KR101523124B1 - 할로젠 화합물, 다환계 화합물 및 그것을 사용한 유기 전기발광 소자 - Google Patents

할로젠 화합물, 다환계 화합물 및 그것을 사용한 유기 전기발광 소자 Download PDF

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Abstract

탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자로 가교된 π공액 헤테로아센 골격을 갖는 다환계 화합물, 그의 합성에 사용할 수 있는 할로젠 화합물, 및 음극과 양극 사이에 발광층을 포함하는 1층 이상의 유기 박막층을 갖고, 상기 유기 박막층 중 적어도 1층이 상기 유기 전기발광 소자용 재료를 함유하는 유기 전기발광 소자로서, 발광 효율이 높고, 장수명인 유기 전기발광 소자 및 그것을 실현하는 다환계 화합물, 그의 중간체인 할로젠 화합물을 제공한다.

Description

할로젠 화합물, 다환계 화합물 및 그것을 사용한 유기 전기발광 소자{HALOGEN COMPOUND, POLYCYCLIC COMPOUND, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT COMPRISING THE POLYCYCLIC COMPOUND}
본 발명은 할로젠 화합물, 다환계 화합물 및 그것을 사용한 유기 전기발광 소자에 관한 것으로서, 특히 발광 효율이 높고, 장수명인 유기 전기발광 소자 및 그것을 실현하는 다환계 화합물, 그의 중간체인 할로젠 화합물에 관한 것이다.
유기 전기발광 소자(이하, 전기 발광을 EL이라 약기하는 경우가 있음)는, 전계를 인가하는 것에 의해, 양극으로부터 주입된 정공과 음극으로부터 주입된 전자의 재결합 에너지에 의해 형광성 물질이 발광하는 원리를 사용한 자발광 소자이다. 저전압 구동의 적층형 유기 EL 소자가 보고된 이래, 유기 재료를 구성 재료로 하는 유기 EL 소자에 관한 연구가 활발히 행해지고 있다. 이 적층형 소자에서는, 트리스(8-퀴놀리놀라토)알루미늄을 발광층에, 트라이페닐다이아민 유도체를 정공 수송층에 사용하고 있다. 적층 구조의 이점으로서는, 발광층에의 정공의 주입 효율을 높이는 것, 음극으로부터 주입된 전자를 블로킹하여 재결합에 의해 생성되는 여기자의 생성 효율을 높이는 것, 발광층 내에서 생성된 여기자를 가두는 것 등을 들 수 있다. 이러한 예와 같이, 유기 EL 소자의 소자 구조로서는, 정공 수송(주입)층, 전자 수송 발광층의 2층형, 또는 정공 수송(주입)층, 발광층, 전자 수송(주입)층의 3층형 등이 잘 알려져 있다. 이러한 적층형 구조 소자에서는 주입된 정공과 전자의 재결합 효율을 높이기 위해, 소자 구조나 형성 방법의 연구가 행해지고 있다.
유기 EL 소자의 발광 재료로서는, 트리스(8-퀴놀리놀라토)알루미늄 착체 등의 킬레이트 착체, 쿠마린 유도체, 테트라페닐뷰타다이엔 유도체, 다이스티릴아릴렌 유도체, 옥사다이아졸 유도체 등의 발광 재료가 알려져 있고, 이들로부터는 청색부터 적색까지의 가시 영역의 발광이 얻어지는 것이 보고되어 있어, 컬러 표시 소자의 실현이 기대되고 있다.
또한, 최근에는 유기 EL 소자의 발광층에 형광 재료 이외에, 인광 발광 재료를 이용하는 것도 제안되고 있다. 이와 같이 유기 EL 소자의 발광층에 있어서 유기 인광 발광 재료의 여기 상태의 1중항 상태와 3중항 상태를 이용하여, 높은 발광 효율이 달성되고 있다. 유기 EL 소자 내에서 전자와 정공이 재결합할 때에는 스핀 다중도의 차이로부터 1중항 여기자와 3중항 여기자가 1:3의 비율로 생성된다고 생각되고 있기 때문에, 인광 발광성 발광 재료를 사용하면 형광만을 사용한 소자에 비해 3 내지 4배의 발광 효율의 달성을 생각할 수 있다.
이러한 유기 EL 소자용 재료가 기재된 발명으로서 특허문헌 1 내지 7을 들 수 있다.
특허문헌 1에는, 터페닐렌 골격을 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자 등으로 가교시킨 구조를 모골격으로 하는 화합물이 기재되어 있다. 주로 정공 수송 재료로서의 데이터가 개시되어 있지만, 발광층에 있어서의 인광 발광성 재료의 호스트 재료로서 사용하는 기재도 있다. 그러나, 그 기재는 적색 인광 발광 소자에 한정되어 있고, 또한 발광 효율도 낮아 실용으로서는 불충분하다.
특허문헌 2에는, 질소 원자 상 또는 방향환 상에 치환기를 갖는 인돌로카바졸(indolocarbazole) 화합물이 기재되어 있다. 정공 수송 재료로서의 사용이 제안되어 있고, 열적, 형태적으로 안정한 박막 정공 수송층이 조제 가능하다는 기재가 있다. 그러나, 인광 발광성 재료와 함께 사용하는 호스트 재료 또는 전자 수송 재료로서의 유효성을 나타내는 데이터는 기재되어 있지 않다.
특허문헌 3에는, 질소 원자 상 또는 방향환 상에 치환기를 갖는 인돌로카바졸 화합물이 기재되어 있다. 이들을 발광층에 있어서의 인광 발광성 재료의 호스트 재료에 사용한 녹색 발광 소자의 데이터가 개시되어 있지만, 인가 전압이 높고, 또한 발광 효율도 낮아, 실용으로서는 불충분하다.
특허문헌 4에는, 치환기를 갖는 인돌로카바졸 화합물이 기재되어 있고, 발광층에 있어서의 인광 발광성 재료의 호스트 재료로서 기능하는 것이 기재되어 있다. 그러나, 이러한 화합물은 연결기를 통해 이량체나 삼량체 구조를 갖는 것이 특징이어서, 분자량이 큰 경향이 있다. 이들을 사용한 녹색 인광 발광 소자의 데이터가 개시되어 있지만, 사용되고 있는 것은 모두 분자량이 800 이상으로 크다. 분자량이 큰 재료는 진공 증착의 효율이 나쁘고, 장시간의 가열에 의한 분해도 우려되기 때문에, 실용상의 관점에서는 불충분하다고 생각된다.
특허문헌 5 및 6에는, 방향환 상에 치환기를 갖는 인데노플루오렌 화합물이 기재되어 있고, 발광층에 있어서의 형광 발광성 재료로서 기능하는 것이 기재되어 있다. 그러나, 인광 발광성 재료와 함께 사용하는 호스트 재료 또는 전자 수송 재료로서의 유효성을 나타내는 데이터는 기재되어 있지 않다.
특허문헌 7에는, 터페닐렌 골격을 황 원자, 붕소 원자, 인 원자로 가교시킨 구조를 모골격으로 하는 화합물이 기재되어 있다. 이러한 화합물은 우수한 내산화성을 갖고, 도포법에 의한 유기 반도체 활성층 형성이 가능하다는 기재가 있다. 그러나, 형광 발광성 재료 또는 인광 발광성 재료와 함께 사용하는 호스트 재료 또는 전자 수송 재료로서의 유효성을 나타내는 데이터는 기재되어 있지 않다.
WO 제2006/122630호 팜플렛 EP 제0908787호 공보 WO 제2007/063796호 팜플렛 WO 제2007/063754호 팜플렛 US 제2002/0132134호 공보 US 제2003/0044646호 공보 일본 특허공개 제2008-81494호 공보
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로서, 발광 효율이 높고, 장수명인 유기 EL 소자 및 그것을 실현하는 다환계 화합물, 그의 중간체인 할로젠 화합물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해 예의 연구를 거듭한 결과, 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 다환계 화합물을 유기 EL 소자용 재료로서 사용하는 것에 의해, 상기 목적을 달성하는 것을 발견하여 본 발명을 완성했다.
즉, 본 발명은 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 다환계 화합물을 제공한다.
Figure 112010079763108-pct00001
Figure 112010079763108-pct00002
[화학식 1 및 2에서, Ar1, Ar2 및 Ar3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 6의 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, Ar1, Ar2 및 Ar3은 치환기 Y를 1개 또는 복수 개 갖고 있을 수도 있고, 복수 개인 경우는 각각 다를 수도 있고, Y는 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 Ar1, Ar2, Ar3과 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기를 나타낸다.
화학식 1 및 2에서, X1, X2, X3 및 X4는 각각 독립적으로 산소(O), 황(S), N-R1 또는 CR2R3을 나타낸다.
상기 R1, R2 및 R3은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 3 내지 24의 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, X1과 X2가 모두 N-R1이고, o, p가 0이고 q가 1인 경우, 또는 X1과 X3이 모두 N-R1이고, p, q가 0이고 o가 1인 경우는, R1 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 8 내지 24인 1가 축합 방향족 헤테로환기를 나타낸다.
화학식 1 및 2에서, o, p 및 q는 0 또는 1, s는 1, 2 또는 3을 나타낸다. n은 2, 3 또는 4를 나타내고, 각각 L3을 연결기로 한 이량체, 삼량체, 사량체이다.
화학식 1 및 2에서, L1은 단일 결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬렌기, 2가 실릴기 또는 탄소수 2 내지 20의 2가 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 Ar1과 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 1가 또는 2가 방향족 헤테로환기를 나타낸다.
화학식 1에서, L2는 단일 결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬렌기, 2가 실릴기 또는 탄소수 2 내지 20의 2가 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 Ar3과 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, X1과 X2가 모두 CR2R3이고, o, p가 0이고 q가 1이며, 또한 L1, L2가 모두 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기인 경우, 또는 X1과 X3이 모두 CR2R3이고, p, q가 0이고 o가 1이며, 또한 L1, L2가 모두 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기인 경우, L1, L2는 동시에 Ar2에 대하여 파라 위치에 연결되는 경우는 없다.
화학식 2에서, L3은, n이 2인 경우, 단일 결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬렌기, 2가 실릴기 또는 탄소수 2 내지 20의 2가 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 Ar3과 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기를 나타내고, n이 3인 경우, 탄소수 1 내지 20의 3가 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 3가 환상 포화 탄화수소기, 3가 실릴기 또는 실릴기 또는 탄소수 1 내지 20의 3가 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 3가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 Ar3과 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 3가 방향족 헤테로환기를 나타내고, n이 4인 경우, 탄소수 1 내지 20의 4가 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 4가 환상 포화 탄화수소기, 규소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 4가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 Ar3과 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 4가 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, X1과 X2가 모두 CR2R3이고, o, p가 0이고 q가 1이며, 또한 L1, L3이 모두 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가, 3가 또는 4가 방향족 탄화수소기인 경우, 또는 X1과 X3이 모두 CR2R3이고, p, q가 0이고 o가 1이며, 또한 L1, L3이 모두 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가, 3가 또는 4가 방향족 탄화수소기인 경우, L1, L3은 동시에 Ar2에 대하여 파라 위치에 연결되는 경우는 없다.
화학식 1 및 2에서, A1은, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 L1과 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, L1이 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기인 경우, A1은 수소 원자인 경우는 없다.
화학식 1에서, A2는, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 L2와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, L2가 탄소수 1 내지 20의 알킬기 또는 알킬렌기인 경우, A2는 수소 원자인 경우는 없다. 또한, X1과 X2가 산소(O), 황(S) 또는 CR2R3이고, o, p가 0이고 q가 1이고, L1, L2가 모두 단일 결합이며, 또한 A1과 A2가 모두 수소 원자인 경우, 또는 X1과 X3이 산소(O), 황(S) 또는 CR2R3이고, p, q가 0이고 o가 1이고, L1, L2가 모두 단일 결합이며, 또한 A1과 A2가 모두 수소 원자인 경우, Ar2는 치환기 Y를 1개 또는 복수 개 갖고, Y가 메틸기 또는 비치환된 페닐기인 경우는 없다.
화학식 1 및 2에서, A1, A2, L1, L2 및 L3은 카보닐기를 포함하지 않는다.
화학식 1은 하기 화학식 3으로 표시되는 구조를 취하는 경우는 없다.
Figure 112010079763108-pct00003
단, 화학식 3에 있어서의 X1, X2, A1, A2, L1 및 L2는 화학식 1에 있어서의 X1, X2, A1, A2, L1 및 L2와 같다.
화학식 3에 있어서의 Y1, Y2 및 Y3은, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기, 탄소수 3 내지 20의 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 a, b, c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기를 나타낸다. d, f는 0, 1, 2 또는 3이고, e는 0, 1 또는 2이다.
화학식 2는 하기 화학식 4로 표시되는 구조를 취하는 경우는 없다.
Figure 112010079763108-pct00004
단, 화학식 4에 있어서의 X1, X2, A1, L1, L3 및 n은 화학식 2에 있어서의 X1, X2, A1, L1, L3 및 n과 같다.
화학식 4에 있어서의 Y1, Y2 및 Y3은, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기, 탄소수 3 내지 20의 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 a, b, c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기를 나타낸다. d, f는 0, 1, 2 또는 3이고, e는 0, 1 또는 2이다.]
또한, 본 발명은 상기 다환계 화합물에 사용할 수 있는 하기 화학식 30으로 표시되는 할로젠 화합물을 제공한다.
[화학식 30]
Figure 112010079763108-pct00005
[화학식 30에서, Ar1, Ar2 및 Ar3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 6의 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, Ar1, Ar2 및 Ar3은 치환기 Y를 1개 또는 복수 개 갖고 있을 수도 있고, 복수 개인 경우는 각각 다를 수도 있고, Y는 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 Ar1, Ar2, Ar3과 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기를 나타낸다.
X30, X31은 각각 독립적으로 산소(O), 황(S) 또는 N-R1을 나타낸다.
상기 R1은, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 3 내지 24의 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, X30과 X31이 모두 N-R1인 경우는, R1 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 8 내지 24인 1가 축합 방향족 헤테로환기를 나타낸다.
Z는 할로젠 원자이며, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 나타낸다.
t, u, v는 0 또는 1을 나타낸다. 단, t+u+v ≥ 1이다.
화학식 30은 하기 화학식 31로 표시되는 구조를 취하는 경우는 없다.
[화학식 31]
Figure 112010079763108-pct00006
단, 화학식 31에 있어서의 X30, X31, Z, t 및 u는, 화학식 30에 있어서의 X30, X31, Z, t 및 u와 같다.
화학식 31에 있어서의 Y1, Y2 및 Y3은, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 a, b, c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기를 나타낸다. d, f의 수는 0, 1, 2 또는 3이고, e의 수는 0, 1 또는 2이다.]
또한, 본 발명은, 음극과 양극 사이에 발광층을 포함하는 1층 이상의 유기 박막층을 갖고, 상기 유기 박막층 중 적어도 1층이 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자로 가교된 π공액 헤테로아센 골격을 갖는 다환계 화합물을 함유하는 유기 EL 소자를 제공한다.
또한, 이 유기 EL 소자용 재료는, 유기 태양 전지, 유기 반도체 레이저, 유기물을 사용하는 센서, 유기 TFT용 유기 전자 소자용 재료로서도 유효하다.
본 발명에 따르면, 발광 효율이 높고, 장수명인 유기 EL 소자 및 그것을 실현하는 다환계 화합물을 제공할 수 있다.
본 발명의 유기 EL 소자용 재료는 하기 화학식 1 또는 2로 표시된다.
[화학식 1]
Figure 112010079763108-pct00007
[화학식 2]
Figure 112010079763108-pct00008
[화학식 1 및 2에서, Ar1, Ar2 및 Ar3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 6의 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, Ar1, Ar2 및 Ar3은 치환기 Y를 1개 또는 복수 개 갖고 있을 수도 있고, 복수 개인 경우는 각각 다를 수도 있고, Y는 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 Ar1, Ar2, Ar3과 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기를 나타낸다.
화학식 1 및 2에서, X1, X2, X3 및 X4는 각각 독립적으로 산소(O), 황(S), N-R1 또는 CR2R3을 나타낸다.
상기 R1, R2 및 R3은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 3 내지 24의 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, X1과 X2가 모두 N-R1이고, o, p가 0이고 q가 1인 경우, 또는 X1과 X3이 모두 N-R1이고, p, q가 0이고 o가 1인 경우는, R1 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 8 내지 24인 1가 축합 방향족 헤테로환기를 나타낸다.
화학식 1 및 2에서, o, p 및 q는 0 또는 1, s는 1, 2 또는 3을 나타낸다. s가 2 또는 3인 경우, 화학식 1 및 2는 각각 하기와 같이 표시된다.
<s가 2인 경우>
[화학식 1]
Figure 112010079763108-pct00009
[화학식 2]
Figure 112010079763108-pct00010
<s가 3인 경우>
[화학식 1]
Figure 112010079763108-pct00011
[화학식 2]
Figure 112010079763108-pct00012
화학식 1 및 2에서, o, p 및 q는 0 또는 1, s는 1, 2 또는 3을 나타낸다. n은 2, 3 또는 4를 나타내고, 각각 L3을 연결기로 한 이량체, 삼량체, 사량체이다.
화학식 1 및 2에서, L1은 단일 결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬렌기, 2가 실릴기 또는 탄소수 2 내지 20의 2가 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 Ar1과 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 1가 또는 2가 방향족 헤테로환기를 나타낸다.
화학식 1에서, L2는 단일 결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬렌기, 2가 실릴기 또는 탄소수 2 내지 20의 2가 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 Ar3과 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, X1과 X2가 모두 CR2R3이고, o, p가 0이고 q가 1이며, 또한 L1, L2가 모두 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기인 경우, 또는 X1과 X3이 모두 CR2R3이고, p, q가 0이고 o가 1이며, 또한 L1, L2가 모두 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기인 경우, L1, L2는 동시에 Ar2에 대하여 파라 위치에 연결되는 경우는 없다.
화학식 2에서, L3은, n이 2인 경우, 단일 결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬렌기, 2가 실릴기 또는 탄소수 2 내지 20의 2가 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 Ar3과 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기를 나타내고, n이 3인 경우, 탄소수 1 내지 20의 3가 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 3가 환상 포화 탄화수소기, 3가 실릴기 또는 실릴기 또는 탄소수 1 내지 20의 3가 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 3가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 Ar3과 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 3가 방향족 헤테로환기를 나타내고, n이 4인 경우, 탄소수 1 내지 20의 4가 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 4가 환상 포화 탄화수소기, 규소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 4가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 Ar3과 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 4가 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, X1과 X2가 모두 CR2R33이고, o, p가 0이고 q가 1이며, 또한 L1, L3이 모두 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가, 3가 또는 4가 방향족 탄화수소기인 경우, 또는 X1과 X3이 모두 CR2R3이고, p, q가 0이고 o가 1이며, 또한 L1, L3이 모두 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가, 3가 또는 4가 방향족 탄화수소기인 경우, L1, L3은 동시에 Ar2에 대하여 파라 위치에 연결되는 경우는 없다.
화학식 1 및 2에서, A1은, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 L1과 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, L1이 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기인 경우, A1은 수소 원자인 경우는 없다.
화학식 1에서, A2는, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 L2와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, L2가 탄소수 1 내지 20의 알킬기 또는 알킬렌기인 경우, A2는 수소 원자인 경우는 없다. 또한, X1과 X2가 산소(O), 황(S) 또는 CR2R3이고, o, p가 0이고 q가 1이고, L1, L2가 모두 단일 결합이며, 또한 A1과 A2가 모두 수소 원자인 경우, 또는 X1과 X3이 산소(O), 황(S) 또는 CR2R3이고, p, q가 0이고 o가 1이고, L1, L2가 모두 단일 결합이며, 또한 A1과 A2가 모두 수소 원자인 경우, Ar2는 치환기 Y를 1개 또는 복수 개 갖고, Y가 메틸기 또는 비치환된 페닐기인 경우는 없다.
화학식 1 및 2에서, A1 및/또는 A2가 피리미딜기, 트라이아질기, 플루오렌일기 또는 다이벤조퓨란일기인 경우, 전자 수송성이 향상되어, 상기 다환계 화합물을 사용한 소자의 저전압화를 기대할 수 있다.
화학식 1 및 2에서, A1 및/또는 A2가 카바졸릴기인 경우, 정공 수송성이 향상되어, 상기 다환계 화합물을 사용한 소자의 저전압화를 기대할 수 있다.
화학식 1 및 2에서, A1 및/또는 A2가 피리미딜기, 트라이아질기, 플루오렌일기, 다이벤조퓨란일기 또는 카바졸릴기인 경우, 이들의 치환기가 추가로 적어도 하나 이상의 아릴기(바람직하게는, 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 또는 쿼터페닐기, 특히 바람직하게는 페닐기, 메타바이페닐기, 메타터페닐기)를 치환기로서 갖는 것에 의해, 분자의 안정성이 향상되어, 상기 다환계 화합물을 사용한 소자의 장수명화를 기대할 수 있다. 상기 피리미딜기, 트라이아질기, 플루오렌일기, 다이벤조퓨란일기 또는 카바졸릴기는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 구체예로서 이하의 예를 들 수 있다.
(피리미딜기)
(트라이아질기)
Figure 112010079763108-pct00014
(플루오렌일기)
Figure 112010079763108-pct00015
이 중에서도 특히 바람직하게는, 이하의 치환기이다.
Figure 112010079763108-pct00016
(다이벤조퓨란일기)
Figure 112010079763108-pct00017
이 중에서도 특히 바람직하게는, 이하의 치환기이다.
Figure 112010079763108-pct00018
(카바졸릴기)
Figure 112010079763108-pct00019
이 중에서도 특히 바람직하게는, 이하의 치환기이다.
Figure 112010079763108-pct00020
화학식 1 및 2에서, A1 및/또는 A2가 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기인 경우, 모골격인 π공액 헤테로아센 골격의 캐리어 수송성의 특징을 유지하여, Tg가 높아지고, 적절한 증착 특성이 얻어진다. 또한, A1 및/또는 A2가 2 이상의 벤젠환이 서로 메타 위치에서 결합하는 구조를 갖는 방향족 탄화수소기인 경우, 공액계의 확대를 막아, 3중항 에너지를 넓힐 수 있다. 한편, 본 발명에서 3중항 에너지란, 최저 여기 3중 상태와 기저 상태의 에너지 차이이다.
2 이상의 벤젠환이 서로 메타 위치에서 결합하는 구조를 갖는 예로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 구체예로서,
Figure 112010079763108-pct00021
를 들 수 있고, 이 중에서도 특히 바람직하게는,
Figure 112010079763108-pct00022
의 구조이다.
화학식 1 및 2에서, A1, A2, L1, L2 및 L3은 카보닐기를 포함하지 않는다.
화학식 1은 하기 화학식 3으로 표시되는 구조를 취하는 경우는 없다.
[화학식 3]
Figure 112010079763108-pct00023
단, 화학식 3에 있어서의 X1, X2, A1, A2, L1 및 L2는 화학식 1에 있어서의 X1, X2, A1, A2, L1 및 L2와 같다.
화학식 3에 있어서의 Y1, Y2 및 Y3은, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기, 탄소수 3 내지 20의 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 a, b, c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기를 나타낸다. d, f는 0, 1, 2 또는 3이고, e는 0, 1 또는 2이다.
화학식 2는 하기 화학식 4로 표시되는 구조를 취하는 경우는 없다.
[화학식 4]
Figure 112010079763108-pct00024
단, 화학식 4에 있어서의 X1, X2, A1, L1, L3 및 n은 화학식 2에 있어서의 X1, X2, A1, L1, L3 및 n과 같다.
화학식 4에 있어서의 Y1, Y2 및 Y3은, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기, 탄소수 3 내지 20의 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 a, b, c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기를 나타낸다. d, f는 0, 1, 2 또는 3이고, e는 0, 1 또는 2이다.
화학식 3 및 4에서의 Y1, Y2 및 Y3이 복수 개 벤젠환 a, b, c를 치환하는 경우, 각각 하기와 같이 표시된다.
Figure 112010079763108-pct00025
]
화학식 1로 표시되는 다환계 화합물은, 하기 화학식 5, 7 내지 9, 13, 15 및 17 중 어느 하나로 표시되면 바람직하고, 화학식 2로 표시되는 다환계 화합물은, 하기 화학식 6, 10 내지 12, 14, 16 및 18 중 어느 하나로 표시되면 바람직하다.
Figure 112010079763108-pct00026
Figure 112010079763108-pct00027
[화학식 5 및 6에서, X5 및 X6은 각각 독립적으로 산소(O), 황(S), N-R1 또는 CR2R3을 나타낸다.
상기 R1, R2 및 R3은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 3 내지 24의 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, X5와 X6이 모두 N-R1인 경우는, R1 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 8 내지 24인 1가 축합 방향족 헤테로환기를 나타낸다.
화학식 6에서, n은 2, 3 또는 4를 나타내고, 각각 L3을 연결기로 한 이량체, 삼량체, 사량체이다.
화학식 5 및 6에서, L1은 단일 결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬렌기, 2가 실릴기 또는 탄소수 2 내지 20의 2가 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24의 벤젠환 a와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기를 나타낸다.
화학식 5에서, L2는 단일 결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬렌기, 2가 실릴기 또는 탄소수 2 내지 20의 2가 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24의 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, X5와 X6이 모두 CR2R3이고, 또한 L1, L2가 모두 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 1가 또는 2가 방향족 탄화수소기인 경우, L1, L2는 동시에 벤젠환 b에 대하여 파라 위치에 연결되는 경우는 없다.
화학식 6에서, L3은, n이 2인 경우, 단일 결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬렌기, 2가 실릴기 또는 탄소수 2 내지 20의 2가 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기를 나타내고, n이 3인 경우, 탄소수 1 내지 20의 3가 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 3가 환상 포화 탄화수소기, 3가 실릴기 또는 탄소수 1 내지 20의 3가 치환 실릴기, 치환 또는 비치환이고 환 형성 탄소수 6 내지 24의 3가 방향족 탄화수소기, 또는 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 3가 방향족 헤테로환기를 나타내고, n이 4인 경우, 탄소수 1 내지 20의 4가 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 4가 환상 포화 탄화수소기, 규소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 4가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 4가 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, X5와 X6이 모두 CR2R3이고, 또한 L1, L3이 모두 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가, 3가 또는 4가 방향족 탄화수소기인 경우, L1, L3은 동시에 벤젠환 b에 대하여 파라 위치에 연결되는 경우는 없다.
화학식 5 및 6에서, A1은, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 3 내지 20의 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 L1과 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, L1이 탄소수 1 내지 20의 알킬기 또는 알킬렌기인 경우, A1은 수소 원자인 경우는 없다.
화학식 5에서, A2는, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 L2와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, L2가 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기인 경우, A2는 수소 원자인 경우는 없다.
화학식 5 및 6에서, Y1, Y2 및 Y3은, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 a, b, c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기를 나타낸다. d, f는 0, 1, 2 또는 3이고, e는 0, 1 또는 2이다. 단, X5와 X6이, 산소(O), 황(S) 또는 CR2R3이고, L1, L2가 모두 단일 결합이며, 또한 A1과 A2가 모두 수소 원자인 경우, 벤젠환 b는 Y2를 1개 또는 2개 갖고, Y2가 메틸기 또는 비치환된 페닐기인 경우는 없다.
화학식 5 및 6에서, A1, A2, L1, L2 및 L3은 카보닐기를 포함하지 않는다.]
Figure 112010079763108-pct00028
Figure 112010079763108-pct00029
Figure 112010079763108-pct00030
Figure 112010079763108-pct00031
Figure 112010079763108-pct00032
Figure 112010079763108-pct00033
[화학식 7 내지 12에서, X7, X8, X9, X10, X11 및 X12는 각각 독립적으로 산소(O), 황(S), N-R1 또는 CR2R3을 나타낸다.
상기 R1, R2 및 R3은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 3 내지 24의 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, X7과 X8, X9와 X10, 또는 X11과 X12가 모두 N-R1인 경우는, R1 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 8 내지 24인 1가 축합 방향족 헤테로환기를 나타낸다.
화학식 10 내지 12에서, n은 2, 3 또는 4를 나타내고, 각각 L3을 연결기로 한 이량체, 삼량체, 사량체이다.
화학식 7 내지 12에서, L1은 단일 결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬렌기, 2가 실릴기 또는 탄소수 2 내지 20의 2가 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24의 벤젠환 a와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 1가 또는 2가 방향족 헤테로환기를 나타낸다.
화학식 7 내지 9에서, L2는 단일 결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬렌기, 2가 실릴기 또는 탄소수 2 내지 20의 2가 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 1가 또는 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24의 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, X7과 X8, X9와 X10, 또는 X11과 X12가 모두 CR2R3이고, 또한 L1, L2가 모두 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 1가 또는 2가 방향족 탄화수소기인 경우, L1, L2는 동시에 벤젠환 b에 대하여 파라 위치에 연결되는 경우는 없다.
화학식 10 내지 12에서, L3은, n이 2인 경우, 단일 결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬렌기, 2가 실릴기 또는 탄소수 2 내지 20의 2가 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기를 나타내고, n이 3인 경우, 탄소수 1 내지 20의 3가 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 3가 환상 포화 탄화수소기, 3가 실릴기 또는 탄소수 1 내지 20의 3가 치환 실릴기, 치환 또는 비치환이고 환 형성 탄소수 6 내지 24의 3가 방향족 탄화수소기, 또는 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 3가 방향족 헤테로환기를 나타내고, n이 4인 경우, 탄소수 1 내지 20의 4가 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 4가 환상 포화 탄화수소기, 규소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 4가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 4가 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, X7과 X8, X9와 X10, 또는 X11과 X12가 모두 CR2R3이고, 또한 L1, L3이 모두 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가, 3가 또는 4가 방향족 탄화수소기인 경우, L1, L3은 동시에 벤젠환 b에 대하여 파라 위치에 연결되는 경우는 없다.
화학식 7 내지 12에서, A1은, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 L1과 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, L1이 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기인 경우, A1은 수소 원자인 경우는 없다.
화학식 7 내지 9에서, A2는, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 L2와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, L2가 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기인 경우, A2는 수소 원자인 경우는 없다.
화학식 7 내지 12에서, Y1, Y2 및 Y3은, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 a, b, c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기를 나타낸다. d, f는 0, 1, 2 또는 3이고, e는 0, 1 또는 2이다. 단, X7과 X8, X9와 X10, 또는 X11과 X12가 산소(O), 황(S) 또는 CR2R3이고, L1, L2가 모두 단일 결합이며, 또한 A1과 A2가 모두 수소 원자인 경우, 벤젠환 b는 Y2를 1개 또는 2개 갖고, Y2가 메틸기 또는 비치환된 페닐기인 경우는 없다.
화학식 7 내지 12에서, A1, A2, L1, L2 및 L3은 카보닐기를 포함하지 않는다.]
Figure 112010079763108-pct00034
Figure 112010079763108-pct00035
[화학식 13 및 14에서, X13, X14는 각각 독립적으로 산소(O), 황(S), N-R1 또는 CR2R3을 나타낸다.
상기 R1, R2 및 R3은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 3 내지 24의 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, X13과 X14가 모두 N-R1인 경우는, R1 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 8 내지 24인 1가 축합 방향족 헤테로환기를 나타낸다.
화학식 14에서, n은 2, 3 또는 4를 나타내고, 각각 L3을 연결기로 한 이량체, 삼량체, 사량체이다.
화학식 13 및 14에서, L1은 단일 결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬렌기, 2가 실릴기 또는 탄소수 2 내지 20의 2가 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24의 벤젠환 a와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기를 나타낸다.
화학식 13에서, L2는 단일 결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬렌기, 2가 실릴기 또는 탄소수 2 내지 20의 2가 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24의 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, X13과 X14가 모두 CR2R3이고, 또한 L1, L2가 모두 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기인 경우, L1, L2는 동시에 벤젠환 b에 대하여 파라 위치에 연결되는 경우는 없다.
화학식 14에서, L3은, n이 2인 경우, 단일 결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬렌기, 2가 실릴기 또는 탄소수 2 내지 20의 2가 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기를 나타내고, n이 3인 경우, 탄소수 1 내지 20의 3가 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 3가 환상 포화 탄화수소기, 3가 실릴기 또는 탄소수 1 내지 20의 3가 치환 실릴기, 치환 또는 비치환이고 환 형성 탄소수 6 내지 24의 3가 방향족 탄화수소기, 또는 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 3가 방향족 헤테로환기를 나타내고, n이 4인 경우, 탄소수 1 내지 20의 4가 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 4가 환상 포화 탄화수소기, 규소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 4가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 4가 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, X13과 X14가 모두 CR2R3이고, 또한 L1, L3이 모두 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가, 3가 또는 4가 방향족 탄화수소기인 경우, L1, L3은 동시에 벤젠환 b에 대하여 파라 위치에 연결되는 경우는 없다.
화학식 13 및 14에서, A1은, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 L1과 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, L1이 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기인 경우, A1은 수소 원자인 경우는 없다.
화학식 13에서, A2는, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 L2와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, L2가 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기인 경우, A2는 수소 원자인 경우는 없다.
화학식 13 및 14에서, Y1, Y2 및 Y3은, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 a, b, c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기를 나타낸다. d, f는 0, 1, 2 또는 3이고, e는 0, 1 또는 2이다. 단, X13과 X14가 산소(O), 황(S) 또는 CR2R3이고, L1, L2가 모두 단일 결합이며, 또한 A1과 A2가 모두 수소 원자인 경우, 벤젠환 b는 Y2를 1개 또는 2개 갖고, Y2가 메틸기 또는 비치환된 페닐기인 경우는 없다.
화학식 13 및 14에서, A1, A2, L1, L2 및 L3은 카보닐기를 포함하지 않는다.]
화학식 5 내지 14로 표시되는 화합물이, 각각 하기 화학식 5a 내지 14a, 5b 내지 14b로 표시되는 다환계 화합물이면 바람직하다.
이와 같이, L1-A1-, L2-A2- 등의 치환기의 결합 위치가 메타 위치이면, 공액계의 확대를 막아, 3중항 에너지를 넓힐 수 있기 때문에 바람직하다.
[화학식 5a]
Figure 112010079763108-pct00036
[화학식 5b]
Figure 112010079763108-pct00037
[화학식 6a]
Figure 112010079763108-pct00038
[화학식 6b]
Figure 112010079763108-pct00039
[화학식 7a]
Figure 112010079763108-pct00040
[화학식 7b]
Figure 112010079763108-pct00041
[화학식 8a]
Figure 112010079763108-pct00042
[화학식 8b]
Figure 112010079763108-pct00043
[화학식 9a]
Figure 112010079763108-pct00044
[화학식 9b]
Figure 112010079763108-pct00045
[화학식 10a]
Figure 112010079763108-pct00046
[화학식 10b]
Figure 112010079763108-pct00047
[화학식 11a]
Figure 112010079763108-pct00048
[화학식 11b]
Figure 112010079763108-pct00049
[화학식 12a]
Figure 112010079763108-pct00050
[화학식 12b]
Figure 112010079763108-pct00051
[화학식 13a]
Figure 112010079763108-pct00052
[화학식 13b]
Figure 112010079763108-pct00053
[화학식 14a]
Figure 112010079763108-pct00054
[화학식 14b]
Figure 112010079763108-pct00055
[화학식 5a 내지 14a, 5b 내지 14b에서, X5, X6, X7 내지 X12, X13, X14, L1, L2, L3, A1, A2, Y1, Y2, Y3, n, d, f, e는 상기와 같다.]
상기 화학식 5, 6으로 표시되는 화합물이, 하기 화학식 15, 16 중 어느 하나로 표시되는 벤조퓨라노다이벤조퓨란 유도체이면 바람직하다.
Figure 112010079763108-pct00056
Figure 112010079763108-pct00057
[화학식 16에서, n은 2, 3 또는 4를 나타내고, 각각 L3을 연결기로 한 이량체, 삼량체, 사량체이다.
화학식 15 및 16에서, L1은 단일 결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬렌기, 2가 실릴기 또는 탄소수 2 내지 20의 2가 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24의 벤젠환 a와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기를 나타낸다.
화학식 15에서, L2는 단일 결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬렌기, 2가 실릴기 또는 탄소수 2 내지 20의 2가 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24의 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기를 나타낸다.
화학식 16에서, L3은, n이 2인 경우, 단일 결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬렌기, 2가 실릴기 또는 탄소수 2 내지 20의 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기를 나타내고, n이 3인 경우, 탄소수 1 내지 20의 3가 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 3가 환상 포화 탄화수소기, 3가 실릴기 또는 탄소수 1 내지 20의 3가 치환 실릴기, 치환 또는 비치환이고 환 형성 탄소수 6 내지 24의 3가 방향족 탄화수소기, 또는 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 3가 방향족 헤테로환기를 나타내고, n이 4인 경우, 탄소수 1 내지 20의 4가 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 4가 환상 포화 탄화수소기, 규소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 4가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 4가 방향족 헤테로환기를 나타낸다.
화학식 15 및 16에서, A1은, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 L1과 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, L1이 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기인 경우, A1은 수소 원자인 경우는 없다.
화학식 15에서, A2는, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 L2와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, L2가 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기인 경우, A2는 수소 원자인 경우는 없다.
화학식 15 및 16에서, Y1, Y2 및 Y3은, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 a, b, c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기를 나타낸다. d, f는 0, 1, 2 또는 3이고, e는 0, 1 또는 2이다. 단, L1, L2가 모두 단일 결합이고, 또한 A1과 A2가 모두 수소 원자인 경우, 벤젠환 b는 Y2를 1개 또는 2개 갖고, Y2가 메틸기 또는 비치환된 페닐기인 경우는 없다.
화학식 15 및 16에서, A1, A2, L1, L2 및 L3은 카보닐기를 포함하지 않는다.]
상기 화학식 9, 12로 표시되는 화합물이, 하기 화학식 17, 18 중 어느 하나로 표시되는 벤조퓨라노다이벤조퓨란 유도체이면 바람직하다.
Figure 112010079763108-pct00058
Figure 112010079763108-pct00059
[화학식 18에서, n은 2, 3 또는 4를 나타내고, 각각 L3을 연결기로 한 이량체, 삼량체, 사량체이다.
화학식 17 및 18에서, L1은 단일 결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬렌기, 2가 실릴기 또는 탄소수 2 내지 20의 2가 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24의 벤젠환 a와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기를 나타낸다.
화학식 17에서, L2는 단일 결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬렌기, 2가 실릴기 또는 탄소수 2 내지 20의 2가 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24의 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기를 나타낸다.
화학식 18에서, L3은, n이 2인 경우, 단일 결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬렌기, 2가 실릴기 또는 탄소수 2 내지 20의 2가 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기를 나타내고, n이 3인 경우, 탄소수 1 내지 20의 3가 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 3가 환상 포화 탄화수소기, 3가 실릴기 또는 탄소수 1 내지 20의 3가 치환 실릴기, 치환 또는 비치환이고 환 형성 탄소수 6 내지 24의 3가 방향족 탄화수소기, 또는 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 3가 방향족 헤테로환기를 나타내고, n이 4인 경우, 탄소수 1 내지 20의 4가 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 4가 환상 포화 탄화수소기, 규소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 4가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 4가 방향족 헤테로환기를 나타낸다.
화학식 17 및 18에서, A1은, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 L1과 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, L1이 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기인 경우, A1은 수소 원자인 경우는 없다.
화학식 17에서, A2는, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 L2와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, L2가 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기인 경우, A2는 수소 원자인 경우는 없다.
화학식 17 및 18에서, Y1, Y2 및 Y3은, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 a, b, c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기를 나타낸다. d, f는 0, 1, 2 또는 3이고, e는 0, 1 또는 2이다. 단, L1, L2가 모두 단일 결합이고, 또한 A1과 A2가 모두 수소 원자인 경우, 벤젠환 b는 Y2를 1개 또는 2개 갖고, Y2가 메틸기 또는 비치환된 페닐기인 경우는 없다.
화학식 17 및 18에서, A1, A2, L1, L2 및 L3은 카보닐기를 포함하지 않는다.]
또한, 본 발명은 하기 화학식 19 내지 29로 표시되는 다환계 화합물도 제공한다.
Figure 112010079763108-pct00060
Figure 112010079763108-pct00061
Figure 112010079763108-pct00062
Figure 112010079763108-pct00063
Figure 112010079763108-pct00064
[화학식 19 내지 23에서, X15, X16, X17, X18, X19, X20, X21, X22, X23 및 X24는 각각 독립적으로 산소(O), 황(S), N-R1 또는 CR2R3을 나타낸다.
상기 R1, R2 및 R3은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 3 내지 24의 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, X15와 X16, X17과 X18, X19와 X20, X21과 X22 또는 X23과 X24가 모두 N-R1인 경우는, R1 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 8 내지 24인 1가 축합 방향족 헤테로환기를 나타낸다.
화학식 19 내지 23에서, n은 2, 3 또는 4를 나타내고, 각각 L3을 연결기로 한 이량체, 삼량체, 사량체이다.
화학식 19 내지 23에서, L1은 단일 결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬렌기, 2가 실릴기 또는 탄소수 2 내지 20의 2가 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24의 벤젠환 a와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기를 나타낸다.
화학식 19 내지 23에서, L2는 단일 결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬렌기, 2가 실릴기 또는 탄소수 2 내지 20의 2가 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24의 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, X15와 X16, X17과 X18, X19와 X20, X21과 X22 또는 X23과 X24가 모두 CR2R3이고, 또한 L1, L2가 모두 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 1가 또는 2가 방향족 탄화수소기인 경우, L1, L2는 동시에 벤젠환 b에 대하여 파라 위치에 연결되는 경우는 없다.
화학식 19 내지 23에서, L3은, n이 2인 경우, 단일 결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬렌기, 2가 실릴기 또는 탄소수 2 내지 20의 2가 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 b와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기를 나타내고, n이 3인 경우, 탄소수 1 내지 20의 3가 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 3가 환상 포화 탄화수소기, 3가 실릴기 또는 탄소수 1 내지 20의 3가 치환 실릴기, 치환 또는 비치환이고 환 형성 탄소수 6 내지 24의 3가 방향족 탄화수소기, 또는 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 b와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 3가 방향족 헤테로환기를 나타내고, n이 4인 경우, 탄소수 1 내지 20의 4가 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 4가 환상 포화 탄화수소기, 규소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 4가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 b와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 4가 방향족 헤테로환기를 나타낸다.
화학식 19 내지 23에서, A1은, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 L1과 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, L1이 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기인 경우, A1은 수소 원자인 경우는 없다.
화학식 19 내지 23에서, A2는, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 L2와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, L2가 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기인 경우, A2가 수소 원자인 경우는 없다.
화학식 19 내지 23에서, Y1, Y2 및 Y3은, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 a, b, c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기를 나타낸다. d, f는 0, 1, 2 또는 3이고, e는 0 또는 1이다.
화학식 19 내지 23에서, A1, A2, L1, L2 및 L3은 카보닐기를 포함하지 않는다.]
Figure 112010079763108-pct00065
[화학식 24에서, n은 2, 3 또는 4를 나타내고, 각각 L3을 연결기로 한 이량체, 삼량체, 사량체이다.
화학식 24에서, L1은 단일 결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬렌기, 2가 실릴기 또는 탄소수 2 내지 20의 2가 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24의 벤젠환 a와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기를 나타낸다.
화학식 24에서, L2는 단일 결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬렌기, 2가 실릴기 또는 탄소수 2 내지 20의 2가 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24의 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기를 나타낸다.
화학식 24에서, L3은, n이 2인 경우, 단일 결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬렌기, 2가 실릴기 또는 탄소수 2 내지 20의 2가 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 b와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기를 나타내고, n이 3인 경우, 탄소수 1 내지 20의 3가 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 3가 환상 포화 탄화수소기, 3가 실릴기 또는 탄소수 1 내지 20의 3가 치환 실릴기, 치환 또는 비치환이고 환 형성 탄소수 6 내지 24의 3가 방향족 탄화수소기, 또는 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 b와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 3가 방향족 헤테로환기를 나타내고, n이 4인 경우, 탄소수 1 내지 20의 4가 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 4가 환상 포화 탄화수소기, 규소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 4가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 b와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 4가 방향족 헤테로환기를 나타낸다.
화학식 24에서, A1은, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 L1과 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, L1이 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기인 경우, A1은 수소 원자인 경우는 없다.
화학식 24에서, A2는, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 L2와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, L2가 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기인 경우, A2는 수소 원자인 경우는 없다.
화학식 24에서, Y1, Y2 및 Y3은, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 a, b, c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기를 나타낸다. d, f는 0, 1, 2 또는 3이고, e는 0 또는 1이다.
화학식 24에서, A1, A2, L1, L2 및 L3은 카보닐기를 포함하지 않는다.]
Figure 112010079763108-pct00066
Figure 112010079763108-pct00067
Figure 112010079763108-pct00068
Figure 112010079763108-pct00069
Figure 112010079763108-pct00070
[화학식 25 내지 29에서, X25, X26, X27, X28및 X29는 각각 독립적으로 산소(O), 황(S) 또는 CR2R3을 나타낸다.
상기 R2 및 R3은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 3 내지 24의 방향족 헤테로환기를 나타낸다.
화학식 25 내지 29에서, n은 2, 3 또는 4를 나타내고, 각각 L3을 연결기로 한 이량체, 삼량체, 사량체이다.
화학식 25 내지 29에서, L1은 단일 결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬렌기, 2가 실릴기 또는 탄소수 2 내지 20의 2가 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24의 벤젠환 a와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 1가 또는 2가 방향족 헤테로환기를 나타낸다.
화학식 25 내지 29에서, L2는 단일 결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬렌기, 2가 실릴기 또는 탄소수 2 내지 20의 2가 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24의 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기를 나타낸다.
화학식 25 내지 29에서, L3은, n이 2인 경우, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬렌기, 2가 실릴기 또는 탄소수 2 내지 20의 2가 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 3 내지 24의 2가 방향족 헤테로환기를 나타내고, n이 3인 경우, 탄소수 1 내지 20의 3가 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 3가 환상 포화 탄화수소기, 3가 실릴기 또는 탄소수 1 내지 20의 3가 치환 실릴기, 치환 또는 비치환이고 환 형성 탄소수 6 내지 24의 3가 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 3 내지 24의 3가 방향족 헤테로환기를 나타내고, n이 4인 경우, 탄소수 1 내지 20의 4가 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 4가 환상 포화 탄화수소기, 규소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 4가 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 3 내지 24의 4가 방향족 헤테로환기를 나타낸다.
화학식 25 내지 29에서, A1은, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 L1과 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, L1이 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기인 경우, A1은 수소 원자인 경우는 없다.
화학식 25 내지 29에서, A2는, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 L2와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, L2가 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기인 경우, A2는 수소 원자인 경우는 없다.
화학식 25 내지 29에서, Y1, Y2 및 Y3은, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 a, b, c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기를 나타낸다. d, f의 수는 0, 1, 2 또는 3이고, e의 수는 0, 1 또는 2이다.
화학식 25 내지 29에서, A1, A2, L1, L2 및 L3은 카보닐기를 포함하지 않는다.]
또한, 본 발명의 다환계 화합물의 합성에 사용하기에 적합한 중간체인 하기 화학식 30으로 표시되는 할로젠 화합물을 제공한다.
Figure 112010079763108-pct00071
[화학식 30에서, Ar1, Ar2 및 Ar3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 6의 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, Ar1, Ar2 및 Ar3은 치환기 Y를 1개 또는 복수 개 갖고 있을 수도 있고, 복수 개인 경우는 각각 다를 수도 있고, Y는 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 Ar1, Ar2, Ar3과 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기를 나타낸다.
X30, X31은 각각 독립적으로 산소(O), 황(S) 또는 N-R1을 나타낸다.
상기 R1은, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 3 내지 24의 방향족 헤테로환기를 나타낸다. 단, X30과 X31이 모두 N-R1인 경우는, R1 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 8 내지 24인 1가 축합 방향족 헤테로환기를 나타낸다.
Z는 할로젠 원자이며, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 나타낸다.
t, u, v는 0 또는 1을 나타낸다. 단, t+u+v ≥ 1이다.
화학식 30은 하기 화학식 31로 표시되는 구조를 취하는 경우는 없다.
Figure 112010079763108-pct00072
단, 화학식 31에 있어서의 X30, X31, Z, t 및 u는, 화학식 30에 있어서의 X30, X31, Z, t 및 u와 같다.
화학식 31에 있어서의 Y1, Y2 및 Y3은, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 a, b, c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기를 나타낸다. d, f의 수는 0, 1, 2 또는 3이고, e의 수는 0, 1 또는 2이다.]
화학식 30으로 표시되는 할로젠 화합물은, 하기 화학식 32로 표시되면 바람직하고, 하기 화학식 33 내지 37 중 어느 하나로 표시되면 더 바람직하다.
Figure 112010079763108-pct00073
[화학식 32에서, Y1, Y2 및 Y3은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 a, b, c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기를 나타낸다. d, f의 수는 0, 1, 2 또는 3이고, e의 수는 0, 1 또는 2이다.
Z는 할로젠 원자이며, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 나타낸다.
t, u, v는 0 또는 1을 나타낸다. 단, t+u+v ≥ 1이다.]
Figure 112010079763108-pct00074
Figure 112010079763108-pct00075
Figure 112010079763108-pct00076
[화학식 33 내지 35에서, Y1, Y2 및 Y3은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 a, b, c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기를 나타낸다. d, f의 수는 0, 1, 2 또는 3이고, e의 수는 0, 1 또는 2이다.
Z는 할로젠 원자이며, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 나타낸다.
t, u, v는 0 또는 1을 나타낸다. 단, t+u+v ≥ 1이다.]
Figure 112010079763108-pct00077
Figure 112010079763108-pct00078
[화학식 36 또는 37에서, Y1, Y2 및 Y3은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 a, b, c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기를 나타낸다. d, f의 수는 0, 1, 2 또는 3이고, e의 수는 0, 1 또는 2이다.
Z는 할로젠 원자이며, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 나타낸다.
m1 내지 m8은 각각 0 또는 1을 나타낸다.
단, m1+m2 = 1, m5+m6 ≤ 1, m6+m7+m8 ≥ 1이다.]
화학식 33 내지 37로 표시되는 할로젠 화합물은, 하기 화학식 38로 표시되는 방향족 할로젠 화합물을 분자 내 환화(環化) 반응시키는 것에 의해 얻을 수 있다.
Figure 112010079763108-pct00079
[화학식 38에서, Y1, Y2 및 Y3은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 a, b, c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기를 나타낸다. d, f의 수는 0, 1, 2 또는 3이고, e의 수는 0, 1 또는 2이다.
Z는 할로젠 원자이며, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 나타낸다.
t, u, v는 0 또는 1을 나타낸다. 단, t+u+v ≥ 1이다.]
상기 화학식 38로 표시되는 방향족 할로젠 화합물의 반응은, 보통, 염기성 촉매의 존재 하에서 행한다. 염기성 촉매로서는, 나트륨아마이드, 트라이에틸아민, 트라이뷰틸아민, 트라이옥틸아민, 피리딘, N,N-다이메틸아닐린, 1,5-다이아자바이사이클로[4,3,0]노넨-5(DBN), 1,8-다이아자바이사이클로[5,4,0]운데센-7(DBU), 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 수소화 나트륨, 인산 나트륨, 인산 칼륨, 탄산 나트륨, 탄산 칼륨, 나트륨메톡사이드 및 칼륨 t-뷰톡사이드 등을 들 수 있다.
반응 원료인 화학식 38로 표시되는 방향족 할로젠 화합물에 대한 염기성 촉매의 사용 비율은, 염기성 촉매/방향족 할로젠 화합물(몰비)이 2 내지 10 정도가 되는 양이고, 바람직하게는 2 내지 5가 되는 양이다.
반응 시에는, 필요에 따라 용매를 사용할 수 있다. 용매로서 구체적으로는, 톨루엔, DMF(다이메틸폼아마이드), DMAc(N,N-다이메틸아세토아마이드), DMSO(다이메틸설폭사이드), NMP(N-메틸피롤리돈), 테트라하이드로퓨란 및 다이메톡시에테인 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합시켜 사용할 수 있다.
상기 화학식 38로 표시되는 방향족 할로젠 화합물의 반응은, 보통 0 내지 250℃ 정도, 바람직하게는 150 내지 200℃의 온도에서 행한다. 반응 온도가 150℃ 이상이면, 반응 속도가 저하되지 않고 적당해지기 때문에 반응 시간이 단축된다. 또한, 반응 온도가 200℃ 이하이면, 생성물의 착색이 억제된다. 반응 시간은, 보통 1분 내지 24시간 정도, 바람직하게는 1 내지 10시간이다.
또한, 화학식 30에서, X30, X31이 모두 N-R1인 할로젠 화합물은, 하기 화학식 39로 표시되는 방향족 할로젠 화합물을 상기와 같이 분자 내 환화 반응시키는 것에 의해 얻을 수 있다.
또한, 화학식 30에서, X30, X31이 모두 황(S)인 할로젠 화합물은, 하기 화학식 40으로 표시되는 방향족 할로젠 화합물을 상기와 같이 분자 내 환화 반응시키는 것에 의해 얻을 수 있다.
Figure 112010079763108-pct00080
Figure 112010079763108-pct00081
단, 화학식 39 및 40에 있어서의 Y1, Y2, Y3, Z, d, e, f, t, u 및 v는, 화학식 38에 있어서의 Y1, Y2, Y3, Z, d, e, f, t, u 및 v와 같다.
화학식 1 내지 40에서, 각 기가 나타내는 구체예를 이하 설명한다.
Ar1 내지 Ar3이 나타내는 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6의 방향족 탄화수소기로서는, 예를 들면, 치환 또는 비치환된 벤젠 등을 들 수 있고, Y, Y1 내지 Y3, R1 내지 R3, L1 내지 L3 및 A1 내지 A2가 나타내는 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기로서는, 예를 들면, 치환 또는 비치환된 벤젠, 나프탈렌, 바이페닐, 터페닐, 플루오렌, 페난트렌, 트라이페닐렌, 페릴렌, 크라이센, 플루오란텐, 벤조플루오렌, 벤조트라이페닐렌, 벤조크라이센, 안트라센 등의 대응하는 가수의 잔기를 들 수 있고, 벤젠, 나프탈렌, 바이페닐, 터페닐, 플루오렌, 페난트렌이 바람직하다.
Ar1 내지 Ar3이 나타내는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 6의 방향족 헤테로환기로서는, 예를 들면, 치환 또는 비치환된 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 1,3,5-트라이아진 등을 들 수 있고, Y, Y1 내지 Y3, R1 내지 R3, L1 내지 L3 및 A1 내지 A2가 나타내는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 3 내지 24의 방향족 헤테로환기로서는, 예를 들면, 치환 또는 비치환된 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 1,3,5-트라이아진, 카바졸, 다이벤조퓨란, 다이벤조싸이오펜, 페녹사진, 페노싸이아진, 다이하이드로아크리딘의 대응하는 가수의 잔기를 들 수 있고, 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 카바졸, 다이벤조퓨란, 다이벤조싸이오펜, 페녹사진, 다이하이드로아크리딘이 바람직하다. 또한, R1이 나타내는 적어도 하나의 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 8 내지 24인 1가 축합 방향족 헤테로환기로서는, 방향족 헤테로환기의 예 중에서 축합 구조를 갖는 예를 들 수 있다.
Y, Y1 내지 Y3, L1 내지 L3 및 R1 내지 R3이 나타내는 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 알킬렌기, 3가 또는 4가 포화 탄화수소기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, s-뷰틸기, t-뷰틸기, 아이소뷰틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, n-운데실기, n-도데실기, n-트라이데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, 네오펜틸기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 1-펜틸헥실기, 1-뷰틸펜틸기, 1-헵틸옥틸기, 3-메틸펜틸기 등 또는 이들을 2 내지 4가로 한 기를 들 수 있고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, s-뷰틸기, 아이소뷰틸기, t-뷰틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, n-운데실기, n-도데실기, n-트라이데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, 네오펜틸기, 1-메틸펜틸기, 1-펜틸헥실기, 1-뷰틸펜틸기, 1-헵틸옥틸기가 바람직하다.
Y, Y1 내지 Y3, L1 내지 L3, R1 내지 R3 및 A1 내지 A2가 나타내는 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 사이클로알킬렌기, 3가 또는 4가 환상 포화 탄화수소기로서는, 예를 들면, 사이클로프로필기, 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기 등 또는 이들을 2 내지 4가로 한 기를 들 수 있고, 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기가 바람직하다.
Y, Y1 내지 Y3이 나타내는 탄소수 1 내지 20의 알콕시기로서는, 예를 들면, 메톡시기, 에톡시기, 메톡시기, i-프로폭시기, n-프로폭시기, n-뷰톡시기, s-뷰톡시기, t-뷰톡시기 등을 들 수 있고, 메톡시기, 에톡시기, 메톡시기, i-프로폭시기, n-프로폭시기가 바람직하다.
Y, Y1 내지 Y3, L1 내지 L3, R1 내지 R3 및 A1 내지 A2가 나타내는 탄소수 1 내지 20의 치환 실릴기로서는, 예를 들면, 트라이메틸실릴기, 트라이에틸실릴기, 트라이뷰틸실릴기, 트라이옥틸실릴기, 트라이아이소뷰틸실릴기, 다이메틸에틸실릴기, 다이메틸아이소프로필실릴기, 다이메틸프로필실릴기, 다이메틸뷰틸실릴기, 다이메틸 t-뷰틸실릴기, 다이에틸아이소프로필실릴기, 페닐다이메틸실릴기, 다이페닐메틸실릴기, 다이페닐 t-뷰틸기, 트라이페닐실릴기 등 또는 이들을 2 내지 3가로 한 기를 들 수 있고, 트라이메틸실릴기, 트라이에틸실릴기, 트라이뷰틸실릴기가 바람직하다.
Y, Y1 내지 Y3 및 R1 내지 R3이 나타내는 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기로서는, 예를 들면, 벤질기, 펜에틸기, 페닐프로필기 등을 들 수 있다.
화학식 1 내지 40의 상기 각 기에 치환될 수 있는 치환기로서는, 예를 들면, 탄소수 1 내지 10의 알킬기(메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, s-뷰틸기, 아이소뷰틸기, t-뷰틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, 하이드록시메틸기, 1-하이드록시에틸기, 2-하이드록시에틸기, 2-하이드록시아이소뷰틸기, 1,2-다이하이드록시에틸기, 1,3-다이하이드록시아이소프로필기, 2,3-다이하이드록시-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이하이드록시프로필기, 클로로메틸기, 1-클로로에틸기, 2-클로로에틸기, 2-클로로아이소뷰틸기, 1,2-다이클로로에틸기, 1,3-다이클로로아이소프로필기, 2,3-다이클로로-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이클로로프로필기, 브로모메틸기, 1-브로모에틸기, 2-브로모에틸기, 2-브로모아이소뷰틸기, 1,2-다이브로모에틸기, 1,3-다이브로모아이소프로필기, 2,3-다이브로모-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이브로모프로필기, 아이오도메틸기, 1-아이오도에틸기, 2-아이오도에틸기, 2-아이오도아이소뷰틸기, 1,2-다이아이오도에틸기, 1,3-다이아이오도아이소프로필기, 2,3-다이아이오도-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이아이오도프로필기, 아미노메틸기, 1-아미노에틸기, 2-아미노에틸기, 2-아미노아이소뷰틸기, 1,2-다이아미노에틸기, 1,3-다이아미노아이소프로필기, 2,3-다이아미노-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이아미노프로필기, 사이아노메틸기, 1-사이아노에틸기, 2-사이아노에틸기, 2-사이아노아이소뷰틸기, 1,2-다이사이아노에틸기, 1,3-다이사이아노아이소프로필기, 2,3-다이사이아노-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이사이아노프로필기, 나이트로메틸기, 1-나이트로에틸기, 2-나이트로에틸기, 2-나이트로아이소뷰틸기, 1,2-다이나이트로에틸기, 1,3-다이나이트로아이소프로필기, 2,3-다이나이트로-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이나이트로프로필기 등), 환 형성 탄소수 3 내지 40의 사이클로알킬기(사이클로프로필기, 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 4-메틸사이클로헥실기, 1-아다만틸기, 2-아다만틸기, 1-노보닐기, 2-노보닐기 등), 탄소수 1 내지 6의 알콕시기(에톡시기, 메톡시기, i-프로폭시기, n-프로폭시기, s-뷰톡시기, t-뷰톡시기, 펜톡시기, 헥실옥시기 등), 환 형성 탄소수 3 내지 10의 사이클로알콕시기(사이클로펜톡시기, 사이클로헥실옥시기 등), 환 형성 탄소수 6 내지 40의 방향족 탄화수소기, 환 형성 원자수 3 내지 40의 방향족 헤테로환기, 환 형성 탄소수 6 내지 40의 방향족 탄화수소기로 치환된 아미노기, 환 형성 탄소수 6 내지 40의 방향족 탄화수소기를 갖는 에스터기, 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 갖는 에스터기, 사이아노기, 나이트로기, 할로젠 원자등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 페닐기, 피리딜기, 카바졸릴기, 다이벤조퓨란일기가 바람직하고, 치환기의 수는 1 내지 2가 바람직하다.
화학식 2, 6, 10 내지 12, 14, 16, 18 내지 29의 다환계 화합물에서, n이 2이면 바람직하다.
화학식 5, 7 내지 9, 13, 15 또는 17에서, Y1, Y2 및 Y3으로 표시되는 치환기의 합계 수가 3 이하, 화학식 6, 10 내지 12, 14, 16, 18, 19 내지 29에 있어서의 []n 내 구조 하나에 대한 Y1, Y2 및 Y3으로 표시되는 치환기의 합계 수가 3 이하이면 바람직하다.
화학식 1, 2, 30에서, Ar1 내지 Ar3의 모두가 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 6의 방향족 헤테로환기이다. 환 형성 탄소수 6의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 6의 방향족 헤테로환기는, 축합환의 존재에 의해 공액계의 확대하는 경우와 비교하여, 3중항 에너지를 넓힐 수 있다.
화학식 1, 2, 5 내지 14, 19 내지 23에서, X1과 X2, X3과 X4, X5와 X6, X7과 X8, X9와 X10, X11과 X12, X13과 X14, X15와 X16, X17과 X18, X19와 X20, X21과 X22, X23과 X24가 모두 N-R1로 표시되는 화합물이면 바람직하다. N에 의해 가교함으로써, 화합물의 정공 수송성이 향상되어, 소자의 저전압화를 촉진할 수 있다. 특히, 호스트 재료, 정공 수송 재료로서 적합하게 사용할 수 있다.
또한, R1 중 적어도 하나가 다이벤조퓨란 잔기 또는 카바졸 잔기이면 바람직하고, R1 모두가 다이벤조퓨란 잔기 또는 카바졸 잔기이면 더 바람직하다. 다이벤조퓨란 및 카바졸과 같은 전자 수송성 축합 방향족 헤테로환을 결합시킴으로써, 피리미딘과 같은 축환이 아닌 함질소 헤테로환에 비해, 정공에 대한 안정성(내산화성)이 증가하여 장수명화로 연결된다. 또한, 다이벤조퓨란 및 카바졸과 같은, 에너지 갭이 크고 전자 수송성인 축합 방향족 헤테로환을 N에 결합시킴으로써, 인광 발광 소자로서 사용한 경우의 효율 저하를 막아, 정공에 대한 안정성(내산화성)이 증가한다.
화학식 1 또는 2에서, X1과 X2 또는 X3과 X4가 각각 N-R1로 표시되고, X1의 N-R1과 X2의 N-R1, 또는 X3의 N-R1과 X4의 N-R1이 다르면 바람직하다.
화학식 5 또는 6에서, X5와 X6이 각각 N-R1로 표시되고, X5의 N-R1과 X6의 N-R1이 다르면 바람직하다.
화학식 7 내지 12에서, X7과 X8, X9와 X10, 또는 X11과 X12가 각각 N-R1로 표시되고, X7의 N-R1과 X8의 N-R1, X9의 N-R1과 X10의 N-R1, 또는 X11의 N-R1과 X12의 N-R1이 다르면 바람직하다.
화학식 13 또는 14에서, X13과 X14가 각각 N-R1로 표시되고, X13의 N-R1과 X14의 N-R1이 다르면 바람직하다.
화학식 19 내지 23에서, X15와 X16, X17과 X18, X19와 X20, X21과 X22, X23과 X24가 각각 N-R1로 표시되고, X15의 N-R1과 X16의 N-R1, X17의 N-R1과 X18의 N-R1, X19의 N-R1과 X20의 N-R1, X21의 N-R1과 X22의 N-R1, 또는 X23의 N-R1과 X24의 N-R1이 다르면 바람직하다.
이와 같이, 화학식 1, 2, 5 내지 14, 19 내지 23이 비대칭 구조인 경우, 대상 구조로 한 경우에 비해 결정화를 억제하고, 박막의 안정성이 증가하여 소자의 수명이 향상한다.
화학식 5 또는 6에 있어서의 X5와 X6, 화학식 9 또는 12에 있어서의 X11과 X12, 화학식 13 또는 14에 있어서의 X13과 X14, 화학식 19에 있어서의 X15와 X16, 화학식 22에 있어서의 X21과 X22, 화학식 23에 있어서의 X23과 X24가, 모두 CR2R3이면 바람직하다. 또한, 화학식 5, 6, 9, 12, 13, 14, 19, 22, 23과 같은, X5와 X6, X11과 X12, X13과 X14, X15와 X16, X21과 X22, X23과 X24가 벤젠환 a, b, c에 대하여 같은 측에 있는 화합물은, 반대측인 경우에 비해 3중항 에너지를 약간 넓힐 수 있기 때문에, 발광 효율을 향상시킬 수 있다. X5와 X6, X11과 X12, X13과 X14, X15와 X16, X21과 X22, X23과 X24가 CR2R3인 경우도 마찬가지이다.
또한, 화학식 5, 6, 15, 16, 19, 25와 같이, 벤젠환 a, c가 벤젠환 b에 대하여 파라 위치에 결합함으로써, 전자 수송성을 향상시킬 수 있어 소자의 저전압화를 꾀할 수 있다.
또한, 화학식 7 내지 12, 17, 18, 20 내지 22, 24, 26 내지 28과 같이, 벤젠환 a, c가 벤젠환 b에 대하여 메타 위치에 결합함으로써, 파라 위치에서 결합하는 경우에 비해 3중항 에너지를 넓힐 수 있기 때문에, 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
화학식 1, 2, 5 내지 14, 19 내지 23에서, X1과 X2, X3과 X4, X5와 X6, X7과 X8, X9와 X10, X11과 X12, X13과 X14, X15와 X16, X17과 X18, X19와 X20, X21과 X22, X23과 X24 중 적어도 하나가 산소 원자이면 바람직하고, 화학식 15 내지 18, 24와 같이, 모두 산소 원자이면 더 바람직하다. 산소 원자는 전기 음성도가 높아, 전자 수송성을 향상시킬 수 있고, 이것에 의해 소자의 저전압화를 꾀할 수 있어, 특히 호스트 재료 또는 전자 수송 재료로서 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 모두 산소 원자인 경우에는, 3중항 에너지를 넓힐 수 있기 때문에, 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 화학식 1, 2, 5 내지 29에서, A1, A2, L1, L2 및 L3이 카보닐기를 포함하지 않는, 즉 말단 구조가 카보닐기를 포함하지 않는 것에 의해, 수명이 짧아지는 것을 억제한다.
본 발명의 화학식 1, 2, 5 내지 29로 표시되는 다환계 화합물의 구체예를 이하에 나타내지만, 본 발명은 이들 예시 화합물에 한정되는 것은 아니다.
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Figure 112010079763108-pct00129
본 발명의 화학식 30으로 표시되는 할로젠 화합물의 구체예를 이하에 나타내지만, 본 발명은 이들 예시 화합물에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112010079763108-pct00130
Figure 112010079763108-pct00131
다음으로, 본 발명의 유기 EL 소자에 대하여 설명한다.
본 발명의 유기 EL 소자는, 음극과 양극 사이에, 발광층을 포함하는 1층 이상의 유기 박막층을 갖고, 이 유기 박막층 중 적어도 1층이, 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자로 가교된 π공액 헤테로아센 골격을 갖는 다환계 화합물을 함유한다. π공액 헤테로아센 골격의 구체예를 이하에 나타낸다.
인데노플루오렌(탄소 원자로 가교)
Figure 112010079763108-pct00132
인돌로카바졸(질소 원자로 가교)
Figure 112010079763108-pct00133
벤조퓨라노다이벤조퓨란(산소 원자로 가교)
Figure 112010079763108-pct00134
벤조싸이오페노다이벤조싸이오펜(황 원자로 가교)
Figure 112010079763108-pct00135
그밖에, 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자를 조합시켜 가교한 π공액 헤테로아센 골격일 수도 있다. 구체예를 이하에 나타낸다. 이들의 예를 조합하여 전자 및 정공의 수송성을 조정할 수 있다. 특히, 산소 원자와 질소 원자를 조합하는 것에 의해, 전자 및 정공의 수송성을 양립할 수 있어, 소자의 저전압화가 가능해진다.
Figure 112010079763108-pct00136
그리고, 이 다환계 화합물로서는 전술한 본 발명의 다환계 화합물이 바람직하다.
상기 발광층과 음극의 사이에 전자 수송층을 갖고, 상기 전자 수송층이 상기 다환계 화합물을 함유할 수도 있다. 또한, 상기 발광층과 상기 전자 수송층이 모두 상기 다환계 화합물을 함유하면 바람직하다.
또한, 상기 발광층과 양극의 사이에 정공 수송층을 갖고, 상기 정공 수송층이 상기 다환계 화합물을 함유할 수도 있다.
또한, 본 발명의 다환계 화합물은, 적어도 발광층에 함유되어 있으면 바람직하고, 발광층에 사용한 경우는 장수명화가 가능하고, 전자 수송층 또는 전자 주입층에 사용한 경우는 저전압화가 가능하고, 발광층과 전자 수송층 또는 전자 주입층의 2개 이상의 층에 동시에 함유되면 저전압화 및 장수명화가 가능한 점에서 바람직하다.
특히, 전자 수송층 또는 전자 주입층에 더하여, 상기 발광층이 본 발명의 다환계 화합물을 호스트 재료로서 함유하면 바람직하고, 상기 화학식 5, 6, 또는 상기 화학식 9, 12로 표시되는 다환계 화합물을 호스트 재료로서 함유하면 바람직하고, 상기 화학식 15, 16, 또는 상기 화학식 17, 18로 표시되는 다환계 화합물을 호스트 재료로서 함유하면 더 바람직하다.
다층형 유기 EL 소자의 구조로서는, 예를 들면, 양극/정공 수송층(정공 주입층)/발광층/음극, 양극/발광층/전자 수송층(전자 주입층)/음극, 양극/정공 수송층(정공 주입층)/발광층/전자 수송층(전자 주입층)/음극, 양극/정공 수송층(정공 주입층)/발광층/정공장벽층/전자 수송층(전자 주입층)/음극 등의 다층 구성으로 적층된 것을 들 수 있다.
본 발명의 유기 EL 소자에서, 상기 발광층이 상기 다환계 화합물을 호스트 재료로서 함유하면 바람직하다. 또한, 상기 발광층이 호스트 재료와 인광 발광성 재료로 이루어지고, 상기 호스트 재료가 상기 다환계 화합물이면 바람직하다.
또, 상기 다환계 화합물은 인광 발광성 재료와 함께 사용하는 호스트 재료 또는 인광 발광성 재료와 함께 사용하는 전자 수송 재료일 수도 있고, 3중항 에너지가 2.2 내지 3.2eV이면 바람직하고, 2.5 내지 3.2eV이면 보다 바람직하다.
인광 발광성 재료로서는, 인광 양자 수율이 높고, 발광 소자의 외부 양자 효율을 보다 향상시킬 수 있다고 하는 점에서, 이리듐(Ir), 오스뮴(Os), 루테늄(Ru) 또는 백금(Pt)을 함유하는 화합물이면 바람직하고, 이리듐 착체, 오스뮴 착체, 루테늄 착체, 백금 착체 등의 금속 착체이면 더 바람직하고, 그 중에서도 이리듐 착체 및 백금 착체가 보다 바람직하고, 오쏘메탈화 이리듐 착체가 가장 바람직하다. 이리듐 착체, 오스뮴 착체, 루테늄 착체, 백금 착체 등의 금속 착체의 구체예를 이하에 나타낸다.
Figure 112010079763108-pct00137
Figure 112010079763108-pct00138
Figure 112010079763108-pct00139
Figure 112010079763108-pct00140
또한, 본 발명의 유기 EL 소자는 상기 발광층이 호스트 재료와 인광 발광성 재료를 함유하고, 또한 발광 파장의 극대값이 500nm 이하인 금속 착체를 함유하면 바람직하다. 또한, 본 재료는 형광 발광성 도펀트와 함께 사용할 수도 있다. 청색, 녹색, 적색 형광 발광성 도펀트와 함께 사용할 수 있다. 특히, 청색, 녹색 형광 발광성 도펀트와 함께, 보다 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 형광 유기 EL 소자의 전자 수송 재료로서도 바람직하게 사용할 수 있다.
본 발명의 유기 EL 소자는 상기 음극과 유기 박막층(예를 들면, 전자 주입층이나 발광층 등)의 계면 영역에 환원성 도펀트를 갖는 것이 바람직하다. 환원성 도펀트로서는, 알칼리 금속, 알칼리 금속 착체, 알칼리 금속 화합물, 알칼리 토류 금속, 알칼리 토류 금속 착체, 알칼리 토류 금속 화합물, 희토류 금속, 희토류 금속 착체 및 희토류 금속 화합물 등으로부터 선택되는 적어도 1종을 들 수 있다.
알칼리 금속으로서는, 일함수가 2.9eV 이하인, Na(일함수: 2.36eV), K(일함수: 2.28eV), Rb(일함수: 2.16eV), Cs(일함수: 1.95eV) 등을 바람직하게 들 수 있다. 이들 중, 보다 바람직하게는 K, Rb, Cs이고, 더 바람직하게는 Rb 또는 Cs이며, 가장 바람직하게는 Cs이다.
알칼리 토류 금속으로서는, 일함수가 2.9eV 이하인, Ca(일함수: 2.9eV), Sr(일함수: 2.0 내지 2.5eV), Ba(일함수: 2.52eV) 등을 바람직하게 들 수 있다.
희토류 금속으로서는, 일함수가 2.9eV 이하인, Sc, Y, Ce, Tb, Yb 등을 바람직하게 들 수 있다.
이상의 금속 중 바람직한 금속은, 특히 환원 능력이 높아, 전자 주입역에의 비교적 소량의 첨가에 의해, 유기 EL 소자에 있어서의 발광 휘도의 향상이나 장수명화가 가능하다.
알칼리 금속 화합물로서는, Li2O, Cs2O, K20 등의 알칼리 산화물, LiF, NaF, CsF, KF 등의 알칼리 할로젠화물 등을 들 수 있고, 이들 중에서도 LiF, Li2O, NaF가 바람직하다.
알칼리 토류 금속 화합물로서는, BaO, SrO, CaO 및 이들을 혼합한 BamSr1 -mO(0<m<1), BamCa1 -mO(0<m<1) 등을 들 수 있고, 이들 중에서도 BaO, SrO, CaO가 바람직하다.
희토류 금속 화합물로서는, YbF3, ScF3, ScO3, Y203, Ce2O3, GdF3, TbF3 등을 들 수 있고, 이들 중에서도 YbF3, ScF3, TbF3이 바람직하다.
알칼리 금속 착체, 알칼리 토류 금속 착체, 희토류 금속 착체로서는, 각각 금속 이온으로서 알칼리 금속 이온, 알칼리 토류 금속 이온, 희토류 금속 이온 중 적어도 하나를 함유하는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 또한, 리간드에는 퀴놀린올, 벤조퀴놀린올, 아크리딘올, 페난트리딘올, 하이드록시페닐옥사졸, 하이드록시페닐싸이아졸, 하이드록시다이아릴옥사다이아졸, 하이드록시다이아릴싸이아다이아졸, 하이드록시페닐피리딘, 하이드록시페닐벤조이미다졸, 하이드록시벤조트라이아졸, 하이드록시플루보레인, 바이피리딜, 페난트롤린, 프탈로시아닌, 포르피린, 사이클로펜타다이엔, β-다이케톤류, 아조메타인류 및 그들의 유도체 등이 바람직하지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.
환원성 도펀트의 첨가 형태로서는, 계면 영역에 층상 또는 섬 형상으로 형성하면 바람직하다. 형성 방법으로서는, 저항 가열 증착법에 의해 환원성 도펀트를 증착하면서, 계면 영역을 형성하는 발광 재료나 전자 주입 재료인 유기물을 동시에 증착시켜, 유기물 중에 환원성 도펀트를 분산하는 방법이 바람직하다. 분산 농도는, 몰비로 유기물:환원성 도펀트 = 100:1 내지 1:100이 바람직하고, 5:1 내지 1:5가 보다 바람직하다.
환원성 도펀트를 층상으로 형성하는 경우는, 계면의 유기층인 발광 재료나 전자 주입 재료를 층상으로 형성한 후에, 환원 도펀트를 단독으로 저항 가열 증착법에 의해 증착하고, 바람직하게는 층 두께 0.1 내지 15nm로 형성한다.
환원성 도펀트를 섬 형상으로 형성하는 경우는, 계면의 유기층인 발광 재료나 전자 주입 재료를 섬 형상으로 형성한 후에, 환원 도펀트를 단독으로 저항 가열 증착법에 의해 증착하고, 바람직하게는 섬의 두께 0.05 내지 1nm로 형성한다.
본 발명의 유기 EL 소자는, 발광층과 음극의 사이에 전자 주입층을 갖는 경우, 상기 전자 주입층에 사용하는 전자 수송 재료로서는, 분자 내에 헤테로 원자를 1개 이상 함유하는 방향족 헤테로환 화합물이 바람직하고, 특히 함질소환 유도체가 바람직하다.
이 함질소환 유도체로서는, 예를 들면, 하기 화학식 A로 표시되는 함질소환 금속 킬레이트 착체가 바람직하다.
[화학식 A]
Figure 112010079763108-pct00141
R2 내지 R7은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로젠 원자, 아미노기, 탄소수 1 내지 40의 탄화수소기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알콕시카보닐기 또는 헤테로환기를 나타내고, 이들은 치환되어 있을 수도 있다.
M은, 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 또는 인듐(In)이며, 인듐인 것이 바람직하다.
화학식 A의 L4는 하기 화학식 A' 또는 A''로 표시되는 기이다.
[화학식 A']
Figure 112010079763108-pct00142
[화학식 A'']
Figure 112010079763108-pct00143
(상기 화학식에서, R8 내지 R12는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 40의 탄화수소기를 나타내고, 서로 인접하는 기가 환상 구조를 형성하고 있을 수도 있다. 또한, R13 내지 R27은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 40의 탄화수소기를 나타내고, 서로 인접하는 기가 환상 구조를 형성하고 있을 수도 있다.)
함질소 복소환 유도체로서는, 이하의 화학식을 갖는 유기 화합물로 이루어지는 함질소 복소환 유도체로서, 금속 착체가 아닌 함질소 화합물도 들 수 있다. 예를 들면, 화학식 a에 나타내는 골격을 함유하는 5원환 또는 6원환이나, 화학식 b에 나타내는 구조의 것을 들 수 있다.
[화학식 a]
Figure 112010079763108-pct00144
[화학식 b]
Figure 112010079763108-pct00145
(화학식 b에서, X는 탄소 원자 또는 질소 원자를 나타낸다. Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 함질소 헤테로환을 형성할 수 있는 원자군을 나타낸다.)
[화학식 c]
Figure 112010079763108-pct00146
바람직하게는, 5원환 또는 6원환으로 이루어지는 함질소 방향 다환족을 갖는 유기 화합물. 또한, 이러한 복수 질소 원자를 갖는 함질소 방향 다환족의 경우는 상기 화학식 a와 b 또는 a와 c를 조합시킨 골격을 갖는 함질소 방향 다환 유기 화합물.
함질소 유기 화합물의 함질소기는, 예를 들면, 이하의 화학식으로 표시되는 함질소 헤테로환기로부터 선택된다.
Figure 112010079763108-pct00147
(상기 각 화학식에서, R28은 탄소수 6 내지 40의 아릴기, 탄소수 3 내지 40의 헤테로아릴기, 탄소수 1 내지 20의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 20의 알콕시기이며, R28이 복수일 때, 복수의 R28은 서로 같거나 다를 수 있다.)
또한, 바람직한 구체적인 화합물로서, 하기 화학식으로 표시되는 함질소 복소환 유도체를 들 수 있다.
HAra-L6-Arb-Arc
(상기 화학식에서, HAra는 치환기를 가질 수 있는 탄소수 3 내지 40의 함질소 헤테로환이고, L6은 단일 결합, 치환기를 가질 수 있는 탄소수 6 내지 40의 아릴렌기 또는 치환기를 가질 수 있는 탄소수 3 내지 40의 헤테로아릴렌기이고, Arb는 치환기를 가질 수 있는 탄소수 6 내지 40의 2가 방향족 탄화수소기이며, Arc는 치환기를 가질 수 있는 탄소수 6 내지 40의 아릴기 또는 치환기를 가질 수 있는 탄소수 3 내지 40의 헤테로아릴기이다.)
HAra는 예를 들면 하기의 군으로부터 선택된다.
Figure 112010079763108-pct00148
L6은 예를 들면 하기의 군으로부터 선택된다.
Figure 112010079763108-pct00149
Arc는 예를 들면 하기의 군으로부터 선택된다.
Figure 112010079763108-pct00150
Arb는 예를 들면 하기의 아릴안트라닐기로부터 선택된다.
Figure 112010079763108-pct00151
(상기 화학식에서, R29 내지 R42는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로젠 원자, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 6 내지 40의 아릴옥시기, 치환기를 가질 수 있는 탄소수 6 내지 40의 아릴기 또는 탄소수 3 내지 40의 헤테로아릴기이며, Ard는 치환기를 가질 수 있는 탄소수 6 내지 40의 아릴기 또는 탄소수 3 내지 40의 헤테로아릴기이다.)
또한, 상기 화학식으로 표시되는 Arb에서, R29 내지 R36은 어느 것이나 수소 원자인 함질소 복소환 유도체가 바람직하다.
이밖에 하기의 화합물(일본 특허공개 제1997-3448호 공보 참조)도 적합하게 사용할 수 있다.
Figure 112010079763108-pct00152
(상기 화학식에서, R43 내지 R46은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 지방족기, 치환 또는 비치환된 지방족식환기, 치환 또는 비치환된 탄소환식 방향족환기, 치환 또는 비치환된 헤테로환기를 나타내고, X1, X2는 각각 독립적으로 산소 원자, 황 원자 또는 다이사이아노메틸렌기를 나타낸다.)
또한, 하기의 화합물(일본 특허공개 제2000-173774호 공보 참조)도 적합하게 사용된다.
Figure 112010079763108-pct00153
상기 화학식에서, R47, R48, R49 및 R50은 서로 같거나 다른 기이고, 하기 화학식으로 표시되는 아릴기이다.
Figure 112010079763108-pct00154
(상기 화학식에서, R51, R52, R53, R54 및 R55는 서로 같거나 다른 기이고, 수소 원자, 또는 그들 중 적어도 하나가 포화 또는 불포화 알콕실기, 알킬기, 아미노기 또는 알킬아미노기이다.)
또한, 상기 함질소 헤테로환기 또는 함질소 복소환 유도체를 포함하는 고분자 화합물일 수도 있다.
또한, 전자 수송층은, 하기 화학식 201 내지 203으로 표시되는 함질소 복소환 유도체 중 적어도 어느 하나를 함유하는 것이 바람직하다.
[화학식 201]
Figure 112010079763108-pct00155
[화학식 202]
Figure 112010079763108-pct00156
[화학식 203]
Figure 112010079763108-pct00157
화학식 201 내지 203에서, R56은, 수소 원자, 치환기를 가질 수 있는 탄소수 6 내지 60의 아릴기, 치환기를 가질 수 있는 피리딜기, 치환기를 가질 수 있는 퀴놀릴기, 치환기를 가질 수 있는 탄소수 1 내지 20의 알킬기 또는 치환기를 가질 수 있는 탄소수 1 내지 20의 알콕시기이고, n은 0 내지 4의 정수이며, R57은, 치환기를 가질 수 있는 탄소수 6 내지 60의 아릴기, 치환기를 가질 수 있는 피리딜기, 치환기를 가질 수 있는 퀴놀릴기, 치환기를 가질 수 있는 탄소수 1 내지 20의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 20의 알콕시기이고, R58 및 R59는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환기를 가질 수 있는 탄소수 6 내지 60의 아릴기, 치환기를 가질 수 있는 피리딜기, 치환기를 가질 수 있는 퀴놀릴기, 치환기를 가질 수 있는 탄소수 1 내지 20의 알킬기 또는 치환기를 가질 수 있는 탄소수 1 내지 20의 알콕시기이고, L7은, 단일 결합, 치환기를 가질 수 있는 탄소수 6 내지 60의 아릴렌기, 치환기를 가질 수 있는 피리딘일렌기, 치환기를 가질 수 있는 퀴놀린일렌기 또는 치환기를 가질 수 있는 플루오렌일렌기이고, Are는, 치환기를 가질 수 있는 탄소수 6 내지 60의 아릴렌기, 치환기를 가질 수 있는 피리딘일렌기 또는 치환기를 가질 수 있는 퀴놀린일렌기이며, Arf는, 수소 원자, 치환기를 가질 수 있는 탄소수 6 내지 60의 아릴기, 치환기를 가질 수 있는 피리딜기, 치환기를 가질 수 있는 퀴놀릴기, 치환기를 가질 수 있는 탄소수 1 내지 20의 알킬기 또는 치환기를 가질 수 있는 탄소수 1 내지 20의 알콕시기이다.
Arg는, 치환기를 가질 수 있는 탄소수 6 내지 60의 아릴기, 치환기를 가질 수 있는 피리딜기, 치환기를 가질 수 있는 퀴놀릴기, 치환기를 가질 수 있는 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환기를 가질 수 있는 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 또는 -Are-Arf로 표시되는 기(Are 및 Arf는 각각 상기와 같음)이다.
또한, 함질소환 유도체로서는, 함질소 5원환 유도체도 바람직하게 들 수 있다. 상기 함질소 5원환으로서는, 예를 들면 이미다졸환, 트라이아졸환, 테트라졸환, 옥사다이아졸환, 싸이아다이아졸환, 옥사트라이아졸환, 싸이아트라이아졸환 등을 들 수 있고, 함질소 5원환 유도체로서는, 벤조이미다졸환, 벤조트라이아졸환, 피리디노이미다졸환, 피리미디노이미다졸환, 피리다지노이미다졸환이며, 특히 바람직하게는, 하기 화학식 B로 표시되는 것이다.
[화학식 B]
Figure 112010079763108-pct00158
화학식 B에서, LB는 2가 이상의 연결기를 나타내고, 예를 들면, 탄소 원자, 규소 원자, 질소 원자, 붕소 원자, 산소 원자, 황 원자, 금속 원자(예를 들면, 바륨 원자, 베릴륨 원자), 방향족 탄화수소환, 방향족 헤테로환 등을 들 수 있다.
화학식 B로 표시되는 함질소 5원환 유도체 중, 더 바람직하게는 하기 화학식 B'로 표시되는 것이 바람직하다.
[화학식 B']
Figure 112010079763108-pct00159
화학식 B'에서, RB71, RB72 및 RB73은 각각 화학식 B에 있어서의 RB2와 마찬가지이다.
ZB71, ZB72 및 ZB73은 각각 화학식 B에 있어서의 ZB2와 마찬가지이다.
LB71, LB72 및 LB73은 각각 연결기를 나타내고, 화학식 B에 있어서의 LB의 예를 2가로 한 것을 들 수 있고, 바람직하게는, 단일 결합, 2가 방향족 탄화수소환기, 2가 방향족 헤테로환기 및 이들의 조합으로 이루어지는 연결기이며, 보다 바람직하게는 단일 결합이다. LB71, LB72 및 LB73은 치환기를 가질 수 있고, 치환기로서는 상기 화학식 B에 있어서의 LB로 표시되는 기의 치환기로서 든 것과 마찬가지이다.
YB는, 질소 원자, 1,3,5-벤젠트라이일기 또는 2,4,6-트라이아진트라이일기를 나타낸다.
전자 주입층 및 전자 수송층을 구성하는 화합물로서는, 본 발명의 다환계 화합물 이외에, 전자 결핍성 함질소 5원환 또는 전자 결핍성 함질소 6원환 골격과, 치환 또는 비치환된 인돌 골격, 치환 또는 비치환된 카바졸 골격, 치환 또는 비치환된 아자카바졸 골격을 조합시킨 구조를 갖는 화합물 등도 들 수 있다. 또한, 바람직한 전자 결핍성 함질소 5원환 또는 전자 결핍성 함질소 6원환 골격으로서는, 예를 들면 피리딘, 피리미딘, 피라진, 트라이아진, 트라이아졸, 옥사다이아졸, 피라졸, 이미다졸, 퀴녹살린, 피롤 골격, 및 그들이 서로 축합한 벤즈이미다졸, 이미다조피리딘 등의 분자 골격을 들 수 있다. 이들의 조합 중에서도, 피리딘, 피리미딘, 피라진, 트라이아진 골격과, 카바졸, 인돌, 아자카바졸, 퀴녹살린 골격을 바람직하게 들 수 있다. 전술한 골격은 치환되어 있을 수도 있고, 비치환일 수도 있다.
전자 주입층 및 전자 수송층은 상기 재료의 1종 또는 2종 이상으로 이루어지는 단층 구조일 수도 있고, 동일 조성 또는 이종 조성의 복수 층으로 이루어지는 다층 구조일 수도 있다. 이들의 층 재료는 π전자 결핍성 함질소 헤테로환기를 갖고 있는 것이 바람직하다.
또한, 전자 주입층의 구성 성분으로서, 함질소환 유도체 이외에 무기 화합물로서, 절연체 또는 반도체를 사용하는 것이 바람직하다. 전자 주입층이 절연체나 반도체로 구성되어 있으면, 전류의 누출을 유효하게 방지하여, 전자 주입성을 향상시킬 수 있다.
이러한 절연체로서는, 알칼리 금속 칼코게나이드, 알칼리 토류 금속 칼코게나이드, 알칼리 금속의 할로젠화물 및 알칼리 토류 금속의 할로젠화물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 금속 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 전자 주입층이 이러한 알칼리 금속 칼코게나이드 등으로 구성되어 있으면, 전자 주입성을 더욱 향상시킬 수 있는 점에서 바람직하다. 구체적으로, 바람직한 알칼리 금속 칼코게나이드로서는, 예를 들면 Li2O, K20, Na2S, Na2Se 및 Na2O를 들 수 있고, 바람직한 알칼리 토류 금속 칼코게나이드로서는, 예를 들면 CaO, BaO, SrO, BeO, BaS 및 CaSe를 들 수 있다. 또한, 바람직한 알칼리 금속의 할로젠화물로서는, 예를 들면 LiF, NaF, KF, LiCl, KCl 및 NaCl 등을 들 수 있다. 또한, 바람직한 알칼리 토류 금속의 할로젠화물로서는, 예를 들면 CaF2, BaF2, SrF2, MgF2 및 BeF2 등의 불화물이나, 불화물 이외의 할로젠화물을 들 수 있다.
또한, 반도체로서는, 예를 들면 Ba, Ca, Sr, Yb, Al, Ga, In, Li, Na, Cd, Mg, Si, Ta, Sb 및 Zn으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 원소를 포함하는 산화물, 질화물 또는 산화질화물 등을 들 수 있고, 이들은 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합시켜 사용할 수도 있다. 또한, 전자 주입층을 구성하는 무기 화합물이 미결정 또는 비정질 절연성 박막인 것이 바람직하다. 전자 주입층이 이러한 절연성 박막으로 구성되어 있으면, 보다 균질한 박막이 형성되기 때문에, 다크 스팟 등의 화소 결함을 감소시킬 수 있다. 한편, 이러한 무기 화합물로서는, 예를 들면 알칼리 금속 칼코게나이드, 알칼리 토류 금속 칼코게나이드, 알칼리 금속의 할로젠화물 및 알칼리 토류 금속의 할로젠화물 등을 들 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서의 전자 주입층에는 전술한 환원성 도펀트를 바람직하게 함유시킬 수 있다.
한편, 전자 주입층 또는 전자 수송층의 막 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1 내지 100nm이다.
정공 주입층 또는 정공 수송층(정공 주입 수송층도 포함함)에는 방향족 아민 화합물, 예를 들면, 화학식 I로 표시되는 방향족 아민 유도체가 적합하게 사용된다.
[화학식 I]
Figure 112010079763108-pct00160
화학식 I에서, Ar1 내지 Ar4는 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 5 내지 50의 헤테로아릴기를 나타낸다.
L은 연결기이다. 구체적으로는 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 50의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 5 내지 50의 헤테로아릴렌기, 또는 2개 이상의 아릴렌기 또는 헤테로아릴렌기를 단일 결합, 에터 결합, 싸이오에터 결합, 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 탄소수 2 내지 20의 알케닐렌기, 아미노기로 결합하여 얻어지는 2가 기이다.
또한, 하기 화학식 II의 방향족 아민도 정공 주입층 또는 정공 수송층의 형성에 적합하게 사용된다.
[화학식 II]
Figure 112010079763108-pct00161
화학식 II에서, Ar1 내지 Ar3의 정의는 상기 화학식 I의 Ar1 내지 Ar4의 정의와 마찬가지이다.
본 발명의 화합물은 정공 및 전자를 수송하는 화합물이기 때문에, 정공 주입층 또는 수송층, 전자 주입층 또는 수송층에도 사용할 수 있다.
본 발명에서, 유기 EL 소자의 양극은 정공을 정공 수송층 또는 발광층에 주입하는 역할을 담당하는 것으로, 4.5eV 이상의 일함수를 갖는 것이 효과적이다. 본 발명에 사용되는 양극 재료의 구체예로서는, 산화인듐주석 합금(ITO), 산화주석(NESA), 금, 은, 백금, 구리 등을 적용할 수 있다. 또한 음극으로서는, 전자 주입층 또는 발광층에 전자를 주입할 목적으로, 일함수가 작은 재료가 바람직하다. 음극 재료는 특별히 한정되지 않지만, 구체적으로는 인듐, 알루미늄, 마그네슘, 마그네슘-인듐 합금, 마그네슘-알루미늄 합금, 알루미늄-리튬 합금, 알루미늄-스칸듐-리튬 합금, 마그네슘-은 합금 등을 사용할 수 있다.
본 발명의 유기 EL 소자의 각 층의 형성방법은 특별히 한정되지 않는다. 종래 공지된 진공 증착법, 스핀코팅법 등에 의한 형성방법을 사용할 수 있다. 본 발명의 유기 EL 소자에 사용하는, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 함유하는 유기 박막층은, 진공 증착법, 분자선 증착법(MBE법) 또는 용매에 녹인 용액의 디핑법, 스핀코팅법, 캐스팅법, 바코팅법, 롤코팅법 등의 도포법에 의한 공지된 방법으로 형성할 수 있다.
본 발명의 유기 EL 소자의 각 유기층의 막 두께는 특별히 제한되지 않지만, 일반적으로 막 두께가 지나치게 얇으면 핀홀 등의 결함이 생기기 쉽고, 반대로 지나치게 두꺼우면 높은 인가 전압이 필요해져서 효율이 나빠지기 때문에, 보통은 수nm에서 1㎛의 범위가 바람직하다.
[실시예]
다음으로, 실시예를 사용하여 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 한편, 하기 합성 실시예에서, DMF는 다이메틸폼아마이드, THF는 테트라하이드로퓨란, DME는 다이메톡시에테인, NBS는 N-브로모석신이미드, Ph는 페닐기, AcOEt는 아세트산에틸, NMP는 N-메틸피롤리돈이다.
<합성 실시예 1> (화합물 No.11의 합성)
Figure 112010079763108-pct00162
3구 플라스크에 화합물 1(2.6g, 10mmol), 2-브로모다이벤조퓨란(5.0g, 20mmol), CuI(1.9g, 10mmol), 트랜스사이클로헥세인 1,2-다이아민(3.4g, 30mmol), K3PO4(8.5g, 40mmol), 1,4-다이옥세인(10mL)을 넣고, 아르곤 분위기 하에서 10시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(50mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. 시료를 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정을 2회 행하여, 백색의 분말(화합물 No.11)을 얻었다. 이것을 승화 정제하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 0.7g, 수율 12%
FD-MS 분석 C42H24N2O2: 이론값 588, 관측값 588
<합성 실시예 2> (화합물 No.40의 합성)
Figure 112010079763108-pct00163
3구 플라스크에 화합물 2(2.6g, 10mmol), 2-브로모다이벤조퓨란(5.0g, 20mmol), CuI(1.9g, 10mmol), 트랜스사이클로헥세인 1,2-다이아민(3.4g, 30mmol), K3PO4(8.5g, 40mmol), 1,4-다이옥세인(10mL)을 넣고, 아르곤 분위기 하에서 10시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(50mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. 시료를 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정을 2회 행하여, 백색의 분말(화합물 No.40)을 얻었다. 이것을 승화 정제하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 1.9g, 수율 33%
FD-MS 분석 C42H24N2O2: 이론값 588, 관측값 588
<합성 실시예 3> (화합물 No.47의 합성)
Figure 112010079763108-pct00164
3구 플라스크에 화합물 3(2.6g, 10mmol), 2-브로모다이벤조퓨란(5.0g, 20mmol), CuI(1.9g, 10mmol), 트랜스사이클로헥세인 1,2-다이아민(3.4g, 30mmol), K3PO4(8.5g, 40mmol), 1,4-다이옥세인(10mL)을 넣고, 아르곤 분위기 하에서 10시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(50mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. 시료를 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정을 2회 행하여, 백색의 분말(화합물 No.47)을 얻었다. 이것을 승화 정제하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 1.5g, 수율 25%
FD-MS 분석 C42H24N2O2: 이론값 588, 관측값 588
<합성 실시예 4> (화합물 No.66의 합성)
Figure 112010079763108-pct00165
3구 플라스크에 화합물 4(2.6g, 10mmol), 2-브로모다이벤조퓨란(5.0g, 20mmol), CuI(1.9g, 10mmol), 트랜스사이클로헥세인 1,2-다이아민(3.4g, 30mmol), K3PO4(8.5g, 40mmol), 1,4-다이옥세인(10mL)을 넣고, 아르곤 분위기 하에서 10시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(50mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. 시료를 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정을 2회 행하여, 백색의 분말(화합물 No.66)을 얻었다. 이것을 승화 정제하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 2.4g, 수율 40%
FD-MS 분석 C42H24N2O2: 이론값 588, 관측값 588
<합성 실시예 5> (화합물 No.100의 합성)
(1) 화합물 5의 합성
Figure 112010079763108-pct00166
3구 플라스크에 1,2-다이플루오로-3,6-다이아이오도벤젠(65.9g, 180.0mmol), 2-메톡시페닐보론산(65.6g, 432.0mmol), 2M Na2CO3 수용액(360mL, 720mmol), DME(360mL), 톨루엔(360mL), Pd[PPh3]4(20.8g, 18.0mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 8시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(500mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 백색의 고체를 얻었다. 수득량 38.2g, 수율 65%
FD-MS 분석 C20H16F2O2: 이론값 326, 관측값 326
(2) 화합물 6의 합성
Figure 112010079763108-pct00167
3구 플라스크에 화합물 5(38.0g, 116.4mmol), NBS(41.5g, 232.9mmol), DMF(1000mL)를 넣고, Ar 분위기 하 실온에서 8시간 교반했다. 반응 종료 후, 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(1000mL)을 가하여 AcOEt로 추출했다. 시료를 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 백색의 고체를 얻었다. 수득량 45.1g, 수율 80%
FD-MS 분석 C20H14Br2F2O2: 이론값 484, 관측값 484
(3) 화합물 7의 합성
Figure 112010079763108-pct00168
3구 플라스크에 화합물 6(45.0g, 93.0mmol), 1M BBr3 CH2Cl2 용액(218mL, 218mmol), CH2Cl2(560mL)를 넣고, Ar 분위기 하 0℃에서 8시간 교반했다. 그 후, 실온에서 밤새 방치했다. 반응 종료 후, 포화 NaHCO3 수용액으로 중화했다. 시료를 분액 깔대기에 옮겨, CH2Cl2로 추출했다. 시료를 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 백색의 고체를 얻었다. 수득량 35.2g, 수율 83%
FD-MS 분석 C18H10Br2F2O2: 이론값 456, 관측값 456
(4) 화합물 8의 합성
Figure 112010079763108-pct00169
3구 플라스크에 화합물 7(35.0g, 76.7mmol), K2CO3(23.3g, 168.8mmol), NMP(320mL)를 넣고, Ar 분위기 하 150℃에서 8시간 교반했다. 반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(500mL)을 가하여 AcOEt로 추출했다. 시료를 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 백색의 고체를 얻었다. 수득량 27.1g, 수율 85%
FD-MS 분석 C18H8Br2O2: 이론값 416, 관측값 416
(5) 화합물 No.100의 합성
Figure 112010079763108-pct00170
3구 플라스크에 화합물 8(2.5g, 6.0mmol), 화합물 9(3.8g, 13.2mmol), 2M Na2CO3 수용액(12mL, 24mmol), DME(12mL), 톨루엔(12mL), Pd[PPh3]4(0.35g, 0.3mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 8시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(50mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정을 2회 행하여, 백색의 분말(화합물 No.100)을 얻었다. 이것을 승화 정제하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 2.0g, 수율 45%
FD-MS 분석 C54H30O4: 이론값 742, 관측값 742
<합성 실시예 6> (화합물 No.103의 합성)
(1) 화합물 10의 합성
Figure 112010079763108-pct00171
3구 플라스크에 화합물 8(16.8g, 40mmol), 페닐보론산(4.8g, 40mmol), 2M Na2CO3 수용액(80mL, 160mmol), DME(80mL), 톨루엔(80mL), Pd[PPh3]4(2.3g, 2.0mmol)을 넣고, Ar 분위기 하에서 8시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(150mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 백색의 고체를 얻었다. 수득량 12.4g, 수율 75%
FD-MS 분석 C24H13BrO2: 이론값 413, 관측값 413
(2) 화합물 11의 합성
Figure 112010079763108-pct00172
3구 플라스크에 화합물 10(12.0g, 29.0mmol), THF(288mL)을 넣고, -78℃로 냉각했다. n-BuLi(1.65M n-헥세인 용액, 19.4mL, 31.9mmol)을 적하하여 가하고, -78℃에서 20분 교반했다. 붕산 트라이아이소프로필(16.4g, 87.0mmol)을 가하여 -78℃에서 1시간 교반 후, 밤새 실온에서 방치했다. 1N HCl(100mL)를 가하여 실온에서 1시간 교반했다. 시료를 농축한 후, 분액 깔대기에 옮기고, 물(100mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 재결정(톨루엔-헥세인)에 의해 정제하여, 백색의 고체를 얻었다. 수득량 7.1g, 수율 65%
(3) 화합물 No.103의 합성
Figure 112010079763108-pct00173
3구 플라스크에 화합물 11(5.5g, 14.5mmol), 1,3-다이브로모벤젠(1.7g, 7.3mmol), 2M Na2CO3 수용액(15mL, 30mmol), DME(15mL), 톨루엔(15mL), Pd[PPh3]4(0.42g, 0.37mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 8시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(50mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후, 재결정을 2회 행하여, 백색의 분말(화합물 No.103)을 얻었다. 이것을 승화 정제하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 2.4g, 수율 45%
FD-MS 분석 C54H30O4: 이론값 742, 관측값 742
<합성 실시예 7> (화합물 No.116의 합성)
(1) 화합물 12의 합성
Figure 112010079763108-pct00174
3구 플라스크에 1,3-다이브로모-4,6-다이플루오로벤젠(50.0g, 183.9mmol), 2-메톡시페닐보론산(67.1g, 441.4mmol), 2M Na2CO3 수용액(368mL, 736mmol), DME(370mL), 톨루엔(370mL), Pd[PPh3]4(21g, 18.0mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 8시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(500mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 백색의 고체를 얻었다. 수득량 40.2g, 수율 67%
FD-MS 분석 C20H16F2O2: 이론값 326, 관측값 326
(2) 화합물 13의 합성
Figure 112010079763108-pct00175
3구 플라스크에 화합물 12(40.0g, 122.6mmol), NBS(43.6g, 245mmol), DMF(1000mL)를 넣고, Ar 분위기 하 실온에서 8시간 교반했다. 반응 종료 후, 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(1000mL)을 가하여 AcOEt로 추출했다. 시료를 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 백색의 고체를 얻었다. 수득량 42.1g, 수율 71%
FD-MS 분석 C20H14Br2F2O2: 이론값 484, 관측값 484
(3) 화합물 14의 합성
Figure 112010079763108-pct00176
3구 플라스크에 화합물 13(40.0g, 82.6mmol), 1M BBr3 CH2Cl2 용액(194mL, 194mmol), CH2Cl2(500mL)를 넣고, Ar 분위기 하 0℃에서 8시간 교반했다. 그 후, 실온에서 밤새 방치했다. 반응 종료 후, 포화 NaHCO3 수용액으로 중화했다. 시료를 분액 깔대기에 옮겨, CH2Cl2로 추출했다. 시료를 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 백색의 고체를 얻었다. 수득량 30.2g, 수율 80%
FD-MS 분석 C18H10Br2F2O2: 이론값 456, 관측값 456
(4) 화합물 15의 합성
Figure 112010079763108-pct00177
3구 플라스크에 화합물 14(30.0g, 65.7mmol), K2CO3(19.9g, 144.5mmol), NMP(270mL)를 넣고, Ar 분위기 하 150℃에서 8시간 교반했다. 반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(500mL)을 가하여 AcOEt로 추출했다. 시료를 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 백색의 고체를 얻었다. 수득량 21.9g, 수율 80%
FD-MS 분석 C18H8Br2O2: 이론값 416, 관측값 416
(5) 화합물 No.116의 합성
Figure 112010079763108-pct00178
3구 플라스크에 화합물 15(2.5g, 6.0mmol), 화합물 9(3.8g, 13.2mmol), 2M Na2CO3 수용액(12mL, 24mmol), DME(12mL), 톨루엔(12mL), Pd[PPh3]4(0.35g, 0.3mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 8시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(50mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정을 2회 행하여, 백색의 분말(화합물 No.116)을 얻었다. 이것을 승화 정제하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 2.7g, 수율 60%
FD-MS 분석 C54H30O4: 이론값 742, 관측값 742
<합성 실시예 8> (화합물 No.119의 합성)
(1) 화합물 16의 합성
Figure 112010079763108-pct00179
3구 플라스크에 화합물 15(16.8g, 40mmol), 페닐보론산(4.8g, 40mmol), 2M Na2CO3 수용액(80mL, 160mmol), DME(80mL), 톨루엔(80mL), Pd[PPh3]4(2.3g, 2.0mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 8시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(150mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 백색의 고체를 얻었다. 수득량 11.6g, 수율 70%
FD-MS 분석 C24H13BrO2: 이론값 413, 관측값 413
(2) 화합물 17의 합성
Figure 112010079763108-pct00180
3구 플라스크에 화합물 16(11.0g, 26.6mmol), THF(264mL)를 넣고, -78℃로 냉각했다. n-BuLi(1.65M n-헥세인 용액, 17.7mL, 29.3mmol)을 적하하여 가하고, -78℃에서 20분 교반했다. 붕산 트라이아이소프로필(15.1g, 80mmol)을 가하여 -78℃에서 1시간 교반 후, 밤새 실온에서 방치했다. 1N HCl(100mL)을 가하여 실온에서 1시간 교반했다. 시료를 농축한 후, 분액 깔대기에 옮기고, 물(100mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 재결정(톨루엔-헥세인)에 의해 정제하여, 백색의 고체를 얻었다. 수득량 6.1g, 수율 61%
(3) 화합물 No.119의 합성
Figure 112010079763108-pct00181
3구 플라스크에 화합물 17(5.5g, 14.5mmol), 1,3-다이브로모벤젠(1.7g, 7.3mmol), 2M Na2CO3 수용액(15mL, 30mmol), DME(15mL), 톨루엔(15mL), Pd[PPh3]4(0.42g, 0.37mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 8시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(50mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정을 2회 행하여, 백색의 분말(화합물 No.119)을 얻었다. 이것을 승화 정제하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 1.9g, 수율 35%
FD-MS 분석 C54H30O4: 이론값 742, 관측값 742
<합성 실시예 9> (화합물 No.134의 합성)
Figure 112010079763108-pct00182
3구 플라스크에 화합물 18(2.5g, 6.0mmol), 화합물 9(3.8g, 13.2mmol), 2M Na2CO3 수용액(12mL, 24mmol), DME(12mL), 톨루엔(12mL), Pd[PPh3]4(0.35g, 0.3mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 8시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(50mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정을 2회 행하여, 백색의 분말(화합물 No.134)을 얻었다. 이것을 승화 정제하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 1.8g, 수율 41%
FD-MS 분석 C54H30O4: 이론값 742, 관측값 742
<합성 실시예 10> (화합물 No.139의 합성)
Figure 112010079763108-pct00183
3구 플라스크에 화합물 19(5.0g, 13.2mmol), 1,3-다이브로모벤젠(1.5g, 6.6mmol), 2M Na2CO3 수용액(14mL, 28mmol), DME(14mL), 톨루엔(14mL), Pd[PPh3]4(0.389, 0.34mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 8시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(50mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정을 2회 행하여, 백색의 분말(화합물 No.139)을 얻었다. 이것을 승화 정제하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 1.9g, 수율 39%
FD-MS 분석 C54H30O4: 이론값 742, 관측값 742
<합성 실시예 11> (화합물 No.154의 합성)
(1) 화합물 20의 합성
Figure 112010079763108-pct00184
3구 플라스크에 1,2-다이브로모-3,6-다이플루오로벤젠(50.0g, 183.9mmol), 2-메톡시페닐보론산(67.1g, 441.4mmol), 2M Na2CO3 수용액(368mL, 736mmol), DME(370mL), 톨루엔(370mL), Pd[PPh3]4(21.3g, 18.4mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 8시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(500mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 백색의 고체를 얻었다. 수득량 30.6g, 수율 51%
FD-MS 분석 C20H16F2O2: 이론값 326, 관측값 326
(2) 화합물 21의 합성
Figure 112010079763108-pct00185
3구 플라스크에 화합물 20(30.0g, 91.9mmol), NBS(32.8g, 184mmol), DMF(820mL)를 넣고, Ar 분위기 하 실온에서 8시간 교반했다. 반응 종료 후, 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(1000mL)을 가하여 AcOEt로 추출했다. 시료를 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 백색의 고체를 얻었다. 수득량 32g, 수율 72%
FD-MS 분석 C20H14Br2F2O2: 이론값 484, 관측값 484
(3) 화합물 22의 합성
Figure 112010079763108-pct00186
3구 플라스크에 화합물 21(32.0g, 66.1mmol), 1M BBr3 CH2Cl2 용액(155mL, 155mmol), CH2Cl2(430mL)를 넣고, Ar 분위기 하 0℃에서 8시간 교반했다. 그 후, 실온에서 밤새 방치했다. 반응 종료 후, 포화 NaHCO3 수용액으로 중화했다. 시료를 분액 깔대기에 옮겨, CH2Cl2로 추출했다. 시료를 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 백색의 고체를 얻었다. 수득량 24.1g, 수율 80%
FD-MS 분석 C18H10Br2F2O2: 이론값 456, 관측값 456
(4) 화합물 23의 합성
Figure 112010079763108-pct00187
3구 플라스크에 화합물 22(24.1g, 52.8mmol), K2CO3(16.0g, 116mmol), NMP(220mL)를 넣고, Ar 분위기 하 150℃에서 8시간 교반했다. 반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(500mL)을 가하여 AcOEt로 추출했다. 시료를 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 백색의 고체를 얻었다. 수득량 18.7g, 수율 85%
FD-MS 분석 C18H8Br2O2: 이론값 416, 관측값 416
(5) 화합물 No.154의 합성
Figure 112010079763108-pct00188
3구 플라스크에 화합물 23(2.5g, 6.0mmol), 화합물 9(3.8g, 13.2mmol), 2M Na2CO3 수용액(12mL, 24mmol), DME(12mL), 톨루엔(12mL), Pd[PPh3]4(0.35g, 0.3mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 8시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(50mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정을 2회 행하여, 백색의 분말(화합물 No.154)을 얻었다. 이것을 승화 정제하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 0.9g, 수율 20%
FD-MS 분석 C54H30O4: 이론값 742, 관측값 742
<합성 실시예 12> (화합물 No.157의 합성)
(1) 화합물 24의 합성
Figure 112010079763108-pct00189
3구 플라스크에 화합물 23(16.8g, 40mmol), 페닐보론산(4.8g, 40mmol), 2M Na2CO3 수용액(80mL, 160mmol), DME(80mL), 톨루엔(80mL), Pd[PPh3]4(2.3g, 2.0mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 8시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(150mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 백색의 고체를 얻었다. 수득량 9.1g, 수율 55%
FD-MS 분석 C24H13BrO2: 이론값 413, 관측값 413
(2) 화합물 25의 합성
Figure 112010079763108-pct00190
3구 플라스크에 화합물 24(9.0g, 21.8mmol), THF(220mL)를 넣고, -78℃로 냉각했다. n-BuLi(1.65M n-헥세인 용액, 14.5mL, 23.9mmol)을 적하하여 가하고, -78℃에서 20분 교반했다. 붕산 트라이아이소프로필(12.3g, 65.3mmol)을 가하여 -78℃에서 1시간 교반 후, 밤새 실온에서 방치했다. 1N HCl(100mL)을 가하여 실온에서 1시간 교반했다. 시료를 농축한 후, 분액 깔대기에 옮기고, 물(100mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 재결정(톨루엔-헥세인)에 의해 정제하여, 백색의 고체를 얻었다. 수득량 4.1g, 수율 50%
(3) 화합물 No.157의 합성
Figure 112010079763108-pct00191
3구 플라스크에 화합물 25(4.0g, 10.6mmol), 1,3-다이브로모벤젠(1.2g, 5.3mmol), 2M Na2CO3 수용액(11mL, 22mmol), DME(11mL), 톨루엔(11mL), Pd[PPh3]4(0.31g, 0.27mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 8시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(50mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정을 2회 행하여, 백색의 분말(화합물 No.157)을 얻었다. 이것을 승화 정제하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 0.63g, 수율 16%
FD-MS 분석 C54H30O4: 이론값 742, 관측값 742
<합성 실시예 13> (화합물 No.239의 합성)
Figure 112010079763108-pct00192
3구 플라스크에 화합물 26(2.8g, 6.0mmol), 화합물 9(3.8g, 13.2mmol), 2M Na2CO3 수용액(12mL, 24mmol), DME(12mL), 톨루엔(12mL), Pd[PPh3]4(0.35g, 0.3mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 8시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(50mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정을 2회 행하여, 백색의 분말(화합물 No.239)을 얻었다. 이것을 승화 정제하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 2.1g, 수율 45%
FD-MS 분석 C60H42O2: 이론값 794, 관측값 794
합성 실시예 14(화합물 No.249의 합성)
Figure 112010079763108-pct00193
3구 플라스크에 화합물 27(2.8g, 6.0mmol), 화합물 9(3.8g, 13.2mmol), 2M Na2CO3 수용액(12mL, 24mmol), DME(12mL), 톨루엔(12mL), Pd[PPh3]4(0.35g, 0.3mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 8시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(50mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정을 2회 행하여, 백색의 분말(화합물 No.249)을 얻었다. 이것을 승화 정제하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 2.5g, 수율 52%
FD-MS 분석 C60H42O2: 이론값 794, 관측값 794
<합성 실시예 15> (화합물 No.259의 합성)
Figure 112010079763108-pct00194
3구 플라스크에 화합물 28(2.8g, 6.0mmol), 화합물 9(3.8g, 13.2mmol), 2M Na2CO3 수용액(12mL, 24mmol), DME(12mL), 톨루엔(12mL), Pd[PPh3]4(0.35g, 0.3mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 8시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(50mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정을 2회 행하여, 백색의 분말(화합물 No.259)을 얻었다. 이것을 승화 정제하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 1.9g, 수율 40%
FD-MS 분석 C60H42O2: 이론값 794, 관측값 794
<합성 실시예 16> (화합물 No.269의 합성)
Figure 112010079763108-pct00195
3구 플라스크에 화합물 29(2.8g, 6.0mmol), 화합물 9(3.8g, 13.2mmol), 2M Na2CO3 수용액(12mL, 24mmol), DME(12mL), 톨루엔(12mL), Pd[PPh3]4(0.35g, 0.3mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 8시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(50mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정을 2회 행하여, 백색의 분말(화합물 No.269)을 얻었다. 이것을 승화 정제하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 1.0g, 수율 21%
FD-MS 분석 C60H42O2: 이론값 794, 관측값 794
<합성 실시예 17> (화합물 No.233의 합성)
Figure 112010079763108-pct00196
3구 플라스크에 화합물 30(2.7g, 6.0mmol), 화합물 9(3.8g, 13.2mmol), 2M Na2CO3 수용액(12mL, 24mmol), DME(12mL), 톨루엔(12mL), Pd[PPh3]4(0.35g, 0.3mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 8시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(50mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정을 2회 행하여, 백색의 분말(화합물 No.233)을 얻었다. 이것을 승화 정제하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 1.9g, 수율 40%
FD-MS 분석 C54H30O2S2: 이론값 774, 관측값 774
<합성 실시예 18> (화합물 No.243의 합성)
Figure 112010079763108-pct00197
3구 플라스크에 화합물 31(2.7g, 6.0mmol), 화합물 9(3.8g, 13.2mmol), 2M Na2CO3 수용액(12mL, 24mmol), DME(12mL), 톨루엔(12mL), Pd[PPh3]4(0.35g, 0.3mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 8시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(50mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정을 2회 행하여, 백색의 분말(No.243)을 얻었다. 이것을 승화 정제하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 2.1g, 수율 45%
FD-MS 분석 C54H30O2S2: 이론값 774, 관측값 774
<합성 실시예 19> (화합물 No.253의 합성)
Figure 112010079763108-pct00198
3구 플라스크에 화합물 32(2.7g, 6.0mmol), 화합물 9(3.8g, 13.2mmol), 2M Na2CO3 수용액(12mL, 24mmol), DME(12mL), 톨루엔(12mL), Pd[PPh3]4(0.35g, 0.3mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 8시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(50mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정을 2회 행하여, 백색의 분말(화합물 No.253)을 얻었다. 이것을 승화 정제하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 1.8g, 수율 38%
FD-MS 분석 C54H30O2S2: 이론값 774, 관측값 774
<합성 실시예 20> (화합물 No.263의 합성)
Figure 112010079763108-pct00199
3구 플라스크에 화합물 33(2.7g, 6.0mmol), 화합물 9(3.8g, 13.2mmol), 2M Na2CO3 수용액(12mL, 24mmol), DME(12mL), 톨루엔(12mL), Pd[PPh3]4(0.35g, 0.3mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 8시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮겨, 물(50mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정을 2회 행하여, 백색의 분말(화합물 No.263)을 얻었다. 이것을 승화 정제하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 0.6g, 수율 13%
FD-MS 분석 C54H30O2S2: 이론값 774, 관측값 774
<합성 실시예 21> (화합물 No.272의 합성)
Figure 112010079763108-pct00200
3구 플라스크에 화합물 11(8.3g, 21.9mmol), 1,3,5-트라이브로모벤젠(2.3g, 7.3mmol), 2M Na2CO3 수용액(22.5mL, 45mmol), DME(15mL), 톨루엔(15mL), Pd[PPh3]4(0.63g, 0.56mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 8시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(50mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정을 2회 행하여, 백색의 분말(화합물 No.272)을 얻었다. 이것을 승화 정제하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 1.0g, 수율 13%
FD-MS 분석 C78H42O6: 이론값 1075, 관측값 1075
<합성 실시예 22> (화합물 No.273의 합성)
Figure 112010079763108-pct00201
3구 플라스크에 화합물 17(8.3g, 21.9mmol), 1,3,5-트라이브로모벤젠(2.3g, 7.3mmol), 2M Na2CO3 수용액(22.5mL, 45mmol), DME(15mL), 톨루엔(15mL), Pd[PPh3]4(0.63g, 0.56mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 8시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(50mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정을 2회 행하여, 백색의 분말(화합물 No.273)을 얻었다. 이것을 승화 정제하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 1.2g, 수율 15%
FD-MS 분석 C78H42O6: 이론값 1075, 관측값 1075
<합성 실시예 23> (화합물 No.274의 합성)
Figure 112010079763108-pct00202
3구 플라스크에 화합물 19(8.3g, 21.9mmol), 1,3,5-트라이브로모벤젠(2.3g, 7.3mmol), 2M Na2CO3 수용액(22.5mL, 45mmol), DME(15mL), 톨루엔(15mL), Pd[PPh3]4(0.63g, 0.56mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 8시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(50mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정을 2회 행하여, 백색의 분말(No.274)을 얻었다. 이것을 승화 정제하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 0.94g, 수율 12%
FD-MS 분석 C78H42O6: 이론값 1075, 관측값 1075
<합성 실시예 24> (화합물 No.276의 합성)
Figure 112010079763108-pct00203
3구 플라스크에 화합물 25(8.3g, 21.9mmol), 1,3,5-트라이브로모벤젠(2.3g, 7.3mmol), 2M Na2CO3 수용액(22.5mL, 45mmol), DME(15mL), 톨루엔(15mL), Pd[PPh3]4(0.63g, 0.56mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 8시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(50mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정을 2회 행하여, 백색의 분말(화합물 No.276)을 얻었다. 이것을 승화 정제하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 0.55g, 수율 7%
FD-MS 분석 C78H42O6: 이론값 1075, 관측값 1075
<합성 실시예 25> (화합물 No.1의 합성)
Figure 112010079763108-pct00204
3구 플라스크에 화합물 8(2.5g, 6.0mmol), 화합물 34(3.8g, 13.2mmol), 2M Na2CO3 수용액(12mL, 24mmol), DME(12mL), 톨루엔(12mL), Pd[PPh3]4(O.35g, 0.3mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 8시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(50mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정을 2회 행하여, 백색의 분말(화합물 No.1)을 얻었다. 이것을 승화 정제하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 1.2g, 수율 27%
FD-MS 분석 C54H32N2O2: 이론값 740, 관측값 740
<합성 실시예 26> (화합물 No.92의 합성)
Figure 112010079763108-pct00205
3구 플라스크에 화합물 8(2.5g, 6.0mmol), 3-바이페닐보론산(2.6g, 13.2mmol), 2M Na2CO3 수용액(12mL, 24mmol), DME(12mL), 톨루엔(12mL), Pd[PPh3]4(0.35g, 0.3mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 8시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(50mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정을 2회 행하여, 백색의 분말(화합물 No.92)을 얻었다. 이것을 승화 정제하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 1.1g, 수율 32%
FD-MS 분석 C42H26O2: 이론값 562, 관측값 562
<합성 실시예 27> (화합물 No.108의 합성)
(1) 화합물 35의 합성
Figure 112010079763108-pct00206
3구 플라스크에 4-브로모플루오로벤젠(81.55g, 466mmol), 3-바이페닐보론산(92.33g, 466mmol), 2M Na2CO3 수용액(530mL), Pd[PPh3]4(14.7g, 12.7mmol), DME(500mL), 톨루엔(500mL)을 넣고, Ar 분위기 하에서 6시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(350mL)을 가하여 톨루엔으로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정 하여, 백색의 고체를 얻었다. 수득량 31.7g, 수율 27%
FD-MS 분석 C18H13F: 이론값 248, 관측값 248
(2) 화합물 36의 합성
Figure 112010079763108-pct00207
3구 플라스크에 화합물 35(31.7g, 127mmol), THF(200mL)를 넣고, -78℃로 냉각했다. 미리 1.55M n-BuLi 헥세인 용액(82mL, 127mmol), 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘(17.9g, 127mmol), THF(50mL)로부터 조제해 둔 리튬 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 용액을 가하고, 그 후 -78℃, Ar 분위기 하에서 2시간 교반했다. 그 후, 붕산 트라이아이소프로필(71.6g, 381mmol)을 가하여 -78℃에서 2시간 교반하고, 그 후 천천히 실온까지 되돌려 밤새 방치했다.
반응 종료 후, 메탄올(50mL)을 가하여 실활하고, 반 정도의 용량으로 농축했다. CH2Cl2(200mL), 2N HCl(120mL)을 가하여 실온에서 2시간 교반했다. 시료를 분액 깔대기에 옮겨 CH2Cl2로 추출했다. 이 용액을 MgSO4로 건조한 후, 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 톨루엔으로 분산 세정하여, 백색의 고체를 얻었다. 수득량 27.5g, 수율 74%
(3) 화합물 37의 합성
Figure 112010079763108-pct00208
3구 플라스크에 2,4-다이브로모-1,5-다이메톡시벤젠(5.92g, 20mmol), 화합물 36(14.02g, 48mmol), 2M Na2CO3 수용액(40mL), Pd[PPh3]4(1.15g, 1mmol), DME(20mL), 톨루엔(20mL)을 넣고, Ar 분위기 하에서 36시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(100mL)을 가하여 톨루엔으로 추출했다. MgSO4로 건조한 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정하여, 백색의 고체를 얻었다. 수득량 9.49g, 수율 75%
FD-MS 분석 C44H32F2O2: 이론값 630, 관측값 630
(4) 화합물 38의 합성
Figure 112010079763108-pct00209
3구 플라스크에 화합물 37(9.49g, 5mmol), CH2Cl2(75mL)를 넣고, 0℃로 냉각했다. BBr3(15.03g, 60mmol)을 가하고, Ar 분위기 하, 실온에서 24시간 교반했다.
반응 종료 후, 용액을 -78℃로 냉각하고, 메탄올(50mL), 물(100mL)로 실활했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(100mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조한 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 9.04g, 수율 100%
FD-MS 분석 C42H28F2O2: 이론값 6O2, 관측값 602
(5) 화합물 No.108의 합성
Figure 112010079763108-pct00210
3구 플라스크에 화합물 38(9.04g, 15mmol), NMP(150mL)를 넣고, 화합물 38을 완전히 용해시켰다. K2CO3(8.309,6 Ommol)을 가하여 20O℃에서 2시간 교반했다.
반응 종료 후, 용액을 실온까지 냉각했다. 시료에 톨루엔(1.5 L)을 가하고, 분액 깔대기에 옮겨, 물로 세정했다. MgSO4로 건조한 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정하여 백색의 분말(화합물 No.108)을 얻었다. 이것을 승화 정제하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 3.37g, 수율 40%
FD-MS 분석 C42H26O2: 이론값 562, 관측값 562
<합성 실시예 28> (화합물 No.281의 합성)
(1) 화합물 39의 합성
Figure 112010079763108-pct00211
3구 플라스크에 2,4-다이브로모-1,5-다이메톡시벤젠(88.8g, 300mmol), 2-플루오로페닐보론산(100.7g, 720mmol), 2M Na2CO3 수용액(600mL), Pd[PPh3]4(6.73g, 6mmol), DME(15OmL), 톨루엔(15OmL)을 넣고, Ar 분위기 하에서 36시간 환류했다.
반응 종료 후, 용액을 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(500mL)을 가하여 톨루엔으로 추출했다. MgSO4로 건조한 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정하여, 백색의 고체를 얻었다. 수득량 86.5g, 수율 88%
FD-MS 분석 C20H16F2O2: 이론값 326, 관측값 326
(2) 화합물 40의 합성
Figure 112010079763108-pct00212
3구 플라스크에 화합물 39(48.3g, 148mmol), CH2Cl2(740mL)를 넣고, 0℃로 냉각했다. BBr3(89.0g, 355mmol)을 가하고, 그 후 실온에서 24시간 교반했다.
반응 종료 후, 용액을 -78℃로 냉각하여, 메탄올(50mL), 물(10OmL)로 실활했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 44.14g, 수율 100%
FD-MS 분석 C18H12F2O2: 이론값 298, 관측값 298
(3) 화합물 41의 합성
Figure 112010079763108-pct00213
3구 플라스크에 화합물 40(44.14g, 148mmol), NMP(888mL)를 넣고, 화합물 40을 완전히 용해시켰다. K2CO3(81.8g, 592mmol)을 가하여 200℃에서 2시간 교반했다.
반응 종료 후, 용액을 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 톨루엔(2L)을 가하여 물로 세정했다. MgSO4로 건조한 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정하여, 백색의 고체를 얻었다. 수득량 27.9g, 수율 73%
FD-MS 분석 C18H10O2: 이론값 258, 관측값 258
(4) 화합물 42의 합성
Figure 112010079763108-pct00214
3구 플라스크에 화합물 41(12.9g, 50mmol), THF(30OmL)를 가하고, -78℃로 냉각했다. n-BuLi((헥세인 중의 2.63M) 20.0mL, 52.5mmol)을 가하고, 실온, Ar 분위기 하에서 1시간 교반했다. 다음으로, 다시 -78℃로 냉각하고, 붕산 트라이메틸(10.4g, 100mmol)을 가하여 -78℃에서 10분간 교반한 후, 실온에서 1시간 교반했다.
반응 종료 후, 반 정도의 용량으로 농축했다. 1N HCl(200mL)을 가하여 실온에서 1시간 교반했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 아세트산에틸로 추출했다. 이 용액을 MgSO4로 건조한 후, 농축하고, 톨루엔/헥세인 혼합 용매로 분산 세정하여, 백색의 고체를 얻었다. 수득량 13.7g, 수율 91%
(5) 화합물 No.281의 합성
Figure 112010079763108-pct00215
3구 플라스크에 화합물 42(3.8g, 12.6mmol), 1,3-다이브로모벤젠(1.4g, 6.0mmol), 2M Na2CO3 수용액(12mL, 24mmol), DME(12mL), 톨루엔(12mL), Pd[PPh3]4(0.35g, 0.30mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 8시간 환류했다.
반응 종료 후, 용액을 실온까지 냉각하고, 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(50mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정을 2회 행하여, 백색의 분말(화합물 No.281)을 얻었다. 이것을 승화 정제하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 1.3g, 수율 37%
FD-MS 분석 C42H22O4: 이론값 59O, 관측값 59O
<합성 실시예 29> (화합물 No.284의 합성)
(1) 화합물 43의 합성
Figure 112010079763108-pct00216
3구 플라스크에 화합물 41(2.69g, 10.4mmol), THF(62mL)를 가하고, -78℃로 냉각했다. 거기에 n-BuLi((헥세인 중의 1.66M) 6.6mL, 10.9mmol)을 가하고, 그 후 실온에서 30분간 교반했다. 다음으로, 다시 -78℃로 냉각하고, I2(2.69g, 10.6mmol)를 가하여 -78℃에서 10분간 교반한 후, 실온에서 1시간 교반했다.
반응 종료 후, 물(30mL)을 가하여 실활하고, 농축했다. 시료를 물로 분산 세정한 후, 여취하여, 톨루엔에 용해시켰다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정하여, 백색의 고체를 얻었다. 수득량 3.77g, 수율 94%
FD-MS 분석 C18H9IO2: 이론값 384, 관측값 384
(2) 화합물 No.284의 합성
Figure 112010079763108-pct00217
3구 플라스크에 화합물 43(2.3g, 6.0mmol), 화합물 44(2.2g, 6.3mmol), 2M Na2CO3 수용액(12mL, 24mmol), DME(12mL), 톨루엔(12mL), Pd[PPh3]4(O.35g, 0.30mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 8시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(50mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정을 2회 행하여, 백색의 분말(화합물 No.284)을 얻었다. 이것을 승화 정제하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 1.0g, 수율 30%
FD-MS 분석 C40H24N2O2: 이론값 564, 관측값 564
<합성 실시예 30> (화합물 No.306의 합성)
(1) 화합물 46의 합성
Figure 112010079763108-pct00218
3구 플라스크에 1,2-다이플루오로-3,6-다이아이오도벤젠(7.3g, 20.0mmol), 화합물 45(12.8g, 42.0mmol), 2M Na2CO3 수용액(40mL, 80.0mmol), DME(40mL), 톨루엔(40mL), Pd[PPh3]4(1.2g, 1.0mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 8시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(100mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 백색의 고체를 얻었다. 수득량 8.2g, 수율 65%
FD-MS 분석 C44H32F2O2: 이론값 630, 관측값 630
(2) 화합물 47의 합성
Figure 112010079763108-pct00219
3구 플라스크에 화합물 46(8.2g, 13.0mmol), 1M BBr3 CH2Cl2 용액(32mL, 32.0mmol), CH2Cl2(100mL)를 넣고, Ar 분위기 하 O℃에서 8시간 교반했다. 그 후, 실온에서 밤새 방치했다.
반응 종료 후, 포화 NaHCO3 수용액으로 중화했다. 시료를 분액 깔대기에 옮겨, CH2Cl2로 추출했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 백색의 고체를 얻었다. 수득량 7.6g, 수율 97%
FD-MS 분석 C42H28F2O2: 이론값 6O2, 관측값 602
(3) 화합물 No.306의 합성
Figure 112010079763108-pct00220
3구 플라스크에 화합물 47(7.6g, 12.6mmol), K2CO3(7.0g, 50.4mmol), NMP(50mL)를 넣고, Ar 분위기 하 200℃에서 3시간 교반했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료에 톨루엔(500mL)을 가하고, 분액 깔대기에 옮겨, 물로 세정했다. MgSO4로 건조한 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정을 2회 행하여, 백색의 분말(화합물 No.306)을 얻었다. 이것을 승화 정제하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 2.9g, 수율 41%
FD-MS 분석 C42H26O2: 이론값 562, 관측값 562
<합성 실시예 31> (화합물 No.329의 합성)
(1) 화합물 48의 합성
Figure 112010079763108-pct00221
3구 플라스크에 1,3-다이브로모-4,6-다이플루오로벤젠(5.4g, 20.0mmol), 화합물 45(12.8g, 42.0mmol), 2M Na2CO3 수용액(40mL, 80.0mmol), DME(40mL), 톨루엔(40mL), Pd[PPh3]4(1.2g, 1.0mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 8시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(100mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 백색의 고체를 얻었다. 수득량 7.2g, 수율 57%
FD-MS 분석 C44H32F2O2: 이론값 630, 관측값 630
(2) 화합물 49의 합성
Figure 112010079763108-pct00222
3구 플라스크에 화합물 46(7.2g, 11.4mmol), 1M BBr3 CH2Cl2 용액(28mL, 28.0mmol), CH2Cl2(85mL)를 넣고, Ar 분위기 하 O℃에서 8시간 교반했다. 그 후, 실온에서 밤새 방치했다.
반응 종료 후, 포화 NaHCO3 수용액으로 중화했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, CH2Cl2로 추출했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 백색의 고체를 얻었다. 수득량 6.9g, 수율 100%
FD-MS 분석 C42H28F2O2: 이론값 6O2, 관측값 602
(3) 화합물 No.329의 합성
Figure 112010079763108-pct00223
3구 플라스크에 화합물 47(6.9g, 11.4mmol), K2CO3(6.3g, 45.6mmol), NMP(50mL)를 넣고, Ar 분위기 하 200℃에서 3시간 교반했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료에 톨루엔(500mL)을 가하고, 분액 깔대기에 옮겨, 물로 세정했다. MgSO4로 건조한 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정을 2회 행하여, 백색의 분말(화합물 No.329)을 얻었다. 이것을 승화 정제하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 2.3g, 수율 36%
FD-MS 분석 C42H26O2: 이론값 562, 관측값 562
<합성 실시예 32> (화합물 No.477의 합성)
(1) 화합물 50의 합성
Figure 112010079763108-pct00224
3구 플라스크에 화합물 2-브로모나이트로벤젠(25.0g, 123.8mmol), 4-다이벤조퓨란보론산(31.5g, 148.5mmol), 2M Na2CO3 수용액(124mL, 248mmol), DME(250mL), 톨루엔(250mL), Pd[PPh3]4(7.2g, 6.2mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 12시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(500mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 백색의 고체를 얻었다. 수득량 24.0g, 수율 67%
FD-MS 분석 C18H11NO3: 이론값 289, 관측값 289
(2) 화합물 51의 합성
Figure 112010079763108-pct00225
3구 플라스크에 화합물 50(24.0g, 83.0mmol), 트라이페닐포스핀(54.4g, 207.4mmol), 다이메틸아세토아마이드(166mL)를 넣고, Ar 분위기 하에서 20 시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(40 OmL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 백색의 고체를 얻었다. 수득량 14.5g, 수율 68%
FD-MS 분석 C18H11NO: 이론값 257, 관측값 257
(3) 화합물 No.477의 합성
Figure 112010079763108-pct00226
3구 플라스크에 1,3-다이아이오도벤젠(3.3g, 10.0mmol), 화합물 51(6.2g, 24.0mmol), CuI(1.9g, 10.0mmol), 트랜스사이클로헥세인 1,2-다이아민(3.4g, 30.0mmol), K3PO4(8.5g, 40.0mmol), 1,4-다이옥세인(15mL)을 넣고, Ar 분위기 하에서 10시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(100mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. 시료를 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정을 2회 행하여, 백색의 분말(화합물 No.477)을 얻었다. 이것을 승화 정제하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 1.8g, 수율 30%
FD-MS 분석 C42H24N2O2: 이론값 588, 관측값 588
<합성 실시예 33> (화합물 No.76의 합성)
(1) 화합물 52의 합성
Figure 112010079763108-pct00227
3구 플라스크에 1,3-다이브로모-4,6-다이플루오로벤젠(6.8g, 25.0mmol), 2,4-다이메톡시페닐보론산(10.0g, 54.9mmol), 2M Na2CO3 수용액(62mL, 124mmol), DME(60mL), 톨루엔(60mL), Pd[PPh3]4(2.9g, 2.5mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 12시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(500mL)을 가하여 톨루엔으로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 백색의 고체를 얻었다. 수득량 8.0g, 수율 83%
FD-MS 분석 C22H20F2O4: 이론값 386, 관측값 386
(2) 화합물 53의 합성
Figure 112010079763108-pct00228
3구 플라스크에 화합물 52(8.0g, 20.8mmol), NBS(7.4g, 41.6mmol), DMF(200mL)를 넣고, Ar 분위기 하 실온에서 20시간 교반했다. 반응 종료 후, 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(500mL)을 가하여 AcOEt로 추출했다. 시료를 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 백색의 고체를 얻었다. 수득량 7.4g, 수율 65%
FD-MS 분석 C22H18Br2F2O4: 이론값 544, 관측값 544
(3) 화합물 55의 합성
Figure 112010079763108-pct00229
3구 플라스크에 화합물 53(7.4g, 13.6mmol), 화합물 54(12.8g, 32.6mmol), 2M Na2CO3 수용액(28mL, 56.Ommol), DME(28mL), 톨루엔(28mL), Pd[PPh3]4(0.79g, 0.68mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 20시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(30 OmL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 백색의 고체를 얻었다. 수득량 6.2g, 수율 63%
FD-MS 분석 C46H34F4O4: 이론값 726, 관측값 726
(4) 화합물 56의 합성
Figure 112010079763108-pct00230
3구 플라스크에 화합물 55(6.2g, 8.5mmol), 1M BBr3 CH2Cl2 용액(20.5mL, 20.5mmol), CH2Cl2(85mL)를 넣고, Ar 분위기 하 O℃에서 8시간 교반했다. 그 후, 실온에서 밤새 방치했다.
반응 종료 후, 포화 NaHCO3 수용액으로 중화했다. 시료를 분액 깔대기에 옮겨, CH2Cl2로 추출했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 백색의 고체를 얻었다. 수득량 5.1g, 수율 90%
FD-MS 분석 C42H26F4O4: 이론값 67O, 관측값 670
(5) 화합물 No.76의 합성
Figure 112010079763108-pct00231
3구 플라스크에 화합물 56(5.1g, 7.6mmol), K2CO3(4.2g, 30.4mmol), NMP(80mL)를 넣고, Ar 분위기 하 200℃에서 4시간 교반했다. 반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(500mL)을 가하여 톨루엔으로 추출했다. 시료를 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정을 2회 행하여, 백색의 분말(화합물 No.76)을 얻었다. 이것을 승화 정제하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 1.4g, 수율 31%
FD-MS 분석 C42H22O4: 이론값 590, 관측값 590
<합성 실시예 34> (화합물 No.517의 합성)
(1) 화합물 57의 합성
Figure 112010079763108-pct00232
Ar 분위기 하에서 3구 플라스크에 화합물 41(5.0g, 12.0mmol), THF(250mL)를 가하고, -78℃로 냉각했다. n-BuLi(헥세인 중의 2.64M, 10.0mL, 26.4mmol)을 가하여 -78℃에서 2시간 교반했다. 다음으로, 2-아이소프로폭시-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-다이옥사보로란(5.59g, 30.0mmol)를 가하여 -78℃에서 2시간 교반한 후, 실온에서 밤새 방치했다.
반응 종료 후, 물(100mL)을 가하여 실온에서 1시간 교반했다. 반응 용액을 농축하여 THF를 증류 제거한 후, 시료를 분액 깔대기에 옮겨, CH2Cl2로 추출했다. 이 용액을 MgSO4로 건조한 후, 농축했다. 시료를 톨루엔으로 재결정하여, 백색의 고체를 얻었다. 수득량 2.77g, 수율 45%
(2) 화합물 No.517의 합성
Figure 112010079763108-pct00233
3구 플라스크에 화합물 57(2.77g, 5.43mmol), 화합물 58(3.48g, 13.0mmol), 2M Na2CO3 수용액(26mL, 52mmol), DME(25mL), 톨루엔(25mL), Pd[PPh3]4(0.75g, 0.65mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 12시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(500mL)을 가하여 톨루엔으로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정을 2회 행하여, 백색의 분말(화합물 No.517)을 얻었다. 이것을 승화 정제하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 1.3g, 수율 33%
FD-MS 분석 C50H30N4O2: 이론값 718, 관측값 718
<합성 실시예 35> (화합물 No.589의 합성)
Figure 112010079763108-pct00234
3구 플라스크에 화합물 57(2.77g, 5.43mmol), 화합물 59(3.48g, 13.0mmol), 2M Na2CO3 수용액(26mL, 52mmol), DME(25mL), 톨루엔(25mL), Pd[PPh3]4(0.75g, 0.65mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 12시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(500mL)을 가하여 톨루엔으로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정을 2회 행하여, 백색의 분말(화합물 No.589)을 얻었다. 이것을 승화 정제하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 1.2g, 수율 30%
FD-MS 분석 C48H28N6O2: 이론값 720, 관측값 720
<합성 실시예 36> (화합물 No.286의 합성)
(1) 화합물 60의 합성
Figure 112010079763108-pct00235
3구 플라스크에 화합물 3-바이페닐보론산(1.98g, 10mmol), 1-브로모-3-아이오도벤젠(2.83g, 10mmol), 2M Na2CO3 수용액(10mL, 20mmol), 톨루엔(40mL), Pd[PPh3]4(0.35g, 0.30mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 10시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(500mL)을 가하여 톨루엔으로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후, 무색의 유상물(油狀物)을 얻었다. 수득량 2.9g, 수율 93%
FD-MS 분석 C18H13Br: 이론값 309, 관측값 309
(2) 화합물 61의 합성
Figure 112010079763108-pct00236
Ar 분위기 하에서 3구 플라스크에 화합물 60(2.9g, 9.38mmol), THF(30mL)를 가하고, -78℃로 냉각했다. n-BuLi(헥세인 중의 1.59M, 6.1mL, 9.70mmol)을 적하하여 가하여 -78℃에서 2시간 교반했다. 다음으로, 붕산 트라이아이소프로필(5.45g, 29.0mmol)을 가하여 -78℃에서 2시간 교반한 후, 실온에서 밤새 방치했다. 1N HCl(20mL)을 가하여 실온에서 1시간 교반했다. 시료를 농축한 후, 분액 깔대기에 옮기고, 물(100mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 재결정(톨루엔-헥세인)에 의해 정제하여, 백색의 고체를 얻었다. 수득량 1.74g, 수율 68%
(3) 화합물 No.286의 합성
Figure 112010079763108-pct00237
3구 플라스크에 화합물 8(1.20g, 2.88mmol), 화합물 61(1.74g, 6.35mmol), 2M Na2CO3 수용액(7.2mL, 14.4mmol), DME(10mL), 톨루엔(10mL), Pd[PPh3]4(0.33g, 0.29mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 12시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(500mL)을 가하여 톨루엔으로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정을 2회 행하여, 백색의 분말(화합물 No.286)을 얻었다. 이것을 승화 정제하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 0.9g, 수율 43%
FD-MS 분석 C54H34O2: 이론값 714, 관측값 714
<합성 실시예 37> (화합물 No.577의 합성)
(1) 화합물 62의 합성
Figure 112010079763108-pct00238
3구 플라스크에 화합물 15(16.6g, 40mmol), 3-바이페닐보론산(7.9g, 40mmol), 2M Na2CO3 수용액(80mL, 160mmol), DME(120mL), 톨루엔(120mL), Pd[PPh3]4(2.3g, 2.0mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 12시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(200mL)을 가하여 톨루엔으로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 백색의 고체를 얻었다. 수득량 10.7g, 수율 54%
FD-MS 분석 C30H17BrO2: 이론값 489, 관측값 489
(2) 화합물 No.577의 합성
Figure 112010079763108-pct00239
3구 플라스크에 화합물 62(4.89g, 10mmol), 화합물 34(3.16g, 11mmol), 2M Na2CO3 수용액(20mL, 40mmol), DME(100mL), 톨루엔(100mL), Pd[PPh3]4(1.2g, 1.0mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 12시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(200mL)을 가하여 톨루엔으로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정을 2회 행하여, 백색의 분말(화합물 No.577)을 얻었다. 이것을 승화 정제하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 1.3g, 수율 20%
FD-MS 분석 C48H29NO2: 이론값 651, 관측값 651
<합성 실시예 38> (화합물 No.294의 합성)
Figure 112010079763108-pct00240
3구 플라스크에 화합물 8(2.5g, 6.0mmol), 9,9-다이메틸플루오렌-2-보론산(3.1g, 13.2mmol), 2M Na2CO3 수용액(12mL, 24mmol), DME(12mL), 톨루엔(12mL), Pd[PPh3]4(0.35g, 0.3mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 8시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(50mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정을 2회 행하여, 백색의 분말(화합물 No.294)을 얻었다. 이것을 승화 정제하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 1.1g, 수율 30%
FD-MS 분석 C48H34O2: 이론값 642, 관측값 642
<합성 실시예 39> (화합물 No.304의 합성)
Figure 112010079763108-pct00241
3구 플라스크에 화합물 15(2.5g, 6.0mmol), 9,9-다이메틸플루오렌-2-보론산(3.1g, 13.2mmol), 2M Na2CO3 수용액(12mL, 24mmol), DME(12mL), 톨루엔(12mL), Pd[PPh3]4(0.35g, 0.3mmol)를 넣고, Ar 분위기 하에서 8시간 환류했다.
반응 종료 후, 실온까지 냉각했다. 시료를 분액 깔대기에 옮기고, 물(50mL)을 가하여 CH2Cl2로 추출했다. MgSO4로 건조 후, 여과, 농축했다. 시료를 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제했다. 농축·건고 후 재결정을 2회 행하여, 백색의 분말(화합물 No.304)을 얻었다. 이것을 승화 정제하여 백색의 고체를 얻었다. 수득량 1.3g, 수율 35%
FD-MS 분석 C48H34O2: 이론값 642, 관측값 642
합성 실시예 1 내지 39에서의 FD-MS(전계 탈리 질량 분석법) 분석의 측정에 사용한 장치 및 측정 조건을 이하에 나타낸다.
장치: HX 110(니혼전자사제)
조건: 가속 전압 8kV
스캐닝 범위 m/z = 50 내지 1500
에미터 종류: 카본
에미터 전류: 0mA → 2mA/분 → 40mA(10분 유지)
<실시예 1>
(유기 EL 소자의 제작)
25mm×75mm×1.1mm의 ITO 투명 전극 부착 유리 기판(지오매틱사제)에, 아이소프로필알코올 중에서 5분간의 초음파 세정을 실시하고, 추가로 30분간의 UV(Ultraviolet) 오존 세정을 실시했다.
이렇게 하여 세정한 투명 전극 부착 유리 기판을 진공 증착 장치의 기판 홀더에 장착하고, 우선, 유리 기판의 투명 전극 라인이 형성되어 있는 측의 면 상에, 투명 전극을 덮도록 하여 화합물 A를 두께 30nm로 증착하여, 정공 수송층을 얻었다.
이 정공 수송층 상에, 인광용 호스트인 화합물 No.11과 인광용 도펀트인 Ir(Ph-ppy)3을 두께 30nm로 공증착하여, 인광 발광층을 얻었다. Ir(Ph-ppy)3의 농도는 5질량%였다.
계속해서, 이 인광 발광층 상에, 두께 10nm의 화합물 B, 추가로 두께 20nm의 화합물 C, 두께 1nm의 LiF, 두께 80nm의 금속 Al를 순차적으로 적층하여, 음극을 얻었다. 한편, 전자 주입성 전극인 LiF에 관해서는, 1Å/분의 속도로 형성했다.
Figure 112010079763108-pct00242
(유기 EL 소자의 발광 성능 평가)
이상과 같이 하여 제작한 유기 EL 소자를 직류 전류 구동에 의해 발광시키고, 휘도(L), 전류 밀도를 측정하여, 휘도 1000cd/m2에 있어서의 전류 효율(L/J)을 구했다. 추가로, 휘도 20000cd/m2에 있어서의 소자 수명을 구했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
<실시예 2 내지 34>
실시예 1에 있어서 호스트 화합물 No.11을 사용하는 대신에 표 1에 기재된 호스트 재료를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 마찬가지로 하여 유기 EL 소자를 제작, 평가했다. 발광 성능 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
<비교예 1 내지 7>
실시예 1에 있어서 호스트 화합물 No.11을 사용하는 대신에 호스트 재료로서 국제공개특허 EP O908787호 공보에 기재된 하기 화합물 (a) 내지 (g)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 마찬가지로 하여 유기 EL 소자를 제작, 평가했다. 발광 성능 평가 결과를 표 2에 나타낸다.
<비교예 8 내지 11>
실시예 1에 있어서 호스트 화합물 No.11을 사용하는 대신에 호스트 재료로서 국제공개특허 WO 2006-122630호 공보에 기재된 하기 화합물 (h) 내지 (k)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 마찬가지로 하여 유기 EL 소자를 제작, 평가했다. 발광 성능 평가 결과를 표 2에 나타낸다.
<비교예 12, 13>
실시예 1에 있어서 호스트 화합물 No.11을 사용하는 대신에 호스트 재료로서 국제공개특허 WO 2007-063754호 공보에 기재된 하기 화합물 (l), (m)을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 마찬가지로 하여 유기 EL 소자를 제작, 평가했다. 발광 성능 평가 결과를 표 2에 나타낸다.
<비교예 14>
실시예 1에 있어서 호스트 화합물 No.11을 사용하는 대신에 호스트 재료로서 국제공개특허 US 2002-0132134호 및 US 2003-0044646호 공보에 기재된 하기 화합물 (n)을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 마찬가지로 하여 유기 EL 소자를 제작, 평가했다. 발광 성능 평가 결과를 표 2에 나타낸다.
<비교예 15>
실시예 1에 있어서 호스트 화합물 No.11을 사용하는 대신에 호스트 재료로서 일본 공개특허공보 제2008-81494호에 기재된 하기 화합물 (o)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 마찬가지로 하여 유기 EL 소자를 제작, 평가했다. 발광 성능 평가 결과를 표 2에 나타낸다.
Figure 112010079763108-pct00243
Figure 112010079763108-pct00244
Figure 112010079763108-pct00245
<실시예 35>
(유기 EL 소자의 제작)
전술한 바와 마찬가지로 하여 세정한 투명 전극 부착 유리 기판을 진공 증착 장치의 기판 홀더에 장착하고, 우선, 유리 기판의 투명 전극 라인이 형성되어 있는 측의 면 상에 투명 전극을 덮도록 하여 화합물 A를 두께 30nm로 증착하여, 정공 수송층을 얻었다.
이 정공 수송층 상에, 인광용 호스트인 화합물 No.108과 인광용 도펀트인 Ir(Ph-ppy)3을 두께 30nm로 공증착하여, 인광 발광층을 얻었다. Ir(Ph-ppy)3의 농도는 10질량%였다.
계속해서, 이 인광 발광층 상에 두께 10nm의 화합물 No.92, 추가로 두께 20nm의 화합물 C, 두께 1nm의 LiF, 두께 80nm의 금속 Al을 순차적으로 적층하여, 음극을 얻었다. 한편, 전자 주입성 전극인 LiF에 관해서는, 1Å/분의 속도로 형성했다.
(유기 EL 소자의 발광 성능 평가)
이상과 같이 하여 제작한 유기 EL 소자를 직류 전류 구동에 의해 발광시키고, 휘도(L), 전류 밀도를 측정하여, 휘도 1000cd/m2에 있어서의 전류 효율(L/J)을 구했다. 추가로, 휘도 20000cd/m2에 있어서의 소자 수명을 구했다. 결과를 표 3에 나타낸다.
<실시예 36 내지 48>
실시예 35에 있어서 호스트 화합물 No.108 및 전자 수송성 화합물 No.92를 사용하는 대신에 표 3에 기재된 호스트 화합물 및 전자 수송성 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 35와 마찬가지로 하여 유기 EL 소자를 제작, 평가했다. 발광 성능 평가 결과를 표 3에 나타낸다.
<비교예 16>
실시예 35에 있어서 호스트 화합물 No.108을 사용하는 대신에 CBP를, 전자 수송성 화합물 No.92를 사용하는 대신에 BAlq를 사용한 것을 제외하고는 실시예 35와 마찬가지로 하여 유기 EL 소자를 제작, 평가했다. 발광 성능 평가 결과를 표 3에 나타낸다.
Figure 112010079763108-pct00246
Figure 112010079763108-pct00247
실시예의 유기 EL 소자에 비해, 비교예의 유기 EL 소자는 모두 전류 효율이 낮은 값을 나타내고 있고, 구동 전압도 높고, 수명도 짧았다.
[산업상 이용 가능성]
이상에서 상세하게 설명한 바와 같이, 본 발명의 다환계 화합물을 유기 EL 소자용 재료로서 이용하면, 발광 효율이 높고, 또한 수명이 긴 유기 EL 소자를 얻을 수 있다. 이 때문에, 본 발명의 유기 EL 소자는, 각종 전자 기기의 광원 등으로서 매우 유용하다. 또한, 본 발명의 할로젠 화합물은 상기 다환계 화합물의 중간체에 적합하다. 또한, 본 발명의 다환계 화합물은 유기 전자 소자용 재료로서도 유효하게 활용할 수 있고, 유기 태양 전지, 유기 반도체 레이저, 유기물을 사용하는 센서, 유기 TFT에서도 매우 유용하다.

Claims (62)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 하기 화학식 5 또는 6 중 어느 하나로 표시되는 다환계 화합물.
    [화학식 5]
    Figure 112014109078172-pct00252

    [화학식 6]
    Figure 112014109078172-pct00253

    [화학식 5 및 6에서, X5 및 X6은 각각 독립적으로 산소(O)를 나타낸다.
    화학식 6에서, n은 2, 3 또는 4를 나타내고, 각각 L3을 연결기로 한 이량체, 삼량체, 사량체이다.
    화학식 5 및 6에서, L1은 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24의 벤젠환 a와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 5에서, L2는 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24의 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 6에서, L3은, n이 2인 경우, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타내고, n이 3인 경우, 치환 또는 비치환이고 환 형성 탄소수 6 내지 24의 3가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 3가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타내고, n이 4인 경우, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 4가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 4가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 5 및 6에서, A1은, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 3 내지 20의 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 L1과 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 5에서, A2는, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 L2와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 5 및 6에서, Y1, Y2 및 Y3은, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 a, b, c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다. d, f는 0, 1, 2 또는 3이고, e는 0, 1 또는 2이다.
    화학식 5 및 6에서, A1, A2, L1, L2 및 L3은 카보닐기를 포함하지 않는다.
    화학식 5 및 6의 상기 각 기가 치환되어 있는 경우의 상기 각 기에 치환된 치환기는, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 환 형성 탄소수 3 내지 40의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 환 형성 탄소수 3 내지 10의 사이클로알콕시기, 환 형성 탄소수 6 내지 40의 방향족 탄화수소기, 환 형성 원자수 3 내지 40의 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1이고, 헤테로 원자는 질소 원자 또는 산소 원자이다), 환 형성 탄소수 6 내지 40의 방향족 탄화수소기에 치환된 아미노기, 환 형성 탄소수 6 내지 40의 방향족 탄화수소기를 갖는 에스터기, 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 갖는 에스터기, 시아노기, 나이트로기 또는 할로젠 원자이다.]
  7. 제 6 항에 있어서,
    화학식 5, 6이 각각 하기 화학식 5a, 5b, 6a, 6b 중 어느 하나로 표시되는 다환계 화합물.
    [화학식 5a]
    Figure 112010079763108-pct00254

    [화학식 5b]
    Figure 112010079763108-pct00255

    [화학식 6a]
    Figure 112010079763108-pct00256

    [화학식 6b]
    Figure 112010079763108-pct00257

    [화학식 5a, 5b, 6a, 6b에서, X5, X6, L1, L2, L3, A1, A2, Y1, Y2, Y3, n, d, f, e는 상기와 같다.]
  8. 하기 화학식 7 내지 12 중 어느 하나로 표시되는 다환계 화합물.
    [화학식 7]
    Figure 112014109078172-pct00258

    [화학식 8]
    Figure 112014109078172-pct00259

    [화학식 9]
    Figure 112014109078172-pct00260

    [화학식 10]
    Figure 112014109078172-pct00261

    [화학식 11]
    Figure 112014109078172-pct00262

    [화학식 12]
    Figure 112014109078172-pct00263

    [화학식 7 내지 12에서, X7, X8, X9, X10, X11 및 X12는 각각 독립적으로 산소(O)를 나타낸다.
    화학식 10 내지 12에서, n은 2, 3 또는 4를 나타내고, 각각 L3을 연결기로 한 이량체, 삼량체, 사량체이다.
    화학식 7 내지 12에서, L1은 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24의 벤젠환 a와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 7 내지 9에서, L2는 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24의 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 10 내지 12에서, L3은, n이 2인 경우, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타내고, n이 3인 경우, 치환 또는 비치환이고 환 형성 탄소수 6 내지 24의 3가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 3가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타내고, n이 4인 경우, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 4가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 4가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 7 내지 12에서, A1은, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 L1과 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 7 내지 9에서, A2는, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 L2와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 7 내지 12에서, Y1, Y2 및 Y3은, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 a, b, c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다. d, f는 0, 1, 2 또는 3이고, e는 0, 1 또는 2이다.
    화학식 7 내지 12에서, A1, A2, L1, L2 및 L3은 카보닐기를 포함하지 않는다.
    화학식 7 내지 12의 상기 각 기가 치환되어 있는 경우의 상기 각 기에 치환된 치환기는, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 환 형성 탄소수 3 내지 40의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 환 형성 탄소수 3 내지 10의 사이클로알콕시기, 환 형성 탄소수 6 내지 40의 방향족 탄화수소기, 환 형성 원자수 3 내지 40의 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1이고, 헤테로 원자는 질소 원자 또는 산소 원자이다), 환 형성 탄소수 6 내지 40의 방향족 탄화수소기에 치환된 아미노기, 환 형성 탄소수 6 내지 40의 방향족 탄화수소기를 갖는 에스터기, 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 갖는 에스터기, 시아노기, 나이트로기 또는 할로젠 원자이다.]
  9. 제 8 항에 있어서,
    화학식 7 내지 12가 각각 하기 화학식 7a 내지 12a, 7b 내지 12b 중 어느 하나로 표시되는 다환계 화합물.
    [화학식 7a]
    Figure 112010079763108-pct00264

    [화학식 7b]
    Figure 112010079763108-pct00265

    [화학식 8a]
    Figure 112010079763108-pct00266

    [화학식 8b]
    Figure 112010079763108-pct00267

    [화학식 9a]
    Figure 112010079763108-pct00268

    [화학식 9b]
    Figure 112010079763108-pct00269

    [화학식 10a]
    Figure 112010079763108-pct00270

    [화학식 10b]
    Figure 112010079763108-pct00271

    [화학식 11a]
    Figure 112010079763108-pct00272

    [화학식 11b]
    Figure 112010079763108-pct00273

    [화학식 12a]
    Figure 112010079763108-pct00274

    [화학식 12b]
    Figure 112010079763108-pct00275

    [화학식 7a 내지 12a, 7b 내지 12b에서, X7 내지 X12, L1, L2, L3, A1, A2, Y1, Y2, Y3, n, d, f, e는 상기와 같다.]
  10. 하기 화학식 13 또는 14로 표시되는 다환계 화합물.
    [화학식 13]
    Figure 112014109078172-pct00276

    [화학식 14]
    Figure 112014109078172-pct00277

    [화학식 13 및 14에서, X13, X14는 각각 독립적으로 산소(O)를 나타낸다.
    화학식 14에서, n은 2, 3 또는 4를 나타내고, 각각 L3을 연결기로 한 이량체, 삼량체, 사량체이다.
    화학식 13 및 14에서, L1은 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24의 벤젠환 a와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 13에서, L2는 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24의 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 14에서, L3은, n이 2인 경우, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타내고, n이 3인 경우, 치환 또는 비치환이고 환 형성 탄소수 6 내지 24의 3가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 3가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타내고, n이 4인 경우, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 4가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 4가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 13 및 14에서, A1은, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 L1과 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 13에서, A2는, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 L2와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 13 및 14에서, Y1, Y2 및 Y3은, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 a, b, c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다. d, f는 0, 1, 2 또는 3이고, e는 0, 1 또는 2이다.
    화학식 13 및 14에서, A1, A2, L1, L2 및 L3은 카보닐기를 포함하지 않는다.
    화학식 13 및 14의 상기 각 기가 치환되어 있는 경우의 상기 각 기에 치환된 치환기는, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 환 형성 탄소수 3 내지 40의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 환 형성 탄소수 3 내지 10의 사이클로알콕시기, 환 형성 탄소수 6 내지 40의 방향족 탄화수소기, 환 형성 원자수 3 내지 40의 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1이고, 헤테로 원자는 질소 원자 또는 산소 원자이다), 환 형성 탄소수 6 내지 40의 방향족 탄화수소기에 치환된 아미노기, 환 형성 탄소수 6 내지 40의 방향족 탄화수소기를 갖는 에스터기, 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 갖는 에스터기, 시아노기, 나이트로기 또는 할로젠 원자이다.]
  11. 제 10 항에 있어서,
    화학식 13, 14가 각각 하기 화학식 13a, 13b, 14a, 14b 중 어느 하나로 표시되는 다환계 화합물.
    [화학식 13a]
    Figure 112010079763108-pct00278

    [화학식 13b]
    Figure 112010079763108-pct00279

    [화학식 14a]
    Figure 112010079763108-pct00280

    [화학식 14b]
    Figure 112010079763108-pct00281

    [화학식 13a, 13b, 14a, 14b에서, X13, X14, L1, L2, L3, A1, A2, Y1, Y2, Y3, n, d, f, e는 상기와 같다.]
  12. 삭제
  13. 제 6 항, 제 8 항 및 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    화학식 6, 화학식 10 내지 12, 또는 화학식 14 중 어느 하나에서의 n이 2인 다환계 화합물.
  14. 제 6 항에 있어서,
    화학식 5에서의 Y1, Y2 및 Y3으로 표시되는 치환기의 합계 수가 3 이하이고, 화학식 6에서의 []n 내 구조 하나에 대한 Y1, Y2 및 Y3으로 표시되는 치환기의 합계 수가 3 이하인 다환계 화합물.
  15. 제 8 항에 있어서,
    화학식 7 내지 9에서의 Y1, Y2 및 Y3으로 표시되는 치환기의 합계 수가 3 이하이고, 화학식 10 내지 12에서의 []n 내 구조 하나에 대한 Y1, Y2 및 Y3으로 표시되는 치환기의 합계 수가 3 이하인 다환계 화합물.
  16. 제 10 항에 있어서,
    화학식 13에서의 Y1, Y2 및 Y3으로 표시되는 치환기의 합계 수가 3 이하이고, 화학식 14에 있어서의 []n 내 구조 하나에 대한 Y1, Y2 및 Y3으로 표시되는 치환기의 합계 수가 3 이하인 다환계 화합물.
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 삭제
  22. 삭제
  23. 삭제
  24. 삭제
  25. 삭제
  26. 삭제
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  36. 삭제
  37. 삭제
  38. 삭제
  39. 삭제
  40. 제 6 항에 있어서,
    하기 화학식 15 또는 16 중 어느 하나로 표시되는 벤조퓨라노다이벤조퓨란 유도체인 다환계 화합물.
    [화학식 15]
    Figure 112014109078172-pct00282

    [화학식 16]
    Figure 112014109078172-pct00283

    [화학식 16에서, n은 2, 3 또는 4를 나타내고, 각각 L3을 연결기로 한 이량체, 삼량체, 사량체이다.
    화학식 15 및 16에서, L1은 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24의 벤젠환 a와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 15에서, L2는 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24의 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 16에서, L3은, n이 2인 경우, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타내고, n이 3인 경우, 치환 또는 비치환이고 환 형성 탄소수 6 내지 24의 3가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 3가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타내고, n이 4인 경우, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 4가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 4가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 15 및 16에서, A1은, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 L1과 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 15에서, A2는, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 L2와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 15 및 16에서, Y1, Y2 및 Y3은, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 a, b, c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다. d, f는 0, 1, 2 또는 3이고, e는 0, 1 또는 2이다.
    화학식 15 및 16에서, A1, A2, L1, L2 및 L3은 카보닐기를 포함하지 않는다.
    화학식 15 및 16의 상기 각 기가 치환되어 있는 경우의 상기 각 기에 치환된 치환기는, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 환 형성 탄소수 3 내지 40의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 환 형성 탄소수 3 내지 10의 사이클로알콕시기, 환 형성 탄소수 6 내지 40의 방향족 탄화수소기, 환 형성 원자수 3 내지 40의 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1이고, 헤테로 원자는 질소 원자 또는 산소 원자이다), 환 형성 탄소수 6 내지 40의 방향족 탄화수소기에 치환된 아미노기, 환 형성 탄소수 6 내지 40의 방향족 탄화수소기를 갖는 에스터기, 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 갖는 에스터기, 시아노기, 나이트로기 또는 할로젠 원자이다.]
  41. 제 8 항에 있어서,
    하기 화학식 17 또는 18 중 어느 하나로 표시되는 벤조퓨라노다이벤조퓨란 유도체인 다환계 화합물.
    [화학식 17]
    Figure 112014109078172-pct00284

    [화학식 18]
    Figure 112014109078172-pct00285

    [화학식 18에서, n은 2, 3 또는 4를 나타내고, 각각 L3을 연결기로 한 이량체, 삼량체, 사량체이다.
    화학식 17 및 18에서, L1은 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24의 벤젠환 a와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 17에서, L2는 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24의 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 18에서, L3은, n이 2인 경우, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타내고, n이 3인 경우, 치환 또는 비치환이고 환 형성 탄소수 6 내지 24의 3가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 3가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타내고, n이 4인 경우, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 4가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 4가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 17 및 18에서, A1은, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 L1과 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 17에서, A2는, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 L2와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 17 및 18에서, Y1, Y2 및 Y3은, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 a, b, c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다. d, f는 0, 1, 2 또는 3이고, e는 0, 1 또는 2이다.
    화학식 17 및 18에서, A1, A2, L1, L2 및 L3은 카보닐기를 포함하지 않는다.
    화학식 17 및 18의 상기 각 기가 치환되어 있는 경우의 상기 각 기에 치환된 치환기는, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 환 형성 탄소수 3 내지 40의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 환 형성 탄소수 3 내지 10의 사이클로알콕시기, 환 형성 탄소수 6 내지 40의 방향족 탄화수소기, 환 형성 원자수 3 내지 40의 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1이고, 헤테로 원자는 질소 원자 또는 산소 원자이다), 환 형성 탄소수 6 내지 40의 방향족 탄화수소기에 치환된 아미노기, 환 형성 탄소수 6 내지 40의 방향족 탄화수소기를 갖는 에스터기, 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 갖는 에스터기, 시아노기, 나이트로기 또는 할로젠 원자이다.]
  42. 하기 화학식 19 내지 23 중 어느 하나로 표시되는 다환계 화합물.
    [화학식 19]
    Figure 112014109078172-pct00286

    [화학식 20]
    Figure 112014109078172-pct00287

    [화학식 21]
    Figure 112014109078172-pct00288

    [화학식 22]
    Figure 112014109078172-pct00289

    [화학식 23]
    Figure 112014109078172-pct00290

    [화학식 19 내지 23에서, X15, X16, X17, X18, X19, X20, X21, X22, X23 및 X24는 각각 독립적으로 산소(O)를 나타낸다.
    화학식 19 내지 23에서, n은 2, 3 또는 4를 나타내고, 각각 L3을 연결기로 한 이량체, 삼량체, 사량체이다.
    화학식 19 내지 23에서, L1은 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24의 벤젠환 a와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 19 내지 23에서, L2는 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24의 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 19 내지 23에서, L3은, n이 2인 경우, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 b와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타내고, n이 3인 경우, 치환 또는 비치환이고 환 형성 탄소수 6 내지 24의 3가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 b와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 3가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타내고, n이 4인 경우, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 4가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 b와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 4가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 19 내지 23에서, A1은, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 L1과 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 19 내지 23에서, A2는, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 L2와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 19 내지 23에서, Y1, Y2 및 Y3은, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 a, b, c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다. d, f는 0, 1, 2 또는 3이고, e는 0 또는 1이다.
    화학식 19 내지 23에서, A1, A2, L1, L2 및 L3은 카보닐기를 포함하지 않는다.
    화학식 19 내지 23의 상기 각 기가 치환되어 있는 경우의 상기 각 기에 치환된 치환기는, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 환 형성 탄소수 3 내지 40의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 환 형성 탄소수 3 내지 10의 사이클로알콕시기, 환 형성 탄소수 6 내지 40의 방향족 탄화수소기, 환 형성 원자수 3 내지 40의 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1이고, 헤테로 원자는 질소 원자 또는 산소 원자이다), 환 형성 탄소수 6 내지 40의 방향족 탄화수소기에 치환된 아미노기, 환 형성 탄소수 6 내지 40의 방향족 탄화수소기를 갖는 에스터기, 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 갖는 에스터기, 시아노기, 나이트로기 또는 할로젠 원자이다.]
  43. 제 42 항에 있어서,
    하기 화학식 24로 표시되는 벤조퓨라노다이벤조퓨란 유도체인 다환계 화합물.
    [화학식 24]
    Figure 112014109078172-pct00291

    [화학식 24에서, n은 2, 3 또는 4를 나타내고, 각각 L3을 연결기로 한 이량체, 삼량체, 사량체이다.
    화학식 24에서, L1은 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24의 벤젠환 a와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 24에서, L2는 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24의 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 24에서, L3은, n이 2인 경우, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 b와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타내고, n이 3인 경우, 치환 또는 비치환이고 환 형성 탄소수 6 내지 24의 3가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 b와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 3가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타내고, n이 4인 경우, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 4가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 b와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 4가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 24에서, A1은, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 L1과 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 24에서, A2는, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 L2와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 24에서, Y1, Y2 및 Y3은, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 a, b, c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다. d, f는 0, 1, 2 또는 3이고, e는 0 또는 1이다.
    화학식 24에서, A1, A2, L1, L2 및 L3은 카보닐기를 포함하지 않는다.
    화학식 24의 상기 각 기가 치환되어 있는 경우의 상기 각 기에 치환된 치환기는, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 환 형성 탄소수 3 내지 40의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 환 형성 탄소수 3 내지 10의 사이클로알콕시기, 환 형성 탄소수 6 내지 40의 방향족 탄화수소기, 환 형성 원자수 3 내지 40의 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1이고, 헤테로 원자는 질소 원자 또는 산소 원자이다), 환 형성 탄소수 6 내지 40의 방향족 탄화수소기에 치환된 아미노기, 환 형성 탄소수 6 내지 40의 방향족 탄화수소기를 갖는 에스터기, 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 갖는 에스터기, 시아노기, 나이트로기 또는 할로젠 원자이다.]
  44. 삭제
  45. 삭제
  46. 삭제
  47. 삭제
  48. 삭제
  49. 삭제
  50. 삭제
  51. 음극과 양극 사이에, 발광층을 포함하는 1층 이상의 유기 박막층을 갖고, 상기 유기 박막층 중 적어도 1층이, 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자로 가교된 π공액 헤테로아센 골격을 갖는 다환계 화합물을 함유하는 유기 전기발광 소자이고,
    상기 다환계 화합물이 제 6 항, 제 8 항, 제 10 항 또는 제 42 항에 기재된 다환계 화합물인 유기 전기발광 소자.
  52. 삭제
  53. 제 51 항에 있어서,
    상기 발광층이 상기 다환계 화합물을 호스트 재료로서 함유하는 유기 전기발광 소자.
  54. 제 51 항에 있어서,
    상기 발광층이 추가로 인광 발광성 재료를 함유하는 유기 전기발광 소자.
  55. 제 51 항에 있어서,
    상기 발광층이 호스트 재료와 인광성 발광 재료를 함유하고, 상기 인광성 발광 재료가 이리듐(Ir), 오스뮴(Os) 또는 백금(Pt) 금속의 오쏘메탈화 착체인 유기 전기발광 소자.
  56. 제 51 항에 있어서,
    상기 발광층과 음극의 사이에 전자 주입층을 갖고, 상기 전자 주입층이 함질소환 유도체를 함유하는 유기 전기발광 소자.
  57. 제 51 항에 있어서,
    상기 발광층과 음극의 사이에 전자 수송층을 갖고, 상기 전자 수송층이 상기
    다환계 화합물을 함유하는 유기 전기발광 소자.
  58. 제 57 항에 있어서,
    상기 발광층이 상기 다환계 화합물을 호스트 재료로서 함유하는 유기 전기발광 소자.
  59. 제 57 항에 있어서,
    상기 발광층이 상기 화학식 5, 6, 9 또는 12로 표시되는 다환계 화합물을 호스트 재료로서 함유하는 유기 전기발광 소자.
  60. 제 57 항에 있어서,
    상기 발광층이 하기 화학식 15, 16, 17 또는 18로 표시되는 다환계 화합물을 호스트 재료로서 함유하는 유기 전기발광 소자:
    [화학식 15]
    Figure 112014109078172-pct00292

    [화학식 16]
    Figure 112014109078172-pct00293

    [화학식 16에서, n은 2, 3 또는 4를 나타내고, 각각 L3을 연결기로 한 이량체, 삼량체, 사량체이다.
    화학식 15 및 16에서, L1은 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24의 벤젠환 a와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 15에서, L2는 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24의 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 16에서, L3은, n이 2인 경우, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타내고, n이 3인 경우, 치환 또는 비치환이고 환 형성 탄소수 6 내지 24의 3가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 3가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타내고, n이 4인 경우, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 4가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 4가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 15 및 16에서, A1은, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 L1과 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 15에서, A2는, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 L2와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 15 및 16에서, Y1, Y2 및 Y3은, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 a, b, c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다. d, f는 0, 1, 2 또는 3이고, e는 0, 1 또는 2이다.
    화학식 15 및 16에서, A1, A2, L1, L2 및 L3은 카보닐기를 포함하지 않는다.
    화학식 15 및 16의 상기 각 기가 치환되어 있는 경우의 상기 각 기에 치환된 치환기는, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 환 형성 탄소수 3 내지 40의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 환 형성 탄소수 3 내지 10의 사이클로알콕시기, 환 형성 탄소수 6 내지 40의 방향족 탄화수소기, 환 형성 원자수 3 내지 40의 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1이고, 헤테로 원자는 질소 원자 또는 산소 원자이다), 환 형성 탄소수 6 내지 40의 방향족 탄화수소기에 치환된 아미노기, 환 형성 탄소수 6 내지 40의 방향족 탄화수소기를 갖는 에스터기, 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 갖는 에스터기, 시아노기, 나이트로기 또는 할로젠 원자이다.]
    [화학식 17]
    Figure 112014109078172-pct00294

    [화학식 18]
    Figure 112014109078172-pct00295

    [화학식 18에서, n은 2, 3 또는 4를 나타내고, 각각 L3을 연결기로 한 이량체, 삼량체, 사량체이다.
    화학식 17 및 18에서, L1은 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24의 벤젠환 a와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 17에서, L2는 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24의 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 18에서, L3은, n이 2인 경우, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 2가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 2가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타내고, n이 3인 경우, 치환 또는 비치환이고 환 형성 탄소수 6 내지 24의 3가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 3가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타내고, n이 4인 경우, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 4가 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 4가 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 17 및 18에서, A1은, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 L1과 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 17에서, A2는, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 환 형성 원자수 3 내지 24이고 L2와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다.
    화학식 17 및 18에서, Y1, Y2 및 Y3은, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 7 내지 24의 아르알킬기, 실릴기 또는 탄소수 3 내지 20의 치환 실릴기, 치환 또는 비치환된 환 형성 탄소수 6 내지 24의 방향족 탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환된 환 형성 원자수 3 내지 24이고 벤젠환 a, b, c와 탄소-탄소 결합으로 연결되는 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1 내지 3이고, 헤테로 원자는 각각 독립적으로 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자이다)를 나타낸다. d, f는 0, 1, 2 또는 3이고, e는 0, 1 또는 2이다.
    화학식 17 및 18에서, A1, A2, L1, L2 및 L3은 카보닐기를 포함하지 않는다.
    화학식 17 및 18의 상기 각 기가 치환되어 있는 경우의 상기 각 기에 치환된 치환기는, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 환 형성 탄소수 3 내지 40의 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 환 형성 탄소수 3 내지 10의 사이클로알콕시기, 환 형성 탄소수 6 내지 40의 방향족 탄화수소기, 환 형성 원자수 3 내지 40의 방향족 헤테로환기(상기 방향족 헤테로환기 중의 헤테로 원자수는 1이고, 헤테로 원자는 질소 원자 또는 산소 원자이다), 환 형성 탄소수 6 내지 40의 방향족 탄화수소기에 치환된 아미노기, 환 형성 탄소수 6 내지 40의 방향족 탄화수소기를 갖는 에스터기, 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 갖는 에스터기, 시아노기, 나이트로기 또는 할로젠 원자이다.]
  61. 제 51 항에 있어서,
    상기 발광층과 양극의 사이에 정공 수송층을 갖고, 상기 정공 수송층이 상기 다환계 화합물을 함유하는 유기 전기발광 소자.
  62. 제 51 항에 있어서,
    음극과 유기 박막층의 계면 영역에 환원성 도펀트를 갖는 유기 전기발광 소자.
KR1020107027215A 2008-06-05 2009-06-01 할로젠 화합물, 다환계 화합물 및 그것을 사용한 유기 전기발광 소자 KR101523124B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11690288B2 (en) 2017-07-14 2023-06-27 Samsung Sdi Co., Ltd. Composition for organic optoelectronic diode, organic optoelectronic diode, and display device

Families Citing this family (141)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5493309B2 (ja) * 2008-08-18 2014-05-14 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
KR101511072B1 (ko) * 2009-03-20 2015-04-10 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광소자
KR101477613B1 (ko) * 2009-03-31 2014-12-30 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 전자재료용 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
US10020452B2 (en) * 2011-12-15 2018-07-10 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Compound containing a 5-membered heterocycle and organic light-emitting diode using same, and terminal for same
DE102009023155A1 (de) * 2009-05-29 2010-12-02 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
KR101754445B1 (ko) * 2009-05-29 2017-07-05 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 안트라센 유도체 및 그것을 이용한 유기 전계 발광 소자
DE102009031021A1 (de) * 2009-06-30 2011-01-05 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
KR20110009920A (ko) * 2009-07-23 2011-01-31 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
DE102009041414A1 (de) 2009-09-16 2011-03-17 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
DE102009041289A1 (de) 2009-09-16 2011-03-17 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
TWI477579B (zh) 2010-02-12 2015-03-21 Nippon Steel & Sumikin Chem Co Organic electroluminescent elements
TWI429650B (zh) * 2010-02-12 2014-03-11 Nippon Steel & Sumikin Chem Co Organic electroluminescent elements
DE102010010481A1 (de) 2010-03-06 2011-09-08 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
US8637857B2 (en) 2010-04-06 2014-01-28 Basf Se Substituted carbazole derivatives and use thereof in organic electronics
KR20110120994A (ko) * 2010-04-30 2011-11-07 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 채용하고 있는 유기 전계 발광 소자
US9273080B2 (en) 2010-06-15 2016-03-01 Merek Patent Gmbh Metal complexes
DE102010027319A1 (de) 2010-07-16 2012-01-19 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
DE102010027316A1 (de) 2010-07-16 2012-01-19 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
DE102010027317A1 (de) 2010-07-16 2012-01-19 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
JP2012028634A (ja) * 2010-07-26 2012-02-09 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
EP2806008A1 (en) * 2010-07-30 2014-11-26 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Organic electroluminescent device employing organic light emitting compound as light emitting material
KR101877582B1 (ko) 2010-07-30 2018-07-12 메르크 파텐트 게엠베하 유기 전계발광 디바이스
KR20120042633A (ko) * 2010-08-27 2012-05-03 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20120030941A (ko) * 2010-09-20 2012-03-29 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 채용하고 있는 유기 전계 발광 소자
KR20120052879A (ko) * 2010-11-16 2012-05-24 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 전자재료용 화합물 및 이를 채용하고 있는 유기 전계 발광 소자
TW201229052A (en) * 2010-12-02 2012-07-16 Nippon Steel Chemical Co Heteroacene compound, organic semiconductor material, and organic electronic device
KR101670964B1 (ko) 2010-12-13 2016-11-09 삼성전자주식회사 고분자 및 상기 고분자를 포함한 유기 발광 소자
DE102011106849A1 (de) 2010-12-15 2012-06-21 Merck Patent Gmbh Verfahren zur Synthese N-N verknüpfter und um die N-N Bindung rotationsgehinderter bis-N-heterocyclische Carbene und deren Einsatz als Liganden für Metallkomplexe
DE102010056151A1 (de) 2010-12-28 2012-06-28 Merck Patent Gmbh Materiallen für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
WO2012124412A1 (ja) 2011-03-16 2012-09-20 新日鐵化学株式会社 含窒素芳香族化合物及び有機電界発光素子
JP5996628B2 (ja) 2011-04-04 2016-09-21 メルク パテント ゲーエムベーハー 金属錯体
JP6038879B2 (ja) 2011-04-05 2016-12-07 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機エレクトロルミネッセント素子
WO2012149992A1 (de) 2011-05-04 2012-11-08 Merck Patent Gmbh Vorrichtung zur aufbewahrung von frischwaren
DE102012007810A1 (de) 2011-05-16 2012-11-22 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
EP2714704B1 (de) 2011-06-03 2015-04-29 Merck Patent GmbH Metallkomplexe
KR101943676B1 (ko) 2011-06-28 2019-01-29 메르크 파텐트 게엠베하 금속 착물
JP5938175B2 (ja) * 2011-07-15 2016-06-22 出光興産株式会社 含窒素芳香族複素環誘導体およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
US9847499B2 (en) 2011-08-10 2017-12-19 Merck Patent Gmbh Metal complexes
DE102012016192A1 (de) 2011-08-19 2013-02-21 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
KR102051790B1 (ko) 2011-08-22 2019-12-04 메르크 파텐트 게엠베하 유기 전계발광 디바이스
US9818948B2 (en) * 2011-09-21 2017-11-14 Merck Patent Gmbh Carbazole derivatives for organic electroluminescence devices
KR101380335B1 (ko) 2011-10-10 2014-04-10 삼성디스플레이 주식회사 헤테로시클릭 화합물, 이를 포함하는 유기 발광 소자 및 평판 표시 장치
KR102059793B1 (ko) * 2011-10-20 2019-12-27 메르크 파텐트 게엠베하 유기 전계발광 소자용 재료
JP2014225484A (ja) * 2011-11-24 2014-12-04 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子、並びに該有機電界発光素子を用いた発光装置、表示装置及び照明装置
WO2013081315A1 (ko) * 2011-11-28 2013-06-06 덕산하이메탈(주) 유기전기소자용 화합물, 이를 포함하는 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR101497124B1 (ko) 2011-11-28 2015-03-06 덕산네오룩스 주식회사 유기전기소자용 화합물, 이를 포함하는 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR101497123B1 (ko) * 2011-12-30 2015-03-09 덕산네오룩스 주식회사 오원자 헤테로 고리를 포함하는 화합물 및 이를 이용한 유기전기소자, 그 단말
KR20130084093A (ko) * 2012-01-16 2013-07-24 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 채용하고 있는 유기 전계 발광 소자
KR101498969B1 (ko) * 2012-04-06 2015-03-04 (주)피엔에이치테크 새로운 유기전계발광소자용 화합물 및 그를 포함하는 유기전계발광소자
KR20130127563A (ko) * 2012-05-02 2013-11-25 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
WO2013179645A1 (ja) * 2012-05-30 2013-12-05 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
US9837622B2 (en) 2012-07-13 2017-12-05 Merck Patent Gmbh Metal complexes
JP6339071B2 (ja) 2012-07-23 2018-06-06 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機エレクトロルミネッセンス素子のための材料
WO2014023377A2 (de) 2012-08-07 2014-02-13 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
EP2889296A4 (en) * 2012-08-21 2016-06-15 Cheil Ind Inc CONNECTION FOR AN ORGANIC OPTOELECTRONIC DEVICE, ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE THEREFOR AND DISPLAY DEVICE WITH THE ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE
WO2014044347A1 (de) 2012-09-20 2014-03-27 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
WO2014057685A1 (ja) * 2012-10-11 2014-04-17 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
DE102012020167A1 (de) 2012-10-13 2014-04-17 Eberhard Karls Universität Tübingen Metallkomplexe
DE102012021650A1 (de) 2012-11-03 2014-05-08 Eberhard Karls Universität Tübingen Metallkomplexe
US9647220B2 (en) 2012-11-15 2017-05-09 Sony Corporation Organic multicolor light-emitting apparatus
EP2923391A1 (de) 2012-11-20 2015-09-30 Merck Patent GmbH Formulierung in hochreinem l?sungsmittel zur herstellung elektronischer vorrichtungen
KR101995191B1 (ko) 2012-12-10 2019-07-02 코니카 미놀타 가부시키가이샤 유기 일렉트로루미네센스 소자 재료, 유기 일렉트로루미네센스 소자, 조명 장치 및 표시 장치
DE102013008189A1 (de) 2013-05-14 2014-12-04 Eberhard Karls Universität Tübingen Metallkomplexe
WO2014196556A1 (ja) * 2013-06-06 2014-12-11 保土谷化学工業株式会社 インデノインドール誘導体および有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101627755B1 (ko) 2013-06-13 2016-06-07 제일모직 주식회사 유기 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR101653338B1 (ko) 2013-08-05 2016-09-01 제일모직 주식회사 유기 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR101759238B1 (ko) 2013-09-05 2017-07-18 제일모직 주식회사 유기 광전자 소자용 화합물, 이를 포함하는 유기 광전자 소자 및 상기 유기 광전자 소자를 포함하는 표시장치
CN105612164A (zh) 2013-10-02 2016-05-25 默克专利有限公司 用于oled中的含硼化合物
CN103936749B (zh) * 2013-12-12 2016-06-22 石家庄诚志永华显示材料有限公司 含有杂原子桥联咔唑结构单元的化合物及其制备方法与应用
KR102618668B1 (ko) 2013-12-19 2023-12-27 메르크 파텐트 게엠베하 헤테로시클릭 스피로 화합물
KR101680093B1 (ko) 2014-01-16 2016-11-28 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
JP6033802B2 (ja) * 2014-02-06 2016-11-30 富士フイルム株式会社 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料
KR102151753B1 (ko) 2014-02-13 2020-09-04 삼성디스플레이 주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
CN106459018B (zh) 2014-05-05 2022-01-25 默克专利有限公司 用于有机发光器件的材料
EP3156402B1 (en) * 2014-06-11 2021-11-10 Hodogaya Chemical Co., Ltd. Pyrimidine derivative and organic electroluminescent element
DE102015006708A1 (de) 2014-06-12 2015-12-17 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
US10797247B2 (en) 2014-07-24 2020-10-06 Duk San Neolux Co., Ltd. Compound for organic electric element, organic electric element comprising the same and electronic device thereof
DE102014012818A1 (de) 2014-08-28 2016-03-03 Eberhard Karls Universität Tübingen Metallkomplexe
KR102496045B1 (ko) 2014-11-11 2023-02-03 메르크 파텐트 게엠베하 유기 전계발광 소자용 재료
JP6772188B2 (ja) 2015-02-03 2020-10-21 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ ＧｍｂＨ 金属錯体
KR101555680B1 (ko) 2015-03-03 2015-09-25 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
US10593890B2 (en) 2015-04-06 2020-03-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9997725B2 (en) 2015-06-25 2018-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Heterocyclic compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
GB201513037D0 (en) 2015-07-23 2015-09-09 Merck Patent Gmbh Phenyl-derived compound for use in organic electronic devices
KR101861159B1 (ko) 2015-07-27 2018-05-25 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
JP6862420B2 (ja) 2015-08-13 2021-04-21 メルク パテント ゲーエムベーハー ヘキサメチルインダン
DE102015013381A1 (de) 2015-10-14 2017-04-20 Eberhard Karls Universität Tübingen Metallkomplexe
JP6484724B2 (ja) 2015-11-20 2019-03-13 富士フイルム株式会社 有機半導体組成物、有機半導体膜、有機薄膜トランジスタおよび有機薄膜トランジスタの製造方法
DE102015016016A1 (de) 2015-12-10 2017-06-14 Eberhard Karls Universität Tübingen Metallkomplexe
KR101928934B1 (ko) * 2016-02-23 2018-12-13 주식회사 엘지화학 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR101928935B1 (ko) * 2016-02-23 2018-12-13 주식회사 엘지화학 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
US20180123051A1 (en) 2016-03-16 2018-05-03 Duk San Neolux Co., Ltd. Compound for organic electric element, organic electric element using the same, and electronic device thereof
KR20230010818A (ko) 2016-04-11 2023-01-19 메르크 파텐트 게엠베하 디벤조푸란 및/또는 디벤조티오펜 구조를 포함하는 헤테로시클릭 화합물
WO2018001990A1 (de) 2016-06-30 2018-01-04 Merck Patent Gmbh Verfahren zur auftrennung von enantiomerenmischungen von metallkomplexen
KR102018683B1 (ko) 2016-07-14 2019-09-04 덕산네오룩스 주식회사 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
TWI749026B (zh) 2016-07-14 2021-12-11 德商麥克專利有限公司 金屬錯合物
EP3487864B1 (de) 2016-07-25 2020-04-29 Merck Patent GmbH Metallkomplexe für den einsatz als emitter in organischen elektrolumineszenzvorrichtungen
CN109496216A (zh) 2016-07-25 2019-03-19 默克专利有限公司 包含三足二齿亚配体的双核和寡核金属络合物及其在电子器件中的用途
KR102435083B1 (ko) * 2016-07-27 2022-08-24 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
WO2018021737A1 (ko) 2016-07-29 2018-02-01 덕산네오룩스 주식회사 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR102555741B1 (ko) 2016-08-17 2023-07-14 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
WO2018041769A1 (de) 2016-08-30 2018-03-08 Merck Patent Gmbh Bl- und trinukleare metallkomplexe aufgebaut aus zwei miteinander verknüpften tripodalen hexadentaten liganden zur verwendung in elektrolumineszenzvorrichtungen
JP6999655B2 (ja) 2016-09-21 2022-02-10 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 有機エレクトロルミネッセンス素子における発光体として使用するための二核の金属錯体
EP3526228B1 (de) 2016-10-12 2020-11-25 Merck Patent GmbH Metallkomplexe
WO2018069196A1 (de) 2016-10-12 2018-04-19 Merck Patent Gmbh Binukleare metallkomplexe sowie elektronische vorrichtungen, insbesondere organische elektrolumineszenzvorrichtungen, enthaltend diese metallkomplexe
KR102472249B1 (ko) 2016-10-13 2022-11-29 메르크 파텐트 게엠베하 금속 착물
KR102522226B1 (ko) 2016-10-25 2023-04-14 메르크 파텐트 게엠베하 금속 착물
CN109890813B (zh) 2016-11-09 2023-05-30 默克专利有限公司 用于有机电致发光器件的材料
TWI781123B (zh) 2016-11-25 2022-10-21 德商麥克專利有限公司 用於有機電激發光裝置之材料
EP3544984B1 (en) 2016-11-25 2020-12-23 Merck Patent GmbH Bisbenzofuran-fused 2,8-diaminoindeno[1,2-b]fluorene derivatives and related compounds as materials for organic electroluminescent devices (oled)
US10995098B2 (en) 2016-12-14 2021-05-04 Lg Chem, Ltd. Heterocyclic compound and organic light emitting device comprising the same
WO2018116152A1 (en) 2016-12-19 2018-06-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Specifically substituted ladder type compounds for organic light emitting devices
KR101944005B1 (ko) * 2016-12-28 2019-01-30 주식회사 엘지화학 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102597731B1 (ko) 2017-03-29 2023-11-02 메르크 파텐트 게엠베하 방향족 화합물
KR102069311B1 (ko) * 2017-05-12 2020-01-22 주식회사 엘지화학 헤테로 고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
TWI776926B (zh) 2017-07-25 2022-09-11 德商麥克專利有限公司 金屬錯合物
WO2019054634A1 (ko) * 2017-09-12 2019-03-21 주식회사 엘지화학 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
US11659763B2 (en) 2017-12-13 2023-05-23 Merck Patent Gmbh Metal complexes
US20220289778A1 (en) 2018-02-13 2022-09-15 Merck Patent Gmbh Metal complexes
TWI828664B (zh) 2018-03-19 2024-01-11 愛爾蘭商Ｕｄｃ愛爾蘭責任有限公司 金屬錯合物
EP3569603A1 (en) 2018-05-14 2019-11-20 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Polycyclic compound, and organic electroluminescence element comprising the polycyclic compound
WO2020009442A1 (ko) * 2018-07-03 2020-01-09 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR102278532B1 (ko) * 2018-07-03 2021-07-16 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
WO2020009441A1 (ko) * 2018-07-03 2020-01-09 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR102278531B1 (ko) * 2018-07-03 2021-07-16 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
EP3617210A1 (en) 2018-08-31 2020-03-04 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Polycyclic compound, and an organic electroluminescence device comprising the polycyclic compound
WO2020116800A1 (ko) 2018-12-05 2020-06-11 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광 소자
TW202043247A (zh) 2019-02-11 2020-12-01 德商麥克專利有限公司 金屬錯合物
CN113646317A (zh) 2019-04-15 2021-11-12 默克专利有限公司 金属络合物
JP7194651B2 (ja) * 2019-07-12 2022-12-22 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜形成用組成物、パターン形成方法及び重合体
CN114787173A (zh) 2019-12-04 2022-07-22 默克专利有限公司 金属络合物
TW202208594A (zh) 2020-05-27 2022-03-01 德商麥克專利有限公司 電子裝置用材料
KR20230048122A (ko) 2020-08-13 2023-04-10 메르크 파텐트 게엠베하 금속 착물
AU2021329259A1 (en) 2020-08-17 2023-03-02 Aligos Therapeutics, Inc. Methods and compositions for targeting PD-L1
WO2022069380A1 (de) 2020-09-29 2022-04-07 Merck Patent Gmbh Mononukleare tripodale hexadentate iridium komplexe zur verwendung in oleds
EP4068404A1 (en) 2021-03-31 2022-10-05 Idemitsu Kosan Co., Ltd. An organic electroluminescence device comprising a light emitting layer comprising three different compounds and an electronic equipment comprising said organic electroluminescence device
EP4079742A1 (de) 2021-04-14 2022-10-26 Merck Patent GmbH Metallkomplexe
EP4199130A1 (en) 2021-12-15 2023-06-21 Idemitsu Kosan Co.,Ltd. An organic electroluminescence device comprising a light emitting layer comprising three different compounds and an electronic equipment comprising said organic electroluminescence device
CN114195812A (zh) * 2021-12-30 2022-03-18 大连联化化学有限公司 一种合成2,4-二三氟甲基苯硼酸的方法
TW202340423A (zh) 2022-01-20 2023-10-16 德商麥克專利有限公司 具有混合主體系統之有機電元件
EP4311849A1 (en) 2022-07-27 2024-01-31 UDC Ireland Limited Metal complexes

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006108497A1 (de) * 2005-04-14 2006-10-19 Merck Patent Gmbh Verbindungen für organische elektronische vorrichtungen
WO2006122630A1 (de) * 2005-05-20 2006-11-23 Merck Patent Gmbh Verbindungen für organische elektronische vorrichtungen
WO2007029798A1 (ja) * 2005-09-08 2007-03-15 Toray Industries, Inc. 発光素子材料および発光素子

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7011A (en) * 1850-01-08 Mill foe
JP3704748B2 (ja) 1995-06-23 2005-10-12 東洋インキ製造株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用電子輸送材料およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
US5843607A (en) * 1997-10-02 1998-12-01 Xerox Corporation Indolocarbazole photoconductors
US5952115A (en) * 1997-10-02 1999-09-14 Xerox Corporation Electroluminescent devices
US5942340A (en) * 1997-10-02 1999-08-24 Xerox Corporation Indolocarbazole electroluminescent devices
JP2000173774A (ja) 1998-12-09 2000-06-23 Sony Corp 有機電界発光素子
US6479172B2 (en) 2001-01-26 2002-11-12 Xerox Corporation Electroluminescent (EL) devices
JP4590825B2 (ja) * 2003-02-21 2010-12-01 コニカミノルタホールディングス株式会社 白色発光有機エレクトロルミネッセンス素子
US20050040757A1 (en) * 2003-07-25 2005-02-24 University Of Rochester Light-emitting organic oligomer compositions
JP4585786B2 (ja) * 2004-04-01 2010-11-24 キヤノン株式会社 発光素子及び表示装置
US7402681B2 (en) * 2004-12-14 2008-07-22 Xerox Corporation Compound with indolocarbazole moieties and devices containing such compound
US7396852B2 (en) * 2005-11-16 2008-07-08 Xerox Corporation Compound having indolocarbazole moiety and divalent linkage
US20070237982A1 (en) * 2004-06-28 2007-10-11 Tetsuya Inoue Polycyclic Aromatic Compound, Material for Forming Luminescent Coating Film and Organic Electroluminescent Device Using Same
EP1627891A1 (en) * 2004-08-11 2006-02-22 Covion Organic Semiconductors GmbH Polymers for use in organic electroluminescent devices
CN101087776B (zh) * 2004-12-24 2012-07-04 先锋公司 有机化合物、电荷传输材料和有机电致发光元件
KR20090040398A (ko) * 2005-03-18 2009-04-23 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 방향족 아민 유도체 및 그것을 사용한 유기 전기발광 소자
JP2006339577A (ja) * 2005-06-06 2006-12-14 Konica Minolta Holdings Inc 有機半導体薄膜及び有機薄膜トランジスタ
JP2007039406A (ja) * 2005-08-05 2007-02-15 Idemitsu Kosan Co Ltd 含窒素複素環誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2007088222A (ja) * 2005-09-22 2007-04-05 Konica Minolta Holdings Inc 有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタ
CN101321755B (zh) * 2005-12-01 2012-04-18 新日铁化学株式会社 有机电致发光元件用化合物及有机电致发光元件
US20090295276A1 (en) * 2005-12-01 2009-12-03 Tohru Asari Organic Electroluminescent Device
WO2007069569A1 (ja) * 2005-12-15 2007-06-21 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2009544772A (ja) * 2006-07-21 2009-12-17 メルク パテント ゲーエムベーハー インデノフルオレンとチオフェンのコポリマー
JP5272345B2 (ja) 2006-08-28 2013-08-28 東ソー株式会社 ヘテロアセン誘導体、テトラハロターフェニル誘導体及びそれらの製造方法
CN101511834B (zh) * 2006-11-09 2013-03-27 新日铁化学株式会社 有机场致发光元件用化合物及有机场致发光元件
WO2010131855A2 (ko) * 2009-05-13 2010-11-18 덕산하이메탈(주) 오원자 헤테로고리를 포함하는 화합물 및 이를 이용한 유기전기소자, 그 단말
WO2008132103A1 (de) * 2007-04-26 2008-11-06 Basf Se Pentaphenylenderivate als photosensibilisatoren in solarzellen
TWI468489B (zh) * 2007-05-29 2015-01-11 Nippon Steel & Sumikin Chem Co Organic electroluminescent element compounds and organic electroluminescent elements
KR101005160B1 (ko) * 2007-05-30 2011-01-04 신닛테츠가가쿠 가부시키가이샤 유기 전계 발광 소자용 화합물 및 유기 전계 발광 소자
JP5315998B2 (ja) * 2007-07-27 2013-10-16 東レ株式会社 発光素子材料および発光素子
JP2009087907A (ja) * 2007-10-03 2009-04-23 Rohm Co Ltd 有機半導体発光装置
JP2009190999A (ja) * 2008-02-13 2009-08-27 Osaka Univ 縮合環化合物及びその製造方法、重合体、これらを含む有機薄膜、並びに、これを備える有機薄膜素子及び有機薄膜トランジスタ。
DE102008017591A1 (de) * 2008-04-07 2009-10-08 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
CN102017220B (zh) * 2008-05-08 2012-11-07 新日铁化学株式会社 有机场致发光元件用化合物及有机场致发光元件
KR101340241B1 (ko) * 2008-06-05 2013-12-10 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 다환계 화합물 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자
KR101500796B1 (ko) * 2008-06-05 2015-03-09 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 할로젠 화합물, 다환계 화합물 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006108497A1 (de) * 2005-04-14 2006-10-19 Merck Patent Gmbh Verbindungen für organische elektronische vorrichtungen
WO2006122630A1 (de) * 2005-05-20 2006-11-23 Merck Patent Gmbh Verbindungen für organische elektronische vorrichtungen
WO2007029798A1 (ja) * 2005-09-08 2007-03-15 Toray Industries, Inc. 発光素子材料および発光素子

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Angew. Chem. Int. Ed. 2005, Vol. 44, pp.1336-1340 (공개일: 2005.01.21). *
Angew. Chem. Int. Ed. 2005, Vol. 44, pp.1336-1340 (공개일: 2005.01.21).*

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11690288B2 (en) 2017-07-14 2023-06-27 Samsung Sdi Co., Ltd. Composition for organic optoelectronic diode, organic optoelectronic diode, and display device

Also Published As

Publication number Publication date
CN102056911A (zh) 2011-05-11
TW201008932A (en) 2010-03-01
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CN102056911B (zh) 2015-07-22
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JP2014028819A (ja) 2014-02-13
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TWI450897B (zh) 2014-09-01
JP6140205B2 (ja) 2017-05-31
EP2301926A1 (en) 2011-03-30
EP2301926B1 (en) 2018-11-21

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