JP6165313B2 - 炭化珪素半導体装置の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、炭化珪素半導体装置の製造方法に関する。
従来、炭化珪素半導体基体に縦型のパワーデバイスを形成する場合、当該パワーデバイスを外部の電気回路等と接続するための電極、例えば、ドレイン電極等を形成するに際し、炭化珪素半導体基体とドレイン電極等との接触抵抗を低減させるために、炭化珪素半導体基体にオーミック電極を形成することが望まれている。
オーミック電極を形成する第１の方法として、炭化珪素半導体基体にＮｉ薄膜を形成した後熱処理を行うというシリサイドプロセスを行い、炭化珪素半導体基体にＮｉシリサイド層を形成する方法が報告されている。しかしながら、上記した第１の方法においては、Ｎｉ薄膜由来のＮｉと炭化珪素半導体基体由来のＳｉとを反応させてＮｉシリサイド層を形成するために１０００℃以上の熱処理が必要となり、炭化珪素半導体基体に予め素子を形成しておいた場合、当該素子が破壊されてしまうという問題がある。
そこで、オーミック電極を形成する方法として、上記した問題を解決可能な第２の方法が報告されている（例えば、特許文献１参照。）。当該第２の方法は、炭化珪素半導体基体９１０の第１主面９１２に図示しない素子（ＭＯＳ構造）を形成し（図１０（ａ）及び図１０（ｂ）参照。）、その後炭化珪素半導体基体９１０の第１主面９１２上に保護膜９１６を形成した後、炭化珪素半導体基体９１０の第２主面９１４を研磨することで第２主面９１４に凹凸を形成し（図１０（ｃ）参照。）、その後当該第２主面９１４に、シリサイド形成可能な金属からなる金属薄膜９１８（例えばＮｉ薄膜）を形成し（図１０（ｄ）参照。）、さらにその後金属薄膜９１８に紫外域のレーザ光を照射することで炭化珪素半導体基体９１０と金属薄膜９１８との間に金属シリサイド層９２０を形成してオーミック電極９２４を形成するというものである（図１１（ａ）参照。）。なお、特許文献１においては、オーミック電極９２４を形成後、オーミック電極９２４上にドレイン電極９２６を形成し（図１１（ｂ）参照。）、炭化珪素半導体基体９１０の第１主面９１２側にソース電極９２８及び図示しないゲート電極を形成して（図１１（ｃ）参照。）、パワーＭＯＳＦＥＴを製造している。
当該第２の方法によれば、紫外域のレーザ光を照射することで金属シリサイド層を形成することから、上記した第１の方法とは違って、高温の熱処理が必要なくなり、炭化珪素半導体基体に予め素子を形成しておいた場合であっても当該素子が破壊されなくなり、炭化珪素半導体基体に素子を形成した後にオーミック電極を形成することができる。
特許第５４６０９７５号公報
しかしながら、上記した第２の方法においては、炭化珪素半導体基体に紫外域のレーザ光が直接照射されるとカーボンが析出して電極の剥離現象（特に、オーミック電極９２４とバックメタル（この場合ドレイン電極９２６）との剥離現象）が発生するという問題がある。また、金属薄膜の減衰係数が紫外域で低いことからシリサイド化反応が不十分となりオーミック電極の抵抗特性及び密着特性が劣化する（すなわち抵抗値が高くなり密着度が低くなる）場合があるという問題がある。さらにまた、紫外域のレーザ光を照射する装置が極めて高価であり、製造コストが高いという問題がある。
そこで、本発明は、上記した問題を解決するためになされたもので、カーボン析出の問題がなく、かつ、抵抗特性及び密着特性に優れたオーミック電極を安価な製造コストで製造可能な炭化珪素半導体装置の製造方法及び炭化珪素半導体装置を提供することを目的とする。
［１］本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、素子形成面である第１主面及び当該第１主面の反対面である第２主面を有する炭化珪素半導体基体を準備する炭化珪素半導体基体準備工程と、前記炭化珪素半導体基体を前記第２主面側から研磨することで前記第２主面に凹凸を形成する研磨工程と、前記炭化珪素半導体基体の前記第２主面上に、金属炭化物を形成可能な金属からなる金属薄膜を形成する金属薄膜形成工程と、前記金属薄膜に可視域又は赤外域のレーザ光を照射して前記金属薄膜を加熱することで前記炭化珪素半導体基体と前記金属薄膜との境界面に金属炭化物を形成するレーザ光照射工程と、前記金属炭化物の表面側に形成されることがある金属含有副生成物層を非酸化性薬液でエッチング除去して前記金属炭化物を表面に露出させるエッチング工程と、前記金属炭化物上に電極層を形成する電極層形成工程とをこの順序で含むことを特徴とする。
［２］本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法においては、前記金属炭化物を形成可能な金属が、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ及びＭｏ並びにこれらの合金からなる群より選択される一又は二以上の金属からなることが好ましい。
［３］本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法においては、前記金属炭化物を形成可能な金属が、Ｔｉ又はＴｉ合金からなることが好ましい。
［４］本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法においては、前記可視域又は赤外域のレーザ光がグリーンレーザ光（波長：５３２ｎｍ）であることが好ましい。
［５］本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法においては、前記炭化珪素半導体基体と前記金属薄膜との境界面に前記金属炭化物を形成可能で、かつ、前記金属薄膜を透過したレーザ光により前記炭化珪素半導体基体の前記第１主面側の温度が素子を形成する際の最高プロセス温度よりも高い温度にならないような条件で前記レーザ光照射工程を実施することが好ましい。
なお、上記した条件には、レーザ光のパワー、レーザ光の波長、レーザ光のスポット径、レーザ光の絞り角度、レーザ光の走査速度、レーザ光の照射方法（連続照射又は間欠照射）、金属薄膜の厚さ、半導体基体の厚さなどに関する条件が含まれる。
［６］本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法においては、金属薄膜形成工程で形成する前記金属薄膜の厚さが５０ｎｍ〜３５０ｎｍの範囲内にあることが好ましい。
［７］本発明の記載の炭化珪素半導体装置の製造方法においては、前記炭化珪素半導体基体と前記金属薄膜との境界面から５０ｎｍの深さ位置に到達するレーザ光の光量が１０％以下となる条件で前記レーザ光照射工程を開始することが好ましい。
［８］本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法において、前記エッチング工程においては、前記金属炭化物の表面側に形成されることがあるシリコン酸化物をも前記非酸化性薬液でエッチング除去することが好ましい。
［９］本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法においては、前記第２主面の算術平均粗さＲａが３０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内となるように前記研磨工程を実施することが好ましい。
［１０］本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法においては、スクライブライン上に前記レーザ光を照射しない条件で前記レーザ光照射工程を実施することが好ましい。
［１１］本発明の炭化珪素半導体装置は、素子形成面である第１主面、及び、当該第１主面の反対面でありかつ凹凸面である第２主面を有する炭化珪素半導体基体と、前記炭化珪素半導体基体の前記第２主面上に形成された（位置する）金属炭化物と、前記金属炭化物上に形成された（位置する）電極層とを備えることを特徴とする。
本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、金属炭化物を形成可能な金属からなる金属薄膜に可視域又は赤外域のレーザ光を照射して金属炭化物を形成することでオーミック電極を形成できることから、カーボン析出の問題がない。
また、本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、金属薄膜の減衰係数が紫外域よりも可視域で高いことから、金属炭化反応を十分に進めることが可能となり、オーミック電極の抵抗特性及び密着特性が劣化し難い。
さらにまた、本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、可視域又は赤外域のレーザ光を照射する装置が紫外域のレーザ光を照射する装置よりも安価であることから、従来よりも製造コストが安価になる。
その結果、本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、カーボン析出の問題がなく、かつ、抵抗特性及び密着特性に優れたオーミック電極を安価な製造コストで製造可能な炭化珪素半導体装置の製造方法となる。
また、本発明の炭化珪素半導体装置は、上記した炭化珪素半導体装置の製造方法により製造可能であることから、カーボン析出の問題がなく、かつ、抵抗特性及び密着特性に優れたオーミック電極を備えた、安価な炭化珪素半導体装置となる。
実施形態１に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図１（ａ）〜図１（ｄ）は各工程図である。 実施形態１に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図２（ａ）〜図２（ｄ）は各工程図である。なお、図１及び図２においては、図面の簡略化のために周辺耐圧構造について図示を省略する。 紫外域、可視域及び近赤外域における金属（Ｔｉ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｗ）の減衰係数を示す図である。 実施形態２に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図４（ａ）〜図４（ｄ）は各工程図である。 実施形態２に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図５（ａ）〜図５（ｄ）は各工程図である。なお、図４及び図５においては、図面の簡略化のために周辺耐圧構造について図示を省略する。 実施形態３に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図６（ａ）〜図６（ｄ）は各工程図である。 実施形態３に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図７（ａ）〜図７（ｄ）は各工程図である。なお、図６及び図７においては、図面の簡略化のために素子構造及び周辺耐圧構造について図示を省略する。 実施形態４に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図８（ａ）〜図８（ｃ）は各工程図である。 実施形態４に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図９（ａ）〜図９（ｃ）は各工程図である。なお、図８及び図９においては、図面の簡略化のために素子構造について図示を省略する。 従来の炭化珪素半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図１０（ａ）〜図１０（ｄ）は各工程図である。 従来の炭化珪素半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図１１（ａ）〜図１１（ｃ）は各工程図である。なお、図１０及び図１１においては、図面の簡略化のために素子構造及び周辺耐圧構造について図示を省略する。
以下、本発明の半導体装置について、図に示す実施形態に基づいて説明する。
［実施形態１］
実施形態１は、ｐｎダイオードに関する実施形態である。実施形態１に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、炭化珪素半導体基体準備工程と、研磨工程と、金属薄膜形成工程と、レーザ光照射工程と、エッチング工程と、電極層形成工程とをこの順序で含む。以下、図１〜図３を参照しながら、実施形態１に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を詳細に説明する。
＜炭化珪素半導体装置の製造方法＞
１．炭化珪素半導体基体準備工程
炭化珪素半導体基体準備工程は、素子形成面である第１主面１１２及び当該第１主面１１２の反対面である第２主面１１４を有する炭化珪素半導体基体１１０を準備する工程である。まず、ｎ＋型の炭化珪素半導体基板１１０ａ上にｎ−型の炭化珪素エピタキシャル層１１０ｂが積層された炭化珪素半導体基体１１０の第１主面側（この場合、炭化珪素エピタキシャル層１１０の表面側）からのｐ型不純物の拡散によりｐ＋型拡散層１１０ｃを形成する。また、炭化珪素半導体基体１１０の第１主面（この場合、炭化珪素エピタキシャル層１１０の表面）に図示しない周辺耐圧構造を形成する。これにより、炭化珪素半導体基体１１０の第１主面１１２側にはｐｎ接合及び周辺耐圧構造が形成され、第１主面２１２が素子形成面となる（図１（ａ）及び図１（ｂ）参照。）。この場合、ｐｎ接合及び周辺耐圧構造が本発明の素子に相当する。
２．研磨工程
次に、炭化珪素半導体基体１１０の第１主面１１２に、素子を保護するための保護膜１１６を形成した後、炭化珪素半導体基体１１０を第２主面１１４側から研磨することで第２主面１１４に凹凸を形成する（図１（ｃ）参照。）。このとき、第２主面１１４の算術平均粗さＲａが３０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内となるように研磨工程を実施する。
第２主面１１４の算術平均粗さＲａが３０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内となるように研磨工程を実施するのは以下の理由による。すなわち、第２主面１１４の算術平均粗さＲａを３０ｎｍ以上とした場合には、第２主面の表面積が大きくなり後述するレーザ光照射工程で金属炭化反応が進み易くなるからであり、また、後述するレーザ光照射工程でレーザ光が散乱され易くなるため、炭化珪素半導体基体１１０の第１主面１１２に到達するグリーンレーザ光の強度が低くなり、その結果、素子の温度が高くならず素子が破壊され難くなるからである。一方、第２主面１１４の算術平均粗さＲａを３００ｎｍよりも大きくした場合には、炭化珪素半導体基体１１０が割れ易くなり、好ましくないからである。これらの観点から言えば、第２主面１１４の算術平均粗さＲａが５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内となるように研磨工程を実施することがより好ましい。
なお、研磨工程においては、単に、炭化珪素半導体基体１１０の第２主面１１４に凹凸を形成してもよいし、炭化珪素半導体基体１１０の厚さを薄くする（例えば、４００μｍ→７０μｍにする）とともに炭化珪素半導体基体１１０の第２主面１１４に凹凸を形成してもよい。
３．金属薄膜形成工程
次に、炭化珪素半導体基体１１０の第２主面１１４上に、金属炭化物を形成可能な金属からなる金属薄膜１１８をＣＶＤ法又はスパッタリング法により形成する（図１（ｄ）参照。）。実施形態１においては、金属薄膜１１８としてＴｉ薄膜を用い、金属薄膜１１８の膜厚はこれを５０ｎｍ〜３５０ｎｍの範囲内とする。
金属薄膜１１８の膜厚を５０ｎｍ〜３５０ｎｍの範囲内としたのは以下の理由による。すなわち、金属薄膜１１８の膜厚を５０ｎｍよりも薄くした場合には、次のレーザ光照射工程でオーミック電極として十分な量の金属炭化物を形成できない場合があり、また、グリーンレーザ光を減衰させる力が弱く、炭化珪素半導体基体１１０の第１主面１１２に到達するグリーンレーザ光の強度が高くなり、その結果、素子の温度が高くなって素子が破壊され易くなり、好ましくないからである。一方、金属薄膜１１８の膜厚を３５０ｎｍよりも厚くした場合には、炭化珪素半導体基体１１０と金属薄膜１１８との界面に到達するグリーンレーザ光の強度が低くなり、その結果、オーミック電極として十分な量の金属炭化物を形成できない場合があり、好ましくないからである。これらの観点から言えば、金属薄膜１１８の膜厚はこれを１５０ｎｍ〜２５０ｎｍの範囲内とすることがより好ましい。
４．レーザ光照射工程
次に、炭化珪素半導体基体１１０の第２主面１１４側から、金属薄膜１１８に可視域又は赤外域のレーザ光を照射して金属薄膜１１８を加熱することで炭化珪素半導体基体１１０と金属薄膜１１８との境界面に金属炭化物１２０を形成する（図２（ａ）参照。）。実施形態１においては、可視域又は赤外域のレーザ光として、可視域のレーザ光（例えば、波長５３２ｎｍのグリーンレーザ光）を用いる。実施形態１においては、金属炭化物１２０がオーミック電極１２４となる。
なお、金属炭化物１２０は、層状の金属炭化物（すなわち金属炭化物層）であってもよいし、粒状の金属炭化物（すなわち金属炭化物粒）であってもよい。いずれの場合にも、金属炭化物が１２０がオーミック電極１２４として機能する。レーザ光照射工程においては、金属炭化物１２０を覆うように金属含有副生成物層１２２が形成されることがあるが（図２（ａ）参照。）、当該金属含有副生成物層１２２は、次のエッチング工程で除去することができる。また、レーザ光照射工程においては、金属含有副生成物層１２２とともにシリコン酸化物が形成されることがあるが（図示せず。）、当該シリコン酸化膜も、次のエッチング工程で除去することができる。
レーザ光照射工程の条件は、炭化珪素半導体基体１１０と金属薄膜１１８との境界面に金属炭化物１２０を形成可能で、かつ、金属薄膜１１８を透過したレーザ光により炭化珪素半導体基体１１０の第１主面１１２側の温度が素子を形成する際の最高プロセス温度よりも高い温度にならないような条件とする。当該条件には、レーザ光のパワー、レーザ光の波長、レーザ光のスポット径、レーザ光の絞り角度、金属薄膜１１８の材料、金属薄膜１１８の厚さ、炭化珪素半導体基体１１０の厚さなどの条件を例示することができる。なお、レーザ光照射工程においては、炭化珪素半導体基体１１０と金属薄膜１１８との境界面から５０ｎｍの深さ位置に到達するレーザ光の光量が１０％以下、より好ましくは１％以下、となる条件でレーザ光照射工程を開始する。
５．エッチング工程
次に、上記したように金属炭化物１２０の表面側に形成されることがある金属含有副生成物層１２２（及びシリコン酸化膜）を非酸化性薬液でエッチング除去して金属炭化物１２０を表面に露出させる（図２（ｂ）参照。）。これにより、次の電極形成工程において、炭化珪素半導体基体１１０の第２主面１１４上に、金属炭化物１２０（オーミック電極１２４）を介してバックメタル（この場合カソード電極１２６）を形成できるようになる。
エッチング工程で用いる非酸化性薬液としては、フッ酸系の薬剤（例えば希フッ酸）を用いることができる。
６．電極層形成工程
次に、炭化珪素半導体基体１１０の第２主面１１４に金属炭化物１２０（オーミック電極１２４）を介してカソード電極１２６を形成する（図２（ｃ）参照。）。カソード電極１２６としては、例えば、Ｔｉ，Ｎｉ，Ａｇの積層膜を用いる。これにより、バックメタル（この場合カソード電極１２６）と炭化珪素半導体基体１１０とが金属炭化物１２０（オーミック電極１２４）を介して電気的に接続されることになる。その後、炭化珪素半導体基体１１０の第１主面１１２から保護膜１１６を除去するとともに、炭化珪素半導体基体１１０の第１主面１１２上に、アノード電極１２８を形成する（図２（ｄ）参照。）。アノード電極１２８としてはＴｉを好ましく用いることができる。
以上の工程を実施することにより、実施形態１に係る炭化珪素半導体装置（ｐｎダイオード）１００を製造することができる。
＜炭化珪素半導体装置＞
実施形態１に係る炭化珪素半導体装置１００は、図２（ｄ）に示すように、素子形成面である第１主面１１２、及び、当該第１主面１１２の反対面でありかつ凹凸面である第２主面１１４を有する炭化珪素半導体基体１１０と、炭化珪素半導体基体１１０の第２主面１１４上に形成された（位置する）金属炭化物１２０と、金属炭化物１２０上に形成された（位置する）電極層（カソード電極）１２６と、炭化珪素半導体基体１１０の第１主面１１２上に形成された（位置する）アノード電極１２８とを備える。
＜炭化珪素半導体装置の製造方法の効果＞
実施形態１に係る炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、金属炭化物を形成可能な金属からなる金属薄膜１１８（Ｔｉ薄膜）に可視域又は赤外域のレーザ光（グリーンレーザ光）を照射して金属炭化物１２０を形成することでオーミック電極１２４を形成できることから、カーボン析出の問題がない。
また、実施形態１に係る炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、金属薄膜１１８（Ｔｉ薄膜）の減衰係数が紫外域よりも可視域で高いことから（図３参照。）、金属炭化反応を十分に進めることが可能となり、オーミック電極の抵抗特性及び密着特性が劣化し難い。
さらにまた、実施形態１に係る炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、可視域又は赤外域のレーザ光（グリーンレーザ光）を照射する装置が紫外域のレーザ光を照射する装置よりも安価であることから、従来よりも製造コストが安価になる。
その結果、実施形態１に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、カーボン析出の問題がなく、かつ、抵抗特性及び密着特性に優れたオーミック電極を安価な製造コストで製造可能な炭化珪素半導体装置の製造方法となる。
また、実施形態１に係る炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、紫外域のレーザ光ではなく、可視域又は赤外域のレーザ光で金属薄膜１１８を加熱することから、金属薄膜１１８を通過するレーザ光の光量が低くなり、かつ、炭化珪素半導体基体１１０によるレーザ光の吸収率も低くなる。その結果、金属薄膜１１８を通過するレーザ光により炭化珪素半導体基体１１０自体が加熱される度合いが小さくなり、炭化珪素半導体基体１１０から生成されるカーボンの量を少なくすることができる。
また、実施形態１に係る炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、金属薄膜１１８がＴｉ薄膜である、すなわち、金属炭化物を形成可能な金属がＴｉであることから、ＷやＭｏの場合と違って、金属含有副生成物層１２２（Ｔｉ、ＴｉＳｉｘなどを含む）を酸化性薬液を用いることなくエッチング除去できる。その結果、金属炭化物１２０の表面が酸化されにくくなることから、金属炭化物１２０とバックメタル（この場合カソード電極１２６）との密着性が劣化し難くなる。
また、実施形態１に係る炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、可視域又は赤外域のレーザ光として、金属薄膜１１８に対する減衰係数が紫外域のレーザ光よりも大きいグリーンレーザ光（波長：５３２ｎｍ、ＹＡＧレーザ光の２倍波）を用いてレーザ光照射工程を実施することから、金属薄膜１１８を効率良く加熱することで金属薄膜１１８を効率良く金属炭化物１２０に変換することができ、また、炭化珪素半導体基体１１０に到達するレーザ光の光量を小さくすることで素子への影響を低減できる。
また、実施形態１に係る炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、金属薄膜１１８として、膜厚が５０ｎｍ〜３５０ｎｍの範囲内にあるＴｉ薄膜を用いたことから、オーミック電極１２４として十分な量の金属炭化物１２０を安定的に形成でき、また、素子の温度が高くなって素子が破壊されるという事態の発生を抑制できる。
＜炭化珪素半導体装置の効果＞
実施形態１に係る炭化珪素半導体装置は、上記したように、実施形態１に係る炭化珪素半導体装置の製造方法により製造可能であることから、カーボン析出の問題がなく、かつ、抵抗特性及び密着特性に優れたオーミック電極を備えた、安価な炭化珪素半導体装置となる。
［実施形態２］
実施形態２に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、基本的には、実施形態１に係る炭化珪素半導体装置の製造方法と同様の工程を含むが、製造する炭化珪素半導体装置がｐｎダイオードではなくショットキーバリアダイオードである点が実施形態１に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の場合と異なる。
このように、実施形態２に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、製造する炭化珪素半導体装置がｐｎダイオードではなくショットキーバリアダイオードである点が実施形態１に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の場合と異なるが、金属炭化物を形成可能な金属からなる金属薄膜（Ｔｉ薄膜）に可視域又は赤外域のレーザ光（グリーンレーザ光）を照射して金属炭化物を形成することでオーミック電極を形成できることから、実施形態１に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の場合と同様に、カーボン析出の問題がなく、かつ、抵抗特性及び密着特性に優れたオーミック電極を安価な製造コストで製造可能な炭化珪素半導体装置の製造方法となる。
実施形態２に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、炭化珪素半導体基体準備工程と、研磨工程と、金属薄膜形成工程と、レーザ光照射工程と、エッチング工程と、電極層形成工程とをこの順序で含む。以下、図４〜図５を参照しながら、実施形態２に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を詳細に説明する。
１．炭化珪素半導体基体準備工程
炭化珪素半導体基体準備工程は、素子形成面である第１主面及び当該第１主面の反対面である第２主面を有する炭化珪素半導体基体を準備する工程である。まず、ｎ＋型の炭化珪素半導体基板２１０ａ上にｎ−型の炭化珪素エピタキシャル層２１０ｂが形成された炭化珪素半導体基体２１０の第１主面２１２上に、ｎ−型の炭化珪素エピタキシャル層２１０ｂとの間にショットキー接合を形成するショットキー金属層２１５を形成する。また、炭化珪素半導体基体２１０の第１主面２１２に図示しない周辺耐圧構造を形成する。これにより、炭化珪素半導体基体２１０の第１主面２１２側にはショットキー接合及び周辺耐圧構造が形成され、第１主面２１２が素子形成面となる（図４（ａ）及び図４（ｂ）参照。）。この場合、ショットキー接合及び周辺耐圧構造が本発明の素子に相当する。
２．研磨工程
次に、実施形態１の場合と同様にして、炭化珪素半導体基体２１０の第１主面２１２に、素子を保護するための保護膜２１６を形成した後、炭化珪素半導体基体２１０を第２主面２１４側から研磨することで第２主面２１４に凹凸を形成する（図４（ｃ）参照。）。
３．金属薄膜形成工程
次に、実施形態１の場合と同様にして、炭化珪素半導体基体２１０の第２主面２１４上に、金属炭化物を形成可能な金属からなる金属薄膜２１８をＣＶＤ法又はスパッタリング法により形成する（図４（ｄ）参照。）。
４．レーザ光照射工程
次に、実施形態１の場合と同様にして、炭化珪素半導体基体２１０の第２主面２１４側から、金属薄膜２１８に可視域又は赤外域のレーザ光を照射して金属薄膜２１８を加熱することで炭化珪素半導体基体２１０と金属薄膜２１８との境界面に金属炭化物２２０を形成する（図５（ａ）参照。）。
５．エッチング工程
次に、実施形態１の場合と同様にして、上記したように金属炭化物２２０の表面側に形成されることがある金属含有副生成物層２２２（及びシリコン酸化膜）を非酸化性薬液でエッチング除去して金属炭化物２２０を表面に露出させる（図５（ｂ）参照。）。
６．電極層形成工程
次に、実施形態１の場合と同様にして、炭化珪素半導体基体２１０の第２主面２１４に金属炭化物２２０（オーミック電極２２４）を介してカソード電極２２６を形成する（図５（ｃ）参照。）。カソード電極２２６としては、例えば、Ｔｉ，Ｎｉ，Ａｇの積層膜を用いる。これにより、バックメタル（この場合カソード電極２２６）と炭化珪素半導体基体２１０とが金属炭化物２２０（オーミック電極２２４）を介して電気的に接続されることになる。その後、炭化珪素半導体基体２１０の第１主面２１２から保護膜２１６を除去するとともに、炭化珪素半導体基体２１０の第１主面２１２上に、アノード電極２２８を形成する（図５（ｄ）参照。）。
以上の工程を実施することにより、実施形態２に係る炭化珪素半導体装置（ショットキーバリアダイオード）２００を製造することができる。
［実施形態３］
実施形態３に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、基本的には、実施形態１に係る炭化珪素半導体装置の製造方法と同様の工程を含むが、製造する炭化珪素半導体装置がｐｎダイオードではなくパワーＭＯＳＦＥＴである点が実施形態１に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の場合と異なる。
このように、実施形態３に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、製造する炭化珪素半導体装置がｐｎダイオードではなくパワーＭＯＳＦＥＴである点が実施形態１に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の場合と異なるが、金属炭化物を形成可能な金属からなる金属薄膜（Ｔｉ薄膜）に可視域又は赤外域のレーザ光（グリーンレーザ光）を照射して金属炭化物を形成することでオーミック電極を形成できることから、実施形態１に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の場合と同様に、カーボン析出の問題がなく、かつ、抵抗特性及び密着特性に優れたオーミック電極を安価な製造コストで製造可能な炭化珪素半導体装置の製造方法となる。
実施形態３に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、炭化珪素半導体基体準備工程と、研磨工程と、金属薄膜形成工程と、レーザ光照射工程と、エッチング工程と、電極層形成工程とをこの順序で含む。以下、図６〜図７を参照しながら、実施形態３に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を詳細に説明する。
＜炭化珪素半導体装置の製造方法＞
１．炭化珪素半導体基体準備工程
炭化珪素半導体基体準備工程は、素子形成面である第１主面３１２及び当該第１主面３１２の反対面である第２主面３１４を有する炭化珪素半導体基体３１０を準備する工程である。まず、ｎ−型の炭化珪素半導体基板の一方の面（第２主面）側に図示しないｐ＋型半導体層が形成された炭化珪素半導体基体３１０を準備し、当該炭化珪素半導体基体３１０の第１主面３１２側に、図示しないＭＯＳ構造（ｐ型ボディ領域、ｐ＋型ボディコンタクト領域、ｎ＋型ソース領域、ゲート絶縁層、ゲート電極、保護絶縁層、ソース電極など）及び図示しない周辺耐圧構造を形成し、第１主面３１２を素子形成面とする（図６（ａ）及び図６（ｂ）参照。）。この場合、上記したＭＯＳ構造及び周辺耐圧構造が本発明の素子に相当する。
２．研磨工程
次に、実施形態１の場合と同様にして、炭化珪素半導体基体３１０の第１主面３１２に、素子を保護するための保護膜３１６を形成した後、炭化珪素半導体基体３１０を第２主面３１４側から研磨することで第２主面３１４に凹凸を形成する（図６（ｃ）参照。）。
３．金属薄膜形成工程
次に、実施形態１の場合と同様にして、炭化珪素半導体基体３１０の第２主面３１４上に、金属炭化物を形成可能な金属からなる金属薄膜３１８をＣＶＤ法又はスパッタリング法により形成する（図６（ｄ）参照。）。
４．レーザ光照射工程
次に、実施形態１の場合と同様にして、炭化珪素半導体基体３１０の第２主面３１４側から、金属薄膜３１８に可視域又は赤外域のレーザ光を照射して金属薄膜３１８を加熱することで炭化珪素半導体基体３１０と金属薄膜３１８との境界面に金属炭化物３２０を形成する（図７（ａ）参照。）。
５．エッチング工程
次に、実施形態１の場合と同様にして、上記したように金属炭化物３２０の表面側に形成されることがある金属含有副生成物層３２２（及びシリコン酸化膜）を非酸化性薬液でエッチング除去して金属炭化物３２０を表面に露出させる（図７（ｂ）参照。）。
６．電極層形成工程
次に、実施形態１の場合と同様にして、炭化珪素半導体基体３１０の第２主面３１４に金属炭化物３２０（オーミック電極３２４）を介してドレイン電極３２６を形成する（図７（ｃ）参照。）。ドレイン電極３２６としては、例えば、Ｔｉ，Ｎｉ，Ａｇの積層膜を用いる。これにより、バックメタル（この場合ドレイン電極３２６）と炭化珪素半導体基体３１０とが金属炭化物３２０（オーミック電極３２４）を介して電気的に接続されることになる。その後、炭化珪素半導体基体３１０の第１主面３１２から保護膜３１６を除去するとともに、炭化珪素半導体基体３１０の第１主面３１２上に、ソース電極３２８及び図示しないゲートパッド電極を形成する（図７（ｄ）参照。）。
以上の工程を実施することにより、実施形態３に係る炭化珪素半導体装置（プレーナー型ＭＯＳＦＥＴ）３００を製造することができる。
＜炭化珪素半導体装置＞
実施形態３に係る炭化珪素半導体装置３００は、図７（ｄ）に示すように、素子形成面である第１主面３１２、及び、当該第１主面３１２の反対面でありかつ凹凸面である第２主面３１４を有する炭化珪素半導体基体３１０と、炭化珪素半導体基体３１０の第２主面３１４上に形成された（位置する）金属炭化物３２０と、金属炭化物３２０上に形成された（位置する）電極層（ドレイン電極）３２６とを備える。
［実施形態４］
実施形態４に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、基本的には、実施形態３に係る炭化珪素半導体装置の製造方法と同様の工程を含むが、レーザ光照射工程の内容が実施形態３に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の場合と異なる。すなわち、実施形態４に係る炭化珪素半導体装置の製造方法においては、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、スクライブライン上にレーザ光を照射しない条件でレーザ光照射工程を実施することとしている。
このように、実施形態４に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、レーザ光照射工程の内容が実施形態３に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の場合と異なるが、金属炭化物を形成可能な金属からなる金属薄膜（Ｔｉ薄膜）に可視域又は赤外域のレーザ光（グリーンレーザ光）を照射して金属炭化物を形成することでオーミック電極を形成できることから、実施形態１に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の場合と同様に、カーボン析出の問題がなく、かつ、抵抗特性及び密着特性に優れたオーミック電極を安価な製造コストで製造可能な炭化珪素半導体装置の製造方法となる。
実施形態４に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、炭化珪素半導体基体準備工程と、研磨工程と、金属薄膜形成工程と、レーザ光照射工程と、エッチング工程と、電極層形成工程とをこの順序で含む。以下、図８〜図９を参照しながら、実施形態４に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を詳細に説明する。
１．炭化珪素半導体基体準備工程
まず、実施形態３の場合と同様に、炭化珪素半導体基体準備工程を実施する
２．研磨工程
次に、実施形態３の場合と同様に、研磨工程を実施する。
３．金属薄膜形成工程
次に、実施形態３の場合と同様に、金属薄膜形成工程を実施する（図８（ａ）参照。）。
４．レーザ光照射工程
次に、基本的には実施形態３の場合と同様に、レーザ光照射工程を実施する。但し、実施形態４においては、図８（ｂ）に示すように、スクライブライン上にレーザ光を照射しない条件でレーザ光照射工程を実施する。このため、スクライブラインを除く領域においては、実施形態３の場合と同様に、炭化珪素半導体基体３１０上に金属炭化物３２０及び金属含有副生成物層３２２が形成され、スクライブライン上においては、炭化珪素半導体基体３１０上に金属薄膜３１８がそのままの状態で残存する。
５．エッチング工程
次に、実施形態３の場合と同様に、金属含有副生成物層３２２（及びシリコン酸化膜）を非酸化性薬液でエッチング除去して金属炭化物３２０を表面に露出させる。このとき、金属薄膜３１８も非酸化性薬液によりエッチング除去される（図８（ｃ）参照。）。
６．電極層形成工程
次に、実施形態３の場合と同様に、電極層形成工程を実施する（図９（ａ）及び図９（ｂ）参照。）。このようにして、ウェーハ状の炭化珪素半導体装置（プレーナー型のＭＯＳＦＥＴ）３０２を製造することができる。
その後、スクライブラインに沿ってウェーハ状の炭化珪素半導体装置３０２を切断・分割することで、チップ状の炭化珪素半導体装置３０４を製造することができる。このとき、スクライブライン上には金属炭化物が存在しないため、ウェーハ状の炭化珪素半導体装置１０２を切断・分割する作業を容易に実施できるようになる。
以上、本発明を上記の実施形態に基づいて説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではない。その趣旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば、次のような変形も可能である。
（１）上記実施形態１においては、金属炭化物を形成可能な金属としてＴｉを用いたが、本発明はこれに限定されるものではない。金属炭化物を形成可能な金属であれば、Ｔｉ以外の材料、例えばＴｉ合金（例えば、ＴｉＣｘ、ＴｉＳｉｘ、ＴｉＮｘ、ＴｉＯｘなど。）を用いてもよいし、Ｔａ、Ｗ及びＭｏ並びにこれらの合金からなる群より選択される一又は二以上の金属を用いてもよい。
（２）上記実施形態１においては、可視域又は赤外域のレーザ光としてグリーンレーザ光（波長：５３２ｎｍ）を用いたが、本発明はこれに限定されるものではない。グリーンレーザ光以外の可視域のレーザーや赤外域のレーザ光を用いることもできる。
（３）上記実施形態１においては、炭化珪素半導体装置としてｐｎダイオードを用いて本発明を説明し、上記実施形態２においては、炭化珪素半導体装置としてショットキーバリアダイオードを用いて本発明を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。サイリスタその他の受動型パワー半導体装置全般に本発明を適用することもできる。
（４）上記実施形態３及び４においては、プレーナー型のパワーＭＯＳＦＥＴを用いて本発明を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。トレンチ型のパワーＭＯＳＦＥＴに本発明を適用することもできるし、プレーナー型又はトレンチ型のＩＧＢＴその他の能動型パワー半導体装置全般に本発明を適用することもできる。
１００，２００，３００，３０２，３０４…炭化珪素半導体装置、１１０，２１０，３１０…炭化珪素半導体基体、１１２，２１２，３１２…第１主面、１１４，２１４，３１４…第２主面、１１６，２１６，３１６…保護膜、１１８，２１８，３１８…金属薄膜、１２０，２２０，３２０…金属炭化物、１２２，２２２，３２２…金属含有副生成物層、１２４，２２４，３２４…オーミック電極、１２６，２２６…カソード電極、１２８，２２８…アノード電極，２１５…ショットキー金属層、３２６…ドレイン電極、３２８…ソース電極

Claims (10)

  1. 素子形成面である第１主面及び当該第１主面の反対面である第２主面を有する炭化珪素半導体基体を準備する炭化珪素半導体基体準備工程と、
    前記炭化珪素半導体基体を前記第２主面側から研磨することで前記第２主面に凹凸を形成する研磨工程と、
    前記炭化珪素半導体基体の前記第２主面上に、金属炭化物を形成可能な金属からなる金属薄膜を形成する金属薄膜形成工程と、
    前記炭化珪素半導体基体の前記第２主面側から前記金属薄膜に可視域又は赤外域のレーザ光を照射して前記金属薄膜を加熱することで前記炭化珪素半導体基体と前記金属薄膜との境界面に金属炭化物を形成するレーザ光照射工程と、
    前記金属炭化物の表面側に形成されることがある金属含有副生成物層を非酸化性薬液でエッチング除去して前記金属炭化物を表面に露出させるエッチング工程と、
    前記金属炭化物上に電極層を形成する電極層形成工程とをこの順序で含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
  2. 請求項１に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法において、
    前記金属炭化物を形成可能な金属が、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ及びＭｏ並びにこれらの合金からなる群より選択される一又は二以上の金属からなることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
  3. 請求項１に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法において、
    前記金属炭化物を形成可能な金属が、Ｔｉ又はＴｉ合金からなることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
  4. 請求項１〜３のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法において、
    前記可視域又は赤外域のレーザ光がグリーンレーザ光（波長：５３２ｎｍ）であることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
  5. 請求項１〜４のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法において、
    前記炭化珪素半導体基体と前記金属薄膜との境界面に前記金属炭化物を形成可能で、かつ、前記金属薄膜を透過したレーザ光により前記炭化珪素半導体基体の前記第１主面側の温度が素子を形成する際の最高プロセス温度よりも高い温度にならないような条件で前記レーザ光照射工程を実施することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
  6. 請求項１〜５のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法において、
    前記金属薄膜形成工程で形成する前記金属薄膜の厚さが５０ｎｍ〜３５０ｎｍの範囲内にあることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
  7. 請求項１〜６のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法において、
    前記炭化珪素半導体基体と前記金属薄膜との境界面から５０ｎｍの深さ位置に到達するレーザ光の光量が１０％以下となる条件で前記レーザ光照射工程を開始することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
  8. 請求項１〜７のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法において、
    前記エッチング工程においては、前記金属炭化物の表面側に形成されることがあるシリコン酸化物をも前記非酸化性薬液でエッチング除去することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
  9. 請求項１〜８のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法において、
    前記第２主面の算術平均粗さＲａが３０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内となるように前記研磨工程を実施することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
  10. 請求項１〜９のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法において、
    スクライブライン上に前記レーザ光を照射しない条件で前記レーザ光照射工程を実施することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6547844B2 (ja) * 2015-12-18 2019-07-24 富士電機株式会社 炭化珪素半導体基板、炭化珪素半導体基板の製造方法、半導体装置および半導体装置の製造方法
JP7225873B2 (ja) * 2019-02-07 2023-02-21 富士電機株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP7314758B2 (ja) * 2019-10-11 2023-07-26 株式会社デンソー 炭化珪素半導体装置およびその製造方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006024880A (ja) * 2004-06-09 2006-01-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2011071302A (ja) * 2009-09-25 2011-04-07 Toshiba Corp 不揮発性記憶装置の製造方法および不揮発性記憶装置
JP2011091100A (ja) * 2009-10-20 2011-05-06 Denso Corp 炭化珪素半導体装置の製造方法
JP2011146622A (ja) * 2010-01-18 2011-07-28 Mitsubishi Electric Corp 炭化珪素半導体装置の製造方法
JP2012248729A (ja) * 2011-05-30 2012-12-13 National Institute Of Advanced Industrial & Technology ＳｉＣ半導体デバイス及びその製造方法
JP2013211467A (ja) * 2012-03-30 2013-10-10 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 炭化珪素半導体素子及びその製造方法
JP2013222823A (ja) * 2012-04-17 2013-10-28 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP5460975B2 (ja) * 2008-05-23 2014-04-02 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法
JP2014107345A (ja) * 2012-11-26 2014-06-09 Mitsubishi Electric Corp 炭化珪素ショットキバリアダイオードの製造方法
JP2014116365A (ja) * 2012-12-06 2014-06-26 Mitsubishi Electric Corp 炭化珪素半導体装置の製造方法及び炭化珪素半導体装置
JP2014130979A (ja) * 2012-12-30 2014-07-10 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 半導体装置の製造方法及び半導体装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3871607B2 (ja) * 2001-12-14 2007-01-24 松下電器産業株式会社 半導体素子およびその製造方法
US20050104072A1 (en) 2003-08-14 2005-05-19 Slater David B.Jr. Localized annealing of metal-silicon carbide ohmic contacts and devices so formed
US7337956B2 (en) * 2004-04-12 2008-03-04 Rearden Capital Corporation System and method for facilitating the purchase of goods and services
US7598516B2 (en) 2005-01-07 2009-10-06 International Business Machines Corporation Self-aligned process for nanotube/nanowire FETs
JP2008135611A (ja) * 2006-11-29 2008-06-12 Denso Corp 半導体装置の製造方法
JP5369762B2 (ja) * 2009-03-02 2013-12-18 株式会社デンソー 炭化珪素半導体装置の製造方法
JP5482107B2 (ja) * 2009-10-30 2014-04-23 株式会社デンソー 炭化珪素半導体装置の製造方法
JP2012004185A (ja) * 2010-06-14 2012-01-05 Denso Corp 炭化珪素半導体装置の製造方法
JP5464192B2 (ja) * 2011-09-29 2014-04-09 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法
US8557631B2 (en) * 2011-12-01 2013-10-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Interposer wafer bonding method and apparatus

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006024880A (ja) * 2004-06-09 2006-01-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP5460975B2 (ja) * 2008-05-23 2014-04-02 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法
JP2011071302A (ja) * 2009-09-25 2011-04-07 Toshiba Corp 不揮発性記憶装置の製造方法および不揮発性記憶装置
JP2011091100A (ja) * 2009-10-20 2011-05-06 Denso Corp 炭化珪素半導体装置の製造方法
JP2011146622A (ja) * 2010-01-18 2011-07-28 Mitsubishi Electric Corp 炭化珪素半導体装置の製造方法
JP2012248729A (ja) * 2011-05-30 2012-12-13 National Institute Of Advanced Industrial & Technology ＳｉＣ半導体デバイス及びその製造方法
JP2013211467A (ja) * 2012-03-30 2013-10-10 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 炭化珪素半導体素子及びその製造方法
JP2013222823A (ja) * 2012-04-17 2013-10-28 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2014107345A (ja) * 2012-11-26 2014-06-09 Mitsubishi Electric Corp 炭化珪素ショットキバリアダイオードの製造方法
JP2014116365A (ja) * 2012-12-06 2014-06-26 Mitsubishi Electric Corp 炭化珪素半導体装置の製造方法及び炭化珪素半導体装置
JP2014130979A (ja) * 2012-12-30 2014-07-10 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 半導体装置の製造方法及び半導体装置

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