取代基的烷基或芳基的物质。
上述那样的包含有机酸和氧化剂的切削液从图5所示的切削单元24所具备的刀具冷却喷嘴58a、58b、喷淋喷嘴(未图示)以及喷雾喷嘴66供给至切削刀具50和封装基板11。其中,该切削液从这些喷嘴中的至少一者供给即可。
接着,对使用上述的切削装置2的封装基板的加工方法的具体例进行说明。首先,如图4所示,将带25粘贴于封装基板11(带粘贴步骤)。需要说明的是,带25按照基板13的正面13a侧露出的方式粘贴于封装基板11的树脂层15侧。之后,隔着带25而利用保持单元对封装基板11进行保持(保持步骤)。图3所示的切削装置2中,卡盘工作台20相当于保持单元。
接着,利用切削刀具50切断封装基板11(切削步骤)。图6是示出切削步骤的状况的局部剖面主视图。在切削步骤中,首先将切削刀具50配置成其下端定位在比树脂层15的下端更靠下方的位置。之后进行使卡盘工作台20沿着与保持面20a大致平行、并且与安装有切削刀具50的主轴的轴心大致垂直的方向(加工进给方向)移动的加工进给。
由此,切削刀具50与封装基板11相对地移动,切削刀具50以到达带25的深度切入封装基板11。其结果,封装基板11沿着切削预定线17被切断。需要说明的是,如图6所示,按照切削刀具50的厚度小于沿着切削预定线17排列的电极19的凹部19a在长度方向上的长度、切削刀具50在凹部19a的内侧通过的方式对封装基板11进行切削。
在切削步骤中,一边将包含有机酸和氧化剂的切削液74从刀具冷却喷嘴58a、58b、喷淋喷嘴(未图示)以及喷雾喷嘴66(参照图5)朝向切削刀具50和封装基板11喷射一边切断封装基板11。由此,切削液74被供给至切削刀具50对封装基板11进行切削的切削区域11b。
在切削液74被供给至切削区域11b时,利用切削液74中包含的有机酸使电极19改性、并且利用切削液74中包含的氧化剂使电极19的表面氧化,降低电极19的延展性。由此可抑制因电极19的切削所致的毛刺的产生。
需要说明的是,尽管通过切削液74的供给可抑制毛刺的产生,但有时无法完全避免毛刺的产生。因此,在实施切削步骤后,通过沿着切削预定线17喷射流体而除去切削步骤中产生的毛刺(毛刺除去步骤)。图7是示出毛刺除去步骤的状况的局部剖面主视图。
毛刺除去步骤通过从流体喷射单元26所具备的喷射喷嘴72朝向切削区域11b喷射流体76来实施。喷射喷嘴72从喷射口72a喷射例如经加压的水等流体76,将由电极19产生的毛刺19b吹飞。通过除去毛刺19b,能够防止对封装基板11进行分割而得到的封装器件的品质降低。
喷射喷嘴72的喷射口72a例如形成为圆形。另外,例如如图7所示,喷射喷嘴72按照喷射口72a的中心与切削区域11b重叠的方式进行定位。并且,通过一边从喷射口72a喷射流体76一边使卡盘工作台20沿着加工进给方向移动,可沿着切削预定线17喷射流体76而除去毛刺19b。
需要说明的是,由于毛刺19b是从电极19产生的,因此可以将喷射喷嘴72定位在电极19上来实施毛刺除去步骤。图8是示出与图7不同的毛刺除去步骤的状况的局部剖面主视图。
如图8所示,喷射喷嘴72按照喷射口72a的中心与电极19重叠的方式进行定位。更优选按照喷射口72a的中心与特别容易残留毛刺19b的凹部19a重叠的方式对喷射喷嘴72进行定位。由此,对毛刺19b强劲地喷射流体76,容易除去毛刺19b。
需要说明的是,封装基板11通过由切削刀具50进行的切削而形成侧壁11c、11d,例如喷射喷嘴72按照从侧壁11c到喷射口72a的中心的水平方向上的距离D为20μm以下的方式进行定位。其中,距离D的值可以根据电极19或凹部19a的尺寸等适宜地设定。
另外,从喷射喷嘴72喷射的流体76容易滞留在凹部19a的内部。因此,流体76特别容易供给至容易产生毛刺19b的凹部19a,可有效地抑制毛刺的产生。
如上所述除去残留在一方侧壁11c侧的毛刺19b后,对另一方侧壁11d侧也同样地进行毛刺的除去。这样,通过对侧壁11c侧和侧壁11d侧这两方喷射流体,能够可靠地除去毛刺。
之后,通过对全部的切削预定线17实施上述的切削步骤和毛刺除去步骤,将封装基板11分割成多个封装器件。
需要说明的是,切削单元24的移动和流体喷射单元26的移动分别利用图3所示的移动单元30a、30b独立地控制。因此,向封装基板11喷射流体76的时机能够自由地设定。
例如,可以一边使卡盘工作台20沿着第1加工进给方向移动一边用切削单元24切削封装基板11,之后一边使卡盘工作台20沿着与第1加工进给方向相反的方向(第2加工进给方向)移动一边利用流体喷射单元26去除毛刺。由此能够在加工进给的往路和回路上分别实施切削步骤和毛刺除去步骤。
其中,实施毛刺的除去的时机并不限于上述时机。例如,可以在沿着全部的切削预定线17进行了封装基板11的切削后一并进行毛刺的除去。另外,也可以在沿着一条切削预定线17切削封装基板11的同时沿着已经切削后的其他切削预定线17进行毛刺的除去。这种情况下,可以通过同时进行来实施封装基板11的切削和毛刺的除去。
另外,图3中,对于各自独立地控制切削单元24的位置和流体喷射单元26的位置的构成进行了说明,但切削单元24和流体喷射单元26也可以构成为一体。例如,可以通过将喷射喷嘴72安装于图5所示的刀具罩52来构成进行切削和液体的喷射这两者的单元。这种情况下,切削刀具50和喷射喷嘴72相对于卡盘工作台20以一体的形式移动,追从利用切削刀具50进行的封装基板11的切削而利用喷射喷嘴72进行毛刺的除去。
如上所述,在本发明的一个方式的封装基板的加工方法中,在实施了一边供给包含有机酸和氧化剂的切削液74一边进行封装基板11的切削的切削步骤后,实施通过流体76的喷射来除去毛刺的毛刺除去步骤。通过该切削液74的供给可抑制毛刺的产生,并且容易除去毛刺,因此能够降低除去毛刺的流体76的压力。由此,能够抑制加工上的不良状况的产生和加工效率的降低,并且能够除去毛刺。
需要说明的是,在上文中对于隔着带25而利用卡盘工作台20对封装基板11进行吸引保持并进行加工的方式进行了说明,但也可以使用治具工作台作为保持封装基板11的保持单元。将保持封装基板11的治具工作台的构成例示于图9。图9的(A)是示出治具工作台80的俯视图,图9的(B)是示出治具工作台80的剖视图。
治具工作台80具备俯视时形成为矩形状的治具基座82。将该治具基座82配置在移动块8上来代替图3所示的卡盘工作台20。另外,治具基座82与电动机等旋转驱动源(未图示)连结,绕着大致平行于铅直方向的旋转轴旋转。在治具基座82的上表面82a可拆卸地安装有与封装基板11的形状对应的保持部件84。
保持部件84俯视时形成为矩形状的板状,保持部件84的上表面构成用于吸引保持封装基板11的保持面84a。在保持部件84的保持面84a侧形成有与封装基板11的切削预定线17对应的槽84c,槽84c的上端在保持面84a开口。利用该槽84c,将保持面84a划分成与封装基板11的区域11a(参照图1的(A))对应的多个区域。
在利用槽84c划分的各区域形成有沿着上下贯通保持部件84的吸引孔84d。如图9的(B)所示,在将保持部件84载置于治具基座82的上表面82a时,各吸引孔84d与在治具基座82的上表面82a侧的中央部分形成的第1流路82b连接。
第1流路82b经由阀86a而与吸引源88连接。将封装基板11配置在保持部件84的保持面84a上,在封装基板11的切削预定线17与槽84c重叠的状态下将阀86a打开时,封装基板11利用治具工作台80进行吸引保持。
需要说明的是,在治具基座82的外周部分形成有用于将保持部件84安装于治具基座82的第2流路82c。该第2流路82c经由阀86b而与吸引源88连接。使保持部件84的下表面84b与治具基座82的上表面82a接触而将阀86b打开时,保持部件84被固定于治具基座82的上表面82a。
本实施方式中的切削步骤和毛刺除去步骤在将封装基板11用治具工作台80保持的状态下也能够实施。图10是示出使用治具工作台80的切削步骤的状况的剖视图。
在将封装基板11用治具工作台80保持时,封装基板11的切削预定线17被配置在与保持部件84的槽84c重叠的位置。之后,将切削刀具50定位在其下端到达槽84c的内部的高度来对封装基板11进行切削。由此,切削刀具50以到达治具工作台80的槽84c的深度切入封装基板11,将封装基板11切断。
之后,将流体喷射至治具工作台80所保持的封装基板11,实施毛刺除去步骤。需要说明的是,关于上述的说明以外的步骤的详细内容,与使用卡盘工作台20作为保持单元的情况相同。
接着,对使用本实施方式的封装基板的加工方法进行加工而得到的封装基板的评价结果进行说明。本评价中,隔着带25而利用卡盘工作台20对封装基板11进行保持,一边供给包含有机酸和氧化剂的切削液一边实施切削步骤,喷射规定压力的流体来实施毛刺除去步骤。之后观察加工后的封装基板中有无带25的断裂以及有无毛刺的残留。
使用宽65mm、长75mm、厚0.55mm的QFN封装(四方扁平无引线封装,Quad For Non-Lead Package)作为封装基板11,使用基材由PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯,Polyethyleneterephthalate)形成、厚度为200μm的Lintec公司制造的带(D-218)作为带25。并且实施切削步骤,在隔着带25而利用卡盘工作台20对封装基板11进行保持的状态下,将切削刀具50以到达带25的深度切入封装基板11,沿着切削预定线17对封装基板11进行切削。需要说明的是,一边供给包含有机酸和氧化剂的切削液一边进行封装基板11的切削。
之后,从喷射喷嘴72朝向切削预定线17喷射流体,实施毛刺除去步骤。需要说明的是,使用水作为流体。毛刺除去步骤在从喷射喷嘴72喷射的流体的压力为25MPa、30MPa、35MPa、40MPa的情况下分别进行。之后,对于毛刺除去步骤后的封装基板11观察有无带25的断裂和有无毛刺的残留。
将封装基板11的评价结果列于表1。需要说明的是,表1中还以比较例的形式示出了使用纯水作为切削液、从喷射喷嘴72以35MPa的压力喷射流体进行加工得到的封装基板11的观察结果。
[表1]
Figure BDA0002167614300000151
如表1所示,在使用纯水作为磨削液、使流体的压力为35Pa的情况下,确认到在封装基板11残留有毛刺。由此可知,在磨削液为纯水的情况下,即使将流体的压力设定为35Pa,毛刺的除去也不充分。因此,在磨削液为纯水的情况下,流体的压力通常设定为70MPa左右。
另一方面,在使用包含有机酸和氧化剂的切削液、使流体的压力为30MPa、35MPa、40MPa的情况下,在封装基板11观察不到明显的毛刺。由此能够确认到,与使用纯水作为切削液的情况相比,毛刺的除去所需要的流体的压力降低。据推测这是由于,通过供给包含有机酸和氧化剂的切削液,毛刺的产生受到抑制,并且毛刺容易被除去。
其中,在流体的压力为25MPa的情况下,在封装基板11观察到毛刺稍有残留。因此,为了可靠地除去毛刺,流体的压力优选大于25MPa、更优选为30MPa以上。
另外,即使在使用包含有机酸和氧化剂的切削液的情况下,在流体的压力为40MPa时,也产生了带25的断裂。因此,为了防止带25的断裂,流体的压力优选小于40MPa、更优选为35MPa以下。这样,毛刺除去步骤中所喷射的流体的压力优选设定为可除去毛刺且不会产生加工上的不良状况(带的断裂、封装基板的飞散等)的值。
由上述结果确认到,通过使用包含有机酸和氧化剂的切削液对封装基板11进行切削,可降低为了除去毛刺而喷射的流体的压力,可抑制加工上的不良状况的产生,并且能够除去毛刺。
除此以外,只要不脱离本发明的目的的范围,上述实施方式的结构、方法等可以适宜地变更来实施。
符号说明
11 封装基板
11a 区域
11b 切削区域
11c 侧壁
11d 侧壁
13 基板
13a 正面
13b 背面
15 树脂层
17 切削预定线
19 电极
19a 凹部
19b 毛刺
21 标记
23 框架单元
25 带
27 环状框架
2 切削装置
4 基台
6a、6b 导轨
8 移动块
10 移动单元
12 滚珠丝杠
14 脉冲电动机
16 标尺
18 支承部件
20 卡盘工作台
20a 保持面
22 夹具
24 切削单元
26 流体喷射单元
28 支承结构
30a、30b 移动单元
32 导轨
34a、34b 移动板
36a、36b 滚珠丝杠
38 脉冲电动机
40a、40b 导轨
42a、42b 移动板
44a、44b 滚珠丝杠
46 脉冲电动机
50 切削刀具
50a 正面
50b 背面
52 刀具罩
54 第1喷嘴块
56 第1连接部
58a、58b 刀具冷却喷嘴
60 第2喷嘴块
62 第2连接部
64 第3连接部
66 喷雾喷嘴
70 拍摄单元
72 喷射喷嘴
72a 喷射口
74 切削液
76 流体
80 治具工作台
82 治具基座
82a 上表面
82b 第1流路
82c 第2流路
84 保持部件
84a 保持面
84b 下表面
84c 槽
84d 吸引孔
86a、86b 阀
88 吸引源

Claims (3)

1.一种封装基板的加工方法,其是具有形成于切削预定线的电极的封装基板的加工方法,其特征在于,
该加工方法具备下述步骤:
切削步骤,利用切削刀具沿着该切削预定线将该封装基板切断;以及
毛刺除去步骤,在实施了该切削步骤后,沿着该切削预定线喷射流体,除去在该切削步骤中产生的毛刺,
在该切削步骤中,一边将包含有机酸和氧化剂的切削液供给至该切削刀具对该封装基板进行切削的切削区域,一边对该封装基板进行切削。
2.如权利要求1所述的封装基板的加工方法,其特征在于,
在实施该切削步骤之前还具备下述步骤:带粘贴步骤,将带粘贴于该封装基板;以及保持步骤,隔着该带而利用保持单元对该封装基板进行保持,
在该切削步骤中,将该切削刀具以到达该带的深度切入该封装基板,由此将粘贴有该带的该封装基板切断,
在该毛刺除去步骤中,在该带粘贴于该封装基板的状态下喷射该流体。
3.如权利要求1所述的封装基板的加工方法,其特征在于,
在实施该切削步骤之前还具备保持步骤,利用形成有与该切削预定线对应的槽的治具工作台对该封装基板进行保持,
在该切削步骤中,将该切削刀具以到达该治具工作台的该槽的深度切入该封装基板,由此将该治具工作台所保持的该封装基板切断,
在该毛刺除去步骤中,将该流体喷射至该治具工作台所保持的该封装基板。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113257713A (zh) * 2021-05-11 2021-08-13 苏州日月新半导体有限公司 集成电路去毛刺装置、集成电路去毛刺辅助装置以及集成电路去毛刺方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114571340B (zh) * 2022-05-09 2022-09-16 杭州荆鑫机械有限公司 一种机械精加工用抛光装置及抛光方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008130929A (ja) * 2006-11-22 2008-06-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法及び半導体装置
CN104934308A (zh) * 2014-03-17 2015-09-23 株式会社迪思科 切削方法
JP2016181569A (ja) * 2015-03-24 2016-10-13 株式会社ディスコ パッケージ基板の切削方法
CN108074841A (zh) * 2016-11-11 2018-05-25 株式会社迪思科 封装基板切断用治具工作台

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015138950A (ja) 2014-01-24 2015-07-30 株式会社ディスコ 切削装置
JP6426407B2 (ja) * 2014-09-03 2018-11-21 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6486710B2 (ja) 2015-02-23 2019-03-20 株式会社ディスコ 切削装置
JP6707396B2 (ja) * 2016-05-11 2020-06-10 株式会社ディスコ 切削装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008130929A (ja) * 2006-11-22 2008-06-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法及び半導体装置
CN104934308A (zh) * 2014-03-17 2015-09-23 株式会社迪思科 切削方法
JP2016181569A (ja) * 2015-03-24 2016-10-13 株式会社ディスコ パッケージ基板の切削方法
CN108074841A (zh) * 2016-11-11 2018-05-25 株式会社迪思科 封装基板切断用治具工作台

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113257713A (zh) * 2021-05-11 2021-08-13 苏州日月新半导体有限公司 集成电路去毛刺装置、集成电路去毛刺辅助装置以及集成电路去毛刺方法
CN113257713B (zh) * 2021-05-11 2024-05-17 日月新半导体(苏州)有限公司 集成电路去毛刺装置、集成电路去毛刺辅助装置以及集成电路去毛刺方法

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