CN110165084A - 一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及显示技术领域，公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，该阵列基板包括：衬底基板；设于衬底基板上的像素电路层；设于像素电路层上的平坦层，平坦层设有与各像素发光区域一一对应的多个凹槽；以及，设于平坦层的各凹槽内且与像素电路层电连接的多个阳极。该阵列基板将阳极设置在平坦层的凹槽内，在阳极制备过程中，可以有效防止阳极边缘损坏形成异物以及掀起卷曲，从而可以避免阳极对在阳极上的膜层造成破坏而与阴极短路，有效避免像素出现暗点不良、像素不亮的现象。

Description

一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。

背景技术

在有机电致发光显示领域，AMOLED为主动发光器件，不需要借助外加光源发光，自身靠有机发光材料来发光，因此，发光过程中需要有较为稳定的电流来驱动OLED材料发光，这样就需要阳极与阴极提供空穴与电子，以促使发光材料空穴与电子复合而发光。

对于AMOLED产品，阳极与阴极之间通过蒸镀工艺制作有机发光材料层，膜层厚度较薄，有被击穿造成阳极与阴极短路的风险，使像素不亮，出现暗点不良，而现有技术中，在厂内OLED产品中，在阳极制备工艺过程中，尤其在光刻胶的去除过程中会用到高压水冲洗，容易引起阳极边缘位置卷起凸起，或者缺失，其中，卷起凸起的阳极金属容易击穿后续制备的有机发光材料层，且阳极边缘缺失的部分可能会落在阳极上形成异物颗粒，也会容易击穿有机发光材料，从而容易造成阴极与阳极短路，使像素不亮，出现暗点不良等缺陷。所以，现在亟需一种解决上述阳极造成的缺陷的方案。

发明内容

本发明公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，该阵列基板将阳极设置在平坦层的凹槽内，在阳极制备过程中，可以有效防止阳极边缘损坏形成异物以及掀起卷曲，从而可以避免阳极对在阳极上的膜层造成破坏而与阴极短路，有效避免像素出现暗点不良、像素不亮的现象。

为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：

一种阵列基板，包括：

衬底基板；

设于所述衬底基板上的像素电路层；

设于所述像素电路层上的平坦层，所述平坦层设有与各像素发光区域一一对应的多个凹槽；以及，

设于所述平坦层的各所述凹槽内且与所述像素电路层电连接的多个阳极。

上述阵列基板为有机电致发光阵列基板，且阵列基板设置有多个呈阵列分布的像素发光区域，其中，上述阵列基板具体包括有衬底基板，衬底基板上设置有像素电路层，像素电路层上设置有平坦层，平坦层背离像素电路层的一侧设置有与各像素发光区域一一对应的多个凹槽，与各像素发光区域对应的阳极均设置在平坦层的凹槽内，且各阳极与像素电路层电连接，具体地，可以在凹槽底部设置过孔，使位于凹槽内的阳极通过过孔与像素电路层电连接，其中，阳极完全位于凹槽内，即阳极周侧与凹槽内壁接触，且阳极的厚度不大于凹槽的深度，即阳极的顶面不会超过平坦层裸露的顶面，其中，这样将阳极设置在平坦层的凹槽内的结构，在上述阳极制备时，阳极刻蚀制备完成后，在使用高压水清洗除去刻蚀液时，使用高压水对阳极和平坦层的表面进行冲洗时，由于制备好的阳极均位于凹槽内，即，阳极嵌在凹槽内，阳极的边缘受高压水的冲洗力会减少，避免了边缘被损坏缺失，进而可以避免缺失的部分形成异物对后续制备的膜层造成破坏，且不会由于高压水的冲洗掀起卷曲，可以保证阳极的完整以及平整性，进而不会对设置在阳极上的膜层造成破坏，避免了与阴极短路，有效避免像素出现暗点不良、以及像素不亮的现象。

因此，上述阵列基板将阳极设置在平坦层的凹槽内，在阳极制备过程中，可以有效防止阳极边缘损坏形成异物以及掀起卷曲，从而可以避免阳极对在阳极上的膜层造成破坏而与阴极短路，有效避免像素出现暗点不良、像素不亮的现象。

优选地，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述阳极的厚度小于所述凹槽的深度。

优选地，所述凹槽的深度为大于或等于且小于或等于

优选地，所述阵列基板还包括：

设于所述平坦层和所述阳极上的像素定义层，所述像素定义层设有与各所述像素发光区域一一对应的开口；以及，

填充于所述像素定义层的各所述开口中的有机发光功能层。

优选地，所述像素定义层的开口在垂直于所述衬底基板上的正投影位于所述阳极在所述衬底基板上的正投影内。

本发明还提供了一种显示面板，包括如上述技术方案提供的任意一种阵列基板。

本发明还提供了一种显示装置，包括如上述技术方案提供的任意一种显示面板。

基于相同的发明构思，本发明还提供了一种阵列基板的制备方法，包括：

在衬底基板上形成像素电路层；

在所述像素电路层上形成平坦层，并在所述平坦层上形成与各像素发光区域一一对应的多个凹槽；

在所述平坦层上形成阳极层，并通过构图工艺去除所述阳极层中位于所述凹槽以外的部分，保留所述阳极层中位于所述凹槽内的部分以形成阳极。

优选地，所述在所述像素电路层上形成平坦层，并在所述平坦层上形成与各像素发光区域一一对应的多个凹槽，包括：

采用半色调掩膜板对所述平坦层进行曝光显影处理，其中，对所述平坦层中与所述像素发光区域对应的部位进行半曝光，对所述平坦层中与所述像素发光区域对应的部位以外的其它部位不曝光。

优选地，所述在所述平坦层上形成阳极层，并通过构图工艺去除所述阳极层中位于所述凹槽以外的部分，保留所述阳极层中位于所述凹槽内的部分以形成阳极，包括：

在所述平坦层上溅射形成所述阳极层；

在所述阳极层上涂覆光刻胶，并对所述光刻胶进行曝光显影处理，其中，对所述光刻胶中与所述凹槽对应的部分保留，并对所述光刻胶中与所述凹槽对应的部位以外的其它部分进行全部去除以裸露所述阳极层；

对所述阳极层进行刻蚀以形成阳极；

去除光刻胶，并用高压水冲洗所述阳极和平坦层的表面以清除所述光刻胶。

附图说明

图1至图6为本发明实施例提供的一种阵列基板的制备过程中的膜层变化示意图；

图7为本发明实施例提供的一种阵列基板的制备方法的流程示意图；

图标：1-衬底基板；2-像素电路层；3-平坦层；4-阳极；5-像素定义层；6-阳极层；7-光刻胶；31-凹槽。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如图6所示，其中，图6为本发明实施例提供的一种阵列基板的阳极设置的示意图，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底基板1；设于衬底基板1上的像素电路层2；设于像素电路层2上的平坦层3，平坦层3设有与各像素发光区域一一对应的多个凹槽31；以及，设于平坦层3的各凹槽31内且与像素电路层2电连接的多个阳极4。

上述阵列基板为有机电致发光阵列基板，且阵列基板设置有多个呈阵列分布的像素发光区域，其中，上述阵列基板具体包括有衬底基板，衬底基板上设置有像素电路层，像素电路层上设置有平坦层，平坦层背离像素电路层的一侧设置有与各像素发光区域一一对应的多个凹槽，与各像素发光区域对应的阳极均设置在平坦层的凹槽内，且各阳极与像素电路层电连接，具体地，可以在凹槽底部设置过孔，使位于凹槽内的阳极通过过孔与像素电路层电连接，其中，阳极完全位于凹槽内，即阳极周侧与凹槽内壁接触，且阳极的厚度不大于凹槽的深度，即阳极的顶面不会超过平坦层裸露的顶面，其中，这样将阳极设置在平坦层的凹槽内的结构，在上述阳极制备时，阳极刻蚀制备完成后，在使用高压水清洗除去刻蚀液时，使用高压水对阳极和平坦层的表面进行冲洗时，由于制备好的阳极均位于凹槽内，即，阳极嵌在凹槽内，阳极的边缘受高压水的冲洗力会减少，避免了边缘被损坏缺失，进而可以避免缺失的部分形成异物对后续制备的膜层造成破坏，且不会由于高压水的冲洗掀起卷曲，可以保证阳极的完整以及平整性，进而不会对设置在阳极上的膜层造成破坏，避免了与阴极短路，有效避免像素出现暗点不良、以及像素不亮的现象。

因此，上述阵列基板将阳极设置在平坦层的凹槽内，在阳极制备过程中，可以有效防止阳极边缘损坏形成异物以及掀起卷曲，从而可以避免阳极对在阳极上的膜层造成破坏而与阴极短路，有效避免像素出现暗点不良、像素不亮的现象。

具体地，平坦层3中的凹槽31侧壁尽量垂直于凹槽底面，但是，由于制备工艺的限制，凹槽31的侧壁表面会是一个斜面，即凹槽顶部开口比底面大些。

具体地，如图5所示，上述阵列基板中，在垂直于衬底基板1的方向上，阳极4的厚度小于凹槽31的深度，即阳极4的表面比与其相邻的平坦层3的表面低，阳极4周围的平坦层3可以对阳极边缘形成保护作用，减小阳极边缘受力，其中，阳极4的厚度也可以等于凹槽31的深度，阳极边缘也可以受到一定的保护作用，只要阳极4的厚度不大于凹槽31的深度即可。

在上述阵列基板中，阳极4的厚度可以设置为大于或等于且小于或等于具体地，阳极4的厚度可以设置为或者也可以设置为其它厚度尺寸，本实施例不做局限，另外，凹槽31的深度可以设置为大于或等于且小于或等于具体地，凹槽31的深度可以设置为或者其它深度尺寸，本实施例不做局限。还需要说明的是，阳极4的厚度与凹槽31的深度之间的关系可以根据实际需求设置，只要满足阳极4的厚度不超过凹槽31的深度即可，其中，设置阳极的厚度小于凹槽的深度更好。

具体地，如图6所示，上述阵列基板还包括：设于平坦层3和阳极4上的像素定义层5，像素定义层5设有与各像素发光区域一一对应的开口；以及，填充于像素定义层的各开口中的有机发光功能层(图中未示出)。其中，像素定义层5的开口在垂直于衬底基板1上的正投影位于阳极4在衬底基板1上的正投影内。像素定义层的开口限定了单个的发光子像素的大小，使像素定义层的开口小于对应的阳极，可以使像素定义层开口内的有机发光功能层与阳极完全接触，可以使有机发光功能层发光均匀，有利于有子像素出光均匀。

基于相同的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括如上述实施例提供的任意一种阵列基板。

基于相同的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上述实施例提供的任意一种显示面板。

同样的，基于相同的发明构思，如图1至图6以及图7所示，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制备方法，包括：

步骤S101，在衬底基板1上形成像素电路层2；

步骤S102，在像素电路层2上形成平坦层3，并在平坦层上形成与各像素发光区域一一对应的多个凹槽31；

步骤S103，在平坦层3上形成阳极层6，并通过构图工艺去除阳极层6中位于凹槽以外的部分，保留阳极层6中位于凹槽内的部分以形成阳极4。

在上述制备方法中，根据步骤S101，如图1所示，在衬底基板上形成像素电路层；然后根据步骤S102，如图2所示，在像素电路层上形成平坦层，并可以根据构图工艺在平坦层上形成与各像素发光区域一一对应的多个凹槽，且在各凹槽底部形成一个过孔；接着根据步骤S103，如图3至图5所示，在平坦那层上形成阳极层，并通过构图工艺将阳极层中位于凹槽以外的其它部分完全去除，并将位于凹槽内的部分保留以形成阳极，其中，位于凹槽内的阳极可以通过过孔(图中未示出)与平坦层下边的像素电路层电连接，其中，在上述制备过程中，在平坦层上制备凹槽，并将阳极制备在凹槽内，即对阳极层图案化后保留的部分位于凹槽内，在对阳极和平坦层的表面进行清洗时可以避免阳极边缘受损或掀起卷曲，保证了阳极的完整以及平整性，进而不会对设置在阳极上的膜层造成破坏，避免了与阴极短路，有效避免像素出现暗点不良、以及像素不亮的现象。

上述制备方法中，关于步骤S102，在像素电路层2上形成平坦层3，并在平坦层3上形成与各像素发光区域一一对应的多个凹槽31，具体包括：

采用半色调掩膜板对平坦层3进行曝光显影处理，其中，对平坦层3中与像素发光区域对应的部位进行半曝光，对平坦层3中与像素发光区域对应的部位以外的其它部位不曝光。采用半色调掩膜工艺对平坦层进行图案化制备凹槽，便于精确的控制凹槽的深度，便于制备。

具体地，关于步骤S103，如图3至图5所示，在平坦层3上形成阳极层6，并通过构图工艺去除阳极层6中位于凹槽31以外的部分，保留阳极层6中位于凹槽31内的部分以形成阳极4，具体包括：

首先，在平坦层3上溅射形成阳极层6；然后，在阳极层6上涂覆光刻胶7，并对光刻胶7进行曝光显影处理，其中，对光刻胶7中与凹槽31对应的部分保留，并对光刻胶7中与凹槽31对应的部位以外的其它部分进行全部去除以裸露阳极层6；接着，对阳极层6进行刻蚀以形成阳极4；最后，去除光刻胶7，并用高压水冲洗阳极4和平坦层3的表面以清除光刻胶。

显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底基板；

设于所述衬底基板上的像素电路层；

设于所述像素电路层上的平坦层，所述平坦层设有与各像素发光区域一一对应的多个凹槽；以及，

设于所述平坦层的各所述凹槽内且与所述像素电路层电连接的多个阳极。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述阳极的厚度小于所述凹槽的深度。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述凹槽的深度为大于或等于且小于或等于

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

设于所述平坦层和所述阳极上的像素定义层，所述像素定义层设有与各所述像素发光区域一一对应的开口；以及，

填充于所述像素定义层的各所述开口中的有机发光功能层。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述像素定义层的开口在垂直于所述衬底基板上的正投影位于所述阳极在所述衬底基板上的正投影内。

6.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的阵列基板。

7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求6所述的显示面板。

8.一种如权利要求1-5任一项所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成像素电路层；

在所述像素电路层上形成平坦层，并在所述平坦层上形成与各像素发光区域一一对应的多个凹槽；

在所述平坦层上形成阳极层，并通过构图工艺去除所述阳极层中位于所述凹槽以外的部分，保留所述阳极层中位于所述凹槽内的部分以形成阳极。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述在所述像素电路层上形成平坦层，并在所述平坦层上形成与各像素发光区域一一对应的多个凹槽，包括：

采用半色调掩膜板对所述平坦层进行曝光显影处理，其中，对所述平坦层中与所述像素发光区域对应的部位进行半曝光，对所述平坦层中与所述像素发光区域对应的部位以外的其它部位不曝光。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述在所述平坦层上形成阳极层，并通过构图工艺去除所述阳极层中位于所述凹槽以外的部分，保留所述阳极层中位于所述凹槽内的部分以形成阳极，包括：

在所述平坦层上溅射形成所述阳极层；

在所述阳极层上涂覆光刻胶，并对所述光刻胶进行曝光显影处理，其中，对所述光刻胶中与所述凹槽对应的部分保留，并对所述光刻胶中与所述凹槽对应的部位以外的其它部分进行全部去除以裸露所述阳极层；

对所述阳极层进行刻蚀以形成阳极；

去除光刻胶，并用高压水冲洗所述阳极和平坦层的表面以清除所述光刻胶。