KR102224705B1 - 유기전계발광표시장치용 금속마스크 세정방법 및 이를 이용한 금속마스크 - Google Patents
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Abstract
환경 이물 또는 유기 발광체 물질이 부착된 금속 마스크를 제공하는 단계 및 상기 금속 마스크를 전해액에 담근 후, 상기 전해액에 담기는 전극에 전류를 공급하는 단계를 포함하고, 상기 전류는 펄스 방식 또는 역 펄스 방식으로 공급되는 유기전계발광표시장치 제조 공정에서 사용되는 금속 마스크를 세정하는 방법 및 상기 방법으로 세정된 금속 마스크가 제공된다.
Description
본 기재는 유기전계발광표시장치 제조 공정에서 사용되는 금속 마스크를 세정하는 방법 및 상기방법으로 세정된 금속 마스크에 관한 것이다.
영상 정보를 출력하는 표시장치에 대한 요구도 다양한 형태로 증가되고 있으며, 이에 따라 LCD(Liquid Crystal Display, 이하 액정 표시 장치)나 PDP(Plasma Display Panel), OLED(Organic Luminescent Emission Diode, 이하 유기전계발광 표시장치), VFD(Vacuum Fluorescent Display) 등의 여러 가지 평판 표시 장치가 연구 개발되어 활용되고 있다.
이러한 평판 표시 장치 가운데에서도, 유기전계발광 표시장치는 전자와 정공의 재결합(recombination)으로 형광체를 발광시키는 자발광 소자인 유기 발광층을 이용한 것으로, 콘트라스트 비(Contrast Ratio)와 응답 속도(response time) 등의 표시 특성이 우수하며, 플렉서블 디스플레이(Flexible Display)의 구현이 용이하여 가장 이상적인 차세대 디스플레이로 주목받고 있다.
유기전계발광 표시장치는 다수의 화소 영역이 매트릭스 형태로 배열되어 구성되며, 각각의 화소 영역에는 각 화소를 구동하기 위한 구동 소자와 같은 마이크로 패턴이 형성되어져 있다.
이 때, 빛을 발광하는 유기 발광층의 경우, 내화학성이 취약한 유기 물질로 이루어지기 때문에 종래와 같은 노광 및 식각을 이용하는 포토리소그래피 방법이 아닌 유기 물질을 기화시킨 후, 유기발광 표시소자 증착용 마스크를 이용하여 선택적으로 기판에 증착하여 형성한다. 그러나, 증착 과정에서 기판을 선택적으로 스크리닝(screening)하는 유기전계발광 표시장치 증착용 마스크의 표면에도 유기 물질이 증착되기 때문에, 일정한 공정 횟수가 지난 이후에는 유기전계발광 표시장치 증착용 마스크를 세정하는 것이 필수적으로 요구되어 진다.
유기전계발광 표시장치에서 애노드 전극은 기판 상에 노광 및 에칭 공정을 포함하는 리소그래피에 의해 형성되고, 유기 박막과 캐소드 전극은 금속으로 이루어진 증착 마스크를 이용하여 애노드 전극이 형성된 기판 상에 증착되어 형성된다.
그런데 상기와 같은 증착 마스크를 이용하여 여러 번의 증착을 수행하는 경우, 증착 마스크의 표면에 유기물 등의 증착 물질이 퇴적하게 되고, 증착 물질이 퇴적된 증착 마스크를 계속 방치하게 되면 챔버 내의 오염으로 이어지게 된다.
또한, 금속 박판으로 이루어지는 증착 마스크는 퇴적된 증착 물질의 무게에 의해 휘게 되어, 패턴의 정밀도에 영향을 미치게 된다. 따라서 증착 마스크에 퇴적된 증착 물질을 정기적으로 제거하는 작업이 필요하다.
일 구현예는 수소가스 제거를 통한 분극현상을 최소화하여, 안정적인 세정력을 확보할 수 있는 유기전계발광표시장치 제조 공정에서 사용되는 금속 마스크를 세정하는 방법을 제공하기 위한 것이다.
다른 일 구현예는 상기 세정방법으로 세정된 금속 마스크를 제공하기 위한 것이다.
일 구현예는 환경 이물 또는 유기 발광체 물질이 부착된 금속 마스크를 제공하는 단계 및 상기 금속 마스크를 전해액에 담근 후, 상기 전해액에 담기는 전극에 전류를 공급하는 단계를 포함하고, 상기 전류는 펄스 방식 또는 역 펄스 방식으로 공급되는 유기전계발광표시장치 제조 공정에서 사용되는 금속 마스크를 세정하는 방법을 제공한다.
상기 전해액의 온도는 20℃ 내지 100℃일 수 있다.
상기 전류는 1.5A/dm2 내지 25A/dm2의 전류밀도를 가질 수 있다.
상기 세정 시간은 3분 내지 120분일 수 있다.
상기 세정하는 방법은 버블 공급 장치에 의한 버블을 추가로 부여하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 세정하는 방법은 초음파 발생기에 의한 초음파를 추가로 부여하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 금속 마스크는 인바 또는 스테인레스강으로 이루어지고, 상기 전해액은 알카리염, 수용성 유기산염 및 상기 금속 마스크의 손상을 감소시키는 인히비터를 포함하고, 상기 인히비터는 티오요소, 123-벤조트리아졸 또는 피리딘계 화합물을 포함할 수 있다.
상기 알카리염은 수산화염, 탄산염, 규산염 또는 인산염을 포함하고, 상기 유기산염은 구연산염, 호박산염, 아세트산염 또는 그리콜산염을 포함할 수 있다.
상기 금속 마스크를 제공하는 단계는 유기전계발광표시장치를 형성하기 위한 기판 상에 상기 금속 마스크를 배치하는 단계; 상기 금속 마스크를 이용하여, 상기 기판 상에 상기 유기 물질로 이루어진 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 금속 마스크를 상기 기판으로부터 이격시키는 단계를 포함할 수 있다.
다른 일 구현예는 상기 금속 마스크를 세정하는 방법으로 세정된 금속 마스크를 제공한다.
기타 본 발명의 측면들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명에 포함되어 있다.
일 구현예에 따른 세정방법에 의하면, 마스크 세정과 수소가스 제거를 동시에 수행할 수 있어, 분극현상 최소화를 꾀하여 안정적인 세정력을 확보할 수 있다.
도 1은 펄스 방식을 적용하는 경우의 정류기 파형을 나타낸 그림이다.
도 2는 역 펄스 방식을 적용하는 경우의 정류기 파형을 나타낸 그림이다.
도 3은 기존의 직류(DC) 방식을 적용하는 경우의 정류기 파형을 나타낸 그림이다.
도 4는 온도 변화에 따른 포토 레지스트 잔사 제거율을 나타낸 그래프이다.
도 5는 전류 변화에 따른 포토 레지스트 잔사 제거율을 나타낸 그래프이다.
도 6은 시간 변화에 따른 포토 레지스트 잔사 제거율을 나타낸 그래프이다.
도 2는 역 펄스 방식을 적용하는 경우의 정류기 파형을 나타낸 그림이다.
도 3은 기존의 직류(DC) 방식을 적용하는 경우의 정류기 파형을 나타낸 그림이다.
도 4는 온도 변화에 따른 포토 레지스트 잔사 제거율을 나타낸 그래프이다.
도 5는 전류 변화에 따른 포토 레지스트 잔사 제거율을 나타낸 그래프이다.
도 6은 시간 변화에 따른 포토 레지스트 잔사 제거율을 나타낸 그래프이다.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
본 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
유기전계발광 표시장치(organic electro luminescence display device, 이하 유기EL)를 형성하는 공정은 기판 상에 여러 물질들의 증착 및 패터닝 공정을 포함한다.
특히, 상기 유기EL을 형성하기 위해서, 기판(예를 들어, 유리기판) 상에 적색, 녹색 및 청색 등의 광을 발생시키는 유기 발광체 패턴이 형성되어야 한다.
이때, 상기 기판 상에 금속 마스크가 배치되고, 상기 금속 마스크를 사용하여, 상기 유기 발광체 패턴이 형성된다.
상기 금속 마스크는 도전체이며, 인바(invar) 또는 스테인레스강으로 이루어진다. 상기 금속 마스크에는 상기 유기 발광체 패턴에 대응하는 다수 개의 홀 패턴이 형성되어 있다.
이때, 상기 금속 마스크에 환경 이물이 부착되어서, 상기 기판상에 형성하고자 하는 패턴과 다른 유기 발광체 패턴이 형성될 수 있다.
상기 환경 이물의 예로서는 상기 금속 마스크를 제조하기 위해서 사용되는 포토레지스트의 잔유물, 상기 금속 마스크를 포장하기 위해서 사용되는 테이프의 잔유물, 이동 또는 세정과정에서 부착될 수 있는 잔유물 등을 들 수 있다.
또한, 상기 금속 마스크는 상기 유기 발광체 패널을 형성하기 위해서 여러 번 사용될 수 있다. 이때, 상기 금속 마스크에는 상기 유기 발광체 패턴으로 사용되는 물질이 부착되어, 유기EL의 제조에 있어서, 불량을 유발할 수 있다.
이외에도, 상기 금속 마스크에는 여러가지 물질이 부착될 수 있다.
따라서, 상기 금속 마스크를 세정하기 위한 여러 방법들이 제안되었으며, 금속 마스크는 일반적으로 전원공급장치 내에서 세정한다. 구체적으로, Cathode 단자를 통해서 세정하고자 하는 금속 마스크에 DC 전압(음의 전압)을 인가하고, Anode 전극에 DC 전압(양의 전압)을 인가하는데, 이와는 다르게, 상기 금속 마스크에 양의 전압이 인가되고, 상기 전극에 음의 전압이 인가될 수도 있다. 이 때, 상기 전극으로 사용될 수 있는 물질의 예로서는 이리듐 옥사이드, 티타늄, 백금 또는 니켈 등을 들 수 있다. 기존에는 전류를 일정한 시간동안 연속으로 공급하여 마스크를 세정하는데(DC 방식; 도 3 참조), 이와 같이 전류를 연속으로 공급하게 되면 금속 마스크 표면에서 발생한 수소가스가 막을 형성(2H+ + 2e →H2)하여 전류효율이 낮아지고, 그에 따라 세정력도 감소(분극현상)하게 되어, 금속 마스크의 깨끗한 세정이 이루어지는 데 부족한 측면이 있어, 금속 마스크를 재사용하는데 큰 어려움이 있다.
그러나, 일 구현예에 따르면, 기존의 DC 방식이 아닌, 펄스 방식 또는 역 펄스 방식으로 전류를 공급함으로써 금속 마스크 표면에서 발생한 수소가스가 제거될 시간을 주어, 분극현상 발생을 최소화해 금속 마스크의 안정적인 세정력을 확보할 수 있다.
구체적으로, 일 구현예는 환경 이물 또는 유기 발광체 물질이 부착된 금속 마스크를 제공하는 단계 및 상기 금속 마스크를 전해액에 담근 후, 상기 전해액에 담기는 전극에 전류를 공급하는 단계를 포함하고, 상기 전류는 펄스 방식으로 공급되는 유기전계발광표시장치 제조 공정에서 사용되는 금속 마스크를 세정하는 방법을 제공한다. (도 1 참조)
상기 펄스 방식은 전류를 “일정 시간 공급, 일정 시간 정지, 일정 시간 공급”하는 단계를 반복하여 금속 마스크를 세정하는 것으로서, 전류를 공급, 정지, 공급하는 것을 반복하면 전류가 공급되는 구간에서는 음극(금속 마스크) 표면에서 수소가스가 발생하여 금속 마스크를 세정하고, 전류의 공급이 정지된 구간에서는 수소가스가 제거될 시간을 주어 분극현상 발생을 최소하여, 안정적인 세정력 확보할 수 있게 된다.
또한 일 구현예는 환경 이물 또는 유기 발광체 물질이 부착된 금속 마스크를 제공하는 단계 및 상기 금속 마스크를 전해액에 담근 후, 상기 전해액에 담기는 전극에 전류를 공급하는 단계를 포함하고, 상기 전류는 역 펄스 방식으로 공급되는 유기전계발광표시장치 제조 공정에서 사용되는 금속 마스크를 세정하는 방법을 제공한다. (도 2 참조)
상기 역 펄스 방식은 역방향 전류를 매우 짧게 공급하여 금속 마스크에 양의 전압을 순간적으로 인가하는 것으로서, 금속 마스크에 양의 전압이 순간적으로 인가되면 금속 마스크 표면을 매우 미세하게 연마하는 효과를 주어 이물 및 산화피막이 제거될 수 있다. 또한, 수소가스가 제거되는 시간을 가질 수 있어 분극현상 또한 최소화할 수 있다. 매우 짧은 시간의 역방향 전류 공급 이후에는 다시 정향방 전류가 흐르는 과정을 반복하여 금속 마스크를 세정하게 된다.
상기 전해액의 온도는 20℃ 내지 100℃일 수 있고, 이 때 상기 전류는 1.5A/dm2 내지 25A/dm2의 전류밀도를 가질 수 있으며, 동시에 상기 세정 시간은 3분 내지 120분일 수 있다. 일 구현예에 따른 금속 마스크 세정방법이 상기 전해액의 온도, 상기 전류밀도 및 상기 세정 시간의 범위 내에서 이루어질 경우, 포토 레지스트 잔사가 99% 이상 제거될 수 있어, 금속 마스크의 세정력을 극대화시킬 수 있다. 구체적으로 상기 전해액의 온도, 상기 전류밀도 및 상기 세정 시간의 범위 내에서 금속 마스크의 세정이 이루어져야, 상기 전해액에 대한 금속 마스크 표면의 이물 등의 용해도가 충분히 높은 상태로 유지(전기적으로 분해되기에 좋은 상태로 유지)되어, 금속 마스크의 세정력이 극대화될 수 있다.
예컨대, 상기 세정하는 방법은 버블 공급 장치에 의한 버블을 추가로 부여하는 단계를 더 포함할 수 있다.
예컨대, 상기 세정하는 방법은 초음파 발생기에 의한 초음파를 추가로 부여하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 구현예에 따른 금속 마스크 세정방법이 상기 버블이나 초음파 부여 단계를 더 포함할 경우, 보다 효율적으로 유기물 등의 금속 마스크 증착물질을 제거할 수 있다.
상기 금속 마스크는 인바 또는 스테인레스강으로 이루어지고, 상기 전해액은 알카리염, 수용성 유기산염 및 상기 금속 마스크의 손상을 감소시키는 인히비터를 포함하고, 상기 인히비터는 티오요소, 123-벤조트리아졸 또는 피리딘계 화합물을 포함할 수 있다.
상기 알카리염은 수산화염, 탄산염, 규산염 또는 인산염을 포함할 수 있다. 여기서, 염은 나트륨, 칼륨 등과 같은 알칼리 금속 또는 칼슘 및 바륨 등과 같은 알칼리 토족 금속을 지칭할 수 있다. 또한, 염은 암모늄 등을 지칭할 수 있다. 상기 알칼리염은 전해에 의해서, 상기 유기 물질을 제거하는 강한 전도성 이온을 형성한다. 또한, 상기 알칼리염은 상기 전해액이 높은 알칼리성을 가지게 한다.
상기 유기산염은 구연산염, 호박산염, 아세트산염 또는 그리콜산염을 포함할 수 있다. 상기 수용성 유기염은 상기 전해액의 pH가 급격하게 변하는 것을 방지하는 버퍼 기능을 수행한다. 또한, 상기 수용성 유기염은 보조적으로 상기 환경 이물 또는 유기 발광체 물질을 제거한다. 또한, 상기 수용성 유기염은 금속 이온의 수산화 침전을 방지하여, 상기 전해액의 세정 효과를 지속시키는 기능을 수행한다.
상기 인히비터는 상기 금속 마스크의 표면이 상기 전해액에 의해서 부식 또는 과반응으로 손상되는 것을 방지한다. 상기 인히비터는 티오요소, 123-벤조트리아졸 또는 피리딘계 화합물들을 포함할 수 있는데, 이 때, 상기 피리딘계 화합물은 비공유 전자쌍을 가지는 질소 또는 황화합물일 수 있다.
추가적으로, 상기 전해액은 계면활성제 등을 포함할 수 있다. 상기 계면활성제는 유화 효과가 우수하고, 상기 유기 물질의 재접착을 방지한다.
예컨대, 상기 전해액은 약 20 g/l 내지 100 g/l의 수산화칼륨, 약 7 g/l 내지 50 g/l의 구연산 칼륨 및 약 0.08 g/l 내지 5 g/l의 티오요소를 포함할 수 있다.
예컨대, 상기 금속 마스크를 제공하는 단계는 유기전계발광표시장치를 형성하기 위한 기판 상에 상기 금속 마스크를 배치하는 단계; 상기 금속 마스크를 이용하여, 상기 기판 상에 상기 유기 물질로 이루어진 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 금속 마스크를 상기 기판으로부터 이격시키는 단계를 포함할 수 있다.
또 다른 일 구현예에 따르면, 상기 금속 마스크를 세정하는 방법으로 세정된 금속 마스크를 제공한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 기재한다. 다만, 하기의 실시예는 본 발명의 바람직한 일 실시예일뿐, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
(실시예)
세정력 평가
실시예 1
먼저, 전해액은 수용액 형태로서, 40g/l의 수산화칼륨, 10g/l의 구연산 칼륨, 0.1g/l의 티오요소를 포함한다.
또한, 전해액의 온도는 0℃에서 진행하였고, 전원공급장치를 통하여, 금속 마스크에 1.5A/dm2의 전류밀도의 전류가 펄스 방식으로 흐르도록 금속 마스크 및 전극에 전압이 인가되었다.
시간은 3분 동안 진행되었고, 금속 마스크에는 음의 전압이 인가되었다.
금속 마스크로는 인바로 이루어진 금속 마스크를 사용하였고, 금속 마스크에는 포토레지스트가 부착되었다.
실시예 2
전해액의 온도를 5℃로 한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.
실시예 3
전해액의 온도를 10℃로 한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.
실시예 4
전해액의 온도를 15℃로 한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.
실시예 5
전해액의 온도를 20℃로 한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.
실시예 6
전해액의 온도를 25℃로 한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.
실시예 7
전해액의 온도를 30℃로 한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.
실시예 8
전해액의 온도를 40℃로 한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.
실시예 9
전해액의 온도를 50℃로 한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.
실시예 10
전해액의 온도를 70℃로 한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.
실시예 11
전해액의 온도를 100℃로 한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.
실시예 12
전류 밀도를 0.1 A/dm2이 되도록 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.
실시예 13
전류 밀도를 0.3 A/dm2이 되도록 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.
실시예 14
전류 밀도를 0.5 A/dm2이 되도록 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.
실시예 15
전류 밀도를 1 A/dm2이 되도록 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.
실시예 16
전류 밀도를 2 A/dm2이 되도록 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.
실시예 17
전류 밀도를 5 A/dm2이 되도록 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.
실시예 18
전류 밀도를 10 A/dm2이 되도록 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.
실시예 19
전류 밀도를 15 A/dm2이 되도록 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.
실시예 20
전류 밀도를 20 A/dm2이 되도록 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.
실시예 21
전류 밀도를 25 A/dm2이 되도록 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.
실시예 22
세정 시간을 10초로 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.
실시예 23
세정 시간을 30초로 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.
실시예 24
세정 시간을 1분으로 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.
실시예 25
세정 시간을 2분으로 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.
실시예 26
세정 시간을 5분으로 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.
실시예 27
세정 시간을 10분으로 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.
실시예 28
세정 시간을 30분으로 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.
실시예 29
세정 시간을 60분으로 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.
실시예 30
세정 시간을 90분으로 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.
실시예 31
세정 시간을 120분으로 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.
실시예 1-1
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.
실시예 1-2
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 2와 동일하게 하였다.
실시예 1-3
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 3과 동일하게 하였다.
실시예 1-4
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 4와 동일하게 하였다.
실시예 1-5
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.
실시예 1-6
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 6과 동일하게 하였다.
실시예 1-7
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 7과 동일하게 하였다.
실시예 1-8
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 8과 동일하게 하였다.
실시예 1-9
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 9와 동일하게 하였다.
실시예 1-10
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 10과 동일하게 하였다.
실시예 1-11
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 11과 동일하게 하였다.
실시예 1-12
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 12와 동일하게 하였다.
실시예 1-13
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 13과 동일하게 하였다.
실시예 1-14
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 14와 동일하게 하였다.
실시예 1-15
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 15와 동일하게 하였다.
실시예 1-16
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 16과 동일하게 하였다.
실시예 1-17
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 17과 동일하게 하였다.
실시예 1-18
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 18과 동일하게 하였다.
실시예 1-19
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 19와 동일하게 하였다.
실시예 1-20
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 20과 동일하게 하였다.
실시예 1-21
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 21과 동일하게 하였다.
실시예 1-22
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 22와 동일하게 하였다.
실시예 1-23
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 23과 동일하게 하였다.
실시예 1-24
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 24와 동일하게 하였다.
실시예 1-25
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 25와 동일하게 하였다.
실시예 1-26
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 26과 동일하게 하였다.
실시예 1-27
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 27과 동일하게 하였다.
실시예 1-28
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 28과 동일하게 하였다.
실시예 1-29
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 29와 동일하게 하였다.
실시예 1-30
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 30과 동일하게 하였다.
실시예 1-31
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 31과 동일하게 하였다.
비교예 1
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.
비교예 2
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 2와 동일하게 하였다.
비교예 3
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 3과 동일하게 하였다.
비교예 4
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 4와 동일하게 하였다.
비교예 5
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.
비교예 6
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 6과 동일하게 하였다.
비교예 7
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 7과 동일하게 하였다.
비교예 8
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 8과 동일하게 하였다.
비교예 9
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 9와 동일하게 하였다.
비교예 10
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 10과 동일하게 하였다.
비교예 11
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 11과 동일하게 하였다.
비교예 12
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 12와 동일하게 하였다.
비교예 13
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 13과 동일하게 하였다.
비교예 14
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 14와 동일하게 하였다.
비교예 15
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 15와 동일하게 하였다.
비교예 16
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 16과 동일하게 하였다.
비교예 17
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 17과 동일하게 하였다.
비교예 18
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 18과 동일하게 하였다.
비교예 19
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 19와 동일하게 하였다.
비교예 20
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 20과 동일하게 하였다.
비교예 21
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 21과 동일하게 하였다.
비교예 22
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 22와 동일하게 하였다.
비교예 23
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 23과 동일하게 하였다.
비교예 24
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 24와 동일하게 하였다.
비교예 25
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 25와 동일하게 하였다.
비교예 26
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 26과 동일하게 하였다.
비교예 27
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 27과 동일하게 하였다.
비교예 28
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 28과 동일하게 하였다.
비교예 29
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 29와 동일하게 하였다.
비교예 30
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 30과 동일하게 하였다.
비교예 31
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 31과 동일하게 하였다.
평가: 세정력
SEM 장비를 통하여, 포토 레지스트 잔사 제거율을 기준으로 세정력(포토 레지스트 잔사 제거율)을 평가하였고, 그 결과를 하기 표 1 내지 표 9 및 도 4 내지 도 6에 나타내었다.
| 실시예 | |||||||||||
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | |
| 세정력(%) | 73 | 79 | 85 | 91 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 |
| 실시예 | ||||||||||
| 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | |
| 세정력(%) | 3 | 21 | 54 | 80 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 |
| 실시예 | ||||||||||
| 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | |
| 세정력(%) | 8 | 26 | 52 | 82 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 |
| 실시예 | |||||||||||
| 1-1 | 1-2 | 1-3 | 1-4 | 1-5 | 1-6 | 1-7 | 1-8 | 1-9 | 1-10 | 1-11 | |
| 세정력(%) | 81 | 85 | 90 | 95 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 |
| 실시예 | ||||||||||
| 1-12 | 1-13 | 1-14 | 1-15 | 1-16 | 1-17 | 1-18 | 1-19 | 1-20 | 1-21 | |
| 세정력(%) | 4 | 29 | 60 | 86 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 |
| 실시예 | ||||||||||
| 1-22 | 1-23 | 1-24 | 1-25 | 1-26 | 1-27 | 1-28 | 1-29 | 1-30 | 1-31 | |
| 세정력(%) | 9 | 35 | 66 | 90 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 |
| 비교예 | |||||||||||
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | |
| 세정력(%) | 59 | 67 | 72 | 75 | 83 | 83 | 84 | 84 | 85 | 87 | 88 |
| 비교예 | ||||||||||
| 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | |
| 세정력(%) | 1 | 14 | 47 | 65 | 83 | 85 | 86 | 84 | 88 | 90 |
| 비교예 | ||||||||||
| 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | |
| 세정력(%) | 4 | 14 | 40 | 67 | 84 | 84 | 84 | 85 | 86 | 87 |
상기 표 1 내지 표 9 및 도 4 내지 도 6으로부터, 일 구현예에 따른 세정방법을 사용하면 세정력이 우수해짐을 확인할 수 있다. 특히, 세정 온도, 전류 및 시간을 특정 범위로 한정함에 따라, 세정력을 극대화할 수 있음을 확인할 수 있다.
본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
Claims (11)
- 환경 이물 또는 유기 발광체 물질이 부착된 금속 마스크를 제공하는 단계 및
상기 금속 마스크를 전해액에 담근 후, 상기 전해액에 담기는 전극에 전류를 공급하는 단계를 포함하고,
상기 전류는 정방향의 전류 대비 역방향의 전류를 짧게 공급하는 역 펄스 방식으로 공급되는 유기전계발광표시장치 제조 공정에서 사용되는 금속 마스크를 세정하는 방법.
- 삭제
- 제1항에서,
상기 전해액의 온도는 20℃ 내지 100℃인 금속 마스크를 세정하는 방법.
- 제3항에서,
상기 전류는 1.5A/dm2 내지 25A/dm2의 전류밀도를 가지는 금속 마스크를 세정하는 방법.
- 제4항에서,
상기 세정 시간은 3분 내지 120분인 금속 마스크를 세정하는 방법.
- 제1항에서,
상기 세정하는 방법은 버블 공급 장치에 의한 버블을 추가로 부여하는 단계를 더 포함하는 금속 마스크를 세정하는 방법.
- 제1항에서,
상기 세정하는 방법은 초음파 발생기에 의한 초음파를 추가로 부여하는 단계를 더 포함하는 금속 마스크를 세정하는 방법.
- 제1항에서,
상기 금속 마스크는 인바 또는 스테인레스강으로 이루어지고,
상기 전해액은 알카리염, 수용성 유기산염 및 상기 금속 마스크의 손상을 감소시키는 인히비터를 포함하고,
상기 인히비터는 티오요소, 123-벤조트리아졸 또는 피리딘계 화합물을 포함하는 금속 마스크를 세정하는 방법.
- 제8항에서,
상기 알카리염은 수산화염, 탄산염, 규산염 또는 인산염을 포함하고, 상기 유기산염은 구연산염, 호박산염, 아세트산염 또는 그리콜산염을 포함하는 금속 마스크를 세정하는 방법.
- 제1항에서,
상기 금속 마스크를 제공하는 단계는
유기전계발광표시장치를 형성하기 위한 기판 상에 상기 금속 마스크를 배치하는 단계;
상기 금속 마스크를 이용하여, 상기 기판 상에 상기 유기 발광체 물질로 이루어진 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 금속 마스크를 상기 기판으로부터 이격시키는 단계를 포함하는 금속 마스크를 세정하는 방법.
- 제1항 및 제3항 내지 제10항 중 어느 한 항의 금속 마스크를 세정하는 방법으로 세정된 금속 마스크.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190034279A KR102224705B1 (ko) | 2019-03-26 | 2019-03-26 | 유기전계발광표시장치용 금속마스크 세정방법 및 이를 이용한 금속마스크 |
| CN202010092477.2A CN111748838A (zh) | 2019-03-26 | 2020-02-14 | 有机电致发光显示装置用金属掩膜清洗方法及利用它的金属掩膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190034279A KR102224705B1 (ko) | 2019-03-26 | 2019-03-26 | 유기전계발광표시장치용 금속마스크 세정방법 및 이를 이용한 금속마스크 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200113712A KR20200113712A (ko) | 2020-10-07 |
| KR102224705B1 true KR102224705B1 (ko) | 2021-03-08 |
Family
ID=72673083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020190034279A KR102224705B1 (ko) | 2019-03-26 | 2019-03-26 | 유기전계발광표시장치용 금속마스크 세정방법 및 이를 이용한 금속마스크 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102224705B1 (ko) |
| CN (1) | CN111748838A (ko) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102625259B1 (ko) * | 2021-10-12 | 2024-01-16 | (주)디바이스이엔지 | 마스크 세정 장치의 전해 세정 시스템 |
| CN114457343A (zh) * | 2022-01-25 | 2022-05-10 | 全洋(黄石)材料科技有限公司 | 一种连续式amoled金属掩膜板自动智能清洗工艺 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1078000A (zh) * | 1992-04-21 | 1993-11-03 | 铁道部科学研究院铁道继续教育中心 | 金属表面周期反向脉冲电化学清洗 |
| JP2000045100A (ja) * | 1998-07-24 | 2000-02-15 | Nippon Steel Corp | ステンレス鋼板の電解脱スケール方法 |
| KR100948395B1 (ko) * | 2008-05-23 | 2010-03-23 | 풍원화학(주) | 유기전계발광표시장치 제조공정에서 사용되는 도전부재를세정하기 위한 세정장치, 세정방법 및 전해세정약품 |
| JP2013071062A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Toho Technology Corp | 蒸着マスク洗浄装置、蒸着マスク洗浄システムおよび蒸着マスク洗浄方法 |
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| CN104409328B (zh) * | 2014-11-21 | 2018-01-30 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 掩膜板的清洗方法及清洗装置 |
| KR20180138110A (ko) * | 2017-06-20 | 2018-12-28 | 주식회사 다원시스 | 마스크의 세정 장치 및 마스크 세정 방법 |
-
2019
- 2019-03-26 KR KR1020190034279A patent/KR102224705B1/ko active IP Right Grant
-
2020
- 2020-02-14 CN CN202010092477.2A patent/CN111748838A/zh active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002023347A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-01-23 | Mitsubishi Electric Corp | 露光用マスクの洗浄装置、これを用いた洗浄方法、及び洗浄した露光用マスクを用いてパターン転写した半導体装置 |
| JP2008211145A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-11 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスク洗浄方法及びフォトマスク洗浄装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20200113712A (ko) | 2020-10-07 |
| CN111748838A (zh) | 2020-10-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
| GRNT | Written decision to grant |