KR102400302B1 - 표시 패널 및 이의 점등 검사선 형성 방법 - Google Patents

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Abstract

표시 패널은 데이터선 및 상기 데이터선에 전기적으로 연결되는 화소들을 구비하는 표시부, 상기 표시부에 이웃하고, 제1 계층 및 상기 제1 계층의 상부에 형성되는 제2 계층에 교번하여 배열되는 점등 검사선을 구비하는 비표시부, 및 상기 점등 검사선을 통해 상기 표시부에 점등 검사 전압을 제공하는 점등 검사부를 포함할 수 있다.

Description

표시 패널 및 이의 점등 검사선 형성 방법{DISPLAY PANEL AND METHOD OF FORMING A LIGHTING TEST LINE OF THE SAME}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 내부 손상이 검출될 수 있는 표시 패널 및 이의 점등 검사선 형성 방법에 관한 것이다.
점등 검사(Lighting Test)는 표시 패널에 검사 전압을 인가하고, 검사 전압에 따라 표시 패널에 포함된 화소의 발광 상태(예를 들어, 색상, 휘도 등)에 기초하여 표시 패널 내부의 손상(crack)을 검출할 수 있다. 그러나, 점등 검사는 화소 및 화소와 전기적으로 연결되는 배선 상에 존재하는 손상만을 검출할 수 있고, 기판의 손상을 검출할 수 없다.
최근, 표시 패널의 테두리 영역(즉, 화소가 배치되지 않는 기판)에 배열된 검사선을 포함하는 표시 패널과, 검사선의 저항 변화에 기초하여 표시 패널 내 기판의 손상을 검출할 수 있는 점등 검사가 제시되었으나, 검사선의 큰 안테나 비율(Antenna ratio)에 의해 표시 패널에 손상이 발생하는 문제점이 있다. 여기서, 안테나 비율은 검사선과 연결된 검사 트랜지스터의 게이트 옥사이드(Gate Oxide) 전체 면적 대비 게이트 옥사이드와 연결된(즉, 안테나 역할을 하는) 검사선 면적의 비율로 정의되고, 표시 패널의 플라즈마 식각 공정 시 일정 조건 하에서 검사선 사이에 저장된 전하의 순간적인 방전(즉, 안테나 효과)에 의해 발생하는 피해를 예측하는 지표로 이용된다.
본 발명의 일 목적은 점등 검사선의 안테나 효과를 저감시킬 수 있는 표시 패널을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 표시 패널의 점등 검사선을 형성하는 표시 패널의 점등 검사선 형성 방법을 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적은 상기 목적으로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 패널은 데이터선 및 상기 데이터선에 전기적으로 연결되는 화소들을 구비하는 표시부, 상기 표시부에 이웃하고, 제1 계층 및 상기 제1 계층의 상부에 형성되는 제2 계층에 교번하여 배열되는 점등 검사선을 구비하는 비표시부, 및 상기 점등 검사선을 통해 상기 표시부에 점등 검사 전압을 제공하는 점등 검사부를 포함 할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 점등 검사선은, 상기 제1 계층에 형성되는 n개의 검사선들(단, n은 2 이상의 정수), 및 상기 제2 계층에 형성되는 n-1개의 브릿지들을 포함하고, 상기 n-1개의 브릿지들 중 제i 브릿지(단, i는 n보다 작은 양의 정수)는 상기 n개의 검사선들 중 제i 검사선 및 제i+1 검사선을 전기적으로 연결 할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 비표시부는, 상기 제1 계층과 상기 제2 계층 사이에 형성되는 층간 절연막을 포함 할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제i 브릿지는 층간 절연막 상에 형성되는 콘택홀을 통해 상기 제i 검사선 및 상기 제i+1 검사선과 연결 될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 점등 검사부는, 상기 점등 검사 전압을 수신하는 제1 전극, 상기 점등 검사선에 전기적으로 연결되는 제2 전극, 및 점등 검사 제어 신호를 수신하는 게이트 전극을 구비하는 검사 트랜지스터를 포함하고, 상기 제1 계층은 상기 게이트 전극이 배치되는 계층과 동일하고, 상기 제2 계층은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극이 배치되는 계층과 동일 할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 n개의 검사선들 각각은 상기 게이트 전극의 물질과 동일한 물질을 포함 할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 n-1개의 브릿지들 각각은 상기 제1 전극의 물질과 동일한 물질을 포함 할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제i 브릿지는, 상기 제2 전극과 인접하여 배치 될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제i 브릿지는, 상기 데이터선과 인접하여 배치 될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 점등 검사선은, 상기 제1 계층에 형성되는 제1 검사선, 상기 제2 계층에 형성되는 제1 연결선, 및 상기 제1 검사선과 상기 제1 연결선을 전기적으로 직렬 연결하는 제1 접점을 포함 할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 점등 검사부는, 상기 점등 검사 전압을 수신하는 제1 전극, 상기 점등 검사선에 전기적으로 연결되는 제2 전극, 및 점등 검사 제어 신호를 수신하는 게이트 전극을 구비하는 검사 트랜지스터를 포함하고, 상기 제1 계층은 상기 게이트 전극이 배치되는 계층과 동일하고, 상기 제2 계층은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극이 배치되는 계층과 동일 할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 연결선은 상기 제1 전극의 물질과 동일한 물질을 포함 할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 접접은 상기 제1 전극의 물질과 다른 물질을 포함 할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 비표시부는, 상기 제1 계층과 상기 제2 계층 사이에 형성되는 층간 절연막을 포함 할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 접점은 상기 층간 절연막 상에 형성되는 콘택홀을 통해 상기 제1 검사선과 상기 제1 연결선을 연결 할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 화소들 각각은 상기 점등 검사 전압에 응답하여 녹색으로 발광 할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 데이터선은 제1 방향으로 연장되고, 제2 방향의 상기 표시부의 테두리에 배열되며, 상기 제2 방향은 상기 표시 패널의 상부면에 평행하고, 상기 제1 방향에 수직 할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 표시 패널은, 구동 집적회로와 연결되는 패드부, 상기 패드부와 상기 데이터선 사이에 연결되고, 상기 구동 집적회로로부터 기준 전압을 수신하고, 상기 기준 전압을 상기 데이터선에 전송하는 스위칭부를 더 포함 할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 구동 집적회로는, 상기 점등 검사 전압 및 상기 기준 전압이 상기 데이터선에 교대로 인가되도록 상기 점등 검사부 및 상기 스위칭부를 제어 할 수 있다.
본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 점등 검사선 형성 방법은, 기판을 포함하는 표시 패널에서, 상기 기판 상에 검사선을 패터닝 하는 단계, 상기 기판 및 상기 검사선을 덮는 층간 절연막을 형성하는 단계, 상기 층간 절연막 상에 콘택홀을 형성하는 단계, 및 상기 콘택홀을 통해 상기 검사선과 연결되는 브릿지를 상기 층간 절연막 상에 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 패널은 제1 계층과 제2 계층을 경유하는 점등 검사선을 포함하고, 표시 패널의 특정 제조 공정에서 점등 검사선의 구조에 따라 점등 검사선의 일부만이 형성될 수 있으므로, 표시 패널은 특정 제조 공정에서 점등 검사선의 안테나 효과를 감소시킬 수 있다. 따라서, 점등 검사선의 안테나 효과에 의한 표시 패널의 손상은 저감될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 점등 검사선 형성 방법은 상기 표시 패널의 점등 검사선을 효율적으로 형성할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상기 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 패널을 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 표시 패널의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 3은 도 2의 표시 패널에 포함된 점등 검사선의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 4는 도 3의 점등 검사선을 나타내는 단면도이다.
도 5 내지 도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 패널의 점등 검사선 형성 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면상의 동일한 구성 요소에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호를 사용한다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 패널을 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 표시 패널(100)은 표시부(110), 비표시부(120), 점등 검사부(130), 스위칭부(140) 및 패드부(150)를 포함할 수 있다. 표시부(110), 비표시부(120), 점등 검사부(130), 스위칭부(140) 및 패드부(150)는 하나의 기판 상에 배치될 수 있다.
표시부(110)는 데이터선들(D1 내지 D3m) 및 화소들(111)을 포함할 수 있다(단, m은 2 이상의 양의 정수). 데이터선들(D1 내지 D3m) 각각은 제1 방향으로 연장되고, 제2 방향을 따라 이격되어 배치될 수 있다. 여기서, 제2 방향은 표시 패널(100)(또는, 기판)의 상부면에 평행하고, 제1 방향에 수직할 수 있다. 화소들(111)은 데이터선들(D1 내지 D3m)과 전기적으로 연결될 수 있다. 화소들(111)은 데이터선(D1 내지 D3m)을 통해 공급되는 점등 검사 신호에 응답하여 발광할 수 있다.
또한, 표시부(110)는 주사선들(S1 내지 Sn)을 포함할 수 있다. 주사선들(S1 내지 Sn) 각각은 제2 방향으로 연장되고, 제1 방향을 따라 이격되어 배치될 수 있다. 이 경우, 화소들(111)은 데이터선들(D1 내지 D3m)과 주사선들(S1 내지 Sn)의 교차 영역에 배치될 수 있다. 또한, 화소들(111)은 주사신호에 응답하여 점등 검사 신호를 저장하고, 점등 검사 신호에 대응하는 휘도로 발광할 수 있다. 여기서, 주사신호는 주사선들(S1 내지 Sn)을 통해 외부(예를 들어, 구동 집적회로)로부터 공급될 수 있다.
비표시부(120)는 표시부(110)에 이웃하고, 표시부(110)의 외곽을 따라 배열되는 점등 검사선(121)을 포함할 수 있다. 비표시부(120)는 표시 패널(100)에서 표시부(110)가 배치되는 영역을 제외한 나머지 영역을 포함할 수 있다.
점등 검사선(121)은 데이터선들(D1 내지 D3m) 중 하나와 점등 검사부(130)를 연결할 수 있다. 점등 검사선(121)은 점등 검사부(130)로부터 데이터선들(D1 내지 D3m) 중 하나에 점등 검사 전압을 전송할 수 있다. 한편, 점등 검사선(121)은 저항 성분을 포함하고, 저항 성분은 비표시부(120)에 발생한 손상(또는, 크랙)에 따라 변할 수 있다. 따라서, 표시 패널(100)의 점등 검사 방법은 점등 검사선(121)의 저항 변화에 기초하여 비표시부(120)에 발생한 손상을 검출할 수 있다.
실시예들에서, 점등 검사선(121)은 제1 계층 및 제2 계층에 교번하여 배열될 수 있다. 여기서, 제1 계층은 기판 상에 형성되고, 제2 계층은 제1 계층의 상부에 형성될 수 있다. 즉, 점등 검사선(121)은 2개의 계층들을 경유하여 배열될 수 있다.
점등 검사선(121)은 복수의 공정을 통해 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 계층에 형성되는 제1 점등 검사선(즉, 점등 검사선(121)의 일부분)은 제1 공정을 통해 형성되고, 제2 계층에 형성되는 제2 점등 검사선(즉, 점등 검사선(121)의 나머지 부분)은 제2 공정을 통해 형성되고, 제1 점등 검사선과 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 점등 검사선은 표시 패널(100)에 포함된 트랜지스터의 게이트 전극이 형성되는 시점에 형성되고, 제2 점등 검사선은 트랜지스터의 소스 전극(또는, 게이트 전극)이 형성되는 시점에 형성될 수 있다.
점등 검사선(121)은 부분적으로 형성되므로, 특정 시점(예를 들어, 플라즈마 식각 공정)에서, 점등 검사선(121)의 안테나 효과가 감소될 수 있다. 점등 검사선(121)이 부분적으로 형성됨에 따라 특정 트랜지스터에 연결되는 점등 검사선(121)의 길이는 짧아지므로, 점등 검사선(121)의 안테나 효과도 작아질 수 있다.
점등 검사선(121)의 구조에 대해서는 도 3 및 도 4를 참조하여 상세히 설명하고, 점등 검사선(121)의 형성 방법에 대해서는 도 5 내지 도 8을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
점등 검사부(130)는 표시부(110)(즉, 데이터선들(D1 내지 D3m) 또는 화소들(111))에 점등 검사 전압을 전송할 수 있다. 여기서, 점등 검사 전압은 점등 검사를 위해 패드부(150)를 통해(또는, 외부로부터) 제공될 수 있다. 또한, 점등 검사부(130)는 점등 검사선(121)을 통해 데이터선들(D1 내지 D3m) 중 하나에 점등 검사 전압을 전송할 수 있다.
스위칭부(140)는 표시부(110)(또는, 데이터선들(D1 내지 D3m))과 패드부(150) 사이에 연결될 수 있다. 스위칭부(140)는 패드부(150)를 통해(또는, 구동 집적회로로부터) 표시부(110)에 기준 전압을 전송할 수 있다. 여기서, 기준 전압은 0V일 수 있다.
패드부(150)는 패드들을 포함할 수 있다. 도 1에 도시되지 않았으나, 제1 패드들은 점등 검사부(130)와 전기적으로 연결되고, 외부(예를 들어, 구동 집적회로)로부터 제공되는 점등 검사 전압 및 점등 검사 제어 신호를 점등 검사부(130)에 전송할 수 있다. 제2 패드들은 스위칭부(140)와 전기적으로 연결되고, 외부(예를 들어, 구동 집적회로)로부터 제공되는 기준 전압과 스위칭 제어 신호를 스위칭부(140)에 전송할 수 있다. 여기서, 구동 집적회로는 점등 검사 제어 신호 및 스위칭 제어 신호를 생성하고, 점등 검사 제어 신호 및 스위칭 제어 신호를 이용하여 점등 검사 전압 및 기준 전압이 표시부(110)(또는, 데이터선들(D1 내지 D3m))에 교대로 인가되도록 점등 검사부(130) 및 스위칭부(140)를 제어할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 패널(100)은 제1 계층 및 제2 계층에 교대로 배열되는 점등 검사선(121)을 포함하고, 표시 패널의 특정 제조 공정에서 점등 검사선의 구조에 따라 점등 검사선의 일부만이 형성될 수 있으므로, 점등 검사선(121)의 안테나 효과를 감소시킬 수 있다. 따라서, 점등 검사선(121)의 안테나 효과에 의한 표시 패널(100)의 손상은 저감될 수 있다.
도 2는 도 1의 표시 패널의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 표시 패널(100)은 제1 점등 검사선(221) 및 제2 점등 검사선(222)를 포함할 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 점등 검사선(221) 및 제2 점등 검사선(222)은 표시 패널의 외곽을 따라 배열될 수 있다. 도 2에서, 표시 패널(100)은 제1 및 제2 점등검사선들(221, 222)를 포함하는 것으로 도시되어 있으나, 표시 패널(100)은 이에 국한되는 것은 아니다. 예를 들어, 표시 패널(100)은 비표시부(130)를 일주하는 하나의 점등 검사선을 포함할 수 있다. 예를 들어, 표시 패널(130)은 비표시부(120)를 3개 이상의 영역으로 구분하고, 영역들 각각에 각각 배열되는 3개 이상의 점등 검사선들을 포함할 수 있다.
표시부(110)는 데이터선들(D1 내재 D3m)에 각각 연결되는 화소열들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 화소열들 각각은 적색 화소(R 화소), 녹색 화소(G 화소) 및 청색 화소(B 화소)를 포함할 수 있다. 여기서, 적색 화소(R 화소)는 적색으로 발광하고, 녹색 화소(G 화소)는 녹색으로 발광하며, 청색 화소(B 화소)는 청색으로 발광할 수 있다. 이 경우, 제1 점등 검사선(221) 및 제2 점등 검사선(222)은 녹색 화소열(즉, 녹색 화소(G 화소)를 포함하는 화소열)에 연결될 수 있다. 녹색의 시인성이 다른 색(즉, 적색 또는 청색)에 비해 높으므로, 제1 검사 신호선(221)의 저항 변화(또는, 저항 성분의 변화)가 보다 용이하게 검출될 수 있다. 또한, 상기 녹색 화소열(또는, 녹색 화소열에 연결되는 데이터선)은 표시부(110)의 테두리(또는, 표시부(110)의 테두리와 인접하여) 배열될 수 있다.
점등 검사부(130)는 전원선들 및 전원선들과 화소열들 사이에 연결되는 검사 트랜지스터들(TR1, TR2)을 포함할 수 있다. 전원선들은 화소들(적색 화소(R 화소), 녹색 화소(G 화소) 및 청색 화소(B 화소))에 대응하는 점등 검사 전압들(DC_R, DC_G, DC_B)을 전송할 수 있다. 검사 트랜지스터들(TR1, TR2)은 점등 검사 제어 신호(DC_GATE)에 응답하여 턴온되고, 점등 검사 전압들(DC_R, DC_G, DC_B)을 화소열들에 전송할 수 있다.
제1 검사 트랜지스터(TR1)는 제1 점등 검사선(221)을 통해 화소열과 연결되고, 제2 검사 트랜지스터(TR2)는 제2 점등 검사선(222)을 통해 화소열과 연결될 수 있다. 또한, 제1 검사 트랜지스터(TR1) 및 제2 검사 트랜지스터(TR2)를 제외한 나머지 검사 트랜지스터들은 저항을 통해 화소열과 연결될 수 있다. 여기서, 저항은 제1 점등 검사선(221)의 저항값(또는, 제2 점등 검사선(222)의 저항값)과 동일한 크기의 저항값을 가질 수 있다.
일 실시예에서, 제1 검사 트랜지스터(TR1)는 점등 검사 전압(예를 들어, DC_G)을 수신하는 제1 전극, 제1 점등 검사선(121)에 연결되는 제2 전극 및 점등 검사 제어 신호(DC_GATE)를 수신하는 게이트 전극을 포함할 수 있다. 즉, 제1 검사 트랜지스터(TR1)는 점등 검사 제어 신호(DC_GATE)에 응답하여 점등 검사 전압(예를 들어, DC_G)를 제1 점등 검사선(121)에 전송할 수 있다.
스위칭부(140)는 기준 전압선 및 스위칭 트랜지스터들을 포함할 수 있다. 기준 전압선은 기준 전압을 전송할 수 있다. 기준 전압은 외부(예를 들어, 구동 집적회로)로부터 공급될 수 있다. 도 2에서, 스위칭부(140)는 기준 전압선은 데이터선들(D1 내지 D3m)과 별도로 구비되는 것으로 도시되어 있으나, 스위칭부(140)는 이에 국한되는 것은 아니다. 예를 들어, 스위칭부(140)는 데이터선들(D1 내지 D3m)을 기준 전압선으로 이용할 수 있다.
일 실시예에서, 스위칭 트랜지스터들 각각은 화소열(또는, 데이터선)에 연결되는 제1 전극, 기준 전압을 수신하는 제2 전극 및 스위칭 제어 신호(TEST_GATE)를 수신하는 게이트 전극을 포함할 수 있다. 즉, 스위칭 트랜지스터들 각각은 스위칭 제어 신호(TEST_GATE)에 응답하여 기준 전압을 화소열(또는, 데이터선)에 전송할 수 있다.
한편, 표시 패널(110)의 점등 검사 방법은 점등 검사 전압(예를 들어, DC_G) 및 기준 전압을 교대로 화소열에 공급할 수 있다. 즉, 표시 패널(110)의 점등 검사 방법은 점등 검사 전압과 기준 전압을 이용하여 구형파(예를 들어, 교류) 형태의 점등 검사 신호를 생성하고, 점등 검사 신호를 화소열에 공급할 수 있다. 표시 패널(100)의 손상에 의해 점등 검사선의 저항값이 커지는 경우, 상기 점등 검사선을 통해 전송되는 점등 검사 신호에 지연이 발생할 수 있다. 이 경우, 지연된 점등 검사 신호에 응답하여 화소들(즉, 점등 검사선에 연결되는 화소열에 포함된 화소들)은 다른 화소들과 다른 색으로 발광할 수 있다. 따라서, 표시 패널(100)의 손상이 검출될 수 있다.
도 3은 도 2의 표시 패널에 포함된 점등 검사선의 일 예를 나타내는 도면이고, 도 4는 도 3의 점등 검사선을 나타내는 단면도이다.
도 2, 도 3 및 도 4를 참조하면, 점등 검사선(221)은, 제1 계층에 형성되는 n개의 검사선들(단, n은 2 이상의 정수), 및 제2 계층에 형성되는 n-1개의 브릿지들을 포함할 수 있다. n-1개의 브릿지들 중 제i 브릿지(단, i는 n보다 작은 양의 정수)는 n개의 검사선들 중 제i 검사선 및 제i+1 검사선을 전기적으로 연결할 수 있다. 여기서, 제i+1 검사선은 제I 검사선에 이웃하여 배치될 수 있다.
도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 점등 검사선(121)은 제1 계층에 형성되는 검사선들(370) 및 제2 계층에 형성되는 브릿지들(380, 390)을 포함할 수 있다. 브릿지들(380)은 특정 검사선(370)과 특정 검사선(370)에 이웃하여 배치되는 다른 검사선을 전기적으로 연결할 수 있다.
검사선들(370)은 특정 방향(예를 들어, II-II' 축 방향)으로 특정 길이를 가지고, 특정 방향을 따라 특정 간격을 가지고 반복적으로 배열될 수 있다. 브릿지(380)는 특정 방향을 따라 배열되고, 검사선들(370)을 직렬 연결할 수 있다.
일 실시예에서, 제1 계층은 트랜지스터의 게이트 전극이 배치되는 계층과 동일할 수 있다. 여기서, 트랜지스터는 표시 패널(100)에 포함되는 임의의 트랜지스터일 수 있다. 따라서, 검사선들(370)은 트랜지스터의 게이트 전극이 형성되는 시점에 형성될 수 있다. 예를 들어, 도 2에 도시된 제1 검사 트랜지스터(TR1)의 게이트 전극이 형성되는 시점에, 검사선들(370)은 형성될 수 있다.
또한, 검사선들(370)은 게이트 전극의 물질과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 검사선들(370)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 검사선들(370)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 텅스텐(W), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브데늄(Mo), 티타늄(Ti), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc), 이들의 합금 또는 도전성 질화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 검사선(370)은 스트론튬 루테늄 산화물(SrRuxOy), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 주석 산화물(ITO), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
일 실시예에서, 제2 계층은 트랜지스터의 제1 전극 및 제2 전극이 배치되는 계층과 동일할 수 있다. 따라서, 브릿지들(380, 390)은 트랜지스터의 제1 전극 및 제2 전극(또는, 소스 전극 및 드레인 전극)이 형성되는 시점에 형성될 수 있다. 예를 들어, 도 2에 도시된 제1 검사 트랜지스터(TR1)의 제1 전극 및 제2 전극이 형성되는 시점에, 브릿지들(380, 390)은 형성될 수 있다. 또한,
또한, 브릿지들(380, 390)는 제1 전극의 물질 및 제2 전극의 물질과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 브릿지들(380, 390)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 브릿지들(380, 390)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 텅스텐(W), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브데늄(Mo), 티타늄(Ti), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc), 이들의 합금 또는 도전성 질화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 브릿지들(380, 390)은 스트론튬 루테늄 산화물(SrRuxOy), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 주석 산화물(ITO), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
일 실시예에서, 제1 계층 및 제2 계층 사이에 층간 절연막(375)이 형성될 수 있다. 즉, 비표시부(120)는 제1 계층 및 제2 계층 사이에 형성된 층간 절연막(375)을 포함할 수 있다. 층간 절연막(375)은 단층 구조로 형성될 수 있거나, 또는 다층 구조로 형성될 수도 있다. 층간 절연막(375)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 층간 절연막(375)은 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계(siloxane-based) 수지 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예를 들어, 층간 절연막(375)은 실리콘 화합물, 금속, 금속 산화물 등의 무기 물질을 사용하여 형성될 수도 있다. 예를 들어, 층간 절연막(375)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물, 알루미늄, 마그네슘, 아연, 하프늄, 지르코늄, 티타늄, 탄탈륨, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 마그네슘 산화물, 아연 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
일 실시예에서, 제i 브릿지는 제2 전극과 인접하여 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 브릿지(390)은 제1 검사 트랜지스터(TR1)의 제2 전극과 인접하여 배치될 수 있다. 이 경우, 제1 검사 트랜지스터(TR1)의 제2 전극과 연결되는 검사선(370)은 최소 길이를 가질 수 있다. 따라서, 제1 점등 검사선(221)의 안테나 비율(또는, 안테나 효과)는 최소화될 수 있다.
유사하게, 제i 브릿지는 데이터선과 인접하여 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 브릿지(380)은 데이터선(즉, 데이터선과 제2 점등검사선이 만나는 지점)에 인접하여 배치될 수 있다. 이 경우, 데이터선(또는, 데이터선에 연결되는 화소에 구비되는 트랜지스터)와 연결되는 검사선(370)은 최소 길이를 가질 수 있다. 따라서, 제1 점등 검사선(221)의 안테나 비율(또는, 안테나 효과)는 최소화될 수 있다.
실시예들에서, 점등 검사선(121)은 제1 계층에 형성되는 제1 검사선, 제2 계층에 형성되는 제1 연결선, 및 제1 검사선과 제1 연결선을 전기적으로 직렬 연결하는 제1 접점을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 검사선은 I영역(또는, I영역의 특정 지점)과 검사 트랜지스터 사이에 배열되고, 제2 검사선은 I영역(또는, I영역의 특정 지점)과 데이터선 사이에 배열되며, 제2 검사선은 제1 접점을 통해 제1 검사선과 연결될 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 제1 계층은 게이트 전극이 배치되는 계층과 동일하고, 제2 계층은 제1 전극 및 제2 전극(또는, 소스 전극 및 드레인 전극)이 배치되는 계층과 동일할 수 있다.
이 경우, 제1 검사선은 게이트 전극과 동일한 물질을 포함하고, 제1 연결선은 제1 전극의 물질과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제1 접점은 제1 전극의 물질과 다른 물질을 포함할 수 있다. 즉, 제1 접점은 제1 전극이 형성되는 시점과 다른 시점에 형성될 수 있다.
상술한 바와 같이, 제1 점등 검사선(221)은 다른 시점에 형성되는 검사선들(370) 및 브릿지들(380, 390)을 포함하고, 표시 패널(100)의 특정 제조 공정시(예를 들어, 식각 공정시) 트랜지스터(예를 들어, 검사 트랜지스터)에 연결되는 제1 점등 검사선(221)의 길이는 하나의 계층에만 배열되는 종래의 점등 검사선에 비해 짧아지므로, 제1 점등 검사선(211)의 안테나 비율(또는, 안테나 효과)는 감소될 수 있다.
도 5 내지 도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 점등 검사선 형성 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 5 내지 도 8을 참조하면, 점등 검사선 형성 방법은 기판(350) 상에 버퍼층(360), 액티브 패턴(355) 및 제1 절연층(365)(또는, 게이트 절역막)이 순차적으로 형성할 수 있다. 기판(100)은 폴리이미드 계열 수지와 같은 투명 고분자 수지를 사용하여 형성될 수 있다. 제1 절연층(280)은 화학 기상 증착 공정, 스핀 코팅 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 스퍼터링 공정, 진공 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정, 프린팅 공정 등을 이용하여 수득될 수 있다.
점등 검사선 형성 방법은 제1 절연층(365) 상에 검사선들(370)을 배치할 수 있다. 예를 들어, 제1 절연층(365) 상에 도전층을 형성하고, 도전층은 식각 공정을 통해 패터닝되어 검사선들(370)을 형성할 수 있다. 도전층은 금속, 금속 질화물 또는 합급을 사용하여 형성될 수 있다.
점등 검사선 형성 방법은 검사선들(370)을 덮는 제2 절연층(375)(또는, 층간 절연막)을 제1 절연층(365) 상에 형성할 수 있다. 제2 절연층(375)은 제1 절연층(365)과 마찬가지로 화학 기상 증착 공정, 스핀 코팅 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 스퍼터링 공정, 진공 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정, 프린팅 공정 등을 이용하여 수득될 수 있다.
점등 검사선 형성 방법은 제2 절연층(375) 상에 브릿지(390)를 형성하고 콘택홀(380)을 통해 검사선들(370)과 전기적으로 연결할 수 있다. 예를 들어, 제2 절연층(375) 상에 검사선들(370)과 접촉할 수 있는 콘택홀(380)이 형성된 후, 이를 충분히 채우는 브릿지(390)가 형성될 수 있다. 여기서, 콘택홀(380)은 단일 식각 마스크를 사용하는 포토 공정을 통해 형성될 수 있다.
이후, 점등 검사선 형성 방법은 제2 절연층(375) 및 브릿지(390)을 덮는 비아 절연층(395)을 형성할 수 있다. 비아 절연층(395)은 도 8에 도시된 것과 같이, 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 예를 들어, 비아 절연층(395)은 폴리이미드, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 폴리에스테르와 같은 유기 물질을 사용하여 스핀 코팅 공정 또는 슬릿 코팅 공정을 통해 형성될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 점등 검사선의 형성 방법은 기판(350) 상에 검사선(370)을 패터닝하고, 기판(350) 및 검사선(370)을 덮는 제2 절연층(375)(또는, 층간 절연막)을 형성하며, 제2 절연층(375) 상에 콘택홀(380)을 형성하고, 콘택홀(380)을 통해 검사선들(370)을 연결하는 브릿지(390)를 제2 절연층(375) 상에 형성할 수 있다. 따라서, 점등 검사선의 형성 방법은 효율적으로 점등 검사선을 형성할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 패널 및 이의 점등 검사선 형성 방법에 대하여 도면을 참조하여 설명하였지만, 상기 설명은 예시적인 것으로서 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 수정 및 변경될 수 있을 것이다. 예를 들어 점등 검사선의 경로 및 개수는 비표시부의 형상을 고려하여 다양하게 변형될 수 있을 것이다.
본 발명은 표시 패널을 구비한 전자 기기에 다양하게 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 컴퓨터, 노트북, 휴대폰, 스마트폰, 스마트패드, 피엠피(PMP), 피디에이(PDA), MP3 플레이어, 디지털 카메라, 비디오 캠코더 등에 적용될 수 있다.
상기에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
100: 표시 패널 110: 표시부
111: 화소 120: 비표시부
121: 점등 검사선 130: 점등 검사부
140: 스위칭부 150: 패드부
121: 제1 점등 검사선 122: 제2 점등 검사선
350: 기판 355: 버퍼층
360: 액티브 패턴 365: 제1 절연층
370: 검사선들 375: 제2 절연층
380, 390: 브릿지 395: 비아 절연막

Claims (20)

  1. 데이터선 및 상기 데이터선에 전기적으로 연결되는 화소들을 구비하는 표시부;
    상기 표시부에 이웃하고, 제1 계층에 형성되는 검사선들 및 상기 제1 계층의 상부의 제2 계층에 형성되며 상기 검사선들과 교번하여 배열되는 적어도 하나의 브릿지를 포함하는 점등 검사선을 구비하는 비표시부; 및
    상기 점등 검사선을 통해 상기 표시부에 점등 검사 전압을 제공하는 점등 검사부를 포함하는 표시 패널.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 점등 검사선은,
    상기 제1 계층에 형성되는 n개의 검사선들(단, n은 2 이상의 정수); 및
    상기 제2 계층에 형성되는 n-1개의 브릿지들을 포함하고,
    상기 n-1개의 브릿지들 중 제i 브릿지(단, i는 n보다 작은 양의 정수)는 상기 n개의 검사선들 중 제i 검사선 및 제i+1 검사선을 전기적으로 연결하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 비표시부는,
    상기 제1 계층과 상기 제2 계층 사이에 형성되는 층간 절연막을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 제i 브릿지는 층간 절연막 상에 형성되는 콘택홀을 통해 상기 제i 검사선 및 상기 제i+1 검사선과 연결되는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  5. 제 2 항에 있어서, 상기 점등 검사부는,
    상기 점등 검사 전압을 수신하는 제1 전극, 상기 점등 검사선에 전기적으로 연결되는 제2 전극, 및 점등 검사 제어 신호를 수신하는 게이트 전극을 구비하는 검사 트랜지스터를 포함하고,
    상기 제1 계층은 상기 게이트 전극이 배치되는 계층과 동일하고,
    상기 제2 계층은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극이 배치되는 계층과 동일한 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 n개의 검사선들 각각은 상기 게이트 전극의 물질과 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 n-1개의 브릿지들 각각은 상기 제1 전극의 물질과 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  8. 제 5 항에 있어서, 상기 제i 브릿지는,
    상기 제2 전극과 인접하여 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  9. 제 5 항에 있어서, 상기 제i 브릿지는,
    상기 데이터선과 인접하여 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 점등 검사선은,
    상기 제1 계층에 형성되는 제1 검사선;
    상기 제2 계층에 형성되는 제1 연결선; 및
    상기 제1 검사선과 상기 제1 연결선을 전기적으로 직렬 연결하는 제1 접점을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 점등 검사부는,
    상기 점등 검사 전압을 수신하는 제1 전극, 상기 점등 검사선에 전기적으로 연결되는 제2 전극, 및 점등 검사 제어 신호를 수신하는 게이트 전극을 구비하는 검사 트랜지스터를 포함하고,
    상기 제1 계층은 상기 게이트 전극이 배치되는 계층과 동일하고,
    상기 제2 계층은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극이 배치되는 계층과 동일한 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 제1 연결선은 상기 제1 전극의 물질과 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  13. 제 11 항에 있어서, 상기 제1 접점은 상기 제1 전극의 물질과 다른 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  14. 제 11 항에 있어서, 상기 비표시부는,
    상기 제1 계층과 상기 제2 계층 사이에 형성되는 층간 절연막을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 제1 접점은 상기 층간 절연막 상에 형성되는 콘택홀을 통해 상기 제1 검사선과 상기 제1 연결선을 연결하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  16. 제 1 항에 있어서, 상기 화소들 각각은 상기 점등 검사 전압에 응답하여 녹색으로 발광하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 데이터선은 제1 방향으로 연장되고, 제2 방향의 상기 표시부의 테두리에 배열되며,
    상기 제2 방향은 상기 표시 패널의 상부면에 평행하고, 상기 제1 방향에 수직하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  18. 제 1 항에 있어서,
    구동 집적회로와 연결되는 패드부;
    상기 패드부와 상기 데이터선 사이에 연결되고, 상기 구동 집적회로로부터 기준 전압을 수신하고, 상기 기준 전압을 상기 데이터선에 전송하는 스위칭부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 구동 집적회로는,
    상기 점등 검사 전압 및 상기 기준 전압이 상기 데이터선에 교대로 인가되도록 상기 점등 검사부 및 상기 스위칭부를 제어하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  20. 기판을 포함하는 표시 패널에서,
    상기 기판 상에 검사선들을 패터닝 하는 단계;
    상기 기판 및 상기 검사선들을 덮는 층간 절연막을 형성하는 단계;
    상기 층간 절연막 상에 콘택홀을 형성하는 단계; 및
    상기 검사선들과 교번하여 배열되며, 상기 콘택홀을 통해 상기 검사선들과 연결되는 적어도 하나의 브릿지를 상기 층간 절연막 상에 형성하는 단계를 포함하는 점등 검사선의 형성 방법.
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