KR20160102889A - 절삭 장치 - Google Patents

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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

[과제] 대용량의 컴프레서를 이용하지 않고 고압을 유지한 상태로 고압수를 분사할 수 있어, 저렴한 구성으로 양호한 데버링 효과를 얻는 것.
[해결 수단] 절삭 장치(1)는, 판형 워크(W)를 유지하는 척 테이블(4)과, 척 테이블을 회전시키는 θ 테이블(14)과, 판형 워크를 절삭 블레이드(31)로 절삭하는 절삭 수단(3)과, 척 테이블과 절삭 수단을 상대적으로 X 방향으로 절삭 이송하는 절삭 이송 수단(15)과, 판형 워크에 형성되는 절삭홈(G)의 버어를 제거하는 데버링 수단(5)을 구비한다. 데버링 수단은, 판형 워크의 상면에 고압수를 분사하는 데버링 노즐(51)을 갖는다. 척 테이블은, 미리 정해진 각도마다 회전시켜, 데버링 노즐로부터 분사하고 있는 고압수에 대하여 절삭 이송된다.

Description

절삭 장치{CUTTING APPARATUS}
본 발명은 절삭 블레이드로 판형 워크를 절삭하는 절삭 장치에 관한 것으로, 특히, 절삭 블레이드로 패키지 기판을 절삭하는 절삭 장치에 관한 것이다.
패키지 기판 등의 판형 워크는, 수지 기판으로 구성되는 기재 위에 수지를 몰드하여 형성된다. 이러한 판형 워크를 절삭 블레이드로 절삭한 절삭홈에는 버어(burr)가 발생한다. 이 버어를 제거하기 위해, 가공 후의 판형 워크에 고압수를 분사하는 분사 노즐을 구비한 절삭 장치가 제안되어 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조). 특허문헌 1에 기재된 절삭 장치에서는, 복수의 분사 노즐을 1열로 배열하여 설치하고, 판형 워크의 길이 방향의 폭보다 큰 폭으로 판형 워크의 상면에 고압수가 분사된다. 이 상태로 판형 워크와 분사 노즐이 상대 이동됨으로써, 판형 워크의 전체면에 고압수가 분사되어, 버어가 제거된다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2007-125667호 공보
그러나, 특허문헌 1에 기재된 절삭 장치는, 판형 워크의 폭보다 큰 폭으로 고압수를 분사하도록 구성되기 때문에, 판형 워크의 폭이 더 커지는 경우, 분사 노즐의 폭을 크게 하거나, 혹은 분사 노즐의 수를 늘릴 필요가 있었다. 이 때문에, 분사 노즐로부터 분사되는 고압수의 압력을 높은 상태로 유지하는 것이 곤란해져, 고압수의 압력이 저하하는 결과, 양호한 데버링 효과를 얻을 수 없다고 하는 문제가 있었다. 고압수의 압력을 유지하기 위해, 대용량의 컴프레서를 도입하는 것도 생각되지만, 비용의 관점에서 그다지 바람직하지 못하다.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 대용량의 컴프레서를 이용하지 않고 고압을 유지한 상태로 고압수를 분사할 수 있어, 저렴한 구성으로 양호한 데버링 효과를 얻을 수 있는 절삭 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 절삭 장치는, 판형 워크를 유지하는 척 테이블과, 척 테이블을 회전시키는 척 테이블 회전 수단과, 절삭 블레이드를 회전 가능하게 장착시켜 척 테이블이 유지하는 판형 워크를 절삭 블레이드로 절삭하는 절삭 수단과, 척 테이블을 X 방향으로 절삭 이송하는 절삭 이송 수단과, 절삭 수단을 Y 방향으로 인덱스 이송하는 인덱스 이송 수단과, 척 테이블이 유지하는 판형 워크를 절삭 수단으로 절삭한 절삭홈로부터 판형 워크에 형성되는 버어를 제거하는 데버링 수단을 구비하고, 데버링 수단은, 척 테이블이 유지하는 판형 워크의 상면을 향하여 고압수를 분사하는 분사구를 구비하는 데버링 노즐과, 데버링 노즐에 고압수를 공급하는 고압수 공급 수단을 구비하며, 척 테이블 회전 수단은, 척 테이블을 회전시키는 회전 구동부와, 회전 구동부에 의해 척 테이블을 미리 정해진 각도로 회전시키는 각도 지령부를 구비하고, 데버링 노즐로부터 고압수를 분사시켜 척 테이블 회전 수단을 이용하여 각도 지령부로부터 지령되는 미리 정해진 각도에 위치 부여된 척 테이블을 절삭 이송 수단으로 절삭 이송시켜, 척 테이블이 유지하는 판형 워크에 형성되는 버어의 제거를 가능하게 하는 것을 특징으로 한다.
이 구성에 따르면, 절삭 블레이드에 의해 판형 워크에 절삭홈이 형성된 후, 척 테이블의 미리 정해진 각도마다, 고압수를 분사하고 있는 데버링 노즐에 대하여 판형 워크가 절삭 이송된다. 이에 의해, 판형 워크에 대하여 분사구의 크기가 작은 경우라도, 판형 워크의 상면 전체에 고압수를 분사할 수 있다. 이 결과, 판형 워크의 상면에 형성되는 버어를 제거할 수 있다. 또한, 판형 워크의 크기에 맞춰 분사구를 크게 할 필요가 없기 때문에, 대용량의 컴프레서를 이용하지 않고 고압을 유지한 상태로 고압수를 분사할 수 있다. 따라서, 저렴한 구성으로 양호한 데버링 효과를 얻을 수 있다.
본 발명에 따르면, 척 테이블의 미리 정해진 각도마다, 고압수를 분사하고 있는 데버링 노즐에 대하여 판형 워크를 절삭 이송함으로써, 대용량의 컴프레서를 이용하지 않고 고압을 유지한 상태로 고압수를 분사할 수 있어, 저렴한 구성으로 양호한 데버링 효과를 얻을 수 있다.
도 1은 본 실시형태에 따른 절삭 장치의 사시도이다.
도 2는 본 실시형태에 따른 절삭 장치의 측면도이다.
도 3은 도 2에 나타내는 분사 노즐을 화살표(A)에서 보았을 때의 모식도이다.
도 4는 본 실시형태에 따른 절삭 장치의 절삭 동작을 나타내는 측면도이다.
도 5는 본 실시형태에 따른 절삭 장치의 데버링 동작에 있어서의 척 테이블의 동작 패턴을 나타내는 표이다.
도 6은 본 실시형태에 따른 절삭 장치의 데버링 동작을 나타내는 측면도이다.
도 7은 본 실시형태에 따른 절삭 장치의 데버링 동작의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 8은 본 실시형태에 따른 절삭 장치의 데버링 동작의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 9는 본 실시형태에 따른 절삭 장치의 데버링 동작의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 10은 본 실시형태에 따른 절삭 장치의 데버링 동작의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 11은 본 실시형태에 따른 절삭 장치의 데버링 동작의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 12는 변형예에 따른 분사 노즐의 모식도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 실시형태에 따른 절삭 장치에 대해서 설명한다. 도 1은 본 실시형태에 따른 절삭 장치의 사시도이다. 도 2는 본 실시형태에 따른 절삭 장치의 측면도이다. 도 3은 도 2에 나타내는 분사 노즐을 화살표(A)에서 보았을 때의 모식도이다. 또한, 이하에서는, 절삭 장치의 일례를 설명하지만, 본 실시형태에 따른 절삭 장치의 구성은 이것에 한정되지 않는다. 판형 워크를 절삭 가능하면, 절삭 장치를 어떠한 구성으로 하여도 좋다. 또한, 도 1에 있어서는, 척 테이블에 대하여 판형 워크의 크기를 과장하여 나타내고 있다.
도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 절삭 장치(1)는, 절삭 수단(3)에 대하여 척 테이블(4)을 상대 이동시킴으로써, 척 테이블(4)에 유지된 판형 워크(W)를 개개의 칩으로 분할하도록 구성되어 있다. 판형 워크(W)는, 직사각형의 수지 기판(60)의 표면에 복수(본 실시형태에서는 3개)의 수지제의 볼록부(61)가 길이 방향으로 배열되어 마련된 패키지 기판으로 구성된다. 수지 기판(60)은, 예컨대, PCB 기판이다. 판형 워크(W)는, 복수의 볼록부(61)가 배치되어 내부에 전극이 설치된 반도체 디바이스용의 복수의 디바이스 영역(A1)과 디바이스 영역(A1)의 주위의 잉여 영역(A2)으로 나누어져 있다. 각 디바이스 영역(A1)은 격자형의 분할 예정 라인(L)에 의해 복수의 영역으로 구획되고, 각 영역에 반도체 디바이스(도시하지 않음)가 설치된다.
이 판형 워크(W)는, 잉여 영역(A2)이 단재(端材)로서 제거되고, 디바이스 영역(A1)이 분할 예정 라인(L)을 따라 개개의 칩으로 분할된다. 또한, 판형 워크(W)는, 반도체 디바이스용의 기판에 한정되지 않고, LED 디바이스용의 금속 기판이어도 좋다. 또한, 칩 탑재 후의 기판에 한정되지 않고, 칩 탑재 전의 기판이어도 좋다. 판형 워크(W)의 볼록부(61)는, 예컨대, 에폭시 수지, 실리콘 수지로 형성되지만, 수지 기판(60)에 볼록부(61)를 형성 가능하면, 어떠한 수지여도 좋다.
하우징(11)의 상면에는, X축 방향(절삭 방향)으로 연장되는 직사각 형상의 개구부(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 이 개구부는, 척 테이블(4)과 함께 이동 가능한 X축 테이블(12) 및 주름 상자형의 방수 커버(13)에 의해 피복되어 있다. 방수 커버(13)의 하방에는, 척 테이블(4)을 X축 방향으로 이동시키는 볼 나사식의 절삭 이송 수단(15)(도 2 참조)이 마련되어 있다.
X축 테이블(12)에는, θ 테이블(14)을 통해 상면에서 보아 직사각 형상의 척 테이블(4)이 회전 가능하게 마련되어 있다. θ 테이블(14)은, 척 테이블(4)의 중심을 축으로 척 테이블(4)을 회전 구동시키는 회전 구동부로서 기능한다. 척 테이블(4)은, 판형 워크(W)를 유지하는 흡인면(41)을 가지고 있다. 척 테이블(4)의 흡인면(41)에는, 판형 워크(W)의 복수의 볼록부(61)에 대응하여, 길이 방향으로 복수의 오목부(42)가 배열되어 형성되어 있다. 척 테이블(4)의 각 오목부(42)는, 판형 워크(W)의 각 볼록부(61)의 높이에 일치하는 깊이를 가지고, 판형 워크(W)의 각 볼록부(61)를 수용 가능하게 형성되어 있다. 각 오목부(42)의 주위에는, 판형 워크(W)의 볼록부(61)의 주위의 잉여 영역(A2)을 지지하도록 지지면(43)이 형성되어 있다.
척 테이블(4)의 흡인면(41)에는, 판형 워크(W)의 분할 예정 라인(L)에 대응하여 절삭 블레이드(31)가 진입하는 진입홈(44)이 형성되어 있다. 척 테이블(4)의 오목부(42)의 바닥면[흡인면(41)]에는, 진입홈(44)에 의해 격자형으로 구획된 영역에서, 판형 워크(W)의 분할 후의 개개의 칩을 흡인 유지하는 복수의 흡인 구멍(도시하지 않음)이 형성되어 있다. 또한, 오목부(42)의 주위의 지지면(43)[흡인면(41)]에는, 판형 워크(W)의 잉여 영역(A2)을 흡인 유지하는 복수의 흡인 구멍(도시하지 않음)이 형성되어 있다. 각 흡인 구멍은, 각각 척 테이블(4) 내의 유로를 통하여 흡인원(도시하지 않음)에 접속되어 있다.
척 테이블(4)은, 장치 중앙의 전달 위치와 절삭 수단(3)에 면하는 가공 위치 사이에서 왕복 이동된다. 또한, 도 1은 척 테이블(4)이 전달 위치에 대기한 상태를 나타내고 있다. 하우징(11)에서는, 이 전달 위치에 인접한 하나의 각부의 안쪽에, Y축 방향으로 평행한 한쌍의 가이드 레일(16)이 마련되어 있다. 한쌍의 가이드 레일(16)은, 판형 워크(W)의 X축 방향의 위치 결정을 한다.
한쌍의 가이드 레일(16)의 근방에는, 가이드 레일(16)과 척 테이블(4) 사이에서 판형 워크(W)를 반송하는 제1 반송 아암(17)이 마련되어 있다. 제1 반송 아암(17)의 상면에서 보아 L자형의 아암부(17a)가 선회함으로써 판형 워크(W)가 반송된다. 또한, 전달 위치의 척 테이블(4)의 후방에는, 스피너식의 세정 기구(18)가 마련되어 있다. 세정 기구(18)에서는, 회전 중인 스피너 테이블(18a)을 향하여 세정수가 분사되어 판형 워크(W)가 세정된 후, 건조 에어가 분무되어 판형 워크(W)가 건조된다.
하우징(11) 상에는, 절삭 수단(3)을 지지하는 지지대(19)가 마련되어 있다. 절삭 수단(3)은, 가공 위치의 척 테이블(4)의 상방에 위치 부여되어 있고, 판형 워크(W)의 표면으로부터 절삭 블레이드(31)를 절입시켜 판형 워크(W)를 절삭하도록 구성된다. 절삭 수단(3)은, 판형 워크(W)를 절삭하는 절삭 블레이드(31)를 회전 가능하게 장착한다. 절삭 수단(3)은, 인덱스 이송 수단(20)에 의해 Y축 방향으로 인덱스 이송됨으로써, 절삭 수단(3)과 척 테이블(4)이 Y축 방향으로 상대 이동된다. 또한, 절삭 수단(3)은, 승강 수단(도시하지 않음)에 의해 Z축 방향으로 이동된다. 인덱스 이송 수단(20) 및 승강 수단은, 예컨대 볼 나사식의 이동 기구로 구성된다.
절삭 수단(3)은, 스핀들(32)의 선단에 절삭 블레이드(31)를 장착하고, 절삭 블레이드(31)의 외주를 덮도록 블레이드 커버(33)를 마련하여 구성된다. 절삭 블레이드(31)는, 예컨대 링형의 와셔 블레이드로 구성되고, 다이아몬드 등의 지립을 결합 재료로 결합하여 형성된다. 블레이드 커버(33)는, 절삭 블레이드(31)의 대략 상반부를 덮는 상자형으로 형성되어 있다. 블레이드 커버(33)에는, 절삭 부분을 향하여 절삭수를 분사하는 절삭수 노즐(34)이 마련되어 있다. 여기서, 가공 위치에 대하여 전달 위치측을 전방으로 하고, 전달 위치에 대하여 가공 위치측을 후방으로 하여 설명한다.
절삭수 노즐(34)은, 블레이드 커버(33)의 후방 하단으로부터 전방을 향하여 연장되는 대략 L자형으로 형성되어 있고, 절삭수 노즐(34)의 선단이 절삭 블레이드(31)의 대략 하반부에 위치 부여되어 있다. 절삭수 노즐(34)의 선단에는, 복수의 슬릿(35)(도 2 참조)이 형성되어 있다. 절삭수는, 이 슬릿(35)으로부터 절삭 블레이드(31)를 향하여 분사된다. 절삭수를 공급하면서, 고속 회전하는 절삭 블레이드(31)로 판형 워크(W)를 절입함으로써, 판형 워크(W)는 분할 예정 라인을 따라 절삭된다.
지지대(19)의 측면(19a)에는, 척 테이블(4)과 세정 기구(18) 사이에서 판형 워크(W)를 반송하는 제2 반송 아암(21)이 마련되어 있다. 제2 반송 아암(21)의 아암부(21a)는 경사져 연장되어 있고, 이 아암부(21a)가 Y축 방향으로 이동함으로써 판형 워크(W)가 반송된다. 또한, 지지대(19)에는, 척 테이블(4)의 이동 경로(X축 방향)의 상방을 가로지르도록 하여, 촬상부(22)를 지지하는 외팔보 지지부(23)가 마련되어 있다. 촬상부(22)는 외팔보 지지부(23)의 하방으로부터 돌출하며, 촬상부(22)에 의해 판형 워크(W)가 촬상된다. 촬상부(22)에 의한 촬상 화상은, 절삭 수단(3)과 척 테이블(4)의 얼라이먼트에 이용된다.
또한, 절삭 장치(1)는, 판형 워크(W)의 상면에 형성되는 버어를 제거하는 데버링 수단(5)을 구비하고 있다. 데버링 수단(5)은, 판형 워크(W)를 향하여 고압수를 분사하는 복수의 데버링 노즐(51)과, 데버링 노즐(51)에 고압수를 공급하는 고압수 공급 수단(52)을 가지고 있다. 본 실시형태에서는, 상기한 데버링 노즐(51)을 복수개 묶어 하나의 분사 노즐(50)로 하고, 이 분사 노즐(50)을 외팔보 지지부(23)의 내부에 설치하고 있다. 분사 노즐(50)은, 승강 수단(55)(도 2 참조)에 의해, Z축 방향으로 이동 가능하게 구성된다.
데버링 노즐(51)은, 수직 방향으로 연장되는 원주형으로 형성되어 있다. 데버링 노즐(51)의 하단에는, 판형 워크(W)의 상면을 향하여 고압수를 분사하는 분사구(53)가 형성되어 있다. 분사구(53)는, 데버링 노즐(51)의 내부에 형성되는 유로(도시하지 않음)에 연통되어 있고, 상기 유로에는, 밸브(54)를 통해 고압수 공급 수단(52)이 접속되어 있다. 고압수 공급 수단(52)은, 컴프레서(도시하지 않음)에 의해 압력이 높여진 유체(고압수)를 각 데버링 노즐(51)에 공급한다.
여기서, 도 3을 참조하여 분사 노즐(50)의 상세 구성에 대해서 설명한다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 분사구(53)는, 데버링 노즐(51)의 중앙에 있어서, Y축 방향으로 긴 슬릿으로 형성된다. 분사구(53)의 Y축 방향의 폭은, 데버링 노즐(51)의 반경[후술하는 피치(P)의 절반] 이상의 크기를 가지고 있다. 본 실시형태에서는, 동일 형상의 7개의 데버링 노즐(51)을 절삭 이송 방향(X축 방향)에 직교하는 방향(Y축 방향)으로 2열로 나누어, X축 방향 후방측(상류측)의 열을 4개로 배열하고, X축 방향 전방측(하류측)의 열을 3개로 배열하여 설치하고 있다. 각 데버링 노즐(51)의 외주면은 서로 접촉하고 있다. 여기서, 인접하는 각 데버링 노즐(51)의 Y축 방향에 있어서의 중심간 거리를 피치(P)로서 표기한다.
X축 방향 전방측의 3개의 데버링 노즐(51)은, X축 방향 후방측의 4개의 데버링 노즐(51)에 대하여 반피치 비켜져 있다. 이에 의해, X축 방향 후방측의 분사구(53)의 일단과 X축 방향 전방측의 분사구(53)의 일단이 X축 방향에 있어서 부분적으로 중첩되어 있다. 즉, X축 방향 후방측의 분사구(53)의 단부와 인접하는 분사구(53)의 단부의 간극(S)을 매립하도록, X축 방향 전방측의 분사구(53)가 위치 부여되어 있다. 이 결과, 이점 쇄선으로 나타내는 범위(R)[3피치+하나의 분사구(53)의 폭(이하, 분사 범위(R)라고 기재함)]로 고압수를 분사할 수 있다. 또한, 복수의 분사구(53)에 의해 형성되는 고압수의 분사 범위(R)는, 판형 워크(W)의 폭 방향의 폭에 비해서 작게 되어 있다.
도 1로 되돌아가서, 하우징(11)의 각부에는, 장치 각 부에의 지시를 접수하는 입력 수단(24)이 마련되어 있다. 또한, 지지대(19)의 상면에는 모니터(25)가 배치되어 있다. 모니터(25)에는, 촬상부(22)에서 촬상된 화상, 판형 워크(W)의 가공 조건 등이 표시된다. 또한, 절삭 장치(1)에는, 장치 각 부를 통괄 제어하는 제어 수단(26)이 마련되어 있다. 제어 수단(26)은, 각종 처리를 실행하는 프로세서나 메모리 등에 의해 구성된다. 메모리는, 용도에 따라 ROM(Read Only Memory), RAM(Random Access Memory) 등의 하나 또는 복수의 기억 매체로 구성된다. 또한, 제어 수단(26)은, 척 테이블(4)을 미리 정해진 각도로 회전시키도록, θ 테이블(14)에 지령을 내는 각도 지령부(27)를 가지고 있다. 제어 수단(26)에는, 도 5에 있어서 후술하는 척 테이블(4)의 동작 패턴이 기억되어 있고, 각도 사령부(27)는, 도 5에서 나타내는 동작 패턴에 기초하여 θ 테이블(14)에 지령을 낸다. 이에 의해, θ 테이블(14)은, 각도 지령부(27)로부터의 지령을 받아 척 테이블(4)을 미리 정해진 각도로 회전시킨다. 본 실시형태에서는, 상기한 θ 테이블(14)과 각도 지령부(27)로 척 테이블 회전 수단이 구성된다.
이와 같이 구성된 절삭 장치(1)에서는, 판형 워크(W)가 척 테이블(4)에 흡인 유지된 후, 절삭 수단(3)이 미리 정해진 위치에 위치 부여된다. 그리고, 절삭 블레이드(31)가 고속 회전되면서 판형 워크(W)가 절삭 이송됨으로써, 판형 워크(W)에 절삭홈이 형성된다. 절삭 가공 후, 척 테이블(4)의 각도를 바꾸면서, 고압수를 분사하고 있는 데버링 노즐(51)에 대하여 판형 워크(W)가 절삭 이송된다. 이에 의해, 판형 워크(W)의 상면 전체에 고압수가 분사되어, 판형 워크(W)의 상면에 형성되는 버어가 제거된다.
다음에, 도 4를 참조하여, 본 실시형태에 따른 절삭 장치의 절삭 동작에 대해서 설명한다. 본 실시형태에 따른 절삭 장치의 절삭 동작을 나타내는 측면도이다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 우선, 판형 워크(W)는, 복수의 볼록부(61)가 형성되는 표면측이 아래를 향한 상태로 척 테이블(4) 상에 배치된다. 이때, 판형 워크(W)의 각 볼록부(61)는 척 테이블(4)의 각 오목부(42)에 수용되며, 디바이스 영역(A1)은 오목부(42)의 바닥면에 접촉하는 한편, 잉여 영역(A2)은 지지면(43)에 접촉한다. 그리고, 흡인면(41)에 생기는 부압에 의해, 판형 워크(W)는 척 테이블(4)[흡인면(41)]에 흡인 유지된다.
이 상태로, θ 테이블(14)에 의해 척 테이블(4)이 회전되어, 절삭 이송 수단(15)의 절삭 이송 방향(X축 방향)으로 판형 워크(W)의 분할 예정 라인(L)이 평행하게 맞춰진다. 그리고, 인덱스 이송 수단(20)에 의해 절삭 수단(3)이 Y축 방향으로 이동되어, 판형 워크(W)의 분할 예정 라인(L) 상에 절삭 블레이드(31)가 위치 부여되도록 절삭 수단(3)의 위치 조정이 이루어진다.
다음에, 도시하지 않는 승강 수단에 의해 절삭 수단(3)이 Z축 방향으로 이동되어, 판형 워크(W)를 풀 컷트 가능한 높이까지 절삭 블레이드(31)가 강하된다. 그리고, 데버링 노즐(51)로부터 판형 워크(W)를 향하여 고압수를 분사하면서, 고속 회전하는 절삭 블레이드(31)에 대하여 척 테이블(4)이 X축 방향으로 이동(절삭 이송)된다. 절삭 블레이드(31)는, 진입홈(44)에 침입하여 판형 워크(W)를 분할 예정 라인(L)을 따라 절삭한다. 이에 의해, 판형 워크(W)에는, 분할 예정 라인(L)을 따르는 절삭홈(G)이 형성된다. 또한, 이때, 절삭홈(G)[수지 기판(60)]의 엣지 부분에는, 절삭 블레이드(31)의 회전 방향을 따라 말려 올라간 버어(도시하지 않음)가 발생하고 있다.
1열의 분할 예정 라인(L)의 절삭이 종료하였다면, 인덱스 이송 수단(20)(도 1 참조)에 의해 절삭 수단(3)이 Y축 방향으로 이동되어, 인접하는 분할 예정 라인(L) 상에 절삭 블레이드(31)가 위치 부여된다. 그리고, 새로운 분할 예정 라인(L)을 따라 절삭 가공이 실시된다. 일방향의 모든 분할 예정 라인(L)을 따라 절삭 가공이 종료하였다면, 일방향의 분할 예정 라인(L)에 직교하는 타방향의 분할 예정 라인(L)의 절삭 가공이 실시된다. 이와 같이, 판형 워크(W)의 모든 분할 예정 라인(L)이 절삭되면, 판형 워크(W)에는, 절삭홈(G)이 형성되며, 절삭홈(G)에 버어가 형성된다.
다음에, 도 5 내지 도 11을 참조하여, 본 실시형태에 따른 데버링 방법에 대해서 설명한다. 도 5는 본 실시형태에 따른 절삭 장치의 데버링 동작에 있어서의 척 테이블의 동작 패턴을 나타내는 표이다. 도 6은 본 실시형태에 따른 절삭 장치의 데버링 동작을 나타내는 측면도이다. 도 7 내지 도 11은 본 실시형태에 따른 절삭 장치의 데버링 동작의 일례를 나타내는 평면도이다.
본 실시형태에서는, 도 3에 있어서 설명한 바와 같이, 복수의 데버링 노즐(51)을 묶어 하나의 분사 노즐(50)로서 구성하고, 미리 정해진 폭[도 3에서 나타내는 범위(R)]으로 판형 워크(W)의 표면에 고압수를 분사하도록 하고 있다. 상기한 바와 같이, 복수의 분사구(53)에 의해 형성되는 고압수의 분사 범위(R)는, 판형 워크(W)의 폭에 대하여 작다. 이 때문에, 분사구(53)로부터 고압수가 분사되고 있는 상태로 판형 워크(W)를 분사 노즐(50)에 대하여 1회 절삭 이송시켰다고 해도, 판형 워크(W)의 상면 전체에 고압수를 분사할 수 없다.
그래서, 본 실시형태에서는, 판형 워크(W)를 동일 방향으로 수왕복 절삭 이송한 후, 각도 지령부(27)로부터의 지령에 따라, 척 테이블(4)을 미리 정해진 각도 회전시키고 나서 새롭게 절삭 이송을 실시하고 있다. 이 때문에, 이전의 절삭 이송에서는 판형 워크(W)에 고압수를 분사할 수 없었던 영역에, 고압수를 분사하는 것이 가능해진다. 따라서, 척 테이블(4)을 여러가지 각도로 조정하여, 각 각도마다 판형 워크(W)를 분사 노즐(50)에 대하여 절삭 이송시킴으로써, 분사 노즐(50)의 분사 범위(R)에 상관없이, 판형 워크(W)의 상면 전체에 고압수를 분사할 수 있다. 이 결과, 절삭 가공에 의해 판형 워크(W)의 상면에 형성된 버어를 제거할 수 있다.
본 실시형태에 있어서, 판형 워크(W)의 상면 전체란, 반도체 디바이스 등이 형성되는 디바이스 영역(A1) 전체를 말하며, 잉여 영역(A2)은 포함되지 않는 것으로 하고 있다. 잉여 영역(A2)은, 상기한 바와 같이, 분할 후에 단재로서 제거되는 것이기 때문에, 잉여 영역(A2)의 버어가 제거되지 않아도 문제는 없다. 또한, 이 구성에 한정되지 않고, 잉여 영역(A2) 전체에도 고압수가 분사되도록, 척 테이블(4)의 회전 각도를 조정하여도 좋다.
우선, 버어 동작에 있어서의 척 테이블(4)의 동작 패턴에 대해서 설명한다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에서는, No.1부터 No.6까지의 동작 패턴이 미리 제어 수단(26)에 기억되어 있다. 표 중 「각도」는, 절삭 이송 방향(X축 방향)에 대한 판형 워크(W)의 길이 방향[척 테이블(4)]의 각도를 나타내고 있다. 표 중 「스텝 각도」는, 척 테이블(4)의 이송 각도를 나타내고 있다. 표 중 「왕복 횟수」는, 각 각도에 있어서의 절삭 이송의 왕복 횟수를 나타내고 있다.
No.1의 동작 패턴에서는, 척 테이블(4)의 각도가 0°∼14°의 범위에서 2°씩 이송되고, 각 각도로 절삭 이송이 4왕복 실시된다. No.2의 동작 패턴에서는, 척 테이블(4)의 각도가 -2°∼-14°의 범위에서 -2°씩 이송되고, 각 각도로 절삭 이송이 4왕복 실시된다. No.3의 동작 패턴에서는, 척 테이블(4)의 각도가 182°∼194°의 범위에서 2°씩 이송되고, 각 각도로 절삭 이송이 4왕복 실시된다. NO.4의 동작 패턴에서는, 척 테이블(4)의 각도가 178°∼166°의 범위에서 -2°씩 이송되고, 각 각도로 절삭 이송이 4왕복 실시된다. No.5의 동작 패턴에서는, 척 테이블(4)의 각도가 52°로 회전되고, 그 각도로 절삭 이송이 4왕복 실시된다. No.6의 동작 패턴에서는, 척 테이블(4)의 각도가 -52°로 회전되고, 그 각도로 절삭 이송이 4왕복 실시된다.
본 실시형태에서는, No.1부터 No.6의 순서로 척 테이블(4)의 각도를 조정하며, 각 각도의 있어서 판형 워크(W)[척 테이블(4)]가 분사 노즐(50)에 대하여 절삭 이송된다. 이하, 도 6 내지 도 11을 참조하여, 데버링 동작 및 No.1부터 No.6까지의 각 동작 패턴에 대해서 설명한다. 또한, 도 7 내지 도 11에 있어서는, 설명의 편의 상, 고압수가 분사된 영역을 분사 영역(T)으로 나타내고 있다.
도 6및 도 7에 나타내는 바와 같이, No.1의 동작 패턴에 있어서는, 판형 워크(W)의 길이 방향과 절삭 이송 방향의 각도가 0°가 되도록, 척 테이블(4)이 회전된다. 그리고, 분사 노즐(50)[복수의 데버링 노즐(51)]에 있어서의 분사 범위(R)의 Y축 방향의 중심이, 판형 워크(W)의 폭 방향(Y축 방향)의 중심에 일치하도록, 인덱스 이송 수단(20)(도 1 참조)에 의해 Y축 방향으로 이동된다. 분사 노즐(50)은 승강 수단(55)에 의해 강하되어, 분사구(53)의 선단이 판형 워크(W)의 상면과의 사이에서 약간 간극을 두도록 접근된다.
그리고, 분사구(53)로부터 분사 범위(R)로 고압수를 분사하면서, 분사 노즐(50)에 대하여 판형 워크(W)[척 테이블(4)]가 절삭 이송된다. 이에 의해, 판형 워크(W)의 상면에는, 분사 영역(T)의 분만큼 고압수가 분사된다. 또한, 이 절삭 이송은, 0°에 있어서 4왕복 실시된다. 또한, 데버링 동작 시의 절삭 이송 속도는, 예컨대, 200 ㎜/sec이며, 절삭홈(G)에 형성된 버어를 적절히 제거할 수 있을 정도로 조정되어 있다. 또한, 상기한 바와 같이, 분사구(53)의 선단이 판형 워크(W)의 상면에 접근되어 있기 때문에, 고압수가 판형 워크(W)의 상면에 충돌하기까지의 동안, 고압수의 압력 저하를 작게 할 수 있다. 이 결과, 양호하게 버어를 제거할 수 있다.
일방향(0°)에 있어서, 절삭 이송이 4왕복 실시되었다면, 척 테이블(4)을 2°만 회전시켜, 상기와 마찬가지로 절삭 이송을 4왕복 실시한다. 이 동작을 척 테이블(4)의 각도가 14°가 될 때까지 반복하고, 이 결과, 도 8에 나타내는 분사 영역(T)의 분만큼, 판형 워크(W)의 상면에 고압수가 분사된다.
다음에, No.2의 동작 패턴이 실시된다. No.2의 동작 패턴에서는, 척 테이블(4)의 각도가 -2°가 될 때까지 회전되며, 고압수를 분사하면서 재차 절삭 이송이 4왕복된다. 그리고, -14°까지 -2°씩 4왕복의 절삭 이송이 실시됨으로써, 도 9에 나타내는 분사 영역(T)의 분만큼, 판형 워크(W)의 상면에 고압수가 분사된다.
다음에, No.3의 동작 패턴이 실시된다. No.3의 동작 패턴에서는, 척 테이블(4)의 각도가 182°가 될 때까지 회전되며, 고압수를 분사하면서 재차 절삭 이송이 4왕복된다. 그리고, 194°까지 2°씩 4왕복의 절삭 이송이 실시됨으로써, 도 8과 마찬가지로 분사 영역(T)의 분만큼, 판형 워크(W)의 상면에 고압수가 분사된다.
다음에, No.4의 동작 패턴이 실시된다. No.4의 동작 패턴에서는, 척 테이블(4)의 각도가 178°가 될 때까지 회전되며, 고압수를 분사하면서 재차 절삭 이송이 4왕복된다. 그리고, 166°까지 -2°씩 4왕복의 절삭 이송이 실시됨으로써, 도 9와 마찬가지로 분사 영역(T)의 분만큼, 판형 워크(W)의 상면에 고압수가 분사된다.
그리고, No.5 및 No.6의 동작 패턴이 실시된다. No.5의 동작 패턴에서는, 도 10에 나타내는 바와 같이, 척 테이블(4)의 각도가 52°가 될 때까지 회전되며, 고압수를 분사하면서 절삭 이송이 4왕복된다. 그 후, No.6의 동작 패턴에서는, 도 11에 나타내는 바와 같이, 척 테이블(4)의 각도가 -52°가 될 때까지 회전되며, 고압수를 분사하면서 절삭 이송이 4왕복된다. 이상에 의해, 모든 디바이스 영역(A1)에 있어서, 판형 워크(W)의 상면에 고압수가 분사되며, 절삭 가공에 의해 판형 워크(W)의 상면에 형성된 버어를 제거할 수 있다.
이상과 같이, 본 실시형태에 따른 절삭 장치(1)에 따르면, 절삭 블레이드(31)에 의해 판형 워크(W)의 분할 예정 라인(L) 전부에 절삭홈(G)이 형성된 후, 척 테이블(4)의 미리 정해진 각도마다, 고압수를 분사하고 있는 데버링 노즐(51)에 대하여 판형 워크(W)가 절삭 이송된다. 이에 의해, 판형 워크(W)의 폭에 대하여 분사구(53)로부터 분사되는 분사 범위(R)의 폭이 작은 경우라도, 판형 워크(W)의 상면 전체[모든 디바이스 영역(A1)에 형성되는 절삭홈(G)]에 고압수를 분사할 수 있다. 즉, 판형 워크(W)의 폭에 관계없이, 판형 워크(W)의 상면 전체에 고압수를 분사할 수 있다. 이 결과, 판형 워크(W)의 상면에 형성되는 버어를 제거할 수 있다. 또한, 판형 워크(W)의 크기에 맞추어 분사구(53)를 크게 할 필요가 없기 때문에, 대용량의 컴프레서를 이용하지 않고 고압을 유지한 상태로 고압수를 분사할 수 있다. 따라서, 저렴한 구성으로 양호한 데버링 효과를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않고, 여러가지 변경하여 실시하는 것이 가능하다. 상기 실시형태에 있어서, 첨부 도면에 도시되어 있는 크기나 형상 등에 대해서는, 이것에 한정되지 않고, 본 발명의 효과를 발휘하는 범위 내에서 적절하게 변경하는 것이 가능하다. 그 외, 본 발명의 원하는 범위를 일탈하지 않는 한에 있어서 적절하게 변경하여 실시하는 것이 가능하다.
예컨대, 상기한 실시의 형태에 있어서는, 7개의 데버링 노즐(51)을 묶어 분사 노즐(50)로 하는 구성으로 하였지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 데버링 노즐(51)의 개수는 특별히 한정되는 것이 아니며, 적은 개수(예컨대, 5개, 6개)로 구성하여도 좋다. 개수를 변경하는 경우에 있어서도 2열로 구성하며, 열이 상이한 데버링 노즐(51)은 반피치 비켜 설치한다. 예컨대, Y축 방향으로 미리 정해진 폭의 분사구를 갖는 단일의 분사 노즐(50)[데버링 노즐(51)]로 구성하여도 좋지만, 복수의 분사구(53)를 구비하며, 분사구(53)는, 2열로 구성하여 열이 상이한 분사구(53)는 반피치 비켜져 있다.
또한, 상기한 실시형태에 있어서, 분사구(53)는, Y축 방향으로 긴 슬릿으로 형성되는 구성으로 하였지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 분사구(53)는, 예컨대, 원이나 타원 형상으로 형성되어도 좋다.
또한, 상기한 실시형태에 있어서, 분사구(53)의 Y축 방향의 폭이 데버링 노즐(51)의 반경 이상의 크기를 갖는 구성으로 하였지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 예컨대, 도 12에 나타내는 바와 같은 구성으로 하여도 좋다. 도 12는 변형예에 따른 분사 노즐의 모식도이다. 변형예에 따른 분사 노즐(50)은, 분사구(53)의 Y축 방향의 폭이 데버링 노즐(51)의 반경보다 작은 점에서 본 실시형태와 상이하다. 이 경우, 분사구(53)의 폭이 작아짐으로써, 고압수의 압력을 보다 높게 할 수 있어, 데버링 효과를 높일 수 있다. 또한, 분사구(53)로부터 분사되는 고압수는, 판형 워크(W)에 충돌할 때에는 분사구(53)의 구경보다 직경 확장되어, 스폿의 타입이 대략 타원 형상이 된다. 이때, 스폿의 중앙 부분이 가장 압력이 높게 되어 있고, 스폿의 중앙 부분이 버어에 충돌함으로써, 버어를 판형 워크(W)로부터 탈락시켜 효과적으로 제거할 수 있다. 또한, 분사구(53)의 폭이 작아짐으로써 고압수의 분사 영역이 좁아져, 도 12에 나타내는 바와 같이, Y축 방향의 분사 범위(R)가 단속적으로 형성되어 버린다. 그러나, 도 5에서 설명한 바와 같이, No.1부터 No.4의 동작 패턴에 따라, 척 테이블(4)의 각도를 미세하게 2°선회시킬 때마다 데버링(절삭 이송)을 반복함으로써, 모든 디바이스 영역(A1)에 형성되는 절삭홈(G)에, 고압수를 분사할 수 있다.
또한, 상기한 실시형태에 있어서는, 절삭 블레이드(31)를 척 테이블(4)의 절삭 이송 방향과 동일한 방향으로 회전시켜 절삭하는 소위 다운 컷트에 의해, 절삭홈(G)을 형성하는 구성으로 하였지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 절삭 블레이드(31)를 척 테이블(4)의 절삭 이송 방향과 반대 방향으로 회전시켜 절삭하는 업 컷트에 의해, 절삭홈(G)를 형성하여도 좋다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 대용량의 컴프레서를 이용하지 않고 고압을 유지한 상태로 고압수를 분사할 수 있어, 저렴한 구성으로 양호한 데버링 효과를 얻을 수 있다고 하는 효과를 가지며, 특히, 절삭 블레이드로 패키지 기판을 절삭하는 절삭 장치에 유용하다.
W 판형 워크
G 절삭홈
1 절삭 장치
14 θ 테이블(회전 구동부)
15 절삭 이송 수단
20 인덱스 이송 수단
27 각도 지령부
3 절삭 수단
31 절삭 블레이드
32 스핀들
33 블레이드 커버
4 척 테이블
5 데버링 수단
50 분사 노즐
51 데버링 노즐
52 고압수 공급 수단
53 분사구

Claims (1)

  1. 절삭 장치에 있어서,
    판형 워크를 유지하는 척 테이블;
    상기 척 테이블을 회전시키는 척 테이블 회전 수단;
    절삭 블레이드를 회전 가능하게 장착시켜 상기 척 테이블이 유지하는 판형 워크를 상기 절삭 블레이드로 절삭하는 절삭 수단;
    상기 척 테이블을 X 방향으로 절삭 이송하는 절삭 이송 수단;
    상기 절삭 수단을 Y 방향으로 인덱스 이송하는 인덱스 이송 수단; 및
    상기 척 테이블이 유지하는 판형 워크를 상기 절삭 수단으로 절삭한 절삭홈으로부터 판형 워크에 형성되는 버어(burr)를 제거하는 데버링 수단
    을 포함하고,
    상기 데버링 수단은, 상기 척 테이블이 유지하는 판형 워크의 상면을 향하여 고압수를 분사하는 분사구를 포함하는 데버링 노즐과, 상기 데버링 노즐에 고압수를 공급하는 고압수 공급 수단을 포함하고,
    상기 척 테이블 회전 수단은, 상기 척 테이블을 회전시키는 회전 구동부와, 상기 회전 구동부에 의해 상기 척 테이블을 미리 정해진 각도로 회전시키는 각도 지령부를 포함하며,
    상기 데버링 노즐로부터 고압수를 분사시켜 상기 척 테이블 회전 수단을 이용하여 상기 각도 지령부로부터 지령되는 미리 정해진 각도에 위치 부여된 상기 척 테이블을 상기 절삭 이송 수단으로 절삭 이송시켜, 상기 척 테이블이 유지하는 판형 워크에 형성되는 버어의 제거를 가능하게 하는 것인, 절삭 장치.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6965126B2 (ja) * 2017-11-28 2021-11-10 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法
CN108941772A (zh) * 2018-07-16 2018-12-07 钱浩 一种具有吸尘防震功能的金属切割机
JP2020088262A (ja) * 2018-11-29 2020-06-04 株式会社ディスコ パッケージ基板の分割方法
CN113257713B (zh) * 2021-05-11 2024-05-17 日月新半导体(苏州)有限公司 集成电路去毛刺装置、集成电路去毛刺辅助装置以及集成电路去毛刺方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007125667A (ja) 2005-11-07 2007-05-24 Disco Abrasive Syst Ltd 基板の切断装置
JP2010123823A (ja) * 2008-11-21 2010-06-03 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63209806A (ja) * 1987-02-27 1988-08-31 株式会社日立製作所 ダイシング装置
JP2002305174A (ja) * 2001-04-06 2002-10-18 Seiko Epson Corp 半導体ウェハの洗浄方法
JP2003168659A (ja) * 2001-12-04 2003-06-13 Tokyo Seimitsu Co Ltd 高圧洗浄ノズルを有するシンギュレーション装置
JP4429231B2 (ja) * 2005-08-01 2010-03-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄方法および基板洗浄装置
JP2008060284A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体基板の洗浄方法および洗浄装置
KR20090024408A (ko) * 2007-09-04 2009-03-09 삼성전자주식회사 스크라이브 래인 내의 금속 버를 제거하는 노즐을 갖는웨이퍼 소잉 장치, 웨이퍼 소잉 방법 및 이를 이용하여제작된 반도체 패키지
CN201994267U (zh) * 2010-12-31 2011-09-28 上海新阳半导体材料股份有限公司 高压水喷淋装置用喷嘴联箱
JP2014123590A (ja) * 2012-12-20 2014-07-03 Disco Abrasive Syst Ltd 洗浄装置
JP2014143322A (ja) * 2013-01-24 2014-08-07 Disco Abrasive Syst Ltd 洗浄装置、及び、洗浄方法
JP6134591B2 (ja) * 2013-06-19 2017-05-24 株式会社ディスコ パッケージ基板の加工方法及び該加工方法の実施に使用する切削装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007125667A (ja) 2005-11-07 2007-05-24 Disco Abrasive Syst Ltd 基板の切断装置
JP2010123823A (ja) * 2008-11-21 2010-06-03 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置

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