CN108950679B - 一种在线监测直拉单晶炉内长晶界面形状的方法 - Google Patents

一种在线监测直拉单晶炉内长晶界面形状的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108950679B
CN108950679B CN201810690392.7A CN201810690392A CN108950679B CN 108950679 B CN108950679 B CN 108950679B CN 201810690392 A CN201810690392 A CN 201810690392A CN 108950679 B CN108950679 B CN 108950679B
Authority
CN
China
Prior art keywords
crystal
temperature
temperature monitoring
monitoring point
point
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810690392.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108950679A (zh
Inventor
刘立军
丁俊岭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zing Semiconductor Corp
Original Assignee
Xian Jiaotong University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xian Jiaotong University filed Critical Xian Jiaotong University
Priority to CN201810690392.7A priority Critical patent/CN108950679B/zh
Publication of CN108950679A publication Critical patent/CN108950679A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108950679B publication Critical patent/CN108950679B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/20Controlling or regulating
    • C30B15/22Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明公开了一种在线监测直拉单晶炉内长晶界面形状的方法,在晶体侧壁布置两个温度监测点,两个温度监测点和三相点沿长晶方向等间距分布,结合三相点的温度,预测长晶界面形状的变化。本发明通过测温装置测量晶体侧壁两个监测点的温度,能够方便准确的预测拉晶过程中长晶界面形状的变化,为长晶工艺的调整提供指导,最终获得高质量的半导体单晶。

Description

一种在线监测直拉单晶炉内长晶界面形状的方法
技术领域
本发明属于直拉法单晶生长领域,具体涉及一种在线监测直拉单晶炉内长晶界面形状的方法。
背景技术
直拉法是由波兰科学家JanCzochraski于1918年提出的一种生长单晶方法。这种方法首先被应用于生长单晶锗,后来被应用到生长单晶硅。由于其具有容易生长大直径、无位错、低点缺陷浓度单晶的优势,目前被广泛的应用到生长大尺寸半导体级单晶硅领域。
在晶体生长过程中,长晶界面的形状对晶体最终的质量具有很大的影响。晶体内部空位以及间隙原子点缺陷在长晶界面附近产生,长晶界面形状能够显著影响晶体内部点缺陷的类型。同时,不合理的长晶界面形状会导致晶体内部热应力过大,进而引起位错的产生。此外,晶体中掺杂剂和杂质径向分布的均匀性也受到长晶界面形状的影响。
在拉晶过程中,长晶界面被熔体和晶体覆盖,难以直接观测。
发明内容
本发明的目的在于提供一种在线监测直拉单晶炉内长晶界面形状的方法,以解决在拉晶过程中长晶界面的形状难以观测的技术问题。
本发明采用如下技术方案来实现的:
一种在线监测直拉单晶炉内长晶界面形状的方法,该方法包括:在高温晶体侧壁布置两个温度监测点,分别为第一温度监测点和第二温度监测点,并结合三相点的温度,预测位于高温晶体与熔体之间的长晶界面形状的变化。
本发明进一步的改进在于,第一温度监测点和第二温度监测点与三相点沿拉晶方向等间距分布。
本发明进一步的改进在于,第一温度监测点和第二温度监测点与三相点的间距为2cm-20cm。
本发明进一步的改进在于,第一温度监测点和第二温度监测点的位置在拉晶过程中保持不变。
本发明进一步的改进在于,根据第一温度监测点的温度T1和第二温度监测点的温度T2以及三相点的温度T3,由于
Figure BDA0001712700190000021
与长晶界面的凸度h呈现明显的强线性关系,因此通过
Figure BDA0001712700190000022
预测长晶界面形状的变化。
本发明具有如下有益的技术效果:
本发明提供的一种在线监测直拉单晶炉内长晶界面形状的方法,在拉晶过程中,通过监测晶体侧壁两个监测点的温度,并结合三相点的温度,能够方便准确的预测拉晶过程中长晶界面形状的变化,为长晶工艺的调整提供指导,最终获得高质量的半导体单晶。
附图说明
图1为本发明温度监测点布置的示意图。
图2为长晶界面形状的示意图。
图3为本发明长晶界面形状与φ的关系结果图示意图。
图中:1-第一温度监测点;2-第二温度监测点;3-三相点;4-高温晶体;5-熔体;6-长晶界面。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步详细说明。
如图1所示,本发明提供的一种在线监测直拉单晶炉内长晶界面形状的方法,该方法包括:在高温晶体4侧壁布置两个温度监测点,分别为第一温度监测点1和第二温度监测点2。特别地,第一温度监测点1和第二温度监测点2与三相点3之间间距H相等,为2-20cm。在整个拉晶过程中,第一温度监测点1和第二温度监测点2的位置保持不变。长晶界面的形状一般通过长晶界面的凸度h描述,如图2所示。
在拉晶过程中,根据第一温度监测点1的温度T1和第二温度监测点2的温度T2以及三相点3的温度T3,通过
Figure BDA0001712700190000031
预测长晶界面6形状的变化。
为说明本方案的可行性和有效性,对拉晶过程中不同长晶的情况进行数值模拟,模拟结果如图3所示,可以发现,
Figure BDA0001712700190000032
与长晶界面的凸度h呈现明显的强线性关系,即通过
Figure BDA0001712700190000033
可以准确地预测长晶界面形状的变化。
本发明的测温点温度的获取,可以有很多方式,如接触测温或者非接触测温。本领域的技术人员能从本发明公开的内容中直接导出或联想到的所有变形,均应认为是本发明的保护范围。

Claims (3)

1.一种在线监测直拉单晶炉内长晶界面形状的方法,其特征在于,该方法包括:在高温晶体(4)侧壁布置两个温度监测点,分别为第一温度监测点(1)和第二温度监测点(2),根据第一温度监测点(1)的温度T1和第二温度监测点(2)的温度T2以及三相点(3)的温度T3,由于
Figure FDA0002324940790000011
与长晶界面的凸度h具有强线性关系,因此通过
Figure FDA0002324940790000012
预测长晶界面(6)形状的变化,其中第一温度监测点(1)和第二温度监测点(2)与三相点(3)沿拉晶方向等间距分布。
2.根据权利要求1所述的一种在线监测直拉单晶炉内长晶界面形状的方法,其特征在于,第一温度监测点(1)和第二温度监测点(2)与三相点(3)的间距为2cm-20cm。
3.根据权利要求1所述的一种在线监测直拉单晶炉内长晶界面形状的方法,其特征在于,第一温度监测点(1)和第二温度监测点(2)的位置在拉晶过程中保持不变。
CN201810690392.7A 2018-06-28 2018-06-28 一种在线监测直拉单晶炉内长晶界面形状的方法 Active CN108950679B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810690392.7A CN108950679B (zh) 2018-06-28 2018-06-28 一种在线监测直拉单晶炉内长晶界面形状的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810690392.7A CN108950679B (zh) 2018-06-28 2018-06-28 一种在线监测直拉单晶炉内长晶界面形状的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108950679A CN108950679A (zh) 2018-12-07
CN108950679B true CN108950679B (zh) 2020-04-28

Family

ID=64487807

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810690392.7A Active CN108950679B (zh) 2018-06-28 2018-06-28 一种在线监测直拉单晶炉内长晶界面形状的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108950679B (zh)

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05148080A (ja) * 1991-11-28 1993-06-15 Kyushu Electron Metal Co Ltd 単結晶育成方法
CN1320724A (zh) * 2000-04-26 2001-11-07 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 单晶与熔液固液界面形状和单晶点缺陷分布的模拟方法
JP2004018324A (ja) * 2002-06-18 2004-01-22 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp ピュアシリコン単結晶の引上げ条件を予測する方法
CN1721586A (zh) * 2005-05-13 2006-01-18 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种熔体晶体实时观察***
CN1737216A (zh) * 2004-06-07 2006-02-22 Memc电子材料有限公司 通过控制熔-固界面形状生长硅晶体的方法和装置
CN101037794A (zh) * 2005-12-30 2007-09-19 斯尔瑞恩公司 用于制造高质量硅单晶锭的方法以及由其制得的硅单晶片
CN101445954A (zh) * 2007-11-26 2009-06-03 北京有色金属研究总院 一种控制直拉硅单晶生长过程中晶体和熔体界面处的温度梯度及热历史的方法
CN105401212A (zh) * 2015-12-02 2016-03-16 上海超硅半导体有限公司 单晶硅生长控制方法
CN107109687A (zh) * 2014-12-30 2017-08-29 Lg矽得荣株式会社 能够控制锭界面形状的单晶生长***和方法
CN107955965A (zh) * 2017-11-22 2018-04-24 邢台晶龙电子材料有限公司 一种直拉法制备单晶硅的方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05148080A (ja) * 1991-11-28 1993-06-15 Kyushu Electron Metal Co Ltd 単結晶育成方法
CN1320724A (zh) * 2000-04-26 2001-11-07 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 单晶与熔液固液界面形状和单晶点缺陷分布的模拟方法
JP2004018324A (ja) * 2002-06-18 2004-01-22 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp ピュアシリコン単結晶の引上げ条件を予測する方法
CN1737216A (zh) * 2004-06-07 2006-02-22 Memc电子材料有限公司 通过控制熔-固界面形状生长硅晶体的方法和装置
CN1721586A (zh) * 2005-05-13 2006-01-18 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种熔体晶体实时观察***
CN101037794A (zh) * 2005-12-30 2007-09-19 斯尔瑞恩公司 用于制造高质量硅单晶锭的方法以及由其制得的硅单晶片
CN101445954A (zh) * 2007-11-26 2009-06-03 北京有色金属研究总院 一种控制直拉硅单晶生长过程中晶体和熔体界面处的温度梯度及热历史的方法
CN107109687A (zh) * 2014-12-30 2017-08-29 Lg矽得荣株式会社 能够控制锭界面形状的单晶生长***和方法
CN105401212A (zh) * 2015-12-02 2016-03-16 上海超硅半导体有限公司 单晶硅生长控制方法
CN107955965A (zh) * 2017-11-22 2018-04-24 邢台晶龙电子材料有限公司 一种直拉法制备单晶硅的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN108950679A (zh) 2018-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102174710B (zh) 硅半导体晶片及其制造方法
JP2826589B2 (ja) 単結晶シリコン育成方法
TWI677602B (zh) β-GaO系單晶基板
US7427325B2 (en) Method for producing high quality silicon single crystal ingot and silicon single crystal wafer made thereby
CN107532325B (zh) 硅外延晶圆及其制造方法
US11078595B2 (en) Method of producing silicon single crystal ingot and silicon single crystal ingot
CN108950679B (zh) 一种在线监测直拉单晶炉内长晶界面形状的方法
KR102353877B1 (ko) 실리콘 단결정의 제조 시에 있어서의 갭 사이즈 결정 방법 및, 실리콘 단결정의 제조 방법
TWI746494B (zh) 調整製造中之半導體錠之電阻的方法
WO2018088633A1 (ko) 단결정 실리콘 잉곳 제조 방법 및 장치
JP2001316199A (ja) シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶の製造装置
TWI471463B (zh) 晶體成長量測補償系統及其方法
KR101277396B1 (ko) 잉곳 성장 제어장치
US8547121B2 (en) Quality control process for UMG-SI feedstock
KR102241310B1 (ko) 단결정의 제조방법
JP6172013B2 (ja) Gsgg単結晶の製造方法と酸化物ガーネット単結晶膜の製造方法
KR101444519B1 (ko) 잉곳 성장 장치 및 맬트갭 측정 방법
JP2005082474A (ja) シリコン単結晶の製造方法
JP4962406B2 (ja) シリコン単結晶の育成方法
JP2004099415A (ja) 単結晶、単結晶ウエーハ及びエピタキシャルウエーハ、並びに単結晶育成方法
KR20190100653A (ko) 실리콘 단결정 잉곳의 형상 보정 방법
Shimizu et al. InP single crystal growth by the horizontal Bridgman method under controlled phosphorus vapor pressure
JP3823717B2 (ja) シリコン単結晶の製造方法
JP6737232B2 (ja) シリコン単結晶の評価方法およびシリコン単結晶の製造方法
Kim et al. Evaluation of the change in properties caused by axial and radial temperature gradients in silicon carbide crystal growth using the physical vapor transport method

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20210508

Address after: No.1000 Yunshui Road, Nicheng Town, Pudong New Area, Shanghai, 201306

Patentee after: ZING SEMICONDUCTOR Corp.

Address before: Beilin District Xianning West Road 710049, Shaanxi city of Xi'an province No. 28

Patentee before: XI'AN JIAOTONG University