KR20100124789A - 광학 요소, 이러한 광학 요소를 포함하는 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법, 및 이에 의하여 제조되는 디바이스 - Google Patents
광학 요소, 이러한 광학 요소를 포함하는 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법, 및 이에 의하여 제조되는 디바이스 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20100124789A KR20100124789A KR1020107021537A KR20107021537A KR20100124789A KR 20100124789 A KR20100124789 A KR 20100124789A KR 1020107021537 A KR1020107021537 A KR 1020107021537A KR 20107021537 A KR20107021537 A KR 20107021537A KR 20100124789 A KR20100124789 A KR 20100124789A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- radiation
- wavelength
- optical element
- reflective
- Prior art date
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 114
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 264
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 60
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims abstract description 27
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 65
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 34
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 12
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 248
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 35
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 27
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 3
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001127 nanoimprint lithography Methods 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/208—Filters for use with infrared or ultraviolet radiation, e.g. for separating visible light from infrared and/or ultraviolet radiation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/08—Mirrors
- G02B5/0891—Ultraviolet [UV] mirrors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/22—Absorbing filters
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/26—Reflecting filters
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
- G03F7/70958—Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
- G21K1/067—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators using surface reflection, e.g. grazing incidence mirrors, gratings
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K2201/00—Arrangements for handling radiation or particles
- G21K2201/06—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements
- G21K2201/061—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements characterised by a multilayer structure
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K2201/00—Arrangements for handling radiation or particles
- G21K2201/06—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements
- G21K2201/064—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements having a curved surface
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K2201/00—Arrangements for handling radiation or particles
- G21K2201/06—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements
- G21K2201/065—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements provided with cooling means
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K2201/00—Arrangements for handling radiation or particles
- G21K2201/06—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements
- G21K2201/067—Construction details
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Public Health (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Abstract
광학 요소는, 제 1 재료를 포함하며 제 1 파장의 방사선에 대해 실질적으로 반사적이고, 제 2 파장의 방사선에 대해 실질적으로 투과적으로 구성되는 제 1 층(4)을 포함한다. 광학 요소는, 제 2 재료를 포함하며 상기 제 2 파장의 방사선에 대해 실질적으로 흡수적 또는 투과적으로 구성되는 제 2 층(2)을 포함한다. 광학 요소는, 상기 제 1 층과 상기 제 2 층 사이의 제 3 재료를 포함하며 상기 제 2 파장의 방사선에 대해 실질적으로 투과적이고 상기 제 1 층과 대향되는 상기 제 2 층의 최상부 표면으로부터 상기 제 2 파장의 방사선의 반사를 저감시키도록 구성되는 제 3 층(3)을 포함한다. 상기 제 1 층은 상기 제 2 층에 대한 입사 방사선의 광학 경로에서 상류에 배치되어 상기 제 1 파장의 방사선의 스펙트럼 순도를 향상시킨다.
Description
본 발명은 광학 요소, 이러한 광학 요소를 포함하는 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법, 및 이에 의하여 제조되는 디바이스에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 광학 요소는 레이저 생성 플라즈마(Laser Produced Plasma: LPP) 극 자외선(EUV) 소스들을 위한 반사형 그레이징-입사 스펙트럼 정화 필터(reflective grazing-incidence spectral purity filter)로서 이용될 수 있다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 그 경우, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 한 개 또는 수 개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는, 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 알려진 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는 소위 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"-방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향 또는 역-평행 방향으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
LPP 소스를 이용하는 경우, 레이저 방사선 자체는 플라즈마로 산란(scattering) 및 반사에 의하여 EUV 리소그래피 툴 내로 방출되는 상당량의 원하지 않는 방사선을 나타낸다. 통상적으로, 대략 10.6 ㎛의 파장을 갖는 CO2가 이용된다. EUV 리소그래피 시스템의 광학기들은 10.6 ㎛에서 높은 반사율을 가지기 때문에, 레이저 방사선은 상당한 파워로 리소그래피 툴 내로 전파된다. 이 파워의 일부는 결과적으로 웨이퍼에 의해 흡수되어 웨이퍼의 원하지 않는 가열을 초래한다.
미국특허 7,196,343 B2는 심자외(DUV) 방사선을 필터링하기 위한 반사형 그레이징-입사 스펙트럼 정화 필터(SPF)에 대해 개시하고 있다. 이 SPF는 일 편광의 DUV 방사선에 대한 반사방지(AR) 코팅을 갖는 2 개의 수직한 거울을 포함한다. 도 5에 도시된 바와 같이 2 개의 수직한 반사 거울체들을 이용함으로써, (거의 편광되지 않은) DUV 방사선이 기판 내로의 흡수에 의해 효과적으로 억제된다. 또한, AR 코팅은 EUV에 대한 큰 반사율을 가져 EUV 방사선이 대부분 반사된다는 것을 특징으로 한다.
이 스펙트럼 정화 필터는 주로 2 가지 이유, 즉 10.6 ㎛에 대한 AR 코팅은 일반적으로 EUV에 대해 매우 낮은 반사율을 가지며, 종래의 거울 기판들은 10.6 ㎛의 방사선을 흡수하기보다는 반사시킨다는 이유에서 LPP 소스에서 10.6 ㎛ 방사선을 억제하기에는 적합하지 않다.
본 발명의 목적은 광학 요소를 제공하여 원하는 파장의 방사선의 스펙트럼 순도를 향상시키는 것이다.
본 발명의 실시예들은 제 1 재료를 포함하는 제 1 층 - 상기 제 1 층은 제 1 파장의 방사선에 대해 반사적이며, 상기 제 1 층은 제 2 파장의 방사선에 대해 실질적으로 투과적이거나 또는 흡수적임 - , 제 2 재료를 포함하는 제 2 층 - 상기 제 2 층은 상기 제 2 파장의 방사선에 대해 실질적으로 흡수적으로 구성됨 - , 및 상기 제 1 층과 상기 제 2 층 사이의 제 3 재료를 포함하는 제 3 층 - 상기 제 3 층은 상기 제 2 파장의 방사선에 대해 적어도 부분적으로 투과적임 - 을 포함하는 광학 요소를 제공함으로써 스펙트럼 필터의 순도를 향상시키며, 상기 제 1 층은 상기 제 2 층에 대한 입사 방사선의 광학 경로에서 상류에 배치되어 EUV 방사선의 스펙트럼 순도를 향상시킨다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 제 1 재료를 포함하는 제 1 층 - 상기 제 1 층은 제 1 파장의 방사선에 대해 반사적이며, 제 2 파장의 방사선에 대해 적어도 부분적으로 투과적임 - , 제 2 재료를 포함하는 제 2 층 - 상기 제 2 층은 상기 제 2 파장의 방사선에 대해 실질적으로 흡수적으로 구성됨 - , 및 상기 제 1 층과 상기 제 2 층 사이의 제 3 재료를 포함하는 제 3 층 - 상기 제 3 층은 상기 제 2 파장의 방사선에 대해 적어도 부분적으로 투과적임 - 을 포함하는 광학 요소가 제공되며, 상기 제 1 층은 상기 제 2 층에 대한 입사 방사선의 광학 경로에서 상류에 배치되어 상기 제 1 파장의 방사선에 대한 스펙트럼 순도를 향상시킨다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 제 1 재료를 포함하는 제 1 층 - 상기 제 1 층은 제 1 방향으로 제 1 파장의 방사선에 대해 반사적이며, 제 2 파장의 방사선에 대해 실질적으로 투과적임 - , 제 2 재료를 포함하는 제 2 층 - 상기 제 2 층은 제 2 방향으로 상기 제 2 파장의 방사선에 대해 실질적으로 반사적으로 구성되며, 상기 제 1 방향 및 상기 제 2 방향은 서로 실질적으로 상이함 - , 및 상기 제 1 층과 상기 제 2 층 사이의 제 3 재료를 포함하는 제 3 층 - 상기 제 3 층은 상기 제 2 파장의 방사선에 대해 적어도 부분적으로 투과적임 - 을 포함하는 광학 요소가 제공되며, 상기 제 1 층은 상기 제 2 층에 대한 입사 방사선의 광학 경로에서 상류에 배치되어 상기 제 1 파장의 방사선의 스펙트럼 순도를 향상시킨다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 제 1 재료를 포함하는 제 1 층 - 상기 제 1 층은 제 1 방향으로 제 1 파장의 방사선에 대해 반사적이며, 제 2 파장의 방사선에 대해 적어도 부분적으로 투과적임 - , 제 2 재료를 포함하는 제 2 층 - 상기 제 2 층은 상기 제 2 파장의 방사선에 대해 실질적으로 산란적으로 구성됨 - , 및 상기 제 1 층과 상기 제 2 층 사이의 제 3 재료를 포함하는 제 3 층 - 상기 제 3 층은 상기 제 2 파장의 방사선에 대해 적어도 부분적으로 투과적임 - 을 포함하는 광학 요소가 제공되며, 상기 제 1 층은 상기 제 2 층에 대한 입사 방사선의 광학 경로에서 상류에 배치되어 상기 제 1 파장의 방사선의 스펙트럼 순도를 향상시킨다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 방사선 빔을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템; 상기 방사선 빔을 패터닝하도록 구성된 패터닝 디바이스; 기판을 유지하도록 구성된 지지체; 및 패터닝된 방사선 빔을 상기 기판의 타겟부 상에 투영하도록 구성된 투영 시스템을 포함하는 리소그래피 장치가 제공되며, 상기 조명 시스템 및/또는 상기 투영 시스템은 제 1 재료를 포함하는 제 1 층 - 상기 제 1 층은 제 1 파장의 방사선에 대해 반사적이고, 제 2 파장의 방사선에 대해 적어도 부분적으로 투과적으로 구성됨 - , 제 2 재료를 포함하는 제 2 층 - 상기 제 2 층은 상기 제 2 파장의 방사선에 대해 실질적으로 흡수적으로 구성됨 - , 및 상기 제 1 층과 상기 제 2 층 사이의 제 3 재료를 포함하는 제 3 층 - 상기 제 3 층은 상기 제 2 파장의 방사선에 대해 적어도 부분적으로 투과적임 - 을 포함하는 광학 요소를 포함하며, 상기 제 1 층은 상기 제 2 층에 대한 입사 방사선의 광학 경로에서 상류에 배치되어 상기 제 1 파장의 방사선의 스펙트럼 순도를 향상시킨다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템; 상기 방사선 빔을 패터닝하도록 구성된 패터닝 디바이스; 기판을 유지하도록 구성된 지지체; 및 패터닝된 방사선 빔을 상기 기판의 타겟부 상에 투영하도록 구성된 투영 시스템을 포함하는 리소그래피 장치가 제공되며, 상기 조명 시스템 및/또는 상기 투영 시스템은 제 1 재료를 포함하는 제 1 층 - 상기 제 1 층은 제 1 방향으로 제 1 파장의 방사선에 대해 반사적이며, 제 2 파장의 방사선에 대해 적어도 부분적으로 투과적으로 구성됨 - , 제 2 재료를 포함하는 제 2 층 - 상기 제 2 층은 상기 제 2 방향으로 상기 제 2 파장의 방사선에 대해 실질적으로 반사적으로 구성되고, 상기 제 1 방향 및 상기 제 2 방향은 실질적으로 서로 상이함 - , 및 상기 제 1 층과 상기 제 2 층 사이의 제 3 재료를 포함하는 제 3 층 - 상기 제 3 층은 상기 제 2 파장의 방사선에 대해 적어도 부분적으로 투과적임 - 을 포함하는 광학 요소를 포함하며, 상기 제 1 층은 상기 제 2 층에 대한 입사 방사선의 광학 경로에서 상류에 배치되어 상기 제 1 파장의 방사선에 대한 스펙트럼 순도를 향상시킨다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템; 상기 방사선 빔을 패터닝하도록 구성된 패터닝 디바이스; 기판을 유지하도록 구성된 지지체; 및 패터닝된 방사선 빔을 상기 기판의 타겟부 상에 투영하도록 구성된 투영 시스템을 포함하는 리소그래피 장치가 제공되며, 상기 조명 시스템 및/또는 상기 투영 시스템은 제 1 재료를 포함하는 제 1 층 - 상기 제 1 층은 제 1 방향으로 제 1 파장의 방사선에 대해 반사적이며, 제 2 파장의 방사선에 대해 적어도 부분적으로 투과적으로 구성됨 - , 제 2 재료를 포함하는 제 2 층 - 상기 제 2 층은 상기 제 2 파장의 방사선에 대해 실질적으로 산란적으로 구성됨 - , 및 상기 제 1 층과 상기 제 2 층 사이의 제 3 재료를 포함하는 제 3 층 - 상기 제 3 층은 상기 제 2 파장의 방사선에 대해 적어도 부분적으로 투과적임 - 을 포함하는 광학 요소를 포함하며, 상기 제 1 층은 상기 제 2 층에 대한 입사 방사선의 광학 경로에서 상류에 배치되어 상기 제 1 파장의 방사선의 스펙트럼 순도를 향상시킨다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 방사선 빔을 패터닝하여 패터닝된 방사선 빔을 형성하는 단계; 패터닝된 방사선 빔을 기판 상에 투영하는 단계; 및 상기 방사선 빔을 적어도 하나의 광학 요소를 이용하여 반사시키는 단계를 포함하는 디바이스 제조방법이 제공되며, 상기 광학 요소는, 제 1 재료를 포함하는 제 1 층 - 상기 제 1 층은 제 1 파장의 방사선에 대해 반사적이고, 제 2 파장의 방사선에 대해 적어도 부분적으로 투과적으로 구성됨 - , 제 2 재료를 포함하는 제 2 층 - 상기 제 2 층은 상기 제 2 파장의 방사선에 대해 실질적으로 흡수적으로 구성됨 - , 및 상기 제 1 층과 상기 제 2 층 사이의 제 3 재료를 포함하는 제 3 층 - 상기 제 3 층은 상기 제 2 파장의 방사선에 대해 적어도 부분적으로 투과적임 - 을 포함하며, 상기 제 1 층은 상기 제 2 층에 대한 입사 방사선의 광학 경로에서 상류에 배치되어 상기 제 1 파장의 방사선의 스펙트럼 순도를 향상시킨다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 방사선 빔을 패터닝하여 패터닝된 방사선 빔을 형성하는 단계; 패터닝된 방사선 빔을 기판 상에 투영하는 단계; 및 상기 방사선 빔을 적어도 하나의 광학 요소를 이용하여 반사시키는 단계를 포함하는 디바이스 제조방법이 제공되며, 상기 광학 요소는, 제 1 재료를 포함하는 제 1 층 - 상기 제 1 층은 제 1 파장의 방사선에 대해 반사적이고, 제 2 파장의 방사선에 대해 적어도 부분적으로 투과적으로 구성됨 - , 제 2 재료를 포함하는 제 2 층 - 상기 제 2 층은 상기 제 2 파장의 방사선에 대해 실질적으로 흡수적으로 구성됨 - , 및 상기 제 1 층과 상기 제 2 층 사이의 제 3 재료를 포함하는 제 3 층 - 상기 제 3 층은 상기 제 2 파장의 방사선에 대해 적어도 부분적으로 투과적임 - 을 포함하며, 상기 제 1 층은 상기 제 2 층에 대한 입사 방사선의 광학 경로에서 상류에 배치되어 상기 제 1 파장의 방사선의 스펙트럼 순도를 향상시킨다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 방사선 빔을 패터닝하여 패터닝된 방사선 빔을 형성하는 단계; 패터닝된 방사선 빔을 기판 상에 투영하는 단계; 및 상기 방사선 빔을 적어도 하나의 광학 요소를 이용하여 반사시키는 단계를 포함하는 디바이스 제조방법이 제공되며, 상기 광학 요소는, 제 1 재료를 포함하는 제 1 층 - 상기 제 1 층은 제 1 방향으로 제 1 파장의 방사선에 대해 반사적이고, 제 2 파장의 방사선에 대해 적어도 부분적으로 투과적으로 구성됨 - , 제 2 재료를 포함하는 제 2 층 - 상기 제 2 층은 제 2 방향으로 상기 제 2 파장의 방사선에 대해 실질적으로 반사적으로 구성되며, 상기 제 1 방향 및 상기 제 2 방향은 실질적으로 서로 상이함 - , 및 상기 제 1 층과 상기 제 2 층 사이의 제 3 재료를 포함하는 제 3 층 - 상기 제 3 층은 상기 제 2 파장의 방사선에 대해 적어도 부분적으로 투과적임 - 을 포함하며, 상기 제 1 층은 상기 제 2 층에 대한 입사 방사선의 광학 경로에서 상류에 배치되어 상기 제 1 파장의 방사선의 스펙트럼 순도를 향상시킨다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 방사선 빔을 패터닝하여 패터닝된 방사선 빔을 형성하는 단계; 패터닝된 방사선 빔을 기판 상에 투영하는 단계; 및 상기 방사선 빔을 적어도 하나의 광학 요소를 이용하여 반사시키는 단계를 포함하는 디바이스 제조방법이 제공되며, 상기 광학 요소는, 제 1 재료를 포함하는 제 1 층 - 상기 제 1 층은 제 1 방향으로 제 1 파장의 방사선에 대해 반사적이고, 제 2 파장의 방사선에 대해 적어도 부분적으로 투과적으로 구성됨 - , 제 2 재료를 포함하는 제 2 층 - 상기 제 2 층은 상기 제 2 파장의 방사선에 대해 실질적으로 산란적으로 구성됨 - , 및 상기 제 1 층과 상기 제 2 층 사이의 제 3 재료를 포함하는 제 3 층 - 상기 제 3 층은 상기 제 2 파장의 방사선에 대해 적어도 부분적으로 투과적임 - 을 포함하며, 상기 제 1 층은 상기 제 2 층에 대한 입사 방사선의 광학 경로에서 상류에 배치되어 상기 제 1 파장의 방사선의 스펙트럼 순도를 향상시킨다.
예를 들어, 본 발명의 실시예들에서, 제 1 파장의 방사선은 EUV 방사선일 수 있으며, 제 2 파장의 방사선은 CO2 또는 YAG(yttrium aluminum garnet) 레이저 방사선일 수 있다.
이하, 대응되는 참조부호들이 대응되는 부분들을 나타내는 개략적인 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시예들이 예시적인 방식으로 설명될 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 나타낸 도;
도 2는 도 1의 리소그래피 장치의 광학 요소의 일 실시예를 나타낸 도;
도 3은 본 발명에 따른 광학 디바이스의 일 실시예를 나타낸 도;
도 4는 p-편광(Rp) 및 s-편광(Rs)에 대해 13.5 nm의 파장을 갖는 방사선에 대한 도 2의 광학 요소의 반사율을 나타낸 도;
도 5는 p-편광(Rp) 및 s-편광(Rs)에 대해 10.6 nm의 파장을 갖는 방사선에 대한 도 2의 광학 요소의 반사율을 나타낸 도;
도 6은 레이저 두께의 함수로서 5°의 입사 각에서의 도 2의 광학 요소의 EUV 반사율을 나타낸 도;
도 7은 5°의 입사 각에서의 도 2의 광학 요소의 p-편광에 대한 DUV 반사율을 나타낸 도;
도 8은 DUV 체계에서의 도 3의 광학 디바이스의 총 반사율을 나타낸 도;
도 9는 비-제로(non-zero) 거울 두께로 인한 에텐듀 증가(etendue increase)를 예시한 도;
도 10a 내지 10c는 광학 요소의 실시예들의 개략적인 단면도들;
도 11은 p-편광(Rp) 및 s-편광(Rs)에 대한 3° 테이퍼 진 광학 요소의 반사율을 나타낸 도;
도 12는 10°의 입사 각을 갖는 광학 요소의 테이퍼 진 실시예의 반각(semi-angle)의 함수로서 포인트 소스에 대한 가상의(vitual) 소스 크기 및 가상의 입체각(solid angle)을 나타낸 도;
도 13은 만곡된 거울을 갖는 일 실시예를 3차원적으로 표시한 도;
도 14는 2°의 입사 각, 10°의 입사 각, 및 국부적 입사 각에 대해 최적화된 등급분할(graded) 다중층 광학 요소에 대해 최적화된 다중층 광학 요소들에 대한 반사율 커브들을 나타낸 도;
도 15는 입사 각 및 제 2 Ge 층의 두께의 함수로서 DLC(diamond-like carbon)/Ge/ThF4/Ge/a-SiO2 다중층 광학 요소의 10.6 ㎛에서의 반사율(Rp)을 나타낸 도;
도 16은 도 1의 리소그래피 장치의 광학 요소의 일 실시예를 나타낸 도;
도 17은 본 발명에 따른 광학 요소의 일 실시예를 나타낸 도;
도 18은 본 발명에 따른 광학 요소의 일 실시예를 나타낸 도;
도 19는 다이아몬드 성장의 일 예시를 나타낸 도이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 나타낸 도;
도 2는 도 1의 리소그래피 장치의 광학 요소의 일 실시예를 나타낸 도;
도 3은 본 발명에 따른 광학 디바이스의 일 실시예를 나타낸 도;
도 4는 p-편광(Rp) 및 s-편광(Rs)에 대해 13.5 nm의 파장을 갖는 방사선에 대한 도 2의 광학 요소의 반사율을 나타낸 도;
도 5는 p-편광(Rp) 및 s-편광(Rs)에 대해 10.6 nm의 파장을 갖는 방사선에 대한 도 2의 광학 요소의 반사율을 나타낸 도;
도 6은 레이저 두께의 함수로서 5°의 입사 각에서의 도 2의 광학 요소의 EUV 반사율을 나타낸 도;
도 7은 5°의 입사 각에서의 도 2의 광학 요소의 p-편광에 대한 DUV 반사율을 나타낸 도;
도 8은 DUV 체계에서의 도 3의 광학 디바이스의 총 반사율을 나타낸 도;
도 9는 비-제로(non-zero) 거울 두께로 인한 에텐듀 증가(etendue increase)를 예시한 도;
도 10a 내지 10c는 광학 요소의 실시예들의 개략적인 단면도들;
도 11은 p-편광(Rp) 및 s-편광(Rs)에 대한 3° 테이퍼 진 광학 요소의 반사율을 나타낸 도;
도 12는 10°의 입사 각을 갖는 광학 요소의 테이퍼 진 실시예의 반각(semi-angle)의 함수로서 포인트 소스에 대한 가상의(vitual) 소스 크기 및 가상의 입체각(solid angle)을 나타낸 도;
도 13은 만곡된 거울을 갖는 일 실시예를 3차원적으로 표시한 도;
도 14는 2°의 입사 각, 10°의 입사 각, 및 국부적 입사 각에 대해 최적화된 등급분할(graded) 다중층 광학 요소에 대해 최적화된 다중층 광학 요소들에 대한 반사율 커브들을 나타낸 도;
도 15는 입사 각 및 제 2 Ge 층의 두께의 함수로서 DLC(diamond-like carbon)/Ge/ThF4/Ge/a-SiO2 다중층 광학 요소의 10.6 ㎛에서의 반사율(Rp)을 나타낸 도;
도 16은 도 1의 리소그래피 장치의 광학 요소의 일 실시예를 나타낸 도;
도 17은 본 발명에 따른 광학 요소의 일 실시예를 나타낸 도;
도 18은 본 발명에 따른 광학 요소의 일 실시예를 나타낸 도;
도 19는 다이아몬드 성장의 일 예시를 나타낸 도이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시하고 있다. 상기 장치는, 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선, DUV 방사선, EUV 방사선 또는 EUV 방사선보다 훨씬 더 작은 파장을 갖는 방사선)을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL); 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스(MA)를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT); 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS)을 포함한다.
조명 시스템은 방사선을 지향, 성형, 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 타입의 광학 구성요소들, 또는 그들의 여하한의 조합과 같은 다양한 타입의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.
지지 구조체는 패터닝 디바이스의 무게를 지지, 즉 지탱한다. 지지 구조체는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스(MA)를 유지한다. 지지 구조체는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조체는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있도록 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 사용은 "패터닝 디바이스"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는 데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature)들 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 데 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라, 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 개별적으로 기울어져 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시킬 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다. 본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭(catadioptric), 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 그들의 여하한의 조합을 포함하는 어떠한 타입의 투영 시스템도 포괄하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어 사용은 "투영 시스템"이라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성될 수 있다.
리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(및/또는 2 이상의 마스크 테이블)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
또한, 리소그래피 장치는 투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위해서, 기판의 전체 또는 일부분이 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 예컨대 물로 덮일 수 있는 형태로도 구성될 수 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피 장치 내의 다른 공간들, 예를 들어 마스크와 투영 시스템 사이에도 적용될 수 있다. 당업계에서 침지 기술은 투영 시스템의 개구수(numerical aperture)를 증가시키는 것으로 잘 알려져 있다. 본 명세서에서 사용되는 "침지"라는 용어는 기판과 같은 구조체가 액체 내에 담그어져야 한다는 것을 의미하기보다는, 노광 시 액체가 투영 시스템과 기판 사이에 놓이기만 하면 된다는 것을 의미한다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저(excimer laser)인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템과 함께 방사선 시스템이라고도 칭해질 수 있다.
상기 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터 및 콘덴서와 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 단면으로 하여금 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖추도록 하기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는 데 사용될 수 있다.
상기 방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 상기 마스크(MA)를 가로지른 후, 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하며, 상기 투영시스템은 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 또 다른 위치 센서(IF1)는, 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대해 마스크(MA)를 정확히 위치시키는 데 사용될 수 있다. 일반적으로, 마스크 테이블(MT)의 이동은 장-행정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module: 미세 위치설정)의 도움으로 실현될 수 있으며, 이는 제 1 위치설정기(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있으며, 이는 제 2 위치설정기(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 마스크 테이블(MT)은 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크들(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마크들(P1 및 P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들은 지정된(dedicated) 타겟부들을 차지하고 있지만, 그들은 타겟부들 사이의 공간들 내에 위치될 수도 있다[이들은 스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)들로 알려져 있다]. 이와 유사하게, 마스크(MA) 상에 1 이상의 다이가 제공되는 상황들에서, 패터닝 디바이스 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 적어도 1 이상에서 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여된 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다[즉, 단일 정적 노광(single static exposure)]. 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔(B)에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)]. 마스크 테이블(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광시 타겟부의 (스캐닝 되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서, 마스크 테이블(MT)은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.
도 2에는, 광학 요소(1)의 일 실시예가 도시되어 있다. 예시된 실시예에서, 광학 요소(1)는 제 1 층(4), 제 2 층(2), 및 제 3 층(3)을 포함한다. 도 2의 실시예에서, 제 1 층(4)은 제 2 층(2) 및 제 3 층(3)에 대한 입사 방사선의 광학 경로에서 상류에 배치되며, 제 3 층(3)은 제 2 층(2)에 대한 입사 방사선의 광학 경로에서 상류에 배치된다. 일 실시예에서, 제 1 층(4)은 제 3 층(3)의 최상부(예를 들어, 최상부면) 상에 배치되며, 제 3 층(3)은 제 2 층(2)의 최상부(예를 들어, 최상부면) 상에 배치된다.
부분적으로 금속들은 매우 얇은 층으로서 적용되는 경우에도 일반적으로 10.6 ㎛의 방사선을 반사시키기 때문에, 제 1 층(4)은 DLC(diamond-like carbon) 또는 TiO2나 그들의 혼합물과 같은 적합한 비금속을 포함할 수 있다. 이 실시예에서, 제 1 층(4)은 EUV 반사 캐핑 층(reflective capping layer)이다. 추가적으로, 제 1 층(4)은 흔히 심자외(DUV) 방사선이라 언급되는 대략 100 내지 300 nm 파장의 방사선에 대해 적어도 부분적으로 투과적이며, 이에 의하여 DUV 방사선에 대해 소위 반사방지(AR) 코팅으로서 작용한다. 일 실시예에서, 제 1 층(4)은 DUV 방사선에 대해 실질적으로 투과적이다. 제 1 층(4)은 EUV에 대해 적합한 반사율을 갖는다. 제 1 층은 대략 1 내지 50 nm 범위, 또는 대략 1 내지 20 nm 범위, 또는 대략 20nm, 또는 대략 10 nm의 두께를 가질 수 있다.
제 3 층(3)은 소위 반사방지 코팅이며 10.6 ㎛의 방사선에 대해 투과적이 되도록 조절될 수 있다. 제 3 층(3)의 목적은 제 2 층(2)으로부터의 10.6 ㎛의 반사를 더욱 저감시키는 것이다. 최적의 파라미터들은 제 2 층(2)의 재료 및 반사율이 저감되어야 하는 그레이징 각(grazing angle)들의 범위에 종속적이다. 제 3 층(3)은 1 이상의 재료들, 예컨대 ZnSe, ZnS, GaAs 및 Ge, 및/또는 저 굴절률 할로겐화물, 예컨대 ThF4 및 YF3를 포함할 수 있다.
제 2 층(2)은 10.6 ㎛의 파장을 갖는 방사선에 대해 높은 흡수 계수를 갖는 재료의 층이다. 제 2 층(2)은 세라믹, 예를 들어 Al2O3 또는 TiO2와 같은 재료들 또는 용융 실리카 또는 SiO2와 같은 몇몇 글래스(glass)들을 포함할 수 있다. 상기 재료는 10.6 ㎛의 파장을 갖는 방사선에 대해 낮은 고유 그레이징-입사 반사율(low intrinsic grazing-incidence reflectivity)을 가질 수 있다. 예를 들어, TiO2는 Al2O3보다 훨씬 더 낮은 반사율을 갖는다. 제 2 층(2)의 두께는 기본적으로 10.6 ㎛의 파장을 갖는 모든 방사선이 상기 층 내로 흡수되어, 상기 층의 바닥 측에서의 반사가 저감되거나 제거되도록 선택된다. 제 2 층(2)의 두께는 대략 0.01 내지 대략 1 mm 사이에 있으며, 예를 들어 대략 0.05 mm일 수 있다.
제 3 층(3)은 10.6 ㎛의 파장의 방사선에 대해 투과적으로 구성될 수 있으며, 제 1 층(4)(EUV 반사 캐핑 층)은 DUV 방사선에 대해 반사방지 코팅인 두께를 가질 수 있다. 따라서, 광학 요소는 2 가지 종류의 방사선, 즉 10.6 ㎛의 파장을 갖는 방사선과 DUV 방사선의 억제를 조합할 수 있다: 즉, 광학 요소 상에 입사되는 10.6 ㎛의 파장을 갖는 방사선은 제 1 층(4) 및 제 3 층(3)을 통해 전파되고 제 2 층(2)에 의해 흡수될 수 있으며, DUV 방사선은 DUV 방사선에 대한 반사방지 코팅으로서 작용하는 제 1 층(4)에 의해 억제될 수 있다.
도 2의 실시예에서, 총 반사율에 대한 통상적인 값들은 EUV 방사선에 대해서는 85.1 %, DUV 방사선에 대해서는 10 내지 40 %, 그리고 10.6 ㎛의 파장을 갖는 방사선에 대해서는 10.7 %이다.
광학 요소(1)는 기판(5) 상에 제공될 수 있다. 이는 도 5의 실시예의 경우에 해당된다. 제 2 층(2)은 열의 실질적인 양(통상적으로 100 W/cm2 정도)을 흡수할 수 있다. 따라서, 광학 요소(1)는 높은 열 전도율을 갖는, 예를 들어 Cu를 갖는 기판(5) 상에 증착될 수 있으며, 이로부터 열이 전달되어 나간다. 냉각을 훨씬 더 강화시키기 위하여 추가적인 냉각 수단(예를 들어, 수냉)이 적용될 수 있다.
도 3에서는, 2 개의 거울(7)이 서로에 대해 가로 방향으로 배치된 실시예가 도시되어 있다. 이들 거울(7) 모두는 양면으로, 양 측면 모두가 도 2에 개시된 바와 같은 광학 요소 포함하도록 되어 있다. 도 3의 실시예는 소스(SO)에 의하여 방출되는 방사선이 수집기에 의해 포커스되는 초점(focal point)인 소위 중간 포커스에 배치되는 것이 적합할 수 있다. 도 3에 도시된 광학 디바이스를 중간 포커스에 배치시키는 것의 잠재적인 장점은 적어도 충분히 얇은 거울들(7)에 대해 본 실시예가 소스의 이미징 시에 갖는 영향력이 훨씬 더 저감된다는 점이다. 또한, 입사 각들이 작아서, 높은 EUV 반사율을 유도한다.
중간 포커스에서의 입사의 통상적인 입사 각은 광학 축에 대해 대략 2° 내지9°의 범위에 있을 수 있다. 이는 특정 각도 범위 내에서 최적화된 AR 코팅의 설계와 관련되어 있다. 광학 축으로부터 최소 입사 각은 대략 2°이지만, 거울 상의 최소 입사 각은 대략 0°이다. 그러므로, 거울들은 대략 0° 내지 대략 9° 의 범위에 대해 최적화될 수 있다.
이 각도 범위에 대한 광학 요소(1)의 일 예시는 다음과 같이 구성될 수 있다, 즉 20 nm의 두께를 갖는 DLC에 의하여 형성되는 제 1 층(4); 420 nm의 두께를 갖는 Ge에 의하여 형성되는 중간 층; 5100 nm의 두께를 갖는 Ge에 의하여 형성되는 제 3 층(3); 500 nm의 두께를 갖는 Ge에 의하여 형성되는 추가 중간 층; 및 50 ㎛의 두께를 갖는 a-SiO2에 의하여 형성되는 제 2 층(2)으로 구성된다.
DLC 층들은 Ge와 같은 카바이드-형성 재료들에 잘 들러붙으며 높은 EUV 반사율에 대해 바람직한 것으로 서브나노미터 조도(subnanometer roughness)로 만들어진다(이는 L. TaO, S. Ramachandran, C. T. Nelson, T. H. Lee, L. J. Overzet, M. J. Goeckner, M. J. Kim, G. S. Lee and W. Hu, "Nanofabrication of Diamond-like Carbon Templates for Nanoimprint Lithography", Mater. Res. Soc. Symp. Proc., Diamond Electrinics - Fundamentals to Application(2007), 243에 제시되어 있음).
도 4는 13.5 nm에서 p-편광(Rp) 및 s-편광(Rs)에 대한 광학 요소 일 실시예의 반사율의 예시를 나타내고 있다. 이 파장에서, 반사율은 제 1 층(4)으로서 작용하는 DLC에 의해서만 결정된다. 편광의 효과는 매우 작고 전체 각도 범위에 걸쳐 반사율은 80%보다 작다.
하지만, 10.6 ㎛에서는, 도 5에 도시된 바와 같이 p-편광(Rp) 및 s-편광(Rs)에 대한 반사율에 있어 큰 차이가 존재한다. AR 코팅의 목적은 p-편광 방사선을 억제하는 것이다. 그 다음, s-편광 방사선은 다른 거울에 의하여 억제되며, 이에 대해 다시 p-편광된다(도 3 참조). 이 예시에 대해, AR 코팅의 반사방지 특성들은 p-편광 반사율이 0.5 %보다 작은(Rp＜0.5 %) 4.5°의 각도에서 최적이다. 각도 범위 하이 엔드(high end)들을 향하여, p-편광 반사율은 대략 대략 10 %까지 증가될 수 있으며; 0 입사 각에서는 100 %에 접근한다.
여하한의 입사 각에서 도 3의 광학 디바이스의 2 개의 거울(7)의 조합된 반사율은 [Rp(θ)Rs(φ) + Rs(θ)Rp(φ)]/2로 주어지며, 여기서 θ는 제 1 거울 상으로의 입사 각이고 φ는 제 2 거울 상으로의 입사 각이다.
광학 디바이스의 총 반사율을 얻기 위해서는, 각도들(θ, φ)의 적절한 범위에 대한 적분이 다음과 같이 계산되어야 한다.
수학식 1에서는, 방사선 세기 분포가 적분 범위에 걸쳐 일정한 것으로 가정된다. 일반적으로, 세기 분포는 수집기의 지오메트리(geometry)에 종속적이다. 통상적인 타원형 수집기에 대하여, 세기는 광학 축을 향해서 약간 증가하지만, 계산들은 이것이 단지 반사율에 관한 거울 효과만을 갖는다는 것을 보여주고 있다. 이들 경계 조건들에 의하면 총 반사율에 대한 통상적인 값들은 13.5 nm에서는 85.1 %이고 10.6 ㎛에서는 10.7 %이다(즉, 총 스펙트럼 순도가 8 배만큼 증가된다).
상술된 바와 같이, EUV 반사 캐핑 층(제 1 층)의 두께는 DUV 방사선의 반사가 제한되도록 선택된다. 도 6에 도시된 바와 같이, 두께는 높은 EUV 반사율을 유지하기 위해서 10 nm 정도 또는 그보다 두껍게 이루어질 수 있다. 도 7은 DLC 층의 두께, 통상적으로 12 내지 36 nm(120 내지 360A)의 두께에 종속적인 DUV 체계에서의 p-편광에 대한 반사율을 나타내고 있다. 레전드 값(legend value)들은 DLC 층의 두께를 옹스트롱(A)으로 나타내고 있다. 20 nm의 DLC 층 두께를 갖는 도 2의 실시예에 대하여, 수학식 1에 따라 계산된, 광학 디바이스의 총 DUV 반사율은 도 8에서 알 수 있듯이 10 내지 40 % 사이에 있다. 도 8이 도표로 나타낸 층은 20 nm 두께를 갖는 DLC 층이다.
광학 요소(1)의 총 두께는 소스 이미지의 왜곡을 최소화하기 위하여 가능한 한 얇아야 한다. 도 9에서, 포인트 소스(IF)는 다음과 같이 크기 s로 스트레칭된다.
예를 들어, 총 두께 d = 200 ㎛(양 측면 상에 100 ㎛의 냉각 기판 ＋ 2×50 ㎛ 다중층)를 갖는 통상적인 실시예에서는, 가상의 소스 크기 s = 173 nm이다. 이는, 이상적인 EUV 핀치 크기와 비교했을 때 작으며, 따라서 200 ㎛의 두께를 갖는 광학 요소의 일 실시예는 에텐듀의 상당한 증가를 가져올 것으로는 예측되지 않는다.
도 2의 실시예에서, 방사선의 일부는 작은 각도에서, 특히 수직방향 거울에서 반사되며, 여기서는 암흑화로 인해 입사 각에 대해 더 작은 바운드는 존재하지 않는다. 이들 작은 각도에서, 10.6 ㎛에 대한 AR 코팅의 성능은 도 5에 도시된 바와 같이 상대적으로 나쁘다. 이는 총 스펙트럼 순도의 관점에서 고 비-균일 IR 파-필드 패턴(highly non-uniform IR far-field pattern) 및 차선의 성능을 가져온다.
일 실시예에서, 두 거울 모두에 대한 최소 입사 각은 매우 작은 각도로 입사되는 방사선을 차단함으로써 증가된다. 예를 들어, 광학 디바이스에는, 이용시 제 1 거울 및 제 2 거울 각각에 대해 θmin = 2°및 φmin = 2°의 최소 입사 각이 제공될 수 있다. 이들 파라미터들에 대하여, 10.6 ㎛ 파장의 방사선의 총 반사율은 10.7 내지 3.52 % 저감되는 한편, 13.5 nm에서의 총 반사율은 거의 영향을 받지 않는다(85.1 내지 83.2 %). 그러므로, 스펙트럼 순도는 도 2의 실시예의 8 배에 비해 24 배만큼 증가되었다. 하지만, 추가적인 암흑화로 인해, 이후 EUV 방사선의 일부가 차단되기 때문에 스루풋이 기본 실시예의 75 %까지 줄어든다.
몇몇 응용례들에 대하여, 특정 방향으로의 암흑화는 허용되지 않는다. 예를 들어, 스캐너 툴에서 암흑화는 특정 방향, 즉 스캔 라인과 평행한 방향으로는 허용되지 않는다. 그러므로, 추가 실시예에서는 거울들이 회전되어 그들이 계속해서 서로에 대해 수직하게 유지되지만 그들 중 어느 것도 스캔 라인과 평행을 이루지 않도록 한다(예를 들어, 두 거울 모두가 스캔 라인으로부터 45°경사를 이룰 수 있다).
일 실시예에서, 하나의 거울 또는 두 거울 모두(7)의 반사면들(7' 및 7")은 도 10a에서와 같이 평행하지 않지만, 도 10b에서와 같이 소스를 향해 테이퍼지거나 또는 도 10c에서와 같이 소스를 향해 만곡될 수 있다. 테이퍼지거나 또는 웨지형상(wedged)의 거울의 잠재적인 장점은 입사 각의 범위가 보다 큰 값까지 바뀌어, 10.6 ㎛의 방사선이 보다 잘 억제될 수 있다는 점이다. 예를 들어, 테이퍼 반각이 3°라면, 입사 각의 범위는 0-10°내지 3-13°로 바뀔 수 있다. 도 12는 10°의 입사 각을 갖는 광학 요소의 테이퍼 진 실시예의 반각의 함수로서 포인트 소스에 대한 가상의 소스 크기 및 가상의 입체 각(solid angle)을 나타내고 있다.
AR 코팅의 파라미터들은 도 10b의 광학 요소에 대해 입사 각의 범위까지 다시 최적화될 수 있다. 예를 들어, 전체 다중층이 다음과 같이 이루어질 수 있다.
이 각도 범위에 대한 광학 요소(1)의 일 실시예는 다음과 같이 구성될 수 있다 - 20 nm의 두께를 갖는 DLC에 의하여 형성되는 제 1 층(4); 715 nm의 두께를 갖는 Ge에 의하여 형성되는 중간 층; 1400 nm의 두께를 갖는 ThF4에 의하여 형성되는 제 3 층(3); 50 ㎛의 두께를 갖는 Ge에 의하여 형성되는 추가 중간 층; 및 50 ㎛의 두께를 갖는 a-SiO2에 의하여 형성되는 제 2 층(2)으로 구성된다 - .
도 11은 10.6 ㎛에서 이 거울의 반사율을 나타내고 있다. p-편광 방사선에 대한 반사율은 기본 실시예에서보다 훨씬 더 작아서, 모든 입사 각에 대해 Rp＜13 %이다. 본 발명에 따른 광학 요소의 몇몇 실시예들에 대하여, 2 개의 테이퍼 진 거울로 이루어진 디바이스는 총 반사율이 10.6 ㎛에 대해서는 5.66 %이고 13.5 nm에 대해서는 74.6 %가 될 수 있다. 따라서, 스펙트럼 순도는 도 2의 실시예의 8 배에 비해 13 배 만큼 증가될 수 있다. 여기서, 2 개의 테이퍼 진 거울에 대하여, 두 반사가 더 이상 정확하게 수직하지 않다는 사실은 무시되었다. 예를 들어, 3°의 웨지 반각에 대하여, 2 개의 표면 간의 각은 90° 대신 89.94°이며, 따라서, 이것의 효과는 실제로 매우 작아지기 쉽다.
웨지 거울들을 갖는 실시예는 편평한 거울들을 갖는, 도 2의 실시예와는 상이한 방식으로 소스 이미지를 변화시킨다. 웨지 반각(α) 및 두께(d)에 대하여, 포인트 소스는 다음과 같이 주어진 가상의 소스 크기로 스트레칭된다.
이는, α = 0°에 대해서는 수학식 2로 단순화된다. 또한, 테이퍼링(tapering)은 방사선이 중간 포커스에 대해 광학 경로의 하류에서 방출되는 입체 각에 영향을 준다. 입체 각(Ω)은 2π(1-cosθmax)에서 2π[1 cos(θmax+2α)]까지 증가된다. 도 11은 α의 함수로서 두 가지 효과 모두를 나타내고 있다. α = 3°인 통상적인 실시예에 대하여, 에텐듀(~Ωs2)는 추정하여 2.4 배만큼 증가되며, 이는 에텐듀 요건들 및 소스의 원 에텐듀에 따라 허용가능할 수 있다.
일 실시예에서, 광학 요소들, 예를 들어 거울들은 도 10c에 도시된 바와 같이 만곡되어 있다. 거울 표면의 적어도 일부의 곡률은, 소스(SO)에 의하여 방출되고 수집기(CO)에 의하여 중간 초점 상에 포커스되는 방사선에 대하여, 중간 초점은 광학 요소에 대해 사전설정된 곳에 위치되고, 입사 각은 방사선이 입사되는 곳과는 무관하게 동일하며, 에텐듀는 최소의 영향을 받도록 이루어진다. 이는, 광학 축으로부터의 방사선의 각이 거울의 유한한 두께로 인해 거울 상의 위치에 따라 변하기 때문에 가능하다. 예를 들어, 거울은 모든 방사선이 4.5°의 그레이징 입사에서 반사되도록 만들어질 수 있다. 이 경우에, 반사된 방사선은 광학 축으로부터 5° 내에서 방출된다, 즉 입체 각이 저감된다. 또한, 가상 소스 크기는 거울의 정확한 형상에 따라 변한다. 이는 에텐듀의 최종적인 증가를 결정한다.
4.5°의 반사 각에서, 도 2의 실시예의 AR 코팅은 10.6 ㎛의 방사선의 최대 억제율을 갖는다(도 5 참조). 그러므로, 총 반사율은 10.6 ㎛에서 0.05 %만큼 낮고 13.5 nm에서 84.3 %만큼 높다. 방사선이 감소되는 각을 감소시킴으로써, 총 EUV 반사율은 훨씬 더(2°에 대해 최대 92.8 %까지) 증가될 수 있다. 이 예시는 포인트 소스의 이상적인 경우에 대해 주어진 것이라는 데 유의하여야 한다. 유한한 소스 크기에 의하여, 통상적으로는 거울 표면의 각각의 위치에서 입사 각들의 비-제로 범위가 존재한다. 결과적으로, AR 코팅은 단일 각에 대해 최적화되는 것이 아니라, 각도들의 범위에 대해서 최적화될 수 있으며, 따라서 10.6 ㎛의 방사선에 대한 총 반사율은 실제로는 더 높을 수도 있다.
일 실시예에서, 코팅의 파라미터들은 거울 상의 측방향 위치의 함수로서 가변적이다. 각각의 위치에서의 코팅은 p-편광 10.6 ㎛ 방사선의 반사율이 상기 위치에 대응되는 입사 각에 대해 최소가 되도록 이루어질 수 있다. 이는, 거울 상의 여하한의 주어진 위치에서 방사선이 일반적으로 단 하나의 입사 각으로 들어가기 때문에 가능하다. 0.05 % 아래의 Rp 값들은 모든 각들에 대해 아래로 대략 2°까지 얻어질 수 있다. 예를 들어, 10°의 입사 각에서 Rp = 0.04 %는, 다음의 구조, 즉 20 nm의 두께를 갖는 DLC에 의하여 형성되는 제 1 층(4); 735 nm의 두께를 갖는 Ge에 의하여 형성되는 중간 층; 980 nm의 두께를 갖는 ThF4에 의하여 형성되는 제 3 층(3); 1500 ㎛의 두께를 갖는 Ge에 의하여 형성되는 추가 중간 층; 및 50 ㎛의 두께를 갖는 a-SiO2에 의하여 형성되는 제 2 층(2)의 구조를 갖는 광학 요소에 대해 달성될 수 있다.
2°의 입사 각에서 Rp = 0.04 %는, 다음의 구조, 즉 20 nm의 두께를 갖는 DLC에 의하여 형성되는 제 1 층(4); 710 nm의 두께를 갖는 Ge에 의하여 형성되는 중간 층; 2500 nm의 두께를 갖는 ThF4에 의하여 형성되는 제 2 층(3); 700 nm의 두께를 갖는 Ge에 의하여 형성되는 추가 중간 층; 및 50 ㎛의 두께를 갖는 a-SiO2에 의하여 형성되는 제 2 층(2)의 구조에 대해 달성될 수 있다.
도 14에는 이들 2 개의 다중층들에 대한 입사 각의 함수인 반사율이 도시되어 있다. 도 15는 단지 하나의 파라미터, 즉 Ge 층들 중 하나의 두께를 변경하는 경우에도, 큰 각도 범위에 걸쳐 코팅의 최적화가 달성될 수 있음을 나타내고 있다.
10.6 ㎛에서의 총 반사율의 계산을 위해, 제 1 실시예의 구조와 유사한 편평한 거울들을 갖는 광학 요소를 취하였고, 2°보다 작거나 또는 같은 각도에 대해 0.04 %와 같은 Rp 값들을 갖는 코팅을 이용하였다.
s-편광(Rs)에 대한 반사율은 모든 각도들에 대해 1이라고 가정된다. 이는, 10.6 ㎛에서는 3.29 %, 그리고 13.5 nm에서는 85.1 %의 총 반사율을 가져온다. 따라서, 스펙트럼 순도는 26 배만큼 증가된다. 다시 말해, 이는 포인트 소스의 이상적인 경우에서만 유지될 수 있다. 유한한 소스 크기에 의하여, 통상적으로는 거울 표면의 각각의 포인트에서 입사 각의 비-제로 범위가 존재한다. 결과적으로, AR 코팅은 단일 각에 대해 최적화되는 것이 아니라 각도들의 범위에 대해 최적화되며, 따라서, 10.6 ㎛의 방사선에 대한 총 반사율은 실제로는 더 높을 수도 있다.
이와 마찬가지로, 제 1 층(4)(EUV 반사 캐핑 층)의 두께는 각각의 입사 각에서 DUV의 억제를 최적화시키기 위하여 측방향 위치의 함수로서 변할 수 있다. 일 실시예에서, 제 1 층(4)의 두께에 대한 범위는 대략 10 내지 대략 50 nm이다. 보다 얇은 두께에서는 EUV의 반사율이 현저하게 떨어지는 반면, 보다 두꺼운 두께에서는 IR 반사율이 증가되기 시작할 수 있다.
수소 원자가 중간 포커스, 특히 LLP 소스에 존재할 수도 있다. 이 수소는 광학 요소를 더욱 냉각시키는 데 이용될 수 있다. 일 실시예에서는, 보호 캐핑 층이 제 1 층(4)의 최상부 상에 증착되어 수소에 의해 유발되는(hydrogen-induced) 손상으로부터 광학 요소를 보호할 수 있다. 예를 들어, 수 나노미터 두께의 Si3N4 층은 반사율에 관해 감지할 만한 영향 없이 이용될 수 있다. (상술된 실시예에서와 같이) 제 1 층(4)으로서 DLC 층이 이용되는 경우에, DLC는 수소 원자에 의해 많은 영향을 받지는 않기 때문에 보호 층을 필요로 하지 않을 수도 있다.
일 실시예에서는, 광학 요소가 십자가 형상으로 및/또는 중간 포커스에서 배치되지 않고, 2 개의 수직한 거울들의 또 다른 쌍으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 광학 요소는 투영 광학기에서 2 개의 수직한 그레이징-입사 거울로서 구현될 수 있다. 또한, 본 명세서에서 개시된 제 3 층(4)은 중간 포커스에 있는 것들을 대신하거나 그에 더해져 다른 그레이징-입사 거울(예를 들어, g 거울) 상에 적용되어 스펙트럼 순도를 높일 수 있다.
광학 요소의 또 다른 실시예는 도 16에 도시된 것과 같은 다음의 구성요소들; 즉, 10.6 ㎛에서 높은 반사율을 갖는 재료로 된 반사 층(5), 10.6 ㎛에서 투과적인 재료로 된 제 2 층(2), 10.6 ㎛에 대해 조절된 제 3 층(3), 및 EUV 반사 제 1 층(4)을 포함한다.
반사 층(5)의 재료는 10.6 ㎛에서 높은 반사율을 갖도록 선택된다. 대부분의 금속(예를 들어, Mo)은 이 범주 내에 속한다. 이 층의 두께는 거울의 기계적 강건성(mechanical robustness)을 위하여, 필요한 최소치를 갖는 것이 바람직하다. 대안적으로, 상기 층은 보다 얇게 구성되고 지지 기판 상에 장착될 수 있다.
제 2 층(2)의 목적은 반사 층(1)에 10.6 ㎛의 방사선을 전달하는 한편 EUV 반사 제 1 층(4)에 대해 편평한 토대(basis)를 제공하는 것이다. 그러므로, 이 층의 두께는 균일하지 않을 수 있다. 이 제 2 층(2)은 ZnSe, ZnS, GaAs 및 Ge와 같은 CO2 레이저 윈도우 재료로 만들어지는 것이 바람직하다.
제 3 층(3)은 제 2 층(2)으로부터의 반사율을 더욱 저감시킬 수 있다. 이 코팅의 최적의 파라미터들은 반사율이 저감되어야 하는 그레이징 각들의 범위에 종속적이다. 제 3 층(3)은, 예를 들어 ZnSe, ZnS, GaAs 및 Ge와 같은 CO2 윈도우 재료들, 및/또는 ThF4 및 YF3와 같은 낮은 굴절률의 할로겐화물을 포함할 수 있다.
제 1 층(4)은 EUV에 대해 높은 굴절률을 가지며, 이에 대해 통상적으로는 10 nm 정도의 두께가 바람직하다. 일반적으로, 금속들은 매우 얇은 층으로서 적용되는 경우에도 10.6 ㎛의 방사선을 반사시키기 때문에, 제 1 층(4)은, 비-금속계 재료, 예를 들어 DLC 또는 TiO2로 만들어지는 것이 바람직하다.
또한, 제 1 층(4)은 DUV에 대해 반사방지(AR) 코팅으로서 작용하기 때문에, 그것의 두께는 DUV 범위에서 원하는 억제율을 제공하도록 조절된다.
이 실시예에서, 2 개의 거울들은 십자가 형상으로 배열되고 중간 포커스에서 배치된다(도 1 참조). 도 16에 도시된 구조는 각각의 거울의 양 측면 상에 적용된다.
중간 포커스에서 통상적인 입사 각들은 광학 축으로부터 2° 내지 9°의 범위에 있는 것으로 가정될 수 있다. 이는 AR 코팅들의 설계와 관련되어 있으며, 이는 특정 각도 범위 내에서 최적화된다. 또한, IR 반사 표면과 EUV 반사 표면 사이의 각을 선택하는 것과 관련되어 있다. 광학 축으로부터의 최소 입사 각은 2°이지만, 거울들 상의 최소 입사 각은 0°(에 가까운 각)이다. 그러므로, 거울들은 0° 내지 9°의 범위에 대해 최적화되어야 한다.
이 각도 범위에 대한 통상적인 실시예는 DLC[20 nm]/Ge[420 nm]/ThF4[5100 nm]/Ge[500 nm]/ZnSe[가변적]/Mo와 같이 이루어질 수 있다.
여기서, DLC는 EUV 반사 캡 층이고, Ge/ThF4/Ge 스택은 AR 코팅이고, ZnSe는 분리(separation) 층이며 Mo은 경사진 적외선 반사 층이다.
0° 내지 9°의 각도 범위를 고려하면, 층(1)의 표면은 제 1 층(4)의 표면과 적어도 5°의 각을 이루어, 적외 방사선이 광학 축으로부터 적어도 10°로 반사되고 따라서 EUV 방사선으로부터 분리되도록 하는 것이 바람직하다. 통상적으로, 광학 축을 따르는 거울의 길이는 1 cm 정도로 이루어진다. 그러므로, 반사 층(1)의 표면이 연속적일 경우, 도 16에 도시된 스택의 바람직한 두께는 1 mm 정도로 이루어지고, 양-면 거울의 총 두께는 대략 2 mm로 이루어진다. 허용가능한 에텐듀를 유지하기 위해서는, 보다 얇은 두께를 갖도록 하는 것이 바람직하다. 이는 도 16에 도시된 바와 같이 톱니-형상의 반사 층(1)을 이용함으로써 달성될 수 있다. 예를 들어, 톱니는 1 mm의 주기를 가져, 스택의 두께가 대략 0.1 mm까지 축소될 수 있다.
또 다른 실시예에서, 반사 층(1)의 주기는 적외선 파장(10.6 ㎛) 정도, 예를 들어 0.1 mm보다 작아진다. 이 실시예에서, 반사 층(1)은 반사 격자로서 작용할 수 있으며, 이는 CO2 또는 YAG 레이저 방사선을 회절시킬 수 있다(CO2 또는 YAG 레이저 방사선을 다중 회절 차수로 반사시킬 수 있다). 표면 프로파일은 EUV 빔 외측의 회절 차수들로 방사선의 대부분을 지향시키기 위해 최적화될 수 있다.
도 4는 13.5 nm에서 p-편광 및 s-편광에 대한 도 16의 실시예의 반사율을 나타내고 있다. 도 5는 10.6 ㎛에서의 반사율을 나타내고 있다. 13.5 nm의 파장에서, 반사율은 DLC 캡 층에 의해서만 결정된다. 편광의 효과는 매우 작으며 반사율은 전체 각도 범위에 걸쳐 80 %보다 크다. 10.6 ㎛의 파장에서, p-편광 및 s-편광에 대한 반사율에 큰 차이가 존재한다. AR 코팅의 목적은 p-편광 방사선을 억제하는 것이다. 그 다음, s-편광 방사선은 다른 거울에 의하여 억제되며, 그에 대해 그것이 다시 p-편광된다. 이 예시로부터, AR 코팅의 반사방지 특성들은 4.5°의 각에서 최적이며, Rp＜0.5 %이다. 각도 범위 하이 엔드를 향해서는, 반사율이 대략 대략 10 %까지 증가될 수 있으며; 0 입사 각을 향해서는 (불가피하게) 100 %에 접근한다.
또 다른 실시예는 도 17에 도시된 바와 같은 구성요소들: 즉 10.6 ㎛에서 실질적으로 투과적인 재료로 된 층(2), 10.6 ㎛에 대해 조절된 반사방지 코팅(3), 및 EUV 반사 캡 층(4)을 포함한다.
층(2)의 재료는 10.6 ㎛에서 높은 투과성을 갖도록 선택된다. 이 층은 DLC, 또는 ZnSe, ZnS, GaAs 및 Ge와 같은 CO2 레이저 윈도우 재료들로 만들어지는 것이 바람직하다.
AR 코팅(3)은 층(1)의 적외선 그레이징-입사 반사율을 더욱 저감시킨다. 이 코팅의 최적의 파라미터들은 반사율이 저감되어야 하는 그레이징 각들의 범위에 종속적이다. AR 코팅은, 예를 들어 ZnSe, ZnS, GaAs 및 Ge와 같은 CO2 윈도우 재료들, 및/또는 ThF4 및 YF3와 같은 낮은 굴절률의 할로겐화물을 포함할 수 있다.
캡 층(4)은 EUV에 대해 높은 반사율을 가지며, 그에 대해 통상적으로 10 nm 정도의 두께가 바람직하다. 일반적으로, 금속들은 매우 얇은 층으로서 적용되는 경우에도 10.6 ㎛의 방사선을 반사시키기 때문에, 캐핑 층(4)은, 비-금속계 재료, 예를 들어 DLC 또는 TiO2로 만들어지는 것이 바람직하다.
또한, 캡 층(4)은 DUV에 대해 AR 코팅으로서 작용하기 때문에, 그것의 두께는 DUV 범위에서 원하는 억제율을 제공하도록 조절된다.
이 실시예에서, 2 개의 거울은 도 3에 도시된 바와 같이 십자가 형상으로 배열되고 중간 포커스에서 배치될 수 있다. 도 17에 도시된 구조체는 도 18에 도시된 것과 같이 각각의 거울의 양 측면 상에 적용된다. 적외 방사선이 거울을 통해 투과된 후에 EUV 빔 외측으로 지향될 수 있도록 하기 위해, 층(2)의 뒷면(backside)이 본 발명의 실시형태들에 따라 패터닝된다.
일 실시예에서, 상기 뒷면은 일반적으로 도 17(a)에 도시된 것과 같이 EUV 반사 캡 층(3)에 대해 경사진 표면 방위를 갖는다. 그 다음, 적외 방사선이 EUV가 반사되는 입체 각 외측에서 회절된다. 도 17(a)에서 톱니 프로파일의 주기가 적외선 파장보다 훨씬 더 크다면, 방사선이 지향되는 각도는 표면 법선(surface normal) 및 스넬의 법칙에 의하여 간단히 주어진다.
일 실시예에서, 뒷면 상의 패턴은 투과 격자로서 작용하도록 적외 방사선 정도의 주기를 갖는다. 격자 프로파일은 EUV 빔 외측의 회절 차수들로 방사선의 대부분을 지향시키기 위해 최적화될 수 있다.
도 17(b)에 도시된 일 실시예에서, 뒷면은 적외선 파장(10.6 ㎛) 정도의 길이 스케일을 갖는 큰 표면 조도를 갖는다. 이 경우에, 적외 방사선은 그 대부분이 EUV 빔 외측으로 지향되도록 산란된다. 이 실시예는 제조가 쉽다는 점에서 특별한 장점을 갖는다. 예를 들어, 층(2)의 재료는 편평한 기판, 예를 들어 Si 상에서 성장될 수 있는, 상술된 바와 같이 다이아몬드일 수 있다. 적합한 성장 파라미터들을 선택함으로써, 도 19에 도시된 바와 같이 다이아몬드 층의 최상부 표면에서는 원하는 조도가 자동적으로 유도될 수 있다. 결과적으로, 기판으로부터의 리프트-오프(lift-off) 후에, 층은 도 17(b)에 도시된 바와 같이 하나의 매끈한 측면과 하나의 거친 측면을 갖는다. 이제 남은 것은 층의 매끈한 측면 상에 코팅들(3 및 4)을 증착하는 것이다.
상술된 실시예들 중 어떠한 실시예를 기초로 하는 실시예에서는, 층(2)의 패터닝된 뒷면 또한 AR 코팅(3)과 유사한(그러나 일반적으로 상이한 파라미터들을 가짐) 반사방지 코팅으로 코팅될 수 있다. 이 추가적인 AR 코팅은 층(2) 내에서의 내부 반사를 감소시키며, 이에 의하여 총 스택의 투과성을 증가시킬 수 있다. 광이 반사되거나 또는 EUV 빔 외측으로 회절되는 한 일반적으로 내부 반사는 문제가 없기 때문에 추가적인 AR 코팅은 선택사항이다.
일 실시예에서, 층(2)의 뒷면은 패터닝되거나 거칠지 않지만, EUV 반사 표면들에 대하여 연속적으로 경사져 있다. 이는, EUV 빔을 회절시키기 위해서는 실질적인 경사 각(예를 들어, 5°)을 필요로 하기 때문에 바람직한 실시예가 아닐 수 있다. 이는, 상대적으로 두꺼운 거울을 생성하여, SPF가 도 3에 도시된 바와 같이 IF에 배치되는 경우 에텐듀의 바람직하지 않은 증가를 초래할 수 있다. 그러므로, 경사진 표면을 몇가지 단계로 쪼개어(break up) 도 17(a)에 기술된 바와 같이 톱니형 패턴을 형성하는 것이 바람직할 수 있다.
중간 포커스에서 입사 각들은 광학 축으로부터 2° 내지 9°의 범위에 있는 것으로 가정될 수 있다. 이는 AR 코팅들의 설계와 관련되어 있으며, 이는 특정 각도 범위 내에서 최적화된다. 광학 축으로부터의 최소 입사 각은 2°이지만, 거울들 상의 최소 입사 각은 0°(에 가까운 각)이다. 그러므로, 거울들은 0° 내지 9°의 범위에 대해 최적화되어야 한다.
이 각도 범위에 대한 실시예는 DLC[20 nm]/Ge[420 nm]/ThF4[5100 nm]/Ge[500 nm]/ZnSe[가변적]와 같이 이루어질 수 있다.
여기서, DLC는 EUV 반사 캡 층이고, Ge/ThF4/Ge 스택은 AR 코팅이고, ZnSe 층은 패터닝된 뒷면을 갖는 적외선-투과성(infrared-transparent) 층이다.
도 4는 13.5 nm에서 p-편광 및 s-편광에 대한 통상적인 실시예의 반사율을 나타내고 있다. 이 파장에서, 반사율은 DLC 캡 층에 의해서만 결정된다. 편광의 효과는 매우 작으며 반사율은 전체 각도 범위에 걸쳐 80 %보다 크다.
도 5는 스펙트럼 반사를 위한 적외선 반사율을 나타내고 있다[즉, 층(2)의 뒷면에 의하여 반사되는 부분은 일반적으로 EUV 빔의 외측으로 지향되지 않는다]. 10.6 ㎛의 파장에서, p-편광 및 s-편광에 대한 반사율에 큰 차이가 존재한다. AR 코팅의 목적은 p-편광 방사선을 억제하는 것이다. 그 다음, s-편광 방사선은 다른 거울에 의하여 억제되며, 그에 대해 그것이 다시 p-편광된다. 이 예시로부터, AR 코팅의 반사방지 특성들은 4.5°의 각에서 최적이며, Rp＜0.5 %이다. 각도 범위 하이 엔드를 향해서는, 반사율이 대략 대략 10 %까지 증가될 수 있으며; 0 입사 각을 향해서는 (불가피하게) 100 %에 접근한다.
기본 실시예에 대해 계산된 총 반사율은 13.5 nm에서 85.1 %이고 10.6 ㎛에서 10.7 %이다(즉, 총 스펙트럼 순도가 8 배만큼 증가된다). 측방향으로 등급분할된 코팅을 이용함으로써, 10.6 ㎛에서의 반사율은 3.29 %까지 이상적으로 저감될 수 있으며, 이는 SPF 상의 각각의 위치에서 방사선이 단 하나의 각으로 들어간다는 것을 가정하고 있다. 실제로는 (소스의 크기 및 SPF 거울의 두께에 종속적인) 입사 각들의 범위가 존재하기 때문에, 저감은 통상적으로는 더 작다.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
이상, 광학 리소그래피와 관련하여 본 발명의 실시예들의 특정 사용예를 언급하였으나, 본 발명은 다른 적용예들, 예를 들어 임프린트 리소그래피에 사용될 수 있으며, 맥락적 허용여부에 따라 광학 리소그래피로만 제한되지 않는다는 것을 이해하여야 한다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 디바이스 내의 토포그래피(topography)는 기판 상에 생성된 패턴을 정의한다. 패터닝 디바이스의 토포그래피는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그들의 조합을 인가함으로써 레지스트가 경화되는 기판에 공급된 레지스트 층으로 가압될 수 있다. 패터닝 디바이스가 레지스트로부터 벗어나고 나서 상기 레지스트가 경화된 후에는 상기 레지스트에 패턴이 남게 된다.
본 명세서에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 (예를 들어, 365, 355, 248, 193, 157 또는 126 nm, 또는 그 정도의 파장을 갖는) 자외(UV)방사선 및 (예를 들어, 5 내지 20 nm 범위 내의 파장을 갖는) 극자외(EUV)방사선뿐만 아니라, 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.
맥락적 허용여부에 따라 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 타입의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그들의 조합을 지칭할 수 있다.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 본 발명은 앞서 개시된 바와 같은 방법을 구현하는 기계-판독가능한 명령어의 1 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되어 있는 데이터 저장 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다.
이상의 설명은 예시에 지나지 않으며, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 후술되는 청구범위를 벗어나지 않는, 기술된 바와 같은 본 발명에 대한 변경이 가해질 수도 있음을 이해하여야 한다.
Claims (38)
- 광학 요소에 있어서,
제 1 재료를 포함하는 제 1 층 - 상기 제 1 층은 제 1 방향으로 제 1 파장의 방사선에 대해 실질적으로 반사적이며, 제 2 파장의 방사선에 대해 실질적으로 투과적으로 구성됨 - ,
제 2 재료를 포함하는 제 2 층 - 상기 제 2 층은 상기 제 2 파장의 방사선에 대해 실질적으로 흡수적 또는 투과적으로 구성됨 - , 및
상기 제 1 층과 상기 제 2 층 사이의 제 3 재료를 포함하는 제 3 층 - 상기 제 3 층은 상기 제 2 파장의 방사선에 대해 실질적으로 투과적이며 상기 제 1 층과 대향되는 상기 제 2 층의 최상부 표면으로부터 상기 제 2 파장의 방사선의 반사를 저감시키도록 구성됨 - 을 포함하며,
상기 제 1 층은 상기 제 2 층에 대한 입사 방사선의 광학 경로에서 상류에 배치되어 상기 제 1 파장의 방사선의 스펙트럼 순도를 향상시키는 광학 요소. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 층으로부터 먼 쪽을 향하는 상기 제 2 층의 바닥면은 제 2 방향으로의 상기 제 2 파장의 방사선에 대해 실질적으로 반사적으로 구성되며,
상기 제 1 방향 및 상기 제 2 방향은 서로 실질적으로 상이한 광학 요소. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 층으로부터 먼 쪽을 향하는 상기 제 2 층의 바닥면은 상기 제 2 파장의 방사선에 대해 실질적으로 회절적(diffractive)으로 구성되는 광학 요소. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 층으로부터 먼 쪽을 향하는 상기 제 2 층의 바닥면은 상기 제 2 파장의 방사선을 실질적으로 산란(scatter)시키도록 구성되는 광학 요소. - 제 4 항에 있어서,
상기 제 2 층의 바닥면은 대략 상기 제 2 파장 정도의 길이 스케일을 갖는 표면 조도(surface roughness)를 가지는 광학 요소. - 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
제 4 층을 더 포함하며,
상기 제 4 층은 상기 제 2 층의 바닥면에 대하여 제공되는 광학 요소. - 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 재료는 DLC(diamond-like carbon) 및 TiO2로 이루어진 그룹으로부터의 적어도 하나의 재료를 포함하는 광학 요소. - 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 3 재료는 ZnSe, ZnS, GaAs 및 Ge, ThF4 및 YF3로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 재료를 포함하는 광학 요소. - 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 파장의 방사선은 EUV 방사선인 광학 요소. - 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 2 파장의 방사선은 적외 방사선인 광학 요소. - 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 층의 두께는, 상기 제 1 층이 제 3 파장의 방사선에 대해 반사-방지 코팅으로서 작용하게 구성되도록 이루어지는 광학 요소. - 제 11 항에 있어서,
상기 제 1 층의 두께는 1 내지 20 nm의 범위 내에 있는 광학 요소. - 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
상기 제 3 파장의 방사선은 DUV 방사선인 광학 요소. - 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
실질적으로 EUV 방사선만이 반사되는 광학 요소. - 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 파장의 방사선의 대략 70 % 내지 대략 95 %가 반사되는 광학 요소. - 제 15 항에 있어서,
상기 제 3 파장의 방사선의 대략 0 % 내지 대략 50 %가 반사되는 광학 요소. - 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
상기 제 2 파장의 방사선의 대략 0 % 내지 대략 20 %가 반사되는 광학 요소. - 제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 따른 적어도 2 개의 광학 요소들을 포함하는 광학 디바이스.
- 제 18 항에 있어서,
상기 광학 요소들 중 적어도 2 개의 반사 표면들은 서로로부터 먼 쪽으로 향하고 있는 광학 디바이스. - 제 18 항에 있어서,
상기 광학 요소들 중 적어도 2 개의 반사 표면들은 서로에 대해 가로방향으로 배향되는 광학 디바이스. - 제 20 항에 있어서,
상기 반사 표면들은 서로에 대해 적어도 실질적으로 수직하게 배향되는 광학 디바이스. - 제 1 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 층은 상기 제 2 파장의 방사선에 대해 실질적으로 투과적으로 구성되는 광학 요소. - 제 1 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 따른 적어도 1 개의 광학 요소를 포함하는 리소그래피 장치.
- 제 1 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 따른 적어도 2 개의 광학 요소들을 포함하는 리소그래피 장치에 있어서,
각각의 광학 요소들의 반사 표면들이 서로에 대해 실질적으로 수직하게 배향되는 리소그래피 장치. - 제 23 항에 있어서,
상기 리소그래피 장치는,
방사선 빔을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템;
상기 방사선 빔을 패터닝하도록 구성된 패터닝 디바이스;
기판을 유지하도록 구성된 지지체; 및
패터닝된 방사선 빔을 상기 기판의 타겟부 상에 투영하도록 구성된 투영 시스템을 포함하는 리소그래피 장치. - 리소그래피 장치에 있어서,
방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템;
상기 방사선 빔을 패터닝하도록 구성된 패터닝 디바이스;
기판을 유지하도록 구성된 지지체; 및
패터닝된 방사선 빔을 상기 기판의 타겟부 상에 투영하도록 구성된 투영 시스템을 포함하며,
상기 조명 시스템 및/또는 상기 투영 시스템은 광학 요소를 포함하며,
상기 광학 요소는,
제 1 재료를 포함하는 제 1 층 - 상기 제 1 층은 제 1 방향으로 제 1 파장의 방사선에 대해 실질적으로 반사적이고, 제 2 파장의 방사선에 대해 실질적으로 투과적으로 구성됨 - ,
제 2 재료를 포함하는 제 2 층 - 상기 제 2 층은 상기 제 2 파장의 방사선에 대해 실질적으로 흡수적 또는 투과적으로 구성됨 - , 및
상기 제 1 층과 상기 제 2 층 사이의 제 3 재료를 포함하는 제 3 층 - 상기 제 3 층은 상기 제 2 파장의 방사선에 대해 실질적으로 투과적이며 상기 제 1 층과 대향되는 상기 제 2 층의 최상부 표면으로부터 상기 제 2 파장의 방사선의 반사를 저감시키도록 구성됨 - 을 포함하며,
상기 제 1 층은 상기 제 2 층에 대한 입사 방사선의 광학 경로에서 상류에 배치되어 상기 제 1 파장의 방사선의 스펙트럼 순도를 향상시키는 리소그래피 장치. - 제 26 항에 있어서,
상기 제 1 층으로부터 먼 쪽을 향하는 상기 제 2 층의 바닥면은 제 2 방향으로 상기 제 2 파장의 방사선에 대해 실질적으로 반사적으로 구성되며,
상기 제 1 방향 및 상기 제 2 방향은 서로 실질적으로 상이한 리소그래피 장치. - 제 26 항에 있어서,
상기 제 1 층으로부터 먼 쪽을 향하는 상기 제 2 층의 바닥면은 상기 제 2 파장의 방사선에 대해 실질적으로 회절적으로 구성되는 리소그래피 장치. - 제 26 항에 있어서,
상기 제 1 층으로부터 먼 쪽을 향하는 상기 제 2 층의 바닥면은 상기 제 2 파장의 방사선을 실질적으로 산란시키도록 구성되는 리소그래피 장치. - 제 29 항에 있어서,
상기 제 2 층의 바닥면은 대략 상기 제 2 파장 정도의 길이 스케일을 갖는 표면 조도를 포함하는 리소그래피 장치. - 제 27 항 내지 제 30 항 중 어느 한 항에 있어서,
제 4 층을 더 포함하며,
상기 제 4 층은 상기 제 2 층의 바닥면에 대하여 제공되는 리소그래피 장치. - 디바이스 제조방법에 있어서,
방사선 빔을 패터닝하여 패터닝된 방사선 빔을 형성하는 단계;
패터닝된 방사선 빔을 기판 상에 투영하는 단계; 및
상기 방사선 빔을 적어도 하나의 광학 요소를 이용하여 반사시키는 단계를 포함하며,
상기 광학 요소는,
제 1 재료를 포함하는 제 1 층 - 상기 제 1 층은 제 1 방향으로 제 1 파장의 방사선에 대해 실질적으로 반사적이고, 제 2 파장의 방사선에 대해 실질적으로 투과적으로 구성됨 - ,
제 2 재료를 포함하는 제 2 층 - 상기 제 2 층은 상기 제 2 파장의 방사선에 대해 실질적으로 흡수적 또는 투과적으로 구성됨 - , 및
상기 제 1 층과 상기 제 2 층 사이의 제 3 재료를 포함하는 제 3 층 - 상기 제 3 층은 상기 제 2 파장의 방사선에 대해 실질적으로 투과적이며, 상기 제 1 층과 대향되는 상기 제 2 층의 최상부 표면으로부터 상기 제 2 파장의 방사선의 반사를 저감시키도록 구성됨 - 을 포함하며,
상기 제 1 층은 상기 제 2 층에 대한 입사 방사선의 광학 경로에서 상류에 배치되어 상기 제 1 파장의 방사선의 스펙트럼 순도를 향상시키는 디바이스 제조방법. - 제 32 항에 있어서,
상기 제 1 층으로부터 먼 쪽을 향하는 상기 제 2 층의 바닥면은 제 2 방향으로 상기 제 2 파장의 방사선에 대해 실질적으로 반사적으로 구성되며,
상기 제 1 방향 및 상기 제 2 방향은 서로 실질적으로 상이한 디바이스 제조방법. - 제 32 항에 있어서,
상기 제 1 층으로부터 먼 쪽을 향하는 상기 제 2 층의 바닥면은 상기 제 2 파장의 방사선에 대해 실질적으로 회절적으로 구성되는 디바이스 제조방법. - 제 32 항에 있어서,
상기 제 1 층으로부터 먼 쪽을 향하는 상기 제 2 층의 바닥면은 상기 제 2 파장의 방사선을 실질적으로 산란시키도록 구성되는 디바이스 제조방법. - 제 35 항에 있어서,
상기 제 2 층의 바닥면은 대략 상기 제 2 파장 정도의 길이 스케일을 갖는 표면 조도를 포함하는 디바이스 제조방법. - 제 33 항 내지 제 36 항 중 어느 한 항에 있어서,
제 4 층을 더 포함하며,
상기 제 4 층은 상기 제 2 층의 바닥면에 대하여 제공되는 디바이스 제조방법. - 제 32 항 내지 제 37 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조된 디바이스.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US6431308P | 2008-02-27 | 2008-02-27 | |
| US61/064,313 | 2008-02-27 | ||
| US12968908P | 2008-07-11 | 2008-07-11 | |
| US61/129,689 | 2008-07-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20100124789A true KR20100124789A (ko) | 2010-11-29 |
| KR101561999B1 KR101561999B1 (ko) | 2015-10-20 |
Family
ID=40600083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020107021537A KR101561999B1 (ko) | 2008-02-27 | 2009-02-24 | 광학 요소, 이러한 광학 요소를 포함하는 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법, 및 이에 의하여 제조되는 디바이스 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8345223B2 (ko) |
| EP (2) | EP2247968B1 (ko) |
| JP (1) | JP5583605B2 (ko) |
| KR (1) | KR101561999B1 (ko) |
| CN (2) | CN101960338B (ko) |
| AT (1) | ATE552519T1 (ko) |
| NL (1) | NL1036469A1 (ko) |
| TW (2) | TWI536125B (ko) |
| WO (1) | WO2009106291A1 (ko) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL2002968A1 (nl) * | 2008-06-30 | 2009-12-31 | Asml Netherlands Bv | Optical element, lithographic apparatus including such an optical element, device manufacturing method, and device manufactured thereby. |
| NL2003299A (en) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Asml Netherlands Bv | Spectral purity filter and lithographic apparatus. |
| DE102009054653A1 (de) * | 2009-12-15 | 2011-06-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel für den EUV-Wellenlängenbereich, Substrat für einen solchen Spiegel, Verwendung einer Quarzschicht für ein solches Substrat, Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie mit einem solchen Spiegel oder einem solchen Substrat und Projetktionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem solchen Projektionsobjektiv |
| JP2013538433A (ja) * | 2010-03-24 | 2013-10-10 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置およびスペクトル純度フィルタ |
| DE102010036955A1 (de) * | 2010-08-12 | 2012-02-16 | Asml Netherlands B.V. | Reflektives optisches Element und optisches System für die EUV-Lithographie |
| EP2533078B1 (en) | 2011-06-09 | 2014-02-12 | ASML Netherlands BV | Radiation source and lithographic apparatus |
| EP2764180A1 (en) * | 2011-09-05 | 2014-08-13 | Wallvision B.V. | Outside wall cladding element and an outside wall provided with such an outside wall cladding element |
| US9322964B2 (en) * | 2012-01-19 | 2016-04-26 | Supriya Jaiswal | Materials, components, and methods for use with extreme ultraviolet radiation in lithography and other applications |
| US10838124B2 (en) * | 2012-01-19 | 2020-11-17 | Supriya Jaiswal | Materials, components, and methods for use with extreme ultraviolet radiation in lithography and other applications |
| CN103809231B (zh) * | 2014-01-27 | 2016-04-13 | 南京工业大学 | 一种紫外-近红外双波段吸收滤光片及其制备方法 |
| KR101620092B1 (ko) * | 2014-11-06 | 2016-05-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 그 제조방법 |
| EP3224657B1 (en) * | 2014-11-26 | 2024-04-10 | Jaiswal, Supriya | Materials, components, and methods for use with extreme ultraviolet radiation in lithography and other applications |
| CN104459835B (zh) * | 2014-12-24 | 2016-06-29 | 南京波长光电科技股份有限公司 | 一种红外玻璃gasir1增透膜及其制备方法 |
| CN107847200B (zh) | 2015-07-14 | 2022-04-01 | 皇家飞利浦有限公司 | 利用增强的x射线辐射的成像装置和*** |
| KR20190004716A (ko) | 2016-04-19 | 2019-01-14 | 알마 레이저 엘티디. | 수술용 레이저 창 |
| NL2018989A (en) * | 2016-06-03 | 2017-12-05 | Asml Netherlands Bv | Patterning device |
| CN107783218B (zh) * | 2016-08-31 | 2021-11-09 | 上海兆九光电技术有限公司 | 一种深紫外带通滤光片及其制备方法 |
| USD824224S1 (en) | 2017-05-15 | 2018-07-31 | Adam A. Zuber | Spatula with channels |
| NL2020859A (en) * | 2017-06-01 | 2018-12-04 | Asml Netherlands Bv | Patterning device |
| CN107607061B (zh) * | 2017-09-07 | 2024-04-05 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 一种用于虚光轴和结构靠面的高精度角度测量方法 |
| CN107746187B (zh) * | 2017-09-20 | 2020-09-08 | 湖北森浤光学有限公司 | 一种镀dlc膜的红外硫系玻璃镜片及其制备方法 |
| IL277055B2 (en) * | 2018-03-06 | 2024-06-01 | Asml Holding Nv | Anti-reflection optical infrastructures and manufacturing methods |
| CN116705887B (zh) * | 2023-05-29 | 2024-03-12 | 中航凯迈(上海)红外科技有限公司 | 一种红外探测器用吸收膜及其制备方法 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05129190A (ja) * | 1991-05-31 | 1993-05-25 | Toppan Printing Co Ltd | Ｘ線露光用マスク及びそのブランク |
| JPH0553011A (ja) * | 1991-08-22 | 1993-03-05 | Horiba Ltd | 多層膜光学フイルタ |
| JPH06208004A (ja) * | 1993-01-08 | 1994-07-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 赤外レーザ用反射防止膜 |
| JP3924806B2 (ja) * | 1996-06-10 | 2007-06-06 | 株式会社ニコン | 反射防止膜 |
| JP3259657B2 (ja) * | 1997-04-30 | 2002-02-25 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
| JP2000077305A (ja) * | 1998-08-31 | 2000-03-14 | Nikon Corp | 反射マスクおよびｘ線投影露光装置 |
| US6461731B1 (en) * | 1999-05-03 | 2002-10-08 | Guardian Industries Corp. | Solar management coating system including protective DLC |
| TWI267704B (en) * | 1999-07-02 | 2006-12-01 | Asml Netherlands Bv | Capping layer for EUV optical elements |
| TWI240151B (en) * | 2000-10-10 | 2005-09-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| JP4061319B2 (ja) * | 2002-04-11 | 2008-03-19 | Ｈｏｙａ株式会社 | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク及びそれらの製造方法並びに半導体の製造方法 |
| SG108316A1 (en) * | 2002-06-14 | 2005-01-28 | Asml Netherlands Bv | Euv lithographic projection apparatus comprising an optical element with a self-assembled monolayer, optical element with a self-assembled monolayer, method of applying a self-assembled monolayer, device manufacturing method and device manufactured there |
| TWI242690B (en) * | 2002-08-15 | 2005-11-01 | Asml Netherlands Bv | Reflector assembly, lithographic projection apparatus, radiation system with the reflector assembly, and method of manufacturing an integrated structure by a lithographic process |
| SG112034A1 (en) * | 2003-11-06 | 2005-06-29 | Asml Netherlands Bv | Optical element, lithographic apparatus comprising such optical element and device manufacturing method |
| US20070285643A1 (en) * | 2004-03-05 | 2007-12-13 | Carl Zeiss Smt Ag | Method For Manufacturing Reflective Optical Element, Reflective Optical Elements, Euv-Lithography Apparatus And Methods For Operating Optical Elements And Euv-Lithography Apparatus, Methods For Determining The Phase Shift, Methods For Determining The Layer Thickness, And Apparatuses For Carrying Out The Methods |
| JP2006017975A (ja) * | 2004-07-01 | 2006-01-19 | Ricoh Co Ltd | 移動体、画像形成装置及び移動体のマーク形成方法 |
| US7369216B2 (en) * | 2004-10-15 | 2008-05-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic system, method for adapting transmission characteristics of an optical pathway within a lithographic system, semiconductor device, method of manufacturing a reflective element for use in a lithographic system, and reflective element manufactured thereby |
| US7701554B2 (en) * | 2004-12-29 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and optical component |
| US7196343B2 (en) * | 2004-12-30 | 2007-03-27 | Asml Netherlands B.V. | Optical element, lithographic apparatus including such an optical element, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| JP4591686B2 (ja) * | 2005-02-03 | 2010-12-01 | 株式会社ニコン | 多層膜反射鏡 |
| DE102005048670B3 (de) * | 2005-10-07 | 2007-05-24 | Xtreme Technologies Gmbh | Anordnung zur Unterdrückung von unerwünschten Spektralanteilen bei einer plasmabasierten EUV-Strahlungsquelle |
| JP2007157962A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 型成形工具 |
| TWI446365B (zh) * | 2006-03-10 | 2014-07-21 | 尼康股份有限公司 | 投影光學系統、曝光裝置以及半導體元件的製造方法 |
| US20070231713A1 (en) * | 2006-03-31 | 2007-10-04 | Bristol Robert L | Anti-reflective coating for out-of-band illumination with lithography optical systems |
| TWI417647B (zh) * | 2006-06-08 | 2013-12-01 | Asahi Glass Co Ltd | Ｅｕｖ微影術用之反射性空白遮光罩及用於彼之具有功能性薄膜的基板 |
| US7973998B2 (en) * | 2007-05-18 | 2011-07-05 | Serious Materials, Inc. | Temperature activated optical films |
-
2009
- 2009-01-27 NL NL1036469A patent/NL1036469A1/nl active Search and Examination
- 2009-02-16 TW TW104101709A patent/TWI536125B/zh active
- 2009-02-16 TW TW098104877A patent/TWI494703B/zh active
- 2009-02-24 AT AT09715126T patent/ATE552519T1/de active
- 2009-02-24 KR KR1020107021537A patent/KR101561999B1/ko active IP Right Grant
- 2009-02-24 WO PCT/EP2009/001299 patent/WO2009106291A1/en active Application Filing
- 2009-02-24 CN CN200980106463.3A patent/CN101960338B/zh active Active
- 2009-02-24 JP JP2010548013A patent/JP5583605B2/ja active Active
- 2009-02-24 EP EP09715126A patent/EP2247968B1/en not_active Not-in-force
- 2009-02-24 US US12/919,741 patent/US8345223B2/en active Active
- 2009-02-24 EP EP12155788A patent/EP2515149A1/en not_active Withdrawn
- 2009-02-24 CN CN201210518419.7A patent/CN102981201B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101561999B1 (ko) | 2015-10-20 |
| JP5583605B2 (ja) | 2014-09-03 |
| TWI536125B (zh) | 2016-06-01 |
| EP2247968A1 (en) | 2010-11-10 |
| WO2009106291A1 (en) | 2009-09-03 |
| TW201516585A (zh) | 2015-05-01 |
| EP2247968B1 (en) | 2012-04-04 |
| JP2011524076A (ja) | 2011-08-25 |
| US8345223B2 (en) | 2013-01-01 |
| CN101960338B (zh) | 2013-01-09 |
| CN102981201A (zh) | 2013-03-20 |
| CN101960338A (zh) | 2011-01-26 |
| CN102981201B (zh) | 2015-07-29 |
| TW200942984A (en) | 2009-10-16 |
| ATE552519T1 (de) | 2012-04-15 |
| US20110019174A1 (en) | 2011-01-27 |
| TWI494703B (zh) | 2015-08-01 |
| EP2515149A1 (en) | 2012-10-24 |
| NL1036469A1 (nl) | 2009-08-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101561999B1 (ko) | 광학 요소, 이러한 광학 요소를 포함하는 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법, 및 이에 의하여 제조되는 디바이스 | |
| JP5087076B2 (ja) | Ｅｕｖマスク用反射防止コーティング | |
| US6678037B2 (en) | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby | |
| KR100779699B1 (ko) | 다층 거울용 스펙트럼 퓨리티 필터, 이러한 다층 거울을포함하는 리소그래피 장치, 원하는 방사선과 원하지 않는방사선의 비율을 확대시키는 방법, 및 디바이스 제조방법 | |
| JP5439485B2 (ja) | スペクトル純度フィルタ、リソグラフィ装置および放射源 | |
| US8102511B2 (en) | Lithographic apparatus with enhanced spectral purity, device manufacturing method and device manufactured thereby | |
| WO2010003671A9 (en) | Spectral purity filter, radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method | |
| EP1557722A1 (en) | Optical element, lithographic apparatus comprising such optical element and device manufacturing method | |
| TWI510821B (zh) | 光譜純度濾光器 | |
| JP3662571B2 (ja) | リソグラフ装置およびデバイス製造方法 | |
| JP4951032B2 (ja) | 光学エレメント、このような光学エレメントを備えたリソグラフィ装置、デバイス製造方法およびそれによって製造されたデバイス |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right |