JPH06208004A - 赤外レーザ用反射防止膜 - Google Patents
赤外レーザ用反射防止膜Info
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- JPH06208004A JPH06208004A JP50A JP166193A JPH06208004A JP H06208004 A JPH06208004 A JP H06208004A JP 50 A JP50 A JP 50A JP 166193 A JP166193 A JP 166193A JP H06208004 A JPH06208004 A JP H06208004A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 製造上の安全性に優れ、かつより低い吸収率
を有する赤外レーザ用反射防止膜を得ることである。 【構成】 本発明に係る赤外レーザ用反射防止膜は、Ｚ
ｎＳｅからなる基材１上に、ＰｂＴｅからなる第１の層
２と、ＺｎＳｅからなる第２の層３とが積層されて構成
される。
を有する赤外レーザ用反射防止膜を得ることである。 【構成】 本発明に係る赤外レーザ用反射防止膜は、Ｚ
ｎＳｅからなる基材１上に、ＰｂＴｅからなる第１の層
２と、ＺｎＳｅからなる第２の層３とが積層されて構成
される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、赤外レーザ用反射防止
膜に関し、特に、ＣＯ2 レーザ等に代表される赤外レー
ザの光学部品の表面にコーティングされる反射防止膜に
関するものである。
膜に関し、特に、ＣＯ2 レーザ等に代表される赤外レー
ザの光学部品の表面にコーティングされる反射防止膜に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＣＯ2 レーザは、大出力の連続発振可能
なガスレーザの一種であり、溶接や切断等の微細な加工
に用いられる。ＣＯ2 レーザ等の赤外レーザの発振波長
は、赤外領域（１０．６μｍ）付近であり、その効率も
高い。
なガスレーザの一種であり、溶接や切断等の微細な加工
に用いられる。ＣＯ2 レーザ等の赤外レーザの発振波長
は、赤外領域（１０．６μｍ）付近であり、その効率も
高い。
【０００３】図３は、従来より用いられているＣＯ2 レ
ーザ加工機の基本的な構成を示す模式図である。
ーザ加工機の基本的な構成を示す模式図である。
【０００４】図３に示すように、ＣＯ2 レーザ加工機
は、溶接または切断等の作業を実施するために、レーザ
発振器１０と、部分反射鏡１１、ビームスプリッタ１
２、複数の金属鏡１３、放物面鏡１４、円偏光ミラー１
５、集光レンズ１６等の種々の光学部品が適切に組合わ
されて構成されている。
は、溶接または切断等の作業を実施するために、レーザ
発振器１０と、部分反射鏡１１、ビームスプリッタ１
２、複数の金属鏡１３、放物面鏡１４、円偏光ミラー１
５、集光レンズ１６等の種々の光学部品が適切に組合わ
されて構成されている。
【０００５】このようなＣＯ2 レーザ加工機に使用され
る光学部品、中でもビーム光がその内部を透過するよう
な部分反射鏡１１、ビームスプリッタ１２、集光レンズ
１６等の光学部品の表面には、光の反射を防止し光の損
失を最小限に抑えるための垂直入射用もしくは斜入射用
の透明の反射防止膜２０がコーティングされている。
る光学部品、中でもビーム光がその内部を透過するよう
な部分反射鏡１１、ビームスプリッタ１２、集光レンズ
１６等の光学部品の表面には、光の反射を防止し光の損
失を最小限に抑えるための垂直入射用もしくは斜入射用
の透明の反射防止膜２０がコーティングされている。
【０００６】これまで一般に用いられてきた垂直入射用
反射防止膜２０は、図４に示すように、カルコゲン化合
物であるＺｎＳｅからなる基材２１上に、フッ化物であ
るＴｈＦ4 からなる厚さ１．０４μｍの薄膜２２とＺｎ
Ｓｅからなる厚さ０．２３μｍの薄膜２３とが積層され
た構造からなる。
反射防止膜２０は、図４に示すように、カルコゲン化合
物であるＺｎＳｅからなる基材２１上に、フッ化物であ
るＴｈＦ4 からなる厚さ１．０４μｍの薄膜２２とＺｎ
Ｓｅからなる厚さ０．２３μｍの薄膜２３とが積層され
た構造からなる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】通常、溶接や切断等の
作業にＣＯ2 レーザを長時間にわたって使用すると、レ
ーザ発振器１０から放出されたレーザ光は部分反射鏡１
１、ビームスプリッタ１２、集光レンズ１６等の光学部
品の中心付近の領域を集中的に透過するようになる。そ
の結果、レーザ光が内部を透過する光学部品では、ある
一部の領域のみが吸収熱によって膨張し、固体密度が不
均一になる。これに伴って、光学部品の屈折率や形状が
わずかに変化する現象が起こる。
作業にＣＯ2 レーザを長時間にわたって使用すると、レ
ーザ発振器１０から放出されたレーザ光は部分反射鏡１
１、ビームスプリッタ１２、集光レンズ１６等の光学部
品の中心付近の領域を集中的に透過するようになる。そ
の結果、レーザ光が内部を透過する光学部品では、ある
一部の領域のみが吸収熱によって膨張し、固体密度が不
均一になる。これに伴って、光学部品の屈折率や形状が
わずかに変化する現象が起こる。
【０００８】上述した従来の反射防止膜２０は、吸収率
が十分小さく設定されていなかったため、光の透過に伴
う吸収熱による光学部品表面での温度上昇を招きやす
く、上記のような現象をさらに助長する傾向があった。
が十分小さく設定されていなかったため、光の透過に伴
う吸収熱による光学部品表面での温度上昇を招きやす
く、上記のような現象をさらに助長する傾向があった。
【０００９】このため、従来の反射防止膜２０がコーテ
ィングされた光学部品では、使用時間が長くなったり、
また使用回数を重ねたりすると、その特性が変化しやす
くなり、たとえば集光レンズ１６では焦点距離が大きく
変動するため精密な作業ができなくなる等という問題が
生じてきた。
ィングされた光学部品では、使用時間が長くなったり、
また使用回数を重ねたりすると、その特性が変化しやす
くなり、たとえば集光レンズ１６では焦点距離が大きく
変動するため精密な作業ができなくなる等という問題が
生じてきた。
【００１０】したがって、ＣＯ2 レーザ加工機の精度を
常に高く維持しようとすれば、短期間使用の光学部品を
新規な部品と取換える必要が生じ、高価な光学部品の寿
命は短くなっていた。
常に高く維持しようとすれば、短期間使用の光学部品を
新規な部品と取換える必要が生じ、高価な光学部品の寿
命は短くなっていた。
【００１１】さらに従来の反射防止膜２０の膜材料とし
て用いていたフッ化物のＴｈＦ4 は放射性物質であった
ため、膜製造上その取扱いには注意を要し、作業上の安
全性という点で問題を有していた。このため、以前から
安全性に優れた膜材料を用いる反射防止膜が要望されて
いた。
て用いていたフッ化物のＴｈＦ4 は放射性物質であった
ため、膜製造上その取扱いには注意を要し、作業上の安
全性という点で問題を有していた。このため、以前から
安全性に優れた膜材料を用いる反射防止膜が要望されて
いた。
【００１２】本発明は、上述した問題点を解決するため
になされたものであって、製造上の安全性に優れかつよ
り低い吸収率を有する反射防止膜を提供することを目的
とする。
になされたものであって、製造上の安全性に優れかつよ
り低い吸収率を有する反射防止膜を提供することを目的
とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上述した従来の課題を解
決するためには、反射防止機能を低下させることなく、
光学部品の表面にコーティングされる反射防止膜の吸収
率をさらに低く抑えることが望まれる。
決するためには、反射防止機能を低下させることなく、
光学部品の表面にコーティングされる反射防止膜の吸収
率をさらに低く抑えることが望まれる。
【００１４】これまでに、反射防止膜の吸収率は、膜を
構成する膜材料の吸収率と膜材料からなる膜の膜厚との
積によって支配されることが知られている。そして、膜
を構成する膜材料の吸収率と膜材料からなる膜の膜厚と
の積が小さくなるほど吸収率は小さく抑えられる。この
ことから、反射防止膜の吸収率を小さく抑えるために
は、第１にいかに吸収率の低い膜材料を選定するかとい
うことと、第２にいかにして膜の膜厚を小さく抑えるか
ということが重要になってくる。
構成する膜材料の吸収率と膜材料からなる膜の膜厚との
積によって支配されることが知られている。そして、膜
を構成する膜材料の吸収率と膜材料からなる膜の膜厚と
の積が小さくなるほど吸収率は小さく抑えられる。この
ことから、反射防止膜の吸収率を小さく抑えるために
は、第１にいかに吸収率の低い膜材料を選定するかとい
うことと、第２にいかにして膜の膜厚を小さく抑えるか
ということが重要になってくる。
【００１５】そこで、発明者は、上記の二点について鋭
意検討を繰り返し行なった結果、以下の実施例において
示すように、カルコゲン化合物の中でも特に高い屈折率
を有するＰｂＴｅまたはＣｄＴｅを膜材料に選定するこ
とによって、高い反射防止機能を劣化させることなく、
赤外レーザの発振波長（１０．６μｍ）近傍で光の吸収
率をより低く抑えることができる反射防止膜を得ること
に成功し、本発明を完成するに至ったものである。
意検討を繰り返し行なった結果、以下の実施例において
示すように、カルコゲン化合物の中でも特に高い屈折率
を有するＰｂＴｅまたはＣｄＴｅを膜材料に選定するこ
とによって、高い反射防止機能を劣化させることなく、
赤外レーザの発振波長（１０．６μｍ）近傍で光の吸収
率をより低く抑えることができる反射防止膜を得ること
に成功し、本発明を完成するに至ったものである。
【００１６】本発明に従う赤外レーザ装置の光学部品に
用いられる反射防止膜は、ＺｎＳｅおよびＺｎＳの少な
くともいずれかからなる基材上に形成されるものであ
り、基材上に形成され、かつＰｂＴｅおよびＣｄＴｅの
少なくともいずれかからなる第１の層と、第１の層上に
形成され、かつＺｎＳｅおよびＺｎＳの少なくともいず
れかからなる第２の層とを備えている。
用いられる反射防止膜は、ＺｎＳｅおよびＺｎＳの少な
くともいずれかからなる基材上に形成されるものであ
り、基材上に形成され、かつＰｂＴｅおよびＣｄＴｅの
少なくともいずれかからなる第１の層と、第１の層上に
形成され、かつＺｎＳｅおよびＺｎＳの少なくともいず
れかからなる第２の層とを備えている。
【００１７】本発明において、第１の層は、真空蒸着
法、イオンクラスタビーム蒸着法、またはイオンアシス
ト蒸着法などを用いて、基材上に所望の厚さで形成する
ことができる。
法、イオンクラスタビーム蒸着法、またはイオンアシス
ト蒸着法などを用いて、基材上に所望の厚さで形成する
ことができる。
【００１８】また、第２の層は、真空蒸着法、イオンク
ラスタビーム蒸着法、またはイオンアシスト蒸着法など
を用いて、さらに第１の層上に所望の厚さで形成するこ
とができる。
ラスタビーム蒸着法、またはイオンアシスト蒸着法など
を用いて、さらに第１の層上に所望の厚さで形成するこ
とができる。
【００１９】第１の層または第２の層の形成に際して
は、基材の温度および膜の成長速度を最適化すること
で、キャリア数を抑えて、第１の層または第２の層の電
気伝導度をより小さく抑えることができる。
は、基材の温度および膜の成長速度を最適化すること
で、キャリア数を抑えて、第１の層または第２の層の電
気伝導度をより小さく抑えることができる。
【００２０】また、本発明においては、第１の層および
第２の層の厚みを適宜設定することで、赤外レーザ装置
の光学部品において必要とされる所望の反射防止機能を
確保することができる。
第２の層の厚みを適宜設定することで、赤外レーザ装置
の光学部品において必要とされる所望の反射防止機能を
確保することができる。
【００２１】
【作用】以下の実施例に示されるように、ＺｎＳｅおよ
びＺｎＳの少なくともいずれかからなる基材上に形成さ
れる反射防止膜において、カルコゲン化合物であるＰｂ
ＴｅおよびＣｄＴｅの少なくともいずれかからなる第１
の層が、ＺｎＳｅおよびＺｎＳの少なくともいずれかか
らなる第２の層と基材との間に挟み込まれたサンドイッ
チ構造を形成し、さらに、第１の層、第２の層の膜厚を
以下に示すような膜厚決定方法に従って適切な大きさに
設定することで、所望の反射防止機能を確保しつつ、光
の吸収率をより低減できることを見出した。
びＺｎＳの少なくともいずれかからなる基材上に形成さ
れる反射防止膜において、カルコゲン化合物であるＰｂ
ＴｅおよびＣｄＴｅの少なくともいずれかからなる第１
の層が、ＺｎＳｅおよびＺｎＳの少なくともいずれかか
らなる第２の層と基材との間に挟み込まれたサンドイッ
チ構造を形成し、さらに、第１の層、第２の層の膜厚を
以下に示すような膜厚決定方法に従って適切な大きさに
設定することで、所望の反射防止機能を確保しつつ、光
の吸収率をより低減できることを見出した。
【００２２】本発明において用いられる膜厚決定方法で
は、基材の光学アドミッタンス（屈折率）をηm 、第１
の層を構成する材料の光学アドミッタンス（屈折率）を
η1、第２の層を構成する材料の光学アドミッタンス
（屈折率）をη2 、空気の光学アドミッタンス（屈折
率）をη0 （ここで、真空の場合η0 ＝１とする）とし
て、第１の層の光学膜厚δ1 および第２の層の光学膜厚
δ2 を次式（１）および（２）により導出する。
は、基材の光学アドミッタンス（屈折率）をηm 、第１
の層を構成する材料の光学アドミッタンス（屈折率）を
η1、第２の層を構成する材料の光学アドミッタンス
（屈折率）をη2 、空気の光学アドミッタンス（屈折
率）をη0 （ここで、真空の場合η0 ＝１とする）とし
て、第１の層の光学膜厚δ1 および第２の層の光学膜厚
δ2 を次式（１）および（２）により導出する。
【００２３】
【数１】
【００２４】さらに、第１の層を構成する材料の光学ア
ドミッタンスη1 、第１の層の光学膜厚δ1 を次式
（３）に代入することで、第１の層の物理的な膜厚ｄ1
を求めることができる。
ドミッタンスη1 、第１の層の光学膜厚δ1 を次式
（３）に代入することで、第１の層の物理的な膜厚ｄ1
を求めることができる。
【００２５】また同様に、第２の層を構成する材料の光
学アドミッタンスη2 、第２の層の光学膜厚δ2 を次式
（４）に代入することで、第２の層の物理的な膜厚ｄ2
を求めることができる。
学アドミッタンスη2 、第２の層の光学膜厚δ2 を次式
（４）に代入することで、第２の層の物理的な膜厚ｄ2
を求めることができる。
【００２６】
【数２】
【００２７】すなわち、本発明に従えば、膜材料に、カ
ルコゲン化合物の中でも吸収率が低くかつ特に高い屈折
率を有するＰｂＴｅおよびＣｄＴｅの少なくともいずれ
かを選定することで、所定の光学特性が従来のフッ化物
であるＴｈＦ4 からなる膜の膜厚よりも小さい膜厚で得
られるようになるため、反射防止膜全体の吸収率をより
低く抑えることができる。また、膜材料に選定したＰｂ
ＴｅまたはＣｄＴｅはカルコゲン化合物であるため、カ
ルコゲン化合物からなる基材との符号性がよい。
ルコゲン化合物の中でも吸収率が低くかつ特に高い屈折
率を有するＰｂＴｅおよびＣｄＴｅの少なくともいずれ
かを選定することで、所定の光学特性が従来のフッ化物
であるＴｈＦ4 からなる膜の膜厚よりも小さい膜厚で得
られるようになるため、反射防止膜全体の吸収率をより
低く抑えることができる。また、膜材料に選定したＰｂ
ＴｅまたはＣｄＴｅはカルコゲン化合物であるため、カ
ルコゲン化合物からなる基材との符号性がよい。
【００２８】したがって、本発明に従う反射防止膜を用
いれば、赤外レーザの長時間の使用や繰り返しの使用に
対しても光の吸収による温度変化で光学部品の特性に変
動が生じることは少なく、光学部品の信頼性がさらに向
上する。
いれば、赤外レーザの長時間の使用や繰り返しの使用に
対しても光の吸収による温度変化で光学部品の特性に変
動が生じることは少なく、光学部品の信頼性がさらに向
上する。
【００２９】しかも、膜材料は放射性物質ではなく非放
射性物質であるため、反射防止膜の製造上の安全性、取
扱いの簡便性が格段に改善される。
射性物質であるため、反射防止膜の製造上の安全性、取
扱いの簡便性が格段に改善される。
【００３０】さらに、膜材料に選定するＰｂＴｅまたは
ＣｄＴｅは、一般に吸水性が低いという優れた性質を併
せて有する。
ＣｄＴｅは、一般に吸水性が低いという優れた性質を併
せて有する。
【００３１】したがって、本発明に従う反射防止膜は、
反射防止機能に加えて外部環境から光学部品表面を保護
する保護膜としての役割をも果たし得る。この結果、外
部環境から光学部品の特性劣化の原因となる湿気や不純
物等の影響を極めて小さく抑えることができる。
反射防止機能に加えて外部環境から光学部品表面を保護
する保護膜としての役割をも果たし得る。この結果、外
部環境から光学部品の特性劣化の原因となる湿気や不純
物等の影響を極めて小さく抑えることができる。
【００３２】
実施例１ 直径３８．１ｍｍ、厚み３ｍｍのＺｎＳｅ基板を用意
し、これを真空蒸着装置内に設置した。反応室内の圧力
約１０-7〜１０-5Ｔｏｒｒ、基板温度１００〜３００℃
の条件下で、真空蒸着を行ない、ＺｎＳｅ基板上に厚さ
０．２０μｍのＰｂＴｅ薄膜を成長させた。ここで、基
板温度およびＰｂＴｅ薄膜の成長速度を最適化すること
でＰｂＴｅ薄膜の電気伝導度を低く抑えるものとした。
し、これを真空蒸着装置内に設置した。反応室内の圧力
約１０-7〜１０-5Ｔｏｒｒ、基板温度１００〜３００℃
の条件下で、真空蒸着を行ない、ＺｎＳｅ基板上に厚さ
０．２０μｍのＰｂＴｅ薄膜を成長させた。ここで、基
板温度およびＰｂＴｅ薄膜の成長速度を最適化すること
でＰｂＴｅ薄膜の電気伝導度を低く抑えるものとした。
【００３３】次いで、反応室内の圧力約１０-7〜１０-5
Ｔｏｒｒ、基板温度１００〜３００℃の条件下で、連続
的に真空蒸着を行ない、ＰｂＴｅ薄膜上にさらに厚さ
１．４０μｍのＺｎＳｅ薄膜を成長させた。
Ｔｏｒｒ、基板温度１００〜３００℃の条件下で、連続
的に真空蒸着を行ない、ＰｂＴｅ薄膜上にさらに厚さ
１．４０μｍのＺｎＳｅ薄膜を成長させた。
【００３４】これにより、図１に示すように、ＺｎＳｅ
基板１上にＰｂＴｅ薄膜２およびＺｎＳｅ薄膜３が積層
されることで、反射防止膜が表面にコーティングされた
光学ウィンドウを得た。
基板１上にＰｂＴｅ薄膜２およびＺｎＳｅ薄膜３が積層
されることで、反射防止膜が表面にコーティングされた
光学ウィンドウを得た。
【００３５】比較例 上述した実施例と比較するため、同様に直径３８．１ｍ
ｍ、厚さ３ｍｍのＺｎＳｅ基板を用意し、公知の従来法
に従って基板上に膜厚１．０４μｍのＴｈＦ4薄膜を堆
積させ、次いでＴｈＦ4 薄膜上に膜厚０．２３μｍのＺ
ｎＳｅ薄膜を堆積させた。
ｍ、厚さ３ｍｍのＺｎＳｅ基板を用意し、公知の従来法
に従って基板上に膜厚１．０４μｍのＴｈＦ4薄膜を堆
積させ、次いでＴｈＦ4 薄膜上に膜厚０．２３μｍのＺ
ｎＳｅ薄膜を堆積させた。
【００３６】これにより、図４に示すように、ＺｎＳｅ
基板２１上にＴｈＦ4 薄膜２２およびＺｎＳｅ薄膜２３
が積層されることで、従来の反射防止膜が表面にコーテ
ィングされた光学ウィンドウを得た。
基板２１上にＴｈＦ4 薄膜２２およびＺｎＳｅ薄膜２３
が積層されることで、従来の反射防止膜が表面にコーテ
ィングされた光学ウィンドウを得た。
【００３７】実施例および比較例で得られた光学ウィン
ドウにおける光の吸収率をそれぞれカロリメトリー法を
用いて測定した。
ドウにおける光の吸収率をそれぞれカロリメトリー法を
用いて測定した。
【００３８】その結果、比較例で得られた光学ウィンド
ウでは光の吸収率は０．２０％前後の値となった。これ
に対して実施例で得られた光学ウィンドウでは光の吸収
率は０．１３％前後の値となった。
ウでは光の吸収率は０．２０％前後の値となった。これ
に対して実施例で得られた光学ウィンドウでは光の吸収
率は０．１３％前後の値となった。
【００３９】この結果から明らかなように、本実施例に
従う反射防止膜を用いれば、従来の反射防止膜に対して
光の吸収率を約２／３程度にまで低減できることが示さ
れた。
従う反射防止膜を用いれば、従来の反射防止膜に対して
光の吸収率を約２／３程度にまで低減できることが示さ
れた。
【００４０】なお、反射防止機能を比較するため、実施
例および比較例で得られた光学ウィンドウを用いて、赤
外領域の透過スペクトルを調べた。その結果を図２およ
び図５に示す。図２および図５に示すグラフにおいて、
縦軸は光の透過率（％）を示し、横軸は光の波長（μ
ｍ）を示すものとする。
例および比較例で得られた光学ウィンドウを用いて、赤
外領域の透過スペクトルを調べた。その結果を図２およ
び図５に示す。図２および図５に示すグラフにおいて、
縦軸は光の透過率（％）を示し、横軸は光の波長（μ
ｍ）を示すものとする。
【００４１】図２および図５の結果から、実施例で得ら
れた反射防止膜は、赤外領域（１０μｍ前後の波長）で
従来の反射防止膜と同様、１００％に近い高い透過率を
示しており、反射防止機能が高く保持されていることが
確認された。
れた反射防止膜は、赤外領域（１０μｍ前後の波長）で
従来の反射防止膜と同様、１００％に近い高い透過率を
示しており、反射防止機能が高く保持されていることが
確認された。
【００４２】
【発明の効果】本発明に従う反射防止膜を用いれば、従
来の反射防止膜を用いるよりも光学部品の吸収率をさら
に低く抑えることができる。したがって、本発明に従う
反射防止膜が表面にコーティングされたレンズ、ウィン
ドウ等の光学部品を用いれば、レーザ光の吸収による温
度変化に起因した特性の変動が小さく抑えられるので、
より寸法精度の高い精密加工が可能となる。
来の反射防止膜を用いるよりも光学部品の吸収率をさら
に低く抑えることができる。したがって、本発明に従う
反射防止膜が表面にコーティングされたレンズ、ウィン
ドウ等の光学部品を用いれば、レーザ光の吸収による温
度変化に起因した特性の変動が小さく抑えられるので、
より寸法精度の高い精密加工が可能となる。
【００４３】また、光学部品の特性劣化が小さく抑えら
れるので、高価な光学部品の寿命を延長することができ
る。
れるので、高価な光学部品の寿命を延長することができ
る。
【図１】本発明の実施例に従う反射防止膜の構造を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の実施例に従う反射防止膜をコーティン
グしたＺｎＳｅウィンドウの赤外透過スペクトルを示す
図である。
グしたＺｎＳｅウィンドウの赤外透過スペクトルを示す
図である。
【図３】従来の赤外レーザ加工機の基本的な構成を示す
模式図である。
模式図である。
【図４】従来の反射防止膜の構造を示す断面図である。
【図５】従来の反射防止膜をコーティングしたＺｎＳｅ
ウィンドウの赤外透過スペクトルを示す図である。
ウィンドウの赤外透過スペクトルを示す図である。
１ ＺｎＳｅ基板 ２ ＰｂＴｅ薄膜 ３ ＺｎＳｅ薄膜 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】 赤外レーザ装置の光学部品に用いられる
反射防止膜であって、 ＺｎＳｅおよびＺｎＳの少なくともいずれかからなる基
材上に形成されるものであり、 前記基材上に形成され、かつＰｂＴｅおよびＣｄＴｅの
少なくともいずれかからなる第１の層と、 前記第１の層上に形成され、かつＺｎＳｅおよびＺｎＳ
の少なくともいずれかからなる第２の層とを備える、赤
外レーザ用反射防止膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50A JPH06208004A (ja) | 1993-01-08 | 1993-01-08 | 赤外レーザ用反射防止膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50A JPH06208004A (ja) | 1993-01-08 | 1993-01-08 | 赤外レーザ用反射防止膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06208004A true JPH06208004A (ja) | 1994-07-26 |
Family
ID=11507710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50A Withdrawn JPH06208004A (ja) | 1993-01-08 | 1993-01-08 | 赤外レーザ用反射防止膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06208004A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011524076A (ja) * | 2008-02-27 | 2011-08-25 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 光エレメント、当該光エレメントを含むリソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびそれによって製造されたデバイス |
-
1993
- 1993-01-08 JP JP50A patent/JPH06208004A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011524076A (ja) * | 2008-02-27 | 2011-08-25 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 光エレメント、当該光エレメントを含むリソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびそれによって製造されたデバイス |
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