KR20070017509A - 기판에 증착된 포토레지스트 및/또는 희생 반사―방지성물질의 포스트―에치 제거를 위한 조성물 및 공정 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 그 위에 포토레지스트 및/또는 반사-방지성 코팅 (SARC) 물질들을 가지는 기판으로부터 상기 물질을 제거하기 위한 조성물 및 공정에 관한 것이다. 상기 조성물은 알카리 또는 알카리성 토염기와 배합하는 4차 암모늄 염기, 또는 그 대신에 산화제와 배합하는 강염기와 같은 염기 화합물을 포함한다. 상기 조성물은 구리, 알루미늄 및/또는 코발트 합금과 같은 기판에서 금속 종에 대한 역효과와 반도체 구조물에 사용된 SiOC-기반 유전체 물질에 대한 손상 없이, 집적 회로 장비의 제조에서 포토레지스트 및/또는 SARC 물질들의 고-효율적 제거를 달성하기 위하여, 수성 매질, 예를 들어, 킬레이터, 계면활성제, 및/또는 공-용매 종에서 활용될 수 있다.
포토레지스트, 집적 회로, 세정 조성물

Description

기판에 증착된 포토레지스트 및/또는 희생 반사―방지성 물질의 포스트―에치 제거를 위한 조성물 및 공정{Composition and Process For Post-Etch Removal of Photoresist and/or Sacrificial Anti-Reflective Material Deposited on a Substrate}
본 발명은 그 위에 증착된 포스트-에치(post-etch) 포토레지스트(photoresist) 및/또는 희생 반사-방지성(anti-reflective) 코팅 물질을 가지는 기판(substrate) 또는 아티클(article)로부터 상기 물질을 제거하는데 유용한 조성물 및 공정에 관한 것이다.
관련 발명의 기술
현재 개발되는 있는 것처럼, 반도체 집적화는 (i) 반사방지성 코팅의 사용, (ⅱ) 낮은 k 유전체 물질에 대한 에치(etch)/애쉬(ash)-유도된 손상의 최소화, (ⅲ) 유전체/에치(etch) 중지 상호연결(interconnect) 층들에 대해 효과적인 k 값들의 최소화 및 (ⅳ) 집적화 기술들의 허용할 수 있는 조건들 및 변화의 면에서 광범위한 공정 허용 범위를 필요로 한다.
상기 필요조건은, 단일 공정 단계에서 포스트-에치 포토레지스트 및 SARC를 제거하는 액체 세정 화학성분과 결합하고, 희생 반사방지성 코팅을 사용하는 유전체 패턴화 공정을 사용해서, 애싱(ashing) 없이 에칭(etching) 작업의 사용에 의하여 제공될 수 있다.
반도체 제조에 사용된 현재의 포토리소그래피(photolithography) 공정들은 스텝퍼(stepper) 자외선(UV light)의 반사를 방지하기 위하여 포토레지스트 층 아래에 UV/빛-흡수 코팅의 사용을 필요로 한다. 상기 코팅이 없으면, 상당한 양의 빛이 밑에 있는 기판에서 반사된다. 이어서, 상기 반사된 빛은, 포토리소그래피 공정 동안, 보강, 상쇄 간섭으로 인한 포토레지스트 노칭(notching), 비-일률적인 광속도(photospeed), 전반적인 포토리소그래피(photolithography) 패턴 결점들의 발생, 임계 치수 용량의 손실 등과 같은 결함들을 만들어낼 수 있다.
하부 반사방지성 코팅 (BARCs) 및 희생 반사방지성 코팅 (SARCs)의 사용과 두겹- 및 세겹-층의 포토레지스트의 사용을 포함하는 포토리소그래피 공정들에서 자외선의 높은 흡광도를 얻기 위하여 여러 가지 접근방법(approach)들이 있다. 상기 접근방법들 모두는 투사된 광을 흡수하는 스핀-온 폴리머 매트릭스(spin-on polymer matrix)에 자외선 발색단(chromophore)을 통합시킨다. 상기 반사방지성 코팅들의 모두는 또한 통상적인 듀얼 다마신(dual damascene) 집적화에서 일어나는 위상적인(topological) 웨이퍼 표면에 대해 평탄화 효과를 가진다.
그러나, SiOC-기반 유전체 물질들이 반도체 집적화에 사용될 때, SARCs의 사용은 상기 언급된 다른 접근방법들을 능가하는 두 가지 중요한 장점들을 가진다.
첫째, SARC 물질들은 테트라에틸오르토실리케이트(TEOS)를 기반으로 했기 때문에, 그 물질들은 SiOC-기반 절연체 물질과 유사한 방식 및 유사한 속도로 에치(etchable)될 수 있다. 전술한 다른 방식의 접근방법들과 관련하여, 이것은 트렌치(trench) 에치(etch) 중지 층들이 필요하지 않고, 그리고 비아(via) 에치 중지 층들이 50% 까지 두께를 줄일 수 있을 정도로, 매우 높은 수준의 에치 균일성 및 에치 제어가 이루어지도록 한다.
둘째, 유기물-기반 포토레지스트 및 BARCs에 비해, 에치된 SARCs는 에치 후에 가교-결합(cross-linking)의 그들의 정도를 유의성 있게 증가시키지 않기 때문에, 에치된 SARCs는 액상 세정제/에칭제(cleaner/etchant) 조성물들에 의해 제거될 수 있다.
세정제/에칭제 조성물이 낮은 용량(capacitance)의 (저 k) 절연 물질, 또는 유전체에 의하여 분리된, 알루미늄(aluminum) 또는 구리(copper)가 상호 연결된 와이어(wire)들을 처리하기 위한 백-엔드-오프-라인(BEOL) 적용에 사용될 때, 그것은 포토레지스트 잔류물과 SARCs을 제거하기 위해 사용된 조성물이 예를 들어, 구리(copper), 알루미늄(aluminum), 코발트(cobalt) 등에 대한 낮은 에치율과 같은 우수한 금속 호환성(compatibility)을 가지는 것이 중요하다.
미처리된 포토레지스트는 고급 유기 용매들의 용액들뿐만 아니라 강한 수성의 알카리성 용액들에서도 가용성을 가진다. 그러나, 기상(gas phase) 플라즈마 에칭에 노출되어서, 유전체 물질들의 에칭에 통상적으로 사용 포토레지스트는 상기 물질의 표면에 단단해진 크러스트(crust)를 만들 것이다. 단단해진 크러스트는 가 교-결합된 유기 폴리머(organic polymer)로 구성되고, 소량의 실리콘 또는 금속 원자(atom)들을 포함할 수 있다. 듀얼 다마신(dual damascene) 공정들에서 사용되는 것과 같은 불소-기반(fluorine-based) 플라즈마 에치(plasma etche)들은 포토레지스트 크러스트(crust)에 불소(fluorine) 원자들을 증착할 수 있고, 이것은 포토레지스트 크러스트의 가용성을 감소시키고 포토레지스트 크러스트의 화학성분 제거에 대한 저항성을 증가시킬 수 있다.
포토레지스트 및 크러스트는 기판이 산화 또는 환원 플라즈마 에치(ethch)에 노출되는 기상(gas phase) 애싱(ashing)에 의하여 제거될 수 있으나, 상기 플라즈마 애싱 기술들은, k값에 용납할 수 없는 증가를 초래하는, 유전체, 특히 다공(porous), 유기규산염(organosilicate) 또는 유기 저 k 물질들에 대해 손상을 발생시킬 수 있다. 제작된 구조물의 반도체 특징들은 구리, 알루미늄 또는 코발트 합금(alloy)들과 같은, 최종 생산 칩(chip)의 작업에 필요한 금속들을 포함할 수 있다.
히드록실아민(hydroxylamine)계 용액들이 당업계에서 포토레지스트 제거를 위해 활용되어 왔지만, 그러나 상기 용액들은, 구리가 집적 회로에 사용될 때 특히 문제가 되는 역부식 효과와 함께 그들의 사용을 제한하는 관련된 부식작용, 독성 및 반응성 문제들을 가진다.
발명의 요약
일 관점에서, 본 발명은, 그 위에 포토레지스트 및/또는 희생 반사-방지성 코팅 (SARC) 물질들을 가지는 기판으로부터 상기 물질을 제거하는데 유용한 세정 조성물에 관한 것이다. 상기 조성물은 (a) 하나 이상의 알카리(alkali) 및 알카리성 토염기(earth base)와 배합하는 4차 암모늄 염기; 및 (b) 산화제와 배합하는 강염기로 구성된 그룹에서 선택되는 활성 세정 화합물(ACC)을 포함한다.
본 발명은 다른 관점에서, 그 위에 포토레지스트(photoresist) 및/또는 SARC 물질을 가지는 기판에서 상기 물질을 적어도 부분적으로 제거하기 위해 충분한 시간 동안 세정 조성물과 기판을 접촉시키는 단계를 포함하는, 상기 물질의 제거 방법에 있어서, 상기 세정 조성물은 (a) 하나 이상의 알카리 및 알카리성 토염기와 배합하는 4차 암모늄 염기; 및 (b) 산화제와 배합하는 강염기로 구성된 그룹에서 선택되는 활성 세정 화합물(ACC)을 포함하는 방법에 관한 것이다.
또 다른 관점에서, 본 발명의 특징 및 장점들은 하기의 명세서 및 첨부된 청구항들로부터 보다 명백해 질 것이다.
본 발명의 상세한 설명 및 그에 대한 바람직한 구현예
본 발명은 그 위에 포토레지스트 및 희생 반사-방지성 코팅 (SARC) 물질들을 가지는 기판으로부터 상기물질(들)을 제거하는데 유용한 세정 조성물에 대해 정관하고자 한다.
상기 조성물은 (a) 하나 이상의 알카리 및 알카리성 토염기와 배합하는 4차 암모늄 염기; 및 (b) 산화제와 배합하는 강염기로 구성된 그룹에서 선택되는 활성 세정 화합물 (ACC)을 포함한다.
본 발명의 조성물은, 하기에 좀더 명백하게 기술되는 것과 같이, 광범위하게 다양화된 구체적인 포뮬레이션(formulation)의 형태로 구현될 것이다.
상기 모든 조성물에 있어서, 조성물의 구체적인 성분들은 최하점을 포함하는 중량 % 범위를 참조해서 검토되고, 상기 성분들은 조성물의 다양하고 구체적인 구현예들에 있거나 또는 없을 수 있으며, 상기 성분들이 존재하는 경우에는, 상기 성분들이 사용된 조성물의 총 중량을 기준으로, 상기 성분들은 0.01 중량%만큼 낮은 농도로 존재할 수 있는 것을 알 것이다.
본 발명은, 그 일 관점에서, 다음의 성분들을 포함하는, SARCs 및 포토레지스트의 제거에 유용한 세정 조성물에 관한 것이다:
0.1~40.0 중량% 유기 4차 암모늄 염기(organic quaternary ammonium base)
0.01~5 중량% 알카리(alkali) 또는 알카리성 토염기(alkaline earth base)
0~80 중량% 용매(들) 및/ 또는 아민(amine)(들)
0~5 중량% 계면활성제(surfactant)
0~10 중량% 킬레이터(chelator)/패시배이션(passivation) 제
0~98 중량% 물(water)
상기 성분들의 비율은, 조성물의 총 중량을 기준으로 한 중량%이고, 상기 조성물의 성분들의 중량 %의 총량은 100중량%를 초과하지 않는다.
상기 조성물은 불활성 성분들, 즉, 안정화제(stabilizer), 분산제(dispersant), 산화-방지제(anti-oxidant), 침투(penetration) 제, 보조제(adjuvant), 첨가제(additive), 충진제(filler), 부형제(excipient) 등뿐만 아니라 활성 성분 등, 부가적인 성분들을 선택적으로 포함할 수 있다.
다양한 구현예에 있어서, 상기 조성물은 전술한 유기 4차 암모늄 염기, 알카리 또는 알카리성 토염기, 용매(들) 및/또는 아민(들), 계면활성제, 킬레이터/패시배이션 제, 및 물 성분들로 본질적으로 구성되거나 또는 구성되고, 그 성분들을 다양하게 포함할 것이다.
제1 구체적인 구현예에 있어서, 세정 조성물은 다음 성분들을 포함한다:
2~15 중량% 유기 4차 암모늄 염기
0.01~2 중량% 알카리 또는 알카리성 토염기
0~50 중량% 용매(들) 및/ 또는 아민(들)
~0.01~2 중량% 계면활성제
0~5 중량% 킬레이터(chelator)/패시배이션(passivation) 제
40~95 중량% 물
상기 성분들의 비율은 조성물의 총 중량을 기준으로 한 중량%이고, 이러한 성분들의 중량 %의 총량은 100중량%를 초과하지 않는다.
다양한 바람직한 구현예에 있어서, 세정 조성물은 다음의 포뮬레이션(formulatin) A-G로 제형되고, 여기서, 모든 비율은, 포뮬레이션의 총 중량을 기준으로 한, 중량%이다:
포뮬레이션 A
5.36% 벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimetylammonium hydroxide)
0.28% 수산화칼륨(potassium hydroxide)
3.0% 4-메틸모르폴린 N-산화물(4-methylmorpholine N-oxide)
0.30% 폴리옥시에틸렌(150) 디노닐페닐 에테르(polyoxyethylene(150) dinonylphenyl ether)
0.08% 2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole)
91.0% 물(water)
포뮬레이션 B
5.36% 벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimetylammonium hydroxide)
0.28% 수산화칼륨(potassium hydroxide)
3.0% 4-메틸모르폴린 N-산화물(4-methylmorpholine N-oxide)
0.30% 폴리옥시에틸렌(150) 디노닐페닐 에테르(polyoxyethylene(150) dinonylphenyl ether)
0.20% 5-아미노-1,3,4-티아디아졸-2-티올(5-amino-1,3,4-thiadiazole-2-thiol)
90.86% 물(water)
포뮬레이션 C
3.60% 벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimetylammonium hydroxide)
0.27% 수산화칼륨(potassium hydroxide)
3.5% 4-메틸모르폴린 N-산화물(4-methylmorpholine N-oxide)
15.0% 4-(3-아미노프로필)모르포라인(4-(3-aminopropyl)morpholine)
0.30% 폴리옥시에틸렌(150) 디노닐페닐 에테르(polyoxyethylene(150) dinonylphenyl ether)
0.08% 2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole)
77.25% 물(water)
포뮬레이션 D
5.36% 벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimetylammonium hydroxide)
0.28% 수산화칼륨(potassium hydroxide)
20.0% 디메틸 술폭사이드(dimethyl sulfoxide)
0.08% 2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole)
74.28% 물(water)
포뮬레이션 E
5.36% 벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimetylammonium hydroxide)
0.28% 수산화칼륨(potassium hydroxide)
10.0% 테트라메틸렌 술폰(tetramethylene sulfone)
0.30% 옥시란(oxirane), 메틸-(methyl-), 옥시란(oxirane)을 가지는 폴리머(polymer), 2.2'-(옥시도이미노)비스(에탄올)(2:1)을 가지는 에테르 (ether with 2.2'-(oxidoimino)bis(ethanol)(2:1)), N-(-3(C(-11-이소알킬옥시)프로필)유도체들 (N(-3(C(-11-isoalkyloxy)propyl)derivatives) 및 C10-리치(C10-rich)
0.08% 2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole)
83.98% 물(water)
포뮬레이션 F
5.36% 벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimetylammonium hydroxide)
0.28% 수산화칼륨(potassium hydroxide)
10.0% 디(에틸렌글리콜)부틸 에테르(di(ethyleneglycol)butyl ether)
10.0%2-(2-디메틸아미노)에톡시)에탄올(2-(2-dimethylamino)ethoxy)ethanol)
0.30% 옥시란(oxirane), 메틸-(methyl-), 옥시란(oxirane)을 가지는 폴리머(polymer), 2.2'-(옥시도이미노)비스(에탄올)(2:1)을 가지는 에테르 (ether with 2.2'-(oxidoimino)bis(ethanol)(2:1)), N-(-3(C(-11-이소알킬옥시)프로필)유도체들 (N(-3(C(-11-isoalkyloxy)propyl)derivatives) 및 C10-리치(C10-rich)
74.06% 물(water)
포뮬레이션 G
5.36% 벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimetylammonium hydroxide)
0.28% 수산화칼륨(potassium hydroxide)
10.0% 테트라메틸렌 술폰(tetramethylene sulfone)
10.0% 디(에틸렌글리콜)부틸 에테르(di(ethyleneglycol)butyl ether)
0.10% 옥시란(oxirane), 메틸-(methyl), 옥시란(oxirane)을 가지는 폴리머, 모노(옥틸페닐)에테르(mono(octylphenyl)ether)
0.08% 2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole)
74.18% 물(water)
본 발명은, 다른 관점에서, 코발트 및 구리 호환성(compatibility)을 유지하면서, 반도체 기판들 및/또는 SARCs으로부터 포토레지스트 및/또는 포토레지스트 잔류물을 제거하는데 유용한 세정 조성물에 관한 것이다. 상기 세정 조성물은 하나 이상의 산화제(oxidant)의 수용액, 강 염기, 선택적으로 킬레이터(chelator) 및 선택적으로 공-용매(co-solvent) 및/또는 계면활성제(surfactant)를 포함한다. 상기 세정 조성물은 유전체(dielectric) 물질에 대한 손상과 밑에 있는 금속의 부식을 유발하지 않고 반도체 장비의 상부로부터 포토레지스트를 효과적으로 제거한다.
염기 성분이 수산화칼륨(potassium hydroxide)을 포함하는 유형의 조성물들은 유전체 층(dielectric layer)에 대해 역효과 없이 고 효율 세정을 달성하기에 특히 유리하다.
일 구현예에 있어서, 상기 유형의 조성물은, 조성물의 총 중량을 기준으로, 중량에 의한 다음 성분을 포함한다:
0.1~30 중량% 강염기
0.01~30 중량% 산화제
0~10 중량% 킬레이터(chelator)
0~5 중량% 계면활성제
0~50 중량% 공-용매(co-solvent)
20~98.9 중량% 탈이온수
상기 문맥에서 사용한 것과 같이, "강 염기"라는 용어는 수성 또는 일부분이 수성인 용액에서 해리하여 화학양론적 양의 수산화물 음이온을 실질적으로 산출하는 양이온/음이온(cation/anion)을 의미한다. 상기 강염기는 테트라메틸암모늄 수산화물(TMAH), 콜린 수산화물(choline hydroxide), 벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide) 등과 같은 수산화칼륨(potassium hydroxide) 및 알킬암모늄 수산화물(alkylammonium hydroxide)을 포함할 수 있다.
일 구현예에서, 본 발명의 조성물들은 히드록시아민(hydroxylamine)을 제외시킨다.
상기 조성물에서 산화제(oxidant)는 비 제한적으로, 과산화수소(hydrogen peroxide), 유기 과산화물(organic peroxide), 아민-N-산화물(amine-N-oxide), 과붕산 염(perborate salt), 과황산 염(persulfate salt)뿐만 아니라 상기 화합물의 둘 또는 그 이상의 조합과 같은 무기 및/또는 유기 산화제(oxidizer)들을 포함할 수 있다.
상기 조성물에서 킬레이터(chelator)는 어느 적절한 유형(type)일 수 있고, 비 제한적으로, 1,2,4-트리아졸(1,2,4-triazole)과 같은 트리아졸(triazole), 또는 C1~C8 알킬(alkyl), 아미노(amino), 티올(thiol), 머캅토(mercapto), 이미노(imino), 카르복실(carboxy) 및 니트로 그룹(nitro group)들과 같은 치환기로 치환된 트리아졸(triazoles) 및 벤조트리아졸(benzotriazole), 톨릴트리아졸(tolyltriazole) 5-페닐-벤조트리아졸(5-phenyl-benzotriazole), 5-니트로-벤조트리아졸(5-nitro-benzotriazole), 3-아미노-5-머캅토-1,2,4-트리아졸(3-amino-5-mercapto-1,2,4-triazole), 1-아미노-1,2,4-트리아졸(1-amino-1,2,4-triazole), 히드록시벤조트리아졸(hydroxybenzotriazole), 2-(5-아미노-펜틸)-벤조트리아졸(2-(5-amino-pentyl)-benzotriazole), 1-아미노-1,2,3-트리아졸(1-amino-1,2,3-triazole), 1-아미노-5-메틸-1,2,3-트리아졸(1-amino-5-methyl-1,2,3-triazole), 3-아미노-1,2,4-트리아졸(3-amino-1,2,4-triazole), 3-머캅토-1,2,4-트리아졸(3-mercapto-1,2,4-triazole), 3-이소프로필-1,2,4-트리아졸(3-isopropyl-1,2,4-triazole); 5-페닐티올-벤조트리아졸(5-phenylthiol-benzotriazole), 할로-벤조트리아졸(halo-benzotriazole), (할로(halo)= 플루오르(F), 염소(Cl), 브롬(Br) 또는 요오드(I)); 나프토트리아졸(naphthotriazole) 등과 같은 니트로기뿐만 아니라 2-머캅토벤조이미디졸(2-mercaptobenzoimidizole), 2-머캅토벤조티아졸(2-mercaptobenzothiazole), 4-메틸-2-페닐이미다졸(4-methyl-2-phenylimidazole), 2-머캅토티아졸린(2-mercaptothiazoline), 5-아미노테트라졸(5-aminotetrazole), 5-아미노-1,3,4-티아디아졸-2-티올(5-amino-1,3,4-thiadiazole-2-thiol), 2,4-디아미노-6-메틸-1,3,5-트리아진(2,4-diamino-6-methyl-1,3,5-triazine), 티아졸(thiazole), 트리아진(triazine), 메틸테트라졸(methyltetrazole), 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논(1,3-dimethyl-2-imidazolidinone), 1,5-펜타메틸렌테트라졸(1.5-pentamethylenetetrazole), 1-페닐-5-머캅토테트라졸(1-phenyl-5-mercaptotetrazole), 디아미노메틸트리아진(diaminomethyltrazine), 머캅토벤조티아졸(mercaptobenzothiaxole), 이미다졸린 티온(imidazoline thione), 머캅토벤즈이미다졸(mercaptobenzimidazole), 4-메틸-4H-1,2,4-트리아졸-3-티올(4-methyl-4H-1,2,4-triazole-3-thiol), 5-아미노-1,3,4-티아디아졸-2-티올(5-amino-1,3,4-thiadiazole-2-thiol), 벤조티아졸(benzothiazole), 트리톨릴 인산염(tritolyl phosphate), 인디아졸(indiazole) 등과 같은 티아졸(thiazole), 테트라졸(tetrazole), 이미다졸(imidazole), 인산염(phosphate), 티올(thiol) 및 아진(azine)을 포함한다. 적절한 킬레이터(chelator) 종은 구아닌(guanine), 아데닌(adenine), 글리세롤(glycerol), 티오글리세롤(thioglycerol), 니트릴오트리아세트산(nitrilotriacetic acid), 살리실아미드(salicylamide); 이미노디아세트산(iminodiacetic acid), 벤조구안아민(benzoguanamine), 멜아민(melamine), 티오시라누릭산(thiocyranuric acid), 안트라닐산(anthranilic acid), 갈산(gallic acid), 아스코르브산(ascorbic acid), 살릭실산(salicylic acid), 8-히드록시퀴놀린(8-hydroxyquinoline), 5-카르복실산-벤조트리아졸(5-carboxylic acid-benzotriazole), 3-머캅토프로판놀(3-mercaptopropanol), 붕산(boric acid), 및 이미노디아세트산(ininodiacetic acid) 등과 같은 글리세롤(glycerol), 아미노산(amino acid), 카르복실산(carboxylic acid), 알코올(alcohol), 아미드(amide) 및 퀴놀린(quinoline)을 추가로 포함한다. 킬레이터는 반도체에 사용된 금속들 및 유전체 물질들과 조성물의 적합성(compatibility)을 증가시키기 위해 유용하게 사용된다.
상기 조성물에 사용된 계면활성제는 어떤 적절한 유형일 수 있고, 예를 들어, 플루오로아킬(fluoroalkyl) 계면활성제, 폴리에틸렌 글리콜(polyethylene glycol), 폴리프로필렌 글리콜(polypropylene glycol), 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌 글리콜 에테르(polypropylene glycol ether), 카르복실산 염(carboxylic acid salt), 도데실벤젠술폭산(dodecylbenzesulfonic acid) 또는 도데실벤젠술폭산(dodecylbenzesulfonic acid) 염, 폴리아크릴레이트 폴리머(polyacrylate polymer), 디노닐페닐 폴리옥시에틸렌(dinonylphenyl polyoxyethylene) 또는 다른 치환된 페닐 폴리옥시에틸렌, 실리콘 또는 변형된 실리콘 폴리머, 아세틸렌 디올(acetylenic diol) 또는 변형된 아세틸렌 디올, 알킬암모늄 염(alkylammonium salt)들 또는 변형된 알킬암모늄 염들뿐만 아니라 상기 화합물의 둘 또는 그 이상의 조합과 같은 비이온성 계면활성제들이 사용된다.
상기 조성물에 대한 적절한 공-용매 종은, 비 제한적으로, 디메틸디글리콜아민(dimethyldiglycolamin), 1.8-디아자바이시클로[5.4.0]언데켄(1,8-diazabicyclo[5.4.0]undecene), 아미노프로필모르폴린(aminopropylmorpholine), 트리에탄올아민(triethanolamine), 메틸에탄올아민(methylethanolamine),메틸디에탄올아민(methyldiethanolamine), 등과 같은 아민(amine) 또는 에틸렌(ethylene) 또는 폴리에틸렌(polyethylene), 프로필렌 글리콜(propylene glycol), 네오펜틸 글리콜(neopentyl glycol) 등과 같은 글리콜(glycol), 히드록시에틸모르폴린(hydroxyethylmorpholine), 아미노프로필모르폴린(aminopropylmorpholine), 등과 같은 아민들 또는 디(에틸렌글리콜)모노에틸 에테르(di(ethylene glycol)monoethyl ether), 디(프로필렌 글리콜)프로필 에테르(di(propylene glycol)propyl ether), 에틸렌 글리콜 페닐 에테르(ethylene glycol phenyl ether), 디(프로필렌 글리콜)부틸 에테르(di(propylene glycol)butyl ether), 부틸 카르비톨(butyl carbitol) 등과 같은 글리콜에테르(glycol ether), 또는 폴리글리콜 에테르(polyglycol ether)를 포함한다.
상기 조성물의 구체적인 구현예는 하기의 포뮬레이션(formulatin) H-S로 설명되고, 여기서, 모든 비율은, 포뮬레이션의 총 중량을 기준으로 한, 중량%이다.
포뮬레이션 H
테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 14.7%
N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
디노닐페놀 폴리옥시에틸렌(dinonylphenol polyoxyethylene), 7% 수용액 4.3%
3-아미노-5-머캅토-1,2,4-트리아졸(3-amino-5-mercapto-1,2,4-triazole) 0.1%
물(water) 73.9%
포뮬레이션 I
테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 14.7%
N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
디노닐페놀 폴리옥시에틸렌(dinonylphenol polyoxyethylene), 7% 수용액 4.3%
암모늄 테트라티오몰립데이트(ammonium tetrathiomolybdate), 0.1%
물(water) 73.9%
포뮬레이션 J
테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 14.7%
N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
디노닐페놀 폴리옥시에틸렌(dinonylphenol polyoxyethylene), 7% 수용액 4.3%
2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.1%
아미노프로필모르폴린(aminopropylmorpholine) 20.0%
물(water) 53.9%
포뮬레이션 K
테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 14.7%
N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
디노닐페놀 폴리옥시에틸렌(dinonylphenol polyoxyethylene), 7% 수용액 4.3%
2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.1%
N-에틸모르폴린(N-ethylmorpholine) 20.0%
물(water) 53.9%
포뮬레이션 L
테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 14.7%
N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
디노닐페놀 폴리옥시에틸렌(dinonylphenol polyoxyethylene), 7% 수용액 4.3%
2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.1%
아미노에틸피페리딘(aminothylpiperidine) 20.0%
물(water) 53.9%
포뮬레이션 M
테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 14.7%
N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
디노닐페놀 폴리옥시에틸렌(dinonylphenol polyoxyethylene), 7% 수용액 4.3%
3-아미노-5-1,2,4-트리아졸(3-amino-5-1,2,4-triazole) 0.1%
아미노프로필모르폴린(aminopropylmorpholine) 20.0%
물(water) 53.9%
포뮬레이션 N
테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 14.7%
N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
디노닐페놀 폴리옥시에틸렌(dinonylphenol polyoxyethylene), 7% 수용액 4.3%
3-아미노-5-1,2,4-트리아졸(3-amino-5-1,2,4-triazole) 0.1%
아미노프로필모르폴린(aminopropylmorpholine) 10.0%
물(water) 63.9%
포뮬레이션 O
테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 14.7%
N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
디노닐페놀 폴리옥시에틸렌(dinonylphenol polyoxyethylene), 7% 수용액 4.3%
2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.1%
아미노프로필모르폴린(aminopropylmorpholine) 20.0%
물(water) 53.9%
포뮬레이션 P
테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 14.7%
N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
디노닐페놀 폴리옥시에틸렌(dinonylphenol polyoxyethylene), 7% 수용액 4.3%
2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.1%
아미노프로필모르폴린(aminopropylmorpholine) 10.0%
물(water) 63.9%
포뮬레이션 Q
벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 9.0%
수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
디노닐페놀 폴리옥시에틸렌(dinonylphenol polyoxyethylene), 7% 수용액 4.3%
2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.1%
아미노프로필모르폴린(aminopropylmorpholine) 20.0%
물(water) 59.02%
포뮬레이션 R
벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 9.0%
수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
디노닐페놀 폴리옥시에틸렌(dinonylphenol polyoxyethylene), 7% 수용액 4.3%
2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.1%
아미노프로필모르폴린(aminopropylmorpholine) 15.0%
물(water) 64.02%
포뮬레이션 S
벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 9.0%
수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
디노닐페놀 폴리옥시에틸렌(dinonylphenol polyoxyethylene), 7% 수용액 4.3%
2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.1%
아미노프로필모르폴린(aminopropylmorpholine) 10.0%
물(water) 69.02%
또 다른 관점에서, 본 발명은 조성물의 총 중량을 기준으로, 중량에 의한 다음 성분들을 포함하는 세정 조성물들에 대해 정관한다:
0.1~30 중량% 강염기
2~30 중량% 산화제
0~10 중량% 킬레이터(chelator);
0~5 중량% 계면활성제;
0~50 중량% 공-용매(co-solvent); 및
20~98 중량% 탈이온수
상기 조성물에서 강염기, 산화제, 킬레이터, 공-용매 및 계면활성제 종은 상기에서 실례적으로 논의된 것들과 같거나 또는 대응하는 종일 수 있다.
상기 조성물의 구체적인 구현예는 하기 포뮬레이션들 T, U, V, W, X, Y, Z, A2, B2, C2, D2, E2, F2, G2, H2, I2, J2, K2 및 L2로 제시되고, 여기서 모든 비율은, 포뮬레이션의 총 중량을 기준으로 한, 중량%이다.
포뮬레이션 T
벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 13.4%
N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
디노닐페놀 폴리옥시에틸렌(dinonylphenol polyoxyethylene) 0.3%
물(water) 78.62%
포뮬레이션 U
벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 13.4%
N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 1.2%
2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
디노닐페놀 폴리옥시에틸렌(dinonylphenol polyoxyethylene) 0.3%
물(water) 78.02%
포뮬레이션 V
테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 5.85%
N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 1.2%
2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
디노닐페놀 폴리옥시에틸렌(dinonylphenol polyoxyethylene) 0.3%
물(water) 85.57%
포뮬레이션 W
테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 2.93%
N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 1.2%
2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
디노닐페놀 폴리옥시에틸렌(dinonylphenol polyoxyethylene) 0.3%
물(water) 88.49%
포뮬레이션 X
벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 7.2%
N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
디노닐페놀 폴리옥시에틸렌(dinonylphenol polyoxyethylene) 0.3%
물(water) 84.82%
포뮬레이션 Y
벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 3.6%
N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 1.2%
2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
디노닐페놀 폴리옥시에틸렌(dinonylphenol polyoxyethylene) 0.3%
물(water) 87.82%
포뮬레이션 Z
벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 3.6%
N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
디노닐페놀 폴리옥시에틸렌(dinonylphenol polyoxyethylene) 0.3%
물(water) 88.42%
포뮬레이션 A 2
벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 7.2%
N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.3%
2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
디노닐페놀 폴리옥시에틸렌(dinonylphenol polyoxyethylene) 0.3%
물(water) 85.12%
포뮬레이션 B 2
벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 22.26%
수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
메틸디에탄올아민(methyldiethanolamine) 2.33%
인산(phosphoric acid)(86%) 1.69%
3-아미노-5-머캅토-1,2,4-트리아졸(3-amino-5-mercapto-1,2,4-triazole) 1.0%
물(water) 72.04%
포뮬레이션 C 2
벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 22.26%
수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
메틸디에탄올아민(methyldiethanolamine) 2.33%
인산(phosphoric acid)(86%) 1.69%
4-메틸-2-페틸-이미다졸(4-methyl-2-phenyl-imidazole) 1.0%
물(water) 72.04%
포뮬레이션 D 2
벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 22.26%
수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
메틸디에탄올아민(methyldiethanolamine) 2.33%
인산(phosphoric acid)(86%) 1.69%
2-머캅토티아졸린(2-mercaptothiazoline) 1.0%
물(water) 72.04%
포뮬레이션 E 2
벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 22.26%
수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
메틸디에탄올아민(methyldiethanolamine) 2.33%
인산(phosphoric acid)(86%) 1.69%
8-히드록시퀴놀린(8-hydroxyquinoline) 1.0%
물(water) 72.04%
포뮬레이션 F 2
벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 22.26%
수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
메틸디에탄올아민(methyldiethanolamine) 2.33%
인산(phosphoric acid)(86%) 1.69%
1-페닐-2-테트라졸린-5-티온(1-phenyl-2-tetrazoline-5-thione) 1.0%
물(water) 72.04%
포뮬레이션 G 2
벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 22.26%
수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
메틸디에탄올아민(methyldiethanolamine) 2.33%
인산(phosphoric acid)(86%) 1.69%
갈산(gallic acid) 1.0%
물(water) 72.04%
포뮬레이션 H 2
벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 22.26%
수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
메틸디에탄올아민(methyldiethanolamine) 2.33%
인산(phosphoric acid)(86%) 1.69%
살리실산(salicylic acid) 1.0%
물(water) 72.04%
포뮬레이션 I 2
벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 22.26%
수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
메틸디에탄올아민(methyldiethanolamine) 2.33%
인산(phosphoric acid)(86%) 1.69%
아스코르브산(ascorbic acid) 1.0%
물(water) 72.04%
포뮬레이션 J 2
벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 7.2%
수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
아미노프로필 모르폴린(aminopropyl morpholine) 10%
4-메틸-2-페닐-이미다졸(4-methyl-2-phenyl-imidazole) 1.0%
물(water) 81.12%
포뮬레이션 K 2
벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 7.2%
수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
아미노프로필 모르폴린(aminopropyl morpholine) 10%
4-메틸-2-페닐-이미다졸(4-methyl-2-phenyl-imidazole) 0.5%
물(water) 81.62%
포뮬레이션 L 2
벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 7.2%
수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
아미노프로필 모르폴린(aminopropyl morpholine) 10%
4-메틸-2-페닐-이미다졸(4-methyl-2-phenyl-imidazole) 1.0%
물(water) 81.02%
디노닐페놀 폴리옥시에틸렌(dinonylphenol polyoxyethylene) 0.1%
본 발명의 광범위한 범위 내에서 코발트와 구리의 호환성을 유지하면서, 반도체 기판들으로부터 포토레지스트(phtoresist) 및/또는 포토레지스트 잔류물을 제거하기에 적절한, 또 다른 포뮬레이션들은, 그 조성물들이 하기에 제시된 포뮬레이션들 M2, N2, O2, P2, Q2 및 R2를 포함한다.
포뮬레이션 M 2
테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 4.0%
과산화수소(hydrogen peroxide), 30% 수용액 2.0%
5-아미노테트라졸(5-aminotetrazole) 0.1%
물(water) 93.9%
포뮬레이션 N 2
테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 4.0%
과산화수소(hydrogen peroxide), 30% 수용액 2.0%
2,4-디아미노-6-메틸-1,3,5-트리아진(2,4-diamino-6-methyl-1,3,5-triazine) 0.1%
물(water) 93.9%
포뮬레이션 O 2
테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 4.0%
과산화수소(hydrogen peroxide), 30% 수용액 2.0%
5-아미노-1,3,4-티아디아졸-2-티올(5-amino-1,3,4-thiadiazole-2-thiol) 0.1%
물(water) 93.9%
포뮬레이션 P 2
테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 4.0%
과산화수소(hydrogen peroxide), 30% 수용액 2.0%
1,2,4-트리아졸(1,2,4-triazole) 0.1%
물(water) 93.9%
포뮬레이션 Q 2
테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 4.0%
과산화수소(hydrogen peroxide), 30% 수용액 2.0%
2,4-디히드록시-6-메틸필리미딘(2,4-dihydroxy-6-methylpyrimidine) 0.1%
물(water) 93.9%
포뮬레이션 R 2
테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 4.0%
과산화수소(hydrogen peroxide), 30% 수용액 2.0%
8-히드록시퀴놀린(8-hydroxyquinoline) 0.1%
물(water) 93.9%
본 발명의 세정 조성물은 각각의 성분의 간단한 추가 및 균질(homogeneous) 조건으로 혼합에 의하여 용이하게 제조된다.
세정 적용에 있어서, 세정 조성물은 세정시킬 물질에 어떤 적절한 방식으로 적용된다. 예를 들어, 세정시킬 물질의 표면에 세정 조성물을 분사시키거나, 세정시킬 물질을 포함하는 물질 또는 아티클(article)을 담그거나(세정 조성물의 부피에), 세정시킬 물질 또는 아티클(article)을 다른 물질, 예를 들어, 세정 조성물이 스며든 패드(pad) 또는 섬유성 흡수제 도포기 요소(fibrous sorbent applicator element)와 함께 접촉시키거나, 또는 세정 조성물이 세정시킬 물질과 접촉되는, 어느 다른 적절한 수단들, 방식 또는 기술에 의한 방식들이 사용된다.
반도체 제조 작업에 적용되어서, 본 발명의 세정 조성물들은 상기 물질(들)이 증착된 기판들 및 반도체 장비 구조물들로부터 포토레지스트 및/또는 SARC 물질들의 제거를 위하여 유용하게 사용된다.
본 발명의 조성물들은, ILD 구조물, 금속화(metallization), 장벽 층(barrier layer)들 등과 같은, 반도체 기판 위에 있고 세정 조성물에 노출된 다른 물질들과 비교해, 상기 포토레지스트 및/또는 SARC 물질들에 대한 선택성 덕분에, 매우 효율적인 방식으로 포토레지스트 및/또는 SARC 물질(들)의 제거를 달성한다.
그 위에 포토레지스트 및/또는 SARC 물질들을 가지는 반도체 기판으로부터 상기 물질들의 제거를 위한 본 발명의 조성물들의 사용에 있어서, 상기 세정 조성물은 통상적으로 약 50℃~ 약80℃ 범위의 온도에서, 약 10분 ~ 약 45분 동안 기판과 접촉한다. 상기 접촉 시간 및 온도들은 예증이 되고, 본 발명의 광범위한 실시의 범위 내에서, 기판으로부터 포토레지스트 및/또는 SARC 물질을 적어도 부분적으로 제거하는데 효과가 있는 어떤 다른 적절한 시간 및 온도 조건도 사용될 수 있다.
바람직한 세정 작용의 달성 후, 본 발명의 조성물의 정해진 최종 사용 적용에서 바람직하고 효과가 있는 것과 같이, 예를 들어, 린스(rinse), 세척(wash) 또는 다른 제거 단계(들)에 의하여, 앞서 세정 조성물이 적용되었던 기판 또는 아티클(article)로부터 세정 조성물이 용이하게 제거된다.
본 발명의 특징들 및 장점들은 다음 무-제한(no-limiting)의 예들에 의하여 더 충분히 설명되고, 별도로 명백하게 규정된 사항이 아니라면, 여기서, 모든 부분들 및 %는 중량에 의한다.
실시예 1
상기 기술된 각각의 조성물들을 가지는, 포뮬레이션 A, B, C, D, E, F 및 G의 샘플(smaple)들이 준비되었다.
그 위에 코팅된 포토레지스트 및 SARC을 포함하는 기판으로부터 상기 물질제거를 위한 상기 포뮬레이션의 효력은, 상기 기판 위에 구리(copper) 금속화상에서 낮은 에칭(etching)작용을 유지하면서, 특정 포뮬레이션의 세정조성물이 60~70℃에서 6~15분 동안 기판과 함께 접촉된 후에 탈이온수로 기판을 헹구는 해당 테스트(test)들에서 평가된다. 상기 기판은 패턴화된 유기 규산염(organosilicate) 유전체 및 패턴화된 포토레지스트 밑의 SARC 구조물들을 포함하는 실리콘 웨이퍼상의 포스트-에치(post-etch) 구조물이었다. 상기 포토레지스트는 193 또는 248nm 리소그래피(lithography)를 위하여 표준의 상업적으로 이용가능한 화학적으로 증폭된 레지스트(resist)였다. 상기 SARC 물질은 리소그래피(lithography)에 사용된 주파(frequency)에서 빛을 강력하게 흡수하는 염료 물질을 통합한 상업적으로 이용가능한 스핀-온 폴리실록산(spin-on polysiloxane) 물질로 구성된다.
상기 접촉 및 헹굼(rinse) 단계들 다음에, 분당 옹스트로옴 (Å/min.)으로,포토레지스트의 제거비율, SARC의 제거비율, 및 구리 에치(etch)율이 측정되었다. 해당 데이터(data)는 하기 표1에 제시된다.
Figure 112006071138886-PCT00001
실시예2
상기 기술된 각각의 조성물들을 가지는, 포뮬레이션들 H, I, J, K, L, M, N, O, P, Q, R 및 S의 샘플들이 준비되었다.
그 위에 포토레지스트 구리 및 코발트 금속을 가지는 반도체 기판으로부터 포토레지스트 잔여물들을 제거하기 위한 상기 포뮬레이션의 효력이, 상기 기판 위의 구리 및 코발트상에서 낮은 에칭 작용을 유지하면서, 특정 포뮬레이션의 세정 조성물이 60~70℃ 온도에서 기판과 접촉된 후에 탈이온수로 기판을 헹구는 해당 테스트(test)들에서 평가된다. 상기 기판은 패턴화된 유기 규산염(organosilicate) 유전체 및 패턴화된 포토레지스트 밑의 SARC 구조물을 포함하는 실리콘 웨이퍼상의 포스트-에치(post-etch) 구조물이었다. 상기 포토레지스트는, 193 또는 248nm 리소그래피(lithography)을 위하여 표준의 상업적으로 이용가능한, 화학적으로 증폭된 레지스트(resist)였다. 실질적인 세정은 광학 현미경에 의하여 측정된 것과 같이, 반도체 장비로부터 80%의 포토레지스트 제거보다 더 높은 비율로 정의된다.
데이터(data)는 하기 표 2에 제시된다.
포뮬레이션 H~S의 세정 성능
포뮬레이션 온도, ℃ 접촉 시간, min 코발트 적합성 구리 적합성 포토레지스트의 세정%
H 70 30 표면의 약간 거칠음 0.62Å/min의 에치율 100
I 70 20 표면의 약간 거칠음 비적합 100
J 70 30 우수 우수 100
K 70 30 다소 표면 증착, 두께 변화 무 우수 100
L 70 30 우수 우수 100
M 70 30 우수 우수 100
N 70 30 우수 우수 100
O 70 30 우수 우수 100
P 70 30 우수 우수 100
Q 60 30 우수 우수 100
R 60 30 우수 우수 100
S 60 30 우수 우수 100
실시예3
상기 기술된 각각의 조성물들을 가지는 포뮬레이션들 T, U, V, W, Y, Z, A2, B2, C2, D2, E2, F2, G2, H2, I2, J2, K2 및 L2의 샘플들이 준비되었다.
상기 포뮬레이션의 효력이, 그 위에 포토레지스트를 가지는 반도체 기판으로부터 포토레지스트 잔유물 제거를 위한, 특정 포뮬레이션의 세정 조성물이 70℃에서 12분 동안 기판과 접촉된 후 탈이온수로 기판을 헹굼구는 해당 테스트들에서 평가되었다. 상기 기판은 패턴화된 유기 규산염(organosilicate) 유전체 및 패턴화된 포토레지스트 밑의 SARC 구조물을 포함하는 실리콘 웨이퍼상의 포스트-에치(post-etch) 구조물이었다. 상기 포토레지스트는, 193 또는 248nm 리소그래피(lithography)에 위하여 표준의 상업적으로 이용가능한 화학적으로 증폭된 레지스트(resist)였다. 실질적인 세정은 광학 현미경에 의하여 측정된 것과 같이, 반도체 장비로부터 80%의 포토레지스트 제거보다 더 높은 비율로 정의된다.
결과들은 하기 표 3에 제시된다.
포뮬레이션 T~A2의 포토레지스트 제거율
포뮬레이션 기판으로부터 포토레지스트의 제거율
T 100
U 100
V 100
W 100
X 100
Y 95
Z 95
A2 100
포뮬레이션 B2~L2의 세정 성능
포뮬레이션 온도, ℃ 접촉시간, 분 코발트 적합성 포토레지스트의 세정율
B2 60 60 우수 100
C2 60 60 우수 100
D2 60 60 우수 100
E2 60 60 우수 100
F2 60 60 우수 100
G2 60 60 우수 100
H2 60 60 우수 100
I2 60 60 우수 100
J2 60 60 기준에 맞음 100
K2 60 60 기준에 맞음 100
L2 60 60 기준에 맞음 100
실시예 4
상기 기술된 각각의 조성물들을 가지는 포뮬레이션들 M2, N2, O2, P2, Q2 및 R2의 샘플들이 준비되었다.
그 위에 포토레지스트 구리 및 코발트 금속을 가지는 반도체 기판으로부터 포토레지스트 잔유물 제거를 위한, 상기 포뮬레이션의 효력은 상기 기판 위에 구리 및 코발트상에서 낮은 에칭 작용을 유지하면서, 특정 포뮬레이션의 세정 조성물이 70℃ 온도에서 기판과 접촉된 후 탈이온수로 기판을 헹구는 해당 테스트들에서 평가되었다. 상기 기판은 패턴화된 유기 규산염(organosilicate) 유전체 및 패턴화된 포토레지스트 밑의 SARC 구조물을 포함하는 실리콘 웨이퍼상에 포스트-에치(post-etch) 구조물이었다. 상기 포토레지스트는 193 또는 248nm 리소그래피(lithography)를 위하여 표준의 상업적으로 이용가능한 화학적으로 증폭된 레지스트(resist)였다. 실질적인 세정은 광학 현미경에 의하여 측정된 것과 같이, 반도체 장비로부터 80% 포토레지스트 제거보다 더 높은 비율로 정의된다.
데이터는 하기 표 5에 제시된다.
포뮬레이션 M2~R2의 세정 성능
포뮬레이션 온도, ℃ 접촉 시간, 분 코발트 적합성 코발트 에치율,Å/min 구리 에치 율 Å/min 포토레지스트의 세정%
M2 70 30 우수 0.048 0.84 100
N2 70 30 우수 0.16 0.52 100
O2 70 30 우수 0.21 0.72 100
P2 70 30 우수 - 비적합 100
Q2 70 30 우수 - 2.55 100
R2 70 30 우수 - 비적합 100
상기 실시예들은 그 위에 코팅된 포토레지스트 및/또는 SARCs를 가지는 반도체 기판들로부터 상기 물질의 제거에 유용한 본 발명의 세정 조성물을 설명한다. 또한, 상기 조성물들은 기판, 예를 들어, 구리, 알루미늄 및 코발트 합금상(alloy)들에서 금속화(metallization)에 대한 역효과 없이 사용될 수 있다.
또한, 본 발명의 세정 조성물들은 상기 조성물들에 낮은 독성 및 낮은 가연성을 주는 수성 및 반-수성(semi-aqueous) 용매 시스템과 같은 적절한 용매 시스템으로 용이하게 제조된다.
따라서, 본 발명의 세정 조성물들은 집적 회로 장비들의 제작에 있어서, 당업계에서 포토레지스트 및/또는 SARC 물질들의 제거에 대해, 실질적인 진보를 이루었다.
본 발명은 예시적 구현예 및 특징들을 참조하여 다양하게 기술되었으나, 상기에 기술된 구현예와 특징들은 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니며, 여기에 공개된 것을 기본으로 해서 당업계의 통상 지식을 가진자들이 본 발명의 다양화, 변형 및 또 다른 구현예를 제시할 수 있는 것은 자명하다. 따라서 본 발명은 이후 기재하는 청구항들의 정신 및 범위 내에서 다양화, 변형 및 또 다른 구현예를 내포하는 것으로 넓게 해석되어야 할 것이다.

Claims (52)

  1. (a) 하나 이상의 알칼리(alkali) 및 알카리성 토염기와 배합하는 4차 암모늄 염기; 및 (b) 산화제와 배합하는 강염기로 구성된 그룹에서 선택되는 활성 세정 화합물 (ACC)를 함유하는, 그 위에 포토레지스트(photoresist) 및/또는 희생 반사-방지(anti-reflctive) 코팅 물질을 가지는 기판으로부터 상기 물질의 제거를 위해 유용한 세정 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 조성물에서 히드록실아민(hydroxylamine)이 결여된 것을 특징으로 하는 세정 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 ACC는 (a)를 포함하는 세정 조성물.
  4. 제3항에 있어서, 다음 성분들을 포함하는 세정 조성물:
    0.1~40.0 중량% 유기 4차 암모늄 염기;
    0.01~5 중량% 알카리 또는 알카리성 토염기;
    0~80 중량% 용매(들) 및/ 또는 아민(들);
    0~5 중량% 계면활성제;
    0~10 중량% 킬레이터(chelator)/패시배이숀(passivation) 제제; 및
    0~98 중량% 물,
    여기서, 상기 성분들의 비율은 조성물의 총 중량을 기준으로 한 중량%이고, 상기 성분들의 중량%의 총량은 100중량%를 초과하지 않음.
  5. 제1항에 있어서, 안정화제(stabilizer), 분산제(dispersant), 산화-방지제(anti-oxidant), 충진제(filler), 투과 약품(penetration agent), 보조제(adjuvant), 첨가제(additive), 충진제(filler) 및 부형제(excipient)로 구성된 그룹에서 선택되는 하나 이상의 추가 성분을 포함하는 세정 조성물.
  6. 제3항에 있어서, 다음 성분들을 포함하는 세정 조성물:
    2~15 중량% 유기 4차 암모늄 염기;
    ~0.01~2 중량% 알카리 또는 알카리성 토염기;
    0~50 중량% 용매(들) 및/또는 아민(들);
    ~0.01~2 중량% 계면활성제;
    0~5 중량% 킬레이터(chelator)/패시배이숀(passivation) 제; 및
    40~95 중량% 물,
    여기서, 상기 성분들의 비율은 조성물의 총 중량을 기준으로 한 중량%이고, 상기 성분들의 중량%의 합은 100중량%를 초과하지 않음.
  7. 제1항에 있어서, 포뮬레이션 A-G로 구성된 그룹에서 선택되고, 모든 비율은 포뮬레이션(formulation)의 총 중량을 기준으로 한 중량%인, 세정 조성물:
    포뮬레이션 A
    5.36% 벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimetylammonium hydroxide)
    0.28% 수산화칼륨(potassium hydroxide)
    3.0% 4-메틸모르폴린 N-산화물(4-methylmorpholine N-oxide)
    0.30% 폴리옥시에틸렌(150) 디노닐페닐 에테르(polyoxyethylene(150) dinonylphenyl ether)
    0.08% 2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole)
    91.0% 물(water)
    포뮬레이션 B
    5.36% 벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimetylammonium hydroxide)
    0.28% 수산화칼륨(potassium hydroxide)
    3.0% 4-메틸모르폴린 N-산화물(4-methylmorpholine N-oxide)
    0.30% 폴리옥시에틸렌(150) 디노닐페닐 에테르(polyoxyethylene(150) dinonylphenyl ether)
    0.20% 5-아미노-1,3,4-티아디아졸-2티올(5-amino-1,3,4-thiadiazole-2-thiol)
    90.86% 물(water)
    포뮬레이션 C
    3.60% 벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimetylammonium hydroxide)
    0.27% 수산화칼륨(potassium hydroxide)
    3.5% 4-메틸모르폴린 N-산화물(4-methylmorpholine N-oxide)
    15.0% 4-(3-아미노프로필)모르폴린(4-(3-aminopropyl)morpholine)
    0.30% 폴리옥시에틸렌(150) 디노닐페닐 에테르(polyoxyethylene(150) dinonylphenyl ether)
    0.08% 2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole)
    77.25% 물(water)
    포뮬레이션 D
    5.36% 벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimetylammonium hydroxide)
    0.28% 수산화칼륨(potassium hydroxide)
    20.0% 디메틸 술폭사이드(dimethyl sulfoxide)
    0.08% 2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole)
    74.28% 물(water)
    포뮬레이션 E
    5.36% 벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimetylammonium hydroxide)
    0.28% 수산화칼륨(potassium hydroxide)
    10.0% 테트라메틸렌 술폰(tetramethylene sulfone)
    0.30% 옥시란(oxirane), 메틸-(methyl-), 옥시란(oxirane)을 가지는 폴리머(polymer), 2.2'-(옥시도이미노)비스(에탄올)(2:1)을 가지는 에테르 (ehter with 2.2'-(oxidoimino)bis(ethanol)(2:1)), N-(-3(C(-11-이소알킬옥시)프로필)유도체들 (N(-3(C(-11-isoalkyloxy)propyl)derivatives) 및 C10-리치(C10-rich)
    0.08% 2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole)
    83.98% 물(water)
    포뮬레이션 F
    5.36% 벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimetylammonium hydroxide)
    0.28% 수산화칼륨(potassium hydroxide)
    10.0% 디(에틸렌글리콜)부틸 에테르(di(ethyleneglycol)butyl ether)
    10.0% 2-(2-디메틸아미노)에톡시)에탄올(2-(2- dimethylamino)ethoxy)ethanol)
    0.30% 옥시란(oxirane), 메틸-(methyl-), 옥시란(oxirane)을 가지는 폴리머(polymer), 2.2'-(옥시도이미노)비스(에탄올)(2:1)을 가지는 에테르 (ehter with 2.2'-(oxidoimino)bis(ethanol)(2:1)), N-(-3(C(-11-이소알킬옥시)프로필)유도체들 (N(-3(C(-11-isoalkyloxy)propyl)derivatives) 및 C10-리치(C10-rich)
    74.06% 물(water)
    포뮬레이션 G
    5.36% 벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimetylammonium hydroxide)
    0.28% 수산화칼륨(potassium hydroxide)
    10.0% 테트라메틸렌 술폰(tetramethylene sulfone)
    10.0% 디(에틸렌글리콜)부틸 에테르(di(ethyleneglycol)butyl ether)
    0.10% 옥시란(oxirane), 메틸-(methyl), 옥시란(oxirane)을 가지는 폴리머, 모노(옥틸페닐)에테르(mono(octylphenyl)ether)
    0.08% 2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole)
    74.18% 물(water)
  8. 제1항에 있어서, 상기 ACC는 (b)를 포함하는 세정 조성물.
  9. 제8항에 있어서, 하나 이상의 산화제의 수용액, 강염기, 선택적인 킬레이터(chelator) 및 선택적인 공-용매 및/또는 계면활성제를 포함하는 세정 조성물.
  10. 제1항에 있어서, 상기 ACC는 수산화칼륨(potassium hydroxide)를 포함하는 세정 조성물.
  11. 제8항에 있어서, 하기 성분들을 포함하는 세정 조성물:
    0.1~30 중량% 강염기;
    0.01~30 중량% 산화제;
    0~10 중량% 킬레이터(chelator);
    0~5 중량% 계면활성제;
    0~50 중량% 공-용매; 및
    20~98.9 중량% 탈이온수,
    여기서, 상기 성분들의 비율은 조성물의 총 중량을 기준으로 한 중량%이고, 상기 성분들의 중량%의 총량은 100중량%를 초과하지 않음.
  12. 제11항에 있어서, 상기 강염기는 수산화칼륨(potassium hydroxide), 알킬암모늄 수산화물(alkylammonium hydroxide)들, 콜린 수산화물(choline hydroxide)로 구성된 그룹에서 선택되는 염기 종을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 조성물.
  13. 제8항에 있어서, 상기 산화제는 과산화수소(hydrogen peroxide), 아민-N-산화물(amine-N-oxide), 과붕산 염(perborate salt), 과황산 염(persulfate salt), 및 상기 종의 둘 또는 그 이상의 조합들로 구성된 그룹에서 선택되는 산화제 종을 포함하는 세정 조성물.
  14. 제8항에 있어서, 킬레이터(chelator)을 포함하는 세정 조성물.
  15. 제14항에 있어서, 상기 킬레이터(chelator)는 트리아졸(triazoles); C1~C8 알킬, 아미노(amino), 티올(thiol), 머캅토(mercapto), 이미노(imino), 카르복실(carboxy) 및 니트로(nitro)로 구성된 그룹에서 선택되는 치환기(들)로 치환된 트리아졸(triazoles); 티아졸(thiazoles); 테트라졸(tetrazoles); 이미다 졸(imidazoles); 인산염(phosphates); 티올(thiols); 아진(azines); 글리세롤(glycerols); 아미노산(amino acids); 카르복실산(carboxylic acids); 알코올(alcohols); 아미드(amides); 및 퀴놀린(quinolines)로 구성된 그룹에서 선택되는 킬레이터(chelator) 종을 포함하는 세정 조성물.
  16. 제14항에 있어서, 상기 킬레이터(chelator)는 1,2,4-트리아졸(1,2,4-triazole); 벤조트리아졸(benzotriazole); 톨릴트리아졸(tolyltriazole); 5-페닐-벤조트리아졸(5-phenyl-benzotriazole); 5-니트로-벤조트리아졸(5-nitro-benzotriazole); 4-메틸-2-페닐이미다졸(4-methyl-2-phenylimidazole); 2-머캅토티아졸린(2-mercaptothiazoline); 1-아미노-1,2,4-트리아졸(1-amino-1,2,4-triazole); 히드록시벤조트리아졸(hydroxybenzotriazole); 2-(5-아미노-펜틸)-벤조트리아졸(2-(5-amino-pentyl)-benzotriazole); 1-아미노-1,2,3-트리아졸(1-amino-1,2,3-triazole); 1-아미노-5-메틸-1,2,3-트리아졸(1-amino-5-methyl-1,2,3-triazole); 3-아미노-1,2,4-트리아졸(3-amino-1,2,4-triazole); 3-머캅토-1,2,4-트리아졸(3-mercapto-1,2,4-triazole); 3-아마노-5-머캅토-1,2,4-트리아졸(3-amino-5-mercapto-triazole), 3-이소프로필-1,2,4-트리아졸(3-isopropyl-1,2,4 triazole); 5-페닐티올-벤조트라이졸(5-phenylthiol-benzotriazole); 할로-벤조트리아졸(halo-benzotriazole)들, (여기서 상기 할로(halo)는 플루오르(F), 염소(Cl), 브롬(Br) 및 요오드(I)로 구성된 그룹에서 선택됨); 나프토트리아 졸(naphthotriazole); 2-머캅토벤조이미디졸(2-mercaptobenzoimidizole); 2-머캅토벤조티아졸(2-mercaptobenzothiazole); 5-아미노테트라졸(5-aminotetrazole); 5-아미노-1,3,4-티아디아졸-2-티올(5-amino-1,3,4-thiadiazole-2-thiol); 2,4-디아미노-6-메틸-1,3,5-트리아진(2,4-diamino-6-methyl-1,3,5-triazine); 티아졸(thiazole); 트리아진(triazine); 메틸테트라졸(methyltetrazole); 1,3-디메틸-2-이미다졸리딘논(1,3-dimethyl-2-imidazolidinone); 1,5-펜타메틸렌테트라졸(1.5-pentamethylenetetrazole); 1-페닐-5-머캅토테트라졸(1-phenyl-5-mercaptotetrazole); 디아미노메틸트리아진(diaminomethyltrazine); 머캅토벤조티아졸(mercaptobenzothiazole); 이미다졸린 티온(imidazoline thione); 머캅토벤즈이미다졸(mercaptobenzimidazole); 4-메틸-4H-1,2,4-트리아졸-3-티올(4-methyl-4H-1,2,4-triazole-3-thiol); 5-아미노-1,3,4-티아디아졸-2-티올(5-amino-1,3,4-thiadiazole-2-thiol); 벤조티아졸(benzothiazole); 트리톨릴 인산염(tritolyl phosphate); 인디아졸(indiazole); 구아닌(guanine); 아데닌(adenine); 글리세롤(glycerol); 티오글리세롤(thioglycerol); 니트릴오트리아세트산(nitrilotriacetic acid); 살리실아미드(salicylamide); 이미노디아세트산(iminodiacetic acid); 벤조구안아민(benzoguanamine); 멜아민(melamine); 티오시라누릭산(thiocyranuric acid); 안트라닐산(anthranilic acid); 갈산(gallic acid); 아스코르브산(ascorbic acid); 살릭실산(salicylic acid); 8-히드록시퀴놀린(8-hydroxyquinoline); 5-카르복실산-벤조트리아졸(5-carboxylic acid-benzotriazole); 3-머캅토프로판놀(3-mercaptopropanol); 붕산(boric acid); 및 이 미노디아세트산(ininodiacetic acid)로 구성된 그룹에서 선택되는 킬레이터(chelator) 종을 포함하는 세정 조성물.
  17. 제8항에 있어서, 계면활성제를 포함하는 조성물.
  18. 제17항에 있어서, 상기 계면활성제는 플루오로아킬(fluoroalkyl) 계면활성제; 폴리에틸렌 글리콜(polyethylene glycols); 폴리프로필렌 글리콜(polypropylene glycols); 폴리에틸렌 클리콜 에테르(polyethylene glycol ethers); 폴리프로필렌 글리콜 에테르(polypropylene glycol ethers); 카르복실산 염(carboxylic acid salts); 도데실벤젠술폰산(dodecylbenzesulfonic acid) 및 도데실벤젠술폰산 염(dodecylbenzesulfonic acid salts); 폴리아크릴레이트 폴리머(polyacrylate polymers); 디노닐페닐 폴리옥시에틸렌(dinonylphenyl polyoxyethylenes); 실리콘 폴리머(silicone polymers); 변형된 실리콘 폴리머; 아세틸렌 디올(acetylenic diols); 변형된 아세틸렌 디올, 알킬암모늄 염(alkylammonium salts); 변형된 알킬암모늄 염들; 및 상기의 둘 또는 그 이상의 조합들로 구성된 그룹에서 선택되는 계면활성제 종을 포함하는 조성물.
  19. 제8항에 있어서, 공-용매를 포함하는 조성물.
  20. 제19항에 있어서, 상기 공-용매는 아민(amines); 글리콜(glycols); 글리콜에테르(glycol ethers); 폴리글리콜 에테르(polyglycol ethers); 및 상기의 둘 또는 그 이상의 조합들로 구성된 그룹에서 선택되는 공-용매 종을 포함하는 조성물.
  21. 제19항에 있어서, 상기 공-용매는 디메틸디글리콜아민(dimethyldiglycolamine); 1,8-디아자비시클로[5.4.0]언데켄(1,8-diazabicyclo[5.4.0]undecene); 아미노프로필모르폴린(aminopropylmorpholine); 트리에탄올아민(triethanolamine); 메틸에탄올아민(methylethanolamine); 디에틸렌 글리콜(diethylene glycol); 프로필렌 글리콜(propylene glycol); 네오펜틸 글리콜(neopentyl glycol); 히드록시에틸모르폴린(hydroxyethylmorpholine); 아미노프로필모르폴린(aminopropylmorpholine); 디(에틸렌 글리콜)모노에틸 에테르(di(etylene glycol)monoethyl ether); 디(프로필렌 글리콜)프로필 에테르(di(propylene glycol)propyl ether); 에틸렌 글리콜 페닐 에테르(ethylene glyco phenyl ether); 디(프로필렌 글리콜)부틸 에테르(di(propylene glycol)butyl ether); 부틸 카르비톨(butyl carbitol); 폴리글리콜 에테르(polyglycol ethers); 및 상기의 둘 또는 그 이상의 조합들로 구성된 그룹에서 선택되는 공-용매 종을 포 함하는 조성물.
  22. 제8항에 있어서, 다음을 포함하는 세정 조성물:
    0.1~30 중량% 강염기
    2~30 중량% 산화제
    0~10 중량% 킬레이터(chelator)
    0~5 중량% 계면활성제
    0~50 중량% 공-용매
    20~98 중량% 탈이온수
    여기서, 상기 성분들의 비율은 조성물의 총 중량을 기준으로 한 중량%이고, 상기 성분들의 중량%의 총량은 100중량%를 초과하지 않음.
  23. 제1항에 있어서, 포뮬레이션 H-R2로 구성된 그룹에서 선택되고, 모든 비율은 포뮬레이션(formulation)의 총 중량을 기준으로 한 중량%인, 세정 조성물:
    포뮬레이션 H
    테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 14.7%
    N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
    디노닐페놀 에톡실레이트(dinonylphenol ethoxylate), 7% 수용액 4.3%
    3-아미노-5-머캅토-1,2,4-트리아졸(3-amino-5-mercapto-1,2,4-triazole) 0.1%
    물(water) 73.9%
    포뮬레이션 I
    테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 14.7%
    N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
    디노닐페놀 에톡실레이트(dinonylphenol ethoxylate), 7% 수용액 4.3%
    암모늄 테트라티오몰립데이트(ammonium tetrathiomolybdate), 0.1%
    물(water) 73.9%
    포뮬레이션 J
    테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 14.7%
    N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
    디노닐페놀 에톡실레이트(dinonylphenol ethoxylate), 7% 수용액 4.3%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.1%
    아미노프로필모르폴린(aminopropylmorpholine) 20.0%
    물(water) 53.9%
    포뮬레이션 K
    테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 14.7%
    N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
    디노닐페놀 에톡실레이트(dinonylphenol ethoxylate), 7% 수용액 4.3%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.1%
    N-에틸모르폴린(N-ethylmorpholine) 20.0%
    물(water) 53.9%
    포뮬레이션 L
    테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 14.7%
    N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
    디노닐페놀 에톡실레이트(dinonylphenol ethoxylate), 7% 수용액 4.3%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.1%
    아미노에틸피페리딘(aminothylpiperidine) 20.0%
    물(water) 53.9%
    포뮬레이션 M
    테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 14.7%
    N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
    디노닐페놀 에톡실레이트(dinonylphenol ethoxylate), 7% 수용액 4.3%
    3-아미노-5-1,2,4-트리아졸(3-amino-5-1,2,4-triazole) 0.1%
    아미노프로필모르폴린(aminopropylmorpholine) 20.0%
    물(water) 53.9%
    포뮬레이션 N
    테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 14.7%
    N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
    디노닐페놀 에톡실레이트(dinonylphenol ethoxylate), 7% 수용액 4.3%
    3-아미노-5-1,2,4-트리아졸(3-amino-5-1,2,4-triazole) 0.1%
    아미노프로필모르폴린(aminopropylmorpholine) 10.0%
    물(water) 63.9%
    포뮬레이션 O
    테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 14.7%
    N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
    디노닐페놀 에톡실레이트(dinonylphenol ethoxylate), 7% 수용액 4.3%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.1%
    아미노프로필모르폴린(aminopropylmorpholine) 20.0%
    물(water) 53.9%
    포뮬레이션 P
    테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 14.7%
    N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
    디노닐페놀 에톡실레이트(dinonylphenol ethoxylate), 7% 수용액 4.3%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.1%
    아미노프로필모르폴린(aminopropylmorpholine) 10.0%
    물(water) 63.9%
    포뮬레이션 Q
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수 용액 9.0%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
    N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
    디노닐페놀 에톡실레이트(dinonylphenol ethoxylate), 7% 수용액 4.3%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.1%
    아미노프로필모르폴린(aminopropylmorpholine) 20.0%
    물(water) 59.02%
    포뮬레이션 R
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 9.0%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
    N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
    디노닐페놀 에톡실레이트(dinonylphenol ethoxylate), 7% 수용액 4.3%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.1%
    아미노프로필모르폴린(aminopropylmorpholine) 15.0%
    물(water) 64.02%
    포뮬레이션 S
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수 용액 9.0%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
    N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
    디노닐페놀 에톡실레이트(dinonylphenol ethoxylate), 7% 수용액 4.3%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.1%
    아미노프로필모르폴린(aminopropylmorpholine) 10.0%
    물(water) 69.02%
    포뮬레이션 T
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 13.4%
    N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    디노닐페놀 폴리옥시에틸렌(dinonylphenol polyoxyethylene) 0.3%
    물(water) 78.62%
    포뮬레이션 U
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 13.4%
    N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 1.2%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    디노닐페놀 폴리옥시에틸렌(dinonylphenol polyoxyethylene) 0.3%
    물(water) 78.02%
    포뮬레이션 V
    테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 5.85%
    N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 1.2%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    디노닐페놀 폴리옥시에틸렌(dinonylphenol polyoxyethylene) 0.3%
    물(water) 85.57%
    포뮬레이션 W
    테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 2.93%
    N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 1.2%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    디노닐페놀 폴리옥시에틸렌(dinonylphenol polyoxyethylene) 0.3%
    물(water) 88.49%
    포뮬레이션 X
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 7.2%
    N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    디노닐페놀 폴리옥시에틸렌(dinonylphenol polyoxyethylene) 0.3%
    물(water) 84.82%
    포뮬레이션 Y
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 3.6%
    N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 1.2%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    디노닐페놀 폴리옥시에틸렌(dinonylphenol polyoxyethylene) 0.3%
    물(water) 87.82%
    포뮬레이션 Z
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 3.6%
    N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    디노닐페놀 폴리옥시에틸렌(dinonylphenol polyoxyethylene) 0.3%
    물(water) 88.42%
    포뮬레이션 A 2
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 7.2%
    N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.3%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    디노닐페놀 폴리옥시에틸렌(dinonylphenol polyoxyethylene) 0.3%
    물(water) 85.12%
    포뮬레이션 B 2
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 22.26%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    메틸디에탄올아민(methyldiethanolamine) 2.33%
    인산(phosphoric acid)(86%) 1.69%
    3-아미노-5-머캅토-1,2,4-트리아졸(3-amino-5-mercapto-1,2,4-triazole) 1.0%
    물(water) 72.04%
    포뮬레이션 C 2
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 22.26%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    메틸디에탄올아민(methyldiethanolamine) 2.33%
    인산(phosphoric acid)(86%) 1.69%
    4-메틸-2-페닐-이미다졸(4-methyl-2-phenyl-imidazole) 1.0%
    물(water) 72.04%
    포뮬레이션 D 2
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 22.26%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    메틸디에탄올아민(methyldiethanolamine) 2.33%
    인산(phosphoric acid)(86%) 1.69%
    2-머캅토티아졸린(2-mercaptothiazoline) 1.0%
    물(water) 72.04%
    포뮬레이션 E 2
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 22.26%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    메틸디에탄올아민(methyldiethanolamine) 2.33%
    인산(phosphoric acid)(86%) 1.69%
    8-히드록시퀴놀린(8-hydroxyquinoline) 1.0%
    물(water) 72.04%
    포뮬레이션 F 2
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 22.26%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    메틸디에탄올아민(methyldiethanolamine) 2.33%
    인산(phosphoric acid)(86%) 1.69%
    1-페닐-2-테트라졸린-5-티온(1-phenyl-2-tetrazoline-5-thione) 1.0%
    물(water) 72.04%
    포뮬레이션 G 2
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 22.26%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    메틸디에탄올아민(methyldiethanolamine) 2.33%
    인산(phosphoric acid)(86%) 1.69%
    갈산(gallic acid) 1.0%
    물(water) 72.04%
    포뮬레이션 H 2
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 22.26%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    메틸디에탄올아민(methyldiethanolamine) 2.33%
    인산(phosphoric acid)(86%) 1.69%
    살릭실산(salicylic acid) 1.0%
    물(water) 72.04%
    포뮬레이션 I 2
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 22.26%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    메틸디에탄올아민(methyldiethanolamine) 2.33%
    인산(phosphoric acid)(86%) 1.69%
    아스코르브산(ascorbic acid) 1.0%
    물(water) 72.04%
    포뮬레이션 J 2
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 7.2%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    아미노프로필모르폴린(aminopropyl morpholine) 10%
    4-메틸-2-페닐-이미다졸(4-methyl-2-phenyl-imidazole) 1.0%
    물(water) 81.12%
    포뮬레이션 K 2
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 7.2%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    아미노프로필모르폴린(aminopropyl morpholine) 10%
    4-메틸-2-페닐-이미다졸(4-methyl-2-phenyl-imidazole) 0.5%
    물(water) 81.62%
    포뮬레이션 L 2
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 7.2%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    아미노프로필모르폴린(aminopropyl morpholine) 10%
    4-메틸-2-페닐-이미다졸(4-methyl-2-phenyl-imidazole) 1.0%
    물(water) 81.02%
    디노닐페놀 폴리옥시에틸렌(dinonylphenol polyoxyethylene) 0.1%
    포뮬레이션 M 2
    테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 4.0%
    과산화수소(hydrogen peroxide), 30% 수용액 2.0%
    5-아미노테트라졸(5-aminotetrazole) 0.1%
    물(water) 93.9%
    포뮬레이션 N 2
    테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 4.0%
    과산화수소(hydrogen peroxide), 30% 수용액 2.0%
    2,4-디아미노-6-메틸-1,3,5-트리아진(2,4-diamino-6-methyl-1,3,5-triazine) 0.1%
    물(water) 93.9%
    포뮬레이션 O 2
    테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 4.0%
    과산화수소(hydrogen peroxide), 30% 수용액 2.0%
    5-아미노-1,3,4-티아디아졸-2-티올(5-amino-1,3,4-thiadiazole-2-thiol) 0.1%
    물(water) 93.9%
    포뮬레이션 P 2
    테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 4.0%
    과산화수소(hydrogen peroxide), 30% 수용액 2.0%
    1,2,4-트리아졸(1,2,4-triazole) 0.1%
    물(water) 93.9%
    포뮬레이션 Q 2
    테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 4.0%
    과산화수소(hydrogen peroxide), 30% 수용액 2.0%
    2,4-디히드록시-6-메틸필리미딘(2,4-dihydroxy-6-methylpyrimidine) 0.1%
    물(water) 93.9%
    포뮬레이션 R 2
    테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 4.0%
    과산화수소(hydrogen peroxide), 30% 수용액 2.0%
    8-히드록시퀴놀린(8-hydroxyquinoline) 0.1%
    물(water) 93.9%
  24. 그 위에 포토레지스트 및/또는 SARC 물질을 가지는 기판에서 상기 물질을 적어도 부분적으로 제거하기 위해 충분한 시간 동안 세정 조성물과 기판을 접촉시키는 단계를 포함하는, 기판으로부터 상기 물질의 제거 방법에 있어서, 상기 세정 조성물은 (a) 하나 이상의 알카리 및 알카리성 토염기와 배합하는 4차 암모늄 염기; 및 (b) 산화제와 배합하는 강염기로 구성된 그룹에서 선택된 활성 세정 화합물(ACC)을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  25. 제24항에 있어서, 상기 기판은 반도체 장비 구조물을 포함하는 방법.
  26. 제24항에 있어서, 상기 물질은 포토레지스트를 포함하는 방법.
  27. 제24항에 있어서, 상기 물질은 SARC 물질을 포함하는 방법.
  28. 제27항에 있어서, 상기 SARC 물질은 반도체 장비 구조물에서 포토리소그래픽 패터링(photolithographic patterning) 중 반사성 변화들을 최소화하기 위하여 반도체 장비 구조물에 적용되는 것을 특징으로 하는 방법.
  29. 제24항에 있어서, 상기 접촉은 약 10분 ~ 약 40분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  30. 제24항에 있어서, 상기 접촉은 약 50℃ ~ 약 80℃ 범위의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  31. 제24항에 있어서, 상기 조성물은 상기 조성물에서 히드록실아민(hydroxylamine)이 결여된 것을 특징으로 하는 방법.
  32. 제24항에 있어서, 상기 ACC는 (a)를 포함하는 방법.
  33. 제32항에 있어서, 상기 조성물은 다음 성분들을 포함하는 방법:
    0.1~40.0 중량% 유기 4차 암모늄 염기;
    0.01~5 중량% 알카리 또는 알카리성 토염기;
    0~80 중량% 용매(들) 및/ 또는 아민(들);
    0~5 중량% 계면활성제;
    0~10 중량% 킬레이터(chelator)/패시배이숀(passivation) 약품; 및
    0~98 중량% 물,
    여기서, 상기 성분들의 비율은 조성물의 총 중량을 기준으로 한 중량%이고, 상기 성분들의 중량%의 합은 100중량%를 초과하지 않음.
  34. 제24항에 있어서, 상기 조성물은 안정화제(stabilizer), 분산제(dispersant), 산화-방지제(anti-oxidant), 침투 제(penetration agent)들, 보조제(adjuvant), 첨가제(additive), 충진제(filler) 및 부형제(excipient)들로 구성된 그룹에서 선택되는 하나 이상의 추가 성분을 포함하는 방법.
  35. 제32항에 있어서, 상기 조성물은 다음 성분들을 포함하는 방법:
    2~15 중량% 유기 4차 암모늄 염기;
    ~0.01~2 중량% 알카리 또는 알카리성 토염기;
    0~50 중량% 용매(들) 및/또는 아민(들);
    ~0.01~2 중량% 계면활성제;
    0~5 중량% 킬레이터(chelator)/패시배이숀(passivation) 약품; 및
    40~95 중량% 물,
    여기서, 상기 성분들의 비율은 조성물의 총 중량을 기준으로 한 중량%이고, 상기 성분들의 중량%의 합은 100중량%를 초과하지 않음.
  36. 제24항에 있어서, 포뮬레이션 A-G로 구성된 그룹에서 선택되고, 모든 비율은 포뮬레이션(formulation)의 총 중량을 기준으로 한 중량%인, 세정 조성물:
    포뮬레이션 A
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimetylammonium hydroxide) 5.36%
    수산화칼륨(potassium hydroxide) 0.28%
    4-메틸크모르포라인 N-산화물(4-methylkmorpholine N-oxide) 3.0%
    폴리옥시에틸렌(150) 디노닐페닐 에테르(polyoxyethylene(150) dinonylphenyl ether) 0.30%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    물(water) 91.0%
    포뮬레이션 B
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimetylammonium hydroxide) 5.36%
    수산화칼륨(potassium hydroxide) 0.28%
    4-메틸모르폴린 N-산화물(4-methylmorpholine N-oxide) 0.28%
    폴리옥시에틸렌(150) 디노닐페닐 에테르(polyoxyethylene(150) dinonylphenyl ether) 0.30%
    5-아미노-1,3,4-티아디아졸-2-티올(5-amino-1,3,4-thiadiazole-2-thiol) 0.20%
    물(water) 90.86%
    포뮬레이션 C
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimetylammonium hydroxide) 3.60%
    수산화칼륨(potassium hydroxide) 0.27%
    4-메틸모르폴린메틸모르폴린methylmorpholine N-oxide) 3.5%
    4-(3-아미노프로필)모르폴린(4-(3-aminopropyl)morpholine) 15.0%
    폴리옥시에틸렌(150) 디노닐페닐 에테르(polyoxyethylene(150) dinonylphenyl ether) 0.30%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    물(water) 77.25%
    포뮬레이션 D
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimetylammonium hydroxide) 5.36%
    수산화칼륨(potassium hydroxide) 0.28%
    디메틸 술폭사이드(dimethyl sulfoxide) 20.0%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    물(water) 74.28%
    포뮬레이션 E
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimetylammonium hydroxide) 5.36%
    수산화칼륨(potassium hydroxide) 0.28%
    테트라메틸렌 술폰(tetramethylene sulfone) 10.0%
    옥시란(oxirane), 메틸-(methyl-), 옥시란(oxirane)을 가지는 폴리머(polymer), 2.2'-(옥시도이미노)비스(에탄올)(2:1)을 가지는 에테르 (ether with 2.2'-(oxidoimino)bis(ethanol)(2:1)), N-(-3(C(-11-이소알킬옥시)프로필)유도체들 (N(-3(C(-11-isoalkyloxy)propyl)derivatives) 및 C10-리치(C10-rich) 0.30%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    물(water) 83.98%
    포뮬레이션 F
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimetylammonium hydroxide) 5.36%
    수산화칼륨(potassium hydroxide) 0.28%
    (디에틸렌글리콜)부틸 에테르((diethyleneglycol)butyl ether) 10.0%
    2-(2-디메틸아미노)에톡시)에탄올(2-(2-dimethylamino)ethoxy)ethanol) 10.0%
    옥시란(oxirane), 메틸-(methyl-), 옥시란(oxirane)을 가지는 폴리머(polymer), 2.2'-(옥시도이미노)비스(에탄올)(2:1)을 가지는 에테르 (ether with 2.2'-(oxidoimino)bis(ethanol)(2:1)), N-(-3(C(-11-이소알킬옥시)프로필)유도체들 (N(-3(C(-11-isoalkyloxy)propyl)derivatives) 및 C10-리치(C10-rich) 0.30%
    물(water) 74.06%
    포뮬레이션 G
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimetylammonium hydroxide) 5.36%
    수산화칼륨(potassium hydroxide) 10.0%
    테트라메틸렌 술폰(tetramethylene sulfone) 10.0%
    디(에틸렌글리콜)부틸 에테르(di(ethyleneglycol)butyl ether) 10.0%
    옥시란(oxirane), 메틸-(methyl), 옥시란(oxirane)을 가지는 폴리머, 모노(옥틸페닐)에테르(mono(octylphenyl)ether) 0.10%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    물(water) 74.18%
  37. 제24항에 있어서, 상기 ACC는 (b)를 포함하는 방법.
  38. 제37항에 있어서, 상기 세정 조성물은 하나 이상의 산화제의 수용액, 강염기, 선택적인 킬레이터(chelator) 및 선택적인 공-용매 및/또는 계면활성제를 포함하는 방법.
  39. 제24항에 있어서, 상기 ACC는 수산화칼륨(potassium hydroxide)를 포함하는 방법.
  40. 제37항에 있어서, 상기 세정 조성물은 다음 성분들을 포함하는 방법:
    0.1~30 중량% 강염기;
    0.01~30 중량% 산화제;
    0~10 중량% 킬레이터(chelator);
    0~5 중량% 계면활성제;
    0~50 중량% 공-용매; 및
    20~98.9 중량% 탈이온수,
    여기서, 상기 성분들의 비율은 조성물의 총 중량을 기준으로 한 중량%이고, 성분들의 중량%의 총량은 100중량%를 초과하지 않음.
  41. 제40항에 있어서, 상기 강염기는 수산화칼륨(potassium hydroxide), 알킬암모늄 수산화물(alkylammonium hydroxide)들, 콜린 수산화물(choline hydroxide)로 구성된 그룹에서 선택되는 염기 종을 포함하는 방법.
  42. 제37항에 있어서, 상기 산화제는 과산화수소(hydrogen peroxide), 유기 과산화물(organic peroxides), 아민-N-산화물(amine-N-oxides), 과붕산 염(perborate salts), 과황산 염(persulfate salts) 및 상기의 둘 또는 그 이상의 조합들로 구성된 그룹에서 선택되는 산화제 종을 포함하는 방법.
  43. 제37항에 있어서, 킬레이터(chelator)를 포함하는 방법.
  44. 제43항에 있어서, 상기 킬레이터(chelator)는 트리아졸(triazoles); C1~C8 알킬, 아미노(amino), 티올(thiol), 머캅토(mercapto), 이미노(imino), 카르복실(carboxy) 및 니트로(nitro)로 구성된 그룹에서 선택되는 치환기로 치환된 트리아졸(triazoles); 티아졸(thiazoles); 테트라졸(tetrazoles); 이미다졸(imidazoles); 인산염(phosphates); 티올(thiols); 아진(azines); 글리세롤(glycerols); 아미노산(amino acids); 카르복실산(carboxylic acids); 알코올(alcohols); 아미드(amides); 및 퀴놀린(quinolines)로 구성된 그룹에서 선택되는 킬레이터(chelator) 종을 포함하는 방법.
  45. 제43항에 있어서, 상기 상기 킬레이터(chelator)는 1,2,4-트리아졸(1,2,4-triazole); 벤조트리아졸(benzotriazole); 톨릴트리아졸(tolyltriazole); 5-페닐-벤조트리아졸(5-phenyl-benzotriazole); 5-니트로-벤조트리아졸(5-nitro-benzotriazole); 4-메틸-2-페닐이미다졸(4-methyl-2-phenylimidazole); 2-머캅토티아졸린(2-mercaptothiazoline); 1-아미노-1,2,4-트리아졸(1-amino-1,2,4-triazole); 히드록시벤조트리아졸(hydroxybenzotriazole); 2-(5-아미노-펜틸)-벤조트리아졸(2-(5-amino-pentyl)-benzotriazole); 1-아미노-1,2,3-트리아졸(1-amino-1,2,3-triazole); 1-아미노-5-메틸-1,2,3-트리아졸(1-amino-5-methyl-1,2,3- triazole); 3-아미노-1,2,4-트리아졸(3-amino-1,2,4-triazole); 3-머캅토-1,2,4-트리아졸(3-mercapto-1,2,4-triazole); 3-아마노-5-머캅토-1,2,4-트리아졸(3-amino-5-mercapto-triazole), 3-이소프로필-1,2,4-트리아졸(3-isopropyl-1,2,4 triazole); 5-페닐티올-벤조트라이졸(5-phenylthiol-benzotriazole); 할로-벤조트리아졸(halo-benzotriazole)들, (여기서 상기 할로(halo)는 플루오르(F), 염소(Cl), 브롬(Br) 및 요오드(I)로 구성된 그룹에서 선택됨); 나프톨트리아졸(naphthotriazole); 2-머캅토벤조이미디졸(2-mercaptobenzoimidizole); 2-머캅토벤조티아졸(2-mercaptobenzothiazole); 5-아미노테트라졸(5-aminotetrazole); 5-아미노-1,3,4-티아디아졸-2-티올(5-amino-1,3,4-thiadiazole-2-thiol); 2,4-디아미노-6-메틸-1,3,5-트리아진(2,4-diamino-6-methyl-1,3,5-triazine); 티아졸(thiazole); 트리아진(triazine); 메틸테트라졸(methyltetrazole); 1,3-디메틸-2-이미다졸리딘논(1,3-dimethyl-2-imidazolidinone); 1,5-펜타메틸렌테트라졸(1.5-pentamethylenetetrazole); 1-페닐-5-머캅토테트라졸(1-phenyl-5-mercaptotetrazole); 디아미노메틸트리아진(diaminomethyltrazine); 머캅토벤조티아졸(mercaptobenzothiaxole); 이미다졸린 티온(imidazoline thione); 머캅토벤즈이미다졸(mercaptobenzimidazole); 4-메틸-4H-1,2,4-트리아졸-3-티올(4-methyl-4H-1,2,4-triazole-3-thiol); 5-아미노-1,3,4-티아디아졸-2-티올(5-amino-1,3,4-thiadiazole-2-thiol); 벤조티아졸(benzothiazole); 트리톨릴 인산염(tritolyl phosphate); 인디아졸(indiazole); 구아닌(guanine); 아데닌(adenine); 글리세롤(glycerol); 티오글리세롤(thioglycerol); 니트릴오트리아세트 산(nitrilotriacetic acid); 살리실아미드(salicylamide); 이미노디아세트산(iminodiacetic acid); 벤조구안아민(benzoguanamine); 멜아민(melamine); 티오시라누릭산(thiocyranuric acid); 안트라닐산(anthranilic acid); 갈산(gallic acid); 아스코르브산(ascorbic acid); 살릭실산(salicylic acid); 8-히드록시퀴놀린(8-hydroxyquinoline); 5-카르복실산-벤조트리아졸(5-carboxylic acid-benzotriazole); 3-머캅토프로판놀(3-mercaptopropanol); 붕산(boric acid); 및 이미노디아세트산(ininodiacetic acid)으로 구성된 그룹에서 선택되는 킬레이터(chelator) 종을 포함하는 방법.
  46. 제37항에 있어서, 상기 세정 조성물은 계면활성제를 포함하는 방법.
  47. 제46항에 있어서, 상기 계면활성제는 플루오로아킬(fluoroalkyl) 계면활성제; 폴리에틸렌 글리콜(polyethylene glycols); 폴리프로필렌 글리콜(polypropylene glycols); 폴리에틸렌 클리콜 에테르(polyethylene glycol ethers); 폴리프로필렌 글리콜 에테르(polypropylene glycol ethers); 카르복실산 염(carboxylic acid salts); 도데실벤젠술폰산(dodecylbenzesulfonic acids) 및 도데실벤젠술폰산 염(dodecylbenzesulfonic acid salts); 폴리아크릴레이트 폴리머(polyacrylate polymers); 디노닐페닐 폴리옥시에틸렌(dinonylphenyl polyoxyethylenes); 실리콘 폴리머(silicone polymers); 변형된 실리콘 폴리머; 아세틸렌 디올(acetylenic diols); 변형된 아세틸렌 디올, 알킬암모늄 염(alkylammonium salts); 변형된 알킬암모늄 염; 및 상기의 둘 또는 그 이상의 조합들로 구성된 그룹에서 선택되는 계면활성제 종을 포함하는 방법.
  48. 제37항에 있어서, 상기 세정 조성물은 공-용매를 포함하는 방법.
  49. 제48항에 있어서, 상기 공-용매는 아민(amines); 글리콜(glycols); 글리콜에테르(glycol ethers); 폴리글리콜 에테르(polyglycol ethers); 및 상기의 둘 또는 그 이상의 조합들로 구성된 그룹에서 선택되는 공-용매 종을 포함하는 방법.
  50. 제48항에 있어서, 상기 공-용매는 디메틸디글리콜아민(dimethyldiglycolamine); 1,8-디아자비시클로[5.4.0]언데켄(1,8-diazabicyclo[5.4.0]undecene); 아미노프로필모르폴린(aminopropylmorpholine); 트리에탄올아민(triethanolamine); 메틸에탄올아민(methylethanolamine); 디에틸렌 글리콜(diethylene glycol); 프로필렌 글리콜(propylene glycol); 네오펜틸 글리콜(neopentyl glycol); 히드록시에틸모르폴린(hydroxyethylmorpholine); 아미노프 로필모르폴린(aminopropylmorpholine); 디(에틸렌 글리콜)모노에틸 에테르(di(etylene glycol)monoethyl ether); 디(프로필렌 글리콜)프로필 에테르(di(propylene glycol)propyl ether); 에틸렌 글리콜 페닐 에테르(ethylene glyco phenyl ether); 디(프로필렌 글리콜)부틸 에테르(di(propylene glycol)butyl ether); 부틸 카르비톨(butyl carbitol); 폴리글리콜 에테르(polyglycol ethers); 및 상기의 둘 또는 그 이상의 조합들로 구성된 그룹에서 선택되는 공-용매 종을 포함하는 방법.
  51. 제37항에 있어서, 상기 조성물은 다음을 포함하는 방법:
    0.1~30 중량% 강염기
    2~30 중량% 산화제
    0~10 중량% 킬레이터(chelator)
    0~50 중량% 공-용매
    0~5 중량% 계면활성제
    20~98 중량% 탈이온수,
    여기서, 상기 성분들의 비율은 조성물의 총 중량을 기준으로 한 중량%이고, 상기 성분들의 중량 %의 총량은 100중량%를 초과하지 않음.
  52. 제24항에 있어서, 포뮬레이션 H-G2로 구성된 그룹에서 선택되고, 모든 비율은 포뮬레이션(formulation)의 총 중량을 기준으로 한 중량%인, 세정 조성물:
    포뮬레이션 H
    테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 14.7%
    N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
    디노닐페놀 에톡실레이트(dinonylphenol ethoxylate), 7% 수용액 4.3%
    3-아미노-5-머캅토-1,2,4-트리아졸(3-amino-5-mercapto-1,2,4-triazole) 0.1%
    물(water) 73.9%
    포뮬레이션 I
    테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 14.7%
    N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
    디노닐페놀 에톡실레이트(dinonylphenol ethoxylate), 7% 수용액 4.3%
    암모늄 테트라티오몰립데이트(ammonium tetrathiomolybdate), 0.1%
    물(water) 73.9%
    포뮬레이션 J
    테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 14.7%
    N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
    디노닐페놀 에톡실레이트(dinonylphenol ethoxylate), 7% 수용액 4.3%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.1%
    아미노프로필모르폴린(aminopropylmorpholine) 20.0%
    물(water) 53.9%
    포뮬레이션 K
    테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 14.7%
    N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
    디노닐페놀 에톡실레이트(dinonylphenol ethoxylate), 7% 수용액 4.3%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.1%
    N-에틸모르폴린(N-ethylmorpholine) 20.0%
    물(water) 53.9%
    포뮬레이션 L
    테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 14.7%
    N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
    디노닐페놀 에톡실레이트(dinonylphenol ethoxylate), 7% 수용액 4.3%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.1%
    아미노에틸피페리딘(aminothylpiperidine) 20.0%
    물(water) 53.9%
    포뮬레이션 M
    테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 14.7%
    N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
    디노닐페놀 에톡실레이트(dinonylphenol ethoxylate), 7% 수용액 4.3%
    3-아미노-5-1,2,4-트리아졸(3-amino-5-1,2,4-triazole) 0.1%
    아미노프로필모르폴린(aminopropylmorpholine) 20.0%
    물(water) 53.9%
    포뮬레이션 N
    테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 14.7%
    N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
    디노닐페놀 에톡실레이트(dinonylphenol ethoxylate), 7% 수용액 4.3%
    3-아미노-5-1,2,4-트리아졸(3-amino-5-1,2,4-triazole) 0.1%
    아미노프로필모르폴린(aminopropylmorpholine) 10.0%
    물(water) 63.9%
    포뮬레이션 O
    테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 14.7%
    N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
    디노닐페놀 에톡실레이트(dinonylphenol ethoxylate), 7% 수용액 4.3%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.1%
    아미노프로필모르폴린(aminopropylmorpholine) 20.0%
    물(water) 53.9%
    포뮬레이션 P
    테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 14.7%
    N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
    디노닐페놀 에톡실레이트(dinonylphenol ethoxylate), 7% 수용액 4.3%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.1%
    아미노프로필모르폴린(aminopropylmorpholine) 10.0%
    물(water) 63.9%
    포뮬레이션 Q
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 9.0%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
    N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
    디노닐페놀 에톡실레이트(dinonylphenol ethoxylate), 7% 수용액 4.3%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.1%
    아미노프로필모르폴린(aminopropylmorpholine) 20.0%
    물(water) 59.02%
    포뮬레이션 R
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 9.0%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
    N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
    디노닐페놀 에톡실레이트(dinonylphenol ethoxylate), 7% 수용액 4.3%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.1%
    아미노프로필모르폴린(aminopropylmorpholine) 15.0%
    물(water) 64.02%
    포뮬레이션 S
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 9.0%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
    N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
    디노닐페놀 에톡실레이트(dinonylphenol ethoxylate), 7% 수용액 4.3%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.1%
    아미노프로필모르폴린(aminopropylmorpholine) 10.0%
    물(water) 69.02%
    포뮬레이션 T
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 13.4%
    N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    디노닐페놀 폴리옥시에틸렌(dinonylphenol polyoxyethylene) 0.3%
    물(water) 78.62%
    포뮬레이션 U
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 13.4%
    N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 1.2%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    디노닐페놀 폴리옥시에틸렌(dinonylphenol polyoxyethylene) 0.3%
    물(water) 78.02%
    포뮬레이션 V
    테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 5.85%
    N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 1.2%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    디노닐페놀 폴리옥시에틸렌(dinonylphenol polyoxyethylene) 0.3%
    물(water) 85.57%
    포뮬레이션 W
    테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 2.93%
    N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 1.2%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    디노닐페놀 폴리옥시에틸렌(dinonylphenol polyoxyethylene) 0.3%
    물(water) 88.49%
    포뮬레이션 X
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 7.2%
    N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    디노닐페놀 폴리옥시에틸렌(dinonylphenol polyoxyethylene) 0.3%
    물(water) 84.82%
    포뮬레이션 Y
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 3.6%
    N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 1.2%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    디노닐페놀 폴리옥시에틸렌(dinonylphenol polyoxyethylene) 0.3%
    물(water) 87.82%
    포뮬레이션 Z
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 3.6%
    N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    디노닐페놀 폴리옥시에틸렌(dinonylphenol polyoxyethylene) 0.3%
    물(water) 88.42%
    포뮬레이션 A 2
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수 용액 7.2%
    N-메틸모르폴린 산화물(N-methylmorpholine oxide), 50% 수용액 7.0%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.3%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    디노닐페놀 폴리옥시에틸렌(dinonylphenol polyoxyethylene) 0.3%
    물(water) 85.12%
    포뮬레이션 B 2
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 22.26%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    메틸디에탄올아민(methyldiethanolamine) 2.33%
    인산(phosphoric acid)(86%) 1.69%
    3-아미노-5-머캅토-1,2,4-트리아졸(3-amino-5-mercapto-1,2,4-triazole) 1.0%
    물(water) 72.04%
    포뮬레이션 C 2
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 22.26%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    메틸디에탄올아민(methyldiethanolamine) 2.33%
    인산(phosphoric acid)(86%) 1.69%
    4-메틸-2-페닐-이미다졸(4-methyl-2-phenyl-imidazole) 1.0%
    물(water) 72.04%
    포뮬레이션 D 2
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 22.26%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    메틸디에탄올아민(methyldiethanolamine) 2.33%
    인산(phosphoric acid)(86%) 1.69%
    2-머캅토티아졸린(2-mercaptothiazoline) 1.0%
    물(water) 72.04%
    포뮬레이션 E 2
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 22.26%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    메틸디에탄올아민(methyldiethanolamine) 2.33%
    인산(phosphoric acid)(86%) 1.69%
    8-히드록시퀴놀린(8-hydroxyquinoline) 1.0%
    물(water) 72.04%
    포뮬레이션 F 2
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 22.26%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    메틸디에탄올아민(methyldiethanolamine) 2.33%
    인산(phosphoric acid)(86%) 1.69%
    1-페닐-2-테트라졸린-5-티온(1-phenyl-2-tetrazoline-5-thione) 1.0%
    물(water) 72.04%
    포뮬레이션 G 2
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 22.26%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    메틸디에탄올아민(methyldiethanolamine) 2.33%
    인산(phosphoric acid)(86%) 1.69%
    갈산(gallic acid) 1.0%
    물(water) 72.04%
    포뮬레이션 H 2
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 22.26%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    메틸디에탄올아민(methyldiethanolamine) 2.33%
    인산(phosphoric acid)(86%) 1.69%
    살릭실산(salicylic acid) 1.0%
    물(water) 72.04%
    포뮬레이션 I 2
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 22.26%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    메틸디에탄올아민(methyldiethanolamine) 2.33%
    인산(phosphoric acid)(86%) 1.69%
    아스코르브산(ascorbic acid) 1.0%
    물(water) 72.04%
    포뮬레이션 J 2
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 7.2%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    아미노프로필모르폴린(aminopropyl morpholine) 10%
    4-메틸-2-페닐-이미다졸(4-methyl-2-phenyl-imidazole) 1.0%
    물(water) 81.12%
    포뮬레이션 K 2
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 7.2%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    아미노프로필모르폴린(aminopropyl morpholine) 10%
    4-메틸-2-페닐-이미다졸(4-methyl-2-phenyl-imidazole) 0.5%
    물(water) 81.62%
    포뮬레이션 L 2
    벤질트리메틸암모늄 수산화물(benzyltrimethylammonium hydroxide), 40% 수용액 7.2%
    수산화칼륨(potassium hydroxide), 45% 수용액 0.6%
    2-머캅토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.08%
    아미노프로필모르폴린(aminopropyl morpholine) 10%
    4-메틸-2-페닐-이미다졸(4-methyl-2-phenyl-imidazole) 1.0%
    물(water) 81.02%
    디노닐페놀 폴리옥시에틸렌(dinonylphenol polyoxyethylene) 0.1%
    포뮬레이션 M 2
    테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 4.0%
    과산화수소(hydrogen peroxide), 30% 수용액 2.0%
    5-아미노테트라졸(5-aminotetrazole) 0.1%
    물(water) 93.9%
    포뮬레이션 N 2
    테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 4.0%
    과산화수소(hydrogen peroxide), 30% 수용액 2.0%
    2,4-디아미노-6-메틸-1,3,5-트리아진(2,4-diamino-6-methyl-1,3,5-triazine) 0.1%
    물(water) 93.9%
    포뮬레이션 O 2
    테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 4.0%
    과산화수소(hydrogen peroxide), 30% 수용액 2.0%
    5-아미노-1,3,4-티아디아졸-2-티올(5-amino-1,3,4-thiadiazole-2-thiol) 0.1%
    물(water) 93.9%
    포뮬레이션 P 2
    테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 4.0%
    과산화수소(hydrogen peroxide), 30% 수용액 2.0%
    1,2,4-트리아졸(1,2,4-triazole) 0.1%
    물(water) 93.9%
    포뮬레이션 Q 2
    테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 4.0%
    과산화수소(hydrogen peroxide), 30% 수용액 2.0%
    2,4-디히드록시-6-메틸필리미딘(2,4-dihydroxy-6-methylpyrimidine) 0.1%
    물(water) 93.9%
    포뮬레이션 R 2
    테트라메틸암모늄 수산화물(tetramethylammonium hydroxide), 25% 수용액 4.0%
    과산화수소(hydrogen peroxide), 30% 수용액 2.0%
    8-히드록시퀴놀린(8-hydroxyquinoline) 0.1%
    물(water) 93.9%
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