TWI401767B - 定位設備、曝光設備及裝置製造方法 - Google Patents

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Description

定位設備、曝光設備及裝置製造方法
本發明係有關一種定位設備。
由於資訊取向社會近年來的發展，因此例如裝置及電路的整合程度快速的提升。微圖案(micropattern)技術的發展經獲得此種提升的整合程度。例如，日本專利申請案早期公開第10-289943號揭示一種使用一雷射干涉儀來控制一平台的系統。此系統併合一干涉儀，以測量該平台的位置，使得該平台的一驅動軸線，與一測量光束軸線相對應。
然而，若要在此系統中以長行程移動該平台，需將具有一大型鏡的干涉儀附著至平台。此將造成平台的一控制系統的動態特性變差。例如，假設將一用以聚焦方向測量的干涉儀設定在曝光設備內，就與一投影鏡頭的配置關係而言，幾何上是難以布置干涉儀的光束軸線，以測量平台的整體可移動區域。
為克服此問題，日本專利申請案早期公開第2000-187338號建議一種技術，使用複數干涉儀以覆蓋平台的一驅動軸線，及在離軸校直測量時間及曝光時間之間切換該等干涉儀，藉此減少其等的鏡的重量。為了例如在兩干涉儀之間切換以測量平台的位置，需先確定兩干涉儀可同時測量平台位置的一行程。之後，預先設定其中一干涉儀用 以在此行程中測量平台位置的測量值，而另一干涉儀的測量值則在之後才選擇。
當複數干涉儀在平台驅動過程中被切換時，一與移動速率成正比的特定誤差，會在一測量干涉儀的測量值被讀取且預先設定為另一干涉儀的測量值時發生。此時的差異將誤差提升至一不確定的數值，使得現時位置的誤差值被累積。為了防止此問題點，日本專利申請案早期公開第2003-254739號計算平台移動速率及切換執行時間的乘積，且將該乘積加上切換前的平台位置所獲得的一數值設定為切換後的初始值。因此可減少在切換至一恒速時的誤差。
不幸的，先前技術會因為平台變形，而在平台加速/減速的過程中，由於在例如測量裝置(例如干涉儀)之間切換，而造成誤差。
在例如一半導體曝光設備的平台中，即便是只有數nm的切換誤差也會形成大問題。然而，在平台加速/減速的過程中，平台頂板及配置其上的測量基準鏡無可避免的會變形。當雷射干涉儀在鏡已變形的同時被切換，以一雷射光束照射的鏡的形狀會在加速時間、恒速時間、及停止時間之間改變，造成切換誤差。在加速/減速的過程中重複的切換會累積切換誤差。
本發明是針對上述問題，其目的在於抑制由於在一定 位設備內的平台的加速/減速所導致的測量誤差。
依據本發明，其提供一種可定位一平台的定位設備。該定位設備具有一可測量平台位置的測量系統，及一可依據平台的加速度來校正由測量系統所測得的數值的校正單元。
依據本發明，可抑制由於在一定位設備內的平台的加速/減速所導致的測量誤差。
本發明之其他特徵將在參照下文的較佳具體實施例及圖式的說明而有進一步之認知。
本文中，將依據附圖針對本發明的較佳具體實施例加以詳細說明。
[第一較佳實施例]
圖1係顯示依據第一較佳實施例的定位設備的視圖，尤其是指其中此裝置係施用在一半導體曝光設備的晶圓平台7上的範例。晶圓平台7可在其表面上，沿相互成直角(正交)的X及Y方向，及垂直於X及Y方向的Z方向移動。晶圓平台7支撐一Y鏡5、一X鏡6及一晶圓夾頭(未示)。雖然在圖1中，為了方便敘述起見，是顯示一可在X、Y及Z軸方向上被驅動的晶圓平台7，但其也可沿六軸方向被驅動。X鏡6係用以藉反射一來自X軸干涉儀3或4的測量光束，來測量晶圓平台7在X軸方向上的 座標位置。X軸干涉儀3及4是在Y方向上相互間隔開的測量裝置，且測量晶圓平台7在X方向上的位置。Y鏡5係用以藉反射來自Y軸干涉儀1及亞文干涉儀(Yawing interferometer)2的測量光束來測量晶圓平台7在Y軸方向上的座標位置。一線性馬達XLM 10在X方向驅動晶圓平台7，且被一X軸Yaw導件9所引導。一線性馬達YLM(定子)11在Y方向上驅動一線性馬達YLM(可移動的元件)12，且被一Y軸Yaw導件8所引導。一平坦導件13引導晶圓平台7，使得測量晶圓平台7的X座標位置之X軸干涉儀3及4可依據其Y座標值被切換。一控制裝置14的一切換單元16在X軸干涉儀3及4之間切換。若晶圓平台7是靠近圖1所示的Y軸干涉儀設置，X鏡6未抵達X軸干涉儀4的光束軸線，故X軸干涉儀3測量晶圓平台7在X方向上的位置。若晶圓平台7是遠離圖1所示的Y軸干涉儀1設置，X軸干涉儀4，基於相同理由，則測量其在X方向上的位置。在第一較佳實施例，Y方向是晶圓平台7沿其移動的第一方向，而X方向是X軸干涉儀3及4測量晶圓平台7位置的第二方向。X軸干涉儀3及4形成一測量系統，以測量晶圓平台在X方向、即第二方向上的位置。
第一較佳實施例提供一以高程度的自由度在X方向上、在兩X軸干涉儀之間切換的裝置，且可在現時位置獲得穩定、精確的測量值。
圖2係圖1所示定位設備的側視圖。一干涉儀204固 定在一鏡筒支撐構件205上，以測量晶圓平台7的位置。圖2顯示由側邊觀察的干涉儀204，且干涉儀204係對應於圖1所敘述的Y軸干涉儀1、亞文干涉儀2、X軸干涉儀3及X軸干涉儀4的其中之一。一減振器206將由一防振台(台座)203升起的鏡筒支撐構件205加以固持，以防止任何來自地板的高頻率振動抵達干涉儀204及曝光設備(未示)的投影式光學系統。複數干涉儀204是對應於測量光束軸線方向及Y位置，而配置於鏡筒支撐構件205上。與鏡筒支撐構件205相同的，一平台表面板202也防止任何來自底板的高頻率振動傳遞至晶圓平台7。一投影鏡頭207安裝在鏡筒支撐構件205上，且將安裝在鏡筒支撐構件205上的標線片208的圖像投影至一承載在晶圓平台7上的晶圓(未示)上。
圖3是一圖表，顯示晶圓平台的Y座標與一干涉儀的測量光束軸線之間的關係，該干涉儀是位在依據第一較佳實施例的定位設備內、且具有一有效測量值。若晶圓平台7是鄰近圖1所示的Y軸干涉儀1設置，X軸干涉儀4的測量光束軸線未能與X鏡6匹配。故僅有X軸干涉儀3測量晶圓平台7的現時位置(距離A)。
當晶圓平台7移動至一驅動行程中央的附近時，來自X軸干涉儀3及4的測量光束撞擊X鏡6。因此，X軸干涉儀3及4兩者可測量平台位置(距離B)。依此方式，當晶圓平台7由距離A移動至距離B時，由X軸干涉儀4所測量得的現時位置資訊是來自一未界定狀態的累積值。 此資訊就揭示晶圓平台7現時位置的測量值而言是無意義的。因此，當晶圓平台7由距離A移動至距離B，X軸干涉儀4由X軸干涉儀3測得一測量值。例如，X軸干涉儀3內的現時位置資訊係強迫性的預先設定於X軸干涉儀4內。緊接在該預先設定之後，X軸干涉儀4即接手且測量晶圓平台7的相對移動量。藉此操作，使用X軸干涉儀3及4可在晶圓平台7的整體Y行程表面上獲得正確的測量值。來自X軸干涉儀3(其傳遞一測量值)及X軸干涉儀4(其接續X軸干涉儀3)兩者的位置測量光束同時撞擊X鏡6的所在的至少一座標位置，需被選擇充當X軸干涉儀4接續X軸干涉儀3獲得一現時位置測量值的所在的位置。同樣的，當X軸干涉儀3是接續X軸干涉儀4而獲得一測量值時的情形也是適用的。
若晶圓平台7是遠離圖1所示的Y軸干涉儀1設置，X軸干涉儀3的測量光束軸線未能與X鏡6匹配。因此，僅有X軸干涉儀4測量晶圓平台7(距離C)的現時位置。相同的，當晶圓平台7由距離C移動至距離B時，X軸干涉儀3接續X軸干涉儀4測得一測量值。
參考符號Y1及Y2代表切換位置，即是，X軸干涉儀4接續X軸干涉儀3獲得測量值的所在的位置(Y1)，及X軸干涉儀3接續X軸干涉儀4獲得一測量值的所在的位置(Y2)。位置Y1及Y2較佳者是相互不同的。此使得其可防止「顫動」(chattering)(持有測量值的干涉儀不必要的被切換多次)，當將晶圓平台7的目標位置指定在 靠近切換位置的一位置時，「顫動」通常會發生。當掃瞄式曝光設備使用依據第一較佳實施例的定位設備時，切換位置Y1及Y2可依據在X方向上的距離大小來改變，使得在沿Y軸方向掃瞄曝光的過程中，目標位置未能與干涉儀切換位置相匹配。
請參考圖4至6，將敘述一待克服的問題點。圖4至6是一系列視圖，顯示當晶圓平台7沿Y方向向前移動時，X軸干涉儀之間的切換。參見圖4，只有X軸干涉儀3的測量光束軸線與X鏡6相匹配。在此狀態下，X軸干涉儀3測量晶圓平台7在X方向上的位置。即是，圖4顯示圖3所示的區域A的狀態。當晶圓平台7由圖4所示的狀態，沿Y方向向前移動時，其進入圖5所示的狀態。參見圖5，X軸干涉儀3及4兩者的測量光束軸線均與X鏡相匹配。即是，圖5顯示圖3所示的區域B的狀態。此時，X軸干涉儀3至X軸干涉儀4之間的切換被執行。圖6顯示晶圓平台7由圖4所示的狀態，沿Y方向進一步向前移動的狀態。參見圖6，只有X軸干涉儀4的測量光束軸線與X鏡相匹配。即是，圖6顯示圖3所示的區域C的狀態。
當晶圓平台7由圖4所示的狀態，沿Y方向向前移動至圖6所示的狀態時，先前技術將X軸干涉儀3的值傳遞至X軸干涉儀4，充當其在圖5所示的狀態中的初始值。然而，若晶圓平台7在其加速或減速的過程中，是在圖5所示的狀態下，當接受來自一線性馬達的力時，其即彈性 的變形。一平台頂板及鏡也彈性的變形。圖5顯示一變形的X鏡6。雖然圖5顯示一誇大的變形X鏡6，以簡易了解該問題點，實際的變形量僅是數nm。假設X軸干涉儀3至X軸干涉儀4之間的切換是在X鏡6已變形時被執行。在此情形下，當X鏡6由變形狀態恢復時，晶圓平台7的X位置移位一距離，該移位距離如圖6所示的變形量。此導致晶圓平台7的定位誤差。在例如，半導體曝光設備需以nm的等級精確定位的階段中，此一微小的定位誤差也將形成大問題。
圖7是一圖表，顯示Y方向的加速度與X鏡的變形量之間的關係。縱座標表示X鏡的Y位置，而橫座標表示變形量。變形量是依據加速度的改變而變化，因為施加在平台上的力的大小會有變化。變形量也隨著加速度的方向而有所變化。變形量也會因為鏡的連接方法、平台的結構，及平台頂板的形狀等的影響，而隨著鏡的位置而有所變化。
圖8顯示在X鏡各別位置處，加速度與變形量之間的關係。縱座標表示變形量，而橫座標表示加速度。在圖8所示的平台位置Y1處的一線條311表示在X鏡的Y位置(圖7所示的位置301)處的加速度與變形量之間的關係，在此X鏡的Y位置，X軸干涉儀3的測量光束軸線是與X鏡相匹配的。在圖8所示的平台位置Y2處的一線條312表示在X鏡的Y位置(圖7所示的位置302)處的加速度與變形量之間的關係，在此X鏡的Y位置，X軸干涉 儀3的測量光束軸線是與X鏡相匹配的。在圖8所示的平台位置Y1處的一線條313表示在X鏡的Y位置(圖7所示的位置303)處的加速度與變形量之間的關係，在此X鏡的Y位置，X軸干涉儀4的測量光束軸線是與X鏡相匹配的。在圖8所示的平台位置Y2處的一線條314表示在X鏡的Y位置(圖7所示的位置304)處的加速度與變形量之間的關係，在此X鏡的Y位置，X軸干涉儀4的測量光束軸線是與X鏡相匹配的。如圖8的圖表所示者，加速度一般上是近乎與鏡變形量成正比。此線條的斜率依據鏡的位置而改變。在干涉儀切換時的加速度作用下，X軸干涉儀3及4之間的變形量的差異是一切換誤差。即是，線條311及313之間的差異是在平台位置Y1處的切換誤差，而線條312及314之間的差異是在平台位置Y2處的切換誤差。依據干涉儀切換時的加速度來校正此等誤差可得精確的干涉儀切換。
圖9是一圖表，顯示校正量與加速度之間的函數關係。橫座標表示加速度，而縱座標表示校正量。參見圖9，標號321代表在平台位置Y1處的一校正量。校正量321是圖8所示的線條311及313之間的差異。當在位置Y1執行X軸干涉儀3至X軸干涉儀4之間的切換時，對應於此時加速度的線條321之校正量是添加至X軸干涉儀3的數值上。其後，該最終數值被設定為X軸干涉儀4的初始值。控制裝置14的一設定單元17，依據X軸干涉儀3在切換前所測量得的平台位置，來設定X軸干涉儀4切換 後的初始值。控制裝置14的一校正單元15計算對應於加速度的線條321之校正量，及校正X軸干涉儀4的測量值。相同的，當在位置Y2執行由X軸干涉儀4至X軸干涉儀3的切換時，對應於此時加速度的線條322之校正量由X軸干涉儀4的數值減掉。其後，該最終數值被設定為X軸干涉儀3的初始值。
由於加速度一般上是與圖9所示的校正量成正比，故只要是顯示此關係的線條斜率是已知的話，，計算是相當簡單的。圖9所示的加速度及校正量之間的關係可儲存在一表中。為將校正量儲存在一表中，需依據加速度將校正量內插。
雖然圖9所示的加速度及校正量之間的關係可藉晶圓平台7的結構分析來加以計算，但極難以精確的計算此微小量。因此，一般上需事先使用另一種可測量切換誤差的位置測量裝置來測量切換誤差。
例如，圖1所示的半導體曝光設備設有一可精確的測量X鏡在晶圓平台7上的絕對位置的雷射移位測量裝置80。晶圓平台7在切換之前及之後的位置，可藉使用該雷射移位測量裝置80，在由X軸干涉儀3切換至X軸干涉儀4時改變晶圓平台7的加速度的同時，加以測量。平台位置在此切換之前及之後的變化量事先加以計算，充當晶圓平台7的一位置誤差。此使得可計算加速度及校正量之間的關係。將如此計算得的加速度及校正量之間的關係以一概算式或表加以儲存。使用此校正量，在如上所述的對 應於加速度的干涉儀切換時，執行校正。用以測量切換誤差的位置測量裝置並不限定於雷射移位測量裝置，只要其可精確的測量絕對位置即可。此外，測量裝置並不限定於用以測量X鏡者，而可例如，是一種可測量形成於平台頂板上的參考記號的位置的觀測器/顯微鏡。
第一較佳實施例將範例性的敘述在Y方向上的校正量及加速度之間的關係。然而，相似的校正及校正量測量也可施用在X方向上的加速度。
依據第一較佳實施例，當測量裝置被切換時，不論例如平台的速率及加速度等的條件為何，其均可抑制切換誤差。因此，使用此定位設備的曝光設備可改良生產能力及精確度。
[第二較佳實施例]
圖10係顯示依據本發明另一較佳實施例的定位設備的視圖，其中此裝置是施用在一半導體曝光設備的晶圓平台7上者。與第一較佳實施例的標號相同的標號係用以代表在第二較佳實施例中具有相同功能的構件。圖10所示的定位設備與圖1所示的其不同點在於，在圖1中複數干涉儀軸線是在X軸方向上，而在圖10中，其等是在Z軸方向上。圖1所示的Y鏡5對應於圖10的YZ1鏡901。該YZ1鏡901也充當一條狀鏡(bar mirror)，用以將一在圖10的Z軸方向上，來自第一Z軸雷射干涉儀的測量光束加以反射。此外，一Z2鏡902是配置於YZ1鏡901 的相反側，且反射來自第二Z軸雷射干涉儀的一測量光束。一光纖(未示)將來自Z軸雷射干涉儀的測量光束引導至光學拾波器903a及903b。由光學拾波器903a及903b出來的測量光束在Z軸方向上被立方形鏡(cube mirror)904a及904b所反射。一Z軸光學系統安裝架905固定在一XLM上。當晶圓平台7的Y軸被驅動時，Z軸光學系統安裝架905即沿Y方向同步的移動。
圖11係圖10所示定位設備的側視圖。在Z軸方向上被立方形鏡904a及904b所反射的Z軸干涉儀的測量光束係藉三角形鏡906a及906b加以垂直的彎曲，且抵達YZ1鏡901及Z2鏡902。三角形鏡906a及906b相對於一投影鏡頭207固定。當晶圓平台7沿Y方向被驅動時，三角形鏡906a及906b的點位置(測量光束撞擊此處)即沿Y軸方向移動。另一三角形鏡906b成對稱的配置於投影鏡頭207的片表面的背側，且將來自YZ1鏡測量干涉儀的測量光束加以彎曲。在第二較佳實施例中，投影鏡頭207需環繞一平台驅動行程的中心配置。當雷射干涉儀在Z軸方向執行測量時，投影鏡頭207即屏蔽此干涉儀的測量光束軸線。基於此原因，在晶圓平台7的驅動行程中，干涉儀的切換是必須的。
第二較佳實施例與第一較佳實施例的不同點在於，測量光束撞擊其上的YZ1鏡及Z2鏡的位置是可任意變換的。YZ1鏡及Z2鏡是依據晶圓平台7的X位置來切換。此機構將在圖12至圖14中加以說明。圖12顯示晶圓平台7 是存在於X軸上的最左端位置的狀態。一Z測量點910a表示Z2鏡902的位置，而此位置受到來自Z干涉儀的一測量光束所撞擊。當晶圓平台7如圖13所示般沿X方向移動向中央時，Z干涉儀的測量光束撞擊其上的Z2鏡902的位置即移動至一Z測量點910b。當晶圓平台7如圖14所示般沿X方向進一步移動至最右端位置時，Z干涉儀的測量光束撞擊其上的Z2鏡902的位置即進一步移動至一Z測量點910c。雖然未顯示，Z干涉儀的測量光束撞擊其上的YZ1鏡的位置也依據晶圓平台7的X位置改變。
如圖7所示，加速度及鏡的變形量之間的關係主要是依據鏡的位置而改變。同樣的道理適用於YZ1鏡及Z2鏡。基於此原因，當Z干涉儀切換時，加速度及切換誤差之間的關係，係依據晶圓平台7X位置的改變而變化。如第一較佳實施例所述者，加速度近乎與鏡的變形量成正比，如圖8所示者。然而，此關係的比例係數是依據鏡的位置而改變的。
既使在此情形下，當校正單元15為依據晶圓平台7的加速度及X位置切換的Z干涉儀校正其初始值時，即便是在晶圓平台7加速度的過程當中，也可使切換誤差減到最小。此外，在第二較佳實施例中，切換校正量及平台加速度及X位置之間的關係是以表或概算函數加以儲存。另一位置測量裝置較佳者是藉改變平台的加速度及X位置而事先測量切換校正量及平台的加速度及X位置之間的關係。在第二較佳實施例中，此位置測量裝置可為一通常是內 建於半導體曝光設備內的聚焦感測器。該聚焦感測器可測量在晶圓平台上的一晶圓或基準板的Z位置。當然，聚焦感測器可以是其他種類的位置感測器，例如靜態電容感測器或雷射移位測量裝置，只要是其可測量Z位置即可。
圖15顯示平台加速度其切換校正量的校正係數，與平台的X位置之間的函數關係。橫座標表示平台的X位置，而縱座標表示校正係數。校正係數是校正量相對於加速度的比例係數，即是，(切換校正量)/(加速度)。如圖15所示的關係可藉改變X位置及平台的加速度以在Z干涉儀之間切換，及導致另一Z位置測量裝置在此時測量一誤差，而加以計算。參見圖15，點是表示測量值，而線條是表示由測量值計算得的一概算函數的近似曲線。依據本發明，首先是使用在Z干涉儀切換時，晶圓平台X位置的概算函數來計算校正係數。依據該計算得的校正係數，計算一對應於Z干涉儀切換時的加速度的校正量。當使用該計算得的校正量來校正Z干涉儀切換後的位置之後，即便是在平台加速度過程中，也可抑制由於鏡變形所導致的干涉儀的切換誤差。
[曝光設備的較佳實施例]
下文將敘述依據本發明的定位設備施用其上的曝光設備。如圖16所示的曝光設備包含一照明裝置101、一支撐標線片的標線片平台102、一投影式光學系統103、及一支撐晶圓的晶圓平台104。曝光設備藉曝光將形成於標線 片上的電路圖樣投射到晶圓上，且可以是步驟及重複的投影曝光的組合、或步驟及掃瞄投影曝光的組合。
照明裝置101照射電路圖樣形成其上的標線片，且包含一光源單元及照明光學系統。光源單元使用例如，一雷射充當光源。雷射可使用例如，波長約為193nm的ArF激元雷射、波長約為248 nm的KrF激元雷射、或波長約為153 nm的F2 激元雷射。雷射的種類並不限定於激元雷射，且可使用例如，YAG雷射。雷射的數量也沒有限制。若光源是使用一雷射，照明裝置101較佳者是使用一光束形成光學系統，以將雷射光源的平行光束形成為一所需要的光束形狀，及使用一非相干光學系統以將一相干雷射光束轉變成一非相干光束。可充當光源單元的光源並不限定於一雷射，也可使用一或複數燈，如水銀燈或氙燈。
照明光學系統照射一標線片且包括例如，一透鏡、鏡、光線集成器及光圈等。
投影式光學系統103可使用例如，只具有複數透鏡元件的光學系統、具有複數透鏡元件及至少一凹鏡的光學系統、具有複數透鏡元件及至少一衍射光學元件的光學系統、或是其中所有光學元件均是鏡的光學系統。
線性馬達，例如可移動標線片平台102及晶圓平台104。依據第一及第二較佳實施例的定位設備可將標線片平台102及晶圓平台104的至少其一定位。若曝光設備是一種步驟及掃瞄投影曝光的組合，該等平台是相互同步的移動。一傳運器個別的設置於晶圓平台及標線片平台的至 少其一上，以將標線片的圖樣定位在晶圓上。
此曝光設備可用以製造一其上形成有一微圖案的裝置，例如一半導體裝置，如半導體積體電路、微機器、或薄膜磁頭。
[裝置製造的較佳實施例]
使用上述曝光設備的裝置製造方法將在下文中藉參考圖17及18來加以說明。圖17是一流程圖，用以說明一裝置(例如，半導體晶片如IC或LSI、LCD、或CCD)的製造。本文是以一半導體晶片的製造方法充當範例。
在步驟S1(電路設計)中，設計一半導體裝置的電路。在步驟S2(光罩製造)中，依據該設計出的電路圖樣來製造一標線片。在步驟S3(晶圓製造)中，藉使用一材料，例如矽，來製造一晶圓。在步驟S4(稱為先期程序的晶圓程序)中，上述曝光設備藉使用標線片及晶圓，依據微影術將一實際電路形成於該晶圓上。在步驟S5(稱為後期程序的組成步驟)中，藉使用在步驟S4中製造的晶圓以形成一半導體晶片。此步驟包括組成(切粒及接合)及封裝(晶片密封)程序。在步驟S6(檢視)中，對在步驟S5中所製造的半導體裝置執行包括操作測試及耐用性測試的檢視。當半導體裝置經過該等程序而完成後，即可加以運送出(步驟S7)。
圖18是揭示步驟S4中的晶圓程序的細節流程圖。在步驟S11(氧化)中，將晶圓表面加以氧化。在步驟S12 (CVD)中，將一電介質薄膜形成於晶圓表面上。在步驟S13(電極形成)中，藉澱積將一電極形成於晶圓上。在步驟S14(離子植入)中，將離子植入晶圓。在步驟S15(抗蝕程序)中，將一光敏劑施加至晶圓上。在步驟S16(曝光)中，曝光設備藉曝光將標線片的電路圖樣傳遞至晶圓上。在步驟S17(顯影)中，將曝光的晶圓加以顯影。在步驟S18(蝕刻)中，將除了已顯影的抗蝕圖樣之外的部分加以蝕刻。在步驟S19(抗蝕劑的移除)中，將任何不需要的殘留抗蝕劑加以移除。多層結構的電路圖樣可藉重複該等步驟來形成於晶圓上。
雖然本發明係藉具體實施例範例來加以說明，但是本發明不應侷限在所述的具體實施例範例。下列申請專利範圍應以最大的範圍加以詮釋以涵蓋所有具有均等結構及功能的修飾例。
1‧‧‧Y軸干涉儀
2‧‧‧亞文干涉儀
3‧‧‧X軸干涉儀
4‧‧‧X軸干涉儀
5‧‧‧Y鏡
6‧‧‧X鏡
7‧‧‧晶圓平台
8‧‧‧Y軸Yaw導件
9‧‧‧X軸Yaw導件
10‧‧‧線性馬達XLM
11‧‧‧線性馬達YLM(定子)
12‧‧‧線性馬達YLM(可移動的元件)
13‧‧‧平坦導件
14‧‧‧控制裝置
15‧‧‧校正單元
16‧‧‧切換單元
17‧‧‧切換單元
80‧‧‧雷射移位測量裝置
101‧‧‧照明裝置
102‧‧‧標線片平台
103‧‧‧投影式光學系統
104‧‧‧晶圓平台
202‧‧‧平台表面板
203‧‧‧防振台
204‧‧‧干涉儀
205‧‧‧鏡筒支撐構件
206‧‧‧減振器
207‧‧‧投影鏡頭
208‧‧‧標線片
301‧‧‧位置
302‧‧‧位置
303‧‧‧位置
304‧‧‧位置
311‧‧‧線條
312‧‧‧線條
313‧‧‧線條
314‧‧‧線條
321‧‧‧校正量
322‧‧‧線條
901‧‧‧YZ1鏡
902‧‧‧Z2鏡
903a‧‧‧光學拾波器
903b‧‧‧光學拾波器
904a‧‧‧立方形鏡
904b‧‧‧立方形鏡
905‧‧‧Z軸光學系統安裝架
906a‧‧‧三角形鏡
906b‧‧‧三角形鏡
910a‧‧‧Z測量點
910b‧‧‧Z測量點
910c‧‧‧Z測量點
S1‧‧‧電路設計
S2‧‧‧光罩製造
S3‧‧‧晶圓製造
S4‧‧‧晶圓程序(前製程)
S5‧‧‧組成(後製程)
S6‧‧‧檢視
S7‧‧‧運送
S11‧‧‧氧化
S12‧‧‧CVD
S13‧‧‧電極形成
S14‧‧‧離子植入
S15‧‧‧抗蝕程序
S16‧‧‧曝光
S17‧‧‧顯影
S18‧‧‧蝕刻
S19‧‧‧抗蝕劑的移除
圖1係顯示依據第一較佳實施例的定位設備的視圖；圖2係圖1所示定位設備的側視圖；圖3是一圖表，顯示在依據第一較佳實施例的定位設備內，Y座標與具有一有效測量值的干涉儀之間的關係；圖4顯示在晶圓平台是存在於後方的狀態下，當平台沿Y方向向前移動時，在X軸干涉儀之間切換的視圖；圖5顯示在晶圓平台是存在於中央且一鏡已變形的狀態下，當平台沿Y方向向前移動時，在X軸干涉儀之間 切換的視圖；圖6顯示在晶圓平台是存在於前方，且X軸干涉儀在切換後，在X方向發生一誤差的狀態下，當平台沿Y方向向前移動時，在X軸干涉儀之間切換的視圖；圖7是一圖表，顯示X鏡在Y方向上的位置，與在干涉儀切換時改變平台的加速度所導致的其變形量之間的關係；圖8顯示平台的加速度與在各位置(在此處，X軸干涉儀與X鏡位置相對應)的鏡的變形量之間的關係；圖9是一圖表，顯示平台的加速度與平台的各個Y位置(干涉儀在此處切換)的切換校正量之間的關係；圖10係顯示依據第二較佳實施例的定位設備的視圖；圖11係圖10所示定位設備的側視圖；圖12顯示一狀態，其中一晶圓平台係存在於圖11所示的定位設備內的最左端位置；圖13顯示一狀態，其中晶圓平台係存在於圖11所示的定位設備內的中央位置；圖14顯示一狀態，其中晶圓平台係存在於圖11所示的定位設備內的最右端位置；圖15是一圖表，顯示校正係數及平台的X位置之間的關係；圖16是敘述一曝光設備的視圖；圖17是一流程圖，說明使用曝光設備來製造一裝置 ；及圖18是一流程圖，顯示圖17所示的步驟4中的晶圓程序細節。
1‧‧‧Y軸干涉儀
2‧‧‧亞文干涉儀
3‧‧‧X軸干涉儀
4‧‧‧X軸干涉儀
5‧‧‧Y鏡
6‧‧‧X鏡
7‧‧‧晶圓平台
8‧‧‧Y軸Yaw導件
9‧‧‧X軸Yaw導件
10‧‧‧線性馬達XLM
11‧‧‧線性馬達YLM(定子)
12‧‧‧線性馬達YLM(可移動的元件)
13‧‧‧平坦導件
14‧‧‧控制裝置
15‧‧‧校正單元
16‧‧‧切換單元
17‧‧‧切換單元
80‧‧‧雷射移位測量裝置

Claims (6)

  1. 一種定位設備，用以定位一平台，該設備包含：一測量系統，測量該平台的位置，該測量系統包含複數個干涉儀，沿著第一方向彼此間隔並測量該平台在第二方向上的位置；一鏡，被該平台支撐並被建構成反射來自該複數個干涉儀的測量光束；一切換單元，在該干涉儀之間切換，當該平台至少沿著該第一方向移動時，測量該平台的位置；以及一校正單元，依據該平台的加速度，決定校正量，該校正量是用來減少由於依據該鏡之位置而產生的變形量所引起的切換誤差，並依據由該干涉儀在切換後所測量得的數值校正該校正量。
  2. 根據申請專利範圍第1項之設備，其中該平台可在其表面上沿著彼此正交的X方向和Y方向並沿著垂直於X方向和Y方向的Z方向移動，且該第二方向是Z方向。
  3. 根據申請專利範圍第1項之設備，另包含：一設定單元，當該切換單元在該干涉儀之間切換時，該設定單元依據由一干涉儀在切換前所測量得的該平台的位置，來設定該干涉儀切換後的初始值，其中該校正單元依據包含該平台加速度的資訊來校正該初始值。
  4. 根據申請專利範圍第1項之設備，另包含： 一移位測量裝置，可測量該平台在第二方向上的位置，其中有關依據該平台加速度來執行校正的資訊，是依據該切換單元在該干涉儀之間切換之前及之後，該平台位置的改變量，該改變量係藉由該移位測量裝置針對該平台的每一加速度事先測量的。
  5. 一種曝光設備，其中一標線片平台及一晶圓平台的至少其一係利用定位平台的定位設備而被定位，該定位設備包含：一測量系統，測量該平台的位置，該測量系統包含複數個干涉儀，沿著第一方向彼此間隔並測量該平台在第二方向上的位置；一鏡，被該平台支撐並被建構成反射來自該複數個干涉儀的測量光束；一切換單元，在該干涉儀之間切換，當該平台至少沿著該第一方向移動時，測量該平台的位置；以及一校正單元，依據該平台的加速度，決定校正量，該校正量是用來減少由於依據該鏡之位置而產生的變形量所引起的切換誤差，並依據由該干涉儀在切換後所測量得的數值校正該校正量。
  6. 一種製造其上形成有電路圖案之裝置的方法，該方法包含下列步驟：利用如申請專利範圍第5項所述之曝光設備來曝光一晶圓；及 顯影該晶圓。
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