KR102102693B1 - 리소그래피 장치, 패턴 형성 방법 및 물품의 제조 방법 - Google Patents

리소그래피 장치, 패턴 형성 방법 및 물품의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

스테이지 제어의 정밀도의 저하를 억제하는 적어도 하나의 리소그래피 장치가 제공된다. 리소그래피 장치는, 원판 또는 기판을 탑재한 상태에서 이동하도록 구성되는 이동 유닛과, 이동 유닛의 위치에 대한 정보를 취득하도록 구성되는 복수의 계측 유닛으로서, 각 계측 유닛의 계측 영역은 서로 중첩하는, 복수의 계측 유닛과, 중첩 계측 영역에 놓이는 전환 위치에 기초하여 이동 유닛의 위치에 대한 정보를 취득하기 위해 사용되는 계측 유닛을 전환하도록 구성되는 제어 유닛을 포함하고, 원판 또는 기판의 복수의 처리 대상 중 하나에 대해 복수의 처리가 실행되는 경우, 제어 유닛은, 전환 위치를 변경가능하게 하고, 계측 유닛 중 동일한 것이 복수의 처리의 실행에 사용되도록 계측 유닛을 제어한다.

Description

리소그래피 장치, 패턴 형성 방법 및 물품의 제조 방법{LITHOGRAPHY APPARATUS, PATTERN FORMING METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING PRODUCT}
본 개시물은 리소그래피 장치, 패턴 형성 방법 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스 및 플랫 패널 디스플레이를 제조하기 위해 기판 상에 패턴을 형성하는 리소그래피 장치가 사용되고 있다. 리소그래피 장치의 예는 노광 장치 및 임프린트 장치를 포함한다. 리소그래피 장치에는 높은 생산성과 미세화 기술이 요구된다. 기판이나 원판을 탑재한 상태에서 구동되는 스테이지가 고속 및 고정밀도로 구동될 필요가 있다. 고속 및 고정밀도 스테이지 제어를 위해서, 스테이지의 위치는 고분해능 레이저 간섭계와, 레이저광의 타깃으로서의 역할을 하고 고정밀도의 평면도를 갖는 반사경을 사용해서 계측된다. 스테이지의 구동 범위가 커지면, 반사경의 길이가 증가한다. 이는 고정밀도의 평면도 실현의 곤란성 및 비용의 증가 같은 문제를 유발한다.
이러한 문제에 대한 접근법으로서, 일본 특허 출원 공개 공보 제2002-319541호는 복수의 레이저 간섭계를 전환함으로써 위치 계측을 실행하는 기술을 논의한다. 일본 특허 출원 공개 공보 제2002-319541호에 따르면, 복수의 레이저 간섭계를 사용하며, 복수의 레이저 간섭계가 동시에 계측을 할 수 있는 영역에서 레이저 간섭계를 전환한다. 이러한 방식으로, 스테이지 구동 범위 전역에서 위치 계측 및 위치 제어를 실현하고 있다.
리소그래피 장치는 기판에 대한 처리를 행하기 전에 Z 방향의 포커스 계측 처리를 행하여 포커스 오프셋을 취득한다. 리소그래피 장치는 또한 X 및 Y 방향의 얼라인먼트 계측 처리를 행하여 얼라인먼트 오프셋을 취득한다. 그리고, 리소그래피 장치는 취득한 포커스 오프셋 및 얼라인먼트 오프셋을 스테이지 제어에 반영하고 기판에 대한 처리를 실행한다. Z 방향의 포커스 계측 처리를 복수의 레이저 간섭계를 사용해서 행하는 경우, 레이저 간섭계를 전환하는 위치는 스테이지 구동의 좌표계에서 정해진다. 얼라인먼트 오프셋을 스테이지 제어에 반영하는 것에 의해, 동일한 처리 대상(예를 들어, 샷)이 포커스 계측 처리와 기판에 대한 처리에서 상이한 레이저 간섭계를 사용하여 계측될 수 있다.
동일 기판에 대하여 동일한 처리를 복수회 행하는 경우, 동일한 처리 대상이 상이한 레이저 간섭계를 사용하여 계측될 수 있다. 예를 들어, 얼라인먼트 계측 처리를 복수회 행하는 경우, 이전 처리가 종료되었을 때의 스테이지 위치에 따라, 상기 복수의 처리에서 스테이지가 상이한 방향으로 구동될 수 있다. 따라서, 동일한 처리 대상(예를 들어, 얼라인먼트 마크)이라도 상이한 레이저 간섭계를 사용하여 계측될 수 있다.
또한, 동일한 샷 레이아웃을 갖는 상이한 기판에 대해서 동일한 처리를 행하는 경우, 기판 상의 동일 위치에 있는 대응하는 처리 대상이 상이한 레이저 간섭계를 사용하여 계측될 수 있다. 예를 들어, 얼라인먼트 계측 처리를 대응하는 얼라인먼트 마크에 대하여 행하는 경우, 각 기판과 기판 스테이지 사이의 위치 어긋남량의 차이와 기판 스테이지의 구동 방향의 차이에 따라 상이한 레이저 간섭계를 사용하여 상이한 기판 상의 얼라인먼트 마크를 계측할 수 있다.
레이저 간섭계와 반사경은 제조상의 오차에 의해 고유의 특성을 가지고 있다. 이 고유의 특성에 따라, 상이한 레이저 간섭계에 의해 계측된 동일한 대상은 그 계측 결과에 오차가 생길 수 있다. 이러한 계측 오차는 스테이지 제어의 특성을 변화시킨다.
결과적으로, 복수의 처리가 동일한 처리 대상 또는 대응하는 처리 대상에 실행되는 경우, 스테이지 제어를 위한 상이한 레이저 간섭계의 사용은 스테이지 제어의 특성에 변화를 유발하여 스테이지 제어의 정밀도를 저하시킬 수 있다.
본 개시물은 스테이지 제어의 정밀도의 저하를 억제할 수 있는 리소그래피 장치, 패턴 형성 방법 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.
본 개시물의 양태에 따르면, 기판 상에 패턴을 형성하는 리소그래피 장치가 제공되고, 상기 리소그래피 장치는, 원판 또는 상기 기판을 탑재한 상태에서 이동하도록 구성되는 이동 유닛과, 상기 이동 유닛의 위치에 대한 정보를 취득하도록 구성되는 복수의 계측 유닛으로서, 각각의 상기 계측 유닛의 계측 영역이 서로 중첩하는, 복수의 계측 유닛과, 중첩하는 계측 영역에 놓이는 전환 위치에 기초하여, 상기 이동 유닛의 위치에 대한 정보를 취득하기 위해 사용되는 상기 계측 유닛을 전환하도록 구성되는 제어 유닛을 포함하고, 상기 원판 또는 상기 기판의 복수의 처리 대상 중 하나의 처리 대상에 대해 복수의 처리가 실행되는 경우, 상기 제어 유닛은, 상기 전환 위치를 변경가능하게 하고, 상기 계측 유닛 중 동일한 계측 유닛이 상기 복수의 처리에 사용되도록 상기 계측 유닛을 제어한다.
본 개시물의 다른 양태에 따르면, 하나 이상의 추가적인 리소그래피 장치, 하나 이상의 패턴 형성 방법 및 하나 이상의 물품의 제조 방법이 본원에서 논의된다. 본 개시물의 추가적인 특징은 첨부된 도면과 관련한 예시적인 실시예에 대한 이하의 설명으로부터 명확해질 것이다.
도 1은 노광 장치의 구성을 예시하는 도면이다.
도 2는 복수의 계측 유닛이 배치되는 구성을 예시하는 도면이다.
도 3은 계측 유닛의 계측 영역과 전환 위치를 예시하는 도면이다.
도 4는 노광 처리 공정의 흐름도이다.
도 5는 웨이퍼와 톱 스테이지 사이의 위치 관계를 예시하는 도면이다.
도 6은 포커스 계측 처리에서의 스테이지 위치를 예시하는 도면이다.
도 7은 전환 위치가 변경될 때의 스테이지 위치를 예시하는 도면이다.
도 8은 각 샷을 계측하는 계측 유닛의 번호를 예시하는 도면이다.
도 9는 탑 스테이지가 +X 방향으로 이동할 경우의 얼라인먼트 마크 계측시의 스테이지 위치를 예시하는 도면이다.
도 10은 전환 위치가 변경될 때의 스테이지 위치를 예시하는 도면이다.
도 11은 Y 방향의 스테이지 위치를 계측하는 2개의 레이저 간섭계를 예시하는 도면이다.
도 12는 복수의 레이저 간섭계를 적용한 레티클 스테이지를 예시하는 도면이다.
도 13은 복수의 레이저 간섭계를 적용한 레티클 스테이지의 상면을 예시하는 도면이다.
도 14는 종래 기술에 따른 노광 처리 시의 스테이지 위치를 예시하는 도면이다.
도 15는 종래 기술에 따른 각 샷을 계측하는 계측 유닛의 번호를 예시하는 도면이다.
도 16은 종래 기술에 따른 탑 스테이지가 -X 방향으로 이동할 경우의 얼라인먼트 마크 계측시의 스테이지 위치를 예시하는 도면이다.
이하에, 본 개시물의 예시적인 실시예에 대해서 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 이하의 예시적인 실시예는 리소그래피 장치로서 노광 장치를 사용하는 예를 다룬다. 도면에서, 동일한 부재에 대해서는 동일한 참조 번호를 지정한다. 그 중복되는 설명은 생략한다.
이하에서 제1 예시적인 실시예를 설명한다. 도 1은 노광 장치의 구성을 예시하는 도면이다. 본 예시적인 실시예에 따른 노광 장치는 광원 유닛(도시하지 않음)을 포함한다. 광원의 예는 고압 수은 램프 및 엑시머 레이저를 포함한다. 광원이 엑시머 레이저인 경우에는, 광원 유닛은, 반드시 노광 장치의 챔버 내부에 있을 필요는 없고 장치에 외부적으로 부착될 수 있다. 광원 유닛으로부터 출사된 광은 조명 유닛(32)을 통해 예시되지 않은 레티클(원판 또는 마스크)을 조명한다. 레티클은, 감광재가 도포된 웨이퍼(기판) 상에 전사되는 패턴을 갖는다. 레티클은 레티클 스테이지(33)(이동 유닛)에 탑재된다. 레티클 스테이지(33)는 레티클 척(도시하지 않음)을 통해 레티클을 흡착 및 보유지지한다. 예를 들어, 레티클 스테이지(33)는 리니어 모터(도시하지 않음)에 의해 이동가능하도록 구성된다.
투영 유닛(34)이, 레티클 위에 묘화된 패턴을, 웨이퍼 척(26) 위에 배치된 웨이퍼(도시하지 않음) 상에 투영한다. 투영 유닛(34)은 배럴 지지체(35)에 의해 지지되어 있다. 본체용 액티브 마운트(36)는 배럴 지지체(35)를 진동을 억제하면서 지지한다. 본체용 액티브 마운트(36)는 또한 바닥으로부터의 진동을 차단한다. 위치결정 정반(38)에는 본체용 액티브 마운트(36)와 스테이지용 액티브 마운트(37)가 설치된다.
포커스 센서(20)는, 웨이퍼에 대하여 광(복수의 빔)을 투사하는 투광계와, 웨이퍼로부터의 반사광을 수광하는 수광계와, 수광계로부터의 광을 검출하고 제어 유닛(301)에 검출 신호를 출력하는 검출 유닛을 포함한다. 투광계와 수광계는, 투영 유닛(34)의 사출부 부근을 사이에 둔 상태로 Y 방향으로 배치되어 있다. 투광계가 웨이퍼에 사입사 광을 조사하고, 수광계가 반대 측에서 반사한 광을 포착한다. 포커스 센서(20)에 의해 획득된 검출 신호에 기초하여, 제어 유닛(301)은 웨이퍼의 Z 방향의 변위량을 결정한다.
고정 미러(21, 22)는 Z 방향의 계측용의 미러이다. 고정 미러(21, 22)는 배럴 지지체(35)에 고정된다. 톱 스테이지(27) 위에 부착된 이동 미러(39)는 2개의 반사면을 포함하고, Z 방향의 계측용의 미러(30)와 X 방향의 계측용의 미러(29)를 일체화한다.
X 스테이지(31)는 X 방향으로 이동 가능하다. Y 스테이지(40)는 Y 방향으로 이동가능하다. 스테이지 정반(41)은 Y 스테이지(40) 및 X 스테이지(31)를 지지한다. 스테이지용 액티브 마운트(37)는, X 스테이지(31) 및 Y 스테이지(40)의 이동에 의해 발생하는 스테이지 정반(41)의 진동을 억제하고, 바닥으로부터의 진동을 차단한다. X 스테이지(31) 및 Y 스테이지(40)는, X 스테이지(31) 및 Y 스테이지(40)가 스테이지 정반(41)에 접촉하지 않도록 유정압 베어링(도시되지 않음)을 통해 스테이지 정반(41)에 의해 지지된다.
X 리니어 모터(42)는 X 스테이지(31)를 X 방향으로 이동시키는 스테이지 구동용 리니어 모터이다. X리니어 모터(42)의 가동자는 X 스테이지(31)에 배치되고, X 리니어 모터(42)의 고정자는 스테이지 정반(41)에 배치된다. 고정자는, 고정자가 스테이지 정반(41)에 접촉하지 않도록, 유정압 베어링(도시되지 않음)을 통해 스테이지 정반(41)에 지지될 수 있다. 대안적으로, 고정자는 스테이지 정반(41)에 고정될 수 있다. 또한, Y 스테이지(40)를 Y 방향으로 이동시키기 위한 구동용 Y 리니어 모터(도시하지 않음)가 제공된다. Y 리니어 모터의 가동자는 Y 스테이지(40)에 배치되고, 그 고정자는 X 스테이지(31)에 배치되므로, X 스테이지(31)와 Y 스테이지(40) 사이에서 Y 방향의 구동력을 발생한다.
톱 스테이지(27)는 Y 스테이지(40) 상에 탑재되어 있다. 탑 스테이지(27)는 액추에이터(도시하지 않음)에 의해 Y 스테이지(40)에 대하여 미세하게 이동될 수 있다. 레이저 간섭계(23)는, 배럴 지지체(35)와, 웨이퍼가 탑재된 톱 스테이지(27) 사이의 Y 방향의 상대 위치를 계측하고, 톱 스테이지(27)의 자세를 계측하기 위한 레이저 간섭계이다. 마찬가지로, 배럴 지지체(35)와 탑 스테이지(27) 사이의 X 방향의 상대 위치를 계측하고 탑 스테이지(27)의 자세를 계측하기 위한 레이저 간섭계(24)(도 1에 도시되지 않음, 도 2 참조)가 제공된다. 또한, 배럴 지지체(35)와 탑 스테이지(27) 사이의 Z 방향의 상대 위치를 계측하기 위한 레이저 간섭계(25)가 X 스테이지(31)에 고정된다. 레이저 간섭계(25)는 고정 미러(21, 22)를 통해 X 스테이지(31)로부터의 이동 미러(39)의 거리를 계측한다. 톱 스테이지(27)의 위치는 Y 스테이지(40) 내에 배치된 Z 변위 센서(43)에 의해서도 계측될 수 있다. Z 변위 센서(43)는 레이저 간섭계(25)와 별도로 제공되는 변위 센서이다. Z 변위 센서(43)의 예는 리니어 인코더 및 커패시턴스 센서를 포함한다. Z 변위 센서(43)는 Y 스테이지(40)에 대한 톱 스테이지(37)의 변위를 3개의 위치에서 계측하고, 톱 스테이지(27)의 Z 방향의 변위와 기울기 방향을 계측할 수 있다. 3개의 Z 변위 센서(43) 중 2개가 도 1에 도시되어 있다는 것을 유의해야 한다. 다른 하나의 Z 변위 센서(43)는 도시되어 있지 않다.
웨이퍼 척(26)은 톱 스테이지(27) 상에 탑재되고 웨이퍼를 보유지지한다. 톱 스테이지(27)는 웨이퍼 척(26)을 Z 방향, θ 방향, ωX 방향 및 ωY 방향으로 위치결정한다.
이와 같이, 웨이퍼 척(26)에 의해 보유지지된 웨이퍼는 X 스테이지(31), Y 스테이지(40), 톱 스테이지(27) 및 웨이퍼 척(26)의 구동에 의해 이동한다. X 스테이지(31), Y 스테이지(40), 톱 스테이지(27) 및 웨이퍼 척(26)을 통칭하여 웨이퍼 스테이지(이동 유닛)라 칭한다. 이동 유닛의 구성은 전술한 구성으로 한정되지 않는다.
제어 유닛(301)은, 컴퓨터 등의 정보 처리 장치이며, 중앙 처리 유닛(CPU), 메모리 등을 포함한다. 제어 유닛(301)은 노광 장치의 다양한 유닛 및 기기를 제어하고 다양한 산술 연산을 행한다. 제어 유닛(301)은 복수의 정보 처리 장치로 구성될 수 있다.
도 2는 복수의 계측 유닛이 배치된 구성을 예시하는 도면이다. 본 예시적인 실시예에서는, 단일 방향(Z 방향)의 스테이지 위치를 계측하기 위해서, 중첩하는 영역을 측정할 수 있는 2개의 레이저 간섭계를 사용하고 있다.
레이저 간섭계(25a, 25b)는 Z 방향의 스테이지 위치를 계측하는 2개의 간섭계이다. 간섭계(25a, 25b)는 모두 X 스테이지(31) 상에 탑재되어 있다. 레이저 간섭계(25a, 25b)는 레이저 간섭계(25a, 25b)로부터 출사되는 빔이 XY 평면에 대하여 수직하도록 배치된다. 대안적으로, 빔은 미러 등의 광학 소자에 의해 수직으로 안내된다. 본 예시적인 실시예에서는, 레이저 간섭계(25a, 25b)로부터 출사된 빔은, 고정 미러(21a, 21b, 22a, 22b)를 통해 XY 평면과 평행한 반사면을 각각 갖는 미러(30a, 30b)에 각각 입사되고, 이에 의해 Z 방향의 톱 스테이지(27)의 위치를 계측한다. 여기서, 제1 계측 유닛은, 레이저 간섭계(25b)로부터 출사되는 레이저 빔의 레이저 광 경로를 형성하는 고정 미러(21b, 22b) 및 미러(30b)와 레이저 간섭계(25b)를 포함한다. 제2 계측 유닛은, 레이저 간섭계(25a)로부터 출사되는 레이저 빔의 레이저 광 빔 경로를 형성하는 고정 미러(21a, 22a) 및 미러(30a)와 레이저 간섭계(25a)를 포함한다. 각 계측 유닛은, 레이저 광 경로의 경로 길이의 변동을 검출하여, Z 방향의 위치, 속도, 및 가속도 같은 톱 스테이지(27)(미러(30a 또는 30b)의 반사면)의 위치에 관한 정보를 취득한다.
제어 유닛(301)에서, CPU(302)는 제1 계측 유닛 및 제2 계측 유닛으로부터 계측값을 취득하고 메모리(303)(저장 유닛)에 계측값을 저장한다. CPU(302)는, 톱 스테이지(27)의 X 방향의 위치에 따라, 제1 계측 유닛과 제2 계측 유닛 사이의 전환 제어를 행한다. 이에 의해, 투영 유닛(34)의 렌즈 배럴의 계측광을 차폐하는 장해물을 피하면서, 톱 스테이지(27)의 Z 방향의 위치를 계측할 수 있다. 상기 전환 제어에서, 제어 유닛(301)은, CPU(302)가 지금까지 계측을 행하고 있었던 계측 유닛으로부터, CPU(302)가 이제부터 계측을 행하는 계측 유닛에 계측값을 넘겨준다. 계측값이 전환되는 톱 스테이지(27)의 위치는, 2개의 레이저 간섭계(25a, 25b)가 모두 계측을 행할 수 있는 계측 영역(중첩 계측 영역)에 놓인다. 계측 유닛을 적절히 전환함으로써, CPU(301)는 탑 스테이지(27)의 Z 방향의 위치의 계측값을 지속적으로 출력한다.
도 3은 계측 유닛의 계측 영역과 전환 위치를 예시하는 도면이다. X 방향의 톱 스테이지(27)의 구동 범위는 계측 영역들로 분할되어 있다. 제1 계측 영역은 제1 계측 유닛만이 계측을 행하는 영역이다. 중첩 계측 영역은, 제1 계측 유닛 및 제2 계측 유닛 모두가 계측을 행할 수 있는 영역이다. 제2 계측 영역은 제2 계측 유닛만이 계측을 행하는 영역이다. 톱 스테이지(27)의 임의의 위치가 전환 위치(104)를 통과할 때에, 제1 계측 유닛과 제2 계측 유닛이 전환된다. 톱 스테이지(27)의 임의의 위치의 예는 톱 스테이지(27)의 좌측 단부, 중앙, 및 우측 단부를 포함한다. 탑 스테이지(27)의 임의의 위치가 우측 단부인 것을 가정한다. 도 3에서, 톱 스테이지(27)의 우측 단부가 전환 위치(104)에 대해 -X 방향의 위치에 위치된다. 따라서, 도 3은 제1 계측 유닛이 계측을 위해 사용되고 있는 상태를 나타낸다. 톱 스테이지(27)가 +X 방향으로 구동되고, 톱 스테이지(27)의 우측 단부가 전환 위치(104)를 통과할 경우, 제1 계측 유닛은 제2 계측 유닛으로 전환된다. X 스테이지(31) 등의 웨이퍼 스테이지를 구성하는 요소도 구동되지만, 도 3은 간략화를 위해서 톱 스테이지(27)만을 도시하고 있다.
도 4는 노광 처리의 흐름도이다. 본 예시적인 실시예에서는, 기판 상의 처리 대상은 샷으로서 설명된다. 단계 S01에서는, 감광재가 도포된 웨이퍼를 반송 핸드(도시하지 않음)에 의해 웨이퍼 척(26)에 반송한다. 전술한 바와 같이, 웨이퍼 척(26)은 톱 스테이지(27) 상에 탑재되어 있다. 웨이퍼 척(26)은 그 원점이 톱 스테이지(27)의 원점과 일치하도록 부착된다. 그러나, 실제로는 원점 사이에 오차가 있을 수 있다.
단계 S02에서는, 반송된 웨이퍼에 대해서, 각 샷마다 Z 방향의 포커스 계측 처리를 행하여, 포커스 오프셋을 취득한다. 이때, 샷마다 계측을 행하기 위해서, 기판을 레티클의 패턴에 노광하는 노광 처리(기판 처리)와 동일한 경로를 통해 웨이퍼 스테이지를 구동한다.
단계 S03에서는, 반송된 웨이퍼의 X 및 Y 방향의 얼라인먼트 오프셋을 취득한다. 여기에서 채용되는 바와 같이, 얼라인먼트 오프셋은 스테이지 원점과 웨이퍼 원점 사이의 X 방향, Y 방향, 및 θZ 방향의 어긋남을 조정하기 위한 각 웨이퍼마다의 오프셋을 지칭한다. 샷에 대한 얼라인먼트 마크를 계측하여, 샷 원점의 X 방향, Y 방향, 및 θZ 방향의 어긋남을 조정하기 위한 각 샷마다의 얼라인먼트 오프셋을 취득할 수 있다. 단계 S02와 S03은 병행해서 실행해도 된다.
도 5는 웨이퍼와 톱 스테이지(27) 사이의 위치 관계를 예시하는 도면이다. 일반적으로, 스테이지 원점과, 투영 유닛(34)의 렌즈(투영 렌즈, 도시하지 않음)의 원점은, 노광 장치의 기동시 서로에 대해 위치결정되어 있다. 웨이퍼 척(26)(도 5에서는 도시하지 않음) 위에 배치되는 웨이퍼(103)의 웨이퍼 원점(102)이 톱 스테이지(27)의 스테이지 원점(101)과 일치하고 있으면, 얼라인먼트 오프셋은 제로가 된다. 실제로는, 도 5에 도시된 바와 같이, 전술한 웨이퍼 척(26)과 톱 스테이지(27)의 원점 오차, 및 웨이퍼(103)의 반송으로부터 발생하는 오차에 의해, 웨이퍼 원점(102)과 스테이지 원점(101)은 일치하지 않는다. 도 5는, 명확하게 나타내기 위해서, 스테이지 원점(101)과 웨이퍼 원점(102)이 크게 어긋나 있게 나타내고 있다. 어긋남은 일반적으로 작다.
노광 처리 전에, 제어 유닛(301)은, 포커스 오프셋을 취득할 뿐만 아니라, 웨이퍼 상에 형성된 얼라인먼트 마크도 측정함으로써, X 및 Y 방향 상대적인 어긋남도 계측한다. 얼라인먼트 스코프(도 1에서는 도시하지 않음, 후술하는 도 9를 참조) 하에서 웨이퍼 상의 얼라인먼트 마크를 계측한다. 얼라인먼트 스코프는 투영 렌즈의 광축으로부터 이격된 광축을 갖는 오프-액시스 광학계를 포함하는 현미경이다. 얼라인먼트 스코프로서, 투영 렌즈를 통해서 계측을 행하는 렌즈 통과식(through-the-lens)(TTL) 현미경을 사용해도 된다.
도 4로 돌아가서, 단계 S04에서는, 취득된 얼라인먼트 오프셋을 웨이퍼 스테이지의 제어(스테이지 제어)에 반영시킨다. 이는 웨이퍼 원점(102)을 기준으로 한 스테이지 제어를 가능하게 한다.
단계 S05에서는, 단계 S02에서 취득한 포커스 오프셋을 반영하고, 웨이퍼 상의 각 샷에 대해 노광 처리를 행한다.
단계 S06에서는, 최종 웨이퍼가 처리되었는지의 여부가 판정된다. 최종 웨이퍼가 처리된 경우(단계 S06에서 예), 처리는 종료된다. 최종 웨이퍼가 처리되지 않은 경우(단계 S06에서 아니오), 처리는 단계 S01로 복귀되고 다음 웨이퍼가 반송된다.
도 6은 포커스 계측 처리에서의 스테이지 위치를 예시하는 도면이다. 도 6의 상위 부분은, 도 3과 마찬가지로, X 방향에서의, 제1 계측 영역, 중첩 계측 영역, 제2 계측 영역 및 전환 위치(104)를 나타내고 있다. 도 6의 상위 부분은 톱 스테이지(27) 및 웨이퍼(103)를 단면도로 더 나타내고, 스테이지 원점(101), 웨이퍼 원점(102) 및 웨이퍼(103)에 배치된 샷(106)을 나타내고 있다. 어긋남량(108)은 톱 스테이지(27)의 스테이지 원점(101)과 웨이퍼(103)의 웨이퍼 원점(102) 사이의 X 방향에서의 어긋남량을 나타낸다. 이 어긋남량(108)은 X 방향의 얼라인먼트 오프셋으로서의 역할을 한다. 도 6의 하위 부분은 웨이퍼(103)의 상면도를 나타내고 샷(106)의 위치를 나타내고 있다. 톱 스테이지(27)가 도 6에 나타내는 위치에 있는 상태에서 샷(106)의 포커스 계측 처리를 행한다. 여기서 톱 스테이지(27)는 전환 위치(104)의 -X 방향에 위치되기 때문에, 제1 계측 유닛이 Z 방향의 스테이지 위치를 계측하기 위해 사용된다. 톱 스테이지(27)는 스테이지 원점(101)을 기준으로 한 좌표계에서 구동된다.
도 7은 전환 위치가 변경될 때의 스테이지 위치를 예시하는 도면이다. 도 6에서와 동일한 도면 부호가 사용될 것이다. 톱 스테이지(27)가 도 7에 나타내는 위치에 있는 상태에서 샷(106)의 노광 처리를 행하고 있다. 얼라인먼트 오프셋을 스테이지 제어에 반영하기 때문에, 톱 스테이지(27)는 웨이퍼 원점(102)을 기준으로 한 좌표계에서 구동된다. 도 6의 경우와 비교하여, 톱 스테이지(27)의 위치는 +X 방향으로 어긋남량(108)만큼 변위된다. 즉, 샷(106)의 오프셋 계측시와 노광 처리시 사이에, 톱 스테이지(27)의 위치가 얼라인먼트 오프셋만큼 변화한다. 샷의 포커스 계측 처리에서 사용하는 계측 유닛과 샷의 노광 처리에서 사용하는 계측 유닛이 동일해지도록, 전환 위치(104)를 변경가능하게 한다. 도 4의 단계 S04에서, 얼라인먼트 오프셋을 스테이지 제어에 반영시킬 때, 전환 위치(104)를 어긋남량(108)만큼 변위된 위치로 변경한다. 더 구체적으로는, 전환 위치(104)는 +X 방향으로 어긋남량(108)만큼 변위된 전환 위치(105)로 변경된다. 여기서 톱 스테이지(27)는 전환 위치(105)의 -X 방향에 위치되기 때문에, 제1 계측 유닛이 Z 방향의 스테이지 위치를 계측하기 위해 사용된다. 샷(106)의 포커스 계측 처리에 사용되는 계측 유닛과 샷(106)의 노광 처리에 사용되는 계측 유닛은 따라서 동일하다. 샷(106)과 마찬가지로, 모든 샷에 대하여, 포커스 계측 처리와 노광 처리에 동일한 계측 유닛이 사용되도록 전환 위치(104)를 변경가능하게 한다. 톱 스테이지(27)가 +X 방향으로 이동하는 것으로 설명했지만, 탑 스테이지(27)는 -X 방향으로 이동할 수 있고, 이 경우에는 전환 위치는 -X 방향으로 변위된다. 도 4의 단계 S05에서 웨이퍼(103)의 각 샷에 대하여 얼라인먼트 오프셋을 취득하는 경우에는, 샷을 노광하기 전에, 어긋남량(108)뿐만 아니라 샷의 얼라인먼트 오프셋만큼 전환 위치를 변경할 수 있다.
도 8은 각 샷을 계측하는 계측 유닛의 번호를 예시하는 도면이다. "1"로 표시된 샷은 제1 계측 유닛에 의해 계측되는 것을 나타낸다. "2"로 표시된 샷은 제2 계측 유닛에 의해 계측되는 것을 나타낸다. 전술한 바와 같이, 각 샷의 포커스 계측 처리에서 사용되는 계측 유닛과, 샷의 노광 처리에서 사용되는 계측 유닛이 동일하도록, 계측 유닛 사이의 전환 위치를 변경한다. 도 8에서 각 샷에 대한 계측 유닛의 번호에 의해 나타낸 바와 같이, 복수의 샷의 포커스 계측 처리와 노광 처리가 행해지는 경우, 계측 유닛 중 동일한 것을 사용하여 각 단일 샷을 처리한다.
각 샷에 사용되는 계측 유닛에 대한 정보를 관리할 수 있고, 각 단일 샷이 동일한 계측 유닛을 사용하여 처리되도록 전환 위치를 변경할 수 있다. 도 4의 단계 S02에서, 제어 유닛(301)은 각 샷의 포커스 계측 처리에서 사용된 계측 유닛에 대한 정보를 메모리(303)에 저장한다. 도 4의 단계 S05에서, 제어 유닛(301)은 메모리(303)로부터 사용된 계측 유닛에 대한 정보를 샷마다 판독하고, 노광 처리에서 동일한 계측 유닛을 사용하도록 전환 위치를 변경한다.
전술한 설명에서는, 제1 및 제2의 2개의 계측 유닛이 사용된다. 그러나, 본 예시적인 실시예는 2개의 계측 유닛으로 한정되지 않고, 복수의 계측 유닛으로 구성되는 경우에도 본 실시예가 적용될 수 있다. 계측 유닛을 레이저 간섭계를 사용하는 것으로 설명하였다. 그러나, 리니어 인코더 및 커패시턴스 센서 같은 다른 센서가 사용될 수 있다.
동일한 계측 유닛을 사용하는 처리를 포커스 계측 처리 및 노광 처리인 것으로 설명하였다. 그러나, 처리는 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들어, 노광 처리 후에, 웨이퍼 스테이지를 구동하여 각 샷의 노광 처리의 결과를 계측하는 처리(기판 처리 결과를 계측하는 처리)를 하는 경우, 계측 결과의 향상된 정밀도를 위해 사용되는 계측 유닛을 마찬가지로 동일한 것으로 할 수 있다.
복수의 처리를 행하는 경우, 1개의 처리 대상에 대한 처리는 스테이지 제어에 동일한 계측 유닛을 사용한다. 이는 스테이지 제어의 특성의 변화로 인한 스테이지 제어의 정밀도의 저하를 억제할 수 있다.
(비교예)
도 14는 종래 기술에 따른 노광 처리 시의 스테이지 위치를 예시하는 도면이다. 도 6에서와 동일한 참조 번호가 사용될 것이다. 톱 스테이지(27)가 도 14에 도시하는 위치에 있는 상태에서 샷(106)의 노광 처리를 행한다. 얼라인먼트 오프셋을 스테이지 제어에 반영하고 있기 때문에, 톱 스테이지(27)는 웨이퍼 원점(102)을 기준으로 한 좌표계에서 구동된다. 도 6의 경우와 비교하면, 톱 스테이지(27)의 위치는 +X 방향으로 어긋남량(108)만큼 변위된다. 즉, 샷(106)의 포커스 오프셋 계측시와 노광 처리 시 사이에서 톱 스테이지(27)의 위치가 얼라인먼트 오프셋만큼 변화한다. 종래 기술에 따르면, 이러한 위치 어긋남에 의해, 톱 스테이지(27)의 위치는 전환 위치(104)의 +X 방향에 위치된다. 따라서, 제2 계측 유닛을 사용하여 Z 방향의 스테이지 위치를 계측한다.
도 15는 각 샷을 측정하는 계측 유닛의 번호를 예시하는 도면이다. "1"로 표시된 샷은 제1 계측 유닛에 의해 계측되는 것을 나타낸다. "2"로 표시된 샷은 제2 계측 유닛에 의해 계측되는 것을 나타낸다. "1, 2"로 표시된 샷은 포커스 오프셋 계측 동안 제1 계측 유닛에 의해 그리고 노광 처리 동안 제2 계측 유닛에 의해 계측되는 것을 나타낸다. 전술한 바와 같이, 계측 유닛의 전환 위치를 변경하지 않는 경우에는, 일부의 샷은 포커스 계측 처리 및 노광 처리에서 상이한 계측 유닛을 사용하여 계측된다.
이와 같이, 종래 기술에 따르면, 동일한 샷에 대한 포커스 계측 처리와 노광 처리는 상이한 계측 유닛을 사용하여 스테이지 제어를 할 수 있다. 각 계측 유닛의 특성의 차이에 따라, 계측 결과에서 오차가 발생할 수 있다. 이는 스테이지 제어의 정밀도의 저하와 함께 스테이지 제어의 특성의 변화를 유발하는 경우가 있다.
제2 예시적인 실시예에 따른 노광 장치를 설명한다. 여기에서 언급되지 않는 문제는 제1 예시적인 실시예를 따를 수 있다. 제1 및 제2 계측 유닛은 제1 예시적인 실시예의 것과 마찬가지이다. 본 예시적인 실시예는 계측 유닛을 전환하기 위한 전환 위치가 복수인 경우에 대해서 설명한다. 제1 예시적인 실시예에서와 같이 1개의 전환 위치에 의해 계측 유닛의 전환을 제어하는 것을 가정한다. 이러한 경우에, 탑 스테이지(27)가 전환 위치 부근에 멈추는 경우, 전환 유닛은 제어 어긋남으로 인해 빈번하게 전환될 수 있다. 계측 유닛의 빈번한 전환은 계측값을 불안정하게 만들고 스테이지 제어의 정밀도를 저하시킨다. 이러한 현상을 억제하기 위해서, 복수의 전환 위치가 일 방향으로 제공될 수 있다. 탑 스테이지(27)가 동일한 위치에 있는 경우에도, 탑 스테이지(27)의 이동 방향에 따라 Z 방향으로 탑 스테이지(27)를 계측하는 계측 유닛은 상이할 수 있다. 동일한 처리를 복수회 행하는 경우, 이전 처리가 종료됐을 때의 톱 스테이지(27)의 위치에 따라, 동일한 처리 대상에 대해 처리를 행할 때의 톱 스테이지(27)의 이동 방향이 상이할 수 있다. 이는 또한 제1 예시적인 실시예에 기재된 포커스 계측 처리 및 노광 처리에도 적용된다. 본 예시적인 실시예에서는, 얼라인먼트 계측 처리에 대해서 설명한다.
탑 스테이지(27)의 이동 방향에 관계 없이, 얼라인먼트 마크에 대한 얼라인먼트 계측 처리를 실행하기 위해 동일한 계측 유닛을 사용하도록, 전환 위치(111) 및 전환 위치(112)를 변경가능하게 한다.
도 9는, 탑 스테이지(27)가 +X 방향으로 이동할 경우의 얼라인먼트 마크 계측시의 스테이지 위치를 예시하는 도면이다. 얼라인먼트 스코프(109)는 웨이퍼 면 내의 얼라인먼트 마크(110)의 위치를 계측한다. 복수의 얼라인먼트 마크가 웨이퍼 면 내에 배치된다. 도 9에 도시된 얼라인먼트 마크(110)는 얼라인먼트 마크 중 하나이다. 톱 스테이지(27)가 +X 방향으로 이동하고, 제1 계측 유닛에 의해 Z 방향의 스테이지 위치가 계측되는 경우, 톱 스테이지(27)의 우측 단부가 전환 위치(111)를 통과할 때 제어 유닛(301)은 제1 계측 유닛으로부터 제2 계측 유닛으로 전환한다.
도 9는, 톱 스테이지(27)가 +X 방향으로 이동하고, 제1 계측 유닛에 의해 Z 방향의 스테이지 위치가 계측되는 경우를 나타내고 있다. 톱 스테이지(27)의 우측 단부가 전환 위치(111)의 -X 방향에 위치되기 때문에, 제1 계측 유닛에 의해 Z 방향의 스테이지 위치가 계측된다.
도 10은 전환 위치가 변경될 때의 스테이지 위치를 예시하는 도면이다. 얼라인먼트 스코프(109)는 웨이퍼 면 내의 얼라인먼트 마크(110)의 위치를 계측한다. 복수의 얼라인먼트 마크가 웨이퍼 면 내에 배치된다. 도 10에 나타낸 얼라인먼트 마크(110)는 얼라인먼트 마크 중 하나이다. 톱 스테이지(27)가 도 10에 도시하는 위치에 있는 상태에서, 얼라인먼트 마크(110)의 얼라인먼트 계측 처리를 행하고 있다. 톱 스테이지(27)의 우측 단부는 전환 위치(112)의 +X 방향에 위치되기 때문에, Z 방향의 스테이지 위치는 제2 계측 유닛에 의해 계측되는 것으로 한다. 톱 스테이지(27)가 +X 방향과 -X 방향으로 이동할 때 동일한 계측 유닛이 얼라인먼트 마크(110)에 사용되도록, 전환 위치(112)는 전환 위치(113)로 변경된다.
거리(114)는 전환 위치(112) 로부터 전환 위치(113)까지의 이동 거리이다. 전환 위치(112) 로부터 거리(114) 만큼 이동된 전환 위치(113)는, 얼라인먼트 스코프(109)가 얼라인먼트 마크(110)를 계측할 때, 톱 스테이지(27)의 우측 단부의 +X 방향 및 전환 위치(111)의 -X 방향에 있을 수 있다. 여기에서는, 탑 스테이지(27)가 -X 방향으로 이동할 때에 사용하는 계측 유닛을, 탑 스테이지(27)가 +X 방향으로 이동할 때에 사용하는 제1 계측 유닛으로 변경하는 것으로 설명한다. 그러나, 탑 스테이지(27)가 +X 방향으로 이동할 때에 사용하는 계측 유닛은, 탑 스테이지(27)가 -X 방향으로 이동할 때에 사용하는 제2 계측 유닛으로 변경될 수 있다. 이러한 경우에는, 전환 위치(111)는 톱 스테이지(27)의 우측 단부의 -X 방향의 위치로 이동된다.
제1 예시적인 실시예와 마찬가지로, 각 얼라인먼트 마크에 사용되는 계측 유닛에 대한 정보를 관리할 수 있고, 각 얼라인먼트 마크가 동일한 계측을 사용하여 처리되도록 전환 위치를 변경할 수 있다.
본 예시적인 실시예는 얼라인먼트 계측 처리를 다룬다. 그러나, 본 예시적인 실시예는 얼라인먼트 계측 처리로 제한되지 않고 제1 예시적인 실시예에 기재된 포커스 계측 처리 및 노광 처리에 적용될 수 있다. 본 예시적인 실시예는 톱 스테이지(27) 등의 웨이퍼 스테이지에 형성된 기준 마크에 대한 기준 마크 계측 처리에 대해서도 마찬가지로 적용될 수 있다. 상기 기준 마크의 위치는 웨이퍼 스테이지의 원점 위치나 투영 유닛(34)의 광축과 얼라인먼트 스코프(109) 사이의 거리를 계측하기 위해 투영 유닛(34) 및/또는 얼라인먼트 스코프(109)를 통해 검출된다. 얼라인먼트 계측 처리와 마찬가지로, 웨이퍼 스테이지의 이동 방향에 따라 상이한 계측 유닛을 사용하여 동일한 기준 마크를 계측할 수 있다. 따라서, 기준 마크 계측 처리에서, 계측 유닛의 전환 위치를 이동시킴으로써, 동일한 기준 마크의 계측 처리에서 동일한 계측 유닛이 사용되도록 제어를 행할 수 있다. 계측 유닛을 레이저 간섭계를 사용하는 것으로 설명했지만, 리니어 인코더 및 커패시턴스 센서 같은 다른 센서를 사용해도 된다.
결과적으로, 웨이퍼 스테이지가 복수의 방향으로 이동해서 처리를 행하는 경우에, 1개의 처리 대상에 대한 처리는 스테이지 제어에 동일한 계측 유닛을 사용한다. 이는 스테이지 제어의 특성의 변화로 인한 스테이지 제어의 정밀도의 저하를 억제할 수 있다.
(비교예)
도 16은, 탑 스테이지(27)가 -X 방향으로 이동하는 경우의 얼라인먼트 마크 계측시의 스테이지 위치를 예시하는 도면이다. 도 9에서와 동일한 참조 번호가 사용된다. 도 16에서는, 톱 스테이지(27)가 +X 방향으로 이동하고, 제어 유닛(301)이 제1 계측 유닛으로부터 제2 계측 유닛으로 전환한 후, 톱 스테이지(27)가 -X 방향으로 이동하고 있다. 종래 기술에 따르면, 제2 계측 유닛이 Z 방향의 스테이지 위치를 계측하기 위해 사용되는 경우, 톱 스테이지(27)의 우측 단부가 -X 방향으로 이동하고 전환 위치(112)를 통과할 때, 제어 유닛(301)은 제2 계측 유닛으로부터 제1 계측 유닛으로 전환한다. 도 16에서는, 톱 스테이지(27)의 우측 단부는 전환 위치(112)의 +X 방향에 위치되고, 제2 계측 유닛에 의해 Z 방향의 스테이지 위치가 계측된다.
이와 같이, 종래 기술에 따르면, 톱 스테이지(27)가 동일한 위치에 있는 상태에서 동일한 얼라인먼트 마크를 계측하는 얼라인먼트 계측 처리에서도, 톱 스테이지(27)의 이동 방향에 따라 상이한 계측 유닛을 사용하여 스테이지 제어를 행할 수 있다. 각 계측 유닛의 특성의 차이에 따라, 계측 결과에 오차가 발생할 수 있다. 이는 스테이지 제어의 정밀도의 저하와 함께 스테이지 제어의 특성의 변화를 유발하는 경우가 있다.
제3 예시적인 실시예에 따른 노광 장치를 설명한다. 여기에서 언급하지 않는 사항은 제1 및 제2 예시적인 실시예에 따를 수 있다. 제1 및 제2 계측 유닛은 제1 예시적인 실시예의 것과 유사하다. 제3 예시적인 실시예는 동일한 샷 레이아웃을 갖는 복수의 웨이퍼에 대해 노광 처리 같은 처리가 행해지는 예를 설명한다.
복수의 웨이퍼에 대해서 노광 처리를 행하는 경우, 대응하는 샷, 예를 들어 웨이퍼 상의 동일한 위치에 있는 것은 동일한 계측 유닛을 사용하여 처리되는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 스테이지 제어의 특성의 변화를 억제하여 웨이퍼 사이의 노광 결과의 변동을 감소시키기 때문이다.
복수의 웨이퍼를 처리하는 경우, 도 5에 도시된 웨이퍼 원점(102)과 스테이지 원점(101) 사이의 위치 어긋남량은 웨이퍼마다 상이할 수 있다. 동일한 처리에서도, 웨이퍼 스테이지(톱 스테이지(27))의 구동 방향이 웨이퍼마다 상이할 수 있다. 제1 및 제2 예시적인 실시예에서와 같이 제1 및 제2 계측 유닛의 전환 위치(들)를 변경가능하게 하는 방법에서는, 상이한 웨이퍼의 대응하는 처리 대상에 대한 처리에서, 동일한 계측 유닛을 사용하는 것이 불가능할 수 있다.
따라서, 제어 유닛(301)은, 복수의 웨이퍼 사이에서 대응하는 샷에 대한 처리(노광 처리)에 대해서, 동일한 계측 유닛을 사용하도록, 계측 유닛을 전환한다.
그 때문에, 제어 유닛(301)은, 샷에 대하여 사용하는 계측 유닛의 정보를 메모리(303)로부터 읽어들이고, 상기 정보에 기초하여 계측 유닛을 전환한다. 제어 유닛(301)은, 최초에 처리한 웨이퍼에서 샷에 대하여 사용한 계측 유닛에 대한 정보를 취득하고, 그 정보를 메모리(303)에 저장한다. 대안적으로, 도 1에 예시된 노광 장치는, 키보드, 마우스, 및/또는 다른 입력 장치(입력 유닛)를 더 포함할 수 있고, 유저는 입력 장치(도시하지 않음)로부터 샷에 대하여 사용되는 계측 유닛에 대한 정보를 입력할 수 있고 그 정보를 메모리(303)에 저장할 수 있다. 예를 들어, 상기 정보는, 도 8에 예시한 바와 같이, 사용된 계측 유닛의 번호를 샷과 연관시키는 정보이다. 노광 장치는, 전기 통신 회선을 통해 외부 장치와 전기 통신을 행하는, 도시하지 않은 통신 장치(통신 유닛)를 더 포함할 수 있고, 전기 통신 회선을 통해 접속되어 있는 계측 장치, 서버, 다른 외부 장치(도시하지 않음)로부터 상기 정보를 취득하고 그 정보를 메모리(303)에 저장할 수 있다. 모든 경우에, 도 4의 단계 S02와 S05에서, 제어 유닛(301)은, 메모리(303)로부터 샷에 대하여 사용하는 계측 유닛에 대한 정보를 판독하고, 노광 처리에서 사용하는 계측 유닛을 선택한다. 이러한 방식으로, 동일한 웨이퍼 상의 샷뿐만 아니라, 동일한 샷 레이아웃을 갖는 웨이퍼 상의 대응하는 샷에 대한 노광 처리에서도, 동일한 계측 유닛이 사용되도록 계측 유닛을 선택할 수 있다. 즉, 상이한 웨이퍼 사이에서도, 대응하는 처리 대상의 처리에서 동일한 계측 유닛이 사용되도록 계측 유닛을 선택할 수 있다.
결과적으로, 상이한 웨이퍼 사이의 대응하는 처리 대상은 스테이지 제어에 동일한 계측 유닛을 사용하여 처리된다. 이는 스테이지 제어의 특성의 변화로 인한 스테이지 제어의 정밀도의 저하를 억제할 수 있다.
제4 예시적인 실시예에 다른 노광 장치를 설명한다. 여기에서 언급하지 않는 사항은 제1, 제2 및 제3 예시적인 실시예에 따를 수 있다. 본 예시적인 실시예는 Y 방향의 스테이지 위치를 계측하는 복수의 레이저 간섭계가 있는 경우를 설명한다.
도 11은 Y 방향의 스테이지 위치를 계측하는 2개의 레이저 간섭계를 예시하는 도면이다. 레이저 간섭계(23d, 23e)는 Y 방향의 스테이지 위치를 계측하는 2개의 레이저 간섭계이다. 미러(28a, 28b)는 모두 톱 스테이지(27) 상에 탑재되어 있다. 레이저 간섭계(23d, 23e)는 레이저 간섭계(23d, 23e)로부터 출사되는 빔이 XY 평면에 대하여 수평이 되도록 배치되거나, 미러 같은 광학 소자에 의해 빔이 수평으로 안내되도록 구성된다. 각 레이저 간섭계(23d, 23e)로부터 출사된 빔을 XY 평면에 수직한 반사면을 각각 갖는 미러(28a, 28b)에 입사시키고, 이에 의해 Y 방향의 톱 스테이지(27)의 위치에 관한 정보를 취득한다. 제1 예시적인 실시예와 마찬가지로, 2개의 레이저 간섭계(23d, 23e)는 중첩 계측 영역을 갖는다. 제1 예시적인 실시예와 마찬가지로, 처리 대상(샷 등)에 대하여 행하는 복수의 처리에서, 동일한 계측 유닛(레이저 간섭계 및 반사경)을 사용하도록, 전환 위치를 변경한다. Y 방향뿐만 아니라 X 방향에 대하여 복수의 계측 유닛이 구성되는 경우에도, 본 예시적인 실시예가 마찬가지로 적용될 수 있다. 계측 유닛을 레이저 간섭계를 사용하여 설명했지만, 리니어 인코더 및 커패시턴스 센서 같은 다른 센서를 사용해도 된다.
결과적으로, 복수의 처리를 행하는 경우에, 1개의 처리 대상에 대한 처리는 스테이지 제어에 동일한 계측 유닛을 사용한다. 이는 스테이지 제어의 특성의 변화로 인한 스테이지 제어의 정밀도의 저하를 억제할 수 있다.
제5 예시적인 실시예에 따른 노광 장치에 대해서 설명한다. 여기에서 언급하지 않는 사항은 제1, 제2, 제3, 및 제4 예시적인 실시예에 따를 수 있다. 본 예시적인 실시예는 복수의 스테이지 위치를 계측하는 복수의 레이저 간섭계를 레티클 스테이지에 적용하는 경우에 대해서 설명한다.
도 12는 복수의 레이저 간섭계를 적용한 레티클 스테이지를 예시하는 도면이다. 레이저 간섭계(45)는 Y 방향의 레티클 스테이지(33)의 위치를 계측하는 것이다. 미러(44)는 레티클 스테이지(33)에 탑재되어 있다. 도 13은 복수의 레이저 간섭계를 적용한 레티클 스테이지(33)의 상면을 예시하는 도면이다. 레이저 간섭계(45a, 45b)와 미러(44a, 44b)를 포함하는 2개의 레이저 간섭계(45)와 2개의 미러(44)가 있다. 레이저 간섭계(45a, 45b)는 Y 방향의 레티클 스테이지(33)의 위치를 계측하는 2개의 레이저 간섭계이다. 미러(44a, 44b)는 모두 레티클 스테이지(33)에 탑재되어 있다. 각 레이저 간섭계(45a, 45b)로부터 출사된 빔을, XY 평면에 수직한 반사면을 각각 갖는 미러(44a, 44b)에 입사시키고, 이에 의해 Y 방향의 레티클 스테이지(33)의 위치에 대한 정보를 취득한다. 제1 예시적인 실시예와 마찬가지로, 2개의 레이저 간섭계(45a, 45b)는 중첩 계측 영역을 갖는다. 레티클 상의 레티클 마크를 측정하는 처리의 실행에 있어서, 제어 유닛(301)은 동일한 또는 대응하는 레티클 마크(들)를 측정하는 처리에서 동일한 계측 유닛을 사용하도록 계측 유닛을 선택한다. 레티클 스테이지(33) 상의 기준 마크를 계측하는 처리에서, 제어 유닛(301)은 동일한 기준 마크를 계측하는 처리에서 동일한 계측 유닛이 사용되도록 계측 유닛을 선택한다. 본 예시적인 실시예는, 복수의 계측 유닛이 Y 방향뿐만 아니라 X 및/또는 Z 방향(들)에서도 구성되는 경우에도 마찬가지로 적용될 수 있다. 계측 유닛을 레이저 간섭계를 사용하는 것으로 설명했지만, 리니어 인코더 및 커패시턴스 센서 같은 다른 센서를 사용할 수 있다.
결과적으로, 복수의 처리가 실행되는 경우, 1개의 처리 대상에 대한 처리는 스테이지 제어에 동일한 계측 유닛을 사용한다. 이는 스테이지 제어의 특성의 변화로 인한 스테이지 제어의 정밀도의 저하를 억제할 수 있다.
(물품의 제조 방법)
디바이스(반도체 디바이스, 자기 기록 매체, 또는 액정 표시 소자), 컬러 필터 및 하드 디스크 같은 물품의 제조 방법에 대해서 설명한다. 상기 제조 방법은, 리소그래피 장치(예를 들어, 노광 장치, 임프린트 장치, 및 묘화 장치)를 사용해서 패턴을 기판(웨이퍼, 유리 플레이트, 필름 형상 기판)에 형성하는 단계를 포함한다. 상기 제조 방법은 패턴이 형성된 기판을 처리하는 단계를 더 포함한다. 이러한 처리 단계는 패턴의 잔막을 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 처리 단계는 패턴을 마스크로 해서 기판을 에칭하는 단계 같은 다른 종래의 단계를 더 포함할 수 있다. 종래의 방법에 비해, 본 예시적인 실시예에 따른 물품의 제조 방법은 물품의 성능, 품질, 생산성 및 생산 비용 중 적어도 하나에서 유리하다.
본 개시물의 예시적인 실시예를 위에서 설명하였다. 본 개시물은 이러한 예시적인 실시예로 제한되지 않고, 다양한 변화 및 변경이 그 요지의 범위 내에서 이루어질 수 있다. 예를 들어, 리소그래피 장치는 기판을 노광하여 패턴 형성을 행하는 노광 장치에 한정되는 것은 아니다. 리소그래피 장치는, 하전 입자 광학계를 통해 하전 입자 빔(전자빔 및 이온빔 등)을 사용하여 기판에 묘화를 행함으로써 기판 상에 패턴을 형성하는 묘화 장치일 수 있다. 리소그래피 장치는, 몰드(원판)를 사용하여 기판 상에 임프린트재(수지 등)를 형성(성형)하여 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 장치일 수 있다. 본 개시물의 예시적인 실시예는, 리소그래피 장치뿐만 아니라, 원판 또는 기판을 보유지지하는 스테이지를 포함하고, 스테이지 제어의 정밀도가 장치 성능에 영향을 주는 장치에도 추가로 적용 가능하다. 제1, 제2, 제3, 제4 및 제5 예시적인 실시예에 따른 노광 장치는 그들 단독으로뿐만 아니라 조합되어 실행될 수 있다.
본 개시물의 예시적인 실시예에 따르면, 스테이지 제어의 정밀도의 저하를 억제하는 리소그래피 장치, 패턴 형성 방법, 및 물품의 제조 방법이 제공될 수 있다.
본 개시물을 예시적인 실시예를 참고하여 설명하였지만, 본 개시물은 개시된 예시적인 실시예로 제한되지 않는다는 것을 이해해야 한다. 이하의 청구항의 범위는 이러한 모든 변형 및 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광으로 해석되어야 한다.

Claims (20)

  1. 기판 상에 패턴을 형성하는 리소그래피 장치이며,
    원판 또는 상기 기판을 탑재한 상태에서 이동하도록 구성되는 이동 유닛과,
    상기 이동 유닛의 위치에 대한 정보를 취득하도록 구성되는 복수의 계측 유닛으로서, 각각의 상기 계측 유닛의 계측 영역은 서로 중첩하는, 복수의 계측 유닛과,
    상기 원판 또는 상기 기판 상에 형성된 마크의 위치에 기초하여 상기 이동 유닛과, 상기 이동 유닛 상에 탑재된 상기 원판 또는 상기 기판 사이의 위치 어긋남량을 취득하고, 중첩 계측 영역에 놓이는 전환 위치에 기초하여, 상기 이동 유닛의 위치에 대한 정보를 취득하기 위해 사용되는 상기 계측 유닛을 전환하도록 구성되는 제어 유닛을 포함하고,
    상기 원판 또는 상기 기판 상의 복수의 처리 대상 중 하나의 처리 대상에 대해 제1 처리 및 상기 제1 처리 후 실행되는 제2 처리가 실행되는 경우, 상기 제어 유닛은, 상기 제1 처리가 실행된 후 상기 취득된 위치 어긋남량을 반영하여 상기 이동 유닛을 제어하고, 상기 제1 처리가 실행된 후 상기 취득된 위치 어긋남량에 기초하여 상기 전환 위치를 변경하고, 상기 계측 유닛 중 동일한 계측 유닛이 상기 제1 및 제2 처리의 실행에 사용되도록 상기 계측 유닛을 제어하는, 리소그래피 장치.
  2. 기판 상에 패턴을 형성하는 리소그래피 장치이며,
    원판 또는 상기 기판을 탑재한 상태에서 이동하도록 구성되는 이동 유닛과,
    상기 이동 유닛의 위치에 대한 정보를 취득하도록 구성되는 복수의 계측 유닛으로서, 각각의 상기 계측 유닛의 계측 영역이 서로 중첩하는, 복수의 계측 유닛과,
    상기 원판 또는 상기 기판 상에 형성된 마크의 위치에 기초하여 상기 이동 유닛과, 상기 이동 유닛 상에 탑재된 상기 원판 또는 상기 기판 사이의 위치 어긋남량을 취득하고, 중첩 계측 영역에 놓이는 제1 전환 위치 및 상기 중첩 계측 영역에 놓이는, 상기 제1 전환 위치와 상이한 제2 전환 위치에 기초하여, 상기 이동 유닛의 위치에 대한 정보를 취득하기 위해 사용되는 상기 계측 유닛을 전환하도록 구성되는 제어 유닛을 포함하고,
    상기 제어 유닛은, 상기 이동 유닛이 제1 방향으로 이동하는 동안 상기 제1 전환 위치에 기초하여 상기 계측 유닛을 전환하고, 상기 이동 유닛이 상기 제1 방향과 상이한 제2 방향으로 이동하는 동안 상기 제2 전환 위치에 기초하여 상기 계측 유닛을 전환하고;
    상기 이동 유닛이 상기 원판, 상기 기판, 또는 상기 이동 유닛 상의 복수의 처리 대상에 대한 처리의 실행시 상기 제1 및 제2 방향으로 이동하는 경우, 상기 제어 유닛은, 상기 제1 방향으로 상기 이동 유닛이 이동한 후 상기 제2 방향으로 상기 이동 유닛이 이동하는 동안 상기 이동 유닛의 위치에 기초하여 상기 제2 전환 위치를 변경하고, 상기 이동 유닛이 상기 제1 및 제2 방향으로 이동할 때 상기 계측 유닛 중 동일한 계측 유닛이 상기 처리 대상 중 하나의 처리 대상에 대한 상기 처리의 실행에 사용되도록 상기 계측 유닛을 제어하는, 리소그래피 장치.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제어 유닛은, 상기 하나의 처리 대상에 사용되는 상기 계측 유닛에 대한 정보에 기초하여 상기 전환 위치를 변경하고, 동일한 상기 계측 유닛이 사용되도록 상기 계측 유닛을 제어하는, 리소그래피 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제어 유닛은 상기 계측 유닛에 대한 정보를 저장 유닛에 저장하는, 리소그래피 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 처리 대상은 상기 기판 상의 샷, 상기 기판에 형성된 얼라인먼트 마크, 및 상기 기판이 탑재되는 상기 이동 유닛에 형성된 기준 마크 중 어느 하나인, 리소그래피 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 처리는 포커스 계측 처리, 기판 처리, 상기 기판 처리의 결과의 계측 처리, 얼라인먼트 계측 처리, 및 기준 마크 계측 처리 중 하나이고, 상기 제2 처리는 포커스 계측 처리, 기판 처리, 상기 기판 처리의 결과의 계측 처리, 얼라인먼트 계측 처리, 및 기준 마크 계측 처리 중 다른 하나인, 리소그래피 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 처리 대상은 상기 원판에 형상된 얼라인먼트 마크 또는 상기 원판이 탑재되는 상기 이동 유닛에 형성된 기준 마크 중 어느 하나인, 리소그래피 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 처리는 얼라인먼트 계측 처리 또는 기준 마크 계측 처리 중 하나이고, 상기 제2 처리는 얼라인먼트 계측 처리 또는 기준 마크 계측 처리 중 다른 하나인, 리소그래피 장치.
  11. 기판 상에 패턴을 형성하는 리소그래피 장치이며,
    원판 또는 상기 기판을 탑재한 상태에서 이동하도록 구성되는 이동 유닛과,
    상기 이동 유닛의 위치에 대한 정보를 취득하도록 구성되는 제1 계측 유닛 및 제2 계측 유닛으로서, 상기 제1 계측 유닛 및 상기 제2 계측 유닛에 의해 계측 가능한 영역이 서로 중첩하는, 제1 계측 유닛 및 제2 계측 유닛과,
    상기 제1 계측 유닛에 의해 계측 가능한 영역과 상기 제2 계측 유닛에 의해 계측 가능한 영역이 중첩하는 중첩 계측 영역에 설정된 전환 위치에서 상기 제1 계측 유닛과 상기 제2 계측 유닛 사이에서의 상기 이동 유닛의 위치를 계측하기 위해 사용되는 상기 계측 유닛을 전환하도록 구성되는 제어 유닛을 포함하고,
    상기 전환 위치는, 상기 중첩 계측 영역에서 실행되는 제1 처리 및 제2 처리가 실행될 때, 상기 제1 처리에서 상기 이동 유닛의 위치를 계측하는 데 사용되는 계측 유닛과 상기 제2 처리에서 상기 이동 유닛의 위치를 계측하는 데 사용되는 계측 유닛이 동일하도록 설정되고,
    상기 제1 처리는 패턴을 형성하기 위한 처리이고, 상기 제2 처리는 패턴을 형성하기 위해 상기 제1 처리 전에 실행되는 계측 처리인, 리소그래피 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 처리 및 상기 제2 처리는 처리 대상이 동일한, 리소그래피 장치.
  13. 리소그래피 장치를 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 패턴 형성 방법이며,
    원판 또는 상기 기판을 탑재한 상태에서 상기 리소그래피 장치의 이동 유닛을 이동시키는 단계와,
    상기 리소그래피 장치의 복수의 계측 유닛에 의해 상기 이동 유닛의 위치에 대한 정보를 취득하는 단계로서, 각각의 상기 계측 유닛의 계측 영역이 서로 중첩하는, 정보 취득 단계와,
    상기 원판 또는 상기 기판 상에 형성된 마크의 위치에 기초하여 상기 이동 유닛과, 상기 이동 유닛 상에 탑재된 상기 원판 또는 상기 기판 사이의 위치 어긋남량을 취득하는 단계와,
    중첩 계측 영역에 놓이는 전환 위치에 기초하여, 상기 이동 유닛의 위치에 대한 정보를 취득하기 위해 사용되는 상기 계측 유닛을 전환하는 단계를 포함하고,
    상기 원판 또는 상기 기판의 복수의 처리 대상 중 하나의 처리 대상에 대해서 제1 처리 및 상기 제1 처리 후 실행되는 제2 처리가 실행되는 경우, 상기 이동 유닛은 상기 제1 처리가 실행된 후 상기 취득한 위치 어긋남량을 반영하여 제어되고, 상기 전환 위치는 상기 제1 처리가 실행된 후 상기 취득한 위치 어긋남량에 기초하여 변경되고, 상기 계측 유닛은 상기 계측 유닛 중 동일한 계측 유닛이 상기 제1 및 제2 처리의 실행에 사용되도록 제어되는, 패턴 형성 방법.
  14. 리소그래피 장치를 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 패턴 형성 방법이며,
    원판 또는 상기 기판을 탑재한 상태에서 상기 리소그래피 장치의 이동 유닛을 이동시키는 단계와,
    상기 리소그래피 장치의 복수의 계측 유닛에 의해 상기 이동 유닛의 위치에 대한 정보를 취득하는 단계로서, 각각의 상기 계측 유닛의 계측 영역이 서로 중첩하는, 정보 취득 단계와,
    상기 원판 또는 상기 기판 상에 형성된 마크의 위치에 기초하여 상기 이동 유닛과, 상기 이동 유닛 상에 탑재된 상기 원판 또는 상기 기판 사이의 위치 어긋남량을 취득하는 단계와,
    중첩 계측 영역에 놓이는 제1 전환 위치 및 상기 중첩 계측 영역에 놓이는, 상기 제1 전환 위치와 상이한 제2 전환 위치에 기초하여, 상기 이동 유닛 상의 위치에 대한 정보를 취득하기 위해 사용되는 상기 계측 유닛을 전환하는 단계를 포함하고,
    상기 계측 유닛은, 상기 이동 유닛이 제1 방향으로 이동하는 동안 상기 제1 전환 위치에 기초하여 전환되고, 상기 이동 유닛이 상기 제1 방향과 상이한 제2 방향으로 이동하는 동안 상기 제2 전환 위치에 기초하여 전환되고;
    상기 이동 유닛이 상기 원판, 상기 기판, 또는 상기 이동 유닛의 복수의 처리 대상에 대한 처리를 행할 때 상이한 방향으로 이동하는 경우, 상기 전환 위치는 상기 제1 방향으로 상기 이동 유닛이 이동한 후 상기 제2 방향으로 상기 이동 유닛이 이동하는 동안 상기 이동 유닛의 위치에 기초하여 변경되고, 상기 이동 유닛이 상기 제1 방향으로 이동하고 그리고 상기 이동 유닛이 상기 제2 방향으로 이동할 때 상기 계측 유닛은 상기 계측 유닛 중 동일한 계측 유닛이 상기 처리 대상 중 하나의 처리 대상에 대한 상기 처리의 실행에 사용되도록 제어되는, 패턴 형성 방법.
  15. 리소그래피 장치를 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 패턴 형성 방법이며,
    원판 또는 상기 기판을 탑재한 상태에서 상기 리소그래피 장치의 이동 유닛을 이동시키는 단계와,
    제1 계측 유닛 및 제2 계측 유닛에 의해 상기 이동 유닛의 위치에 대한 정보를 취득하는 단계로서, 상기 제1 계측 유닛 및 상기 제2 계측 유닛에 의해 계측가능한 영역이 서로 중첩하는, 정보 취득 단계와,
    상기 제1 계측 유닛에 의해 계측 가능한 영역과 상기 제2 계측 유닛에 의해 계측 가능한 영역이 중첩하는 중첩 계측 영역에 설정된 전환 위치에서 상기 제1 계측 유닛과 상기 제2 계측 유닛 사이에서의 상기 이동 유닛의 위치를 계측하기 위해 사용되는 상기 계측 유닛을 전환하는 단계를 포함하고,
    상기 전환 위치는, 상기 중첩 계측 영역에서 실행되는 제1 처리 및 제2 처리가 실행될 때, 상기 제1 처리에서 상기 이동 유닛의 위치를 계측하는 데 사용되는 계측 유닛과 상기 제2 처리에서 상기 이동 유닛의 위치를 계측하는 데 사용되는 계측 유닛이 동일하도록 설정되고,
    상기 제1 처리는 패턴을 형성하기 위한 처리이고, 상기 제2 처리는 패턴을 형성하기 위해 상기 제1 처리 전에 실행되는 계측 처리인, 패턴 형성 방법.
  16. 물품의 제조 방법이며,
    리소그래피 장치를 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 단계와,
    상기 형성하는 단계에 의해 상기 패턴이 형성된 상기 기판을 처리하는 단계를 포함하고,
    상기 리소그래피 장치는,
    원판 또는 상기 기판을 탑재한 상태에서 이동하도록 구성되는 이동 유닛과,
    상기 이동 유닛의 위치에 대한 정보를 취득하도록 구성되는 복수의 계측 유닛으로서, 각각의 상기 계측 유닛의 계측 영역이 서로 중첩하는, 복수의 계측 유닛과,
    상기 원판 또는 상기 기판 상에 형성된 마크의 위치에 기초하여 상기 이동 유닛과, 상기 이동 유닛 상에 탑재된 상기 원판 또는 상기 기판 사이의 위치 어긋남량을 취득하고, 중첩 계측 영역에 놓이는 전환 위치에 기초하여, 상기 이동 유닛의 위치에 대한 정보를 취득하기 위해 사용되는 상기 계측 유닛을 전환하도록 구성되는 제어 유닛을 포함하고,
    상기 원판 또는 상기 기판 상의 복수의 처리 대상 중 하나의 처리 대상에 대해 제1 처리 및 상기 제1 처리 후 실행되는 제2 처리가 실행되는 경우, 상기 제어 유닛은, 상기 제1 처리가 실행된 후 상기 취득된 위치 어긋남량을 반영하여 상기 이동 유닛을 제어하고, 상기 제1 처리가 실행된 후 상기 취득된 위치 어긋남량에 기초하여 상기 전환 위치를 변경하고, 상기 계측 유닛 중 동일한 계측 유닛이 상기 제1 및 제2 처리의 실행에 사용되도록 상기 계측 유닛을 제어하는, 물품의 제조 방법.
  17. 물품의 제조 방법이며,
    리소그래피 장치를 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 단계와,
    상기 형성하는 단계에 의해 상기 패턴이 형성된 상기 기판을 처리하는 단계를 포함하고,
    상기 리소그래피 장치는,
    원판 또는 상기 기판을 탑재한 상태에서 이동하도록 구성되는 이동 유닛과,
    상기 이동 유닛의 위치에 대한 정보를 취득하도록 구성되는 복수의 계측 유닛으로서, 각각의 상기 계측 유닛의 계측 영역이 서로 중첩하는, 복수의 계측 유닛과,
    상기 원판 또는 상기 기판 상에 형성된 마크의 위치에 기초하여 상기 이동 유닛과, 상기 이동 유닛 상에 탑재된 상기 원판 또는 상기 기판 사이의 위치 어긋남량을 취득하고, 중첩 계측 영역에 놓이는 제1 전환 위치 및 상기 중첩 계측 영역에 놓이는, 상기 제1 전환 위치와 상이한 제2 전환 위치에 기초하여, 상기 이동 유닛의 위치에 대한 정보를 취득하기 위해 사용되는 상기 계측 유닛을 전환하도록 구성되는 제어 유닛을 포함하고,
    상기 제어 유닛은, 상기 이동 유닛이 제1 방향으로 이동하는 동안 상기 제1 전환 위치에 기초하여 상기 계측 유닛을 전환하고, 상기 이동 유닛이 상기 제1 방향과 상이한 제2 방향으로 이동하는 동안 상기 제2 전환 위치에 기초하여 상기 계측 유닛을 전환하고;
    상기 이동 유닛이 상기 원판, 상기 기판, 또는 상기 이동 유닛 상의 복수의 처리 대상에 대한 처리의 실행시 상기 제1 및 제2 방향으로 이동하는 경우, 상기 제어 유닛은, 상기 제1 방향으로 상기 이동 유닛이 이동한 후 상기 제2 방향으로 상기 이동 유닛이 이동하는 동안 상기 이동 유닛의 위치에 기초하여 상기 제2 전환 위치를 변경하고, 상기 이동 유닛이 상기 제1 방향으로 이동하고 그리고 상기 제2 방향으로 이동할 때 상기 계측 유닛 중 동일한 계측 유닛이 상기 처리 대상 중 하나의 처리 대상에 대한 상기 처리의 실행에 사용되도록 상기 계측 유닛을 제어하는, 물품의 제조 방법.
  18. 물품의 제조 방법이며,
    리소그래피 장치를 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 단계와,
    상기 형성하는 단계에 의해 상기 패턴이 형성된 상기 기판을 처리하는 단계를 포함하고,
    상기 리소그래피 장치는,
    원판 또는 상기 기판을 탑재한 상태에서 이동하도록 구성되는 이동 유닛과,
    상기 이동 유닛의 위치에 대한 정보를 취득하도록 구성되는 제1 계측 유닛 및 제2 계측 유닛으로서, 상기 제1 계측 유닛 및 상기 제2 계측 유닛에 의해 계측 가능한 영역이 서로 중첩하는, 제1 계측 유닛 및 제2 계측 유닛과,
    상기 제1 계측 유닛에 의해 계측 가능한 영역과 상기 제2 계측 유닛에 의해 계측 가능한 영역이 중첩하는 중첩 계측 영역에 설정된 전환 위치에서 상기 제1 계측 유닛과 상기 제2 계측 유닛 사이에서의 상기 이동 유닛의 위치를 계측하기 위해 사용되는 상기 계측 유닛을 전환하도록 구성되는 제어 유닛을 포함하고,
    상기 전환 위치는, 상기 중첩 계측 영역에서 실행되는 제1 처리 및 제2 처리가 실행될 때, 상기 제1 처리에서 상기 이동 유닛의 위치를 계측하는 데 사용되는 계측 유닛과 상기 제2 처리에서 상기 이동 유닛의 위치를 계측하는 데 사용되는 계측 유닛이 동일하도록 설정되고,
    상기 제1 처리는 패턴을 형성하기 위한 처리이고, 상기 제2 처리는 패턴을 형성하기 위해 상기 제1 처리 전에 실행되는 계측 처리인, 물품의 제조 방법.
  19. 제1항에 있어서,
    상기 이동 유닛 상에 탑재된 상기 원판 또는 상기 기판 상에 형성된 마크의 위치를 계측하도록 구성되는 스코프를 더 포함하고,
    상기 제어 유닛은 상기 스코프에 의해 계측된 마크의 위치에 기초하여 상기 위치 어긋남량을 취득하도록 구성되는, 리소그래피 장치.
  20. 제2항에 있어서,
    상기 이동 유닛 상에 탑재된 상기 원판 또는 상기 기판 상에 형성된 마크의 위치를 계측하도록 구성되는 스코프를 더 포함하고,
    상기 제어 유닛은 상기 스코프에 의해 계측된 마크의 위치에 기초하여 상기 위치 어긋남량을 취득하도록 구성되는, 리소그래피 장치.
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