KR20100081139A - 리지드-플렉시블 기판의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 리지드-플렉시블 기판의 제조방법에 관한 것으로, (A) 리지드 영역과 플렉시블 영역으로 구획되며, 폴리이미드층에 내층 회로층이 형성된 플렉시블 기판을 제조하는 단계, (B) 상기 리지드 영역의 폴리이미드층에 제1 절연층 및 제1 금속층을 적층한 후 층간 연결을 위한 제1 비아홀을 가공하고, 1차 디스미어 공정을 수행하는 단계, (C) 상기 플렉시블 영역 및 상기 제1 비아홀을 포함하여 상기 리지드 영역의 상기 제1 금속층에 제1 도금층을 형성하고, 상기 제1 금속층 및 상기 제1 도금층을 패터닝하여 제1 회로층을 형성하는 단계, (D) 상기 제1 회로층이 형성된 제1 절연층에 제2 절연층 및 제2 금속층을 적층한 후, 층간 연결을 위한 제2 비아홀을 가공하고, 2차 디스미어 공정을 수행하는 단계, 및 (E) 상기 플렉시블 영역 및 상기 제2 비아홀을 포함하여 상기 리지드 영역의 상기 제2 금속층에 제2 도금층을 형성한 후, 제2 금속층 및 제2 도금층을 패터닝하여 제2 회로층을 형성하고, 상기 플렉시블 영역의 상기 제1 도금층 및 상기 제2 도금층을 제거하는 단계를 포함하며, 종래 개시된 공정의 재설계를 통해 별도의 추가공정 없이 액침투 현상 및 디스미어 어택을 최소화할 수 있는 제조방법을 제공한다.
커버레이, 디스미어, 리지드, 플렉시블, 액침투

Description

리지드-플렉시블 기판의 제조방법{Fabricating Method of Rigid-Flexible substrate}
본 발명은 리지드-플렉시블 기판의 제조방법에 관한 것이다.
최근에는 반도체 소자의 집적도가 점점 높아지고 있어서, 반도체소자와 외부회로를 접속하기 위한 반도체소자에 배설되는 접속단자(pad)의 수는 증대하고 배설밀도 또한 높아지고 있는 추세이다. 예컨대, 실리콘 등으로 이루어진 반도체소자의 최소 가공 치수가 약 0.2㎛정도일 때, 10mm 정도의 반도체소자에 약 1000개의 접속단자를 배설할 필요가 생기고 있다.
또한, 이와 같은 반도체소자가 탑재되는 반도체 패키지 등의 반도체 장치에 있어서는, 실장 밀도의 향상 등을 위해 소형화, 박형화(薄型化)가 요구되고 있으며, 특히, 노트형 PC(personal computer), PDA, 휴대전화 등의 휴대형 정보기기 등에 대응하기 위해서는 반도체 패키지의 소형화, 박형화가 큰 과제이다.
반도체소자를 패키지화하기 위해서는 반도체소자를 배선기판상에 탑재함과 더불어 반도체소자의 접속단자와 배선기판상의 접속단자를 접속할 필요가 있다. 그렇지만, 약 10mm 정도의 반도체소자의 주위에 1000개 정도의 접속단자를 배설하는 경우, 그 배설 피치(pitch)는 약 40㎛정도로 대단히 미세한 것으로 된다. 이와 같은 미세한 피치로 배설된 접속단자를 배선기판에 배설된 접속단자와 접속하기 위해서는, 배선기판상의 배선형성이나 접속할 때의 위치맞춤에 매우 높은 정밀도가 요구되어, 종래의 와이어 본딩(wire bonding) 기술이나 TAB(Tape Automated Bonding) 기술로는 대응하는 것이 매우 곤란하다는 문제가 있다.
이와 같은 문제를 해결하기 위한 수단으로서, 리지드 기판과 플렉시블 기판이 구조적으로 결합 되어 별도의 커넥터의 사용 없이 리지드 영역과 플렉시블 영역이 상호 연결된 구조를 갖는 리지드-플렉시블 기판(Rigidflexible Printed Circuit Board)의 사용이 점점 더 증가하고 있으며, 특히 리지드-플렉시블 기판은 모바일 기기의 고기능화에 따른 실장부품의 고집적화와 파인 피치의 요구에 대응하여 커넥터 사용에 의한 불필요한 공간을 제거하여 고집적화를 요구하는 핸드폰 등의 소형 단말기에 주로 사용되고 있다.
도 1 내지 도 13은 종래의 8층 구조의 리지드-플렉시블 기판의 제조공정을 공정순서대로 도시한 공정단면도이다. 8층 구조의 리지드-플렉시블 기판은 폴리이미드층의 양면에 내층 회로층을 형성하는 S1 단계(도 1 참조), 제1 빌드업 공정을 수행하는 S2 단계(도 2 내지 도 7 참조), 제2 빌드업 공정을 수행하는 S3 단계(도 8 내지 도 12 참조), 및 제3 빌드업 공정을 수행하는 S4 단계(도 13 참조)로 수행된다.
먼저, 도 1에 도시한 바와 같이, 폴리이미드층(12)의 양면에 내층 회로층(14)을 형성하고, 플렉시블 영역(F)의 내층 회로층(14)에 커버레이(coverlay; 16)를 부착한다.
다음, 도 2에 도시한 바와 같이, 리지드 영역(R)에 제1 절연층(18)을 적층하고, 플렉시블 영역(F)을 포함하여 제1 절연층(18)에 제1 금속층(20)을 적층한다.
이때, 플렉시블 영역(F)에는 제1 절연층(18)이 적층되지 않기 때문에 도 2에 도시한 바와 같이, 제1 금속층(20)은 커버레이(16)와 접촉되지 않은 상태로 형성되게 된다.
다음, 도 3에 도시한 바와 같이, 리지드 영역(R)에 형성될 제1 블라인드 비아홀 형성 영역의 제1 금속층(20)을 제거하여 제1 윈도우(22)를 가공한다.
이때, 제1 윈도우 가공 공정에서 사용되는 에칭액에 의해 커버레이(16)와 비접촉 상태로 형성된 플렉시블 영역(F)의 제1 금속층(20)이 찢어져, 에칭액이 플렉시블 영역(F)의 내부로 침투되는 1차 액침투 현상(A)이 발생하게 된다. 여기서, 플렉시블 영역(F)의 내부로 침투된 에칭액은 제1 금속층(20)에 유출이 차단되기 때문에, 제1 금속층(20)과 커버레이(16) 사이의 공간에 존재하다가 이후 회로층을 부식하는 등의 부정적인 영향을 발생시키게 된다.
다음, 도 4에 도시한 바와 같이, 제1 윈도우(22)에 의해 노출된 제1 절연 층(18)을 CO2 레이저로 가공하여 제1 블라인드 비아홀(24)을 가공한다. 이때, 제1 블라인드 비아홀(24)의 내벽에는 비아홀 가공 공정에서 제1 절연층(18)이 녹아 발생하는 스미어(smear;S)가 존재하게 된다.
다음, 도 5에 도시한 바와 같이, 제1 절연층(18) 및 폴리이미드층(12) 전체를 고관통하는 제1 관통 비아홀(26)을 CNC 드릴을 이용하여 가공한다. 이때, 제1 관통 비아홀(26)의 내벽에는 스미어(S)가 존재하게 된다.
다음, 도 6에 도시한 바와 같이, 제1 블라인드 비아홀(24) 및 제1 관통 비아홀(26)의 내벽에 존재하는 스미어(S)를 제거하기 위한 1차 디스미어(Desmear) 공정을 수행한다. 이때, 디스미어 공정에 사용되는 황산, 크롬산, 과망간산과 같은 화학약품이 플렉시블 영역(F)에 침투되어 커버레이(16)를 부식시키거나 그 내부로 침투되어 내층 회로층(14)을 노출시키는 1차 디스미어 어택(desmear attack; B)이 발생하게 된다.
다음, 도 7에 도시한 바와 같이, 제1 블라인드 비아홀(24) 및 제1 관통 비아홀(26)의 내벽을 포함하여, 제1 금속층(20) 상에 제1 도금층(28)을 형성한다. 이때, 제1 도금층(28) 형성 공정에 사용되는 액이 플렉시블 영역(F) 내부로 침투되는 2차 액침투 현상(A)이 발생하게 된다.
다음, 도 8에 도시한 바와 같이, 제1 금속층(20)과 제1 도금층(28)을 패터닝하여 제1 회로층(30)을 형성한다. 이때, 플렉시블 영역(F)에 형성된 제1 금속층(20)과 제1 도금층(28)은 제거된다.
다음, 도 8에 도시한 바와 같이, 리지드 영역(R)에 제2 절연층(32)을 적층하고, 플렉시블 영역(F)을 포함하여 제2 절연층(32)에 제2 금속층(34)을 적층한다. 이때, 플렉시블 영역(F)에는 제2 절연층(32)이 적층되지 않기 때문에 도 9에 도시한 바와 같이, 제2 금속층(34)은 커버레이(16)와 접촉되지 않은 상태로 형성되게 된다.
다음, 도 10에 도시한 바와 같이, 제2 비아홀(36)을 가공한다.
이때, 제2 비아홀(36)은 제2 비아홀(36)이 가공될 영역의 제2 금속층(34)을 제거하는 제2 윈도우를 가공한 후, 제2 윈도우에 의해 노출된 제2 절연층을 CO2 레이저에 의해 가공하여 형성되는데, 제2 윈도우 가공시 사용되는 액에 의해 커버레이(16)와 비접촉 상태로 형성된 플렉시블 영역(F)의 제2 금속층(34)이 찍어져 액이 플렉시블 영역(F)의 내부로 침투되는 3차 액침투 현상(A)이 발생하게 된다.
또한, 제2 비아홀(36) 가공 공정에서 제2 비아홀(36)의 내벽에는 제2 절연층(32)이 녹아 발생하는 스미어(S)가 존재하게 되므로 이를 제거하기 위한 2차 디 스미어 공정이 수행된다. 그러나, 디스미어 공정에 사용되는 황산, 크롬산, 과망간산과 같은 화학약품이 플렉시블 영역(F)에 침투되어 커버레이(16)를 부식시키거나 그 내부로 침투되어 내층 회로층(14)을 노출시키는 2차 디스미어 어택(desmear attack; B)이 발생하게 된다.
다음, 도 11에 도시한 바와 같이, 제2 비아홀(36) 내벽을 포함하여, 제2 금속층(34) 상에 제2 도금층(38)을 형성한다. 이때, 제2 도금층(38) 형성 공정에 사용되는 액이 플렉시블 영역(F) 내부로 침투되는 4차 액침투 현상(A)이 발생하게 된다.
다음, 도 12에 도시한 바와 같이, 제2 금속층(34)과 제2 도금층(38)을 패터닝하여 제2 회로층(40)을 형성한다. 이때, 플렉시블 영역(F)에 형성된 제2 금속층(34)과 제2 도금층(38)은 제거된다.
마지막으로, 도 13에 도시한 바와 같이, 리지드 영역(R)에 제3 절연층(42)을 적층하고, 제3 회로층(48)을 형성한다. 즉, 본 단계는 제3 빌드업층을 형성하는 단계로서 제1 빌드업층 또는 제2 빌드업층을 형성하는 방법과 동일하므로 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
즉, 본 단계에서는 제3 빌드업층을 형성하면서, 2번의 액침투 현상(5차 액침투 현상 및 6차 액침투 현상) 및 1번의 디스미어 어택(3차 디스미어 어택; B)이 발 생하게 된다.
상술한 바와 같이, 종래와 같이 리지드-플렉시블 기판을 제조하는 경우 하나의 빌드업 공정에서 2번의 액침투 현상 및 1번의 디스미어 어택이 발생하게 된다. 즉, 도 1 내지 도 13에 도시한 바와 같이, 세번의 빌드업 공정을 거치는 경우 총 6번의 액침투 현상 및 3번의 디스미어 어택이 발생하는 문제점이 있었다.
특히, 다층 구조의 리지드-플렉시블 기판을 종래와 같은 제조방법으로 제조하는 경우 액침투 현상 및 디스미어 어택이 누적되게 되는데, 이는 리지드-플렉시블 기판의 불량을 초래할 수 밖에 없어 이를 해결하기 위한 방안이 요구되었다.
본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하고자 창출된 것으로서, 본 발명의 목적은, 액침투 현상 및 디스미어 어택을 최소화할 수 있는 리지드-플렉시블 기판의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 리지드-플렉시블 기판의 제조방법은, (A) 리지드 영역과 플렉시블 영역으로 구획되며, 폴리이미드층에 내층 회로층이 형성된 플렉시블 기판을 제조하는 단계, (B) 상기 리지드 영역의 폴리이미드층에 제1 절연층 및 제1 금속층을 적층한 후 층간 연결을 위한 제1 비아홀을 가공하고, 1차 디스미어 공정을 수행하는 단계, (C) 상기 플렉시블 영역 및 상기 제1 비아홀을 포함하여 상기 리지드 영역의 상기 제1 금속층에 제1 도금층을 형성하고, 상기 제1 금속층 및 상기 제1 도금층을 패터닝하여 제1 회로층을 형성하는 단계, (D) 상기 제1 회로층이 형성된 제1 절연층에 제2 절연층 및 제2 금속층을 적층한 후, 층간 연결을 위한 제2 비아홀을 가공하고, 2차 디스미어 공정을 수행하는 단계, 및 (E) 상기 플렉시블 영역 및 상기 제2 비아홀을 포함하여 상기 리지드 영역의 상기 제2 금속층에 제2 도금층을 형성한 후, 제2 금속층 및 제2 도금층을 패터닝하여 제2 회로층을 형성하고, 상기 플렉시블 영역의 상기 제1 도금층 및 상기 제2 도금층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 (A) 단계에서, 상기 플렉시블 영역의 내층 회로층에 커버레이가 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 (B) 단계에서, 상기 제1 비아홀은 상기 제1 절연층에 형성되어 상기 내층 회로층을 노출시키는 제1 블라인드 비아홀, 및 상기 제1 절연층과 상기 폴리이미드층을 관통하도록 형성된 제1 관통 비아홀을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제1 블라인드 비아홀은 제1 블라인드 비아홀 형성 영역의 제1 금속층을 제거하여 제1 윈도우를 형성한 후, 상기 제1 윈도우에 의해 노출된 상기 제1 절연층을 드릴링 수단 또는 레이저로 가공하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 (D) 단계에서, 상기 제2 비아홀은 제2 비아홀 형성 영역의 제2 금속층을 제거하여 제2 윈도우를 형성한 후, 상기 제2 윈도우에 의해 노출된 상기 제2 절연층을 드릴링 수단 또는 레이저로 가공하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 (E) 단계 이후에, (F) 상기 리지드 영역의 상기 제2 절연층에 상기 제2 회로층을 보호하는 솔더레지스트층을 형성하는 단계, 및 (G) 상기 솔더레지스트층에 외부접속단자와 연결되는 제2 회로층 부분을 노출시키는 오픈부를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 제2 실시예에 따른 리지드-플렉시블 기판의 제조방법은, (A) 폴리이미드층에 내층 회로층을 형성하고, 플렉시블 영역의 상기 내층 회로층에 커버레이를 부착하는 단계, (B) 리지드 영역의 상기 폴리이미드층에 제1 절연층 및 제1 금속층을 적층한 후 층간 연결을 위한 제1 비아홀을 가공하고, 1차 디스미어 공정을 수행하는 단계, (C) 상기 플렉시블 영역 및 상기 리지드 영역의 상기 제1 비아홀을 포함하여 상기 제1 금속층에 제1 도금층을 형성하고, 상기 리지드 영역의 제1 금속층 및 상기 제1 도금층을 패터닝하여 제1 회로층을 형성하는 단계, (D) 상기 제1 회로층이 형성된 상기 리지드 영역의 제1 절연층에 제2 절연층 및 제2 금속층을 적층한 후, 층간 연결을 위한 제2 비아홀을 가공하고, 2차 디스미어 공정을 수행하는 단계, 및 (E) 상기 플렉시블 영역 및 상기 리지드 영역의 상기 제2 비아홀을 포함하여 상기 제2 금속층에 제2 도금층을 형성한 후, 제2 금속층 및 제2 도금층을 패터닝하여 제2 회로층을 형성하는 단계, (F) 상기 제2 회로층이 형성된 상기 리지드 영역의 제2 절연층에 제3 절연층 및 제3 금속층을 적층한 후, 층간 연결을 위한 제3 비아홀을 가공하고, 3차 디스미어 공정을 수행하는 단계, 및 (G) 상기 플렉시블 영역 및 상기 리지드 영역의 상기 제3 비아홀을 포함하여 상기 제3 금속층에 제3 도금층을 형성한 후, 상기 제3 금속층 및 상기 제3 도금층을 패터닝하여 제3 회로층을 형성하고, 상기 플렉시블 영역에 남아있는 도금층을 모두 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 (A) 단계에서, 상기 플렉시블 영역의 내층 회로층에 커버레이가 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 (B) 단계에서, 상기 제1 비아홀은 상기 제1 절연층에 형성되어 상기 내층 회로층을 노출시키는 제1 블라인드 비아홀, 및 상기 제1 절연층과 상기 폴리이미드층을 관통하도록 형성된 제1 관통 비아홀을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제1 블라인드 비아홀은 제1 블라인드 비아홀 형성 영역의 제1 금속층을 제거하여 제1 윈도우를 형성한 후, 상기 제1 윈도우에 의해 노출된 상기 제1 절연층을 드릴링 수단 또는 레이저로 가공하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 (D) 단계에서, 상기 제2 비아홀은 제2 비아홀 형성 영역의 제2 금속층을 제거하여 제2 윈도우를 형성한 후, 상기 제2 윈도우에 의해 노출된 상기 제2 절연층을 드릴링 수단 또는 레이저로 가공하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 (E) 단계에서, 상기 제2 회로층 형성시에 상기 플렉시블 영역의 상기 제1 도금층 및 제2 도금층의 일부가 제거되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 (F) 단계에서, 상기 제3 비아홀은 제3 비아홀 형성 영역의 제3 금속층을 제거하여 제3 윈도우를 형성한 후, 상기 제3 윈도우에 의해 노출된 상기 제3 절연층을 드릴링 수단 또는 레이저로 가공하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 (G) 단계 이후에, (H) 상기 리지드 영역의 상기 제3 절연층에 상기 제3 회로층을 보호하는 솔더레지스트층을 형성하는 단계, 및 (I) 상기 솔더레지스트층에 외부접속단자와 연결되는 제3 회로층 부분을 노출시키는 오픈부를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로부터 더욱 명백해질 것이다.
이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 아니되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법 으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
본 발명에 따르면, 종래 개시된 공정의 재설계를 통해 별도의 추가공정 없이 액침투 현상이 발생하지 않게 된다.
또한, 본 발명에 따르면, 플렉시블 영역에 형성되는 도금층을 디스미어 어택 방지층으로 사용하고, 최종적으로 제거함으로써 디스미어 어택의 발생을 최소화할 수 있게 된다.
본 발명의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관되어지는 이하의 상세한 설명과 바람직한 실시예들로부터 더욱 명백해질 것이다. 본 명세서에서 "제1", "제2" 등의 용어는 임의의 양, 순서 또는 중요도를 나타내는 것이 아니라 구성요소들을 서로 구별하고자 사용된 것이며, 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 14 내지 도 25는 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 리지드-플렉시블 기판의 제조공정을 공정순서대로 도시한 공정단면도이다.
이하, 도 14 내지 도 25를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 리지드-플렉시블 기판의 제조방법을 설명하면 다음과 같다. 본 실시예는 6층 구조를 갖는 리지드-플렉시블 기판의 제조방법에 관한 것이다.
먼저, 도 14에 도시한 바와 같이, 리지드 영역(R)과 플렉시블 영역(F)로 구획되며, 폴리이미드층(112)에 내층 회로층(114)이 형성된 플렉시블 기판을 제조한다.
이때, 내층 회로층(114)은, 예를 들어 일면 또는 양면에 동박층이 적층된 플렉시블 동박적층판에 에칭 레지스트 패턴을 이용한 사진 식각 공정에 의해 형성된다.
또한, 플렉시블 영역(F)의 내층 회로층을 외부 환경으로 보호하기 위해, 플렉시블 영역(F)에는 커버레이(116)가 부착되는 것이 바람직하다. 여기서, 커버레이(116)는 예를 들어, 접착제를 이용하여 내층 회로층(114)에 예비 부착된 상태에서 수작업에 의해 인두로 가접합시킨 후, 프레스로 가압함으로써 내층 회로층(114)에 부착될 수 있다. 커버레이(116)의 재료는 폴리이미드 필름이 사용될 수 있다.
다음, 도 15에 도시한 바와 같이, 리지드 영역(R)에 제1 절연층(118) 및 제1 금속층(120)을 적층한다. 이때, 플렉시블 영역(F)에는 제1 절연층(118) 및 제1 금속층(120)이 존재하지 않도록 형성하는 것이 바람직하다.
한편, 본 단계에서는 플렉시블 영역(F)에 제1 금속층(120)이 존재하지 않는 점에서 종래와 구별된다.
다음, 도 16에 도시한 바와 같이, 리지드 영역(R)의 제1 블라인드 비아홀 형성 영역의 제1 금속층(120)을 제거하여 제1 윈도우(122)를 가공한다. 이때, 제1 윈도우(122)는 에칭공정에 의해 형성된다.
한편, 본 단계에서는 플렉시블 영역(F)에 제1 금속층(120)이 존재하지 않기 때문에, 종래와 달리 제1 금속층(120)이 찢어져 그 내부로 침투하여 제1 금속층(120)과 커버레이(116) 사이에 계속 존재하는 1차 액침투 현상은 발생하지 않게 된다.
다음, 도 17에 도시한 바와 같이, 제1 윈도우(122)에 의해 노출된 제1 절연층(118)을 가공하여 제1 블라인드 비아홀(124)을 가공한다. 이때, 제1 블라인드 비아홀(124)은, 예를 들어 CO2 레이저로 가공되며, 내층 회로층(114)을 스토퍼(stopper)로 하여 내층 회로층(114)이 노출될 때까지 가공함으로써 형성된다.
여기서, 제1 블라인드 비아홀(124)의 내벽에는 제1 절연층(118)이 비아홀 가공 공정에서 녹아 발생하는 스미어(S)가 존재하게 된다.
다음, 도 18에 도시한 바와 같이, 제1 절연층(118) 및 폴리이미드층(112) 전체를 관통하도록 형성된 제1 관통 비아홀(126)을 가공한다. 이때, 제1 관통 비아홀(126)은, 예를 들어 CNC(Computer Numerical Control) 드릴을 이용하여 가공된다.
여기서, 제1 관통 비아홀(126)의 내벽에는 스미어(S)가 존재하게 된다.
한편, 이상에서는 제1 블라인드 비아홀(124) 및 제1 관통 비아홀(126)을 모두 포함하는 제1 비아홀(124, 126)이 형성되는 것으로 설명하였으나, 이는 설계기준에 따라 변경가능하다 할 것이다. 또한, 비아홀 가공 방법으로 CNC 드릴 또는 CO2 레이저를 사용하는 것으로 설명하였으나, 이 또한 예시적인 것이라 할 것이다.
다음, 도 19에 도시한 바와 같이, 제1 블리인드 비아홀(124) 및 제1 관통 비아홀(126)의 내벽에 존재하는 스미어(S)를 제거하기 위한 1차 디스미어 공정을 수행한다.
이때, 1차 디스미어 공정에 사용되는 황산, 크롬산, 과망간산과 같은 화학약품이 플렉시블 영역(F)에 침투되어 커버레이(116)를 부식시키거나 그 내부로 침투되어 내층 회로층(114)을 노출시키는 1차 디스미어 어택이 발생할 수 있다.
다음, 도 20에 도시한 바와 같이, 플렉시블 영역(F), 및 제1 비아홀(124, 126)을 포함하여 리지드 영역(R)의 제1 금속층(120)에 제1 도금층(128)을 형성한 다.
여기서, 제1 도금층(128)은 플렉시블 영역(F)의 커버레이(116) 상에도 형성되게 된다.
한편, 본 단계에서는 플렉시블 영역(F)에 제1 금속층(120)이 존재하지 않기 때문에, 종래와 달리 제1 도금층(128) 형성공정에 사용되는 액이 플렉시블 영역(F) 내부로 침투하여 계속 존재하는 2차 액침투 현상은 발생하지 않게 된다.
다음, 도 21에 도시한 바와 같이, 리지드 영역(R)의 제1 금속층(120)과 제1 도금층(128)을 패터닝하여 제1 회로층(130)을 형성한다.
이때, 본 단계에서는 종래기술과 달리 플렉시블 영역(F)의 제1 도금층(128)을 제거되지 않는 것을 특징으로 한다. 즉, 플렉시블 영역(F)에 존재하는 제1 도금층(128)이 이후의 빌드업 공정에서 디스미어 어택 방지층의 기능을 수행하게 된다. 즉, 본 발명에서는 제1 도금층(128)이 디스미어 어택 방지층의 기능을 수행하게 되므로 추가적인 디스미어 어택이 발생하지 않게 된다.
다음, 도 22에 도시한 바와 같이, 리지드 영역(R)에 제2 절연층(132) 및 제2 금속층(134)을 적층한다.
이때, 플렉시블 영역(F)에는 제2 절연층(132) 및 제2 금속층(134)이 존재하지 않는 것이 바람직하다. 즉, 본 단계는 플렉시블 영역(F)에 제2 금속층(134)이 존재하지 않는 점에서 종래와 구별된다.
다음, 도 23에 도시한 바와 같이, 제2 비아홀(136)을 가공한다.
이때, 제2 비아홀(136)은 제2 비아홀 형성 영역의 제2 금속층(134)을 제거하여 제2 윈도우를 가공하고, 제2 윈도우에 의해 노출된 제2 절연층(132)을 제1 회로층(130)이 노출될 때까지 가공하여 형성된다. 여기서, 제2 비아홀(136)은, 예를 들어 CO2 레이저로 가공되며, 제1 회로층(130)을 스토퍼(stopper)로 사용하여 가공된다.
한편, 본 단계에서는 플렉시블 영역(F)에 제2 금속층(134)이 존재하지 않기 때문에 제2 윈도우 가공시 사용되는 액에 의한 3차 액침투 현상을 발생하지 않게 된다.
다음, 도 24에 도시한 바와 같이, 제2 비아홀(136) 내벽에 존재하는 스미어(S)를 제거하는 2차 디스미어 공정을 수행하고, 제2 비아홀(136) 내벽을 포함하여 제2 금속층(134)에 제2 도금층(138)을 형성한다.
이때, 플렉시블 영역(F)에 제2 금속층(134)이 존재하지 않기 때문에, 종래와 달리 제2 도금층(138) 형성공정에 사용되는 액이 플렉시블 영역(F) 내부로 침투하여 계속 존재하는 4차 액침투 현상은 발생하지 않게 된다.
마지막으로, 도 25에 도시한 바와 같이, 제2 금속층(134) 및 제2 도금 층(138)을 패터닝하여 제2 회로층(140)을 형성하고, 플렉시블 영역(F)의 남아있는 제1 도금층(128) 및 제2 도금층(138)을 제거한다.
한편, 도시하지는 않았으나, 본 단계 이후에, 리지드 영역(R)의 제2 절연층(132)에 제2 회로층(140)을 보호하는 솔더레지스트층을 형성하고, 솔더레지스트층에 외부접속단자와 연결되는 제2 회로층(140) 부분을 노출시키는 오픈부를 형성하는 단계가 수행되는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같은 제조공정에 의해 6층 구조의 리지드-플렉시블 기판을 제조하는 경우, 제1 금속층(120) 및 제2 금속층(134)이 플렉시블 영역(F)에 형성되지 않기 때문에 액침투 현상이 발생하지 않게 되며, 제1 도금층(128)이 디스미어 어택 방지층의 기능을 수행하기 때문에 디스미어 어택 발생이 최소화되게 된다.
도 26 내지 도 32는 본 발명의 바람직한 제2 실시예에 따른 리지드-플렉시블 기판의 제조공정을 공정순서대로 도시한 공정단면도이다.
이하, 도 26 내지 도 32를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 리지드-플렉시블 기판의 제조방법을 설명하면 다음과 같다. 본 실시예는 8층 구조를 갖는 리지드-플렉시블 기판의 제조방법에 관한 것이다.
먼저, 도 26에 도시한 바와 같이, 도 14 내지 도 24의 공정에 의해 제조된 리지드 플렉시블 기판을 준비한다. 도 26은 도 24에 도시된 도면과 동일하므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
다음, 도 27에 도시한 바와 같이, 제2 금속층(134) 및 제2 도금층(138)을 패터닝하여 제2 회로층(140)을 형성한다.
이때, 플렉시블 영역(F)의 남아있는 제1 도금층(128) 및 제2 도금층(138)을 제거되지 않는 것이 바람직하다. 이는 제1 도금층(128) 및 제2 도금층(138)이 추후 공정에서 디스미어 어택 방지층의 기능을 수행하기 위함이다.
한편, 도 28에 도시한 바와 같이, 제1 도금층(128) 및 제2 도금층(138)의 일부는 제2 회로층(140)을 형성하는 패터닝 과정에서 제거될 수 있다. 이는 제1 도금층(128) 및 제2 도금층(138)의 일부만 남김으로써 디스미어 어택 방지층의 기능을 수행할 수 있을 뿐만 아니라, 추후 제1 도금층(128) 및 제2 도금층(138)을 일괄 제거함에 따른 공정시간을 줄이기 위함이다. 도 28에는 도시의 편의를 위해 제2 도금층(138)이 일괄 제거되는 것으로 도시하였다.
다음, 도 29에 도시한 바와 같이, 리지드 영역(R)에 제3 절연층(140) 및 제3 금속층(144)을 적층한다.
이때, 플렉시블 영역(F)에는 제3 절연층(140) 및 제3 금속층(144)이 존재하지 않는 것이 바람직하다. 즉, 본 단계는 플렉시블 영역(F)에 제3 금속층(144)이 존재하지 않는 점에서 종래와 구별된다.
다음, 도 30에 도시한 바와 같이, 제3 비아홀(136)을 가공한다.
이때, 제3 비아홀(136)은 제3 비아홀 형성 영역의 제3 금속층(144)을 제거하여 제2 윈도우를 가공하고, 제2 윈도우에 의해 노출된 제3 절연층(140)을 제2 회로층(140)이 노출될 때까지 가공하여 형성된다. 여기서, 제3 비아홀(146)은, 예를 들어 CO2 레이저로 가공되며, 제2 회로층(140)을 스토퍼(stopper)로 사용하여 가공된다.
한편, 본 단계에서는 플렉시블 영역(F)에 제3 금속층(144)이 존재하지 않기 때문에 제3 윈도우 가공시 사용되는 액에 의한 5차 액침투 현상을 발생하지 않게 된다.
다음, 도 31에 도시한 바와 같이, 제3 비아홀(146) 내벽에 존재하는 스미어(S)를 제거하는 3차 디스미어 공정을 수행하고, 제3 비아홀(146) 내벽을 포함하여 제3 금속층(144)에 제3 도금층(146)을 형성한다.
이때, 플렉시블 영역(F)에 제3 금속층(144)이 존재하지 않기 때문에, 종래와 달리 제3 도금층(146) 형성공정에 사용되는 액이 플렉시블 영역(F) 내부로 침투하여 계속 존재하는 6차 액침투 현상은 발생하지 않게 된다.
마지막으로, 도 31에 도시한 바와 같이, 제3 금속층(144) 및 제3 도금층(146)을 패터닝하여 제3 회로층(148)을 형성하고, 플렉시블 영역(F)의 남아있는 제1 도금층(128), 제2 도금층(138), 및 제3 도금층(146)을 제거한다.
또한, 도시하지는 않았으나, 본 단계 이후에, 리지드 영역(R)의 제3 절연층(140)에 제3 회로층(148)을 보호하는 솔더레지스트층을 형성하고, 솔더레지스트층에 외부접속단자와 연결되는 제3 회로층(148) 부분을 노출시키는 오픈부를 형성하는 단계가 수행되는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같은 제조공정에 의해 리지드-플렉시블 기판을 제조하는 경우 3번의 빌드업 공정을 수행하더라도 1번의 디스미어 어택만 발생하게 되어 이로 인한 리지드-플렉시블 기판의 불량 발생을 감소시킬 수 있게 된다.
한편, 이상에서는 6층 및 8층 구조의 리지드-플렉시블 기판을 제조하는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 이는 예시적인 것에 불과하다 할 것이며 이를 기초로 단층 또는 다층 구조의 리지드-플렉시블 기판에 적용하는 경우 동일한 효과를 달성할 수 있다 할 것이다.
이상 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명에 따른 리지드-플렉시블 기판의 제조방법은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당해 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함은 명백하다고 할 것이다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.
도 1 내지 도 13은 종래의 8층 구조의 리지드-플렉시블 기판의 제조공정을 공정순서대로 도시한 공정단면도이다.
도 14 내지 도 25는 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 리지드-플렉시블 기판의 제조공정을 공정순서대로 도시한 공정단면도이다.
도 26 내지 도 32는 본 발명의 바람직한 제2 실시예에 따른 리지드-플렉시블 기판의 제조공정을 공정순서대로 도시한 공정단면도이다.
※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ※
112 : 폴리이미드층 114 : 내층 회로층
116 : 커버레이 118 : 제1 절연층
120 : 제1 금속층 122 : 제1 윈도우
124 : 제1 블라인드 비아홀 126 : 제1 관통 비아홀
128 : 제1 도금층 130 : 제1 회로층
132 : 제2 절연층 134 : 제2 금속층
136 : 제2 비아홀 138 : 제2 도금층
140 : 제2 회로층 142 : 제3 절연층
144 : 제3 금속층 146 : 제3 도금층
148 : 제3 회로층 S : 스미어

Claims (14)

  1. (A) 리지드 영역과 플렉시블 영역으로 구획되며, 폴리이미드층에 내층 회로층이 형성된 플렉시블 기판을 제조하는 단계;
    (B) 상기 리지드 영역의 폴리이미드층에 제1 절연층 및 제1 금속층을 적층한 후 층간 연결을 위한 제1 비아홀을 가공하고, 1차 디스미어 공정을 수행하는 단계;
    (C) 상기 플렉시블 영역 및 상기 제1 비아홀을 포함하여 상기 리지드 영역의 상기 제1 금속층에 제1 도금층을 형성하고, 상기 제1 금속층 및 상기 제1 도금층을 패터닝하여 제1 회로층을 형성하는 단계;
    (D) 상기 제1 회로층이 형성된 제1 절연층에 제2 절연층 및 제2 금속층을 적층한 후, 층간 연결을 위한 제2 비아홀을 가공하고, 2차 디스미어 공정을 수행하는 단계; 및
    (E) 상기 플렉시블 영역 및 상기 제2 비아홀을 포함하여 상기 리지드 영역의 상기 제2 금속층에 제2 도금층을 형성한 후, 제2 금속층 및 제2 도금층을 패터닝하여 제2 회로층을 형성하고, 상기 플렉시블 영역의 상기 제1 도금층 및 상기 제2 도금층을 제거하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 리지드-플렉시블 기판의 제조방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 (A) 단계에서,
    상기 플렉시블 영역의 내층 회로층에 커버레이가 형성되는 것을 특징으로 하는 리지드-플렉시블 기판의 제조방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 (B) 단계에서,
    상기 제1 비아홀은
    상기 제1 절연층에 형성되어 상기 내층 회로층을 노출시키는 제1 블라인드 비아홀; 및
    상기 제1 절연층과 상기 폴리이미드층을 관통하도록 형성된 제1 관통 비아홀
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 리지드-플렉시블 기판의 제조방법.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 제1 블라인드 비아홀은 제1 블라인드 비아홀 형성 영역의 제1 금속층을 제거하여 제1 윈도우를 형성한 후, 상기 제1 윈도우에 의해 노출된 상기 제1 절연층을 드릴링 수단 또는 레이저로 가공하여 형성되는 것을 특징으로 하는 리지드-플렉시블 기판의 제조방법.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 (D) 단계에서,
    상기 제2 비아홀은 제2 비아홀 형성 영역의 제2 금속층을 제거하여 제2 윈도 우를 형성한 후, 상기 제2 윈도우에 의해 노출된 상기 제2 절연층을 드릴링 수단 또는 레이저로 가공하여 형성되는 것을 특징으로 하는 리지드-플렉시블 기판의 제조방법.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 (E) 단계 이후에,
    (F) 상기 리지드 영역의 상기 제2 절연층에 상기 제2 회로층을 보호하는 솔더레지스트층을 형성하는 단계; 및
    (G) 상기 솔더레지스트층에 외부접속단자와 연결되는 제2 회로층 부분을 노출시키는 오픈부를 형성하는 단계
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리지드-플렉시블 기판의 제조방법.
  7. (A) 폴리이미드층에 내층 회로층을 형성하고, 플렉시블 영역의 상기 내층 회로층에 커버레이를 부착하는 단계;
    (B) 리지드 영역의 상기 폴리이미드층에 제1 절연층 및 제1 금속층을 적층한 후 층간 연결을 위한 제1 비아홀을 가공하고, 1차 디스미어 공정을 수행하는 단계;
    (C) 상기 플렉시블 영역 및 상기 리지드 영역의 상기 제1 비아홀을 포함하여 상기 제1 금속층에 제1 도금층을 형성하고, 상기 리지드 영역의 제1 금속층 및 상기 제1 도금층을 패터닝하여 제1 회로층을 형성하는 단계;
    (D) 상기 제1 회로층이 형성된 상기 리지드 영역의 제1 절연층에 제2 절연층 및 제2 금속층을 적층한 후, 층간 연결을 위한 제2 비아홀을 가공하고, 2차 디스미어 공정을 수행하는 단계; 및
    (E) 상기 플렉시블 영역 및 상기 리지드 영역의 상기 제2 비아홀을 포함하여 상기 제2 금속층에 제2 도금층을 형성한 후, 제2 금속층 및 제2 도금층을 패터닝하여 제2 회로층을 형성하는 단계;
    (F) 상기 제2 회로층이 형성된 상기 리지드 영역의 제2 절연층에 제3 절연층 및 제3 금속층을 적층한 후, 층간 연결을 위한 제3 비아홀을 가공하고, 3차 디스미어 공정을 수행하는 단계; 및
    (G) 상기 플렉시블 영역 및 상기 리지드 영역의 상기 제3 비아홀을 포함하여 상기 제3 금속층에 제3 도금층을 형성한 후, 상기 제3 금속층 및 상기 제3 도금층을 패터닝하여 제3 회로층을 형성하고, 상기 플렉시블 영역에 남아있는 도금층을 모두 제거하는 단계
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리지드-플렉시블 기판의 제조방법.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 (A) 단계에서,
    상기 플렉시블 영역의 내층 회로층에 커버레이가 형성되는 것을 특징으로 하는 리지드-플렉시블 기판의 제조방법.
  9. 청구항 7에 있어서,
    상기 (B) 단계에서,
    상기 제1 비아홀은
    상기 제1 절연층에 형성되어 상기 내층 회로층을 노출시키는 제1 블라인드 비아홀; 및
    상기 제1 절연층과 상기 폴리이미드층을 관통하도록 형성된 제1 관통 비아홀
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 리지드-플렉시블 기판의 제조방법.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 제1 블라인드 비아홀은 제1 블라인드 비아홀 형성 영역의 제1 금속층을 제거하여 제1 윈도우를 형성한 후, 상기 제1 윈도우에 의해 노출된 상기 제1 절연층을 드릴링 수단 또는 레이저로 가공하여 형성되는 것을 특징으로 하는 리지드-플렉시블 기판의 제조방법.
  11. 청구항 7에 있어서,
    상기 (D) 단계에서,
    상기 제2 비아홀은 제2 비아홀 형성 영역의 제2 금속층을 제거하여 제2 윈도우를 형성한 후, 상기 제2 윈도우에 의해 노출된 상기 제2 절연층을 드릴링 수단 또는 레이저로 가공하여 형성되는 것을 특징으로 하는 리지드-플렉시블 기판의 제조방법.
  12. 청구항 7에 있어서,
    상기 (E) 단계에서,
    상기 제2 회로층 형성시에 상기 플렉시블 영역의 상기 제1 도금층 및 제2 도금층의 일부가 제거되는 것을 특징으로 하는 리지드-플렉시블 기판의 제조방법.
  13. 청구항 7에 있어서,
    상기 (F) 단계에서,
    상기 제3 비아홀은 제3 비아홀 형성 영역의 제3 금속층을 제거하여 제3 윈도우를 형성한 후, 상기 제3 윈도우에 의해 노출된 상기 제3 절연층을 드릴링 수단 또는 레이저로 가공하여 형성되는 것을 특징으로 하는 리지드-플렉시블 기판의 제조방법.
  14. 청구항 7에 있어서,
    상기 (G) 단계 이후에,
    (H) 상기 리지드 영역의 상기 제3 절연층에 상기 제3 회로층을 보호하는 솔더레지스트층을 형성하는 단계; 및
    (I) 상기 솔더레지스트층에 외부접속단자와 연결되는 제3 회로층 부분을 노출시키는 오픈부를 형성하는 단계
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리지드-플렉시블 기판의 제조방법.
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