KR102626223B1 - 표시 장치 - Google Patents
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Abstract
일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 비표시 영역을 포함하는 기판, 상기 표시 영역에 위치하는 발광 소자, 상기 표시 영역을 덮으며 상기 발광 소자를 밀봉하는 봉지층, 그리고 상기 비표시 영역에 위치하는 전원 배선을 포함한다. 상기 표시 영역의 일측에서, 상기 봉지층의 가장자리가 상기 전원 배선의 가장자리와 일치하거나 상기 전원 배선의 가장자리보다 상기 표시 영역에 가까이 위치한다.
Description
본 발명은 표시 장치, 더욱 상세하게는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 기판 위에 발광 소자들(light emitting elements)과 이를 구동하기 위한 회로 소자들을 형성하여 제조된 표시 패널을 포함한다. 표시 패널은 발광 소자들이 수분이나 산소에 의해 손상되지 않도록, 외부로부터 수분이나 산소가 침투하는 것을 방지하기 위한 봉지 기판을 포함할 수 있다. 최근에는 표시 패널의 무게 및 파손을 줄이기 위해, 봉지 기판으로 발광 소자들을 밀봉하는 대신, 발광 소자들 위에 봉지층(encapsulation layer)을 직접 형성하는 기술이 개발되고 있다.
표시 패널은 대부분의 영역이 화면을 형성하는 표시 영역일 수 있지만, 표시 패널의 특정 영역, 예컨대 가장자리 영역은 구동 회로, 신호선 등이 배치되는 비표시 영역일 수 있다. 통상적으로 표시 패널의 비표시 영역은 표시 장치의 화면 비율(screen-to-body ratio)을 증가시키는데 제약이 된다.
실시예들은 표시 패널의 주변 영역을 줄이면서 신뢰성을 향상된 표시 장치를 제공하는 것이다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 비표시 영역을 포함하는 기판, 상기 표시 영역에 위치하는 발광 소자, 상기 표시 영역을 덮으며 상기 발광 소자를 밀봉하는 봉지층, 그리고 상기 비표시 영역에 위치하는 전원 배선을 포함한다. 상기 표시 영역의 일측에서, 상기 봉지층의 가장자리가 상기 전원 배선의 가장자리와 일치하거나 상기 전원 배선의 가장자리보다 상기 표시 영역에 가까이 위치한다.
상기 봉지층은 제1 무기층, 제2 무기층 및 상기 제1 무기층과 상기 제2 무기층 사이에 위치하는 유기층을 포함할 수 있고, 상기 봉지층의 가장자리는 상기 제1 무기층 및 상기 제2 무기층의 가장자리에 대응할 수 있다.
상기 봉지층이 상기 전원 배선과 중첩하는 영역에서 상기 제1 무기층과 상기 제2 무기층이 접촉할 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 전원 배선과 연결되어 있는 연결 부재를 더 포함할 수 있고, 상기 제1 무기층은 상기 전원 배선 또는 상기 연결 부재와 접촉할 수 있다.
상기 발광 소자는 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 발광층을 포함할 수 있고, 상기 제2 전극은 상기 연결 부재를 통해 상기 전원 배선에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 표시 영역을 둘러싸는 하나 이상의 댐을 더 포함할 수 있다. 상기 표시 영역의 일측에서, 상기 댐은 상기 전원 배선과 중첩할 수 있고 상기 제1 무기층 및 상기 제2 무기층에 의해 덮여 있을 수 있다.
상기 댐은 상기 전원 배선 또는 상기 연결 부재와 접촉할 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 기판의 가장자리와 상기 전원 배선 사이에 위치하는 크랙 댐을 더 포함할 수 있다.
상기 크랙 댐은 상기 전원 배선의 측면의 적어도 일부를 덮을 수 있다.
상기 전원 배선은 공통 전압을 전달할 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 비표시 영역을 포함하는 기판, 상기 표시 영역에 위치하며 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 발광층을 포함하는 발광 소자, 상기 발광 소자를 밀봉하도록 상기 표시 영역을 덮으며 가장자리가 상기 비표시 영역에 위치하는 봉지층, 상기 비표시 영역에 위치하는 전원 배선, 그리고 상기 전원 배선과 상기 제2 전극을 전기적으로 연결시키는 연결 부재를 포함한다. 상기 봉지층은 상기 전원 배선과 중첩하는 영역에서, 상기 전원 배선 또는 상기 연결 부재와 접촉한다.
상기 봉지층은 제1 무기층, 제2 무기층 및 상기 제1 무기층과 상기 제2 무기층 사이에 위치하는 유기층을 포함할 수 있고, 상기 봉지층의 가장자리는 상기 제1 무기층 및 상기 제2 무기층의 가장자리에 대응할 수 있다.
상기 봉지층이 상기 전원 배선과 중첩하는 영역에서 상기 제1 무기층과 상기 제2 무기층이 접촉할 수 있다.
상기 제1 무기층이 상기 전원 배선 또는 상기 연결 부재와 접촉할 수 있다.
상기 연결 부재는 상기 제1 전극과 동일 층에 동일 재료로 형성될 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 표시 영역을 둘러싸는 하나 이상의 댐을 더 포함할 수 있고, 상기 표시 영역의 일측에서, 상기 댐은 상기 전원 배선과 중첩할 수 있고 상기 제1 무기층 및 상기 제2 무기층에 의해 덮여 있을 수 있다.
상기 댐은 상기 전원 배선 또는 상기 연결 부재와 접촉할 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 기판의 가장자리와 상기 전원 배선 사이에 위치하는 크랙 댐을 더 포함할 수 있다.
상기 크랙 댐은 상기 전원 배선의 측면의 적어도 일부를 덮을 수 있다.
상기 전원 배선은 공통 전압을 전달할 수 있다.
실시예들에 따르면, 표시 패널 내로 수분이나 산소가 침투하는 것을 방지하면서도 표시 패널의 비표시 영역을 줄이거나, 전원 배선의 저항을 줄일 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1에서 A-A' 선을 따라 취한 일 실시예의 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 1에서 B-B' 선을 따라 취한 일 실시예의 개략적인 단면도이다.
도 4, 도 5, 도 6, 도 7 및 도 8은 각각 도 1에서 A-A' 선을 따라 취한 일 실시예의 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1에서 A-A' 선을 따라 취한 일 실시예의 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 1에서 B-B' 선을 따라 취한 일 실시예의 개략적인 단면도이다.
도 4, 도 5, 도 6, 도 7 및 도 8은 각각 도 1에서 A-A' 선을 따라 취한 일 실시예의 개략적인 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한, 명세서 전체에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다.
도면에서, 방향을 나타내는데 사용되는 부호 x는 제1 방향이고, y는 제1 방향과 수직인 제2 방향이고, z는 제1 방향 및 제2 방향과 수직인 제3 방향이다.
이제, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치에 대하여 도면들을 참고로 하여 상세하게 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 2는 도 1에서 A-A' 선을 따라 취한 일 실시예의 개략적인 단면도이고, 도 3은 도 1에서 B-B' 선을 따라 취한 일 실시예의 개략적인 단면도이다.
도 1을 참고하면, 표시 장치는 표시 패널(10), 표시 패널(10)에 접합되어 있는 연성 인쇄 회로막(20), 그리고 집적회로 칩(30) 등을 포함하는 구동 장치를 포함한다.
표시 패널(10)은 영상이 표시되는 화면에 해당하는 표시 영역(display area)(DA), 그리고 표시 영역(DA)에 인가되는 각종 신호들을 생성 및/또는 전달하기 위한 회로들 및/또는 신호선들이 배치되어 있는, 표시 영역(DA) 주변의 비표시 영역(non-display area)(NA)을 포함한다. 도 1에서 일점쇄선 사각형 안쪽과 바깥쪽이 각각 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NA)에 해당한다.
표시 패널(10)의 표시 영역(DA)에는 화소들(PX)이 예컨대 행렬로 배치되어 있다. 표시 영역(DA)에는 스캔선들(게이트선들이라고도 함), 발광 제어선들, 데이터선들, 구동 전압선 같은 신호선들(도시되지 않음)이 또한 배치되어 있다. 각각의 화소(PX)에는 스캔선, 발광 제어선, 데이터선 및 구동 전압선이 연결되어, 각각의 화소(PX)는 이들 신호선으로부터 스캔 신호(게이트 신호라고도 함), 발광 제어 신호, 데이터 신호 및 구동 전압을 인가받을 수 있다. 각각의 화소(PX)는 유기 발광 다이오드일 수 있는 발광 소자를 포함할 수 있다.
표시 영역(DA)은 사용자의 접촉 또는 비접촉 터치를 감지하기 위한 터치 센서층을 포함할 수 있다. 모서리들이 둥근 사각형의 표시 영역(DA)이 도시되어 있지만, 표시 영역(DA)은 사각형 외의 다각형, 원형, 타원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다.
표시 패널(10)의 비표시 영역(NA)에는 표시 패널(10)의 외부로부터 신호들을 전달받기 위한 패드들이 형성되어 있는 패드부(pad portion)(PP)가 위치한다. 패드부(PP)는 표시 패널(10)의 한 가장자리 부근을 따라 제1 방향(x)으로 길게 위치할 수 있다. 패드부(PP)에는 연성 인쇄 회로막(20)이 접합(bonding)되어 있고, 연성 인쇄 회로막(20)의 패드들은 패드부(PP)의 패드들에 전기적으로 연결될 수 있다.
표시 패널(10)의 비표시 영역(NA)에는 표시 패널(10)를 구동하기 위한 각종 신호를 생성 및/또는 처리하는 구동 장치(driving unit)가 위치한다. 구동 장치는 데이터선들에 데이터 신호를 인가하는 데이터 구동부(data driver), 스캔선들에 스캔 신호를 인가하는 스캔 구동부(scan driver), 발광 제어선들에 발광 제어 신호를 인가하는 발광 구동부(emission driver), 그리고 데이터 구동부, 스캔 구동부 및 발광 구동부를 제어하는 신호 제어부(signal controller)를 포함할 수 있다. 스캔 구동부 및 발광 구동부는 표시 패널(10)에 집적되어 있을 수 있고, 표시 영역(DA)의 좌우 양측 또는 일측에 위치할 수 있다. 데이터 구동부 및 신호 제어부는 집적회로 칩(구동 IC 칩이라고도 함)(30)으로 제공될 수 있고, 집적회로 칩(30)은 표시 패널(10)의 비표시 영역(NA)에 실장될 수 있다. 집적회로 칩(30)은 표시 패널(10)에 접합될 수 있는 연성 인쇄 회로막 등에 실장되어 표시 패널(10)에 전기적으로 연결될 수도 있다.
표시 패널(10)은 표시 영역(DA)을 전체적으로 덮는 봉지층(EN)을 포함한다. 봉지층은 표시 영역(DA), 특히 발광 소자들을 밀봉하여 표시 패널(10) 내부로 수분이나 산소가 침투하는 것을 막는 역할을 한다. 봉지층(EN)의 가장자리는 표시 패널(10)의 가장자리와 표시 영역(DA) 사이에 위치할 수 있다.
비표시 영역(NA)에는 표시 영역(DA)을 둘러싸는 댐(dam)(DM)이 위치할 수 있다. 댐(DM)은 봉지층(EN)의 형성 물질, 특히 유기 물질이 표시 패널(10)의 외곽으로 넘치는 것을 방지하는 역할을 한다. 비표시 영역(NA)에는 적어도 하나의 댐(DM)이 위치할 수 있다.
표시 패널(10)은 벤딩 영역(bending region)(BR)을 포함할 수 있다. 벤딩 영역(BR)은 표시 영역(DA)과 패드부(PP) 사이의 비표시 영역(NA)에 위치할 수 있다. 벤딩 영역(BR)은 제1 방향(x)으로 표시 패널(10)을 가로질러 위치할 수 있다. 표시 패널(10)은 벤딩 영역(BR)에서 제1 방향(x)과 평행한 벤딩축을 중심으로 소정의 곡률 반경으로 벤딩될 수 있다. 표시 패널(10)이 전면 발광형(top emission type)인 경우, 벤딩 영역(BR)보다 표시 영역(DA)으로부터 멀리 있는 패드부(PP) 및 연성 인쇄 회로막(20)이 표시 패널(10)의 뒤쪽에 위치하도록 벤딩될 수 있다. 표시 장치가 적용되는 전자 장치에서 표시 패널(10)은 이와 같이 벤딩된 상태일 수 있다. 벤딩 영역(BR)은 하나의 벤딩축을 중심으로 벤딩될 수 있고, 두 개 이상의 벤딩축을 중심으로 벤딩될 수도 있다. 도면에서 벤딩 영역(BR)이 비표시 영역(NA)에 위치하는 것으로 도시되어 있으나, 벤딩 영역(BR)은 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NA)에 걸쳐 있거나, 표시 영역(DA)에 위치할 수도 있다.
이제 도 2 및 도 3을 참고하여 표시 패널(10)의 단면 구조에 대해 상세하게 설명한다.
먼저 도 2를 참고하면, 표시 패널(10)의 좌측 가장자리 부근의 단면이 개략적으로 도시된다. 표시 패널(10)의 우측 가장자리 부근은 좌측 가장자리 부근과 대략 대칭인 단면 구조를 가질 수 있다.
표시 패널(10)은 기판(110) 및 그 위에 형성된 여러 층들, 배선들, 소자들을 포함한다. 표시 패널(10)의 표시 영역(DA)에는 매우 많은 화소가 배치되어 있지만, 도면의 복잡화를 피하기 위해 하나의 화소만을 간략하게 도시하여 설명하기로 한다. 또한, 각각의 화소(PX)는 트랜지스터들과 축전기와 발광 소자를 포함하지만, 하나의 트랜지스터(TR)와 이에 연결되어 있는 하나의 발광 소자(LD)를 중심으로, 표시 패널(10)의 적층 구조에 대해 설명한다.
기판(110)은 연성(flexible) 기판일 수 있다. 기판(110)은 폴리이미드(polyimide), 폴리아미드(polyamide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate) 같은 폴리머로 이루어질 수 있다. 기판(110)은 유리, 석영, 세라믹 등으로 이루어진 경성(rigid) 기판일 수도 있다.
기판(110) 위에는 외부에서 수분 등의 침투를 방지하기 위한 배리어층(115)이 위치할 수 있다. 배리어층(115)은 규소 산화물(SiOx), 규소 질화물(SiNx) 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
배리어층(115) 위에는 버퍼층(120)이 위치할 수 있다. 버퍼층(120)은 반도체층(154)을 형성하는 과정에서 기판(110)으로부터 반도체층(154)으로 확산될 수 있는 불순물을 차단하고 기판(110)이 받는 스트레스를 줄이는 역할을 할 수 있다. 버퍼층(120)은 규소 산화물, 규소 질화물 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
버퍼층(120) 위에는 트랜지스터(TR)의 반도체층(154)이 위치할 수 있다. 반도체층(154)은 게이트 전극(124)과 중첩하는 채널 영역과 그 양측의 도핑되어 있는 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 반도체층(154)은 다결정 규소, 비정질 규소, 또는 산화물 반도체를 포함할 수 있다.
반도체층(154) 위에는 규소 산화물, 규소 질화물 등의 무기 절연 물질을 포함하는 제1 절연층(140)이 위치할 수 있다. 제1 절연층(140)은 게이트 절연층으로 불릴 수 있다.
제1 절연층(140) 위에는 스캔선, 트랜지스터(TR)의 게이트 전극(124)을 포함하는 게이트 도전체가 위치할 수 있다. 게이트 도전체는 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti) 등의 금속이나 금속 합금을 포함할 수 있다.
제1 절연층(140) 및 게이트 도전체 위에는 제2 절연층(160)이 위치할 수 있다. 제2 절연층(160)은 규소 산화물, 규소 질화물 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 제2 절연층(160)은 층간 절연층으로 불릴 수 있다.
제2 절연층(160) 위에는 데이터선, 구동 전압선(driving voltage line), 전원 배선(power line)(177), 구동 제어 신호선들(178), 트랜지스터(TR)의 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)을 포함하는 데이터 도전체가 위치할 수 있다.
소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 제2 절연층(160) 및 제1 절연층(140)에 형성된 접촉 구멍들을 통해 반도체층(154)의 소스 영역 및 드레인 영역에 각각 연결될 수 있다.
전원 배선(177)은 화소(PX)의 발광 소자(LD)에 인가될 수 있는 소정 레벨의 전원 전압(power voltage)을 전달할 수 있으며, 예컨대 공통 전압(ELVSS)을 전달할 수 있다. 전원 배선(177)은 일단과 타단이 패드부(PP)에 전기적으로 연결되어 있을 수 있고, 표시 영역(DA)을 둘러싸도록 형성될 수 있다.
구동 제어 신호선들(178)은 비표시 영역(NA)에서 구동 회로 영역(DCA)에 위치할 수 있는 스캔 구동부 및/또는 발광 구동부에 수직 개시 신호, 클록 신호 등의 신호들과 특정 레벨의 저전압을 제공하는 신호들을 전달할 수 있다. 구동 제어 신호선들(178) 중 일부는 게이트 도전체와 동일 층에 동일 재료로 형성될 수도 있다.
데이터 도전체는 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 등의 금속이나 금속 합금을 포함할 수 있다. 데이터 도전체는 티타늄/알루미늄/티타늄(Ti/Al/Ti), 티타늄/구리/티타늄(Ti/Cu/Ti), 몰리브덴/알루미늄/티타늄(Mo/Al/Mo) 같은 다중층일 수 있다.
게이트 전극(124), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 반도체층(154)과 함께 트랜지스터(TR)를 이룬다. 도시된 트랜지스터(TR)는 게이트 전극(124)이 반도체층(154)보다 위에 위치하지만, 트랜지스터의 구조는 이에 한정되는 것은 아니고 다양하게 변경될 수 있다.
제2 절연층(160) 및 데이터 도전체 위에는 제3 절연층(180)이 위치할 수 있다. 제3 절연층(180)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있고, 예컨대 폴리이미드, 아크릴계 폴리머, 실록산계 폴리머 등을 포함할 수 있다.
제3 절연층(180) 위에는 발광 소자(LD)의 제1 전극(E1)이 위치할 수 있다. 제1 전극(E1)은 제3 절연층(180)에 형성된 접촉 구멍을 통해 드레인 전극(175)에 연결될 수 있다. 제3 절연층(180) 위에는 전원 배선(177)과 접촉하고 연결되어 있는 연결 부재(195)가 위치할 수 있다. 연결 부재(195)와 전원 배선(177)의 연결을 위해, 전원 배선(177)과 중첩하는 제3 절연층(180)의 부분이 제거될 수 있다.
제3 절연층(180)에는 밸리(valley)(81)가 형성될 수 있고, 제3 절연층(180)의 밸리(81)에서 연결 부재(195)는 제2 절연층(160)과 접촉할 수 있다. 이와 같이 형성 시, 투습에 취약한 유기 절연층인 제3 절연층(180)의 일부가 제거되고 그 부분을 투습 방지에 효과적인 물질이 채움으로써 표시 영역(DA)으로 수분과 아웃개싱(예컨대, 밸리(81)보다 바깥쪽에 위치하는 제2 절연층(160)에서 발생하는 아웃개싱)이 침투하는 것을 차단할 수 있다.
도전층인 연결 부재(195)는 제1 전극(E1)과 동일 공정에서 동일 재료로 형성될 수 있다. 제1 전극(E1) 및 연결 부재(195)는 은(Ag), 니켈(Ni), 금(Au), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 알루미늄네오듐(AlNd), 알루미늄니켈란타늄(AlNiLa) 등의 금속이나 금속 합금을 포함할 수 있다. 제1 전극(E1) 및 연결 부재(195)는 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 같은 투명 도전 물질을 포함할 수 있다. 제1 전극(E1) 및 연결 부재(195)는 ITO/은(Ag)/ITO, ITO/알루미늄(Al) 같은 다중층일 수 있다.
제3 절연층(180) 위에는 제1 전극(E1)과 중첩하는 개구를 가지는 제4 절연층(360)이 위치할 수 있다. 제4 절연층(360)의 개구는 각각의 화소 영역을 정의할 수 있고, 화소 정의층으로 불릴 수 있다. 제4 절연층(360)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
제1 전극(E1) 위에는 발광층(EL)이 위치하고, 발광층(EL) 위에는 제2 전극(E2)이 위치한다. 제2 전극(E2)은 연결 부재(195)와 연결되어 있다. 연결 부재(195)는 전원 배선(177)과 연결되어 있으므로, 제2 전극(E2)은 연결 부재(195)를 통해 전원 배선(177)에 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서 전원 배선(177)이 전원 전압으로서 공통 전압(ELVSS)을 전달하는 경우, 제2 전극(E2)은 공통 전압(ELVSS)을 인가받을 수 있다. 제2 전극(E2)은 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 은(Ag) 등의 일함수가 낮은 금속으로 얇게 층을 형성함으로써 광 투과성을 가지도록 할 수 있다. 제2 전극(E2)은 ITO, IZO 같은 투명 도전 물질로 형성될 수도 있다.
각 화소의 제1 전극(E1), 발광층(EL) 및 제2 전극(E2)은 유기 발광 다이오드 같은 발광 소자(LD)를 이룬다.
제2 전극(E2) 위에는 봉지층(EN)이 위치할 수 있다. 봉지층(EN)은 발광 소자(LD)를 밀봉하여 외부로부터 수분이나 산소가 침투하는 것을 방지하는 역할을 한다. 봉지층(EN)은 표시 영역(DA) 전체를 덮고 있으며, 봉지층(EN)의 가장자리(edge)는 비표시 영역(NA)에 위치할 수 있다.
봉지층(EN)은 하나 이상의 무기층과 하나 이상의 유기층이 적층되어 있다. 도시된 실시예에서, 봉지층(EN)은 제1 무기층(391), 유기층(392) 및 제2 무기층(393)을 포함하는 박막 봉지층이다. 봉지층(EN)에서 제1 무기층(391) 및 제2 무기층(393)은 주로 수분 등의 침투를 방지하는 역할을 하고, 유기층(392)은 주로 봉지층(EN)의 표면, 특히 표시 영역(DA)에서 제2 무기층(393)의 표면을 평탄화하는 역할을 한다. 제1 무기층(391) 및 제2 무기층(393)은 규소 산화물, 규소 질화물 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 유기층(392)은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 페릴렌계 수지 등의 유기 물질을 포함할 수 있다.
제1 무기층(391)과 제2 무기층(393)은 유기층(392)보다 넓게 형성되어 있으며, 봉지층(EN)의 가장자리 부근에서, 특히 전원 배선(177)과 중첩하는 영역에서 제1 무기층(391)과 제2 무기층(393)은 접촉할 수 있다. 제1 무기층(391)의 가장자리와 제2 무기층(393)의 가장자리는 대략 일치할 수 있다. 이와 같이 제1 무기층(391) 및 제2 무기층(393)을 넓게 형성함으로써, 표시 영역(DA)의 측면으로부터 수분이나 산소가 침투하는 것을 방지할 수 있고, 수분이나 산소의 침투 경로를 길고 복잡하게 하여 침투를 지연시킬 수 있다.
제1 무기층(391) 및 제2 무기층(393)의 가장자리는 전원 배선(177) 위에 전원 배선(177)과 중첩하게 위치한다. 즉, 제1 무기층(391) 및 제2 무기층(393)은 전원 배선(177)의 일부를 덮도록 위치한다. 따라서 제1 무기층(391) 및 제2 무기층(393)의 가장자리는 전원 배선(177)의 외측 가장자리, 즉 전원 배선(177)의 양측 가장자리 중 표시 영역(DA)으로부터 먼 가장자리보다 표시 영역(DA)에 가깝게 위치한다.
이와 같이 제1 무기층(391) 및 제2 무기층(393)의 가장자리가 위치하도록 봉지층(EN)을 형성하면, 봉지층(EN)의 형성으로 인해 비표시 영역(NA)이 증가하지 않는다. 이에 따라 비표시 영역(NA)의 폭을 줄이거나 비표시 영역(NA)에 위치하는 배선들이나 소자들의 형성 및 설계 마진을 증가시킬 수 있다. 예컨대, 제1 무기층(391) 및 제2 무기층(393)이 전원 배선(177)을 측면까지 완전히 덮도록 형성되는 경우보다 비표시 영역(NA)의 폭을 줄일 수 있고, 이에 따라 표시 장치의 화면 비율을 증가시킬 수 있다. 선택적으로, 비표시 영역(NA)의 폭을 줄이지 않는 대신 전원 배선(177)의 폭을 증가시킬 수도 있고, 이 경우 전원 배선(177)의 저항을 감소시켜 전력 효율을 개선할 수 있다.
봉지층(EN)의 형성 영역을 줄이더라도, 전원 배선(177)이나 연결 부재(195)와 접촉하는 제1 무기층(391) 영역의 폭(w)이 소정 값 이상이면 봉지층(EN)은 수분 또는 산소의 침투를 방지하는데 유효할 수 있다. 예컨대, UHAST(unbiased highly accelerated stress test) 500 시간 신뢰성 평가에서, 폭(w)이 약 82.53㎛ 이상이면, 수분 침투를 방지하는데 문제가 없는 것으로 평가되었다.
제1 무기층(391)은 연결 부재(195)나 전원 배선(177) 바로 위에 위치할 수 있다. 이에 따라 제1 무기층(391)의 하부면(lower surface)은 연결 부재(195)와 접촉하거나 전원 배선(177)과 접촉할 수 있다. 도시된 실시예에서, 제1 무기층(391)은 제2 무기층(393)과 함께 연결 부재(195)의 가장자리를 덮고 있고, 제1 무기층(391)의 가장자리는 전원 배선(177)과 접촉하고 있다. 이와 달리, 연결 부재(195)의 가장자리가 제1 무기층(391)에 의해 덮이지 않고 제1 무기층(391)의 가장자리와 대략 일치하거나, 제1 무기층(391)의 가장자리보다 표시 영역(DA)으로부터 멀리 위치할 수 있다. 이 경우, 제1 무기층(391)이 전원 배선(177)과 중첩하더라도 전원 배선(177)과 접촉하지 않을 수 있다.
봉지층(EN) 위에는 외광 반사를 줄이기 위한 편광층이 위치할 수 있고, 봉지층(EN)과 편광층 사이에는 터치를 감지하기 위한 터치 전극들을 포함하는 터치 센서층이 위치할 수 있다.
비표시 영역(NA)에서 제2 절연층(160) 위로 댐(DM)이 위치할 수 있다. 댐(DM)은 봉지층(EN)의 유기층(392)을 형성할 때 모노머 같은 유기 물질이 흘러 넘치는 것을 막는 역할을 할 수 있으며, 이에 따라 봉지층(EN)의 유기층(392)의 가장자리는 대체로 댐(DM)보다 안쪽에, 즉 댐(DM)과 표시 영역(DA) 사이에 위치할 수 있다. 봉지층(EN)의 제1 무기층(391)과 제2 무기층(393)은 댐(DM) 위로 연장하여 댐(DM)을 덮도록 형성될 수 있다. 이 경우, 제1 무기층(391)과 제2 무기층(393)의 접촉 면적이 증가하므로, 제1 무기층(391)과 제2 무기층(393) 간의 부착력이 증가할 수 있다.
댐(DM)은 적어도 하나의 층으로 형성될 수 있다. 댐(DM)은 표시 영역(DA)에 형성되는 절연층을 이용하여 형성될 수 있다. 예컨대, 댐(DM)이 단층으로 형성되는 경우, 댐(DM)은 제4 절연층(360)과 동일 공정에서 동일 재료로 형성되거나, 제2 절연층(160)과 동일 공정에서 동일 재료로 형성될 수 있다. 댐(DM)이 복층으로 형성되는 경우, 하부층은 제2 절연층(160)과 동일 공정에서 동일 재료로 형성될 수 있고, 상부층은 제4 절연층(360)과 동일 공정에서 동일 재료로 형성될 수 있다. 도 2에 도시된 영역에서, 댐(DM)의 하부면은 연결 부재(195)와 접촉할 수 있다.
표시 패널(10) 아래에는 표시 패널(10)을 보호하기 위한 보호 필름(50)이 위치한다. 보호 필름(50)은 점착제에 의해 표시 패널(10)의 배면에 부착될 수 있다. 보호 필름(50)은 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리이미드, 폴리에틸렌 설파이드(polyethylene sulfide) 같은 플라스틱으로 만들어질 수 있다.
비표시 영역(NA)에서 전원 배선(177)과 기판(110)의 가장자리 사이에는 크랙 댐(CD)이 위치할 수 있다. 크랙 댐(CD)은 예컨대 기판(110)의 가장자리에 대응하게 표시 패널(10)의 절단 시 배리어층(115), 버퍼층(120) 같은 무기 절연층에서 발생할 수 있는 크랙이 전파되는 것을 방지하는 역할을 한다. 크랙 댐(CD)은 유기 물질로 형성될 수 있으며, 예컨대 제2 절연층(160)과 동일 공정에서 동일 재료로 형성되거나, 제4 절연층(360)과 동일 공정에서 동일 재료로 형성될 수 있다.
제1 절연층(140) 및 제2 절연층(160)은 그 가장자리가 기판(110)의 가장자리보다 내측에, 즉 표시 영역(DA)에 가깝게 위치하도록 형성될 수 있다. 크랙 댐(CD)은 제1 절연층(140) 및 제2 절연층(160)의 가장자리를 덮도록 형성될 수 있다. 제1 절연층(140) 및 제2 절연층(160)에는 크랙 댐(CD)과 중첩하는 영역에 슬릿이 형성될 수 있다. 슬릿으로 인해 제1 절연층(140) 및 제2 절연층이 불연속적으로 형성됨으로써, 크랙 댐(CD)의 크랙의 전파 방지 능력을 증가시킬 수 있다. 슬릿은 제2 절연층(160)에만 형성될 수도 있고, 형성되지 않을 수도 있다. 크랙 댐(CD)은 제1 절연층(140) 및/또는 제2 절연층(160)과 중첩하지 않게 형성될 수도 있다.
크랙 댐(CD)은 전원 배선(177)의 측면(side surface)의 적어도 일부분을 덮도록 형성될 수 있다. 이 경우, 전원 배선(177)의 측면에 이물질이 달라붙거나 전원 배선(177)의 측면이 부식되는 것을 방지할 수 있다. 예컨대, 전원 배선(177)이 티타늄/알루미늄/티타늄(Ti/Al/Ti) 같이 다중층인 경우, 전원 배선(177) 등의 형성을 위한 식각 시 알루미늄 층이 티타늄 층보다 더 식각되어 전원 배선(177)의 가장자리 측면이 함몰되게 형성될 수 있다. 후속 공정에서 함몰된 측면에 금속 입자 등이 껴서 의도하지 않은 단차 발생을 유발할 수 있다. 크랙 댐(CD)을 전원 배선(177)의 가장자리의 측면을 덮도록 형성하면 크랙 댐(CD)이 그러한 홈을 메우므로, 이와 같은 문제가 발생하지 않는다.
도 3에는 표시 패널(10)의 패드부(PP)가 위치하는 가장자리 부근의 단면이 도시된다. 도 1에 도시된 바와 같이 댐(DM)은 표시 영역(DA)을 둘러싸고 있으므로, 도 3을 참고하면, 표시 패널(10)의 패드부(PP)가 위치하는 하측 가장자리 부근에도 댐(DM)이 위치한다. 표시 패널(10)의 하측 가장자리 부근에서는 도 2에 도시된 전원 배선(177)이 위치하지 않을 수 있고, 이에 따라 전원 배선(177)과 제2 전극(E2)을 전기적으로 연결하는 연결 부재(195)가 위치하지 않을 수 있다. 댐(DM)은 제2 절연층(160) 바로 위에 위치할 수 있고, 댐(DM)의 하부면이 제2 절연층(160)과 접촉할 수 있다. 봉지층(EN)의 제1 무기층(391) 및 제2 무기층(393)은 댐(DM)을 덮도록 형성될 수 있다.
벤딩 영역(BR)에 대해 설명하면, 벤딩 영역(BR)에는 그 양측에 위치하는 제1 배선(127)과 제2 배선(129)을 전기적으로 연결하는 연결 배선(179)이 위치한다. 이에 의해, 집적회로 칩(30)으로부터 출력되는 신호(예컨대, 데이터 신호, 제어 신호, 전압 신호), 패드부(PP)의 패드로 입력되는 신호(예컨대, 구동 전압(ELVDD), 공통 전압(ELVSS)) 등이 제2 배선(129), 연결 배선(179) 및 제1 배선(127)을 통해 표시 영역(DA), 구동 장치 등으로 전달될 수 있다. 연결 배선(179)은 벤딩 영역(BR)의 벤딩 시 벤딩되므로, 유연성이 좋고 영률(Young's modulus)이 작은 금속으로 형성될 수 있다. 연결 배선(179)은 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)과 동일 공정에서 동일 재료로 형성될 수 있다. 연결 배선(179)의 유연성이 증가하면 변형(strain)에 대한 응력이 작아지므로 벤딩 시 열화(예컨대, 크랙 발생)되거나 단선될 위험을 줄일 수 있다.
벤딩 영역(BR)에서, 기판(110)과 연결 배선(179) 사이에는 제1 보호층(protection layer)(165)이 위치할 수 있다. 제1 보호층(165)은 폴리이미드, 아크릴계 폴리머, 실록산계 폴리머 등의 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 연결 배선(179) 위에는 제2 보호층(185) 및 제3 보호층(365)이 위치할 수 있다. 제2 보호층(185)은 제3 절연층(180)과 동일 공정에서 동일 재료로 형성될 수 있다. 제3 보호층(365)은 제4 절연층(360)과 동일 공정에서 동일 재료로 형성될 수 있다. 제3 보호층(365) 위에는 인장 응력을 완화하고 연결 배선(179)을 보호하기 위한 벤딩 보호층(bending protection layer)(400)이 위치할 수 있다. 벤딩 보호층(400)은 응력 중립화층(stress neutralization layer)으로 불릴 수 있다. 벤딩 보호층(400)은 아크릴 수지 같은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
무기 졀연 물질을 포함하는 무기 절연층인 배리어층(115), 버퍼층(120), 제1 절연층(140) 및 제2 절연층(160)은 벤딩 영역(BR)에서 제거될 수 있다. 무기 절연층은 벤딩 시 크랙에 취약하며, 크랙에 의해 배선들이 손상될 수 있기 때문이다.
보호 필름(50)은 표시 패널(10)의 배면을 전체적으로 덮도록 위치할 수 있지만, 벤딩 영역(BR)의 벤딩 응력(bending stress)을 감소시키고 벤딩 시 곡률 반경을 줄이기 위해 벤딩 영역(BR)에는 위치하지 않을 수 있다.
이하에서는 몇몇 실시예에 대해서 도 4 내지 도 8을 참고하여, 전술한 실시예와 차이점을 위주로 설명한다.
도 4, 도 5, 도 6, 도 7 및 도 8은 각각 도 1에서 A-A'선을 따라 취한 일 실시예의 개략적인 단면도이다.
도 4를 참고하면, 봉지층(EN)은 제1 무기층(391) 및 제2 무기층(393)의 가장자리가 전원 배선(177)의 가장자리가 거의 일치하게 형성되어 있다. 제1 무기층(391) 및 제2 무기층(393)의 폭이 증가함에 따라 봉지층(EN)의 투습 방지 능력이 증가할 수 있다. 하지만, 제1 무기층(391) 및 제2 무기층(393)의 형성 영역이 전원 배선(177) 형성 영역 이내이므로, 봉지층(EN)으로 인해 비표시 영역(NA)이 증가하지 않는다.
도 5의 실시예 및 도 6의 실시예는 각각 표시 패널(10)이 댐(DM)과 크랙 댐(CD)을 포함하지 않는 점에서 도 2의 실시예 및 도 4의 실시예와 차이가 있다. 표시 패널(10)의 제조 공정을 더욱 엄밀하게 제어하면, 댐(DM)과 크랙 댐(CD)을 형성하지 않더라도, 봉지층(EN)의 유기층(392)의 형성 물질이 넘치거나 표시 패널(10)의 절단 시 크랙이 발생하는 불량을 방지할 수도 있다. 도시된 것과 달리, 댐(DM)과 크랙 댐(CD) 중 어느 하나만 포함하지 않을 수도 있다.
도 7을 참고하면, 비표시 영역(DA)에서 전원 배선(177) 위로 2개의 댐(DM1, DM2)이 위치한다. 제1 댐(DM1)은 제2 댐(DM2)보다 표시 영역(DA)에 가깝게 위치할 수 있다. 제1 댐(DM1)은 적어도 하나의 층으로 형성될 수 있다.
제1 댐(DM1)은 제4 절연층(360)과 동일 공정에서 동일 재료로 형성될 수 있다. 제1 댐(DM1)은 하부면이 연결 부재(195)와 접촉할 수 있다. 제2 댐(DM2)은 복수의 층을 포함할 수 있다.
제2 댐(DM2)은 제1 층(L1) 및 그 위에 위치하는 제2 층(L2)을 포함할 수 있다. 제1 층(L1)과 제2 층(L2) 사이에는 연결 부재(195)가 위치할 수 있다. 제1 층(L1)은 제3 절연층(180)과 동일 공정에서 동일 재료로 형성될 수 있다. 제1 층(L1)은 하부면이 전원 배선(177)과 접촉할 수 있다. 제2 층(L2)은 제4 절연층(360)과 동일 공정에서 동일 재료로 형성될 수 있다. 따라서 제1 댐(DM1)과 제2 댐(DM2)의 제2 층(L2)과 제4 절연층(360)은 유기 절연 물질을 적층하고 패터닝하여 함께 형성될 수 있다.
한편, 제1 댐(DM1)은 제2 댐(DM2)의 제2 층(L2)과 다른 재료로 형성되거나, 다른 공정에서 형성될 수도 있다. 제1 댐(DM1)이 복수의 층을 포함하거나, 제2 댐(DM2)이 단일 층을 포함할 수도 있다.
봉지층(EN)의 제1 무기층(391) 및 제2 무기층(393)은 제1 댐(DM1) 및 제2 댐(DM2) 위로 연장하도록 형성될 수 있다. 제1 무기층(391) 및 제2 무기층(393)의 가장자리는 전원 배선(177)의 외측 가장자리와 대략 일치할 수 있다.
이와 같이 제1 및 제2 댐들(DM1, DM2)과 제1 및 제2 무기층들(391, 393)을 형성함으로써 봉지층(EN)의 유기층(392)의 형성 물질의 넘침을 더욱 효과적으로 막을 수 있다. 또한, 제1 무기층(391)과 제2 무기층(393)의 접촉 면적이 증가하여 제1 무기층(391)과 제2 무기층(393) 간의 부착력이 증가하고 봉지층(EN)의 투습 방지 능력이 증가할 수 있다. 하지만, 제1 및 제2 댐들(DM1, DM2) 및 제1 및 제2 무기층들(391, 393)이 전원 배선(177) 형성 영역 이내에 형성되므로, 제1 및 제2 댐들(DM1, DM2)과 제1 및 제2 무기층들(391, 393)로 인해 비표시 영역(NA)이 증가하지 않는다. 선택적으로, 비표시 영역(NA)의 폭을 줄이지 않는 대신 전원 배선(177)의 폭을 증가시킬 수도 있고, 이 경우 전원 배선(177)의 저항을 감소시켜 전력 효율을 개선할 수 있다.
도 8을 참고하면, 제2 댐(DM2)이 제1 댐(DM1)에 좀더 가까이 위치하고, 제1 무기층(391) 및 제2 무기층(393)의 가장자리가 전원 배선(177)의 외측 가장자리보다 표시 영역(DA)에 가깝게 위치하는 점에서 도 7의 실시예와 차이가 있다. 이와 같이 제1 및 제2 무기층들(391, 393)을 형성하더라도, 전술한 바와 같이 연결 부재(195)나 전원 배선(177)과 접촉하는 제1 무기층(391)의 폭(w)이 소정 값 이상이면 투습을 방지할 수 있는 것으로 평가되었다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
10: 표시 패널
110: 기판
115: 배리어층
120: 버퍼층
130: 제1 절연층
160: 제2 절연층
177: 전원 배선
180: 제3 절연층
195: 연결 부재
360: 제4 절연층
391: 제1 무기층
392: 유기층
393: 제2 무기층
CD: 크랙 댐
DA: 표시 영역
DM, DM1, MD2: 댐
EN: 봉지층
NA: 비표시 영역
110: 기판
115: 배리어층
120: 버퍼층
130: 제1 절연층
160: 제2 절연층
177: 전원 배선
180: 제3 절연층
195: 연결 부재
360: 제4 절연층
391: 제1 무기층
392: 유기층
393: 제2 무기층
CD: 크랙 댐
DA: 표시 영역
DM, DM1, MD2: 댐
EN: 봉지층
NA: 비표시 영역
Claims (20)
- 표시 영역 및 비표시 영역을 포함하는 기판,
상기 표시 영역에 위치하며, 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 발광 소자,
상기 표시 영역을 덮으며, 상기 발광 소자를 밀봉하는 봉지층,
상기 비표시 영역에 위치하는 전원 배선, 그리고
상기 전원 배선과 상기 제2 전극을 전기적으로 연결하는 연결 부재
를 포함하며,
상기 표시 영역의 일측에서, 상기 봉지층의 가장자리가 상기 전원 배선의 가장자리와 일치하거나 상기 전원 배선의 가장자리보다 상기 표시 영역에 가까이 위치하고,
상기 봉지층은 상기 비표시 영역에서 상기 전원 배선의 상면 및 상기 연결 부재의 상면과 접촉하고,
상기 봉지층의 가장자리가 상기 전원 배선과 접촉하는 표시 장치. - 제1항에서,
상기 봉지층은 제1 무기층, 제2 무기층 및 상기 제1 무기층과 상기 제2 무기층 사이에 위치하는 유기층을 포함하고,
상기 봉지층의 가장자리는 상기 제1 무기층 및 상기 제2 무기층의 가장자리에 대응하는 표시 장치. - 제2항에서,
상기 봉지층이 상기 전원 배선과 중첩하는 영역에서 상기 제1 무기층과 상기 제2 무기층이 접촉하는 표시 장치. - 제2항에서,
상기 제1 무기층은 상기 전원 배선의 상면 및 상기 연결 부재의 상면과 접촉하는 표시 장치. - 삭제
- 제2항에서,
상기 표시 영역을 둘러싸는 하나 이상의 댐을 더 포함하며,
상기 표시 영역의 일측에서, 상기 댐은 상기 전원 배선과 중첩하고 상기 제1 무기층 및 상기 제2 무기층에 의해 덮여 있는 표시 장치. - 제6항에서,
상기 댐은 상기 전원 배선 또는 상기 연결 부재와 접촉하는 표시 장치. - 제1항에서,
상기 기판의 가장자리와 상기 전원 배선 사이에 위치하는 크랙 댐을 더 포함하는 표시 장치. - 제8항에서,
상기 크랙 댐은 상기 전원 배선의 측면의 적어도 일부를 덮는 표시 장치. - 제1항에서,
상기 전원 배선은 공통 전압을 전달하는 표시 장치. - 표시 영역 및 비표시 영역을 포함하는 기판,
상기 표시 영역에 위치하며, 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 발광층을 포함하는 발광 소자,
상기 발광 소자를 밀봉하도록 상기 표시 영역을 덮으며, 가장자리가 상기 비표시 영역에 위치하는 봉지층,
상기 비표시 영역에 위치하는 전원 배선, 그리고
상기 전원 배선과 상기 제2 전극을 전기적으로 연결하는 연결 부재
를 포함하며,
상기 봉지층은 상기 비표시 영역 중 상기 전원 배선과 중첩하는 영역에서 상기 전원 배선의 상면 및 상기 연결 부재의 상면과 접촉하고,
상기 봉지층의 가장자리가 상기 전원 배선과 접촉하는 표시 장치. - 제11항에서,
상기 봉지층은 제1 무기층, 제2 무기층 및 상기 제1 무기층과 상기 제2 무기층 사이에 위치하는 유기층을 포함하고,
상기 봉지층의 가장자리는 상기 제1 무기층 및 상기 제2 무기층의 가장자리에 대응하는 표시 장치. - 제12항에서,
상기 봉지층이 상기 전원 배선과 중첩하는 영역에서 상기 제1 무기층과 상기 제2 무기층이 접촉하는 표시 장치. - 제12항에서,
상기 제1 무기층이 상기 전원 배선 또는 상기 연결 부재와 접촉하는 표시 장치. - 제14항에서,
상기 연결 부재는 상기 제1 전극과 동일 층에 동일 재료로 형성된 표시 장치. - 제12항에서,
상기 표시 영역을 둘러싸는 하나 이상의 댐을 더 포함하며,
상기 표시 영역의 일측에서, 상기 댐은 상기 전원 배선과 중첩하고 상기 제1 무기층 및 상기 제2 무기층에 의해 덮여 있는 표시 장치. - 제16항에서,
상기 댐은 상기 전원 배선 또는 상기 연결 부재와 접촉하는 표시 장치. - 제11항에서,
상기 기판의 가장자리와 상기 전원 배선 사이에 위치하는 크랙 댐을 더 포함하는 표시 장치. - 제18항에서,
상기 크랙 댐은 상기 전원 배선의 측면의 적어도 일부를 덮는 표시 장치. - 제11항에서,
상기 전원 배선은 공통 전압을 전달하는 표시 장치.
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