JP4758982B2 - 基板上に付着したフォトレジスト及び／又は犠牲反射防止材料のエッチング後除去のための組成物並びにプロセス - Google Patents
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Description
発明の分野
本発明は、その上に付着したフォトレジスト及び／又は犠牲反射防止膜材料を有する基板若しくは物品から、エッチング後のかかる材料の除去のために有用な組成物並びにプロセスに関する。
本発明は、その上に付着したフォトレジスト及び／又は犠牲反射防止膜材料を有する基板若しくは物品から、エッチング後のかかる材料の除去のために有用な組成物並びにプロセスに関する。
関連技術の説明
現在開発されている半導体集積は、（ｉ）反射防止膜の使用、（ｉｉ）低ｋ誘電材料へのエッチング／アッシング誘導損傷の最小化、（ｉｉｉ）誘電／エッチング停止相互接続層に関する有効ｋ値の最小化並びに（ｉｖ）集積技術の許容条件及び変更の観点での広いプロセスラティチュードを必要とする。
現在開発されている半導体集積は、（ｉ）反射防止膜の使用、（ｉｉ）低ｋ誘電材料へのエッチング／アッシング誘導損傷の最小化、（ｉｉｉ）誘電／エッチング停止相互接続層に関する有効ｋ値の最小化並びに（ｉｖ）集積技術の許容条件及び変更の観点での広いプロセスラティチュードを必要とする。
前記必要条件は、エッチング後のフォトレジスト及びＳＡＲＣを単一プロセス工程で除去する液体クリーニングの化学特性と組み合わせて犠牲反射防止膜を利用する誘電パターニングプロセスを使用して、アッシングを行なわないエッチング操作の使用によって調節可能である。
半導体製造において現在使用されているフォトリソグラフィープロセスは、ステッパーＵＶ光の反射を防止するためにフォトレジスト層下にＵＶ／光吸収膜の使用を必要とする。この膜がない場合、かなりの量の光が下地基板から反射される。かかる反射光は、順番に、強め合う干渉及び弱め合う干渉、不均一なフォトスピード、全フォトリソグラフィックパターン欠陥の発生、限界寸法能力の損失等から生じるフォトレジストノッチングなどのフォトリソグラフィックプロセス間の欠陥を生じる可能性がある。
フォトリソグラフィックプロセスでＵＶ光の高吸収を達成するためのいくつかのアプローチがあって、二層及び三層フォトレジストの使用、底部反射防止膜（ＢＡＲＣ）及び犠牲反射防止膜（ＳＡＲＣ）の使用が挙げられる。これらのアプローチの全ては、入射光を吸収するスピンオンポリマーマトリックス中にＵＶ発色団を組み入れる。また、これらの反射防止膜の全ては、典型的なデュアルダマシン集積において遭遇するトポロジカルウエハー表面における平坦化効果も有する。
しかしながら、半導体集積においてＳｉＯＣをベースとする誘電材料を使用する場合、ＳＡＲＣの使用は前記された他のアプローチに勝る２つの重要な利点を有する。
第１に、ＳＡＲＣ材料はテトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）をベースとするため、ＳｉＯＣをベースとする誘電材料と同様の様式及び同様の速度でそれらをエッチング可能である。これによって、トレンチエッチング停止層が必要とされず、そしてエッチング停止層を経由して前記の別のアプローチに対して厚さが５０％まで減少され得るような範囲まで、非常に高レベルのエッチング均一性及びエッチング制御が達成される。
第２に、有機物をベースとするフォトレジスト及びＢＡＲＣに対して、エッチングされたＳＡＲＣはエッチング後にそれらの架橋度を著しく増加させないため、エッチングされたＳＡＲＣを液体クリーナー／エッチ液組成物によって除去することができる。
低電気容量（低ｋ）絶縁材料又は誘電体によって隔離されたアルミニウム又は銅の相互接続ワイヤーを加工するバック−エンド−オブ−ライン（ｂａｃｋ−ｅｎｄ−ｏｆ−ｌｉｎｅ）（ＢＥＯＬ）の用途においてクリーナー／エッチ液組成物を使用する場合、フォトレジスト残留物及びＳＡＲＣを除去するために使用される組成物が良好な金属相溶性、例えば、銅、アルミニウム、コバルト等における低エッチング速度を有することは重要である。
未処理のフォトレジストは、強アルカリ水溶液ならびに選択された有機溶媒の溶液における溶解性を有する。しかしながら、典型的に誘電材料のエッチングに使用されるような気相プラズマエッチングに暴露されたフォトレジストは、材料表面上に硬化した外皮を発展させる。硬化した外皮は架橋有機ポリマーからなり、そして少量のケイ素又は金属原子を含有してもよい。デュアルダマシンプロセスにおいて使用されるようなフッ素をベースとするプラズマエッチングはフォトレジスト外皮にフッ素原子を付着させ得、これによってその溶解性が減少し、そしてその化学的除去に対する耐性が増加し得る。
気相アッシングによってフォトレジスト及び外皮を除去することができる。ここでは基板が酸化又は還元プラズマエッチングに暴露されるが、これらのプラズマアッシング技術は誘電体、特に多孔性有機シリケート若しくは有機低ｋ材料に損傷を引き起こす可能性があり、それによってｋ値の容認できない増加が引き起こされる。製造される構造の半導体特徴は、銅、アルミニウム及びコバルトの合金などの最終的な製品チップの操作に不可欠な金属を含有し得る。
当該分野において、フォトレジスト除去のためにヒドロキシルアミン溶液が利用されているが、かかる溶液はそれらの使用を制限する腐食、毒性及び反応性の問題に関連しており、集積回路において銅が使用される場合、不利な腐食が特に問題となる。
発明の概要
一の態様において、本発明は、その上にフォトレジスト及び／又は犠牲反射防止膜（ＳＡＲＣ）材料を有する基板からかかる材料を除去するために有用なクリーニング組成物に関する。この組成物は（ａ）少なくとも一種のアルカリ及びアルカリ土類金属塩基との組み合わせの第四級アンモニウム塩基；並びに（ｂ）酸化剤との組み合わせの強塩基よりなる群から選択される活性クリーニングの組み合わせ（ＡＣＣ）を含む。
一の態様において、本発明は、その上にフォトレジスト及び／又は犠牲反射防止膜（ＳＡＲＣ）材料を有する基板からかかる材料を除去するために有用なクリーニング組成物に関する。この組成物は（ａ）少なくとも一種のアルカリ及びアルカリ土類金属塩基との組み合わせの第四級アンモニウム塩基；並びに（ｂ）酸化剤との組み合わせの強塩基よりなる群から選択される活性クリーニングの組み合わせ（ＡＣＣ）を含む。
本発明の別の一の態様は、その上にフォトレジスト及び／又はＳＡＲＣ材料を有する基板からかかる材料を除去する方法であって、（ａ）少なくとも一種のアルカリ及びアルカリ土類金属塩基との組み合わせの第四級アンモニウム塩基；並びに（ｂ）酸化剤との組み合わせの強塩基よりなる群から選択される活性クリーニングの組み合わせ（ＡＣＣ）を含むクリーニング組成物と基板を十分な時間で接触させて、基板から前記材料を少なくとも部分的に除去する工程を含んでなる方法に関する。
本発明の他の態様、特徴及び利点については、以下の開示及び添付の請求の範囲によってより完全に明らかになるであろう。
発明及びその好ましい実施形態の詳細な説明
本発明は、その上にフォトレジスト及び／又は犠牲反射防止膜（ＳＡＲＣ）材料を有する基板からかかる材料を除去するために有用なクリーニング組成物を検討する。
本発明は、その上にフォトレジスト及び／又は犠牲反射防止膜（ＳＡＲＣ）材料を有する基板からかかる材料を除去するために有用なクリーニング組成物を検討する。
この組成物は、（ａ）少なくとも一種のアルカリ及びアルカリ土類金属塩基との組み合わせの第四級アンモニウム塩基；並びに（ｂ）酸化剤との組み合わせの強塩基よりなる群から選択される活性クリーニングの組み合わせ（ＡＣＣ）を含む。
本発明の組成物は、多種多様の具体的な配合物中で実施されてもよく、より完全に以下に説明される。
全てのかかる組成物において、組成物の具体的な成分はゼロの下限値を含む重量パーセント範囲を参照して考察され、組成物の様々な具体的な実施形態においてかかる成分が存在し得るか、又は存在しないことは理解され、そして例えば、かかる成分が存在する場合、かかる成分が利用される組成物の総重量を基準として０．０１重量パーセントと同程度の低濃度でそれらが存在し得ることは理解される。
一の態様において、本発明は、次の成分：
０．１重量％〜４０．０重量％の有機第四級アンモニウム塩基と、
０．０１重量％〜５重量％のアルカリ若しくはアルカリ土類金属塩基と、
０重量％〜８０重量％の溶媒及び／又はアミンと、
０重量％〜５重量％の界面活性剤と、
０重量％〜１０重量％のキレート剤／不動態化剤と、
０重量％〜９８重量％の水と
を含むＳＡＲＣ及びフォトレジストを除去するために有用な洗浄組成物に関する。ここでは成分のパーセントは組成物の総重量を基準とする重量パーセントであり、そして組成物のかかる成分の重量パーセントの総計が１００重量％を超過しない。
０．１重量％〜４０．０重量％の有機第四級アンモニウム塩基と、
０．０１重量％〜５重量％のアルカリ若しくはアルカリ土類金属塩基と、
０重量％〜８０重量％の溶媒及び／又はアミンと、
０重量％〜５重量％の界面活性剤と、
０重量％〜１０重量％のキレート剤／不動態化剤と、
０重量％〜９８重量％の水と
を含むＳＡＲＣ及びフォトレジストを除去するために有用な洗浄組成物に関する。ここでは成分のパーセントは組成物の総重量を基準とする重量パーセントであり、そして組成物のかかる成分の重量パーセントの総計が１００重量％を超過しない。
かかる組成物は、活性ならびに不活性成分、例えば安定剤、分散剤、酸化防止剤、浸透剤、補助剤、添加剤、充填剤、賦形剤等を含む追加成分を任意に含んでもよい。
様々な実施形態において、この組成物は、前記有機第四級アンモニウム塩基、アルカリ若しくはアルカリ土類金属塩基、溶媒及び／又はアミン、界面活性剤、キレート剤／不動態化剤及び水成分を様々に含んでなるか、それらよりなるか、又はそれらより本質的になってよい。
１つの具体的な実施形態において、クリーニング組成物は、次の成分：
２重量％〜１５重量％の有機第四級アンモニウム塩基と、
約０．０１重量％〜２重量％のアルカリ若しくはアルカリ土類金属塩基と、
０重量％〜５０重量％の溶媒及び／又はアミンと、
約０．０１重量％〜２重量％の界面活性剤と、
０重量％〜５重量％のキレート剤／不動態化剤と、
４０重量％〜９５重量％の水と
を含む。ここでは成分のパーセントは組成物の総重量を基準とする重量パーセントであり、そして組成物のかかる成分の重量パーセントの総計が１００重量％を超過しない。
２重量％〜１５重量％の有機第四級アンモニウム塩基と、
約０．０１重量％〜２重量％のアルカリ若しくはアルカリ土類金属塩基と、
０重量％〜５０重量％の溶媒及び／又はアミンと、
約０．０１重量％〜２重量％の界面活性剤と、
０重量％〜５重量％のキレート剤／不動態化剤と、
４０重量％〜９５重量％の水と
を含む。ここでは成分のパーセントは組成物の総重量を基準とする重量パーセントであり、そして組成物のかかる成分の重量パーセントの総計が１００重量％を超過しない。
様々な好ましい実施形態において、クリーニング組成物は、以下の配合物Ａ〜Ｇに配合され、ここでは全てのパーセントは配合物の総重量を基準とする重量パーセントである。
配合物Ａ
５．３６％の水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム
０．２８％の水酸化カリウム
３．０％の４−メチルモルホリンＮ−オキシド
０．３０％のポリオキシエチレン（１５０）ジノニルフェニルエーテル
０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール
９１．０％の水
配合物Ｂ
５．３６％の水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム
０．２８％の水酸化カリウム
３．０％の４−メチルモルホリンＮ−オキシド
０．３０％のポリオキシエチレン（１５０）ジノニルフェニルエーテル
０．２０％の５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール
９０．８６％の水
配合物Ｃ
３．６０％の水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム
０．２７％の水酸化カリウム
３．５％の４−メチルモルホリンＮ−オキシド
１５．０％の４−（３−アミノプロピル）モルホリン
０．３０％のポリオキシエチレン（１５０）ジノニルフェニルエーテル
０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール
７７．２５％の水
配合物Ｄ
５．３６％の水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム
０．２８％の水酸化カリウム
２０．０％のジメチルスルホキシド
０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール
７４．２８％の水
配合物Ｅ
５．３６％の水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム
０．２８％の水酸化カリウム
１０．０％のテトラメチレンスルホン
０．３０％のオキシラン、メチル−、オキシランによるポリマー、２．２’−（オキシドイミノ）ビス（エタノール）（２：１）、Ｎ（−３（Ｃ（−１１−イソアルキルオキシ）プロピル）誘導体、Ｃ１０リッチによるエーテル
０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール
８３．９８％の水
配合物Ｆ
５．３６％の水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム
０．２８％の水酸化カリウム
１０．０％のジ（エチレングリコール）ブチルエーテル
１０．０％の２−（２−ジメチルアミノ）エトキシ）エタノール
０．３０％のオキシラン、メチル−、オキシランによるポリマー、２．２’−（オキシドイミノ）ビス（エタノール）（２：１）、Ｎ（−３（Ｃ（−１１−イソアルキルオキシ）プロピル）誘導体、Ｃ１０リッチによるエーテル
７４．０６％の水
配合物Ｇ
５．３６％の水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム
０．２８％の水酸化カリウム
１０．０％のテトラメチレンスルホン
１０．０％のジ（エチレングリコール）ブチルエーテル
０．１０％のオキシラン、メチル−、オキシランによるポリマー、モノ（オクチルフェニル）エーテル
０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール
７４．１８％の水
配合物Ａ
５．３６％の水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム
０．２８％の水酸化カリウム
３．０％の４−メチルモルホリンＮ−オキシド
０．３０％のポリオキシエチレン（１５０）ジノニルフェニルエーテル
０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール
９１．０％の水
配合物Ｂ
５．３６％の水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム
０．２８％の水酸化カリウム
３．０％の４−メチルモルホリンＮ−オキシド
０．３０％のポリオキシエチレン（１５０）ジノニルフェニルエーテル
０．２０％の５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール
９０．８６％の水
配合物Ｃ
３．６０％の水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム
０．２７％の水酸化カリウム
３．５％の４−メチルモルホリンＮ−オキシド
１５．０％の４−（３−アミノプロピル）モルホリン
０．３０％のポリオキシエチレン（１５０）ジノニルフェニルエーテル
０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール
７７．２５％の水
配合物Ｄ
５．３６％の水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム
０．２８％の水酸化カリウム
２０．０％のジメチルスルホキシド
０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール
７４．２８％の水
配合物Ｅ
５．３６％の水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム
０．２８％の水酸化カリウム
１０．０％のテトラメチレンスルホン
０．３０％のオキシラン、メチル−、オキシランによるポリマー、２．２’−（オキシドイミノ）ビス（エタノール）（２：１）、Ｎ（−３（Ｃ（−１１−イソアルキルオキシ）プロピル）誘導体、Ｃ１０リッチによるエーテル
０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール
８３．９８％の水
配合物Ｆ
５．３６％の水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム
０．２８％の水酸化カリウム
１０．０％のジ（エチレングリコール）ブチルエーテル
１０．０％の２−（２−ジメチルアミノ）エトキシ）エタノール
０．３０％のオキシラン、メチル−、オキシランによるポリマー、２．２’−（オキシドイミノ）ビス（エタノール）（２：１）、Ｎ（−３（Ｃ（−１１−イソアルキルオキシ）プロピル）誘導体、Ｃ１０リッチによるエーテル
７４．０６％の水
配合物Ｇ
５．３６％の水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム
０．２８％の水酸化カリウム
１０．０％のテトラメチレンスルホン
１０．０％のジ（エチレングリコール）ブチルエーテル
０．１０％のオキシラン、メチル−、オキシランによるポリマー、モノ（オクチルフェニル）エーテル
０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール
７４．１８％の水
もう１つの態様において、本発明は、コバルト及び銅の相溶性を維持しながら半導体基板及び／又はＳＡＲＣからフォトレジスト及び／又はフォトレジスト残留物を剥離するために有用な洗浄組成物に関する。かかる洗浄組成物は、少なくとも一種の酸化剤、強塩基、任意にキレート剤ならびに任意に共溶媒及び／又は界面活性剤の水溶液を含む。この洗浄組成物は、誘電材料に損傷を引き起こすことなく、そして下地材料の腐食を引き起こすことなく半導体デバイスの上部からフォトレジストを有効に除去する。
塩基成分が水酸化カリウムを含むかかる種類の組成物は、誘電層に悪影響を及ぼすことなく非常に効率的なクリーニングを達成するために特に都合がよい。
一の実施形態において、かかる種類の組成物は、組成物の総重量を基準とする重量パーセントで次の成分：
０．１重量％〜３０重量％の強塩基と、
０．０１重量％〜３０重量％の酸化剤と、
０重量％〜１０重量％のキレート剤と、
０重量％〜５重量％の界面活性剤と、
０重量％〜５０重量％の共溶媒と、
２０重量％〜９８．９重量％の脱イオン水と
を含む。
０．１重量％〜３０重量％の強塩基と、
０．０１重量％〜３０重量％の酸化剤と、
０重量％〜１０重量％のキレート剤と、
０重量％〜５重量％の界面活性剤と、
０重量％〜５０重量％の共溶媒と、
２０重量％〜９８．９重量％の脱イオン水と
を含む。
かかる文脈上で使用される場合、「強塩基」という用語は、水溶液又は部分的水溶液中で分離して実質的に化学量論適量の水酸化物アニオンを生じるカチオン／アニオン塩を意味する。強塩基としては、水酸化カリウム及び水酸化アルキルアンモニウム、例えば水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）、水酸化コリン、水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム等などの塩基が挙げられる。
一の実施形態において、本発明の組成物はヒドロキシルアミンを含まない。
かかる組成物中の酸化剤としては、限定されないが、無機及び／又は有機酸化剤、例えば過酸化水素、有機ペルオキシド、アミン−Ｎ−オキシド、過ホウ酸塩、過硫酸塩並びに前記の二種以上の組み合わせが挙げられる。
かかる組成物中のキレート剤はいずれかの適切な種類のものであり得、限定されないが、トリアゾール、例えば１，２，４−トリアゾール、又はＣ１〜Ｃ８アルキル、アミノ、チオール、メルカプト、イミノ、カルボキシ及びニトロ基などの置換基によって置換されたトリアゾール、例えば、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、５−フェニル−ベンゾトリアゾール、５−ニトロ−ベンゾトリアゾール、３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、１−アミノ−１，２，４−トリアゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、２−（５−アミノ−ペンチル）−ベンゾトリアゾール、１−アミノ−１，２，３−トリアゾール、１−アミノ−５−メチル−１，２，３−トリアゾール、３−アミノ−１，２，４−トリアゾール、３−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、３−イソプロピル−１，２，４−トリアゾール、５−フェニルチオール−ベンゾトリアゾール、ハロ−ベンゾトリアゾール（ハロ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩ）、ナフトトリアゾール等、ならびにチアゾール、テトラゾール、イミダゾール、ホスフェート、チオール及びアジン、例えば２−メルカプトベンゾイミジゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール、２−メルカプトチアゾリン、５−アミノテトラゾール、５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール、２，４−ジアミノ−６−メチル−１，３，５−トリアジン、チアゾール、トリアジン、メチルテトラゾール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，５−ペンタメチレンテトラゾール、１−フェニル−５−メルカプトテトラゾール、ジアミノメチルトリアジン、メルカプトベンゾチアゾール、イミダゾリンチオン、メルカプトベンズイミダゾール、４−メチル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−チオール、５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール、ベンゾチアゾール、トリトリルホスフェート、インジアゾール等が挙げられる。適切なキレート剤種としては、さらにグリセロール、アミノ酸、カルボン酸、アルコール、アミド及びキノリン、例えばグアニン、アデニン、グリセロール、チオグリセロール、ニトリロトリ酢酸、サリチルアミド、イミノ二酢酸、ベンゾグアナミン、メラミン、チオシアヌル酸、アントラニル酸、没食子酸；アスコルビン酸；サリチル酸；８−ヒドロキシキノリン、５−カルボン酸−ベンゾトリアゾール、３−メルカプトプロパノール、ホウ酸、イミノ二酢酸等が挙げられる。組成物と半導体デバイスに使用される金属及び誘電材料との相溶性を増加するために、キレート剤は有効に利用される。
組成物中に利用される界面活性剤はいずれかの適切な種類のものであり得、例えば、非イオン性界面活性剤、例えばフルオロアルキル界面活性剤、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリジエチレン若しくはポリプロピレングリコールエーテル、カルボン酸塩、ドデシルベンゼンスルホン酸若しくはそれらの塩、ポリアクリレートポリマー、ジノニルフェニルポリオキシエチレン若しくは他の置換フェニルポリオキシエチレン、シリコーン若しくは変性シリコーンポリマー、アセチレンジオール若しくは変性アセチレンジオール、アルキルアンモニウム若しくは変性アルキルアンモニウム塩並びに前記の二種以上の組み合わせであり得る。
かかる組成物のための適切な共溶媒種としては、限定されないが、アミン、例えば、ジメチルジグリコールアミン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン、アミノプロピルモルホリン、トリエタノールアミン、メチルエタノールアミン、メチルジエタノールアミン等、又はグリコール、例えば、エチレン若しくはポリジエチレン、プロピレングリコール、ネオペンチルグリコール等、アミン、例えばヒドロキシエチルモルホリン、アミノプロピルモルホリン等、又はグリコールエーテル、例えばジ（エチレングリコール）モノエチルエーテル、ジ（プロピレングリコール）プロピルエーテル、エチレングリコールフェニルエーテル、ジ（プロピレングリコール）ブチルエーテル、ブチルカルビトール等、又はポリグリコールエーテルが挙げられる。
かかる組成物の具体的な実施形態としては以下の配合物Ｈ〜Ｓが挙げられ、ここでは全てのパーセントは配合物の総重量を基準とする重量パーセントである。
配合物Ｈ
水酸化テトラメチルアンモニウム、２５％水溶液 １４．７％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン、７％水溶液 ４．３％
３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール ０．１％
水 ７３．９％
配合物Ｉ
水酸化テトラメチルアンモニウム、２５％水溶液 １４．７％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン、７％水溶液 ４．３％
テトラチオモリブデン酸アンモニウム ０．１％
水 ７３．９％
配合物Ｊ
水酸化テトラメチルアンモニウム、２５％水溶液 １４．７％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン、７％水溶液 ４．３％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．１％
アミノプロピルモルホリン ２０．０％
水 ５３．９％
配合物Ｋ
水酸化テトラメチルアンモニウム、２５％水溶液 １４．７％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン、７％水溶液 ４．３％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．１％
Ｎ−エチルモルホリン ２０．０％
水 ５３．９％
配合物Ｌ
水酸化テトラメチルアンモニウム、２５％水溶液 １４．７％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン、７％水溶液 ４．３％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．１％
アミノエチルピペリジン ２０．０％
水 ５３．９％
配合物Ｍ
水酸化テトラメチルアンモニウム、２５％水溶液 １４．７％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン、７％水溶液 ４．３％
３−アミノ−５−１，２，４−トリアゾール ０．１％
アミノプロピルモルホリン ２０．０％
水 ５３．９％
配合物Ｎ
水酸化テトラメチルアンモニウム、２５％水溶液 １４．７％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン、７％水溶液 ４．３％
３−アミノ−５−１，２，４−トリアゾール ０．１％
アミノプロピルモルホリン １０．０％
水 ６３．９％
配合物Ｏ
水酸化テトラメチルアンモニウム、２５％水溶液 １４．７％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン、７％水溶液 ４．３％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．１％
アミノプロピルモルホリン ２０．０％
水 ５３．９％
配合物Ｐ
水酸化テトラメチルアンモニウム、２５％水溶液 １４．７％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン、７％水溶液 ４．３％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．１％
アミノプロピルモルホリン １０．０％
水 ６３．９％
配合物Ｑ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ９．０％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン、７％水溶液 ４．３％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．１％
アミノプロピルモルホリン ２０．０％
水 ５９．０２％
配合物Ｒ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ９．０％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン、７％水溶液 ４．３％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．１％
アミノプロピルモルホリン １５．０％
水 ６４．０２％
配合物Ｓ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ９．０％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン、７％水溶液 ４．３％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．１％
アミノプロピルモルホリン １０．０％
水 ６９．０２％
配合物Ｈ
水酸化テトラメチルアンモニウム、２５％水溶液 １４．７％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン、７％水溶液 ４．３％
３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール ０．１％
水 ７３．９％
配合物Ｉ
水酸化テトラメチルアンモニウム、２５％水溶液 １４．７％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン、７％水溶液 ４．３％
テトラチオモリブデン酸アンモニウム ０．１％
水 ７３．９％
配合物Ｊ
水酸化テトラメチルアンモニウム、２５％水溶液 １４．７％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン、７％水溶液 ４．３％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．１％
アミノプロピルモルホリン ２０．０％
水 ５３．９％
配合物Ｋ
水酸化テトラメチルアンモニウム、２５％水溶液 １４．７％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン、７％水溶液 ４．３％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．１％
Ｎ−エチルモルホリン ２０．０％
水 ５３．９％
配合物Ｌ
水酸化テトラメチルアンモニウム、２５％水溶液 １４．７％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン、７％水溶液 ４．３％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．１％
アミノエチルピペリジン ２０．０％
水 ５３．９％
配合物Ｍ
水酸化テトラメチルアンモニウム、２５％水溶液 １４．７％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン、７％水溶液 ４．３％
３−アミノ−５−１，２，４−トリアゾール ０．１％
アミノプロピルモルホリン ２０．０％
水 ５３．９％
配合物Ｎ
水酸化テトラメチルアンモニウム、２５％水溶液 １４．７％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン、７％水溶液 ４．３％
３−アミノ−５−１，２，４−トリアゾール ０．１％
アミノプロピルモルホリン １０．０％
水 ６３．９％
配合物Ｏ
水酸化テトラメチルアンモニウム、２５％水溶液 １４．７％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン、７％水溶液 ４．３％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．１％
アミノプロピルモルホリン ２０．０％
水 ５３．９％
配合物Ｐ
水酸化テトラメチルアンモニウム、２５％水溶液 １４．７％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン、７％水溶液 ４．３％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．１％
アミノプロピルモルホリン １０．０％
水 ６３．９％
配合物Ｑ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ９．０％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン、７％水溶液 ４．３％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．１％
アミノプロピルモルホリン ２０．０％
水 ５９．０２％
配合物Ｒ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ９．０％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン、７％水溶液 ４．３％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．１％
アミノプロピルモルホリン １５．０％
水 ６４．０２％
配合物Ｓ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ９．０％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン、７％水溶液 ４．３％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．１％
アミノプロピルモルホリン １０．０％
水 ６９．０２％
もう１つの態様において、本発明は、組成物の総重量を基準とする重量パーセントで次の成分：
０．１重量％〜３０重量％の強塩基と、
２重量％〜３０重量％の酸化剤と、
０重量％〜１０重量％のキレート剤と、
０重量％〜５重量％の界面活性剤と、
０重量％〜５０重量％の共溶媒と、
２０重量％〜９８重量％の脱イオン水と
を含むクリーニング組成物を検討する。
０．１重量％〜３０重量％の強塩基と、
２重量％〜３０重量％の酸化剤と、
０重量％〜１０重量％のキレート剤と、
０重量％〜５重量％の界面活性剤と、
０重量％〜５０重量％の共溶媒と、
２０重量％〜９８重量％の脱イオン水と
を含むクリーニング組成物を検討する。
かかる組成物中の強塩基、酸化剤、キレート剤、共溶媒及び界面活性剤種は、前記で実例として検討されたものと同一であるか、又はそれらに対応するものであってよい。
かかる組成物の具体的な実施形態としては以下の配合物Ｔ、Ｕ、Ｖ、Ｗ、Ｘ、Ｙ、Ｚ、Ａ２、Ｂ２、Ｃ２、Ｄ２、Ｅ２、Ｆ２、Ｇ２、Ｈ２、Ｉ２、Ｊ２、Ｋ２及びＬ２が挙げられ、ここでは全てのパーセントは組成物の総重量を基準とする重量パーセントである。
配合物Ｔ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 １３．４％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン ０．３％
水 ７８．６２％
配合物Ｕ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 １３．４％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
水酸化カリウム、４５％水溶液 １．２％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン ０．３％
水 ７８．０２％
配合物Ｖ
水酸化テトラメチルアンモニウム、２５％水溶液 ５．８５％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
水酸化カリウム、４５％水溶液 １．２％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン ０．３％
水 ８５．５７％
配合物Ｗ
水酸化テトラメチルアンモニウム、２５％水溶液 ２．９３％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
水酸化カリウム、４５％水溶液 １．２％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン ０．３％
水 ８８．４９％
配合物Ｘ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ７．２％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン ０．３％
水 ８４．８２％
配合物Ｙ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ３．６％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
水酸化カリウム、４５％水溶液 １．２％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン ０．３％
水 ８７．８２％
配合物Ｚ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ３．６％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン ０．３％
水 ８８．４２％
配合物Ａ２
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ７．２％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．３％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン ０．３％
水 ８５．１２％
配合物Ｂ２
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ２２．２６％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
メチルジエタノールアミン ２．３３％
リン酸（８６％） １．６９％
３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール １．０％
水 ７２．０４％
配合物Ｃ２
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ２２．２６％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
メチルジエタノールアミン ２．３３％
リン酸（８６％） １．６９％
４−メチル−２−フェニル−イミダゾール １．０％
水 ７２．０４％
配合物Ｄ２
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ２２．２６％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
メチルジエタノールアミン ２．３３％
リン酸（８６％） １．６９％
２−メルカプトチアゾリン １．０％
水 ７２．０４％
配合物Ｅ２
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ２２．２６％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
メチルジエタノールアミン ２．３３％
リン酸（８６％） １．６９％
８−ヒドロキシキノリン １．０％
水 ７２．０４％
配合物Ｆ２
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ２２．２６％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
メチルジエタノールアミン ２．３３％
リン酸（８６％） １．６９％
１−フェニル−２−テトラゾリン−５−チオン １．０％
水 ７２．０４％
配合物Ｇ２
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ２２．２６％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
メチルジエタノールアミン ２．３３％
リン酸（８６％） １．６９％
没食子酸 １．０％
水 ７２．０４％
配合物Ｈ２
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ２２．２６％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
メチルジエタノールアミン ２．３３％
リン酸（８６％） １．６９％
サリチル酸 １．０％
水 ７２．０４％
配合物Ｉ２
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ２２．２６％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
メチルジエタノールアミン ２．３３％
リン酸（８６％） １．６９％
アスコルビン酸 １．０％
水 ７２．０４％
配合物Ｊ２
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ７．２％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
アミノプロピルモルホリン １０％
４−メチル−２−フェニル−イミダゾール １．０％
水 ８１．１２％
配合物Ｋ２
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ７．２％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
アミノプロピルモルホリン １０％
４−メチル−２−フェニル−イミダゾール ０．５％
水 ８１．６２％
配合物Ｌ２
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ７．２％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
アミノプロピルモルホリン １０％
４−メチル−２−フェニル−イミダゾール １．０％
水 ８１．０２％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン ０．１％
コバルト及び銅の相溶性を維持しながら半導体基板からフォトレジスト及び／又はフォトレジスト残留物を剥離するために適切な、本発明の広い範囲内のさらに他の配合物としては配合物Ｍ２、Ｎ２、Ｏ２、Ｐ２、Ｑ２及びＲ２が挙げられ、これらの組成を以下に明らかにする。
配合物Ｍ２
水酸化テトラメチルアンモニウム、２５％水溶液 ４．０％
過酸化水素、３０％水溶液 ２．０％
５−アミノテトラゾール ０．１％
水 ９３．９％
配合物Ｎ２
水酸化テトラメチルアンモニウム、２５％水溶液 ４．０％
過酸化水素、３０％水溶液 ２．０％
２，４−ジアミノ−６−メチル−１，３，５−トリアジン ０．１％
水 ９３．９％
配合物Ｏ２
水酸化テトラメチルアンモニウム、２５％水溶液 ４．０％
過酸化水素、３０％水溶液 ２．０％
５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール ０．１％
水 ９３．９％
配合物Ｐ２
水酸化テトラメチルアンモニウム、２５％水溶液 ４．０％
過酸化水素、３０％水溶液 ２．０％
１，２，４−トリアゾール ０．１％
水 ９３．９％
配合物Ｑ２
水酸化テトラメチルアンモニウム、２５％水溶液 ４．０％
過酸化水素、３０％水溶液 ２．０％
２，４−ジヒドロキシ−６−メチルピリミジン ０．１％
水 ９３．９％
配合物Ｒ２
水酸化テトラメチルアンモニウム、２５％水溶液 ４．０％
過酸化水素、３０％水溶液 ２．０％
８−ヒドロキシキノリン ０．１％
水 ９３．９％
配合物Ｔ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 １３．４％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン ０．３％
水 ７８．６２％
配合物Ｕ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 １３．４％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
水酸化カリウム、４５％水溶液 １．２％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン ０．３％
水 ７８．０２％
配合物Ｖ
水酸化テトラメチルアンモニウム、２５％水溶液 ５．８５％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
水酸化カリウム、４５％水溶液 １．２％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン ０．３％
水 ８５．５７％
配合物Ｗ
水酸化テトラメチルアンモニウム、２５％水溶液 ２．９３％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
水酸化カリウム、４５％水溶液 １．２％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン ０．３％
水 ８８．４９％
配合物Ｘ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ７．２％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン ０．３％
水 ８４．８２％
配合物Ｙ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ３．６％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
水酸化カリウム、４５％水溶液 １．２％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン ０．３％
水 ８７．８２％
配合物Ｚ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ３．６％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン ０．３％
水 ８８．４２％
配合物Ａ２
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ７．２％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．３％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン ０．３％
水 ８５．１２％
配合物Ｂ２
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ２２．２６％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
メチルジエタノールアミン ２．３３％
リン酸（８６％） １．６９％
３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール １．０％
水 ７２．０４％
配合物Ｃ２
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ２２．２６％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
メチルジエタノールアミン ２．３３％
リン酸（８６％） １．６９％
４−メチル−２−フェニル−イミダゾール １．０％
水 ７２．０４％
配合物Ｄ２
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ２２．２６％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
メチルジエタノールアミン ２．３３％
リン酸（８６％） １．６９％
２−メルカプトチアゾリン １．０％
水 ７２．０４％
配合物Ｅ２
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ２２．２６％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
メチルジエタノールアミン ２．３３％
リン酸（８６％） １．６９％
８−ヒドロキシキノリン １．０％
水 ７２．０４％
配合物Ｆ２
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ２２．２６％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
メチルジエタノールアミン ２．３３％
リン酸（８６％） １．６９％
１−フェニル−２−テトラゾリン−５−チオン １．０％
水 ７２．０４％
配合物Ｇ２
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ２２．２６％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
メチルジエタノールアミン ２．３３％
リン酸（８６％） １．６９％
没食子酸 １．０％
水 ７２．０４％
配合物Ｈ２
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ２２．２６％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
メチルジエタノールアミン ２．３３％
リン酸（８６％） １．６９％
サリチル酸 １．０％
水 ７２．０４％
配合物Ｉ２
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ２２．２６％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
メチルジエタノールアミン ２．３３％
リン酸（８６％） １．６９％
アスコルビン酸 １．０％
水 ７２．０４％
配合物Ｊ２
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ７．２％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
アミノプロピルモルホリン １０％
４−メチル−２−フェニル−イミダゾール １．０％
水 ８１．１２％
配合物Ｋ２
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ７．２％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
アミノプロピルモルホリン １０％
４−メチル−２−フェニル−イミダゾール ０．５％
水 ８１．６２％
配合物Ｌ２
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ７．２％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
アミノプロピルモルホリン １０％
４−メチル−２−フェニル−イミダゾール １．０％
水 ８１．０２％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン ０．１％
コバルト及び銅の相溶性を維持しながら半導体基板からフォトレジスト及び／又はフォトレジスト残留物を剥離するために適切な、本発明の広い範囲内のさらに他の配合物としては配合物Ｍ２、Ｎ２、Ｏ２、Ｐ２、Ｑ２及びＲ２が挙げられ、これらの組成を以下に明らかにする。
配合物Ｍ２
水酸化テトラメチルアンモニウム、２５％水溶液 ４．０％
過酸化水素、３０％水溶液 ２．０％
５−アミノテトラゾール ０．１％
水 ９３．９％
配合物Ｎ２
水酸化テトラメチルアンモニウム、２５％水溶液 ４．０％
過酸化水素、３０％水溶液 ２．０％
２，４−ジアミノ−６−メチル−１，３，５−トリアジン ０．１％
水 ９３．９％
配合物Ｏ２
水酸化テトラメチルアンモニウム、２５％水溶液 ４．０％
過酸化水素、３０％水溶液 ２．０％
５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール ０．１％
水 ９３．９％
配合物Ｐ２
水酸化テトラメチルアンモニウム、２５％水溶液 ４．０％
過酸化水素、３０％水溶液 ２．０％
１，２，４−トリアゾール ０．１％
水 ９３．９％
配合物Ｑ２
水酸化テトラメチルアンモニウム、２５％水溶液 ４．０％
過酸化水素、３０％水溶液 ２．０％
２，４−ジヒドロキシ−６−メチルピリミジン ０．１％
水 ９３．９％
配合物Ｒ２
水酸化テトラメチルアンモニウム、２５％水溶液 ４．０％
過酸化水素、３０％水溶液 ２．０％
８−ヒドロキシキノリン ０．１％
水 ９３．９％
各成分を単純に添加して均一条件まで混合することによって、本発明のクリーニング組成物は容易に配合される。
洗浄用途において、洗浄される材料に洗浄組成物をいずれかの適切な様式で、例えば洗浄される材料表面上での洗浄組成物の噴霧によって、洗浄される材料を含む材料又は物品の（洗浄組成物の容積中での）浸漬によって、洗浄される材料又は物品と、洗浄組成物で飽和されているもう１つの材料、例えばパッド若しくは繊維状吸着剤アプリケーター素子との接触によって、あるいは洗浄組成物が洗浄される材料と洗浄接触に導かれるいずれかの他の適切な手段、様式又は技術によって適用する。
半導体の製造操作に適用されるように、本発明の洗浄組成物は、フォトレジスト及び／又はＳＡＲＣ材料が付着した基板及び半導体デバイス構造からかかる材料を除去するために有効に利用される。
本発明の組成物は、かかるフォトレジスト及び／又はＳＡＲＣ材料に対するそれらの選択性によって、半導体基板上に存在してクリーニング組成物に暴露される他材料、例えばＩＬＤ構造、金属化、バリア層等に関係して、非常に有効な様式でフォトレジスト及び／又はＳＡＲＣ材料の除去を達成する。
その上にフォトレジスト及び／又はＳＡＲＣ材料を有する半導体基板からそれらを除去するための本発明の組成物の使用において、典型的に約１０分〜約４５分の時間、約５０℃〜約８０℃の範囲の温度でクリーニング組成物を基板と接触させる。かかる接触時間及び温度は実例であって、本発明の広い実施範囲内で基板からフォトレジスト及び／又はＳＡＲＣ材料を少なくとも部分的に除去するために有効であるいずれかの他の適切な時間及び温度条件が利用されてもよい。
所望のクリーニング作用達成後、本発明の組成物の所定の最終用途において望ましく有効であるように、例えば、すすぎ、洗浄又は他の除去工程によってクリーニング組成物はそれが以前に適用された基板又は物品から容易に除去される。
本発明の特徴及び利点は以下の非限定的な実施例によってより完全に説明されるが、ここでは特記されない限り全ての部及びパーセントは重量によるものである。
[実施例]
[実施例]
実施例１
上述した通り、各組成を有する配合物Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ及びＧの試料を調製した。
上述した通り、各組成を有する配合物Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ及びＧの試料を調製した。
基板上での銅金属化において低エッチング作用を維持しながら、その上にコーティングされたフォトレジスト及びＳＡＲＣを含有する基板からのそれらの除去に関するこれらの配合物の有効性について、特定の配合物のクリーニング組成物を６分〜１５分間、６０℃〜７０℃の温度で基板と接触させて、続いて基板を脱イオン水ですすぐことによって、対応する試験で評価した。この基板は、パターン化されたフォトレジストの下にパターン化された有機シリケート誘電及びＳＡＲＣ構造を含有するケイ素ウエハ上のポストエッチング構造であった。フォトレジストは標準的な市販品として入手可能な、１９３ｎｍ又は２４８ｎｍリソグラフィーに対する化学増幅型レジストである。ＳＡＲＣ材料は、リソグラフィーに使用される周波数で光を強く吸収する染料材料を組み入れた市販品として入手可能なスピンオンポリシロキサン材料層よりなった。
かかる接触及びすすぎ工程に続いて、フォトレジストの除去パーセント、ＳＡＲＣの除去パーセント及び１分あたりオングストローム（Å／分）での銅のエッチング速度を決定した。対応するデータを以下の表１に示す。
実施例２
上述した通り、各組成を有する配合物Ｈ、Ｉ、Ｊ、Ｋ、Ｌ、Ｍ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｑ、Ｒ及びＳの試料を調製した。
上述した通り、各組成を有する配合物Ｈ、Ｉ、Ｊ、Ｋ、Ｌ、Ｍ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｑ、Ｒ及びＳの試料を調製した。
基板上での銅及びコバルトにおいて低エッチング作用を維持しながら、その上にフォトレジスト、銅及びコバルト金属を有する半導体基板からのフォトレジスト残留物の除去に関するこれらの配合物の有効性について、特定の配合物のクリーニング組成物を６０℃〜７０℃の温度で基板と接触させて、続いて基板を脱イオン水ですすぐことによって、対応する試験で評価した。この基板は、パターン化されたフォトレジストの下にパターン化された有機シリケート誘電及びＳＡＲＣ構造を含有するケイ素ウエハ上のポストエッチング構造であった。フォトレジストは標準的な市販品として入手可能な、１９３ｎｍ又は２４８ｎｍリソグラフィーに対する化学増幅型レジストである。実質的なクリーニングとは、光学顕微鏡によって決定されるように半導体デバイスからのフォトレジストの除去が８０％より高いものとして定義される。
データを以下の表２に示す。
実施例３
上述した通り、各組成を有する配合物Ｔ、Ｕ、Ｖ、Ｗ、Ｘ、Ｙ、Ｚ、Ａ２、Ｂ２、Ｃ２、Ｄ２、Ｅ２、Ｆ２、Ｇ２、Ｈ２、Ｉ２、Ｊ２、Ｋ２及びＬ２の試料を調製した。
上述した通り、各組成を有する配合物Ｔ、Ｕ、Ｖ、Ｗ、Ｘ、Ｙ、Ｚ、Ａ２、Ｂ２、Ｃ２、Ｄ２、Ｅ２、Ｆ２、Ｇ２、Ｈ２、Ｉ２、Ｊ２、Ｋ２及びＬ２の試料を調製した。
その上にフォトレジストを有する半導体基板からのフォトレジスト残留物の除去に関するこれらの配合物の有効性について、特定の配合物の洗浄組成物を１２分間７０℃の温度で基板と接触させて、続いて基板を脱イオン水ですすぐことによって、対応する試験で評価した。この基板は、パターン化されたフォトレジストの下にパターン化された有機シリケート誘電及びＳＡＲＣ構造を含有するケイ素ウエハ上のポストエッチング構造であった。フォトレジストは標準的な市販品として入手可能な、１９３ｎｍ又は２４８ｎｍリソグラフィーに対する化学増幅型レジストである。実質的なクリーニングとは、光学顕微鏡によって決定されるように半導体デバイスからのフォトレジストの除去が８０％より高いものとして定義される。
データを以下の表３に示す。
実施例４
上述した通り、各組成を有する配合物Ｍ２、Ｎ２、Ｏ２、Ｐ２、Ｑ２及びＲ２の試料を調製した。
上述した通り、各組成を有する配合物Ｍ２、Ｎ２、Ｏ２、Ｐ２、Ｑ２及びＲ２の試料を調製した。
基板上での銅及びコバルトにおいて低エッチング作用を維持しながら、その上にフォトレジスト、銅及びコバルト金属を有する半導体基板からのフォトレジスト残留物の除去に関するこれらの配合物の有効性について、特定の配合物のクリーニング組成物を７０℃で基板と接触させて、続いて基板を脱イオン水ですすぐことによって、対応する試験で評価した。この基板は、パターン化されたフォトレジストの下にパターン化された有機シリケート誘電及びＳＡＲＣ構造を含有するケイ素ウエハ上のポストエッチング構造であった。フォトレジストは標準的な市販品として入手可能な、１９３ｎｍ又は２４８ｎｍリソグラフィーに対する化学増幅型レジストである。実質的なクリーニングとは、光学顕微鏡によって決定されるように半導体デバイスからのフォトレジストの除去が８０％より高いものとして定義される。
データを以下の表５に示す。
前記実施例は、本発明の洗浄組成物が、その上にコーティングされたフォトレジスト及び／又はＳＡＲＣを有する半導体基板からのそれらの除去に関して有用であることを論証する。さらに、基板上の金属化、例えば銅、アルミニウム及びコバルト合金に悪影響がない状態で、かかる組成物を利用することができる。
さらに本発明の洗浄組成物は適切な溶媒系、例えば、かかる組成物に低毒性及び低可燃性特徴を付与する水性及び半水性溶媒系によって容易に配合される。
従って、本発明の洗浄組成物は、集積回路デバイスの製造時のフォトレジスト及び／又はＳＡＲＣ材料の除去の分野において、実質的な進歩を達成する。
実例となる実施形態及び特徴を参照しながら、本発明は本明細書に様々に開示されているが、前記された実施形態及び特徴には本発明を限定する意図はなく、そして当業者は本明細書の開示に基づいて他の変更、修正及び他の実施形態を発想するであろうことが認識される。従って、本発明は、請求の範囲に明らかにされた趣旨及び範囲内の変更、修正及び別の実施形態を全て包括するものとして広範囲に解釈される。
Claims (24)
- 少なくとも一種のアルカリ及びアルカリ土類金属塩基との組み合わせの第四級アンモニウム塩基を含む洗浄組成物であって、
フォトレジスト及び／又は犠牲反射防止膜（ＳＡＲＣ）材料を有する基板からかかる材料を除去するために有用な洗浄組成物。 - ヒドロキシルアミンを含まない、請求項１に記載の洗浄組成物。
- 次の成分：
０．１重量％〜４０．０重量％の有機第四級アンモニウム塩基と；
０．０１重量％〜５重量％のアルカリ若しくはアルカリ土類塩基と；
０重量％〜８０重量％の溶媒及び／又はアミンと；
０重量％〜５重量％の界面活性剤と；
０重量％〜１０重量％のキレート剤／不動態化剤と；
０重量％〜９８重量％の水と
を含み、ここでは成分のパーセントは組成物の総重量を基準とする重量パーセントであり、組成物のかかる成分の重量パーセントの総計が１００重量％を超過しない、請求項１に記載の洗浄組成物。 - 配合物Ａ〜Ｃ２：
配合物Ａ
５．３６％の水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム
０．２８％の水酸化カリウム
３．０％の４−メチルモルホリンＮ−オキシド
０．３０％のポリオキシエチレン（１５０）ジノニルフェニルエーテル
０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール
９１．０％の水
配合物Ｂ
５．３６％の水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム
０．２８％の水酸化カリウム
３．０％の４−メチルモルホリンＮ−オキシド
０．３０％のポリオキシエチレン（１５０）ジノニルフェニルエーテル
０．２０％の５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール
９０．８６％の水
配合物Ｃ
３．６０％の水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム
０．２７％の水酸化カリウム
３．５％の４−メチルモルホリンＮ−オキシド
１５．０％の４−（３−アミノプロピル）モルホリン
０．３０％のポリオキシエチレン（１５０）ジノニルフェニルエーテル
０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール
７７．２５％の水
配合物Ｄ
５．３６％の水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム
０．２８％の水酸化カリウム
２０．０％のジメチルスルホキシド
０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール
７４．２８％の水
配合物Ｅ
５．３６％の水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム
０．２８％の水酸化カリウム
１０．０％のテトラメチレンスルホン
０．３０％のオキシラン、メチル−、オキシランによるポリマー、２，２’−（オキシドイミノ）ビス（エタノール）（２：１）、Ｎ（−３（Ｃ９−１１−イソアルキルオキシ）プロピル）誘導体、Ｃ１０リッチによるエーテル
０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール
８３．９８％の水
配合物Ｆ
５．３６％の水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム
０．２８％の水酸化カリウム
１０．０％のジ（エチレングリコール）ブチルエーテル
１０．０％の２−（２−ジメチルアミノ）エトキシ）エタノール
０．３０％のオキシラン、メチル−、オキシランによるポリマー、２，２’−（オキシドイミノ）ビス（エタノール）（２：１）、Ｎ（−３（Ｃ９−１１−イソアルキルオキシ）プロピル）誘導体、Ｃ１０リッチによるエーテル
７４．０６％の水
配合物Ｇ
５．３６％の水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム
０．２８％の水酸化カリウム
１０．０％のテトラメチレンスルホン
１０．０％のジ（エチレングリコール）ブチルエーテル
０．１０％のオキシラン、メチル−、オキシランによるポリマー、モノ（オクチルフェニル）エーテル
０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール
７４．１８％の水
配合物Ｈ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ９．０％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ジノニルフェノールエトキシレート、７％水溶液 ４．３％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．１％
アミノプロピルモルホリン ２０．０％
水 ５９．０２％
配合物Ｉ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ９．０％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ジノニルフェノールエトキシレート、７％水溶液 ４．３％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．１％
アミノプロピルモルホリン １５．０％
水 ６４．０２％
配合物Ｊ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ９．０％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ジノニルフェノールエトキシレート、７％水溶液 ４．３％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．１％
アミノプロピルモルホリン １０．０％
水 ６９．０２％
配合物Ｋ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 １３．４％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ＫＯＨ、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミジゾール ０．０８％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン ０．３％
水 ７８．６２％
配合物Ｌ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 １３．４％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ＫＯＨ、４５％水溶液 １．２％
２−メルカプトベンズイミジゾール ０．０８％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン ０．３％
水 ７８．０２％
配合物Ｍ
水酸化テトラメチルアンモニウム、２５％水溶液 ５．８５％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ＫＯＨ、４５％水溶液 １．２％
２−メルカプトベンズイミジゾール ０．０８％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン ０．３％
水 ８５．５７％
配合物Ｎ
水酸化テトラメチルアンモニウム、２５％水溶液 ２．９３％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ＫＯＨ、４５％水溶液 １．２％
２−メルカプトベンズイミジゾール ０．０８％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン ０．３％
水 ８８．４９％
配合物Ｏ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ７．２％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ＫＯＨ、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミジゾール ０．０８％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン ０．３％
水 ８４．８２％
配合物Ｐ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ３．６％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ＫＯＨ、４５％水溶液 １．２％
２−メルカプトベンズイミジゾール ０．０８％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン ０．３％
水 ８７．８２％
配合物Ｑ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ３．６％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ＫＯＨ、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミジゾール ０．０８％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン ０．３％
水 ８８．４２％
配合物Ｒ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ７．２％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ＫＯＨ、４５％水溶液 ０．３％
２−メルカプトベンズイミジゾール ０．０８％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン ０．３％
水 ８５．１２％
配合物Ｓ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ２２．２６％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
メチルジエタノールアミン ２．３３％
リン酸（８６％） １．６９％
３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール １．０％
水 ７２．０４％
配合物Ｔ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ２２．２６％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
メチルジエタノールアミン ２．３３％
リン酸（８６％） １．６９％
４−メチル−２−フェニル−イミダゾール １．０％
水 ７２．０４％
配合物Ｕ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ２２．２６％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
メチルジエタノールアミン ２．３３％
リン酸（８６％） １．６９％
２−メルカプトチアゾリン １．０％
水 ７２．０４％
配合物Ｖ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ２２．２６％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
メチルジエタノールアミン ２．３３％
リン酸（８６％） １．６９％
８−ヒドロキシキノリン １．０％
水 ７２．０４％
配合物Ｗ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ２２．２６％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
メチルジエタノールアミン ２．３３％
リン酸（８６％） １．６９％
１−フェニル−２−テトラゾリン−５−チオン １．０％
水 ７２．０４％
配合物Ｘ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ２２．２６％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
メチルジエタノールアミン ２．３３％
リン酸（８６％） １．６９％
没食子酸 １．０％
水 ７２．０４％
配合物Ｙ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ２２．２６％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
メチルジエタノールアミン ２．３３％
リン酸（８６％） １．６９％
サリチル酸 １．０％
水 ７２．０４％
配合物Ｚ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ２２．２６％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
メチルジエタノールアミン ２．３３％
リン酸（８６％） １．６９％
アスコルビン酸 １．０％
水 ７２．０４％
配合物Ａ２
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ７．２％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
アミノプロピルモルホリン １０％
４−メチル−２−フェニル−イミダゾール １．０％
水 ８１．１２％
配合物Ｂ２
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ７．２％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
アミノプロピルモルホリン １０％
４−メチル−２−フェニル−イミダゾール ０．５％
水 ８１．６２％
配合物Ｃ２
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ７．２％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
アミノプロピルモルホリン １０％
４−メチル−２−フェニル−イミダゾール １．０％
水 ８１．０２％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン ０．１％
よりなる群から選択され、ここでは全てのパーセントは配合物の総重量を基準とする重量パーセントである、請求項１に記載の洗浄組成物。 - 前記組成物が、水酸化カリウムを含む、請求項１に記載の洗浄組成物。
- キレート剤、界面活性剤、共溶媒及びそれらの組み合わせよりなる群から選択される種をさらに含む、請求項１に記載の洗浄組成物。
- 前記キレート剤が、トリアゾール；Ｃ１〜Ｃ８アルキル、アミノ、チオール、メルカプト、イミノ、カルボキシ及びニトロよりなる群から選択される置換基によって置換されたトリアゾール；チアゾール；テトラゾール；イミダゾール；ホスフェート；チオール；アジン；グリセロール；アミノ酸；カルボン酸；アルコール；アミド；並びにキノリンよりなる群から選択されるキレート剤種を含み；
前記界面活性剤が、フルオロアルキル界面活性剤；ポリエチレングリコール；ポリプロピレングリコール；ポリエチレングリコールエーテル；ポリプロピレングリコールエーテル；カルボン酸塩；ドデシルベンゼンスルホン酸及びそれらの塩；ポリアクリレートポリマー；ジノニルフェニルポリオキシエチレン；シリコーンポリマー；変性シリコーンポリマー；アセチレンジオール；変性アセチレンジオール、アルキルアンモニウム塩；変性アルキルアンモニウム塩；並びに前記の二種以上の組み合わせよりなる群から選択される界面活性剤種を含み；
前記共溶媒が、アミン；グリコール；グリコールエーテル；ポリグリコールエーテル；および前記の二種以上の組み合わせよりなる群から選択される共溶媒種を含む、請求項６に記載の洗浄組成物。 - 前記キレート剤が、１，２，４−トリアゾール；ベンゾトリアゾール；トリルトリアゾール；５−フェニル−ベンゾトリアゾール；５−ニトロ−ベンゾトリアゾール；４−メチル−２−フェニルイミダゾール；２−メルカプトチアゾリン；１−アミノ−１，２，４−トリアゾール；ヒドロキシベンゾトリアゾール；２−（５−アミノ−ペンチル）−ベンゾトリアゾール；１−アミノ−１，２，３−トリアゾール；１−アミノ−５−メチル−１，２，３−トリアゾール；３−アミノ−１，２，４−トリアゾール；３−メルカプト−１，２，４−トリアゾール；３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、３−イソプロピル−１，２，４−トリアゾール；５−フェニルチオール−ベンゾトリアゾール；ハロがＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩよりなる群から選択されるハロ−ベンゾトリアゾール；ナフトトリアゾール；２−メルカプトベンゾイミジゾール；２−メルカプトベンゾチアゾール；５−アミノテトラゾール；５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール；２，４−ジアミノ−６−メチル−１，３，５−トリアジン；チアゾール；トリアジン；メチルテトラゾール；１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン；１，５−ペンタメチレンテトラゾール；１−フェニル−５−メルカプトテトラゾール；ジアミノメチルトリアジン；メルカプトベンゾチアゾール；イミダゾリンチオン；メルカプトベンズイミダゾール；４−メチル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−チオール；５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール；ベンゾチアゾール；トリトリルホスフェート；インジアゾール；グアニン；アデニン；グリセロール；チオグリセロール；ニトリロトリ酢酸；サリチルアミド；イミノ二酢酸；ベンゾグアナミン；メラミン；チオシアヌル酸；アントラニル酸；没食子酸；アスコルビン酸；サリチル酸；８−ヒドロキシキノリン；５−カルボン酸−ベンゾトリアゾール；３−メルカプトプロパノール；ホウ酸；並びにイミノ二酢酸よりなる群から選択されるキレート剤種を含み；
前記共溶媒が、ジメチルジグリコールアミン；１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン；アミノプロピルモルホリン；トリエタノールアミン；メチルエタノールアミン；ジエチレングリコール；プロピレングリコール；ネオペンチルグリコール；ヒドロキシエチルモルホリン；アミノプロピルモルホリン；ジ（エチレングリコール）モノエチルエーテル；ジ（プロピレングリコール）プロピルエーテル；エチレングリコールフェニルエーテル；ジ（プロピレングリコール）ブチルエーテル；ブチルカルビトール；ポリグリコールエーテル；及び前記の二種以上の組み合わせよりなる群から選択される共溶媒種を含む、請求項７に記載の洗浄組成物。 - その上にフォトレジスト及び／又は犠牲反射防止膜（ＳＡＲＣ）材料を有する基板から前記材料を除去する方法であって、
少なくとも一種のアルカリ及びアルカリ土類金属塩基との組み合わせの第四級アンモニウム塩基を含む洗浄組成物と基板を十分な時間で接触させて、基板から前記材料を少なくとも部分的に除去する工程を含む、方法。 - 前記基板が、半導体デバイス構造を含む、請求項９に記載の方法。
- 前記接触工程が、約１０分〜約４５分の時間；約５０℃〜約８０℃の範囲の温度；及びそれらの組み合わせよりなる群から選択される条件で実行される、請求項９に記載の方法。
- 組成物が次の成分：
０．１重量％〜４０．０重量％の有機第四級アンモニウム塩基と；
０．０１重量％〜５重量％のアルカリ若しくはアルカリ土類塩基と；
０重量％〜８０重量％の溶媒及び／又はアミンと；
０重量％〜５重量％の界面活性剤と；
０重量％〜１０重量％のキレート剤／不動態化剤と；
０重量％〜９８重量％の水と
を含み、ここでは成分のパーセントは組成物の総重量を基準とする重量パーセントであり、組成物のかかる成分の重量パーセントの総計が１００重量％を超過しない、請求項９に記載の方法。 - 前記洗浄組成物が配合物Ａ〜Ｃ２：
配合物Ａ
５．３６％の水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム
０．２８％の水酸化カリウム
３．０％の４−メチルモルホリンＮ−オキシド
０．３０％のポリオキシエチレン（１５０）ジノニルフェニルエーテル
０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール
９１．０％の水
配合物Ｂ
５．３６％の水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム
０．２８％の水酸化カリウム
３．０％の４−メチルモルホリンＮ−オキシド
０．３０％のポリオキシエチレン（１５０）ジノニルフェニルエーテル
０．２０％の５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール
９０．８６％の水
配合物Ｃ
３．６０％の水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム
０．２７％の水酸化カリウム
３．５％の４−メチルモルホリンＮ−オキシド
１５．０％の４−（３−アミノプロピル）モルホリン
０．３０％のポリオキシエチレン（１５０）ジノニルフェニルエーテル
０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール
７７．２５％の水
配合物Ｄ
５．３６％の水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム
０．２８％の水酸化カリウム
２０．０％のジメチルスルホキシド
０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール
７４．２８％の水
配合物Ｅ
５．３６％の水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム
０．２８％の水酸化カリウム
１０．０％のテトラメチレンスルホン
０．３０％のオキシラン、メチル−、オキシランによるポリマー、２，２’−（オキシドイミノ）ビス（エタノール）（２：１）、Ｎ（−３（Ｃ９−１１−イソアルキルオキシ）プロピル）誘導体、Ｃ１０リッチによるエーテル
０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール
８３．９８％の水
配合物Ｆ
５．３６％の水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム
０．２８％の水酸化カリウム
１０．０％のジ（エチレングリコール）ブチルエーテル
１０．０％の２−（２−ジメチルアミノ）エトキシ）エタノール
０．３０％のオキシラン、メチル−、オキシランによるポリマー、２，２’−（オキシドイミノ）ビス（エタノール）（２：１）、Ｎ（−３（Ｃ９−１１−イソアルキルオキシ）プロピル）誘導体、Ｃ１０リッチによるエーテル
７４．０６％の水
配合物Ｇ
５．３６％の水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム
０．２８％の水酸化カリウム
１０．０％のテトラメチレンスルホン
１０．０％のジ（エチレングリコール）ブチルエーテル
０．１０％のオキシラン、メチル−、オキシランによるポリマー、モノ（オクチルフェニル）エーテル
０．０８％の２−メルカプトベンズイミダゾール
７４．１８％の水
配合物Ｈ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ９．０％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ジノニルフェノールエトキシレート、７％水溶液 ４．３％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．１％
アミノプロピルモルホリン ２０．０％
水 ５９．０２％
配合物Ｉ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ９．０％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ジノニルフェノールエトキシレート、７％水溶液 ４．３％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．１％
アミノプロピルモルホリン １５．０％
水 ６４．０２％
配合物Ｊ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ９．０％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ジノニルフェノールエトキシレート、７％水溶液 ４．３％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．１％
アミノプロピルモルホリン １０．０％
水 ６９．０２％
配合物Ｋ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 １３．４％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ＫＯＨ、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミジゾール ０．０８％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン ０．３％
水 ７８．６２％
配合物Ｌ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 １３．４％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ＫＯＨ、４５％水溶液 １．２％
２−メルカプトベンズイミジゾール ０．０８％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン ０．３％
水 ７８．０２％
配合物Ｍ
水酸化テトラメチルアンモニウム、２５％水溶液 ５．８５％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ＫＯＨ、４５％水溶液 １．２％
２−メルカプトベンズイミジゾール ０．０８％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン ０．３％
水 ８５．５７％
配合物Ｎ
水酸化テトラメチルアンモニウム、２５％水溶液 ２．９３％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ＫＯＨ、４５％水溶液 １．２％
２−メルカプトベンズイミジゾール ０．０８％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン ０．３％
水 ８８．４９％
配合物Ｏ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ７．２％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ＫＯＨ、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミジゾール ０．０８％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン ０．３％
水 ８４．８２％
配合物Ｐ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ３．６％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ＫＯＨ、４５％水溶液 １．２％
２−メルカプトベンズイミジゾール ０．０８％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン ０．３％
水 ８７．８２％
配合物Ｑ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ３．６％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ＫＯＨ、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミジゾール ０．０８％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン ０．３％
水 ８８．４２％
配合物Ｒ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ７．２％
Ｎ−メチルモルホリンオキシド、５０％水溶液 ７．０％
ＫＯＨ、４５％水溶液 ０．３％
２−メルカプトベンズイミジゾール ０．０８％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン ０．３％
水 ８５．１２％
配合物Ｓ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ２２．２６％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
メチルジエタノールアミン ２．３３％
リン酸（８６％） １．６９％
３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール １．０％
水 ７２．０４％
配合物Ｔ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ２２．２６％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
メチルジエタノールアミン ２．３３％
リン酸（８６％） １．６９％
４−メチル−２−フェニル−イミダゾール １．０％
水 ７２．０４％
配合物Ｕ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ２２．２６％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
メチルジエタノールアミン ２．３３％
リン酸（８６％） １．６９％
２−メルカプトチアゾリン １．０％
水 ７２．０４％
配合物Ｖ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ２２．２６％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
メチルジエタノールアミン ２．３３％
リン酸（８６％） １．６９％
８−ヒドロキシキノリン １．０％
水 ７２．０４％
配合物Ｗ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ２２．２６％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
メチルジエタノールアミン ２．３３％
リン酸（８６％） １．６９％
１−フェニル−２−テトラゾリン−５−チオン １．０％
水 ７２．０４％
配合物Ｘ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ２２．２６％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
メチルジエタノールアミン ２．３３％
リン酸（８６％） １．６９％
没食子酸 １．０％
水 ７２．０４％
配合物Ｙ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ２２．２６％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
メチルジエタノールアミン ２．３３％
リン酸（８６％） １．６９％
サリチル酸 １．０％
水 ７２．０４％
配合物Ｚ
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ２２．２６％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
メチルジエタノールアミン ２．３３％
リン酸（８６％） １．６９％
アスコルビン酸 １．０％
水 ７２．０４％
配合物Ａ２
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ７．２％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
アミノプロピルモルホリン １０％
４−メチル−２−フェニル−イミダゾール １．０％
水 ８１．１２％
配合物Ｂ２
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ７．２％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
アミノプロピルモルホリン １０％
４−メチル−２−フェニル−イミダゾール ０．５％
水 ８１．６２％
配合物Ｃ２
水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、４０％水溶液 ７．２％
水酸化カリウム、４５％水溶液 ０．６％
２−メルカプトベンズイミダゾール ０．０８％
アミノプロピルモルホリン １０％
４−メチル−２−フェニル−イミダゾール １．０％
水 ８１．０２％
ジノニルフェノールポリオキシエチレン ０．１％
よりなる群から選択され、ここでは全てのパーセントは配合物の総重量を基準とする重量パーセントである、請求項９に記載の方法。 - 前記組成物が、水酸化カリウムを含む、請求項９に記載の方法。
- 前記洗浄組成物が、キレート剤、界面活性剤、共溶媒及びそれらの組み合わせよりなる群から選択される種をさらに含む、請求項９に記載の方法。
- 前記キレート剤が、トリアゾール；Ｃ１〜Ｃ８アルキル、アミノ、チオール、メルカプト、イミノ、カルボキシ及びニトロよりなる群から選択される置換基によって置換されたトリアゾール；チアゾール；テトラゾール；イミダゾール；ホスフェート；チオール；アジン；グリセロール；アミノ酸；カルボン酸；アルコール；アミド；並びにキノリンよりなる群から選択されるキレート剤種を含み；
前記界面活性剤が、フルオロアルキル界面活性剤；ポリエチレングリコール；ポリプロピレングリコール；ポリエチレングリコールエーテル；ポリプロピレングリコールエーテル；カルボン酸塩；ドデシルベンゼンスルホン酸及びそれらの塩；ポリアクリレートポリマー；ジノニルフェニルポリオキシエチレン；シリコーンポリマー；変性シリコーンポリマー；アセチレンジオール；変性アセチレンジオール、アルキルアンモニウム塩；変性アルキルアンモニウム塩；並びに前記の二種以上の組み合わせよりなる群から選択される界面活性剤種を含み；
前記共溶媒が、アミン；グリコール；グリコールエーテル；ポリグリコールエーテル；及び前記の二種以上の組み合わせよりなる群から選択される共溶媒種を含む、請求項１５に記載の方法。 - 前記キレート剤が、１，２，４−トリアゾール；ベンゾトリアゾール；トリルトリアゾール；５−フェニル−ベンゾトリアゾール；５−ニトロ−ベンゾトリアゾール；１−アミノ−１，２，４−トリアゾール；ヒドロキシベンゾトリアゾール；２−（５−アミノ−ペンチル）−ベンゾトリアゾール；１−アミノ−１，２，３−トリアゾール；４−メチル−２フェニルイミダゾール；２−メルカプトチアゾリン；１−アミノ−５−メチル−１，２，３−トリアゾール；３−アミノ−１，２，４−トリアゾール；３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、３−メルカプト−１，２，４−トリアゾール；３−イソプロピル−１，２，４−トリアゾール；５−フェニルチオール−ベンゾトリアゾール；ハロがＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩよりなる群から選択されるハロ−ベンゾトリアゾール；ナフトトリアゾール；２−メルカプトベンゾイミジゾール；２−メルカプトベンゾチアゾール；５−アミノテトラゾール；５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール；２，４−ジアミノ−６−メチル−１，３，５−トリアジン；チアゾール；トリアジン；メチルテトラゾール；１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン；１，５−ペンタメチレンテトラゾール；１−フェニル−５−メルカプトテトラゾール；ジアミノメチルトリアジン；メルカプトベンゾチアゾール；イミダゾリンチオン；メルカプトベンズイミダゾール；４−メチル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−チオール；５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール；ベンゾチアゾール；トリトリルホスフェート；インジアゾール；グアニン；アデニン；グリセロール；チオグリセロール；ニトリロトリ酢酸；サリチルアミド；イミノ二酢酸；ベンゾグアナミン；メラミン；チオシアヌル酸；アントラニル酸；没食子酸；アスコルビン酸；サリチル酸；８−ヒドロキシキノリン；５−カルボン酸−ベンゾトリアゾール；３−メルカプトプロパノール；ホウ酸；並びにイミノ二酢酸よりなる群から選択されるキレート剤種を含み；
前記共溶媒が、ジメチルジグリコールアミン；１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン；メチルジエタノールアミン；アミノプロピルモルホリン；トリエタノールアミン；メチルエタノールアミン；ジエチレングリコール；プロピレングリコール；ネオペンチルグリコール；ヒドロキシエチルモルホリン；アミノプロピルモルホリン；ジ（エチレングリコール）モノエチルエーテル；ジ（プロピレングリコール）プロピルエーテル；エチレングリコールフェニルエーテル；ジ（プロピレングリコール）ブチルエーテル；ブチルカルビトール；ポリグリコールエーテル；及び前記の二種以上の組み合わせよりなる群から選択される共溶媒種を含む、請求項１６に記載の方法。 - 前記第四級アンモニウム塩基が、有機第四級アンモニウム塩基を含む、請求項１に記載の洗浄組成物。
- 前記ＡＣＣが、水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム及び水酸化カリウムを含む、請求項１に記載の洗浄組成物。
- 前記共溶媒が、グリコールエーテルを含む、請求項６に記載の洗浄組成物。
- 水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム；水酸化カリウム；テトラメチレンスルホン；ジ（エチレングリコール）ブチルエーテル；オキシラン、メチル−、オキシランによるポリマー、モノ（オクチルフェニル）エーテル；２−メルカプトベンズイミダゾール；及び水を含む洗浄組成物であって、
上にフォトレジスト及び／又は犠牲反射防止膜（ＳＡＲＣ）材料を有する基板からかかる材料を除去するために有用な洗浄組成物。 - 請求項１に記載の洗浄組成物と基板を十分な時間で接触させて、基板から前記材料を少なくとも部分的に除去する工程を含む、半導体デバイスの製造方法。
- さらに酸化剤を含む、請求項１に記載の洗浄組成物。
- オキシラン種を含み、前記オキシラン種が、オキシラン、メチル−、オキシランによるポリマー、２,２‘−（オキシドイミノ）ビス（エタノール）を有するエーテル（２：１）、Ｎ（−３（Ｃ９−１１−イソアルキロキシ）プロピル）誘導体、Ｃ１０−リッチ、オキシラン、メチル−、オキシランによるポリマー、モノ（オクチルフェニル）エーテルからなる群から選択される種を含む、請求項１に記載の洗浄組成物。
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