KR101798739B1 - 나프탈렌디이미드-비닐렌-올리고티오펜-비닐렌 중합체를 기재로 하는 반도체 물질 - Google Patents

나프탈렌디이미드-비닐렌-올리고티오펜-비닐렌 중합체를 기재로 하는 반도체 물질 Download PDF

Info

Publication number
KR101798739B1
KR101798739B1 KR1020157019013A KR20157019013A KR101798739B1 KR 101798739 B1 KR101798739 B1 KR 101798739B1 KR 1020157019013 A KR1020157019013 A KR 1020157019013A KR 20157019013 A KR20157019013 A KR 20157019013A KR 101798739 B1 KR101798739 B1 KR 101798739B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
alkyl
formula
polymer
alkenyl
phenyl
Prior art date
Application number
KR1020157019013A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150102047A (ko
Inventor
아쇽 쿠마르 미쉬라
유추이 구안
히로요시 노구치
미 쪼우
총준 지아오
플로리안 도츠
Original Assignee
바스프 에스이
플렉스테라, 인크.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 바스프 에스이, 플렉스테라, 인크. filed Critical 바스프 에스이
Publication of KR20150102047A publication Critical patent/KR20150102047A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101798739B1 publication Critical patent/KR101798739B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G61/12—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G61/122—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides
    • C08G61/123—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides derived from five-membered heterocyclic compounds
    • C08G61/126—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides derived from five-membered heterocyclic compounds with a five-membered ring containing one sulfur atom in the ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B69/00—Dyes not provided for by a single group of this subclass
    • C09B69/10—Polymeric dyes; Reaction products of dyes with monomers or with macromolecular compounds
    • C09B69/109—Polymeric dyes; Reaction products of dyes with monomers or with macromolecular compounds containing other specific dyes
    • H01L51/0036—
    • H01L51/0558—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/151—Copolymers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/621—Aromatic anhydride or imide compounds, e.g. perylene tetra-carboxylic dianhydride or perylene tetracarboxylic di-imide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/10—Definition of the polymer structure
    • C08G2261/12—Copolymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/10—Definition of the polymer structure
    • C08G2261/14—Side-groups
    • C08G2261/141—Side-chains having aliphatic units
    • C08G2261/1412—Saturated aliphatic units
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/30—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain
    • C08G2261/32—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating heteroaromatic structural elements in the main chain
    • C08G2261/322—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating heteroaromatic structural elements in the main chain non-condensed
    • C08G2261/3223—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating heteroaromatic structural elements in the main chain non-condensed containing one or more sulfur atoms as the only heteroatom, e.g. thiophene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/30—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain
    • C08G2261/32—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating heteroaromatic structural elements in the main chain
    • C08G2261/324—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating heteroaromatic structural elements in the main chain condensed
    • C08G2261/3241—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating heteroaromatic structural elements in the main chain condensed containing one or more nitrogen atoms as the only heteroatom, e.g. carbazole
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/30—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain
    • C08G2261/34—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating partially-aromatic structural elements in the main chain
    • C08G2261/344—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating partially-aromatic structural elements in the main chain containing heteroatoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/40—Polymerisation processes
    • C08G2261/41—Organometallic coupling reactions
    • C08G2261/411—Suzuki reactions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/40—Polymerisation processes
    • C08G2261/41—Organometallic coupling reactions
    • C08G2261/413—Heck reactions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/50—Physical properties
    • C08G2261/51—Charge transport
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/90—Applications
    • C08G2261/91—Photovoltaic applications
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/90—Applications
    • C08G2261/92—TFT applications
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

본 발명은 화학식 1의 단위를 포함하는 중합체, 상기 중합체의 제조 방법, 및 상기 중합체를 포함하는 전자 장치를 제공한다.
<화학식 1>
Figure 112015068354567-pct00033

상기 식에서,
R1 및 R2는 서로 독립적으로 C1-30-알킬, C2-30-알케닐 또는 C2-30-알키닐, 페닐 또는 5 내지 8원 헤테로시클릭 고리계이고, 여기서 C1-30-알킬, C2-30-알케닐 또는 C2-30-알키닐 기 각각은 할로겐, -CN, -NO2, -OH, -NH2, -NH(C1-20-알킬), -N(C1-20-알킬)2, -NH-C(O)-(C1-20-알킬), -S(O)2OH, -CHO, -C(O)-C1-20-알킬, -C(O)OH, -C(O)-OC1-20-알킬, -C(O)NH2, -CO(O)NH-C1-20-알킬, -C(O)N(C1-20-알킬)2, -O-C1-20-알킬, -O-C(O)-C -20 -알킬, -SiH3, SiH2(C1-20-알킬), SiH(C1-20-알킬)2, Si(C1- 20-알킬)3, C4-8-시클로알킬, 페닐 및 5 내지 8원 헤테로시클릭 고리계로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 내지 10개의 치환기로 치환될 수 있고, 페닐 또는 5 내지 8원 헤테로시클릭 고리계는 1 내지 C1-16-알킬 기로 치환될 수 있고,
o는 1, 2 또는 3이고,
n은 2 내지 10,000의 정수이다.

Description

나프탈렌디이미드-비닐렌-올리고티오펜-비닐렌 중합체를 기재로 하는 반도체 물질 {SEMICONDUCTING MATERIALS BASED ON NAPHTHALENEDIIMIDE-VINYLENE-OLIGOTHIOPHENE-VINYLENE POLYMERS}
설명
유기 반도체 물질은 전자 장치, 예컨대 유기 광기전 장치 (OPV), 유기 전계-효과 트랜지스터 (OFET), 유기 발광 다이오드 (OLED), 및 유기 전기변색 장치 (ECD)에서 사용될 수 있다.
효율적이고 장기 지속되는 성능을 위해, 유기 반도체 물질-기재 장치는 높은 전하 캐리어 이동도뿐만 아니라, 특히 공기에 의한 산화에 대해 높은 안정성을 나타내는 것이 바람직하다.
더욱이, 유기 반도체 물질은 액체 처리 기법, 예컨대 스핀 코팅, 잉크젯 인쇄 및 그라비아 인쇄와 적합성인 것이 바람직하다. 이들 액체 처리 기법은 가공성의 관점에서 편리하고, 따라서 저비용의 유기 반도체 물질-기재 전자 장치의 제조를 가능하게 한다. 게다가, 액체 처리 기법은 플라스틱 기재와도 적합성이고, 따라서 경량이고 기계적 유연성인 유기 반도체 물질-기재 전자 장치의 제조를 가능하게 한다.
유기 반도체 물질은 p-유형 또는 n-유형 둘 중 어느 하나의 유기 반도체 물질일 수 있다. 유기 반도체 물질의 두 유형 모두가 전자 장치의 제조에 이용가능한 것이 바람직하다.
전자 장치에서 반도체 물질로서 나프탈렌 디이미드 (NDI) 기재의 중합체의 용도는 관련 기술분야에 공지되어 있다.
문헌 [Durban, M. M.; Kazarinoff, P. D.; Segawa, Y.; Luscombe. C. K. Macromolecules 2011, 44, 4721 to 4727]은 고용해성의 나프탈렌디이미드 (NDI) 중합체를 기재한다. 0.0026 cm2 V- 1 s-1 수준의 평균 전자 이동도는 하기 구조를 갖는 나프탈렌 디이미드 (NDI) 중합체 PNDI-2BocL에 관해 보고되어 있다:
Figure 112015068354567-pct00001
문헌 [Sajoto, T.; Tiwari, S. P.; Li, H.; Risko, C.; Barlowa, S.; Zhang, Q.; Cho, J.-Y.; Bredas, J.-L.; Kippelen, B.; Marder, S. R. Polymer, 2012, 53, 5, 1072 to 1078]은 하기 구조를 갖는 중합체를 기재한다:
Figure 112015068354567-pct00002
이들 공중합체는 1.4 ×10-4 내지 3.7 ×10-3 ㎠ V-1 s-1 범위의 평균 전자 이동도 값을 나타낸다.
문헌 [Zhou, W.; Wen, Y.; Ma, L.; Liu, Y.; Zhan, X. Macromolecules 2012, 45, 4115 to 4121]은 하기 구조를 갖는 나프탈렌 디이미드 (NDI) 및 페노티아진 (PTZ) 기재의 공중합체를 기재한다:
Figure 112015068354567-pct00003
이들 공중합체는 질소 분위기 하에 105 수준의 온/오프 비 및 0.05 ㎠ V-1 s-1 수준의 전자 이동도를 나타낸다.
문헌 [Yan, H.; Chen, Z.; Zheng, Y., Newman, C.; Quinn, J. R.; Doetz, F. Kastler, M.; Facchetti, A. Nature, 2009, 457, 679 to 687] 및 [Chen, Z.; Zheng, Y.; Yan, H.; Facchetti, A. J. Am. Chem . Soc . 2009, 131, 8 to 9]은 하기 구조식을 갖는 나프탈렌 디이미드 (NDI) 및 비티오펜 기재의 공중합체를 기재한다:
Figure 112015068354567-pct00004
이들 공중합체는 0.45 내지 0.85 ㎠ V-1 s-1 이하의 우수한 이동도 값을 나타낸다.
WO 2009/098253은 화학식 -(-M1-M2)n-의 중합체를 기재하고, 여기서 M1은 하기로부터 선택된 임의로 치환된 나프탈렌 이미드이고,
Figure 112015068354567-pct00005
및
Figure 112015068354567-pct00006
M2는 -Z-(-Ar-)m"-Z-를 포함하는 잔기의 목록으로부터 선택된다.
문헌 [Guo, X.; Kim, F. S.; Seger, M. J.; Jenekhe, S. A.; Watson, M. D. Chem . Mater. 2012, 24, 1434 to 1442]은 하기 구조식을 갖는, 나프탈렌 디이미드 (NDI) 수용체 및 7개의 상이한 티오펜 모이어티를 기재로 하는 일련의 교호 공여체-수용체 공중합체 반도체를 기재한다:
Figure 112015068354567-pct00007
Figure 112015068354567-pct00008
R = 2-데실테트라데실, 2-에틸헥실, n-도데실, n-옥틸.
이들 공중합체는 0.07 ㎠ V-1 s-1 수준의 n-채널 또는 양극성 이동도를 나타낸다.
본 발명의 목적은 개선된 신규 유기 중합체 반도체 물질을 제공하는 것이었다.
이 목적은 청구항 1의 중합체, 청구항 11의 방법 및 청구항 12의 장치에 의해 해결된다.
본 발명의 유기 중합체 반도체 물질은 화학식 1의 단위를 포함하는 중합체이다.
<화학식 1>
Figure 112015068354567-pct00009
상기 식에서,
R1 및 R2는 서로 독립적으로 C1-30-알킬, C2-30-알케닐, C2-30-알키닐, 페닐 또는 5 내지 8원 헤테로시클릭 고리계이고, 여기서
C1-30-알킬, C2-30-알케닐 또는 C2-30-알키닐 기 각각은 할로겐, -CN, -NO2, -OH, -NH2, -NH(C1-20-알킬), -N(C1-20-알킬)2, -NH-C(O)-(C1-20-알킬), -S(O)2OH, -CHO, -C(O)-C1-20-알킬, -C(O)OH, -C(O)-OC1-20-알킬, -C(O)NH2, -CO(O)NH-C1-20-알킬, -C(O)N(C1-20-알킬)2, -O-C1-20-알킬, -O-C(O)-C1-20-알킬, -SiH3, SiH2(C1-20-알킬), SiH(C1-20-알킬)2, Si(C1-20-알킬)3, C4-8-시클로알킬, 페닐 및 5 내지 8원 헤테로시클릭 고리계로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 내지 10개의 치환기로 치환될 수 있고,
페닐 및 5 내지 8원 헤테로시클릭 고리계는 1 내지 5개의 C1-16-알킬 기로 치환될 수 있고,
o는 1, 2 또는 3이고,
n은 2 내지 10,000의 정수이다.
할로겐의 예는 -F, -Cl, -Br 및 -I이다.
C1-6-알킬, C1-10-알킬, C1-16-알킬, C1-20-알킬, C1-30-알킬, C6-30-알킬 및 C10-30-알킬은 분지형이거나 비분지형일 수 있다. C1 -6-알킬의 예는 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, sec-부틸, 이소부틸, tert-부틸, n-펜틸, 네오펜틸, 이소펜틸, n-(1-에틸)프로필 및 n-헥실이다. C1 -10-알킬의 예는 C1-6-알킬, n-헵틸, n-옥틸, n-(2-에틸)헥실, n-노닐 및 n-데실이다. C1 -16-알킬의 예는 C1-10-알킬, n-운데실, n-도데실, n-운데실, n-도데실, n-트리데실, n-테트라데실, n-펜타데실 및 n-헥사데실이다. C1-20-알킬의 예는 C1-10-알킬, n-운데실, n-도데실, n-운데실, n-도데실, n-트리데실, n-테트라데실, n-펜타데실, n-헥사데실, n-헵타데실, n-옥타데실, n-노나데실, n-이코실 (C20) 및 n-(2-옥틸)도데실이다. C1 -30-알킬의 예는 C1-20-알킬, 및 n-도코실 (C22), n-테트라코실 (C24), n-(2-데실)테트라데실, n-헥사코실 (C26), n-옥타코실 (C28) 및 n-트리아콘틸 (C30)이다. C6 -30-알킬의 예는 n-헥실, n-헵틸, n-옥틸, n-(2-에틸)헥실, n-노닐, n-데실, n-운데실, n-도데실, n-운데실, n-도데실, n-트리데실, n-테트라데실, n-펜타데실, n-헥사데실, n-헵타데실, n-옥타데실, n-노나데실 및 n-이코실 (C20), n-(2-옥틸)도데실, n-도코실 (C22), n-테트라코실 (C24), n-(2-데실)테트라데실, n-헥사코실 (C26), n-옥타코실 (C28) 및 n-트리아콘틸 (C30)이다. C10 -30-알킬의 예는 n-데실, n-운데실, n-도데실, n-운데실, n-도데실, n-트리데실, n-테트라데실, n-펜타데실, n-헥사데실, n-헵타데실, n-옥타데실, n-노나데실 및 n-이코실 (C20), n-(2-옥틸)도데실, n-도코실 (C22), n-테트라코실 (C24), n-(2-데실)테트라데실, n-헥사코실 (C26), n-옥타코실 (C28) 및 n-트리아콘틸 (C30)이다.
C2-30-알케닐 및 C6-30-알케닐은 분지형이거나 비분지형일 수 있다. C2 -30-알케닐의 예는 비닐, 프로페닐, 시스-2-부테닐, 트랜스-2-부테닐, 3-부테닐, 시스-2-펜테닐, 트랜스-2-펜테닐, 시스-3-펜테닐, 트랜스-3-펜테닐, 4-펜테닐, 2-메틸-3-부테닐, 헥세닐, 헵테닐, 옥테닐, 노네닐 및 도세닐, 리놀레일 (C18), 리놀레닐 (C18), 올레일 (C18), 아라키도닐 (C20), 및 에루실 (C22)이다. C6 -30-알케닐의 예는 헥세닐, 헵테닐, 옥테닐, 노네닐 및 도세닐, 리놀레일 (C18), 리놀레닐 (C18), 올레일 (C18), 아라키도닐 (C20), 및 에루실 (C22)이다.
C2-30-알키닐 및 C6-30-알키닐은 분지형이거나 비분지형일 수 있다. C2 -30-알키닐의 예는 에티닐, 2-프로피닐, 2-부티닐, 3-부티닐, 펜티닐, 헥시닐, 헵티닐, 옥티닐, 노니닐, 데시닐, 운데시닐, 도데시닐, 운데시닐, 도데시닐, 트리데시닐, 테트라데시닐, 펜타데시닐, 헥사데시닐, 헵타데시닐, 옥타데시닐, 노나데시닐 및 이코시닐 (C20)이다. C6 -30-알키닐의 예는 헥시닐, 헵티닐, 옥티닐, 노니닐, 데시닐, 운데시닐, 도데시닐, 운데시닐, 도데시닐, 트리데시닐, 테트라데시닐, 펜타데시닐, 헥사데시닐, 헵타데시닐, 옥타데시닐, 노나데시닐 및 이코시닐 (C20)이다.
C4-8-시클로알킬의 예는 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실, 시클로헵틸 및 시클로옥틸이다.
5 내지 8원 헤테로시클릭계의 예는 피롤리디닐, 1-피롤리닐, 2-피롤리닐, 3-피롤리닐, 테트라히드로푸릴, 2,3-디히드로푸릴, 테트라히드로티오페닐, 2,3-디히드로티오페닐, 이미다졸리디닐, 이미다졸리닐, 피라졸리디닐, 피라졸리닐, 옥사졸리디닐, 옥사졸리닐, 이속사졸리디닐, 이속사졸리닐, 티아졸리디닐, 티아졸리닐, 이소티아졸리디닐 및 이소티아졸리닐, 1,2,3-트리아졸릴, 1,2,4-트리아졸릴, 1,4,2-디티아졸릴, 피페리딜, 피페리디노, 테트라히드로피라닐, 피라닐, 티아닐, 티오피라닐, 피페라지닐, 모르폴리닐, 모르폴리노, 티아지닐, 아제파닐, 아제피닐, 옥세파닐, 티에파닐, 티아파닐, 티에피닐, 1,2-디아제피닐, 1,3-티아제피닐, 피롤릴, 푸릴, 티오페닐, 이미다졸릴, 피라졸릴, 옥사졸릴, 이속사졸릴, 티아졸릴, 이소티아졸릴, 1,2,3-트리아졸릴, 1,2,4-트리아졸릴, 옥사디아졸릴, 테트라졸릴, 피리딜, 피라지닐, 피리미디닐 및 피리다지닐, 1,2,3-트리아지닐, 1,2,4-트리아지닐, 1,3,5-트리아지닐, 아제피닐 및 1,2-디아제피닐이다.
알칼리 금속의 예는 나트륨, 칼륨 및 리튬이다.
알칼리 토금속의 예는 칼슘 및 마그네슘이다.
바람직하게는, 본 발명의 유기 중합체 반도체 물질은 중합체의 중량을 기준으로 하여, 바람직하게는 80 중량% 이상, 더욱 바람직하게는 90 중량% 이상의 화학식 1의 단위를 포함하는 중합체이다.
더욱 바람직하게는, 본 발명의 유기 중합체 반도체 물질은 본질적으로 화학식 1의 단위로 이루어진 중합체이다.
바람직하게는, R1 및 R2는 서로 독립적으로 C6-30-알킬, C6-30-알케닐, C6-30-알키닐 또는 페닐이고,
여기서 C6-30-알킬, C6-30-알케닐 또는 C6-30-알키닐 기 각각은 할로겐, -CN, -NO2, -OH, -NH2, -NH(C1-20-알킬), -N(C1-20-알킬)2, -NH-C(O)-(C1-20-알킬), -S(O)2OH, -CHO, -C(O)-C1-20-알킬, -C(O)OH, -C(O)-OC1-20-알킬, -C(O)NH2, -CO(O)NH-C1-20-알킬, -C(O)N(C1-20-알킬)2, -O-C1-20-알킬 및 N-O-C(O)-C1-20-알킬로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 내지 10개의 치환기로 치환될 수 있고,
페닐은 1 또는 2개의 C1-16-알킬 기로 치환될 수 있다.
더욱 바람직하게는, R1 및 R2는 서로 독립적으로 C6-30-알킬, C6-30-알케닐 또는 C6-30-알키닐이고,
여기서 C6-30-알킬, C6-30-알케닐 또는 C6-30-알키닐 기 각각은 할로겐, -CN, -NO2, -NH(C1-20-알킬), -N(C1-20-알킬)2, -NH-C(O)-(C1-20-알킬), -C(O)-C1-20-알킬, -C(O)-OC1-20-알킬, -C(O)NH2, -CO(O)NH-C1-20-알킬, -C(O)N(C1-20-알킬)2, -O-C1-20-알킬 및 N-O-C(O)-C1-20-알킬로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 내지 10개의 치환기로 치환될 수 있다.
더더욱 바람직하게는, R1 및 R2는 서로 독립적으로 C6-30-알킬이고,
여기서 C6-30-알킬 각각은 할로겐, -CN, -NO2, -NH(C1-20-알킬), -N(C1-20-알킬)2, -NH-C(O)-(C1-20-알킬), -C(O)-C1-20-알킬, -C(O)-OC1-20-알킬, -C(O)NH2, -CO(O)NH-C1-20-알킬, -C(O)N(C1-20-알킬)2, -O-C1-20-알킬 및 N-O-C(O)-C1-20-알킬로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 내지 10개의 치환기로 치환될 수 있다.
가장 바람직하게는, R1 및 R2는 서로 독립적으로 C10-30-알킬, 특히 2-옥틸도데실이다.
바람직하게는, o는 1 또는 2이다.
n은 바람직하게는 5 내지 1,000의 정수, 더욱 바람직하게는 5 내지 500의 정수, 가장 바람직하게는 10 내지 100의 정수이다.
화학식 1의 단위를 포함하는 바람직한 중합체는,
R1 및 R2가 서로 독립적으로 C6-30-알킬, C6-30-알케닐, C6-30-알키닐 또는 페닐이고,
여기서 C6-30-알킬, C6-30-알케닐, C6-30-알키닐 기 각각은 할로겐, -CN, -NO2, -OH, -NH2, -NH(C1-20-알킬), -N(C1-20-알킬)2, -NH-C(O)-(C1-20-알킬), -S(O)2OH, -CHO, -C(O)-C1-20-알킬, -C(O)OH, -C(O)-OC1-20-알킬, -C(O)NH2, -CO(O)NH-C1-20-알킬, -C(O)N(C1-20-알킬)2, -O-C1-20-알킬 및 N-O-C(O)-C1-20-알킬로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 내지 10개의 치환기로 치환될 수 있고,
페닐은 1 또는 2개의 C1-16-알킬 기로 치환될 수 있고,
o가 1, 2 또는 3이고
n이 5 내지 1,000의 정수인 중합체이다.
화학식 1의 단위를 포함하는 더욱 바람직한 중합체는,
R1 및 R2가 서로 독립적으로 C6-30-알킬, C6-30-알케닐 또는 C6-30-알키닐이고,
여기서 C6-30-알킬, C6-30-알케닐 또는 C6-30-알키닐 기 각각은 할로겐, -CN, -NO2, -NH(C1-20-알킬), -N(C1-20-알킬)2, -NH-C(O)-(C1-20-알킬), -C(O)-C1-20-알킬, -C(O)-OC1-20-알킬, -C(O)NH2, -CO(O)NH-C1-20-알킬, -C(O)N(C1-20-알킬)2, -O-C1-20-알킬 및 N-O-C(O)-C1-20-알킬로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 내지 10개의 치환기로 치환될 수 있고,
o가 1, 2 또는 3이고
n이 5 내지 500의 정수인 중합체이다.
화학식 1의 단위를 포함하는 가장 바람직한 중합체는,
R1 및 R2가 서로 독립적으로 C6-30-알킬이고,
여기서 C6-30-알킬 각각은 할로겐, -CN, -NO2, -NH(C1-20-알킬), -N(C1-20-알킬)2, -NH-C(O)-(C1-20-알킬), -C(O)-C1-20-알킬, -C(O)-OC1-20-알킬, -C(O)NH2, -CO(O)NH-C1-20-알킬, -C(O)N(C1-20-알킬)2, -O-C1-20-알킬 및 N-O-C(O)-C1-20-알킬로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 내지 10개의 치환기로 치환될 수 있고,
o가 1 또는 2이고
n이 10 내지 100의 정수인 중합체이다.
화학식 1의 단위를 포함하는 특히 바람직한 중합체는 화학식 1a 또는 1b의 단위를 포함하는 중합체이다.
<화학식 1a>
Figure 112015068354567-pct00010
<화학식 1b>
Figure 112015068354567-pct00011
상기 식에서, n은 20 내지 100의 정수, 바람직하게는 약 60이다.
또한, 본 발명의 부분은 화학식 2의 화합물을 화학식 3 또는 5의 화합물과 반응시키는 단계를 포함하는, 화학식 1의 단위를 포함하는 중합체의 제조 방법이다.
<화학식 1>
Figure 112015068354567-pct00012
[상기 식에서,
R1 및 R2는 서로 독립적으로 C1-30-알킬, C2-30-알케닐 또는 C2-30-알키닐, 페닐 또는 5 내지 8원 헤테로시클릭 고리계이고,
여기서 C1-30-알킬, C2-30-알케닐 또는 C2-30-알키닐 기 각각은 할로겐, -CN, -NO2, -OH, -NH2, -NH(C1-20-알킬), -N(C1-20-알킬)2, -NH-C(O)-(C1-20-알킬), -S(O)2OH, -CHO, -C(O)-C1-20-알킬, -C(O)OH, -C(O)-OC1-20-알킬, -C(O)NH2, -CO(O)NH-C1-20-알킬, -C(O)N(C1-20-알킬)2, -O-C1-20-알킬, -O-C(O)-C1-20-알킬, -SiH3, SiH2(C1-20-알킬), SiH(C1-20-알킬)2, Si(C1-20-알킬)3, C4-8-시클로알킬, 페닐 및 5 내지 8원 헤테로시클릭 고리계로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 내지 10개의 치환기로 치환될 수 있고,
페닐 또는 5 내지 8원 헤테로시클릭 고리계는 1 내지 5개의 C1-16-알킬 기로 치환될 수 있고,
o는 1, 2 또는 3이고,
n은 2 내지 10,000의 정수이다]
<화학식 2>
Figure 112015068354567-pct00013
[상기 식에서,
R1 및 R2는 서로 독립적으로 C1-30-알킬, C2-30-알케닐, C2-30-알키닐, 페닐 또는 5 내지 8원 헤테로시클릭 고리계이고,
여기서 C1-30-알킬, C2-30-알케닐 또는 C2-30-알키닐 기 각각은 할로겐, -CN, -NO2, -OH, -NH2, -NH(C1-20-알킬), -N(C1-20-알킬)2, -NH-C(O)-(C1-20-알킬), -S(O)2OH, -CHO, -C(O)-C1-20-알킬, -C(O)OH, -C(O)-OC1-20-알킬, -C(O)NH2, -CO(O)NH-C1-20-알킬, -C(O)N(C1-20-알킬)2, -O-C1-20-알킬, -O-C(O)-C1-20-알킬, -SiH3, SiH2(C1-20-알킬), SiH(C1-20-알킬)2, Si(C1-20-알킬)3, C4-8-시클로알킬, 페닐 및 5 내지 8원 헤테로시클릭 고리계로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 내지 10개의 치환기로 치환될 수 있고,
페닐 또는 5 내지 8원 헤테로시클릭 고리계는 1 내지 5개의 C1-16-알킬 기로 치환될 수 있고,
X는 트리플레이트 또는 할로겐, 바람직하게는 Br-이다]
<화학식 3>
Figure 112015068354567-pct00014
<화학식 5>
Figure 112015068354567-pct00015
[상기 식에서,
R3 및 R4는 서로 독립적으로 H 또는 C1-10-알킬이거나, R3 및 R4는 이들을 연결하는 -O-B-O- 단위와 함께, 1 또는 2개의 C1-6-알킬, 바람직하게는 메틸로 치환될 수 있는 사이클, 바람직하게는 5원 사이클을 형성하고,
M은 알칼리 금속, 알칼리 토금속 또는 Al이고,
m은 1, 2 또는 3이고,
o는 1, 2 또는 3이다]
화학식 2의 화합물을 바람직하게는, 전이 금속 촉매 I, 바람직하게는 팔라듐 촉매, 및 염기의 존재하에 화학식 3 또는 5의 화합물과 반응시킨다.
팔라듐 촉매의 예는 테트라키스(트리페닐)포스핀팔라듐(0), 염화팔라듐(II) 및 아세트산팔라듐(II)이다. 바람직하게는, 팔라듐 촉매는 아세트산팔라듐(II)이다.
염기는 아민, 금속 또는 알칼리 토금속 탄산염, 금속 또는 알칼리 토금속 아세트산염 또는 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 수산화물일 수 있다. 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 수산화물의 예는 수산화나트륨, 수산화칼륨 및 수산화리튬이다. 바람직하게는, 염기는 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 수산화물이다. 더욱 바람직하게는, 염기는 수산화리튬이다.
바람직하게는, 금속 촉매 및 염기 외에도 포스핀이 또한 존재한다. 포스핀의 예는 트리페닐포스핀, 바람직하게는, N-페닐피롤-P(tert-부틸)2이다.
반응은 유기 용매, 예컨대 테트라히드로푸란의 존재하에 수행할 수 있다.
반응은 승온, 바람직하게는 50 내지 200℃의 범위, 더욱 바람직하게는 50 내지 120℃의 범위, 가장 바람직하게는 60 내지 90℃의 범위에서 수행할 수 있다.
바람직하게는, 화합물 2를 화합물 3과 반응시킨다.
화학식 3의 바람직한 화합물은 화학식 3'의 화합물이다.
<화학식 3'>
Figure 112015068354567-pct00016
상기 식에서, o는 1, 2 또는 3이다.
화학식 2의 화합물은 문헌 [Chen, Z.; Zheng, Y.; Yan, H.; Facchetti, A. J. Am. Chem . Soc . 2009, 31, 8-9] 또는 [Sakai, N.; Sisson, A. L.; Buergi, T.; Matile, S. J. Am. Chem . Soc . 2007, 29, 15758-15759]에 기재된 바와 같이 제조할 수 있다.
화학식 3의 화합물은 화학식 4의 화합물
<화학식 4>
Figure 112015068354567-pct00017
[상기 식에서, o는 1, 2 또는 3이다]을
<화학식 6>
(R3O)-B-(OR4)
[상기 식에서,
R3 및 R4는 서로 독립적으로 H 또는 C1-10-알킬이거나, R3 및 R4는 이들을 연결하는 -O-B-O- 단위와 함께, 1 또는 2개의 C1-6-알킬, 바람직하게는 메틸로 치환될 수 있는 사이클, 바람직하게는 5원 사이클을 형성한다]과 반응시킴으로써 제조할 수 있다.
화학식 3의 화합물을 바람직하게는, 전이 금속 촉매 II, 바람직하게는 지르코늄 촉매, 더욱 바람직하게는 ZrCp2HCl (슈와르츠 시약(Schwartz's reagent)으로도 칭해짐)의 존재하에 화학식 6의 화합물과 반응시킨다.
화학식 6의 바람직한 화합물은
<화학식 6a>
Figure 112015068354567-pct00018
이다.
반응은 승온, 바람직하게는 40 내지 200℃의 범위, 더욱 바람직하게는 40 내지 100℃의 범위, 가장 바람직하게는 50 내지 80℃의 범위에서 수행할 수 있다.
화학식 4의 화합물은 관련 기술분야에 공지된 방법에 의해 제조될 수 있다.
예를 들어 화학식 4a의 화합물
<화학식 4a>
Figure 112015068354567-pct00019
의 제조는 문헌 [Huang, E. Chem. Commun . 2011, 47, 11990-11992]에 기재되어 있다.
예를 들어, 화학식 4b의 화합물
<화학식 4b>
Figure 112015068354567-pct00020
의 제조는 문헌 [Neenan, Thomas X.; Whitesides, George M. J. Org. Chem ., 1988, 53, 2489-2496]에 기재되어 있다.
또한, 본 발명의 부분은 반도체 물질로서 화학식 1의 단위를 포함하는 중합체를 포함하는 전자 장치이다.
전자 장치는 임의의 전자 장치, 예를 들어 유기 광기전 (OPV) 셀, 유기 전계-효과 트랜지스터 (OFET) 또는 유기 발광 다이오드 (OLED)일 수 있다. 바람직하게는, 전자 장치는 유기 전계-효과 트랜지스터이다.
통상, 유기 전계 효과 트랜지스터는 유전층, 반도체 층 및 기판을 포함한다. 게다가, 유기 전계 효과 트랜지스터는 통상 게이트 전극 및 소스/드레인 전극을 포함한다.
유기 전계 효과 트랜지스터는 다양한 구조(design), 예를 들어 하부-게이트(bottom-gate) 구조 또는 상부-게이트(top-gate) 구조를 가질 수 있다.
반도체 층은 본 발명의 중합체를 포함한다. 반도체 층은 5 내지 500 nm, 바람직하게는 10 내지 100 nm, 더욱 바람직하게는 20 내지 50 nm의 두께를 가질 수 있다.
유전층은 유전 물질을 포함한다. 유전 물질은 이산화규소, 또는, 유기 중합체, 예컨대 폴리스티렌 (PS), 폴리(메틸메타크릴레이트) (PMMA), 폴리(4-비닐페놀) (PVP), 폴리(비닐 알콜) (PVA), 벤조시클로부텐 (BCB), 또는 폴리이미드 (PI)일 수 있다. 유전층은 10 내지 2000 nm, 바람직하게는 50 내지 1000 nm, 더욱 바람직하게는 100 내지 800 nm의 두께를 가질 수 있다.
소스/드레인 전극은 임의의 적합한 소스/드레인 물질, 예를 들어 은 (Ag), 금 (Au) 또는 탄탈룸 (Ta)으로부터 제조될 수 있다. 소스/드레인 전극은 1 내지 100 nm, 바람직하게는 5 내지 50 nm의 두께를 가질 수 있다.
게이트 전극은 임의의 적합한 게이트 물질, 예컨대 고도로 도핑된 규소, 알루미늄 (Al), 텅스텐 (W), 인듐 주석 산화물, 금 (Au) 및/또는 탄탈룸 (Ta)으로부터 제조될 수 있다. 게이트 전극은 1 내지 200 nm, 바람직하게는 5 내지 100 nm의 두께를 가질 수 있다.
기판은 임의의 적합한 기판, 예컨대 유리, 또는 플라스틱 기판, 예컨대 폴리에테르술폰, 폴리카르보네이트, 폴리술폰, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET) 및 폴리에틸렌 나프탈레이트 (PEN)일 수 있다. 유기 전계 효과 트랜지스터의 구조에 따라, 게이트 전극과 유전층의 조합이 또한 기판으로서 기능할 수 있다.
유기 전계 효과 트랜지스터는 관련 기술분야에 공지된 방법에 의해 제조될 수 있다.
예를 들어, 상부-게이트 유기 전계 효과 트랜지스터는 다음과 같이 제조될 수 있다: 소스 및 드레인 전극은, 적합한 소스/드레인 물질, 예를 들어 Ag를 적합한 기판, 예를 들어 PET 상에 석판술로 패턴화함으로써 형성시킬 수 있다. 그 다음에 소스/드레인 전극은, 적합한 용매 중, 예를 들어 테트랄린 또는 톨루엔 중 본 발명의 반도체 물질의 용액을 용액 처리, 예를 들어 스핀-코팅함으로써 반도체 층으로 덮을 수 있다. 반도체 층은, 반도체 층 상에서 유전 물질, 예를 들어 폴리스티렌을 스핀-코팅함으로써 유전층으로 덮을 수 있다. 게이트 전극은 예를 들어 적합한 소스/드레인 물질, 예를 들어 금 (Au)의 증착에 의해 유전층 상에 침착시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 부분은 반도체 물질로서 화학식 1의 단위를 포함하는 중합체의 용도이다.
본 발명의 중합체는 주위 조건하에, 특히 산소에 대해, 높은 안정성을 나타낸다. 본 발명의 중합체는 액체 처리 기법과 적합성이고 따라서 저비용의, 경량이고 유연성인 전자 장치의 제조를 가능하게 한다. 반도체 물질로서 본 발명의 중합체를 포함하는 유기 장치, 특히 유기 전계 효과 트랜지스터는 높은 전하 캐리어 이동도 및 온/오프 비를 나타낸다.
실시예
실시예 1
중합체 1a의 제조
Figure 112015068354567-pct00021
화합물 3a의 제조
5,5'-디에티닐-2,2'-비티오펜 (4a) (2.2 g, 10 mmol), 피나콜보란 (6a) (2.7 g, 21 mmol)과 ZrCp2HCl (슈와르츠 시약) (260 mg, 1 mmol)의 혼합물을 시험관에 밀봉하고 48시간 동안 65℃에서 교반하였다. 그 후에, 혼합물을 실리카겔 패드에 통과시키고 용리액으로서 헥산 및 에틸 아세테이트 (헥산:에틸 아세테이트 = 10:1)를 사용하여 역상 칼럼 상에서 추가로 정제하여 화합물 3a를 백색 고체 (2.1 g, 49%)로서 수득하였다.
Figure 112015068354567-pct00022
화합물 1a의 제조
화합물 2a (300 mg, 0.31 mmol), 화합물 3a (180 mg, 0.38 mmol), N-페닐피롤-P(tert-부틸)2 (18 mg, 0.06 mmol), Pd(OAc)2 (3 mg, 0.02 mmol) 및 LiOH (96 mg, 2.29 mmol)를 슐렝크 튜브(Schlenk tube)에 첨가하였다. 반응 용기를 배기하고 N2로 3회 재충전하였다. 그 다음에 무수 THF (13 mL)를 첨가하고 70℃에서 N2 하에 가열하였다. 20분 후, 1 방울의 2-브로모티오펜을 첨가하고 1시간 동안 교반하였다. 1 방울의 2-티오펜 보론산을 첨가하고 반응 혼합물을 또 다른 1시간 동안 70℃에서 교반하였다. 반응 혼합물을 대형 비커에서 1시간 동안 MeOH (900 mL)를 교반하여 침전시킨 후에 여과하고 잔류물을 추출물이 무색이 될 때까지 밤새 아세톤 (250 mL)으로 속슬렛(Soxhlet) 추출시켰다. 잔류물을 진공하에 건조시키고, 최소량의 고온 클로로벤젠에 용해시키고 비커에서 1시간 동안 MeOH (900 mL)를 교반하여 침전시킨 후에 여과하고 잔류물을 밤새 진공하에 건조시켜 중합체 1a (310 mg, 97 %)를 수득하였다.
Figure 112015068354567-pct00023
실시예 2
중합체 1b의 제조
Figure 112015068354567-pct00024
화합물 3b의 제조
2,5-디에티닐티오펜 (4b) (1.4 g, 10 mmol), 피나콜보란 (6a) (2.8 g, 21 mmol) 및 ZrCp2HCl (슈와르츠 시약) (260 mg, 1 mmol)의 혼합물을 시험관에 밀봉하고 70시간 동안 65℃에서 교반하였다. 그 후에, 혼합물을 실리카겔 패드에 통과시키고 용리액으로서 헥산 및 에틸 아세테이트 (헥산:에틸 아세테이트 = 15:1)를 사용하여 역상 칼럼 상에서 추가로 정제하여 화합물 3b를 백색 고체 (1.55 g, 40%)로서 수득하였다.
Figure 112015068354567-pct00025
중합체 1b의 제조
화합물 2a (450 mg, 0.46 mmol), 화합물 3b (177 mg, 0.46 mmol), N-페닐피롤-P(tert-부틸)2 (21 mg, 0.07 mmol), Pd(OAc)2 (4 mg, 0.02 mmol) 및 LiOH (115 mg, 2.74 mmol)를 슐렝크 튜브에 첨가하였다. 반응 용기를 배기하고 N2로 3회 재충전하였다. 그 다음에 무수 THF (11 mL)를 첨가하고 70℃에서 N2 하에 가열하였다. 22시간 후, 1 방울의 2-브로모티오펜을 첨가하고 1시간 동안 교반하였다. 1 방울의 2-티오펜 보론산을 첨가하고 반응 혼합물을 또 다른 4시간 동안 70℃에서 교반하였다. 반응 혼합물을 대형 비커에서 1시간 동안 MeOH (900 mL)를 교반하여 침전시킨 후에 여과하고 잔류물을 추출물이 무색이 될 때까지 밤새 아세톤 (250 mL)으로 속슬렛 추출시켰다. 잔류물을 진공하에 건조시키고, 최소량의 고온 클로로벤젠에 용해시키고 비커에서 1시간 동안 MeOH (900 mL)를 교반하여 침전시킨 후에 여과하고 잔류물을 밤새 진공하에 건조시켜 중합체 1b (330 mg, 73 %)를 수득하였다.
Figure 112015068354567-pct00026
실시예 3
반도체 물질로서 각각 중합체 1a, 1b를 포함하는 상부-게이트 하부-접촉부(top-gate bottom-contact) 전계-효과 트랜지스터의 제조
중합체 1a를 톨루엔 (5 mg/ml)에 용해시키고 1분 동안 1500 rpm에서 석판술로 패턴화된 은 (Ag) 접촉부 (W/L = 1000, L = 10 ㎛)를 갖는 PET 기판 상에서 스핀 코팅한 후에 2분 동안 110℃ 열판 상에서 건조시켰다.
중합체 1b를 테트랄린 (5 mg/ml)에 용해시키고 2분 동안 1000 rpm에서 석판술로 패턴화된 은 (Ag) 접촉부 (W/L = 1000, L = 10 ㎛)를 갖는 PET 기판 상에서 스핀 코팅 (110℃에서 용액 및 기판을 가열함)한 후에 2분 동안 110℃ 열판 상에서 건조시켰다.
두 경우 모두에서, 폴리스티렌을 게이트 유전체 (이소프로필 아세테이트 중 4 wt%)로서 사용하고 30초 동안 3600 rpm에서 스핀 코팅한 후에 30초 동안 90℃ 열판 상에서 건조시킴으로써 침착시켰다. 모든 침착을 주위 분위기에서 행하였다. 최종적으로 금 (Au)을 게이트 전극으로서 사용하기 위한 열 증발에 의해 침착시켰다. 반도체 층의 두께는 30 nm이고, 유전층의 두께는 420 nm이었다.
중합체 1a를 포함하는 트랜지스터의 평균 전하 캐리어 이동도는 0.03 ㎠/Vs이고 온/오프 비는 105이며, 한편 화학식 1b의 중합체를 포함하는 트랜지스터의 전하 캐리어 이동도는 0.04 ㎠/Vs이고 온/오프 비는 ~ 104이었다.

Claims (15)

  1. 하기 화학식 1의 단위를 포함하는 중합체.
    <화학식 1>
    Figure 112017046728740-pct00027

    상기 식에서,
    R1 및 R2는 서로 독립적으로 C1-30-알킬, C2-30-알케닐, C2-30-알키닐, 페닐 또는 5 내지 8원 헤테로시클릭 고리계이고,
    여기서 C1-30-알킬, C2-30-알케닐 또는 C2-30-알키닐 기 각각은 할로겐, -CN, -NO2, -OH, -NH2, -NH(C1-20-알킬), -N(C1-20-알킬)2, -NH-C(O)-(C1-20-알킬), -S(O)2OH, -CHO, -C(O)-C1-20-알킬, -C(O)OH, -C(O)-OC1-20-알킬, -C(O)NH2, -CO(O)NH-C1-20-알킬, -C(O)N(C1-20-알킬)2, -O-C1-20-알킬, -O-C(O)-C1-20-알킬, -SiH3, SiH2(C1-20-알킬), SiH(C1-20-알킬)2, Si(C1-20-알킬)3, C4-8-시클로알킬, 페닐 및 5 내지 8원 헤테로시클릭 고리계로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 내지 10개의 치환기로 치환될 수 있고,
    페닐 또는 5 내지 8원 헤테로시클릭 고리계는 1 내지 5개의 C1-16-알킬 기로 치환될 수 있고,
    o는 2 또는 3이고,
    n은 2 내지 10,000의 정수이다.
  2. 제1항에 있어서,
    R1 및 R2가 서로 독립적으로 C6-30-알킬, C6-30-알케닐, C6-30-알키닐 또는 페닐이고,
    여기서 C6-30-알킬, C6-30-알케닐, C6-30-알키닐 기 각각은 할로겐, -CN, -NO2, -OH, -NH2, -NH(C1-20-알킬), -N(C1-20-알킬)2, -NH-C(O)-(C1-20-알킬), -S(O)2OH, -CHO, -C(O)-C1-20-알킬, -C(O)OH, -C(O)-OC1-20-알킬, -C(O)NH2, -CO(O)NH-C1-20-알킬, -C(O)N(C1-20-알킬)2, -O-C1-20-알킬 및 N-O-C(O)-C1-20-알킬로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 내지 10개의 치환기로 치환될 수 있고,
    페닐은 1 또는 2개의 C1-16-알킬 기로 치환될 수 있는 것인
    중합체.
  3. 제1항에 있어서,
    R1 및 R2가 서로 독립적으로 C6-30-알킬, C6-30-알케닐 또는 C6-30-알키닐이고,
    여기서 C6-30-알킬, C6-30-알케닐 또는 C6-30-알키닐 기 각각은 할로겐, -CN, -NO2, -NH(C1-20-알킬), -N(C1-20-알킬)2, -NH-C(O)-(C1-20-알킬), -C(O)-C1-20-알킬, -C(O)-OC1-20-알킬, -C(O)NH2, -CO(O)NH-C1-20-알킬, -C(O)N(C1-20-알킬)2, -O-C1-20-알킬 및 N-O-C(O)-C1-20-알킬로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 내지 10개의 치환기로 치환될 수 있는 것인
    중합체.
  4. 제1항에 있어서,
    R1 및 R2가 서로 독립적으로 C6-30-알킬이고,
    여기서 C6-30-알킬 각각은 할로겐, -CN, -NO2, -NH(C1-20-알킬), -N(C1-20-알킬)2, -NH-C(O)-(C1-20-알킬), -C(O)-C1-20-알킬, -C(O)-OC1-20-알킬, -C(O)NH2, -CO(O)NH-C1-20-알킬, -C(O)N(C1-20-알킬)2, -O-C1-20-알킬 및 N-O-C(O)-C1-20-알킬로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 내지 10개의 치환기로 치환될 수 있는 것인
    중합체.
  5. 제1항에 있어서, R1 및 R2가 서로 독립적으로 C10-30-알킬인 중합체.
  6. 삭제
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, n이 5 내지 1,000의 정수인 중합체.
  8. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, n이 5 내지 500의 정수인 중합체.
  9. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, n이 10 내지 100의 정수인 중합체.
  10. 제1항에 있어서, 하기 화학식 1a의 단위를 포함하는 중합체.
    <화학식 1a>
    Figure 112017046728740-pct00028

    상기 식에서, n은 20 내지 100의 정수이다.
  11. 하기 화학식 2의 화합물을 하기 화학식 3 또는 화학식 5의 화합물과 반응시키는 단계를 포함하는, 제1항의 중합체의 제조 방법.
    <화학식 2>
    Figure 112017046728740-pct00030

    상기 식에서,
    R1 및 R2는 서로 독립적으로 C1-30-알킬, C2-30-알케닐, C2-30-알키닐, 페닐 또는 5 내지 8원 헤테로시클릭 고리계이고,
    여기서 C1-30-알킬, C2-30-알케닐 또는 C2-30-알키닐 기 각각은 할로겐, -CN, -NO2, -OH, -NH2, -NH(C1-20-알킬), -N(C1-20-알킬)2, -NH-C(O)-(C1-20-알킬), -S(O)2OH, -CHO, -C(O)-C1-20-알킬, -C(O)OH, -C(O)-OC1-20-알킬, -C(O)NH2, -CO(O)NH-C1-20-알킬, -C(O)N(C1-20-알킬)2, -O-C1-20-알킬, -O-C(O)-C1-20-알킬, -SiH3, SiH2(C1-20-알킬), SiH(C1-20-알킬)2, Si(C1-20-알킬)3, C4-8-시클로알킬, 페닐 및 5 내지 8원 헤테로시클릭 고리계로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 내지 10개의 치환기로 치환될 수 있고,
    페닐 및 5 내지 8원 헤테로시클릭 고리계는 1 내지 5개의 C1-16-알킬 기로 치환될 수 있고,
    X는 트리플레이트 또는 할로겐이다.
    <화학식 3>
    Figure 112017046728740-pct00031

    <화학식 5>
    Figure 112017046728740-pct00032

    상기 식에서,
    R3 및 R4는 서로 독립적으로 H 또는 C1-10-알킬이거나, R3 및 R4는 이들을 연결하는 -O-B-O- 단위와 함께, 1 또는 2개의 C1-6-알킬로 치환될 수 있는 사이클을 형성하고,
    M은 알칼리 금속, 알칼리 토금속 또는 Al이고,
    m은 1, 2 또는 3이고,
    o는 2 또는 3이다.
  12. 반도체 물질로서 제1항의 중합체를 포함하는 전자 장치.
  13. 제12항에 있어서, 유기 전계 효과 트랜지스터인 전자 장치.
  14. 제12항에 있어서, 유기 광기전 장치인 전자 장치.
  15. 삭제
KR1020157019013A 2012-12-18 2013-12-12 나프탈렌디이미드-비닐렌-올리고티오펜-비닐렌 중합체를 기재로 하는 반도체 물질 KR101798739B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP12197747 2012-12-18
EP12197747.4 2012-12-18
PCT/IB2013/060880 WO2014097079A1 (en) 2012-12-18 2013-12-12 Semiconducting materials based on naphthalenediimide-vinylene-oligothiophene-vinylene polymers

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150102047A KR20150102047A (ko) 2015-09-04
KR101798739B1 true KR101798739B1 (ko) 2017-11-16

Family

ID=47435777

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157019013A KR101798739B1 (ko) 2012-12-18 2013-12-12 나프탈렌디이미드-비닐렌-올리고티오펜-비닐렌 중합체를 기재로 하는 반도체 물질

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9644068B2 (ko)
EP (1) EP2935393A4 (ko)
JP (1) JP6161089B2 (ko)
KR (1) KR101798739B1 (ko)
CN (1) CN105051087A (ko)
WO (1) WO2014097079A1 (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107531637B (zh) 2015-03-31 2021-10-22 索尼公司 用于在有机光电二极管中的有机光电转换层的n和p活性材料
WO2019023022A1 (en) * 2017-07-28 2019-01-31 Phillips 66 Company 1,2,5,6-NAPHTHALENEDIIMIDE CO-POLYMER
JP2020528444A (ja) * 2017-07-28 2020-09-24 フイリツプス６６カンパニー １，２，５，６−ナフタレンジイミドモノマーの合成
CN107556461B (zh) * 2017-08-31 2019-12-06 京东方科技集团股份有限公司 聚合物及其制备方法和太阳能电池
CN108084406B (zh) * 2017-12-11 2020-01-17 华南协同创新研究院 基于侧链含吸光型受体的n型共轭聚合物及其制备和应用
CN108727568B (zh) * 2018-06-08 2020-10-16 福建师范大学 可交联的基于萘二酰亚胺的全聚物太阳能电池受体材料、制备方法及其应用
CN113896865A (zh) * 2021-10-21 2022-01-07 福州大学 含多巴胺衍生侧链的萘酰亚胺聚合物半导体及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101965374A (zh) 2008-02-05 2011-02-02 巴斯夫欧洲公司 萘-酰亚胺半导体聚合物
WO2011144537A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Eni S.P.A. Photoactive composition with a high mobility of the electronic holes

Family Cites Families (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3844916A (en) 1972-09-18 1974-10-29 Desoto Inc Radiation curable non-gelled michael addition reaction products
US4189445A (en) 1977-10-08 1980-02-19 Basf Aktiengesellschaft Surface-active phenolic derivatives
DE2909994A1 (de) 1979-03-14 1980-10-02 Basf Ag Acylphosphinoxidverbindungen, ihre herstellung und verwendung
DE2853921A1 (de) 1978-12-14 1980-07-03 Basf Ag Strahlungshaertbare waessrige bindemitteldispersionen
DE2936039A1 (de) 1979-09-06 1981-04-02 Bayer Ag, 5090 Leverkusen Wasserdispergierbare, durch strahlen vernetzbare bindemittel aus urethanacrylaten, ein verfahren zu ihrer herstellung sowie die verwendung dieser bindemittel in waessriger dispersion auf dem anstrich-, druckfarben- und textilsektor
DE3005036A1 (de) 1980-02-11 1981-08-27 Basf Ag, 6700 Ludwigshafen Strahlungshaertbare waessrige bindemitteldispersionen
DE3017543A1 (de) 1980-05-08 1981-11-26 Bayer Ag, 5090 Leverkusen Waessrige dispersionen auf basis von (meth)acrylsaeurealkylester-polymerisaten mit zwei ausgepraegten, praktisch sich nicht ueberlappenden maxima in der teilchengroessenverteilung innerhalb spezieller teilchengroessenbereiche, sowie verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung
DE3114341A1 (de) 1981-04-09 1982-11-11 Basf Ag, 6700 Ludwigshafen Acylphosphinverbindungen, ihre herstellung und verwendung
US4575330A (en) 1984-08-08 1986-03-11 Uvp, Inc. Apparatus for production of three-dimensional objects by stereolithography
DE3443221A1 (de) 1984-11-27 1986-06-05 ESPE Fabrik pharmazeutischer Präparate GmbH, 8031 Seefeld Bisacylphosphinoxide, ihre herstellung und verwendung
GB2180358B (en) 1985-07-16 1989-10-04 Mead Corp Photosensitive microcapsules and their use on imaging sheets
US4977511A (en) 1985-11-20 1990-12-11 The Mead Corporation Photosensitive materials containing ionic dye compound as initiators
DE3612442A1 (de) 1986-04-12 1987-10-22 Bayer Ag Verfahren zur herstellung von uv-gehaerteten deckend pigmentierten beschichtungen
DE3706355A1 (de) 1987-02-27 1988-09-08 Basf Ag Additionsprodukte aus acrylaten und aminen sowie deren verwendung in strahlungshaertbaren massen
EP0304782B1 (de) 1987-08-24 1993-12-01 Hoechst Aktiengesellschaft Neue 6-Acyl-(6H)-dibenz[c,e] [1,2]oxaphosphorin-6-oxyde, ihre Herstellung und Verwendung als Photoinitiatoren
US5013768A (en) 1989-12-19 1991-05-07 Dai Nippon Toryo Co., Ltd. Photopolymerizable coating composition and process for forming a coating having a stereoscopic pattern
DE69112852T2 (de) 1990-01-16 1996-05-15 Showa Denko Kk Polymerisationsinitiator verwendbar in der Nähe von Infrarot.
DE4018873A1 (de) 1990-06-13 1991-12-19 Basf Ag Verwendung von kondensaten auf basis von arylsulfonsaeuren und formaldehyd als dispergiermittel
DE4033215A1 (de) 1990-10-19 1992-04-23 Hoechst Ag Acyl-(2'-hydroxybiphenyl-2-yl)-phosphinsaeuresalze, ihre herstellung und verwendung
DE59107840D1 (de) 1990-11-21 1996-06-27 Ciba Geigy Ag Silylierte Acylphosphinoxide
DE4225921A1 (de) 1992-08-05 1994-02-10 Bayer Ag Aminoacrylate, ein Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
DE4228514A1 (de) 1992-08-27 1994-03-03 Hoechst Ag Bindemittel für Pulverlacke
BE1007373A3 (nl) 1993-07-30 1995-05-30 Dsm Nv Stralingsuithardbare bindmiddelsamenstelling voor poederverfformuleringen.
DE4414088A1 (de) 1994-04-22 1995-10-26 Basf Ag Gele mit thermotropen Eigenschaften
JPH07331141A (ja) 1994-06-03 1995-12-19 Brother Ind Ltd 記録用インク
DE4434554A1 (de) 1994-09-28 1996-04-04 Basf Ag Strahlungshärtbare wäßrige Polyurethandispersionen
EP0731121A3 (de) 1995-03-09 1997-06-11 Basf Ag Aminomodifizierte Urethanacrylate
DE19700064A1 (de) 1996-01-13 1997-07-17 Basf Ag Gele mit thermotropen Eigenschaften
US5922473A (en) 1996-12-26 1999-07-13 Morton International, Inc. Dual thermal and ultraviolet curable powder coatings
DE19727767A1 (de) 1997-06-30 1999-01-07 Basf Ag Als Ink-Jet-Tinten geeignete Pigmentzubereitungen mit strahlungshärtbarem Bindemittel
NL1006621C2 (nl) 1997-07-18 1999-01-19 Dsm Nv Stralingsuithardbare coatingsamenstelling.
WO2000010974A2 (en) 1998-08-20 2000-03-02 Dsm N.V. Process for the preparation of a maleimide compound, maleimide compound, radiation-curable compositions comprising said compound and coated products
WO2000020517A2 (en) 1999-01-19 2000-04-13 Dsm N.V. Radiation-curable compositions comprising maleimide compounds and method for producing a substrate with a cured layer
DE19951063A1 (de) 1999-10-22 2001-04-26 Espe Dental Ag Amalgamersatz
ATE287901T1 (de) 1999-12-09 2005-02-15 Ciba Sc Holding Ag Verwendung von einer zusatzzusammensetzung zur erhöhung der lagerstabilität von äthylenischen ungesättigten harzen
JP2001226469A (ja) * 1999-12-10 2001-08-21 Fuji Photo Film Co Ltd 新規重合体、発光素子材料およびそれを使用した発光素子
SG98433A1 (en) 1999-12-21 2003-09-19 Ciba Sc Holding Ag Iodonium salts as latent acid donors
GB2360283B (en) 2000-02-08 2002-08-21 Ciba Sc Holding Ag Monoacylarylphosphines and acylphosphine oxides and sulphides
DE10206117A1 (de) 2002-02-13 2003-08-14 Basf Ag Acyl- und Bisacylphosphinderivate
DE10206096A1 (de) 2002-02-13 2003-08-14 Basf Ag Mono- und Bisacylphosphinderivate
EP1594904A1 (en) 2003-02-20 2005-11-16 Ciba SC Holding AG Photocurable compositions
EP1734088B1 (en) 2004-03-26 2015-05-13 Canon Kabushiki Kaisha Active energy radiation hardenable water base ink composition and utilizing the same, method of inkjet recording, ink cartridge, recording unit and inkjet recording apparatus
US20070249484A1 (en) 2004-07-21 2007-10-25 Johannes Benkhoff Process for the Photoactivation and use of a Catalyst by an Inverted Two-Stage Procedure
US7687657B2 (en) 2004-11-23 2010-03-30 Ciba Speciality Chemicals Corporation Process for preparing acylphosphanes and derivatives thereof
WO2006056542A1 (de) 2004-11-24 2006-06-01 Alstom Technology Ltd Abdeckkappe
DE502005006753D1 (de) 2005-08-01 2009-04-16 Ivoclar Vivadent Ag Photopolymerisierbare Dentalmaterialien mit Bisacylphosphinoxiden als Initiator
ITMI20081211A1 (it) * 2008-06-30 2010-01-01 Eni Spa Copolimeri coniugati a basso gap e relativo procedimento di preparazione
WO2010052287A1 (en) * 2008-11-07 2010-05-14 Basf Se Organic semiconducting polymers
CN101407574B (zh) * 2008-12-01 2011-11-23 中国科学院长春应用化学研究所 含二噻吩并吡咯的给体-受体型共轭聚合物及制法和应用
CN101504971B (zh) * 2009-02-17 2011-06-15 电子科技大学 一种基于双极有机材料的有机光电器件及其制备方法
JP5951479B2 (ja) 2009-04-20 2016-07-13 イーティーエイチ・チューリッヒ ポリマーナノ粒子
US8883873B2 (en) 2009-05-18 2014-11-11 Agfa Graphics Nv Polymerizable polymeric photoinitiators and radiation curable compositions
EP2550687A1 (en) * 2010-03-25 2013-01-30 Polyera Corporation Conjugated polymers and devices incorporating same
EP2558427B1 (en) 2010-06-30 2017-05-31 DSM IP Assets B.V. D1492 liquid bapo photoinitiator and its use in radiation curable compositions
CN102344551B (zh) * 2010-07-30 2013-04-03 海洋王照明科技股份有限公司 含萘四羧酸二酰亚胺单元有机半导体材料及其制备方法和应用
CN102344553B (zh) * 2010-08-03 2014-02-19 海洋王照明科技股份有限公司 一类萘四羧酸二酰亚胺有机半导体材料及其制备方法和应用
CN102924509A (zh) 2011-08-09 2013-02-13 陈婷 双膦酰膦酸酯化合物
CN103044662A (zh) * 2011-10-11 2013-04-17 中国科学院化学研究所 芳酰亚胺共轭聚合物、其制备方法及其在有机光电子器件中的应用
CN103044660A (zh) * 2011-10-11 2013-04-17 中国科学院化学研究所 芳酰亚胺共轭聚合物、其制备方法及其在有机光电子器件中的应用
US10005879B2 (en) * 2012-02-03 2018-06-26 Basf Se Method for producing an organic semiconductor device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101965374A (zh) 2008-02-05 2011-02-02 巴斯夫欧洲公司 萘-酰亚胺半导体聚合物
JP2011514399A (ja) 2008-02-05 2011-05-06 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア ナフタレン−イミド半導体ポリマー
WO2011144537A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Eni S.P.A. Photoactive composition with a high mobility of the electronic holes

Also Published As

Publication number Publication date
CN105051087A (zh) 2015-11-11
EP2935393A4 (en) 2016-06-01
JP6161089B2 (ja) 2017-07-12
JP2016504455A (ja) 2016-02-12
US20150333264A1 (en) 2015-11-19
WO2014097079A1 (en) 2014-06-26
KR20150102047A (ko) 2015-09-04
US9644068B2 (en) 2017-05-09
EP2935393A1 (en) 2015-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101798739B1 (ko) 나프탈렌디이미드-비닐렌-올리고티오펜-비닐렌 중합체를 기재로 하는 반도체 물질
WO2013018951A1 (ko) 3,6-카바졸을 포함하는 전도성 고분자 및 이를 이용한 유기태양전지
KR101824767B1 (ko) 헤테로고리 화합물, 단분자, 고분자 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
KR101781708B1 (ko) 유기 전자기기를 위한 헤테로아센 화합물
JP2016521263A (ja) フラーレン誘導体、これを用いた有機太陽電池およびその製造方法
KR20160101701A (ko) 헤테로환 화합물 및 이를 포함하는 유기 태양 전지
CN103827165A (zh) 溶解度发生改变的组合物、空穴传输材料组合物和使用了它们的有机电子元件
KR20150113631A (ko) 헤테로환 화합물 및 이를 포함하는 유기 태양 전지
KR101486694B1 (ko) 디케토피페리디노피페리딘 공중합체 기재의 반도체 물질
KR101489617B1 (ko) 티에노티오펜-2,5-디온 올리고머 및 중합체 기재의 반도체 물질
KR102176846B1 (ko) 헤테로환 화합물 및 이를 포함하는 유기 태양 전지
KR20180137942A (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
JP6873253B2 (ja) 化合物及びこれを含む有機太陽電池
CN108503655B (zh) 一种杂环化合物及使用该杂环化合物的有机电子装置
KR20180106932A (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 태양 전지
KR20150130192A (ko) 공중합체 및 이를 포함하는 유기 태양 전지
JP5665993B2 (ja) フルオレンを含む有機半導体材料、及び、その調合法
EP3553063B1 (en) Compound and organic solar cell comprising same
KR102083711B1 (ko) 헤테로환 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
KR101775758B1 (ko) 금속 착물 및 이를 포함하는 유기 태양 전지
KR101703118B1 (ko) 전자 수송 재료 및 이를 이용한 유기 전기 발광 소자
CN108484418B (zh) 一类支化蓝色荧光分子及其制备方法与应用
KR20150133219A (ko) 반도체 고분자들
KR102056515B1 (ko) 조성물 및 이를 포함하는 유기전자소자
KR101620138B1 (ko) 축합고리 화합물, 이를 포함하는 유기 태양 전지 및 이의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
N231 Notification of change of applicant
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant