KR20120101651A - 복핵 백금-카르벤 착체 및 ｏｌｅｄ에서의 이의 용도 - Google Patents

복핵 백금-카르벤 착체 및 ｏｌｅｄ에서의 이의 용도 Download PDF

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Abstract

본 발명은 카르벤 리간드 및 피라졸 브릿지를 포함하는 복핵 Pt-카르벤 착체, 적합한 Pt 화합물을 상응하는 리간드 또는 리간드 전구체 및/또는 피라졸 또는 상응하는 피라졸 유도체와 접촉시켜 복핵 Pt-카르벤 착체를 제조하는 방법, 하나 이상의 이러한 복핵 Pt-카르벤 착체를 포함하는 유기 전자 부품, 하나 이상의 이러한 복핵 Pt-카르벤 착체를 포함하는 OLED, 하나 이상의 이러한 복핵 Pt-카르벤 착체를 포함하는 발광층, 이러한 발광층을 포함하는 OLED, 이러한 OLED를 포함하는 고정식 영상 표시 장치, 이동식 영상 표시 장치 및 조명 수단으로 이루어진 군으로부터 선택되는 디바이스, 및 OLED에서의 본 발명의 복핵 Pt-카르벤 착체의 용도에 관한 것이다.

Description

복핵 백금-카르벤 착체 및 ＯＬＥＤ에서의 이의 용도{DINUCLEAR PLATINUM-CARBENE COMPLEXES AND THE USE THEREOF IN OLEDS}
본 발명은 복핵 Pt-카르벤 착체, 하나 이상의 이러한 복핵 Pt-카르벤 착체를 포함하는 유기 발광 다이오드(OLED), 하나 이상의 이러한 복핵 Pt-카르벤 착체를 포함하는 발광층, 상응하는 OLED를 포함하는 고정식 또는 이동식 영상 표시 장치 또는 조명 수단과 같은 디바이스, 및 OLED에서의, 예를 들면 에미터, 매트릭스 재료, 전하 수송 재료 및/또는 전하 차단제로서의 본 발명의 복핵 Pt-카르벤 착체의 용도에 관한 것이다.
유기 전자제품은 전자제품의 하부분야이고, 중합체 또는 더 작은 유기 화합물을 포함하는 전자 회로를 사용한다. 유기 전자제품의 용도의 분야는 유기 발광 다이오드(OLED) 또는 발광 전기화학 전지(LEEC)에서의 중합체 또는 더 작은 유기 화합물의 용도, 유기 태양 전지(유기 기전력)에서의 용도 및 전환 부재, 예컨대 유기 FET 및 유기 TFT와 같은 유기 트랜지스터에서의 용도이다.
따라서, 적합한 신규 유기 재료의 용도는 디스플레이, 센서, 트랜지스터, 메모리 또는 광기전력 전지와 같은 유기 전자제품에 기초한 부품의 다양한 새로운 유형이 제공되게 한다. 이는 얇고, 가볍고, 가요성이고, 적은 비용으로 생산 가능한 새로운 분야에 대한 부품 개발이 가능하게 한다.
본 발명에 따른 용도의 바람직한 분야는 유기 발광 다이오드에서의 본 발명의 화합물의 용도이다.
유기 발광 다이오드(OLED)는 재료가 전기 전류에 의해 여기될 때 광을 방출하는 재료의 특성을 이용한다. OLED는 평면형 영상 표시 장치를 제조하기 위한 음극선관 및 액정 디스플레이에 대한 대용물로서 특히 중요하다. 매우 소형인 설계 및 본질적으로 낮은 전력 소모로 인해, OLED를 포함하는 디바이스는 특히 이동 분야, 예를 들면 휴대폰, 컴퓨터 등에서의 분야 및 조명에 적합하다.
OLED가 작동하는 방식의 기본적인 원칙 및 OLED의 적합한 구조(층)가 예를 들면 WO 2005/113704 및 이에 인용된 문헌에 기재되어 있다. 사용된 발광 재료(에미터)뿐만 아니라 형광 재료(형광 에미터)도 인광 재료(인광 에미터)일 수 있다. 인광 에미터는 통상적으로 1중항 방출을 나타내는 형광 에미터와 반대로 3중항 방출을 나타내는 유기금속 착체이다(M. A. Baldo et al., Appl. Phys, Lett 1999, 75, 4-6). 양자-기계적 이유로, 인광 에미터를 사용할 때, 양자 효율, 에너지 효율 및 전력 효율의 4배까지가 가능하다.
긴 작동 수명, 우수한 효율, 열 응력에 대한 높은 안정성 및 낮은 사용 전압 및 작동 전압을 갖는 유기 발광 다이오드가 특히 중요하다.
선행 기술은 OLED 내에 상이한 업무를 수행할 수 있는 다양한 화학 화합물을 개시한다.
WO 2004/093210 A1은 에미터 재료로서 복핵 금속 화합물을 갖는 유기 발광 다이오드(OLED)를 개시한다. 애노드, 캐소드 및 애노드와 캐소드 사이의 방출층을 갖는 발광 다이오드가 개시되어 있다. 방출층은 1개 이상의 금속 중심을 갖는 에미터 재료를 포함한다. WO 2004/093210에 따른 복핵 화합물은 바람직하게는 2개의 금속 중심을 포함하고, 각각의 금속 중심은 1개 이상의 브릿지 리간드에 부착된다. 이 문헌에 따른 적합한 브릿지 리간드는 이종원자로서 질소를 갖는 5원 또는 6원 고리이다. 게다가, 피라졸이 브릿지 리간드로서 언급되어 있다. 브릿지 리간드 이외에, 이 문헌에 따른 복핵 착체는 추가의 리간드를 포함하지만, 카르벤 리간드는 WO 2004/093210에 개시되어 있지 않다.
문헌[T. Koshijama et al., Chem. Lett. Vol. 33, 10, 2004, 1386-1387]은 피리딘-2-티올레이트 이온에 의해 브릿징된 시클로금속화 복핵 백금 착체를 개시한다. 전기 전압 인가시, 이 착체는 발광을 갖는다. 인용된 문헌은 카르벤 결합을 통해 백금 원자에 부착된 브릿지 피라졸 단위 또는 리간드를 갖는 복핵 백금 착체를 개시하지 않고 있다.
문헌[Saito et al,. Jpn. J. Appl. Phys, 2005, 44, L500-L501]은 피리딘티올레이트 브릿지를 갖는 복핵 시클로금속화 백금 착체를 갖는 OLED를 개시한다. 이 문헌은 브릿지 피라졸 단위 또는 카르벤-금속 결합을 갖는 복핵 백금 착체를 개시하지 않고 있다.
문헌[Lai et al., Organometallics 1999, 18, 3991-3997]은 피라졸 브릿징된 시클로금속화 백금 착체 및 이의 양자 수율을 개시하고 있지만, 금속에 대한 카르벤 결합은 없다.
문헌[M. Tanabe et al., Organometallics 2008, 27, 2258-2267]은 브릿지 실릴 리간드를 갖는 복핵 백금 착체를 개시한다. 우선, 피라졸 단위를 통해 브릿징된 백금 원자를 포함하는 착체가 개시되어 있지 않다. 또한, Pt-카르벤 착체가 개시되어 있지 않다.
WO 2008/141637 A2는 인광 금속 착체, 이러한 인광 금속 착체를 포함하는 방사선 방출 부품, 및 언급된 화합물의 제조 방법을 개시한다. 단핵 금속 착체 이외에, 복핵 백금 착체가 또한 개시되어 있다. 일반적으로, 피라졸이 상응하는 착체에 가능한 리간드로서 개시되어 있지 않다. 그러나, 피라졸이 백금 원자 사이의 브릿지 리간드이거나, 브릿지 피라졸 리간드 이외에 카르벤 결합을 통해 금속 원자(들)에 부착된 추가의 리간드가 존재하는 것이 개시되어 있지 않다.
문헌[B. Ma at al., J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 28-29]은 2개의 백금 원자 사이의 브릿지 리간드로서 피라졸 단위를 갖는 복핵 백금 착체를 개시한다. 이 문헌의 착체는 카르벤 결합을 통해 금속 중심에 부착된 어떠한 리간드도 갖지 않는다.
문헌[Qi at al., Chem, Phys. Lett. 2008, 458, 323-328] 및 문헌[Ma et al., Adv. Funct, Mater. 2006, 16, 2438-2446]은 문헌[Ma et al., Am. Chem. Soc. 1005, 127, 25-29]에 제시된 복핵 착체에 대한 추가의 연구를 개시한다.
문헌[S.-Y. Chang et al., Inorg. Chem. 2007, 46, 11202-11212]은 처음에 피리딜피라졸 리간드 및 둘째로 킬레이팅 피라졸 리간드를 포함하는 청색 발광 백금(Ⅱ) 착체를 개시한다. 2개의 백금 양이온이 피라졸 또는 피라졸 유도체와 브릿징된 상응하는 착체는 개시되어 있지 않다.
문헌[Jain et al., J. Chem. Soc. Dalton Trans. 1993, 3625-3628]은 피라졸 브릿징된 화합물을 개시하고 있다. 그러나, 이것은 시클로금속화되지 않고 광발광 데이터가 존재하지 않는다.
문헌[Hill et al., Inorg. Phys, Theor. 1971, 2341-2347]은 팔라듐 또는 백금 양이온을 포함하는 복핵 금속 착체를 개시한다. 2개의 금속 양이온은 유기 카복실산의 카복실레이트를 통해 브릿징된다. 추가의 리간드로서, Hill 등에 따른 착체는 디엔을 포함한다.
문헌[Powell at al., Inorg. Chem. 1972, 11, 1039-1048]은 금속 양이온으로서 팔라듐 또는 백금을 포함하는 복핵 착체를 개시한다. 2개의 금속 양이온은 카복실 기를 통해 서로에 브릿징된다. 언급된 착체는 추가의 리간드로서 디페닐포스핀 기를 보유한다.
선행 기술에 개시된 복핵 백금 착체는, 이 착체가 유기 발광 다이오드에서 에미터로서 사용될 때, 부적합한 양자 수율만이 가능하다는 단점을 갖는다. 또한, 유기 발광 다이오드에서 사용하기 위해 특별히 필요한, 효율 및 안정성과 같은 선행 기술에 인용된 복핵 백금 착체의 특성이 개선될 필요가 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 유기 발광 다이오드 및 유기 전자제품에서의 추가의 용도에 적합한 추가의 재료를 제공하는 것이다. 더욱 특히, OLED에서 사용하기 위한 인광 에미터가 제공되어야 한다. 게다가, 그 재료는 우수한 효율, 우수한 작동 수명 및 열 응력에 대한 높은 안정성, 및 OLED의 낮은 사용 전압 및 작동 전압을 보장하는 OLED를 제공하기에 적합해야 한다.
이러한 목적은 일반식 (Ia) 또는 일반식 (Ib)의 복핵 Pt-카르벤 착체 또는 이의 이성체에 의해 본 발명에 따라 성취된다:
Figure pct00001
,
Figure pct00002
[식 중, A, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8 및 R9 및 R10은 각각 다음과 같이 정의된다:
A는 독립적으로 N 또는 C이고,
R1, R2, R3은 각각 독립적으로 수소, 1개 내지 20개의 탄소 원자를 갖고, 임의로 1개 이상의 이종원자가 개재되며, 임의로 1개 이상의 작용기를 갖는 선형 또는 분지형 알킬 라디칼, 3개 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 사이클로알킬 라디칼이고,
R4는 독립적으로 1개 내지 20개의 탄소 원자를 갖고, 임의로 1개 이상의 이종원자가 개재되며, 임의로 1개 이상의 작용기를 갖는 선형 또는 분지형 알킬 라디칼, 3개 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 사이클로알킬 라디칼, 6개 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환 아릴 라디칼, 총 1개 내지 18개의 탄소 원자 및/또는 이종원자를 갖는 치환 또는 비치환 헤테로아릴 라디칼이고,
R5, R6은 각각 독립적으로, A가 N인 경우 또는 A가 C인 경우 자유 전자 쌍, 수소, 1개 내지 20개의 탄소 원자를 갖고, 임의로 1개 이상의 이종원자가 개재되며, 임의로 1개 이상의 작용기를 갖는 선형 또는 분지형 알킬 라디칼, 3개 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 사이클로알킬 라디칼, 6개 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환 아릴 라디칼, 총 1개 내지 18개의 탄소 원자 및/또는 이종원자를 갖는 치환 또는 비치환 헤테로아릴 라디칼이거나,
R4와 R5 또는 R5와 R6은, N 및 A와 함께 또는 A 및 A와 함께, 총 1개 내지 18개의 탄소 원자 및/또는 이종원자를 갖고 임의로 1개 이상의 추가의 이종원자가 개재된 포화, 불포화 또는 방향족 고리를 형성하고,
R7, R8, R9, R10은 각각 독립적으로 수소, 1개 내지 20개의 탄소 원자를 갖고, 임의로 1개 이상의 이종원자가 개재되며, 임의로 1개 이상의 작용기를 갖는 선형 또는 분지형 알킬 라디칼, 3개 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 시클로알킬 라디칼, 6개 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환 아릴 라디칼, 총 1개 내지 18개의 탄소 원자 및/또는 이종원자를 갖는 치환 또는 비치환 헤테로아릴 라디칼, 에테르, 아미노, 티오, 에스테르, 카보닐, 니트로 또는 할로겐 기로부터 선택된 작용기이거나,
R7과 R8 또는 R8과 R9 또는 R9와 R10은 함께 총 1개 내지 18개의 탄소 원자 및/또는 이종원자를 갖고 임의로 1개 이상의 이종원자가 개재된 포화, 불포화 또는 방향족의, 임의로 치환된 고리를 형성하고/하거나,
R6과 R7은 함께 총 1개 내지 30개의 탄소 원자 및/또는 이종원자를 갖고, 임의로 이종원자, 방향족 단위, 헤테로방향족 단위 및/또는 작용기를 포함하며, 탄소 원자 및/또는 이종원자를 포함하는 치환 또는 비치환, 5원 내지 8원 고리가 임의로 축합된, 포화 또는 불포화의 선형 또는 분지형 브릿지를 형성한다].
일반식 (Ia) 및 일반식 (Ib)는 본 발명의 복핵 Pt-카르벤 착체의 2종의 가능한 이성체이다. 본 발명의 복핵 Pt-카르벤 착체는 당업자에게 공지된 모든 이성체, 예를 들면 하기 일반식 (Ic) 및 일반식 (Id)의 이성체에 추가로 존재할 수 있다:
Figure pct00003
Figure pct00004
.
본 발명에 따르면, 언급된 복핵 Pt-카르벤 착제의 이성체는 개별 화합물로서 또는 2종 이상의 가능한 이성체의 혼합물로서 존재할 수 있다.
본 발명에 있어서, 아릴 라디칼 또는 기, 헤테로아릴 라디칼 또는 기 및 알킬 라디칼 또는 기란 용어는 각각 하기 정의되어 있다:
아릴 라디칼 또는 기는 1개의 방향족 고리 또는 복수의 축합 방향족 고리로부터 형성되는 6개 내지 30개의 탄소 원자, 바람직하게는 6개 내지 18개의 탄소 원자의 기본 골격을 갖는 라디칼을 의미하는 것으로 이해된다. 적합한 기본 골격은 예를 들면 페닐, 벤질, 나프틸, 안트라세닐 또는 페난트레닐이다. 이 기본 골격은 비치환되거나(이는 치환 가능한 모든 탄소 원자가 수소 원자를 가짐을 의미), 기본 골격의 1개, 1개 초과 또는 모든 치환 가능한 위치에서 치환될 수 있다. 적합한 치환기는 예를 들면 알킬 라디칼, 바람직하게는 1개 내지 8개의 탄소 원자를 갖는 알킬 라디칼, 더 바람직하게는 메틸, 에틸, i-프로필 또는 1-부틸, 아릴 라디칼, 바람직하게는 치환 또는 비치환될 수 있는 C6-아릴 라디칼, 헤테로아릴 라디칼, 바람직하게는 1개 이상의 질소 원자를 포함하는 헤테로아릴 라디칼, 더 바람직하게는 피리딜 라디칼, 알케닐 라디칼, 바람직하게는 이중 결합을 갖는 알케닐 라디칼, 더 바람직하게는 1개의 이중 결합 및 1개 내지 8개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 라디칼, 또는 도너 또는 억셉터 작용을 갖는 기이다. 도너 작용을 갖는 기는 +I 및/또는 +M 효과를 갖는 기를 의미하는 것으로 이해되고, 억셉터 작용을 갖는 기는 -I 및/또는 -M 효과를 갖는 기를 의미하는 것으로 이해된다. 도너 또는 억셉터 작용을 갖는 적합한 기는 할로겐 라디칼, 바람직하게는 F, Cl, Br, 더 바람직하게는 F, 알콕시 라디칼, 아릴옥시 라디칼, 카보닐 라디칼, 에스테르 라디칼, 아민 라디칼, 아미드 라디칼, CH2F 기, CHF2 기, CF3 기, CN 기, 티오 기 또는 SCN 기이다. 아릴 라디칼은 가장 바람직하게는 메틸, F, 아민, 티오 기 및 알콕시로 이루어진 군으로부터 선택되는 치환기를 갖거나, 아릴 라디칼은 비치환된다. 아릴 라디칼 또는 아릴 기는 바람직하게는 1개 이상의 상기 언급된 치환기로 임의로 치환된 C6-아릴 라디칼이다. C6-아릴 라디칼은 더 바람직하게는 0개, 1개, 2개 또는 3개의 상기 언급된 치환기를 갖는다. 본 발명에 따라 존재하는 아릴 라디칼은 더 바람직하게는 치환기를 갖지 않는다.
헤테로아릴 라디칼 또는 헤테로아릴 기는 아릴 라디칼의 기본 골격에서의 1개 이상의 탄소 원자가 이종원자로 대체된다는 점에서 상기 언급된 아릴 라디칼과 다른 라디칼을 의미하는 것으로 이해된다. 바람직한 이종원자는 N, 0 및 S이다. 가장 바람직하게는, 아릴 라디칼의 기본 골격의 1개 또는 2개의 탄소 원자가 이종원자로 대체된다. 기본 골격은 특히 바람직하게는 피리딜, 피리미딜, 피라질, 트리아릴 및 5원 헤테로방향족, 예컨대 피롤, 푸란, 티오펜, 피라졸, 이미다졸, 트리아졸, 옥사졸, 티아졸로부터 선택된다. 기본 골격은 기본 골격의 0개, 1개, 1개, 1개 초과 또는 모든 치환 가능한 위치에서 치환될 수 있다. 적합한 치환기는 아릴 기에 대해 이미 언급된 것과 동일하다.
알킬 라디칼 또는 알킬 기는 1개 내지 20개의 탄소 원자, 바람직하게는 1개 내지 10개의 탄소 원자, 더 바람직하게는 1개 내지 8개의 탄소 원자를 갖는 라디칼을 의미하는 것으로 이해된다. 이 알킬 라디칼은 분지형 또는 비분지형일 수 있고, 임의로 1개 이상의 이종원자, 바람직하게는 N, 0 또는 S가 개재될 수 있다. 게다가, 이 알킬 라디칼은 아릴 기에 대해 언급된 1개 이상의 치환기로 치환될 수 있다. 마찬가지로, 알킬 라디칼이 1개 이상의 아릴 기를 가질 수 있다. 상기 기재된 아릴 기 모두 적합하다. 알킬 라디칼은 더 바람직하게는 메틸, 에틸, i-프로필, n-프로필, i-부틸, n-부틸, t-부틸, sec-부틸, i-펜틸, n-펜틸, sec-펜틸, 네오펜틸, n-헥실, i-헥실 및 sec-헥실로 이루어진 군으로부터 선택된다. 메틸, i-프로필, tert-부틸 및 n-헥실, 특히 메틸이 매우 특히 바람직하다.
사이클로알킬 라디칼 또는 사이클로알킬 기는 3개 내지 20개의 탄소 원자, 바람직하게는 3개 내지 10개의 탄소 원자, 더 바람직하게는 3개 내지 8개의 탄소 원자를 갖는 사이클릭 라디칼을 의미하는 것으로 이해된다. 이 시클로알킬 라디칼은 1개 이상의 이종원자, 바람직하게는 N, 0 또는 S로 임의로 개재될 수 있다. 게다가, 이 사이클로알킬 라디칼은 비치환되거나 치환될 수 있고, 즉 아릴 기에 언급된 1개 이상의 치환기로 치환될 수 있다. 마찬가지로, 사이클로알킬 라디칼은 1개 이상의 아릴 기를 가질 수 있다. 상기 기재된 아릴 기 모두 적합하다.
본 발명에 따르면, 아릴, 헤테로아릴, 알킬 및 사이클로알킬 라디칼에 대한 설명이 독립적으로 R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9 및 R10 라디칼에 적용되고, A가 N인 경우, R5 및 R6은 각각 자유 전자 쌍이고, 이것은 상기 언급된 기로부터 선택된 치환기가 이 고리 질소 원자에 존재하지 않는다는 것을 의미한다. A가 C인 경우, R5 및 R6은 각각 독립적으로 수소 및/또는 언급된 치환기이다.
일반식 (Ia) 또는 일반식 (Ib)의 복핵 Pt-카르벤 착체의 추가의 실시양태에서, R4와 R5 또는 R5와 R6은, N 및 A와 함께 또는 A 및 A와 함께, 총 1개 내지 18개의 탄소 원자 및/또는 이종원자를 갖고 임의로 1개 이상의 추가의 이종원자가 개재된 포화, 불포화 또는 방향족 고리를 형성하거나, R7과 R8 또는 R8과 R9는 함께 총 5개 내지 30개의 탄소 원자 및/또는 이종원자를 갖고 임의로 1개 이상의 이종원자가 개재된 포화, 불포화 또는 방향족의, 임의로 치환된 고리를 형성한다.
이와 관련하여, 본 발명에 따르면, "총"은 고리 원자 A도 또한 계산된다는 것을 의미한다. 본 발명에 따르면, R4와 R5 또는 R5와 R6 또는 R7과 R8 또는 R8과 R9 라디칼만이 동일한 5원 또는 6원 고리에 존재하는 상응하는 고리를 형성한다.
바람직한 실시양태에서, R7과 R8은 함께 총 5개 내지 30개의 탄소 원자 및/또는 이종원자를 갖고 임의로 1개 이상의 이종원자가 개재된 포화, 불포화 또는 방향족 고리를 형성한다. 예를 들면, R7과 R8은 하기 화학식 (Ⅱa) 또는 (Ⅱb)의 고리계를 형성한다:
Figure pct00005
.
추가의 바람직한 실시양태에서, R5와 R6은, A 및 A와 함께, 하기 일반식 (Ⅱc)의 고리계를 형성한다:
Figure pct00006
.
[식 중, Z는 독립적으로 CR' 또는 N이고, R'은 수소, 1개 내지 20개의 탄소 원자를 갖고, 임의로 1개 이상의 이종원자가 개재되며, 임의로 1개 이상의 작용기를 갖는 선형 또는 분지형 알킬 라디칼, 3개 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 사이클로알킬 라디칼, 6개 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환 아릴 라디칼, 총 1개 내지 18개의 탄소 원자 및/또는 이종원자를 갖는 치환 또는 비치환 헤테로아릴 라디칼, 에테르, 아미노, 티오, 에스테르, 카보닐, 니트로 또는 할로겐 기로부터 선택되는 작용기이다].
특히 바람직한 양태에서, R6과 R7은 하기 화학식 (Ⅱd)에 해당하는 페닐 고리를 형성한다:
Figure pct00007
.
일반식 (Ia) 또는 일반식 (Ib)의 복핵 Pt-카르벤 착체는 2개의 백금 원자를 포함한다. 본 발명의 일반식 (Ia) 또는 일반식 (Ib)의 복핵 Pt-카르벤 착체에서, 백금 원자는 +Ⅱ 산화 상태로 존재한다.
일반식 (Ia) 또는 일반식 (Ib)의 본 발명의 Pt-카르벤 착체의 특히 바람직한 실시양태에서, A, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9 및 R10은 각각 다음과 같이 정의되어 있다:
A는 독립적으로 N 또는 C이고,
R1, R3은 각각 독립적으로 수소, 1개 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 선형 또는 분지형 알킬 라디칼이고,
R2는 수소이고,
R4는 독립적으로 1개 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 선형 또는 분지형 알킬 라디칼, 6개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환 아릴 라디칼, 5개의 탄소 원자 및/또는 이종원자를 갖는 치환 또는 비치환 헤테로아릴 라디칼이고,
R5, R6은 각각, A가 N인 경우 또는 A가 C인 경우 자유 전자 쌍, 각각 독립적으로 수소, 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 선형 또는 분지형 알킬 라디칼, 6개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환 아릴 라디칼, 5개의 탄소 원자 및/또는 이종원자를 갖는 치환 또는 비치환 헤테로아릴 라디칼이거나,
R5와 R6은, A 및 A와 함께, 총 5개 내지 10개의 탄소 원자 및/또는 이종원자를 갖고 임의로 1개 이상의 추가의 이종원자가 개재된 방향족 고리를 형성하고,
R7, R8, R9, R10은 독립적으로 수소이거나,
R6과 R7은 함께 총 5개 내지 12개의 탄소 원자 및/또는 이종원자를 갖고 임의로 1개 이상의 이종원자가 개재된 불포화 또는 방향족의, 임의로 치환된 고리를 형성한다.
본 발명의 매우 특히 바람직한 실시양태에서, 본 발명의 복핵 Pt-카르벤 착체는 하기 화학식 (Ia), (Ib), (Ic), (Id), (Ie) 또는 (If) 또는 이들의 이성체에 해당한다:
Figure pct00008
,
Figure pct00009
,
Figure pct00010
,
Figure pct00011
,
Figure pct00012
,
Figure pct00013
.
상기 언급된 복핵 Pt-카르벤 착체 및 이의 혼합물은 유기 발광 다이오드(OLED)에서 에미터 분자로서 특히 적합하다. 리간드의 변형에 의해, 전자기 스펙트럼의 적색, 녹색, 특히 청색 영역에서 전자발광을 나타내는 상응하는 착체를 제공할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따라 사용되는 비하전 Pt-카르벤 착체는 조명 수단으로서 산업상 유용한 풀 컬러 디스플레이 또는 화이트 OLED에서 사용하기에 적합하다.
본원 발명은 또한 적합한 Pt 화합물을 상응하는 리간드 또는 리간드 전구체 및/또는 피라졸 또는 상응하는 피라졸 유도체와 접촉시킴으로써 본 발명의 복핵 Pt-카르벤 착체를 제조하는 방법에 관한 것이다.
원칙적으로, 일반식 (Ia) 또는 일반식 (Ib)의 Pt-카르벤 착체를 제조하기 위한 본 발명에 따른 방법은 2가지 실시양태로 수행할 수 있다:
본 발명에 따른 방법의 제1 실시양태(변형 A)에서, 적합한 Pt 화합물, 즉 염 또는 착체를 적합한 리간드 전구체 및 피라졸 또는 상응하는 피라졸 유도체와 반응시킨다.
일반적으로, 적합한 Pt 염은 당업자에게 공지되어 있고 본 발명의 반응 조건 하에 충분히 높은 반응성을 나타내는 모든 것이다. 상응하는 Pt 염 또는 Pt(COD)Cl2(COD = 시클로옥타디엔), Pt(PPh3)2Cl2, Pt(피리딘)2Cl2, Pt(페난트롤린)Cl2, Pt(NH3)2Cl2, Pt(acac)2, PtCl2, K2PtCl4 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 착체가 바람직하다. Pt(COD)Cl2를 사용하는 것이 특히 바람직하다.
적합한 리간드 전구체는, Pt 화합물 및 피라졸 또는 이의 유도체와의 반응 후, 일반식 (Ia) 또는 일반식 (Ib)의 복핵 Pt-카르벤 착체를 생성시키는 화합물이다. 바람직한 실시양태에서, 하기 일반식 (Ⅲ)의 리간드 전구체가 상응하게 적합하다:
Figure pct00014
[식 중, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10 및 A는 각각 화학식 (Ia) 또는 (Ib)에 대해 정의된 바와 같다]. 일반식 (Ia) 또는 일반식 (Ib)의 원하는 화합물이 얻어지도록 R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10 및 A 라디칼이 선택되어야 한다는 것이 당업자에게 명확하다.
일반식 (Ⅲ)의 화합물에서, X-는 예를 들면, 할라이드, 특히 클로라이드, 브로마이드, 요오다이드, 더 바람직하게는 요오다이드, 또는 BF4 -, PF6 -, SbF6 -, ClO4 -, ½ SO4 2-, 바람직하게는 BF4 -, PF6 -이다.
본 발명에 따른 방법에서 리간드 전구체로서 사용되는 특히 바람직한 일반식 (Ⅲ)의 화합물은 상기 언급된 바람직한 R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10 및 A 라디칼을 포함하고, X-가 I-인 화합물, 가장 바람직하게는 하기 화합물 (Ⅲa) 및 (Ⅲb)이다:
Figure pct00015
.
일반식 (Ⅲa) 및 (Ⅲb)의 상응하는 화합물은 당업자에게 공지된 방법에 의해 얻을 수 있다.
본 발명에 따르면, 피라졸 및 상응하는 유도체는 하기 일반식 (Ⅳ1) 또는 (Ⅳ2)이다:
Figure pct00016
.
여기서, 피라졸은 2종의 호변이성체 형태 (Ⅳ1) 또는 (Ⅳ2)로 존재할 수 있다. 모든 일반식 (Ⅳ)의 화합물의 경우, 본 발명에 따라, 호변이성체 1 및 2 형태 둘 다가 각각의 경우 포함되어야 한다.
일반식 (Ⅳ1) 또는 (Ⅳ2)에서, R1, R2 및 R3은 각각 상기언급된 정의 및 바람직한 정의를 갖는다. 바람직한 일반식 (Ia) 또는 일반식 (Ib)의 화합물이 얻어지도록 R1, R2 및 R3 라디칼이 선택되어야 한다는 것이 당업자에게 명확하다.
본 발명에 따른 방법에서 사용되는 특히 바람직한 일반식 (Ⅳ)의 화합물은 하기 화합물 (Ⅳa), (Ⅳb), (Ⅳc), (Ⅳd), (Ⅳe) 및 (Ⅳf)이고, 여기서 호변이성체 형태가 또한 각각의 경우 포함된다:
Figure pct00017
.
상응하는 일반식 (Ⅳ)의 화합물은 당업자에게 공지된 방법에 의해 얻을 수 있거나 상업적으로 구입 가능하다.
본 발명에 따른 방법의 이 실시양태에서 사용되는 화합물의 몰 비는 바람직하게는 상응하는 일반식 (Ia) 또는 일반식 (Ib)의 화합물이 얻어지는 것으로, 예를 들면 1 내지 10 당량, 바람직하게는 1 내지 5 당량, 더 바람직하게는 1 내지 2당량의 리간드, 1 당량의 금속, 및 1 내지 10 당량, 바람직하게는 1 내지 5 당량, 더 바람직하게는 2 내지 4 당량의 피라졸 또는 피라졸 유도체이다.
반응을 일반적으로 0 내지 150℃, 바람직하게는 0 내지 120℃, 예를 들면 실온, 100℃ 또는 115℃의 온도에서 수행한다.
용매 중에 본 발명에 따른 방법을 수행하는 것이 바람직하고, 에테르, 사이클릭 에테르, 케톤, 극성 용매, 바람직하게는 디옥산, 부타논, 에톡시에탄올, 디메틸포름아미드(DMF) 또는 이들의 혼합물과 같은 적합한 용매가 당업자에게 공지되어 있다.
반응 시간은 원하는 Pt-카르벤 착체에 따라 달라지고, 일반적으로 7 내지 80 시간, 바람직하게는 2 내지 70 시간, 더 바람직하게는 10 내지 60 시간, 예를 들면 54 시간이다.
생성된 일반식 (Ia) 또는 일반식 (Ib)의 Pt-카르벤 착체를 당업자에게 공지된 방법에 의해 후처리할 수 있다. 예를 들면, 반응 동안 침전된 생성물을 여과시키고, 임의로 예를 들면 물로 세척하고, 그 후 디클로로메탄으로 칼럼 크로마토그래피로 정제하고 건조시킨다.
제2 실시양태(변형 B)에서, 상응하는 일반식 (Ia) 또는 일반식 (Ib)의 화합물에 존재하는 리간드가 존재하는 Pt 착체를 피라졸 또는 상응하는 이의 유도체와 반응시킴으로써 본 발명의 복핵 Pt-카르벤 착체를 얻을 수 있다.
리간드가 상응하는 원하는 일반식 (Ia) 또는 일반식 (Ib)의 화합물에 존재하는 Pt 착체는, 바람직한 실시양태에서, 하기 일반식 (V)에 해당한다:
Figure pct00018
.
[식 중, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10 및 A는 각각 상기 언급된 정의 및 바람직한 정의를 갖는다]. 원하는 일반식 (Ia) 또는 일반식 (Ib)의 화합물이 얻어지도록 R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10 및 A 라디칼이 선택되어야 한다는 것이 당업자에게 명확하다.
일반식 (V)에서, L은 일반식 (V)의 화합물에서 Pt에 결합한 1개 이상의 한자리 또는 다자리 리간드를 나타낸다. 사이클로옥타디엔(cod), Cl, Br, 아세틸아세토네이트(acac), 1,3-디케트이미네이트(nacnac), OAc(아세테이트), BF4, PF6, PPh3 또는 용매와 같은, 본 발명의 반응 조건 하에 피라졸 또는 피라졸 유도체와의 반응 동안 용이하게 제거되는 적합한 리간드는 당업자에게 공지되어 있다.
L은 더 바람직하게는 하기 화학식 (VI)의 2자리 리간드이다:
Figure pct00019
.
[식 중, Pt 원자에 대한 결합은 점선을 통한다].
본 발명에 따른 방법에서 사용 가능한 피라졸 또는 상응하는 피라졸 유도체는 상기 언급된 일반식 (Ⅳ)의 화합물이다.
본 발명에 따른 방법의 이 실시양태에서, 사용된 화합물의 몰 비는 바람직하게는 상응하는 일반식 (Ia) 또는 일반식 (Ib)의 화합물이 얻어지는 것으로, 예를 들면 1 당량의 착체 및 1 내지 10 당량, 바람직하게는 1 내지 5 당량, 더 바람직하게는 1 내지 2 당량의 피라졸 또는 피라졸 유도체이다.
반응을 일반적으로 0 내지 150℃, 바람직하게는 0 내지 120℃, 예를 들면 60℃의 온도에서 수행한다.
본 발명에 따른 방법을 바람직하게는 용매 중에 수행하고, 에테르, 사이클릭 에테르, 케톤, 극성 용매, 바람직하게는 염화메틸렌, 디옥산, 에톡시에탄올, 부타논, 디메틸포름아미드(DMF) 또는 이들의 혼합물과 같은 적합한 용매가 당업자에게 공지되어 있다.
반응 시간은 원하는 Pt-카르벤 착체에 따라 달라지고, 일반적으로 1 내지 50 시간, 바람직하게는 2 내지 40 시간, 더 바람직하게는 10 내지 30 시간, 예를 들면 24 시간이다.
이렇게 얻은 일반식 (Ia) 또는 일반식 (Ib)의 Pt-카르벤 착체를 제1 실시양태에 이미 기재된 바대로 후처리할 수 있고, 디클로로메탄으로 칼럼 크로마토그래피 정제하는 것이 바람직하다.
본원 발명의 일반식 (Ia) 또는 일반식 (Ib)의 복핵 Pt-카르벤 착체는 에미터 재료로서 특히 적합한데, 왜냐하면 이것은 예를 들면 440 내지 500 ㎚에서의 전자기 스펙트럼의 가시광선에서 방출(전기방출)을 갖기 때문이다. 복핵 Pt-카르벤 착체에 의해, 전자기 스펙트럼의 적색, 녹색 및 청색 영역에서 전자발광을 갖는 화합물을 제공할 수 있다. 따라서, 에미터 재료로서의 본 발명의 복핵 Pt-카르벤 착체에 의해, 기술적으로 사용 가능한 조명 수단용 풀 컬러 디스플레이 또는 화이트 OLED를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 일반식 (Ia) 또는 일반식 (Ib)의 화합물은 60 내지 100%의 매우 높은 양자 수율을 갖는다. 양자 수율을 당업자에게 공지된 공정에 의해, 예를 들면 용액 또는 얇은 중합체 필름 중의 에미터의 UV/Vis 분광법에 의해 결정한다.
따라서, 본원은 추가로 본 발명의 하나 이상의 일반식 (Ia) 또는 일반식 (Ib)의 복핵 Pt-카르벤 착체를 포함하는 OLED를 제공한다.
추가로, 본원은 또한 OLED에서 발광층으로, 바람직하게는 에미터, 매트릭스 재료, 전하 수송 재료 및/또는 전하 차단제로서 사용되는 일반식 (Ia) 또는 일반식 (Ib)의 복핵 Ft-카르벤 착체의 용도를 제공한다.
원칙적으로, 유기 발광 다이오드는
- 애노드(1)
- 정공 수송층(2)
- 발광층(3)
- 전자 수송층(4)
- 캐소드(5)
의 복수의 층으로부터 형성된다.
일반식 (Ia) 또는 일반식 (Ib)의 복핵 Pt-카르벤 착체는 바람직하게는 에미터 분자로서 발광층(3)에서 사용된다.
따라서, 본원은 추가로 바람직하게는 에미터 분자로서 본 발명의 하나 이상의 일반식 (Ia) 또는 일반식 (Ib)의 복핵 Pt-카르벤 착체를 포함하는 발광층을 제공한다. 바람직한 일반식 (Ia) 또는 일반식 (Ib)의 복핵 Pt-카르벤 착체는 이미 상기 언급되어 있다.
본 발명에 따라 사용되는 일반식 (Ia) 또는 일반식 (Ib)의 복핵 Pt-카르벤 착체는 물질 중에, 즉 추가의 첨가 없이 발광층에 존재할 수 있다. 그러나, 또한, 본 발명에 따라 사용되는 일반식 (Ia) 또는 일반식 (Ib)의 복핵 Pt-카르벤 착체 이외에, 추가의 화합물이 발광층에 존재할 수 있다. 예를 들면, 형광 염료가 에미터 분자로서 사용되는 복핵 Pt-카르벤 착체의 방출 색상을 변경하기 위해 존재할 수 있다. 게다가, 희석제 재료(매트릭스 재료)를 사용할 수 있다. 이 희석제 재료는 중합체, 예를 들면 폴리(N-비닐카바졸) 또는 폴리실란일 수 있다. 그러나, 희석제 재료는 마찬가지로 4,4'-N,N'-디카바졸비페닐(CDP) 또는 3차 방향족 아민과 같은 소형 분자일 수 있다. 희석제 재료를 사용할 때, 발광층에서 본 발명에 따라 사용되는 복핵 Pt-카르벤 착체의 비율은 일반적으로 40 중량% 미만, 바람직하게는 3 내지 20 중량%이다. 본원 발명의 일반식 (Ia) 또는 일반식 (Ib)의 복핵 Pt-카르벤 착체를 바람직하게는 매트릭스 재료에서 사용한다. 따라서, 발광층은 바람직하게는 본 발명의 하나 이상의 일반식 (Ia) 또는 일반식 (Ib)의 복핵 Pt-카르벤 착체 및 매트릭스 재료를 포함한다.
추가로, 본원은 에미터 분자로서 하나 이상의 일반식 (Ia) 또는 일반식 (Ib)의 복핵 Pt-카르벤 착체를 포함하는 발광층을 제공한다. 일반식 (Ia) 또는 일반식 (Ib)의 바람직한 착체는 이미 상기 언급되어 있다.
OLED의 상기 언급된 층 중 개별 층은 결국 2개 이상의 층으로부터 형성될 수 있다. 예를 들면, 정공 수송층은 정공이 전극으로부터 주입되는 1개의 층, 및 정공 주입층으로부터 발광층으로 정공을 수송하는 층으로부터 형성될 수 있다. 전자 수송층은 마찬가지로 복수의 층, 예를 들면 전자가 전극을 통해 주입되는 층, 및 전자 주입층으로부터 전자를 받고 이를 발광층으로 수송하는 층으로 이루어질 수 있다. 언급된 이 층은 각각 에너지 준위, 내열성 및 전하 운반체 이동성, 또한 언급된 층과 유기 층 또는 금속 전극의 에너지차와 같은 인자에 따라 선택된다. 당업자는 본 발명에 따라 에미터 재료로서 사용되는 본 발명에 따른 복핵 Pt-카르벤 착체에 최적으로 일치되도록 OLED의 구성을 선택할 수 있을 것이다.
특히 효과적인 OLED를 얻기 위해, 정공 수송층의 HOMO(최대 점유 분자 오비탈)를 애노드의 일 함수에 배정하고, 전자 수송층의 LUMO(최저 비점유 분자 오비탈)를 캐소드의 일 함수에 배정해야 한다.
추가로, 본원은 본 발명의 하나 이상의 발광층을 포함하는 OLED를 제공한다. OLED에서의 추가의 층은 이 층에 통상적으로 사용되고 당업자에게 공지된 임의의 재료로부터 형성될 수 있다.
애노드는 양전하 운반체를 제공하는 전극이다. 이것은 예를 들면 금속, 상이한 금속의 혼합물, 금속 합금, 금속 산화물 또는 상이한 금속 산화물의 혼합물을 포함하는 재료로 이루어질 수 있다. 대안적으로, 애노드는 전도성 중합체일 수 있다. 적합한 금속은 원소 주기율표의 11족, 4족, 5족 및 6족의 금속, 또한 8족 내지 10족의 전이 금속을 포함한다. 애노드가 투명할 때, 산화 인듐 주석(ITO)과 같은 원소 주기율표의 12족, 13족 및 14족의 혼합 금속 산화물을 일반적으로 사용한다. 마찬가지로, 애노드(1)는 예를 들면 문헌[Nature, Vol 357, pages 477-479(1992년 6월 11일)]에 기재된 바대로 폴리아닐린과 같은 유기 재료를 포함할 수 있다. 적어도 애노드 또는 캐소드 중 어느 하나는 형성된 광을 방출할 수 있도록 적어도 부분적으로 투명해야 한다.
본 발명의 OLED의 층(2)에 적합한 정공 수송 재료는 예를 들면 문헌[Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology, 4th Edition, Vol. 18, pages 837-860, 1996]에 개시되어 있다. 정공 수송 분자 또는 중합체 중 어느 하나를 정공 수송 재료로서 사용할 수 있다. 통상적으로 사용되는 정공 수송 분자는 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPD), N,N'-디페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민(TPD), 1,1-비스[(디-4-톨릴아미노)페닐]사이클로헥산(TAPC), N,N'-비스(4-메틸페닐)-N,N'-비스(4-에틸페닐)-[1,1'-(3,3'-디메틸)비페닐]-4,4'-디아민(ETPD), 테트라키스(3-메틸페닐)-N,N,N',N'-2,5-페닐렌디아민(PDA), α-페닐-4-N,N-디페닐아미노스티렌(TPS), p-(디에틸아미노)벤즈알데하이드디페닐히드라존(DEH), 트리페닐아민(TPA), 비스[4-(N,N-디에틸아미노)-2-메틸페닐](4-메틸페닐)메탄(MPMP), 1-페닐-3-[p-(디에틸아미노)스티릴]-5-[p-(디에틸아미노)페닐]피라졸린(PPR 또는 DEASP), 1,2-트랜스-비스(9H-카바졸-9-일)사이클로부탄(DCZB), N,N,N',N'-테트라키스(4-메틸페닐)-(1,1'-비페닐)-4,4'-디아민(TTB) 및 포르피린 화합물, 예컨대 구리 프탈로시아닌으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 통상적으로 사용되는 정공 수송 중합체는 폴리비닐카바졸, (페닐메틸)폴리실란 및 폴리아닐린으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 마찬가지로, 정공 수송 분자를 폴리스티렌 및 폴리카보네이트와 같은 중합체로 도핑하여 정공 수송 중합체를 얻을 수 있다. 적합한 정공 수송 분자는 이미 상기 언급된 분자이다.
본 발명의 OLED의 층(4)에 적합한 전자 수송 재료는 옥시노이드 화합물로 킬레이트화된 금속, 예컨대 트리스(8-하이드록시퀴놀라토)알루미늄(Alq3), 2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린(DDPA) 또는 4,7-디페닐-1,10-페난트롤린(DPA)과 같은 페난트롤린에 기초한 화합물 및 2-(4-비페닐릴)-5-(4-t-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸(PBD) 및 3-(4-비페닐릴)-4-페닐-5-(4-t-부틸페닐)-1,2,4-트리아졸(TAZ)과 같은 아졸 화합물을 포함한다. 층(4)은 전자 수송을 수월하게 하기 위해 그리고 OLED의 층의 계면에서 엑시톤의 켄칭을 막기 위한 완충층 또는 장벽층으로서 기능할 수 있다. 층(4)은 바람직하게는 전자의 이동도를 증강시키고 엑시톤의 켄칭을 감소시킨다.
캐소드(5)는 전자 또는 음전하 운반체를 도입하도록 작용하는 전극이다. 캐소드는 애노드보다 낮은 일 함수를 갖는 임의의 금속 또는 비금속일 수 있다. 캐소드에 적합한 재료는 원소 주기율표의 1족의 알칼리 금속, 예를 들면 Li, Cs, 2족의 알칼리 토금속, 희토 금속 및 란탄 계열 및 악티니드 계열을 비롯한 12족의 금속으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 게다가, 알루미늄, 인듐. 칼슘, 바륨, 사마륨 및 마그네슘, 및 이들의 조합과 같은 금속을 사용할 수 있다. 게다가, 작동 전압을 감소시키기 위해 리튬 함유 유기 금속 화합물 또는 LiF를 유기 층과 캐소드 사이에 도포할 수 있다.
본 발명의 OLED는 당업자에게 공지된 추가의 층을 더 포함할 수 있다. 예를 들면, 양전하의 수송을 수월하게 하고/하거나 층의 밴드 갭을 서로에 일치시키는 층을 층(2)과 발광층(3) 사이에 도포할 수 있다. 대안적으로, 이 추가의 층은 보호층으로서 작용할 수 있다. 유사한 방식으로, 추가의 층이 음전하의 수송을 수월하게 하고/하거나 층 사이의 밴드 갭을 서로에 일치시키기 위해 발광층(3)과 층(4) 사이에 존재할 수 있다. 대안적으로, 이 층은 보호층으로서 작용할 수 있다.
바람직한 실시양태에서, 본 발명의 OLED는, 층(1) 내지 층(5) 이외에, 하기 언급된 1개 이상의 추가의 층을 포함한다:
- 애노드(1)와 정공 수송층(2) 사이의 정공 주입층;
- 정공 수송층(2)과 발광층(3) 사이의 전자 차단층;
- 발광층(3)과 전자 수송층(4) 사이의 정공 차단층;
- 전자 수송층(4)과 캐소드(5) 사이의 전자 주입층.
당업자는 적합한 재료를 (예를 들면, 전기화학 조사에 기초하여) 어떻게 선택해야 하는지를 알 것이다. 개별 층에 적합한 재료는 당업자에게 공지되어 있고 예를 들면 WO O0/70655에 개시되어 있다.
게다가, 층(1), 층(2), 층(3), 층(4) 및 층(5)의 몇몇 또는 모두는 전하 운반체 수송의 효율을 증가시키기 위해 표면 처리될 수 있다. 언급된 각각의 층에 대한 재료의 선택은 바람직하게는 효율이 높은 OLED를 얻음으로써 결정한다.
본원 발명의 OLED를 당업자에게 공지된 방법에 의해 제조할 수 있다. 일반적으로, 적합한 기판으로의 개별 층의 연속 증기 증착에 의해 OLED를 제조한다. 적합한 기판은 예를 들면 유리 또는 중합체 필름이다. 증기 증착을 위해, 열 증발, 화학 증기 증착 및 기타 등등과 같은 통상의 기법을 이용할 수 있다. 대안적인 방법에서, 적합한 용매 중의 용액 또는 분산액으로부터 유기 층을 도포할 수 있고, 이런 경우 당업자에게 공지된 코팅 기법을 이용한다.
일반적으로, 상이한 층은 하기 두께를 갖는다. 애노드(2) 500 내지 5000Å, 바람직하게는 1000 내지 2000Å; 정공 수송층(3) 50 내지 1000Å, 바람직하게는 200 내지 800Å; 발광층(4) 10 내지 1000Å, 바람직하게는 100 내지 800Å; 전자 수송층(5) 50 내지 1000Å, 바람직하게는 200 내지 800Å; 캐소드(6) 200 내지 10000Å, 바람직하게는 300 내지 5000Å. 본 발명의 OLED에서의 정공 및 전자의 재조합 구역의 위치 및 이에 따른 OLED의 방출 스펙트럼은 각 층의 상대 두께에 영향을 받을 수 있다. 이것은 전자/정공 재조합 구역이 발광층 내에 있도록 전자 수송층의 두께가 선택되는 것이 바람직하다는 것을 의미한다. OLED에서의 개별 층의 층 두께의 비율은 사용되는 재료에 따라 달라진다. 사용되는 임의의 추가의 층의 층 두께는 당업자에게 공지되어 있다.
본원 발명의 OLED를 전자발광이 유용한 모든 디바이스에서 사용할 수 있다. 적합한 디바이스는 바람직하게는 고정식 및 이동식 영상 표시 장치로부터 선택된다. 따라서, 본원 발명은 또한 본 발명의 OLED를 포함하는 고정식 영상 표시 장치 및 이동식 영상 표시 장치로 이루어진 군으로부터 선택되는 디바이스에 관한 것이다.
고정식 영상 표시 장치는 예를 들면 컴퓨터, 텔레비전에서의 영상 표시 장치, 프린터, 주방 용품 및 광고판, 조명 및 안내판에서 영상 표시 장치이다. 패널 이동식 영상 표시 장치는 예를 들면 휴대폰, 노트북, 차량, 및 버스 및 기차에서의 목적지 표시판에서의 영상 표시 장치이다.
게다가, 본 발명의 일반식 (Ia) 또는 일반식 (Ib)의 복핵 Pt-카르벤 착체를 역구조를 갖는 OLED에서 사용할 수 있다. 본원 발명의 착체는 바람직하게는 이 역 OLED에서, 즉 발광층에서, 더 바람직하게는 추가의 첨가제 없이 발광층에서 사용된다. 여기서 통상적으로 사용되는 역 OLED의 구조 및 재료는 당업자에게 공지되어 있다.
또한, 본원 발명은 본 발명의 하나 이상의 일반식 (Ia) 또는 일반식 (Ib)의 복핵 Pt-카르벤 착체를 포함하는 유기 전자 부품에 관한 것이다. 본 발명은 더 바람직하게는 유기 발광 다이오드(OLED), 유기 기전력 전기(OPV), 유기 전계 효과 트랜지스터(OfET) 또는 발광 전기화학 전지(OLEC)인 상응하는 유기 전자 부품에 관한 것이다.
[실시예]
본 발명에 따른 하기 화합물을 합성하고 하기 일반적인 방법에 의해 광물리학적으로 규명하였다.
하기 언급된 복핵 Pt 카르벤 착체는 단일의 이성체(단일의 화합물)로서 또는 2종 이상의 가능한 이성체의 혼합물로서 존재할 수 있다. 하기에서, 1종의 이성체가 각각의 경우 도시되어 있다. 그러나, 이것은 각각의 화합물이 1종 이상의 이성체의 형태로 존재한다는 것을 배제하지 않는다.
에미터 도핑 수준이 2%인 얇은 PMMA 필름(폴리메틸 메타크릴레이트)에서 방출 착체의 광발광을 수행하였다. 필름을 다음과 같이 제조하였다: 2 mg/ℓ의 에미터를 DCM(Mw 120 kD) 중의 10% PMMA 용액 중에 용해시키고 60 ㎛ 독터 블레이드가 구비된 현미경 슬라이드에 도포하였다. 현미경 슬라이드의 오른쪽 각도에서 325 ㎚의 파장(HeCd 레이저)으로 여기를 수행하고, 방출을 다이오드 어레이 분광기에서 광섬유에 의해 45°의 각도로 검출하였다.
일반적인 실험 절차
변형 A:
(화학식 Ⅲ에 해당하는) 적절한 이미다졸륨염 0.8 mmol 및 산화은(I) 0.4 mmol(0.093 g)을 건조 디옥산 20 ㎖ 중에 아르곤 하에 실온에서 16 시간 동안 교반하였다. 부타논 10 ㎖ 및 시클로옥타디엔백금 디클로라이드 0.8 mmol(0.299 g)을 첨가한 후, 반응 혼합물을 환류 하에 16 시간 동안 교반하였다. 혼합물을 농축 건조시키고 디메틸포름아미드 20 ㎖ 중에 넣고, 피라졸 또는 피라졸 유도체 3.2 mmol 및 칼륨 tert-부톡사이드 3.2 mmol(0.359 g)을 첨가하였다. 반응 혼합물을 실온에서 16 시간 동안 교반하고 100℃에서 6 시간 동안 교반하였다. 용매를 제거하고 잔류물을 물로 세척하였다. 후속하여, 미정제 생성물을 칼럼 크로마토그래피(G60 실리카 겔, 디클로로메탄)로 정제하였다.
변형 B:
(화학식 Ⅴ에 해당하는) 시클로금속화 백금(Ⅱ) 아세틸아세토네이트 착체 0.26 mmol을 디클로로메탄 10 ㎖ 중의 피라졸 또는 피라졸 유도체 0.26 mmol 및 나트륨 메톡사이드 0.26 mmol(0.014 g)과 아르곤 하에 24 시간 동안 환류시켰다. 용매를 일단 정제하면, 미정제 생성물을 칼럼 크로마토그래피(G60 실리카 겔, 디클로로메탄)로 정제하였다.
디-[1-( 디벤조푸라닐 )-3- 메틸이미다졸 -2- 일리덴 - C2 , C2' ]백금(Ⅱ) 디피라졸레이트(화합물 Ia' ))
Figure pct00020
1-(디벤조푸라닐)-3-메틸이미다졸륨 요오다이드 0.8 mmol(0.301 g) 및 피라졸 3.2 mmol(0.218 g)을 변형 A에 따라 반응시켰다.
실험식: C38H28N802Pt2
몰 질량: 1018.840 g/몰
수율: 0.168 g(이론치의 41.2%)
융점: 357℃ 초과에서 분해
1H NMR (ppm, d6-DMSO, 300.13 MHz): δ = 8.11-7.95 (m, 6H, CH); 7.72-7.60 (m, 6H, CH); 7.48-7.45 (m, 4H, CH); 7.39-7.31 (m, 6H, CH); 3.30 (s, 6H, NCH3)
13C NMR (ppm, CDCl3, 75.475 MHz): δ = 154.98 (Cipso); 141.98 (Cipso); 139.25 (CH); 137.89 (CH); 132.61 (Cipso); 130.69 (Cipso); 128.43 (CH); 126.82 (CH); 124.04 (Cipso); 123.24 (CH); 123.10 (CH); 121.42 (Cipso); 120.41 (CH); 117.40 (CH); 116.26 (CH); 111.62 (CH); 105.40 (CH); 35.67 (NCH3)
C38H28N802Pt2에 대한 원소 분석
C H N
계산치: 44.79% 2.77% 11.00%
실측치: 44.49% 2.57% 10.53%
또는, [1-(디벤조푸라닐)-3-메틸이미다졸-2-일리덴-C2,C2']백금(Ⅱ) 아세틸아세토네이트 0.26 mmol(0.142 g)을 피라졸 0.26 mmol(0.018 g)과 변형 B에 따라 반응시켰다.
실험식: C38H28N802Pt2
몰 질량: 1018.840 g/몰
수율: 0.118 g(이론치의 89.1%)
QY = 73%
λem = 471 ㎚, 505 ㎚
디-[1,3,5- 트리페닐 -1,3,4- 트리아졸 -2- 일리덴 - C2 , C2' ]백금(Ⅱ)(화합물 Ic' ))
Figure pct00021
1,3,5-트리페닐-1,3,4-트리아졸륨 요오다이드 0.8 mmol(0.340 g) 및 피라졸 3.2 mmol(0.218 g)을 변형 A에 따라 반응시켰다.
실험식: C46H34N10Pt2
몰 질량: 1116.988 g/몰
수율: 0.063 g(이론치의 14.1%)
융점: 320℃ 초과에서 분해
1H NMR (ppm, d6-DMSO, 300.13 MHz): δ = 8.02 (d, 2H, J = 7.6 Hz, CH); 7.59-7.27 (m, 32H, CH)
13C NMR (ppm, d6-DMSO, 75.475 MHz): δ = 151.20 (Cipso); 145.40 (Cipso); 137.58 (Cipso); 133.20 (Cipso); 130.40 (CH); 129.41 (CH); 129.17 (CH); 129.07 (CH); 128.58 (CH); 128.05 (CH); 128.02 (CH); 126.17 (Cipso); 125.41 (CH); 118.30 (CH)
QY = 63.7%
λem = 444 ㎚, 473 ㎚
디-[(4- 브로모페닐 )-3- 메틸이미다졸 -2- 일리덴 -- C2 , C2' ]백금(Ⅱ) 디피라졸레이트
Figure pct00022
(4-브로모페닐)-3-메틸이미다졸륨 요오다이드 0.8 mmol(0.292 g) 및 피라졸 3.2 mmol(0.218 g)을 변형 A에 따라 반응시켰다.
실험식: C26H22N8Pt2Br2
몰 질량: 996.480 g/몰
수율: 0.181 g(이론치의 45.4%)
융점: 340℃ 초과에서 분해
1H NMR (ppm, d6-DMSO, 300.13 MHz): δ = 7.91 (d, 2H, J = 2.1 Hz, CH); 7.75 (d, 2H, J = 2.O Hz, CH); 7.62 (d, 2H, J = 1.9 Hz, CH); 7.33-7.25 (m, 4H, CH); 7.20 (d, 2H, J = 2.0 Hz, CH); 7.11 (d, 2H, J = 2.1 Hz, CH); 6.38 (t, 2H, J = 2.0 Hz, CH); 3.21 (s, 6H, NCH3)
13C NMR (ppm, d6-DMSO, 75.475 MHz): δ = 156.23 (Cipso); 146.90 (Cipso); 139.30 (CH); 137.44 (CH); 135.69 (CH); 135.45 (Cipso); 125.61 (CH); 122.93 (CH); 116.88 (Cipso); 115.73 (CH); 112.95 (CH); 105.69 (CH); 35.38 (CH3)
QY = 8%
λem = 429 ㎚, 453 ㎚
디-[(4- 메톡시페닐 )-3- 메틸이미다졸 -2- 일리덴 - C2 , C2'1 백금(Ⅱ) 피라졸레이트
Figure pct00023
(4-메톡시페닐)-3-메틸이미다졸륨 요오다이드 0.8 mmol(0.253 g) 및 피라졸 3.2 mmol(0.218 g)을 변형 A에 따라 반응시켰다.
실험식: C28H28N8Pt2O2
몰 질량: 898.740 g/몰
수율: 0.040 g(이론치의 11.1%)
융점: 320℃ 초과에서 분해
1H NMR (ppm, d6-DMSO, 300.13 MHz): δ 7.83 (d, 2H, J = 1.8 Hz, CH); 7.80 (d, 2H, J = 1.8 Hz, CH); 7.75 (d, 2H, J = 1.8 Hz, CH); 7.70 (s, 2H, CH); 7.62 (d, 2H, J = 1.5 Hz, CH); 7.21-7.16 (m, 4H, CH); 6.53 (d, 2H, J = 8.4 Hz, CH); 6.34 (s, 2H, CH); 3.70 (s, 6H, OCH3); 3.16 (s, 6H, NCH3)
13C NMR (ppm, d6-DMSO, 125 MHz): δ = 167.06 (Cipso-0); 155.88 (Cipso); 141.47 (Cipso); 139.12 (CH); 137.57 (CH); 133.64 (Cipso); 122.33 (CH); 120.23 (CH); 115.28 (CH); 111.33 (CH); 106.64 (CH); 105.30 (CH); 54.75 (OCH3); 35.44 (NCH3)
QY = 36%
λem = 441 ㎚, 466 ㎚
디-[(4- 메틸페닐 )-3- 메틸이미다졸 -2- 일리덴 - C2 , C2' ]백금(Ⅱ) 피라졸레이트
Figure pct00024
(4-메틸페닐)-3-메틸이미다졸륨 요오다이드 0.8 mmol(0.240 g) 및 피라졸 3.2 mmol(0.218 g)을 변형 A에 따라 반응시켰다.
실험식: C28H28N8Pt2
몰 질량: 866.740 g/몰
수율: 0.018 g(이론치의 5.2%)
융점: 300℃ 초과에서 분해
1H NMR (ppm, d6-DMSO, 300.13 MHz): δ = 7.82 (d, 2H, J = 1.9 Hz, CH); 7.69 (d, 2H, J = 1.8 Hz, CH); 7.60 (d, 2H, J = 1.7 Hz, CH); 7.19 (d, 2H, J = 1.7 Hz, CH); 7.13 (d, 2H, J = 7.7 Hz, CH); 6.89 (s, 2H, CH); 6.77 (d, 2H, J = 7.6 Hz, CH); 6.34 (s, 2H, CH); 3.17 (s, 6H, NCH3); 2.15 (s, 6H, CH3)
13C NMR (ppm, d6-DMSO, 75.475 MHz): δ = 156.71 (Cipso); 145.43 (Cipso); 138.88 (CH); 134.67 (CH); 132.48 (Cipso); 131.72 (Cipso); 123.27 (CH); 122.28 (CH); 115.23 (CH); 110.49 (CH); 105.20 (CH); 35.29 (NCH3); 21.14 (CH3)
QY = 31%
λem = 428 ㎚, 453 ㎚
디-[(4- 니트로페닐 )-3- 메틸이미다졸 -2- 일리덴 - C2 , C2' ]백금(Ⅱ) 피라졸레이트
Figure pct00025
(4-니트로페닐)-3-메틸이미다졸륨 요오다이드 0.8 mmol(0.265 g) 및 피라졸 3.2 mmol(0.218 g)을 변형 A에 따라 반응시켰다.
실험식: C26H22N10O4Pt2
몰 질량: 928.692 g/몰
수율: 0.060 g(이론치의 16.2%)
융점: 340℃ 초과에서 분해
1H NMR (ppm, d6-DMSO, 300.13 MHz): δ = 8.13 (d, 2H, J = 9.1 Hz, CH); 8.03 (d, 2H, J = 1.5 Hz, CH); 8.94 (dd, 2H, J = 8.5 Hz, CH); 7.82 (s, 2H, CH); 7.71 (s, 2H, CH); 7.53 (d, 2H, J = 8.5 Hz, CH); 7.30 (d, 2H, J = 1.3 Hz, CH); 6.45 (s, 2H, CH); 3.24 (s, 6H, NCH3)
13C NMR (ppm, d6-DMSO, 125 MHz): δ = 157.58 (Cipso); 153.38 (Cipso); 143.70 (Cipso); 142.82 (CH); 133.87 (Cipso); 128.64 (CH); 127.55 (CH); 125.42 (CH); 120.48 (CH); 118.45 (CH); 109.39 (CH); 106.00 (CH); 35.54 (NCH3)
디-[1-( 디벤조푸라닐 )-3- 메틸이미다졸 -2- 일리덴 - C2 , C2' ]백금(Ⅱ) 디-3,5-디메틸피라졸레이트(화합물 ( Ib' ))
Figure pct00026
1-(디벤조푸라닐)-3-메틸이미다졸륨 요오다이드 0.8 mmol(0.301 g) 및 3,5-디메틸피라졸 3.2 mmol(0.308 g)을 변형 A에 따라 반응시켰다.
실험식: C42H36N8O2Pt2
몰 질량: 1074.944 g/몰
수율: 0.026 g(이론치의 6.1%)
융점: 221.6℃
1H NMR (ppm, d6-DMSO, 300.13 MHz): δ = 8.03 (d, 2H, J = 2.0 Hz, CH); 7.99 (d, 2H, J = 7.2 Hz, CH); 7.66 (d, 2H, J = 8.1 Hz, CH); 7.59 (d, 2H, J = 7.5 Hz, CH); 7.47 (t, 2H, J = 7.0 Hz, CH); 7.35 (t, 2H, J = 7.6 Hz CH); 7.34 (d, 2H, J = 2.0 Hz, CH); 7.04 (d, 2H, J = 7.8 Hz, CH); 6.01 (s, 2H, CH); 3.40 (s, 6H, NCH3); 2.25 (s, 6H, CH3); 2.20 (s, 6H, CH3)
13C NMR (ppm, d6-DMSO, 125 MHz): δ = 155.06 (Cipso); 145.45 (Cipso); 142.09 (Cipso); 130.84 (Cipso); 129.31 (CH); 126.78 (CH); 124.14 (Cipso); 123.28 (CH); 122.92 (CH); 121.15 (Cipso); 120.40 (CH); 117.63 (CH); 116.26 (CH); 111.67 (CH); 104.20 (CH); 34.83 (NCH3); 14.00 (CH3); 13.80 (CH3)
QY = 85%
λem = 472 ㎚, 506 ㎚
디-[1-( 디벤조푸라닐 )-3- 메틸이미다졸 -2- 일리덴 - C2 , C2' ]백금(Ⅱ) 디-3,5-디메틸피라졸레이트(화합물 ( Id' ))
Figure pct00027
1-(디벤조푸라닐)-3-메틸이미다졸륨 요오다이드 0.8 mmol(0.301 g) 및 3,5-디-tert-부틸피라졸 3.2 mmol(0.577 g)을 변형 A에 따라 반응시켰다.
실험식: C54H60N8O2Pt2
몰 질량: 1243.256 g/몰
수율: 0.115 g(이론치의 23.1%)
융점: 244℃
1H NMR (ppm, d6-DMSO, 300.13 MHz): δ = 7.96 (d, 2H, J = 7.4 Hz; CH); 7.89 (d, 2H, J = 2.0 Hz, CH); 7.61-7.52 (m, 4H, CH); 7.45-7.32 (m, 6H, CH); 7.20-7.18 (m, 2H, CH); 6.29 (s, 2H, CH); 3.33 (s, 6H, NCH3); 1.44 (s, 18H, CH3); 1.41 (s, 18H, CH3)
13C NMR (ppm, d6-DMSO, 125 MHz): δ = 158.67 (Cipso); 154.86 (Cipso); 141.51 (Cipso); 133.42 (Cipso); 130.95 (CH); 130.00 (Cipso); 126.52 (CH); 124.08 (Cipso); 123.09 (CH); 122.34 (CH); 120.57 (Cipso); 120.22 (CH); 117.09 (CH); 115.05 (CH); 111.47 (CH); 101.10 (CH); 35.91 (NCH3); 32.37 (CH3); 31.29 (CH3)
QY = 50%
λem = 512 ㎚
OLED 의 제조
초음파 욕 내에서 애노드로서 사용되는 ITO 기판을 LCD 제조용 상업용 세제(Deconex® 20NS, 및 25ORGAN-ACID® 중화제)로, 그 후 아세톤/이소프로판올 혼합물 중에 세정하였다. 가능한 유기 잔류물을 제거하기 위해, 오존 오븐 내에서 기판을 연속 오존 흐름에 추가 25 분 동안 노출시켰다. 이 처리는 또한 ITO의 정공 주입 특성을 증강시켰다. 다음에, Plexcore로부터 구입한 AJ2O-1000인 정공 주입층을 용액으로부터 스피닝하였다.
다이오드 실시예 1:
정공 주입층 다음에, 하기 기재된 유기 재료를 약 10-7~10-9 mbar에서 깨끗한 기판에 약 0.5~5 ㎚/min의 속도로 증기 증착으로 도포하였다. 정공 전도체 및 엑시톤 차단제로서, Ir(DPBIC)3을 20 ㎚의 두께로 도포하였고, 이것 중 처음 10 ㎚는 전도율 증강을 위해 10% MoOx로 도핑하였다.
Figure pct00028
(Ir(DPBIC)3의 제조에 대해, 출원 PCT/EP/04/09269에서의 Ir 착체(7)를 참조한다).
그 후, 20% 디-[1,3,5-트리페닐-1,3,4-트리아졸-2-일리덴-C2,C2')플라틴(Ⅱ)디-피라졸라트(Ic'), 60% Ma A와 20% 화합물 Ir(DPBIC)3의 혼합물을 20 ㎚의 두께로 증기 증착으로 도포하였다.
Figure pct00029
(Ma A의 제조에 대해, W0 2009003898 참조)
그 후, 정공 및 전자 차단제로서의 Ma A의 10 ㎚ 두께 층을 도포하였다. 사용된 후속 전자 전도체 층은 층 두께가 30 ㎚인 Cs2CO3 도핑 BCP 층이었다. 두께가 100 ㎚인 알루미늄 캐소드는 다이오드를 포함하였다.
Figure pct00030
모든 성분은 불활성 질소 분위기 하에 유리 뚜껑에 접착 결합하였다.
다이오드 실시예 2:
정공 주입층 다음에 발광층을 또한 용액으로부터 도포하였다. 그 후, 용매 톨루엔 1 ㎖당 고체 12.5 mg을 포함하는 용액을 제조하였다. 고체 함량은 10% 디-[1-(디벤조푸라닐)-3-메틸이미다졸-2-일리덴-C2,C2']플라틴(Ⅱ)디-피라졸라트(1a'), 30% 매트릭스 Ir(DPBIC)3 및 60% Ma A로 이루어졌다.
발광층 다음에, 하기 기재된 유기 재료를 약 10-7~10-9 mbar에서 깨끗한 기판에 약 0.5~5 ㎚/min의 속도로 증기 증착으로 용액으로부터 도포된 층에 도포하였다. 정공 및 엑시톤 차단제로서, Ma A를 10 ㎚의 두께로 도포하였다.
사용된 후속 전자 전도체 층은 층 두께가 30 ㎚인 Cs2CO3 도핑 BCP 층이었다. 두께가 100 ㎚인 알루미늄 캐소드는 다이오드를 포함하였다.
모든 성분은 불활성 질소 분위기 하에 유리 뚜껑에 접착 결합하였다.
OLED를 규명하기 위해, 전자발광 스펙트럼을 상이한 전류 및 전압에서 기록하였다. 게다가, 전류-전압 특징을 방출된 광 아웃풋과 함께 측정하였다. 광 아웃풋을 광도계에 의한 보정에 의해 광도 측정 매개변수로 전환할 수 있었다. 2개의 청색 실시예 다이오드를 위해, 하기 전자광학 데이터를 얻었다.
다이오드 실시예 1: CIE (0.17; 0.24), 최대 EQE* 8.3%
다이오드 실시예 2: CIE (0.179; 034)
*EQE - 외부 양자 효율, 랑베르 광 강도 분포를 가정하여 전방 방향에서 측정.

Claims (11)

  1. 일반식 (Ia) 또는 일반식 (Ib)의 복핵 Pt-카르벤 착체 또는 이의 이성체:
    Figure pct00031
    ,
    Figure pct00032

    [식 중, A, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8 및 R9 및 R10은 각각 다음과 같이 정의된다:
    A는 독립적으로 N 또는 C이고,
    R1, R2, R3은 각각 독립적으로 수소, 1개 내지 20개의 탄소 원자를 갖고, 임의로 1개 이상의 이종원자가 개재되며, 임의로 1개 이상의 작용기를 갖는 선형 또는 분지형 알킬 라디칼, 3개 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 사이클로알킬 라디칼이고,
    R4는 독립적으로 1개 내지 20개의 탄소 원자를 갖고, 임의로 1개 이상의 이종원자가 개재되며, 임의로 1개 이상의 작용기를 갖는 선형 또는 분지형 알킬 라디칼, 3개 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 사이클로알킬 라디칼, 6개 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환 아릴 라디칼, 총 1개 내지 18개의 탄소 원자 및/또는 이종원자를 갖는 치환 또는 비치환 헤테로아릴 라디칼이고,
    R5, R6은 각각 독립적으로, A가 N인 경우 또는 A가 C인 경우 자유 전자 쌍, 수소, 1개 내지 20개의 탄소 원자를 갖고, 임의로 1개 이상의 이종원자가 개재되며, 임의로 1개 이상의 작용기를 갖는 선형 또는 분지형 알킬 라디칼, 3개 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 사이클로알킬 라디칼, 6개 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환 아릴 라디칼, 총 1개 내지 18개의 탄소 원자 및/또는 이종원자를 갖는 치환 또는 비치환 헤테로아릴 라디칼이거나,
    R4와 R5 또는 R5와 R6은, N 및 A와 함께 또는 A 및 A와 함께, 총 1개 내지 18개의 탄소 원자 및/또는 이종원자를 갖고 임의로 1개 이상의 추가의 이종원자가 개재된 포화, 불포화 또는 방향족 고리를 형성하고,
    R7, R8, R9, R10은 각각 독립적으로 수소, 1개 내지 20개의 탄소 원자를 갖고, 임의로 1개 이상의 이종원자가 개재되며, 임의로 1개 이상의 작용기를 갖는 선형 또는 분지형 알킬 라디칼, 3개 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 시클로알킬 라디칼, 6개 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환 아릴 라디칼, 총 1개 내지 18개의 탄소 원자 및/또는 이종원자를 갖는 치환 또는 비치환 헤테로아릴 라디칼, 에테르, 아미노, 티오, 에스테르, 카보닐, 니트로 또는 할로겐 기로부터 선택된 작용기이거나,
    R7과 R8 또는 R8과 R9 또는 R9와 R10은 함께 총 1개 내지 18개의 탄소 원자 및/또는 이종원자를 갖고 임의로 1개 이상의 이종원자가 개재된 포화, 불포화 또는 방향족의, 임의로 치환된 고리를 형성하고/하거나,
    R6과 R7은 함께 총 1개 내지 30개의 탄소 원자 및/또는 이종원자를 갖고, 임의로 이종원자, 방향족 단위, 헤테로방향족 단위 및/또는 작용기를 포함하며, 탄소 원자 및/또는 이종원자를 포함하는 치환 또는 비치환, 5원 내지 8원 고리가 임의로 축합된, 포화 또는 불포화의 선형 또는 분지형 브릿지를 형성한다].
  2. 제1항에 있어서, A, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8 및 R9 및 R10은 각각 다음과 같이 정의된다:
    A는 독립적으로 N 또는 C이고,
    R1, R3은 각각 독립적으로 수소, 1개 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 선형 또는 분지형 알킬 라디칼이고,
    R2는 수소이고,
    R4는 독립적으로 1개 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 선형 또는 분지형 알킬 라디칼, 6개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환 아릴 라디칼, 5개의 탄소 원자 및/또는 이종원자를 갖는 치환 또는 비치환 헤테로아릴 라디칼이고,
    R5, R6은 각각, A가 N인 경우 또는 A가 C인 경우 자유 전자 쌍, 각각 독립적으로 수소, 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 선형 또는 분지형 알킬 라디칼, 6개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환 아릴 라디칼, 5개의 탄소 원자 및/또는 이종원자를 갖는 치환 또는 비치환 헤테로아릴 라디칼이거나,
    R5와 R6은, A 및 A와 함께, 총 5개 내지 10개의 탄소 원자 및/또는 이종원자를 갖고 임의로 1개 이상의 추가의 이종원자가 개재된 방향족 고리를 형성하고,
    R7, R8, R9, R10은 독립적으로 수소이거나,
    R6과 R7은 함께 총 5개 내지 12개의 탄소 원자 및/또는 이종원자를 갖고 임의로 1개 이상의 이종원자가 개재된 불포화 또는 방향족의, 임의로 치환된 고리를 형성하는 것인 복핵 Pt-카르벤 착체.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 하기 화학식 (Ia), (Ib), (Ic), (Id), (Ie) 또는 (If), 또는 이들의 이성체에 해당하는 복핵 Pt-카르벤 착체:
    Figure pct00033
    ,
    Figure pct00034
    ,
    Figure pct00035
    ,
    Figure pct00036
    ,
    Figure pct00037
    ,
    Figure pct00038
    .
  4. 적합한 Pt 화합물을 상응하는 리간드 또는 리간드 전구체 및/또는 피라졸 또는 상응하는 피라졸 유도체와 접촉시킴으로써 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 복핵 Pt-카르벤 착제를 제조하는 방법.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 1종 이상의 복핵 Pt-카르벤 착체를 포함하는 유기 전자 부품.
  6. 제5항에 있어서, 유기 발광 다이오드(OLED), 유기 광전지(OPV), 유기 전계 효과 트랜지스터(OFET) 또는 발광 전기화학 전지(LEEC)인 유기 전자 부품.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 1종 이상의 복핵 Pt-카르벤 착체를 포함하는 발광층.
  8. 제7항에 따른 발광층을 포함하는 OLED.
  9. 제6항 또는 제8항에 따른 OLED를 포함하는, 고정식 영상 표시 장치, 이동식 영상 표시 장치 및 조명 수단으로 이루어진 군으로부터 선택되는 디바이스.
  10. OLED에서 사용되는 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 복핵 Pt-카르벤 착체의 용도.
  11. 제10항에 있어서, 복핵 Pt-카르벤 착체가 에미터, 매트릭스 재료, 전하 수송 재료 및/또는 전하 차단제로서 사용되는 것인 용도.
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