CN114447035A - 显示装置 - Google Patents

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CN114447035A CN202111018480.0A CN202111018480A CN114447035A CN 114447035 A CN114447035 A CN 114447035A CN 202111018480 A CN202111018480 A CN 202111018480A CN 114447035 A CN114447035 A CN 114447035A
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light
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全勇灿
黄铉彬
具达索
郑哲豪
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Abstract

本公开涉及一种显示装置，根据一实施例的显示装置包括：基板；晶体管，位于所述基板之上；像素电极，与所述晶体管连接；发光层，位于所述像素电极之上；公共电极，位于所述发光层之上；以及遮光部件，位于所述公共电极之上，所述遮光部件与所述发光层的整个区域重叠。

Description

显示装置
技术领域
本公开涉及一种显示装置。
背景技术
显示装置作为显示画面的装置，包括液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)、有机发光显示装置(Organic Light Emitting Diode，OLED)等。这种显示装置用于移动电话、导航仪、数码相机、电子书、便携式游戏机或者各种终端等之类的各种电子设备。
有机发光显示装置具有自发光(self-luminance)特性，并且与液晶显示装置不同，无需单独的光源，因此可以减少厚度和重量。另外，有机发光显示装置具有低功耗、高亮度以及快速的响应速度等的高品质特性。
另一方面，入射到有机发光显示装置的外部光可能被有机发光显示装置的一部分层反射而被识别，由此可能降低对比度。可以考虑通过在有机发光显示装置中具备反射防止部来防止外部光引起的对比度的降低而提高识别性的方案。例如，可以通过将圆偏光膜等附着到有机发光显示装置来防止外部光反射。但是，当使用这种偏光膜时，存在透射率降低、为了提高亮度而功耗增加的问题。另外，由于通过将膜附着的方式来完成，因此存在粘合力降低的同时还可能会脱落的问题。
发明内容
实施例用于提供一种不使用偏光膜也可以防止外部光被显示装置反射而被识别来增加对比度且降低功耗的显示装置。
根据一实施例的显示装置包括：基板；晶体管，位于所述基板之上；像素电极，与所述晶体管连接；发光层，位于所述像素电极之上；公共电极，位于所述发光层之上；以及遮光部件，位于所述公共电极之上，所述遮光部件与所述发光层的整个区域重叠。
可以是，所述遮光部件整***于所述基板之上。
可以是，所述遮光部件与所述像素电极重叠。
可以是，根据一实施例的显示装置还包括：封装层，位于所述公共电极之上；以及感测电极，位于所述封装层之上。
可以是，所述遮光部件位于所述感测电极之上，所述遮光部件与所述感测电极进一步重叠。
可以是，所述遮光部件位于所述公共电极和所述封装层之间，所述遮光部件与所述感测电极进一步重叠。
可以是，所述遮光部件位于所述封装层内。
可以是，所述封装层包括多个层，所述遮光部件位于所述封装层的多个层之间。
可以是，所述遮光部件位于所述封装层和所述感测电极之间。
可以是，所述遮光部件包括：第一遮光部，具有第一厚度；以及第二遮光部，具有第二厚度，所述第一厚度大于第二厚度。
可以是，所述显示装置包括多个像素，所述第一遮光部与所述多个像素的边界部重叠，所述第二遮光部与所述多个像素重叠。
可以是，所述第一遮光部与所述发光层不重叠，所述第二遮光部与所述发光层重叠。
可以是，根据一实施例的显示装置还包括：封装层，位于所述公共电极之上；以及感测电极，位于所述封装层之上。
可以是，所述遮光部件位于所述感测电极之上，所述第一遮光部与所述感测电极重叠，所述第二遮光部与所述像素电极重叠。
可以是，所述遮光部件的第一遮光部以及第二遮光部由单层构成，并利用半色调掩模来形成。
可以是，所述遮光部件的第一遮光部由多层构成，所述遮光部件的第二遮光部由单层构成。
可以是，所述遮光部件位于所述公共电极和所述封装层之间，所述第一遮光部与所述感测电极重叠，所述第二遮光部与所述像素电极重叠。
可以是，所述遮光部件包括：第一遮光层；以及第二遮光层，位于所述第一遮光层之上。
可以是，所述第二遮光层的浓度高于所述第一遮光层的浓度。
可以是，所述第一遮光层整***于所述基板之上，所述第二遮光层与所述发光层不重叠。
(发明效果)
根据实施例，不使用偏光膜也可以防止外部光被显示装置反射而被识别来增加对比度且降低功耗。
附图说明
图1是根据一实施例的显示装置的示意性平面图。
图2是根据一实施例的显示装置中的包括感测部的部分的平面图。
图3是示出根据一实施例的显示装置中的显示区域的一部分的截面图。
图4是示出根据遮光部件的光密度的显示装置的透射率的曲线图。
图5是根据一实施例的显示装置的截面图。
图6是根据一实施例的显示装置的截面图。
图7是根据一实施例的显示装置的截面图。
图8是根据一实施例的显示装置的截面图。
图9是根据一实施例的显示装置的截面图。
图10以及图11是示出根据一实施例的显示装置的遮光部件的形成方法的工艺截面图。
图12以及图13是示出根据一实施例的显示装置的遮光部件的形成方法的工艺截面图。
图14是根据一实施例的显示装置的截面图。
图15是根据一实施例的显示装置的截面图。
(附图标记说明)
100：基板
220：遮光部件
220a：第一遮光部
220b：第二遮光部
220p：第一遮光层
220q：第二遮光层
270：公共电极
350：发光层
351：像素开口部
370：分隔壁
400：封装层
510：感测绝缘层
520、540：感测电极
521、541：感测电极连接部
1000、1100：掩模
1000N、1100N：非透射部
1000T、1100T：透射部
具体实施方式
以下，参照所附的附图详细说明本发明的各实施例，以使本发明所属技术领域中具有通常知识的人能够容易实施。本发明能够以多种不同方式来实现，但并不限于在此说明的实施例。
为了清楚地说明本发明，省略了与说明无关的部分，在说明书全文中对相同或相似的构成要件标注相同的附图标记。
另外，附图中示出的各个结构的大小和厚度是为了方便说明而任意示出的，因此本发明并不是必须限定于图示那样的。在附图中，为了清楚表达多个层及区域，放大示出厚度。另外，在附图中，为了方便说明，将一部分层及区域的厚度夸张地示出。
另外，当表述为层、膜、区域、板等部分在另一部分“之上”或“上”时，其不仅包括“直接”在另一部分“之上”的情况，还包括其中间有又一部分的情况。相反，当表述为某一部分“直接”在另一部分“之上”时，意指中间没有又一部分的情况。另外，表述为“在”成为基准的部分“之上”或“上”的情况是位于成为基准的部分之上或之下的情况，并不意指必须以向重力相反方向侧位于“之上”或“上”。
另外，在整个说明书中，当表述为某一部分“包括”某一构成要件时，只要没有特别相反的记载，意指不是将其它构成要件除外而是还可以包括其它构成要件。
另外，在整个说明书中，当表述为“平面上”时，其意指从上方观看对象部分时的情况，当表述为“截面上”时，其意指在侧方观看将对象部分垂直截取的截面的情况。
以下，将参照图1以及图2说明根据一实施例的显示装置，其如下。
图1是根据一实施例的显示装置的示意性平面图，图2是根据一实施例的显示装置中的包括感测部的部分的平面图。
如图1所示，根据一实施例的显示装置包括基板100以及焊盘部30。
基板100包括显示区域DA以及非显示区域NA。显示区域DA是形成有包括发光二极管以及晶体管的像素而显示图像的区域，非显示区域NA是不显示图像的区域。非显示区域NA可以包围显示区域DA。非显示区域NA是包括形成有将驱动信号施加到像素的焊盘PAD的焊盘部30的区域。
在显示区域DA中可以配置有包括晶体管(Transistor)、发光二极管(lightemitting diode)等的多个像素(未示出)。多个像素可以以各种形态排列，例如，可以以矩阵形态排列。在显示区域DA的上方可以还配置有包括多个感测电极(图2的520、540)的感测区域TA以便可以识别触摸。
在非显示区域NA中可以配置有用于将电压、信号等的驱动信号传输到形成在显示区域DA中的像素的驱动电压线(未示出)、驱动低电压线(未示出)、焊盘部30等。另外，在非显示区域NA中可以还配置有多个感测配线(图2的512、522)。多个感测配线512、522可以与多个感测电极520、540连接。对于多个感测配线512、522以及感测电极520、540，在下面图2中进一步说明。
焊盘部30位于非显示区域NA的一部分，并包括多个焊盘PAD。电压、信号等可以施加到通过多个焊盘PAD连接到显示区域DA的多个电压线(未示出)、多个感测配线(图2的512、522)等。在非显示区域NA中可以附着有柔性印刷电路板(Flexible Printed CircuitBoard(FPCB)，未示出)。柔性印刷电路板(FPCB)可以与焊盘部30电连接。柔性印刷电路板(FPCB)和焊盘部30可以通过各向异性导电膜电连接。柔性印刷电路板(FPCB)可以包括驱动集成电路(Intergrated Chip，未示出)，从驱动集成电路输出的驱动信号可以通过焊盘部30的多个焊盘PAD供应到各像素。
如图2所示，基板100还包括在显示区域DA的上方形成有多个感测电极520、540的感测区域TA以及包围感测区域TA的周边区域PA。根据实施例，感测区域TA可以包括图1的显示区域DA以及非显示区域NA的一部分，周边区域PA可以包括图1的非显示区域NA中的除了感测区域TA之外的区域。然而，其仅是一个示例，可以对感测区域TA和周边区域PA的位置进行各种改变。例如，感测区域TA可以包括显示区域DA的一部分，周边区域PA可以包括显示区域DA中的除了感测区域TA之外的区域以及非显示区域NA。或者，感测区域TA也可以包括显示区域DA以及非显示区域NA。
感测区域TA可以包括多个感测电极520、540。多个感测电极520、540可以包括多个第一感测电极520以及多个第二感测电极540。
第一感测电极520和第二感测电极540可以彼此电分离。根据实施例，可以是，第一感测电极520是感测输入电极，第二感测电极540是感测输出电极。然而，不限于此，也可以是，第一感测电极520是感测输出电极，第二感测电极540是感测输入电极。
多个第一感测电极520以及多个第二感测电极540可以交替分散而配置为网格(Mesh)形态以在感测区域TA中彼此不重叠。多个第一感测电极520可以沿列方向以及行方向分别配置多个，多个第二感测电极540也可以沿列方向以及行方向分别配置多个。多个第一感测电极520可以通过多个第一感测电极连接部521向列方向彼此连接，多个第二感测电极540可以通过第二感测电极连接部541向行方向彼此连接。
第一感测电极520和第二感测电极540可以位于彼此相同的层中。根据实施例，第一感测电极520和第二感测电极540也可以位于彼此不同的层中。第一感测电极520和第二感测电极540可以是菱形形状，但不限于此。第一感测电极520和第二感测电极540可以是四边形、六边形等的多边形或圆形、椭圆形，并且为了提高感测传感器的灵敏度而可以实现为具有凸出部等各种形状。第一感测电极520以及第二感测电极540也可以由透明导电体或者不透明导电体形成。例如，第一感测电极520以及第二感测电极540可以包含透明导电性氧化物(Transparent Conductive Oxide，TCO)，透明导电性氧化物(TCO)可以包括铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)、铟锌氧化物(Indium Zinc Oxide，IZO)、氧化锌(ZnO)、CNT(碳纳米管，carbon nanotube)以及石墨烯(graphene)中的至少任一种。另外，第一感测电极520以及第二感测电极540可以包括多个开口。形成在感测电极520、540中的开口可以起到从发光二极管发射的光能够全面发射而不受干扰的作用。
多个第一感测电极520可以通过第一感测电极连接部(521；也称为桥电极)彼此电连接，多个第二感测电极540可以通过第二感测电极连接部541彼此电连接。当多个第一感测电极520向第一方向连接时，多个第二感测电极540可以向与其交叉的第二方向连接。当第一感测电极520和第二感测电极540位于相同的层中时，第一感测电极连接部521以及第二感测电极连接部541中的一个可以位于与第一感测电极520以及第二感测电极540相同的层中，其余一个可以位于与第一感测电极520以及第二感测电极540不同的层中。其结果，多个第一感测电极520和多个第二感测电极540可以电分离。位于不同的层中的感测电极连接部可以位于第一感测电极520以及第二感测电极540的上层或者下层中，在下面叙述的实施例中将以感测电极连接部位于下层、即更靠近基板的层中的实施例为中心进行叙述。
在周边区域PA中配置有分别连接到多个第一感测电极520以及多个第二感测电极540的多个感测配线512、522。多个感测配线512、522可以包括多个第一感测配线512和多个第二感测配线522。第一感测配线512可以与向行方向配置的多个第二感测电极540连接，第二感测配线522可以与向列方向配置的多个第一感测电极520连接。根据实施例，第一感测配线512以及第二感测配线522也可以与包括在图1的焊盘部30中的焊盘PAD中的一部分电连接。
在图2中示出了使用两个感测电极520、540来感测触摸的互容感测(mutual-cap)方式的感测部。然而，根据实施例，也可以形成为只使用一个感测电极来感测触摸的自容感测(self-cap)方式的感测部。
以下，将参照图3以显示区域DA中的截面图为中心进一步说明根据一实施例的显示装置。
图3是示出根据一实施例的显示装置中的显示区域的一部分的截面图。
如图3所示，根据一实施例的显示装置的显示区域DA可以包括基板100、包括半导体131、栅极电极124、源极电极173以及漏极电极175的晶体管TFT、栅极绝缘膜120、层间绝缘膜160、下平坦化层180、像素电极191、发光层350、分隔壁370、公共电极270以及封装层400。在此，像素电极191、发光层350以及公共电极270可以构成发光元件LED。另外，可以是，显示装置还包括位于显示区域DA的上方的感测区域TA，感测区域TA包括感测绝缘层510、多个感测电极520、540、第二感测电极连接部541。另外，显示装置可以还包括位于感测区域TA的上方的遮光部件220。
基板100可以包含玻璃等的具有刚性(rigid)特性而不会弯曲的物质或者塑料或聚酰亚胺(Polyimide)之类的能够弯曲的柔性物质。虽然图3中未示出，但在基板100之上可以还配置有下缓冲层(未示出)或阻挡层(未示出)等以便使基板100的表面平坦且阻断杂质元素的渗透。此时，在基板100之上可以配置有阻挡层，在阻挡层之上可以配置有缓冲层。阻挡层可以包含无机物质，作为一例，可以包含氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)等的无机绝缘物质。阻挡层可以是所述物质的单层或者多层结构。缓冲层可以包含氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)等的无机绝缘物质。缓冲层可以是所述物质的单层或者多层结构。
半导体131可以位于基板100之上。半导体131可以包含非晶硅、多晶硅以及氧化物半导体中的任一种。作为一例，半导体131可以包含低温多晶硅(LTPS)或者包含锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)以及它们的混合物中的至少一种的氧化物半导体物质。作为一例，半导体131可以包含IGZO(铟镓锌氧化物，Indium-Gallium-Zinc Oxide)。半导体131可以包括根据杂质掺杂与否区分的沟道区域、源极区域以及漏极区域。源极区域以及漏极区域可以具有与导电体相对应的导电特性。
栅极绝缘膜120可以覆盖半导体131以及基板100。栅极绝缘膜120可以包含氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)等的无机绝缘物质。栅极绝缘膜120可以是所述物质的单层或者多层结构。
栅极电极124可以位于栅极绝缘膜120之上。栅极电极124可以包含铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、钽(Ta)、钛(Ti)等的金属或金属合金。栅极电极124可以由单层或者多层构成。半导体131中的在平面上与栅极电极124重叠的区域可以是沟道区域。
层间绝缘膜160可以覆盖栅极电极124以及栅极绝缘膜120。层间绝缘膜160可以包含氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)等的无机绝缘物质。层间绝缘膜160可以是所述物质的单层或者多层结构。
源极电极173以及漏极电极175可以位于层间绝缘膜160之上。源极电极173以及漏极电极175通过形成在层间绝缘膜160以及栅极绝缘膜120中的开口分别与半导体131的源极区域以及漏极区域连接。由此，上述的半导体131、栅极电极124、源极电极173以及漏极电极175构成一个晶体管TFT。根据实施例，晶体管TFT也可以仅包括半导体131的源极区域以及漏极区域来代替源极电极173以及漏极电极175。
源极电极173以及漏极电极175可以包含铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、钯(Pd)、镍(Ni)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、铬(Cr)、钽(Ta)等的金属或金属合金。源极电极173以及漏极电极175可以由单层或者多层构成。根据一实施例的源极电极173以及漏极电极175可以由包括上层、中间层以及下层的三层构成，上层以及下层可以包含钛(Ti)，中间层可以包含铝(Al)。
下平坦化层180可以位于源极电极173以及漏极电极175之上。下平坦化层180覆盖源极电极173、漏极电极175以及层间绝缘膜160。下平坦化层180作为用于平坦化具备有晶体管TFT的基板100的表面，可以是有机绝缘膜，可以包含选自于由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯以及酚醛树脂所组成的组中的一种以上的物质。
像素电极191可以位于下平坦化层180之上。像素电极191也称为阳极电极，可以由包括透明导电性氧化膜以及金属物质的单层或者包括它们的多层构成。透明导电性氧化膜可以包含ITO(铟锡氧化物，Indium Tin Oxide)、多晶(poly)-ITO、IZO(铟锌氧化物，IndiumZinc Oxide)、IGZO(铟镓锌氧化物，Indium Gallium Zinc Oxide)以及ITZO(铟锡锌氧化物，Indium Tin Zinc Oxide)等。金属物质可以包含银(Ag)、钼(Mo)、铜(Cu)、金(Au)以及铝(Al)等。
下平坦化层180可以包括使得漏极电极175暴露的通孔81(或者也称为开口)。通过下平坦化层180的通孔81，漏极电极175和像素电极191可以物理电连接。由此，像素电极191可以接收将要从漏极电极175传输到发光层350的输出电流的施加。
在像素电极191以及下平坦化层180之上可以配置有分隔壁370。分隔壁370也称为像素界定层(Pixel Defining Layer；PDL)，包括像素电极191的上面一部分暴露的像素开口部351。分隔壁370可以划分发光层350的形成位置以使发光层350位于在像素电极191的上面中暴露的部分中。分隔壁370可以是包含选自于由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯以及酚醛树脂所组成的组中的一种以上的物质的有机绝缘膜。根据实施例，分隔壁370可以由包含黑色颜料的黑色像素界定层(Black Pixel Define Layer；BPDL)形成。
发光层350可以位于通过分隔壁370划分的像素开口部351中。发光层350可以包含发射红色、绿色、蓝色的光的有机物。发射红色、绿色、蓝色的光的发光层350可以包含低分子或者高分子有机物。虽然在图3中发光层350示出为单层，但实际上，在发光层350的上方和下方也可以包括电子注入层、电子传输层、空穴传输层以及空穴注入层之类的辅助层，可以是，在发光层350的下方配置有空穴注入层以及空穴传输层，在发光层350的上方配置有电子传输层以及电子注入层。
公共电极270可以位于分隔壁370以及发光层350之上。公共电极270也称为阴极电极，可以由包含ITO(铟锡氧化物，Indium Tin Oxide)、IZO(铟锌氧化物，Indium ZincOxide)、IGZO(铟镓锌氧化物，Indium Gallium Zinc Oxide)以及ITZO(铟锡锌氧化物，Indium Tin Zinc Oxide)等的透明导电层形成。另外，公共电极270可以具有半透明特性，此时，可以与像素电极191一起构成微腔。通过微腔结构，两电极之间的间距以及特性使得特定波长的光向上方发射，其结果，可以显示红色、绿色或者蓝色。
封装层400可以位于公共电极270之上。封装层400可以包括至少一个无机膜和至少一个有机膜。在本实施例中，封装层400可以包括第一无机封装层410、有机封装层420以及第二无机封装层430。然而，其仅是一个示例，可以对构成封装层400的无机膜和有机膜的数进行各种改变。第一无机封装层410、有机封装层420以及第二无机封装层430可以位于显示区域DA以及非显示区域NA的一部分中。根据实施例，可以是，有机封装层420以显示区域DA为中心形成，第一无机封装层410以及第二无机封装层430形成至非显示区域NA。封装层400作为用于保护发光元件LED免受可能从外部流入的水分或氧气等的影响，第一无机封装层410以及第二无机封装层430的一端可以形成为直接接触。
在封装层400之上可以配置有缓冲层501。缓冲层501可以由无机绝缘膜形成，包括在无机绝缘膜中的无机物质可以是硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、锡氧化物、铈氧化物或者硅氧氮化物中的至少任一种。根据实施例，缓冲层501可以被省略。
在缓冲层501之上可以配置有第二感测电极连接部541、感测绝缘层510以及多个感测电极520、540。第一感测电极连接部521以及第二感测电极连接部541中的任一种可以位于与多个感测电极520、540相同的层中，另一个可以位于与多个感测电极520、540不同的层中。以下，将举例说明第二感测电极连接部541位于与多个感测电极520、540不同的层中。
第二感测电极连接部541、感测绝缘层510以及多个感测电极520、540可以构成感测传感器。感测传感器可以分类为电阻方式(resistive type)、电容方式(capacitivetype)、电磁方式(electro-magnetic type)、光感测方式(optical type)等的方式。根据一实施例的感测传感器可以使用电容方式的传感器。
在缓冲层501之上可以配置有第二感测电极连接部541，感测绝缘层510可以位于缓冲层501以及第二感测电极连接部541之上。感测绝缘层510可以是无机绝缘膜，根据实施例，可以包含有机物质。无机物质可以包括硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、锡氧化物、铈氧化物或者硅氧氮化物中的至少任一种。有机物质可以包括丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯、乙烯类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、纤维素类树脂以及苝类树脂中的至少任一种。
在感测绝缘层510之上可以配置有多个感测电极520、540。多个感测电极520、540可以包括多个第一感测电极520和多个第二感测电极540。第一感测电极520以及第二感测电极540可以电绝缘。感测绝缘层510包括使得第二感测电极连接部541的上面暴露的开口，第二感测电极连接部541通过感测绝缘层510的开口与第二感测电极540连接而使得相邻的两个第二感测电极540电连接。另一方面，连接第一感测电极520的第一感测电极连接部521可以形成在与第一感测电极520以及第二感测电极540相同的层中。
多个感测电极520、540可以包含导电性优异的导电物质。例如，多个感测电极520、540可以包含铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、钯(Pd)、镍(Ni)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、铬(Cr)、钽TA等的金属或金属合金。多个感测电极520、540可以由单层或者多层构成。此时，多个感测电极520、540可以通过包括开口来使得从发光二极管发射的光向上方发射而不受干扰。根据实施例，多个感测电极520、540可以由包括上层、中间层以及下层的三层构成，上层以及下层可以包含钛(Ti)，中间层可以包含铝(Al)。
在多个感测电极520、540之上可以配置有遮光部件220。遮光部件220也可以位于感测绝缘层510之上。遮光部件220可以配置为与感测电极520、540重叠，并且还与发光层350以及像素电极191重叠。此时，遮光部件220可以与感测电极520、540的整个区域重叠。另外，遮光部件220可以与发光层350的整个区域重叠，并且可以与像素电极191的整个区域重叠。遮光部件220可以整***于基板100之上。即，遮光部件220可以位于从各像素的发光元件LED发射光的区域以及像素的边界部的全部。遮光部件220可以具有一定的厚度。遮光部件220可以包含含有黑色颜料的有机物质或者含有黑色颜料的有机物质和无机物质的混合物。根据情况，在感测电极520、540和遮光部件220之间可以还配置有绝缘膜。
光可以从外部入射到显示装置的内部，当外部光被显示装置反射而识别时，可以降低对比度。在根据一实施例的显示装置中，通过遮光部件220整***于基板100之上，可以部分地阻断外部光入射到显示装置的内部。另外，即使外部光通过遮光部件220并入射到显示装置的内部而被像素电极191等反射，由于反射的光被遮光部件220吸收，因此在显示装置的外部可能无法识别。即，根据一实施例的显示装置可以防止外部光被反射而被识别。
另外，由于遮光部件220位于感测电极520、540之上，因此，当从外部施加冲击时，可以起到缓冲传递到感测电极520、540或者位于其下方的其它电极层的冲击的作用。
以下，将参照图4说明遮光部件的光密度(Optical Density)和显示装置的透射率的关系。
图4是示出根据遮光部件的光密度的显示装置的透射率的曲线图。
如图4所示，可以确认到随着遮光部件的光密度大显示装置的透射率降低。可以是，当遮光部件的光密度从0增加到1时，透射率逐渐降低，当遮光部件的光密度为2以上时，透射率具有几乎接近0％的值。图4的透射率仅示出了以显示装置的所有像素处于关闭状态时为基准从外部入射的光的透射率。当以显示装置的像素处于打开状态时为基准时，遮光部件的光密度为约4.3以上时，显示装置的透射率可以具有几乎接近0％的值。
当提高遮光部件的光密度时，可以提高反射光的阻断率，但是同时，可能降低显示装置的透射率。另外，当降低遮光部件的光密度时，可以提高显示装置的透射率，但是，可能降低反射光的阻断率。因此，可以同时考虑显示装置的透射率和反射光的阻断率来适宜选择遮光部件的光密度。
遮光部件的光密度可以由遮光部件的厚度、浓度等来确定。随着遮光部件的厚度变厚，遮光部件的光密度可以增加。另外，随着遮光部件的浓度提高，遮光部件的光密度可以增加。例如，可以通过提高遮光部件的浓度且使厚度变薄，使得遮光部件具有预定的光密度。或者，也可以通过降低遮光部件的浓度且使厚度变厚，使得遮光部件具有预定的光密度。随着遮光部件的厚度变厚，遮光部件带来的缓冲作用的效果可以更大。
因此，可以考虑显示装置的透射率、反射光的阻断率以及遮光部件带来的缓冲效果等来适宜选择遮光部件的厚度以及浓度。
接着，将参照图5说明根据一实施例的显示装置，其如下。
根据图5所示的实施例的显示装置与根据图1至图4所示的实施例的显示装置相同的部分很多，因此将省略对相同的部分的说明。在本实施例中，在将遮光部件的厚度形成为厚的方面上与先前的实施例不同，将在下面进一步说明。
图5是根据一实施例的显示装置的截面图。
如图5所示，根据一实施例的显示装置包括基板100、晶体管TFT、像素电极191、发光层350以及公共电极270。像素电极191、发光层350以及公共电极270可以构成发光元件LED。在公共电极270之上可以配置有封装层400，在封装层400之上可以配置有感测电极520、540。在感测电极520、540之上可以配置有遮光部件220。
遮光部件220可以配置为与感测电极520、540重叠，并且还与发光层350以及像素电极191重叠。遮光部件220可以整***于基板100之上。通过遮光部件220可以防止从外部入射到显示装置的光被反射而被识别。
在先前的实施例中，可以是，遮光部件220具有高的浓度，并且由薄的厚度构成，在本实施例中，可以是，遮光部件220具有低的浓度，并且由厚的厚度构成。可以通过改变遮光部件220的浓度以及厚度来调整遮光部件220的光密度。在先前的实施例中的遮光部件和在本实施例中的遮光部件可以具有彼此不同的浓度以及厚度的同时具有相同的光密度。在本实施例中，通过遮光部件220具有厚的厚度，可以更有效地保护位于遮光部件220之下的配线免受外部的冲击的影响。即，可以进一步提高显示装置的耐冲击性。
接着，将参照图6说明根据一实施例的显示装置，其如下。
根据图6所示的实施例的显示装置与根据图1至图4所示的实施例的显示装置相同的部分很多，因此将省略对相同的部分的说明。在本实施例中，遮光部件的位置与先前的实施例不同，将在下面进一步说明。
图6是根据一实施例的显示装置的截面图。
如图6所示，根据一实施例的显示装置包括基板100、晶体管TFT、像素电极191、发光层350以及公共电极270。像素电极191、发光层350以及公共电极270可以构成发光元件LED。在公共电极270之上可以配置有封装层400，在封装层400之上可以配置有感测电极520、540。
在公共电极270和封装层400之间可以配置有遮光部件220。遮光部件220可以位于公共电极270之上，封装层400可以位于遮光部件220之上。然而，遮光部件220的位置不限于此，可以进行各种改变。例如，遮光部件220也可以位于构成封装层400的第一无机封装层410和有机封装层420之间。
遮光部件220可以配置为与感测电极520、540重叠，并且还与发光层350以及像素电极191重叠。遮光部件220可以整***于基板100之上。通过遮光部件220可以防止从外部入射到显示装置的光被反射而被识别。
接着，将参照图7说明根据一实施例的显示装置，其如下。
根据图7所示的实施例的显示装置与根据图1至图4所示的实施例的显示装置相同的部分很多，因此将省略对相同的部分的说明。在本实施例中，遮光部件的位置与先前的实施例不同，将在下面进一步说明。
图7是根据一实施例的显示装置的截面图。
如图7所示，根据一实施例的显示装置包括基板100、晶体管TFT、像素电极191、发光层350以及公共电极270。像素电极191、发光层350以及公共电极270可以构成发光元件LED。在公共电极270之上可以配置有封装层400，在封装层400之上可以配置有感测电极520、540。
在封装层400内可以配置有遮光部件220。封装层400可以包括第一无机封装层410、有机封装层420以及第二无机封装层430。遮光部件220可以位于有机封装层420和第二无机封装层430之间。在第一无机封装层410之上可以配置有有机封装层420，在有机封装层420之上可以配置有遮光部件220。在遮光部件220之上可以配置有第二无机封装层430。
遮光部件220可以配置为与感测电极520、540重叠，并且还与发光层350以及像素电极191重叠。遮光部件220可以整***于基板100之上。通过遮光部件220可以防止从外部入射到显示装置的光被反射而被识别。
接着，将参照图8说明根据一实施例的显示装置，其如下。
根据图8所示的实施例的显示装置与根据图1至图4所示的实施例的显示装置相同的部分很多，因此将省略对相同的部分的说明。在本实施例中，遮光部件的位置与先前的实施例不同，将在下面进一步说明。
图8是根据一实施例的显示装置的截面图。
如图8所示，根据一实施例的显示装置包括基板100、晶体管TFT、像素电极191、发光层350以及公共电极270。像素电极191、发光层350以及公共电极270可以构成发光元件LED。在公共电极270之上可以配置有封装层400，在封装层400之上可以配置有感测电极520、540。
遮光部件220可以位于封装层400和感测电极520、540之间。在封装层400之上可以配置有遮光部件220，在遮光部件220之上可以配置有感测电极520、540。在遮光部件220和感测电极520、540之间可以配置有缓冲层501。
遮光部件220可以配置为与感测电极520、540重叠，并且还与发光层350以及像素电极191重叠。遮光部件220可以整***于基板100之上。通过遮光部件220可以防止从外部入射到显示装置的光被反射而被识别。
接着，将参照图9说明根据一实施例的显示装置，其如下。
根据图9所示的实施例的显示装置与根据图1至图4所示的实施例的显示装置相同的部分很多，因此将省略对相同的部分的说明。在本实施例中，在遮光部件的厚度根据位置而不同的方面上与先前的实施例不同，将在下面进一步说明。
图9是根据一实施例的显示装置的截面图。
如图9所示，根据一实施例的显示装置包括基板100、晶体管TFT、像素电极191、发光层350以及公共电极270。像素电极191、发光层350以及公共电极270可以构成发光元件LED。在公共电极270之上可以配置有封装层400，在封装层400之上可以配置有感测电极520、540。在感测电极520、540之上可以配置有遮光部件220。
遮光部件220可以配置为与感测电极520、540重叠，并且还与发光层350以及像素电极191重叠。遮光部件220可以整***于基板100之上。通过遮光部件220可以防止从外部入射到显示装置的光被反射而被识别。
在先前的实施例中，遮光部件220可以具有一定的厚度，在本实施例中，遮光部件220可以根据位置具有不同的厚度。遮光部件220可以包括具有第一厚度THa的第一遮光部220a以及具有第二厚度THb的第二遮光部220b。第一遮光部220a可以与感测电极520、540重叠。第一遮光部220a可以与从各像素的发光元件LED发射光的区域之间的部分、即像素的边界部重叠。第一遮光部220a可以与发光层350以及像素电极191不重叠。第二遮光部220b可以与发光层350以及像素电极191重叠。第二遮光部220b可以与从各像素的发光元件LED发射光的区域重叠。第二遮光部220b可以与感测电极520、540不重叠。
遮光部件220的第一遮光部220a的第一厚度THa可以大于第二遮光部220b的第二厚度THb。遮光部件220的第一遮光部220a的浓度和第二遮光部220b的浓度实质上可以相同。遮光部件220的第一遮光部220a的光密度可以大于第二遮光部220b的光密度。通过遮光部件220的第二遮光部220b具有低的光密度，可以阻断从外部入射的光的反射的同时提高显示装置的透射率。通过遮光部件220的第一遮光部220a具有高的光密度，可以更有效地阻断从外部入射的光的反射。通过遮光部件220的第一遮光部220a的第一厚度THa相对厚地构成，可以进一步提高耐冲击性。即，根据本实施例的显示装置，通过将遮光部件220的厚度构成为二元化，可以提高显示装置的透射率的同时阻断外部光的反射，并且可以提高耐冲击性。
以下，将参照图10以及图11说明形成根据图9所示的实施例的显示装置的遮光部件的方法。
图10以及图11是示出根据一实施例的显示装置的遮光部件的形成方法的工艺截面图。
首先，如图10所示，在基板100之上依次形成晶体管TFT、像素电极191、发光层350、公共电极270。在公共电极270之上形成封装层400，并在封装层400之上形成感测电极520、540。
接着，通过在感测电极520、540之上涂布遮光性物质来形成遮光部件220。此时，遮光部件220整体形成在基板100之上。使掩模1000对应于遮光部件220之上，并通过照射光来进行光工艺。掩模1000可以包括透射部1000T以及非透射部1000N。掩模1000的透射部1000T可以与发光层350以及像素电极191相对应。掩模1000的非透射部1000N可以与感测电极520、540相对应。照射到掩模1000之上的光可以穿过掩模1000的透射部1000T，并且可以不穿过非透射部1000N而被阻断。穿过掩模1000的透射部1000T的光可以传输到遮光部件220。
如图11所示，可以通过蚀刻工艺去除与掩模1000的透射部1000T相对应的遮光部件220的一部分区域220c而将遮光部件220的厚度薄薄地形成。由此，遮光部件220的第一遮光部220a的厚度和第二遮光部220b的厚度可以变得不同。保持遮光部件220的第一遮光部220a的厚度，并减小第二遮光部220b的厚度。因此，遮光部件220的第一遮光部220a的厚度可以大于第二遮光部220b的厚度。遮光部件220的第一遮光部220a可以与感测电极520、540重叠，第二遮光部220b可以与发光层350以及像素电极191重叠。
以下，将参照图12以及图13说明形成根据图9所示的实施例的显示装置的遮光部件的其它方法。
图12以及图13是示出根据一实施例的显示装置的遮光部件的形成方法的工艺截面图。
首先，如图12所示，在基板100之上依次形成晶体管TFT、像素电极191、发光层350、公共电极270。在公共电极270之上形成封装层400，在封装层400之上形成感测电极520、540。
接着，通过在感测电极520、540之上蒸镀遮光性物质来形成第一遮光层220p。第一遮光层220p可以整体形成在基板100之上。因此，第一遮光层220p可以与发光层350以及像素电极191重叠，并且可以与感测电极520、540重叠。即，第一遮光层220p可以与从各像素的发光元件LED发射光的区域以及像素的边界部均重叠。
如图13所示，使掩模1100对应于第一遮光层220p之上，并通过蒸镀遮光性物质来形成第二遮光层220q。掩模1100可以包括透射部1100T以及非透射部1100N。掩模1100的透射部1100T可以与感测电极520、540相对应。掩模1100的非透射部1100N可以与发光层350以及像素电极191相对应。遮光性物质可以蒸镀到与掩模1100的透射部1100T相对应的部分，遮光性物质可以不蒸镀到与掩模1100的非透射部1100N相对应的部分。即，可以使用掩模1100来部分地蒸镀遮光性物质。第二遮光层220q可以与感测电极520、540重叠，并且可以与发光层350以及像素电极191不重叠。然而，第二遮光层220q的边缘一部分区域也可以与发光层350或者像素电极191的边缘一部分区域重叠。
第一遮光层220p和第二遮光层220q可以构成遮光部件220。第一遮光层220p可以整***于基板100之上，第二遮光层220q可以部分位于基板100之上。因此，遮光部件220可以根据位置具有不同的厚度。第一遮光层220p和第二遮光层220q重叠的遮光部件220的部分可以具有相对厚的厚度。仅配置有第一遮光层220p且不配置有第二遮光层220q的遮光部件220的部分可以具有相对薄的厚度。
接着，将参照图14说明根据一实施例的显示装置，其如下。
根据图14所示的实施例的显示装置与根据图9所示的实施例的显示装置相同的部分很多，因此将省略对相同的部分的说明。在本实施例中，在遮光部件根据位置具有不同的浓度的方面上与先前的实施例不同，将在下面进一步说明。
图14是根据一实施例的显示装置的截面图。
如图14所示，根据一实施例的显示装置包括基板100、晶体管TFT、像素电极191、发光层350以及公共电极270。像素电极191、发光层350以及公共电极270可以构成发光元件LED。在公共电极270之上可以配置有封装层400，在封装层400之上可以配置有感测电极520、540。在感测电极520、540之上可以配置有遮光部件220。
遮光部件220可以配置为与感测电极520、540重叠，并且还与发光层350以及像素电极191重叠。遮光部件220可以整***于基板100之上。通过遮光部件220可以防止从外部入射到显示装置的光被反射而被识别。
在本实施例中，遮光部件220可以由双层构成。遮光部件220可以包括第一遮光层220p以及位于第一遮光层220p之上的第二遮光层220q。第一遮光层220p可以位于感测电极520、540和第二遮光层220q之间。第一遮光层220p可以整***于基板100之上。因此，第一遮光层220p可以与发光层350以及像素电极191重叠，并且可以与感测电极520、540重叠。即，第一遮光层220p可以与从各像素的发光元件LED发射光的区域以及像素的边界部均重叠。第二遮光层220q可以仅位于一部分区域。第二遮光层220q可以与感测电极520、540重叠，并且可以与发光层350以及像素电极191不重叠。
遮光部件220的第一遮光层220p的浓度可以与第二遮光层220q的浓度不同。第二遮光层220q的浓度可以高于第一遮光层220p的浓度。与发光层350以及像素电极191重叠的遮光部件220的部分可以仅由第一遮光层220p构成。通过以降低第一遮光层220p的浓度且增加厚度的方式形成，可以保持显示装置的透射率的同时阻断外部光的反射，并且可以提高耐冲击性。与发光层350以及像素电极191不重叠的遮光部件220的部分可以包括第一遮光层220p以及第二遮光层220q。相应区域作为与配线重叠的区域，即使提高遮光部件220的光密度，也可能不会对显示装置的透射率带来影响。因此，可以保持显示装置的透射率的同时进一步阻断外部光的反射，并且可以进一步提高耐冲击性。即，根据本实施例的显示装置，通过将遮光部件220的浓度以及厚度构成为二元化，可以提高显示装置的透射率的同时阻断外部光的反射，并且可以提高耐冲击性。
在上面，说明为浓度相对高的第二遮光层220q位于浓度相对低的第一遮光层220p之上，但不限于此。相反，浓度相对低的第一遮光层220p也可以位于浓度相对高的第二遮光层220q之上。此时，第一遮光层220p可以由覆盖第二遮光层220q的整体的形态构成。即，第一遮光层220p可以覆盖第二遮光层220q的上面以及侧面。
接着，将参照图15说明根据一实施例的显示装置，其如下。
根据图15所示的实施例的显示装置与根据图9所示的实施例的显示装置相同的部分很多，因此将省略对相同的部分的说明。在本实施例中，遮光部件的位置与先前的实施例不同，将在下面进一步说明。
图15是根据一实施例的显示装置的截面图。
如图15所示，根据一实施例的显示装置包括基板100、晶体管TFT、像素电极191、发光层350以及公共电极270。像素电极191、发光层350以及公共电极270可以构成发光元件LED。在公共电极270之上可以配置有封装层400，在封装层400之上可以配置有感测电极520、540。
在公共电极270和封装层400之间可以配置有遮光部件220。遮光部件220可以位于公共电极270之上，封装层400可以位于遮光部件220之上。然而，遮光部件220的位置不限于此，可以进行各种改变。例如，遮光部件220也可以位于构成封装层400的第一无机封装层410和有机封装层420之间。
遮光部件220可以配置为与感测电极520、540重叠，并且还与发光层350以及像素电极191重叠。遮光部件220可以整***于基板100之上。通过遮光部件220可以防止从外部入射到显示装置的光被反射而被识别。
遮光部件220可以根据位置具有不同的厚度。遮光部件220可以包括第一遮光部220a以及第二遮光部220b。第一遮光部220a的厚度可以大于第二遮光部220b的厚度。第一遮光部220a可以与从各像素的发光元件LED发射光的区域之间的部分，即可以与像素的边界部重叠。第一遮光部220a可以与发光层350以及像素电极191不重叠。第二遮光部220b可以与发光层350以及像素电极191重叠。第二遮光部220b可以与从各像素的发光元件LED发射光的区域重叠。第二遮光部220b可以与感测电极520、540不重叠。根据本实施例的显示装置，通过将遮光部件220的厚度构成为二元化，可以提高显示装置的透射率的同时阻断外部光的反射，并且可以提高耐冲击性。
以上，针对本发明的实施例详细地进行了说明，但是本发明的权利范围不限于此，本领域技术人员利用权利要求书中所定义的本发明的基本概念进行的多种变形和改良形式也属于本发明的权利范围。

Claims (20)

1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
基板，
晶体管，位于所述基板之上；
像素电极，与所述晶体管连接；
发光层，位于所述像素电极之上；
公共电极，位于所述发光层之上；以及
遮光部件，位于所述公共电极之上，
所述遮光部件与所述发光层的整个区域重叠。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述遮光部件整***于所述基板之上。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述遮光部件与所述像素电极重叠。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述显示装置还包括：
封装层，位于所述公共电极之上；以及
感测电极，位于所述封装层之上。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述遮光部件位于所述感测电极之上，
所述遮光部件与所述感测电极进一步重叠。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述遮光部件位于所述公共电极和所述封装层之间，
所述遮光部件与所述感测电极进一步重叠。
7.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述遮光部件位于所述封装层内。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，
所述封装层包括多个层，
所述遮光部件位于所述封装层的所述多个层之间。
9.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述遮光部件位于所述封装层和所述感测电极之间。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述遮光部件包括：
第一遮光部，具有第一厚度；以及
第二遮光部，具有第二厚度，
所述第一厚度大于所述第二厚度。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，
所述显示装置包括多个像素，
所述第一遮光部与所述多个像素的边界部重叠，
所述第二遮光部与所述多个像素重叠。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，
所述第一遮光部与所述发光层不重叠，
所述第二遮光部与所述发光层重叠。
13.根据权利要求10所述的显示装置，其中，
所述显示装置还包括：
封装层，位于所述公共电极之上；以及
感测电极，位于所述封装层之上。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，
所述遮光部件位于所述感测电极之上，
所述第一遮光部与所述感测电极重叠，
所述第二遮光部与所述像素电极重叠。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，
所述遮光部件的所述第一遮光部以及所述第二遮光部由单层构成，并利用半色调掩模来形成。
16.根据权利要求14所述的显示装置，其中，
所述遮光部件的第一遮光部由多层构成，
所述遮光部件的第二遮光部由单层构成。
17.根据权利要求13所述的显示装置，其中，
所述遮光部件位于所述公共电极和所述封装层之间，
所述第一遮光部与所述感测电极重叠，
所述第二遮光部与所述像素电极重叠。
18.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述遮光部件包括：
第一遮光层，以及
第二遮光层，位于所述第一遮光层之上。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，
所述第二遮光层的浓度高于所述第一遮光层的浓度。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，
所述第一遮光层整***于所述基板之上，
所述第二遮光层与所述发光层不重叠。
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