KR20120109336A - 수직 홀 센서 및 수직 홀 센서 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 칩(1) 내에 집적되는 수직 홀 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 수직 홀 센서는 제2 전도율 타입의 전기 전도성 영역(3) 내에 매립되는, 제1 전도율 타입의 전기 전도성 웰(2)을 구비한다. 전기 접점(4)은 전기 전도성 웰(2)의 평탄한 표면(5) 상에서 직선(6)을 따라 배치된다. 전기 전도성 웰(2)은 이것이 전기 전도성 웰(2)의 평탄한 표면(5)으로부터 깊이 T₁에 위치되는 최대값을 갖거나 깊이 T₂까지 본질적으로 일정한 도핑 프로파일을 갖도록, 고-에너지 이온 주입 및 후속 가열에 의해 생성된다.

Description

수직 홀 센서 및 수직 홀 센서 제조 방법{VERTICAL HALL SENSOR AND METHOD FOR PRODUCING A VERTICAL HALL SENSOR}

본 발명은 반도체 칩 내에 집적되는 수직 홀 센서와, 이러한 수직 홀 센서를 제조하기 위한 방법에 관한 것이다.

수직 홀 센서는 반도체 칩의 표면에 평행하게 연장되는 자기장에 민감한 자기장 센서이다. 수직 홀 센서는 전형적으로 p-도핑된(p-doped) 기판 내로 확산된 n-도핑된(n-doped) 웰(well), 또는 n-도핑된 기판 내로 확산된 p-도핑된 웰을 포함하고, 웰은 전형적으로 직선을 따라 배치되는 그리고 반도체 칩의 표면상에 위치되는 4개 또는 5개의 접점을 구비한다. 4개의 접점 중 2개 또는 3개는 수직 홀 센서를 통해 전류가 흐르게 하기 위해 사용되는 전류 접점(current contact)이고, 다른 접점 중 2개는 전류의 방향에 수직하게 연장되는 자기장의 존재 하에 발생하는 홀 전압을 탭핑(tapping)하기 위해 사용되는 전압 접점(voltage contact)이다.

가장 빈번하게 사용되는 수직 홀 센서는 4개의 접점 또는 5개의 접점 또는 최대 6개의 접점을 구비하고, 문헌으로부터, 예컨대 엔리코 슈리그(Enrico Schurig)에 의한 로잔 연방 공과 대학(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne)의 논문 번호 3134로부터, 그리고 특허 문헌으로부터, 예컨대 US　5572058, US 7872322, US 7253490, US 7511484, WO 2010101823으로부터 충분히 공지되어 있다. 6개 초과의 접점을 구비하는 수직 홀 센서가 US 2010/0133632로부터 공지되어 있다.

수직 홀 센서의 개발에서 가장 어려운 과제들 중 하나는 언제나 한편으로는 높은 자기장 감도를 달성하는 것, 그리고 다른 한편으로는 자기장의 부재시 전압 접점 사이에서 발생하는 전압인 이른바 센서 신호의 오프셋(offset)을 가능한 한 작게 유지시키는 것이었다.

기술에 의해 수 마이크로미터로 제한되는 웰의 깊이로 인해, 접점은 높은 감도를 달성하기 위해 서로 가능한 한 근접하여야 한다. 그러나, 이온 주입 및 후속하는 비교적 긴 확산에 의해 생성되는 전형적인 웰이 표면상에 최고 도핑을 갖기 때문에, 당연히 전류의 주 성분이 또한 표면 바로 아래에서 홀 요소를 통해 흐르며, 따라서 홀 전압을 생성하는데 별로 효과적이지 않아, 감도가 낮다. 또한, 따라서 입력 전류 접점과 출력 전류 접점 사이의 전류 경로가 매우 짧으며, 이는 아주 작은 처리 공차도 높은 오프셋을 유발하는 결과를 갖는다.

장벽(barrier)의 역할을 하는 전기 비전도성 영역이 접점 사이에 배치되고, 접점 사이를 흐르는 전류가 심부(depth) 내로 이들 장벽 주위로 흐르게 하는 수직 홀 센서가 EP　1977460으로부터 공지되어 있다. 그러나, 이들 장벽이 역 도핑(inverted doping)을 갖는 영역으로서 설계되면, 이것들 주위에 전하 운반체가 없는 영역이 형성되고, 이것의 두께는 장벽과 주위 전도성 영역 사이의 각각의 국소적으로 발생하는 전위차의 함수이다. 이 전위차의 변화는 전도성 영역의 기하학적 구조의 변화를 초래한다. 이는 다시 오프셋의 변화를 유발한다. 이때 센서의 오프셋은 전형적으로 작동 전압의 증가에 따라 그리고 주위 온도의 증가에 따라 증가한다.

본 발명은 오프셋이 가능한 한 작고 감도가 가능한 한 높은 수직 홀 센서를 개발하는데 목적을 두고 있다.

반도체 칩 내에 집적되는 수직 홀 센서는 제2 전도율 타입의 전기 전도성 영역 내에 매립되는, 제1 전도율 타입의 전기 전도성 웰을 구비한다. 수직 홀 센서는 전기 전도성 웰의 평탄한 표면상에 직선을 따라 배치되는 전기 접점을 구비하며, 이 평탄한 표면은 배선을 위해 접근가능한 반도체 칩의 표면에 평행하게 연장된다. 본 발명에 따르면, 전기 전도성 웰은 에피택시(epitaxy) 방법에 의해서가 아니라 이온 주입에 의해 생성되는 도핑 프로파일을 갖고, 도핑 프로파일은 전기 전도성 웰의 평탄한 표면으로부터 깊이 T에 위치되는 최대값을 갖거나, 깊이 T까지 본질적으로 일정하거나 파형이고 파형부에 걸쳐 평균할 때 대략 일정하다. 깊이 T의 값은 0이 아니라, T　>　0이다.

제1 태양에 따르면, 도핑 프로파일의 도핑은 바람직하게는 전기 전도성 웰의 평탄한 표면과 깊이 T 사이에서 접점 아래의 영역에서보다 접점 사이의 영역에서 더욱 작다.

제2 태양에 따르면, 도핑 프로파일은 바람직하게는 접점 아래의 영역에서 깊이 T까지 대략 일정하여, 상기 영역에서의 전기 전도율은 접점 사이의 영역에서보다 크다.

이러한 수직 홀 센서를 제조하기 위한 방법은 전기 전도성 웰을 제조하기 위한 다음 단계를 포함한다:

- 전기 전도성 웰의 평탄한 표면으로부터 깊이 T_1a(T_1a >　0)에 위치되는 최대값을 갖거나, 전기 전도성 웰의 평탄한 표면으로부터 깊이 T_2a(T_2a >　0)까지 다수의 최대값을 갖거나 대략 일정한 이종 원자(foreign atom)의 도핑 프로파일을 생성하기 위해, 고-에너지 이온 주입에 의해 제2 전도율 타입의 전기 전도성 영역 내에 제1 화학 원소의 이종 원자를 주입하는 단계, 및

- 생성된 도핑 프로파일이 깊이 T₁　

T_1a에 있는 최대값을 갖거나, 깊이 T₂ ≥ T_2a까지 본질적으로 일정하거나 파형이고 파형부에 걸쳐 평균할 때 대략 일정하도록 주입된 이종 원자를 가열에 의해 전기적으로 활성화시키는 단계.

이 방법은 바람직하게는 다음의 부가적인 단계를 포함한다:

적어도 접점 사이의 영역에서 평탄한 표면 바로 아래의 도핑 및 이에 따른 전기 전도율을 감소시키기 위해, 전기 전도성 웰에 의해 점유되는 영역 내에 제2 화학 원소의 이종 원자를 주입하는 단계.

이 방법은 바람직하게는 또한 다음의 부가적인 단계를 포함한다:

접점 아래의 도핑 및 이에 따른 전기 전도율을 증가시키기 위해, 접점에 의해 점유되는 영역 내에 제1 화학 원소 또는 제3 화학 원소의 이종 원자를 주입하는 단계.

본 발명에 의하면, 오프셋이 가능한 한 작고 감도가 가능한 한 높은 수직 홀 센서가 제공된다.

본 명세서 내에 포함되고 그것의 일부를 구성하는 첨부 도면은 본 발명의 하나 이상의 실시 형태를 예시하며, 상세한 설명과 함께, 본 발명의 원리 및 구현을 설명하는 역할을 한다. 도면은 일정한 비율로 도시되지 않는다.
도 1 및 도 2는 반도체 칩 내에 집적된 수직 홀 센서의 측면도 및 평면도를 개략적으로 도시한다.
도 3은 도핑 프로파일을 도시한다.
도 4A 내지 도 7B는 다른 수직 홀 센서의 측면도 및 평면도를 개략적으로 도시한다.
도 8 내지 도 10은 도핑 프로파일을 도시한다.

도 1 및 도 2는 반도체 칩(1) 내에 집적된 수직 홀 센서의 측면도 및 평면도를 개략적으로 도시한다. 수직 홀 센서는 제2 전도율 타입의 전기 전도성 영역(3) 내에 매립되는, 제1 전도율 타입의 전기 전도성 웰(2) 및 이 웰(2)과 접촉하는 n개의 접점(4.1 내지 4.n)을 포함한다. 간단함을 위해, 접점(4.1 내지 4.n) 전체가 접점(4)으로 지정된다. 접점(4)은 웰(2)의 표면(5) 내에 매립되고 직선(6)을 따라 배치되며, 웰(2)의 표면(5)은 배선을 위해 접근가능한, 반도체 칩(1)의 표면 바로 아래에 위치되며, 즉 오직 전형적인 산화 및 패시베이션(passivation) 층에 의해 분리된다.

웰(2)은 바람직하게는 n-도핑된 반도체 재료를 포함하고, 영역(3)은 p-도핑된 반도체 재료를 포함한다. 따라서, 웰(2)은 pn-접합에 의해 영역(3)으로부터 전기적으로 절연된다. 도시된 실시예에서, 접점(4)의 수 n은 n = 6이다. 그러나, 수직 홀 센서는 또한 n = 4, n = 5, 또는 훨씬 더 높은 접점(4)의 수 n을 가질 수 있다. 접점(4)은 서로로부터 동일한 또는 상이한 거리를 가질 수 있다. 접점(4)은 제1 전도율 타입의 고농도로-도핑된(heavily-doped) 영역이며, 이것은 전형적으로는 웰(2)과 동일한 폭이지만, 약간 더 넓거나 약간 더 좁을 수도 있다. 홀 센서는 반도체 칩(1)의 표면에 평행하게 그리고 직선(6)에 수직하게 연장되는 자기장에 민감하며, 따라서 수직 홀 센서의 종류에 속한다. 반도체 칩(1)은 또한 수직 홀 센서의 작동을 위한 전자 회로를 형성하는 복수의 집적 전자 소자(미도시)를 포함한다.

웰(2)의 개념은 본 명세서와 특허청구범위의 범위에서 웰(2)은 이온 주입 및 가열에 의한 주입된 이종 원자(foreign atom)의 활성화에 의해 생성되는 영역인 것과, 웰(2)은 에피택시(epitaxy) 방법에 의해 제조될 수 없는 것을 의미하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명에 따르면, 웰(2)은 심부(depth)의 전도율이 적어도 그것이 표면(5)에 근접한 경우와 같은 것, 바람직하게는 그것보다 큰 것을 달성하기 위해, 고-에너지 이온 주입에 의해 제조된다. 따라서, 인접하지 않은 전류 접점 사이의 전류의 대부분은 대략 반원형의 전류 경로 상에서 개재된 전압 접점 주위로 흐른다. 이는 다음 이점을 제공한다:

a) 이 반원형 경로의 길이는 분석적으로 고려할 때, 표면(5) 상의 전류 접점 사이의 똑바른 최단 거리보다 π/2 = 1.57배 더 길다. 따라서, 거리 공차의 영향이 또한 이 비율만큼 감소되어, 오프셋의 감소가 달성된다.

b) 전하 운반체에 작용하고 홀 효과를 유발하는 로렌츠 힘(Lorentz force)은 정확히 전압 접점의 방향으로 전체 전류 경로를 따라 배향된다. 그 결과는 감도의 증가이다.

c) 전류가 접점(4)에서 심부 내로 바로 흐르기 때문에, 접점(4)의 측방향 에지의 공차가 덜 영향을 미친다.

심부의 전기 전도율이 적어도 그것이 그 표면(5)에 근접한 경우와 같은, 바람직하게는 그것보다 큰 웰(2)은 그 제조를 위해 에피택시 방법이 사용됨이 없이, 예를 들어 다음 단계에 의해, 고-에너지 이온 주입 및 후속 가열에 의해 생성될 수 있다:

A) 제1 화학 원소의 이종 원자를 고-에너지 이온 주입에 의해 제2 전도율 타입의 전기 전도성 영역(3) 내에 주입하는 단계,

B) 추후 설명될 선택적 단계,

C) 추후 설명될 선택적 단계, 및

D) 가열에 의한 주입된 이종 원자의 전기적 활성화 단계.

실리콘-기반 반도체 기술에서, 화학 원소 인 또는 비소가 전형적으로 p-전도 기판 내에 n-전도 웰을 생성하기 위해 사용되는데, 왜냐하면 인 원자 및 비소 원자가 실리콘 내의 n-전도 이종 원자이기 때문이다.

고-에너지 이온 주입은 바람직하게는 1 MeV 내지 2.5 MeV 이상의 범위의 에너지를 사용하여 수행되어, 주입된 이종 원자의 3 내지 4 ㎛의 깊이가 달성될 수 있다. 고-에너지 이온 주입은 전술된 표면(5)으로부터 거리를 두고 위치되는 최대값을 갖는 이종 원자의 도핑 프로파일을 생성한다. 표면(5)으로부터 이종 원자의 도핑 프로파일의 최대값의 거리는 본 명세서에서 깊이 T_1a로 지정된다.

전기적 활성화는 바람직하게는 본 기술 분야에 "어닐링(annealing)"으로 공지된 공정에 의해, 예를 들어 이른바 "급속 열 어닐링(rapid thermal annealing)"에 의해 수행된다. 이러한 "어닐링"은 비교적 단시간의 가열이며, 이 동안 이종 원자는 "멀리" 확산되지 않고, 즉 전형적으로는 오직 반도체 결정 격자의 가장 가까운 격자 공간 중 하나로만 확산되어, 단계 A에서의 주입 동안 생성되는 이종 원자의 도핑 프로파일은 변화되지 않거나 실질적으로 변화되지 않는다. 고-에너지 이온 주입과 비교적 단시간의 가열은 함께 깊이 T₁에서 최대값을 갖는 이종 원자의 도핑 프로파일을 형성하며, 여기에서 T₁ = T_1a이거나, 적어도 T₁　

T_1a이다.

그러나, 가열은 또한 더욱 장시간일 수 있어, 이종 원자의 확산이 또한 일어나며, 여기에서 이종 원자의 일부는 웰(2)의 전술된 표면(5)을 향하는 방향으로 확산되고, 이종 원자의 일부는 웰(2)의 전술된 표면(5)으로부터 멀어지는 방향으로 확산되며, 도핑의 최대값이 없어지게 하고, 도핑이 깊이 T₂까지 본질적으로 대략 일정하게 한다.

따라서, 웰(2)의 생성된 도핑 프로파일은 반도체 칩에서 반도체 칩(1)의 표면(5)에 근접한 부분보다 심부에 더욱 많은 이종 원자가 통합된다는 점, 또는 이종 원자의 도핑이 표면(5)으로부터 소정 깊이까지 본질적으로 일정하다는 점에서 구별된다.

도 3은 고-에너지 이온 주입과 "어닐링"에 의해 생성된 본 발명에 따른 수직 홀 센서의 깊이 D, 즉 웰(2)의 표면(5)으로부터의 거리의 함수로서 웰(2)의 도핑 프로파일 또는 도핑 N을 나타내는 곡선 a와 종래 기술에 따른 수직 홀 센서의 웰의 도핑 프로파일의 곡선 b를 비교하여 정성적으로 도시한다. 곡선 a의 도핑 프로파일은 연속적으로 연장되고, 급격한 전이부를 포함하지 않는다. 표면(5)에서의, 즉 깊이 D = 0에서의 이종 원자의 도핑은 최대값에서의 이종 원자의 도핑보다 현저히 작은 값 N₁을 갖는다.

수직 홀 센서의 제조는 유리하게는 이하에서 설명되는 단계 B 및/또는 단계 B 및 단계 C 둘 모두로 확대된다.

B) 접점(4) 사이의 영역에서의 도핑 및 이에 따른 전기 전도율이 표면(5)에 근접한 부분에서 더욱 감소되는 웰(2)의 도핑 프로파일을 생성하기 위해, 웰(2)에 의해 점유되는 영역에 제2 화학 원소의 이종 원자를 주입하는 단계.

C) 깊이 T_1a까지 접점(4) 사이의 웰(2)의 도핑 프로파일보다 높은 전도율을 갖는, 접점(4) 아래의 웰(2)의 도핑 프로파일을 생성하기 위해, 접점(4)에 의해 점유될 또는 접점(4)에 의해 점유된 영역에 제1 화학 원소(또는 제1 화학 원소와 동일한 타입의 전도율을 갖는 제3 화학 원소)의 이종 원자를 주입하는 단계.

단계 A 및 단계 C를 사용하여 생성된 도핑 프로파일은 예를 들어 접점(4)의 영역에서 깊이 T_1a까지 대략 일정하다. 단계 C도 또한 이온 주입에 의해 수행되며, 이때 단계 C에서의 이온의 운동 에너지는 단계 A에서보다 작아, 단계 C에서 주입된 이종 원자의 도핑의 최대값은 깊이 T_1a보다 작은 깊이 T_3a에 있다.

단계 B 및 단계 C는 바람직하게는 단계 D 전에 수행되어, 가열, 특히 "어닐링" 형태의 가열이 모든 이종 원자에 대해 동시에 수행된다.

실리콘-기반 반도체 기술에서, 제2 화학 원소는 전형적으로 붕소인데, 왜냐하면 붕소 원자가 실리콘 내의 p-전도 이종 원자이기 때문이다. 물론, 전술된 붕소, 인 및 비소와는 다른 화학 원소도 또한 원하는 도핑을 얻기 위해 사용될 수 있다.

도 4A, 도 4B와 도 5A, 도 5B는 단계 A 및 단계 B 후 수직 홀 센서의 웰(2)의 두 대안적인 도핑을 예시한다. 도 4A 및 도 4B는 제2 화학 원소의 이종 원자의 주입이 주입 마스크를 사용함이 없이 그리고 이에 따라 웰(2)의 전체 영역에 수행된 제1 대안의 단면도 및 평면도를 각각 예시한다. 도 5A 및 도 5B는 제2 화학 원소의 이종 원자의 주입이 단지 접점(4) 사이에 위치된 웰(2)의 영역에만 주입 마스크를 사용하여 수행된 제2 대안의 단면도 및 평면도를 각각 예시한다. 제2 화학 원소의 이종 원자를 사용하여 도핑된 영역은 도면 부호 7에 의해 식별된다.

도 6A 및 도 6B는 단계 A 및 단계 C 후 웰(2)의 도핑 상태를 각각 단면도 및 평면도로 도시하며, 단계 C에서 주입된 이종 원자를 갖는 영역은 도면 부호 8에 의해 지정된다.

도 7A 및 도 7B는 3가지 단계 A, 단계 B 및 단계 C 모두가 수행되었을 때 웰(2)의 도핑 상태를 각각 단면도 및 평면도로 도시한다.

도 8은 도 7A의 선 I-I을 따른 웰(2)의 도핑 프로파일을 정성적으로 도시한다. 도 9는 도 7A의 선 II-II를 따른 웰(2)의 도핑 프로파일을 정성적으로 도시한다. 접점(4) 사이의 영역에서 웰(2)의 표면(5)에서의, 즉 깊이 D = 0에서의 이종 원자의 도핑 N₂는 도 3에 도시된 실시예의 도핑 N₁보다 현저히 작다.

단계 A에서 설명된 고-에너지 주입 및 비교적 긴 확산을 사용하는 대신에, 다음 단계 A1 및 단계 D를 포함하는 방법을 사용하여, 사전결정된 깊이 T₂까지 대략 일정하거나 적어도 파형이고 파형부에 걸쳐 평균할 때 대략 일정하며 이어서 연속적으로 감소하는 도핑 프로파일이 또한 생성될 수 있다:

A1) 생성된 도핑 프로파일이 전기 전도성 웰(2)의 평탄한 표면(5)으로부터 깊이 T_2a까지 다수의 최대값을 갖거나 대략 일정하도록, 이온의 에너지가 별개의 단계로 또는 연속적으로 최소값으로부터 최대값으로 점차 증가되거나 최대값으로부터 최소값으로 감소되는 이온 주입에 의해 제2 전도율 타입의 전기 전도성 영역(3) 내로 제1 화학 원소의 이종 원자를 주입하는 단계, 및

D) 주입된 이종 원자를 가열에 의해 전기적으로 활성화시키는 단계.

예를 들어, 최소값은 1 MeV이고, 최대값은 전형적으로 2.5 MeV 또는 사용된 이온 주입기가 허용하는 가능한 최고값에 해당한다.

도 10은 이 방법에 따라 생성된 웰(2)의 도핑 프로파일을 정성적으로 도시한다.

본 발명의 실시 형태 및 응용이 도시되고 설명되었지만, 본 개시의 이득을 갖는 당업자에게, 전술된 것보다 더욱 많은 변경이 본 명세서의 본 발명의 개념으로부터 벗어나지 않고서 가능함이 명백할 것이다. 따라서, 본 발명은 첨부 특허청구범위와 그 동등물의 사상에서를 제외하고는 제한되지 않아야 한다.

1: 반도체 칩 2: 전기 전도성 웰
3: 전기 전도성 영역 4: 전기 접점
5: 평탄한 표면 6: 직선

Claims (6)

1. 반도체 칩(1) 내에 집적되는 수직 홀 센서로서,
   제2 전도율 타입의 전기 전도성 영역(3) 내에 매립되는, 제1 전도율 타입의 전기 전도성 웰(2)을 구비하고, 배선을 위해 접근가능한 반도체 칩(1)의 표면에 평행하게 연장되는, 전기 전도성 웰(2)의 평탄한 표면(5) 상에 직선(6)을 따라 배치되는 전기 접점(4)을 구비하며, 전기 전도성 웰(2)은 에피택시 방법에 의해서가 아니라 이온 주입에 의해 생성되는 도핑 프로파일을 갖는 수직 홀 센서에 있어서,
   도핑 프로파일은 전기 전도성 웰(2)의 평탄한 표면(5)으로부터 깊이 T에 위치되는 최대값을 갖거나, 깊이 T까지 본질적으로 일정하거나 파형이고 파형부에 걸쳐 평균할 때 대략 일정하며, 깊이 T는 T　>　0인 것을 특징으로 하는 수직 홀 센서.
2. 제1항에 있어서,
   도핑 프로파일의 도핑은 전기 전도성 웰(2)의 평탄한 표면(5)과 깊이 T 사이에서 접점(4) 아래의 영역에서보다 접점(4) 사이의 영역에서 더욱 작은 것을 특징으로 하는 수직 홀 센서.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   도핑 프로파일은 접점(4) 아래의 영역에서 깊이 T까지 대략 일정하여, 상기 영역에서의 전기 전도율은 접점(4) 사이의 영역에서보다 큰 것을 특징으로 하는 수직 홀 센서.
4. 제2 전도율 타입의 전기 전도성 영역(3) 내에 매립되는, 그리고 배선을 위해 접근가능한 반도체 칩(1)의 표면에 평행하게 연장되는 평탄한 표면(5)을 구비하는, 제1 전도율 타입의 전기 전도성 웰(2)을 구비하고, 전기 전도성 웰(2)의 평탄한 표면(5) 내에 매립되고 직선(6)을 따라 배치되는 전기 접점(4)을 구비하는 수직 홀 센서를 반도체 칩(1) 내에 제조하기 위한 방법에 있어서,
   전기 전도성 웰(2)의 제조는,
   - 전기 전도성 웰(2)의 평탄한 표면(5)으로부터 깊이 T_1a에 위치되는 최대값을 갖거나, 전기 전도성 웰(2)의 평탄한 표면(5)으로부터 깊이 T_2a까지 다수의 최대값을 갖거나 대략 일정한 이종 원자의 도핑 프로파일을 생성하기 위해, 고-에너지 이온 주입에 의해 제2 전도율 타입의 전기 전도성 영역(3) 내에 제1 화학 원소의 이종 원자를 주입하는 단계로서, 깊이 T_1a는 T_1a >　0이고, 깊이 T_2a는 T_2a >　0인 단계, 및
   - 생성된 도핑 프로파일이 깊이 T₁　

   

   T_1a에 있는 최대값을 갖거나, 깊이 T₂ ≥ T_2a까지 본질적으로 일정하거나 파형이고 파형부에 걸쳐 평균할 때 대략 일정하도록 주입된 이종 원자를 가열에 의해 전기적으로 활성화시키는 단계
   를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 홀 센서 제조 방법.
5. 제4항에 있어서,
   다음의 부가적인 단계, 즉
   적어도 접점(4) 사이의 영역에서 평탄한 표면(5) 바로 아래의 도핑 및 이에 따른 전기 전도율을 감소시키기 위해, 전기 전도성 웰(2)에 의해 점유되는 영역 내에 제2 화학 원소의 이종 원자를 주입하는 단계
   를 특징으로 하는 수직 홀 센서 제조 방법.
6. 제4항 또는 제5항에 있어서,
   부가적인 단계, 즉
   접점(4) 아래의 도핑 및 이에 따른 전기 전도율을 증가시키기 위해, 접점(4)에 의해 점유되는 영역 내에 제1 화학 원소 또는 제3 화학 원소의 이종 원자를 주입하는 단계
   를 특징으로 하는 수직 홀 센서 제조 방법.

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