KR102098220B1 - 표시장치용 표시패널 - Google Patents

표시장치용 표시패널 Download PDF

Info

Publication number
KR102098220B1
KR102098220B1 KR1020130145880A KR20130145880A KR102098220B1 KR 102098220 B1 KR102098220 B1 KR 102098220B1 KR 1020130145880 A KR1020130145880 A KR 1020130145880A KR 20130145880 A KR20130145880 A KR 20130145880A KR 102098220 B1 KR102098220 B1 KR 102098220B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wiring
layer
inspection
signal pad
gate
Prior art date
Application number
KR1020130145880A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150061772A (ko
Inventor
이상빈
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020130145880A priority Critical patent/KR102098220B1/ko
Priority to EP14183136.2A priority patent/EP2878990B1/en
Priority to CN201410588909.3A priority patent/CN104681581B/zh
Priority to US14/548,504 priority patent/US9379031B2/en
Publication of KR20150061772A publication Critical patent/KR20150061772A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102098220B1 publication Critical patent/KR102098220B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • H01L22/32—Additional lead-in metallisation on a device or substrate, e.g. additional pads or pad portions, lines in the scribe line, sacrificed conductors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1306—Details
    • G02F1/1309—Repairing; Testing
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136204—Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/006—Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136254—Checking; Testing
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/13629—Multilayer wirings

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Elimination Of Static Electricity (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 어레이 기판 또는 표시패널 검사배선과 신호패드 사이를 이종 재료의 정전기 방지용 점핑 배선으로 연결하여, 기판 검사과정에서 발생한 정전기가 유입될 때 점핑배선 연결부에서 정전기 터짐이 발생하도록 유도함으로써, 검사과정에서 발생한 정전기가 내부로 유입되어 패널 내부를 손상하는 것을 방지할 수 있는 표시패널을 제공하는 것이다.

Description

표시장치용 표시패널{Display Panel For Display Device}
본 발명은 표시장치용 표시패널에 관한 것으로서, 특히 어레이 테스트(Array Test) 과정에서 패널에서 발생되는 정전기에 의한 기판 손상을 방지할 수 있는 표시패널 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있으며, 근래에는 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display), 플라즈마표시장치(PDP: Plasma Display Panel), 유기전계발광표시장치(OLED: Organic Light Emitting Diode Display Device)와 같은 여러 가지 표시장치가 활용되고 있다.
이러한 표시장치 중 액정 표시장치(LCD)는 박막 트랜지스터를 포함하는 어레이 기판과, 컬러필터 및/또는 블랙매트릭스 등을 구비한 상부기판과, 그 사이에 형성되는 액정물질층을 포함하여 구성되며, 화소 영역의 양 전극 사이에 인가되는 전계에 따라 액정층의 배열 상태가 조절되고 그에 따라 광의 투과도가 조절되어 화상이 표시되는 장치이다.
또한, OLED 표시장치 등은 스위칭 트랜지스터 및 구동 트랜지스터 등의 박막 트랜지스터와 제1 및 제2전극과, 그 사이에 배치되는 유기발광 물질층을 포함하는 제1기판과, 그 상부에 합착되는 제2기판을 포함하여 구성되며, 화소 영역의 양 전극 사이에 인가되는 전압 또는 전류의 크기에 따라 유기물의 발광 정도가 조절되어 화상이 표시되는 장치이다.
도 1은 일반적인 표시장치의 표시패널 또는 어레이 기판의 일 예를 도시한다.
이러한 액정 표시장치의 표시패널 또는 OLED 표시장치의 표시패널용 표시 패널(100)은 사용자에게 이미지를 제공하는 액티브 영역(active area, AA)과 상기 액티브 영역(AA)의 주변 영역인 비액티브 영역(non-active area, NA)으로 정의되며, 표시 패널은 통상 박막 트랜지스터 등이 형성되어 화소영역이 정의되는 어레이기판인 제1기판과, 블랙매트릭스 및/또는 칼라필터층 등이 형성된 상부 기판으로서의 제2기판이 합착되어 제조된다.
물론, OLED 표시패널인 경우에는 상기 제2기판은 보호기판으로서의 기능만 할 수도 있다.
박막 트랜지스터가 형성되는 어레이기판 또는 제1기판은 다시, 제1방향으로 연장되는 다수의 게이트 라인(GL)과, 제1방향과 수직인 제2방향으로 연장되는 다수의 데이터 라인(DL)을 포함하며, 각각의 게이트 라인과 데이터 라인에 의하여 하나의 화소영역(Pixel; P)이 정의된다. 하나의 화소영역(P) 내에는 1 이상의 박막 트랜지스터가 형성되며, 각 박막 트랜지스터의 게이트 또는 소스 전극은 각각 게이트 라인 및 데이터 라인과 연결될 수 있다.
또한 각 게이트 라인(GL)의 끝에는 게이트 신호를 인가하기 위한 신호패드로서의 게이트 패드(110)가 형성되어 있으며, 양방향 스캔 구동을 위해서 도 1에서는 좌측의 게이트 패드(110) 이외에 우측의 게이트 패드(미도시)를 추가로 포함할 수 있다.
또한, 표시패널(100)의 상부 또는 하부에는 각 데이터 라인(DL)의 단부에 데이터 신호 인가용 신호패드로서의 데이터 패드(120)가 형성되어 있다
한편, 어레이 기판의 제조 공정이 완료된 이후에 패널의 전기적 특성 등의 결함이 있는지 검사하는 소위 어레이 테스트(Array Test) 공정이 있으며, 이러한 어레이 테스트를 위해서 모든 게이트 패드 및/또는 데이터 패드에 동시에 신호를 인가하기 위한 검사 배선이 표시패널의 양 방향을 통해서 길게 연장 형성되어 있다.
즉, 도 1과 같이, 다수의 데이터 패드(120)를 동시에 연결하는 데이터 검사배선(140)이 게이트 배선의 연장방향인 제1방향으로 길게 연장되어 있고, 다수의 게이트 패드(110)를 동시에 연결하기 위한 게이트 검사배선(130)이 제2방향으로 길게 형성되어 있다.
또한, 이러한 검사배선(130, 140)과 각각의 패드들은 연결배선(150, 160)에 의하여 연결되어 있으며, 이러한 검사배선 또는 연결배선들은 패드들과 동일한 금속 재질로 동일 또는 상이한 레이어에 형성되어 있다.
어레이 기판 또는 표시패널 제조 이후에 이러한 검사배선을 통한 어레이 테스트를 통과하면 커팅 라인(170)을 따라 표시패널을 커팅(Cutting)함으로써 개별적인 표시 패널의 제조과정이 완료된다.
한편, 이러한 어레이 테스트 과정에서 정전기가 발생할 수 있고, 이 때 순간적으로 큰 전압 또는 전류가 발생할 수 있는데, 전술한 검사배선(150, 160)은 길게 단일의 금속 배선으로 형성되어 있으므로 대전량이 크며, 따라서 정전기에 의한 전하가 검사배선 및 연결배선을 통해 패널 내부로 유입되어 박막 트랜지스터나 패널 내부의 배선들을 파괴함으로써, 패널 손상이 발생되는 문제가 있었다.
즉, 종래의 어레이 테스트 검사배선과 연결배선 등이 데이터 패드 또는 게이트 패드와 동일한 금속패턴으로 형성되어 큰 대전량을 가짐으로써, 어레이 테스트 과정에서 발생한 정전기가 패널 내부로 대전되어 패널을 손상하는 문제가 있었다.
이러한 배경에서, 본 발명의 목적은, 어레이 테스트(Array Test; ART) 과정에서 발생한 정전기에 의한 내부 손상을 방지하는 표시패널을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 어레이 기판의 검사과정에서 발생한 정전기가 표시패널 또는 어레이 기판 내부로 유입되는 것을 방지할 수 있는 표시패널을 제공하는 데 있다.
본 발명의 또다른 목적은, 어레이 기판 또는 표시패널 검사배선과 신호패드 사이를 이종 재료의 정전기 방지용 점핑 배선으로 연결하여, 기판 검사과정에서 발생한 정전기가 유입될 때 점핑배선 연결부에서 정전기 터짐이 발생하도록 유도함으로써, 검사과정에서 발생한 정전기가 내부로 유입되어 패널 내부를 손상하는 것을 방지할 수 있는 표시패널을 제공하는 것이다.
전술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일실시예는, 게이트 라인과 데이터 라인의 교차영역에 정의되는 다수의 화소를 포함하는 표시영역과, 비표시 영역에 배치되어 상기 게이트 라인 또는 데이터 라인에 게이트 신호 또는 데이터 신호를 인가하기 위한 신호 패드와, 커팅라인 외부에 배치되되 상기 신호패드와 전기적으로 연결되어 기판의 검사에 사용되는 검사배선부를 포함하는 표시패널로서, 상기 신호패드와 검사배선부 사이에 배치되어 상기 신호패드와 검사배선부를 전기적으로 연결하되, 상기 신호패드 및 검사배선부와 상이한 재료 및 레이어로 형성되는 점핑배선을 포함하는 표시패널을 제공한다.
본 발명의 다른 실시예에서는, 게이트 라인과 데이터 라인의 교차영역에 정의되는 다수의 화소를 포함하는 표시영역과, 비표시 영역에 배치되어 상기 게이트 라인 또는 데이터 라인에 게이트 신호 또는 데이터 신호를 인가하기 위한 신호 패드와, 커팅라인 외부에 배치되되 상기 신호패드와 전기적으로 연결되어 기판의 검사에 사용되는 검사배선부를 포함하는 표시패널로서, 상기 신호패드와 검사배선부 사이에 배치되되 상기 신호패드와 검사배선부와 동일한 재료로 형성되는 연결배선부와, 상기 신호패드와 연결배선부 및 상기 검사배선부와 연결배선부 중 하나 이상을 전기적으로 연결하되, 상기 신호패드 및 검사배선부와 상이한 재료 및 레이어로 형성되는 점핑배선을 포함하는 표시패널을 제공한다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 액정표시장치 또는 유기발광표시장치 등의 표시패널의 기판 검사(어레이 테스트) 과정에서 발생하는 정전기에 의한 표시패널 손상을 방지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 기판 검사과정에서 발생한 정전기가 유입될 때 점핑배선 연결부에서 정전기 터짐이 발생하도록 유도함으로써, 검사과정에서 발생한 정전기가 내부로 유입되어 패널 내부를 손상하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래의 표시장치용 어레이 기판 또는 표시패널의 평면을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2 내지 도 4는 본 발명의 제1실시예의 구성을 도시하는 것으로서, 도 2는 제1실시예에 의한 어레이 기판에서 검사배선부 부근의 평면도, 도 3은 단면도 및 도 4는 제조흐름을 도시한다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 제2실시예의 구성을 도시하는 것으로서, 도 5는 제2실시예에 의한 어레이 기판에서 검사배선부 부근의 평면도, 도 6은 단면도 및 도 7은 제조흐름을 도시한다.
도 8은 제1 및 제2실시예의 변형예를 도시한다.
이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.
또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
본 발명은 표시패널의 어레이 테스트와 같은 검사 과정에서 발생된 정전기가 검사배선, 연결배선 및 신호 패드를 타고 패널 내부로 유입되어 패널 내부의 소자 등을 파괴하는 문제점을 해결하기 위하여, 검사배선부분과 신호 패드 사이에 그와 상이한 재료의 정전기 방지용 점핑배선을 형성함으로써, 정전기 유입시 점핑배선에서 이종 재료로 인한 정전기 터짐을 유발함으로써 상기의 문제점을 해결하는 것을 기술적 사상으로 한다.
이를 위하여, 아래에서는 본 발명의 2가지 실시예를 예로서 설명하지만, 그러한 실시예에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 제1실시예에서는 게이트 패드부 또는 데이터 패드부와 같은 신호패드와 검사배선부 사이에 배치되어 상기 신호패드와 검사배선부를 전기적으로 연결하되, 신호패드 및 검사배선부와 상이한 재료 및 레이어로 형성되는 점핑배선을 포함하여 구성될 수 있다.
또한 본 발명의 제2실시예에서는 신호 패드부와 검사배선부 사이에 추가적인 연결배선이 존재하고, 신호패드부와 연결배선부 사이 및/또는 검사배선부와 연결배선부 사이에 상이한 재료 및 레이어로 형성되는 점핑배선을 포함하여 구성될 수 있다.
이하 명세서에서 “신호패드부”는 비표시영역에 배치되는 게이트 패드, 데이터 패드뿐 아니라, 그와 전기적으로 연결되어 표시패널의 게이트 라인 및/또는 데이터 라인에 게이트 신호와 데이터 신호를 인가하기 위하여 사용되는 모든 종류의 금속 패턴을 의미한다.
또한, “검사배선부”는 표시패널의 커팅 라인 외부에 배치되어 다수의 신호패드들을 한꺼번에 전기적으로 연결하는 금속패턴으로서, 표시패널의 제조 이후 각종 검사를 위하여 검사 신호를 패널 내부로 인가하기 위하여 사용되는 모든 종류의 배선을 포함하며, 테스트 라인, 쇼팅바(Shorting-Bar) 등 다른 용어로 표현될 수 있다.
아래에서는 이러한 양 실시예의 세부 구성에 대하여 도면을 참고로 더 상세하게 설명한다.
도 2 내지 도 4는 본 발명의 제1실시예의 구성을 도시하는 것으로서, 도 2는 제1실시예에 의한 어레이 기판에서 검사배선부 부근의 평면도, 도 3은 단면도 및 도 4는 제조흐름을 도시한다.
본 발명의 제1실시예에 의하면, 도 2에 도시된 바와 같이, 게이트 라인과 데이터 라인의 교차영역에 정의되는 다수의 화소를 포함하는 표시영역과, 비표시 영역에 배치되어 상기 게이트 라인 또는 데이터 라인에 게이트 신호 또는 데이터 신호를 인가하기 위한 신호 패드(210)와, 커팅라인(170) 외부에 배치되되 신호패드와 전기적으로 연결되어 기판의 검사에 사용되는 검사배선부(220, 220’)를 포함하는 표시패널에서, 신호패드(210)와 검사배선부(220, 220’) 사이에 배치되어 신호패드와 검사배선부를 전기적으로 연결하되, 신호패드 및 검사배선부와 상이한 재료 및 레이어로 형성되는 정전기 방지용 점핑배선(230)을 포함한다.
도 2에서와 같이 검사배선부는 패널 길이 또는 폭방향으로 길게 연장되는 본 배선으로서의 검사배선(220)과, 각 신호패드에 연결되기 위하여 본 배선으로부터 돌출 연장되는 검사패드(220’)를 포함하는 것으로 설명될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니지만, 아래에서는 편의상 검사배선부가 검사배선(220) 및 검사패드(220’)를 포함하는 것으로 설명한다.
즉, 도 2와 같은 본 발명의 제1실시예에서는, 검사배선부(220. 220’)와 신호패드(210)가 각각 동일한 레이어와 재료로 구성되며, 컨택홀(240)을 통해 노출되는 검사패드(220’)와 신호패드(210)를 전기적으로 연결하는 점핑배선(230)은 검사배선부 및 신호패드와 상이한 재료 및 레이어로 형성될 수 있다.
특히, 신호패드 및 검사배선부가 게이트 신호패드 및 게이트 라인 검사를 위한 경우, 신호패드(210) 및 검사배선부(220, 220’)는 게이트 금속층으로 형성되며, 점핑배선(230)은 그와 상이한 화소전극과 동일한 재료인 투명전극 재료로 구성될 수 있다.
또한, 신호패드 및 검사배선부가 데이터 신호패드 및 데이터 라인 검사를 위한 경우, 신호패드(210) 및 검사배선부(220, 220’)는 소스/드레인 금속층으로 형성되며, 점핑배선(230)은 그와 상이한 화소전극과 동일한 재료인 투명전극 재료로 구성될 수 있다.
이하에서 다시 설명하겠지만, 본 실시예에서 신호패드 및 검사배선부의 재료일 수 있는 게이트 금속층 또는 소스/드레인 금속층은 저저항 특성을 가지는 금속재료로서 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리합금, 몰리브덴(Mo) 및 몰리브덴 합금(MoTi) 중 하나 또는 둘 이상의 물질일 수 있다.
또한, 본 실시예에서 점핑배선의 재료일 수 있는 화소전극은 투명 전극일 수 있으며, 일함수 값이 비교적 큰 투명 도전성 물질, 예를 들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)과 같은 금속 산화물, ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합으로 이루어질 수 있다.
한편, 도 2 및 도 3에서와 같이, 신호패드(210)와 검사패드(220’)는 게이트 금속패턴으로 형성되어 있고, 그 상부에 순차적으로 형성되는 게이트 절연층(314) 및 보호층(패시베이션층; 322)을 관통하여 신호패드(210)와 검사패드(220’)의 일부를 노출시키는 컨택홀(240)이 형성되고, 그러한 컨택홀을 통해서 화소전극 재료로 이루어진 점핑배선(230)이 신호패드(210)와 검사패드(220’)를 전기적으로 연결할 수 있다.
한편, 상기 점핑배선(230)의 길이는 500마이크론 이상일 수 있다.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 의한 검사배선부 부근(도 2의 I-I’단면)의 단면도로서, 이해를 돕기 위하여 우측에는 박막 트랜지스터의 단면이 함께 도시된다.
도 3의 좌측 I-I’단면 부분과 같이, 본 발명의 제1실시예에 의한 표시패널 또는 어레이 기판은 박막 트랜지스터의 게이트 전극(312)과 동일한 재료 및 공정으로 형성되는 검사배선부(220, 220’) 및 신호패드(210)와, 그 상부에 순차적으로 도포된 게이트 절연층(314) 및 보호층(322) 일부를 관통하여 검사패드(220’) 및 신호패드(210)의 각 단부를 노출하도록 형성되는 컨택홀(Contact Hole; 240)을 포함하며, 박막 트랜지스터 영역의 화소전극(326)과 동일한 재료 및 공정으로 형성되되 상기 컨택홀(240)을 통해 검사패드(220’) 및 신호패드(210)을 전기적으로 연결하는 점핑배선(230)을 포함한다.
이러한 본 발명의 제1실시예에 의하면, 어레이 테스트 등과 같은 패널 검사과정에서 정전기가 발생하는 경우 검사배선부(220, 220’)를 통해서 정전기 전하가 대전되다가 이종 물질로 구성된 점핑배선(230)부에 도달하면 전기 전도도 차이로 인하여 전하 이동이 방해되며, 이러한 이종 재료에 의한 전하 이동도 차이로 인하여 두 재료 연결부분이 파괴되어 전기적으로 단락되는 현상이 발생되고, 따라서 정전기가 검사배선부를 통해 패널 내부로 유입되는 것이 방지될 수 있는 것이다.
도 3의 우측에 도시된 박막 트랜지스터 영역의 각 레이어는 본 발명에 의한 신호배선의 형성 과정 이나 재료 등에 대한 이해를 위하여 도시한 것이다.
박막 트랜지스터의 각 레이어의 구성(재료, 공정 등)에 대해서는 도 4의 제조방법 흐름과 관련하여 더 상세하게 설명한다.
도 4는 본 발명의 제1실시예에 의한 정전기 방지 구조를 가지는 표시패널 어레이 기판의 제조방법 흐름도이다.
우선, 투명한 절연기판(310) 예를 들어 유리 또는 플라스틱으로 이루어진 기판 상에 저저항 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리합금, 몰리브덴(Mo) 및 몰리브덴 합금(MoTi) 중 하나 또는 둘 이상의 물질로 구성되는 게이트 금속재료를 기판 전면에 증착하여 제 1 금속층을 형성하고, 제 1 금속층을 포토레지스트의 도포, 포토 마스크를 이용한 노광, 노광된 포토레지스트의 현상, 제 1 금속층의 일부 식각 및 포토레지스트의 스트립(strip) 등의 일련의 단위 공정을 포함하는 마스크 공정 또는 포토리소그래피 공정을 진행하여 패터닝함으로써 단일층 또는 다중층 구조를 가지며 패널의 길이방향(데이터 라인과 평행한 방항)으로 연장되는 검사배선(220) 및 검사패드(220’)와 게이트 패드인 신호패드(210)를 형성한다.
물론, 이 과정에서 동시에 각 화소영역으로 연결되는 게이트 라인(미도시)과, 구동 TFT 또는 화소 TFT의 게이트 전극(312)이 함께 형성된다(이상 도 3의 (a)).
다음으로, 필요한 영역에 투과영역을 갖는 마스크를 위치시킨 후, 제 1 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx) 중 어느 하나를 증착함으로써 무기절연물질로 이루어진 게이트 절연층(314)을 형성한다.
물론, 게이트 절연층(314)은 도 3에서는 단일층으로 도시하였으나, 각각 다른 재료로 이루어진 2 이상의 복수층 구조를 가질 수도 있을 것이다.
다음으로, 게이트 절연층(314) 상부로 산화물 반도체 물질로서 징크 옥사이드(ZnO) 계열의 산화물 예를들면 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), ZTO(Zinc Tin Oxide), ZIO(Zinc Indium Oxide) 중 어느 하나를 증착하거나 또는 도포하여 산화물 반도체 물질층을 형성하고, 상기 산화물 반도체 물질층(미도시)을 마스크 공정을 진행하여 패터닝함으로써 상기 각 TFT의 게이트 전극(512) 상부에 아일랜드 형태의 활성층 또는 반도체층(316)을 형성한다.
반도체층(316)은 폴리실리콘으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않고 산화물반도체 또는 순수 및 불순물 비정질 실리콘 중 하나로 구성될 수 있다.
반도체층(316)은 폴리실리콘의 경우, 예를 들어 기판(310) 상에 비정질 실리콘층을 형성한 후, 비정질 실리콘층을 결정화하여 다결정 또는 단결정 실리콘층을 형성하고, 패터닝하여 형성될 수 있다. 비정질 실리콘은 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition) 또는 물리 기상 증착법(Physical Vapor Deposition)을 이용하여 형성될 수 있다. 또한 비정질 실리콘을 형성할 때 또는 형성한 후에 탈수소처리하여 수소의 농도를 낮추는 공정을 진행할 수 있다. 또한 비정질 실리콘층을 결정화하는 방법은 RTA(Rapid Thermal Annealing) 공정, SPC법(Solid Phase Crystallization), MIC법(Metal Induced Crystallization), MILC법(Metal Induced Lateral Crystallization), SGS법(Super Grain Silicon), ELA법(Excimer Laser Crystallization) 또는 SLS법(Sequential Lateral Solidification) 중 어느 하나 이상을 이용할 수 있다.
이후, 반도체층(316) 상부에는 콘택저항을 줄이기 위하여 오믹접촉층(318)을 형성하고, 그 상부에 소스/드레인 전극(320)을 형성한다. 더 구체적으로 설명하면, 반도체층(316) 및/또는 오믹접촉층(318)이 형성된 이후, 구리(Cu), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴 합금(Mo alloy)등의 재료로 이루어지는 소스/드레인 금속층을 기판 전면에 증착하여 제 2 금속층을 형성하고, 제 2 금속층을 마스크 공정 또는 포토리소그래피 공정을 진행하여 패터닝함으로써 소스/드레인 전극(320)을 형성한다.
이 과정에서 동시에 각 화소영역으로 연결되는 데이터 라인(미도시) 이 함께 형성될 수 있다.
물론, 상기 오믹컨택층(318) 대신 또는 그에 추가하여 무기절연 재료로 이루어지는 아일랜드 형태의 에치스토퍼(Etch Stopper)를 형성하고, 그 상부에 소스/드레인 금속층을 패터닝함으로써 반도체층의 양 끝단 상부 표면과 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성할 수도 있을 것이다.
또한, 상기 소스/드레인 패터닝시 일부 영역에서 반투과 특성을 가지는 하프톤 마스크(Half-Tone Mask) 공정을 이용하여 단일 마스크로서 3가지 두께는 가지는 포토레지스터 막을 형성함으로써, 2개 레이어 패터닝을 1개 마스크 공정으로 수행할 수도 있을 것이다.
다음으로, 소스/드레인 금속패턴 형성 이후에, 그 상부에 보호층(322) 또는 패시베이션 층을 형성한다(도 4의 (b)).
다음으로, 화소전극 연결을 위하여 박막 트랜지스터 영역의 드레인 전극의 일부를 노출하도록 게이트 보호층(322)을 관통하는 컨택홀(324)를 형성하는데, 이 과정에서 마스크 공정 또는 포토리소그래피 공정을 진행하여 패터닝함으로써 검사배선부 영역에 있는 게이트 절연층(314) 및 보호층(322)의 일부 영역이 식각되어 검사패드(220’)와 신호패드(210)의 단부 일부를 노출하는 컨택홀(240)을 형성한다(이상 도 4의 (c)).
화소전극을 형성하는 과정에서, 컨택홀(240)을 통해 검사패드(220’)와 신호패드(210)을 점핑 연결하는 점핑배선(230)이 형성되며, 이러한 점핑배선(230)은 화소전극과 동일한 재료로 형성될 수 있다(도 4의 (d)). 즉, 점핑배선(230)은 일함수 값이 비교적 큰 투명 도전성 물질, 예를 들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)과 같은 금속 산화물, ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합 등으로 이루어질 수 있으나 그에 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 발명의 실시예들은 도 2 내지 4에 도시된 박막 트랜지스터 구조에 한정되는 것은 아니며, 검사배선부와 신호패드가 그와 상이한 재료 및 레이어의 점핑배선에 의하여 전기적으로 연결되는 구성을 포함하는 한, 기타 다른 여하한 박막 트랜지스터 구조나 다른 형태의 표시패널에도 적용될 수 있을 것이다.
즉, OLED 표시장치의 경우에는 신호패드(210), 검사배선부(220, 220’)는 게이트 금속재료(레이어) 또는 소스/드레인 금속재료(레이어)로 형성될 수 있으며, 점핑배선(230)은 유기 발광층 양단에 배치되는 제1전극(애노드 또는 캐소드) 또는 제2전극(캐소드 또는 애노드)과 동일한 재료 및 레이어로 형성될 수 있다. 더 구체적으로는, 점핑배선(230)은 OLED 기판의 구동 트랜지스터(DTr)가 n 또는 p타입인 지에 따라 투명 도전성 물질, 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어는 제1전극 또는 제2전극과 동일한 재료 및 레이어로 형성될 수 있다.
또한, 도 2 내지 4에서는 검사배선부(220. 220’) 및 신호패드(210)가 모두 게이트 금속층으로 형성된 경우를 도시하였으나, 데이터 신호패드 및 데이터 검사배선인 경우에는 도 2 내지 4의 소스/드레인 금속층과 동일 재료 및 공정으로 형성될 수 있다.
본 발명의 제1실시예는, 비록 도시되지는 않았지만, 신호배선부(220, 220’) 및 신호패드(210)가 소스/드레인 금속층과 동시에 형성되고, 컨택홀(240)이 소스/드레인 금속층 상부의 보호층(322)을 관통하여 형성되며, 점핑배선(230)은 화소전극과 동일한 재료 및 공정으로 형성되는 경우까지 포함하는 것이다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 제2실시예의 구성을 도시하는 것으로서, 도 5는 제2실시예에 의한 어레이 기판에서 검사배선부 부근의 평면도, 도 6은 단면도 및 도 7은 제조흐름을 도시한다.
도 5 내지 도 7의 제2실시예에 의하면, 게이트 라인과 데이터 라인의 교차영역에 정의되는 다수의 화소를 포함하는 표시영역과, 비표시 영역에 배치되어 상기 게이트 라인 또는 데이터 라인에 게이트 신호 또는 데이터 신호를 인가하기 위한 신호 패드(510)와, 커팅라인(170) 외부에 배치되되 신호패드와 전기적으로 연결되어 기판의 검사에 사용되는 검사배선부(520, 520’)를 포함하는 표시패널에서, 상기 신호패드(510)와 검사배선부(520, 520’) 사이에 배치되되 상기 신호패드와 검사배선부와 동일한 재료로 형성되는 연결배선(550)과, 상기 신호패드와 연결배선 및 상기 검사배선부와 연결배선 중 하나 이상을 전기적으로 연결하되, 상기 신호패드 및 검사배선부와 상이한 재료 및 레이어로 형성되는 점핑배선(530, 530’)을 포함할 수 있다.
한편, 도 5 내지 7에서의 실시예에서, 신호패드(510) 및 검사배선부(520, 520’)은 게이트 금속층으로 형성되고, 연결배선(550)은 소스/드레인 금속으로 형성되고, 점핑배선(530, 530’)은 화소전극 재료로 형성되며, 점핑배선(530, 530’)은 게이트 절연층(614) 및 보호층(622)을 관통하여 상기 연결배선(550)의 일부를 노출하도록 형성된 제1컨택홀(570, 590)과 상기 보호층(622)을 관통하여 형성되어 상기 신호패드(510) 또는 검사배선부(520,520’)의 일부를 노출하도록 형성된 제2컨택홀(560, 580)을 통해 신호패드(510) 및 검사배선부(520, 520’)를 각각 점핑배선(530, 530’)에 전기적으로 연결할 수 있다.
즉, 본 발명의 제2실시예에서는 신호패드(510) 및 검사배선부(520, 520’)를 게이트 금속층으로 형성하고, 신호패드(510) 및 검사배선부(520, 520’) 사이의 연결배선인 소스/드레인 금속층의 연결배선(550))을 다른 층에 형성하되, 그 둘을 별도의 화소전극 재료인 점핑배선(530, 530’)으로 연결하는 것이다.
도 6은 본 발명의 제2실시예에 의한 검사배선 인접 부위의 단면도로서, 우측에는 박막 트랜지스터의 단면이 함께 도시된다.
도 6의 좌측에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2실시예에 의하면, 박막 트랜지스터의 게이트 전극(612)과 동일한 재료 및 공정으로 형성되는 검사배선부(520, 520’) 및 신호패드(510)와, 게이트 절연층(614)을 사이에 두고 소스/드레인 전극(620)과 동일 레이어 및 재료로 형성되는 연결배선(550)과, 검사배선부(520, 520’) 및 연결배선(550)과 상이한 레이어 및 재료로 화소전극층에 형성되어 검사배선부(520, 520’)와 연결배선(550) 및 신호패드(510)를 전기적으로 연결하는 점핑배선(530)을 포함한다.
이러한 본 발명의 제2실시예에 의하면, 어레이 테스트 등과 같은 패널 검사과정에서 정전기가 발생하는 경우 검사배선부(520, 520’)를 통해서 정전기 전하가 대전되다가 이종 물질로 구성된 점핑배선(530)부에 도달하면 전기 전도도 차이로 인하여 전하 이동이 방해되며, 이러한 이종 재료에 의한 전하 이동도 차이로 인하여 두 재료 연결부분이 파괴되어 전기적으로 단락되는 현상이 발생되고, 따라서 정전기가 검사배선부를 통해 패널 내부로 유입되는 것이 방지될 수 있는 것이다
도 7은 본 발명의 제2실시예에 의한 정전기 방지구조의 어레이 기판 제조방법 흐름도이다.
우선, 투명한 절연기판(610) 예를 들어 유리 또는 플라스틱으로 이루어진 기판 상에 저저항 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리합금, 몰리브덴(Mo) 및 몰리브덴 합금(MoTi) 중 하나 또는 둘 이상의 물질로 구성되는 게이트 금속재료를 기판 전면에 증착하고 패터닝함으로써 검사신호부(520, 520’) 및 신호패드(510)를 형성한다.
물론, 이 과정에서 동시에 각 화소영역으로 연결되는 게이트 라인(미도시)과, 구동 TFT 또는 화소 TFT의 게이트 전극(612)이 함께 형성된다.
상기 게이트 전극(512) 및 검사신호부(520, 520’) 및 신호패드(510)가 형성된 기판 상부에, 절연물질로 이루어진 게이트 절연층(614)을 형성한다(도 7의 (a)).
다음으로, 박막 트랜지스터 영역에서는 게이트 절연층(614) 상에 아일랜드 타입으로 반도체층(616), 오믹접촉층(618)을 형성하고 그 상부에 소스/드레인 전극(620)을 형성하는 과정에서 검사패드(530’)와 신호패드(510) 사이에 소스/드레인 금속재료의 연결배선(550)이 형성된다(도 7의 (b)).
이 때, 연결배선(550)은 양 단부가 각각 검사패드(520’) 및 신호패드(510)의 단부와 일부 중첩되도록 형성될 수 있다.
반도체층(616), 오믹접촉층(618) 등의 형성과정과, 대신하여 에치스토퍼가 사용될 수 있는 점 등은 제1실시예에서 설명한 바와 대응되므로 중복을 피하기 위하여 상세한 설명은 생략한다.
다음으로, 박막 트랜지스터 영역의 소스/드레인 전극(620)과 검사배선부 영역의 연결배선(550)이 형성된 기판 상부 전면에 보호층(622)을 도포하고, 화소전극 연결을 위하여 박막 트랜지스터 영역의 드레인 전극의 일부를 노출하도록 게이트 보호층(622)을 관통하는 컨택홀(624)를 형성하는데, 이 과정에서 검사패드(520’) 및 신호패드(510)의 단부 상부에 있는 게이트 절연층(614) 및 보호층(622)을 일부 식각하여 검사패드(520’) 및 신호패드(510) 일부를 노출하는 제1컨택홀(570, 590)을 형성하고, 연결배선(550)의 양단 상부에 있는 보호층(522)을 일부 식각하여 연결배선(550)의 양단 일부를 노출하는 제2컨택홀(560, 580)을 형성한다(이상 도 7의 (c)).
그런 다음, 박막 트랜지스터 영역에서 드레인 전극과 연결되는 화소전극(626)을 형성하는 과정에서, 검사배선부 영역에서는 제1컨택홀(570, 590) 및 제2컨택홀(560, 580)을 통하여 검사패드(520’) 및 신호패드(510)의 단부 를 각각 연결배선(550)의 양단부와 전기적으로 연결하는 점핑배선(530)이 형성되며, 이러한 점핑배선(530)은 화소전극과 동일한 재료, 즉, 일함수 값이 비교적 큰 투명 도전성 물질, 예를 들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)과 같은 금속 산화물, ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합 등으로 형성될 수 있다(도 7의 (d)).
또한, 도 5 내지 7에 의한 제2실시예에서는 검사배선부(520, 520’)와 신호패드(510)가 게이트 금속층으로 형성되고 연결배선(550)이 소스/드레인 금속층으로 형성되는 예를 도시하였으나 그에 한정되는 것은 아니며, 그와 반대로 검사배선부와 신호패드가 소스/드레인 금속층으로, 연결배선이 게이트 금속층으로 형성될 수도 있을 것이다.
도 8은 본 발명의 제1 및 제2실시예의 변형예를 도시한다.
도 8의 (a)는 제1실시예의 변형예로서, 도 2 내지 4의 제1실시예에서는 검사배선부(220, 220’) 및 신호패드(210)가 동일한 레이어(게이트층 또는 소스/드레인층)로 형성되는 것으로 설명하였으나, 도 8의 (a)와 같이 검사배선부(220, 220’) 및 신호패드(210)가 각각 다른 레이어로 형성될 수 있다.
즉, 도 8의 (a)와 같이 검사배선부(220, 220’)는 게이트 금속층과 동일 레이어 및 재료로 형성되고, 신호패드(210)는 소스/드레인 금속층과 동일 레이어 및 재료로 형성되며, 그 사이의 점핑배선(230)은 여전히 화소전극과 동일한 레이어 및 재료로 형성될 수 있다. 물론, 반대로 검사배선부(220, 220’)가 소스/드레인 금속층, 신호패드(210)가 게이트 금속층으로 형성되는 것도 가능할 것이다.
도 8의 (b)는 제2실시예의 변형예로서, 도 5 내지 7의 제1실시예에서는 연결배선(550)의 양측에 점핑배선(530, 530)이 형성된 것으로 도시하였으나 이에 한정되지 않고, 도 8의 (b)와 같이 연결배선(550)의 일측에만 점핑배선을 형성할 수도 있다.
즉 도 8의 (b)와 같이, 검사배선부(520, 520’) 및 신호패드(510)는 모두 게이트 금속층으로 형성되고, 그 사이에는 소스/드레인 금속층으로 연결배선(550)이 형성되되 연결배선(550)의 일측은 게이트 절연막(914)을 관통하는 컨택홀을 통하여 신호패드(510)와 바로 연결되며, 연결배선의 타측 부분에서는 검사패드(520’)의 상부에 있는 게이트 절연막(914) 및 보호층(922)을 관통하여 형성되는 제1컨택홀과 연결배선(55)의 타측 상부에 있는 게이트 절연막(914)을 관통하여 형성되는 제2택홀을 통해서 화소전극 재료의 점핑배선(530)이 형성될 수 있다. 물론, 도8의 (b)와는 반대로 검사패드(520’)가 연결배선(550)의 일측과 바로 연결되고 신호패드(510)와 연결배선(550)의 타측이 점핑배선(530)으로 연결될 수도 있을 것이다.
이상과 같은, 본 발명의 실시예 들에 의하면, 액정표시장치 또는 유기발광표시장치 등의 표시패널의 기판 검사(어레이 테스트) 과정에서 발생한 정전기가 패널 내부로 유입되는 과정에서 검사배선 또는 신호패드와 상이한 재료인 점핑배선 연결부에서 정전기 터짐이 발생하도록 유도함으로써, 검사과정에서 발생한 정전기가 내부로 유입되어 패널 내부를 손상하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
이상에서의 설명 및 첨부된 도면은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 나타낸 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 구성의 결합, 분리, 치환 및 변경 등의 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
220, 520 : 검사배선 220’, 520’ : 검사패드
220, 220’, 520, 520’ : 검사배선부
210, 510 : 신호패드 230, 530, 530’ : 점핑배선
550 : 연결배선
312, 612 : 게이트 전극 314, 614 : 게이트 절연막
320, 620 : 소스/드레인 전극 322, 622 : 보호층
326, 626 : 화소전극

Claims (10)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 게이트 라인과 데이터 라인의 교차영역에 정의되는 다수의 화소를 포함하는 표시영역과, 비표시 영역에 배치되어 상기 게이트 라인 또는 데이터 라인에 게이트 신호 또는 데이터 신호를 인가하기 위한 신호 패드와, 커팅라인 외부에 배치되되 상기 신호패드와 전기적으로 연결되어 기판의 검사에 사용되는 검사배선부를 포함하는 표시패널로서,
    상기 신호패드와 검사배선부 사이에 배치되되 상기 신호패드와 검사배선부와 동일한 재료로 형성되는 연결배선과,
    상기 신호패드와 상기 연결배선 및 상기 검사배선부와 상기 연결배선을 전기적으로 연결하되, 상기 신호패드 및 검사배선부와 상이한 재료 및 레이어로 형성되는 점핑배선을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시패널.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 신호패드, 검사배선부 및 연결배선은 게이트 금속재료(레이어) 또는 소스/드레인 금속재료(레이어)로 형성되며, 상기 점핑배선은 화소전극 재료(레이어)로 형성되는 것을 특징으로 하는 표시패널.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 신호패드, 검사배선부 및 연결배선은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리합금, 몰리브덴(Mo) 및 몰리브덴 합금(MoTi) 중 하나 또는 둘 이상의 물질로 형성되고, 상기 점핑배선은 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO) 중 하나인 금속 산화물, 또는 ZnO:Al 또는 SnO2:Sb의 금속과 산화물의 조합 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 표시패널.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 표시패널은 유기발광소자를 포함하는 OLED 표시패널이고, 상기 신호패드 및 검사배선부는 게이트 금속재료(레이어) 또는 소스/드레인 금속재료(레이어)로 형성되며, 상기 점핑배선은 유기 발광층 양단에 배치되는 제1전극(애노드 또는 캐소드) 또는 제2전극(캐소드 또는 애노드)과 동일한 재료 및 레이어로 형성되는 것을 특징으로 하는 표시패널.
KR1020130145880A 2013-11-28 2013-11-28 표시장치용 표시패널 KR102098220B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130145880A KR102098220B1 (ko) 2013-11-28 2013-11-28 표시장치용 표시패널
EP14183136.2A EP2878990B1 (en) 2013-11-28 2014-09-02 Display panel for display device
CN201410588909.3A CN104681581B (zh) 2013-11-28 2014-10-28 显示装置的显示面板
US14/548,504 US9379031B2 (en) 2013-11-28 2014-11-20 Display panel for display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130145880A KR102098220B1 (ko) 2013-11-28 2013-11-28 표시장치용 표시패널

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150061772A KR20150061772A (ko) 2015-06-05
KR102098220B1 true KR102098220B1 (ko) 2020-04-07

Family

ID=51485483

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130145880A KR102098220B1 (ko) 2013-11-28 2013-11-28 표시장치용 표시패널

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9379031B2 (ko)
EP (1) EP2878990B1 (ko)
KR (1) KR102098220B1 (ko)
CN (1) CN104681581B (ko)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104465510A (zh) * 2014-12-11 2015-03-25 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法和显示面板
TWI566228B (zh) * 2015-01-23 2017-01-11 友達光電股份有限公司 主動元件陣列基板及其檢測方法
KR102540372B1 (ko) * 2015-05-28 2023-06-05 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN104900272A (zh) * 2015-06-02 2015-09-09 格科微电子（上海）有限公司 动态随机存取存储器的测试方法、测试焊盘的设计方法、存储器晶圆
KR102374537B1 (ko) * 2015-08-21 2022-03-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102400302B1 (ko) * 2015-09-08 2022-05-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 점등 검사선 형성 방법
CN105785677B (zh) * 2016-05-11 2019-06-07 深圳市华星光电技术有限公司 显示装置及其显示面板、显示面板的制造方法
KR20180010370A (ko) * 2016-07-20 2018-01-31 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN107221535B (zh) 2017-05-26 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置
CN107123384B (zh) * 2017-06-01 2020-09-04 深圳市华星光电技术有限公司 一种显示基板的测试方法及应用于显示设备的基板
KR102497283B1 (ko) * 2017-08-17 2023-02-08 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102328314B1 (ko) * 2017-09-15 2021-11-17 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치 및 전계 발광 표시 장치용 드라이버 ic 필름부
KR102409648B1 (ko) * 2017-12-14 2022-06-16 엘지디스플레이 주식회사 터치표시장치 및 표시패널
KR102607389B1 (ko) * 2018-03-12 2023-11-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 신호 라인 검사 방법
CN109801909A (zh) 2018-06-12 2019-05-24 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板母板及其制造方法、阵列基板、显示装置
KR102569929B1 (ko) * 2018-07-02 2023-08-24 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102600184B1 (ko) * 2018-10-05 2023-11-08 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
CN109449168B (zh) * 2018-11-14 2021-05-18 合肥京东方光电科技有限公司 导线结构及其制造方法、阵列基板和显示装置
KR20200143565A (ko) * 2019-06-13 2020-12-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN112888997A (zh) * 2019-09-29 2021-06-01 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、母板以及显示装置
US11428729B2 (en) * 2020-01-22 2022-08-30 Teradyne, Inc. Device for testing a printed circuit board
KR20210130286A (ko) * 2020-04-21 2021-11-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 표시 장치
KR20210135385A (ko) * 2020-05-04 2021-11-15 삼성디스플레이 주식회사 게이트 검사부 및 이를 포함하는 표시 장치
CN111863913B (zh) * 2020-07-28 2023-02-07 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN111883569B (zh) * 2020-08-04 2023-05-26 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置
CN111933669A (zh) * 2020-08-14 2020-11-13 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板和显示装置
CN112230483B (zh) * 2020-09-23 2021-10-01 惠科股份有限公司 阵列基板、显示面板和大玻璃面板
CN112987351B (zh) * 2021-02-10 2022-08-05 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 短路棒、显示面板以及显示装置
CN112927639B (zh) * 2021-03-31 2024-03-08 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6734925B1 (en) * 1998-12-07 2004-05-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Multiple testing bars for testing liquid crystal display and method thereof
KR100503128B1 (ko) * 2000-09-04 2005-07-25 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
KR100831280B1 (ko) * 2001-12-26 2008-05-22 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
TWI275867B (en) * 2006-01-27 2007-03-11 Au Optronics Corp Display panel
KR20070112644A (ko) * 2006-05-22 2007-11-27 삼성전자주식회사 어레이 기판, 이를 갖는 액정표시장치, 및 이의 검사 방법
JP4285551B2 (ja) * 2007-02-19 2009-06-24 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
KR101448005B1 (ko) * 2007-05-17 2014-10-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
JP2009020199A (ja) * 2007-07-10 2009-01-29 Mitsubishi Electric Corp 表示パネル及びその製造方法
CN101252136A (zh) * 2008-03-31 2008-08-27 昆山龙腾光电有限公司 薄膜晶体管基板及具有该薄膜晶体管基板的液晶显示装置
KR20090126052A (ko) * 2008-06-03 2009-12-08 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이를 표함하는 표시 장치
KR101490485B1 (ko) * 2008-10-30 2015-02-05 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101064403B1 (ko) * 2009-10-07 2011-09-14 삼성모바일디스플레이주식회사 원장검사가 가능한 유기전계발광 표시장치의 모기판 및 그의 원장검사방법
KR101701229B1 (ko) * 2010-04-19 2017-02-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이의 제조 방법
KR20120065521A (ko) * 2010-12-13 2012-06-21 삼성전자주식회사 표시 기판 및 이의 제조 방법
KR101493556B1 (ko) * 2011-10-27 2015-02-16 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서 내장형 유기발광 다이오드 표시장치
KR102043180B1 (ko) * 2013-04-25 2019-11-12 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102013319B1 (ko) * 2013-05-30 2019-11-05 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102058516B1 (ko) * 2013-07-05 2020-02-10 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치용 모기판
KR20150066365A (ko) * 2013-12-06 2015-06-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2015169760A (ja) * 2014-03-06 2015-09-28 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法、表示装置および表示装置形成基板

Also Published As

Publication number Publication date
EP2878990B1 (en) 2019-02-27
KR20150061772A (ko) 2015-06-05
EP2878990A2 (en) 2015-06-03
US20150144915A1 (en) 2015-05-28
EP2878990A3 (en) 2015-08-26
CN104681581A (zh) 2015-06-03
US9379031B2 (en) 2016-06-28
CN104681581B (zh) 2018-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102098220B1 (ko) 표시장치용 표시패널
KR102089074B1 (ko) 표시패널용 어레이 기판 및 그 제조방법
US10083881B2 (en) Array substrate for display device and manufacturing method thereof
US9613990B2 (en) Semiconductor device and method for manufacturing same
US9299763B2 (en) Thin film transistor array substrate and method of manufacturing the same
JP5940163B2 (ja) 半導体装置及び表示装置
KR102374749B1 (ko) 저 저항 배선 구조를 갖는 초고밀도 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
US9159867B2 (en) Array substrate, manufacturing method thereof, and display device
KR101969568B1 (ko) 산화물 반도체를 포함하는 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR102410616B1 (ko) 박막트랜지스터, 이의 제조 방법, 및 박막트랜지스터를 포함하는 표시장치
US10503035B2 (en) Display device
US11721704B2 (en) Active matrix substrate
US9869917B2 (en) Active matrix substrate and method for manufacturing the same
US11695020B2 (en) Active matrix substrate and method for manufacturing same
KR102102903B1 (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이의 제조 방법
JP2019078862A (ja) アクティブマトリクス基板およびその製造方法
KR20160020664A (ko) 표시장치와 그 제조 방법
KR20150086969A (ko) 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102506159B1 (ko) 표시 장치
JP5560227B2 (ja) 液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置
JP6795657B2 (ja) 薄膜トランジスタ基板及び薄膜トランジスタ基板の製造方法
US20230178561A1 (en) Active matrix substrate and method for manufacturing same
JP2022135619A (ja) アクティブマトリクス基板およびその製造方法
KR20150051531A (ko) 액정표시장치의 제조방법
JP2022167632A (ja) アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法、およびアクティブマトリクス基板を用いたタッチセンサ付き液晶表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant