TWI566228B - 主動元件陣列基板及其檢測方法 - Google Patents

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Description

主動元件陣列基板及其檢測方法
本申請是有關於一種元件陣列基板及其檢測方法，且特別是有關於一種適用於顯示面板之主動元件陣列基板及其檢測方法。
液晶顯示面板主要是由主動元件陣列基板、彩色濾光陣列基板以及液晶層所構成，其中主動元件陣列基板包括多條訊號線以及多個陣列排列的畫素，畫素分別與對應之訊號線連接。一般來說，為了避免製造成本增加，業界趨向於在完成薄膜電晶體陣列後先檢測出共通線與訊號線發生短路的確切位置，再進行修補。另外，在面板設計時，直接將閘極驅動電路製作在主動元件陣列基板上，以代替外接之驅動晶片的技術，被稱為閘極驅動電路基板技術(Gate on Array,GOA)。然而，在檢測GOA形式的主動元件陣列基板的短路位置時，常常有檢出率不高且影像不明顯的問題。特別是，以紅外線加熱定位檢測方式為例，實務上常常發生影像不明顯甚至是無影像的問題。此外，由於測試訊號需流經 顯示區周圍的驅動電路才能進入顯示區內，若加大訊號強度，又可能使驅動電路承受過大的電壓或電流而損毀。
本申請提供一種不需使測試訊號流經驅動電路而可檢測出顯示區內的缺陷位置的主動元件陣列基板及其檢測方法，前述驅動電路例如可為閘極驅動電路或汲極驅動電路。
本申請提供一種檢測方法，適於偵測主動元件陣列基板上的缺陷，其中主動元件陣列基板包括多個畫素結構、驅動電路、多條訊號線以及控制線。所述多個畫素結構配置於顯示區內，驅動電路配置於顯示區之外。所述多條訊號線分別電性連接驅動電路與相應的畫素結構。控制線與訊號線相互交錯。此檢測方法先從所述多條訊號線中選定待測訊號線，再導通控制線與待測訊號線。接著，由控制線輸入測試訊號至待測訊號線，以判定缺陷的位置。最後，再絕緣控制線與待測訊號線。
在一實施例中，從所述多條訊號線中選定待測訊號線的方法為：藉由電壓映像測定法來判斷缺陷所對應的待測訊號線。
在一實施例中，輸入測試訊號至待測訊號線，以判定缺陷位置的方法為：對主動元件陣列基板進行紅外線熱影像檢測，以藉由獲得的紅外線熱影像資訊來判斷缺陷的位置。
在一實施例中，導通控制線與待測訊號線的方法為：藉由雷射來熔接控制線與待測訊號線的交錯處，以形成連接控制線 與待測訊號線的熔接點。在判定缺陷的位置之後，絕緣控制線與待測訊號線的方法為：移除連接於熔接點之相對兩側的待測訊號線的一部分，以形成第一訊號線段、第二訊號線段以及第三訊號線段，其中第一訊號線段電性連接驅動電路，第二訊號線段電性連接畫素結構，第三訊號線段具有熔接點，且與第一訊號線段與第二訊號線段相互絕緣。之後，再形成電性連接第一訊號線段與第二訊號線段的連接線，且連接線與第三訊號線段相互絕緣。
在一實施例中，訊號線的一側具有突出的第一延伸部， 控制線的一側具有突出的第二延伸部，且第一延伸部與第二延伸部相互交錯，以形成前述所提及的雷射熔接後的熔接點。在判定缺陷的位置之後，絕緣控制線與待測訊號線的方法為：移除連接於熔接點的部分第一延伸部，以絕緣熔接點與訊號線；移除連接於熔接點的部分第二延伸部，以絕緣熔接點與控制線。
本申請更提供一種主動元件陣列基板，包括多個畫素結 構、驅動電路、控制線以及多條訊號線。所述多個畫素結構配置於顯示區內。驅動電路配置於顯示區之外。控制線位於驅動電路與顯示區之間。所述多條訊號線電性連接驅動電路與相應的畫素結構，並分別與控制線相互交錯。所述多條訊號線包括目標訊號線，且目標訊號線包括第一訊號線段、第二訊號線段、第三訊號線段以及連接線。第一訊號線段電性連接驅動電路，第二訊號線段電性連接相應的畫素結構，第三訊號線段具有熔接點並連接控制線，且第三訊號線段分別與第一訊號線段以及第二訊號線段相 互絕緣。連接線電性連接第一訊號線段與第二訊號線段，且連接線與第三訊號線段相互絕緣。
在一實施例中，上述的連接線與控制線交錯，且連接線 的兩端分別連接第一訊號線段與第二訊號線段。
本申請更提供另一種主動元件陣列基板，包括多個畫素 結構、驅動電路、控制線以及多條訊號線。所述多個畫素結構配置於顯示區內。驅動電路配置於顯示區之外。控制線位於驅動電路與顯示區之間。所述多條訊號線電性連接驅動電路與相應的畫素結構，並分別與控制線相互交錯。各訊號線的一側具有至少一第一延伸部，控制線的一側具有至少一第二延伸部，且各第一延伸部中之至少一個係與相應的第二延伸部相互交錯。
在一實施例中，所述多條訊號線中之至少一條為目標訊號線，且目標訊號線的第一延伸部與相應的第二延伸部相互交錯並構成熔接點。熔接點係不與驅動電路電性連接。
在一實施例中，上述的目標訊號線更具有第一主體部以及第一斷開部，控制線更具有第二主體部以及第二斷開部。熔接點藉由第一斷開部以及第二斷開部而分別與第一主體部以及第二主體部電性絕緣。
基於上述，本申請藉由從控制線輸入測試訊號至待測訊號線，以達到不需使測試訊號流經驅動電路便可檢測出顯示區內的缺陷位置的目的，進而使檢測時可明顯製造出紅外線影像且不會損壞基板上的驅動電路。同時，有助於提高GOA形式的主動元 件陣列基板的缺陷位置檢出率。
為讓本申請的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
30‧‧‧電壓映像機台
31‧‧‧感光元件
32‧‧‧光源
33‧‧‧調變元件
34‧‧‧液晶結構
35‧‧‧反射元件
40‧‧‧影像處理器
50‧‧‧監控器
100‧‧‧主動元件陣列基板
110‧‧‧顯示區
120‧‧‧畫素結構
130‧‧‧驅動電路
140、140A‧‧‧訊號線
141A‧‧‧第一訊號線段
142A‧‧‧第二訊號線段
143A‧‧‧第三訊號線段
144‧‧‧第一延伸部
144a‧‧‧第一主體部
144b‧‧‧第一斷開部
150‧‧‧控制線
151‧‧‧第二延伸部
151a‧‧‧第二主體部
151b‧‧‧第二斷開部
160‧‧‧連接線
d‧‧‧間隙
S‧‧‧測試訊號
S10、S20、S30、S31、S32、S33a、S33b、S34a‧‧‧步驟
W‧‧‧熔接點
圖1是本申請的主動元件陣列基板的示意圖。
圖2是本申請的檢測方法流程圖。
圖3是本申請所應用的電壓映像檢測機台示意圖。
圖4是本申請一實施例的缺陷位置檢測方法流程圖。
圖5A至圖5C是進行本申請一實施例的一種主動元件陣列基板的檢測方法之相應結構的局部放大圖。
圖6是本申請另一實施例的缺陷位置檢測方法流程圖。
圖7A及圖7B是進行本申請另一實施例的一種主動元件陣列基板的檢測方法之相應結構的局部放大圖。
本申請藉由從控制線輸入測試訊號至待測訊號線，以達到不需使測試訊號流經驅動電路便可檢測出顯示區內的缺陷位置的目的，進而於檢測時可明顯製造出紅外線影像且不會損壞GOA形式的主動元件陣列基板上的驅動電路。事實上，本申請所採用的控制線例如是起始脈衝訊號線，起始脈衝訊號線原係用於提供 起始脈衝訊號Vst，閘極訊號係根據起始脈衝訊號Vst而產生。換言之，可以選擇利用基板上的既有線路來傳輸測試訊號，使得測試訊號不需經過GOA形式的主動元件陣列基板上的驅動電路，便能進入顯示面內的畫素結構，而不需額外形成其他的線路作為控制線。當然，在其他實施例中，還可以選擇類似的線路作為控制線，例如：提供負電壓Vss給所有移位寄存器電源端的負電壓線，或是提供時鐘訊號Vck給時鐘訊號端Ck的時鐘訊號線等。或者，在沒有適用的線路的情況下，也可以額外在GOA形式的主動元件陣列基板上的驅動電路與顯示區之間另外製作前述控制線。本申請並不以此為限。
圖1是本申請的主動元件陣列基板的示意圖。本申請所 提供的檢測方法可用以偵測主動元件陣列基板上的缺陷。參考圖1，主動元件陣列基板100包括顯示區110、多個畫素結構120、驅動電路130、多條訊號線140以及控制線150。畫素結構120例如排列成二維陣列，且配置於顯示區110內，並藉由訊號線140以控制。訊號線140電性連接到驅動電路130與相應的畫素結構120。訊號線140可為資料線或掃描線，在此以掃描線為例。驅動電路130可為閘極電路(Gate circuit)或源極電路(Source circuit)，且配置於顯示區110之外，在此以閘極電路為例。控制線150位於驅動電路130與顯示區110之間，並與訊號線140相互交錯且相互絕緣。
應理解的是，本申請僅以傳統的主動元件陣列基板為 例，而並不限定於此結構的主動元件陣列基板。此外，本申請僅繪示出一主動元件陣列基板100，然而，所屬領域的通常知識者應理解通常是對一較大的母板上的多個主動元件陣列進行檢測。待檢測完成後，才會在後續的製程中切割母板，以形成獨立的多個主動元件陣列基板。
圖2是本申請的檢測方法流程圖。圖3是本申請所應用 的電壓映像機台示意圖。請參考圖2，首先，本申請的檢測方法如步驟S10所示，須先對主動元件陣列基板100進行整體檢測，而進行整體檢測的方式可為光學式外觀檢查法或電壓映像(Voltage imaging)測定法。
光學式外觀檢查法為藉由將光投射在薄膜電晶體上，經 感測器檢測反射光後，再藉由影像處理技術而將鄰接的像素圖案加以比對，以檢查圖案是否相異，進而可得知缺陷所對應的待測訊號線140A(參考圖5A)。
電壓映像測定法是一種非接觸方式檢查技術。請參考圖 3，電壓映像機台30包括感光元件31、光源32、調變元件(modulator)33、液晶結構34以及反射元件35。電壓映像測定法的原理為利用感光元件31擷取反射元件35上的畫面以獲取不同畫素結構120的電場資料。更具體而言，感光元件31舉例為高解析度鏡頭，電壓映像機台30利用調變元件33控制其與主動元件陣列基板100之間的空氣間隙。具有缺陷的畫素結構120會產生與其他正常的畫素結構120不同的電場，在對應具缺陷的畫素結構的區域，影 響液晶結構34中的液晶有不同的轉向。接下來，在反射元件35反射光線後，感光元件31便接收到不同的亮度。最後，影像處理器40針對該些不同的亮度資訊進行處理而在監控器50上產生監控畫面。藉此便可發現點缺線、線缺線及不勻(mura)等缺陷所對應的畫素結構120，進而可得知缺陷所對應的待測訊號線140A(參考圖5A)。
經由前述光學式外觀檢查法或電壓映像測定法等方法對主動元件陣列基板進行整體檢測之後，即可得知缺陷所對應的待測訊號線140A(參考圖5A)。如步驟S20所示，選定前述具有缺陷的待測訊號線140(參考圖5A)後，再如步驟S30所示，將進行待測訊號線140A(參考圖5A)上的缺陷位置的檢測。缺陷位置的檢測方法將於下文中說明。
圖4是本申請一實施例的缺陷位置檢測方法流程圖。圖5A至圖5C是進行本申請一實施例的一種主動元件陣列基板的檢測方法之相應結構的局部放大圖。請同時參考圖4以及圖5A，判斷出缺陷所對應的待測訊號線140A之後，再進行待測訊號線140A上的缺陷位置的檢測。本申請於此為清楚表示而僅繪示出三個畫素結構120及三條訊號線140。如圖4的步驟S31以及圖5A所示，進行缺陷位置的偵測時，需先於控制線150與待測訊號線140A的交錯處導通控制線150與待測訊號線140A。導通控制線150與待測訊號線140A的方式可為氣焊、電阻焊、電弧焊、感應焊接或雷射焊接等方式。本實施例例如是藉由雷射來熔接控制線150與待 測訊號線140A的交錯處，以形成連接控制線150與待測訊號線140A的熔接點W，然而，本申請並不以此為限。
接著，如圖4的步驟S32所示，導通控制線150與待測 訊號線140A後，再由控制線150輸入測試訊號S至待測訊號線140A，以判定缺陷在圖面中行方向(column)畫素結構上的位置。 換言之，如圖5A所示，測試訊號S流經圖中最右側的訊號線140時，由於最右側的訊號線140與控制線150並沒有導通，因此，測試訊號S並不會流入最右側的訊號線140。此外，測試訊號S流至待測訊號線140A時，因為待測訊號線140A與控制線150已藉由形成熔接點W而導通，因此，測試訊號S會流入待測訊號線140A，進而可進入顯示區110內，以判定出缺陷在圖面中行方向(column)畫素結構上的位置。判定缺陷位置的方法為對主動元件陣列基板進行熱成像，利用具有缺陷的待測訊號線140A容易因短路或斷路等原因而發熱的特性，來偵測出待測訊號線140A中缺陷所在的位置。本實施例例如是進行紅外線熱影像檢測(Infrared Thermography Detection)，以藉由獲得的紅外線熱影像資訊來判斷缺陷的位置。
接著，如圖4的步驟S33a以及圖5B所示，在判定缺陷 的位置之後，再絕緣控制線150與待測訊號線140A。方法為移除連接於熔接點W之相對兩側的待測訊號線140A的一部分，以形成第一訊號線段141A、第二訊號線段142A以及第三訊號線段143A。第一訊號線段141A電性連接驅動電路130，第二訊號線段 142A電性連接畫素結構120，第一訊號線段141A和第二訊號線段142A均不具有熔接點W，第三訊號線段143A具有熔接點W，且分別與第一訊號線段141A以及第二訊號線段142A之間具有一間隙d以相互絕緣。藉由移除連接於熔接點W相對兩側的待測訊號線140A的一部分，可使控制線150與待測訊號線140A解除如圖4A所示的導通狀態。換言之，如前述所述移除待測訊號線140A的一部分後，當測試訊號S自控制線150流至待測訊號線140A後，測試訊號S將不會流入第一訊號線段141A或第二訊號線段142A。應注意的是，第三訊號線段143A與第一訊號線段141A以及第二訊號線段142A之間的兩間隙d可為相同值或不同值。
最後，如圖4的步驟S34a以及圖5C所示，再於主動元 件陣列基板上形成電性連接第一訊號線段141A與第二訊號線段142A的連接線160，且連接線160與第三訊號線段143A相互絕緣。形成連接線160的方式為利用雷射化學氣相沉積的方式以形成連接線160，並可將前述相互絕緣的第一訊號線段141A以及第二訊號線段142A的訊號補回。更具體而言，本申請可利用熱解雷射化學氣相沉積(Pyrolytic Laser Chemical Vapor Deposition)或光解雷射化學氣相沉積(Photolytic Laser Chemical Vapor Deposition)的方式，利用聚焦的雷射光束照射在指定表面上，再形成欲沉積物於前述指定表面，而達到連接第一訊號線段141A以及第二訊號線段142A的目的。簡言之，藉由連接線160而可將原先絕緣的第一訊號線段141A以及第二訊號線段142A恢復導通狀態，進而使 連接驅動電路130的第一訊號線段141A可再將訊號傳遞至連接畫素結構120的第二訊號線段142A。
圖6是本申請另一實施例的缺陷位置檢測方法流程圖。 圖7A及圖7B是進行本申請另一實施例的一種主動元件陣列基板的檢測方法之相應結構的局部放大圖。依據本實施例的主動元件陣列基板如圖7A所示，包括顯示區110、多個畫素結構120、驅動電路130、控制線150以及多條訊號線140。本實施例與前述實施例的主要差異在於，訊號線140的一側具有突出的至少一第一延伸部144，控制線150的一側具有突出的至少一第二延伸部151，其中各個第一延伸部144中之至少一個係與相應的第二延伸部151相互交錯，且交錯的位置可形成前述所提及的雷射熔接後的熔接點W。本申請圖式中的第一延伸部144皆自訊號線140的同一方向延伸(如圖7A中所示，第一延伸部144皆自訊號線140的左側延伸)，然而，本申請並不以此為限，第一延伸部144可自各個訊號線140的不同側延伸，且延伸方向可為橫向或斜向等。
此外，為釐清第一延伸部144以及第二延伸部151的設計是否會影響GOA形式的主動元件陣列基板，因此，進行了實驗如下：邊長約14μm的單條訊號線140的電容值約為630pF，假設第一延伸部144以及第二延伸部151所形成的焊接處的區域邊長為8μm，則產生的電容值約為0.01pF，相較於前述單條訊號線140的電容值，第一延伸部144以及第二延伸部151所增加的電容值的增幅比例約為0.001%，此增幅比例遠小於化學氣相沉積膜所帶 來的變異(約±15%)。因此，由以上實驗數據可得知第一延伸部144以及第二延伸部151的設計實質上並不會影響GOA形式的主動元件陣列基板。
以下將說明依據本實施例的主動元件陣列基板的檢測方 法。請同時參考圖2、圖6以及圖7A，如圖2的步驟S10所示，首先，對主動元件陣列基板100進行整體檢測。接著，如步驟S20所示，即可選定具有缺陷的待測訊號線140A，此部分相關之內容與前述的實施例相同，在此不再贅述。再來，進行步驟S30，檢測待測訊號線140A。在此實施例中，檢測待測訊號線140A的方法如圖6所示，參考步驟S31，首先，導通控制線150與待測訊號線140A。再如步驟S32所示，由控制線150輸入測試訊號S至待測訊號線140A，以利用前述所述如紅外線熱影像檢測等方式來判定出缺陷的位置。參考圖7A，與前述實施例不同之處在於，控制線150上的測試訊號S會流經第二延伸部151，再經過熔接點W，最後流入待測訊號線140A，進而可流入顯示區110內。
在判定缺陷的位置之後，如圖6的步驟S33b以及圖7B所示，絕緣控制線150與待測訊號線140A的方法為移除連接於熔接點W的部分第一延伸部144，以絕緣熔接點W與訊號線140A。最後，再移除連接於熔接點W的部分第二延伸部151，以絕緣熔接點W與控制線150。然而，本申請並不以此順序為限，亦可先移除第二延伸部151，再移除第一延伸部144。
換言之，依據此實施例的主動元件陣列基板經修補過後 的結構如圖7B所示，訊號線140包括目標訊號線140A，目標訊號線140A的第一延伸部144與相應的第二延伸部151相互交錯並構成熔接點W。熔接點W係不與驅動電路130以及該些畫素結構120電性連接，且熔接點W藉由兩斷開部而分別與目標訊號線140A以及控制線150絕緣。更具體而言，請參考圖7B，訊號線140可包括目標訊號線140A，目標訊號線140A具有第一主體部144a以及第一斷開部144b，控制線150更具有第二主體部151a以及第二斷開部151b。熔接點W藉由第一斷開部144b以及第二斷開部151b而分別與第一主體部144a以及第二主體部151a電性絕緣。基於上述，相較於移除部份待測訊號線140A後再以雷射化學氣相沉積的方式形成連接線160(參考圖5C)的修補方法，此實施例僅需藉由移除具有熔接點W的第一斷開部144b以及第二斷開部151b，即可解除待測訊號線140A以及控制線150的導通狀態。因此，可不需使用雷射化學氣相沉積機台以形成連接線160(參考圖5C)。
參考圖7B，在此實施例中的目標訊號線140A僅繪示出 單一第一延伸部144，且控制線150與目標訊號線140A也僅具有與其相對應的單一第二延伸部。然而，本發明並不以此為限。舉例而言，為因應不同的檢測或設計需求，在其他實施例中，每一條訊號線140可具有多個第一延伸部，而控制線150可具有對應於前述多個第一延伸部的多個第二延伸部。在實際操作上，當使用一組第一延伸部與相應的第二延伸部完成一次檢測之後，還可 以視需求使用其他的第一延伸部與相應的第二延伸部再次進行缺陷位置的檢測。
綜上所述，本申請藉由從控制線輸入測試訊號至待測訊 號線，以達到不需使測試訊號流經GOA形式的主動元件陣列基板，便可檢測出顯示區內的缺陷位置的目的，進而可避免GOA形式的主動元件陣列基板損壞，且亦可提高缺陷位置的檢出率。此外，更利用測試訊號流經具有缺陷的待測訊號線後，會使前述待測訊號線發熱的特性，而達到檢測時可明顯製造出紅外線影像的目的。
雖然本申請已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本申請，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本申請的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本申請的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
S31、S32、S33b‧‧‧步驟

Claims (13)

  1. 一種檢測方法，適於偵測一主動元件陣列基板上的缺陷，該主動元件陣列基板包括：多個畫素結構，配置於一顯示區內；一驅動電路，配置於該顯示區之外；多條訊號線，電性連接該驅動電路與相應的該些畫素結構；以及一控制線，與該些訊號線相互交錯；該檢測方法包括：從該些訊號線中選定一待測訊號線；導通該控制線與該待測訊號線；由該控制線輸入一測試訊號至該待測訊號線，以判定該缺陷的位置；以及絕緣該控制線與該待測訊號線。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之檢測方法，其中從該些訊號線中選定該待測訊號線的方法包括：藉由電壓映像測定法來判斷該缺陷所對應的該待測訊號線。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之檢測方法，其中輸入該測試訊號至該待測訊號線，以判定該缺陷位置的方法包括：對該主動元件陣列基板進行紅外線熱影像檢測，以藉由獲得的紅外線熱影像資訊來判斷該缺陷的位置。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之檢測方法，其中導通該控制 線與該待測訊號線的方法包括：藉由雷射來熔接該控制線與該待測訊號線的交錯處，以形成連接該控制線與該待測訊號線的一熔接點。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之檢測方法，其中在判定該缺陷的位置之後，絕緣該控制線與該待測訊號線的方法包括：移除連接於該熔接點之相對兩側的該待測訊號線的一部分，以形成：第一訊號線段，電性連接該驅動電路；第二訊號線段，電性連接該畫素結構；以及第三訊號線段，具有該熔接點，且與該第一訊號線段與該第二訊號線段相互絕緣。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之檢測方法，更包括：形成一連接線電性連接該第一訊號線段與該第二訊號線段，且該連接線與該第三訊號線段相互絕緣。
  7. 如申請專利範圍第4項所述之檢測方法，其中該訊號線的一側具有突出的一第一延伸部，該控制線的一側具有突出的一第二延伸部，且該第一延伸部與該第二延伸部相互交錯，以在雷射熔接後形成該熔接點。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之檢測方法，其中在判定該缺陷的位置之後，絕緣該控制線與該待測訊號線的方法包括：移除連接於該熔接點的部分該第一延伸部，以絕緣該熔接點與該訊號線；以及 移除連接於該熔接點的部分該第二延伸部，以絕緣該熔接點與該控制線。
  9. 一種主動元件陣列基板，包括：多個畫素結構，配置於一顯示區內；一驅動電路，配置於該顯示區之外；一控制線，位於該驅動電路與該顯示區之間；多條訊號線，電性連接該驅動電路與相應的該些畫素結構，該些訊號線分別與該控制線相互交錯，且該些訊號線包括一目標訊號線，該目標訊號線包括：一第一訊號線段，電性連接該驅動電路；一第二訊號線段，電性連接相應的該畫素結構；一第三訊號線段，具有一熔接點連接該控制線，且該第三訊號線段分別與該第一訊號線段以及該第二訊號線段相互絕緣；以及一連接線，電性連接該第一訊號線段與該第二訊號線段，且該連接線與該第三訊號線段相互絕緣。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之主動元件陣列基板，其中該連接線與該控制線交錯，且該連接線的兩端分別連接該第一訊號線段與該第二訊號線段。
  11. 一種主動元件陣列基板，包括：多個畫素結構，配置於一顯示區內；一驅動電路，配置於該顯示區之外； 一控制線，位於該驅動電路與該顯示區之間；以及多條訊號線，電性連接該驅動電路與相應的該些畫素結構，該些訊號線分別與該控制線相互交錯，且各該訊號線的一側具有至少一第一延伸部，該控制線的一側具有至少一第二延伸部，其中該些第一延伸部中之至少一個係與相應的該第二延伸部相互交錯。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之主動元件陣列基板，其中該些訊號線包括一目標訊號線，該目標訊號線的該第一延伸部與該相應的第二延伸部相互交錯並構成一熔接點，該熔接點係不與該驅動電路電性連接。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之主動元件陣列基板，其中該些訊號線包括一目標訊號線，該目標訊號線的該第一延伸部與該相應的第二延伸部相互交錯並構成一熔接點，其中該目標訊號線更具有一第一主體部以及一第一斷開部，該控制線更具有一第二主體部以及一第二斷開部，該熔接點藉由該第一斷開部以及該第二斷開部而分別與該第一主體部以及該第二主體部電性絕緣。
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