JP6614880B2 - リソグラフィ装置および物品の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、リソグラフィ装置および物品の製造方法に関する。
半導体デバイスやフラットパネルディスプレイ等の製造には、露光装置やインプリント装置等の、基板上にパターンを形成するリソグラフィ装置が使われている。リソグラフィ装置は高い生産性と微細化が要求され、これに伴い基板や原版を搭載して駆動するステージも、高速かつ高精度な駆動が求められている。高速かつ高精度なステージ制御を行うため、ステージの位置計測は、高分解能のレーザ干渉計と、レーザ光のターゲットとなる、高精度の平面度を有する反射鏡とを用いて行われる。しかし、ステージの駆動範囲が大きくなると、反射鏡の長さが増大して、高精度の平面度を実現することが困難であることや、コストが高くなること等の課題があった。
そこで、このような問題に対する一つの対処方法として、複数のレーザ干渉計を切替えながら行う手法が特許文献1に示されている。特許文献1では、複数のレーザ干渉計を用い、複数のレーザ干渉計が同時に計測可能な領域にてレーザ干渉計の切替えを行い、ステージ駆動範囲全域で、位置計測及び位置制御を実現している。
特開2002−319541号
リソグラフィ装置では、基板に対する処理を行う前に、Z方向のフォーカス計測処理を行い、フォーカスオフセットを取得する。また、X方向、Y方向のアライメント計測処理を行い、アライメントオフセットを取得する。そして、取得したフォーカスオフセットおよびアライメントオフセットをステージ制御に反映して、基板に対する処理を行う。Z方向のフォーカス計測処理を複数のレーザ干渉計を用いて行う場合、レーザ干渉計を切替える位置はステージ駆動における座標系で定められる。そのため、アライメントオフセットをステージ制御に反映することよって、同一の処理対象(例えば、ショット)について、フォーカス計測処理と基板に対する処理とで異なるレーザ干渉計が用いられて計測される場合があった。
また、同一基板に対して同一の処理を複数回行う場合でも、同一の処理対象について、異なるレーザ干渉計が用いられて計測されることがあった。例えば、アライメント計測処理を複数回行う場合において、直前の処理が終了した時のステージの位置によって、前記複数の処理間でステージが駆動する方向が異なることがあった。それにより、同一の処理対象(例えば、アライメントマーク)であっても、異なるレーザ干渉計が用いられて計測されることがあった。
さらに、同一のショットレイアウトを持つ、異なる基板について同一の処理を行う場合でも、基板上の同一位置にある、対応する処理対象について、異なるレーザ干渉計が用いられて計測されることがあった。例えば、アライメント計測処理を、対応するアライメントマークに対して行う場合、異なる基板間で、基板と基板ステージとの位置ずれ量の違いや、基板ステージが駆動する方向の違いによって、異なるレーザ干渉計が用いられて計測されることがあった。
そして、レーザ干渉計や反射鏡は製造上の誤差等により固有の特性を持っている。この固有の特性によって、異なるレーザ干渉計で同一の対象を計測してもその計測結果に誤差が出ることがある。その計測誤差によって、ステージ制御の特性に変化を生じさせる。
したがって、同一の、または対応する処理対象に対して行う複数の処理間で、異なるレーザ干渉計を用いてステージ制御を行うことで、ステージ制御の特性に変化が生じて、ステージ制御の精度が低下することがあった。
そこで、本発明は、ステージ制御の精度が低下することを抑制するリソグラフィ装置および物品の製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決する本発明の一側面としてのリソグラフィ装置は、基板上にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、原版または基板を搭載して移動する移動部と、前記移動部の位置に関する情報を計測し、互いの計測可能な領域が重複する第1の計測部及び第2の計測部と、前記第1の計測部によって計測可能な領域と前記第2の計測部によって計測可能な領域が重複する重複領域に設定された切り替え位置において、前記第1の計測部と前記第2の計測部との間で、前記移動部の位置の計測に使用する計測部を切替える制御部と、を備え、前記切り替え位置は、前記重複領域において実行される第1の処理及び第2の処理を実行する際に、前記第1の処理における前記移動部の位置の計測に使用される計測部と、前記第2の処理における前記移動部の位置の計測に使用される計測部が同一となるように設定されており、前記第1の処理はパターン形成を行う処理であり、前記第2の処理は、前記パターン形成を行うために前記パターン形成の前に行われる計測処理であることを特徴とする
本発明によれば、ステージ制御の精度が低下することを抑制するリソグラフィ装置および物品の製造方法を提供することができる。
露光装置の構成を例示する図である。 複数の計測部を配置した構成を例示する図である。 計測部の計測領域と切替え位置を例示する図である。 露光処理におけるフローチャートを例示する図である。 ウエハとトップステージとの位置関係を例示する図である。 フォーカス計測処理におけるステージ位置を例示する図である。 切替え位置の変更時におけるステージ位置を例示する図である。 ショット毎に計測する計測部の番号を例示する図である。 ステージが+X方向に移動する場合のアライメントマーク計測時のステージ位置を例示する図である。 切替え位置の変更時におけるステージ位置を例示する図である。 Y方向のステージ位置を計測する2つのレーザ干渉計を例示する図である。 複数のレーザ干渉計を適用したレチクルステージを例示する図である。 複数のレーザ干渉計を適用したレチクルステージの上面を例示する図である。 従来技術における露光処理時のステージ位置を例示する図である。 従来技術におけるショット毎に計測する計測部の番号を例示する図である。 従来技術におけるステージが−X方向に移動する場合のアライメントマーク計測時のステージ位置を例示する図である。
以下に、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。以下の実施例では、リソグラフィ装置として露光装置を用いた例について説明する。各図において、同一の部材については、同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
図1は、露光装置の構成を例示する図である。本実施例に係る露光装置は、光源ユニット(不図示)を有する。光源としては、例えば高圧水銀ランプやエキシマレーザなどがある。なお、光源がエキシマレーザの場合は、光源ユニットは、露光装置のチャンバ内部にあるとは限らず、外付けになっている構成もあり得る。光源ユニットを出た光は照明部32を介して、不図示のレチクル(原版、マスク)を照明する。レチクルは、感光材が塗布されたウエハ(基板)上に転写するパターンが描画されており、レチクルステージ33(移動部)に搭載される。レチクルステージ33は、レチクルチャック(不図示)を介してレチクルを吸着保持し、例えば、リニアモータ(不図示)により移動可能に構成される。
投影部34は、レチクル上に描画されたパターンを、ウエハチャック26上に載置されたウエハ(不図示)上に投影する。投影部34は、鏡筒支持体35によって支持されている。本体用アクティブマウント36は、鏡筒支持体35を、振動を抑制しつつ支持するとともに、床からの振動を絶縁する。位置決め定盤38には、本体用アクティブマウント36とステージ用アクティブマウント37が設置される。
フォーカスセンサ20は、ウエハに対して光(複数のビーム)を投射する投光系と、ウエハからの反射光を受光する受光系と、受光系からの光を検出し制御部301へ検出信号を出力する検出部とを含む。投光系と受光系は、投影部34の射出部付近を挟むようにY方向に設置され、投光系がウエハに斜入射光を照射し、受光系が反対側で反射した光を取り込む。フォーカスセンサ20により検出された前記検出信号から、制御部301がウエハのZ方向の変位量を求める。
固定ミラー21、22は鏡筒支持体35に固定された、Z方向の計測用のミラーである。トップステージ27上に取り付けられた移動ミラー39は2つの反射面を有し、Z方向の計測用のミラー30と、X方向の計測用のミラー29とが一体化されている。
Xステージ31はX方向に移動可能であり、Yステージ40はY方向に移動可能である。ステージ定盤41はYステージ40及びXステージ31を支持する。ステージ用アクティブマウント37はXステージ31、Yステージ40の移動により生じるステージ定盤41の振動を抑え、かつ床からの振動を絶縁する。なお、Xステージ31、Yステージ40は、不図示の静圧軸受によって、非接触でステージ定盤41に支持されている。
Xリニアモータ42はXステージ31をX方向に移動させるステージ駆動用のリニアモータである。Xリニアモータ42の可動子はXステージ31に設けられ、固定子はステージ定盤41上に設けられる。なお、Xリニアモータ42の固定子は、静圧軸受(不図示)によって非接触でステージ定盤41上に支持されても良いし、ステージ定盤41に固定されていても良い。また、Yステージ40をY方向に移動させるための駆動用のYリニアモータ(不図示)がある。なお、Yリニアモータの可動子はYステージに設けられ、固定子はXステージに設けられ、Xステージ31とYステージ40との間でY方向の駆動力を発生する。
トップステージ27は、Yステージ40上に搭載されており、アクチュエータ(不図示)によってYステージ40に対して微動可能である。レーザ干渉計23は鏡筒支持体35と、ウエハを搭載するトップステージ27とのY方向の相対位置を計測し、かつトップステージ27の姿勢を計測するためのレーザ干渉計である。同様にX方向を計測し、かつトップステージ27の姿勢を計測するためのレーザ干渉計24(図1では不図示。図2を参照。)がある。また、Z方向の計測用のレーザ干渉計25は、Xステージ31上に固定され、Xステージ31から固定ミラー21及び22を介して、移動ミラー39までの距離を計測する。なお、トップステージ27の位置は、Yステージ40内に設けられたZ変位センサ43によっても測定可能である。このセンサはリニアエンコーダや静電容量センサ等の、レーザ干渉計25とは別に設けられた変位センサである。Z変位センサ43は、Yステージ40に対するトップステージ27の変位を3ヶ所で測定し、トップステージ27のZ方向の変位と傾き方向(チルト方向)の変位が測定可能である。なお、図示されているZ変位センサ43は3ヶ所のうち2ヶ所であり、残りの1ヶ所については不図示である。
ウエハチャック26は、トップステージ27上に搭載され、ウエハを保持する。トップステージ27はウエハチャック26をZ方向、θ方向、ωX方向、およびωY方向に位置決めする。
このように、ウエハチャック26に保持されたウエハは、Xステージ31、Yステージ40、トップステージ27、およびウエハチャック26の駆動によって移動する。ここでは、Xステージ31、Yステージ40、トップステージ27、およびウエハチャック26をまとめて、ウエハステージ(移動部)とする。なお、移動部の構成としては、前述の構成に限られない。
制御部301は、コンピュータなどの情報処理装置であり、CPUやメモリ等などから構成され、露光装置の各ユニット、機器等の制御や、各種の演算を行う。また、制御部301は複数の情報処理装置から構成され得る。
図2は、複数の計測部を配置した構成を例示する図である。本実施例では、同一方向(Z方向)のステージ位置を計測するために、重複した測定可能領域を持つ、2つのレーザ干渉計を用いている。
レーザ干渉計25a、25bはZ方向のステージ位置を計測する2つのレーザ干渉計であって、ともにXステージ31上に搭載されている。レーザ干渉計25a、25bから出射するビームがXY平面に対して垂直になるように配置されるか、ミラーなどの光学素子によって垂直に引廻すように構成される。本実施例では、レーザ干渉計25a、25bの各々から出射されたビームを、固定ミラー21a、21b、22a、22bを介して、XY平面と平行な反射面を有するミラー30a、30bに入射させることで、Z方向のトップステージ27の位置を計測する。ここで、第1計測部は、レーザ干渉計25bとそのレーザ光経路を形成する固定ミラー21b、22b、及びミラー30bから構成される計測部とする。また、第2計測部は、レーザ干渉計25aとそのレーザ光経路を形成する固定ミラー21a、22a、およびミラー30aから構成される計測部とする。そして、各計測部は、レーザ光経路の経路長の変動を検出することにより、トップステージ27(ミラー30a、30bの反射面)のZ方向における位置、速度、加速度など、位置に関する情報を計測する。
制御部301において、CPU302は、第1計測部、および第2計測部から計測値を取得して、メモリ303(記憶部)に記憶する。また、CPU302は、トップステージ27のX方向の位置に応じて、第1計測部と第2計測部の切替え制御を行う。これにより、投影部34のレンズ鏡筒等の計測光を遮蔽するような障害物を避けながら、トップステージ27のZ方向の計測を行うことができる。前記切替え制御において、CPU302がこれまで計測を行っていた計測部から、これから計測を行う計測部へ制御部301により測定値を引渡す。計測値が切り替わるトップステージ27の位置は、2つのレーザ干渉計25a、25bがともに計測可能な領域(重複計測領域)にある位置である。計測部の切替えを適宜行うことにより、制御部301からは、常時、Z方向における位置の計測値が出力される。
図3は、計測部の計測領域と切替え位置を例示する図である。X方向のトップステージ27の駆動範囲において、計測領域が分割されている。第1計測領域は、第1計測部のみが計測する領域である。重複計測領域は、第1計測部、及び第2計測部のいずれもが計測可能な領域である。第2計測領域は、第2計測部のみが計測する領域である。切替え位置104をトップステージ27の任意の位置が通過した時に、第1計測部と第2計測部を切替える。トップステージ27の任意の位置は、例えば、トップステージ27の左端、中央、右端などである。図3において、トップステージ27の任意の位置を右端とすると、トップステージ27の右端が切替え位置104より−X方向の位置にあるため、第1計測部を用いて計測している状態を表している。トップステージ27が+X方向へ駆動して、トップステージ27の右端が切替え位置104を通過した場合、第1計測部から第2計測部に切替える。なお、Xステージ31等のウエハステージを構成する要素も駆動するが、図3では簡略化のためにトップステージ27のみを図示している。
図4は、露光処理におけるフローチャートを例示する図である。本実施例では、基板上の処理対象は、ショットであるとして説明する。S01では、感光材が塗布されたウエハを、搬送ハンド(不図示)でウエハチャック26に搬送する。前述の通り、ウエハチャック26はトップステージ27の上に搭載されており、ウエハチャック26とトップステージ27の原点は一致するように取り付けられているが、実際には誤差が生じていることがある。
S02では、搬送されたウエハについて、ショット毎にZ方向のフォーカス計測処理を行い、フォーカスオフセットを取得する。このとき、ショット毎に計測を行うため、レチクルのパターンを基板に露光する露光処理(基板処理)と同様な経路でウエハステージを駆動する。
S03では、搬送されたウエハについて、X、Y方向のアライメントオフセットを取得する。ここでは、アライメントオフセットとは、ステージ原点と、ウエハ原点のX方向、Y方向、θZ方向のずれを合わせるためのウエハ毎のオフセットとする。なお、ショットに対してアライメントマークを計測して、ショット原点のX方向、Y方向、θZ方向のずれを合わせるためのショット毎のアライメントオフセットを取得しても良い。また、S02とS03は並行して実行しても良い。
ここで、図5は、ウエハとトップステージとの位置関係を例示する図である。一般的にステージ原点と、投影部34のレンズ(投影レンズ、不図示)の原点は、露光装置の起動時等に位置合わせされている。ウエハチャック26(図5では不図示)上に載置されるウエハ103のウエハ原点102と、トップステージ27のステージ原点101が一致していれば、アライメントオフセットはゼロとなる。しかし、図5に示す通り、前述のウエハチャック26とトップステージ27の原点の誤差、ウエハ103を搬送する際に生じる誤差等の影響があり、実際にはウエハ原点102とステージ原点101とは一致しない。なお、図5においては、明確に示すためにステージ原点101とウエハ原点102が大きくずれているように表しているが、通常は微小なずれになる。
そこで、露光処理を行う前に、フォーカスオフセットの取得だけでなく、ウエハ上に形成されたアライメントマークを測定することで、X、Y方向に対する相対的なずれも計測する。アライメントスコープ(図1では不図示。後述の図9を参照。)により、ウエハ上のアライメントマークを計測する。アライメントスコープは、投影レンズの光軸から離れた箇所に光軸を有するオフアクシス光学系で構成された顕微鏡である。また、アライメントスコープとして、投影レンズを通して計測するTTL方式の顕微鏡を用いても良い。
図4に戻り、S04では、取得したアライメントオフセットを、ウエハステージの制御(ステージ制御)に反映させる。これにより、ウエハ原点102を基準として、ステージ制御が可能となる。
S05では、S02で取得したフォーカスオフセットをステージ制御に反映させて、ウエハ上のショットに対する露光処理を行う。
S06では、最終ウエハの処理が終了したかを判断する。終了した場合は処理を終了し、終了していない場合はS01に戻り、次のウエハを搬送する。
図6は、フォーカス計測処理におけるステージ位置を例示する図である。図6の上図は、図3と同様に、X方向における、第1計測領域、重複計測領域、第2計測領域、および切替え位置104を表している。また、トップステージ27、ウエハ103を断面図で表し、ステージ原点101、ウエハ原点102、およびウエハ103上にレイアウトされたショット106を表している。また、トップステージ27のステージ原点101とウエハ103のウエハ原点102の、X方向におけるずれ量を、ずれ量108としている。このずれ量108がX方向のアライメントオフセットとなる。さらに、図6の下図はウエハ103の上面図であり、ショット106の位置を表している。図6に示すトップステージ27の位置で、ショット106のフォーカス計測処理を行っている。このとき、トップステージ27の位置は、切替え位置104より−X方向の位置にあるため、第1計測部によってZ方向のステージ位置の計測が行われている。また、トップステージ27は、ステージ原点101を基準とした座標系で駆動している。
図7は、切替え位置の変更時におけるステージ位置を例示する図である。符号については図6と同様である。図7に示すトップステージ27の位置で、ショット106の露光処理を行っている。このとき、アライメントオフセットをステージ制御に反映しているため、トップステージ27は、ウエハ原点102を基準とした座標系で駆動している。よって、図6の場合と比較して、トップステージ27の位置は、+X方向にずれ量108だけ位置がずれる。つまり、ショット106についてのオフセット計測時と露光処理時とで、トップステージ27の位置がアライメントオフセット分だけ変化する。そこで、あるショットに対して、フォーカス計測処理で使用する計測部と、露光処理で使用する計測部とが同一になるように、切替え位置104を可変とする。図4のS04において、アライメントオフセットを、ステージ制御に反映させるとともに、切替え位置104をずれ量108だけ移動した位置に変更する。つまり、切替え位置104に対して、+X方向にずれ量108だけ位置を変更した切替え位置105に変更する。このとき、トップステージ27の位置は、切替え位置105より−X方向の位置にあるため、第1計測部によってZ方向のステージ位置の計測が行われる。よって、ショット106に対して、フォーカス計測処理で使用する計測部と、露光処理で使用する計測部とが、同一になる。ショット106と同様に、全てのショットに対して、フォーカス計測処理で使用する計測部と露光処理で使用する計測部とが、同一になるように、切替え位置104を可変とする。なお、ここでは、トップステージ27が+X方向に移動する場合を説明したが、−X方向に移動する場合には−X方向に切替え位置を移動すれば良い。また、ウエハ103に対して、ショット毎にアライメントオフセットを取得している場合は、図4のS05において、ショットを露光する前に、ずれ量108に加えて、ショット毎のアライメントオフセットの分だけ切替え位置を変更しても良い。
図8は、ショット毎に計測する計測部の番号を例示する図である。ショット内に「1」と記載されているショットは、第1計測部で計測され、「2」と記載されているショットは、第2計測部で計測されることを表す。前述の通り、計測部の切替え位置を変更することにより、ショット毎にフォーカス計測処理で使用する計測部と、露光処理で使用する計測部とが、同一の計測部となる。よって、図8でショット毎に計測部の番号が示されているように、複数のショットについて、フォーカス処理と露光処理を行う場合に、1つのショットに対する処理では、同一の前記計測部が使用される。
また、ショット毎に使用する計測部の情報を管理しておき、1つのショットに対する処理では、同一の前記計測部を使用するように、切替え位置を変更しても良い。図4のS02において、制御部301が、フォーカス計測処理で使用した計測部の情報を、ショット毎にメモリ303に記憶する。そして、図4のS05において、制御部301が、メモリ303からショット毎に使用した計測部の情報を読み出して、露光処理で同一の計測部を使用するように、切替え位置を変更する。
また、第1計測部と第2計測部の2つの計測部の場合を説明したが、2つの計測部の場合に限らず複数の計測部が構成されている場合にも、本実施例を適用することができる。また、計測部としてレーザ干渉計を用いた例を説明したが、リニアエンコーダや静電容量センサ等のその他のセンサを用いても良い。
また、計測部を同一とする処理を、フォーカス計測処理と露光処理の場合を説明したが、これらの処理に限られない。例えば、露光処理後に、ステージを駆動してショット毎に露光処理の結果を測定する処理(基板処理結果の測定処理)においても、同様に計測部を同一にすることにより、測定結果の精度の向上が期待できる。
したがって、複数の処理を行う場合に、1つの処理対象に対する処理では、同一の計測部を用いてステージ制御を行うので、ステージ制御の特性に変化が生じて、ステージ制御の精度が低下することを抑制することができる。
(比較例)
図14は、従来技術における露光処理時のステージ位置を例示する図である。符号については図6と同様である。図14に示すトップステージ27の位置で、ショット106の露光処理を行っている。このとき、アライメントオフセットをステージ制御に反映しているため、トップステージ27は、ウエハ原点102を基準とした座標系で駆動している。よって、図6の場合と比較して、トップステージ27の位置は、+X方向にずれ量108だけ位置がずれる。つまり、ショット106についてのフォーカスオフセット計測時と露光処理時とで、トップステージ27の位置がアライメントオフセット分だけ変化する。従来技術では、この位置ずれによって、トップステージ27の位置は、切替え位置104より+X方向の位置にあるため、第2計測部によってZ方向のステージ位置の計測が行われている。
図15は、ショット毎に計測する計測部の番号を例示する図である。ショット内に「1」と記載されているショットは、第1計測部で計測され、「2」と記載されているショットは、第2計測部で計測されることを表す。また、「1、2」と記載されているショットは、フォーカスオフセット計測時は第1計測部で計測され、露光処理時は第2計測部で計測されることを表す。前述の通り、計測部の切替え位置を変更しない場合は、一部のショットにおいて、フォーカス計測処理で使用する計測部と、露光処理で使用する計測部とが、異なる計測部となる。
このように、従来技術では、同一のショットに対して行われる、フォーカス計測処理と露光処理では、異なる計測部を使用してステージ制御を行うことがあった。それにより、それぞれの計測部の特性の違いによって、計測結果に誤差が出ることがあり、ステージ制御の特性に変化が生じて、ステージ制御の精度が低下することがあった。
実施例2に係る露光装置について説明する。なお、ここで言及しない事項は、実施例1に従い得る。また、第1計測部と第2計測部は実施例1と同様である。本実施例では、計測部を切替えるための切替え位置が複数ある場合について説明する。実施例1のように1つの切替え位置で計測部の切替えを制御する場合、切替え位置付近でトップステージ27が停止すると、制御偏差等の影響で頻繁に計測部が切替わることがある。計測部が頻繁に切替わることで、計測値が安定せず、ステージ制御の精度が低下する。そのような現象を抑制するために、1方向について複数の切替え位置を設けることがある。しかし、この場合、トップステージ27の移動方向によって、トップステージ27の位置が同一であっても、トップステージ27のZ方向を計測する計測部が異なることがある。また、同一の処理を複数回行う場合において、直前の処理が終了した時のトップステージ27の位置によって、同一の処理対象に対する処理を行う時のトップステージ27の移動方向が異なることがある。これは実施例1で説明したフォーカス計測処理、露光処理でも同様であるが、本実施例ではアライメント計測処理について説明する。
あるアライメントマークに対して、アライメント計測処理で使用する計測部を、トップステージ27の移動方向に関わらず、同一になるように切替え位置111、及び切替え位置112を可変とする。
図9は、ステージが+X方向に移動する場合のアライメントマーク計測時のステージ位置を例示する図である。アライメントスコープ109は、ウエハ面内のアライメントマーク110の位置を計測する。アライメントマークはウエハ面内に複数設けられており、図9ではそのうちの1つのアライメントマーク110を例示している。トップステージ27が+X方向に移動して、第1計測部によってZ方向のステージ位置の計測が行われている場合、トップステージ27の右端が切替え位置111を通過する時に、制御部301は第1計測部から第2計測部に切替える。
図9では、トップステージ27が+X方向に移動しており、第1計測部によってZ方向のステージ位置の計測が行われている場合を表している。トップステージ27の右端の位置は、切替え位置111より−X方向の位置にあるため、第1計測部によってZ方向のステージ位置の計測が行われている。
図10は、切替え位置の変更時におけるステージ位置を例示する図である。アライメントスコープ109は、ウエハ面内のアライメントマーク110の位置を計測する。アライメントマークはウエハ面内に複数設けられており、図10ではそのうちの1つのアライメントマーク110を例示している。図10に示すトップステージ27の位置で、アライメントマーク110のアライメント計測処理を行っている。このとき、トップステージ27の右端の位置は切替え位置112より+X方向の位置にあるため、第2計測部によってZ方向のステージ位置の計測が行われる。そこで、アライメントマーク110に対して、トップステージ27が+X方向と−X方向に移動する時に使用する計測部とが同一になるように、切替え位置112を切替え位置113に変更する。
また、距離114は、切替え位置112から切替え位置113に移動する距離である。切替え位置112から距離114だけ移動した切替え位置113は、アライメントスコープ109がアライメントマーク110を計測している時のトップステージ27の右端よりも+X方向であり、切替え位置111より−X方向の位置にあれば良い。なお、ここでは、−X方向に移動する時に使用する計測部を、+X方向に移動する時に使用した第1計測部になるようにしたが、+X方向に移動する時に使用する計測部を、−X方向に移動する時に使用する第2計測部となるようにしても良い。その場合は、切替え位置111をトップステージ27の右端よりも−X方向の位置に移動する。
また、実施例1と同様に、アライメントマーク毎に使用する計測部の情報を管理しておき、1つのアライメントマークに対する処理では、同一の前記計測部を使用するように、切替え位置を変更しても良い。
また、本実施例ではアライメント計測処理の場合について説明したが、アライメント計測処理に限らず、実施例1で説明したフォーカス計測処理、露光処理にも適用可能である。また、トップステージ27等のウエハステージに設けられた基準マークに対する基準マーク計測処理についても同様に適用可能である。前記基準マークの位置を投影部34やアライメントスコープを介して検出することにより、ウエハステージの原点位置や、投影部34の光軸とアライメントスコープとの距離等の計測を行う。また、アライメント計測処理と同様に、ウエハステージの移動方向が異なることによって、同一の基準マークの計測において、異なる計測部が使用される可能性がある。そこで、基準マーク計測処理でも、計測部の切替え位置を移動することで、同一の基準マークの計測処理では、同一の計測部を使用するように制御することができる。また、計測部としてレーザ干渉計を用いた例を説明したが、リニアエンコーダや静電容量センサ等のその他のセンサを用いても良い。
したがって、ウエハステージが複数の方向に移動して処理を行う場合に、1つの処理対象に対する前記処理では、同一の計測部を用いてステージ制御を行うので、ステージ制御の特性に変化が生じて、ステージ制御の精度が低下することを抑制することができる。
(比較例)
図16は、ステージが−X方向に移動する場合のアライメントマーク計測時のステージ位置を例示する図である。符号については図9と同様である。図16では、トップステージ27が+X方向に移動して、制御部301が第1計測部から第2計測部に切替えた後、トップステージ27が−X方向に移動している。従来技術では、第2計測部によってZ方向のステージ位置の計測が行われている場合、トップステージ27の右端が−X方向に移動して、切替え位置112を通過する時に、制御部301は第2計測部から第1計測部に切替える。図16では、トップステージ27の右端の位置は、切替え位置112より+X方向の位置にあるため、第2計測部によってZ方向のステージ位置の計測が行われている。
このように、従来技術では、トップステージ27の位置が同じで、同一のアライメントマークを計測するアライメント計測処理でも、トップステージ27の移動方向によって、異なる計測部を使用してステージ制御を行うことがあった。それにより、それぞれの計測部の特性の違いによって、計測結果に誤差が出ることがあり、ステージ制御の特性に変化が生じて、ステージ制御の精度が低下することがあった。
実施例3に係る露光装置について説明する。なお、ここで言及しない事項は、実施例1、実施例2に従い得る。また、第1計測部と第2計測部は実施例1と同様である。実施例3においては、一例として、同一のショットレイアウトを持つ、複数のウエハについて露光処理等の処理を行う場合について説明する。
前記複数のウエハについて露光処理をする場合、例えば、ウエハ上の同一の位置にある、対応するショットについては、同一の計測部を用いて処理する方が望ましい。なぜなら、ステージ制御の特性に変化が生じることを抑制し、ウエハ間で露光結果にばらつきが発生しにくいからである。
しかし、複数のウエハを処理する場合、図5に表された、ウエハ原点102とステージ原点101の位置ずれ量はウエハ毎に異なる場合がある。また、同一の処理であっても、ウエハステージ(トップステージ27等)の駆動方向がウエハ毎に異なる場合がある。よって、実施例1、及び実施例2のように第1計測部と第2計測部の切替え位置を可変とする方法では、異なるウエハ間で対応する処理対象に対する処理で、同一の計測部を使用することができない場合がある。
そこで、制御部301は、複数のウエハ間で対応するショットに対する処理(例えば、露光処理)について、同一の計測部を使用するように、計測部を切替える。
そのために、制御部301は、ショットに対して使用する計測部の情報をメモリ303から読み込み、前記情報に基づいて計測部を切替える。前記情報は、最初に処理したウエハにおいて、制御部301がショットに対して使用した計測部の情報を取得して、メモリ303に記憶する。または、図1に例示された露光装置は、キーボード、マウス、その他の入力装置(入力部)を更に有し、ユーザーが前記入力装置(不図示)から、ショットに対して使用する計測部の情報を入力して、前記情報をメモリ303に記憶して良い。例えば、前記情報は、図8に例示したように、ショットに対して使用する計測部の番号を対応させた情報である。または、露光装置は、電気通信回線を介して外部装置と電気通信を行う、不図示の通信装置(通信部)を更に有し、電気通信回線を介して接続している計測装置、サーバ、その他の外部装置(不図示)から、前記情報を取得して、メモリ303に記憶しても良い。いずれの場合も、図4のS02とS05において、制御部301が、メモリ303からショットに対して使用する計測部の情報を読み出して、露光処理で使用する計測部の選択を行う。これにより、同一のウエハ上のショットだけでなく、同一のショットレイアウトを持つウエハ上の、対応するショットに対する露光処理でも、同一の前記計測部が使用されるように計測部を選択することができる。つまり、異なるウエハ間においても、対応する処理対象に対する処理では、同一の前記計測部が使用されるように前記計測部を選択することができる。
したがって、異なるウエハ間で対応する処理対象に対する処理では、同一の計測部を用いてステージ制御を行うので、ステージ制御の特性に変化が生じて、ステージ制御の精度が低下することを抑制することができる。
実施例4に係る露光装置について説明する。なお、ここで言及しない事項は、実施例1、実施例2、実施例3に従い得る。本実施例では、Y方向のステージ位置を計測するレーザ干渉計が複数ある場合について説明する。
図11は、Y方向のステージ位置を計測する2つのレーザ干渉計を例示する図である。レーザ干渉計23d、23eはY方向のステージ位置を計測する2つのレーザ干渉計であって、ミラー28a、28bはともにトップステージ27上に搭載されている。レーザ干渉計25d、25eから出射するビームがXY平面に対して水平になるように配置されるか、ミラーなどの光学素子によって垂直に引廻すように構成される。レーザ干渉計23d、23eの各々から出射されたビームを、XY平面に垂直な反射面を有するミラー28a、28bに入射させることで、Y方向のトップステージ27の位置に関する情報を計測する。また、実施例1等と同様に2つのレーザ干渉計23d、23eは重複計測領域を持つ。よって、実施例1等と同様に、ある処理対象(例えば、ショットなど)に対して行う複数の処理において、同一の計測部(レーザー干渉計、反射鏡)を使用するように、切替え位置を変更する。さらに、Y方向だけでなく、X方向に対して複数の計測部が構成されている場合にも、同様に本実施例を適用することができる。また、計測部としてレーザ干渉計を用いた例を説明したが、リニアエンコーダや静電容量センサ等のその他のセンサを用いても良い。
したがって、複数の処理を行う場合に、1つの処理対象に対する処理では、同一の計測部を用いてステージ制御を行うので、ステージ制御の特性に変化が生じて、ステージ制御の精度が低下することを抑制することができる。
実施例5に係る露光装置について説明する。なお、ここで言及しない事項は、実施例1、実施例2、実施例3、実施例4に従い得る。本実施例では、複数のステージ位置を計測する、複数のレーザ干渉計をレチクルステージに適用した場合について説明する。
図12は、複数のレーザ干渉計を適用したレチクルステージを例示した図である。レーザ干渉計45は、Y方向のレチクルステージ33の位置を計測するレーザ干渉計であり、ミラー44はレチクルステージ33に搭載されている。図13は、複数のレーザ干渉計を適用したレチクルステージの上面を例示した図である。レーザ干渉計45とミラー44は、それぞれ2つずつあり、レーザ干渉計45a、45bと、ミラー44a、44bとから構成される。レーザ干渉計45a、45bはY方向のレチクルステージ33の位置を計測する2つのレーザ干渉計であって、ミラー44a、44bはともにレチクルステージ33に搭載されている。レーザ干渉計23d、23eの各々から出射されたビームを、XY平面に垂直な反射面を有するミラー28a、28bに入射させることで、Y方向のトップステージ27の位置に関する情報を計測する。また、実施例1等と同様に2つのレーザ干渉計23d、23eは重複計測領域を持つ。よって、制御部301が、レチクル上のレチクルマークを計測する処理では、同一の、または対応するレチクルマークを計測する処理で使用する計測部を同一になるように計測部の選択を行う。また、制御部301が、レチクルステージ33上の基準マークを計測する処理では、同一の基準マークを計測する処理で使用する計測部を同一になるように計測部の選択を行う。さらに、Y方向だけでなく、X、Z方向に対して複数の計測部が構成されている場合にも、同様に本実施例を適用することができる。また、計測部としてレーザ干渉計を用いた例を説明したが、リニアエンコーダや静電容量センサ等のその他のセンサを用いても良い。
したがって、複数の処理を行う場合に、1つの処理対象に対する処理では、同一の計測部を用いてステージ制御を行うので、ステージ制御の特性に変化が生じて、ステージ制御の精度が低下することを抑制することができる。
(物品の製造方法)
物品として、例えば、デバイス(半導体デバイス、磁気記憶媒体、液晶表示素子等)、カラーフィルター、またはハードディスク等の製造方法について説明する。かかる製造方法は、リソグラフィ装置(例えば、露光装置、インプリント装置、描画装置等)を用いてパターンを基板(ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等)に形成する工程を含む。かかる製造方法は、パターンを形成された基板を処理する工程を更に含む。該処理ステップは、該パターンの残膜を除去するステップを含みうる。また、該パターンをマスクとして基板をエッチングするステップなどの周知の他のステップを含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性および生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。例えば、リソグラフィ装置は、基板を露光することでパターン形成を行う露光装置に限定されるものではない。リソグラフィ装置は、荷電粒子光学系を介して荷電粒子線(電子線やイオンビームなど)で基板に描画を行って、基板にパターン形成を行う描画装置などの装置であってもよい。また、リソグラフィ装置は、基板の上のインプリント材(樹脂など)を型(原版)により成形(成型)して、基板にパターン形成を行うインプリント装置であってもよい。更に、本発明は、リソグラフィ装置だけではなく、原版または基板を保持するステージを有し、ステージ制御の精度が装置性能に影響を与える装置にも適用可能である。また、実施例1、実施例2、実施例3、実施例4、及び実施例5に係る露光装置は、単独で実施するだけでなく、実施例1、実施例2、実施例3、実施例4、及び実施例5の組合せで実施することができる。

Claims (7)

  1. 基板上にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、
    原版または基板を搭載して移動する移動部と、
    前記移動部の位置に関する情報を計測し、互いの計測可能な領域が重複する第1の計測部及び第2の計測部と、
    前記第1の計測部によって計測可能な領域と前記第2の計測部によって計測可能な領域が重複する重複領域に設定された切り替え位置において、前記第1の計測部と前記第2の計測部との間で、前記移動部の位置の計測に使用する計測部を切替える制御部と、
    を備え、
    前記切り替え位置は、前記重複領域において実行される第1の処理及び第2の処理を実行する際に、前記第1の処理における前記移動部の位置の計測に使用される計測部と、前記第2の処理における前記移動部の位置の計測に使用される計測部が同一となるように設定されており、
    前記第1の処理はパターン形成を行う処理であり、前記第2の処理は、前記パターン形成を行うために前記パターン形成の前に行われる計測処理であることを特徴とするリソグラフィ装置。
  2. 前記第1の処理及び前記第2の処理は、同一の処理対象に対する処理であることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ装置。
  3. 前記処理対象は、前記基板上のショットであり、前記第1の処理は、前記ショットを露光する処理、荷電粒子線により前記ショットを描画する処理、前記ショット上のインプリント材を型により成形する処理のいずれかの処理であることを特徴とする請求項2に記載のリソグラフィ装置。
  4. 前記処理対象は、前記基板上のショットであり、前記第2の処理は、前記ショットのフォーカス計測処理であることを特徴とする請求項2または3に記載のリソグラフィ装置。
  5. 前記切り替え位置は、前記原版または前記基板と前記移動部とのずれ量に基づいて設定されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
  6. 前記第1の処理を実行するときの前記移動部の位置と、前記第2の処理を実行するときの前記移動部の位置は互いに異なることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
  7. 請求項1乃至6のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
    前記工程で前記パターンを形成された前記基板を処理する工程と、
    を有し、処理された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108305848A (zh) * 2018-01-12 2018-07-20 昆山成功环保科技有限公司 一种晶圆自动定位***及包括它的装载机

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5798195A (en) * 1993-09-24 1998-08-25 Nikon Corporation Stepping accuracy measuring method
JP3369266B2 (ja) * 1993-09-24 2003-01-20 株式会社ニコン ステージの位置制御精度の測定方法
JPH08330214A (ja) * 1995-06-01 1996-12-13 Nikon Corp アライメント精度評価方法
DE69728948T2 (de) * 1996-11-14 2005-09-15 Nikon Corp. Projektionsbelichtungsvorrichtung und Verfahren
JPH11176746A (ja) * 1997-10-07 1999-07-02 Nikon Corp 走査型露光方法、装置及び素子製造方法
JPH11325832A (ja) * 1998-05-19 1999-11-26 Nikon Corp 位置測定方法および位置測定装置並びに露光装置
WO2000001001A1 (fr) * 1998-06-29 2000-01-06 Nikon Corporation Procede d'exposition a un balayage, appareil d'exposition a un balayage et procede de production de ce dernier, et dispositif et procede de fabrication de ce dernier
DE69943311D1 (de) * 1998-12-24 2011-05-12 Canon Kk Trägerplattesteuerungsvorrichtung, Belichtungsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
JP2000187338A (ja) * 1998-12-24 2000-07-04 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
JP3762307B2 (ja) * 2001-02-15 2006-04-05 キヤノン株式会社 レーザ干渉干渉計システムを含む露光装置
JP2003031463A (ja) * 2001-07-12 2003-01-31 Nikon Corp 基板ホルダ、露光装置、アライメント装置及び方法
US6785005B2 (en) * 2001-09-21 2004-08-31 Nikon Corporation Switching type dual wafer stage
JP3907497B2 (ja) * 2002-03-01 2007-04-18 キヤノン株式会社 位置決め装置及びその制御方法、並びに露光装置、並びにその制御方法により制御される露光装置により半導体デバイスを製造する製造方法
JP3833148B2 (ja) * 2002-06-25 2006-10-11 キヤノン株式会社 位置決め装置及びその制御方法、露光装置、デバイスの製造方法、半導体製造工場、露光装置の保守方法
JP2004356193A (ja) * 2003-05-27 2004-12-16 Canon Inc 露光装置及び露光方法
JP4429037B2 (ja) * 2004-02-27 2010-03-10 キヤノン株式会社 ステージ装置及びその制御方法
JP2005317916A (ja) * 2004-03-30 2005-11-10 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
US7230676B1 (en) * 2006-03-13 2007-06-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007299983A (ja) 2006-05-01 2007-11-15 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
JP2009054737A (ja) * 2007-08-24 2009-03-12 Nikon Corp マーク検出方法及び装置、位置制御方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
US8711327B2 (en) * 2007-12-14 2014-04-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP2010286784A (ja) * 2009-06-15 2010-12-24 Canon Inc ステージ装置、露光装置およびデバイス製造方法
KR101801148B1 (ko) * 2011-08-16 2017-11-27 삼성전자주식회사 초정밀 위치 제어 장치 및 그 6자유도 스테이지의 위치 및 자세 정보 산출 방법
US8937707B2 (en) 2011-08-23 2015-01-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of calibrating a displacement measuring system

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