KR20170030057A - 발광 다이오드 패키지 - Google Patents

발광 다이오드 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR20170030057A
KR20170030057A KR1020160115042A KR20160115042A KR20170030057A KR 20170030057 A KR20170030057 A KR 20170030057A KR 1020160115042 A KR1020160115042 A KR 1020160115042A KR 20160115042 A KR20160115042 A KR 20160115042A KR 20170030057 A KR20170030057 A KR 20170030057A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
pad
terminal
reflector
light emitting
Prior art date
Application number
KR1020160115042A
Other languages
English (en)
Inventor
박준용
윤여진
박인규
Original Assignee
서울바이오시스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서울바이오시스 주식회사 filed Critical 서울바이오시스 주식회사
Publication of KR20170030057A publication Critical patent/KR20170030057A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3114—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed the device being a chip scale package, e.g. CSP
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48111—Disposition the wire connector extending above another semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Fastening Of Light Sources Or Lamp Holders (AREA)

Abstract

본 발명은 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로, 본 발명은 상면에 형성된 하나 이상의 제1 패드, 하나 이상의 제2 패드, 제1 단자 및 제2 단자가 형성된 기판; 상기 하나 이상의 제1 패드 상에 실장되고, 상기 제1 패드 및 제2 패드와 전기적으로 연결되는 복수의 발광 다이오드 칩; 및 상기 기판 상부에 결합되고, 상기 복수의 발광 다이오드 칩을 노출시키는 개구부를 가지는 리플렉터를 포함하고, 상기 제1 패드는 상기 기판과 일체로 형성되고, 상기 제1 단자 또는 제2 단자는 외부 전원과 연결되되, 상기 기판의 상면에서 일정 높이로 형성된 발광 다이오드 패키지를 제공한다. 본 발명에 의하면, 다수의 발광 다이오드 칩이 어레이로 기판에 직접 실장되고, 리플렉터가 다수의 발광 다이오드 칩을 감싸도록 형성되어 다수의 발광 다이오드 칩이 리플렉터에 의해 보호되는 효과가 있다.

Description

발광 다이오드 패키지{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}
본 발명은 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 다수의 자외선 발광 다이오드 칩을 기판에 실장하여 고출력을 위한 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.
발광 다이오드는 전자와 정공의 재결합을 통해 발생하는 빛을 방출하는 무기 반도체 소자의 하나이다. 이러한 발광 다이오드는 친환경, 저전압, 긴 수명 및 낮은 가격 등의 장점이 있다. 더욱이 발광 다이오드 중 자외선 발광 다이오드는 자외선 경화, 살균, 백색 광원, 의학 분야 및 장비 부속부품 등으로 이용될 수 있다. 특히, 자외선을 이용한 경화 장치는 경화 대상, 일례로, 제품의 표면 등에 도포된 도료 등에 자외선을 조사하여 경화시키는 화학 반응 원리를 이용하고, 반도체, 전자, 의료, 통신 등의 여러 기술분야에서 다양하게 활용되고 있다.
하지만, 자외선 발광 다이오드를 응용한 제품은 청색 발광 다이오드보다 발광 다이오드에서 발생하는 고열로 인해 성능 저하와 함께 수명이 저하될 우려가 높다. 그에 따라 발광 다이오드 패키지의 크기를 줄이면서 원활한 열방출 구조에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다.
칩 온 보드(COB, chip on board)형 발광 다이오드 패키지도 그 중 하나로, 인쇄회로기판에 발광 다이오드 칩을 직접 실장하여 발광 다이오드 칩에서 발생된 열이 빠져나가는 경로를 줄여 방열 효과를 높이고, 패키지의 높이를 낮출 수 있어 소형화가 가능한 장점이 있다.
그에 따라 최근 발광 다이오드 칩에서 발생하는 열을 보다 효과적으로 방열하기 위한 칩 온 보드형 발광 다이오드 패키지에 대해 많은 연구가 수행되고 있다.
한편, 상기와 같은 칩 온 보드형 자외선 발광 다이오드 패키지는 전원 연결을 위해 커넥터 연결이 필요하고, 경화 장치 등의 외부 장치에 발광 다이오드 패키지를 연결해야 하기 때문에 발광 다이오드 패키지의 구조에 대한 연구도 필요한 실정이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제 중 하나는, 발광 다이오드 칩에서 발생되는 열을 보다 효과적으로 방열할 수 있는 칩 온 보드형 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명은 상면에 형성된 하나 이상의 제1 패드, 하나 이상의 제2 패드, 제1 단자 및 제2 단자가 형성된 기판; 상기 하나 이상의 제1 패드 상에 실장되고, 상기 제1 패드 및 제2 패드와 전기적으로 연결되는 복수의 발광 다이오드 칩; 및 상기 기판 상부에 결합되고, 상기 복수의 발광 다이오드 칩을 노출시키는 개구부를 가지는 리플렉터를 포함하고, 상기 제1 패드는 상기 기판과 일체로 형성되고, 상기 제1 단자 또는 제2 단자는 외부 전원과 연결되되, 상기 기판의 상면에서 일정 높이로 형성된 발광 다이오드 패키지를 제공한다.
한편, 상면에 하나 이상의 제1 패드 및 하나 이상의 제2 패드가 형성된 기판; 상기 하나 이상의 제1 패드 및 하나 이상의 제2 패드와 전기적으로 연결되는 복수의 발광 다이오드 칩; 상기 기판 상부에 결합되고, 상기 복수의 발광 다이오드 칩을 노출시키는 개구부를 가지는 리플렉터; 및 상기 리플렉터 외측으로 상기 기판 상부에 실장되는 하나 이상의 소자를 포함하고, 상기 리플렉터는 상기 리플렉터의 외 측면 중 일부가 상기 개구부 측으로 함몰된 홈을 가지며, 상기 복수의 발광 다이오드 칩은 상기 하나 이상의 제1 패드에 실장된 발광 다이오드 패키지를 제공한다.
본 발명에 의하면, 다수의 발광 다이오드 칩이 어레이로 기판에 직접 실장되고, 리플렉터가 다수의 발광 다이오드 칩을 감싸도록 형성되어 다수의 발광 다이오드 칩이 리플렉터에 의해 보호되는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 분해 사시도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 배면 사시도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지에 포함된 기판을 도시한 평면도이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 평면도이다.
도 6은 도 5의 절취선들을 따라 취한 단면도들이다.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지에 외부전원 연결부의 연결을 위해 볼트가 결합되는 것을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 사시도이다.
도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 분해 사시도이다.
도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지에 외부전원 연결부가 연결되는 것을 도시한 측면도이다.
도 11은 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 리플렉터 개구부 형상을 설명하기 위한 단면도이다.
도 12는 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 평면도이다.
도 13은 도 12의 절취선 F-F'를 따라 취한 단면도이다.
도 14는 본 발명의 제5 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 발광 다이오드 칩이 실장되는 기판을 설명하기 위한 단면도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는, 상면에 형성된 하나 이상의 제1 패드, 하나 이상의 제2 패드, 제1 단자 및 제2 단자가 형성된 기판; 상기 하나 이상의 제1 패드 상에 실장되고, 상기 제1 패드 및 제2 패드와 전기적으로 연결되는 복수의 발광 다이오드 칩; 및 상기 기판 상부에 결합되고, 상기 복수의 발광 다이오드 칩을 노출시키는 개구부를 가지는 리플렉터를 포함하고, 상기 제1 패드는 상기 기판과 일체로 형성되고, 상기 제1 단자 또는 제2 단자는 외부 전원과 연결되되, 상기 기판의 상면에서 일정 높이로 형성될 수 있다.
이때, 상기 제1 패드는 상기 기판에서 돌출될 수 있고, 상기 제1 패드는 상기 기판과 동일한 물질로 형성될 수 있다.
그리고 상기 제1 단자 및 제2 단자는 외부 커넥터가 연결될 수 있다.
이때, 상기 기판은, 본체; 상기 본체 상부에 형성된 하나 이상의 제1 패드; 상기 제1 패드를 제외한 상기 본체 상부를 덮는 제1 절연부; 상기 제1 절연부 상부에 형성된 하나 이상의 제2 패드; 및 상기 하나 이상의 제1 패드와 하나 이상의 제2 패드 사이에 배치되고, 상기 제1 절연부를 덮는 제2 절연부를 포함하고, 상기 제1 패드는 상기 본체와 일체로 형성될 수 있다.
또한, 상기 기판은, 상기 본체 상부에 형성된 제1 단자; 및 상기 제1 절연부 상부에 형성된 제2 단자를 더 포함하고, 상기 제2 절연부는 상기 제1 단자 및 제2 단자 사이에 배치되며, 상기 제1 단자는 상기 본체와 일체로 형성될 수 있다.
그리고 상기 기판은, 상기 제1 단자 및 제2 단자에 각각 외부 커넥터가 전기적으로 연결되도록 제1 커넥터홀 및 제2 커넥터홀이 형성될 수 있다. 이때, 상기 제1 커넥터홀 및 제2 커넥터홀은 각각 상기 외부 커넥터가 볼트에 의해 결합될 수 있다.
여기서, 상기 제2 단자는 상기 제1 단자가 형성된 위치와 상기 리플렉터 사이의 거리보다 먼 거리에 위치하게 형성될 수 있다.
또한, 상기 기판은, 상기 제2 커넥터홀 내측면에 배치된 제3 절연부를 더 포함할 수 있다.
이때, 상기 본체는 금속을 포함할 수 있다.
그리고 상기 하나 이상의 제1 패드는 복수 개이고, 서로 이격되며, 상기 제2 절연부는 상기 이격된 복수의 제1 패드 사이에 배치될 수 있다.
또, 상기 복수의 발광 다이오드 칩은 상기 복수의 제1 패드에 각각 실장될 수 있다.
또한, 상기 기판 상부에 실장되는 하나 이상의 소자를 더 포함하고, 상기 리플렉터는 상기 하나 이상의 소자의 적어도 일부를 감싸도록 외 측면에 보호홈을 가질 수 있다.
이때, 상기 하나 이상의 소자는, 상기 제1 패드와 상기 제1 단자 사이에 배치될 수 있다.
그리고 상기 보호홈은 상기 리플렉터의 외 측면 중 두 부분 이상이 외측으로 돌출된 사이에 위치할 수 있으며, 상기 보호홈은 상기 하나 이상의 소자의 적어도 두 측면을 감싸도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 기판 및 리플렉터는 상면에서 하면으로 관통된 하나 이상의 홀이 각각 형성되며, 상기 기판에 형성된 하나 이상의 홀과 상기 리플렉터에 형성된 홀은 서로 연결될 수 있다.
그리고 상기 기판 및 리플렉터에 각각 형성된 하나 이상의 홀을 관통하여 상기 리플렉터를 상기 기판에 결합시키는 결합부를 더 포함할 수 있다.
이때, 상기 기판에 형성된 하나 이상의 홀의 내측면에 형성된 제3 절연부를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 리플렉터는 상기 개구부 상부에 상기 개구부의 너비보다 넓게 형성된 장착홈이 형성되며, 상기 장착홈에 삽입되며, 상기 발광 다이오드 칩에서 발광된 빛을 투과시키는 렌즈를 더 포함할 수 있다.
그리고 상기 리플렉터에는 상기 장착홈의 일 측에 형성된 하나 이상의 설치홈이 형성될 수 있다.
또한, 상기 리플렉터에는 상기 장착홈의 내면에 형성되며, 상기 개구부로부터 연장된 하나 이상의 벤트가 형성될 수 있다. 이때, 상기 벤트는 일 측이 상기 개구부의 내측면에 개방되고, 타 측이 상기 렌즈가 장착된 위치보다 외측으로 연장되어 형성될 수 있다.
그리고 상기 개구부의 내측면은 경사면일 수 있다.
또, 상기 리플렉터는 금속을 포함할 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는, 상면에 하나 이상의 제1 패드 및 하나 이상의 제2 패드가 형성된 기판; 상기 하나 이상의 제1 패드 및 하나 이상의 제2 패드와 전기적으로 연결되는 복수의 발광 다이오드 칩; 상기 기판 상부에 결합되고, 상기 복수의 발광 다이오드 칩을 노출시키는 개구부를 가지는 리플렉터; 및 상기 리플렉터 외측으로 상기 기판 상부에 실장되는 하나 이상의 소자를 포함하고, 상기 리플렉터는 상기 리플렉터의 외 측면 중 일부가 상기 개구부 측으로 함몰된 홈을 가지며, 상기 복수의 발광 다이오드 칩은 상기 하나 이상의 제1 패드에 실장될 수 있다.
이때, 상기 홈에 하나 이상의 소자가 배치될 수 있다.
본 발명에 의하면, 발광 다이오드 칩이 기판에 직접 실장되는 칩 온 보드형 발광 다이오드 패키지에서 발광 다이오드 칩이 실장되는 제1 패드가 기판과 일체로 형성되어 발광 다이오드 칩에서 발생된 열을 기판을 통해 보다 효율적으로 방출될 수 있는 효과가 있다.
또한, 발광 다이오드 패키지와 외부 커넥터를 연결할 때, 제1 단자와 제2 단자의 높이가 동일하게 형성됨에 따라 외부 커넥터의 연결을 보다 용이하고, 외부 커넥터가 연결될 때 높이 차이로 인해 발생하는 불량률을 낮출 수 있는 효과가 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 더 구체적으로 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 사시도이고, 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 분해 사시도이다. 그리고 도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 배면 사시도이고, 도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지에 포함된 기판을 도시한 평면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)는, 기판(110), 발광 다이오드 칩(120), 리플렉터(130) 및 렌즈(140)를 포함한다.
기판(110)은 상부에 하나 이상의 발광 다이오드 칩(120)이 실장되고, 제1 및 제2 소자(D1, D2)가 실장될 수 있다. 또한, 기판(110)에 실장된 하나 이상의 발광 다이오드 칩(120)에서 방출된 광을 반사하기 위한 리플렉터(130)가 장착될 수 있다.
하나의 이상의 발광 다이오드 칩(120)은 기판(110)에 형성된 제1 패드(캐소드, 111a)에 배치된다. 그리고 제1 패드(111a)의 외측에 하나 이상의 발광 다이오드 칩(120)과 전기적으로 연결되기 위한 제2 패드(애노드, 111b)가 형성될 수 있다. 제1 패드(111a)의 일 측에 외부전원 연결부가 연결되기 위한 제1 단자(113a) 및 제2 단자(113b)가 형성될 수 있다. 그리고 제1 패드(111a)와 제1 및 제2 단자(113a, 113b)의 사이에 제1 및 제2 소자(D1, D2)가 실장되기 위한 제3 및 제4 패드(111c, 111d)가 형성될 수 있다. 또한, 제1 및 제2 소자(D1, D2)에 전원을 공급하기 위해 소자 커넥터(DC)가 연결되기 위한 단자(T1, T2)가 기판(110)에 형성될 수 있다.
제1 패드(111a)는 발광 다이오드 칩(120)이 실장되기 위해 구비되며, 기판(110) 상에 실장되는 발광 다이오드 칩(120)의 개수와 동일한 개수만큼 형성될 수 있다. 본 실시예에서 제1 패드(111a)는, 도 2 및 도 4에 도시된 바와 같이, 아홉 개가 형성될 수 있다. 복수개의 제1 패드(111a)는 행과 열에 규칙적으로 배열될 수 있다. 그리고 각각의 제1 패드(111a) 상에 발광 다이오드 칩(120)이 실장될 수 있다.
제2 패드(111b)는 복수의 제1 패드(111a) 외측에 배치될 수 있고, 발광 다이오드 칩(120)이 와이어(W)를 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 패드(111b)는 복수개가 배치될 수 있으며, 예컨대, 제1 패드(111a)의 외측으로 네 개의 제2 패드(111b)가 배치되어 복수의 제1 패드(111a)를 둘러싸도록 배치될 수 있다.
제1 패드(111a) 상에 배치된 발광 다이오드 칩(120)과 제2 패드(111b)는 와이어(W)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 패드(111a) 상에 각각 배치된 아홉 개의 발광 다이오드 중 외측의 여덟 개의 발광 다이오드 칩(120)은 인접한 제2 패드(111b)와 각각 와이어(W)에 의해 전기적으로 연결되고, 중앙에 배치된 발광 다이오드 칩(120)은 양 측에 배치된 제2 패드(111b)에 각각 와이어(W)에 의해 전기적으로 연결된다.
제1 단자(113a) 및 제2 단자(113b)는 기판(110)의 일 측에 배치되며, 발광 다이오드 칩(120)에 전원을 공급하기 위해 구비된다. 그리고 제1 단자(113a) 및 제2 단자(113b)는, 제1 압착단자(Pa) 및 제2 압착단자(Pb)와 같은 외부전원 연결부와 전기적으로 연결될 수 있다. 본 실시예에서 제1 단자(113a)는 제1 패드(111a)와 기판(110)의 본체(110a)를 통해 전기적으로 연결된 수 있고, 이에 대해서는 후술한다. 또한, 제2 단자(113b)는 제2 패드(111b)와 인쇄회로기판에 배선이 형성된 것과 같은 방식으로, 기판(110)에 형성된 도전성 배선을 통해 전기적으로 연결될 수 있다.
본 실시예에서 기판(110)은 제1 단자(113a) 및 제2 단자(113b)가 배치된 위치에 제1 커넥터홀(Ca) 및 제2 커넥터홀(Cb)이 각각 형성될 수 있다. 제1 커넥터홀(Ca)과 제2 커넥터홀(Cb)은 각각 볼트(BT)가 삽입되어 결합될 수 있으며, 이를 위해 내측벽에 나사산이 형성될 수 있다. 또한, 제1 커넥터홀(Ca)과 제2 커넥터홀(Cb)은 각각 기판(110)을 관통하여 형성될 수 있다.
그에 따라 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 단자(113a)와 제2 단자(113b)에 각각 제1 압착단자(Pa)와 제2 압착단자(Pb)가 전기적으로 접촉된 상태에서, 볼트(BT)가 제1 압착단자(Pa) 및 제2 압착단자(Pb)를 관통하여 제1 커넥터홀(Ca) 및 제2 커넥터홀(Cb)에 각각 결합함에 따라 제1 압착단자(Pa) 및 제2 압착단자(Pb)를 제1 단자(113a) 및 제2 단자(113b)에 결합시킬 수 있다.
제1 압착단자(Pa) 및 제2 압착단자(Pb)는 도전성 금속을 포함할 수 있고, 각각 일 측에 볼트(BT)가 관통할 수 있는 홀이 형성된다. 그리고 제1 압착단자(Pa) 및 제2 압착단자(Pb)의 타 측은 전선 등이 연결될 수 있게 중공을 갖는 관의 형상을 가질 수 있다. 그에 따라 제1 압착단자(Pa) 및 제2 압착단자(Pb)는 각각 제1 단자(113a) 및 제2 단자(113b)에 결합되어 외부 전원을 제1 단자(113a) 및 제2 단자(113b)를 통해 발광 다이오드 칩(120)으로 공급할 수 있다.
그리고 기판(110)에는 제1 기판홀(119a)과 제2 기판홀(119b)이 각각 형성될 수 있다. 그리고 제1 기판홀(119a) 및 제2 기판홀(119b)은 각각 둘 이상 형성될 수 있다. 제1 기판홀(119a)은 리플렉터(130)가 기판(110) 상부에 결합될 때, 기판(110)과 리플렉터(130)를 보다 견고하게 결합하기 위해 볼트(BT)가 체결될 수 있게 형성된다. 이때, 제1 기판홀(119a) 내부에 볼트(BT)가 체결되기 위한 나사산이 형성될 수 있다.
제2 기판홀(119b)은 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)를 외부 장치에 결합시킬 수 있게 볼트(BT)가 관통하기 위해 형성된다. 이때, 제2 기판홀(119b)에도 필요에 따라 제1 기판홀(119a)과 같이 내부에 나사산이 형성될 수 있다.
본 실시예에서 제1 기판홀(119a) 및 제2 기판홀(119b)은 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 각각 기판(110)의 상면에서 하면까지 관통된 형상을 가질 수 있다. 그리고 제2 기판홀(119b)이 제1 기판홀(119a)에 비해 상대적으로 넓은 지경을 가지게 도면에 도시하였지만, 이는 필요에 따라 달라질 수 있다.
소자 커넥터(DC)는 외부 전원을 제2 소자(D2)에 공급하기 위해 제3 및 제4 단자(T1, T2)에 결합된다. 이때, 소자 커넥터(DC)는 제3 및 제4 단자(T1, T2)에 결합되었을 때, 소자 커넥터(DC)의 높이가 리플렉터(130)의 두께보다 작을 수 있다. 그에 따라 소자 커넥터(DC)로 인해 발광 다이오드 패키지(100)가 외부 장치에 결합될 때 간섭이 발생하는 것을 최소화할 수 있으며, 발광 다이오드 칩(120)에서 방출된 광이 피사체까지 조사되는 거리를 줄일 수 있다.
발광 다이오드 칩(120)은 기판(110) 상부에 형성된 제1 패드(111a) 상부에 실장되며, 발광 다이오드 칩(120)과 제1 패드(111a)는 전기적으로 연결된다. 상기에서 설명한 바와 같이, 발광 다이오드 칩(120)은 복수개가 구비될 수 있으며, 복수의 제1 패드(111a) 상부에 각각 실장될 수 있다. 또한, 발광 다이오드 칩(120)은 각각 제1 패드(111a)에 열에 강한 Ag 페이스트에 의해 결합될 수 있다. 이때, 복수의 제1 패드(111a) 상에 복수의 발광 다이오드 칩(120)이 각각 배치됨에 따라 복수의 발광 다이오드 칩(120)은 복수의 제1 패드(111a) 상에 정확한 위치에 배치될 수 있다.
리플렉터(130)는 기판(110) 상부에 결합되는데, 제1 패드(111a) 상에 실장된 발광 다이오드 칩(120)과 제2 패드(111b)를 노출시키도록 중앙에 개구부(131)가 형성될 수 있다. 개구부(131)는 평면 형상이 사각 형상일 수 있지만, 발광 다이오드 칩(120)이 실장되는 형상에 따라 다양한 형상으로 변형될 수 있다.
그리고 리플렉터(130)의 개구부(131)가 형성된 위치에 렌즈(140)가 장착될 수 있다. 이를 위해 개구부(131)의 상부에는 장착홈(133)에 형성될 수 있고, 장착홈(133)은 리플렉터(130)의 상면과 단차질 수 있다.
또한, 리플렉터(130)에는 상면과 하면을 관통하는 하나 이상의 제1 결합홀(137a)과 하나 이상의 제2 결합홀(137b)이 형성될 수 있다. 제1 결합홀(137a) 및 제2 결합홀(137b)은 각각 제1 기판홀(119a) 및 제2 기판홀(119b)이 대응되는 위치에 형성될 수 있고, 각각 제1 기판홀(119a) 및 제2 기판홀(119b)과 동일한 직경을 가질 수 있다. 즉, 리플렉터(130)가 기판(110)에 결합되면, 제1 결합홀(137a)은 제1 기판홀(119a)과 동일한 위치에 위치하고, 제2 결합홀(137b)은 제2 기판홀(119b)과 동일한 위치에 위치할 수 있다. 이때, 리플렉터(130)의 상면은 도시된 바와 같이, 제1 및 제2 결합홀(137a, 137b)이 형성될 수 있게 일정 면적을 가질 수 있다.
그리고 리플렉터(130)는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 일 측면에 보호홈(135)이 형성될 수 있다. 보호홈(135)은 리플렉터(130)의 외 측면 중 일부가 개구부(131) 측으로 함몰된 형상을 가질 수 있다. 즉, 보호홈(135)은 리플렉터(130)의 외측면의 양 끝단이 돌출된 형상의 사이에 형성될 수 있다. 리플렉터(130)가 기판(110)에 설치되었을 때, 기판(110)에 실장된 제1 및 제2 소자(D1, D2)가 리플렉터(130)의 보호홈(135)에 배치되고, 그에 따라 리플렉터(130)는 제1 및 제2 소자(D1, D2)의 적어도 일부를 감싸 외부로부터 보호할 수 있다.
본 실시예에서 리플렉터(130)는 개구부(131)의 내측에 배치된 발광 다이오드 칩(120)에서 방출된 광이 상부로 방출시키는 역할을 하면서, 개구부(131) 내 측에 배치된 발광 다이오드 칩(120)을 보호하는 역할을 한다.
또한, 리플렉터(130)는 금속을 포함할 수 있어, 발광 다이오드 칩(120)에서 발생된 열이 기판(110)을 통해 다시 리플렉터(130)로 전달되어 외부로 방열할 수 있다.
그리고 리플렉터(130)는 아노다이징 공법을 이용하여 외면 표면에 피막을 형성할 수 있으며, 그에 따라 리플렉터(130)의 외면은 검정색일 수 있다.
렌즈(140)는, 리플렉터(130)에 형성된 장착홈(133)에 삽입되어 리플렉터(130)에 결합된다. 그에 따라 렌즈(140)는 개구부(131)보다 넓은 면적을 가질 수 있다. 또한, 렌즈(140)의 상면은 평평한 형상을 가질 수 있지만, 이에 한정하지 않는다. 그리고 렌즈(140)는 유리 등의 소재일 수 있고, 내부에 한 종류 이상의 형광체들이 분포될 수 있다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 평면도이다. 도 6의 (a)는 도 5의 절취선 A-A'를 따라 취한 단면도이고, 도 6의 (b)는 도 5의 절취선 B-B'를 따라 취한 단면도이며, 도 6의 (c)는 도 5의 절취선 C-C'를 따라 취한 단면도이다. 또한, 도 6의 (d)는 도 5의 절취선 D-D'를 따라 취한 단면도이고, 도 6의 (e)는 도 5의 절취선 E-E'를 따라 취한 단면도이다.
도 5 및 도 6을 참조하여, 기판(110), 발광 다이오드 칩(120), 리플렉터(130) 및 렌즈(140)의 결합 관계에 대해 보다 자세히 설명한다.
도 6의 (a)는 도 5의 발광 다이오드 칩(120)이 배치된 위치의 단면도이다. 도시된 바와 같이, 기판(110)은, 본체(110a), 제1 패드(111a), 제2 패드(111b), 제1 절연부(115) 및 제2 절연부(117)를 포함한다.
본체(110a)는 금속을 포함할 수 있고, 일례로, 구리(Cu)를 포함할 수 있다. 상면은 대체로 평평한 면을 가질 수 있다. 다만, 발광 다이오드 칩(120)이 실장되는 제1 패드(111a)는 본체(110a)의 상면에서 상부로 돌출되어 형성될 수 있다. 이렇게 제1 패드(111a)가 본체(110a)와 일체로 형성됨에 따라 제1 패드(111a)에 실장된 발광 다이오드 칩(120)에서 열이 발생하더라도 제1 패드(111a)를 통해 본체(110a)로 바로 전달되기 때문에 열을 보다 빨리 방출할 수 있다.
제1 절연부(115)는 기판(110)의 본체(110a) 상면을 덮는데, 도 6의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1 패드(111a)를 제외한 본체(110a) 상면의 대부분을 덮는다. 또한, 후술하겠지만, 제1 절연부(115)는 제1 패드(111a) 외에도 제1 단자(113a), 제1 기판홀(119a), 제2 기판홀(119b), 제2 커넥터홀(Cb)에도 형성되지 않는다.
제2 패드(111b)는 제1 절연부(115) 상부에 배치되며, 제1 패드(111a)에 인접한 위치에 이격된 위치에 배치된다. 도시된 바와 같이, 제2 패드(111b)는 제1 패드(111a)의 양측에 각각 배치되며, 발광 다이오드 칩(120)과 와이어(W)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 여기서, 제2 패드(111b)는 제1 패드(111a)와 동일한 높이를 가질 수 있다.
본 실시예에서 제1 패드(111a) 및 제2 패드(111b)는 각각 상면에 Ni/Au, Ni/Ag 및 Ni/Pd/Au 등이 증착될 수 있다.
제2 절연부(117)는 제1 절연부(115)를 덮고, 제1 패드(111a), 제2 패드(111b), 제1 단자(113a) 및 제2 단자(113b) 사이에 배치될 수 있다. 제2 절연부(117)는 제1 패드(111a)와 제2 패드(111b)가 인접하게 배치된 사이에 위치하여, 제1 패드(111a) 및 제2 패드(111b)가 서로 전기적으로 단락되는 것을 방치할 수 있다. 이때, 제2 절연부(117)는 제1 패드(111a) 및 제2 패드(111b)의 일부를 덮을 수 있다.
상기와 같이, 제2 절연부(117)가 제1 패드(111a), 제2 패드(111b), 제1 단자(113a) 및 제2 단자(113b)의 일부를 덮더라도, 제2 절연부(117)에 전체적인 높이는 제1 패드(111a), 제2 패드(111b), 제1 단자(113a) 및 제2 단자(113b)의 높이 동일한 높이를 가질 수 있다.
그리고 리플렉터(130)는 기판(110) 상에 설치되며, 접착부(G)에 의해 기판(110)에 결합될 수 있다. 접착부(G)는 리플렉터(130)와 기판(110) 상에 배치되고, 제1 결합홀(137a) 및 제2 결합홀(137b)을 제외한 전체에 도포될 수 있다.
상기와 같이, 리플렉터(130)가 접착부(G)에 의해 기판(110)에 결합된 상태에서, 다시 볼트(BT)에 의해 재차 결합될 수 있다. 이때, 리플렉터(130)가 기판(110) 상에 정상적으로 배치되면, 리플렉터(130)의 제1 결합홀(137a)과 기판(110)의 제1 기판홀(119a)이 하나의 홀로 연장되고, 볼트(BT)가 제1 결합홀(137a) 및 제1 기판홀(119a)을 관통하여 리플렉터(130)를 기판(110)에 재차 결합시킬 수 있다. 이렇게 볼트(BT)를 이용하여 리플렉터(130)를 재차 결합시키는 것은 발광 다이오드 칩(120)에서 발생된 열에 의해 접착부(G)의 접착력이 약해지는 현상이 발생하더라도 리플렉터(130)가 기판(110)에서 분리되는 것을 방지하기 위함이다. 이때, 접착부(G)는 기판(110)을 통해 전달되는 열을 리플렉터(130) 측으로 잘 전달할 수 있는 물질을 포함할 수 있다.
그리고 렌즈(140)는 리플렉터(130)의 장착홈(133)에 설치되는데, 이때에도 렌즈(140)는 접착부(G)에 의해 장착부에 결합될 수 있다. 여기서, 접착부(G)는 레플렉터의 장착홈(133)의 내측 하면에 도포될 수 있는데, 접착부(G)가 도포되는 장착홈(133)의 내측 하면에 접착홈(h)이 형성될 수 있다. 접착홈(h)에는 접착부(G)가 채워져, 접착부(G)와 리플렉터(130) 간의 접촉면적을 증가시킬 수 있다.
도 6의 (b)는 리플렉터(130)의 제1 결합홀(137a)과 제2 결합홀(137b)이 형성된 위치의 단면을 도시한 도면이다.
도시된 바와 같이, 기판(110)의 상부에 리플렉터(130)가 접착부(G)에 의해 결합되고, 제1 결합홀(137a)과 제1 기판홀(119a)을 관통하는 볼트(BT)에 의해 리플렉터(130)가 기판(110)에 재차 결합될 수 있다. 이때, 기판(110)에 형성된 제1 기판홀(119a) 및 제2 기판홀(119b)의 내측면에는 각각 제3 절연부(S)가 형성될 수 있다. 그에 따라 제1 기판홀(119a) 및 제2 기판홀(119b)의 직경은 제3 절연부(S)가 형성된 상태에서 각각 리플렉터(130)의 제1 결합홀(137a) 및 제2 결합홀(137b)과 같을 수 있다. 또한, 제1 기판홀(119a) 및 제2 기판홀(119b)에 형성되는 나사산은 제3 절연부(S) 상에 형성될 수 있다.
상기와 같이, 제1 기판홀(119a) 및 제2 기판홀(119b)의 내측면에 제3 절연부(S)가 형성됨에 따라 볼트(BT)가 제1 기판홀(119a) 및 제2 기판홀(119b)에 체결되더라도 볼트(BT)와 기판(110)의 본체(110a)가 전기적으로 절연될 수 있다. 그에 따라 제1 단자(113a)를 통해 기판(110) 본체(110a)에 인가된 전원이 금속 재질의 볼트(BT)를 통해 리플렉터(130)까지 인가되지 않을 수 있다. 이때, 볼트(BT)가 절연성물질인 경우에는 문제되지 않는다.
본 실시예에서 제3 절연부(S)가 기판(110)의 제1 기판홀(119a) 및 제2 기판홀(119b) 내측면 전체에 형성되게 도면에 도시하였지만, 필요에 따라 제3 절연부(S)는 제1 및 제2 절연부(117)까지 형성되지 않을 수 있다.
도 6의 (c)는 제1 단자(113a) 및 제2 단자(113b)가 배치된 위치의 단면도이다.
먼저, 제1 단자(113a)가 형성된 위치를 보면, 제1 단자(113a)가 형성된 위치에서 기판(110)의 본체(110a)는 상부로 돌출된 형상을 갖는다. 그리고 돌출 형상을 수직으로 관통하여 제1 커넥터홀(Ca)이 형성된다. 그리고 돌출 형상의 주변의 본체(110a) 상면에 제1 절연부(115)가 형성되고, 제1 절연부(115)의 일부와 본체(110a)의 돌출 형상 상부를 덮도록 제1 단자(113a)가 배치된다. 그에 따라 제1 단자(113a)는 본체(110a)의 돌출 형상과 전기적으로 연결될 수 있다.
그리고 제2 단자(113b)가 형성된 치를 보면, 기판(110) 본체(110a)에 제2 커넥터홀(Cb)이 형성되고, 제2 커넥터홀(Cb)의 내측면에 제3 절연부(S)가 형성된다. 제3 절연부(S)는 제1 절연부(115)의 상면까지 형성될 수 있다. 제2 단자(113b)는 제1 절연부(115)의 일부와 제3 절연부(S)의 상부에 배치되며, 제2 커넥터홀(Cb)을 둘러싸는 형상을 가질 수 있다. 그에 따라 제2 커넥터홀(Cb)에 금속성 볼트(BT)가 삽입되더라도 제2 단자(113b)와 기판(110)의 본체(110a)는 절연될 수 있다.
또한, 제1 커넥터홀(Ca) 및 제2 커넥터홀(Cb)의 내측면에는 볼트(BT)가 결합되도록 나사산이 형성될 수 있다.
그리고 제2 절연부(117)는 제1 절연부(115)를 덮도록 배치되며, 제1 단자(113a) 및 제2 단자(113b)의 일부를 덮을 수 있다. 그리고 제1 단자(113a)와 제2 단자(113b) 사이에 배치되어, 제1 단자(113a)와 제2 단자(113b)가 단락되는 것을 방지할 수 있다.
여기서, 제1 단자(113a) 및 제2 단자(113b)는 각각 Cu/Ni/Au 또는 Cu/Ni/Pd/Au를 포함할 수 있다.
도 6의 (d)는 제1 소자(D1)가 결합되는 제3 패드(111c)의 위치에 대한 단면도이다.
도 6의 (d)를 참조하면, 제1 패드(111a)와 마찬가지로, 제3 패드(111c)는 기판(110)의 본체(110a)가 상부로 돌출되어 형성될 수 있다. 상부로 돌출된 제3 패드(111c)의 주면에 본체(110a)의 상면을 덮도록 제1 절연부(115)가 형성되고, 제1 절연부(115) 상부에 제2 절연부(117)가 제3 패드(111c)의 일부를 덮도록 형성될 수 있다.
도 6의 (e)는 제3 단자(T1) 및 제4 단자(T2)가 형성된 위치에 대한 단면도이다.
기판(110) 본체(110a) 상에 제1 절연부(115)가 배치되고, 제1 절연부(115) 상에 제3 단자(T1) 및 제4 단자(T2)가 각각 배치된다. 제3 단자(T1) 및 제4 단자(T2)는 각각 서로 이격되어 배치되고, 제3 단자(T1)와 제4 단자(T2) 사이에 제2 절연부(117)가 배치될 수 있다.
또한, 별도로 도시하지 않았지만, 제2 소자(D2)가 실장되는 제4 패드(111d)의 단면도 제3 단자(T1) 및 제4 단자(T2)와 같은 형상을 가질 수 있다.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지에 외부전원 연결부의 연결을 위해 볼트(BT)가 결합되는 것을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명의 제1 실시예에서, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 단자(113a) 및 제2 단자(113b)에 각각 제1 압착단자(Pa) 및 제2 압착단자(Pb)가 볼트(BT)에 의해 결합된다. 제1 압착단자(Pa) 및 제2 압착단자(Pb)는 각각 볼트(BT)가 삽입될 수 있는 홀이 형성되어 있다.
이때, 도 7의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1 압착단자(Pa)의 홀의 상부에 별개로 하나 이상의 와셔(washer, Wa)를 배치할 수 있다. 그에 따라 볼트(BT)의 길이가 기판(110)의 길이보다 길더라도 볼트(BT)가 기판(110)의 하면 외부로 돌출되지 않을 수 있다.
도 6의 (c)에서 제1 커넥터홀(Ca) 및 제2 커넥터홀(Cb)이 각각 기판(110)의 본체(110a)를 관통하는 홀의 형상으로 형성된 것이 개시되어 있지만, 필요에 따라 제1 커넥터홀(Ca) 및 제2 커넥터홀(Cb)은 홈의 형상을 가질 수도 있다. 그에 따라 볼트(BT)의 길이가 제1 커넥터홀(Ca) 및 제2 커넥터홀(Cb)보다 길더라도 와셔(Wa)를 이용하여 볼트(BT)의 길이를 조절할 수 있다.
또한, 도 7의 (b)에 도시된 바와 같이, 헤드부분이 경사진 볼트(BT)를 이용하는 경우, 볼트(BT)의 헤드부분 경사를 지지할 수 있는 지지대(U)를 이용할 수 있다. 지지대(U)는 도 7의 (c)에 도시된 바와 같이, 볼트(BT)의 헤드부분 경사에 대응되도록 내측 홀에 경사를 가질 수 있다. 그리고 지지대(U)는 세라믹, 플라스틱 또는 얇은 알루미늄과 같은 금속이 이용될 수 있다.
본 실시예에서 와셔(Wa) 및 지지대(U)는 볼트(BT)가 이용되는 다른 부분에도 필요에 따라 적용될 수 있다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 사시도이고, 도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 분해 사시도이다. 그리고 도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지에 외부전원 연결부가 연결되는 것을 도시한 측면도이다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)는, 기판(110), 발광 다이오드 칩(120), 리플렉터(130) 및 렌즈(140)를 포함한다. 본 실시예에 대해 설명하면서, 제1 실시예에서와 동일한 설명은 생략한다.
본 실시예에서 발광 다이오드 패키지(100)의 제1 단자(113a) 및 제2 단자(113b)는 커넥터(C)와 같은 외부 전원 연결부와 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 단자(113a)는 제1 패드(111a)와 전기적으로 연결되고, 제2 단자(113b)는 제2 패드(111b)와 전기적으로 연결된다. 제1 단자(113a)와 제1 패드(111a)는 기판(110)의 본체(110a)를 통해 전기적으로 연결될 수 있고, 제2 단자(113b)는 제2 패드(111b)와 기판(110)에 형성된 도전성 배선을 통해 전기적으로 연결될 수 있다.
본 실시예에서 제1 단자(113a)는 제1 실시예에서의 제1 패드(111a)와 같이, 기판(110)의 본체(110a)에서 돌출되어 형성되며, 제2 단자(113b)는 제1 실시예에서의 제2 패드(111b)와 같이, 제1 절연부(115) 상부에 형성될 수 있다. 또한, 제1 단자(113a)와 제2 단자(113b)는 서로 동일한 높이를 가질 수 있다. 그리고 제1 단자(113a)와 제2 단자(113b) 사이에 제2 절연부(117)가 형성되어 제1 단자(113a)와 제2 단자(113b)를 전기적으로 절연시킬 수 있다.
도 10을 참조하면, 외부전원 연결부가 제1 단자(113a) 및 제2 단자(113b)에 연결되기 위해 외부전원 연결부의 커넥터(C)가 제1 단자(113a) 및 제2 단자(113b)에 접촉될 수 있다. 여기서, 제1 단자(113a) 및 제2 단자(113b)를 덮어 제1 단자(113a) 및 제2 단자(113b)에 외부전원의 커넥터(C)를 연결을 보다 쉽게 할 수 있게 제1 단자(113a) 및 제2 단자(113b)를 포함하는 영역(113c)을 기판(110) 상에 표시할 수 있다.
이때, 본 실시예에서 제1 단자(113a) 및 제2 단자(113b)가 형성된 기판(110)의 상면은 전체적으로 평평한 형상을 가진다. 그에 따라 일반적으로 평평한 면에 단자가 형성된 커넥터(C)가 제1 단자(113a) 및 제2 단자(113b)와 전기적으로 연결될 수 있으며, 발광 다이오드 패키지(100)와 커넥터(C)가 견고하게 결합될 수 있다.
도 11은 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 리플렉터 개구부 형상을 설명하기 위한 단면도이다.
도 11을 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)는, 기판(110), 발광 다이오드 칩(120), 리플렉터(130) 및 렌즈(140)를 포함한다. 본 실시예에 대해 설명하면서, 제1 실시예에서와 동일한 설명은 생략한다.
본 실시예에서 리플렉터(130)에 형성된 개구부(131)의 내측면은 경사면(132)으로 형성될 수 있다. 그에 따라 리플렉터(130)가 기판(110) 상에 배치되어 개구부(131)를 통해 발광 다이오드 칩(120)에서 광이 방출될 때, 광이 개구부(131)의 경사면(132)에서 반사되어 방출되어 광의 방출 효율을 높일 수 있다. 여기서, 개구부(131)는 렌즈(140)가 장착되는 장착홈(133)의 하부에 개방된 영역으로 정의할 수 있다. 그리고 개구부(131)의 깊이는 일례로, 리플렉터(130)의 두께가 2mm인 경우에 0.5mm 또는 1mm의 깊이를 가질 수 있다. 또한, 개구부(131)의 측면으로 형성된 경사면(132)의 경사 각도는 약 60도일 수 있다. 상기와 같은 개구부(131)의 깊이와 경사면(132)의 각도는 필요에 따라 변형될 수 있다.
도 12는 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 평면도이고, 도 13은 도 12의 절취선 F-F'를 따라 취한 단면도이다.
도 12 및 도 13을 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)는, 기판(110), 발광 다이오드 칩(120), 리플렉터(130) 및 렌즈(140)를 포함한다. 본 실시예에 대해 설명하면서, 제1 실시예에서와 동일한 설명은 생략한다.
본 실시예에서 리플렉터(130)는 장착홈(133)의 평면 형상은 사각형 형상을 가지고, 장착홈(133)의 사각형 형상의 네 모서리에 설치홈(134)이 각각 형성될 수 있다. 본 실시예에서 장착홈(133)에 설치되는 렌즈(140)는 모서리가 곡면이 아닌 직육면체 형상을 가진 것에 대해 설명한다. 그에 따라 렌즈(140)를 리플렉터(130)의 장착홈(133)에 설치할 때, 설치홈(134)은 렌즈(140)의 위치를 정확한 위치에 맞춰 설치하기 위한 공간이다.
본 실시예에서 리플렉터(130)에 네 개의 설치홈(134)이 형성된 것을 도시하였지만, 필요에 따라 대각선 방향에 두 개의 설치홈(134)만 형성될 수 있다.
또한, 설치홈(134)의 형상은 본 실시예에서 원기둥 형상의 홈으로 형성한 것이 도시되어 있지만, 설치홈(134)의 형상은 다양한 형상을 가질 수 있다.
그리고 본 실시예에서 장착홈(133)의 하면인 장착면(133a)에 렌즈(140)가 접하여 배치된다. 이때, 장착면(133a)에 개구부(131)에서 설치홈(134)까지 연장된 벤트(133b, vent)가 하나 이상 형성될 수 있다. 벤트(133b)는 길이방향을 갖는 홈으로 장착면(133a)에 형성될 수 있다. 그리고 벤트(133b)는 상부가 개방되며, 일 측이 개구부(131)의 내측벽에 개방된 형상의 홈 형상을 가질 수 있다.
또한, 벤트(133b)의 타 측은 장착면(133a)의 설치홈(134)까지 연장된다. 여기서, 벤트(133b)의 타 측 끝단은 렌즈(140)가 장착홈(133)에 장착되었을 때, 렌즈(140)의 외측에 노출되는 위치까지 연장된다. 본 실시예에서는 벤트(133b)의 길이 방향의 리플렉터(130)의 대각방향으로 형성되어 벤트(133b)의 타 측이 설치홈(134)까지 연장된다.
상기와 같이, 형성된 벤트(133b)는 개구부(131) 내에 위치한 발광 다이오드 칩(120)이 구동됨에 따라 발생된 열이 기판(110)과 리플렉터(130)를 통해 방출되는 동안, 개구부(131) 내의 가열되어 공기가 팽창되는 것을 방지하기 위해 구비된다. 그에 따라 개구부(131) 내에서 가열된 공기는 벤트(133b)를 통해 외부로 방출될 수 있어, 개구부(131) 내의 공기 팽창으로 인해 발광 다이오드 패키지(100)가 변형되는 것을 방지할 수 있다.
여기서, 도 13에 도시된 바와 같이, 장착면(133a) 상에 도포되어 장착면(133a)에 렌즈(140)를 접착시키는 접착부(G)는 필요에 따라 벤트(133b)의 상부에 도포되지 않을 수 있다.
도 14는 본 발명의 제5 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 발광 다이오드 칩이 실장되는 기판을 설명하기 위한 단면도이다.
도 14를 참조하면, 본 발명의 제5 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)는, 기판(110), 발광 다이오드 칩(120), 리플렉터(130) 및 렌즈(140)를 포함한다. 본 실시예에 대해 설명하면서, 제1 실시예에서와 동일한 설명은 생략한다.
본 실시예에서, 기판(110)은 본체(110a), 제1 패드(111a), 제2 패드(111b), 제1 절연부(115) 및 제2 절연부(117)를 포함한다.
제1 패드(111a)는 기판(110)의 본체(110a) 상면에서 상부로 돌출되며, 하나가 구비될 수 있다. 그에 따라 하나의 제1 패드(111a) 상에 복수의 발광 다이오드 칩(120)이 실장될 수 있다. 제1 실시예와 달리, 하나의 제1 패드(111a)를 구비하여, 제1 패드(111a) 상에 하나 또는 복수의 발광 다이오드 칩(120)이 배치될 수 있다. 그에 따라 필요에 따라 제1 패드(111a) 상에 발광 다이오드 칩(120)의 개수를 조절하여 배치할 수 있다.
위에서 설명한 바와 같이 본 발명에 대한 구체적인 설명은 첨부된 도면을 참조한 실시예에 의해서 이루어졌지만, 상술한 실시예는 본 발명의 바람직한 예를 들어 설명하였을 뿐이므로, 본 발명이 상기 실시예에만 국한되는 것으로 이해돼서는 안 된다. 또한, 본 발명에 대해 여러 실시예들은 각각 별개의 실시예로 구성될 수 있지만, 필요에 따라 둘 이상의 실시예들이 조합되어 또 다른 실시예로 구성될 수도 있다. 본 발명의 권리범위는 후술하는 청구범위 및 그 등가개념으로 이해되어야 할 것이다.
100: 발광 다이오드 패키지
110: 기판 110a: 본체
111a: 제1 패드 111b: 제2 패드
111c: 제3 패드 111d: 제4 패드
113a: 제1 단자 113b: 제2 단자
115: 제1 절연부 117: 제2 절연부
119a: 제1 기판홀 119b: 제2 기판홀
120: 발광 다이오드 칩
130: 리플렉터 131: 개구부
132: 경사면 133: 장착홈
133a: 장착면 133b: 벤트
134: 설치홈 135: 보호홈
137a: 제1 결합홀 137b: 제2 결합홀
140: 렌즈
G: 접착부 h: 접착홈
W: 와이어
BT: 볼트 C: 커넥터
Ca: 제1 커넥터홀 Cb: 제2 커넥터홀
Pa: 제1 압착단자 Pb: 제2 압착단자
S: 제3 절연부
D1: 제1 소자 D2: 제2 소자
T1: 제3 단자 T4: 제4 단자

Claims (28)

  1. 상면에 형성된 하나 이상의 제1 패드, 하나 이상의 제2 패드, 제1 단자 및 제2 단자가 형성된 기판;
    상기 하나 이상의 제1 패드 상에 실장되고, 상기 제1 패드 및 제2 패드와 전기적으로 연결되는 복수의 발광 다이오드 칩; 및
    상기 기판 상부에 결합되고, 상기 복수의 발광 다이오드 칩을 노출시키는 개구부를 가지는 리플렉터를 포함하고,
    상기 제1 패드는 상기 기판과 일체로 형성되고,
    상기 제1 단자 또는 제2 단자는 외부 전원과 연결되되, 상기 기판의 상면에서 일정 높이로 형성된 발광 다이오드 패키지.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 패드는 상기 기판에서 돌출된 발광 다이오드 패키지.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 패드는 상기 기판과 동일한 물질로 형성된 발광 다이오드 패키지.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 단자 및 제2 단자는 외부 커넥터가 연결되는 발광 다이오드 패키지.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 기판은,
    본체;
    상기 본체 상부에 형성된 하나 이상의 제1 패드;
    상기 제1 패드를 제외한 상기 본체 상부를 덮는 제1 절연부;
    상기 제1 절연부 상부에 형성된 하나 이상의 제2 패드; 및
    상기 하나 이상의 제1 패드와 하나 이상의 제2 패드 사이에 배치되고, 상기 제1 절연부를 덮는 제2 절연부를 포함하고,
    상기 제1 패드는 상기 본체와 일체로 형성된 발광 다이오드 패키지.
  6. 청구항 5에 있어서, 상기 기판은,
    상기 본체 상부에 형성된 제1 단자; 및
    상기 제1 절연부 상부에 형성된 제2 단자를 더 포함하고,
    상기 제2 절연부는 상기 제1 단자 및 제2 단자 사이에 배치되며,
    상기 제1 단자는 상기 본체와 일체로 형성된 발광 다이오드 패키지.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 기판은, 상기 제1 단자 및 제2 단자에 각각 외부 커넥터가 전기적으로 연결되도록 제1 커넥터홀 및 제2 커넥터홀이 형성된 발광 다이오드 패키지.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 제1 커넥터홀 및 제2 커넥터홀은 각각 상기 외부 커넥터가 볼트에 의해 결합되는 발광 다이오드 패키지.
  9. 청구항 7에 있어서,
    상기 제2 단자는 상기 제1 단자가 형성된 위치와 상기 리플렉터 사이의 거리보다 먼 거리에 위치하게 형성된 발광 다이오드 패키지.
  10. 청구항 7에 있어서,
    상기 기판은, 상기 제2 커넥터홀 내측면에 배치된 제3 절연부를 더 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  11. 청구항 5에 있어서,
    상기 본체는 금속을 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  12. 청구항 5에 있어서,
    상기 하나 이상의 제1 패드는 복수 개이고, 서로 이격되며,
    상기 제2 절연부는 상기 이격된 복수의 제1 패드 사이에 배치된 발광 다이오드 패키지.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 복수의 발광 다이오드 칩은 상기 복수의 제1 패드에 각각 실장된 발광 다이오드 패키지.
  14. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판 상부에 실장되는 하나 이상의 소자를 더 포함하고,
    상기 리플렉터는 상기 하나 이상의 소자의 적어도 일부를 감싸도록 외 측면에 보호홈을 갖는 발광 다이오드 패키지.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 하나 이상의 소자는, 상기 제1 패드와 상기 제1 단자 사이에 배치된 발광 다이오드 패키지.
  16. 청구항 14에 있어서,
    상기 보호홈은 상기 리플렉터의 외 측면 중 두 부분 이상이 외측으로 돌출된 사이에 위치하는 발광 다이오드 패키지.
  17. 청구항 14에 있어서,
    상기 보호홈은 상기 하나 이상의 소자의 적어도 두 측면을 감싸도록 형성된 발광 다이오드 패키지.
  18. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판 및 리플렉터는 상면에서 하면으로 관통된 하나 이상의 홀이 각각 형성되며,
    상기 기판에 형성된 하나 이상의 홀과 상기 리플렉터에 형성된 홀은 서로 연결된 발광 다이오드 패키지.
  19. 청구항 18에 있어서,
    상기 기판 및 리플렉터에 각각 형성된 하나 이상의 홀을 관통하여 상기 리플렉터를 상기 기판에 결합시키는 결합부를 더 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  20. 청구항 18에 있어서,
    상기 기판에 형성된 하나 이상의 홀의 내측면에 형성된 제3 절연부를 더 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  21. 청구항 1에 있어서,
    상기 리플렉터에는 상기 개구부 상부에 상기 개구부의 너비보다 넓게 형성된 장착홈이 형성되며,
    상기 장착홈에 삽입되며, 상기 발광 다이오드 칩에서 발광된 빛을 투과시키는 렌즈를 더 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  22. 청구항 21에 있어서,
    상기 리플렉터에는 상기 장착홈의 일 측에 형성된 하나 이상의 설치홈이 형성된 발광 다이오드 패키지.
  23. 청구항 21에 있어서,
    상기 리플렉터에는 상기 장착홈의 내면에 형성되며, 상기 개구부로부터 연장된 하나 이상의 벤트가 형성된 발광 다이오드 패키지.
  24. 청구항 23에 있어서,
    상기 벤트는 일 측이 상기 개구부의 내측면에 개방되고, 타 측이 상기 렌즈가 장착된 위치보다 외측으로 연장되어 형성된 발광 다이오드 패키지.
  25. 청구항 1에 있어서,
    상기 개구부의 내측면은 경사면인 발광 다이오드 패키지.
  26. 청구항 1에 있어서,
    상기 리플렉터는 금속을 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  27. 상면에 하나 이상의 제1 패드 및 하나 이상의 제2 패드가 형성된 기판;
    상기 하나 이상의 제1 패드 및 하나 이상의 제2 패드와 전기적으로 연결되는 복수의 발광 다이오드 칩;
    상기 기판 상부에 결합되고, 상기 복수의 발광 다이오드 칩을 노출시키는 개구부를 가지는 리플렉터; 및
    상기 리플렉터 외측으로 상기 기판 상부에 실장되는 하나 이상의 소자를 포함하고,
    상기 리플렉터는 상기 리플렉터의 외 측면 중 일부가 상기 개구부 측으로 함몰된 홈을 가지며,
    상기 복수의 발광 다이오드 칩은 상기 하나 이상의 제1 패드에 실장된 발광 다이오드 패키지.
  28. 청구항 27에 있어서,
    상기 홈에 하나 이상의 소자가 배치된 발광 다이오드 패키지.
KR1020160115042A 2015-09-08 2016-09-07 발광 다이오드 패키지 KR20170030057A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20150127061 2015-09-08
KR1020150127061 2015-09-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20170030057A true KR20170030057A (ko) 2017-03-16

Family

ID=58240170

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160115042A KR20170030057A (ko) 2015-09-08 2016-09-07 발광 다이오드 패키지

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10355184B2 (ko)
KR (1) KR20170030057A (ko)
CN (2) CN110890353B (ko)
WO (1) WO2017043859A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190031902A (ko) * 2017-09-19 2019-03-27 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 패키지

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102624113B1 (ko) * 2018-06-08 2024-01-12 서울바이오시스 주식회사 발광 소자 패키지 및 이의 제조 방법
KR102613886B1 (ko) * 2018-08-06 2023-12-15 서울바이오시스 주식회사 발광 장치, 및 이를 포함하는 광 조사기
TWD204008S (zh) * 2019-03-22 2020-04-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置之部分
CN111029335B (zh) * 2019-12-20 2022-04-12 圆融光电科技股份有限公司 深紫外发光装置
CN111969096A (zh) * 2020-08-31 2020-11-20 福建天电光电有限公司 芯片封装结构

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4174823B2 (ja) * 2003-03-27 2008-11-05 サンケン電気株式会社 半導体発光装置
US7442564B2 (en) * 2006-01-19 2008-10-28 Cree, Inc. Dispensed electrical interconnections
KR100764432B1 (ko) * 2006-04-05 2007-10-05 삼성전기주식회사 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지 및 그 제조방법
JP2008186796A (ja) 2007-01-31 2008-08-14 Ichikoh Ind Ltd 発光ダイオードの固定構造
TW200941659A (en) * 2008-03-25 2009-10-01 Bridge Semiconductor Corp Thermally enhanced package with embedded metal slug and patterned circuitry
JP5320181B2 (ja) 2009-06-19 2013-10-23 日本航空電子工業株式会社 電気接続部材およびそれを用いたソケットコネクタ
KR101124102B1 (ko) * 2009-08-24 2012-03-21 삼성전기주식회사 발광 소자 패키지용 기판 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지
CN102270725A (zh) * 2010-06-01 2011-12-07 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
KR20120001460A (ko) * 2010-06-29 2012-01-04 삼성엘이디 주식회사 발광모듈 및 그를 이용한 헤드 램프 모듈
KR101144351B1 (ko) * 2010-09-30 2012-05-11 서울옵토디바이스주식회사 웨이퍼 레벨 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
CN202013900U (zh) * 2011-02-15 2011-10-19 晶诚（郑州）科技有限公司 一种有基座的led封装结构
KR20120039590A (ko) 2012-03-08 2012-04-25 장일호 고출력 백색광 엘이디 패키지 모듈 및 그 제조방법
CN203205455U (zh) * 2013-03-20 2013-09-18 广东长盈精密技术有限公司 Led支架
KR20140127063A (ko) 2013-04-24 2014-11-03 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지
JP6217179B2 (ja) 2013-06-28 2017-10-25 日亜化学工業株式会社 発光装置用ホルダ
CN104600172A (zh) * 2014-09-10 2015-05-06 广东长盈精密技术有限公司 倒装芯片型led支架及其制造方法
US9826581B2 (en) * 2014-12-05 2017-11-21 Cree, Inc. Voltage configurable solid state lighting apparatuses, systems, and related methods
KR20160112761A (ko) * 2015-03-20 2016-09-28 삼성전자주식회사 일체형 몰딩 기판을 포함하는 광원 모듈 및 조명 장치, 및 그 광원 모듈 제조방법

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190031902A (ko) * 2017-09-19 2019-03-27 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 패키지
WO2019059602A3 (ko) * 2017-09-19 2019-05-09 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 패키지
CN110770922A (zh) * 2017-09-19 2020-02-07 首尔伟傲世有限公司 发光二极管封装件
CN111192953A (zh) * 2017-09-19 2020-05-22 首尔伟傲世有限公司 发光二极管封装件
CN111192953B (zh) * 2017-09-19 2023-11-03 首尔伟傲世有限公司 发光二极管封装件
CN110770922B (zh) * 2017-09-19 2023-11-03 首尔伟傲世有限公司 发光二极管封装件

Also Published As

Publication number Publication date
WO2017043859A1 (ko) 2017-03-16
CN107949922B (zh) 2021-04-13
CN107949922A (zh) 2018-04-20
US10355184B2 (en) 2019-07-16
CN110890353B (zh) 2023-12-26
CN110890353A (zh) 2020-03-17
US20180261739A1 (en) 2018-09-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20170030057A (ko) 발광 다이오드 패키지
US10655793B2 (en) LED lighting apparatus
US9203006B2 (en) Light emitting device
JP4676335B2 (ja) 照明装置
JP4755213B2 (ja) エッジライト式発光ダイオードバックライトモジュール
US8158996B2 (en) Semiconductor light emitting device package
US11069846B2 (en) Ultraviolet ray emitting device having maximized electrode area for improved heat dissipation
JP5677806B2 (ja) Ｌｅｄ電球
US11158777B2 (en) LED light source
KR101191360B1 (ko) 발광소자 패키지 어레이 및 이를 구비한 백라이트 유닛
KR20110107134A (ko) 발광 유닛 및 형광등형 조명 기구
JP2012094305A (ja) 発光装置及びそれを備えた照明器具
KR100947441B1 (ko) 발광 다이오드 조명 장치
JP2009021383A (ja) 電子部品
KR20190031902A (ko) 발광 다이오드 패키지
KR20120096214A (ko) 광원 모듈 및 이를 구비하는 조명 장치
US20150243860A1 (en) Light-emitting device
KR20160148343A (ko) 발광 장치
KR20150032112A (ko) 조명장치

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E90F Notification of reason for final refusal