TWI550127B - 固態前驅物傳送總成及其方法 - Google Patents

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Description

固態前驅物傳送總成及其方法
本揭示內容大致上係關於固態前驅物傳送總成,且更特定而言,係關於具有若干經分出之腔室之固態前驅物傳送總成,該等經分出之腔室係用於改良該等固態前驅物總成內之載氣飽和;及其方法。
此專利主張於2009年11月2日所申請之美國臨時申請案序號第61/257,379號之權利。該美國臨時申請案之揭示內容之全文係以引用之方式併入本文中。
此段落提供關於本揭示內容之背景資訊,其無須是先前技術。
在半導體工業中,電子裝置通常係藉由一沉積製程(例如,化學氣相沉積(CVD)、原子層沉積(ALD)等等)製造。一般地,例如在一容器中供應液態前驅物或固態前驅物,穿過前驅物之載氣(諸如氮氣或氫氣)係可經由一浸漬管移動,使得該氣體用該前驅物變得飽和。該載氣/前驅物蒸汽混合物接著以一受控之速率傳遞進入一磊晶反應器中。此等系統用於矽半導體及化合物半導體二者之製造中。處於該汽相之化學物之濃度極其穩定係非常重要。藉由習知單一用途類型之系統所提供之通道作用(channeling)及非均勻表面可能會導致該等前驅物之可變汽化作用,從而造成該氣體/前驅物濃度發生變動。此等變動不利於該沉積製程。此對於諸如三甲基銦(TMI)之固態前驅物的不利影響 尤其顯著。
在有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)系統中,當製作高度複雜裝置結構時,進入該反應腔室中之前驅物流的穩定、可控通量係十分重要。一般地,採用簡單的傳送系統設計來執行此項任務,且該載氣流及源溫度控制係可提供一適當穩定之系統。然而,例如,對於MOCVD設備之增加體積要求使得必須增加流量及/或較大系統。此等典型之傳送系統設計已經不再適合符合此等要求。
此段落提供對本揭示內容之一般概述,且並非係本發明之完整範圍或其所有特徵之一全面揭示。
本揭示內容之實例實施例大致上係關於固態前驅物傳送總成。在一實例實施例中,一固態前驅物傳送總成大致上包含一容器;至少兩個腔室,其係界定於該容器內且經組態以將前驅物材料固持於該各別至少兩個腔室中之各者中;至少兩個多孔分配器,其被固定地耦合至該容器且界定經組態以固持前驅物材料之該至少兩個腔室之至少部分;一入口,其被耦合至該容器,以將該載氣傳送進入至該容器中;及一出口,其被耦合至該容器,以將包括汽化前驅物材料及載氣之蒸汽產品自該容器中移除。
在另一實例實施例中,一固態前驅物傳送總成大致上包含具有上部分及下部分之一容器。該容器內界定有四個腔室,包括一入口腔室、一出口腔室、及一第一前驅物腔室及一第二前驅物腔室。該第一及第二前驅物腔室係經組態以將前驅物材料固持於該容器內。三個燒結之濾片被固定地耦合且密封至該容器之一內部分。該三個燒結之濾片界定該容器內之該四個腔室之至少部分。該等燒結之濾片中之至少一者係經組態以將其上之前驅物材料保持於該第一前驅物腔室內,且該等燒結之濾片中之至少一者係經組態以將其上之前驅物材料保持於該第二前驅物腔室內。一入口被耦合至該容器之該上部分,以用於將該載氣傳送進入至該容器中。一出口被耦合至該容器之該下部分,以用於將包含汽化前驅物材料及載氣之蒸汽產品自該容器移除。
本揭示內容之實例實施例大致上係關於以多腔室固態前驅物傳送總成中之載氣來回收汽化前驅物材料之方法。一實例方法大致上包括:將載氣傳送至一多腔室固態前驅物傳送總成且將載氣保持於該多腔室固態前驅物傳送總成之一第一前驅物腔室中大致上設置於該第二前驅物腔室之前驅物材料上方之頂部空間內,直到橫跨該多腔室固態前驅物傳送總成之一第一燒結濾片存在一所需壓力差,該第一燒結濾片將該第一前驅物腔室與一第二前驅物腔室分離,此時,該載氣及由該載氣所回收之汽化前驅物材料流經該第一燒結濾片到達該第二前驅物腔室。該實例方法大致上亦包括將該載氣保持於該多腔室固態前驅物傳送總成之該第二前驅物腔室之大致上設置於該第二前驅物腔室之前驅物材料上方之頂部空間內,直到橫跨該多腔室固態前驅物傳送總成之一第二燒結濾片存在一所需壓力差,該第二燒結玻璃件將該第二前驅物腔室與一第三腔室分離,此時,該載氣及由該載氣回收之汽化前驅物材料流經該第二燒結濾片,到達該第三腔室;及將該載氣及由該載氣回收之汽化前驅物材料自該多腔室固態前驅物傳送總成移除。
應用性之進一步範圍可自本文所提供之描述將顯而易見。此發明內容中之描述及具體實例僅出於闡釋之目的且非意欲限制本揭示內容之範圍。
本文所描述之圖示僅出於圖解所選擇之實施例而非所有可行實施案之目的,且非意欲限制本揭示內容之範圍。
在所有該等圖示之若干視圖中,對應的參考數字指示對應之部分。
現將參考下文附圖來更完整地描述若干實例實施例。
提供若干實例實施例以致將此揭示內容透徹且完整地傳達給熟悉此項技術者。陳述了若干特定細節,諸如特定组件、裝置及方法之實例,以提供對本揭示內容之實施例之一透徹理解。熟悉此項技術者將瞭解,無需採用該等特定細節,若干實例實施例係可體現為許多不同的形式且任一形式均不應被解讀為限制本揭示內容之範圍。在一些實例實施例中,對廣為人知的製程、廣為人知的裝置結構及廣為人知的技術不做細節描述。
本文所使用之術語之目的僅在於描述特定的實例實施例且非意欲限制。如本文所使用,單數形式「一」、「一個」及「該」可能意欲亦包括複數形式,除非上下文另有明確指示。術語「包括」、「包含」及「具有」係包含性且因此指明所陳述之特徵、整數、步驟、操作、元件及/或組件之存在,但不排除存在或新增一個或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、組件及/或其群組。本文所述之該等方法步驟、製程及操作不應被解讀為必須以所談論或圖解之特定順序執行,除非明確指定執行之一順序。亦應瞭解,可採用額外或替代性步驟。
當一元件或層被稱為「位於...之上」、「接合至」、「連接至」或「耦合至」另一元件或層,則該一元件或層可直接位於其上、接合至、連接至或耦合至該另一元件或層,或可存在若干中間元件或層。相反地,當一元件被稱為「直接位於...之上」、「直接接合至」、「直接連接至」或「直接耦合至」另一元件或層,則不存在中間元件或層。應以一類似之方式來解釋用於描述若干元件之間的關係(例如,「介於」對「直接介於」、「鄰近」對「直接鄰近」等等)。如本文所使用,術語「及/或」包括關聯之所列舉項中之一或多個之任何及所有組合。
雖然本文中可使用術語第一、第二、第三等等來描述各種元件、組件、區域、層及/或區段,此等元件、組件、區域、層及/或區段不應由此等術語限制。此等術語係可僅用於區別一個元件、組件、區域、層或區域與另一區域、層或區段。諸如「第一」、「第二」及其他數字術語用於本文中並不暗示一次序或順序,除非上下文另有明確指示。因此,在不脫離該等實例實施例之教示下,下文所談論之一第一元件、組件、區域、層或區段可稱為一第二元件、組件、區域、層或區段。
為便於描述,本文可使用空間相對術語,諸如「內」、「外」、「下方」、「之下」、「下」、「上方」、「上」及類似者,以易於描述如圖式中所圖解之一個元件或特徵與另一元件或特徵之關係。空間相對術語可意欲包含除了該等圖式中所繪示之定向之外之使用中或操作中之該裝置之不同定向。例如,若該等圖式中之該裝置被倒置,則被描述為位於其他元件或特徵之「下」或「下方」之元件則將被定向位於該等其他元件或特徵之「上」。因此,例如術語「下」可包含上定向及下定向二者。該裝置可另行定向(旋轉90度或以其他定向)且據此解釋本文所使用之空間相對描述。
現在參考該等圖式,圖1至圖5圖解包含本揭示內容之一個或多個態樣之一固態前驅物傳送總成100(例如,一擴散器總成等等)之一實例實施例。該實例總成100經組態(例如,定大小、形狀、構造等等)以尤其將設置於該總成100內之前驅物材料以氣相傳送至一反應器位置,以供在該反應器位置之後續使用(例如,經由一載氣以供後續用於一氣相沉積製程等等)。應注意,該實例總成100可與於本揭示內容之範圍內之任何固態前驅物材料(例如,三甲基銦(TMI);雙(環戊二烯)鎂(MgCp2);戊(二甲胺)鉭(PDMAT)、金屬β-二酮((M(THD)n),其中M可包括稀土元素釔(Y)、鋇(Ba)等等,THD係四甲基己二酮,且n可為3或4);金屬鹵化物(MX4其中M可包含鉿(Hf)、鋯(zr))等等;且X可包括氯(CI)、溴(Br)、碘(I)等等;金屬環戊二烯基(((RnCp5-n)2M,其中R可包含甲基、乙基、異丙基、第三丁基等等;M可包含鋇(Ba)、鍶(Sr)等等;且n係1至3);金屬羰基(例如,Ru3(CO)12、W(CO)6)等等)連用。此外,任何適合的載氣可與該實例總成100連用,諸如,氮氣、氫氣、氬氣、一氧化碳等等。
如圖1至圖3所示,該實例固態前驅物傳送總成100大致上包含一圓筒形容器102,其係用於固持前驅物材料(及汽化前驅物材料);及一閥總成104,其用於例如控制流入該容器102中之載氣及流出該容器102之蒸汽產品(包括載氣及汽化前驅物材料)等等。該容器102可形成為一大體密封結構,以例如阻止前驅物材料、汽化前驅物材料、載氣、蒸汽產品等等不符所需地流出該容器102且/或阻止污染物等等不符所需地流入該容器102中。該容器102可由本揭示內容之範圍內之任何合適材料形成,包括例如惰性材料,諸如玻璃、不銹鋼等等。在其他實例實施例中,容器可具有於本揭示內容之範圍內之除了圓筒形之外之形狀。
所圖解之該固態前驅物傳送總成100之該閥總成104大致上包含一入口106及一出口108。該入口106經組態以將載氣引入(或傳送、或施配等等)至該容器102中,且該出口108係經組態以藉由該載氣將自該前驅物材料擷取回收之汽化前驅物材料傳輸(或移除)離開該容器102。在所圖解之實施例中,該入口106係藉由一合適的耦合件、連接件等等(例如,一螺紋耦合件等等)而耦合至該容器102之一上部分。該出口108係藉由一液體連接器110而耦合至該容器102之一下部分。因此,該入口106及該出口108各者係與該容器102流體連通。因此,載氣大致上可如所需自該入口106流經該容器102且到達該出口108(例如,自該容器102之該上部分至該容器102之該下部分等等)。在其他實例實施例中,固態前驅物傳送總成可包含耦合至該容器之下部分之入口及耦合至該等容器之上部分之出口,使得載氣大致上向上流經該等容器(例如,自該等容器之該等下部分流動至該等容器至該等上部分等等)。
持續參考圖1至圖3,第一及第二填料口112及114係沿該容器102之一外表面部分而定位,以用於視需要(例如)以前驅物材料填充及/或再填充該容器102。該等填料口112及114各者係藉由一合適的耦合件、連接件等等而耦合至該容器102,使得該等填料口112及114各者係與該容器102流體連通。在正常使用中,該等填料口112及114係可以合適的配件、連接器等等覆蓋,以幫助大致上密封該容器102且幫助確定流經該容器102之載氣係經由所需之路徑自該入口106流動至該出口108。
另外參考圖4,該入口106大致上包括一耦合件118及一閥結構120。該耦合件118係經組態以將該入口106耦合(例如,經由一螺紋連接件等等)至一載氣供給管線(未圖示),以將載氣供給至該入口106。該閥結構120係經組態以控制載氣通過該入口106進入至該容器102中之流動。可操作該閥結構120之一致動器122,以選擇性地開啟一閥管(未圖示),以容許該載氣流入該容器102中,且選擇性地閉合該閥管(未圖示)以阻止該載氣流入該容器102中。
類似地,該出口108大致上包含一耦合件126及一閥結構128。該耦合件126係經組態以將該出口108耦合(例如,經由一螺紋連接件等等)至一產品轉移線(未圖示),用於容納離開該容器102之蒸汽產品(例如,藉由通過該產品轉移線抽取一真空,等等)。該閥結構128係經組態以控制通過該出口108流出該容器102之蒸汽產品。該出口108亦包含一外部管130,其自該閥結構128延伸至該液體連接器110,大體沿該容器102之一高度(或長度)尺寸且與該容器102隔開。該外部管130係可藉由一合適的耦合件、連接件等等(例如,一螺紋耦合件等等)而耦合至該液體連接器110。可操作該閥結構128之一致動器132,以選擇性開啟一閥管(未圖示),以容許該蒸汽產品流出該容器102(例如,通過該液體連接器110及該外部管130到達該產品轉移線,等等),且選擇性地閉合該閥管(未圖示),以阻止該蒸汽產品流出該容器102。在其他實例實施例中,固態前驅物傳送總成可包含具有內部管之出口,該等內部管大體設置於容器內且被耦合至該等容器之下部分,以用於將蒸汽產品移除出該等容器。
現參考圖5,所圖解之固態前驅物傳送總成100之該容器102包括界定於其中之一均勻、大致上圓筒形內部空間136。在其他實例實施例中,容器可包含具有除了本揭示內容之範圍內之圓筒形之外的形狀之內部空間。
該容器102之該內部空間136係藉由三個多孔分佈器板148、150及152(更廣義而言,多孔分配器)所分出之四個腔室138、140、142及144(大致上串聯地定向)。在所圖解之實施例中,該四個腔室大致上包含入口腔室138、第一及第二前驅物腔室140及142,及一出口腔室144。該入口腔室138大致上係經組態以將來自該入口106之載氣容納於該容器102中且係位於朝向該容器102之該上部分,鄰近將載氣引入該容器102中之該入口106。該出口腔室144大致上經組態以將載氣(及藉由該載氣而回收之汽化前驅物)自該容器102轉移至該出口108且係位於朝向該容器102之該下部分,出口腔室144鄰近將載氣自該容器102移除之該出口108。該第一及第二前驅物腔室140及142各者係經組態以將前驅物材料固持於各別腔室140及142之各者中。該等腔室138、140、142及144可具有於本揭示內容之範圍內之任何所需形狀、大小等等。
如圖5所示,一第一分佈器板148係位於朝向該容器102之該上部分;一第二分佈器板150大致上係位於該第一分佈器板148之下方,朝向該容器102之一中間部分;及一第三分佈器板152,其大致上位於該第二分佈器板150之下方,朝向該容器102之一下部分。該入口腔室138經界定朝向該容器102之該上部分,其大致上位於該第一分佈器板148之上方;該第一前驅物腔室140大致上係界定於該第一分佈器板148與該第二分佈器板150之間;該第二前驅物腔室142大致上被界定於該第二分佈器板150與該第三分佈器板152之間;且該出口腔室144經界定朝向該容器102之該下部分,其大致上位於該第三分佈器板152之下方。
該等分佈器板148、150及152各者被固定地耦合(且大致上密封)至該容器102之一內表面部分,以阻止該載氣及蒸汽產品圍繞該等分佈器板148、150及152之周邊邊緣流動(例如,在該等分佈器板148、150及152之該等周邊邊緣與該容器102之該內表面部分之間,等等)。例如,該等分佈器板148、150及152係可焊接至該容器102之該內表面部分,機械地緊固且密封至該容器102之該內表面部分,或者密封至該容器102之該內表面部分。因此,該等分佈器板可有助於至少部分界定該等各別腔室138、140、142及144中之各者之一大致上固定之大小、體積等等。在所圖解之實施例中,腔室138及144之大小、體積等等大約相同,且腔室140及142之該大小、體積等等大約相同。在其他實例實施例中,固態前驅物傳送總成可具有皆具有類似大小、體積等等之腔室或所有具有不同大小、體積等等之腔室。下文將對此予以更詳盡之描述。
該等分佈器板148、150及152各大致上經組態以在該容器102內介於相鄰腔室138、140、142與144之間產生一壓力差。該等分佈器板148、150及152係藉由大致上抵抗載氣及/或汽化前驅物材料流經該等分佈器板而達到產生該壓力差。因此,該等分佈器板148、150及152有效地控制該載氣及/或汽化前驅物材料流經該容器102,且有助於使載氣良好地分佈地通過該容器102。
在所圖解之實施例中,例如,該等分佈器板148、150及152大致上係經組態以產生約五千帕斯卡(Pascal)之一壓力差。如果緊鄰該等給定分佈器板148、150或152之上游之該等各別腔室138、140、142或144中存在壓力降,則橫跨該等分佈器板148、150及152中之各者之該壓力差應明顯大於橫跨該前驅物材料之壓力降,例如,大於跨該前驅物材料之該壓力降約十倍,且係與該等給定分佈板148、150或152之上游之該等腔室138、140、142或144中之平均壓力可能一樣大之一分率,例如,係該壓力之約0.5%至50%。此等數值係提供作為實例,且不限制本揭示內容之範疇。
任何合適的分佈器板係可與該固態前驅物傳送總成100連用。例如,可使用具有一所需標稱孔大小之分佈器板(例如,具有約0.5微米等等之標稱大小之孔之分佈器板);可使用對氣體流具有一所需阻力(例如,大於約每平方米2 x 109等等)之分佈器板;可使用具有一所需厚度(例如,約0.125英寸(約0.316公分)等等)之分佈器板;可使用橫跨其產生一所需壓力差之分佈器板(例如,橫跨其產生約5000帕斯卡之一壓力差用於氣體流過之分佈器板,對於橫跨其流過之水產生約每平方英寸23磅之一壓力差的分佈板,等等)。可使用經組態以將固態材料支撐於其上,同時容許液體流過(例如,當達到橫跨該等分佈器板之一所需壓力差時)之分佈器板。應理解,由該等分佈器板產生之該壓力差大致上係取決於流經該等分佈器板之液體之類型。
此外,可使用由任何合適的材料形成之分佈器板。例如,可使用包含不銹鋼燒結之濾片等等之分佈器板。此外,在該實例固態前驅物傳送總成100中,可使用大體相同之分佈器板。然而,在其他實例實施例中,固態前驅物傳送總成可包含至少一個或多個分佈器板,其係與至少一個或多個其他分佈器板不同。譬如,可使用來自Mott Corporation(Farmington,Ct.)之多孔金屬分佈器板(例如,此等分佈器板可具有約30之液體可滲透性係數,約260之氣體可滲透性係數,等等)。
在所圖解之實施例中,該固態前驅物傳送總成100包含三個分佈器板148、150及152,其將該容器102之該內部空間136分成四個大致上垂直間隔之腔室138、140、142及144(且因此,大致上在該容器102內提供三個壓力差或壓力降)。在其他實施例中,固態前驅物傳送總成可包含三個以上分佈器板及/或包含將容器之內部空間分成多於或少於四個腔室之分佈器板。在又其他之實例實施例中,固態前驅物傳送總成可包含將容器之內部空間分成水平間隔之腔室的分佈器板。在又其他實例實施例中,固態前驅物傳送總成可包含若干容器,在該等容器中,前驅物材料位於兩個以上之腔室內(例如,因此該等容器包含兩個以上(例如,三個等等)之前驅物腔室)。
下文將繼續參考圖5描述該所圖解之固態前驅物傳送總成100之實例操作。為了準備操作該總成100,首先將前驅物材料定位於該容器102之該第一及第二前驅物腔室140及142內。更具體而言,前驅物材料被定位於該第一前驅物腔室140內之該第二分佈器板150之一上部分上(例如,經由該第一填料口112等等),且前驅物材料被定位於該第二前驅物腔室142內之該第三分佈器板152之一上部分上(例如,經由該第二填料口114,等等)。該第一及第二分佈器板148及150(其大致上界定該第一前驅物腔室140)之大致上固定位置可在定位於該第一前驅物腔室140內之該前驅物之上方提供一頂部空間。類似的,該第二及第三分佈器板150及152(其大致上界定該第二前驅物腔室142)之大致上固定位置可在定位於該第二前驅物腔室142內之該前驅物材料上方提供一頂部空間。
該固態前驅物傳送總成100大致上係在減小之壓力下(例如,於該出口108處抽取一真空等等)操作。因此,朝向該出口108(例如,在該所圖解之實施例中朝向該容器102之該下部分,等等)存在一大致上較低壓力區域,且朝向該入口106(例如,在所圖解之實施例中朝向該容器102之該上部分,等等)存在一大致上較高壓力區域。因此,在該所圖解之實施例中,載氣將大致上將自該容器102之該上部分流動至該容器102之該下部分。
載氣係通過該閥總成104之該入口106而引入該固態前驅物傳送總成100之該容器102中(例如,經由該閥結構120之選擇性操作等等)。該載氣自該容器102之該入口106排放進入該容器102之該入口腔室138。該第一分佈器板148阻止該載氣自該入口腔室138流動至該第一前驅物腔室140,且該載氣大致上聚集且填充該入口腔室138。隨著載氣填充該入口腔室138,該入口腔室138中之載氣壓力增加,直到橫跨該第一分佈器板148存在一足夠壓力差(例如,在入口腔室138中之載氣壓力足夠大於該第一前驅物腔室140中之壓力等等),以容許該載氣流經該第一分佈器板148(例如,流經該第一分佈器板148之多孔開口,等等),且進入該第一前驅物腔室140中。
在該容器102之該第一前驅物腔室140中,該第二分佈器板150阻止該載氣自該第一前驅物腔室140流動至該第二前驅物腔室142。該載氣大致上聚集且填充該第一前驅物腔室140(包括大致上位於該第一前驅物腔室140內之該第二分佈器板150之該上表面上之該前驅物材料之上方之該頂部空間)。此容許該載氣拾取汽化前驅物材料(且用其變成至少部分飽和)。該第一前驅物腔室140中之載氣(及汽化前驅物材料)之壓力增加,直到橫跨該第二分佈器板150存在一足夠之壓力差(例如,該第一前驅物腔室140中之壓力足夠大於該第二前驅物腔室142中之壓力,等等),以容許該載氣及汽化前驅物材料穩定地流經該第二分佈器板150(例如,通過該第二分佈器板150之該上表面上之該前驅物材料且接著通過該第二分佈器板150之多孔開口,等等)且進入該第二前驅物腔室142中。橫跨該第二分佈器板150而建立之該壓力差可與橫跨該第一分佈器板148而建立之該壓力差相同或不同。
在容器102之該第二前驅物腔室142中,該第三分佈器板152阻止該載氣自該第二前驅物腔室142流動至該出口腔室144。該載氣大致上聚集且填充該第二前驅物腔室142(包括大致上位於該第二前驅物腔室142內之該第三分佈器板152之該上表面上之該前驅物材料之上方之該頂部空間)。此容許該載氣拾取來自該第二前驅物腔室142之汽化前驅物材料且以該材料完成其飽和(例如,變得完全飽和)。該第二前驅物腔室142中之壓力增加,直到橫跨該第三分佈器板152存在一足夠壓力差(例如,該第二前驅物腔室142中之壓力足夠大於該出口腔室144中之壓力,等等),以容許用該蒸汽化前驅物材料飽和之該載氣穩定地流經該第三分佈器板152(例如,流經該第三分佈器板152之該上表面上之該前驅物材料且接著流經該第三分佈器板152之若干多孔開口等等)且進入該出口腔室144中。該飽和載氣(其大致上用來自該前驅物材料之蒸汽產品呈飽和)自該出口腔室144通過該出口108退出該容器102(經由該容器102之該下部分中之開口),以視需要用於後續使用。橫跨該第三分佈器板152所建立之該壓力差可與橫跨該第一分佈器板148所建立之壓力差及/或橫跨該第二分佈器板150所建立之壓力差相同或不同。
所圖解之該固態前驅物傳送總成100大致上提供一路徑,以供載氣自該入口106流經該容器102而至該入口腔室138,載氣係通過該第一分佈器板148、通過該第一前驅物腔室140、通過該第二分佈器板150、通過該第二前驅物腔室142、通過該第三分佈器板152且通過該出口腔室144到達該出口108。在本揭示內容之範圍內可提供載氣流經容器102之其他路徑。
所圖解之固態前驅物傳送總成100之該多腔室組態有助於將一致之經飽和載氣提供至該出口108,此係因為在移除該載氣之前,該載氣流經兩個具有前驅物材料之腔室(例如,腔室140及142等等)。例如,在所圖解之實施例中,該載氣開始流經該第一前驅物腔室140,於此處該載氣拾取第一量之汽化前驅物材料,以變得至少部分飽和,且接著該載氣流經該第二前驅物腔室142,於此該載氣可拾取額外之汽化前驅物材料,以在該載氣被移除通過該出口108之前完成飽和。
此外,所圖解之固態前驅物傳送總成100之該多腔室組態可有助於提供對前驅物材料之更有效率及/或完全消耗。例如,在所圖解之實施例中,可在該第一前驅物腔室140中放置多於該第二前驅物腔室142中之量之前驅物材料,以考慮到當該載氣自該第一前驅物腔室140流動至該第二前驅物腔室142時減小之飽和要求。該載氣在離開該第一前驅物腔室140之後,其中大致上已經具有許多汽化前驅物材料,使得僅需在該第二前驅物腔室142中完成一飽和。因此,離開該容器102(通過該出口108)之該載氣中之該大量汽化前驅物材料將係來自該第一前驅物腔室140,而來自該第二前驅物腔室142之該汽化前驅物材料則較少。由於自該第一前驅物腔室140消耗之該前驅物材料將多於自該第二前驅物腔室142消耗之該前驅物材料(即,該第一前驅物腔室140中之前驅物材料之消耗速率大致上大於該第二前驅物腔室142中之前驅物材料之消耗速率),可在該第一前驅物腔室140中放置多於在該第二前驅物腔室142中放置之前驅物,直到最終大約同時消耗完。例如,可以約75克之前驅物材料填充該第一前驅物腔室140且以約25克之前驅物材料填充該第二前驅物腔室142。
在其他實例實施例中,固態前驅物傳送總成可包含經定大小大於第二前驅物腔室之第一前驅物腔室,以可將較大量之前驅物材料放置於該等第一前驅物腔室中。例如,固態前驅物傳送總成可具有約2:1、約3:1、約4:1等等之第一前驅物腔室與第二前驅物腔室之體積比。
圖6圖解一固態前驅物傳送總成200(例如,擴散器總成,等等)之另一實例實施例,其包含本揭示內容之一個或多個態樣。此實施例之該實例總成200係類似於先前在圖1至圖5中所述及圖解之該固態前驅物傳送總成100。
該所圖解之固態前驅物傳送總成200大致上包含一圓筒形容器202,其係用以固持前驅物材料(及汽化前驅物材料);及一閥總成204,其係用於控制例如流入該容器202中之載氣及流出該容器202之蒸汽產品(包括載氣及汽化前驅物材料)等等。該容器202包括界定於其中之一均勻、大致上圓筒形內部空間236。
所圖解之該固態前驅物傳送總成200之該閥總成204大致上包含一入口206及一出口208。該入口206係經組態以將載氣引入(或傳送,或施配等等)該容器202中。該出口208係經組態以將蒸汽產品運輸(或移除)離開該容器202。在此實施例中,該入口206及該出口208各者係藉由合適的耦合件、連接件等等(例如,螺紋耦合件等等)而耦合至該容器202之一上部分。該出口208包括一內部管230,其大致上延伸穿過該容器202之該內部空間236而朝向該容器202之一下部分。因此,該入口206及該出口208各者係與該容器202流體連通。因此,載氣大致上自該入口206流經所圖解之該容器202而到達該出口(自該容器202之一上部分到達該容器202之一下部分)。
提供填料口212及214之目的在於視需要以例如前驅物材料填充及/或再填充該容器202。填料口212及214各者係藉由合適之耦合件、連接件等等而耦合至該容器202,使得該等填料口212及214各者係與該容器202流體連通。在正常使用中,該等填料口212及214係可以合適之配件、連接器等等而覆蓋,以有助於大致上密封該容器202且有助於確保載氣係經由所需路徑自該入口206流經該容器202而至該出口208。
該容器202之該內部空間236係藉由三個多孔分佈器板248、250及252(廣義而言,多孔分配器)而分成四個腔室238、240、242及244(大體連續定向)。在所圖解之實施例中,該四個腔室大致上包含一入口腔室238、第一及第二前驅物腔室240及242及一出口腔室244。該入口腔室238係大致上經組態以將來自該入口206之載氣容納於該容器202中且係位於朝向該容器202之該上部分,鄰近該入口206將載氣引入該容器202中之處。該出口腔室244大致上係經組態以將來自該容器202之載氣(及由該載氣所回收之汽化前驅物材料)傳送至該出口208且係位於朝向該容器202之該下部分,鄰近該出口208將載氣自該容器202移除之處。該第一及第二前驅物腔室240及242各者經組態以將前驅物材料固持於該容器202中。
如圖6所示,一第一分佈器板248係位於朝向該容器202之一上部分;一第二分佈器板250係大致上位於該第一分佈器板248之下方,朝向該容器202之一中間部分;且一第三分佈器板252係大致上位於該第二分佈板250之下方,朝向該容器202之一下部分。該入口腔室238係經界定朝向該容器202之該上部分,其大致上位於該第一分佈板248之上方;該第一前驅物腔室240係經界定大致上介於該第一分佈器板248及該第二分佈器板250之間;該第二前驅物腔室242係經界定大致上介於該第二分佈器板250與該第三分佈器板252及之間;且該出口腔室244經界定朝向該容器202之該下部分,其大致上位於該第三分佈器板252之下方。
該等分佈器板248、250及252各者係固定地耦合(且大致上密封)至該容器202之一內表面部分,以阻止該載氣及蒸汽產品在該等分佈器板248、250及252之周邊邊緣周圍(例如,在該等分佈器板248、250及252之該等周邊邊緣與該容器202之該內表面部分之間等等)流動。例如,該等分佈器板248、250及252係可焊接至該容器202之該內表面部分,機械地緊固且密封至該容器202之該內表面部分,或 者以其他方式密封至該容器202之該內表面部分等等。除了在所圖解之實施例中之外,該出口208之內部管230以及該第一填料口212及該第二填料口214之該等管大致上通過該等分佈器板248、250及252中之開口而延伸進入該容器202中。可在該等管230及260通過該等分佈器板248、250及252處之周圍設密封件,以阻止載氣及蒸汽產品不符需求地於此等位置處流經該等分佈器板248、250及252。
該等分佈器板248、250及252各者大致上係經組態以在該容器202內於該等各別腔室238、240、242及244之間產生一壓力差。該等分佈器板248、250及252係藉由大致上阻止載氣及/或汽化前驅物材料通過其流動,直到建立一需要之壓力差而完成產生該壓力差。因此,該等分佈器板248、250及252有效地控制該載氣及/或汽化前驅物材料流經該容器202,且有助於使載氣良好地分佈以通過該容器202。
現在應理解,本揭示內容之實例固態前驅物傳送總成可提供優於先前總成之各種改良、優點、益處等等。例如,該等實例總成之分佈器板大致上阻止載氣(及由該載氣回收之汽化前驅物材料)在該等容器之若干腔室之間流動。此大致上提供穿過該等容器之複雜流徑(例如,自該等入口,通過該等分佈器板且到達該等出口等等),其增加該等容器內(例如,該等容器之該等腔室內,等等)之該載氣與該前驅物材料之接觸時間。此外,此會造成在該載氣流經各別分佈器板之前,該載氣大致上填充該等容器之該等腔室之各者(且因此填充該前驅物材料之上方之該等頂部空間)。繼而,此有助於增加載氣在該等腔室中之各者內之駐留時間(且因此與該等腔室內之該前驅物材料之暴露表面之接觸時間),使該等腔室內之該載氣與該前驅物材料之表面接觸均勻(及/或改良),且大致上促進該載氣均勻地流經該前驅物材料。因此,可向該等出口提供一致之飽和載氣。
該等實例固態前驅物傳送總成之分佈器板亦具有大致上均勻之構造。此有助於向流經該等分佈器板(例如,橫跨該等分佈器板之一表面區域,等等)之載氣提供均勻阻力且有助於容許該等分佈器板使該載氣大體均勻、一致地擴散通過該前驅物材料等等。因此,可阻止載氣穿過該前驅物材料之通道作用及/或分佈失常,且可達成該前驅物材料之大致上均勻消耗。
亦應理解,該等實例固態前驅物傳送總成之該等分佈器板(經由其阻止載氣及蒸汽產品流)而在該等容器內產生一順序壓力差(例如,壓力降等等)。例如,可存在相對較高壓力差(如約五千帕斯卡等等)。實際上,此等壓力差橫跨該容器產生一壓力梯度(介於該入口與該出口之間),其中該入口處之一壓力大致上較高且該出口處之一壓力大致上較低,且繼而有助於促進該等容器之整個截面上及穿過該等分佈板中之各者之載氣流大致上均勻(例如,橫越該等容器之大致上恆定載氣質量流)。可避免降低載氣之局部速度、壓力等等(其等可能造成通道作用)。
此外,可視需要在本揭示內容之該等實例固態前驅物傳送總成中修改、組態、選擇壓力差等等,以有助於基於容器大小、前驅物材料之質量、前驅物材料之類型等等定製通過該等容器之該載氣的均勻分佈流動。可選擇與該等固態前驅物傳送總成連用之分佈器板,以向流經該等分佈器板(且因此,該等腔室之間)之該載氣流及蒸汽產品提供一所需黏性阻力。
此外且如上文所述,本揭示內容之實例固態前驅物傳送總成使用腔室式構造,且前驅物材料位於多個腔室(例如,兩個腔室等等)之各者中。除了上述之該等益處之外,相較於單一腔室容器,此腔室式構造亦提供較小之體積及較小之頂部空間。該較小之體積及較小之頂部空間可以載氣更快地填充且因此可容許載氣在該等腔室中之各者內達成最終飽和之駐留時間縮短。
本揭示內容之實例固態前驅物傳送總成可向一反應器位置提供一穩定、更一致、飽和之前驅物材料蒸汽達到一較長之時段(例如,即使該前驅物材料被消耗了,等等)。此外,關於所圖解之該固態前驅物傳送總成,由於該前驅物材料之消耗在橫跨該前驅物材料之一表面區域係大致上均勻,汽化前驅物材料之濃度減小將發生在操作的較後階段,從而促進該前驅物材料之使用效率得以改良。由於大部分之蒸汽產品將均勻地來自該前驅物材料(基於橫跨該前驅物材料之一表面區域之均勻壓力),故可減小及/或消除該前驅物材料之通道作用(例如,在局部壓力、速率等等減小之區域)。因此,該容器內之大體上所有前驅物材料可得以有效地使用且傳送至該反應器位置。例如,在一些實施例中,該前驅物材料之至少約90%或90%以上可得以有效地使用且以大體一致之濃度傳送至該反應器位置。在其他實施例中,該前驅物材料之至少約95%或95%以上得以有效地使用且以大體一致之濃度傳送至該反應器位置。
應瞭解,本揭示內容之實例固態前驅物傳送總成可包含任何所需大小、組態等等。在一實例實施例中,一固態前驅物傳送總成包含一大致上圓筒形不銹鋼容器,其具有之一外直徑尺寸為約3.0英寸(約7.6公分)且一總高度尺寸為約6.15英寸(約15.6公分)。該容器之一內部之大致上圓筒形空間包含約2.8英寸(約7.1公分)的一直徑尺寸且約5.1英寸(約12.9公分)的一高度尺寸,且因此界定之一體積為約31.4立方英寸(約515立方公分)。此實例總成亦包含三個不銹鋼燒結碟形物,其等大致上平行地定向於該不銹鋼容器內且被焊接至該不銹鋼容器之一內表面部分。該等不銹鋼燒結碟形物之各者包含0.125英寸(約0.316公分)之一厚度,且各者包含若干孔,該等孔之一標稱孔大小為約0.5微米。此外,該等不銹鋼燒結碟形物之各者經組態以橫跨其產生約每平方英寸23磅之壓力差(藉由水流測量)。該等不銹鋼燒結碟形物在此實例總成之該不銹鋼容器內界定四個腔室,其包括一入口腔室、一出口腔室及兩個前驅物腔室。該入口腔室及該出口腔室各者具有約0.4英寸(約1.0公分)之一高度尺寸且各者具有約6.15立方英寸(約100.8立方公分)之一體積。該第一前驅物腔室具有約1.94英寸(約4.9公分)之一高度尺寸且約11.9立方英寸(約195立方公分)之一體積,且該第二前驅物腔室具有為約1.91英寸(約4.8公分)之一高度尺寸且為約11.8立方英寸(約193.4立方公分)之一體積。
應理解,本揭示內容之實例固態前驅物傳送總成可容納任何所需質量之前驅物材料,例如350克、850克或於本揭示內容之範圍內除了350克及850克之外之任何質量。
實例
下文之若干實例僅在於闡釋之目的,且絕非限於本揭示內容。
實例1
在一實例中,圖1至圖5中之該實例固態前驅物傳送總成100係操作約1小時,其中該第一及第二前驅物腔室140及142中之各者內設置有100克該前驅物材料三甲基銦(TMI)。該總成100在操作期間被維持於約攝氏17度之一溫度下,而一載氣則以大約每分鐘800標準立方公分之一大致上恆定流率流經該固態前驅物傳送總成100。在操作期間,在該總成100之該入口106之正前方存在約370托之一大致上恆定壓力,且該總成100之該出口108處維持約225托之一大致上恆定壓力。
離開該總成100之該載氣(用TMI飽和)穿過一超音波濃度測量系統,以精確決定該載氣內之該TMI濃度。圖7中將此等結果顯示為TMI之Epison量/值隨著該總成100之該操作時間之關係(在該總成100之操作期間,每兩秒取得一次讀數)。圖7大致上指示在該實例延長時段操作期間內,離開該總成100之該載氣內之TMI之大致上一致之濃度讀數,從而強調該給定之總成100之有效性(及輸出穩定性)。
實例2
在另一實例中,圖1至圖5中之該實例固態前驅物傳送總成操作約20分鐘,其中在該第一及第二腔室140及142中之各者內設有100克之該前驅物三甲基銦(TMI)。該總成100在操作期間被維持於約攝氏17度之一溫度下,而載氣則以約每分鐘800標準立方公分之一大致上恆定流率流經該固態前驅物傳送總成100。在操作期間,該總成100之該入口106之正前方存在約370托之一大致上恆定之壓力,且該總成100之該出口108被維持處於約225托之一大致上恆定之壓力下。
離開該總成100之該載氣(用TMI飽和)流經一超音波濃度測量系統,以精確確定該載氣內之該TMI濃度。此等結果在圖8中被顯示為TMI之Epison量/值隨著該總成100之該操作時間之關係(在該總成100之操作期間,每兩秒取得一次讀數)。圖8再次指示在該實例延長時段操作期間,離開該總成100之該載氣內之TMI之大致上恆定濃度讀數,從而強調該給定之總成100之有效性(及輸出穩定性)。
本文所揭示之特定尺寸在本質上係作為實例之用且不在於限制本揭示內容之該範圍。
上文提供對該等實施例之描述目的在於闡明及描述。其非意欲為毫無遺漏或限制本發明。一特定實施例之個別元件或特徵大致上不限於該特定實施例,而是,當可應用時,係可互換且用於一選定之實施例中,即使未有明確顯示或描述。一特定實施例之個別元件或特徵亦可以許多方式變動。此等變動不應被視為脫離本發明,且所有此等修飾意欲包含於本發明之該範圍內。
100...固態前驅物傳送總成
102...圓筒形容器
104...閥總成
106...入口
108...出口
110...液體連接件
112...第一填料口
114...第二填料口
118...耦合件
120...閥結構
122...致動器
126...耦合件
128...閥結構
130...外部管
132...致動器
136...內部空間
138...腔室
140...腔室
142...腔室
144...腔室
148...分佈器板
150...分佈器板
152...分佈器板
200...固態前驅物傳送總成
202...圓筒形容器
204...閥總成
206...入口
208...出口
212...填料口
214...填料口
230...內部管
236...圓筒形內部空間
238...腔室
240...腔室
242...腔室
244...腔室
248...分佈器板
250...分佈器板
252...分佈器板
260...內部管
圖1係包含本揭示內容之一個或多個態樣之一固態前驅物傳送總成之一實例實施例之一透視圖;
圖2係圖1之該固態前驅物傳送總成之一前視圖;
圖3係圖1之該固態前驅物傳送總成之一側視圖;
圖4係圖1之該固態前驅物傳送總成之一上平面圖;
圖5係圖1之該固態前驅物傳送總成之一截面圖,其係於包括圖4中之線5-5之一平面中取得;
圖6係包含本揭示內容之一個或多個態樣之一固態前驅物傳送總成之另一實例實施例之一截面圖,且該固態前驅物傳送總成之一容器之部分被移除以顯示內部構造;
圖7係一Epison圖形,其圖解在圖1之該實例固態前驅物傳送總成之一實例操作期間來自該總成之三甲基銦(TMI)之一傳送濃度百分比曲線;及
圖8係一Epison圖形,其圖解在圖1之該實例固態前驅物傳送總成之另一實例操作期間來自該總成之TMI之一傳送濃度百分比曲線。
100...固態前驅物傳送總成
102...圓筒形容器
104...閥總成
106...入口
108...出口
110...液體連接件
112...第一填料口
114...第二填料口
118...耦合件
120...閥結構
122...致動器
126...耦合件
128...閥結構
130...外部管
132...致動器

Claims (25)

  1. 一種固態前驅物傳送總成,其包括:一容器;至少兩個腔室,其被界定於該容器內且經組態以將前驅物材料固持於該各別至少兩個腔室中之各者內;至少兩個多孔分配器,其被固定地耦合至該容器且界定經組態以固持前驅物材料之該至少兩個腔室之至少部分;一入口,其被耦合至該容器,以用於將載氣傳送進入該容器中;及一出口,其被耦合至該容器,以用於將包括汽化前驅物材料及載氣之蒸汽產品自該容器移除;其中該至少兩個多孔分配器之至少一者係經組態以阻止載氣流經該分配器,以允許橫跨該至少兩個多孔分配器之該至少一者建立一壓力差。
  2. 如請求項1之總成,其中該至少兩個多孔分配器之該至少一者係經組態以阻止載氣流經該分配器,直到橫跨該至少兩個多孔分配器之該至少一者建立一所需壓力差。
  3. 如請求項1之總成,其中該至少兩個多孔分配器之各者係經組態以阻止載氣流經該等分配器,直到橫跨該至少兩個多孔分配器之該各者建立一所需壓力差。
  4. 如請求項1至3中任一項之總成,其中該等多孔分配器之至少一者為一金屬燒結件,且其中該金屬燒結件被焊接至該容器之一內表面。
  5. 如請求項1之總成,其包括至少三個界定於該容器內之腔室,且至少三個多孔分配器界定該至少三個腔室之至少部分。
  6. 如請求項1之總成,其中該至少兩個腔室包括界定於該容器內之四個腔室且其中該至少兩個多孔分配器包括三個多孔分配器,其被固定地耦合至該容器且界定該四個腔室之至少部分。
  7. 如請求項6之總成,其中該四個腔室包括一入口腔室,其鄰近該入口將載氣傳送進入該容器之處;一出口腔室,其鄰近該出口將載氣自該容器移除之處;及第一及第二前驅物腔室,其被設置於該入口腔室與該出口腔室之間,且其中該第一及第二前驅物腔室經組態以將前驅物材料固持於該容器內。
  8. 如請求項7之總成,其中該三個多孔分配器包含一第一多孔分配器,其被設置於該入口腔室與該第一前驅物腔室之間;一第二多孔分配器,其被設置於該第一前驅物腔室與該第二前驅物腔室之間;及一第三多孔分配器,其被設置於該第二前驅物腔室與該出口腔室之間,且其中該第二及第三多孔分配器各者係經組態以將前驅物材料保持於其上,且藉此載氣自該入口流經該容器到達該入口腔室,該載氣係流經該第一多孔分配器、流經該第一前驅物腔室、流經該第二多孔分配器、流經該第二前驅物腔室、流經該第三多孔分配器且流經該出口腔室到達該出口。
  9. 如請求項1之總成,其中該容器包含一上部分,該入口被耦合至該容器之該上部分。
  10. 如請求項1或9之總成,其中該容器包含一下部分,該出口被耦合至該容器之該下部分。
  11. 如請求項10之總成,其中該出口包含一管,其大致上設置於該容器之外側且沿該容器之一長度之至少部分延伸,該管將該出口耦合至該容器之該下部分。
  12. 如請求項1之總成,其進一步包含至少兩個填料口,用於以前驅物材料填充及/或再填充該容器。
  13. 如請求項1之總成,其中該前驅物材料係三甲基銦。
  14. 如請求項1之總成,其中該至少兩個腔室包含一第一前驅物腔室及一第二前驅物腔室,其各者係經組態以將前驅物材料固持於其中,且其中該第一前驅物腔室之一體積大於該第二前驅物腔室之一體積。
  15. 如請求項1之總成,其中橫跨該至少兩個多孔分配器之該至少一者之該壓力差為該至少兩個多孔分配器之該至少一者上游之該腔室中之平均壓力之大約百分之0.5至大約百分之50。
  16. 如請求項1之總成,其中該至少兩個多孔分配器具有小於25微米之孔大小。
  17. 一種固態前驅物傳送總成,其包括:一容器,其具有上部分及下部分;四個腔室,其經界定於該容器內,包括一入口腔室、一出口腔室及第一及第二前驅物腔室,該等第一及第二 前驅物腔室經組態以將前驅物材料固持於該容器內;三個燒結濾片,其被固定地耦合且密封至該容器之一內部分,該三個燒結濾片界定該容器內之該四個腔室之至少部分,該等燒結濾片中之至少一者經組態以將其上之前驅物材料保持於該第一前驅物腔室內,且該等燒結濾片之至少一者經組態以將其上之前驅物材料保持於該第二前驅物腔室內,該三個燒結濾片各具有小於25微米之孔大小;一入口,其被耦合至該容器之該上部分,以將載氣傳送進入該容器中;及一出口,其被耦合至該容器之該下部分,以用於將包括汽化前驅物材料及載氣之蒸汽產品自該容器移除。
  18. 如請求項17之總成,其中該三個燒結濾片各者係經組態以阻止載氣流經該等燒結濾片,直到橫跨其產生一所需壓力差。
  19. 如請求項18之總成,其中橫跨各該三個燒結濾片之該所需壓力差為緊位於該各別燒結濾片上游之該腔室中之平均壓力之大約百分之0.5至大約百分之50。
  20. 如請求項17之總成,其中該出口包含一管,其大致上被設置於該容器之外側且沿該容器之一長度之至少一部分延伸,該管將該出口耦合至該容器之該下部分。
  21. 如請求項17至18及20中任一項之總成,其中該容器為一金屬容器,且其中該三個燒結濾片中之各者被焊接至該金屬容器之一內部分。
  22. 如請求項17之總成,其中該第一前驅物腔室之一體積大於該第二前驅物腔室之一體積。
  23. 一種在一多腔室固態前驅物傳送總成中以一載氣回收汽化前驅物材料之方法,該方法包括:將載氣傳送至一多腔室固態前驅物傳送總成;將載氣保持於該多腔室固態前驅物傳送總成之一第一前驅物腔室中大致上設置於該第一前驅物腔室內之前驅物材料上方之一頂部空間內,直到橫跨該多腔室固態前驅物傳送總成之一第一燒結濾片存在一所需壓力差,該第一燒結濾片將該第一前驅物腔室與一第二前驅物腔室分離,此時該載氣及由該載氣回收之汽化前驅物材料流經該第一燒結濾片而到達該第二前驅物腔室;將該載氣保持於該多腔室固態前驅物傳送總成之該第二前驅物腔室中大致上設置於該第二前驅物腔室內之前驅物材料上方的頂部空間內,直到橫跨該多腔室固態前驅物傳送總成之一第二燒結濾片存在一所需壓力差,該第二燒結濾片將該第二前驅物腔室與一第三前驅物腔室分離,此時,該載氣及由該載氣回收之汽化前驅物材料流經該第二燒結濾片而到達該第三腔室;及將該載氣及由該載氣回收之汽化前驅物材料自該多腔室固態前驅物傳送總成移除。
  24. 如請求項23之方法,其中該第三腔室為一出口腔室。
  25. 如請求項23之方法,其中:將載氣保持於該第一前驅物腔室中之該頂部空間內包 含將載氣保持於該第一前驅物腔室中之該頂部空間內,直到橫跨該第一燒結濾片之該所需壓力差為該第一前驅物腔室中之平均壓力之大約百分之0.5至大約百分之50;並且將載氣保持於該第二前驅物腔室中之該頂部空間內包含將該載氣保持於該第二前驅物腔室中之該頂部空間內,直到橫跨該第二燒結濾片之該所需壓力差為該第二前驅物腔室中之平均壓力之大約百分之0.5至大約百分之50。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI382987B (zh) 2007-07-24 2013-01-21 Sigma Aldrich Co 應用於化學相沉積製程的有機金屬前驅物
TWI425110B (zh) 2007-07-24 2014-02-01 Sigma Aldrich Co 以化學相沉積法製造含金屬薄膜之方法
TWI467045B (zh) 2008-05-23 2015-01-01 Sigma Aldrich Co 高介電常數電介質薄膜與使用鈰基前驅物製造高介電常數電介質薄膜之方法
JP2012500374A (ja) * 2008-08-18 2012-01-05 シグマ−アルドリッチ・カンパニー、エルエルシー バルブアセンブリ
EP3150614B1 (en) 2009-08-07 2017-11-29 Sigma-Aldrich Co. LLC High molecular weight alkyl-allyl cobalttricarbonyl complexes and use thereof for preparing dielectric thin films
EP2496733B1 (en) 2009-11-02 2021-08-04 Sigma-Aldrich Co. LLC Method for evaporation
JP2012248803A (ja) * 2011-05-31 2012-12-13 Hitachi Cable Ltd 金属塩化物ガスの発生装置および金属塩化物ガスの発生方法、並びに、ハイドライド気相成長装置、窒化物半導体ウエハ、窒化物半導体デバイス、窒化物半導体発光ダイオード用ウエハ、窒化物半導体自立基板の製造方法および窒化物半導体結晶
US8927748B2 (en) 2011-08-12 2015-01-06 Sigma-Aldrich Co. Llc Alkyl-substituted allyl carbonyl metal complexes and use thereof for preparing dielectric thin films
US20130269613A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-17 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for generating and delivering a process gas for processing a substrate
US9598766B2 (en) 2012-05-27 2017-03-21 Air Products And Chemicals, Inc. Vessel with filter
US10392700B2 (en) * 2014-04-21 2019-08-27 Entegris, Inc. Solid vaporizer
US10443128B2 (en) 2015-04-18 2019-10-15 Versum Materials Us, Llc Vessel and method for delivery of precursor materials
US10480070B2 (en) 2016-05-12 2019-11-19 Versum Materials Us, Llc Delivery container with flow distributor
KR102344996B1 (ko) * 2017-08-18 2021-12-30 삼성전자주식회사 전구체 공급 유닛, 기판 처리 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법
US10895347B2 (en) * 2017-10-20 2021-01-19 Entegris, Inc. Heat transfer to ampoule trays
JP6887688B2 (ja) * 2019-02-07 2021-06-16 株式会社高純度化学研究所 蒸発原料用容器、及びその蒸発原料用容器を用いた固体気化供給システム
JP6901153B2 (ja) 2019-02-07 2021-07-14 株式会社高純度化学研究所 薄膜形成用金属ハロゲン化合物の固体気化供給システム。
US11834740B2 (en) * 2020-11-10 2023-12-05 Applied Materials, Inc. Apparatus, system, and method for generating gas for use in a process chamber
FI130131B (en) * 2021-09-07 2023-03-09 Picosun Oy Precursor container

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02172889A (ja) * 1988-12-26 1990-07-04 Nippon Mining Co Ltd 気相成長用シリンダー
US4947790A (en) * 1988-01-16 1990-08-14 U.S. Philips Corporation Arrangement for producing a gas flow which is enriched with the vapor of a low-volatile substance
US20050072357A1 (en) * 2002-07-30 2005-04-07 Shero Eric J. Sublimation bed employing carrier gas guidance structures
US20080014350A1 (en) * 2006-04-11 2008-01-17 Carlson David K Apparatus and Methods for Chemical Vapor Deposition
US20090159003A1 (en) * 2006-05-30 2009-06-25 Ube Industries Ltd Device for supplying organic metal compound

Family Cites Families (166)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1541853A (en) 1919-06-09 1925-06-16 Westinghouse Electric & Mfg Co Absorption bulb
US1372328A (en) 1920-03-29 1921-03-22 Adams Fred Dispensing container or bottle
US2076262A (en) 1933-04-12 1937-04-06 Howe Fiaber H Apparatus for cleaning receptacles
US2032095A (en) 1935-04-08 1936-02-25 Eugene A O'leary Apparatus for dispensing liquids
US2070517A (en) 1936-03-25 1937-02-09 Arthur E O Leary Apparatus for dispensing liquids
US2504009A (en) 1946-07-27 1950-04-11 Phillips De Agitating and dispensing unit
US2738762A (en) 1951-10-08 1956-03-20 Ohio Commw Eng Co Apparatus for the deposition of nonconductive copper coatings from vapor phase
US3230245A (en) 1961-08-31 1966-01-18 Standard Oil Co Recovery of alkyl borate from methanol-alkyl borate mixtures
FR1458099A (fr) 1965-01-08 1966-03-04 Perfectionnements aux dispositifs doseurs
US3338761A (en) 1965-03-31 1967-08-29 Texas Instruments Inc Method and apparatus for making compound materials
GB1277025A (en) 1968-09-23 1972-06-07 British Insulated Callenders Improvements in or relating to apparatus for applying powder to an elongate article
US3628339A (en) 1970-01-27 1971-12-21 Beckman Instruments Inc Fluid sample stream conditioning
US3756068A (en) 1971-04-30 1973-09-04 Us Army Carbon dioxide concentration sensor
US3831069A (en) 1972-11-03 1974-08-20 Robertshaw Controls Co Miniature capacitance level detector
US3935740A (en) 1974-06-20 1976-02-03 Sybron Corporation Liquid level probe
US3884819A (en) 1974-08-19 1975-05-20 Ozone Inc Gas cooling and drying system for corona discharge ozone generating unit
US4010650A (en) 1974-12-26 1977-03-08 Ford Motor Company Apparatus for generating an electrical signal indicative of liquid level
US4298037A (en) 1976-12-02 1981-11-03 J. C. Schumacher Co. Method of shipping and using semiconductor liquid source materials
US4099939A (en) 1977-07-20 1978-07-11 Mine Safety Appliances Company Spill-proof gas sampler
US4140735A (en) 1977-08-15 1979-02-20 J. C. Schumacher Co. Process and apparatus for bubbling gas through a high purity liquid
US4325911A (en) 1978-01-23 1982-04-20 International Telephone And Telegraph Corporation Stack gas analyzer and thermal oxidation device therefor
US4211748A (en) 1978-01-23 1980-07-08 International Telephone And Telegraph Corporation Stack gas analyzer and thermal oxidation device therefor
WO1980000010A1 (en) 1978-06-05 1980-01-10 R Schlenker Method for separating isotopes
US4191541A (en) 1978-08-14 1980-03-04 Container Corporation Of America Method and apparatus for gas sample analysis
US4293009A (en) 1978-09-12 1981-10-06 Fulton Hugh C Pressurized gas filling head
US4224828A (en) 1978-12-04 1980-09-30 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Non-spill gas-liquid contact unit
DE3029352C2 (de) 1980-08-01 1982-12-23 Endress U. Hauser Gmbh U. Co, 7867 Maulburg Kapazitive Füllstandsmeßanordnung mit einer stabförmigen Sonde für die Messung des Füllstandes in einem Behälter
US4448072A (en) 1982-02-03 1984-05-15 Tward 2001 Limited Fluid level measuring system
SU1126315A1 (ru) 1983-05-20 1984-11-30 Гродненское Ордена Дружбы Народов Производственное Объединение "Азот" Им.С.О.Притыцкого Барботер дл реакционных аппаратов
JPS6070176A (ja) * 1983-09-27 1985-04-20 Fujitsu Ltd 固体ソ−ス蒸発ボンベ
JPS6070176U (ja) 1983-10-19 1985-05-17 ワイケイケイ株式会社 障子戸の外れ止め装置
JPS60131973U (ja) 1984-02-14 1985-09-03 古河電気工業株式会社 多心丸形ケ−ブルのフラツト端末部
FR2569207B1 (fr) 1984-08-14 1986-11-14 Mellet Robert Procede et dispositif d'obtention d'un courant gazeux contenant un compose a l'etat de vapeur, utilisable notamment pour introduire ce compose dans un reacteur d'epitaxie
US4645524A (en) 1985-04-22 1987-02-24 Corning Glass Works Method for making sodium-containing glass
DE3520795A1 (de) 1985-06-11 1986-12-11 Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt Ventil fuer chemikalienbehaelter
US4859375A (en) 1986-12-29 1989-08-22 Air Products And Chemicals, Inc. Chemical refill system
US4919304A (en) 1985-08-01 1990-04-24 American Cyanamid Company Bubbler cylinder device
US4966207A (en) 1986-12-29 1990-10-30 Air Products And Chemicals, Inc. Disposable chemical container
DE3702923A1 (de) 1987-01-31 1988-08-11 Philips Patentverwaltung Vorrichtung zum anreichern eines traegergases mit dem dampf eines wenig fluechtigen stoffes
US4738693A (en) 1987-04-27 1988-04-19 Advanced Technology Materials, Inc. Valve block and container for semiconductor source reagent dispensing and/or purification
US5031068A (en) 1987-11-06 1991-07-09 Hansen Technologies Corporation Liquid level control system for refrigeration apparatus
US4809129A (en) 1987-11-06 1989-02-28 Hansen Technologies Corporation Liquid level control system for refrigeration apparatus
JPH01168331A (ja) 1987-12-24 1989-07-03 Mitsui Toatsu Chem Inc 有機金属化合物の飽和方法
US4886178A (en) 1988-04-27 1989-12-12 Air Products And Chemicals, Inc. Method and apparatus for packaging, shipping and using poisonous liquids
JPH0269389A (ja) 1988-08-31 1990-03-08 Toyo Stauffer Chem Co 有機金属気相成長法における固体有機金属化合物の飽和蒸気生成方法
DE3900069A1 (de) 1989-01-03 1990-07-05 Metallgesellschaft Ag Verfahren zur gewinnung von elementarem schwefel aus elementaren schwefel enthaltendem material
US4915880A (en) 1989-05-22 1990-04-10 Advanced Delivery & Chemical Systems Incorporated Container for a bubbler
SU1669524A1 (ru) 1989-07-24 1991-08-15 Ярославский политехнический институт Смеситель барботажного типа
ATE139580T1 (de) 1989-09-26 1996-07-15 Canon Kk Gasversorgungsvorrichtung und ihre verwendung für eine filmabscheidungsanlage
JPH03131018A (ja) 1989-10-17 1991-06-04 Victor Co Of Japan Ltd 固体有機金属材料供給方法及び供給用容器
JPH0692558A (ja) 1990-09-28 1994-04-05 Otis Elevator Co 発進時の揺れ及び過剰加速を低減するエレベータの発進制御装置
US5078922A (en) 1990-10-22 1992-01-07 Watkins-Johnson Company Liquid source bubbler
US5262130A (en) 1990-12-07 1993-11-16 Baker Hughes Inc. Fixed bed chemical reactor
US5693017A (en) 1991-02-14 1997-12-02 Wayne State University Apparatus and method of delivery of gas-supersaturated solutions to a delivery site
JP3075295B2 (ja) 1991-04-19 2000-08-14 オリンパス光学工業株式会社 内視鏡
US5199603A (en) 1991-11-26 1993-04-06 Prescott Norman F Delivery system for organometallic compounds
US5217904A (en) 1992-01-10 1993-06-08 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Department Of Commerce Apparatus and method for evaporative concentration of a liquid sample
US5235112A (en) 1992-05-29 1993-08-10 Exxon Chemical Patents Inc. Stripper-reactor for volatile cobalt recovery
RU2045999C1 (ru) 1992-07-03 1995-10-20 Северо-Кавказский горно-металлургический институт Ротационный барботер
JPH0670176A (ja) * 1992-08-20 1994-03-11 Canon Inc 符号化方法および符号装置
JP2000252269A (ja) 1992-09-21 2000-09-14 Mitsubishi Electric Corp 液体気化装置及び液体気化方法
AU668538B2 (en) 1993-01-25 1996-05-09 Kirin Beer Kabushiki Kaisha Dispenser head for soft drink and cleaning device for soft drink pouring system
US6029717A (en) 1993-04-28 2000-02-29 Advanced Delivery & Chemical Systems, Ltd. High aspect ratio containers for ultrahigh purity chemicals
US5964254A (en) 1997-07-11 1999-10-12 Advanced Delivery & Chemical Systems, Ltd. Delivery system and manifold
US5878793A (en) 1993-04-28 1999-03-09 Siegele; Stephen H. Refillable ampule and method re same
US5397467A (en) 1993-08-12 1995-03-14 Kontes Glass Company Liquid chromatography system and reservoir cap for use therein
US5481197A (en) 1993-09-17 1996-01-02 Penberthy, Inc. High pressure, leak resistant explosionproof capacitance probe
JPH07211646A (ja) 1994-01-14 1995-08-11 Mitsubishi Electric Corp 材料供給装置
US5773621A (en) 1994-06-13 1998-06-30 Chiyoda Corporation Gas dispersion pipe for gas-liquid contact, and device for gas-liquid contact making use thereof
JP2996101B2 (ja) 1994-08-05 1999-12-27 信越半導体株式会社 液体原料ガスの供給方法および装置
KR960010901A (ko) 1994-09-30 1996-04-20 김광호 고체 유기화합물 전용 버블러 장치
SE505324C2 (sv) 1994-11-14 1997-08-04 Gems Pet Systems Ab Framställning av 11C-metyljodid
JPH0940489A (ja) 1995-03-30 1997-02-10 Pioneer Electron Corp Mocvdの固体原料供給方法及び供給装置
US5653813A (en) 1995-04-03 1997-08-05 Novellus Systems, Inc. Cyclone evaporator
JPH08279497A (ja) * 1995-04-07 1996-10-22 Hitachi Ltd 半導体製造装置および半導体装置
US5553395A (en) 1995-05-31 1996-09-10 Hughes Aircraft Company Bubbler for solid metal organic source material and method of producing saturated carrying gas
MY112219A (en) 1995-07-27 2001-04-30 Toshiba Kk Cathode ray tube and manufacturing method therefor
US5701084A (en) 1995-09-22 1997-12-23 Magnetrol International, Inc. Insulated capacitance probe
US5607581A (en) 1995-10-31 1997-03-04 Systec, Inc. Debubbling and priming system for chromotography
US5749500A (en) 1996-04-23 1998-05-12 Kraus; Joey Liquid retrieving adaptor for cylindrical containers
US5806573A (en) 1996-08-13 1998-09-15 Argonaut Technologies Incorporated Closure device and method for venting, cannulating and pressurizing a vessel
US5835678A (en) 1996-10-03 1998-11-10 Emcore Corporation Liquid vaporizer system and method
JPH10135315A (ja) 1996-10-29 1998-05-22 Tokyo Electron Ltd 試料載置台の温度制御装置及び検査装置
DE69738136T2 (de) 1996-12-17 2008-06-12 Advanced Technology Materials, Inc., Danbury Reagenzzuführbehälter für cvd
US6148681A (en) 1997-01-06 2000-11-21 Rosemount Inc. Level probe with modular connection
JPH10223540A (ja) 1997-02-03 1998-08-21 Sony Corp 有機金属気相成長装置
JPH1172426A (ja) 1997-08-29 1999-03-16 Kett Electric Lab 試料を加熱により気化させる加熱装置
US6078729A (en) 1997-10-21 2000-06-20 National Environmental Products Ltd., Inc. Foam, drain and fill control system for humidifier
US6053984A (en) 1997-11-17 2000-04-25 Petvai; Steve I. Method and apparatus for decomposition of silicon oxide layers for impurity analysis of silicon wafers
US5992830A (en) 1997-12-15 1999-11-30 Olin Corporation High pressure quartz glass bubbler
US6039809A (en) 1998-01-27 2000-03-21 Mitsubishi Materials Silicon Corporation Method and apparatus for feeding a gas for epitaxial growth
DE19803740C2 (de) 1998-01-30 2001-05-31 Mtu Aero Engines Gmbh Gasphasenbeschichtungsverfahren und Vorrichtung zur Gasphasenbeschichtung von Werkstücken
US6101816A (en) 1998-04-28 2000-08-15 Advanced Technology Materials, Inc. Fluid storage and dispensing system
GB9816720D0 (en) 1998-08-01 1998-09-30 Pilkington Plc Process for coating glass
US5996653A (en) 1998-10-08 1999-12-07 Eastman Kodak Company Valve assembly and apparatus
JP2000128181A (ja) 1998-10-26 2000-05-09 Applied Materials Inc 液体貯蔵容器および液体残量検知方法
IL133102A0 (en) 1998-11-30 2001-03-19 Air Prod & Chem Ultrasonic level sense in a chemical refill system
US6257446B1 (en) 1999-02-18 2001-07-10 Advanced Micro Devices, Inc. Liquid chemical container with integrated fluid reservoir
US7423750B2 (en) 2001-11-29 2008-09-09 Applera Corporation Configurations, systems, and methods for optical scanning with at least one first relative angular motion and at least one second angular motion or at least one linear motion
US6444038B1 (en) 1999-12-27 2002-09-03 Morton International, Inc. Dual fritted bubbler
JP3909792B2 (ja) 1999-08-20 2007-04-25 パイオニア株式会社 化学気相成長法における原料供給装置及び原料供給方法
WO2001029491A1 (en) 1999-10-16 2001-04-26 Molinar Limited Improvements in and relating to heat transfer systems and novel applications for such systems
GB9929279D0 (en) 1999-12-11 2000-02-02 Epichem Ltd An improved method of and apparatus for the delivery of precursors in the vapour phase to a plurality of epitaxial reactor sites
US6599484B1 (en) 2000-05-12 2003-07-29 Cti, Inc. Apparatus for processing radionuclides
DE60106675T2 (de) 2000-05-31 2005-12-01 Shipley Co., L.L.C., Marlborough Verdampfer
GB0017968D0 (en) 2000-07-22 2000-09-13 Epichem Ltd An improved process and apparatus for the isolation of pure,or substantially pure,organometallic compounds
WO2002012780A1 (en) 2000-08-04 2002-02-14 Arch Specialty Chemicals, Inc. Automatic refill system for ultra pure or contamination sensitive chemicals
US6341615B1 (en) 2000-09-13 2002-01-29 Air Products And Chemicals, Inc. Self-cleaning vacuum purge system
DE10048759A1 (de) 2000-09-29 2002-04-11 Aixtron Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere organischer Schichten im Wege der OVPD
US6428847B1 (en) 2000-10-16 2002-08-06 Primaxx, Inc. Vortex based CVD reactor
US6401463B1 (en) 2000-11-29 2002-06-11 Marconi Communications, Inc. Cooling and heating system for an equipment enclosure using a vortex tube
US6637212B2 (en) 2001-04-27 2003-10-28 Matheson Tri-Gas Method and apparatus for the delivery of liquefied gases having constant impurity levels
US6718126B2 (en) 2001-09-14 2004-04-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for vaporizing solid precursor for CVD or atomic layer deposition
TW200300701A (en) 2001-11-30 2003-06-16 Asml Us Inc High flow rate bubbler system and method
JP2003166700A (ja) 2001-11-30 2003-06-13 Nippon Sanso Corp 減圧機能付き容器弁
US6986814B2 (en) 2001-12-20 2006-01-17 General Electric Company Gas distributor for vapor coating method and container
JP2003273093A (ja) 2002-03-12 2003-09-26 Canon Inc 固体有機金属の供給方法及びその供給装置
AU2003228514A1 (en) 2002-04-11 2003-10-27 Sequenom, Inc. Methods and devices for performing chemical reactions on a solid support
US7601225B2 (en) 2002-06-17 2009-10-13 Asm International N.V. System for controlling the sublimation of reactants
KR20040000689A (ko) 2002-06-25 2004-01-07 삼성전자주식회사 화학기상 증착공정의 원료물질 공급장치
CN100346142C (zh) 2002-07-17 2007-10-31 埃普切公司 用于监测容器内液体液位的方法和装置
GB0216502D0 (en) 2002-07-17 2002-08-28 Epichem Ltd A method and apparatus for monitoring liquid levels within a vessel
US7186385B2 (en) 2002-07-17 2007-03-06 Applied Materials, Inc. Apparatus for providing gas to a processing chamber
US7077388B2 (en) 2002-07-19 2006-07-18 Asm America, Inc. Bubbler for substrate processing
US6921062B2 (en) 2002-07-23 2005-07-26 Advanced Technology Materials, Inc. Vaporizer delivery ampoule
US7300038B2 (en) 2002-07-23 2007-11-27 Advanced Technology Materials, Inc. Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material
KR101120150B1 (ko) 2003-03-17 2012-03-23 시그마-알드리치컴퍼니 금속 옥사이드층 또는 금속 옥사이드 필름 증착용 전구체
KR100506689B1 (ko) 2003-07-04 2005-08-08 화 현 손 자동절환밸브장치
US7547363B2 (en) 2003-07-08 2009-06-16 Tosoh Finechem Corporation Solid organometallic compound-filled container and filling method thereof
JP4571787B2 (ja) 2003-07-08 2010-10-27 東ソー・ファインケム株式会社 固体有機金属化合物用充填容器およびその充填方法
US7261118B2 (en) 2003-08-19 2007-08-28 Air Products And Chemicals, Inc. Method and vessel for the delivery of precursor materials
US7156380B2 (en) 2003-09-29 2007-01-02 Asm International, N.V. Safe liquid source containers
JP4167204B2 (ja) 2004-01-07 2008-10-15 シーケーディ株式会社 流体継手及び継手一体型集積ユニット
EP1566464B1 (de) 2004-02-20 2011-04-13 Cs Clean Systems Ag Vorrichtung und Verfahren zum Nachfüllen eines Blasenverdampfers
US20050227358A1 (en) 2004-04-01 2005-10-13 Mcentee John F Methods of determining a quality of an array substrate
RU2274483C2 (ru) 2004-05-17 2006-04-20 Открытое акционерное общество "НПО "Промавтоматика" Способ определения удельного уноса абсорбента при осушке природного или попутного газа и устройство для его автоматического осуществления
RU2384652C2 (ru) 2004-05-20 2010-03-20 Акцо Нобель Н.В. Барботер для постоянной доставки пара твердого химиката
DE202004010834U1 (de) 2004-06-18 2004-09-23 Dockweiler Ag Vorrichtung zur Temperierung eines Gutes in einer zylindrischen Kammer
US7458222B2 (en) 2004-07-12 2008-12-02 Purity Solutions Llc Heat exchanger apparatus for a recirculation loop and related methods and systems
US20060037540A1 (en) 2004-08-20 2006-02-23 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Delivery system
WO2006031905A1 (en) 2004-09-14 2006-03-23 Midwest Instrument Company, Inc. Molten metal gas sampling
FR2878453B1 (fr) 2004-11-30 2007-03-16 Centre Nat Rech Scient Cnrse Dispositif de fourniture de vapeurs d'un precurseur solide a un appareil de traitement
US7722720B2 (en) 2004-12-08 2010-05-25 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Delivery device
WO2006101767A2 (en) 2005-03-16 2006-09-28 Advanced Technology Materials, Inc. System for delivery of reagents from solid sources thereof
WO2006099619A2 (en) 2005-03-17 2006-09-21 Noah Precision, Llc Temperature control unit for bubblers
JP4790010B2 (ja) 2005-03-28 2011-10-12 シグマ−アルドリッチ・カンパニー、エルエルシー 容器から物質を取り出すためのバルブ
US7811532B2 (en) 2005-04-18 2010-10-12 Air Products And Chemicals, Inc. Dual-flow valve and internal processing vessel isolation system
JP2007021528A (ja) 2005-07-15 2007-02-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd レーザ加工装置およびその調整方法
US7464917B2 (en) * 2005-10-07 2008-12-16 Appiled Materials, Inc. Ampoule splash guard apparatus
GB2432371B (en) 2005-11-17 2011-06-15 Epichem Ltd Improved bubbler for the transportation of substances by a carrier gas
EP1860208B1 (en) 2006-05-22 2014-10-15 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Film deposition method
US20080038163A1 (en) 2006-06-23 2008-02-14 Applera Corporation Systems and Methods for Cooling in Biological Analysis Instruments
US9109287B2 (en) 2006-10-19 2015-08-18 Air Products And Chemicals, Inc. Solid source container with inlet plenum
US8708320B2 (en) 2006-12-15 2014-04-29 Air Products And Chemicals, Inc. Splashguard and inlet diffuser for high vacuum, high flow bubbler vessel
WO2008091694A2 (en) 2007-01-23 2008-07-31 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. Fully-automated microfluidic system for the synthesis of radiolabeled biomarkers for positron emission tomography
JP4912984B2 (ja) 2007-08-27 2012-04-11 株式会社大都製作所 紙幣搬送路の接続ユニット
EP2201149B1 (en) 2007-09-14 2013-03-13 Sigma-Aldrich Co. Methods of preparing titanium containing thin films by atomic layer deposition using monocyclopentadienyl titanium-based precursors
US20090120364A1 (en) 2007-11-09 2009-05-14 Applied Materials, Inc. Gas mixing swirl insert assembly
US8820095B2 (en) 2007-12-21 2014-09-02 Finisar Corporation Vortex-based temperature control system and method
US8343583B2 (en) * 2008-07-10 2013-01-01 Asm International N.V. Method for vaporizing non-gaseous precursor in a fluidized bed
JP2012500374A (ja) 2008-08-18 2012-01-05 シグマ−アルドリッチ・カンパニー、エルエルシー バルブアセンブリ
US8235364B2 (en) 2008-11-11 2012-08-07 Praxair Technology, Inc. Reagent dispensing apparatuses and delivery methods
JP4612105B2 (ja) 2009-10-29 2011-01-12 矢崎総業株式会社 復帰安全確認方法および電子式ガスメータ
EP2496733B1 (en) 2009-11-02 2021-08-04 Sigma-Aldrich Co. LLC Method for evaporation
WO2011097100A1 (en) 2010-02-02 2011-08-11 Sigma-Aldrich Co. Vapor product delivery assemblies and related methods
WO2011112413A1 (en) 2010-03-10 2011-09-15 Sigma-Aldrich Co. Delivery assemblies and related methods

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4947790A (en) * 1988-01-16 1990-08-14 U.S. Philips Corporation Arrangement for producing a gas flow which is enriched with the vapor of a low-volatile substance
JPH02172889A (ja) * 1988-12-26 1990-07-04 Nippon Mining Co Ltd 気相成長用シリンダー
US20050072357A1 (en) * 2002-07-30 2005-04-07 Shero Eric J. Sublimation bed employing carrier gas guidance structures
US20080014350A1 (en) * 2006-04-11 2008-01-17 Carlson David K Apparatus and Methods for Chemical Vapor Deposition
US20090159003A1 (en) * 2006-05-30 2009-06-25 Ube Industries Ltd Device for supplying organic metal compound

Also Published As

Publication number Publication date
US20120266967A1 (en) 2012-10-25
KR101765734B1 (ko) 2017-08-07
WO2011053505A1 (en) 2011-05-05
EP2496733A1 (en) 2012-09-12
CN102597310B (zh) 2015-02-04
CN102597310A (zh) 2012-07-18
EP2496733B1 (en) 2021-08-04
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US9297071B2 (en) 2016-03-29
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EP3922751A1 (en) 2021-12-15
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KR20120094004A (ko) 2012-08-23

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