KR102224705B1 - The cleaning method of metal mask for organic electroluminescent device and metal mask using the same - Google Patents
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Abstract
환경 이물 또는 유기 발광체 물질이 부착된 금속 마스크를 제공하는 단계 및 상기 금속 마스크를 전해액에 담근 후, 상기 전해액에 담기는 전극에 전류를 공급하는 단계를 포함하고, 상기 전류는 펄스 방식 또는 역 펄스 방식으로 공급되는 유기전계발광표시장치 제조 공정에서 사용되는 금속 마스크를 세정하는 방법 및 상기 방법으로 세정된 금속 마스크가 제공된다.Providing a metal mask to which an environmental foreign substance or organic light-emitting material is attached, and after immersing the metal mask in an electrolyte, supplying a current to an electrode immersed in the electrolyte, wherein the current is a pulse method or a reverse pulse method. A method of cleaning a metal mask used in a manufacturing process of an organic light emitting display device supplied to the organic light emitting display device, and a metal mask cleaned by the method are provided.
Description
본 기재는 유기전계발광표시장치 제조 공정에서 사용되는 금속 마스크를 세정하는 방법 및 상기방법으로 세정된 금속 마스크에 관한 것이다.The present disclosure relates to a method for cleaning a metal mask used in a manufacturing process of an organic light emitting display device and a metal mask cleaned by the method.
영상 정보를 출력하는 표시장치에 대한 요구도 다양한 형태로 증가되고 있으며, 이에 따라 LCD(Liquid Crystal Display, 이하 액정 표시 장치)나 PDP(Plasma Display Panel), OLED(Organic Luminescent Emission Diode, 이하 유기전계발광 표시장치), VFD(Vacuum Fluorescent Display) 등의 여러 가지 평판 표시 장치가 연구 개발되어 활용되고 있다.The demand for display devices that output image information is also increasing in various forms, and accordingly, liquid crystal display (LCD), plasma display panel (PDP), organic luminescent emission diode (OLED), organic electroluminescence Display devices), VFD (Vacuum Fluorescent Display), and other flat panel display devices have been researched and developed and used.
이러한 평판 표시 장치 가운데에서도, 유기전계발광 표시장치는 전자와 정공의 재결합(recombination)으로 형광체를 발광시키는 자발광 소자인 유기 발광층을 이용한 것으로, 콘트라스트 비(Contrast Ratio)와 응답 속도(response time) 등의 표시 특성이 우수하며, 플렉서블 디스플레이(Flexible Display)의 구현이 용이하여 가장 이상적인 차세대 디스플레이로 주목받고 있다.Among these flat panel display devices, the organic light emitting display device uses an organic light emitting layer, which is a self-luminous element that emits phosphor through recombination of electrons and holes, and has a contrast ratio and response time. It is attracting attention as the most ideal next-generation display due to its excellent display characteristics and easy implementation of a flexible display.
유기전계발광 표시장치는 다수의 화소 영역이 매트릭스 형태로 배열되어 구성되며, 각각의 화소 영역에는 각 화소를 구동하기 위한 구동 소자와 같은 마이크로 패턴이 형성되어져 있다.The organic light emitting display device is configured by arranging a plurality of pixel regions in a matrix form, and a micro pattern such as a driving element for driving each pixel is formed in each pixel region.
이 때, 빛을 발광하는 유기 발광층의 경우, 내화학성이 취약한 유기 물질로 이루어지기 때문에 종래와 같은 노광 및 식각을 이용하는 포토리소그래피 방법이 아닌 유기 물질을 기화시킨 후, 유기발광 표시소자 증착용 마스크를 이용하여 선택적으로 기판에 증착하여 형성한다. 그러나, 증착 과정에서 기판을 선택적으로 스크리닝(screening)하는 유기전계발광 표시장치 증착용 마스크의 표면에도 유기 물질이 증착되기 때문에, 일정한 공정 횟수가 지난 이후에는 유기전계발광 표시장치 증착용 마스크를 세정하는 것이 필수적으로 요구되어 진다.At this time, in the case of the organic light emitting layer that emits light, the organic light emitting layer is made of an organic material having poor chemical resistance, so after vaporizing an organic material other than the conventional photolithography method using exposure and etching, an organic light emitting display device deposition mask is used. It is formed by selectively depositing on a substrate by using. However, since organic materials are also deposited on the surface of the organic light emitting display device deposition mask that selectively screens the substrate during the deposition process, cleaning the organic light emitting display device deposition mask after a certain number of processes has elapsed. It is essential that it is required.
유기전계발광 표시장치에서 애노드 전극은 기판 상에 노광 및 에칭 공정을 포함하는 리소그래피에 의해 형성되고, 유기 박막과 캐소드 전극은 금속으로 이루어진 증착 마스크를 이용하여 애노드 전극이 형성된 기판 상에 증착되어 형성된다.In an organic light emitting display device, an anode electrode is formed on a substrate by lithography including exposure and etching processes, and an organic thin film and a cathode electrode are deposited on the substrate on which the anode electrode is formed using a deposition mask made of metal. .
그런데 상기와 같은 증착 마스크를 이용하여 여러 번의 증착을 수행하는 경우, 증착 마스크의 표면에 유기물 등의 증착 물질이 퇴적하게 되고, 증착 물질이 퇴적된 증착 마스크를 계속 방치하게 되면 챔버 내의 오염으로 이어지게 된다.However, when multiple depositions are performed using the deposition mask as described above, deposition materials such as organic materials are deposited on the surface of the deposition mask, and if the deposition mask on which the deposition material is deposited is left unattended, contamination in the chamber will result. .
또한, 금속 박판으로 이루어지는 증착 마스크는 퇴적된 증착 물질의 무게에 의해 휘게 되어, 패턴의 정밀도에 영향을 미치게 된다. 따라서 증착 마스크에 퇴적된 증착 물질을 정기적으로 제거하는 작업이 필요하다.In addition, the evaporation mask made of a thin metal plate is bent by the weight of the deposited evaporation material, thereby affecting the precision of the pattern. Therefore, it is necessary to regularly remove the evaporation material deposited on the evaporation mask.
일 구현예는 수소가스 제거를 통한 분극현상을 최소화하여, 안정적인 세정력을 확보할 수 있는 유기전계발광표시장치 제조 공정에서 사용되는 금속 마스크를 세정하는 방법을 제공하기 위한 것이다.An embodiment is to provide a method of cleaning a metal mask used in a manufacturing process of an organic light emitting display device capable of securing stable cleaning power by minimizing polarization through removal of hydrogen gas.
다른 일 구현예는 상기 세정방법으로 세정된 금속 마스크를 제공하기 위한 것이다.Another embodiment is to provide a metal mask cleaned by the cleaning method.
일 구현예는 환경 이물 또는 유기 발광체 물질이 부착된 금속 마스크를 제공하는 단계 및 상기 금속 마스크를 전해액에 담근 후, 상기 전해액에 담기는 전극에 전류를 공급하는 단계를 포함하고, 상기 전류는 펄스 방식 또는 역 펄스 방식으로 공급되는 유기전계발광표시장치 제조 공정에서 사용되는 금속 마스크를 세정하는 방법을 제공한다.One embodiment includes the steps of providing a metal mask to which an environmental foreign substance or an organic light-emitting material is attached, and after immersing the metal mask in an electrolyte, supplying a current to an electrode immersed in the electrolyte, wherein the current is pulsed. Alternatively, a method of cleaning a metal mask used in a manufacturing process of an organic light emitting display device supplied in a reverse pulse method is provided.
상기 전해액의 온도는 20℃ 내지 100℃일 수 있다.The temperature of the electrolyte solution may be in the range of 20 ℃ to 100 ℃.
상기 전류는 1.5A/dm2 내지 25A/dm2의 전류밀도를 가질 수 있다.The current may have a current density of 1.5A/dm 2 to 25A/dm 2.
상기 세정 시간은 3분 내지 120분일 수 있다.The cleaning time may be 3 minutes to 120 minutes.
상기 세정하는 방법은 버블 공급 장치에 의한 버블을 추가로 부여하는 단계를 더 포함할 수 있다.The cleaning method may further include the step of providing additional bubbles by a bubble supply device.
상기 세정하는 방법은 초음파 발생기에 의한 초음파를 추가로 부여하는 단계를 더 포함할 수 있다.The cleaning method may further include applying ultrasonic waves by an ultrasonic generator.
상기 금속 마스크는 인바 또는 스테인레스강으로 이루어지고, 상기 전해액은 알카리염, 수용성 유기산염 및 상기 금속 마스크의 손상을 감소시키는 인히비터를 포함하고, 상기 인히비터는 티오요소, 123-벤조트리아졸 또는 피리딘계 화합물을 포함할 수 있다.The metal mask is made of invar or stainless steel, the electrolyte solution includes an alkali salt, a water-soluble organic acid salt, and an inhibitor to reduce damage to the metal mask, and the inhibitor is thiourea, 123-benzotriazole or pyridine It may contain a system compound.
상기 알카리염은 수산화염, 탄산염, 규산염 또는 인산염을 포함하고, 상기 유기산염은 구연산염, 호박산염, 아세트산염 또는 그리콜산염을 포함할 수 있다.The alkali salt may include hydroxide, carbonate, silicate or phosphate, and the organic acid salt may include citrate, succinate, acetate or glycolate.
상기 금속 마스크를 제공하는 단계는 유기전계발광표시장치를 형성하기 위한 기판 상에 상기 금속 마스크를 배치하는 단계; 상기 금속 마스크를 이용하여, 상기 기판 상에 상기 유기 물질로 이루어진 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 금속 마스크를 상기 기판으로부터 이격시키는 단계를 포함할 수 있다.Providing the metal mask may include disposing the metal mask on a substrate for forming an organic light emitting display device; Forming a pattern made of the organic material on the substrate by using the metal mask; And separating the metal mask from the substrate.
다른 일 구현예는 상기 금속 마스크를 세정하는 방법으로 세정된 금속 마스크를 제공한다.Another embodiment provides a metal mask cleaned by a method of cleaning the metal mask.
기타 본 발명의 측면들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명에 포함되어 있다.Other specifics of aspects of the present invention are included in the detailed description below.
일 구현예에 따른 세정방법에 의하면, 마스크 세정과 수소가스 제거를 동시에 수행할 수 있어, 분극현상 최소화를 꾀하여 안정적인 세정력을 확보할 수 있다. According to the cleaning method according to an embodiment, since mask cleaning and hydrogen gas removal can be performed at the same time, a polarization phenomenon can be minimized and a stable cleaning power can be secured.
도 1은 펄스 방식을 적용하는 경우의 정류기 파형을 나타낸 그림이다.
도 2는 역 펄스 방식을 적용하는 경우의 정류기 파형을 나타낸 그림이다.
도 3은 기존의 직류(DC) 방식을 적용하는 경우의 정류기 파형을 나타낸 그림이다.
도 4는 온도 변화에 따른 포토 레지스트 잔사 제거율을 나타낸 그래프이다.
도 5는 전류 변화에 따른 포토 레지스트 잔사 제거율을 나타낸 그래프이다.
도 6은 시간 변화에 따른 포토 레지스트 잔사 제거율을 나타낸 그래프이다.1 is a diagram showing a waveform of a rectifier when a pulse method is applied.
2 is a diagram showing a waveform of a rectifier when the reverse pulse method is applied.
3 is a diagram showing a waveform of a rectifier when a conventional direct current (DC) method is applied.
4 is a graph showing a photoresist residue removal rate according to a temperature change.
5 is a graph showing a photoresist residue removal rate according to a change in current.
6 is a graph showing a photoresist residue removal rate over time.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. However, this is presented as an example, and the present invention is not limited thereby, and the present invention is only defined by the scope of the claims to be described later.
본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.Embodiments of the present invention may be modified into various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. In addition, embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those with average knowledge in the art. Accordingly, the shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for clearer explanation, and elements indicated by the same reference numerals in the drawings are the same elements.
본 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout the present specification, when a certain part "includes" a certain component, it means that other components may be further included rather than excluding other components unless specifically stated to the contrary.
유기전계발광 표시장치(organic electro luminescence display device, 이하 유기EL)를 형성하는 공정은 기판 상에 여러 물질들의 증착 및 패터닝 공정을 포함한다.A process of forming an organic electroluminescence display device (hereinafter referred to as an organic EL) includes deposition and patterning of various materials on a substrate.
특히, 상기 유기EL을 형성하기 위해서, 기판(예를 들어, 유리기판) 상에 적색, 녹색 및 청색 등의 광을 발생시키는 유기 발광체 패턴이 형성되어야 한다.In particular, in order to form the organic EL, an organic light-emitting body pattern that generates red, green, and blue light must be formed on a substrate (eg, a glass substrate).
이때, 상기 기판 상에 금속 마스크가 배치되고, 상기 금속 마스크를 사용하여, 상기 유기 발광체 패턴이 형성된다.In this case, a metal mask is disposed on the substrate, and the organic light-emitting body pattern is formed using the metal mask.
상기 금속 마스크는 도전체이며, 인바(invar) 또는 스테인레스강으로 이루어진다. 상기 금속 마스크에는 상기 유기 발광체 패턴에 대응하는 다수 개의 홀 패턴이 형성되어 있다.The metal mask is a conductor and is made of invar or stainless steel. A plurality of hole patterns corresponding to the organic light-emitting body pattern are formed in the metal mask.
이때, 상기 금속 마스크에 환경 이물이 부착되어서, 상기 기판상에 형성하고자 하는 패턴과 다른 유기 발광체 패턴이 형성될 수 있다.In this case, environmental foreign matter is attached to the metal mask, so that an organic light-emitting body pattern different from the pattern to be formed on the substrate may be formed.
상기 환경 이물의 예로서는 상기 금속 마스크를 제조하기 위해서 사용되는 포토레지스트의 잔유물, 상기 금속 마스크를 포장하기 위해서 사용되는 테이프의 잔유물, 이동 또는 세정과정에서 부착될 수 있는 잔유물 등을 들 수 있다.Examples of the environmental foreign matter include residues of a photoresist used to manufacture the metal mask, residues of a tape used to wrap the metal mask, and residues that may be attached during a transfer or cleaning process.
또한, 상기 금속 마스크는 상기 유기 발광체 패널을 형성하기 위해서 여러 번 사용될 수 있다. 이때, 상기 금속 마스크에는 상기 유기 발광체 패턴으로 사용되는 물질이 부착되어, 유기EL의 제조에 있어서, 불량을 유발할 수 있다.In addition, the metal mask may be used several times to form the organic light emitting panel. In this case, a material used as the organic light-emitting body pattern is attached to the metal mask, and thus a defect may be caused in the manufacture of the organic EL.
이외에도, 상기 금속 마스크에는 여러가지 물질이 부착될 수 있다.In addition, various substances may be attached to the metal mask.
따라서, 상기 금속 마스크를 세정하기 위한 여러 방법들이 제안되었으며, 금속 마스크는 일반적으로 전원공급장치 내에서 세정한다. 구체적으로, Cathode 단자를 통해서 세정하고자 하는 금속 마스크에 DC 전압(음의 전압)을 인가하고, Anode 전극에 DC 전압(양의 전압)을 인가하는데, 이와는 다르게, 상기 금속 마스크에 양의 전압이 인가되고, 상기 전극에 음의 전압이 인가될 수도 있다. 이 때, 상기 전극으로 사용될 수 있는 물질의 예로서는 이리듐 옥사이드, 티타늄, 백금 또는 니켈 등을 들 수 있다. 기존에는 전류를 일정한 시간동안 연속으로 공급하여 마스크를 세정하는데(DC 방식; 도 3 참조), 이와 같이 전류를 연속으로 공급하게 되면 금속 마스크 표면에서 발생한 수소가스가 막을 형성(2H+ + 2e →H2)하여 전류효율이 낮아지고, 그에 따라 세정력도 감소(분극현상)하게 되어, 금속 마스크의 깨끗한 세정이 이루어지는 데 부족한 측면이 있어, 금속 마스크를 재사용하는데 큰 어려움이 있다. Accordingly, several methods for cleaning the metal mask have been proposed, and the metal mask is generally cleaned in a power supply. Specifically, DC voltage (negative voltage) is applied to the metal mask to be cleaned through the cathode terminal, and DC voltage (positive voltage) is applied to the anode electrode. Also, a negative voltage may be applied to the electrode. In this case, examples of materials that can be used as the electrode include iridium oxide, titanium, platinum, or nickel. Conventionally, the mask is cleaned by continuously supplying current for a certain period of time (DC method; see Fig. 3). When the current is continuously supplied as described above, hydrogen gas generated on the surface of the metal mask forms a film (2H + + 2e → H). 2 ) As a result, the current efficiency is lowered, and thus the cleaning power is decreased (polarization phenomenon), and there is a side that is insufficient to perform clean cleaning of the metal mask, and thus there is a great difficulty in reusing the metal mask.
그러나, 일 구현예에 따르면, 기존의 DC 방식이 아닌, 펄스 방식 또는 역 펄스 방식으로 전류를 공급함으로써 금속 마스크 표면에서 발생한 수소가스가 제거될 시간을 주어, 분극현상 발생을 최소화해 금속 마스크의 안정적인 세정력을 확보할 수 있다. However, according to one embodiment, by supplying current in a pulsed or reverse pulsed manner instead of a conventional DC method, the hydrogen gas generated from the surface of the metal mask is given time to be removed, thereby minimizing the occurrence of polarization to ensure a stable metal mask. Detergency can be secured.
구체적으로, 일 구현예는 환경 이물 또는 유기 발광체 물질이 부착된 금속 마스크를 제공하는 단계 및 상기 금속 마스크를 전해액에 담근 후, 상기 전해액에 담기는 전극에 전류를 공급하는 단계를 포함하고, 상기 전류는 펄스 방식으로 공급되는 유기전계발광표시장치 제조 공정에서 사용되는 금속 마스크를 세정하는 방법을 제공한다. (도 1 참조)Specifically, an embodiment includes providing a metal mask to which an environmental foreign material or an organic light-emitting material is attached, and after immersing the metal mask in an electrolyte, supplying a current to an electrode immersed in the electrolyte, and the current Provides a method of cleaning a metal mask used in a manufacturing process of an organic light emitting display device supplied in a pulsed manner. (See Fig. 1)
상기 펄스 방식은 전류를 “일정 시간 공급, 일정 시간 정지, 일정 시간 공급”하는 단계를 반복하여 금속 마스크를 세정하는 것으로서, 전류를 공급, 정지, 공급하는 것을 반복하면 전류가 공급되는 구간에서는 음극(금속 마스크) 표면에서 수소가스가 발생하여 금속 마스크를 세정하고, 전류의 공급이 정지된 구간에서는 수소가스가 제거될 시간을 주어 분극현상 발생을 최소하여, 안정적인 세정력 확보할 수 있게 된다.The pulse method is to clean the metal mask by repeating the steps of “supplying a certain time, stopping for a certain time, and supplying a certain time for a certain time.” If the current is repeatedly supplied, stopped, and supplied, the cathode ( Metal mask) When hydrogen gas is generated on the surface, the metal mask is cleaned, and in a section in which the supply of current is stopped, the generation of polarization is minimized by giving time for the hydrogen gas to be removed, thereby securing stable cleaning power.
또한 일 구현예는 환경 이물 또는 유기 발광체 물질이 부착된 금속 마스크를 제공하는 단계 및 상기 금속 마스크를 전해액에 담근 후, 상기 전해액에 담기는 전극에 전류를 공급하는 단계를 포함하고, 상기 전류는 역 펄스 방식으로 공급되는 유기전계발광표시장치 제조 공정에서 사용되는 금속 마스크를 세정하는 방법을 제공한다. (도 2 참조)In addition, one embodiment includes providing a metal mask to which an environmental foreign substance or an organic light-emitting material is attached, and after immersing the metal mask in an electrolyte, supplying a current to an electrode immersed in the electrolyte, the current being reversed. A method of cleaning a metal mask used in a manufacturing process of an organic light emitting display device supplied in a pulse manner is provided. (See Fig. 2)
상기 역 펄스 방식은 역방향 전류를 매우 짧게 공급하여 금속 마스크에 양의 전압을 순간적으로 인가하는 것으로서, 금속 마스크에 양의 전압이 순간적으로 인가되면 금속 마스크 표면을 매우 미세하게 연마하는 효과를 주어 이물 및 산화피막이 제거될 수 있다. 또한, 수소가스가 제거되는 시간을 가질 수 있어 분극현상 또한 최소화할 수 있다. 매우 짧은 시간의 역방향 전류 공급 이후에는 다시 정향방 전류가 흐르는 과정을 반복하여 금속 마스크를 세정하게 된다.In the reverse pulse method, a positive voltage is instantaneously applied to the metal mask by supplying a reverse current very short. When a positive voltage is momentarily applied to the metal mask, it has the effect of very finely polishing the surface of the metal mask. The oxide film can be removed. In addition, it is possible to have a time for the hydrogen gas to be removed, thus minimizing the polarization phenomenon. After the reverse current is supplied for a very short time, the process of flowing the forward current is repeated to clean the metal mask.
상기 전해액의 온도는 20℃ 내지 100℃일 수 있고, 이 때 상기 전류는 1.5A/dm2 내지 25A/dm2의 전류밀도를 가질 수 있으며, 동시에 상기 세정 시간은 3분 내지 120분일 수 있다. 일 구현예에 따른 금속 마스크 세정방법이 상기 전해액의 온도, 상기 전류밀도 및 상기 세정 시간의 범위 내에서 이루어질 경우, 포토 레지스트 잔사가 99% 이상 제거될 수 있어, 금속 마스크의 세정력을 극대화시킬 수 있다. 구체적으로 상기 전해액의 온도, 상기 전류밀도 및 상기 세정 시간의 범위 내에서 금속 마스크의 세정이 이루어져야, 상기 전해액에 대한 금속 마스크 표면의 이물 등의 용해도가 충분히 높은 상태로 유지(전기적으로 분해되기에 좋은 상태로 유지)되어, 금속 마스크의 세정력이 극대화될 수 있다. The temperature of the electrolyte solution may be in the range of 20°C to 100°C, and in this case, the current may have a current density of 1.5A/dm 2 to 25A/dm 2 , and the cleaning time may be 3 minutes to 120 minutes. When the metal mask cleaning method according to an embodiment is performed within the range of the temperature of the electrolyte solution, the current density, and the cleaning time, more than 99% of the photoresist residue may be removed, thereby maximizing the cleaning power of the metal mask. . Specifically, the metal mask must be cleaned within the range of the temperature of the electrolyte solution, the current density, and the cleaning time, so that the solubility of foreign matters on the surface of the metal mask in the electrolyte is sufficiently high (good for electrical decomposition). State), the cleaning power of the metal mask can be maximized.
예컨대, 상기 세정하는 방법은 버블 공급 장치에 의한 버블을 추가로 부여하는 단계를 더 포함할 수 있다.For example, the cleaning method may further include providing additional bubbles by a bubble supply device.
예컨대, 상기 세정하는 방법은 초음파 발생기에 의한 초음파를 추가로 부여하는 단계를 더 포함할 수 있다.For example, the cleaning method may further include applying ultrasonic waves by an ultrasonic generator.
일 구현예에 따른 금속 마스크 세정방법이 상기 버블이나 초음파 부여 단계를 더 포함할 경우, 보다 효율적으로 유기물 등의 금속 마스크 증착물질을 제거할 수 있다.When the metal mask cleaning method according to an embodiment further includes the step of applying bubbles or ultrasonic waves, a metal mask deposition material such as an organic material may be more efficiently removed.
상기 금속 마스크는 인바 또는 스테인레스강으로 이루어지고, 상기 전해액은 알카리염, 수용성 유기산염 및 상기 금속 마스크의 손상을 감소시키는 인히비터를 포함하고, 상기 인히비터는 티오요소, 123-벤조트리아졸 또는 피리딘계 화합물을 포함할 수 있다.The metal mask is made of invar or stainless steel, the electrolyte solution includes an alkali salt, a water-soluble organic acid salt, and an inhibitor to reduce damage to the metal mask, and the inhibitor is thiourea, 123-benzotriazole or pyridine It may contain a system compound.
상기 알카리염은 수산화염, 탄산염, 규산염 또는 인산염을 포함할 수 있다. 여기서, 염은 나트륨, 칼륨 등과 같은 알칼리 금속 또는 칼슘 및 바륨 등과 같은 알칼리 토족 금속을 지칭할 수 있다. 또한, 염은 암모늄 등을 지칭할 수 있다. 상기 알칼리염은 전해에 의해서, 상기 유기 물질을 제거하는 강한 전도성 이온을 형성한다. 또한, 상기 알칼리염은 상기 전해액이 높은 알칼리성을 가지게 한다.The alkali salt may include hydroxide, carbonate, silicate or phosphate. Here, the salt may refer to an alkali metal such as sodium or potassium or an alkaline earth metal such as calcium and barium. In addition, the salt may refer to ammonium and the like. The alkali salt forms strong conductive ions that remove the organic material by electrolysis. In addition, the alkali salt makes the electrolyte solution highly alkaline.
상기 유기산염은 구연산염, 호박산염, 아세트산염 또는 그리콜산염을 포함할 수 있다. 상기 수용성 유기염은 상기 전해액의 pH가 급격하게 변하는 것을 방지하는 버퍼 기능을 수행한다. 또한, 상기 수용성 유기염은 보조적으로 상기 환경 이물 또는 유기 발광체 물질을 제거한다. 또한, 상기 수용성 유기염은 금속 이온의 수산화 침전을 방지하여, 상기 전해액의 세정 효과를 지속시키는 기능을 수행한다.The organic acid salt may include citrate, succinate, acetate or glycolate. The water-soluble organic salt functions as a buffer to prevent the pH of the electrolyte solution from rapidly changing. In addition, the water-soluble organic salt auxiliaryly removes the environmental foreign matter or organic light-emitting material. In addition, the water-soluble organic salt functions to prevent the precipitation of hydroxide of metal ions, thereby sustaining the cleaning effect of the electrolyte solution.
상기 인히비터는 상기 금속 마스크의 표면이 상기 전해액에 의해서 부식 또는 과반응으로 손상되는 것을 방지한다. 상기 인히비터는 티오요소, 123-벤조트리아졸 또는 피리딘계 화합물들을 포함할 수 있는데, 이 때, 상기 피리딘계 화합물은 비공유 전자쌍을 가지는 질소 또는 황화합물일 수 있다.The inhibitor prevents the surface of the metal mask from being damaged by corrosion or overreaction by the electrolyte. The inhibitor may include thiourea, 123-benzotriazole, or pyridine-based compounds. In this case, the pyridine-based compound may be a nitrogen or sulfur compound having an unshared electron pair.
추가적으로, 상기 전해액은 계면활성제 등을 포함할 수 있다. 상기 계면활성제는 유화 효과가 우수하고, 상기 유기 물질의 재접착을 방지한다.Additionally, the electrolyte may contain a surfactant or the like. The surfactant has excellent emulsifying effect and prevents re-adhesion of the organic material.
예컨대, 상기 전해액은 약 20 g/l 내지 100 g/l의 수산화칼륨, 약 7 g/l 내지 50 g/l의 구연산 칼륨 및 약 0.08 g/l 내지 5 g/l의 티오요소를 포함할 수 있다.For example, the electrolyte may contain about 20 g/l to 100 g/l of potassium hydroxide, about 7 g/l to 50 g/l of potassium citrate, and about 0.08 g/l to 5 g/l of thiourea. have.
예컨대, 상기 금속 마스크를 제공하는 단계는 유기전계발광표시장치를 형성하기 위한 기판 상에 상기 금속 마스크를 배치하는 단계; 상기 금속 마스크를 이용하여, 상기 기판 상에 상기 유기 물질로 이루어진 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 금속 마스크를 상기 기판으로부터 이격시키는 단계를 포함할 수 있다.For example, the providing of the metal mask may include disposing the metal mask on a substrate for forming an organic light emitting display device; Forming a pattern made of the organic material on the substrate by using the metal mask; And separating the metal mask from the substrate.
또 다른 일 구현예에 따르면, 상기 금속 마스크를 세정하는 방법으로 세정된 금속 마스크를 제공한다. According to another embodiment, a metal mask cleaned by a method of cleaning the metal mask is provided.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 기재한다. 다만, 하기의 실시예는 본 발명의 바람직한 일 실시예일뿐, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described. However, the following examples are only preferred examples of the present invention, and the present invention is not limited by the following examples.
(실시예)(Example)
세정력 평가Detergency evaluation
실시예 1Example 1
먼저, 전해액은 수용액 형태로서, 40g/l의 수산화칼륨, 10g/l의 구연산 칼륨, 0.1g/l의 티오요소를 포함한다. First, the electrolyte is in the form of an aqueous solution, and contains 40 g/l of potassium hydroxide, 10 g/l of potassium citrate, and 0.1 g/l of thiourea.
또한, 전해액의 온도는 0℃에서 진행하였고, 전원공급장치를 통하여, 금속 마스크에 1.5A/dm2의 전류밀도의 전류가 펄스 방식으로 흐르도록 금속 마스크 및 전극에 전압이 인가되었다.In addition, the temperature of the electrolyte solution proceeded at 0° C., and voltage was applied to the metal mask and the electrode through a power supply device so that a current having a current density of 1.5 A/dm 2 flows through the metal mask in a pulse manner.
시간은 3분 동안 진행되었고, 금속 마스크에는 음의 전압이 인가되었다. The time lasted for 3 minutes, and a negative voltage was applied to the metal mask.
금속 마스크로는 인바로 이루어진 금속 마스크를 사용하였고, 금속 마스크에는 포토레지스트가 부착되었다.As the metal mask, a metal mask made of Invar was used, and a photoresist was attached to the metal mask.
실시예 2Example 2
전해액의 온도를 5℃로 한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 1, except that the temperature of the electrolyte solution was set to 5°C.
실시예 3Example 3
전해액의 온도를 10℃로 한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 1, except that the temperature of the electrolyte solution was set to 10°C.
실시예 4Example 4
전해액의 온도를 15℃로 한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 1, except that the temperature of the electrolyte solution was set to 15°C.
실시예 5Example 5
전해액의 온도를 20℃로 한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 1, except that the temperature of the electrolyte solution was set to 20°C.
실시예 6Example 6
전해액의 온도를 25℃로 한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 1, except that the temperature of the electrolyte solution was set to 25°C.
실시예 7Example 7
전해액의 온도를 30℃로 한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 1, except that the temperature of the electrolyte solution was set to 30°C.
실시예 8Example 8
전해액의 온도를 40℃로 한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 1, except that the temperature of the electrolyte solution was set to 40°C.
실시예 9Example 9
전해액의 온도를 50℃로 한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 1, except that the temperature of the electrolyte solution was set to 50°C.
실시예 10Example 10
전해액의 온도를 70℃로 한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 1, except that the temperature of the electrolyte solution was set to 70°C.
실시예 11Example 11
전해액의 온도를 100℃로 한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 1, except that the temperature of the electrolyte solution was set to 100°C.
실시예 12Example 12
전류 밀도를 0.1 A/dm2이 되도록 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.It was the same as in Example 5, except that the current density was set to 0.1 A/dm 2.
실시예 13Example 13
전류 밀도를 0.3 A/dm2이 되도록 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.It was the same as in Example 5, except that the current density was set to 0.3 A/dm 2.
실시예 14Example 14
전류 밀도를 0.5 A/dm2이 되도록 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.It was the same as in Example 5, except that the current density was set to 0.5 A/dm 2.
실시예 15Example 15
전류 밀도를 1 A/dm2이 되도록 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.It was the same as in Example 5, except that the current density was set to 1 A/dm 2.
실시예 16Example 16
전류 밀도를 2 A/dm2이 되도록 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.It was the same as in Example 5, except that the current density was set to 2 A/dm 2.
실시예 17Example 17
전류 밀도를 5 A/dm2이 되도록 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.It was the same as in Example 5, except that the current density was set to 5 A/dm 2.
실시예 18Example 18
전류 밀도를 10 A/dm2이 되도록 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.It was the same as in Example 5, except that the current density was set to 10 A/dm 2.
실시예 19Example 19
전류 밀도를 15 A/dm2이 되도록 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.It was the same as in Example 5, except that the current density was set to 15 A/dm 2.
실시예 20Example 20
전류 밀도를 20 A/dm2이 되도록 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.It was the same as in Example 5, except that the current density was set to 20 A/dm 2.
실시예 21Example 21
전류 밀도를 25 A/dm2이 되도록 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.It was the same as in Example 5, except that the current density was set to 25 A/dm 2.
실시예 22Example 22
세정 시간을 10초로 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.It was carried out in the same manner as in Example 5, except that the washing time was set to 10 seconds.
실시예 23Example 23
세정 시간을 30초로 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.It was carried out in the same manner as in Example 5, except that the washing time was set to 30 seconds.
실시예 24Example 24
세정 시간을 1분으로 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.It was carried out in the same manner as in Example 5, except that the washing time was set to 1 minute.
실시예 25Example 25
세정 시간을 2분으로 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.It was carried out in the same manner as in Example 5, except that the washing time was set to 2 minutes.
실시예 26Example 26
세정 시간을 5분으로 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.It was carried out in the same manner as in Example 5, except that the washing time was set to 5 minutes.
실시예 27Example 27
세정 시간을 10분으로 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.It was carried out in the same manner as in Example 5, except that the washing time was set to 10 minutes.
실시예 28Example 28
세정 시간을 30분으로 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.It was carried out in the same manner as in Example 5, except that the washing time was set to 30 minutes.
실시예 29Example 29
세정 시간을 60분으로 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.It was carried out in the same manner as in Example 5, except that the washing time was set to 60 minutes.
실시예 30Example 30
세정 시간을 90분으로 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.It was carried out in the same manner as in Example 5, except that the washing time was set to 90 minutes.
실시예 31Example 31
세정 시간을 120분으로 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.It was carried out in the same manner as in Example 5, except that the washing time was set to 120 minutes.
실시예 1-1Example 1-1
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 1, except that the current was made to flow in a reverse pulse method instead of a pulse method.
실시예 1-2Example 1-2
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 2와 동일하게 하였다.It was the same as in Example 2, except that the current was made to flow in a reverse pulse method instead of a pulse method.
실시예 1-3Example 1-3
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 3과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 3, except that the current was made to flow in a reverse pulse method instead of a pulse method.
실시예 1-4Example 1-4
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 4와 동일하게 하였다.It was the same as in Example 4, except that the current was made to flow in a reverse pulse method instead of a pulse method.
실시예 1-5Example 1-5
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.It was the same as in Example 5, except that the current was made to flow in a reverse pulse method instead of a pulse method.
실시예 1-6Example 1-6
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 6과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 6, except that the current was made to flow in a reverse pulse method instead of a pulse method.
실시예 1-7Example 1-7
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 7과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 7, except that the current was made to flow in a reverse pulse method instead of a pulse method.
실시예 1-8Example 1-8
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 8과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 8, except that the current was made to flow in a reverse pulse method instead of a pulse method.
실시예 1-9Example 1-9
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 9와 동일하게 하였다.It was the same as in Example 9, except that the current was made to flow in a reverse pulse method instead of a pulse method.
실시예 1-10Example 1-10
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 10과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 10, except that the current was made to flow in a reverse pulse method instead of a pulse method.
실시예 1-11Example 1-11
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 11과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 11, except that the current was made to flow in a reverse pulse method instead of a pulse method.
실시예 1-12Example 1-12
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 12와 동일하게 하였다.It was the same as in Example 12, except that the current was made to flow in a reverse pulse method instead of a pulse method.
실시예 1-13Example 1-13
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 13과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 13, except that the current was made to flow in a reverse pulse method instead of a pulse method.
실시예 1-14Example 1-14
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 14와 동일하게 하였다.It was the same as in Example 14, except that the current was made to flow in a reverse pulse method instead of a pulse method.
실시예 1-15Example 1-15
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 15와 동일하게 하였다.It was the same as in Example 15, except that the current was made to flow in a reverse pulse method instead of a pulse method.
실시예 1-16Example 1-16
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 16과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 16, except that the current was made to flow in a reverse pulse method instead of a pulse method.
실시예 1-17Example 1-17
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 17과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 17, except that the current was made to flow in a reverse pulse method instead of a pulse method.
실시예 1-18Example 1-18
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 18과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 18, except that the current was made to flow in a reverse pulse method instead of a pulse method.
실시예 1-19Example 1-19
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 19와 동일하게 하였다.It was the same as in Example 19, except that the current was made to flow in a reverse pulse method instead of a pulse method.
실시예 1-20Example 1-20
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 20과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 20, except that the current was made to flow in a reverse pulse method instead of a pulse method.
실시예 1-21Example 1-21
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 21과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 21, except that the current was made to flow in a reverse pulse method instead of a pulse method.
실시예 1-22Example 1-22
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 22와 동일하게 하였다.It was the same as in Example 22, except that the current was made to flow in a reverse pulse method instead of a pulse method.
실시예 1-23Example 1-23
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 23과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 23, except that the current was made to flow in a reverse pulse method instead of a pulse method.
실시예 1-24Example 1-24
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 24와 동일하게 하였다.It was the same as in Example 24, except that the current was made to flow in a reverse pulse method instead of a pulse method.
실시예 1-25Example 1-25
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 25와 동일하게 하였다.It was the same as in Example 25, except that the current was made to flow in a reverse pulse method instead of a pulse method.
실시예 1-26Example 1-26
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 26과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 26, except that the current was made to flow in a reverse pulse method instead of a pulse method.
실시예 1-27Example 1-27
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 27과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 27, except that the current was made to flow in a reverse pulse method instead of a pulse method.
실시예 1-28Example 1-28
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 28과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 28, except that the current was made to flow in a reverse pulse method instead of a pulse method.
실시예 1-29Example 1-29
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 29와 동일하게 하였다.It was the same as in Example 29, except that the current was made to flow in a reverse pulse method instead of a pulse method.
실시예 1-30Example 1-30
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 30과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 30, except that the current was made to flow in a reverse pulse method instead of a pulse method.
실시예 1-31Example 1-31
전류가 펄스 방식이 아닌 역 펄스 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 31과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 31, except that the current was made to flow in a reverse pulse method instead of a pulse method.
비교예 1Comparative Example 1
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 1, except that the current was made to flow in a DC method instead of a pulse method.
비교예 2Comparative Example 2
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 2와 동일하게 하였다.It was the same as in Example 2, except that the current was made to flow in a DC method instead of a pulse method.
비교예 3Comparative Example 3
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 3과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 3, except that the current was made to flow in a DC method instead of a pulse method.
비교예 4Comparative Example 4
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 4와 동일하게 하였다.It was the same as in Example 4, except that the current was made to flow in a DC method instead of a pulse method.
비교예 5Comparative Example 5
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하였다.It was the same as in Example 5, except that the current was made to flow in a DC method instead of a pulse method.
비교예 6Comparative Example 6
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 6과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 6, except that the current was made to flow in a DC method instead of a pulse method.
비교예 7Comparative Example 7
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 7과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 7, except that the current was made to flow in a DC method instead of a pulse method.
비교예 8Comparative Example 8
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 8과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 8, except that the current was made to flow in a DC method instead of a pulse method.
비교예 9Comparative Example 9
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 9와 동일하게 하였다.It was the same as in Example 9, except that the current was made to flow in a DC method instead of a pulse method.
비교예 10Comparative Example 10
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 10과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 10, except that the current was made to flow in a DC method instead of a pulse method.
비교예 11Comparative Example 11
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 11과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 11, except that the current was made to flow in a DC method instead of a pulse method.
비교예 12Comparative Example 12
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 12와 동일하게 하였다.It was the same as in Example 12, except that the current was made to flow in a DC method instead of a pulse method.
비교예 13Comparative Example 13
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 13과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 13, except that the current was made to flow in a DC method instead of a pulse method.
비교예 14Comparative Example 14
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 14와 동일하게 하였다.It was the same as in Example 14, except that the current was made to flow in a DC method instead of a pulse method.
비교예 15Comparative Example 15
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 15와 동일하게 하였다.It was the same as in Example 15, except that the current was made to flow in a DC method instead of a pulse method.
비교예 16Comparative Example 16
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 16과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 16, except that the current was made to flow in a DC method instead of a pulse method.
비교예 17Comparative Example 17
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 17과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 17, except that the current was made to flow in a DC method instead of a pulse method.
비교예 18Comparative Example 18
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 18과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 18, except that the current was made to flow in a DC method instead of a pulse method.
비교예 19Comparative Example 19
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 19와 동일하게 하였다.It was the same as in Example 19, except that the current was made to flow in a DC method instead of a pulse method.
비교예 20Comparative Example 20
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 20과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 20, except that the current was made to flow in a DC method instead of a pulse method.
비교예 21Comparative Example 21
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 21과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 21, except that the current was made to flow in a DC method instead of a pulse method.
비교예 22Comparative Example 22
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 22와 동일하게 하였다.It was the same as in Example 22, except that the current was made to flow in a DC method instead of a pulse method.
비교예 23Comparative Example 23
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 23과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 23, except that the current was made to flow in a DC method instead of a pulse method.
비교예 24Comparative Example 24
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 24와 동일하게 하였다.It was the same as in Example 24, except that the current was made to flow in a DC method instead of a pulse method.
비교예 25Comparative Example 25
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 25와 동일하게 하였다.It was the same as in Example 25, except that the current was made to flow in a DC method instead of a pulse method.
비교예 26Comparative Example 26
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 26과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 26, except that the current was made to flow in a DC method instead of a pulse method.
비교예 27Comparative Example 27
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 27과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 27, except that the current was made to flow in a DC method instead of a pulse method.
비교예 28Comparative Example 28
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 28과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 28, except that the current was made to flow in a DC method instead of a pulse method.
비교예 29Comparative Example 29
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 29와 동일하게 하였다.It was the same as in Example 29, except that the current was made to flow in a DC method instead of a pulse method.
비교예 30Comparative Example 30
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 30과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 30, except that the current was made to flow in a DC method instead of a pulse method.
비교예 31Comparative Example 31
전류가 펄스 방식이 아닌 DC 방식으로 흐르도록 한 것을 제외하고는, 실시예 31과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 31, except that the current was made to flow in a DC method instead of a pulse method.
평가: 세정력Evaluation: Detergency
SEM 장비를 통하여, 포토 레지스트 잔사 제거율을 기준으로 세정력(포토 레지스트 잔사 제거율)을 평가하였고, 그 결과를 하기 표 1 내지 표 9 및 도 4 내지 도 6에 나타내었다.Through the SEM equipment, the cleaning power (photoresist residue removal rate) was evaluated based on the photoresist residue removal rate, and the results are shown in Tables 1 to 9 and FIGS. 4 to 6 below.
상기 표 1 내지 표 9 및 도 4 내지 도 6으로부터, 일 구현예에 따른 세정방법을 사용하면 세정력이 우수해짐을 확인할 수 있다. 특히, 세정 온도, 전류 및 시간을 특정 범위로 한정함에 따라, 세정력을 극대화할 수 있음을 확인할 수 있다.From Tables 1 to 9 and FIGS. 4 to 6, it can be seen that the cleaning power is excellent when the cleaning method according to an embodiment is used. In particular, it can be seen that cleaning power can be maximized by limiting the cleaning temperature, current, and time to a specific range.
본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.The present invention is not limited to the above embodiments, but may be manufactured in a variety of different forms, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains, other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. It can be understood that Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative and non-limiting in all respects.
Claims (11)
상기 금속 마스크를 전해액에 담근 후, 상기 전해액에 담기는 전극에 전류를 공급하는 단계를 포함하고,
상기 전류는 정방향의 전류 대비 역방향의 전류를 짧게 공급하는 역 펄스 방식으로 공급되는 유기전계발광표시장치 제조 공정에서 사용되는 금속 마스크를 세정하는 방법.
Providing a metal mask to which an environmental foreign material or an organic light-emitting material is attached, and
After immersing the metal mask in an electrolyte, supplying current to an electrode immersed in the electrolyte,
The method of cleaning a metal mask used in a manufacturing process of an organic light emitting display device in which the current is supplied in a reverse pulse method that shortly supplies a current in a reverse direction compared to a current in the forward direction.
상기 전해액의 온도는 20℃ 내지 100℃인 금속 마스크를 세정하는 방법.
In claim 1,
A method of cleaning a metal mask in which the temperature of the electrolyte solution is 20°C to 100°C.
상기 전류는 1.5A/dm2 내지 25A/dm2의 전류밀도를 가지는 금속 마스크를 세정하는 방법.
In paragraph 3,
The current is a method of cleaning a metal mask having a current density of 1.5A/dm 2 to 25A/dm 2.
상기 세정 시간은 3분 내지 120분인 금속 마스크를 세정하는 방법.
In claim 4,
The cleaning time is a method of cleaning a metal mask of 3 minutes to 120 minutes.
상기 세정하는 방법은 버블 공급 장치에 의한 버블을 추가로 부여하는 단계를 더 포함하는 금속 마스크를 세정하는 방법.
In claim 1,
The cleaning method further comprises the step of further imparting bubbles by a bubble supply device.
상기 세정하는 방법은 초음파 발생기에 의한 초음파를 추가로 부여하는 단계를 더 포함하는 금속 마스크를 세정하는 방법.
In claim 1,
The cleaning method further comprises applying ultrasonic waves by an ultrasonic generator.
상기 금속 마스크는 인바 또는 스테인레스강으로 이루어지고,
상기 전해액은 알카리염, 수용성 유기산염 및 상기 금속 마스크의 손상을 감소시키는 인히비터를 포함하고,
상기 인히비터는 티오요소, 123-벤조트리아졸 또는 피리딘계 화합물을 포함하는 금속 마스크를 세정하는 방법.
In claim 1,
The metal mask is made of Invar or stainless steel,
The electrolyte solution includes an alkali salt, a water-soluble organic acid salt, and an inhibitor for reducing damage to the metal mask,
The inhibitor is a method for cleaning a metal mask containing thiourea, 123-benzotriazole or a pyridine-based compound.
상기 알카리염은 수산화염, 탄산염, 규산염 또는 인산염을 포함하고, 상기 유기산염은 구연산염, 호박산염, 아세트산염 또는 그리콜산염을 포함하는 금속 마스크를 세정하는 방법.
In clause 8,
The alkali salt includes hydroxide, carbonate, silicate or phosphate, and the organic acid salt includes citrate, succinate, acetate or glycolate.
상기 금속 마스크를 제공하는 단계는
유기전계발광표시장치를 형성하기 위한 기판 상에 상기 금속 마스크를 배치하는 단계;
상기 금속 마스크를 이용하여, 상기 기판 상에 상기 유기 발광체 물질로 이루어진 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 금속 마스크를 상기 기판으로부터 이격시키는 단계를 포함하는 금속 마스크를 세정하는 방법.
In claim 1,
Providing the metal mask
Disposing the metal mask on a substrate for forming an organic light emitting display device;
Forming a pattern made of the organic light-emitting material on the substrate by using the metal mask; And
And separating the metal mask from the substrate.
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