KR20030085993A - 센터 패드 칩 적층 볼 그리드 어레이 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 센터 패드 칩 적층 볼 그리드 어레이 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 센터 패드형 반도체 칩을 사용하여 칩 적층 볼 그리드 어레이 패키지를 구현한다. 본 발명에 따르면, 반도체 칩들은 칩 활성면이 서로 마주보도록 상하부 회로기판에 각각 접착되며, 칩 패드들은 금 와이어를 통하여 상하부 회로기판에 각각 전기적으로 연결되고, 상하부 회로기판은 서로 접합되면서 그 사이에 형성된 범프를 통하여 전기적으로 통전되며, 상부 회로기판은 패키지 몰드 안에 포함되고, 하부 회로기판은 그 양쪽 끝 부분이 패키지 몰드의 하부 쪽으로 노출된다. 하부 회로기판은 유연성이 있는 절연 필름으로 이루어지며, 하부 회로기판의 노출된 양쪽 끝 부분에 솔더 볼들이 형성될 수 있다. 또한, 하부 회로기판의 양쪽 끝 부분에는 인쇄회로기판이 접합되어 그 하부면에 솔더 볼들이 형성될 수도 있으며. 하부 회로기판이 리드 프레임으로 이루어질 수도 있다. 본 발명에 따른 패키지는 단일 패키지 내에서 메모리 용량을 두 배 이상으로 증대시킬 수 있는 적층 패키지이며, 미세 볼 그리드 어레이 패키지의 장점과 센터 패드형 반도체 칩의 장점을 모두 살릴 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 패키지에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 두 개 이상의 센터 패드형 반도체 칩을 적층하여 미세 볼 그리드 어레이(fine ball grid array; FBGA) 형태의 적층 패키지를 구현한 센터 패드 칩 적층 볼 그리드 어레이 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 산업에서 집적회로 칩에 대한 패키징(packaging) 기술은 소형화에 대한 요구 및 실장 신뢰성을 만족시키기 위해 지속적으로 발전하고 있다. 아울러, 전자 제품의 고성능화가 진행됨에 따라, 한정된 크기의 기판에 더 많은 수의 반도체 패키지를 실장하기 위한 노력들이 계속되고 있다. 이러한 노력의 일환으로 제안된 것이 소위 적층 패키지(stack package)이다.
적층 패키지는 동일한 크기 및 동일한 기능의 메모리 칩을 적층하여 메모리 용량을 증대시키거나, 서로 다른 크기와 기능을 가지는 여러 유형의 반도체 칩을 하나의 패키지에 조립하여 제품의 성능과 효율성을 최대화하기 위한 것이다. 적층패키지는 적용하고자 하는 제품, 제조 회사 등에 따라 그 종류가 매우 다양하다. 종래기술에 따른 적층 패키지의 한가지 예가 도 1에 도시되어 있다.
도 1에 도시된 적층 패키지(10)는 개별 패키지(11, 12)를 적층한 패키지 적층식으로서, 티에스오피(TSOP; thin small outline package) 유형이다. 도 1의 적층 패키지(10)에 있어서, 각각의 개별 패키지(11, 12)는 하나씩의 반도체 칩(13)을 내장하며 엘오시(LOC; lead-on-chip) 리드 프레임(lead frame)을 사용한다. 리드 프레임의 내부 리드(14)는 반도체 칩(13)의 상부면에 접착 테이프(15)로 접착되고 금 와이어(16)에 의하여 전기적으로 연결된다. 적층된 개별 패키지(11, 12)들은 별도의 연결용 리드(17)를 사용하여 서로 전기적으로 연결된다. 이 때, 연결용 리드(17)는 각 리드 프레임의 외부 리드(18)와 접합되며, 적층 패키지(10)의 외부접속 단자가 된다.
그러나, 이러한 유형의 적층 패키지(10)는 패키지의 실장 면적이 넓고 높이가 높아 소형화, 박형화를 요구하는 정보통신기기 등의 시스템에 적용하기가 곤란하다. 또한, 리드 프레임(14, 17, 18)을 이용하기 때문에 고속 소자 제품에 부적합하며, 실장 지점으로부터 하부 패키지(11)의 반도체 칩(13)까지의 경로보다 상부 패키지(12)의 반도체 칩(14)까지의 경로가 길기 때문에 전기적 특성의 차이를 보인다.
따라서, 반도체 패키지의 표면실장 면적을 최소화하고 또한 전기접속 길이를 최소화하여 전기적 특성을 향상시킬 목적으로 솔더 볼(solder ball)을 외부접속 단자로 사용하는 볼 그리드 어레이(ball grid array; BGA) 패키지가 제안되었다. 기본적으로 볼 그리드 어레이 패키지의 형태를 따르면서 패키지 내부에 반도체 칩을 적층한 소위 '칩 적층 볼 그리드 어레이 패키지'가 도 2에 도시되어 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 칩 적층 볼 그리드 어레이 패키지(20)는 패키지 몰드(27) 내부에 개별 반도체 칩(23, 24)들을 적층한 칩 적층식으로서, 리드 프레임 대신에 인쇄회로기판(21)과 솔더 볼(28)을 이용한다. 배선(22)이 형성된 인쇄회로기판(21) 위에 접착제(25)를 사용하여 하부 반도체 칩(23)이 접착되며, 하부 반도체 칩(23) 위에 상부 반도체 칩(24)이 접착된다. 각 반도체 칩(23, 24)은 금 와이어(26)에 의하여 인쇄회로기판(21)의 배선(22)과 전기적으로 연결되며, 인쇄회로기판(21) 하부면에는 솔더 볼(28)들이 형성되어 배선(22)과 전기적으로 연결되며, 패키지(20)의 외부접속 단자가 된다.
그러나, 이러한 유형의 칩 적층 볼 그리드 어레이 패키지(20)는 소위 '사이드 패드(side pad)형 반도체 칩' 밖에 사용할 수 없다. 디램(DRAM)과 같은 반도체 칩의 활성면(active surface)에는 외부와의 입출력을 담당하는 칩 패드(23a, 24a; chip pad)들이 다수개 형성되는데, 이 칩 패드(23a, 24a)들이 칩 활성면의 가장자리에 형성된 것이 바로 사이드 패드형 반도체 칩(23, 24)이다.
그러나, 최근에는 고속 소자의 구현에 보다 유리하기 때문에 칩 패드들이 칩 활성면의 중앙을 따라 형성된 소위 '센터 패드형 반도체 칩'이 보편화되어 있지만, 도 2에 도시된 종래의 칩 적층 볼 그리드 어레이 패키지(20)는 칩 적층의 곤란함과 금 와이어의 길이가 길어지는 문제 때문에 이러한 센터 패드형 반도체 칩을 사용할 수 없다는 단점을 안고 있다. 또한, 이러한 패키지(20) 유형은 열응력이 패키지의상부쪽으로 집중되어 패키지 뒤틀림(warpage) 현상이 발생할 수 있다.
따라서, 종래기술에서는 한 개의 센터 패드형 반도체 칩만을 이용하여 볼 그리드 어레이 패키지를 구현하고 있는 실정이다. 센터 패드 칩 볼 그리드 어레이 패키지의 예가 도 3에 도시되어 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 센터 패드 칩 볼 그리드 어레이 패키지(30)는 칩 패드(32a)가 형성된 반도체 칩(32)의 활성면을 회로기판(31)에 접착시킨 후 금 와이어(33)를 통하여 반도체 칩(32)과 회로기판(31)을 전기적으로 연결한다. 반도체 칩(32)과 금 와이어(33)는 패키지 몰드(34)에 의하여 보호되고, 회로기판(31)에 외부접속 단자인 솔더 볼(35)이 형성되어 볼 그리드 어레이 패키지의 형태를 만든다.
이상 설명한 바와 같이, 적층 패키지와 볼 그리드 어레이 패키지와 센터 패드형 반도체 칩은 각각 나름대로의 장점들을 가지고 있으나, 그 셋을 동시에 만족하는 패키지를 구현하는 것은 그 구조적 측면이나 제조 원가 및 공정의 안정성 측면에서 매우 곤란한 것으로 인식되어져 왔다.
따라서, 본 발명의 목적은 적층 패키지의 장점과 미세 볼 그리드 어레이 패키지의 장점과 센터 패드형 반도체 칩의 장점을 모두 살릴 수 있는 새로운 유형의 센터 패드 칩 적층 볼 그리드 어레이 패키지 및 그 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.
도 1은 종래기술에 따른 적층 패키지의 한 예를 나타내는 단면도이다.
도 2는 종래기술에 따른 칩 적층 볼 그리드 어레이 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 3은 종래기술에 따른 센터 패드 칩 볼 그리드 어레이 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 센터 패드 칩 적층 볼 그리드 어레이 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 5 내지 도 8은 도 4에 도시된 센터 패드 칩 적층 볼 그리드 어레이 패키지의 제조 방법을 나타내는 공정도로서,
도 5는 상하부 회로기판에 각각 반도체 칩을 접착한 후 와이어로 연결한 상태를 나타내는 단면도,
도 6은 본 실시예의 제조 방법에 사용되는 상하부 회로기판 스트립을 개략적으로 나타내는 평면도,
도 7은 상하부 회로기판을 서로 접착한 상태를 나타내는 단면도,
도 8은 하부 회로기판을 누르면서 몰딩 공정을 진행하는 상태를 개략적으로나타내는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 센터 패드 칩 적층 볼 그리드 어레이 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 10은 본 발명의 제3 실시예에 따른 센터 패드 칩 적층 볼 그리드 어레이 패키지를 나타내는 단면도이다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 각각 칩 활성면의 중앙을 따라 형성된 칩 패드들을 포함하는 두 개의 센터 패드형 반도체 칩을 적층하여 구현한 미세 볼 그리드 어레이 패키지를 제공한다. 본 발명에 따른 센터 패드 칩 적층 볼 그리드 어레이 패키지에 있어서, 반도체 칩들은 칩 활성면이 서로 마주보도록 상하부 회로기판에 각각 접착되며, 칩 패드들은 금 와이어를 통하여 상하부 회로기판에 각각 전기적으로 연결되고, 상하부 회로기판은 서로 접합되면서 그 사이에 형성된 범프를 통하여 전기적으로 통전되며, 상부 회로기판은 패키지 몰드 안에 포함되고, 하부 회로기판은 그 양쪽 끝 부분이 패키지 몰드의 하부 쪽으로 노출되는 것이 특징이다.
본 발명의 센터 패드 칩 적층 볼 그리드 어레이 패키지에 있어서, 하부 회로기판은 유연성이 있는 절연 필름으로 이루어지며, 하부 회로기판의 노출된 양쪽 끝 부분에 솔더 볼들이 형성될 수 있다. 또한, 하부 회로기판의 양쪽 끝 부분에는 인쇄회로기판이 접합되며, 인쇄회로기판의 하부면에 솔더 볼들이 형성될 수 있다. 또한, 하부 회로기판은 리드 프레임으로 이루어질 수도 있다.
또한, 본 발명은 각각 칩 활성면의 중앙을 따라 형성된 칩 패드들을 포함하는 두 개의 센터 패드형 반도체 칩을 적층하여 미세 볼 그리드 어레이 패키지를 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 제조 방법은, 칩 활성면이 서로 마주보도록 반도체 칩들을 상하부 회로기판에 각각 접착하는 단계와, 금 와이어를 통하여 칩 패드들을 상하부 회로기판에 각각 전기적으로 연결하는 단계와, 범프를 통하여 전기적으로 통전되도록 상하부 회로기판을 서로 접합하는 단계와, 상부 회로기판이 패키지 몰드 안에 포함되고 하부 회로기판이 양쪽 끝 부분에서 패키지 몰드의 하부쪽으로 노출되도록 패키지 몰드를 형성하는 단계로 이루어진다.
또한, 본 발명에 따른 제조 방법은, 각각 홀과 윈도우가 일정한 간격으로 형성되고, 기판 패드, 배선, 접속 패드가 일정한 패턴으로 형성되어, 다수개의 상하부 회로기판들을 형성하며, 하부 회로기판의 홀 내부에 배선이 연장되어 볼 랜드가 형성되고, 접속 패드에 범프가 형성되는 상하부 회로기판 스트립을 제공하는 단계와; 칩 패드들이 윈도우를 통하여 노출되도록 회로기판 스트립의 각 회로기판마다 반도체 칩을 접착하는 단계와; 금 와이어에 의하여 노출된 칩 패드들을 기판 패드들에 전기적으로 연결하는 단계와; 반도체 칩이 서로 마주보도록 상하부 회로기판을 서로 접착시켜 범프에 의하여 상하부 회로기판을 전기적으로 연결하는 단계와; 홀을 통하여 하부 회로기판의 볼 랜드를 눌러 하부 회로기판의 홀 안으로 연장된 배선이 아래쪽으로 휘어지도록 하면서 볼 랜드를 노출시키는 패키지 몰드를 형성하는 단계와; 볼 랜드에 솔더 볼들을 형성하는 단계와; 회로기판 스트립으로부터 각각의 개별 패키지들을 분리하는 단계를 포함한다.
이 경우, 패키지 몰드를 형성하는 단계는, 각각의 회로기판이 몰딩 장치의 캐버티 안에 위치하도록 상하부 회로기판 스트립을 상하부 몰딩 금형으로 구성된 몰딩 장치 안에 제공하는 단계와, 하부 회로기판의 볼 랜드가 하부 몰딩 금형에 닿도록 상부 몰딩 금형에 형성된 가압부가 회로기판 스트립의 홀을 통하여 볼 랜드를 누르는 단계와, 몰딩 장치의 주입구를 통하여 액상 몰딩 수지를 캐버티 안에 주입하고 경화시켜 패키지 몰드를 형성하는 단계로 이루어지는 것이 바람직하다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하도록 한다. 첨부 도면에서 일부 구성요소들은 도면의 명확한 이해를 돕기 위해 다소 과장되거나 개략적으로 도시되었으며 실제의 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
1. 제1 실시예
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 센터 패드 칩 적층 볼 그리드 어레이 패키지를 나타내는 단면도이다. 도 4를 참조하면, 두 개의 센터 패드형 반도체 칩(102, 104)을 적층하여 미세 볼 그리드 어레이 패키지(100)를 구현한다.
반도체 칩(102, 104)의 칩 패드(106, 108)들은 칩 활성면의 중앙을 따라 형성되며, 두 반도체 칩(102, 104)은 칩 활성면이 서로 마주보도록 상하부 회로기판(112, 122)에 각각 접착된다. 반도체 칩(102, 104)의 칩 패드(106, 108)들은 금 와이어(130)를 통하여 상하부 회로기판(112, 122)에 각각 전기적으로 연결된다. 서로 접합되는 상하부 회로기판(112, 122)은 그 사이에 형성된 범프(140)를 통하여 전기적으로 통전된다. 상부 회로기판(112)은 반도체 칩(104)과 거의 유사한 크기를 가지며 패키지 몰드(150) 안에 완전히 포함되지만, 하부 회로기판(122)은 그 양쪽 끝 부분이 패키지 몰드(150)의 하부 쪽으로 노출된다. 노출된 하부 회로기판(122)에는 솔더 볼(160)들이 형성되어 패키지(100)의 외부접속 단자로서 작용한다.
본 실시예에 따른 패키지(100)는 다음과 같은 방법에 따라 제조된다. 이하, 설명되어질 제조 방법으로부터 패키지의 구조 또한 보다 명확해질 것이다. 도 5 내지 도 8은 도 4에 도시된 센터 패드 칩 적층 볼 그리드 어레이 패키지의 제조 방법을 나타내는 공정도이다.
먼저, 도 5의 단면도에 도시된 바와 같이, 상하부 회로기판(112, 122)에 각각 반도체 칩(104, 102)을 접착한 후 금 와이어(130)로 연결한다. 도 6의 평면도에 도시된 바와 같이, 상하부 회로기판(112, 122)은 각각 회로기판 스트립(110, 120; strip) 형태로 이루어져 있다.
회로기판 스트립(110, 120)은 릴(reel) 모양의 절연 필름에 홀(111, 121; hole)과 윈도우(113, 123; window)가 일정한 간격으로 형성되고, 기판 패드(114, 124), 배선(115, 125, 128), 접속 패드(116, 126), 볼 랜드(127; ball land)가 일정한 패턴으로 형성되어, 각각 다수개의 회로기판(112, 122)들을 형성한다. 상부 회로기판 스트립(110)과 달리 하부 회로기판 스트립(120)은 배선(128)이 홀(121) 내부까지 연장되어 볼 랜드(127)가 형성된 것이 특징이다. 절연 필름은 유연성이 있는 중합체(polymer) 재질로 이루어지며, 기판 패드(114, 124), 배선(115, 125, 128), 접속 패드(116, 126), 볼 랜드(127)는 구리로 이루어진다.
회로기판 스트립(110, 120)의 각 회로기판(112, 122)마다 반도체 칩(104, 102)들이 접착되고, 각 반도체 칩(104, 102)의 칩 패드(106, 108)들은 회로기판 스트립(110, 120)의 윈도우(113, 123)를 통하여 외부로 노출된다. 노출된 칩 패드(106, 108)들은 금 와이어(130)에 의하여 기판 패드(114, 124)들과 전기적으로 연결된다. 한편, 도 5와 도 6에는 도시되지는 않았지만, 상하부 회로기판(112, 122)의 어느 한쪽 또는 양쪽의 접속 패드(116, 126)에는 상하부 회로기판(112, 122)을 전기적으로 통전시키기 위한 범프(도 7의 140)가 형성된다. 접속 패드(116,126)에는 범프 대신에 솔더가 도금될 수도 있다.
이어서, 도 7의 단면도에 도시된 바와 같이, 반도체 칩(102, 104)이 서로 마주보도록 상하부 회로기판(112, 122)을 서로 접착시킨다. 상하부 회로기판(112, 122)은 열과 압력을 가함으로써 서로 접착되며 범프(140)에 의하여 전기적으로 연결된다. 도 7은 한 개의 상하부 회로기판(112, 122)만을 도시하였지만, 도 6에 도시된 회로기판 스트립(110, 120) 상태로 접착되는 것이 바람직하다.
이어서, 하부 회로기판을 누르면서 몰딩 공정을 진행한다. 도 8에 도시된 바와 같이, 서로 접착된 상하부 회로기판 스트립(110, 120)은 상하부 몰딩 금형(220, 210)으로 구성된 몰딩 장치 안에 놓여지며, 이 때 반도체 칩(102, 104)이 접착된 각각의 회로기판(112, 122)은 몰딩 장치의 캐버티(230; cavity) 안에 위치한다. 또한, 상부 몰딩 금형(220)에 형성된 가압부(222)가 회로기판 스트립(110, 120)의 홀(111, 121)을 통하여 하부 회로기판(122)의 볼 랜드(127)를 누르게 됨으로써, 하부 회로기판(122)의 홀(121) 안으로 연장된 배선(128)이 아래쪽으로 휘어지면서 볼 랜드(127)가 하부 몰딩 금형(210)에 닿게 된다.
이러한 상태에서 주입구(도시되지 않음)를 통하여 액상 몰딩 수지를 캐버티(230) 안에 주입한 후 경화시키면, 도 4에 도시된 바와 같이 패키지 몰드(150)가 형성되며 하부 회로기판(122)의 볼 랜드(127)가 패키지 몰드(150)의 하부 쪽으로 노출된다. 이어서, 외부로 노출된 볼 랜드(127)에 솔더 볼(160)들을 형성하고 회로기판 스트립(110, 120)으로부터 각각의 개별 패키지(100)들을 분리한다.
2. 제2 실시예
도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 센터 패드 칩 적층 볼 그리드 어레이 패키지(300)를 나타내는 단면도이다. 도 9에 있어서, 전술한 제1 실시예와 동일한 구성요소에는 동일한 참조번호를 사용하였다. 도 9를 참조하면, 공정성을 우수하게 하기 위하여 별도의 인쇄회로기판(170)을 사용하며, 하부 회로기판(122)의 양쪽 끝 부분을 인쇄회로기판(170)에 접합시켜 패키지 몰드(150)를 형성한다. 솔더 볼(160)은 볼 랜드 대신에 인쇄회로기판(170)의 하부면에 형성한다.
3. 제3 실시예
도 10은 본 발명의 제3 실시예에 따른 센터 패드 칩 적층 볼 그리드 어레이 패키지(400)를 나타내는 단면도이다. 도 10에 있어서, 전술한 제1 실시예와 동일한 구성요소에는 동일한 참조번호를 사용하였다. 도 10을 참조하면, 절연 필름으로 이루어지는 하부 회로기판 대신에 리드 프레임(180)을 사용하며, 패키지 몰드(150) 밖으로 노출된 리드 프레임(180)의 양쪽 끝 부분이 솔더 볼 대신에 솔더 페이스트(190; solder paste)를 통하여 직접 외부 기판(500)에 접합된다. 외부 기판(500)은 패키지(100, 300, 400)가 실장되어 사용되는 시스템의 기판이다. 제3 실시예에 사용되는 리드 프레임(180)은 반도체 칩(102)과 연결되는 부분이 업-셋(up-set) 가공되어 있다.
이상 설명한 바에 의하여 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 센터 패드 칩 적층 볼 그리드 어레이 패키지는 센터 패드형 반도체 칩을 사용하여 칩 적층 볼 그리드어레이 패키지를 구현할 수 있다.
본 발명에 따른 패키지는 단일 패키지 내에서 메모리 용량을 두 배 이상으로 증대시킬 수 있는 적층 패키지이며, 미세 볼 그리드 어레이 패키지의 장점과 센터 패드형 반도체 칩의 장점을 모두 살릴 수 있다.
또한, 패키지 내부의 반도체 칩이 상하 대칭 구조로 형성되기 때문에 온도 변화에 따른 패키지 뒤틀림 현상을 최소화할 수 있으며, 특히 제1 실시예의 패키지의 경우 패키지 중앙으로부터 최외곽 솔더 볼까지의 거리가 큼에도 불구하고 솔더 볼 위쪽에 반도체 칩이 존재하지 않기 때문에 솔더 접합 신뢰성이 우수한 장점이 있다.
또한, 몰딩 공정을 진행하면서 동시에 하부 회로기판을 구부리기 때문에 솔더 볼 형성 공정을 쉽게 구현할 수 있으며, 상하부 회로기판을 전기적으로 연결시킬 때 회로기판에 형성된 범프를 통하여 열압착 방식으로 접착시키기 때문에 충분한 신뢰성을 확보할 수 있다.
본 명세서와 도면에는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 개시하였으며, 비록 특정 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명의 기술 내용을 쉽게 설명하고 발명의 이해를 돕기 위한 일반적인 의미에서 사용된 것이지, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예 외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.
Claims (9)
- 각각 칩 활성면의 중앙을 따라 형성된 칩 패드들을 포함하는 두 개의 센터 패드형 반도체 칩을 적층하여 구현한 미세 볼 그리드 어레이 패키지에 있어서,상기 반도체 칩들은 상기 칩 활성면이 서로 마주보도록 상하부 회로기판에 각각 접착되며, 상기 칩 패드들은 금 와이어를 통하여 상기 상하부 회로기판에 각각 전기적으로 연결되고, 상기 상하부 회로기판은 서로 접합되면서 그 사이에 형성된 범프를 통하여 전기적으로 통전되며, 상기 상부 회로기판은 패키지 몰드 안에 포함되고, 상기 하부 회로기판은 그 양쪽 끝 부분이 상기 패키지 몰드의 하부 쪽으로 노출되는 것을 특징으로 하는 센터 패드 칩 적층 볼 그리드 어레이 패키지.
- 제1항에 있어서, 상기 하부 회로기판은 유연성이 있는 절연 필름으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 센터 패드 칩 적층 볼 그리드 어레이 패키지.
- 제2항에 있어서, 상기 하부 회로기판의 노출된 양쪽 끝 부분에는 솔더 볼들이 형성되는 것을 특징으로 하는 센터 패드 칩 적층 볼 그리드 어레이 패키지.
- 제2항에 있어서, 상기 하부 회로기판의 양쪽 끝 부분에는 인쇄회로기판이 접합되는 것을 특징으로 하는 센터 패드 칩 적층 볼 그리드 어레이 패키지.
- 제4항에 있어서, 상기 인쇄회로기판의 하부면에는 솔더 볼들이 형성되는 것을 특징으로 하는 센터 패드 칩 적층 볼 그리드 어레이 패키지.
- 제1항에 있어서, 상기 하부 회로기판은 리드 프레임으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 센터 패드 칩 적층 볼 그리드 어레이 패키지.
- 각각 칩 활성면의 중앙을 따라 형성된 칩 패드들을 포함하는 두 개의 센터 패드형 반도체 칩을 적층하여 미세 볼 그리드 어레이 패키지를 제조하는 방법에 있어서,상기 칩 활성면이 서로 마주보도록 상기 반도체 칩들을 상하부 회로기판에 각각 접착하는 단계와, 금 와이어를 통하여 상기 칩 패드들을 상기 상하부 회로기판에 각각 전기적으로 연결하는 단계와, 범프를 통하여 전기적으로 통전되도록 상기 상하부 회로기판을 서로 접합하는 단계와, 상기 상부 회로기판이 패키지 몰드 안에 포함되고 상기 하부 회로기판이 양쪽 끝 부분에서 상기 패키지 몰드의 하부 쪽으로 노출되도록 상기 패키지 몰드를 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 센터 패드 칩 적층 볼 그리드 어레이 패키지의 제조 방법.
- 각각 칩 활성면의 중앙을 따라 형성된 칩 패드들을 포함하는 두 개의 센터 패드형 반도체 칩을 적층하여 미세 볼 그리드 어레이 패키지를 제조하는 방법에 있어서,각각 홀과 윈도우가 일정한 간격으로 형성되고, 기판 패드, 배선, 접속 패드가 일정한 패턴으로 형성되어, 다수개의 상하부 회로기판들을 형성하며, 상기 하부 회로기판의 상기 홀 내부에 상기 배선이 연장되어 볼 랜드가 형성되고, 상기 접속 패드에 범프가 형성되는 상하부 회로기판 스트립을 제공하는 단계와;상기 칩 패드들이 상기 윈도우를 통하여 노출되도록 상기 회로기판 스트립의 상기 각 회로기판마다 상기 반도체 칩을 접착하는 단계와;금 와이어에 의하여 상기 노출된 칩 패드들을 상기 기판 패드들에 전기적으로 연결하는 단계와;상기 반도체 칩이 서로 마주보도록 상기 상하부 회로기판을 서로 접착시켜 상기 범프에 의하여 상기 상하부 회로기판을 전기적으로 연결하는 단계와;상기 홀을 통하여 상기 하부 회로기판의 상기 볼 랜드를 눌러 상기 하부 회로기판의 상기 홀 안으로 연장된 배선이 아래쪽으로 휘어지도록 하면서 상기 볼 랜드를 노출시키는 패키지 몰드를 형성하는 단계와;상기 볼 랜드에 솔더 볼들을 형성하는 단계와;상기 회로기판 스트립으로부터 각각의 개별 패키지들을 분리하는 단계를 포함하는 센터 패드 칩 적층 볼 그리드 어레이 패키지의 제조 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 패키지 몰드를 형성하는 단계는, 상기 각각의 회로기판이 몰딩 장치의 캐버티 안에 위치하도록 상기 상하부 회로기판 스트립을 상하부 몰딩 금형으로 구성된 상기 몰딩 장치 안에 제공하는 단계와, 상기 하부 회로기판의 상기 볼 랜드가 상기 하부 몰딩 금형에 닿도록 상기 상부 몰딩 금형에 형성된 가압부가 상기 회로기판 스트립의 상기 홀을 통하여 상기 볼 랜드를 누르는 단계와, 상기 몰딩 장치의 주입구를 통하여 액상 몰딩 수지를 상기 캐버티 안에 주입하고 경화시켜 상기 패키지 몰드를 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 센터 패드 칩 적층 볼 그리드 어레이 패키지의 제조 방법.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2002-0024325A KR100460063B1 (ko) | 2002-05-03 | 2002-05-03 | 센터 패드 칩 적층 볼 그리드 어레이 패키지 및 그 제조방법 |
TW091137746A TWI234251B (en) | 2002-05-03 | 2002-12-27 | Ball grid array package with stacked center pad chips and method for manufacturing the same |
US10/331,004 US6841863B2 (en) | 2002-05-03 | 2002-12-27 | Ball grid array package with stacked center pad chips and method for manufacturing the same |
CNB031001602A CN100561737C (zh) | 2002-05-03 | 2003-01-03 | 中心焊点芯片的叠层球栅极阵列封装件及其制造方法 |
US10/892,417 US7115442B2 (en) | 2002-05-03 | 2004-07-15 | Ball grid array package with stacked center pad chips and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2002-0024325A KR100460063B1 (ko) | 2002-05-03 | 2002-05-03 | 센터 패드 칩 적층 볼 그리드 어레이 패키지 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20030085993A true KR20030085993A (ko) | 2003-11-07 |
KR100460063B1 KR100460063B1 (ko) | 2004-12-04 |
Family
ID=36592788
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2002-0024325A KR100460063B1 (ko) | 2002-05-03 | 2002-05-03 | 센터 패드 칩 적층 볼 그리드 어레이 패키지 및 그 제조방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6841863B2 (ko) |
KR (1) | KR100460063B1 (ko) |
CN (1) | CN100561737C (ko) |
TW (1) | TWI234251B (ko) |
Families Citing this family (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100480909B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2005-04-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 적층 칩 패키지의 제조 방법 |
DE10251530B4 (de) * | 2002-11-04 | 2005-03-03 | Infineon Technologies Ag | Stapelanordnung eines Speichermoduls |
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US8106491B2 (en) | 2007-05-16 | 2012-01-31 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming stacked semiconductor devices with a leadframe and associated assemblies |
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JP5103245B2 (ja) | 2008-03-31 | 2012-12-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
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US8823165B2 (en) | 2011-07-12 | 2014-09-02 | Invensas Corporation | Memory module in a package |
US8513817B2 (en) | 2011-07-12 | 2013-08-20 | Invensas Corporation | Memory module in a package |
US8513813B2 (en) | 2011-10-03 | 2013-08-20 | Invensas Corporation | Stub minimization using duplicate sets of terminals for wirebond assemblies without windows |
JP5887414B2 (ja) | 2011-10-03 | 2016-03-16 | インヴェンサス・コーポレイション | 平行な窓を有するマルチダイのワイヤボンドアセンブリのスタブ最小化 |
JP5947904B2 (ja) | 2011-10-03 | 2016-07-06 | インヴェンサス・コーポレイション | 直交するウインドウを有するマルチダイ・ワイヤボンド・アセンブリのためのスタブ最小化 |
US8629545B2 (en) | 2011-10-03 | 2014-01-14 | Invensas Corporation | Stub minimization for assemblies without wirebonds to package substrate |
US8436477B2 (en) | 2011-10-03 | 2013-05-07 | Invensas Corporation | Stub minimization using duplicate sets of signal terminals in assemblies without wirebonds to package substrate |
US8436457B2 (en) | 2011-10-03 | 2013-05-07 | Invensas Corporation | Stub minimization for multi-die wirebond assemblies with parallel windows |
US8659142B2 (en) | 2011-10-03 | 2014-02-25 | Invensas Corporation | Stub minimization for wirebond assemblies without windows |
EP2766928A1 (en) | 2011-10-03 | 2014-08-20 | Invensas Corporation | Stub minimization with terminal grids offset from center of package |
US8441111B2 (en) | 2011-10-03 | 2013-05-14 | Invensas Corporation | Stub minimization for multi-die wirebond assemblies with parallel windows |
US8787034B2 (en) | 2012-08-27 | 2014-07-22 | Invensas Corporation | Co-support system and microelectronic assembly |
US9368477B2 (en) | 2012-08-27 | 2016-06-14 | Invensas Corporation | Co-support circuit panel and microelectronic packages |
US8848391B2 (en) | 2012-08-27 | 2014-09-30 | Invensas Corporation | Co-support component and microelectronic assembly |
US8848392B2 (en) | 2012-08-27 | 2014-09-30 | Invensas Corporation | Co-support module and microelectronic assembly |
US9070423B2 (en) | 2013-06-11 | 2015-06-30 | Invensas Corporation | Single package dual channel memory with co-support |
US9123555B2 (en) | 2013-10-25 | 2015-09-01 | Invensas Corporation | Co-support for XFD packaging |
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KR100331841B1 (ko) * | 1998-05-06 | 2002-05-09 | 박종섭 | 초고집적회로비·엘·피스택및그제조방법 |
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KR100297451B1 (ko) | 1999-07-06 | 2001-11-01 | 윤종용 | 반도체 패키지 및 그의 제조 방법 |
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US6451626B1 (en) | 2001-07-27 | 2002-09-17 | Charles W.C. Lin | Three-dimensional stacked semiconductor package |
-
2002
- 2002-05-03 KR KR10-2002-0024325A patent/KR100460063B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-12-27 TW TW091137746A patent/TWI234251B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-12-27 US US10/331,004 patent/US6841863B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-01-03 CN CNB031001602A patent/CN100561737C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-07-15 US US10/892,417 patent/US7115442B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6841863B2 (en) | 2005-01-11 |
KR100460063B1 (ko) | 2004-12-04 |
CN100561737C (zh) | 2009-11-18 |
TW200306652A (en) | 2003-11-16 |
US20030205801A1 (en) | 2003-11-06 |
US7115442B2 (en) | 2006-10-03 |
US20040256443A1 (en) | 2004-12-23 |
TWI234251B (en) | 2005-06-11 |
CN1455455A (zh) | 2003-11-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20111024 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121022 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |