CN104411865B - Ald覆层设备 - Google Patents

Ald覆层设备 Download PDF

Info

Publication number
CN104411865B
CN104411865B CN201380032656.5A CN201380032656A CN104411865B CN 104411865 B CN104411865 B CN 104411865B CN 201380032656 A CN201380032656 A CN 201380032656A CN 104411865 B CN104411865 B CN 104411865B
Authority
CN
China
Prior art keywords
way valve
metal
original material
organic
pressure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201380032656.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104411865A (zh
Inventor
迈克尔·波普
马克·菲利彭斯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to CN201610806062.0A priority Critical patent/CN106399969A/zh
Publication of CN104411865A publication Critical patent/CN104411865A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104411865B publication Critical patent/CN104411865B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4485Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation without using carrier gas in contact with the source material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525Atomic layer deposition [ALD]
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45587Mechanical means for changing the gas flow
    • C23C16/45589Movable means, e.g. fans
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52Controlling or regulating the coating process
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612Formation types
    • H01L21/02617Deposition types
    • H01L21/0262Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Filling Or Discharging Of Gas Storage Vessels (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

提出一种ALD覆层设备。ALD覆层设备(100)具有:用于金属有机的初始材料(6)的储存容器(1);和包括调节阀(3)、压力表(4)、压力隔板(5)和第一多通阀(10)的装置(2),其中装置(2)设置在储存容器(1)的下游,并且第一多通阀(10)能够在处理室(7)和收集室(8)之间切换。

Description

ALD覆层设备
技术领域
提出一种ALD覆层设备和一种用于运行ALD覆层设备的方法。
发明内容
待实现的目的在于,提出一种用于尤其用成本有效和节省材料的半导体材料对衬底覆层的ALD覆层设备。另一待实现的目的在于,提出通过一种装置用金属有机的初始材料稳定地并且持久地供给处理室。
根据ALD覆层设备的至少一个实施方式,ALD覆层设备包括用于金属有机的初始材料的储存容器。
将也称作为前体的“金属有机的初始材料”在本文中理解成能反应的物质,所述物质能够以液相、固相和/或气相存在并且尤其不与自身或自身的配合基反应。此外,金属有机的初始材料的裂解是可能的,使得能够形成裂解产物或分解产物。换言之,金属有机的初始材料经受自限的反应。金属有机的初始材料安置在储存容器中。例如,金属有机的初始材料在储存容器中以液相、固相和/或气相存在。储存容器是压力稳定的并且包括尤其能够具有高的导热能力的材料。
根据ALD覆层设备的至少一个实施方式,ALD覆层设备具有包括调节阀、压力表、压力隔板和第一多通阀的装置。调节阀、压力表、压力隔板和第一多通阀依次彼此以成行、串联和/或以线性布置的方式经由管路彼此连接。
在本文中将“管路”理解为构成为用于运输金属有机的初始材料的管或管道,所述管或管道能够将ALD覆层设备的各个组成部分、组件和/或元件彼此连接。在此所描述的管路的横截面在此能够具有圆形的、有角的或其他均匀的或不均匀的几何形状。在本文中将“横截面”理解为管路的垂直于或横向于金属有机的初始材料的流动方向构成的横向扩展。管路尤其具有1/4寸至2寸的直径并且能够直线地、弯曲地和/或成角度地构成,其中能够恒定地放大和/或缩小横截面。
借助调节阀例如能够控制将气相的金属有机的材料从储存容器中输送到装置中。也就是说,借助调节阀能够增多或减少尤其能够穿过、流过和/或经过装置的金属有机的初始材料的数量。调节阀的工作原理通过压力表来确定。
压力表设置在调节阀和压力隔板之间并且在ALD覆层设备运行时测量金属有机的初始材料的尤其能够在储存容器和压力隔板之间建立的工作压力。
将“金属有机的初始材料的工作压力”尤其理解为金属有机的初始材料的能够在ALD覆层设备运行期间构成的蒸汽压力。
压力隔板例如能够构成为圆盘,所述圆盘具有设置在圆盘之内的一个或多个开口,其中所有开口的总和构成比压力表和第一多通阀之间的管路的横截面小的面。例如,所有开口的总和比管路的横截面小25%以上。压力隔板的开口能够构成为圆形的和/或有角的。
调节阀、压力表、压力隔板和第一多通阀分别满足装置中的功能并且至少部分地在其工作原理方面彼此相关。例如,调节阀借助压力表来控制,或第一多通阀在工作时根据金属有机的初始材料的工作压力的过程步骤(Prozessschritt)或数值在两个管路之间切换,压力表测量、确定和/或探测所述工作压力。
根据至少一个实施方式,装置设置在储存容器的下游。换言之,在储存容器和装置之间构成管路,其中将金属有机的初始材料从储存容器开始朝向装置的方向引导。在储存容器和装置之间的管路尤其能够连续地构成。在本文中将“连续地”理解为,在没有中断的情况下在管路中构成另一管路和/或例如呈多通阀的形式的连接件。通过在下游连接装置,尤其在ALD覆层设备运行期间可能的是,控制金属有机的初始材料在从储存容器离开之后的工作压力。
根据至少一个实施方式,第一多通阀能够在处理室和收集室之间切换。第一多通阀在ALD覆层设备运行期间始终打开并且将金属有机的初始材料引导到处理室或收集室中。换言之,尤其在ALD覆层设备运行时,金属有机的初始材料的传送与金属有机的初始材料的工作压力相关,所述工作压力通过压力表来确定、测量和/或探测。
根据ALD覆层设备的至少一个实施方式,第一多通阀交替地快速地切换到处理室和收集室中,使得在通过装置进行压力调节时不可见压力波动。由此,近似连续地或连续地通过装置进行压力调节。
根据ALD覆层设备的至少一个实施方式,ALD覆层设备包括:用于金属有机的初始材料的储存容器;和包括调节阀、压力表、压力隔板和第一多通阀的装置,其中装置尤其在材料流的方向上设置在储存容器的下游,并且第一多通阀能够在处理室和收集室之间切换。
借助于用于原子层沉积(ALD:“atomic layer deposition”)的ALD覆层设备能够制造非常薄的功能层,例如层厚度为0.1至其中上述层厚度尤其能够对应于原子层的层厚度。
在此,将术语“原子层沉积”理解为制造层,其中为此所必需的金属有机的初始材料并非同时地、而是交替地依次输送给处理室、覆层室和/或具有待覆层的衬底的反应器。在此,金属有机的初始材料能够交替地积聚在待覆层的衬底的表面上或者积聚在之前沉淀的初始材料上进而成为化合物。由此可能的是,对于每个重复循环,即对于在依次的子步骤中一次性地输送所有必需的金属有机的初始材料,分别最多生长待施加的层的一个单层,使得通过循环的数量能够良好地控制层厚度。
此外,在此所描述的ALD覆层设备具有下述优点:通过首先输送的金属有机的初始材料仅积聚在待覆层的表面上并且之后输送的第二初始材料才与第一初始材料进行反应,非常一致的层生长是可能的,通过所述层生长也能够以大的纵横比均匀地覆盖表面。
金属有机的初始材料安置在温度稳定的储存容器中,以便将其在需要时输送给处理室。根据储存容器中的温度,金属有机的初始材料也部分地以气相的方式位于以液态形式和/或固态形式存在的金属有机的初始材料之上。储存容器安置在具有尽可能大的热容量的恒温池中,以便将储存容器中的初始材料的温度保持为尽可能恒定。温度稳定的储存容器具有至少一个管路,通过所述管路将气态的初始材料通过以脉冲的、冲击的和/或循环的方式打开多通阀而输送给气流,所述气流将材料带到覆层室。根据通过金属有机的初始材料的温度进而至少按照原理通过恒温池的温度来确定的蒸汽压力,一定量的初始材料到达到气流中。
由于以脉冲的方式从储存容器中提取金属有机的初始材料,与提取持续时间和频率以及储存容器的几何形状的条件相关地,在保留在储存容器中的金属有机的初始材料之内出现温度波动。温度恢复通常仅能够部分地实现,因为从恒温池到储存容器中的金属有机的初始材料的温度传递仅非常慢地或者缓慢地进行。由此,在经过多个覆层循环时,在储存容器中出现金属有机的初始材料的非限定的冷却。换言之,尤其能够在储存容器之内测量到温度梯度。
储存容器中的金属有机的初始材料的与覆层循环的长度和频率以及与储存容器的大小相关的非限定的冷却能够造成待施加的层的不均匀的层厚度分布,由此待施加的层的质量在ALD覆层设备的制造公差的范围内受到损害。
在该方面,至今仅测量和调节温度,其中金属有机的初始材料的蒸汽压力的稳定间接地经由恒温池实现,然而这由于缓慢的热传递引起所提到的在储存容器中的温度波动和梯度。储存容器的大小缩放的问题迄今看来是不可解决的。
为了提出一种尽管在储存容器中可能存在温度梯度、但是金属有机的初始材料的输送仍具有恒定的或者稳定的材料流的ALD覆层设备,在此所描述的ALD覆层设备利用下述思想:在储存容器的下游尤其连接在上文中描述的装置,使得在运行时从金属有机的初始材料的所需要的工作压力起才将金属有机的初始材料引导到处理室中。工作压力尤其在ALD覆层设备运行时通过装置在时间上保持恒定。
在本文中将“在时间上恒定”理解为:通过装置在测量公差的范围内将工作压力稳定地、一致地和/或无波动地保持在工作压力的中间值周围。压力差能够在1至2%之间、尤其以小于1%或以小于1‰偏离需要的和/或或适合的工作压力或者工作压力的中间值。
如果用于处理室的处理或原子层沉积的执行的工作压力发生改变,那么金属有机的初始材料尤其通过第一多通阀引导到收集室中。因此,输送到收集室中,直至金属有机的初始材料的通过装置在时间上保持恒定的工作压力再次适应于在装置中执行原子层沉积。
根据ALD覆层设备的至少一个实施方式,压力表借助调节阀来调节金属有机的初始材料在储存容器和压力隔板之间的在时间上恒定的工作压力。也就是说,压力表根据金属有机的初始材料的在时间上恒定的工作压力来控制调节阀,其中压力表测量金属有机的初始材料在储存容器和压力隔板之间的在时间上恒定的工作压力。换言之,为对金属有机的初始材料的工作压力进行动态的压力调节,所述工作压力能够在储存容器和压力隔板之间测量。压力表尤其沿材料流的方向设置在调节阀的下游。
如果压力表测量出金属有机的初始材料的不足以将其经由第一多通阀引导到处理室中的工作压力,那么经由调节阀增强地将金属有机的初始材料朝向压力隔板的方向输送。如果压力表测量出金属有机的初始材料的适合于处理室的处理的工作压力,那么抑制和/或减少金属有机的初始材料的输送。
压力隔板设置在压力表和第一多通阀之间。借助压力隔板,尤其地,出现管路横截面或管路直径的缩小,并且金属有机的初始材料的工作压力在压力隔板之前升高。通过压力隔板,在装置之内尤其能够通过压力表测量金属有机的初始材料的工作压力的升高。换言之,通过压力隔板,能够通过下述方式保证恒定的工作压力:尤其地,储存容器中的工作压力的波动通过压力隔板拦住、补偿和/或平衡。也就是说,在ALD覆层设备运行时,不能低于在压力隔板之后构成的最小压力。
根据ALD覆层设备的至少一个实施方式,在压力表和压力隔板之间出现金属有机的材料的时间上恒定的工作压力,所述工作压力大于金属有机的初始材料在储存容器中的工作压力。由于管路的横截面通过压力隔板缩小,金属有机的初始材料的工作压力直接在压力隔板的上游建立。工作压力优选在ALD覆层设备运行期间通过装置在时间上保持恒定。金属有机的初始材料的在此得出的在时间上恒定的工作压力大于金属有机的初始材料在储存容器中的工作压力。金属有机的初始材料在压力隔板之前的在时间上恒定的工作压力尤其能够通过装置的调节阀和压力表来保证。如果金属有机的初始材料在压力隔板之前的在时间上恒定的工作压力发生改变,那么经由压力表控制调节阀,使得更多地将金属有机的初始材料从储存容器引导到装置中。
根据ALD覆层设备的至少一个实施方式,当在压力表和压力隔板之间存在金属有机的初始材料的在时间上恒定的工作压力时,第一多通阀切换到处理室中,并且当金属有机的初始材料的工作压力偏离在时间上恒定的工作压力时,第一多通阀切换到收集室中。即第一多通阀在ALD覆层设备运行期间打开并且根据金属有机的初始材料的工作压力将金属有机的初始材料引导到处理室或收集室中。第一多通阀在处理室和收集室之间的切换不影响金属有机的初始材料的能够在压力表和压力隔板之间构成的在时间上恒定的工作压力。换言之,金属有机的初始材料的传导率(Leitwert)不通过切换第一多通阀而发生改变、尤其是减少。在本文中将“传导率”理解为管路阻力的倒数值。
根据ALD覆层设备的至少一个实施方式,收集室与ALD覆层设备的管路相比具有5倍至10倍的直径扩张,所述管路尤其能够具有1/4寸至2寸的直径。通过上述直径扩张,在将金属有机的初始材料输送到收集室中时尤其不影响在压力隔板和第一多通阀之间的在时间上恒定的工作压力。
根据ALD覆层设备的至少一个实施方式,在储存容器和装置之间设置有第二多通阀并且在设备和收集室之间设置有第三多通阀。也就是说,在储存容器和装置之间的以及在装置和收集室之间的管路分别具有多通阀。第二和第三多通阀安装在管路中,使得尤其不可能出现金属有机的初始材料的工作压力的压力下降。第二多通阀尤其能够将金属有机的初始材料引导到装置中或引导到至少一个其他的管路中。第三多通阀尤其能够将金属有机的初始材料从装置引导到收集室中或者与至少一个其他的管路连接。
根据ALD覆层设备的至少一个实施方式,第二多通阀与第三多通阀连接。将第二多通阀与第三多通阀连接的管路在此尤其能够绕过装置。也就是说,金属有机的初始材料能够从储存容器中离开并且在不穿过装置的情况下直接引导到收集室中。换言之,在第二多通阀和第三多通阀之间的管路例如构成为旁路(英语也称为“Bypass”)。
根据ALD覆层设备的至少一个实施方式,经由第二多通阀和第三多通阀实现将金属有机的初始材料的分解产物直接导出到收集室中。金属有机的初始材料尤其在储存容器中形成分解产物、副产物和/或不期望的具有比金属有机的初始材料更高的蒸汽压力的产物。换言之,尤其在储存容器中能够形成分解产物,所述分解产物由于其较高的蒸汽压力与以气相存在的金属有机的初始材料叠加,并且在储存容器中处于气态。
通过打开第二多通阀和第三多通阀能够将分解产物在处理室中的处理之前、期间和之后从储存容器中移出、泵吸和/或抽吸。将金属有机的初始材料的分解产物例如经由上述能够在第二多通阀和第三多通阀之间构成的旁路引出能够通过使用具有更大的直径的管路来加速。也就是说,在第二多通阀和第三多通阀之间的管路与主要在ALD覆层设备中安装的、存在的和/或使用的具有例如1/4寸至2寸的直径的管路相比能够具有更大的直径。例如,安装到旁路中的管路能够为2寸,其中ALD覆层设备的其他管路具有1寸的直径。
根据ALD覆层设备的至少一个实施方式,在第一多通阀和处理室之间连接有第四、第五和第六多通阀,其中第四和第六多通阀从第一多通阀开始位于至处理室的相同的管路上,并且第六多通阀从第一多通阀开始、尤其沿材料流的方向设置在第四多通阀的下游。此外,第五多通阀位于第四和第六多通阀之间的管路上并且在第五多通阀的下游连接有用于输送载气和/或冲洗气体的气体分配元件。
第一多通阀将金属有机的初始材料的通过装置尤其在时间上保持恒定的工作压力朝向处理室的方向传送。在第一多通阀和处理室之间的管路中尤其能够连接有第四、第五和第六多通阀,使得不必仅通过切换第一多通阀来控制将金属有机的初始材料以脉冲的方式输送到处理室中。也就是说,通过关闭和/或打开第四和第六多通阀能够控制将金属有机的初始材料以脉冲的方式输送到处理室中,而不必将第一多通阀切换到收集室的方向。
此外,能够在运行期间关闭第四多通阀。通过在第四和第六多通阀之间构成的管路,能够接入第五多通阀与气体分配元件。经由气体分配元件能够以分配的方式经由第五和第六多通阀尤其将冲洗气体引导到处理室中。冲洗气体尤其是惰性气体。冲洗气体例如能够包括氩气或其他惰性气体。
用冲洗气体供给处理室能够在处理室中的处理之前、期间和之后进行。尤其地,冲洗气体在原子层沉积之前、期间和之后用于清洁处理室。
此外,经由在其中构成有第五多通阀的管路能够将载气导入到通向处理室的管路中。载气尤其用于运输以气相存在的金属有机的初始材料,其中这例如能够在下述情况下是有利的:在第一多通阀和处理室之间的管路构成为长至使得通过载气能够加速金属有机的初始材料到处理室中的运输。
根据ALD覆层设备的至少一个实施方式,尤其沿金属流的方向在收集室的下游设置有真空泵。如在上文中已经描述的那样,能够将分解产物引导到收集室中。这尤其通过绕过装置并且通过第二和第三多通阀连接的旁路(英文:Bypass)进行。在收集室中能够构成可通过真空泵产生的真空。换言之,通过真空泵在收集室中产生低压。通过低压构成真空,所述真空至少根据一个实施方式具有与能够在处理室中构成的真空相同的低压。压力差在装置和收集室或者处理室之间例如能够为10-3mbar至10-6mbar。
通过收集室中的低压,不会减少金属有机的初始材料的传导率,并且第一多通阀朝向处理室的方向或朝向收集室的方向的切换不影响在压力隔板和第一多通阀之间的工作压力。
根据ALD覆层设备的至少一个实施方式,收集室在运行期间通过真空泵连续地或以规则的时间间隔、尤其持续地泵吸。以这种方式可能的是,收集室基本上不保留有金属有机的材料。
根据ALD覆层设备的至少一个实施方式,上述类型的多个装置设置在处理室上。换言之,处理室能够并行地由其他的金属有机的初始材料供给、与其联接和/或连接,并且不限制于在此所描述的用金属有机的初始材料的单个输送。
在下文中,根据ALD覆层设备的上述实施方式中的一个实施方式,描述用于运行ALD覆层设备以在衬底上生长至少一个层的方法。所述方法尤其适合于运行在此描述的ALD覆层设备。所有为ALD覆层设备所描述的特征对于方法是公开的并且反之亦然。
根据用于运行ALD覆层设备以在衬底上生长至少一个层的方法的至少一个实施方式,所述方法包括下述步骤:
-在储存容器中提供金属有机的初始材料,
-将金属有机的初始材料输送到装置中,
-将金属有机的初始材料通过能切换的第一多通阀传送到处理室或收集室中。
将储存容器中的以气相存在的金属有机的初始材料输送到在上文中描述的ALD覆层设备的装置中。然后,将经过、穿过和/或流过装置的金属有机的初始材料通过第一多通阀引导到处理室或收集室中。
根据方法的至少一个实施方式,金属有机的初始材料在装置中提供有在时间上恒定的工作压力。换言之,当压力表探测到金属有机的初始材料的需要用于和/或适合用于在处理室中执行原子层沉积的、在时间上恒定的工作压力时,才将金属有机的初始材料通过第一多通阀引导到处理室中。
根据方法的至少一个实施方式,冲洗气体经由第五和第六多通阀和气体分配元件流动到处理室中,并且第四多通阀关闭。也就是说,处理室不用金属有机的初始材料供给并且能够经由第五和第六多通阀在ALD覆层设备运行之前、期间和/或之后通过冲洗气体清洁。第四多通阀的关闭能够在运行期间通过将第一多通阀切换到收集室的方向来避开。如果应在运行期间清洁处理室并且第一多通阀连接到处理室,那么不能避开第四多通阀的关闭。
根据方法的至少一个实施方式,打开第四多通阀,并且关闭第五和第六多通阀,使得从第一多通阀的方向开始将金属有机的初始材料引导至第六多通阀。换言之,上述状态描述在运行期间的ALD覆层设备。也就是说,关闭用于导出分解产物的旁路并且第一多通阀切换到处理室的方向。此外,关闭用于输送冲洗气体的第五多通阀。将金属有机的初始材料引导至第六多通阀并且显示出在时间上恒定的工作压力,所述工作压力通过在上游连接的装置调整、产生或导向第六多通阀的方向。通过关闭和打开第六多通阀能够实现以脉冲的方式输送金属有机的初始材料。在关闭和打开第六多通阀之间例如能够经过1秒和10秒之间。
以脉冲的方式输送金属有机的初始物质也能够直接地经由第一多通阀进行,其中第四和第六多通阀打开。第五多通阀能够关闭或打开,其中在打开的状态下,载气能够促进、加速或稳定金属有机的初始材料的运输。
附图说明
在下文中,根据实施例借助所属的附图阐述在此描述的ALD覆层设备和用于运行ALD覆层设备以生长至少一个衬底的方法。
相同的、相同类型的或起相同作用的元件在附图中设有相同的附图标记。附图和在附图中示出的元件相互间的大小关系不视为是按照比例的。更确切地说,为了更好的可示性和/或为了更好的理解能够夸张大地示出个别元件。
根据图1A、1B以及2A、2B和2C的示意图详细阐述在此描述的ALD覆层设备的实施例和用于运行ALD覆层设备的方法。
具体实施方式
在图1A的实施例中,在没有在此描述的装置的情况下,示意地示出ALD覆层设备100。在图1A的ALD覆层设备100中,将金属有机的初始材料6安置在温度稳定的储存容器1中,以便在需要时将其输送给处理室7,其中根据储存容器1中的温度,金属有机的初始材料6也部分地以气相的方式存在于液体和固体之上。储存容器1安置在具有尽可能大的热容量的恒温池12中,以便将储存容器中的金属有机的初始材料6的温度保持为尽可能恒定。随后,在储存容器中构成的气相的金属有机的初始物质经由第四和第六多通阀40、60所处的管路引导到处理室7中,其中在第四多通阀40和第六多通阀60之间连接有其他的包括第五多通阀50和气体分配元件9的管路。第五多通阀50经由气体分配元件9由冲洗气体和/或载气供给。
通过管路,将温度稳定的储存容器1的气态的初始材料6通过以脉冲的、冲击的和/或循环的方式打开多通阀40、60输送给气流,所述气流将金属有机的初始材料6带到处理室7。根据通过金属有机的初始材料6的温度进而至少依照原理通过恒温池12的温度确定的蒸汽压力,一定数量的金属有机的初始材料6到达到气流中。
由于以脉冲的方式从储存容器1中提取金属有机的初始材料6,与提取持续时间和频率以及储存容器1的几何形状的条件相关地,在保留在储存容器1中的金属有机的初始材料之内出现温度波动。温度恢复通常仅能够部分地实现,因为从恒温池12到储存容器1中的金属有机的初始材料6的温度传递部分地仅非常慢地或缓慢地进行。由此,在经过多个覆层循环时,在储存容器1中出现金属有机的初始材料6的非限定的冷却。换言之,在储存容器1之内能够测量到温度梯度。
储存容器1中的金属有机的初始材料6的与覆层循环的长度和频率以及与储存容器1的大小相关的非限定的冷却能够造成待施加的层的不均匀的层厚度分布,由此待施加的层的质量在ALD覆层设备100的制造公差的范围内受到损害。
在该方面,至今仅测量和调节温度,其中金属有机的初始材料6的蒸汽压力的稳定间接地经由恒温池12实现,然而这由于缓慢的热传递引起所提到的在储存容器1中的温度波动和梯度。储存容器的大小缩放的问题迄今看来是不可解决的。
在图1B中根据图表示意地示出以脉冲的方式输送气态的金属有机的初始材料6。参照图1A,这能够通过打开和关闭第四和/或第六多通阀40、60来实现。0表示:关闭相应的多通阀40、60或以组合的方式关闭多通阀40、60;以及1表示:一个或多个多通阀40、60以组合的方式处于ALD覆层设备的打开状态中。在此,时间轴t示出在打开和关闭至少一个多通阀之间的时间间隔。经由气体分配元件9输送载气和/或冲洗气体也能够以脉冲的方式借助第五多通阀50进行。多通阀40、50、60全部都能够同时打开和关闭,其中尤其也可以略微错开地打开和关闭多通阀。
在图2A中在补充有在此描述的包括调节阀3、压力表4、压力隔板5和第一多通阀10的装置2的情况下示意地示出图1A的实施例。此外,示意地示出经过第二多通阀20和第三多通阀30的旁路,以将金属有机的初始材料6的分解产物直接引出到收集室8中。具有设置在下游的真空泵11的收集室8又设置在第一多通阀10的下游。在图2A中示出的ALD覆层设备起动之前,能够经由在第二多通阀和第三多通阀之间构成的旁路将分解产物直接导出到收集室8中。
以气相存在的金属有机的材料6朝向装置2的方向离开储存容器1并且在压力表4和压力隔板5之间建立时间上恒定的工作压力,所述工作压力大于储存容器中的工作压力。如果达到时间上恒定的工作压力,那么第一多通阀10朝向处理室7的方向打开,其中第四和第六多通阀40、60彼此互连,使得实现将金属有机的初始材料6以脉冲的方式输送到处理室7中。通过具有第五多通阀50的管路,能够将载气或冲洗气体导入到在第一多通阀10和处理室7之间的管路中。
在图2B的实施例中示意地示出ALD覆层设备100在处理室7中构成或处理层之前的状态。在沉积开始之前,在绕过装置2的情况下,通过多次短暂地打开第二和第三多通阀20、30,将金属有机的初始材料的分解产物直接地引导到收集室8中。此外,在起动之前通过打开第五和第六多通阀50、60能够在沉积之前、期间和之后用冲洗气体清洁和/或冲洗处理室7。第六多通阀60尤其能够直接安置在处理室之前。也就是说,在图2B中关闭或打开多通阀20、30、40、50、60,使得储存容器不具有分解产物并且处理室通过冲洗气体清洁。换言之,在图2B中没有引导金属有机的初始材料6通过装置2。
在图2C中示意地示出在运行期间的ALD覆层设备100。第二和第三多通阀20、30关闭并且第二多通阀20将金属有机的初始材料引导到装置2中。第一多通阀始终打开并且根据在压力表4上测量并且借助调节阀3调节的工作压力在处理室7和收集室8之间切换。第四多通阀40打开并且将由第一多通阀10输送的金属有机的初始材料引导至关闭的第六多通阀60。通过打开和关闭第六多通阀60,处理室7以脉冲的方式由金属有机的初始材料供给,以在衬底上构成层
本发明不局限于根据实施例进行的描述。更确切地说,本发明包括每个新特征以及特征的任意的组合,这尤其是包含在权利要求中的特征的任意的组合,即使所述特征或所述组合自身没有明确地在权利要求中或实施例中说明时也如此。
该申请要求德国专利申请102012210332.5的优先权,其公开内容在此通过参引并入本文。

Claims (15)

1.一种ALD覆层设备(100),所述ALD覆层设备具有:
-用于金属有机的初始材料(6)的储存容器(1);和
-包括调节阀(3)、压力表(4)、压力隔板(5)和第一多通阀(10)的装置(2),其中
-所述装置(2)设置在所述储存容器(1)的下游,
并且
-所述第一多通阀(10)能够在处理室(7)和收集室(8)之间切换,其中在所述压力表(4)和所述压力隔板(5)之间出现所述金属有机的初始材料(6)的在时间上恒定的下述工作压力:该工作压力与所述金属有机的初始材料(6)在所述储存容器(1)中的工作压力相比更大。
2.根据权利要求1所述的ALD覆层设备(100),
其中所述压力表(4)借助所述调节阀(3)来调节所述金属有机的初始材料(6)在所述储存容器(1)和所述压力隔板(5)之间的在时间上恒定的工作压力。
3.根据权利要求1所述的ALD覆层设备(100),
其中
-当在所述压力表(4)和所述压力隔板(5)之间存在所述金属有机的初始材料(6)的在时间上恒定的工作压力时,所述第一多通阀(10)切换到所述处理室(7)中,
-当所述金属有机的初始材料(6)的工作压力偏离在时间上恒定的工作压力时,所述第一多通阀(10)切换到所述收集室(8)中。
4.根据权利要求1所述的ALD覆层设备(100),
其中
-在所述储存容器(1)和所述装置(2)之间设置有第二多通阀(20),并且
-在所述装置(2)和所述收集室(8)之间设置有第三多通阀(30),
-所述第二多通阀(20)与所述第三多通阀(30)连接,并且
-经由所述第二多通阀(20)和所述第三多通阀(30)实现将所述金属有机的初始材料(6)的分解产物直接引出到所述收集室(8)中。
5.根据权利要求1所述的ALD覆层设备(100),
其中
-在所述第一多通阀(10)和所述处理室(7)之间连接有第四、第五和第六多通阀(40,50,60),其中
-所述第四和第六多通阀(40,60)从所述第一多通阀(10)开始位于通向所述处理室(7)的相同的管路上并且所述第六多通阀(60)设置在所述第四多通阀(40)的下游,
-所述第五多通阀(50)位于在所述第四和第六多通阀(40,60)之间的管路上,并且
-在所述第五多通阀(50)的下游连接有用于输送载气和/或冲洗气体的气体分配元件(9)。
6.根据权利要求1所述的ALD覆层设备(100),
其中在所述收集室(8)的下游设置有真空泵(11)。
7.一种用于运行用于在衬底上生长至少一个层的ALD覆层设备(100)的方法,所述方法具有下述步骤:
-提供ALD覆层设备(100),所述ALD覆层设备具有:
--用于金属有机的初始材料(6)的储存容器(1);和
--包括调节阀(3),压力表(4),压力隔板(5)和第一多通阀(10)的装置(2),其中
--所述装置(2)设置在所述储存容器(1)的下游,
并且
--所述第一多通阀(10)能够在处理室(7)和收集室(8)之间切换;
-在所述储存容器(1)中提供所述金属有机的初始材料(6);
-将所述金属有机的初始材料(6)输送到所述装置(2)中;
-将所述金属有机的初始材料(6)通过可切换的所述第一多通阀(10)传送到所述处理室(7)或所述收集室(8)中,其中在所述压力表(4)和所述压力隔板(5)之间出现所述金属有机的初始材料(6)的在时间上恒定的下述工作压力:该工作压力与所述金属有机的初始材料(6)在所述储存容器(1)中的工作压力相比更大。
8.根据权利要求7所述的方法,
其中在所述装置(2)中以在时间上恒定的工作压力提供所述金属有机的初始材料(6)。
9.根据权利要求7所述的方法,
其中所述压力表(4)借助所述调节阀(3)来调节所述金属有机的初始材料(6)在所述储存容器(1)和所述压力隔板(5)之间的在时间上恒定的工作压力。
10.根据权利要求7所述的方法,
其中
-当在所述压力表(4)和所述压力隔板(5)之间存在所述金属有机的初始材料(6)的在时间上恒定的工作压力时,所述第一多通阀(10)切换到所述处理室(7)中,并且
-当所述金属有机的初始材料(6)的工作压力偏离在时间上恒定的工作压力时,所述第一多通阀(10)切换到所述收集室(8)中。
11.根据权利要求7所述的方法,
其中
-在所述储存容器(1)和所述装置(2)之间设置第二多通阀(20),并且
-在所述装置(2)和所述收集室(8)之间设置第三多通阀(30),
-将所述第二多通阀(20)与所述第三多通阀(30)连接,并且
-经由所述第二多通阀(20)和所述第三多通阀(30)实现将所述金属有机的初始材料(6)的分解产物直接引出到所述收集室(8)中。
12.根据权利要求7所述的方法,
其中
-在所述第一多通阀(10)和所述处理室(7)之间连接第四、第五和第六多通阀(40,50,60),其中
-所述第四和第六多通阀(40,60)从所述第一多通阀(10)开始位于通向所述处理室(7)的相同的管路上并且所述第六多通阀(60)设置在所述第四多通阀(40)的下游,
-所述第五多通阀(50)位于在所述第四和第六多通阀(40,60)之间的管路上,并且
-在所述第五多通阀(50)的下游连接用于输送载气和/或冲洗气体的气体分配元件(9)。
13.根据权利要求7所述的方法,
其中在所述收集室(8)的下游设置真空泵(11)。
14.根据权利要求12所述的方法,
其中所述冲洗气体经由所述第五和第六多通阀(50,60)和所述气体分配元件(9)流动到所述处理室(7)中,并且
-关闭所述第四多通阀(40)。
15.根据权利要求12所述的方法,
其中
-打开所述第四多通阀(40),并且
-关闭所述第五和第六多通阀(50,60),使得从所述第一多通阀(10)的方向起将所述金属有机的初始材料(6)导向所述第六多通阀(60)。
CN201380032656.5A 2012-06-19 2013-05-31 Ald覆层设备 Active CN104411865B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610806062.0A CN106399969A (zh) 2012-06-19 2013-05-31 Ald 覆层设备

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102012210332.5 2012-06-19
DE102012210332A DE102012210332A1 (de) 2012-06-19 2012-06-19 Ald-beschichtungsanlage
PCT/EP2013/061233 WO2013189716A1 (de) 2012-06-19 2013-05-31 Ald-beschichtungsanlage

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610806062.0A Division CN106399969A (zh) 2012-06-19 2013-05-31 Ald 覆层设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104411865A CN104411865A (zh) 2015-03-11
CN104411865B true CN104411865B (zh) 2016-10-05

Family

ID=48576996

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610806062.0A Pending CN106399969A (zh) 2012-06-19 2013-05-31 Ald 覆层设备
CN201380032656.5A Active CN104411865B (zh) 2012-06-19 2013-05-31 Ald覆层设备

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610806062.0A Pending CN106399969A (zh) 2012-06-19 2013-05-31 Ald 覆层设备

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20150152553A1 (zh)
KR (1) KR20150027805A (zh)
CN (2) CN106399969A (zh)
DE (1) DE102012210332A1 (zh)
WO (1) WO2013189716A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106399969A (zh) * 2012-06-19 2017-02-15 欧司朗Oled股份有限公司 Ald 覆层设备

Families Citing this family (219)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
CN103924218B (zh) * 2014-04-25 2016-10-19 安徽亚格盛电子新材料有限公司 可持续供应mo源的装置
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) * 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
KR20200108016A (ko) 2018-01-19 2020-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的***及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
CN111593319B (zh) 2019-02-20 2023-05-30 Asm Ip私人控股有限公司 用于填充在衬底表面内形成的凹部的循环沉积方法和设备
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
TW202129068A (zh) 2020-01-20 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip控股公司 形成薄膜之方法及修飾薄膜表面之方法
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220006455A (ko) 2020-07-08 2022-01-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6039163A (ja) * 1983-08-10 1985-02-28 Mitsubishi Electric Corp ソ−スガス供給システム
GB2425539A (en) * 2005-04-29 2006-11-01 Boc Group Plc Deposition system with three way valve
CN101021005A (zh) * 2006-02-13 2007-08-22 恩益禧电子股份有限公司 淀积设备以及用于淀积膜的方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4393013A (en) * 1970-05-20 1983-07-12 J. C. Schumacher Company Vapor mass flow control system
US4640221A (en) * 1985-10-30 1987-02-03 International Business Machines Corporation Vacuum deposition system with improved mass flow control
JPH0639705B2 (ja) * 1987-06-19 1994-05-25 日本電信電話株式会社 ガス供給装置
US4911101A (en) * 1988-07-20 1990-03-27 General Electric Company Metal organic molecular beam epitaxy (MOMBE) apparatus
US5098741A (en) * 1990-06-08 1992-03-24 Lam Research Corporation Method and system for delivering liquid reagents to processing vessels
JP3156326B2 (ja) * 1992-01-07 2001-04-16 富士通株式会社 半導体成長装置およびそれによる半導体成長方法
JP2797233B2 (ja) * 1992-07-01 1998-09-17 富士通株式会社 薄膜成長装置
JP3122311B2 (ja) * 1994-06-29 2001-01-09 東京エレクトロン株式会社 成膜処理室への液体材料供給装置及びその使用方法
KR100319494B1 (ko) * 1999-07-15 2002-01-09 김용일 원자층 에피택시 공정을 위한 반도체 박막 증착장치
DE10005820C1 (de) * 2000-02-10 2001-08-02 Schott Glas Gasversorungsvorrichtung für Precursoren geringen Dampfdrucks
KR100979575B1 (ko) * 2002-01-17 2010-09-01 썬듀 테크놀로지스 엘엘씨 원자층 침착 장치 및 이의 제조방법
JP2003268552A (ja) * 2002-03-18 2003-09-25 Watanabe Shoko:Kk 気化器及びそれを用いた各種装置並びに気化方法
US6936086B2 (en) * 2002-09-11 2005-08-30 Planar Systems, Inc. High conductivity particle filter
DE602004027256D1 (de) * 2003-06-27 2010-07-01 Sundew Technologies Llc Vorrichtung und verfahren zur steuerung des dampfdrucks einer chemikalienquelle
US20050221004A1 (en) * 2004-01-20 2005-10-06 Kilpela Olli V Vapor reactant source system with choked-flow elements
US7708859B2 (en) * 2004-04-30 2010-05-04 Lam Research Corporation Gas distribution system having fast gas switching capabilities
US20060019029A1 (en) * 2004-07-20 2006-01-26 Hamer Kevin T Atomic layer deposition methods and apparatus
KR100555575B1 (ko) * 2004-09-22 2006-03-03 삼성전자주식회사 원자층 증착 장치 및 방법
US20060130755A1 (en) * 2004-12-17 2006-06-22 Clark William R Pulsed mass flow measurement system and method
CN1978701A (zh) * 2005-12-05 2007-06-13 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 改善介电层过程形成的集成电路的击穿电压的方法和装置
JP4605790B2 (ja) * 2006-06-27 2011-01-05 株式会社フジキン 原料の気化供給装置及びこれに用いる圧力自動調整装置。
JP2010109303A (ja) * 2008-10-31 2010-05-13 Horiba Ltd 材料ガス濃度制御装置
JP5419276B2 (ja) * 2009-12-24 2014-02-19 株式会社堀場製作所 材料ガス濃度制御システム及び材料ガス濃度制御システム用プログラム
DE102010045046A1 (de) * 2010-09-10 2012-03-15 Oliver Feddersen-Clausen Zylindrischer Precursorbehälter für Verdampfer und Verdampfer mit einem solchen insbesondere für chemische Beschichtungsverfahren
JP5703114B2 (ja) * 2011-04-28 2015-04-15 株式会社フジキン 原料の気化供給装置
DE102012210332A1 (de) * 2012-06-19 2013-12-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Ald-beschichtungsanlage

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6039163A (ja) * 1983-08-10 1985-02-28 Mitsubishi Electric Corp ソ−スガス供給システム
GB2425539A (en) * 2005-04-29 2006-11-01 Boc Group Plc Deposition system with three way valve
CN101021005A (zh) * 2006-02-13 2007-08-22 恩益禧电子股份有限公司 淀积设备以及用于淀积膜的方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106399969A (zh) * 2012-06-19 2017-02-15 欧司朗Oled股份有限公司 Ald 覆层设备

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013189716A1 (de) 2013-12-27
US20150152553A1 (en) 2015-06-04
CN106399969A (zh) 2017-02-15
DE102012210332A1 (de) 2013-12-19
KR20150027805A (ko) 2015-03-12
CN104411865A (zh) 2015-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104411865B (zh) Ald覆层设备
US8481355B2 (en) Modular system and process for continuous deposition of a thin film layer on a substrate
JP5989682B2 (ja) 原子層堆積のための装置及びプロセス
CN102822382A (zh) 动态流体阀及其建立方法
JP2014146767A5 (zh)
JP2014508224A (ja) 原子層堆積のための装置及び方法
WO2014074589A1 (en) Apparatus for spatial atomic layer deposition with recirculation and methods of use
CN107164739B (zh) Cvd生长多层异质结的方法和装置
TWI572736B (zh) 前驅物輸送的方法與裝置
JP5562868B2 (ja) マルチパス真空コーティングシステム
WO2012012376A1 (en) Deposition system
US8673777B2 (en) In-line deposition system and process for deposition of a thin film layer
CN103108984A (zh) 喷嘴头和装置
CN104451552A (zh) 一种在玻璃基板上沉积形成半导体薄膜的方法和装置
WO2013149572A1 (zh) 规模化连续制备二维纳米薄膜的装备
CN101215692B (zh) 多反应腔原子层沉积装置和方法
US8722136B2 (en) Heat strengthening of a glass superstrate for thin film photovoltaic devices
US20120017831A1 (en) Chemical vapor deposition method and system for semiconductor devices
CN202558924U (zh) 一种连续制备二维纳米薄膜的设备
CN102560376B (zh) 用于持续沉积的设备和过程中CdTe的时间上可变的沉积速率
CN102206814A (zh) 半导体薄膜生长控制设备及控制半导体薄膜生长的方法
CN201560234U (zh) 集成有原子层沉积工艺的化学气相沉积设备
TW202045753A (zh) 循環式磊晶沉積系統
TW201903185A (zh) 用於減少ovpd塗佈裝置中ho分壓之裝置及方法
US20170253970A1 (en) ALD Coating System and Method for Operating an ALD Coating System

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant