JP2008251934A - 半導体チップの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ウエハの回路面を紫外線硬化型ウエハ保護テープ12で覆った状態で、ウエハ裏面を研削し、ウエハを多数のチップ20に分割、個片化する。そして、紫外線硬化型ウエハ保護テープ12に紫外線を照射し、紫外線硬化型粘着剤層16を硬化させる(硬化工程)。硬化工程において、酸素濃度が10%以下の環境で紫外線硬化型粘着剤層16を硬化させることにより、紫外線硬化型ウエハ保護テープ12をチップ20から容易に剥離可能とし、さらにチップ20の端部等に紫外線硬化型粘着剤層16の一部が残留することを防止する。
【選択図】図3
Description
表1に示す紫外線硬化型粘着剤A〜Hは、以下のように生成される。ここでは、これらの紫外線硬化型粘着剤のうち、粘着剤Aおよび粘着剤Fの紫外線硬化型粘着剤の生成方法を示す。
主モノマーとしてアクリル酸ブチル(BA)を70重量部、官能基含有モノマーとして2−ヒドロキシエチルアクリレート(HEA)を30重量部用いて酢酸エチル溶媒中で溶液重合し、重量平均分子量500,000、ガラス転移温度−7℃のアクリル系共重合体を生成した。このアクリル系共重合体の固形分100重量部と、不飽和基含有化合物(不飽和基含有モノマー)としてのメタクリロイルオキシエチルイソシアナート(MOI)8重量部(アクリル系共重合体の官能基であるヒドロキシル基100当量に対して66.5当量)とを反応させ、紫外線硬化型アクリル共重合体の酢酸エチル溶液(30%溶液)を得た。
主モノマーとしてアクリル酸ブチル(BA)を85重量部、メタクリル酸メチル(MMA)を10重量部、官能基含有モノマーとして2−ヒドロキシエチルアクリレート(HEA)を5重量部用いて酢酸エチル溶媒中で溶液重合し、重量平均分子量500,000、ガラス転移温度−7℃のアクリル系共重合体の酢酸エチル溶液(30%溶液)を得た。このアクリル系共重合体の固形分100重量部に対し、架橋剤として0.625重量部(固形比)の多価イソシアナート化合物CL(日本ポリウレタン社製・コロネートL)と、光重合開始剤PI(チバ・スペシャルティケミカルズ社製、イルガキュア184)3.3重量部(固形比)を混合し、さらにウレタンアクリレート(日本合成化学工業社製、シコウUV−3210EA、重量平均分子量9,000)を100重量部(固形比)配合して、紫外線硬化型粘着剤である粘着剤Fを得た。
次に、実施例1〜8、および比較例1〜8の紫外線硬化型ウエハ保護テープの製造方法を示す。上記の方法で得られた紫外線硬化型粘着剤を、ロールナイフコーターを用いて、乾燥後の塗布厚が40μmとなるように、剥離シートとしてシリコーン剥離処理をしたポリエチレンテレフタレートフィルム(厚さ38μm)の剥離処理面に塗布し、100℃で1分間乾燥した後、基材14としての厚さ110μmのポリエチレンフィルムと積層し、表2に記載した通りの紫外線硬化型粘着剤層16を有する実施例1〜8、および比較例1〜8の紫外線硬化型ウエハ保護テープ12を作成した。
◎:DBG工程後のウエハ上に、粘着剤残渣物が全く観察されなかった。
○:DBG工程後のウエハ上に、実用上問題ない範囲での粘着剤残渣物がごくわずかに観察された。
△:DBG工程後のウエハ上に、粘着剤残渣物が観察された。
×:DBG工程後のウエハ上に、粘着剤残渣物が多く観察された。
10D 切り込み深さ
10K 溝
10R 裏面
10S 回路面
10T 厚さ
12 紫外線硬化型ウエハ保護テープ(表面保護シート)
14 基材
16 紫外線硬化型粘着剤層
18 グラインダ
20 チップ(半導体チップ)
20G 研削面
20K 隙間
24 ピックアップ用粘着シート
26 ピン
Claims (6)
- 半導体回路が形成された回路面に溝を有するウエハに、表面保護シートの紫外線硬化型粘着剤層が前記回路面を覆うように貼着された状態で、前記ウエハの裏面が研削されて前記溝により分割されたチップが形成される半導体チップの製造方法において、
酸素濃度が10%以下の環境において前記表面保護シートに紫外線を照射して前記紫外線硬化型粘着剤層を硬化させる硬化工程を備えることを特徴とする半導体チップの製造方法。 - 硬化した前記表面保護シートを前記回路面から剥離する剥離工程をさらに有することを特徴とする請求項1に記載の半導体チップの製造方法。
- 前記硬化工程において、不活性ガス雰囲気下で前記表面保護シートに紫外線を照射して前記紫外線硬化型粘着剤層を硬化させることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体チップの製造方法。
- 前記硬化工程における紫外線硬化前の状態で、前記紫外線硬化型粘着剤層の貯蔵弾性率が25℃において0.20MPa以下であり、tanδの値が25℃において0.20以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の半導体チップの製造方法。
- 前記硬化工程における紫外線硬化後の状態で、前記紫外線硬化型粘着剤層の貯蔵弾性率が25℃において30MPa以上であり、tanδの値が25℃において0.60以下であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の半導体チップの製造方法。
- 前記硬化工程と前記剥離工程との間で、前記チップをピックアップするためのピックアップ用粘着シートを前記チップの研削面に貼着するピックアップシート貼着工程をさらに有することを特徴とする請求項2に記載の半導体チップの製造方法。
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