KR20150027805A - Ald 코팅 시스템 - Google Patents

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way valve
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organometallic starting
pressure
coating system
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KR20157001397A
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미하엘 포프
마르크 필리펜스
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오스람 오엘이디 게엠베하
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Abstract

본 발명은 ALD 코팅 시스템에 관한 것이다. ALD 코팅 시스템(100)은, 유기 금속 출발 물질(6)용 저장 용기(1), 및 조절 밸브(3), 압력계(14), 압력 다이어프램(5) 및 제 1 다방향 밸브(10)를 구비한 장치(2)를 포함한다. 상기 장치(2)는 저장 용기(1)의 하류에 배치되고, 제 1 다방향 밸브(10)는 프로세스 챔버(7)와 수집 챔버(8) 사이에 접속될 수 있다.

Description

ALD 코팅 시스템{ALD COATING SYSTEM}
본 발명은 ALD 코팅 시스템, 및 ALD 코팅 시스템의 작동 방법에 관한 것이다.
이러한 코팅 시스템은 독일 특허 출원 DE 10 2012 210 332.5에 개시되어 있다.
본 발명의 하나의 과제는 비용이 효율적이며 재료가 절감되는, 특히 반도체 재료로 기판을 코팅하기 위한 ALD 코팅 시스템을 제공하는 것이다. 다른 과제는 장치에 의해 유기 금속 출발 물질을 프로세스 챔버에 안정적이고 지속적으로 공급하는 것이다.
상기 과제는 청구항 제 1 항에 따른 ALD 코팅 시스템 및 청구항 제 8 항에 따른 ALD 코팅 시스템의 작동 방법에 의해 해결된다.
ALD 코팅 시스템의 적어도 하나의 실시예에 따라, ALD 코팅 시스템은 유기 금속 출발 물질용 저장 용기를 포함한다.
전구체라고도 하는 "유기 금속 출발 물질"은 여기서 반응성 물질을 의미하고, 상기 반응성 물질은 액상, 고체상 및/또는 기상으로 존재할 수 있으며 특히 그 자신과 또는 그 자신의 리간드와 반응하지 않는다. 또한, 유기 금속 출발 물질의 분해가 가능하므로, 분해 생성물이 형성될 수 있다. 달리 표현하면, 유기 금속 출발 물질이 자기 제한 반응을 한다. 유기 금속 출발 물질은 저장 용기 내에 저장된다. 예를 들면 유기 금속 출발 물질은 저장 용기 내에서 액상, 고체상 및/또는 기상으로 존재한다. 저장 용기는 압력에 안정하고, 특히 높은 열전도도를 가질 수 있는 물질을 포함한다.
ALD 코팅 시스템의 적어도 하나의 실시예에 따라, ALD 코팅 시스템은 조절 밸브, 압력계, 압력 다이어프램 및 제 1 다방향 밸브를 구비한 장치를 포함한다. 조절 밸브, 압력계, 압력 다이어프램 및 제 1 다방향 밸브는 차례로 하나의 라인을 통해 서로 일렬로, 직렬로 및/또는 선형 배치로 서로 접속된다.
"라인"은 여기서 유기 금속 출발 물질의 이송을 위해 형성된 관 또는 파이프 라인을 의미하고, 상기 관 또는 파이프 라인은 ALD 코팅 시스템의 개별 구성 부분들, 컴포넌트들 및/또는 부재들을 서로 연결할 수 있다. 여기에 설명된 라인의 횡단면은 둥글거나, 각지거나 또는 다른 균일한 또는 불균일한 기하학적 형태를 가질 수 있다. "횡단면"은 여기서 유기 금속 출발 물질의 유동 방향에 대해 수직으로 또는 횡으로 형성된 라인의 측방 연장을 의미한다. 라인은 특히 1/4 내지 2 인치의 직경을 갖고, 직선으로, 휘어지게 및/또는 각지게 형성될 수 있고, 횡단면은 일정하게 커지고 및/또는 작아질 수 있다.
조절 밸브에 의해, 예컨대 저장 용기로부터 장치 내로 기체 유기 금속 재료의 공급이 제어될 수 있다. 즉, 특히 장치를 통과 및/또는 관류할 수 있는 유기 금속 출발 물질의 양은 조절 밸브에 의해 증가 또는 감소할 수 있다. 조절 밸브의 기능은 압력계에 의해 결정된다.
압력계는 조절 밸브와 압력 다이어프램 사이에 배치되고, ALD 코팅 시스템의 작동 중에, 특히 저장 용기와 압력 다이어프램 사이에 형성될 수 있는, 유기 금속 출발 물질의 작동 압력을 측정한다.
"유기 금속 출발 물질의 작동 압력"은 특히 ALD 코팅 시스템의 작동 중에 형성될 수 있는 유기 금속 출발 물질의 증기압을 의미한다.
압력 다이어프램은 예를 들면 디스크 내에 형성된 하나의 개구 또는 다수의 개구들을 가진 디스크로서 형성될 수 있고, 모든 개구들의 합은 압력계와 제 1 다방향 밸브 사이의 라인의 횡단면보다 작은 면적을 형성한다. 예를 들면, 모든 개구들의 합은 라인의 횡단면보다 25%를 초과하는 만큼 더 작다. 압력 다이어프램의 개구들은 둥글거나 및/또는 각지게 형성될 수 있다.
조절 밸브, 압력계, 압력 다이어프램 및 제 1 다방향 밸브는 각각 장치 내에서 하나의 기능을 하고, 적어도 부분적으로 그 기능과 관련해서 서로 의존한다. 예를 들면, 조절 밸브는 압력계에 의해 제어되거나, 또는 제 1 다방향 밸브는 작동 중에, 압력계에 의해 측정된, 결정된 및/또는 검출된 유기 금속 출발 물질의 작동 압력의 프로세스 단계에 따라 또는 값에 따라 2개의 라인들 사이에서 전환된다.
적어도 하나의 실시예에 따라 장치는 저장 용기의 하류에 배치된다. 달리 표현하면, 저장 용기와 장치 사이에 하나의 라인이 형성되고, 유기 금속 출발 물질은 저장 용기로부터 장치의 방향으로 안내된다. 저장 용기와 장치 사이의 라인은 특히 연속해서 형성될 수 있다. 여기서, "연속해서"라는 표현은 라인 내에 중단, 다른 라인, 및/또는 예를 들면 다방향 밸브의 형태인 연결부가 형성되지 않는 것을 의미한다. 장치를 하류에 접속함으로써, 특히 ALD 코팅 시스템의 작동 중에, 저장 용기로부터 배출된 유기 금속 출발 물질의 작동 압력을 제어하는 것이 가능하다.
적어도 하나의 실시예에 따라, 제 1 다방향 밸브는 프로세스 챔버와 수집 챔버 사이에 접속될 수 있다. 제 1 다방향 밸브는 ALD 코팅 시스템의 작동 동안 항상 개방되어 있고 유기 금속 출발 물질을 프로세스 챔버 내로 또는 수집 챔버 내로 안내한다. 달리 표현하면, 특히 ALD 코팅 시스템의 작동 중에, 유기 금속 출발 물질의 이송은 유기 금속 출발 물질의 작동 압력에 의존하고, 상기 작동 압력은 압력계에 의해 결정, 측정 및/또는 검출된다.
ALD 코팅 시스템의 적어도 하나의 실시예에 따라, 제 1 다방향 밸브는 장치에 의한 압력 조절시 압력 변동이 나타나지 않을 정도로 신속히 교대로 프로세스 챔버 및 수집 챔버 내로 접속된다. 따라서, 장치에 의한 압력 조절은 준-연속적으로 또는 연속적으로 이루어진다.
ALD 코팅 시스템의 적어도 하나의 실시예에 따라, ALD 코팅 시스템은 유기 금속 출발 물질용 저장 용기, 및 조절 밸브, 압력계, 압력 다이어프램 및 제 1 다방향 밸브를 구비한 장치를 포함한다. 장치는 특히 물질 흐름 방향으로 볼 때 저장 용기의 하류에 배치되고, 제 1 다방향 밸브는 프로세스 챔버와 수집 챔버 사이에 접속될 수 있다.
원자층 증착(ALD: "atomic layer deposition")을 위한 ALD 코팅 시스템에 의해, 매우 얇은 기능성 층, 예를 들면 0.1 내지 3 Å의 층 두께를 가진 층이 제조될 수 있다. 이 경우, 상기 층 두께는 특히 원자층의 층 두께에 상응할 수 있다.
"원자층 증착" 이라는 표현은 여기서 층의 제조를 의미하고, 이를 위해 필요한 유기 금속 출발 물질은 동시에가 아니라, 교대로 차례로 프로세스 챔버, 코팅 챔버 및/또는 반응기에 코팅될 기판과 함께 공급된다. 유기 금속 출발 물질은 코팅될 기판의 표면에 또는 이전에 증착된 출발 물질에 교대로 증착되어 결합된다. 이로 인해, 주기 반복마다, 즉 연속하는 부분 단계에서 필요한 모든 유기 금속 출발 물질의 1번 공급마다, 각각 제공될 층의 최대 하나의 일분자층을 성장시키는 것이 가능하므로, 사이클의 수에 의해 층 두께의 양호한 제어가 가능하다.
또한, 여기에 설명된 ALD 코팅 시스템은, 먼저 공급된 유기 금속 출발 물질이 코팅될 표면에만 증착되고, 그 후에 공급된 제 2 출발 물질이 제 1 출발 물질과 반응하며, 매우 일치하는 층 성장이 가능하고, 상기 층 성장에 의해 큰 종횡비를 가진 표면이 균일하게 커버될 수 있다는 장점을 갖는다.
유기 금속 출발 물질은 온도 안정화된 저장 용기 내에 저장되어, 필요하면 프로세스 챔버에 공급된다. 저장 용기 내의 온도에 따라, 유기 금속 출발 물질은 부분적으로, 액체 형태 및/또는 고체 형태로 존재하는 유기 금속 출발 물질 위에 기상으로 존재한다. 저장 용기는 항온조 내에 장착되고, 상기 항온조는 저장 용기 내의 출발 물질의 온도를 가능한 일정하게 유지하기 위해 가급적 큰 열용량을 갖는다. 온도 안정화된 저장 용기는 적어도 하나의 라인을 포함하고, 상기 라인을 통해 기체 출발 물질이 다방향 밸브의 펄스식, 충격식 및/또는 주기적 개방에 의해, 재료를 코팅 챔버로 안내하는 가스 흐름에 공급된다. 유기 금속 출발 물질의 온도에 의해 그리고 그에 따라 적어도 원칙적으로 항온조의 온도에 의해 결정되는 증기압에 따라, 일정량의 출발 물질이 가스 흐름 내로 이른다.
저장 용기로부터 유기 금속 출발 물질의 펄스식 추출로 인해, 추출 지속시간 및 추출 빈도 그리고 저장 용기의 기하학적 조건에 따라, 저장 용기 내에 남은 유기 금속 출발 물질 내의 온도 변동이 일어난다. 온도 재생은 대개 부분적으로만 달성될 수 있는데, 그 이유는 항온조로부터 저장 용기 내의 유기 금속 출발 물질로의 온도 전달이 부분적으로 매우 느리게만 이루어지기 때문이다. 이로 인해, 다수의 코팅 사이클 중에 저장 용기 내의 유기 금속 출발 물질의 무한 냉각이 이루어진다. 달리 표현하면, 특히 저장 용기 내의 온도 기울기가 측정될 수 있다.
코팅 사이클의 길이 및 빈도에 따라 그리고 저장 용기의 크기에 따라 저장 용기 내의 유기 금속 출발 물질의 무한 냉각은 제공될 층의 불균일한 층 두께 프로파일을 야기할 수 있으므로, ALD 코팅 시스템의 제조 공차의 범위 내에서 제공될 층의 품질이 나쁜 영향을 받을 수 있다.
이러한 관점에서, 지금까지는 온도만이 측정 및 조절되었고, 유기 금속 출발 물질의 증기압의 안정화는 항온조를 통해 간접적으로 이루어졌으나, 이는 느린 열 전달로 인해 저장 용기 내의 온도 변동 및 온도 기울기를 야기했다. 저장 용기의 크기 스케일링의 문제는 지금까지 해결되지 않은 것으로 보인다.
유기 금속 출발 물질의 공급이 저장 용기 내에서 가능한 온도 기울기에도 불구하고 일정한 또는 안정한 물질 흐름을 갖는 ALD 코팅 시스템을 제공하기 위해, 여기에 설명된 ALD 코팅 시스템은 저장 용기의 하류에 특히 전술한 장치가 접속됨으로써, 작동 중에 유기 금속 출발 물질이 유기 금속 출발 물질의 필요한 작동 압력부터야 프로세스 챔버 내로 안내된다는 사상을 이용한다. 작동 압력은 특히 ALD 코팅 시스템의 작동 중에, 상기 장치에 의해 일시적으로 일정하게 유지된다.
"일시적으로 일정하게" 라는 표현은 여기서 작동 압력이 상기 장치에 의해 측정 공차의 범위 내에서 안정하게, 균일하게 및/또는 적은 변동으로 작동 압력의 평균값 정도로 유지되는 것을 의미한다. 압력 차이는 필요한 및/또는 적합한 작동 압력 또는 작동 압력의 평균값과 1 내지 2%, 특히 1% 미만의 차이를 가질 수 있다.
작동 압력이 프로세스 챔버의 처리 또는 원자층 증착의 실시를 위해 변동되면, 유기 금속 출발 물질은 특히 제 1 다방향 밸브를 통해 수집 챔버 내로 안내된다. 수집 챔버 내로의 공급은 상기 장치에 의해 일시적으로 일정하게 유지되는, 유기 금속 출발 물질의 작동 압력이 원자층 증착의 실시를 위해 상기 장치 내에 댜시 설정될 때까지 이루어진다.
ALD 코팅 시스템의 적어도 하나의 실시예에 따라, 압력계는 조절 밸브에 의해 저장 용기와 압력 다이어프램 사이의 유기 금속 출발 물질의 일시적으로 일정한 작동 압력을 조절한다. 즉, 압력계는 유기 금속 출발 물질의 일시적으로 일정한 작동 압력에 따라 조절 밸브를 제어하고, 이 경우 압력계는 저장 용기와 압력 다이어프램 사이에서 유기 금속 출발 물질의 일시적으로 일정한 작동 압력을 측정한다. 달리 표현하면, 저장 용기와 압력 다이어프램 사이에서 측정될 수 있는 유기 금속 출발 물질의 작동 압력의 동적 압력 조절이 이루어진다. 압력계는 특히 물질 흐름 방향으로 볼 때 조절 밸브의 하류에 배치된다.
압력계가 제 1 다방향 밸브를 통해 프로세스 챔버 내로 안내하기에 불충분한, 유기 금속 출발 물질의 작동 압력을 측정하면, 조절 밸브에 의해 증대된 유기 금속 출발 물질이 압력 다이어프램의 방향으로 공급된다. 압력계가 프로세스 챔버의 처리를 위해 적합한 유기 금속 출발 물질의 작동 압력을 측정하면, 유기 금속 출발 물질의 공급이 스로틀되고 및/또는 줄어든다.
압력 다이어프램은 압력계와 제 1 다방향 밸브 사이에 배치된다. 압력 다이어프램에 의해, 특히 라인 횡단면 또는 라인 직경의 축소가 이루어지고, 유기 금속 출발 물질의 작동 압력은 압력 다이어프램의 상류에서 상승한다. 압력 다이어프램에 의해 장치의 내부에서 특히 유기 금속 출발 물질의 작동 압력의 상승이 압력계에 의해 측정될 수 있다. 달리 표현하면, 특히 저장 용기 내에서 작동 압력의 변동이 압력 다이어프램에 의해 흡수 및/또는 보상되기 때문에, 압력 다이어프램에 의해 일정한 작동 압력이 보장될 수 있다. 즉, ALD 코팅 시스템의 작동 중에 압력 다이어프램의 하류에 형성된 최소 압력이 미달될 수 없다.
ALD 코팅 시스템의 적어도 하나의 실시예에 따라, 압력계와 압력 다이어프램 사이에서 유기 금속 재료의 일시적으로 일정한 작동 압력이 나타나고, 상기 작동 압력은 저장 용기 내의 유기 금속 재료의 작동 압력보다 크다. 압력 다이어프램에 의한 라인 횡단면의 축소에 의해, 압력 다이어프램의 바로 상류에서 유기 금속 출발 물질의 작동 압력이 상승한다. 작동 압력은 바람직하게 ALD 코팅 시스템의 작동 중에 장치에 의해 일시적으로 일정하게 유지된다. 이 경우 결과하는, 유기 금속 출발 물질의 일시적으로 일정한 작동 압력은 저장 용기 내의 유기 금속 출발 물질의 작동 압력보다 더 크다. 압력 다이어프램의 상류에서 유기 금속 출발 물질의 일시적으로 일정한 작동 압력은 특히 장치의 압력계 및 조절 밸브에 의해 보장될 수 있다. 압력 다이어프램의 상류에서 유기 금속 출발 물질의 일시적으로 일정한 작동 압력이 변동되면, 압력계를 통해 조절 밸브는, 저장 용기로부터 장치 내로 증대된 유기 금속 출발 물질이 안내되도록, 제어된다.
ALD 코팅 시스템의 적어도 하나의 실시예에 따라, 제 1 다방향 밸브는 압력계와 압력 다이어프램 사이의 유기 금속 출발 물질의 작동 압력이 일시적으로 일정할 때 프로세스 챔버 내로 접속되고, 유기 금속 출발 물질의 작동 압력이 상기 일시적으로 일정한 작동 압력과 차이를 가질 때 상기 제 1 다방향 밸브는 수집 챔버 내로 접속된다. 제 1 다방향 밸브는 ALD 코팅 시스템의 작동 동안 개방 상태이고, 유기 금속 출발 물질의 작동 압력에 따라 유기 금속 출발 물질을 프로세스 챔버 내로 또는 수집 챔버 내로 안내한다. 프로세스 챔버와 수집 챔버 사이에 제 1 다방향 밸브의 접속은 압력계와 압력 다이어프램 사이에 형성될 수 있는 유기 금속 출발 물질의 일시적으로 일정한 압력에 영향을 주지 않는다. 달리 표현하면, 제 1 다방향 밸브의 접속에 의해 유기 금속 출발 물질의 전도값이 변하지 않고, 특히 감소하지 않는다. "전도값"이라는 표현은 여기서 라인 저항의 역수를 의미한다.
ALD 코팅 시스템의 적어도 하나의 실시예에 따라, 수집 챔버는 특히 1/4 내지 2 인치의 직경을 가질 수 있는 ALD 코팅 시스템의 라인에 비해 5 내지 10배의 직경 확대를 갖는다. 전술한 직경 확대에 의해, 수집 챔버 내로 유기 금속 출발 물질의 공급시, 특히 압력 다이어프램과 제 1 다방향 밸브 사이의 일시적으로 일정한 작동 압력이 영향을 받지 않는다.
ALD 코팅 시스템의 적어도 하나의 실시예에 따라, 저장 용기와 장치 사이에 제 2 다방향 밸브가 배치되고, 장치와 수집 챔버 사이에 제 3 다방향 밸브가 배치된다. 즉, 라인은 저장 용기와 장치 사이에 그리고 장치와 수집 챔버 사이에 각각 하나의 다방향 밸브를 포함한다. 제 2 및 제 3 다방향 밸브는, 특히 유기 금속 출발 물질의 작동 압력의 압력 강하가 이루어질 수 없도록, 라인 내에 설치된다. 제 2 다방향 밸브는 특히 유기 금속 출발 물질을 장치 내로 또는 적어도 하나의 추가의 라인 내로 안내할 수 있다. 제 3 다방향 밸브는 특히 유기 금속 출발 물질을 장치로부터 수집 챔버 내로 안내할 수 있거나 또는 적어도 하나의 추가의 라인과 연결될 수 있다.
ALD 코팅 시스템의 적어도 하나의 실시예에 따라, 제 2 다방향 밸브는 제 3 다방향 밸브와 연결된다. 제 2 다방향 밸브를 제 3 다방향 밸브와 연결하는 라인은 특히 장치를 우회할 수 있다. 즉, 유기 금속 출발 물질이 저장 용기로부터 배출되어, 장치를 통과하지 않고 직접 수집 챔버 내로 안내될 수 있다. 달리 표현하면, 제 2 다방향 밸브와 제 3 다방향 밸브 사이의 라인이 예를 들면 바이패스("bypass")로서 형성된다.
ALD 코팅 시스템의 적어도 하나의 실시예에 따라, 제 2 다방향 밸브 및 제 3 다방향 밸브를 통해 유기 금속 출발 물질의 분해 생성물이 직접 수집 챔버 내로 배출된다. 유기 금속 출발 물질은 특히 저장 용기 내에 분해 생성물, 폐기물, 및/또는 유기 금속 출발 물질보다 높은 증기압을 가진 바람직하지 않은 생성물을 형성한다. 달리 표현하면, 더 높은 증기압으로 인해 기상의 유기 금속 출발 물질과 겹치고 저장 용기 내에 기체 형태로 존재하는 분해 생성물이 특히 저장 용기 내에 형성될 수 있다.
제 2 다방향 밸브 및 제 3 다방향 밸브의 개방에 의해, 분해 생성물은 프로세스 챔버 내에서 처리 전에, 중에 그리고 후에 저장 용기로부터 제거, 펌핑 배출 및/또는 흡입 배출될 수 있다. 제 2 다방향 밸브와 제 3 다방향 밸브 사이에 형성될 수 있는 예를 들면 상기 바이패스를 통해 유기 금속 출발 물질의 분해 생성물을 배출하는 것은 더 큰 직경을 가진 라인의 사용에 의해 가속될 수 있다. 즉, 제 2 다방향 밸브와 제 3 다방향 밸브 사이의 라인은 ALD 코팅 시스템 내에 주로 설치되는, 존재하는 및/또는 사용되는, 예를 들면 1/4 내지 2 인치의 직경을 가진 라인보다 더 큰 직경을 가질 수 있다. 예를 들면, 바이패스 내에 설치된 라인은 2 인치의 직경을 가질 수 있고, ALD 코팅 시스템의 다른 라인은 1 인치의 직경을 갖는다.
ALD 코팅 시스템의 적어도 하나의 실시예에 따라, 제 1 다방향 밸브와 프로세스 챔버 사이에 제 4, 제 5 및 제 6 다방향 밸브가 접속되고, 제 4 및 제 6 다방향 밸브는 제 1 다방향 밸브로부터 동일한 라인에서 프로세스 챔버를 향해 배치되며, 제 6 다방향 밸브는 제 1 다방향 밸브로부터 특히 물질 흐름 방향으로 볼 때 제 4 다방향 밸브의 하류에 배치된다. 또한, 제 5 다방향 밸브는 제 4 및 제 6 다방향 밸브 사이의 라인에 배치되고, 캐리어 가스 및/또는 세척 가스를 공급하기 위한 가스 공급(dosing) 부재는 제 5 다방향 밸브의 하류에 접속된다.
제 1 다방향 밸브는 장치에 의해 특히 일시적으로 일정하게 유지되는, 유기 금속 출발 물질의 작동 압력을 프로세스 챔버의 방향으로 안내한다. 제 1 다방향 밸브와 프로세스 챔버 사이의 라인에서 특히 제 4, 제 5 및 제 6 다방향 밸브는, 프로세스 챔버 내로 유기 금속 출발 물질의 펄스식 공급이 제 1 다방향 밸브의 접속에 의해서만 제어될 필요가 없도록, 접속될 수 있다. 즉, 제 4 및 제 6 다방향 밸브의 폐쇄 및/또는 개방에 의해, 제 1 다방향 밸브가 수집 챔버의 방향으로 접속될 필요 없이, 프로세스 챔버 내로 유기 금속 출발 물질의 펄스식 공급이 제어될 수 있다.
또한, 제 4 다방향 밸브는 작동 중에 폐쇄될 수 있다. 제 5 다방향 밸브는 가스 공급 부재로부터 제 4 다방향 밸브와 제 6 다방향 밸브 사이에 형성된 라인을 통해 공급할 수 있다. 가스 공급 부재, 제 5 및 제 6 다방향 밸브를 통해 특히 세척 가스가 프로세스 챔버 내로 안내될 수 있다. 세척 가스는 특히 불활성 가스이다. 예를 들면, 세척 가스는 아르곤 또는 다른 불활성 가스를 포함할 수 있다.
세척 가스를 프로세스 챔버에 공급하는 것은 프로세스 챔버 내에서 처리 전에, 중에 및 후에 이루어질 수 있다. 특히, 세척 가스는 프로세스 챔버를 세척하기 위해 원자층 증착 전에, 중에 및 후에 사용된다.
또한, 제 5 다방향 밸브가 형성된 라인을 통해, 캐리어 가스가 프로세스 챔버를 향한 라인 내로 공급될 수 있다. 캐리어 가스는 특히 기상으로 존재하는 유기 금속 출발 물질의 운반을 위해 사용되고, 이는 예를 들면 캐리어 가스에 의해 프로세스 챔버 내로 유기 금속 출발 물질의 운반이 가속될 수 있도록, 제 1 다방향 밸브와 프로세스 챔버 사이의 라인이 길게 형성되는 경우에 바람직할 수 있다.
ALD 코팅 시스템의 적어도 하나의 실시예에 따라, 진공 펌프가 특히 물질 흐름 방향으로 볼 때 수집 챔버의 하류에 배치된다. 전술한 바와 같이, 분해 생성물은 수집 챔버 내로 안내될 수 있다. 이는 특히, 장치를 우회하며 제 2 및 제 3 다방향 밸브를 통해 연결되는 바이패스(bypass)에 의해 이루어진다. 수집 챔버 내에, 진공 펌프에 의해 진공이 형성될 수 있다. 달리 표현하면, 진공 펌프에 의해 수집 챔버 내에 저압이 형성된다. 저압에 의해 진공이 형성되고, 상기 진공은 실시예에 따라 적어도 프로세스 챔버 내에 형성될 수 있는 저압과 동일한 저압을 갖는다. 압력 차이는 장치와 수집 챔버 또는 프로세스 챔버 간에 예를 들면 10-3 내지 10-6 mbar 일 수 있다.
수집 챔버 내의 저압에 의해, 유기 금속 출발 물질의 전도값이 줄어들지 않고, 프로세스 챔버의 방향으로 또는 수집 챔버의 방향으로 제 1 다방향 밸브의 접속이 압력 다이어프램과 제 1 다방향 밸브 사이의 작동 압력에 영향을 주지 않는다.
ALD 코팅 시스템의 적어도 하나의 실시예에 따라, 수집 챔버는 작동 중에 진공 펌프에 의해 연속적으로 또는 규칙적인 시간 간격으로, 특히 영구적으로 펌핑 배출된다. 이로 인해, 수집 챔버는 실질적으로 유기 금속 물질이 없는 상태일 수 있다.
ALD 코팅 시스템의 적어도 하나의 실시예에 따라, 전술한 타입의 다수의 장치가 프로세스 챔버에 배치된다. 달리 표현하면, 프로세스 챔버는 동시에 추가의 유기 금속 출발 물질을 공급받을 수 있으며 및/또는 추가의 유기 금속 출발 물질과 연결될 수 있고, 유기 금속 출발 물질의 여기에 설명된 개별 공급에 제한되지 않는다.
이하에, ALD 코팅 시스템의 상기 실시예들 중 하나에 따라 기판 상에 적어도 하나의 층을 성장시키기 위한 ALD 코팅 시스템의 작동 방법이 설명된다. 방법은 특히 여기에 설명된 ALD 코팅 시스템의 작동을 위해 적합하다. ALD 코팅 시스템에 대해 설명된 모든 특징들은 방법에 대해서도 적용되고, 그 역으로도 적용된다.
기판 상에 적어도 하나의 층을 성장시키기 위한 ALD 코팅 시스템의 작동 방법의 적어도 하나의 실시예에 따라, 상기 방법은 하기 단계들을 포함한다:
- 저장 용기 내에 유기 금속 출발 물질의 제공 단계,
- 장치 내로 상기 유기 금속 출발 물질의 공급 단계,
- 스위칭 가능한 제 1 다방향 밸브를 통해 프로세스 챔버 또는 수집 챔버 내로 상기 유기 금속 출발 물질의 이송 단계.
저장 용기 내에 기상으로 존재하는 유기 금속 출발 물질은 전술한 ALD 코팅 시스템의 장치 내로 공급된다. 그리고 나서, 장치를 통과 및/또는 관류한 유기 금속 출발 물질은 제 1 다방향 밸브를 통해 프로세스 챔버 또는 수집 챔버 내로 안내된다.
방법의 적어도 하나의 실시예에 따라, 장치 내에서, 유기 금속 출발 물질에 일시적으로 일정한 작동 압력이 제공된다. 달리 표현하면, 유기 금속 출발 물질은, 압력계가 프로세스 챔버 내에서 원자층 증착을 실시하기 위해 필요한 및/또는 적합한, 유기 금속 출발 물질의 일시적으로 일정한 작동 압력을 검출할 때야 비로소 제 1 다방향 밸브를 통해 프로세스 챔버 내로 안내된다.
방법의 적어도 하나의 실시예에 따라, 세척 가스는 가스 공급 부재로부터 제 5 및 제 6 다방향 밸브를 통해 프로세스 챔버 내로 흐르고, 제 4 다방향 밸브는 폐쇄된다. 즉, 프로세스 챔버는 유기 금속 출발 물질을 공급받지 않고, 제 5 및 제 6 다방향 밸브를 통해 ALD 코팅 시스템의 작동 전에, 중에 및/또는 후에 세척 가스에 의해 세척될 수 있다. 제 4 다방향 밸브의 폐쇄는 작동 동안 수집 챔버의 방향으로 제 1 다방향 밸브의 접속에 의해 이루어진다. 프로세스 챔버가 작동 동안 세척되어야 하고 제 1 다방향 밸브가 프로세스 챔버를 향해 접속되면, 제 4 다방향 밸브의 폐쇄가 이루어질 수 없다.
방법의 적어도 하나의 실시예에 따라, 제 4 다방향 밸브가 개방되고, 제 5 및 제 6 다방향 밸브가 폐쇄되므로, 제 1 다방향 밸브의 방향으로부터 유기 금속 출발 물질이 제 6 다방향 밸브에까지 안내된다. 달리 표현하면, 상기 상태는 작동 중 ALD 코팅 시스템을 나타낸다. 즉, 바이패스가 분해 생성물을 배출하기 위해 폐쇄되고 제 1 다방향 밸브가 프로세스 챔버의 방향으로 접속된다. 또한, 제 5 다방향 밸브가 세척 가스의 공급을 위해 폐쇄된다. 유기 금속 출발 물질은 제 6 다방향 밸브까지 안내되고, 일시적으로 일정한 작동 압력을 가지며, 상기 작동 압력은 상류에 접속된 장치에 의해 조절되거나, 생성되거나 또는 제 6 다방향 밸브의 방향으로 공급되었다. 제 6 다방향 밸브의 폐쇄 및 개방에 의해, 유기 금속 출발 물질의 펄스식 공급이 달성될 수 있다. 제 6 다방향 밸브의 폐쇄 및 개방 사이에 예를 들면 1 내지 10초가 소요될 수 있다.
유기 금속 출발 물질의 펄스식 공급은 직접 제 1 다방향 밸브를 통해 이루어질 수 있고, 제 4 및 제 6 다방향 밸브가 개방된다. 제 5 다방향 밸브는 폐쇄되거나 또는 개방될 수 있고, 개방된 상태에서 캐리어 가스는 유기 금속 출발 물질의 운반을 지원, 가속 또는 안정화할 수 있다.
본 발명에 의해, 비용이 효율적이며 재료가 절감되는, ALD 코팅 시스템이 제공된다. 또한, 본 발명에 의해, 유기 금속 출발 물질이 장치에 의해 프로세스 챔버에 안정적이고 지속적으로 공급된다.
이하, 여기에 설명된 ALD 코팅 시스템 및 적어도 하나의 기판의 성장을 위한 ALD 코팅 시스템의 작동 방법이 해당 도면과 관련해서 실시예로 설명된다.
도면들에서 동일한, 동일한 방식의 또는 동일하게 작용하는 부재들은 동일한 도면 부호로 표시된다. 도면들 및 도면에 도시된 부재들의 크기 비율은 척도에 맞지 않는다. 오히려, 개별 부재들이 더 나은 도시 및/또는 더 나은 이해를 위해 과도한 크기로 도시되어 있다.
도 1a는 본 발명에 따른 장치를 포함하지 않은 ALD 코팅 시스템의 개략도.
도 1b는 출발 물질의 펄스식 공급을 나타낸 다이어그램.
도 2a는 본 발명에 따른 장치를 포함하는 ALD 코팅 시스템의 개략도.
도 2b는 프로세스 챔버 내에서 층의 형성 전 ALD 코팅 시스템의 상태를 나타낸 개략도.
도 2c는 작동 중 ALD 코팅 시스템의 개략도.
도 1a, 도 1b 그리고 도 2a, 도 2b 및 도 2c의 개략도를 참고로, 여기에 설명된 ALD 코팅 시스템의 실시예 및 ALD 코팅 시스템의 작동 방법이 상세히 설명된다.
도 1a의 실시예에서, ALD 코팅 시스템(100)은 여기에 설명된 장치 없이 개략적으로 도시된다. 도 1a의 ALD 코팅 시스템(100)에서, 유기 금속 출발 물질(6)은 필요하면 프로세스 챔버(7)에 공급되기 위해 온도 안정화된 저장 용기(1) 내에 저장된다. 저장 용기(1) 내의 온도에 따라 유기 금속 출발 물질(6)은 부분적으로 액체 및/또는 고체 위에 기상으로 존재한다. 저장 용기(1)는 항온조(12) 내에 장착되고, 상기 항온조(12)는 저장 용기 내의 유기 금속 출발 물질(6)의 온도를 가능한 일정하게 유지하기 위해 가급적 큰 열용량을 갖는다. 저장 용기 내에 형성되는 기상의 유기 금속 출발 물질은 제 4 및 제 6 다방향 밸브(40, 60)가 배치된 라인을 통해 프로세스 챔버(7) 내로 안내된다. 제 4 다방향 밸브(40)와 제 6 다방향 밸브(60) 사이에는 제 5 다방향 밸브(50)와 가스 공급(dosing) 부재(9)를 포함하는 추가의 라인이 접속된다. 제 5 다방향 밸브(50)에는 가스 공급 부재(9)를 통해 세척 가스 및/또는 캐리어 가스가 공급된다.
온도 안정화된 저장 용기(1)의 기체 출발 물질(6)은 다방향 밸브(40, 60)의 펄스식, 충격식 및/또는 주기적 개방에 의해 라인을 통해, 유기 금속 출발 물질(6)을 프로세스 챔버(7)로 안내하는 가스 흐름에 공급된다. 유기 금속 출발 물질(6)의 온도에 의해 그리고 그에 따라 적어도 원칙적으로 항온조(12)의 온도에 의해 결정되는 증기압에 따라, 일정량의 유기 금속 출발 물질(6)이 가스 흐름 내로 이른다.
저장 용기(1)로부터 유기 금속 출발 물질(6)의 펄스식 추출로 인해, 추출 지속시간 및 추출 빈도에 따라 그리고 저장 용기(1)의 기하학적 조건에 따라, 저장 용기(1) 내에 남은 유기 금속 출발 물질 내의 온도 변동이 일어난다. 온도 재생은 대개 부분적으로만 달성될 수 있는데, 그 이유는 항온조(12)로부터 저장 용기(1) 내의 유기 금속 출발 물질(6)로의 온도 전달이 부분적으로 매우 느리게만 이루어지기 때문이다. 이로 인해, 다수의 코팅 사이클 중에, 저장 용기(1) 내의 유기 금속 출발 물질(6)의 무한 냉각이 이루어진다.
달리 표현하면, 저장 용기(1) 내의 온도 기울기가 측정될 수 있다.
코팅 사이클의 길이 및 빈도에 따라 그리고 저장 용기(1)의 크기에 따라 저장 용기(1) 내의 유기 금속 출발 물질(6)의 무한 냉각은 제공될 층의 불균일한 층 두께 프로파일을 야기할 수 있으므로, ALD 코팅 시스템(100)의 제조 공차의 범위 내에서 제공될 층의 품질이 나쁜 영향을 받을 수 있다.
이와 관련해서, 지금까지는 온도만이 측정 및 조절되었고, 이 경우 유기 금속 출발 물질(6)의 증기압의 안정화는 항온조(12)를 통해 간접적으로 이루어졌지만, 이는 느린 열전달로 인해 저장 용기(1) 내의 온도 변동 및 온도 기울기를 야기했다. 저장 용기의 크기 스케일링의 문제는 지금까지 해결되지 않은 것으로 보인다.
도 1b에는 기체 유기 금속 출발 물질(6)의 펄스식 공급이 다이어그램으로 도시되어 있다. 도 1a와 관련해서, 이는 제 4 및/또는 제 6 다방향 밸브(40, 60)의 개폐에 의해 실시될 수 있다. 0은 각각의 다방향 밸브(40, 60) 또는 다방향 밸브들(40, 60)이 함께 폐쇄되는 것을 의미하고, 1은 하나 또는 다수의 다방향 밸브(40, 60)가 함께 ALD 코팅 시스템의 개방된 상태로 주어지는 것을 의미한다. 여기서, 시간 축(t)은 적어도 하나의 다방향 밸브의 개폐 사이의 시간 간격을 나타낸다. 가스 공급 부재(9)를 통해 캐리어 가스 및/또는 세척 가스의 공급은 제 5 다방향 밸브(50)에 의해 펄스식으로 이루어질 수 있다. 다방향 밸브들(40, 50, 60)은 모두 동시에 개폐될 수 있고, 특히 다방향 밸브들의 용이한 개폐가 가능하다.
도 2a에는, 도 1a의 실시예에 조절 밸브(3), 압력계(4), 압력 다이어프램(5) 및 제 1 다방향 밸브(10)를 포함하는 여기에 설명되는 장치(2)가 보충되어 개략적으로 도시된다. 또한, 유기 금속 출발 물질(6)의 분해 생성물을 수집 챔버(8) 내로 직접 배출하기 위해 제 2 다방향 밸브(20) 및 제 3 다방향 밸브(30)를 통한 바이패스가 개략적으로 도시된다. 수집 챔버(8)와 그 하류에 배치된 진공 펌프(11)는 제 1 다방향 밸브(10)의 하류에 배치된다. 도 2a에 도시된 ALD 코팅 시스템의 초기 작동 전에, 제 2 다방향 밸브와 제 3 다방향 밸브 사이에 형성된 바이패스를 통해 분해 생성물들이 직접 수집 챔버(8) 내로 배출될 수 있다.
기상으로 존재하는 유기 금속 재료(6)는 장치(2)의 방향으로 저장 용기(1)를 벗어나고, 압력계(4)와 압력 다이어프램(5) 사이에 일시적으로 일정한 작동 압력을 형성하며, 상기 작동 압력은 저장 용기 내의 작동 압력보다 더 크다. 일시적으로 일정한 작동 압력이 달성되면, 제 1 다방향 밸브(10)는 프로세스 챔버(7)의 방향으로 개방된다. 이 경우, 제 4 및 제 6 다방향 밸브(40, 60)는, 프로세스 챔버(7) 내로 유기 금속 출발 물질(6)의 펄스식 공급이 이루어지도록, 서로 접속된다. 제 5 다방향 밸브(50)를 가진 라인을 통해, 캐리어 가스 또는 세척 가스가 제 1 다방향 밸브(10) 및 프로세스 챔버(7) 사이의 라인 내로 공급될 수 있다.
도 2b의 실시예에서, 프로세스 챔버(7) 내에서 층들의 형성 또는 처리 전, ALD 코팅 시스템의 상태가 개략적으로 도시된다. 증착 시작 전에, 장치(2)를 우회해서 제 2 및 제 3 다방향 밸브(20, 30)의 여러 번의 짧은 개방에 의해 유기 금속 출발 물질의 분해 생성물이 수집 챔버(8) 내로 직접 안내된다. 또한, 초기 작동 전에 제 5 및 제 6 다방향 밸브(50, 60)의 개방에 의해, 프로세스 챔버(7)가 증착 전에, 중에 또는 후에 세척될 수 있다. 제 6 다방향 밸브(60)는 특히 프로세스 챔버의 바로 상류에 배치될 수 있다. 즉, 도 2b에서 다방향 밸브들(20, 30, 40, 50, 60)은, 저장 용기로부터 분해 생성물이 제거되고 프로세스 챔버가 세척 가스에 의해 세척되도록, 개폐된다. 달리 표현하면, 도 2b에서 유기 금속 출발 물질(6)이 장치(2)를 통해 안내되지 않는다.
도 2c에는 작동 중 ALD 코팅 시스템(100)이 개략적으로 도시된다. 제 2 및 제 3 다방향 밸브(20, 30)가 폐쇄되고, 제 2 다방향 밸브(20)는 유기 금속 출발 물질을 장치(2) 내로 안내한다. 제 1 다방향 밸브는 항상 개방 상태이고, 압력계(4)에서 측정되며 조절 밸브(3)에 의해 조절되는 작동 압력에 따라 프로세스 챔버(7)와 수집 챔버(8) 사이에 접속된다. 제 4 다방향 밸브(40)는 개방되며, 제 1 다방향 밸브(10)에 의해 공급된 유기 금속 출발 물질을 폐쇄된 제 6 다방향 밸브(60)까지 안내한다. 제 6 다방향 밸브(60)의 개폐에 의해, 프로세스 챔버(7)에는 기판 상에 층을 형성하기 위해 유기 금속 출발 물질이 펄스식으로 공급된다.
본 발명은 실시예를 참고로 하는 설명에 의해 실시예로 제한되지 않는다. 오히려, 본 발명은 모든 새로운 특징 및 특징들의 모든 조합이 청구범위 또는 실시예에 명확히 제시되지 않더라도, 상기 특징들 및 상기 조합들, 특히 청구범위 내의 특징들의 모든 조합을 포함한다.
본 특허 출원은 독일 특허 출원 10 2012210332.5의 우선권을 주장하며, 그 공개 내용이 인용에 의해 여기에 포함된다.
1 저장 용기
2 장치
3 조절 밸브
4 압력계
5 압력 다이어프램
6 출발 물질
7 프로세스 챔버
8 수집 챔버
10 제 1 다방향 밸브
20 제 2 다방향 밸브
30 제 3 다방향 밸브
40 제 4 다방향 밸브
50 제 5 다방향 밸브
60 제 6 다방향 밸브
100 ALD 코팅 시스템

Claims (11)

  1. ALD 코팅 시스템(100)에 있어서,
    - 유기 금속 출발 물질(6)용 저장 용기(1), 및
    - 조절 밸브(3), 압력계(4), 압력 다이어프램(5) 및 제 1 다방향 밸브(10)를 구비한 장치(2)를 포함하고,
    - 상기 장치(2)는 상기 저장 용기(1)의 하류에 배치되며,
    - 상기 제 1 다방향 밸브(10)는 프로세스 챔버(7)와 수집 챔버(8) 사이에 접속될 수 있는 것인, ALD 코팅 시스템(100).
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 압력계(4)는 상기 조절 밸브(3)에 의해 상기 저장 용기(1)와 상기 압력 다이어프램(5) 사이의 상기 유기 금속 출발 물질(6)의 일시적으로 일정한 작동 압력을 조절하는 것인, ALD 코팅 시스템(100).
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 압력계(4)와 상기 압력 다이어프램(5) 사이에 상기 유기 금속 출발 물질(6)의 일시적으로 일정한 작동 압력이 설정되고, 상기 작동 압력은 상기 저장 용기(1) 내의 상기 유기 금속 출발 물질(6)의 작동 압력보다 더 큰 것인, ALD 코팅 시스템(100).
  4. 제 3 항에 있어서,
    - 상기 압력계(4)와 상기 압력 다이어프램(5) 사이에 상기 유기 금속 출발 물질(6)의 일시적으로 일정한 작동 압력이 주어질 때 상기 제 1 다방향 밸브(10)가 상기 프로세스 챔버(7) 내로 접속되고,
    - 상기 유기 금속 출발 물질(6)의 작동 압력이 상기 일시적으로 일정한 작동 압력과 차이를 갖는 경우 상기 제 1 다방향 밸브(10)가 상기 수집 챔버(8) 내로 접속되는 것인, ALD 코팅 시스템(100).
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    - 상기 저장 용기(1)와 상기 장치(2) 사이에 제 2 다방향 밸브(20)가 배치되고,
    - 상기 장치(2)와 상기 수집 챔버(8) 사이에 제 3 다방향 밸브(30)가 배치되며,
    - 상기 제 2 다방향 밸브(20)는 상기 제 3 다방향 밸브(30)와 연결되고,
    - 상기 제 2 다방향 밸브(20) 및 상기 제 3 다방향 밸브(30)를 통해 상기 유기 금속 출발 물질(6)의 분해 생성물이 상기 수집 챔버(8) 내로 직접 배출되는 것인, ALD 코팅 시스템(100).
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    - 상기 제 1 다방향 밸브(10)와 상기 프로세스 챔버(7) 사이에 제 4, 제 5 및 제 6 다방향 밸브(40, 50, 60)가 접속되고,
    - 상기 제 4 및 제 6 다방향 밸브(40, 60)는 상기 제 1 다방향 밸브(10)로부터 상기 프로세스 챔버(7)를 향한 동일한 라인에 배치되고, 상기 제 6 다방향 밸브(60)는 상기 제 4 다방향 밸브(40)의 하류에 배치되며,
    - 상기 제 5 다방향 밸브(50)는 상기 제 4 와 제 6 다방향 밸브(40, 60) 사이의 라인에 배치되고,
    - 캐리어 가스 및/또는 세척 가스를 공급하기 위해 가스 공급 부재(9)가 상기 제 5 다방향 밸브(50)의 하류에 접속되는 것인, ALD 코팅 시스템(100).
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    진공 펌프(11)가 상기 수집 챔버(8)의 하류에 배치되는 것인, ALD 코팅 시스템(100).
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른, 기판 상에 적어도 하나의 층을 성장시키기 위한 ALD 코팅 시스템(100)의 작동 방법에 있어서,
    - 저장 용기(1) 내에 유기 금속 출발 물질(6)을 제공하는 단계,
    - 장치(2) 내로 상기 유기 금속 출발 물질(6)을 공급하는 단계,
    - 스위칭 가능한 제 1 다방향 밸브(10)를 통해 프로세스 챔버(7) 또는 수집 챔버(8) 내로 상기 유기 금속 출발 물질(6)을 이송하는 단계를 포함하는 것인, ALD 코팅 시스템(100)의 작동 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 장치(2) 내에서 상기 유기 금속 출발 물질(6)에 일시적으로 일정한 작동 압력이 제공되는 것인, ALD 코팅 시스템(100)의 작동 방법.
  10. 제 8 항 및 제 9 항에 있어서,
    제 5 및 제 6 다방향 밸브(50, 60) 및 가스 공급 부재(9)를 통해 세척 가스가 상기 프로세스 챔버(7) 내로 흐르고,
    제 4 다방향 밸브(40)가 폐쇄되는 것인, ALD 코팅 시스템(100)의 작동 방법.
  11. 제 8 항 및 제 9 항에 있어서,
    - 상기 제 4 다방향 밸브(40)가 개방되고,
    - 상기 제 5 및 제 6 다방향 밸브(50, 60)가 폐쇄됨으로써, 상기 제 1 다방향 밸브(10)의 방향으로부터 상기 유기 금속 출발 물질(6)이 상기 제 6 다방향 밸브(60)까지 안내되는 것인, ALD 코팅 시스템(100)의 작동 방법.
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Families Citing this family (219)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
DE102012210332A1 (de) * 2012-06-19 2013-12-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Ald-beschichtungsanlage
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
CN103924218B (zh) * 2014-04-25 2016-10-19 安徽亚格盛电子新材料有限公司 可持续供应mo源的装置
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
TWI779134B (zh) 2017-11-27 2022-10-01 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的***及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210078405A (ko) 2019-12-17 2021-06-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
TW202129068A (zh) 2020-01-20 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 形成薄膜之方法及修飾薄膜表面之方法
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4393013A (en) * 1970-05-20 1983-07-12 J. C. Schumacher Company Vapor mass flow control system
JPS6039163A (ja) * 1983-08-10 1985-02-28 Mitsubishi Electric Corp ソ−スガス供給システム
US4640221A (en) * 1985-10-30 1987-02-03 International Business Machines Corporation Vacuum deposition system with improved mass flow control
JPH0639705B2 (ja) * 1987-06-19 1994-05-25 日本電信電話株式会社 ガス供給装置
US4911101A (en) * 1988-07-20 1990-03-27 General Electric Company Metal organic molecular beam epitaxy (MOMBE) apparatus
US5098741A (en) * 1990-06-08 1992-03-24 Lam Research Corporation Method and system for delivering liquid reagents to processing vessels
JP3156326B2 (ja) * 1992-01-07 2001-04-16 富士通株式会社 半導体成長装置およびそれによる半導体成長方法
JP2797233B2 (ja) * 1992-07-01 1998-09-17 富士通株式会社 薄膜成長装置
JP3122311B2 (ja) * 1994-06-29 2001-01-09 東京エレクトロン株式会社 成膜処理室への液体材料供給装置及びその使用方法
KR100319494B1 (ko) * 1999-07-15 2002-01-09 김용일 원자층 에피택시 공정을 위한 반도체 박막 증착장치
DE10005820C1 (de) * 2000-02-10 2001-08-02 Schott Glas Gasversorungsvorrichtung für Precursoren geringen Dampfdrucks
CN101818334B (zh) * 2002-01-17 2012-12-12 松德沃技术公司 Ald装置和方法
JP2003268552A (ja) * 2002-03-18 2003-09-25 Watanabe Shoko:Kk 気化器及びそれを用いた各種装置並びに気化方法
US6936086B2 (en) * 2002-09-11 2005-08-30 Planar Systems, Inc. High conductivity particle filter
WO2005003406A2 (en) * 2003-06-27 2005-01-13 Sundew Technologies, Llc Apparatus and method for chemical source vapor pressure control
US20050221004A1 (en) * 2004-01-20 2005-10-06 Kilpela Olli V Vapor reactant source system with choked-flow elements
US7708859B2 (en) * 2004-04-30 2010-05-04 Lam Research Corporation Gas distribution system having fast gas switching capabilities
US20060019029A1 (en) * 2004-07-20 2006-01-26 Hamer Kevin T Atomic layer deposition methods and apparatus
KR100555575B1 (ko) * 2004-09-22 2006-03-03 삼성전자주식회사 원자층 증착 장치 및 방법
US20060130755A1 (en) * 2004-12-17 2006-06-22 Clark William R Pulsed mass flow measurement system and method
GB2425539A (en) * 2005-04-29 2006-11-01 Boc Group Plc Deposition system with three way valve
CN1978701A (zh) * 2005-12-05 2007-06-13 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 改善介电层过程形成的集成电路的击穿电压的方法和装置
JP2007211326A (ja) * 2006-02-13 2007-08-23 Nec Electronics Corp 成膜装置および成膜方法
JP4605790B2 (ja) * 2006-06-27 2011-01-05 株式会社フジキン 原料の気化供給装置及びこれに用いる圧力自動調整装置。
JP2010109303A (ja) * 2008-10-31 2010-05-13 Horiba Ltd 材料ガス濃度制御装置
JP5419276B2 (ja) * 2009-12-24 2014-02-19 株式会社堀場製作所 材料ガス濃度制御システム及び材料ガス濃度制御システム用プログラム
DE102010045046A1 (de) * 2010-09-10 2012-03-15 Oliver Feddersen-Clausen Zylindrischer Precursorbehälter für Verdampfer und Verdampfer mit einem solchen insbesondere für chemische Beschichtungsverfahren
JP5703114B2 (ja) * 2011-04-28 2015-04-15 株式会社フジキン 原料の気化供給装置
DE102012210332A1 (de) * 2012-06-19 2013-12-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Ald-beschichtungsanlage

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