KR20060048231A - 축방향 길이의 함수로서 용융물-고체 계면 형상을 제어하여실리콘 결정을 성장시키는 방법 및 장치 - Google Patents

축방향 길이의 함수로서 용융물-고체 계면 형상을 제어하여실리콘 결정을 성장시키는 방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20060048231A
KR20060048231A KR1020050048549A KR20050048549A KR20060048231A KR 20060048231 A KR20060048231 A KR 20060048231A KR 1020050048549 A KR1020050048549 A KR 1020050048549A KR 20050048549 A KR20050048549 A KR 20050048549A KR 20060048231 A KR20060048231 A KR 20060048231A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
melt
solid interface
ingot
crystal
shape
Prior art date
Application number
KR1020050048549A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100848435B1 (ko
Inventor
밀린드 쿨카르니
비제이 니티아난탄
리 더블유. 페리
재우 유
진용 엄
스티븐 엘. 킴벨
창범 김
조세프 씨. 홀저
리차드 쥐. 슈렌커
강선 이
Original Assignee
엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼즈, 인크.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼즈, 인크. filed Critical 엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼즈, 인크.
Publication of KR20060048231A publication Critical patent/KR20060048231A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100848435B1 publication Critical patent/KR100848435B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/20—Controlling or regulating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/20—Controlling or regulating
    • C30B15/22—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1004—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing
    • Y10T117/1008—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing with responsive control means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1032—Seed pulling
    • Y10T117/1052—Seed pulling including a sectioned crucible [e.g., double crucible, baffle]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

본 발명은, 실질적으로 바람직하지 않은 양 또는 크기의 응집 결함이 없는 반도체 등급 단일 결정을 제조하기 위한 방법 및 시스템을 제공한다. 공공형/침입형 (V/I) 경계 시뮬레이터는 다양한 용융물-고체 계면 현상을 분석하여, 다양한 용융물-고체 계면 형상 각각에 대한 대응 V/I 전이 커브를 예측한다. 실질적으로 편평한 V/I 커브에 대응하는 목적 용융물-고체 계면 형상은 결정의 길이에 따른 다수의 축상 위치 각각에 대해 확인된다. 상기 확인된 용융물-고체 계면 현상을 달성하기 위한 목적 작업 파라미터가 용융물-고체 계면 형상 프로파일에 저장된다. 콘트롤 시스템은 저장된 프로파일에 감응하여 하나 이상의 출력 장치를 제어하기 위한 하나 이상의 콘트롤 신호를 발생시켜 용융물-고체 계면 형상이 실질적으로 결정 성장동안 상기 프로파일에 의해 정의된 목적 형상을 따르도록 한다.
잉곳, 용융물-고체 계면 형상, 공공형/침입형 경계, 무결함, 콘트롤 시스템

Description

축방향 길이의 함수로서 용융물-고체 계면 형상을 제어하여 실리콘 결정을 성장시키는 방법 및 장치{Method And Apparatus For Growing Silicon Crystal By Controlling Melt-Solid Interface Shape As A Function Of Axial Length}
도 1은 결정 성장 장치 및 결정 성장 장치를 제어하기 위한 본 발명의 실시양태에 따른 장치의 예시이다.
도 2는 결정에 대하여 오목한 용융물-고체 계면 형상을 갖는 단일 실리콘 결정(31)을 성장시키는 예를 나타낸다.
도 3A는 본 발명의 실시양태에 따른, 예상되는 V/I 전이를 발생시키기 위한 V/I 시뮬레이터의 모델링 요소를 나타낸다.
도 3B는 도 3A의 V/I 시뮬레이터에 의한 분석을 위하여 여러가지 예시적인 용융 실리콘/실리콘 결정 계면 형상을 나타낸다.
도 3C는 예시적이며 가정적인 용융 실리콘/실리콘 결정 계면 형상을 정의하기 위한 일련의 데이터 포인트들 중의 하나의 데이타 포인트에 해당하는 수직 성분과 수평 성분을 나타낸다.
도 3D는 시뮬레이션된 성장 과정 동안 V/I 전이를 일으키기 위하여 단일 결정(single crystal) 실리콘 잉곳(31)을 인상시키는 예시적 속도 프로파일을 나타낸다.
도 3E는 가정된 용융물-고체 계면 형상에 상응하여 V/I 시뮬레이터에 의해 생성된 예시적인 V/I 전이 플롯을 나타낸다.
도 4A는 단일 결정 실리콘 잉곳을 성장시키기 위한 예시적인 용융물-고체 계면 형상 프로파일에 상응하는 여러가지 용융물-고체 계면 형상을 나타낸다.
도 4B는 여러가지 축방향 위치에서의 용융물 계면 형상을 측정하기 위하여, 석출 열적 사이클을 겪은 잉곳의 잘려진 수직 단면을 나타낸다.
도 5A는 본 발명의 선호되는 일 실시양태에 따른 결정의 용융물-고체 계면 형상을 제어하기 위한 제어 시스템의 요소들을 나타낸다.
도 5B는 용융물-고체 계면 형상에서의 변화를 하부 히터로부터 또는 하부 단열에서의 변화에 의해 제공되는 도가니 표면 온도의 변화의 함수로서 나타내는 예시적인 그래프이다.
도 5C는 용융물-고체 계면 형상에서의 변화를 마그넷(magnet)에 의해 적용되는 마그넷장에서의 변화의 함수로서 나타내는 예시적인 그래프이다.
도 5D는 용융물-고체 계면 형상에서의 변화를 도가니와 결정 사이의 회전 속도 차이의 함수로서 나타내는 예시적인 그래프이다.
도 5E는 증가된 범위(이 증가된 범위에 걸쳐서 계면 형상들이 등-회전(iso-rotation) 공정 동안 제어될 수 있다)를 나타내는 예시적인 그래프이다.
도 6은 본 발명의 일 실시양태에 따른 초크랄스키(Czochralski) 공정에 따라서 단결정(monocrystalline) 잉곳을 성장시킬 때, 결정 성장 장치와 함께 사용하기 위한, 용융물-고체 계면 형상 프로파일을 정의하기 위한 방법을 나타내는 예시적인 플로우 차트이다.
도 7은 점 결함 시뮬레이터에 의해 생성된 점 결함 농도장(concentration field) 및 결정의 측정된 계면 형상을 측정된 계면 형상의 함수로서 나타내는 예시적인 그래프이다.
상응하는 참조 번호는 여러 도면들을 통하여 상응하는 부분을 나타낸다.
본 발명은 일반적으로 전자 부품 등의 제조에 사용될 수 있는 반도체 등급의 단일 결정 실리콘의 제조에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 발명은 선택된 열적 환경에서 용융물-고체 계면의 형상을 제어하여 실리콘 잉곳을 제조하는 방법에 관한 것이다.
단일 결정 실리콘은 대부분의 반도체 전자 부품의 제조 방법에 있어서 출발 물질이며, 일반적으로 소위 초크랄스키("Cz") 방법에 의해 제조된다. 이 방법에서, 다결정(polycrystalline) 실리콘("polysilicon")을 도가니에 충전하고, 용융시키고, 결정 시드(seed)를 용융 실리콘과 접촉시키고, 서서히 꺼내어서 단일 결정을 성장시킨다. 용융물로부터 성장한 단일 결정은 고유 점 결함의 한 유형 또는 다른 한 유형인, 결정 격자 빈자리("V") 또는 실리콘 자체 격자 간극("I")의 과량에 의하여 성장할 수 있으며, 상기 양 영역을 모두 가지고 있거나 전혀 가지고 있지 않을 수도 있다. 주된 점 결함 유형은 고화 단계 근처에서 결정되며, 만약 주된 점 결함 농도가 해당 계에서 임계적 과포화 수준에 도달하고, 상기 점 결함의 이동성이 충분히 크면, 반응 또는 응집이 일어나기 쉽다고 알려져 왔다. 복잡하고 집적도가 높은 회로의 제조에 있어서 실리콘의 응집된 고유 점 결함은 재질의 수율 포텐셜(yield potential)에 심각한 영향을 줄 수 있다.
당업자들은 결정의 인상 속도(pull rate) v와 축방향의 열적 그래디언트 G의 비율에 대해서 잘 알고 있으며, 이는 성장하는 결정에 있어서 발생하기 쉬운 고유 점 결함의 유형을 암시한다. 예를 들어, 상기 인상 속도가 높으면, 격자 빈자리가 주된 점 결함이 된다. 역으로, 상기 인상 속도가 낮으면, 실리콘 자체 격자 간극이 주된 점 결함이 된다. 따라서, v/G가 결정의 반경 및/또는 축방향 길이의 함수로서 변화할 수 있는 동적인 성장 과정 동안, 성장하는 실리콘 결정 내부의 점 결함들은 빈자리가 주된 경우로부터 간극이 주된 경우로 변화할 수 있으며, 그 역도 가능하다. 나아가, 그러한 변화와 관련하여 확인가능한 빈자리/자체 격자 간극 전이가 있다.
본 발명에 따르면, 용융된 실리콘/실리콘 결정(용융물/결정 또는 용융물-고체) 계면의 형상을 긴밀히 제어함으로써 실질적으로 결함이 없는 단일 실리콘 결정을 제조할 수 있다는 것이 밝혀졌다. 구체적으로, 축방향 길이의 함수로서 목표 용융물-고체 형상 프로파일에 따라 용융물-고체 계면 형상을 제어함으로써 응집된 결함이 실질적으로 없는 영역을 얻을 수 있다. 나아가, V/I 전이 인상 속도 수치를 사용하여 결정되는 완만한 시드 리프트 프로파일을 선택함으로써, 실질적으로 모든 결정 몸체 길이에 걸쳐서 완벽한 실리콘 재질을 얻을 수 있다. 목표 계면 형상은 결정 고온 영역(hot zone) 설계 및 잉곳의 축방향 길이 상의 위치에 따라 독특하다.
본 발명의 일면에 따르면, 초크랄스키 방법에 따라 단결정 잉곳을 성장시키기 위한 결정 성장 장치와 함께 사용하기 위한 방법이 제공된다. 상기 결정 성장 장치는 반도체 용융물(이로부터 잉곳이 인상됨)을 담고 있는 가열되는 도가니를 포함한다. 잉곳은 용융물로부터 인상되는 시드 결정 상에서 성장한다. 상기 방법은 인상하는 동안 잉곳의 길이의 함수로서 결정 성장 장치의 작업 파라메터에 대한 세트 포인트를 결정하는 단계를 포함한다. 상기 세트 포인트는 용융물에 영향을 주는 작업 조건 및 잉곳의 길이의 함수로서, 인상하는 동안 용융물과 잉곳 사이의 용융물-고체 계면의 원하는 형상을 나타내는 미리 정의된 용융물-고체 계면 형상 프로파일에 의해 특정된다. 이 방법은 또한 상기 용융물로부터 잉곳이 인상되는 동안 용융물-고체 계면의 형상을 제어하기 위하여 결정된 작업 파라메터 세트 포인트에 따라서 결정 성장 장치의 작업 조건을 조절하는 단계를 포함한다.
본 발명의 다른 면에 따르면, 용융물-고체 계면 형상 프로파일을 정의하는 방법이 제공된다. 상기 프로파일은 초크랄스키 방법에 따라서 단결정 잉곳을 성장시키기 위한 결정 성장 장치와 함께 사용된다. 상기 결정 성장 장치는 반도체 용융물(이로부터 잉곳이 인상됨)을 담고 있는 가열되는 도가니를 포함한다. 잉곳은 용융물로부터 인상되는 시드 결정 상에서 성장한다. 상기 용융물-고체 계면 형상 프로파일은 인상하는 동안 용융물과 잉곳 사이의 용융물-고체 계면의 원하는 형상 을 잉곳의 길이의 함수로서 나타낸다. 상기 방법은 모델 잉곳의 길이 상의 복수개의 축방향 위치들을 선택하는 단계 및 정해진 축방향 위치들 각각에 대하여 복수개의 용융물-고체 계면 형상을 정의하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 또한 각각의 축방향 위치들 및 용융물-고체 계면 형상들에 대한 결정 성장 장치의 고온 영역의 열적 모델을 결정하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 또한 경사진 인상 속도를 나타내는 속도 프로파일을 정의하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 또한 모델 잉곳의 영역에서 일어나는 1 이상의 점 결함들을 나타내는 점 결함 모델을 결정하는 단계를 포함한다. 상기 점 결함 모델은 특정된 복수개의 축방향 위치들 각각에 대한 복수개의 정의된 용융물-고체 계면 형상들 각각에 대하여 V/I 전이를 확정하기 위한 속도 프로파일 및 열적 모델에 상응하는 것이다. 상기 방법은 복수개의 특정된 축방향 위치들 각각에 대하여 실질적으로 평평한 V/I 전이에 상응하는 목표 용융물-고체 계면 형상을 확정하는 단계를 더 포함한다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 초크랄스키 방법에 따라 단결정 잉곳을 성장시키기 위한 결정 성장 장치와 함께 사용하기 위한 시스템이 제공된다. 상기 결정 성장 장치는 반도체 용융물(이로부터 잉곳이 인상됨)을 담고 있는 가열되는 도가니를 포함한다. 잉곳은 용융물로부터 인상되는 시드 결정 상에서 성장한다. 상기 장치는 미리 정의된 용융물-고체 계면 프로파일을 저장하는 메모리를 포함한다. 상기 용융물-고체 계면 프로파일은 인상하는 동안 용융물과 잉곳 사이의 용융물-고체 계면의 원하는 형상을, 잉곳의 길이 및 용융물에 영향을 미치는 작업 조건의 함수로 나타낸다. 프로세서(processor)는 인상하는 동안 잉곳의 길이의 함수로 서 결정 성장 장치의 작업 파라메터에 대한 세트 포인트를 결정하기 위하여 미리 정의된 용융물-고체 계면 프로파일에 상응한다. 제어기는 잉곳을 용융물로부터 인상하는 동안 용융물-고체 계면의 형상을 제어하기 위한 결정된 작업 파라메터 세트 포인트에 따라서, 결정 성장 장치의 작업 조건을 조절하기 위하여 결정된 작업 파라메터 세트 포인트에 상응한다.
다른 방식으로, 본 발명은 여러가지 다른 방법 및 장치를 포함할 수 있다.
이하 다른 특징들은 부분적으로 명백하거나, 부분적으로 지적될 것이다.
<발명의 상세한 기재>
반도체 전자 부품 제조를 위한 대부분의 공정에 사용되는 출발 물질인 단일 결정 규소는, 소위 초크랄스키("Cz")법으로 불리는 방법에 의해 통상 제조된다. 이 방법에서, 다결정 규소("폴리실리콘")이 도가니에 채워져 용융되고, 시드 결정이 용융 규소에 접촉되어 느린 추출에 의해 단일 결정이 성장하게 된다. 본원 발명은 장치 제조에 적당한 단일 결정 주괴를 제조하는 방법 및 시스템을 제안한다. 몇몇의 실시태양에 있어서, 본원 발명의 방법 및 시스템은 실질적인 부분 또는 전체에 실질적으로 응집된 고유 점 결함이 없는 규소 단일 결정 주괴를 만드는 데 사용될 수 있다. 즉, 실질적인 부분 또는 전체가 약 1x104 결함/cm3 미만, 약 5x103 결함/cm3 미만, 약 1x103 결함/cm3 미만의 결함 밀도를 갖거나, 또는 응집된 고유 점 결함이 전혀 검출되지 않는 규소 주괴이다. 더욱 특정적으로는, 본원 발명은 결정이 한계까지 성장하는 동안 용융 규소 및 결정(용융-고체) 경계의 형태를 조절할 수 있고, 그리고/또는 응집된 고유 점 결함의 형성을 억제할 수 있다. 용융-고체 경계의 형태는 결정에 비해 오목형, 볼록형일 수 있고, 결정에 비해 오목 및 볼록 모두의 형태일 수 있다(예를 들면, "갈매기 날개"형). 용융-고체 경계의 형태는 결정 성장 중 결함을 조절하는 중요한 매개변수라는 것이 밝혀져 왔다.
용융 고체 경계의 형태는 용융 대류에 의해 크게 영향받을 수 있다. 대류란 액체 자체의 움직임에 의한 액체의 열 이동 과정을 뜻한다. 일반적으로, 자연 대류와 강제 대류의 두 가지 유형의 대류가 있다. 자연 대류는 예를 들면, 용융물의 움직임이 단지 밀도 구배를 일으키는 가열기의 존재에만 기인하는 경우이다. 강제 대류는 용융물의 움직임이 도가니 내의 자기장 등의 외부 제제, 또는 주괴 및/또는 도가니의 회전 속도 및/또는 방향에 기인하는 경우이다. 따라서, 용융-고체 경계의 형태는 4개 이상의 작동 매개변수 중 하나 이상에 의해 의해 조절될 수 있는데, 이들은 단독으로, 또는 조합으로 사용되어 용융-고체 경계 형태의 바람직한 형태를 이루어 낸다. 이러한 매개변수들은 (1) 낮은 가열기 전원의 변화 또는 낮은 절연 수준 또는 효율(예를 들면, 하부 가열기 출력의 조정)에 의해 발생하는, 용융 한계 온도장을 결정하는 열 유동; (2) 자기장 강도; (3) 도가니의 회전; 및 (4) 규소 결정의 회전을 포함한다.
예를 들면, 자기장은 규소 용융물 등의 전기적 전도성 유체의 유동 패턴에 영향을 줄 수 있기 때문에, 자석(예를 들면, 쿠스프 유형, 수직 유형 및 수평 유형)이 용융 대류에 영향을 주기 위해 사용될 수 있으며, 용융물의 온도 분배를 변 화시켜, 차례대로, 용융-고체 경계 형태에 영향을 줄 수 있다. 통상적으로, 규소 단일 결정을 성장시킬 때 도가니 및 결정은 다른 방향으로 회전한다. 이러한 과정은 본원에서 반대-회전으로 언급된다. 반대 회전 과정에서의 도가니의 회전 속도와 결정 회전 속도의 차이의 조절이 용융-고체 경계의 형태에 영향을 주기 위해 사용될 수 있음에도 불구하고, 소위 등-회전 과정이 용융-고체 경계 형태의 더 큰 조절을 위해 제공됨이 발명자들에 의해 알려졌다. 등-회전 과정에 있어, 도가니 및 결정(즉, 시드)은 같은 방향으로 회전하며, 도가니의 회전 속도와 결정 회전 속도의 차이는 용융-고체 경계의 형태에 영향을 주기 위해 사용될 수 있다.
용융물로부터 성장되는 규소 결정은 두 가지 고유 점결함의 유형인, 결정 격자 빈자리("V") 또는 규소 자기-격자간극("I") 중 하나의 과잉을 수반하여 성장할 수 있고, 둘 다를 갖거나 둘 다를 갖지 않은 영역을 가질 수도 있다. 본원 발명의 하나 이상의 실시태양에 따르면, 결정/용융 경계 형태는 결정 성장 중 조절되어, 용융-고체 경계으로부터 수 도 또는 수십 도의 고형화 전면 및 점결함의 확산로에서의 점결함의 최초 분배를 조절할 수 있다. 지배적인 점결함 유형은 고형화 근처에서 결정되고, 만일 지배-점결함 농도가 시스템 내의 임계 과포화 수준에 도달하고 점결함의 유동성이 충분이 높다면, 반응, 또는 응집화 현상이 일어나는 경향이 있다는 것이 제안되어 왔다. 규소 내의 응집된 고유 점결함은 착물 및 고도 집적 회로의 제조에 있어서의 물질의 수량성에 중대한 영향을 끼칠 수 있다. 용융-고체 경계의 형태 조절에 의해, 응집 반응은 크게 감소하고 거의 배제되어, 실질적으로 응집된 고유 점결함이 없는 규소를 제조할 수 있다.
당업자는 결정 성장에 있어 나타나는 경향이 있는 고유 점결함의 유형을 암시하는, 결정의 인력 속도 υ와 축방향 열적 구배 G의 비율을 잘 알고 있다. 예를 들면, 인상 속도가 높은 경우 격자 빈자리가 지배적인 점결함이다. 이와는 달리, 인력 속도가 낮다면 규소 자기-격자간극이 지배적인 점 결함이다. 그러므로, 동적 성장 과정(즉, υ/G가 결정의 반지름 및/또는 축방향 길이의 함수로 변화될 수 있는)에서, 성장하는 규소 결정 내의 점 결함은 빈자리 지배형으로부터 격자간극 지배형으로, 또는 그 반대로 변화할 수 있다. 게다가, 식별 가능한 빈자리/자기-격자간극(V/I) 전환이 이러한 변화와 연관되어 있다. 결함이 없는 부분이 응집된 빈자리 결함 및 응집된 격자간극 유형 결함 사이에 존재한다는 것이 밝혀졌다. 두드러지게, V/I 전환은 이 결함이 없는 영역에서 일어난다. 즉, 이 결함 없는 영역은 과잉 빈자리 지배 영역으로부터 과잉 격자간극 지배 영역으로의 전환 영역에 해당한다. 결함 없는 영역은 빈자리 지배 및/또는 격자간극 지배 물질일 수 있다. 결함 없는 영역은 임의의 결함을 형성하는 임계 과잉 점 결함을 가지고 있지 않으며, 일반적으로 V/I 전환을 포함한다.
이에 더하여, 식별된 V/I 전환이 바람직한 형태, 또는 프로파일을 갖는 경우, 이 전환에 있어서 결정은 실질적으로 응집된 결함이 없다는 것이 알려졌다. 예를 들면, 동적 성장 모의 실험 하에서 인상 축에 수직인 실질적으로 평탄한 V/I 전환은 실질적으로 응집된 결함이 없는 결정의 부분에 해당한다.
본원 발명에 의하면, 대상 경계 형태는 주어진 뜨거운 영역에 있어 대상 경계 형태를 결정하는 결정의 길이를 따라 다양한 위치에서, 특정한 뜨거운 영역에서 결정된다. 단지 이러한 결함이 형성되는 속도를 제한하거나, 형성된 후의 결함의 일부를 제거하려고 시도하는 것 보다는, 응집된 결함을 생성하는 응집 반응을 억제하거나 또는 조절함으로써 응집 반응을 억제 또는 조절하는 작용을 하는 방법은 바람직하지 않은 양 또는 크기의 응집된 고유 점 결함이 실질적으로 없는 규소 기판을 제공한다. 이러한 방법은 또한 웨이퍼 당 수득되는 집적 회로의 수에 대해서, 에피택셜 과정과 연관된 고비용이 드는 일 없이, 에피-유사 수량성을 가지는 단일 결정 웨이퍼를 제공한다.
본 발명의 하나의 실시태양에 따르면, 용융-고체 경계 형태는 높이 편차 비율(HDR, height deviation ratio)의 일정 범위 또는 퍼센트 내에서 조절된다. 예를 들면, 용융된 규소는 200mm 결정에 대해 결정 중심 및 연부 사이의 높이 편차 비율(HDR)이 약 ±11%, 바람직하게는 약 ±9%, 더욱 바람직하게는 약 ±7%, 가장 바람직하게는 약 ±5%가 되도록 조절된다. 높이 편차 비율은 다음의 방정식으로부터 결정된다 :
HDR=[Hc-He]/반지름 x 100
여기서 Hc는 용융물 표면으로부터의 결정 중심의 높이이고, He는 용융물 표면으로부터의 결정 연부의 높이이다. 200mm와 다른 지름을 가진 결정에 대해서는, 최대 높이 편차 비율은 결정 반지름에 대해 -0.06의 기울기로 점진적으로 감소한다.
또 다른 실시태양에 있어서, 수용 가능한 범위 또는 구동 윈도우는 첨부 A에 서 기술되는 대로 결정된다.
도 1을 참조할 때, 일반적으로 11로 표시되는 시스템은, 일반적으로 13으로 표시되는 초크랄스키 결정 성장 기구와 함께 사용되도록 도시된다. 일반적으로, 결정 성장 기구(13)은 도가니(19)를 동봉하는 진공 챔버(15)를 포함한다. 저항 가열기(21) 등의 가열 수단이 도가니(19)를 둘러싼다. 하나의 실시태양에 있어서, 절연체(23)은 진공 챔버(15)의 내벽에 정렬하고, 물이 채워진 챔버 냉각 자켓(도시되지 않음)이 그것을 둘러싼다. 진공 펌프(도시되지 않음)는 아르곤 비활성 기체 분위기가 채워질 때 일반적으로 진공 챔버(15) 내로부터 기체를 제거한다. 초크랄스키 단일 결정 성장 과정에 따르면, 다결정 규소, 또는 폴리실리콘의 일정량이 도가니(19)에 채워진다. 가열기 파워 서플라이(27)는 저항 가열기(21)을 통해 전류를 제공하여 충전물을 용융하여 규소 용융물(29)를 형성하고, 이로부터 단일 결정(31)이 인상된다. 일반적으로, 광전지 또는 온도계 등의 온도 감지기(33)이 사용되어 용융물 표면 온도를 측정한다. 단일 결정(31)은 인상 샤프트 또는 케이블(37)에 붙어 있는 시드 결정(35)로부터 시작한다. 도 1에 도시되는 대로, 단일 결정(31)과 도가니(19)는 일반적으로 공통 대칭축(39)를 갖는다. 케이블(37)의 한쪽 끝은 풀리(도시되지 않음)를 통해 드럼(도시되지 않음)과 연결되며, 또 다른쪽 끝은 시드 결정(35) 및 시드 결정으로부터 성장하는 결정(31)을 지지하는 처크(도시되지 않음)와 연결된다.
가열 및 결정 인취 동안에, 도가니 구동 유닛(즉, 모터) (45)가 도가니 (19)를 회전시킨다 (예를 들어 시계방향으로). 또한, 도가니 구동 유닛 (45)는 성장 과정 동안에 바라는 바대로 도가니 (19)를 들어올리고(올리거나) 낮춘다. 예를 들어, 도가니 구동 유닛(45)가 도가니 (19)를 올리고, 용융물 (29)가 비워져 참고번호 (47)로 나타낸 바람직한 높이로 그 수준을 유지한다. 이와 유사하게 결정 구동 유닛 (49)는 도가니 구동 유닛 (45)가 도가니 (19)를 회전하는 반대 방향으로 (예를 들어 반시계 방향으로), 또는 도가니가 움직이는 같은 방향으로 (즉, 동 방향으로) 케이블 (37)을 회전시킨다. 동 방향을 사용하는 태양에서는, 결정 구동 유닛 (49)는 도가니 구동 유닛 (45)이 도가니 (19)를 구동하는 같은 방향으로(즉, 시계방향으로) 케이블 (37)을 회전시킬 수 있다. 또한, 결정 구동 유닛 (49)는 성장 과정 중에 바라는 바 대로 용융물 수준 (47)에 상대적으로 결정 (31)을 올리고 낮춘다.
한 실시태양으로, 결정 성장 장치 (13)은 도가니 (19)에 함유된 용융물 (29)의 용융 실리콘과 거의 접촉하게 낮춤으로써 결정핵 (35)를 사전가열(preheat)시킨다. 사전가열후, 결정 구동 유닛 (49)는 케이블 (37)을 경유하여 용융 수준 (47)에서 용융물 (29)와 접촉하게끔 결정핵 (35)를 계속 낮춘다. 결정핵 (35)가 용융될 때, 결정 구동 유닛 (49)를 용융물 (29)로부터 천천히 후퇴하거나 인취한다. 결정핵 (35)는 실리콘을 용융물 (29)로부터 끌어당겨, 후퇴될 때 실리콘 단일 결정 (31)이 생성된다. 결정 구동 유닛 (49)는 용융물 (29)로부터 결정 (31)을 인취할 때 참고 속도로 결정 (31)을 회전시킨다. 이와 유사하게, 도가니 구동 유닛 (45)는 결정 (31)에 대하여 반대 방향 (반시계 회전) 또는 같은 방향 회전 (동 방향 회전)으로 다른 참고 속도로 도가니 (19)를 회전한다. 도 1에서의 제어 유닛 (51)은 처음에 후퇴속도 (withdrawl rate), 및 결정 (31)의 넥을 아래로 만들도록 동력 공급원 (27)이 가열기 (21)에 제공하는 동력을 제어한다. 대표적으로, 결정 성장 기구 (13)은 결정 핵 (35)가 용융물 (29)로부터 끌어당겨질 때 실질적으로 일정한 직경에서 결정 넥을 생성한다. 예를 들어 제어 유닛 (51)은 실질적으로 일정한 넥 직경을 원하는 본체(body) 직경의 약 5 %로 유지시킨다. 넥이 소기의 길이에 다다른 후, 다음에 제어 유닛 (51)이 회전, 인취 속도, 및(또는) 가열 파라미터를 조절하여, 바람직한 결정 본체 직경에 도달할 때까지 결정 (31)의 직경을 원뿔형으로 증가하게끔 한다. 예를 들어, 제어 유닛 (51)은 인취속도를 감소시켜 결정의 테이퍼로 보통 언급되는 바깥쪽으로 나팔형 영역을 생성한다. 원하는 결정 직경에 다다르면, 제어 유닛 (51)은 성장 파라미터를 제어하여, 상기 과정이 끝에 가까워질 때까지 상기 기구에 의해 측정된, 상대적으로 일정한 직경을 유지한다. 그 시점에서, 인취 속도 및 가열은 대개 직경이 감소함에 따라 증가하여 단일 결정의 연부 (31)에서 태이핑된 부분을 형성한다. 제어 유닛 (51)을 추가로 배치시켜 용융물-고체 계면의 형상에 영향을 주는 공정 파라미터를 제어하여 결정 길이의 함수로서 목표 용융물-고체 프로파일을 얻는다. 목표 용융물-고체 형상 프로파일에 따라 용융물-고체 계면 형상을 축방향 길이의 함수로서 제어함으로써, 바람직하지 않는 양 또는 크기의 응집된 결함이 실질적으로 없는 영역을 결정 내에서 형성시킬 수 있다. 나아가, V/I 전이 인취 속도 값을 사용하여 측정한, 원만한 핵 상승 프로파일을 선택함으로써, 실질적으로 모든 결정 본체 길이에 걸쳐 완전한 실리콘 물질을 제조할 수 있다.
도 2는, 반지름 R이고, 결정 (31)에 비하여 오목한 용융물-고체 계면 (202) 및 용융된 실리콘 용융물 (204)를 갖는 단일 실리콘 성장 결정 (31)에 관한 것이다. 성장 결정 (31)은 용융물 표면 Hc로부터의 중심에 일정 높이를 갖고, 연부에서부터 용융물 표면 He까지 일정 높이를 갖는다. 결정이 성장하고 용융물 표면으로부터 멀어지게 인취되기 때문에, He는 전형적으로 0이 아니다. 결정 (31)은 실질적으로 실제 용융물 표면으로부터 조금 멀어지게 인취되며, 이로 인하여 성장 결정 (31)의 연부가 용융물 내에 용융된 실리콘의 수준보다 약간 위쪽에 있다. 용융된 실리콘/실리콘 결정 계면 (202)가 오목 형상을 갖는 것으로 보여지지만, 본체 성장 동안에 계면 (202)의 형상이 예를 들어 오목에서 볼록모양으로, 볼록에서 오목으로, 또는 오목에서 편평하게 다시 볼록 등으로 변할 수 있다. 또한 유의해야 할 점은, 볼록 및 오목이라는 용어는 결정의 연부에서 용융물-고체 계면에 상대적으로 결정의 축에서 용융물-고체 계면의 위치와 관련되어 있다는 점이다. 이 점에서, 용융물 고체 계면 형상은 반지름부에 대하여 결정에 오목일 수 있고, 반지름의 다른 부분에 대하여 결정에 대하여 볼록이 되어, 앞서 설명하였듯이 "기러기 날개"형이 될 수 있다. 이러한 경우에서, "기러기 날개" 형태는 결정의 축에서 용융물-고체 계면이 결정의 연부에서 용융물-고체 계면보다 높은 곳에서 있을 때 결정에 대하여 오목이라 말하고, 결정의 축에서의 용융물-고체 계면이 결정의 연부에서 용융물-고체 계면보다 낮은 곳에 있을 때 볼록하다고 말한다. 도 3A에 대하여, V/I 시뮬레이터(simulator)의 모델화 성분 (300)을 나타내고 있다. V/I 시뮬레이터는 특 수 위치와 관련된 주어진 용융물-고체 계면 형상의 함수로서 성장 결정에서의 특수 위치에서 일어나는, 예기되는 V/I 전이를 발생하는 데에 사용된다. 본 발명의 태양에 따라서, 다양한 용융된 실리콘/실리콘 결정 계면 형상 (302)을 취하고 (도 3B 참조), 각각 취해진 형상 (302)는 V/I 시뮬레이터 (300)에 의하여 분석되어, 모의된 잉곳 전이가 공공 우세형에서 침입 우세형이 되도록 성장 파라미터가 선택될 때, 실질적으로 편평한 V/I 전이를 만드는 목표 용융물-고체 계면 형태를 확인한다. 앞서 설명한 바와 같이, 실질적으로 편평한 V/I 전이부는 바람직하지 않는 양 또는 크기의 응집된 결함이 실질적으로 없는 결정 영역에 상응한다는 것을 발견하였다. 각각의 용융된 실리콘/실리콘 결정 형태가 예를 들어 각각이 수평 성분 x 및 수직 성분 y를 갖는 일련의 데이타 점에 의해 제공되었다. 도 3C에 대하여 간단히 언급하면, 수평 성분 x는 참고 부호 (309)에 의해 나타낸, 공통 대칭축 (39)와 동일 지점 P1 사이의 수평 거리의 대표적인 표시자이다. 수직성분 y는 참고 부호 (305)에 의해 나타낸, 취해진 용융된 실리콘/실리콘 결정 계면 형상 (302)와, 결정 (31)의 길이를 따라 수직 위치(이는 둘레 연부에서 계면과 상응함)에서 공통 대칭축에 수직인 반지름 방향 축 (304)와의 수직 거리의 대표적인 표시자이다 (예를 들어 100mm, 200mm, 300mm 등). 취해진 특수한 계면 형상 (302)와 관련된 일련의 데이타 지점들이 열적 모델 (308)에 의해 계산된 표면 온도와 함께 결함 모델 또는 결함 시뮬레이터로 들어가서, 상응하는 온도 구배 G(온도 필드)를 생성한다. 여기에서, 공공 우세에서 침입 우세로 모의된 잉곳 전이가 되도록 성장 파라미터가 선택된다. 열적 모델 (308)은 예를 들어, 캘리포니아 산타 아나 소재의 MSC 소프트웨 어 코퍼레이션에서 구입가능한 MSC.MARCTM과 같은 상용 소프트웨어에 기초한 정형된 요소이고, 버트시(Vertsi)에 의해 공개된 방법에서 복사열 운반을 포함하게끔 변형된다.
한 태양으로, 결함 모델은 열적 모델 (308)과 연결된 동적 결함 모델러 (310)이고, 소정의 인취 속도 프로파일 (320)에 따라서 용융된 실리콘 (31)로부터 인취되는 잉곳에 대한 지점 결함 프로파일을 생성한다. 결함 모델 (310)은 지점 결함 모델러 또는 응집된 지점 결함 모델러 중 어느 한가지일 수 있다. 상업적으로 구입가능한 지점 결함 모델의 한가지는 독일 에르랑겐에 위치한 Fraunhofer Institute for Integrated Circuits에서 입수가능한 CrysVUn 소프트웨어 팩키지 내에 포함된다. 이 경우, 소정의 인취 속도는 잉곳을 공공 우세에서 침입 우세로 하는 경사를 준 인취 속도의 대표적인 것이고, 따라서 V/I 전이 프로파일을 발생한다 (즉 지점 결함 프로파일).
도 3D에 대하여 약술하면, 모의된 성장 동안, V/I 전이를 야기하는 예시적인 속도 프로파일 (320)을 보여준다. 보여진 바와 같이, 결정 인취 속도는 경사지게 올라가다 내려가서 성장된 결정 내의 침입과 관련된 결함과 공공에 관련된 결함 모두를 드러낸다. 도 3E에 대하여 약술하면, 취해진 용융물-고체 계면 형상 (302)에 대한 반응으로 V/I 시뮬레이터 (300)에 의해 발생되는 예시적인 V/I 전이 플롯 (322)을 나타내고 있다. V/I 전이 플롯 (322)은 참고부호 (324)에서 나타내는 바와 같이, 결정을 따라 다양한 축방향 위치에서 예기되는 V/I 전이 프로파일을 보여 준다. 앞서 언급한 바와 같이, 실질적으로 편평한 V/I 전이 프로파일은 목표 용융물-고체 계면 형상, 및 모의되는 축방향 위치에서 결정 인취기 내에서 상대적으로 크거나 그렇지 않으면 바람직하지 않는 응집된 결함이 실질적으로 없는 실리콘을 제조할 수 있는 목표 인취 속도를 나타낸다. 이와 대조적으로, 실질적으로 편평하지 않은 V/I 전이는 선택된 축방향 위치에서 잉곳의 부분 또는 전체에서 응집된 고유 마이크로 결함(예를 들어 지점 결함)을 형성하는 결과를 더 낳을 것 같은 용융물-고체 계면 형상의 표시이다. 따라서, V/I 시뮬레이터(300)를 사용하여 목표 용융물-고체 계면 형상 및 다수의 축방향 위치의 각각에서 실질적으로 편평한 V/I 전이를 생성하는 목표 인취 속도를 확인함으로써, 목표 용융물-고체 계면 형상 프로파일 및 목표 인취속도 프로파일을 정의할 수 있고, 다음으로 공정 파라미터를 추정하여 기억 저장할 수 있다. 한 태양으로, 목표 용융물-고체 계면 형상 프로파일 및 목표 인취속도 프로파일을 축방향 위치 2군데 이상에 대하여 측정할 수 있다. 다른 태양으로, 발명의 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 목표 용융물-고체 계면 형상 프로파일 및 목표 인취속도 프로파일을 축방향 위치 4군데 이상, 8군데 이상 심지어는 12군데 이상 또는 더 이상에서 측정할 수 있다.
다른 태양으로, 결함 모델은 메사추세츠 캠브리지 소재의 연구소 "the Massachusetts Institute of Technology"에서 개발되고 문헌 ["Modeling the Linkages between Heat Transfer and Microdefect Formation in Crystal Growth: Examples of Czochralski Growth of Silicon and Vertical Bridgman Growth of Bismuth Germanate,"T. Mori , Ph. D. Thesis, Massachusetts Institute of Technology, 2000]에서 기술되어 있는 정적 응집 결함 모델이다.
정적 응집 결함 모델의 경우에서, 인취 속도 및 용융물-고체 계면 형상을 V/I 시뮬레이터로 분석하여 다양한 축방향 위치에서 목표 인취 속도 및 목표 용융물-고체 계면 형상을 확인할 수 있다.
더욱이, V/I 자극기(300)를 정해진 프로파일에 따라서 결정(31)을 성장시키거나, 조율 인자(330)을 결정하기 위하여 실제 성장 과정(328)에서 성장한 성장 결정(31)에서 자극받은 V/I 전이를 실제 V/I 전이와 비교함으로써 미세하게 조율할 수 있다. 예를 들어, 실제 성장 과정 중에 실제 작동 파라메터를 로깅 (logging)하고, 성장 결정 중의 실제 V/I 전이를 측정함으로써, 예측되는 V/I 전이의 정확성을 개선하기 위하여 모델을 미세하게 조율할 수 있다. 한 실시태양에서, 구리 장식 및 세코 (secco) 에칭 과정을 사용하여 실제 V/I 전이 결정을 나타낸다. 더욱이, 전체-폭의 얇은 샘플을 축상 절단하고, 이러한 샘플의 산소를 전부 석출시키고, 삭박된 (denuded) 구역을 제거하기 위하여 에칭하고, 성장 고체-액체 계면에서 석출 변화를 나타내도록 장식적 에칭하여 시험 결정으로부터 실제 계면 형상을 측정할 수 있다. 미세결함의 금속성 열적 석출 및 후속의 장식적 에칭 방법을 사용하여 성장 결정에서 확인되는 실제 전이 시드 리프트 (seed lift) 값에 기초하여, 그후 소프트 시드 리프트 프로파일을 결정체 길이의 대부분에 걸쳐서 완벽한 실리콘 생산을 얻도록 한정하였다.
도 4A에서, 예를 들어 원치 않는 큰 응집된 결함이 실질적으로 없는 단일 결정 실리콘 잉곳(31)을 성장시키기 위한 예시적인 용융물-고체 계면 형상 프로파일 에 상응하는 각종 용융물-고체 계면 형상을 나타내었다. 프로파일은 결정(31)의 길이를 따라서 다수의 축상 위치 각각에 대한 특정한 목적 용융물-고체 계면 형상을 한정한다. 이 경우에, 용융물-고체 계면 형상 프로파일은 결정의 길이를 따라서 200 mm 간격 (즉, 200 mm, 400 mm, 600 mm 등)에서 결정의 목적 용융물-고체 계면 형상을 한정한다. 예를 들어, 시드 말단으로부터 800 mm에 위치한 축상 위치의 목적 용융 실리콘/실리콘 결정 계면 형상은 선(402)으로 도시하고, 상응하는 용융 수준을 선(404)으로 표시하였다. 그중에서도, 프로파일의 각각의 형상은 도 3B에서 앞서 기재한 바와 같이 일련의 데이타 포인트로 나타내었다. 실제 용융물-고체 계면은 후 결정 성장을 결정한다. 예를 들어, 잉곳의 수직 부분(406)을 절단하고 석출 열 순환 (precipitation thermal cycle)한다. 그후 부분(405)를 수명 지도를 사용하여 영상화한다. 도 4B에서 예시한 바와 같이, 참조 기호(408)로 표시되는 바와 같이 이 영상은 계면 형상을 장식한다. 그후, 계면을 측정하고, 기준 프로파일 (즉, 용융물-고체 계면 형상 프로파일)과 비교한다.
이어서 도 5A에서, 본 발명의 바람직한 실시태양에 다른 결정의 용융물-고체 계면 형상을 조절하는 시스템의 성분(11)을 나타내었다. 중앙 처리 장치 (CPU) (71) 및 메모리(73)을 갖는 프로그램형 논리 제어기 (PLC)(69)는 용융물-고체 계면 형상을 제어하기 위한 도가니 구동 유닛(45), 바닥 히터 서플라이(82), 결정 구동 유닛(49) 및 마그네트 파워 서플라이(85)와 같은 출력 장치에 연결된다. 이 실시태양에서, 메모리(73)는 용융물-고체 계면 형상 프로파일(302)에 의하여 한정되는 특정 축상 위치에서 목적 용융물-고체 계면 형상을 얻기 위하여 요구되는 목적 작 동 파라메터를 저장한다. 예를 들어, 메모리는 목적 인상 속도, 목적 용융 온도, 목적 마그네트 장, 잉곳의 목적 회전 속도, 잉곳의 목적 회전 방향, 도가니의 목적 회전 속도 및(또는) 도가니의 회전 방향을 포함한다. CPU(71) 및 PLC(69)는 용융물의 목적 온도 영역, 도가니 내부의 마그네트 장, 잉곳의 회전 속도, 잉곳의 회전 방향, 도가니의 회전 속도, 및(또는) 도가니의 회전 방향을 설정하기 위한 열 흐름과 같은 결정 성장 기구(13)의 작동 조건을 조절하기 위하여 저장되는 목적 파라메터에 반응한다. 상기 작동 조건은 결정의 길이를 따른 각종 축상 위치에서 원하는 형상을 얻기 위하여 1종 이상의 출력 장치를 공급하는 파워를 조절하여 조절한다. 예를 들어, CPU(71)는 예를 들어 결정 성장 기구의 센서 (도시하지 않음)으로부터의 잉곳의 현재 길이를 결정하고, 이로써 현재의 축상 위치를 결정한다. CPU(71)은 결정에 따른 현재 위치 (예를 들어, 100 mm)에 상응하는 제1 원하는 형상 (예를 들어, 높이비), 및 작동 파라메터 세트 포인트의 한 세트를 결정하는 결정에 따른 다음의 위치 (예를 들어, 200 mm)에 상응하는 제2 원하는 형상을 설정할 공정 파라메터 사이의 차이를 계산한다. 작동 파라메터 세트 포인트는 예를 들어, 히터 파워 서플라이(82)를 위한 히터 파워 세트 포인트, 마그네트 파워 서플라이(85)를 위한 마그네트 파워 세트 포인트, 도가니 구동 유닛(45)를 위한 도가니 회전 속도 세트 포인트, 및 결정 구동 유닛(49)를 위한 결정 회전 속도 세트 포인트를 포함할 수 있다. PLC(69)는 결정 성장 기구의 하나 이상의 작동 조건에 영향을 주는 하나 이상의 출력 장치를 조절하기 위한 조절 신호를 생성하는 작동 파라메터 세트 포인트에 반응한다.
한 실시태양에서, CPU(71)은 원하는 용융물-고체 계면 형상 프로파일(302) 및 원하는 히터 파워 세트 포인트 또는 프로파일의 저장에 의한 측정된 길이에 반응한다. PLC(69)는 히터 파워 서플라이(82)로 공급하기 위한 히터 조절 신호(90)을 생성하기 위한 히터 파워 세트 포인트에 반응한다. 히터 파워 서플라이(82)는 용융물의 온도를 조절하기 위한 도가니(19) 주위의 바닥 히터(56) (예를 들어, 저항 히터(21))로 공급하는 전류를 조절하기 위한 히터 조절 신호(90)에 반응한다. 더욱 상세하게는, 히터 조절 신호(90)는 용융물의 온도 및 도가니 벽의 온도 프로파일을 조절하기 위한 바닥 히터(56)에 공급되는 파워를 조절하고, 이로써 용융물-고체 계면 형상을 조절한다. 계면의 높이는 바닥 히터(56)로부터의 열 흐름에 따라서 증가한다고 발견되었다. 결과적으로, 502로 표시되는 계면 높이의 중심 높이의 원하는 변화는, 높이의 원하는 변화를 야기하는 양으로 바닥 히터(56)로 공급되는 파워를 증가시켜서 얻을 수 있다. 예를 들어, 10 킬로와트로 바닥 히터로 파워를 증가시키면, 선택되는 고온영역 배위에서, 28" 도가니의 대략 6 mm 계면 형상의 높이가 증가된다 (도 5B 참조). 즉, 바닥 히터 온도가 높으면 계면 형상의 높이가 증가된다. 작동 범위는 원하는 계면 형상 및 다른 품질 파라메터, 예를 들어 산소 농도의 조건에 의하여 조절된다. 히터 파워의 변화에 대한 계면 높이의 측정되는 수득량은 GBH = 0.6 mm/kW이다. 이중에서도, 고온영역의 보다 낮은 또는 측면 절연의 변화는 원하는 온도 조건을 얻을 수 있게 되고, 이로써 용융물-고체 계면 형상에 영향을 준다. 한 실시태양에서, 결정 성장 기구는 1차 히터 및 제2 히터를 포 함한다. 1차 히터는 예를 들어 측면 히터 (도시하지 않음)이고, 직경 조절 장치를 제공한다. 제2 히터는 예를 들어 바닥 히터(56)이고, 용융 경사 및 계면 형상 조절을 제공한다. 즉, 제2 히터는 용융물-고체 계면의 형상을 조절하기 위한 용융물의 온도 경사를 변화시키는 히터 파워 세트 포인트에 따라서 조절된다.
다른 실시태양에서, CPU(71)은 원하는 용융물-고체 계면 형상 프로파일(302) 및 설정된 마그네트 파워 세트 포인트의 저장에 의한 결정된 길이에 반응한다. PLC(69)는 마그네트 파워 서플라이(85)에 공급하기 위한 마그네트 조절 신호(92)를 생성하기 위한 마그네트 파워 세트 포인트에 반응한다. 마그네트 파워 서플라이(85)는 용융물(29)에 인가할 마그네트장을 조절하기 위한 도가니(19) 주위의 마그네트(57)의 코일에 공급하는 전류를 조절하기 위한 마그네트 조절 신호에 반응한다. 특히, 마그네트 장의 인가는 산소 농도에 따른 용융물-고체 계면 형상을 조절하는 수단을 제공한다. 마그네트 장 강도가 감소하면 용융물-고체 계면 높이가 증가한다고 밝혀졌다. 결과적으로, 마그네트 장의 목적하는 변화를 야기하는 양으로 마그네트로 공급되는 파워를 증가 또는 감소시켜서 계면의 중심 높이(502)의 원하는 변화를 얻을 수 있다. 예를 들어, 전류를 감소시켜서 마그네트장 15%를 감소시킴으로써 마그네트로의 파워를 감소시켜, 대략 2.5 mm의 계면 형상의 중심 높이(502)를 증가시킨다 (도 5C 참조). 그러므로, 필드 강도의 변화에 대한 계면 높이의 측정된 수득량은 GB = -0.167 mm/%이다. 마그네트 강도는 특정 고온영역 공정에 대한 필드 강도의 상대 단위로 한정된다. 이 경우, 100 % cusp 마그네트 장의 값 은 용융물의 상단 중심에서 0 축상 필드인, 200 mm 깊이 용융물의 바닥 중심에서 1000G 축상 필드에 상응한다. 최대 전류는 코일당 750 Amp이다.
한 실시태양에서, CPU는 결정된 도가니 회전 속도 세트 포인트 및 결정 회전 속도 세트 포인트의 저장에 의한 결정된 길이 및 원하는 용융물-고체 계면 형상 프로파일(302)에 반응한다. PLC(69)는 도가니 구동 유닛(45) 및 결정 구동 유닛(49) 각각에 공급하기 위한 도가니 회전 조절 신호(94) 및 결정 회전 조절 신호(94)를 생성하기 위한 선택된 결정 길이에서의 목적 값에 기초하여 중간 도가니 회전 속도 세트 포인트 및 결정 회전 속도 세트 포인트를 선형으로 계산하는데 반응한다. 결과적으로, 도가니(19) 및 결정(31) 사이의 상대 회전 속도 또는 델타 속도를 계면 형상을 조절하기 위하여 조절한다. 상대 회전 속도는 절대 결정 회전 속도 및 절대 도가니 회전 속도 사이의 절대 차이(즉, ∥시드 회전-|도가니 회전|)를 지칭한다. 델타 회전이 증가하면 계면 높이가 증가하며, 델타 회전이 감소하면 계면 높이(502)가 감소한다고 발견되었다. 결과적으로, 계면 높이의 중심 높이의 원하는 변화는 결정과 도가니 사이의 회전 속도 차이를 조절하여 얻을 수 있다. 예를 들어, 분 당 2 회전에 의한 회전 속도 차이를 증가하여 대략 4.5 mm 계면 형상의 중심 높이(502)를 증가시킨다 (도 5D 참조). 변화의 강도는 결정과 도가니의 절대 회전 속도의 함수이다. 델타 회전의 변화에 대한 계면 높이의 측정된 수득치는 GRot = 2.25 mm/rpm이다. 이 예에서, 도가니(19) 및 결정(31) 둘다 동일한 방향으로 회전; 동질 회전 (iso rotation)한다.
또다른 실시태양에서, 도가니 (19)가 한 방향으로 회전하고, 결정 (31)이 동일한 방향으로 회전하여 용융물-고체 계면 형상이 콘트롤될 수 있는 범위를 향상시킬 수 있다. 도 5E는 각각 쌍화살표 (510), (512)로 나타낸 역방향 회전 및 등방향 회전 동안 용융물-고체 계면 형상이 콘트롤될 수 있는 예시적인 범위를 나타낸다. 상기에 기술한 바와 같이, 용융물-고체 계면 형상에 대한 중요 파라메터는 도가니 (19) 내에서 용융된 규소 용융물 (29)의 대류 경로이다. 대류 경로는 도가니 및 결정의 회전으로 인하여 강제된 대류에 의해 발생된다. 게다가, 다양한 공정 조건과 결합된 등방향 회전의 효과는 용융물-고체 계면 작업 범위에서의 증대를 제공하는 것으로 나타났다. 즉, 계면 형상이 될 수 있는 범위가 급격하게 증대한다. 계면 형상 및 높이에서의 절대적인 변화는 고온영역, 공정 파라메터 및 결정의 축상 위치의 함수이다. 계면 높이는 결정의 가장자리 및 결정의 중심 사이의 수직 거리로서 정의된다. 실험용 고온영역에서는, 계면 높이가 콘트롤될 수 있는 범위는 5.5 mm 내지 25.25 mm로 356%까지 증대되었다. 따라서, 등방향 회전으로의 변화는 계면에서의 축상 경사를 증대시키거나 또는 감소시키는 향상된 동적 범위를 제공한다.
본 발명은 다양한 파라메터들을 개별적으로 콘트롤하는 것과 관련하여 상기에서 기술되었지만, 본 발명은 2 이상의 파라메터들을 콘트롤하여 바람직한 용융물-고체 계면 형상을 달성하는 것을 포함한다.
도 3A와 관련하여 상기에서 기술한 바와 같이, V/I 시뮬레이터 (300)은 정해진 프로파일에 따라 결정 (31)을 성장시키고, 성장된 결정 (31)에서의 시뮬레이팅 된 V/I 전이와 실제 V/I 전이를 비교하여, 훌륭하게 작동될 수 있다. 즉, V/I 시뮬레이터 및 시스템 (11)의 콘트롤 요소 (즉, PLC (69), CPU (71), 메모리 (73))를 병용하여 개방 루프 콘트롤 시스템을 제공할 수 있다.
도 6을 참조하면, 예시적인 플로우 차트는, 본 발명의 한 실시태양에 따른 초크랄스키법에 따라 단결정성 잉곳을 성장시킬 때, 결정 성장 장치를 병용한 용융물-고체 계면 형상 프로파일의 정의 방법을 나타낸다. (602)에서는, V/I 시뮬레이터는 형상 콘트롤이 바람직한 모델 잉곳의 길이 상의 다수의 축상 위치를 확인하는 오퍼레이터로부터의 축상 위치 데이터를 수신한다. 그 다음에, V/I 시뮬레이터 (300)은 (604)에서 확인된 각각의 축상 위치에 대한 다수의 용융물-고체 계면 형상을 정의하는 오퍼레이터로부터의 형상 데이터를 수신한다. (606)에서, V/I 시뮬레이터 (300)은, 계면에서의 용융물의 온도에서의 변수들을 한정하기 위한, 결정 성장 장치의 가정된 공정 파라메터들 (즉, 인상 속도, 용융 온도 등), 확인된 축상 위치 및 대응하는 정의된 용융물-고체 계면 형상에 감응한다. 예를 들면, V/I 시뮬레이터 (300)은 각 정의된 용융물-고체 계면 형상에 대응하는 결정 성장 장치에서의 계면 또는 온도장에 걸친 온도 경사 G를 계산한다. (608)에서, V/I 시뮬레이터 (300)은, 정의된 속도 υp 및 계산된 온도 경사 G 간의 비를 계산하기 위해 계산된 온도 경사 G에 감응한다. 이 경우, 정의된 υp는 메모리에 저장된 속도 프로파일에 대응하며, 경사진 인상 속도를 정의한다. 상기에 기술된 바와 같이, 동적 성장 공정 (즉, υ/G 변화) 동안, 성장 규소 결정 내의 점결함은 공공형 우세로부터 침입형 우세로, 또는 그 반대로 변할 수 있으며, 이러한 변화와 관련된 확인가능한 V/I 전이가 존재한다. 경사진 인상 속도를 사용하여, 시뮬레이팅된 잉곳을 공공형 우세로부터 침입형 우세로 전이시키고, V/I 시뮬레이터 (300)은 (610)에서 각각의 확인된 축상 위치에서 각각의 정의된 용융물-고체 계면 형상에 대응하는 V/I 전이를 생성시킨다. (612)에서, V/I 시뮬레이터 (300)은 다수의 확인된 축상 위치 각각에 대해 실질적으로 편평한 V/I 전이에 대응하는 목적 형상을 확인한다. V/I 시뮬레이터 (300)은 확인된 각 목적 형상 및 메모리 내 용융물-고체 계면 프로파일에 따라 대응하는 축상 위치를 저장한다.
작업시, 초크랄스키법에 따른 단결정성 잉곳을 성장시키기 위한 결정 성장 장치를 병용하기 위한 시스템은, 바람직한 용융물-고체 계면 프로파일을 달성하거나 또는 대부분 달성하는 다양한 결정의 길이에서의 미리 공정 파라메터 설정값들의 미리 설정된 세트를 저장하는 메모리를 갖는다. 용융물-고체 계면 프로파일은 잉곳의 길이의 함수로서 인상 동안 용융물 및 잉곳 사이의 용융물-고체 계면의 바람직한 형상을 나타낸다. 공정 이득의 세트는 인상 동안 잉곳의 길이의 함수로서 결정 성장 장치의 작업 파라메터들을 평가할 수 있게 한다. 또한, 콘트롤러는, 잉곳이 용융물로부터 인상되는 동안 용융물-고체 계면 형상을 콘트롤하기 위한 측정된 작업 파라메터 세트 포인트에 따른 결정 성장 장치의 작업 조건을 조정하게 하는 측정된 작업 파라메터 세트 포인트에 감응한다.
용융물-고체 계면 형상 프로파일을 정의하면, 공정 파라메터들은 결정을 성장시키는데 사용되는 실제 진동 시드 리프트에 기초하여 선택될 수 있다. 이러한 경우, 실제 계면 형상은, 석출, 벌크 에칭, 및 장식적 에칭 또는 라이프타임 측정의 방법에 의해 확인될 수 있다. 본 발명의 이러한 실시태양은 다양한 결정 길이에서 바람직한 계면 형상을 거의 달성할 수 있도록 후속하는 결정 상에 계면 형상을 조정하게 한다. 시드 리프트 프로파일은, 낮거나 또는 0의 미세결함 밀도가 존재하는 곳에서 (즉, V/I 전이 경계에서) 실험적으로 측정된 시드 리프트 값들에 기초하여, 진동 프로파일로부터 편평한 프로파일로 변화될 수 있다. 낮거나 또는 0의 미세결함 수준을 유지하기 위해 작은 시드 리프트 바이어스 또는 프로파일 조정을 사용한 경우, 특히 침입형 루프(interstitial loop) 또는 큰 공공형의 클러스터 (D-결함 또는 다른 측정에 의해 확인됨)가 발생하는 경우, 실질적으로 반경 방향으로 완전하거나 또는 반경 방향으로 낮은 결함의 규소의 생성을 달성할 수 있다.
<부록 A>
작업 윈도우의 정의 방법
1150 ℃ 및 1100 ℃ 사이의 온도에 대한 냉각 속도는 공정에서 최대 허용가능한 작업 윈도우를 결정한다. 작업 윈도우는 인상 속도의 용어로 정의된다. 한 위치에서 결정의 평균 인상 속도가 x mm/분이라고 가정하면, y mm/분의 최대 작업 윈도우란 선택된 위치에서 실질적으로 미세결함이 없는 결정은 x+y/2 mm/분 내지 x-y/2 mm/분의 인상 속도 범위 내에서 생성될 수 있음을 의미한다. 이는 다음과 같이 측정된다.
결정이 1150 ℃ 내지 1000 ℃의 온도 범위에서 알려진 냉각 속도로 고온영역 에서 도 7에 도시된 바와 같이 변화하는 인상 속도 프로파일 (700)으로 성장된다. 그 다음에, 이는 선 (702)에 의해 일괄되는 센터에서의 실질적으로 미세결함이 없는 구역을 확인할 수 있는 것으로 특징지울 수 있다. FPD 측정과 같은 다양한 특징 부여 기술이 적용될 수 있다. (704)에 의해 나타낸 바와 같이, 실질적으로 미세결함이 없는 구역 주위에 결정의 실제 계면 형상이 측정된다. 이 계면 형상은 점결함 시뮬레이터를 사용하여 점결함 분포를 시뮬레이팅하는데 사용된다. 점결함 시뮬레이터는 참조 특성 (706)에 의해 나타낸 바와 같이 초과 점결함 농도장 Cv-Ci를 제공한다. 여기서, Cv는 공공형 농도이고, Ci는 침입형 농도이다. 양의 Cv-Ci는 공공형이 농후한 구역을 나타내고, 음의 Cv-Ci는 침입형이 농후한 구역을 나타낸다. 게다가, 한 구역에서 Cv-Ci가 높을 수록 공공형 미세결함이 더 많이 형성된다. 따라서, 1150 ℃ 및 1000 ℃ 사이에서의 소정의 냉각 속도에 대해서, 실질적으로 미세결함이 없는, 양의 Cv-Ci 및 음의 Cv-Ci에 의해 일괄되는 구역이 존재한다. 실질적으로 미세결함이 없는 구역은 30 nm보다 더 작은 미세결함을 함유할 수 있다. 이 최대 작업 윈도우는 실험으로 측정된 실질적으로 미세결함이 없는 구역과 점결함 시뮬레이터에 의해 예측된 Cv-Ci 필드를 비교하여 측정된다. 이는 소정의 냉각 속도에 대한 최대 작업 윈도우를 한정한다.
임의의 축상 위치에서 나타낸 실린더형 잉곳으로부터 절단된 임의의 원형 디스크는 여전히 완벽하게 실질적으로 미세결함이 없는 것이 아니다. 잉곳으로부터 생성된 웨이퍼가 원형 디스크이기 때문에, 실제 작업 윈도우는 반경 위치, 즉 센터로부터 가장자리를 따른 모든 곳에서 실질적으로 미세결함이 없는 잉곳의 폭에 의 해 측정된다. 이는 실제 작업 윈도우(real operating window)로 불린다. 소정의 냉각 속도에 대한 계면 형상의 변화는 이 실제 작업 윈도우를 변화시킨다. 0.005 mm/분 이상, 바람직하게는 0.01 mm/분 이상, 가장 바람직하게는 0.02 mm/분 이상의 허용가능한 작업 윈도우가 주어진 허용가능한 계면 형상은 우선, 점결함 시뮬레이터에 의해 측정되고, 그 다음에 실제 결정 성장에 의해 측정된다. 실질적으로 미세결함이 없는 원형 디스크의 생산을 가능하게 하는 임의의 계면은 허용가능한 것으로서 정의된다.
본 발명은, 실질적으로 바람직하지 않은 양 또는 크기의 응집 결함이 없는 반도체 등급 단일 결정을 제조하기 위한 방법 및 시스템을 제공한다.

Claims (20)

  1. 인상 (pulling) 동안 잉곳의 길이의 함수로서 결정 성장 장치의 작업 파라미터에 대한 세트 포인트 (여기서, 상기 세트 포인트는 미리정의된 용융물-고체 계면 형상 프로파일에 의해 구체화되며, 상기 용융물-고체 계면 형상 프로파일은 상기 용융물에 영향을 미치는 작업 조건 및 잉곳의 길이의 함수에 따라 인상 동안에 용융물과 잉곳 사이의 용융물-고체 계면의 바람직한 형상을 나타냄)를 결정하는 단계; 및
    용융물로부터 잉곳이 인상되는 동안 용융물-고체 계면의 형상을 콘트롤하기 위해, 결정된 작업 파라미터 세트 포인트에 따라 결정 성장 장치의 작업 조건을 조정하는 단계
    를 포함하는, 초크랄스키 방법에 따라 단결정성 잉곳을 성장시키기 위해 상기 용융물로부터 인상된 시드 결정상에서 성장되는 잉곳이 인상되는 반도체 용융물을 함유하는 가열된 도가니를 가지는, 결정 성장 장치와 조합하여 사용하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 작업 조건이 용융물의 온도; 도가니 내의 자기장; 잉곳의 회전 속도; 잉곳의 회전 방향; 도가니의 회전 속도; 및 도가니의 회전 방향 중 하나 이상인 방법.
  3. 제1항에 있어서, 작업 파라미터 세트 포인트가, 결정 성장 장치의 히터 파워 서플라이에 대한 히터 파워 세트 포인트; 결정 성장 장치의 마그네트 파워 서플라이에 대한 마그네트 파워 세트 포인트; 결정 성장 장치의 도가니 구동 유닛에 대한 도가니 회전 속도 세트 포인트; 및 결정 성장 장치의 결정 구동 유닛에 대한 결정 회전 속도 세트 포인트 중 하나 이상인 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 결정된 작업 파라미터 세트 포인트에 따라 작업 조건을 조정하는 단계가, 용융물의 온도 구배를 변화시켜 용융물-고체 계면의 형상을 콘트롤하기 위해 히터 파워 세트 포인트에 따라 결정 성장 장치의 히터에 공급되는 파워를 조정하는 것을 포함하는 방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 결정된 작업 파라미터 세트 포인트에 따라 작업 조건을 조정하는 단계가, 용융물의 대류를 변화시켜 용융물-고체 계면의 형상을 콘트롤하기 위해 마그네트 파워 세트 포인트에 따라 결정 성장 장치의 마그네트에 공급된 파워를 조정하는 것을 포함하는 방법.
  6. 제3항에 있어서, 상기 결정된 작업 파라미터 세트 포인트에 따라 작업 조건을 조정하는 단계가, 용융물의 대류를 변화시켜 용융물-고체 계면의 형상을 콘트롤하기 위해 도가니 회전 속도 세트 포인트에 따라 결정 성장 장치의 도가니 구동 유닛에 공급되는 파워를 조정하는 것; 및 결정 회전 속도 세트 포인트에 따라 결정 성장 장치의 결정 구동 유닛에 공급되는 파워를 조정하는 것을 포함하는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 도가니 및 잉곳이 용융물-고체 계면의 형상을 콘트롤하기 위해 반대 방향으로 회전하는 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 도가니 및 잉곳이 용융물-고체 계면의 형상을 콘트롤하기 위해 동일 방향으로 회전하는 방법.
  9. 제1항에 있어서, 작업 파라미터에 대한 세트 포인트가 예비연산된 결정 열적 경계 조건을 가지는 결정 성장 장치의 선택된 고온영역에 대해 결정되는 방법.
  10. 제1항에 있어서, 용융물-고체 계면 형상 프로파일을 정의하는 것을 더 포함하는 방법.
  11. 제10항에 있어서, 용융물-고체 계면 형상 프로파일을 정의하는 단계가,
    모델 잉곳의 길이를 따른 다수의 축상 위치를 선택하고;
    각 확인된 축상 위치에 대해 다수의 용융물-고체 계면 형상을 정의하고;
    각 축상 위치 및 각 용융물-고체 계면 형상에 대해 결정 성장 장치의 고온영역의 열적 모델을 결정하고;
    경사진 인상 속도를 나타내는 속도 프로파일을 정의하고;
    모델 잉곳의 영역에서 발생하는 하나 이상의 점결함을 나타내는 점결함 모델 (상기 점결함 모델은 다수의 확인된 축상 위치 각각에 대해 다수의 정의된 용융물-고체 계면 형상 각각에 대한 V/I 전이를 확인하기 위해 속도 프로파일 및 열적 모델에 감응함)을 결정하고;
    다수의 확인된 축상 위치 각각에 대해 실질적으로 편평한 V/I 전이에 대응하는 목적 용융물-고체 계면 형상을 확인하는 것을 포함하는 방법.
  12. 제11항에 이어서, 확인된 목적 형상 각각 및 용융물-고체 계면 프로파일에서 대응하는 각 축상 위치를 저장하는 것을 더 포함하는 방법.
  13. 제11항에 있어서, 열적 모델을 정의하는 것이 고온영역의 열적 특성 변화를 나타내는 계면 형상 감응 모델을 정의하는 것을 포함하는 방법.
  14. 모델 잉곳의 길이에 따른 다수의 축상 위치를 선택하고;
    확인된 축상 위치 각각에 대해 다수의 용융물-고체 계면 형상을 정의하고;
    각 축상 위치 및 각 용융물-고체 계면 형상에 대해 결정 성장 장치의 고온영역의 열적 모델을 결정하고;
    경사진 인상 속도를 나타내는 속도 프로파일을 정의하고;
    모델 잉곳의 영역에서 발생하는 하나 이상의 점결함을 나타내는 점결함 모델(상기 점결함 모델은 다수의 확인된 축상 위치 각각에 대해 다수의 정의된 용융물-고체 계면 형상 각각에 대한 V/I 전이를 확인하기 위한 속도 프로파일 및 열적 모 델을 감응함)을 결정하고;
    다수의 확인된 축상 위치 각각에 대해 실질적으로 편평한 V/I 전이에 대응하는 목적 용융물-고체 계면 형상을 확인하는 것
    을 포함하는, 잉곳의 길이의 함수로서 인상 동안 용융물 및 잉곳 사이의 용융물-고체 계면의 바람직한 형상을 나타내는 상기 용융물-고체 계면 형상 프로파일을 초크랄스키 방법에 따라 단결정성 잉곳을 성장시키기 위해, 상기 용융물로부터 인상된 시드 결정상에서 성장되는 잉곳이 인상되는 반도체 용융물을 함유하는 가열된 도가니를 가지는 결정 성장 장치와 조합하여 사용하는, 용융물-고체 계면 형상 프로파일의 정의 방법.
  15. 인상 동안 용융물과 잉곳 사이의 용융물-고체 계면의 바람직한 형상을 잉곳의 길이 및 용융물에 영향을 미치는 작업 조건의 함수로서 나타내는 미리 정의된 용융물-고체 계면 프로파일을 저장하는 메모리;
    인상 동안 잉곳 길이의 함수로서 결정 성장 장치의 작업 파라미터에 대한 세트 포인트를 결정하기 위한 미리 정의된 용융물-고체 계면 프로파일에 감응하는 프로세서; 및
    잉곳이 용융물로부터 인상되는 동안 용융물-고체 계면의 형상을 콘트롤하기 위해, 결정된 작업 파라미터 세트 포인트에 따라 결정 성장 장치의 작업 조건을 조정하기 위해 상기 결정된 작업 파라미터 세트 프인트에 감응하는 콘트롤러
    를 포함하는, 초크랄스키 방법에 따라 단결정성 잉곳을 성장시키기 위해, 용 융물로부터 인상된 시드 결정상에서 성장되는 잉곳이 인상되는 반도체 용융물을 함유하는 가열된 도가니를 가지는 결정 성장 장치와 함께 사용하기 위한 시스템.
  16. 제15항에 있어서, 작업 조건이 용융물의 온도; 도가니 내의 자기장; 잉곳의 회전 속도 잉곳; 잉곳의 회전 방향; 도가니의 회전 속도; 및 도가니의 회전 방향 중 하나 이상인 시스템.
  17. 제15항에 있어서, 결정된 작업 파라미터 세트 포인트가, 결정 성장 장치의 히터 파워 스플라이에 대한 히터 파워 세트 포인트; 결정 성장 장치의 마그네트 파워 서플라이에 대한 마그네트 파워 세트 포인트; 결정 성장 장치의 도가니 구동 유닛에 대한 도가니 회전 속도 세트 포인트; 및 결정 성장 장치의 결정 구동 유닛에 대한 잉곳 회전 속도 세트 포인트 중 하나 이상인 시스템.
  18. 제17항에 있어서, 상기 콘트롤러가 용융물-고체 계면의 형상을 콘트롤하기 위해, 용융물의 온도 구배를 변화시켜 용융물-고체 계면의 형상을 콘트롤하기 위해 히터 파워 세트 포인트에 따라 결정 성장 장치의 히터에 공급되는 파워; 및 용융물의 대류를 변화시켜 용융물-고체 계면의 형상을 콘트롤하기 위해 마그네트 파워 세트 포인트에 따라 결정 성장 장치의 마그네트에 공급되는 파워 중 하나 이상을 조정하는 시스템.
  19. 제15항에 있어서, 콘트롤러가, 용융물의 대류를 변화시켜 용융물-고체 계면의 형상을 콘트롤하기 위해 도가니 회전 속도 세트 포인트에 따라 결정 성장 장치의 도가니 구동 유닛에 공급되는 파워를 조정하고, 결정 회전 속도 세트 포인트에 따라 결정 성장 장치의 결정 구동 유닛에 공급되는 파워를 조정하는 것인 시스템.
  20. 제15항에 있어서, 용융물-고체 계면 형상 프로파일을 미리 정의하기 위한 V/I 시뮬레이터를 더 포함하며, 상기 V/I 시뮬레이터가 결정의 길이에 따른 다수의 축상 위치 각각에서 다수의 용융물-고체 계면 형상 각각에 대한 온도 구배를 생성시키기 위한 온도 모델; 메모리에 저장되고 경사진 인상 속도를 정의하는 속도 프로파일; 상기 속도 프로파일 및 온도 모델에 감응하여 다수의 정의된 용융물-고체 계면 형상의 각각에 대한 예상 V/I 전이 (과잉 공공형 우위 영역에서 과잉 침입형 우위 영역으로의 전이)의 대표 표시자를 생성하는 점결함 모델을 포함하고, 작업자는 발생된 V/I 전이를 평가하여 메모리 중의 용융물-고체 계면 프로파일로서 저장하기 위한 다수의 확인된 축상 위치 각각에 대해 실질적으로 편평한 V/I 전이에 대응하는 목적 형상을 확인하는 것인, 시스템.
KR1020050048549A 2004-06-07 2005-06-07 축방향 길이의 함수로서 용융물-고체 계면 형상을 제어하여 실리콘 결정을 성장시키는 방법 및 장치 KR100848435B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US57772204P 2004-06-07 2004-06-07
US60/577,722 2004-06-07
US11/145,626 2005-06-03
US11/145,626 US20060005761A1 (en) 2004-06-07 2005-06-06 Method and apparatus for growing silicon crystal by controlling melt-solid interface shape as a function of axial length

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060048231A true KR20060048231A (ko) 2006-05-18
KR100848435B1 KR100848435B1 (ko) 2008-07-28

Family

ID=35539992

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050048549A KR100848435B1 (ko) 2004-06-07 2005-06-07 축방향 길이의 함수로서 용융물-고체 계면 형상을 제어하여 실리콘 결정을 성장시키는 방법 및 장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20060005761A1 (ko)
EP (1) EP1605079B1 (ko)
JP (1) JP2005350347A (ko)
KR (1) KR100848435B1 (ko)
CN (1) CN100529197C (ko)
DE (1) DE602005011528D1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100804459B1 (ko) * 2005-07-25 2008-02-20 가부시키가이샤 사무코 실리콘 단결정 제조 방법 및 실리콘 단결정
WO2016108381A1 (ko) * 2014-12-30 2016-07-07 주식회사 엘지실트론 잉곳 계면의 형상을 제어할 수 있는 단결정 성장 시스템 및 방법

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5073257B2 (ja) * 2006-09-27 2012-11-14 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 単結晶製造装置及び方法
CN100560810C (zh) * 2007-09-18 2009-11-18 山东大学 集成式可编程晶体生长控制***
JP5574645B2 (ja) * 2009-09-07 2014-08-20 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 単結晶シリコンの製造方法
SG174166A1 (en) * 2009-12-15 2011-10-28 Japan Super Quartz Corp Method for calculating temperature distribution in crucible
JP2012166979A (ja) * 2011-02-14 2012-09-06 Sumco Corp 多結晶シリコンの電磁鋳造方法および電磁鋳造装置
CN102154685B (zh) * 2011-03-15 2012-08-15 杭州精功机电研究所有限公司 一种基于隔板升降的晶体生长界面控制方法
CN102534757A (zh) * 2012-01-06 2012-07-04 南京师范大学 基于工业总线的晶体生长智能控制***
WO2016125605A1 (ja) * 2015-02-03 2016-08-11 株式会社Sumco 単結晶引き上げ装置のクリーニング方法及びこれに用いるクリーニング用具並びに単結晶の製造方法
KR101680213B1 (ko) * 2015-04-06 2016-11-28 주식회사 엘지실트론 실리콘 단결정 잉곳의 성장 방법
TWI586853B (zh) * 2015-11-13 2017-06-11 中美矽晶製品股份有限公司 熔料參數的預測方法
JP6987057B2 (ja) * 2015-12-04 2021-12-22 グローバルウェーハズ カンパニー リミテッドGlobalWafers Co., Ltd. 低酸素含有シリコンを生産するシステム及び方法
JP6604338B2 (ja) * 2017-01-05 2019-11-13 株式会社Ｓｕｍｃｏ シリコン単結晶の引き上げ条件演算プログラム、シリコン単結晶のホットゾーンの改良方法、およびシリコン単結晶の育成方法
KR101962175B1 (ko) * 2017-08-28 2019-03-26 에스케이실트론 주식회사 단결정 잉곳 성장을 위한 용융액을 형성하는 방법
CN107653489B (zh) * 2017-09-15 2020-06-09 福建晶安光电有限公司 一种晶体的生长方法
KR102065837B1 (ko) 2018-01-09 2020-01-13 에스케이실트론 주식회사 단결정 잉곳 성장용 온도제어장치 및 이에 적용된 온도제어방법
JP6844560B2 (ja) * 2018-02-28 2021-03-17 株式会社Sumco シリコン融液の対流パターン制御方法、シリコン単結晶の製造方法、および、シリコン単結晶の引き上げ装置
US20200002838A1 (en) * 2018-06-28 2020-01-02 Global Wafers Co., Ltd. Methods for producing a silicon ingot that involve monitoring a moving average of the ingot neck pull rate
CN108950679B (zh) * 2018-06-28 2020-04-28 西安交通大学 一种在线监测直拉单晶炉内长晶界面形状的方法
US20200002839A1 (en) * 2018-06-28 2020-01-02 Global Wafers Co., Ltd. Monitoring a moving average of the ingot neck pull rate to control the quality of the neck for ingot growth
CN113825862A (zh) * 2019-04-11 2021-12-21 环球晶圆股份有限公司 后段主体长度具有减小变形的锭的制备工艺
WO2021031142A1 (zh) 2019-08-21 2021-02-25 眉山博雅新材料有限公司 上提拉开放式单晶炉
CN113584572B (zh) * 2019-08-21 2022-05-10 眉山博雅新材料股份有限公司 一种晶体制备装置
CN111041551B (zh) * 2020-01-06 2021-02-05 北京北方华创真空技术有限公司 直拉硅单晶炉
CN112080794B (zh) * 2020-04-20 2022-10-21 徐州鑫晶半导体科技有限公司 用于晶体生长过程中温度控制的方法和***
US11987899B2 (en) * 2020-11-12 2024-05-21 Globalwafers Co., Ltd. Methods for preparing an ingot in an ingot puller apparatus and methods for selecting a side heater length for such apparatus
WO2022147835A1 (zh) * 2021-01-11 2022-07-14 眉山博雅新材料有限公司 一种晶体生长控制方法和***
CN113417004B (zh) * 2021-05-27 2022-05-20 中山大学 一种基于提拉法的晶体生长界面形状的探测方法和装置
CN114411236B (zh) * 2022-02-10 2023-06-27 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 一种模拟晶体的生长方法、晶体的生长方法及装置
CN115287762B (zh) * 2022-10-08 2022-12-09 中电化合物半导体有限公司 一种晶体结晶界面控制装置和碳化硅晶体生长方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6027682A (ja) * 1983-07-26 1985-02-12 Toshiba Corp 単結晶引上装置
JPS6144797A (ja) * 1984-08-10 1986-03-04 Toshiba Corp 単結晶育成装置およびその制御方法
US4617173A (en) * 1984-11-30 1986-10-14 General Signal Corporation System for controlling the diameter of a crystal in a crystal growing furnace
US4659423A (en) * 1986-04-28 1987-04-21 International Business Machines Corporation Semiconductor crystal growth via variable melt rotation
JP2561072B2 (ja) * 1986-04-30 1996-12-04 東芝セラミツクス株式会社 単結晶の育成方法及びその装置
US5137699A (en) * 1990-12-17 1992-08-11 General Electric Company Apparatus and method employing interface heater segment for control of solidification interface shape in a crystal growth process
US5178720A (en) * 1991-08-14 1993-01-12 Memc Electronic Materials, Inc. Method for controlling oxygen content of silicon crystals using a combination of cusp magnetic field and crystal and crucible rotation rates
DE69619005T2 (de) * 1995-03-16 2002-07-11 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Verfahren und Vorrichtung zur Züchtung eines Einkristalles
US5653799A (en) * 1995-06-02 1997-08-05 Memc Electronic Materials, Inc. Method for controlling growth of a silicon crystal
US5593498A (en) * 1995-06-09 1997-01-14 Memc Electronic Materials, Inc. Apparatus for rotating a crucible of a crystal pulling machine
JPH09208379A (ja) * 1996-01-26 1997-08-12 Sumitomo Sitix Corp 単結晶引き上げ方法
JP3449128B2 (ja) * 1996-08-30 2003-09-22 信越半導体株式会社 単結晶成長方法
JPH1179889A (ja) * 1997-07-09 1999-03-23 Shin Etsu Handotai Co Ltd 結晶欠陥が少ないシリコン単結晶の製造方法、製造装置並びにこの方法、装置で製造されたシリコン単結晶とシリコンウエーハ
US5846318A (en) * 1997-07-17 1998-12-08 Memc Electric Materials, Inc. Method and system for controlling growth of a silicon crystal
WO1999010570A1 (fr) * 1997-08-26 1999-03-04 Sumitomo Metal Industries, Ltd. Cristal unique de silicium de grande qualite et procede de fabrication
US5882402A (en) * 1997-09-30 1999-03-16 Memc Electronic Materials, Inc. Method for controlling growth of a silicon crystal
JP3943717B2 (ja) * 1998-06-11 2007-07-11 信越半導体株式会社 シリコン単結晶ウエーハ及びその製造方法
EP1125009B1 (en) * 1998-10-14 2002-12-18 MEMC Electronic Materials, Inc. Method for accurately pulling a crystal
JP3783495B2 (ja) * 1999-11-30 2006-06-07 株式会社Ｓｕｍｃｏ 高品質シリコン単結晶の製造方法
JP3573045B2 (ja) * 2000-02-08 2004-10-06 三菱住友シリコン株式会社 高品質シリコン単結晶の製造方法
JP4808832B2 (ja) * 2000-03-23 2011-11-02 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 無欠陥結晶の製造方法
JP4192530B2 (ja) * 2002-08-27 2008-12-10 株式会社Ｓｕｍｃｏ パーティクルモニター用シリコン単結晶ウェーハの製造方法
JP4764007B2 (ja) * 2002-11-12 2011-08-31 エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド ルツボの回転を利用して温度勾配を制御し単結晶シリコンを製造する方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100804459B1 (ko) * 2005-07-25 2008-02-20 가부시키가이샤 사무코 실리콘 단결정 제조 방법 및 실리콘 단결정
WO2016108381A1 (ko) * 2014-12-30 2016-07-07 주식회사 엘지실트론 잉곳 계면의 형상을 제어할 수 있는 단결정 성장 시스템 및 방법
KR20160080675A (ko) * 2014-12-30 2016-07-08 주식회사 엘지실트론 잉곳 계면의 형상을 제어할 수 있는 단결정 성장 방법
US10214834B2 (en) 2014-12-30 2019-02-26 Sk Siltron Co., Ltd. Monocrystal growth system and method capable of controlling shape of ingot interface

Also Published As

Publication number Publication date
DE602005011528D1 (de) 2009-01-22
EP1605079A1 (en) 2005-12-14
JP2005350347A (ja) 2005-12-22
EP1605079B1 (en) 2008-12-10
US20060005761A1 (en) 2006-01-12
KR100848435B1 (ko) 2008-07-28
CN1737216A (zh) 2006-02-22
CN100529197C (zh) 2009-08-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100848435B1 (ko) 축방향 길이의 함수로서 용융물-고체 계면 형상을 제어하여 실리콘 결정을 성장시키는 방법 및 장치
JP4808832B2 (ja) 無欠陥結晶の製造方法
KR100295040B1 (ko) 핫존로에서의인상속도프로파일을조절하여단결정실리콘잉곳및웨이퍼를제조하는방법,그에따라제조된잉곳및웨이퍼
EP1831436B1 (en) Controlling melt-solid interface shape of a growing silicon crystal using a variable magnetic field
US6893499B2 (en) Silicon single crystal wafer and method for manufacturing the same
US6174364B1 (en) Method for producing silicon monocrystal and silicon monocrystal wafer
JP3627498B2 (ja) シリコン単結晶の製造方法
US7125608B2 (en) Single-crystal silicon ingot and wafer having homogeneous vacancy defects, and method and apparatus for making same
KR101862157B1 (ko) 단결정 실리콘 잉곳 제조 방법 및 장치
JP6135611B2 (ja) 点欠陥濃度計算方法、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥計算方法、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥面内分布計算方法及びこれらを用いたシリコン単結晶製造方法
JP2011068531A (ja) シリコン単結晶の引上げ方法
JP2005015313A (ja) 単結晶の製造方法及び単結晶
US20150147258A1 (en) Single crystal silicon ingot and wafer, and apparatus and method for growing said ingot
TW202104678A (zh) 使用連續柴可斯基(czochralski)方法生長單晶矽碇之方法
KR100991088B1 (ko) 커스프 자기장을 이용한 반도체 단결정 잉곳 제조장치 및제조방법
KR101540567B1 (ko) 단결정 잉곳, 이를 제조하는 방법 및 장치
JP2001089294A (ja) 点欠陥の凝集体が存在しないシリコン単結晶の連続引上げ法
JP2022526817A (ja) 本体長さ後半の歪みが低減されたインゴットの製造方法
KR101379798B1 (ko) 단결정 실리콘 잉곳 성장 장치 및 방법
KR101366154B1 (ko) 반도체용 고품질 실리콘 단결정 잉곳 및 웨이퍼
US20240003047A1 (en) Method and apparatus for growing silicon single crystal ingots
KR101379799B1 (ko) 단결정 실리콘 잉곳 성장 장치 및 방법
KR20000065399A (ko) 반도체 장치의 잉곳 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110711

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee