KR20060057609A - 금속-실리콘 카바이드 오믹 콘택의 국부 어닐링 및 그에의해 형성된 소자 - Google Patents

금속-실리콘 카바이드 오믹 콘택의 국부 어닐링 및 그에의해 형성된 소자 Download PDF

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존 에이. 에드몬드
매튜 도노프리오
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Abstract

반도체 소자를 위한 콘택이 실리콘 카바이드(SiC) 기판 위에 금속을 형성하고 상기 금속과 상기 SiC 기판의 접촉경계 지역을 어닐링하여 그곳에 금속-SiC 물질을 형성하고, SiC 기판의 지역에서 어닐링을 피하여 금속-SiC 물질을 그곳에 형성하는 것을 피함으로써 형성될 수 있다.

Description

금속-실리콘 카바이드 오믹 콘택의 국부 어닐링 및 그에 의해 형성된 소자{Localized annealing of metal-silicon carbide ohmic contacts and devices so formed}
본 발명은 마이크로전자 소자들에 관련되며, 더욱 상세하게는 발광소자들(LED)의 제조 방법 및 그렇게 제조된 LED에 관한 것이다.
본 출원은 2003년 8월 14일에 제출된 SiC로의 오믹 콘택의 레이저 어닐링(Laser Annealing of Ohmic Contacts to SiC)이라는 제목의 미국 임시 특허 출원 제 60/495,189호 및 2003년 8월 15일 제출된 SiC로의 오믹 콘택의 레이저 어닐링(Laser Annealing of Ohmic Contacts to SiC)이라는 제목의 미국 임시 특허 출원 제 60/495,284호의 이익을 주장하며, 둘 다 본 출원의 양수인에게 양수되었고, 이들의 개시 내용은 이 문서에서의 참조에 의하여 그 전부가 여기에 포함되어 있다.
실리콘 카바이드(SiC)계 발광소자들에서 SiC 기판의 두께는 주어진 전류 레벨에서 소자를 작동하기 위해 필요한 순방향 전압(forward voltage)에 영향을 줄 수 있다. 예를 들면, Cree, Inc.로부터 사용할 수 있는 SiC계 발광 다이오드 C450-CB230-E1000은 약 250㎛(+/-25㎛)의 기판 두깨를 갖고, 약 10㎃ 순방향 작동 전류에서 약 3.5V의 해당 순방향 작동 전압을 갖는다. 더욱이, LED의 SiC 기판의 두께를 감소함으로써 순방향 전압을 감소시킬 수 있고, 이것은 그러한 다이오드에서 전력 소모를 감소시키는 결과를 낳을 수 있다.
또한 많은 소형의 전자장치들이 감소된 두께를 갖는 개별 소자들을 통합하여 전자장치의 총 두께가 감소되도록 할 수 있다. 예를 들면, 셀룰러 폰의 제조사들은 셀룰러 폰의 표시부를 후광하는데 사용되는 부품의 두께를 줄이기 위하여 표면장착된(surface-mounted) LED 칩을 사용할 수 있다. 따라서, SiC 기판의 두께를 줄이는 것은 소자가 이러한 타입의 소형 전자장치에 사용되는 것을 허용할 수 있다.
저온/실온에서 예를 들면 SiC 웨이퍼의 뒷면으로 이온을 주입함으로써 SiC에 오믹 콘택을 형성하는 것이 알려져 있다. 그러나 오믹 콘택의 형성 전에 이온 주입된 SiC 기판이 얇아지면, 얇게 하는 도중에 도핑된 영역이 제거될 수 있으며, 이것은 불필요한 이온 주입을 하게 할 수 있다. 따라서, 이온 주입이 나중 단계에서 형성될 수 있으므로 오믹 콘택을 형성하기 위하여 증착되는 금속은 기판 위에 증착될 때 오믹 특성을 갖지 못할 수 있다. 오믹 콘택을 형성하기 위한 이온 주입은 예를 들면, 미국 특허 출원 일련번호 제 09/787,189 및 10/003,331 호에서 논의되며, 그 개시 내용이 이 문서에서의 참조에 의하여 그 전부가 여기에 포함되어 있다.
또한, 니켈과 같은 금속을 증착하고, 고온(900℃ 이상)에서 금속을 어닐링함으로써 금속 오믹 콘택을 형성하는 것이 알려져 있다. 고온의 어닐링은 SiC 기판 위에 포함된 갈륨 나이트라이드계 물질의 에피택셜층에 손상을 입힐 수 있다. 따 라서, SiC, GaN, InGaN 등과 같은 물질의 기판에 오믹 콘택을 형성하기 위한 향상된 방법이 요구된다.
본 발명에 따른 실시예들은 반도체 소자들에서 금속-실리콘 카바이드 오믹 콘택의 국부 어닐링과 그렇게 형성된 소자들을 제공한다. 본 실시예들에 따르면, 실리콘 카바이드(SiC) 층 위에 금속을 형성하는 단계 및 상기 금속과 상기 SiC 층의 접촉경계 지역을 어닐하여 상기 접촉경계 지역에 금속-SiC 물질을 형성하고, SiC 층 위의 지역에서 어닐링을 피하여 상기 지역에서 금속-SiC 물질을 형성하는 것을 피하는 단계에 의하여 콘택이 형성될 수 있다. 본 발명에 따른 일부 실시예들에서 상기 층은 SiC 기판일 수 있다.
본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 상기 어닐링은 상기 접촉경계 지역에서의 어닐링 및 상기 지역에서의 어닐링을 피하기 위한 패턴에 따른 어닐링을 포함한다. 본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 상기 접촉경계 지역은 제1 접촉경계 지역이 될 수 있고, 상기 SiC 기판 위의 지역은 상기 금속과 상기 SiC 기판의 제 2 접촉경계 지역이 될 수 있다. 상기 어닐링은 제1 접촉경계 지역에 금속층 위로 마스크층 안의 개구부를 통하여 레이저광을 쪼이는 것과 제2 접촉경계 지역에서의 어닐링을 피하기 위하여 제2 접촉경계 지역에 대향하는 마스크층으로 레이저광을 막는 것을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 상기 어닐링은 상기 접촉경계 지역에서 상기 금속층으로 레이저광을 쪼이기 위하여 상기 접촉경계 지역에 면하여 레이저를 활성화하는 단계 및 상기 지역에서 어닐링을 피하기 위하여 상기 지역에 면하여 레이저를 비활성화하는 단계를 포함할 수 있다. 본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 상기 금속을 형성하는 단계는 상기 SiC 기판에 금속을 형성하여 상기 지역을 형성하되, 상기 지역은 상기 SiC 기판으로부터 간격을 두고 떨어지도록 형성하는 것을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 상기 금속은 상기 지역에서 상기 SiC 기판의 일부를 노출시키는 패턴으로 형성될 수 있고, 상기 어닐링은 상기 레이저광을 상기 접촉경계 지역에서 상기 금속층 위에 쪼이기 위하여 상기 접촉경계 지역에 면하여 레이저를 활성화하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 지역에 면하여 상기 레이저의 활성화가 유지될 수 있다.
본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 상기 접촉경계 지역에서의 상기 금속-SiC 물질은 전면에 에피택셜층을 갖는 상기 기판의 상기 전면에 대향하는 상기 기판의 뒷면의 금속 오믹 콘택일 수 있다. 본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 상기 어닐링은 서로 대향하는 오믹 콘택 경계영역들과 상기 경계들 사이의 비-오믹 콘택 영역을 포함하는 적어도 하나의 오믹 콘택을 형성하기 위하여 상기 접촉경계 지역 위에 레이저광을 쪼이는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 상기 적어도 하나의 오믹 콘택은 상기 소자의 측면과 경사각을 형성하는 줄무늬 패턴을 정의하는 각각 서로 대향하는 오믹 콘택 경계영역들을 포함하는 복수의 오믹 콘택일 수 있다. 본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 상기 적어도 하나의 오믹 콘택은 상기 소자의 한 측면에 평행한 줄무늬 패턴을 정의하는 각각 서로 대향하는 오믹 콘택 경계영역들을 포함하는 복수의 오믹 콘택을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 상기 적어도 하나의 오믹 콘택은 원형 패턴을 정의하는 각각 서로 대향하는 오믹 콘택 경계영역들을 포함하는 복수의 오믹 콘택을 포함할 수 있다. 본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 상기 접촉경계 지역은 제1 접촉경계 지역일 수 있고, 상기 SiC 기판 위의 지역은 상기 금속과 상기 SiC 기판의 제 2 접촉경계 지역일 수 있다. 상기 어닐링은 상기 접촉경계 지역에 전자빔을 쪼이고, 상기 제2 접촉경계 지역으로부터 상기 전자빔을 막는 것을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 발광소자를 위한 콘택을 형성하는 단계는 실리콘 카바이드(SiC) 층 위에 금속을 형성하는 단계 및 패턴을 따라 상기 금속과 상기 SiC 층의 접촉경계 지역을 레이저 어닐하여 상기 지역에 상기 패턴에 해당하는 금속-SiC 물질을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 금속을 형성하는 것은 상기 기판 위에 블랭킷 금속을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 상기 레이저 어닐링은 상기 패턴을 정의하는 마스크의 개구부를 통하여 상기 접촉경계 지역 위에 레이저광을 쪼여서 상기 지역에 상기 금속-SiC 물질을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 레이저광은 상기 금속과 상기 SiC 기판의 다른 접촉경계 지역의 면하는 마스크로 막아질 수 있다.
본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 금속을 형성하는 단계는 상기 기판 위에 블랭킷 금속을 형성하는 것을 포함하고, 상기 레이저 어닐링은 상기 레이저광을 상기 접촉경계 지역에서 상기 블랭킷 금속층 위에 쪼이기 위하여, 패턴을 따라 상기 접촉경계 지역에 면하여 레이저를 활성화하는 단계를 포함할 수 있다. 다른 지역에서 어닐링을 피하기 위하여 다른 접촉경계 지역에 면하여 상기 레이저는 비활성화될 수 있다.
본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 상기 금속은 니켈, 플래티늄, 또는 티타늄일 수 있다. 본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 상기 레이저 어닐링은 상기 금속과 상기 SiC 기판의 실리사이드를 형성하기에 충분한 에너지와 파장으로 상기 접촉경계 지역 위에 레이저광을 쪼이는 것을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 상기 SiC 기판은 6H SiC일 수 있고, 상기 레이저 어닐링은 약 30㎱의 지속시간을 갖는 단일 펄스로 약 248㎚에서 약 308㎚의 파장과 약 2.8 joule/㎠의 에너지를 갖는 레이저광을 쪼이는 것을 포함할 수 있다. 본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 상기 SiC 기판은 4H SiC일 수 있고, 상기 레이저 어닐링은 각각 약 30㎱의 지속시간을 갖는 약 5 펄스로 약 248㎚에서 약 308㎚의 파장과 약 4.2 joule/㎠의 에너지를 갖는 레이저광을 쪼이는 것을 포함할 수 있다. 본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 상기 레이저광은 상기 SiC 기판의 밴드갭보다 높은 광자 에너지일 수 있다. 본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 상기 레이저광은 펄스 또는 연속 파장 레이저광일 수 있다.
본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 발광소자를 위한 콘택은 실리콘 카바이드(SiC) 층의 일부가 노출되도록 패턴을 따라 상기 실리콘 카바이드(SiC) 층 위에 금속을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 패턴을 따라 금속-SiC 물질을 형성하도록 상기 SiC 기판의 노출된 부분과 상기 금속과 상기 SiC층의 접촉경계 지역 위에 레이저광이 쪼여질 수 있다. 본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 상기 층은 SiC 기판일 수 있다.
본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 상기 금속은 니켈, 플래티늄, 또는 티타늄일 수 있다. 본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 상기 레이저 어닐링은 상기 금속과 상기 SiC 기판의 실리사이드를 형성하기에 충분한 에너지와 파장으로 상기 접촉경계 지역 위에 레이저광을 쪼이는 것을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 상기 SiC 기판은 6H SiC일 수 있고, 상기 레이저 어닐링은 약 30㎱의 지속시간을 갖는 단일 펄스로 약 248㎚에서 약 308㎚의 파장과 약 2.8 joule/㎠의 에너지를 갖는 레이저광을 쪼이는 것을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 상기 SiC 기판은 4H SiC일 수 있고, 상기 레이저 어닐링은 각각 약 30㎱의 지속시간을 갖는 약 5 펄스로 약 248㎚에서 약 308㎚의 파장과 약 4.2 joule/㎠의 에너지를 갖는 레이저광을 쪼이는 것을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 상기 레이저광은 상기 SiC 기판의 밴드갭보다 높은 광자 에너지를 포함할 수 있다. 본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 상기 레이저광은 펄스 또는 연속 파장 레이저광일 수 있다.
본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 반도체 소자를 위한 오믹 콘택을 형성하는 방법은 SiC 층의 제1 부분을 노출하고 기판의 제2 부분을 덮는 패턴을 따라 SiC 층 위에 포토레지스트을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 제1 부분 위와 상기 포토레지스트 위에 블랭킷 금속이 형성될 수 있다. 금속-SiC 물질을 형성하도록 상기 제1 부분에 해당되는 상기 블랭킷 금속과 상기 SiC 층의 접촉경계 지역 위에 레이저광이 쪼여지고, 상기 금속-SiC 물질의 형성을 피하기 위하여 상기 제2 부분에 해당되는 상기 블랭킷 금속 위에 레이저광을 쪼이는 것이 피해질 수 있다.
본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 상기 금속-SiC 물질이 남도록 상기 포토레지스트로부터 금속을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 금속-SiC 물질 위에 덧층이 형성되고, 상기 SiC 기판으로부터 상기 포토레지스트가 제거될 수 있다. 본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 상기 금속-SiC 물질 위와 상기 포토레지스트 위에 덧층을 형성하는 단계 및 상기 SiC 층으로부터 상기 포토레지스트를 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 더 나아가는 실시예들에서, 상기 방법은 상기 금속-SiC 물질을 남기면서 그 위의 상기 포토레지스트와 상기 금속을 리프트 오프하는 단계를 더 포함할 수 있다. 덧층이 상기 금속-SiC 물질 위에 형성될 수 있다. 본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 상기 금속은 니켈, 플래티늄, 또는 티타늄일 수 있다. 본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 상기 레이저 어닐링은 상기 금속과 상기 SiC 기판의 실리사이드를 형성하기에 충분한 에너지와 파장으로 상기 접촉경계 지역 위에 레이저광을 쪼이는 것을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 콘택을 형성하는 방법은 서로 대향하는 오믹 콘택 경계영역들과 상기 경계들 사이의 비-오믹 콘택 영역을 포함하는, 상기 소자 위의 적어도 하나의 오믹 콘택을 제공하기 위하여, 금속과 실리콘 카바이드(SiC) 층 사이의 접촉경계 지역 위에 레이저광을 쪼여서 금속-SiC 물질을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 발광소자(LED)는 SiC 층 위의 적어도 하나의 금속-실리콘 카바이드(SiC) 오믹 콘택을 포함하되, 상기 적어도 하나의 금속-SiC 오믹 콘택은 서로 대향하는 오믹 콘택 경계영역들과 상기 경계영역들 사이의 비-오믹 콘택 영역을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 상기 대향하는 오믹 콘택 경계영역들은 약 10㎛ 정도 떨어져 있을 수 있다. 본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 상기 적어도 하나의 오믹 콘택은 상기 소자의 측면과 경사각을 형성하는 줄무늬 패턴을 정의하는 각각 서로 대향하는 오믹 콘택 경계영역들을 포함하는 복수의 오믹 콘택을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 상기 줄무늬들은 약 106㎛ 정도 떨어져 있다. 본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 상기 적어도 하나의 오믹 콘택은 상기 소자의 한 측면에 평행한 줄무늬 패턴을 정의하는 각각 서로 대향하는 오믹 콘택 경계영역들을 포함하는 복수의 오믹 콘택을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 상기 줄무늬들은 약 95㎛의 지름을 갖는 실질적으로 원형의 형태를 정의하며, 상기 줄무늬들은 약 4.0㎛ 에서 약 5.0㎛의 거리만큼 떨어져 있다. 본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 상기 적어도 하나의 오믹 콘택은 원형 패턴을 정의하는 각각 서로 대향하는 오믹 콘택 경계영역들을 포함하는 복수의 오믹 콘택을 포함할 수 있다. 본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 상기 링들은 약 4.0㎛ 에서 약 5.0㎛의 거리만큼 떨어져 있다.
본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 반도체 소자를 위하여 오믹 콘택을 형성하는 방법은 실리콘 카바이드(SiC) 층 위에 금속을 형성하고 상기 금속과 상기 SiC 층을 레이저 어닐하여 상기 금속과 상기 SiC 층의 접촉경계 지역에 금속-SiC 물질을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 금속-SiC 물질의 일부는 반도체 소자의 적어도 하나의 오믹 콘택을 제공하기 위하여 패턴을 따라 SiC 층을 노출하도록 제거될 수 있다.
도 1-4는 본 발명의 일부 실시예들에 따라 발광소자에서 금속-실리콘 카바이드 오믹 콘택의 형성하는 방법을 보여주는 단면도들이다.
도 5-7은 본 발명의 다른 실시예들에 따라 발광소자에서 금속-실리콘 카바이드 오믹 콘택의 형성하는 방법을 보여주는 단면도들이다.
도 8-11은 본 발명의 또 다른 실시예들에 따라 발광소자에서 금속-실리콘 카바이드 오믹 콘택의 형성하는 방법을 보여주는 단면도들이다.
도 12-17은 본 발명의 또 다른 실시예들에 따라 발광소자에서 금속-실리콘 카바이드 오믹 콘택의 형성하는 방법을 보여주는 단면도들이다.
도 18-20은 본 발명의 또 다른 실시예들에 따라 발광소자에서 금속-실리콘 카바이드 오믹 콘택의 형성하는 방법을 보여주는 단면도들이다.
도 21 및 22는 본 발명의 일부 실시예들에 따라 형성된 발광소자들에서의 금 속-실리콘 카바이드 오믹 콘택의 단면도들이다.
도 23은 본 발명의 일부 실시예들에 따라 레이저 어닐되는 실리콘 카바이드 기판의 개략적인 단면도이다.
도 24는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 각각의 대향하는 오믹 콘택 경계영역들을 포함하는 금속-실리콘 카바이드 오믹 콘택의 단순화된 개략도이다.
도 25는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 비스듬한 줄무늬 패턴을 정의하는 복수의 금속-실리콘 카바이드 오믹 콘택의 단순화된 개략 평면도이다.
도 26은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 줄무늬를 가진 원형 패턴을 정의하는 복수의 금속-실리콘 카바이드 오믹 콘택의 단순화된 개략 평면도이다.
도 27은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 동심원의 원형 패턴을 정의하는 복수의 금속-실리콘 카바이드 오믹 콘택의 단순화된 개략 평면도이다.
도 28은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 금속-SiC 오믹 콘택을 어닐하기 위해 레이저광이 투사될 수 있는 예시적인 레이저 마스크이다.
도 29a는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 "부드럽게된" 에지 형태를 갖는 예시적인 마스크이다.
도 29b는 도 29a에 보여진 부분의 상세도이다.
본 발명은 본 발명의 바람직한 실시예가 보여지는 관련 도면을 참조하여 여기에서 더욱 상세하게 기술될 것이다. 그러나 본 발명은 여기에 설명된 실시예들로만 한정되는 것으로 해석되서는 안된다. 오히려, 이러한 실시예들은 이 개시가 철저하고 완전하며 당업자에게 발명의 범위를 완전히 전달하기 위하여 제공된다. 도면에서, 층의 두께와 영역은 명확성을 위하여 과장된 것이다. 동일한 숫자는 끝까지 동일한 요소를 지칭한다. 여기에 사용된 바와 같이 "및/또는"의 용어는 해당되어 열거된 항목들의 하나 또는 그 이상의 어떠한 조합 및 모든 조합을 포함한다.
여기에서 사용된 용어는 특정 실시예들을 기술하기 위한 목적으로만 사용되는 것이고 본 발명을 제한하려는 것은 아니다. 여기에서 사용된 바와 같이 단수의 형태는 본문에서 명확하게 다르게 지시하지 않으면 복수의 형태도 포함하는 것으로 의도되었다. 더 나아가 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"의 용어가 본 상세한 설명에서 사용되는 경우에는 상술된 형태, 복합체(integer), 단계, 작용, 요소, 및/또는 부품의 존재를 일일이 지정하지만, 하나 또는 그 이상의 다른 형태, 복합체, 단계, 작용, 요소, 부품, 및/또는 이들의 그룹의 존재 또는 부가를 제외하지 않는다.
층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 요소 "위(on)"에 존재하는 것으로 또는 "위로(onto)" 확장되는 것으로 기술되는 경우, 그 요소는 다른 요소의 직접 위에 있거나 직접 위로 확장될 수 있고, 또는 중간의 요소가 존재할 수도 있다. 반면에, 하나의 요소가 다른 요소 "바로 위(directly on)"에 있거나 "바로 위로(directly onto)" 확장된다고 언급되는 경우, 다른 중간 요소들은 존재하지 않는다. 또한, 하나의 요소가 다른 요소에 "연결(connected)"되거나 "결합(coupled)"된다고 기술되는 경우, 그 요소는 다른 요소에 직접 연결되거나 직접 결합될 수 있고, 또는 중간 요소가 존재할 수도 있다. 반면에, 하나의 요소가 다른 요소에 "직 접 연결(directly connected)"되거나 "직접 결합(directly coupled)"된다고 기술되는 경우에는 다른 중간 요소가 존재하지 않는다. 같은 숫자는 발명의 상세한 설명의 처음부터 끝까지 같은 요소를 지칭한다.
비록 제1, 제2, 기타의 용어가 여기에서 여러가지 요소, 부품, 영역, 층 및/또는 구간을 기술하는데 사용되더라도 이 요소, 부품, 영역, 층 및/또는 구간은 이 용어에 의하여 제한되어서는 안된다. 이 용어들은 단지 하나의 요소, 부품, 영역, 층 또는 구간을 다른 영역, 층 또는 구간과 구별하기 위하여 사용된다. 따라서, 이하에서 논의되는 제1 요소, 부품, 영역, 층 또는 구간은 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고 제2 요소, 부품, 영역, 층 또는 구간을 지칭할 수 있다.
더욱이, "하부의(lower)" 또는 "바닥(bottom)" 및 "상부의(upper)" 또는 "상부(top)"와 같은 상대적인 용어들은 여기에서 도면에 도시된 바와 같이 하나의 요소의 다른 요소에 대한 관계를 기술하는데 사용될 수 있다. 상대적인 용어들은 도면에 묘사된 방향(orientation)에 부가하여 장치의 다른 방향을 포함하기 위한 의도를 갖는다. 예를 들면, 도면에서 장치가 뒤집혔으면, 다른 요소들의 "하부의" 면에 존재하는 것으로 기술된 요소들은 그 다른 요소들의 "상부의" 면에 향하는 것이 될 수 있다. 따라서 예시적인 용어 "하부의"는 형태의 특정한 방향(orientation)에 따라 "하부의" 및 "상부의"의 모든 방향을 포함할 수 있다. 비슷하게, 도면 중 하나에서 장치가 뒤집혔으면, 다른 요소들의 "아래(below)" 또는 "바로 밑(beneath)"에 있는 것으로 기술된 요소들은 그 다른 요소들의 "위(above)"로 향할 수 있다. 예시적인 용어 "아래" 또는 "바로 밑"은 따라서 위와 아래의 양 방향을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들은 여기에서 본 발명의 바람직한 실시예들의 개략적인 도해인 단면도 (및/또는 평면도)와 관련되어 기술된다. 그러므로 예를 들면, 제조 기술 및/또는 허용한계의 결과로 인한 도시된 형태로부터의 변형은 예상되어야 한다. 따라서 본 발명의 실시예들은 여기에서 도시된 영역들의 특징적인 형태로 제한되는 것이 아니라 예를 들면 제조 결과에서 기인하는 형태의 변형을 포함하는 것으로 해석되어야 한다. 예를 들면, 직사각형으로 도시되거나 기술된 식각 영역은 통상 둥글거나 곡면의 구조를 가질 수 있다. 따라서, 도면에 도시된 영역들은 사실상 개략적이고, 그 형태가 장치의 영역의 정확한 형태를 도시하려는 것이 아니며, 본 발명의 영역을 제한하려는 것이 아니다.
다르게 정의되지 않으면, (기술적이고 과학적인 용어들을 포함하여) 여기에 사용된 모든 용어들은 이 발명이 속하는 분야에서 통상적인 기술을 갖는 사람에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 더 나아가 일반적으로 사용되는 사전에 정의된 것과 같은 용어들은 관련 분야의 상황에서의 의미와 일관되는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 여기에서 그렇게 정의되지 않는 한 이상적이거나 지나치게 형식적인 의미로 해석되어서는 안된다. 다른 형태에 "인접하게(adjacent)" 배치된 구조 또는 형태에 대한 참조는 인접한 형태와 오버랩하거나 인접한 형태의 아래에 있는 부분을 갖는 것으로 관련 분야의 기술자들에게 또한 이해될 것이다.
여기에서 사용되는 용어 "오믹 콘택(ohmic contact)"은 실질적인 모든 예상 작동 주파수에서 임피던스=V/I(V는 콘택에 걸린 전압이고 I는 전류)의 관계에 의하여 실질적으로 주어진다. (즉, 오믹 콘택과 연관된 임피던스는 실질적으로 모든 작동 주파수에서 동일하다) 예를 들면, 본 발명에 따른 일부 실시예들에 따르면, 오믹 콘택은 약 10e-03 ohm-cm2 보다 적은 콘택 비저항(specific contact resistivity)을 갖는 콘택일 수 있고, 일부 실시예에서는 약 10e-04 ohm-cm2 보다 적은 콘택 비저항을 갖는 콘택일 수 있다. 따라서 정류하는 콘택 또는 높은 콘택 비저항, 예를 들면, 약 10e-03 ohm-cm2 보다 큰 콘택 비저항을 갖는 콘택은 여기에서 사용되는 오믹 콘택이 아니다. 여기에서 사용된 바와 같이 "금속-SiC 물질"은 서로 융해되었거나 또는 어닐되었을 때 서로에게 녹는, 금속과 실리콘 카바이드의 혼합물을 포함한다. 예를 들면, Ni-SiC 물질은 Ni-실리사이드가 형성되도록 어닐되었을 때 니켈과 실리콘 카바이드의 혼합물 (또는 합금)이 될 수 있다.
여기에서 상세히 기술되는 바와 같이, 본 발명에 따른 실시예들은 금속과 실리콘 카바이드 기판의 접촉경계 지역를 어닐하여 그곳에 금속-실리콘 카바이드 물질을 형성하고, 실리콘 카바이드 기판의 다른 위치는 어닐되지 않도록 하여 금속 실리콘 카바이드 물질을 형성하지 않도록 하는 방법을 제공할 수 있다. 금속-실리콘 카바이드 물질이 형성되는 접촉경계의 지역는 레이저광이 금속과 기판에 쏘여지는 곳의 바깥 영역 또는 그 바깥 영역 근처의 경계를 포함할 수 있다. 예를 들면, 도 21과 관련하여 여기에서 더욱 상세하게 기술되는 바와 같이, 레이저광이 접촉경계에 쏘여질 때, 서로 대향하는 오믹 콘택 경계영역과 그 사이의 비-오믹 영역 (레 이저광이 직접 쏘여진)이 형성되며 금속-SiC 물질이 접촉경계 지역에 형성된다.
실리콘 카바이드 기판의 다른 위치의 어닐링은 피하면서, 예를 들면 레이저빔을 이용하여 한 위치를 어닐하는 것은 에피택셜층에 대한 통상적인 급속열처리(RTP)에 의해 야기되는 형태의 손상을 피할 수 있다. 예를 들면 본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 금속-실리콘 카바이드 오믹 콘택은 에피택셜층이 기판의 앞면에 형성된 후에, 기판 위의 다른 위치의 어닐링은 피하면서 레이저광을 사용하여 (레이저광을 마스킹하거나 변조함으로써) 기판 위의 접촉경계를 어닐링함에 의하여 형성될 수 있다.
도 1-4는 본 발명의 일부 실시예에 따라 발광소자에서 금속-실리콘 카바이드(SiC) 오믹 콘택의 형성하는 과정을 보여주는 단면도들이다. 구체적으로, SiC 기판(105)의 앞면에 하나 또는 그 이상의 에피택셜층(100)이 형성된다. 에피택셜층(100)은 발광소자의 활성영역을 제공할 수 있으며, InGaN, GaAlInN 등과 같은 GaN계 물질로 형성될 수 있다. 금속층(110)이 에피택셜층(100)에 대향하는 SiC 기판(105)의 뒷면에 형성된다. SiC 기판(105)은 4H 또는 6H SiC와 같이 발광소자를 형성하기 위하여 사용되는 어떤 유형의 SiC 물질로도 이루어질 수 있다는 것이 이해될 것이다. 또한 금속층(110)은 약 400Å에서 약 1100Å의 두께로 형성될 수 있음이 이해될 것이다. 금속층(110)은 플래티늄, 티타늄, 또는 바람직하게는 니켈과 같은 금속일 수 있다.
도 2에 보이는 바와 같이, 레이저광(225)이 마스크(215)에 있는 개구부(220)를 통하여 금속층(110)과 SiC 기판(105)의 해당 접촉경계 지역에 쪼여진다. 레이 저광(225)의 일부는 마스크(215)에 의하여 금속층(110)과 SiC 기판(105)의 다른 접촉경계 지역에 쪼여지는 것이 가려진다.
도 3에 보이는 바와 같이, 레이저광(225)이 금속층(110)과 SiC 기판(105)에 쪼여지는 접촉경계 지역(330)는 어닐되어 그곳에 금속-SiC 물질이 형성된다. 본 발명에 따른 일부 실시예들에서는, 접촉경계 지역의 금속-SiC 물질은 금속과 SiC을 가열하여 금속의 실리사이드를 생성하는 레이저광(225)에 의하여 형성된다. 반대로 마스크(215)에 의해 가려지는 SiC 기판(105)과 금속층(110)의 다른 접촉경계 지역는 어닐되지 않으므로 금속-SiC 물질이 형성되지 않는다.
도 4에 따르면, 레이저광(225)에 의하여 어닐되지 않은 금속층(110)의 부분들은 예를 들면 니켈 금속층(110)의 경우에 HNO3:3H2O 또는 HCl 및 H2O의 용액을 사용하여 제거된다. 금속층(110)의 어닐되지 않은 부분들의 제거는 금속-SiC 오믹 콘택(435a-435d)을 노출한다. 위에서 기술된 바와 같이, 본 발명에 따른 일부 실시예들에서는, 레이저광이 기판의 다른 위치에 쪼여지는 것을 막아서 기판의 해당 위치가 어닐되는 것을 막으면서 금속층(110)과 SiC 기판(105)의 접촉경계 지역를 어닐하여, 어닐된 금속-SiC 오믹 콘택이 형성된다.
도 5-7은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 금속-SiC 오믹 콘택을 형성하는 방법을 도시한 단면도들이다. 도 5에 보이는 바와 같이 레이저광(225)이 예정된 패턴에 따라 금속층(110) 위에 쪼여진다. 즉, 금속층(110)과 그 하부의 SiC 기판(105)의 일부 접촉경계 지역들에 레이저광(225)이 쪼여지는 반면, 다른 위치들에는 레이저광(225)이 쪼여지지 않는다. 본 발명에 따른 일부 실시예들에서는, 레이저빔을 금속층(110) 위로 이동하고 원하는 패턴에 따라 레이저광(225)을 생성하도록 레이저를 활성화/비활성화함에 의하여 레이저광(225)이 금속층(110)/기판(105) 위로 쪼여진다. 레이저를 온/오프 펄스화하거나 원하는 곳에 금속-SiC 물질을 형성하고 다른 곳에는 금속-SiC 물질의 형성을 피하도록 레이저빔을 변조하는 것에 의하여 레이저빔은 활성화/비활성화될 수 있다.
위에서 기술된 레이저빔을 "이동"하는 것에 대하여, 본 발명에 따른 일부 실시예들에서는 레이저빔이 패턴을 따라 불연속적인 스텝으로 이동되는 것으로, 반면 본 발명에 따른 다른 실시예들에서는 레이저빔이 연속적으로 이동되고 패턴을 따라 적절한 간격으로 활성화/비활성화되는 것으로 이해될 수 있다. 더 나아가 레이저빔은 예를 들면, 레이저빔을 반사하기 위한 금속층(110) 위의 거울을 이동하는 것에 의하여 "이동"될 수 있다. 다르게는, 레이저빔을 생성하는 레이저가 금속층 위로 이동될 수 있다.
본 발명에 따른 또 다른 실시예들에서는, 기판이 "고정된" 레이저빔 아래에서 이동될 수 있다. 예를 들면, 기판이 마스크 피치의 증분을 따라 이동되고 레이저가 다수의 펄스 (또는 지속되는) 동안 활성화되는 각 위치에서 멈춘다. 본 발명에 따른 일부 실시예들에서는, 300㎛ 피치 다이의 6×6 배열에 대하여 1.8㎜×1.8㎜ 필드가 사용된다. 다르게는, 기판이 하나의 축을 따라 고정된 빔 아래에서 연속적으로 움직이는 것과 함께, 레이저빔이 소자에 따라 변할 수 있는 각 다이 피치에 동기화되어 활성화될 수 있다. 각 위치에 전달되는 펄스의 수는 기판이 따라서 움직이는 축을 따른 마스크의 다이 배치의 수에 기초할 수 있다. 그 후 웨이퍼는 스캔되지 않은 축을 따라 마스크 피치만큼 움직일 수 있고, 거기에서 스캐닝이 반복될 수 있다. 도 28은 본 발명에 따른 일부 실시예들에 따른 레이저광이 금속-SiC 오믹 콘택을 어닐하기 위하여 투사될 수 있는 예시적인 레이저 마스크를 도시한다.
도 6에 보이는 바와 같이, 레이저광(525)이 쪼여지는 금속층(110)과 기판(105)의 접촉경계 지역는 어닐되어 그곳에 금속-SiC 물질(630)을 형성한다. 레이저광(525)이 쪼여지지 않는 다른 접촉경계 지역(631)는 어닐되지 않은 상태로 남는다. 도 7에 따르면, 금속층(110)의 어닐되지 않은 부분은, 예를 들면, 도 4에 관하여 위에서 기술된 식각 용액을 사용하여 제거되어, 어닐된 금속-SiC 오믹 콘택(735a-d)을 노출시킨다. 따라서 본 발명에 따른 일부 실시예들에서는, 패턴을 따라 금속층과 그 아래 SiC 기판의 접촉경계 지역에 레이저광을 쪼임으로써 어닐된 금속-SiC 오믹 콘택이 형성된다. 금속층과 그 아래 SiC 기판의 다른 접촉경계 지역의 어닐링은 금속층과 기판의 해당 부분에 레이저광을 쪼이는 것을 피함으로써 방지될 수 있다.
도 8-11은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자에 금속-SiC 오믹 콘택을 형성하는 방법을 도시한 단면도들이다. 도 8에서 금속층(110)이 에피택셜층(100)에 대향하는 SiC 기판(105)의 면에 형성된다. 금속층(110)이 예를 들면 리프트-오프 또는 식각 공정을 이용하여 패터닝되고, 그 일부가 제거되어 금속층의 일부(940a-940d)가 기판(105) 위에 남고 도 9에 보이는 바와 같이 패턴들 사이에서 기판의 일부가 노출된다. 따라서, 금속층(110)의 남는 부분들(940a-d)은 그 아래의 SiC 기판(105)과의 접촉경계 지역를 포함한다.
도 10에 보이는 바와 같이 레이저광(1025)이 금속층(110)의 남은 부분들(940a-d) 위와 그들 사이의 SiC 기판(105)의 노출된 부분들 위에 쪼여진다. 레이저광(1025)은 금속층(110)의 남은 부분들(940a-940d)을 어닐하여 도 9에 관련되어 상기에서 기술한 패턴을 따라 기판 위에 어닐된 금속-SiC 오믹 콘택(1135a-1135d)를 형성한다. 따라서 본 발명에 따른 일부 실시예에서는 금속-SiC 오믹 콘택은 금속층의 패턴을 따라 남는 금속 부분을 형성함에 의해 어닐되고 레이저광은 남은 금속 부분과 노출된 SiC 기판 모두에 쪼여져서 금속-SiC 물질이 남은 금속 부분에 해당되는 부분 이외의 다른 지역에서는 형성되지 않는다.
본 개시의 이익이 주어지려면 레이저광(1025)은 상기에서 기술된 바에 따라 형성된 금속-SiC 오믹 콘택(1135a-1135d)의 경계를 손상시키지 않는 것이 바람직하다고 당업자에게 이해될 것이다. 특히, 어드레스되지 않으면, SiC 기판(105)의 노출된 부분 위에 쪼여지는 레이저광(1025)은 인접한 금속-SiC 오믹 콘택(1135a-1135d)를 손상시킬 수 있다. 도 24에 관련하여 기술된 바와 같이, 오믹 콘택은 레이저광이 금속과 SiC 기판의 접촉경계에 쪼여지는 곳의 바깥 에지 또는 바깥 에지 근처의 서로 대향하는 금속-SiC 오믹 콘택 경계영역를 포함할 수 있다. 본 발명에 따른 일부 실시예에서는, 예를 들면 금속-SiC 오믹 콘택 부근에서 레이저광(1025)의 파워를 감소시킴으로써 금속-SiC 오믹 콘택의 조사를 피할 수 있다. 본 발명에 따른 일부 실시예에서는, 인접한 금속-SiC 오믹 콘택의 조사를 피하기 위하여 레이 저광의 파장이 바뀌어질 수 있다.
도 12-17은 본 발명의 다른 실시예에 따른 어닐된 SiC 오믹 콘택을 형성하는 방법을 도시하는 단면도들이다. 포토레지스트 패턴의 층(1245)이 패턴을 따라 SiC 기판(105) 위에 형성되어 기판(105)의 일부분은 포토레지스트(1245)로 덮히고 SiC 기판(105)의 다른 부분은 노출된다. 도 13에 따르면, 아래의 SiC 기판(105)으로부터 분리된 포토레지스트 패턴(1245) 위와 기판(105)의 노출된 부분 위에 금속층(1350)이 형성되어 금속층(1350)과 SiC 기판(105)의 접촉경계 지역를 정의한다. 도 14에 보이는 바와 같이, 레이저광(1425)이 SiC 기판(105)의 노출된 부분 위의 접촉경계 지역(1460) 위에 쪼여진다. 레이저광(1425)이 접촉경계 지역(1460)에서 SiC 기판(105)의 노출된 부분 위의 금속(1350)을 어닐하여 도 15에 보이는 바와 같이 그곳에 금속-SiC 물질(1535a-d)이 형성된다. 본 발명에 따른 다른 실시예에서는, 레이저광(1425)이 포토레지스트 패턴(1245) 위의 금속층(1350) 위에 쪼여질 수 있으나, 금속층(1350)과 포토레지스트 패턴(1245)은 레이저광(1425)에 의해 손상될 수 있다.
도 16에 따르면, 덧층(overlay : 1665)이 포토레지스트 패턴(1245) 위의 금속 위와 금속-SiC(SiC) 물질(1535a-1535d) 위에 형성될 수 있다. 도 17에 보이는 바와 같이 포토레지스트 패턴(1245)과 (해당되는 덧층 부분(1665)을 포함하여) 그 위의 금속(1350)은, 예를 들면 포토레지스트, 금속 및 그 위의 덧층을 제거하기 위하여 포토레지스트 패턴을 식각하는 것을 포함하는 리프트-오프 공정을 사용하여 제거될 수 있다.
본 발명에 따른 일부 실시예에서는, 도 14와 관련하여 위에서 기술된 레이저광(1425)이 도 16에 도시된 덧층 패턴(165)의 형성 후에 쪼여질 수 있다. 더욱이, 포토레지스트 패턴(1245) 위에 위치한 덧층(1665)과 금속(1350)은 도 16과 관련하여 위에서 기술된 바처럼 같이 제거되지 않고 별개의 단계에서 제거될 수 있다.
도 18-20은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광소자에서 금속-실리콘 카바이드 오믹 콘택을 형성하는 방법을 도시하는 단면도들이다. 도 18 및 도 19에 따르면, 레이저광(2505)이 블랭킷 패턴에서 금속(2510)/SiC 기판(2505)에 쪼여져 어닐된 금속-SiC층(2660)을 형성한다. 어닐된 금속-SiC층(2660)의 일부가 제거되어 어닐된 금속-SiC층(2660)의 남은 부분이 도 20에 보이는 바와 같이 금속-SiC 오믹 콘택을 형성한다. 금속층의 일부를 제거하는 것은 예를 들면 당업자에게 알려진 포토리소그래피와 반응성 이온 식각을 사용하여 수행될 수 있다. 따라서, 본 발명의 일부 실시예에 따른 금속-SiC 오믹 콘택은 패턴을 따른 금속 부분을 제거함에 의하여 어닐링을 피하면서 레이저광을 통한 블랭킷 어닐링을 사용하여 수행될 수 있다.
도 21 및 도 22는 본 발명의 실시예들에 따라 형성된 금속-SiC (SiC) 오믹 콘택을 포함하는 발광 소자들을 도시하는 단면도들이다. 특히, 도 21은 적층된 n/p 타입의 에피택셜층(1800)에 대향하는, 경사진 에지를 갖는 SiC 기판(1805) 위의 어닐된 금속-SiC 오믹 콘택을 도시한다. 기판(1805)의 감소된 두께는 웨이퍼가 다이싱될 때 톱니 경사(saw tip)를 허용하여 기판(1805)의 상부를 제거할 수 있다. 이러한 경사 에지 소자의 형성은 예를 들면, 미국 특허 제 5,087,949에 기술되며 그 개시내용은 참조에 의하여 모두가 여기에 통합된다.
도 22는 본 발명의 실시예들에 따라 형성된 어닐된 금속-SiC 오믹 콘택을 포함하는 곧게 절단된 발광소자를 도시한다. 특히, 어닐된 상기 금속-SiC(1935)는 적층된 n/p 타입의 에피택셜하게 형성된 층(1900)에 대향하는 기판(1905) 위에 위치한다. 도 21에 도시된 구조는 더 높은 광출력과 더 높은 광추출을 생성할 수 있다. 더욱이, 도 21의 구조는 감소된 두께로 인하여 백색광 전환 효율을 증진시키는 더욱 균일한(conformal) 형광 코팅을 증진시킬 수 있다.
도 23은 도 1-20에 관련하여 위에서 기술된 바와 같이 어닐된 웨이퍼(2080)의 개략적인 평면도이다. 특히, 패턴 라인들(2081)은 본 발명의 일부 실시예에에 따른, 그 위의 금속-SiC 오믹 콘택을 어닐하는데 사용되는 레이저광 패턴을 나타낸다. 위에서 기술된 바와 같이, 광은 패턴 라인(2081)을 따라 웨이퍼(2080) 위의 금속층 위에 쪼여질 수 있다. 다르게는, 패턴 라인들(2081)은 패턴을 따라 레이저광을 활성화하고 비활성화함에 의하여 또는 마스크의 개구부를 통하여 레이저광을 기판 위에 쪼임으로써 생성될 수 있다. 더 나아가, 광은 포토레지스트 패턴과 그 위의 금속을 갖는 기판 위에 쪼여질 수 있다.
도 24는 본 발명의 일부 실시예에 따른 금속-SiC 오믹 콘택의 상세한 도면이다. 특히, 금속-SiC 오믹 콘택(2100)은 비-오믹 콘택 영역(2103)을 그 사이에 갖는 대향하는 금속-SiC 오믹 콘택 경계영역(2101,2102)를 포함한다. 본 발명자들에 의하여 인식된 바와 같이, 레이저광이 SiC 기판과 그 위의 금속층의 접촉경계 지역에 쪼여질 때 금속-SiC 물질이 레이저광이 접촉경계 지역에 쪼여지는 곳의 경계영역에 근접하여 형성된다. 예를 들면, 도 24에 보이는 바와 같이 오믹 콘택 경계영 역(2101과 2102)는 SiC 기판에서 레이저광이 금속층의 접촉경계 지역에 쪼여지는 곳에서 바깥 영역을 정의한다.
따라서 본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 오믹 콘택 경계영역(2101 및 2102)는 대향하는 오믹 콘택 경계영역(2101 및 2102) 사이에 포함된 비-오믹 콘택 영역(2103)이 포함되는 어닐된 금속-SiC 오믹 콘택을 정의한다. 또한 접촉경계 지역을 어닐하여 대향하는 오믹 콘택 경계영역(2101,2102)에 금속-SiC를 형성하도록 하는 레이저광이 비-오믹 콘택 영역(2103)에도 쪼여지는 것이 이해될 것이다. 또한, 대향하는 오믹 콘택 경계영역(2101, 2102)의 모양이 사용되는 레이저광의 특성에 따라 변할 수 있는 것이 이해될 것이다. 예를 들면, 레이저광은 도 24에 보이는 바와 같이 균일하지 않은 윤곽을 제공하기 위하여 디포커스될 수 있고, 또는 도 24에 보이는 바와 비교하여 상대적으로 좁고 폭이 고른 윤곽을 제공하기 위하여 포커스될 수 있다. 그러나 도 24에 보이는 균일하지 않은 윤곽은 사실 예시적이며 도시된 바에 제한되지 않는 것이 이해될 것이다.
본 발명의 또 다른 실시예들에 따르면, 레이저 마스크의 어떤 에지들은 레이저광을 가이드하는 렌즈의 해상도(약 2㎛)보다 작은 규모의 구조(features)를 포함할 수 있고, 이것은 때때로 마스크 에지의 "소프트닝(softening)"이라고 불린다. 특히, 에지의 소프트닝은 레이저광의 에너지가 마스크에 의해 생성되는 이미지의 에지를 향할수록 점차로 감소되게 할 수 있다. 에지 근처에서의 에너지 감소는 마스크를 통하여 투사되는 레이저광에 의하여 생성되는 형태 에지의 밀도를 증가하게 할 수 있다. 예시적인 마스크 구조가 도 29A에 보여진다. 도 29B는 본 발명에 따 른 일부 실시예에 따른 도 29A에 보인 마스크 에지의 일부의 상세도이다.
도 25는 소자의 측면(2270)과 경사진 각을 형성하는 금속-SiC 오믹 콘택(2200)을 보여주는 단순화된 평면도이다. 복수의 금속-SiC 오믹 콘택(2200)에 포함된 각각의 줄무늬는 예를 들면 도 24에 도시된 바와 같이, 대향하는 금속-SiC 오믹 콘택 경계영역와 그 사이의 비-오믹 콘택 영역을 포함한다.
도 26은 줄무늬가 소자의 측면(2320)에 평행한 줄무늬를 가진 원형 패턴(2300)을 정의하는 복수의 금속-SiC 오믹 콘택의 단순화된 평면도이다. 패턴(2300)에서 각각의 줄무늬들은 예로서 도 24에 도시된 바와 같이 각각의 대향하는 금속-SiC 오믹 콘택 경계영역과 그 사이의 비-오믹 콘택 영역을 포함하는 것으로 이해될 것이다.
도 27은 원형의 동심원 링 패턴(2400)을 정의하는 금속-SiC 오믹 콘택의 패턴의 단순화된 평면도이다. 패턴(2400)에서 각각의 링들은 도 24에 예로서 도시한 바와 같이 대향하는 금속-SiC 오믹 콘택 경계영역과 그들 사이의 비-오믹 콘택 영역을 포함하는 것으로 이해될 것이다.
본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 도 23-27과 관련하여 위에서 기술된 금속-SiC 오믹 콘택에 포함된 줄무늬 또는 링들은 다양한 두께와 간격을 갖고 형성될 수 있다. 예를 들면, 본 발명에 따른 일부 실시예들에서, 금속-SiC 오믹 콘택의 줄무늬는 약 10 마이크론의 폭과 약 100 마이크론 또는 106 마이크론의 간격을 가질 수 있다. 본 발명에 따른 다른 실시예들에서, 도 26에 예로서 도시된 바와 같이 줄무늬는 실질적으로 약 95 마이크론의 지름을 갖는 원형패턴 안에 배치되고, 줄무늬 사이의 간격은 약 4 에서 약 5 마이크론이 될 수 있고, 또는 도 27에 도시된 동심원 링일 수 있다. 비록 도 25-27에 보여진 줄무늬 패턴들이 독립적으로 보여졌으나, 여기에 기술된 바와 같이 줄무늬 패턴은 금속-SiC 오믹 콘택을 형성하도록 결합될 수 있다.
여기에 기술된 금속-SiC 오믹 콘택을 어닐하는데 사용된 레이저광은 금속층과 SiC 기판 사이의 접촉경계에서 금속-실리사이드 물질을 형성하기에 충분한 파장과 강도를 갖는 레이저광일 수 있다. 예를 들면, 기판으로 6H SiC를 사용하는 실시예들에서, 레이저 어닐링은 약 30㎱의 지속시간을 갖는 단일 펄스에서 약 2.8 joule/㎠의 에너지와 약 248㎚에서 약 308㎚의 파장을 갖는 레이저광을 쪼임으로서 이루어질 수 있다. 예를 들면 SiC 기판이 4H SiC인 본 발명에 따른 다른 실시예들에서, 레이저광은 약 248㎚에서 약 308㎚의 파장과 각 펄스의 지속시간이 약 30㎱인 약 5 펄스에 인가되는 약 4.2 joule/㎠의 에너지를 가질 수 있다. 본 발명에 따른 또 다른 실시예들에서, SiC 기판의 밴드갭 위의 광자 에너지를 포함하는 빛의 흡수를 통하여 금속층과 SiC 기판의 접촉경계 지역을 어닐링을 제공하는데 다른 파장과 에너지들이 사용될 수 있다. 펄스 및/또는 연속 루프 레이저가 또한 사용될 수 있음이 이해될 것이다.
전자빔 어닐링이 레이저광의 대안으로 사용될 수 있음이 또한 이해될 것이다. 따라서, 위에서 기술된 각각의 실시예들에서, 금속층과 SiC 기판의 접촉경계 지역을 어닐하여 거기에 금속-SiC 물질을 형성하는데 전자빔이 사용될 수 있다. 금속-SiC 오믹 콘택은 어떤 것이든 SiC 소자들에 대한 콘택이 될 수 있고 SiC 에피 택셜층 위에 포함될 수 있다.
많은 변경과 수정이 당업자들에 의하여 본 개시의 이익이 주어지면서 본 발명의 범위와 정신을 벗어나지 않고 만들어질 수 있다. 그러므로 도시된 실시예들은 오직 예시로서 개시되었음이 이해되어야 하고, 다음의 청구항들에 의하여 정의되는 바처럼 발명을 제한하는 것으로 이해되어서는 안된다. 다음의 청구항들은 그러므로 글자의 뜻대로 설명된 요소의 조합뿐만 아니라 실질적으로 동일한 결과를 얻기 위하여 실질적으로 동일한 방법으로 실질적으로 동일한 기능을 수행하기 위한 모든 동등한 요소들을 포함하는 것으로 읽혀야 할 것이다.
본 발명은 기판 위에 포함된 에피택셜층의 손상을 입히지 않고 어닐링하여 기판에 오믹 콘택을 형성할 수 있다.

Claims (63)

  1. 실리콘 카바이드(SiC) 층 위에 금속을 형성하는 단계; 및
    상기 금속과 상기 SiC 층의 접촉경계 지역을 어닐링하여 상기 접촉경계 지역에 금속-SIC 물질을 형성하고, 상기 SiC 층 위의 지역의 어닐링을 피하여 상기 지역에서 금속-SIC 물질을 형성하는 것을 피하는 단계를 포함하는 반도체 소자를 위한 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 SiC 층은 SiC 기판을 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 어닐링은 상기 접촉경계 지역에서의 어닐링; 및
    상기 지역에서의 어닐링을 피하기 위한 패턴에 따른 어닐링을 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  4. 제 2항에 있어서, 상기 접촉경계 지역은 제1 접촉경계 지역을 포함하고 상기 SiC 기판 위의 지역은 상기 금속과 상기 SiC 기판의 제2 접촉경계 지역을 포함하며,
    상기 어닐링은 상기 제1 접촉경계 지역에 금속층 위로 마스크층 안의 개구부를 통하여 레이저 빛을 쪼이는 것과 상기 제2 접촉경계 지역에서의 어닐링을 피하 기 위하여 상기 제2 접촉경계 지역에 대향하는 마스크층으로 레이저 빛을 막는 것을 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 어닐링은 상기 접촉경계 지역에서 상기 금속층으로 레이저 빛을 쪼이기 위하여 상기 접촉경계 지역에 대향하는 레이저를 활성화하는 단계; 및
    상기 지역에서 어닐링을 피하기 위하여 상기 지역에 대향하는 레이저를 비활성화하는 단계를 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  6. 제 2항에 있어서, 상기 금속을 형성하는 단계는 상기 지역을 형성하도록 상기 SiC 기판에 상기 금속을 형성하는 것을 포함하되, 상기 지역은 상기 SiC 기판으로부터 간격을 두고 떨어져 있는, 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  7. 제 2항에 있어서, 상기 금속은 상기 지역에서 상기 SiC 기판의 일부를 노출시키는 패턴으로 형성되며,
    상기 어닐링은 상기 레이저 빛을 상기 접촉경계 지역에서 상기 금속층 위에 쪼이기 위하여 상기 접촉경계 지역에 대향하는 레이저를 활성화하는 단계; 및
    상기 지역에 대향하는 상기 레이저의 활성화를 유지하는 단계를 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  8. 제 2항에 있어서, 상기 접촉경계 지역에서의 상기 금속-SIC 물질은 앞면에 에피택셜층을 갖는 상기 기판의 상기 앞면에 대향하는 상기 기판의 뒷면의 금속 오믹 콘택을 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 어닐링은 서로 대향하는 오믹 콘택 경계영역들과 상기 경계들 사이의 비-오믹 콘택 영역을 포함하는 적어도 하나의 오믹 콘택을 형성하기 위하여 상기 접촉경계 지역 위에 레이저 빛을 쪼이는 단계를 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 적어도 하나의 오믹 콘택은 상기 소자의 측면과 경사각을 형성하는 줄무늬 패턴을 정의하는 각각 서로 대향하는 오믹 콘택 경계영역들을 포함하는 복수의 오믹 콘택을 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  11. 제 6항에 있어서, 상기 적어도 하나의 오믹 콘택은 상기 소자의 한 측면에 평행한 줄무늬 패턴을 정의하는 각각 서로 대향하는 오믹 콘택 경계영역들을 포함하는 복수의 오믹 콘택을 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  12. 제 6항에 있어서, 상기 적어도 하나의 오믹 콘택은 원형 패턴을 정의하는 각각 서로 대향하는 오믹 콘택 경계영역들을 포함하는 복수의 오믹 콘택을 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  13. 제 2항에 있어서, 상기 접촉경계 지역은 제1 접촉경계 지역을 포함하고 상기 SiC 기판 위의 지역은 상기 금속과 상기 SiC 기판의 제 2 접촉경계 지역을 포함하며,
    상기 어닐링은 상기 접촉경계 지역에 전자빔을 쪼이고, 상기 제2 접촉경계 지역으로부터 상기 전자빔을 막는 것을 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  14. 실리콘 카바이드(SiC) 층 위에 금속을 형성하는 단계; 및
    패턴을 따라 상기 금속과 상기 SiC 층의 접촉경계 지역을 레이저 어닐링하여 상기 지역에 상기 패턴에 해당하는 금속-SIC 물질을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자를 위한 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  15. 제 14항에 있어서, 상기 SiC 층은 SiC 기판을 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  16. 제 15항에 있어서, 상기 금속을 형성하는 단계는 상기 기판 위에 블랭킷 금속을 형성하는 것을 포함하고,
    상기 레이저 어닐링은 상기 패턴을 정의하는 마스크의 개구부를 통하여 상기 접촉경계 지역 위에 레이저 빛을 쪼여서 상기 지역에 상기 금속-SIC 물질을 형성하는 단계; 및
    상기 금속과 상기 SiC 기판의 다른 접촉경계 지역에 대향하는 마스크로 상기 레이저 빛을 막는 단계를 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  17. 제 14항에 있어서, 상기 금속을 형성하는 단계는 상기 기판 위에 블랭킷 금속을 형성하는 것을 포함하고,
    상기 레이저 어닐링은 상기 레이저 빛을 상기 접촉경계 지역에서 상기 블랭킷 금속층 위에 쪼이기 위하여, 패턴을 따라 상기 접촉경계 지역에 대향하는 레이저를 활성화하는 단계; 및
    다른 지역에서 어닐링을 피하기 위하여 다른 접촉경계 지역에 대향하는 상기 레이저를 비활성화하는 단계를 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  18. 제 14항에 있어서, 상기 금속은 니켈, 플래티늄, 또는 티타늄을 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  19. 제 15항에 있어서, 상기 레이저 어닐링은 상기 금속과 상기 SiC 기판의 실리사이드를 형성하기에 충분한 에너지와 파장으로 상기 접촉경계 지역 위에 레이저 빛을 쪼이는 것을 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  20. 제 19항에 있어서, 상기 SiC 기판은 6H SiC를 포함하고, 상기 레이저 어닐링은 약 30㎱의 지속시간을 갖는 단일 펄스로 약 248㎚에서 약 308㎚의 파장과 약 2.8 joule/㎠의 에너지를 갖는 레이저 빛을 쪼이는 것을 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  21. 제 19항에 있어서, 상기 SiC 기판은 4H SiC를 포함하고, 상기 레이저 어닐링은 각각 약 30㎱의 지속시간을 갖는 약 5 펄스로 약 248㎚에서 약 308㎚의 파장과 약 4.2 joule/㎠의 에너지를 갖는 레이저 빛을 쪼이는 것을 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  22. 제 19항에 있어서, 상기 레이저 빛은 상기 SiC 기판의 밴드갭보다 높은 광자 에너지를 갖는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  23. 제 19항에 있어서, 상기 레이저 빛은 펄스 또는 연속 파장 레이저 빛을 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  24. 실리콘 카바이드(SiC) 층의 일부가 노출되도록 패턴을 따라 상기 실리콘 카바이드(SiC) 층 위에 금속을 형성하는 단계; 및
    상기 패턴을 따라 금속-SIC 물질을 형성하도록 상기 SiC 기판의 노출된 부분과 상기 금속과 상기 SiC층의 접촉경계 지역 위에 레이저 빛을 쪼이는 단계를 포함하는 반도체 소자를 위한 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  25. 제 24항에 있어서, 상기 SiC 층은 SiC 기판을 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  26. 제 24항에 있어서, 상기 금속은 니켈, 플래티늄, 또는 티타늄을 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  27. 제 24항에 있어서, 상기 레이저 어닐링은 상기 금속과 상기 SiC 기판의 실리사이드를 형성하기에 충분한 에너지와 파장으로 상기 접촉경계 지역 위에 레이저 빛을 쪼이는 것을 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  28. 제 25항에 있어서, 상기 SiC 기판은 6H SiC를 포함하고, 상기 레이저 어닐링은 약 30㎱의 지속시간을 갖는 단일 펄스로 약 248㎚에서 약 308㎚의 파장과 약 2.8joule/㎠의 에너지를 갖는 레이저 빛을 쪼이는 것을 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  29. 제 25항에 있어서, 상기 SiC 기판은 4H SiC를 포함하고, 상기 레이저 어닐링은 각각 약 30㎱의 지속시간을 갖는 약 5 펄스로 약 248㎚에서 약 308㎚의 파장과 약 4.2 joule/㎠의 에너지를 갖는 레이저 빛을 쪼이는 것을 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  30. 제 25항에 있어서, 상기 레이저 빛은 상기 SiC 기판의 밴드갭보다 높은 광자 에너지를 갖는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  31. 제 25항에 있어서, 상기 레이저 빛은 펄스 또는 연속 파장 레이저 빛을 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  32. SiC 층의 제1 부분을 노출하고 기판의 제2 부분을 덮는 패턴을 따라 SiC 층 위에 포토레지스트을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 부분 위와 상기 포토레지스트 위에 블랭킷 금속을 형성하는 단계;
    금속-SIC 물질을 형성하도록 상기 제1 부분에 해당되는 상기 블랭킷 금속과 상기 SiC 층의 접촉경계 지역 위에 레이저 빛을 쪼이고, 상기 금속-SIC 물질의 형성을 피하기 위하여 상기 제2 부분에 해당되는 상기 블랭킷 금속 위에 레이저 빛을 쪼이는 것을 피하는 단계를 포함하는 반도체 소자를 위한 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  33. 제 32항에 있어서, 상기 SiC 층은 SiC 기판을 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  34. 제 32항에 있어서, 상기 금속-SIC 물질이 남도록 상기 포토레지스트로부터 금속을 제거하는 단계;
    상기 금속-SIC 물질 위에 덧층(overlay)을 형성하는 단계; 및
    상기 SiC 기판으로부터 상기 포토레지스트를 제거하는 단계를 더 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  35. 제 32항에 있어서, 상기 금속-SIC 물질 위와 상기 포토레지스트 위에 덧층을 형성하는 단계; 및
    상기 SiC 층으로부터 상기 포토레지스트를 제거하는 단계를 더 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  36. 제 32항에 있어서, 상기 금속-SIC 물질을 남기면서 그 위의 상기 포토레지스트와 상기 금속을 리프트 오프하는 단계; 및
    상기 금속-SIC 물질 위에 덧층을 형성하는 단계를 더 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  37. 제 32항에 있어서, 상기 금속은 니켈, 플래티늄, 또는 티타늄을 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  38. 제 32항에 있어서, 상기 레이저 어닐링은 상기 금속과 상기 SiC 기판의 실리사이드를 형성하기에 충분한 에너지와 파장으로 상기 접촉경계 지역 위에 레이저 빛을 쪼이는 것을 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  39. 제 33항에 있어서, 상기 SiC 기판은 6H SiC를 포함하고, 상기 레이저 어닐링은 약 30㎱의 지속시간을 갖는 단일 펄스로 약 248㎚에서 약 308㎚의 파장과 약 2.8 joule/㎠의 에너지를 갖는 레이저 빛을 쪼이는 것을 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  40. 제 33항에 있어서, 상기 SiC 기판은 4H SiC를 포함하고, 상기 레이저 어닐링은 각각 약 30㎱의 지속시간을 갖는 약 5 펄스로 약 248㎚에서 약 308㎚의 파장과 약 4.2 joule/㎠의 에너지를 갖는 레이저 빛을 쪼이는 것을 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  41. 제 33항에 있어서, 상기 레이저 빛은 상기 SiC 기판의 밴드갭보다 높은 광자 에너지를 갖는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  42. 제 32항에 있어서, 상기 레이저 빛은 펄스 또는 연속 파장 레이저 빛을 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  43. 서로 대향하는 오믹 콘택 경계영역들과 상기 경계영역들 사이의 비-오믹 콘택 영역을 포함하는 LED 위의 적어도 하나의 오믹 콘택을 제공하기 위하여, 금속과 실리콘 카바이드(SiC) 층 사이의 접촉경계 지역 위에 레이저 빛을 쪼여서 금속-SIC 물질을 형성하는 단계를 포함하는 발광소자(LED)를 위한 콘택을 형성하는 방법.
  44. 제 43항에 있어서, 상기 SiC 층은 SiC 기판을 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  45. 제 43항에 있어서, 상기 적어도 하나의 오믹 콘택은 상기 소자의 측면과 경사각을 형성하는 줄무늬 패턴을 정의하는 각각 서로 대향하는 오믹 콘택 경계영역들을 포함하는 복수의 오믹 콘택을 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  46. 제 43항에 있어서, 상기 적어도 하나의 오믹 콘택은 상기 소자의 한 측면에 평행한 줄무늬 패턴을 정의하는 각각 서로 대향하는 오믹 콘택 경계영역들을 포함하는 복수의 오믹 콘택을 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  47. 제 43항에 있어서, 상기 적어도 하나의 오믹 콘택은 원형 패턴을 정의하는 각각 서로 대향하는 오믹 콘택 경계영역들을 포함하는 복수의 오믹 콘택을 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  48. 제 44항에 있어서, 상기 SiC 기판은 6H SiC를 포함하고, 상기 레이저 어닐링은 약 30㎱의 지속시간을 갖는 단일 펄스로 약 248㎚에서 약 308㎚의 파장과 약 2.8 joule/㎠의 에너지를 갖는 레이저 빛을 쪼이는 것을 포함하는 오믹 콘택을 형 성하는 방법.
  49. 제 44항에 있어서, 상기 SiC 기판은 4H SiC를 포함하고, 상기 레이저 어닐링은 각각 약 30㎱의 지속시간을 갖는 약 5 펄스로 약 248㎚에서 약 308㎚의 파장과 약 4.2 joule/㎠의 에너지를 갖는 레이저 빛을 쪼이는 것을 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  50. 제 44항에 있어서, 상기 레이저 빛은 상기 SiC 기판의 밴드갭보다 높은 광자 에너지를 갖는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  51. 제 43항에 있어서, 상기 레이저 빛은 펄스 또는 연속 파장 레이저 빛을 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  52. 실리콘 카바이드(SiC) 층 위에 금속을 형성하는 단계; 및
    상기 금속과 상기 SiC 층을 레이저 어닐링하여 상기 금속과 상기 SiC 층의 접촉경계 지역에 금속-SIC 물질을 형성하는 단계; 및
    반도체 소자에 적어도 하나의 오믹 콘택을 제공하기 위하여 상기 금속-SIC 물질의 일부를 제거하여 패턴을 따라 상기 SiC 층을 노출하는 단계를 포함하는 반도체 소자를 위한 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  53. 제 52항에 있어서, 상기 SiC 층은 SiC 기판을 포함하는 오믹 콘택을 형성하는 방법.
  54. SiC 층 위의 적어도 하나의 금속-실리콘 카바이드(SiC) 오믹 콘택을 포함하되, 상기 적어도 하나의 금속-SiC 오믹 콘택은 서로 대향하는 오믹 콘택 경계영역들과 상기 경계들 사이의 비-오믹 콘택 영역을 포함하는 반도체 소자 내의 콘택.
  55. 제 54항에 있어서, 상기 SiC 층은 SiC 기판을 포함하는 콘택.
  56. 제 54항에 있어서, 상기 대향하는 오믹 콘택 경계영역들은 약 10㎛ 정도 떨어져 있는 콘택.
  57. 제 54항에 있어서, 상기 적어도 하나의 오믹 콘택은 상기 소자의 측면과 경사각을 형성하는 줄무늬 패턴을 정의하는 각각 서로 대향하는 오믹 콘택 경계영역들을 포함하는 복수의 오믹 콘택을 포함하는 콘택.
  58. 제 54항에 있어서, 상기 줄무늬들은 약 106㎛ 정도 떨어져 있는 콘택.
  59. 제 54항에 있어서, 상기 적어도 하나의 오믹 콘택은 상기 소자의 한 측면에 평행에 줄무늬 패턴을 정의하는 각각 서로 대향하는 오믹 콘택 경계영역들을 포함 하는 복수의 오믹 콘택을 포함하는 콘택.
  60. 제 54항에 있어서, 상기 줄무늬들은 약 95㎛의 지름을 갖는 실질적으로 원형의 형태를 정의하며, 상기 줄무늬들은 약 4.0㎛ 에서 약 5.0㎛의 거리만큼 떨어져 있는 콘택.
  61. 제 54항에 있어서, 상기 적어도 하나의 오믹 콘택은 원형 패턴을 정의하는 각각 서로 대향하는 오믹 콘택 경계영역들을 포함하는 복수의 오믹 콘택을 포함하는 콘택.
  62. 제 54항에 있어서, 상기 링들은 약 4.0㎛ 에서 약 5.0㎛의 거리만큼 떨어져 있는 콘택.
  63. 제 54항에 있어서, 상기 소자는 발광소자를 포함하는 콘택.
KR1020067002928A 2003-08-14 2004-08-12 금속-실리콘 카바이드 오믹 콘택의 국부 어닐링 및 그에의해 형성된 소자 KR20060057609A (ko)

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