KR20050070279A - 반도체 소자의 내부전압 발생회로 - Google Patents
반도체 소자의 내부전압 발생회로 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (10)
- 출력단으로부터 피드백된 내부전압과 기준전압의 전위를 비교하기 위한 비교수단;상기 비교수단의 출력신호에 응답하여 상기 출력단을 풀업 구동하기 위한 풀업 구동 수단; 및상기 내부전압의 전위가 예정된 타겟 레벨 이상인 구간에서 상기 출력단을 방전 구동하기 위한 방전 구동 수단을 구비하는 반도체 메모리 소자의 내부전압 발생회로.
- 제1항에 있어서,상기 방전 구동 수단은,상기 내부전압의 전위에 응답하여 상기 내부전압단의 전위가 예정된 타겟 레벨 이상인 구간에서 상기 출력단을 방전 구동하기 위한 제1 방전 구동부와,전원전압의 전압 레벨에 응답하여 상기 출력단을 방전 구동하기 위한 제2 방전 구동부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자의 내부전압 발생회로.
- 출력단으로부터 피드백된 내부전압과 기준전압의 전위를 비교하기 위한 비교수단;상기 비교수단의 출력신호에 응답하여 상기 출력단을 풀업 구동하기 위한 풀업 구동 수단; 및상기 내부전압의 전위에 응답하여 상기 내부전압단의 전위가 예정된 타겟 레벨 이상인 구간에서 상기 출력단을 방전 구동하기 위한 제1 방전 구동 수단을 구비하는 반도체 메모리 소자의 내부전압 발생회로
- 제3항에 있어서,전원전압의 전압 레벨에 응답하여 상기 출력단을 방전 구동하기 위한 제2 방전 구동 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자의 내부전압 발생회로.
- 제3항 또는 제4항에 있어서,상기 제1 방전 구동 수단은 상기 출력단과 접지전압단 사이에 직렬로 연결된 다수의 능동 부하를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자의 내부전압 발생회로.
- 제5항에 있어서,상기 제1 방전 구동 수단은 상기 출력단과 접지전압단 사이에 직렬로 연결된 다수의 다이오드 접속된 NMOS 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자의 내부전압 발생회로.
- 제4항에 있어서,상기 제2 방전 구동 수단은,상기 전원전압을 일정 비율로 분배하여 방전 제어신호를 생성하기 위한 전압분배기와,상기 방전 제어신호에 응답하여 상기 출력단을 방전 구동하기 위한 방전 드라이버를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자의 내부전압 발생회로.
- 제7항에 있어서,상기 전압분배기는 전원전압단과 상기 접지전압단 사이에 제공되는 제1 및 제2 저항을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자의 내부전압 발생회로.
- 제7항 또는 제8항에 있어서,상기 방전 드라이버는 상기 출력단과 접지전압단 사이에 접속되며, 상기 방전 제어신호를 게이트 입력으로 하는 NMOS 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자의 내부전압 발생회로.
- 제3항 또는 제4항에 있어서,상기 풀업 구동 수단은 전원전압단과 상기 출력단 사이에 접속되며, 상기 비교수단의 출력신호를 게이트 입력으로 하는 PMOS 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자의 내부전압 발생회로.
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