KR101515120B1 - Plating apparatus and plating method - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 피도금체(기판)에 도금을 행하는 경우에, 고전류 밀도의 조건이어도 평탄한 선단(先端)형상의 범프를 형성하거나, 양호한 면내균일성을 가지는 금속막을 형성할 수 있도록 하는 것이다.
이를 위하여 본 발명에서는 도금액(Q)을 유지하는 도금조(10)와, 도금조 내의 도금액에 침지시켜 배치되는 애노드(26)와, 피도금체(W)를 유지하여 애노드와 대향하는 위치에 배치하는 홀더(24)와, 애노드와 홀더로 유지한 피도금체와의 사이에 배치되고, 상기 피도금체와 평행으로 왕복 이동하여 도금액을 교반하는 패들(32)과, 패들을 구동하는 패들 구동부(42)를 제어하는 제어부(46)를 가지고, 제어부는, 패들의 이동속도의 절대값의 평균이 70 내지 1OO cm/sec가 되도록 패들 구동부를 제어한다.The present invention relates to a method of forming a metal film having a flat front end shape or a good in-plane uniformity even when a plating film is to be plated on a substrate such as a semiconductor wafer under a high current density condition will be.
To this end, in the present invention, a plating tank (10) for holding a plating liquid (Q), an anode (26) arranged to be immersed in a plating liquid in a plating tank, , A paddle (32) arranged between the anode and the plated body held by the holder, for stirring the plating liquid in a reciprocating motion in parallel with the plated body, and a paddle driver 42, and the control unit controls the paddle driver so that the average of the absolute values of the movement speeds of the paddles is 70 to 100 cm / sec.

Description

도금장치 및 도금방법{PLATING APPARATUS AND PLATING METHOD}[0001] PLATING APPARATUS AND PLATING METHOD [0002]

본 발명은, 반도체 웨이퍼 등의 피도금체 기판의 표면에 도금을 행하는 도금장치및 도금방법에 관한 것으로, 특히 반도체 웨이퍼의 표면에 설치된 미세한 배선용 홈이나 홀, 레지스트 개구부에 도금막을 형성하거나, 반도체 웨이퍼의 표면에 패키지의 전극 등과 전기적으로 접속하는 범프(돌기형상 전극)를 형성하는 데 적합한 도금장치 및 도금방법에 관한 것이다.The present invention relates to a plating apparatus and a plating method for performing plating on the surface of a substrate to be plated such as a semiconductor wafer. More particularly, the present invention relates to a plating apparatus and a plating method for plating a surface of a substrate, (Protruding electrodes) which are electrically connected to the electrodes of the package on the surface of the package.

예를 들면, TAB(Tape Automated Bonding)나 플립 칩에서는, 배선이 형성된 반도체칩의 표면의 기설정된 부분(전극)에 금, 구리, 땜납, 또는 니켈, 나아가 이들을 다층으로 적층한 돌기형상 접속 전극(범프)을 형성하고, 이 범프를 거쳐 패키지의 전극이나 TAB 전극과 전기적으로 접속하는 것이 널리 행하여지고 있다. 이 범프 형성방법으로서는, 전기도금법, 증착법, 인쇄법, 볼 범프법이라는 여러가지 방법이 있으나, 반도체칩의 I/O 수의 증가, 피치의 미세화에 따라 미세화 가능하고 성능이 비교적 안정되어 있는 전기도금법이 많이 사용되고 있다.For example, in TAB (Tape Automated Bonding) or flip chip, a predetermined portion (electrode) of a surface of a semiconductor chip on which wiring is formed is formed with gold, copper, solder, or nickel, Bumps) are formed on the surface of the package and electrically connected to the electrodes of the package and the TAB electrodes via the bumps. As the bump forming method, there are various methods such as electroplating, vapor deposition, printing, and ball bump. However, an electroplating method in which the number of I / Os of the semiconductor chip is increased and the pitch is finer and the performance is relatively stable It is widely used.

전기도금법에 의하면, 고순도의 금속막(도금막)이 용이하게 얻어지고, 또한 금속막의 성막속도가 비교적 빠를 뿐만 아니라, 금속막의 두께의 제어도 비교적 용이하게 행할 수 있다. 또, 반도체 웨이퍼상에 대한 금속막 형성에서, 고밀도 실장, 고성능화 및 높은 수율을 추구하기 때문에, 막 두께의 면내 균일성도 엄격하게 요구되고 있다. 전기도금에 의하면, 도금액의 금속이온 공급 속도 분포나 전위 분포를 균일하게 함으로써, 막 두께의 면내 균일성이 우수한 금속막을 얻을 수 있다고 기대되고 있다.According to the electroplating method, a metal film (plating film) of high purity can be easily obtained, and the deposition rate of the metal film is comparatively fast, and the thickness of the metal film can be controlled relatively easily. In addition, in order to achieve high-density packaging, high performance, and high yield in forming a metal film on a semiconductor wafer, in-plane uniformity of the film thickness is also strictly demanded. According to the electroplating, it is expected that a metal film excellent in the in-plane uniformity of the film thickness can be obtained by uniformizing the metal ion supply speed distribution and potential distribution of the plating liquid.

이른바 딥 방식을 채용한 도금장치로서, 내부에 도금액을 보유하는 도금조를 가지고, 도금조의 내부에, 기판 홀더에 둘레 가장자리부를 수밀적으로 밀봉하여 유지한 기판(피도금체)과 애노드 홀더에 유지한 애노드를 서로 대향시켜 수직으로 배치하고, 애노드와 기판과의 사이에 위치하도록 중앙에 중앙 구멍이 형성된 유전체로 이루어지는 조정판(레귤레이션 플레이트)을 배치하고, 또한 조정판과 기판과의 사이에 도금액을 교반하는 패들이 배치된 것이 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1참조).A plating apparatus employing a so-called dipping method, has a plating tank having a plating liquid therein, and a substrate (plated body) held in a watertight seal with the periphery of the substrate holder inside the plating tank, A regulating plate (a regulation plate) made of a dielectric having a central hole formed at the center thereof so as to be positioned between the anode and the substrate is disposed so as to oppose one anode to the other and the plating liquid is stirred between the regulating plate and the substrate (See, for example, Patent Document 1).

특허문헌 1에 기재된 도금장치에 의하면, 도금조 내에 도금액을 수용하여, 애노드, 기판 및 조정판을 도금액 중에 침지시키고, 동시에 도선을 거쳐 애노드를 도금 전원의 양극에, 기판을 도금 전원의 음극에 각각 접속하고, 애노드와 기판과의 사이에 기설정된 도금 전압을 인가함으로써, 기판의 표면에 금속이 석출되어 금속막(도금막)이 형성된다. 그리고, 도금 시에, 조정판과 기판과의 사이에 배치된 패들에 의하여 도금액을 교반함으로써, 충분한 양의 이온을 기판에 균일하게 공급하여, 더욱 균일한 막 두께의 금속막을 형성하도록 하고 있다.According to the plating apparatus described in Patent Document 1, an anode, a substrate and an adjusting plate are immersed in a plating solution, and the anode is connected to the anode of the plating power source and the substrate is connected to the cathode of the plating power source And a predetermined plating voltage is applied between the anode and the substrate to deposit a metal on the surface of the substrate to form a metal film (plating film). In plating, a sufficient amount of ions are uniformly supplied to the substrate by stirring the plating liquid by paddles disposed between the regulating plate and the substrate to form a metal film with a more uniform film thickness.

특허문헌 1에 기재된 발명에서는, 애노드와 상기 애노드의 대향하는 위치에 배치되는 기판과의 사이에, 원통체의 내부에 도금액 유로를 가지는 조정판을 배치하고, 이 조정판으로 도금조 내의 전위 분포를 조절함으로써, 기판의 표면에 형성되는 금속막의 막 두께 분포를 조절하도록 하고 있다.According to the invention described in Patent Document 1, an adjusting plate having a plating liquid flow path is disposed in a cylindrical body between the anode and a substrate disposed at a position opposite to the anode, and by adjusting the potential distribution in the plating tank with this adjusting plate , And the film thickness distribution of the metal film formed on the surface of the substrate is controlled.

또, 도금조 내의 도금액 중에 침지시켜 배치되는 조정판과 피도금물(피도금체)의 거리를 아주 짧게 하여, 피도금물의 전면에 걸치는 전위 분포를 더욱 균일하게 함으로써, 더욱 균일한 막 두께의 금속막을 형성하도록 한 도금장치가 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 2 참조).In addition, by making the distance between the adjustment plate and the object to be plated (the plated object) immersed in the plating liquid in the plating tank very short, the potential distribution over the entire surface of the object to be plated becomes more uniform, (See, for example, Patent Document 2).

최근, 더욱 높은 장치의 생산성을 실현하기 위하여, 기설정된 막 두께의 도금막을 성막하는 데 필요로 하는 도금 시간을, 종래의 2/3 정도로 짧게 하는 것이 특히 강하게 요구되고 있다. 기설정된 도금 면적에 대하여, 더욱 단시간으로 기설정된 막 두께의 도금을 행하기 위해서는, 높은 전류를 흘려 높은 도금 속도로 도금을 행하는 것, 즉 고전류 밀도로 도금을 행하는 것이 필요하다. 그러나, 종래의 일반적인 도금장치 및 그 운전방법으로 고전류 밀도의 조건으로 도금을 행하면, 도금막 두께의 면내 균일성이 악화되는 경향이 있다. 도금막 두께의 면내 균일성은, 종래보다 한층 높은 레벨인 것이 요구되고 있다. 이 때문에, 특허문헌 2에 기재되어 있는 바와 같이, 조정판과 피도금물의 거리를 짧게 하는 것은, 고전류 밀도의 도금조건으로 도금을 행할 때에 더욱 중요해진다.In recent years, in order to realize higher productivity of the apparatus, it is particularly strongly required to shorten the plating time required for forming a predetermined thickness plating film to about 2/3 of the conventional plating time. In order to perform plating with a predetermined film thickness in a shorter time with respect to a predetermined plating area, it is necessary to perform plating at a high plating rate by flowing a high current, that is, plating at a high current density. However, if plating is performed under the condition of a high current density by a conventional general plating apparatus and its operation method, the in-plane uniformity of the plating film thickness tends to deteriorate. It is required that the in-plane uniformity of the plated film thickness is higher than in the prior art. For this reason, as described in Patent Document 2, shortening the distance between the adjustment plate and the object to be plated becomes more important when plating is performed under plating conditions of high current density.

고전류 밀도의 조건으로 도금을 행하는 문제점으로서, 발명자는 종래의 일반적인 도금장치 및 그 운전방법으로 고전류 밀도의 조건으로 도금을 행하면, 도금에 의하여 형성되는 범프는, 선단형상이 평탄하지 않고 볼록형의 형상이 되는 경향에 있는 것을 발견하였다. 현재 개발이 진행되고 있는 WL-CSP(Wafer Level-Chip Size Package)에서는, 도금으로 범프를 형성한 후, 범프를 수지로 피복하도록 하고 있으나, 범프의 선단이 볼록형의 형상이면, 범프 전체를 피복하기 위하여 여분으로 수지를 쌓아 올리지 않으면 안되어, 비용상승으로 이어진다. 또한 수지를 쌓아 올릴 때에 표면을 평활하게 하기 위하여, 스퀴지라 불리우는 주걱으로 수지 표면을 고르게 하고 있으나, 부분적으로 볼록형이 되어 높아진 범프가 있으면, 주걱(스퀴지)으로 수지 표면을 고르게 할 때에 범프가 쓰러진다는 문제도 있다. 또 범프를 수지로 피복한 후, 메카니컬 폴리싱에 의하여 수지와 범프를 기설정된 두께까지 깎 도록 하고 있었으나, 이 때도 여분으로 쌓아 올린 분만큼 많은 수지를 깎지 않으면 안되어 비용상승으로 이어진다.As a problem of performing plating under the condition of high current density, the inventors found that when plating is performed under the condition of a high current density by a conventional general plating apparatus and its operation method, the bumps formed by plating have a convex shape Of the total population. In the Wafer Level-Chip Size Package (WL-CSP) currently under development, the bumps are formed by plating and then the bumps are covered with the resin. However, if the tips of the bumps have a convex shape, In order to increase the cost, the resin must be piled up in an extra amount. Also, in order to smooth the surface when the resin is piled up, the surface of the resin is made even with a spatula called a squeegee. However, if there is a bump that is partially convex and has a raised bump, when the resin surface is made even with a spatula (squeegee) There is also a problem. Further, after the bumps are coated with the resin, the resin and the bumps are cut to a predetermined thickness by mechanical polishing. However, at this time, too much resin needs to be shaved as much as the excess is accumulated, leading to an increase in cost.

도금액을 교반하는 한 쌍의 교반봉을, 한쪽을 5 cm/sec 내지 20 cm/sec로, 다른쪽을 25 cm/sec 내지 70 cm/sec로 구동시켜, 관통구멍(through hole)을 가지는 프린트 배선판을 도금하는 도금장치 및 도금방법이 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 3 참조). 그러나, 이와 같은 속도로 한 쌍의 교반봉을 각각 움직이면서 도금을 행하여도 평탄한 선단형상의 범프를 형성할 수는 없다.A pair of stirring rods stirring the plating liquid were driven at a rate of 5 cm / sec to 20 cm / sec on one side and a rate of 25 cm / sec to 70 cm / sec on the other side to obtain a printed wiring board having a through hole (See, for example, Patent Document 3). However, it is not possible to form flat tip-shaped bumps even when plating is performed while moving the pair of stirring bars at such a speed.

JP WO2004/009879호 팜플릿JP WO2004 / 009879 pamphlet 일본국 특개2001-329400호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-329400 일본국 특개2006-41172호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-41172

본 발명은 상기한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 반도체 웨이퍼 등의 피도금체(기판)에 도금을 행하는 경우에, 고전류 밀도의 조건으로도 평탄한 선단형상의 범프를 형성하거나, 양호한 면내 균일성을 가지는 금속막을 형성할 수 있는 도금장치 및 도금방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and it is an object of the present invention to provide a plating method for plating a substrate to be plated such as a semiconductor wafer by forming bumps having a flat tip shape under a high current density condition, And a plating method and a plating method capable of forming a metal film.

청구항 1에 기재된 발명은, 도금액을 유지하는 도금조와, 상기 도금조 내의 도금액에 침지시켜 배치되는 애노드와, 피도금체를 유지하여 상기 애노드와 대향하는 위치에 배치하는 홀더와, 상기 애노드와 상기 홀더로 유지한 피도금체와의 사이에 배치되고, 상기 피도금체와 평행으로 왕복 이동하여 도금액을 교반하는 패들과, 상기 패들을 구동하는 패들 구동부를 제어하는 제어부를 가지고, 상기 제어부는, 상기 패들의 이동속도의 절대값의 평균이 70 내지 100 cm/sec가 되도록 상기 패들 구동부를 제어하는 것을 특징으로 하는 도금장치이다.According to a first aspect of the present invention, there is provided a plating apparatus comprising: a plating vessel for holding a plating solution; an anode arranged to be immersed in a plating solution in the plating vessel; a holder for holding the object to be plated and disposed at a position facing the anode; And a controller for controlling the paddle driver to drive the paddles, wherein the controller controls the paddle driver to move the plated liquid in a reciprocating manner in parallel with the plated body to stir the plating liquid, Is controlled so that the average of the absolute values of the moving speeds of the paddles is 70 to 100 cm / sec.

이와 같이, 애노드와 피도금체와의 사이에 배치된 패들을, 절대값의 평균이 70 내지 1OOcm/sec가 되는 속도(고속)로 움직여 도금액을 교반함으로써, 예를 들면 범프를 형성할 때에, 범프를 형성하기 위하여 미리 형성된 레지스트홀 내에 충분하고 또한 균일한 이온을 공급하여, 고전류 밀도의 도금조건으로도 평탄한 선단형상의 범프를 형성할 수 있다.As described above, when the pads arranged between the anode and the plated body are moved at a speed (high speed) at which the average of absolute values is 70 to 100 cm / sec to stir the plating liquid, for example, It is possible to form a bump having a flat tip shape even under plating conditions of high current density by supplying sufficient and uniform ions in the resist hole formed in advance to form the bump.

청구항 2에 기재된 발명은, 상기 패들은, 격자부를 가지는 판형상 부재인 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 도금장치이다.According to a second aspect of the invention, there is provided the plating apparatus according to the first aspect, wherein the paddle is a plate-shaped member having a lattice portion.

청구항 3에 기재된 발명은, 상기 판형상 부재는, 3 내지 5 mm의 일정한 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 청구항 2에 기재된 도금이다.According to a third aspect of the present invention, the plating member according to the second aspect is characterized in that the plate-like member has a constant thickness of 3 to 5 mm.

청구항 4에 기재된 발명은, 상기 패들과 상기 피도금체의 거리는, 5 내지 11 mm인 것을 특징으로 하는 청구항 2 또는 3에 기재된 도금장치이다.The invention according to claim 4 is the plating apparatus according to claim 2 or 3, wherein a distance between the paddle and the plated body is 5 to 11 mm.

청구항 5에 기재된 발명은, 유전체로 이루어지고, 상기 애노드와 상기 패들과의 사이에 배치되는 조정판을 더 가지고, 상기 조정판은 상기 피도금체의 외형에 따른 내형을 가지는 통형상부와, 상기 통형상부의 상기 애노드측 끝부의 바깥 둘레에 접속되어 상기 애노드와 상기 피도금체와의 사이에 형성되는 전장을 차단하는 플랜지부를 가지는 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 도금장치이다.According to a fifth aspect of the present invention, there is provided an air conditioner comprising a tubular portion made of a dielectric material and disposed between the anode and the paddle, the tubular portion having an inner shape corresponding to an outer shape of the plated body, And a flange portion connected to an outer periphery of the anode-side end portion of the anode to block an electric field formed between the anode and the plated body.

이와 같이, 애노드와 패들과의 사이에 조정판을 배치하여, 피도금체의 전면에 걸치는 전위 분포를 더욱 균일하게 함으로써, 고전류 밀도의 도금조건으로도, 피도금체에 형성되는 금속막(도금막)의 면내 균일성을 높일 수 있다.Thus, by arranging an adjusting plate between the anode and the paddle and making the potential distribution spread over the entire surface of the plated body more uniform, even under high-current density plating conditions, the metal film (plated film) The in-plane uniformity of the surface can be increased.

청구항 6에 기재된 발명은, 상기 통형상부의 피도금체측의 끝부와 상기 피도금체의 거리는, 8 내지 25 mm인 것을 특징으로 하는 청구항 5에 기재된 도금장치이다.According to a sixth aspect of the present invention, in the plating apparatus according to the fifth aspect, the distance between the end of the tubular portion on the side of the plated body and the plated body is 8 to 25 mm.

통형상부의 피도금체측의 끝부와 피도금체의 거리는, 12 내지 18 mm인 것이 바람직하다.The distance between the end of the tubular portion on the plated member side and the plated member is preferably 12 to 18 mm.

청구항 7에 기재된 발명은, 상기 홀더는 바깥쪽으로 돌출하는 홀더 아암을, 상기 도금조는 상기 홀더 아암에 접촉하여 상기 홀더를 매달아 지지하는 홀더 지지부를 각각 가지고, 상기 홀더 아암과 상기 홀더 지지부와의 접촉부에는, 상기 홀더아암을 홀더 지지부에 고정하는 고정수단이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 도금장치이다.The invention according to claim 7 is characterized in that the holder has a holder arm protruding outwardly and the plating vessel has a holder support part for holding the holder in contact with the holder arm so as to support the holder arm, And a fixing means for fixing the holder arm to the holder supporting portion.

이에 의하여, 도금조에서 홀더를 매달아 지지하였을 때, 가령 패들을 고속으로 이동시켰을 때의 도금액의 유동으로 홀더가 소극적인 압력을 받았다 하여도, 홀더가 흔들리거나 기울어지는 것을 방지할 수 있다. Thus, when the holder is suspended from the plating tank, even if the holder receives a negative pressure due to the flow of the plating liquid when the paddles are moved at a high speed, the holder can be prevented from being shaken or tilted.

청구항 8에 기재된 발명은, 상기 고정수단은, 상기 홀더 아암과 상기 홀더 지지부의 적어도 한쪽에 설치된 자석으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 청구항 7에 기재된 도금장치이다.According to an eighth aspect of the present invention, in the plating apparatus according to the seventh aspect, the fixing means comprises a magnet provided on at least one of the holder arm and the holder supporting portion.

이에 의하여, 자력에 의하여 유지력을 높일 수 있다. Thus, the holding force can be increased by the magnetic force.

청구항 9에 기재된 발명은, 상기 홀더 아암과 상기 홀더 지지부와의 접촉부의 적어도 일부에, 상기 도금조에서 상기 홀더를 매달아 지지하였을 때에 서로 접촉하여 폐쇄되는 접점을 가지고, 상기 접점이 폐쇄됨으로써 피도금체에 급전하는 것을 특징으로 하는 청구항 7 또는 8에 기재된 도금장치이다.The invention according to claim 9 is characterized in that at least a part of the contact portion between the holder arm and the holder supporting portion has a contact which is in contact with and closed when the holder is suspended from the plating vessel and the contact is closed, Of the plating apparatus according to claim 7 or 8.

이와 같이, 홀더 아암과 홀더 지지부와의 접촉부의 적어도 양쪽의 일부에 접점을 설치함으로써, 도금조에서 홀더를 매달아 지지하였을 때, 홀더 아암측의 접점과 홀더 지지부측의 접점을 확실하게 접촉시킬 수 있다.By providing the contact points on at least both sides of the contact portion between the holder arm and the holder support portion as described above, the contact on the holder arm side and the contact on the holder support portion side can be reliably contacted when the holder is suspended from the plating tank .

청구항 10에 기재된 발명은, 도금조 내의 도금액 중에 애노드와 피도금체를 서로 대향시켜 설치하고, 상기 애노드와 상기 피도금체와의 사이에 전압을 인가하면서, 상기 애노드와 상기 피도금체와의 사이에 배치한 패들을, 절대값의 평균이 70 내지 100 cm/sec가 되는 이동속도로 상기 피도금체와 평행으로 왕복 이동시키는 것을 특징으로 하는 도금방법이다.According to a tenth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a plating bath, comprising: providing an anode and a plated body facing each other in a plating liquid in a plating bath; and applying a voltage between the anode and the plated body, Is reciprocally moved in parallel with the plated body at a moving speed at which the average of absolute values is 70 to 100 cm / sec.

청구항 11에 기재된 발명은, 상기 패들은, 격자부를 가지는 판형상 부재인 것을 특징으로 하는 청구항 10에 기재된 도금방법이다.The invention according to claim 11 is the plating method according to claim 10, wherein the paddle is a plate-like member having a lattice portion.

청구항 12에 기재된 발명은, 상기 판형상 부재는, 3 내지 5 mm의 일정한 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 청구항 11에 기재된 도금방법이다. The invention described in claim 12 is the plating method according to claim 11, wherein the plate member has a constant thickness of 3 to 5 mm.

청구항 13에 기재된 발명은, 상기 패들과 상기 피도금체의 거리는, 5 내지 11 mm인 것을 특징으로 하는 청구항 11 또는 12에 기재된 도금방법이다.The invention according to claim 13 is the plating method according to claim 11 or 12, wherein a distance between the paddle and the body to be plated is 5 to 11 mm.

청구항 14에 기재된 발명은, 상기 피도금체의 외형에 따른 내형을 가지는 통형상부와, 상기 통형상부의 상기 애노드측 끝부의 바깥 둘레에 접속되어 상기 애노드와 상기 피도금체와의 사이에 형성되는 전장을 차단하는 플랜지부를 가지고, 유전체로 이루어지는 조정판을, 상기 애노드와 상기 패들과의 사이에 배치한 것을 특징으로 하는 청구항 10에 기재된 도금방법이다.According to a fourteenth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a tubular portion having an inner shape corresponding to an outer shape of the plated body; The plating method according to claim 10, further comprising a flange portion that cuts off the electric field, and an adjustment plate made of a dielectric is disposed between the anode and the paddle.

청구항 15에 기재된 발명은, 상기 통형상부의 피도금체측의 끝부와 상기 피도금체의 거리는, 8 내지 25 mm인 것을 특징으로 하는 청구항 14에 기재된 도금방법이다.The invention according to claim 15 is the plating method according to claim 14, wherein the distance between the end of the tubular part on the side of the plated body and the plated body is 8 to 25 mm.

통형상부의 피도금체측의 끝부와 피도금체의 거리는, 12 내지 18 mm인 것이 바람직하다.The distance between the end of the tubular portion on the plated member side and the plated member is preferably 12 to 18 mm.

청구항 16에 기재된 발명은, 도금액을 유지하는 도금조와, 상기 도금조 내의 도금액에 침지시켜 배치되는 애노드와, 피도금체를 유지하여 상기 애노드와 대향하는 위치에 배치하는 홀더와, 상기 애노드와 상기 홀더로 유지한 피도금체와의 사이에 배치되고, 상기 피도금체와 평행으로 왕복 이동하여 도금액을 교반하는 패들과, 상기 패들을 구동하는 패들 구동부를 제어하는 제어부를 가지고, 상기 도금조는, 내부에 다수의 도금액 유통구멍을 가지는 분리판에 의하여, 윗쪽의 피도금체 처리실과 아래쪽의 도금액 분산실로 분리되고, 상기 도금액 분산실에는, 도금액의 분산 흐름을 확보하면서 전장을 차단하는 차폐판이 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 도금장치이다.According to a sixteenth aspect of the present invention, there is provided a plating apparatus comprising: a plating vessel for holding a plating solution; an anode arranged to be immersed in a plating solution in the plating vessel; a holder for holding the substrate to be plated and disposed at a position facing the anode; And a control unit for controlling the paddle driving unit which is disposed between the plated body held by the plated body and which reciprocates in parallel with the plated body to stir the plating liquid and drives the paddles, A shielding plate for shielding the entire length of the plating liquid dispersion chamber is provided in the plating liquid dispersion chamber while securing a dispersion flow of the plating liquid by the separating plate having a plurality of plating liquid flow holes and being separated into a plating liquid processing chamber on the upper side and a plating liquid dispersion chamber on the lower side It is a plating device characterized by.

이와 같이, 분리판에 의하여 도금조를 윗쪽의 피도금체 처리실과 아래쪽의 도금액 분산실로 분리하고, 도금액 분산실에 차폐판을 설치하여, 전장이 도금액 분산실 내를 우회하여 애노드로부터 피도금체를 향하여 형성되는 것을 억제함으로써, 피도금체의 하부에 형성되는 전장이 도금막의 면내 균일성에 영향을 주는 것을 방지할 수 있다. 이 피도금체의 하부에 형성되는 전장의 도금막의 면내 균일성에 대한 영향은, 종래의 저전류 밀도의 도금조건에서는 문제가 되지 않았으나, 종래보다 고전류 밀도의 조건에서는, 도금막의 도금조 바닥에 가까운 부분의 막 두께가 급격하게 두꺼워지기 때문에 문제가 된다.As described above, the plating vessel is separated by the separating plate into the upper plated body treatment chamber and the lower plating liquid dispersion chamber, and the shielding plate is provided in the plating liquid dispersion chamber so as to bypass the plating body from the anode, It is possible to prevent the electric field formed at the bottom of the plated body from affecting the in-plane uniformity of the plated film. The influence on the in-plane uniformity of the plating film of the electric field formed in the lower part of the plating body is not a problem under the plating conditions of the conventional low current density. However, under the condition of high current density, The film thickness of the film becomes suddenly thick.

청구항 17에 기재된 발명은, 유전체로 이루어지고, 상기 애노드와 상기 패들과의 사이에 배치되는 조정판을 더 가지고, 상기 조정판은, 상기 피도금체의 외형에 따른 내형을 가지는 통형상부와, 상기 통형상부의 상기 애노드측 끝부의 바깥 둘레에 접속되어 상기 애노드와 상기 피도금체와의 사이에 형성되는 전장을 차단하는 플랜지부를 가지고, 상기 플랜지부 하단에는, 상기 분리판에 접하는 전장 차폐부재가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 청구항 16에 기재된 도금장치이다.According to a seventeenth aspect of the present invention, there is provided an air conditioner comprising a tubular portion having an inner shape corresponding to an outer shape of the plated body, and a control plate disposed between the anode and the paddle, And a flange portion connected to an outer periphery of the anode-side end portion of the shape portion to block an electric field formed between the anode and the plated body, and an electric-field shielding member in contact with the separating plate is provided at the lower end of the flange portion And the plating unit is a plating unit.

이와 같이, 조정판을 설치함으로써, 애노드와 피도금체와의 사이에 형성되는 전장을 제어함과 동시에, 플랜지부와 분리판과의 사이에 전장 차폐부재를 설치함으로써, 플랜지부와 분리판의 간극으로부터 전장이 새는 것을 방지할 수 있다.By providing the adjusting plate in this way, the electric field formed between the anode and the plated body is controlled, and the electric-field shielding member is provided between the flange portion and the separating plate, It is possible to prevent the electric field from leaking.

청구항 18에 기재된 발명은, 상기 도금액 분리실은, 상기 차폐판에 의하여 애노드측 액 분산실과 캐소드측 액 분산실로 분리되고, 상기 애노드측 액 분산실 및 상기 캐소드측 액 분산실에는 도금액 공급로로부터 도금액이 공급되는 것을 특징으로 하는 청구항 16에 기재된 도금장치이다.The invention according to claim 18 is characterized in that the plating liquid separation chamber is divided into an anode side liquid dispersion chamber and a cathode side liquid dispersion chamber by the shielding plate and a plating liquid is supplied from the plating liquid supply path to the anode side liquid dispersion chamber and the cathode side liquid dispersion chamber The plating apparatus according to the present invention is a plating apparatus according to claim 16.

이와 같이, 도금액 분산실을 차폐판에 의하여 애노드측 액 분산실과 캐소드측 액 분산실로 완전히 분리됨으로써, 애노드로부터 발생하는 전위선이, 도금액 분산실 내의 도금액을 통하여 캐소드가 되는 피도금체에 도달하는 것을 확실하게 방지할 수 있다.As described above, the plating liquid dispersion chamber is completely separated from the anode side liquid dispersion chamber and the cathode side liquid dispersion chamber by the shielding plate, so that the potential line generated from the anode reaches the plating object to be the cathode through the plating liquid in the plating liquid dispersion chamber It can be surely prevented.

청구항 19에 기재된 발명은, 상기 패들은, 커플링을 거쳐 상기 패들 구동부에서 연장되는 샤프트에 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 도금장치이다.According to a nineteenth aspect of the present invention, the paddle is connected to a shaft extending from the paddle driving part via a coupling.

이에 의하여, 커플링을 거쳐 패들 구동축으로부터 연장되는 샤프트로부터 패들을 용이하게 분리하여, 패들의 교환작업을 더욱 신속하고 또한 용이하게 행할 수 있다.Thereby, the paddle can be easily separated from the shaft extending from the paddle drive shaft via the coupling, so that the exchange operation of the paddle can be performed more quickly and easily.

청구항 20에 기재된 발명은, 도금액을 유지하는 도금조와, 상기 도금조 내의 도금액에 침지시켜 배치되는 애노드와, 피도금체를 유지하여 상기 애노드와 대향하는 위치에 배치하는 홀더와, 상기 애노드와 상기 홀더로 유지한 피도금체와의 사이에 배치되고, 상기 피도금체와 평행으로 왕복 이동하여 도금액을 교반하는 패들과, 상기 패들을 구동하는 패들 구동부를 제어하는 제어부와, 유전체로 이루어지고, 상기 애노드와 상기 패들과의 사이에 배치되는 조정판과, 상기 조정판을 피도금체에 대하여 수직 또는 수평방향으로 이동시키는 조정판 이동기구를 가지는 것을 특징으로 하는 도금장치이다.According to a twentieth aspect of the present invention, there is provided a plating apparatus comprising: a plating vessel for holding a plating solution; an anode disposed so as to be immersed in a plating solution in the plating vessel; a holder for holding the object to be plated and disposed at a position facing the anode; A controller for controlling the paddle driver for driving the paddles and the paddle for stirring the plating liquid and reciprocating in parallel with the substrate to be plated; And an adjusting plate moving mechanism for moving the adjusting plate in the vertical or horizontal direction with respect to the plated body.

이에 의하여, 조정판 이동기구를 거쳐, 조정판의 피도금체에 대한 수직 또는 수평방향의 위치를 미세 조정함으로써, 피도금체의 표면에 형성되는 도금막의 막 두께의 면내 균일성을 향상시킬 수 있다. 특히, 조정판은 피도금체에 근접한 위치에 배치되기 때문에, 조정판의 피도금체에 대한 수직 또는 수평방향의 위치를 미세 조정하는 것이, 피도금체의 표면에 형성되는 도금막의 막 두께의 면내 균일성을 향상시키는 데에 있어서 중요하게 된다.This makes it possible to improve the in-plane uniformity of the film thickness of the plated film formed on the surface of the plated body by finely adjusting the position of the platen with respect to the plated body through the adjusting plate moving mechanism in the vertical or horizontal direction. Particularly, since the adjustment plate is disposed at a position close to the plated body, fine adjustment of the position of the adjustment plate in the vertical or horizontal direction with respect to the plated body is preferable in terms of uniformity of the thickness of the plated film formed on the surface of the plated body And the like.

청구항 21에 기재된 발명은, 상기 조정판 이동기구는, 상기 조정판에 가압하여 상기 조정판을 이동시키는 가압부재를 가지는 것을 특징으로 하는 청구항 20에 기재된 도금장치이다.According to a twenty-first aspect of the present invention, in the plating apparatus according to the twentieth aspect, the adjusting plate moving mechanism has a pressing member for pressing the adjusting plate to move the adjusting plate.

가압부재는, 예를 들면 가압볼트로 이루어지고, 가압부재의 가압량, 예를 들면 가압부재로서 기설정된 피치를 가지는 가압볼트를 사용한 경우에 있어서는, 가압볼트의 회전수를 관리함으로써, 조정판의 이동량을 용이하게 조절할 수 있다. The pressing member is made of, for example, a pressing bolt. When a pressing bolt having a predetermined pitch is used as the pressing amount of the pressing member, for example, by controlling the number of rotations of the pressing bolt, Can be easily adjusted.

청구항 22에 기재된 발명은, 상기 도금조의 안 둘레면에는, 상기 조정판을 이동시킬 때의 안내가 되는 안내부가 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 청구항 20또는 21에 기재된 도금장치이다.The invention according to claim 22 is the plating apparatus according to claim 20 or 21, wherein an inner circumferential surface of the plating vessel is provided with a guiding part for guiding when the adjusting plate is moved.

이에 의하여, 조정판과 피도금체와의 거리를 일정하게 한 상태에서, 안내부를 안내로 하여 조정판을 피도금체와 평행으로 이동시킬 수 있다. 또한, 오목부를 가지고 상기 오목부 내에 조정판의 바깥 둘레 끝부를 집어 넣을 수 있는 안내부를 사용함으로써, 조정판의 바깥 둘레로부터 전장이 새는 것을 방지할 수 있다.Thereby, the adjustment plate can be moved in parallel with the plated body by guiding the guide portion in a state in which the distance between the adjustment plate and the plated body is kept constant. Further, by using the guide portion having the recess and capable of putting the outer peripheral end portion of the adjustment plate in the recess, leakage of the electric field from the outer periphery of the adjustment plate can be prevented.

청구항 23에 기재된 발명은, 상기 조정판에는, 전장 조정용 보조 조정판을 설치하는 보조 조정판 설치부가 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 청구항 20에 기재된 도금장치이다. According to a twenty-third aspect of the invention, there is provided the plating apparatus as set forth in the twentieth aspect, wherein the adjustment plate is provided with the auxiliary adjusting plate mounting section for providing the auxiliary adjusting plate for adjusting the total length.

이에 의하여, 조정판의 설치위치를 바꾸거나, 교환하지 않고, 조정판과 보조조정판을 조합함으로써 피도금체의 종류에 맞추어, 최적의 전장을 형성할 수 있다.Thereby, the optimum electric field can be formed in accordance with the type of the object to be plated by changing the installation position of the control plate or by combining the adjustment plate and the auxiliary control plate without replacing them.

청구항 24에 기재된 발명은, 상기 홀더, 상기 조정판 및 상기 애노드를 유지하는 애노드 홀더를 위치 결정하여 유지하는 위치 결정 유지부를 가지는 것을 특징으로 하는 청구항 20에 기재된 도금장치이다. The invention according to claim 24 is the plating apparatus according to claim 20, further comprising a positioning holding section for positioning and holding the holder, the adjustment plate, and the anode holder holding the anode.

이에 의하여 기판 홀더, 조정판 및 애노드 홀더를 위치 결정하여 유지한 위치 결정 유지 부재를 도금조에 설치함으로써, 도금조의 수직방향에서의 기판 홀더, 조정판 및 애노드 홀더의 중심위치를 용이하게 일치시킬 수 있다.Thus, the positioning of the substrate holder, the adjustment plate, and the anode holder, and positioning of the substrate holder, the adjustment plate, and the anode holder in the plating vessel can easily match the center positions of the substrate holder, the adjustment plate and the anode holder in the vertical direction of the plating vessel.

본 발명의 도금장치 및 도금방법에 의하면, 반도체 웨이퍼 등의 피도금체(기판)에 도금을 행하는 경우에, 고전류 밀도의 조건으로도, 평탄한 선단형상의 범프를 형성하거나, 양호한 면내 균일성을 가지는 금속막을 형성할 수 있다.According to the plating apparatus and plating method of the present invention, when plating is performed on a plating target (substrate) such as a semiconductor wafer, it is possible to form bumps having a flat tip shape under a high current density condition, A metal film can be formed.

도 1은 본 발명의 실시형태의 도금장치를 나타내는 종단정면도,
도 2는 도 1에 나타내는 도금장치의 패들을 나타내는 평면도,
도 3은 도 2의 A-A 단면도,
도 4는 각각 다른 패들의 변형예를 나타내는 도 3에 상당하는 도,
도 5는 도 1에 나타내는 도금장치의 패들 구동기구를 도금조와 함께 나타내는 개략도,
도 6은 패들의 스트로크 엔드에서의 패들의 관계를 나타내는 평면도,
도 7은 도 1에 나타내는 도금장치의 조정판을 나타내는 사시도,
도 8은 조정판의 다른 예를 나타내는 측면도,
도 9는 도 1에 나타내는 도금장치의 기판 홀더와 도금조의 홀더 지지부와의 관계를 나타내는 도,
도 10은 도 1에 나타내는 도금장치의 홀더 아암의 주변을 확대하여 나타내는 사시도,
도 11은 홀더 아암과 홀더 지지부가 접촉한 상태를 나타내는 단면도,
도 12는 도 11의 우측면도,
도 13은 아암 지지부의 다른 예를 나타내는 사시도,
도 14는 도 1에 나타내는 도금장치의 분리판을 나타내는 평면도,
도 15는 분리판의 다른 예를 나타내는 평면도,
도 16은 도 1에 나타내는 도금장치에서의 분리판의 도금조 측판에 대한 설치상태를 나타내는 단면도,
도 17은 도 1에 나타내는 도금장치에서의 분리판, 차폐판 및 도금조의 바닥부의 관계를 나타내는 사시도,
도 18은 분리판, 차폐판 및 도금조의 바닥부의 다른 관계를 나타내는 사시도,
도 19는 도 1에 나타내는 도금장치에서의 조정판의 플랜지부와 분리판과의 관계를 나타내는 단면도,
도 20은 조정판을 기판과의 거리가 조정 가능하도록 설치하게 한 예의 주요부를 나타내는 도금조의 윗쪽에서 본 도,
도 21은 범프형성에서의 구리 도금 처리공정을 나타내는 플로우차트,
도 22는 전류밀도를 8ASD, 패들 교반 이동속도의 절대값의 평균을 20 cm/sec로 하여 도금을 행하여 범프를 형성한 경우에 있어서의 범프의 형상을 나타내는 도,
도 23은 전류밀도를 8ASD, 패들 교반 이동속도의 절대값의 평균을 83 cm/sec로 하여 도금을 행하여 범프를 형성한 경우에 있어서의 범프의 형상을 나타내는 도,
도 24는 패들 교반 이동속도의 절대값의 평균을 40 cm/sec로 설정하고, 두께2 mm의 패들을 사용한 도금을 행하여 범프를 형성한 경우에 있어서의 범프의 현미경 사진,
도 25는 패들 교반 이동속도의 절대값의 평균을 40 cm/sec로 설정하고, 두께4 mm의 패들을 사용한 도금을 행하여 범프를 형성한 경우에 있어서의 범프의 현미경 사진,
도 26은 패들 교반 이동속도의 절대값의 평균을 67 cm/sec로 설정하고, 두께4 mm의 패들을 사용한 도금을 행하여 범프를 형성한 경우에 있어서의 범프의 현미경 사진,
도 27은 패들 교반 이동속도의 절대값의 평균을 83 cm/sec로 설정하고, 두께4 mm의 패들을 사용한 도금을 행하여 범프를 형성한 경우에 있어서의 범프의 현미경 사진,
도 28은 패들 교반 이동속도의 절대값의 평균을 83 cm/sec로 설정하고, 두께3 mm의 패들을 사용한 도금을 행하여 범프를 형성한 경우에 있어서의 범프의 현미경 사진,
도 29는 분리판의 밑에 차폐판을 설치하지 않은 도금조를 사용한 도금을 행하여 범프를 형성한 경우에 있어서의 범프 높이의 분포를 나타내는 도,
도 30은 분리판의 밑에 차폐판을 설치한 도금조를 사용한 도금을 행하여 범프를 형성한 경우에 있어서의 범프 높이의 분포를 나타내는 도,
도 31은 패들 교반 이동속도의 절대값의 평균을 20 cm/sec로 설정하고, 두께 5 mm의 평판으로, 중앙부에 하나의 개구를 가지는 조정판을 사용하여, 기판과의 거리를 35 mm로 하여 범프를 형성한 경우에 있어서의 범프 높이의 면내 균일성을 나타내는 그래프,
도 32는 패들 교반 이동속도의 절대값의 평균을 83 cm/sec로 설정하고, 도 7에 나타내는 조정판을 사용하여, 기판과의 거리를 15 mm로 하여 범프를 형성한 경우에 있어서의 범프 높이의 면내 균일성을 나타내는 그래프,
도 33은 도 31 및 도 32에서의 X축 및 Y축의 관계를 나타내는 도,
도 34는 본 발명의 다른 실시형태의 도금장치를 나타내는 종단정면도,
도 35는 패들의 다른 구동기구를 도금조와 함께 나타내는 평면도,
도 36은 도 35의 종단정면도,
도 37은 조정판 이동기구를 구비한 다른 조정판과 다른 도금조를 나타내는 종단측면도,
도 38은 도 37의 B-B선 단면도,
도 39는 다른 조정판 이동기구를 구비한 조정판과 도금조의 주요부를 나타내는 도,
도 40은 또 다른 조정판을 나타내는 정면도,
도 41은 도 40의 평면도,
도 42는 본 발명의 또 다른 실시형태의 도금장치의 주요부를 나타내는 종단정면도,
도 43은 도 42에 나타내는 도금장치에 사용되고 있는 애노드 홀더와 위치 결정 유지부를 나타내는 정면도,
도 44는 또 다른 조정판을 나타내는 정면도,
도 45는 도 44의 C-C선 단면도이다. BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a longitudinal top view showing a plating apparatus according to an embodiment of the present invention;
Fig. 2 is a plan view showing the padding of the plating apparatus shown in Fig. 1,
3 is a sectional view taken along the line AA in Fig. 2,
Fig. 4 is a view corresponding to Fig. 3 showing a variation of each paddle,
Fig. 5 is a schematic view showing the paddle driving mechanism of the plating apparatus shown in Fig. 1 together with the plating tank,
6 is a plan view showing the relationship of paddles at the stroke end of paddles,
Fig. 7 is a perspective view showing an adjusting plate of the plating apparatus shown in Fig. 1,
8 is a side view showing another example of the adjustment plate,
Fig. 9 is a view showing the relationship between the substrate holder of the plating apparatus shown in Fig. 1 and the holder support portion of the plating tank,
Fig. 10 is an enlarged perspective view of the holder arm of the plating apparatus shown in Fig. 1,
11 is a sectional view showing a state in which the holder arm and the holder supporting portion are in contact with each other,
Fig. 12 is a right side view of Fig. 11,
13 is a perspective view showing another example of the arm supporting portion,
14 is a plan view showing a separator plate of the plating apparatus shown in Fig. 1,
15 is a plan view showing another example of the separator plate,
16 is a cross-sectional view showing a state in which the separator plate of the plating apparatus shown in Fig.
17 is a perspective view showing the relationship between the separating plate, the shielding plate and the bottom of the plating bath in the plating apparatus shown in Fig. 1, Fig.
18 is a perspective view showing another relationship of the bottom of the separating plate, the shielding plate and the plating bath,
19 is a cross-sectional view showing the relationship between the flange portion of the adjusting plate and the separating plate in the plating apparatus shown in Fig. 1,
FIG. 20 is a top view of the plating tank showing a main part of an example in which the adjustment plate is provided so as to be adjustable in distance from the substrate,
21 is a flowchart showing a copper plating process in bump formation,
22 is a diagram showing the shape of a bump in the case where bumps are formed by performing plating with a current density of 8 ASD and an average of an absolute value of a paddle stirring moving speed of 20 cm /
23 is a diagram showing the shape of the bumps in the case where the bumps are formed by plating with the current density at 8 ASD and the average of the absolute value of the paddle stirring moving speed at 83 cm /
24 is a microphotograph of the bump in the case where bumps are formed by performing plating using paddles having a thickness of 2 mm by setting the average of the absolute value of the paddle stirring moving speed to 40 cm /
25 is a microphotograph of bumps in the case where the average of absolute values of the paddle stirring moving speed is set to 40 cm / sec and plating is performed using paddles having a thickness of 4 mm to form bumps,
26 is a microphotograph of bumps in the case where bumps are formed by performing plating using paddles having a thickness of 4 mm while setting the average of the absolute value of the paddle stirring moving speed to 67 cm /
27 is a microphotograph of bumps in the case where the average of absolute values of the paddle stirring moving speed is set to 83 cm / sec and plating is performed using paddles having a thickness of 4 mm to form bumps,
28 is a microphotograph of bumps in the case where bumps are formed by plating with paddles having a thickness of 3 mm by setting the average of the absolute value of the paddle stirring moving speed to 83 cm /
29 is a view showing a distribution of bump heights in the case where bumps are formed by performing plating using a plating bath in which a shielding plate is not provided under a separating plate;
30 is a view showing a distribution of bump heights in the case where bumps are formed by performing plating using a plating bath provided with a shielding plate under a separator plate;
31 is a graph showing the relationship between the absolute value of the paddle stirring moving speed and the bump stirring speed when an average of the paddle stirring moving speed is set to 20 cm / sec, and a plate having a thickness of 5 mm and a control plate having one opening at the center is used, A graph showing the in-plane uniformity of the bump height in the case where the bump height is formed,
32 is a graph showing the relationship between the absolute value of the bump height and the bump height when the absolute value of the paddle stirring moving speed is set to 83 cm / sec and the bump is formed at a distance of 15 mm from the substrate, A graph showing in-plane uniformity,
33 is a diagram showing the relationship between the X-axis and the Y-axis in Figs. 31 and 32,
34 is a longitudinal top view showing a plating apparatus according to another embodiment of the present invention,
35 is a plan view showing another driving mechanism of paddles together with a plating bath,
Fig. 36 is a longitudinal front view of Fig. 35,
37 is a longitudinal side view showing another plating tank different from the other adjusting plate having the adjusting plate moving mechanism,
38 is a sectional view taken along line BB of Fig. 37,
Fig. 39 is a view showing a main part of a plating vessel and an adjusting plate provided with another adjusting plate moving mechanism;
40 is a front view showing another adjustment plate,
FIG. 41 is a plan view of FIG. 40,
42 is a longitudinal front view showing a main part of a plating apparatus according to still another embodiment of the present invention,
Fig. 43 is a front view showing an anode holder and positioning and holding unit used in the plating apparatus shown in Fig. 42,
44 is a front view showing another adjustment plate,
45 is a cross-sectional view taken along line CC of Fig.

이하, 본 발명의 실시형태를, 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 이하의 예에서는, 피도금체로서의 기판의 표면에 구리 도금을 행하도록 한 예를 나타낸다. 하기의 각 실시형태에서, 동일 또는 상당하는 부재에는 동일부호를 붙이고, 중복된 설명을 생략한다,DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following examples, copper plating is performed on the surface of the substrate as a plated body. In each of the following embodiments, the same or equivalent members are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

도 1은, 본 발명의 실시형태의 도금장치를 나타내는 종단정면도이다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 도금장치는, 내부에 도금액(Q)을 유지하는 도금조(10)를 가지고, 도금조(10)의 윗쪽 바깥 둘레에는, 도금조(10)의 가장자리로부터 넘쳐 나온 도금액(Q)을 받아내는 오버 플로우조(12)가 구비되어 있다. 오버 플로우조(12)의 바닥부에는, 펌프(14)를 구비한 도금액 공급로(16)의 한쪽 끝이 접속되고, 도금액 공급로(16)의 다른쪽 끝은, 도금조(10)의 바닥부에 설치된 도금액 공급구(18)에 접속되어 있다. 이에 의하여 오버 플로우조(12) 내에 고인 도금액(Q)은, 펌프(14)의 구동에 따라 도금조(10) 내로 환류된다. 도금액 공급로(16)에는, 펌프(14)의 하류측에 위치하여, 도금액(Q)의 온도를 조절하는 항온유닛(20)과, 도금액 내의 이물을 필터링하여 제거하는 필터(22)가 장착되어 있다.BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a longitudinal elevation view showing a plating apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. As shown in Fig. 1, the plating apparatus has a plating tank 10 for holding a plating liquid Q therein, and a plating liquid 10, which overflows from the edge of the plating tank 10, And an overflow tank 12 for receiving the refrigerant gas Q. One end of the plating liquid feed path 16 provided with the pump 14 is connected to the bottom of the overflow tank 12 and the other end of the plating liquid feed path 16 is connected to the bottom of the plating tank 10 Is connected to a plating liquid supply port (18) provided in the plating section. As a result, the plating liquid Q accumulated in the overflow tank 12 is refluxed into the plating tank 10 by the drive of the pump 14. The plating liquid supply path 16 is provided with a constant temperature unit 20 which is located on the downstream side of the pump 14 and regulates the temperature of the plating liquid Q and a filter 22 which filters and removes impurities in the plating liquid have.

도금장치에는, 기판(피도금체)(W)을 착탈 자유롭게 유지하여, 기판(W)을 연직상태에서 도금조(10) 내의 도금액(Q)에 침지시키는 기판 홀더(24)가 구비되어 있다. 도금조(10) 내의 기판 홀더(24)로 유지하여 도금액(Q) 중에 침지시킨 기판(W)에 대향하는 위치에는, 애노드(26)가 애노드 홀더(28)에 유지되어 도금액(Q) 중에 침지되어 배치되어 있다. 애노드(26)로서, 이 예에서는, 인함유 구리가 사용되고 있다. 기판(W)과 애노드(26)는, 도금 전원(30)을 거쳐 전기적으로 접속되고, 기판(W)과 애노드(26)와의 사이에 전류를 흘림으로써 기판(W)의 표면에 도금막(구리막)이 형성된다.The plating apparatus is provided with a substrate holder 24 for detachably holding a substrate W (to be plated) W and immersing the substrate W in a vertical state in the plating liquid Q in the plating tank 10. The anode 26 is held in the anode holder 28 to be immersed in the plating liquid Q at a position opposite to the substrate W held by the substrate holder 24 in the plating tank 10 and immersed in the plating liquid Q, Respectively. As the anode 26, phosphorus-containing copper is used in this example. The substrate W and the anode 26 are electrically connected to each other through a plating power source 30 and a current is flowed between the substrate W and the anode 26 to deposit a plating film Film) is formed.

기판 홀더(24)로 유지하여 도금액(Q) 중에 침지시켜 배치한 기판(W)과 애노드(26)와의 사이에는, 기판(W)의 표면과 평행으로 왕복 운동하여 도금액(Q)을 교반 하는 패들(32)이 배치되어 있다. 이와 같이, 도금액(Q)을 패들(32)로 교반함으로써, 충분한 구리이온을 기판(W)의 표면에 균일하게 공급할 수 있다. 패들(32)과 기판(W)과의 거리는, 바람직하게는 5 내지 11 mm이다. 또한 패들(32)과 애노드(26)와의 사이에는, 기판(W)의 전면에 걸치는 전위 분포를 더욱 균일하게 하기 위한 유전체로 이루어지는 조정판(레귤레이션 플레이트)(34)이 배치되어 있다.A paddle 25 is provided between the substrate W held by the substrate holder 24 and immersed in the plating liquid Q and the anode 26 and reciprocating in parallel with the surface of the substrate W to stir the plating liquid Q, (Not shown). As described above, by stirring the plating liquid Q with the paddle 32, it is possible to uniformly supply sufficient copper ions to the surface of the substrate W. The distance between the paddle 32 and the substrate W is preferably 5 to 11 mm. An adjustment plate (regulation plate) 34 made of a dielectric material is disposed between the paddle 32 and the anode 26 to further uniform the potential distribution across the entire surface of the substrate W.

패들(32)은, 도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 판 두께(t)가 3 내지 5 mm의 일정한 두께를 가지는 직사각형 판 형상 부재로 구성되고, 내부에 복수의 긴 구멍(32a)을 평행으로 설치함으로써, 연직방향으로 연장되는 복수의 격자부(32b)를 가지도록 구성되어 있다. 패들(32)의 재질은, 예를 들면 티탄에 테프론(등록상표) 코트를 실시한 것이다. 패들(32)의 수직방향의 길이(L₁) 및 긴 구멍(32a)의 길이방향의 치수(L₂)는, 기판(W)의 수직방향의 치수보다 충분히 커지도록 설정되어 있다. 또, 패들(32)의 가로방향의 길이(H)는, 패들(32)의 왕복 운동의 진폭(스트로크)과 합친 길이가 기판(W)의 가로방향의 치수보다 충분히 커지도록 설정되어 있다.As shown in Figs. 2 and 3, the paddle 32 is formed of a rectangular plate-shaped member having a constant thickness of 3 to 5 mm, and a plurality of elongated holes 32a are arranged parallel to each other So as to have a plurality of grid portions 32b extending in the vertical direction. The material of the paddle 32 is, for example, a Teflon (registered trademark) coat of titanium. The length L _{1 in} the vertical direction of the paddle 32 and the length L _{2 in} the longitudinal direction of the long hole 32a are set to be sufficiently larger than the dimension in the vertical direction of the substrate W. The length H of the paddle 32 in the transverse direction is set so that the length of the paddle 32 combined with the amplitude (stroke) of the reciprocating motion of the paddle 32 is sufficiently larger than the dimension of the substrate W in the transverse direction.

긴 구멍(32a)의 폭 및 수는, 긴 구멍(32a)과 긴 구멍(32a) 사이의 격자부(32b)가 효율 좋게 도금액을 교반하고, 긴 구멍(32a)을 도금액이 효율 좋게 빠져 나가도록, 격자부(32b)가 필요한 강성을 가지는 범위에서 격자부(32b)가 가능한 한 가늘어지도록 정하는 것이 바람직하다. 또, 패들(32)의 왕복 운동의 양쪽 끝 부근에서 패들(32)의 이동속도가 느려지는, 또는 순간적인 정지를 할 때에, 기판(W)상에 전장의 그림자(전장의 영향이 미치지 않는, 또는 전장의 영향이 적은 부분)를 형성하는 영향을 적게 하기 위해서도, 패들(32)의 격자부(32b)를 가늘게 하는 것은 중요하다.The width and the number of the elongated holes 32a are set such that the lattice portions 32b between the elongated holes 32a and the elongated holes 32a efficiently stir the plating liquid and allow the elution of the plating liquid efficiently through the elongated holes 32a It is preferable that the grating portion 32b is set as thin as possible within a range where the grating portion 32b has a required rigidity. When the moving speed of the paddle 32 is slowed or momentary stop is performed near both ends of the reciprocating motion of the paddle 32, the shadow of the electric field (the influence of the electric field is not exerted on the substrate W, It is important to make the lattice portion 32b of the paddle 32 narrow.

이 예에서는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 각 격자부(32b)의 횡단면이 직사각형이 되도록 긴 구멍(32a)을 수직으로 개방하고 있다. 도 4(a)에 나타내는 바와 같이, 격자부(32b)의 횡단면의 4 모서리에 모따기를 실시하여도 되고, 또 도 4(b)에 나타내는 바와 같이, 격자부(32b)의 횡단면이 평행사변형이 되도록 격자부(32b)에 각도를 붙여도 된다.In this example, as shown in Fig. 3, the elongated hole 32a is vertically opened so that the cross section of each lattice portion 32b is rectangular. The four corners of the cross section of the lattice section 32b may be chamfered as shown in Fig. 4 (a), or the cross section of the lattice section 32b may be chamfered as shown in Fig. 4 (b) The grating portion 32b may be angled.

패들(32)의 두께(판 두께)(t)는, 기판(W)에 조정판(34)을 근접시킬 수 있도록 3 내지 5 mm로 하는 것이 바람직하고, 이 예에서는 4 mm로 설정되어 있다. 패들(32)의 두께(판 두께)(t)를 1 또는 2 mm로 하면, 충분한 강도를 가지지 않는 것이 확인되어 있다. 또, 패들(32)의 두께를 균일하게 함으로써, 도금액의 액 튀김이나 도금액의 대폭적인 액 흔들림을 방지할 수 있다. The thickness (plate thickness) t of the paddle 32 is preferably set to 3 to 5 mm so that the adjustment plate 34 can be brought close to the substrate W, and is set to 4 mm in this example. It has been confirmed that when the thickness (plate thickness) t of the paddle 32 is 1 or 2 mm, it does not have sufficient strength. Further, by making the thickness of the paddle 32 uniform, it is possible to prevent the plating liquid from splashing and the plating liquid from greatly shaking.

도 5는, 패들(32)의 구동기구를 도금조(10)와 함께 나타낸다. 패들(32)은, 패들(32)의 상단에 고착한 클램프(36)에 의하여 수평방향으로 연장되는 샤프트(38)에 고정되고, 샤프트(38)는, 샤프트 유지부(40)에 유지되면서 좌우로 슬라이딩할 수 있게 되어 있다. 샤프트(38)의 끝부는, 패들(32)을 좌우로 직진 왕복운동시키는 패들 구동부(42)에 연결되고, 패들 구동부(42)는, 모터(44)의 회전을 크랭크기구(도시 생략)에 의하여 샤프트(38)의 직진 왕복운동으로 변환한다. 이 예에서는, 패들 구동부(42)의 모터(44)의 회전 속도를 제어함으로써, 교반 패들(32)의 이동속도를 제어하는 제어부(46)가 구비되어 있다. 또한, 패들 구동부의 기구는, 크랭크기구뿐만 아니라, 볼나사에 의하여 서보모터의 회전을 샤프트의 직진 왕복운동으로 변환하도록 한 것이나, 리니어모터에 의하여 샤프트를 직진 왕복운동시키도록 한 것이어도 된다.5 shows the driving mechanism of the paddle 32 together with the plating tank 10. Fig. The paddle 32 is fixed to a shaft 38 extending in the horizontal direction by a clamp 36 fixed to the upper end of the paddle 32. The shaft 38 is held by the shaft holding portion 40, As shown in Fig. The end of the shaft 38 is connected to a paddle drive portion 42 for reciprocating the paddle 32 to the left and right and the paddle drive portion 42 rotates the rotation of the motor 44 by a crank mechanism Into a linear reciprocating motion of the shaft (38). In this example, the control section 46 is provided for controlling the moving speed of the stirring paddle 32 by controlling the rotating speed of the motor 44 of the paddle driving section 42. The mechanism of the paddle drive unit is not only a crank mechanism but also a ball screw that converts the rotation of the servo motor into a rectilinear reciprocating motion of the shaft, but may be a linear motor that reciprocates the shaft linearly.

이 예에서는, 도 6에 나타내는 바와 같이, 패들(32)이 스트로크(St) 이동한 좌우의 스트로크 엔드에서, 패들(32)의 격자부(32b)의 위치가 서로 겹치지 않도록 하고 있다. 이에 의하여 패들(32)이 기판(W)상에 전장의 그림자를 형성하는 영향을 적게 할 수 있다.In this example, as shown in Fig. 6, the positions of the lattice portions 32b of the paddles 32 do not overlap with each other at the left and right stroke ends where the paddles 32 have moved by the stroke St. Thus, the influence of the paddle 32 forming a shadow of the electric field on the substrate W can be reduced.

여기서, 이 예에서는, 패들(32)을, 절대값의 평균이 70 내지 100 cm/sec가 되도록, 종래보다 고속으로 왕복 운동시키도록 하고 있다. 이것은, 발명자들이 전류밀도를 종래의 5 ASD(A/d㎡)에 비하여 높은 8 ASD로 한 경우에, 패들에 의한 교반을 종래보다 고속도로 행함으로써, 평탄한 선단형상의 범프를 형성할 수 있는 것을 실험에 의하여 확인한 사실에 의거한다. 즉, 평탄한 선단형상의 범프를 형성할 수 있는 패들 교반 이동속도의 절대값의 평균은, 70 내지 100 cm/sec이다. 이 예에서는, 모터(44)의 회전운동을 크랭크기구에 의해 패들(32)의 직진 왕복운동으로 변환하고 있고, 모터(44)가 1 회전하면, 패들(32)은 10 cm의 진폭[스트로크(St)]으로 1 왕복한다. 이 예에서는, 모터(44)를 250 rpm으로 회전시킨 경우에 가장 양호한 범프를 형성할 수 있었기 때문에, 패들(32)의 적합한 교반 이동속도의 절대값의 평균은 83 cm/sec이다.Here, in this example, the paddle 32 is reciprocated at a higher speed than the conventional one so that the average of absolute values is 70 to 100 cm / sec. This means that when the inventors set the current density to 8 ASD, which is higher than the conventional 5 ASD (A / dm 2), by stirring the paddle at a higher speed than in the prior art, In accordance with the facts confirmed by That is, the average of the absolute value of the paddle stirring moving speed capable of forming the flat tip-shaped bumps is 70 to 100 cm / sec. In this example, the rotational motion of the motor 44 is converted into a rectilinear reciprocating motion of the paddle 32 by the crank mechanism. When the motor 44 makes one revolution, the paddle 32 has an amplitude of 10 cm St)]. In this example, since the best bump can be formed when the motor 44 is rotated at 250 rpm, the average of the absolute value of the suitable stirring moving speed of the paddle 32 is 83 cm / sec.

도 1에 나타내는 조정판(34)의 외형도를 도 7에 나타낸다. 조정판(34)은, 통형상부(50)와 직사각형상의 플랜지부(52)로 이루어지고, 재질로서, 유전체인 염화비닐을 이용하고 있다. 조정판(34)은, 통형상부(50)의 선단이 기판측, 플랜지부(52)가 애노드측이 되도록, 도금조(10) 내에 설치된다. 통형상부(50)는, 전장의 확대를 충분히 제한할 수 있는 개구의 크기, 및 축심을 따른 길이를 가지고 있다. 이 예에서, 통형상부(50)의 축심을 따른 길이는 20 mm이다. 플랜지부(52)는, 애노드(26)와 기판(W)과의 사이에 형성되는 전장을 차폐하도록, 도금조(10) 내에 설치된다. 도 1에서, 조정판(34)의 통형상부(50)와 기판(W)과의 거리는, 8 내지 25 mm인 것이 바람직하고, 12 내지 18 mm인 것이 더욱 바람직하다.Fig. 7 shows an external view of the adjustment plate 34 shown in Fig. The adjustment plate 34 is composed of a tubular portion 50 and a rectangular flange portion 52 and is made of vinyl chloride which is a dielectric material. The adjusting plate 34 is provided in the plating bath 10 such that the tip of the tubular portion 50 is on the substrate side and the flange portion 52 is on the anode side. The cylindrical portion 50 has a size of an opening that can sufficiently restrict the expansion of the total length, and a length along the axis. In this example, the length along the central axis of the cylindrical portion 50 is 20 mm. The flange portion 52 is provided in the plating tank 10 so as to shield an electric field formed between the anode 26 and the substrate W. [ 1, the distance between the tubular portion 50 of the adjustment plate 34 and the substrate W is preferably 8 to 25 mm, more preferably 12 to 18 mm.

또한, 이 예에서는 도 7에 나타내는 바와 같이, 조정판(34)으로서, 통형상부(50)의 끝부에 플랜지부(52)를 설치한 것을 사용하고 있으나, 도 8에 나타내는 바와 같이, 애노드측에도 통형상부(50)를 연신(延伸)시켜, 통형상부(50)의 일부(50a)가 애노드측으로 돌출하도록 하여도 된다.7, the flange portion 52 is provided at the end of the cylindrical portion 50 as the adjustment plate 34. However, as shown in Fig. 8, The shape portion 50 may be stretched so that the portion 50a of the cylindrical portion 50 protrudes toward the anode side.

도 1에 나타내는 바와 같이, 기판(W)은, 기판 홀더(24)에 의하여 유지된다. 기판 홀더(24)는, 예를 들면 구리 스퍼터막 등의 밑바탕 도통막이 있는 기판(W)에 상기 기판(W)의 주변부로부터 급전을 주도록 구성되어 있다. 기판 홀더(24)의 도통 접점은, 다접점 구조이고, 접촉 폭의 합계가, 접점을 취하는 것이 가능한 기판상의 둘레 길이에 대하여 60 % 이상이 되도록 하고 있다. 또, 접점은, 각각의 접점 사이가 등거리로 배열되어 등분배되어 있다.As shown in FIG. 1, the substrate W is held by a substrate holder 24. The substrate holder 24 is configured to feed a substrate W having a bottom conductive film, such as a copper sputter film, from the peripheral portion of the substrate W. [ The conductive contacts of the substrate holder 24 are of a multi-contact structure, and the sum of the contact widths is 60% or more of the circumferential length of the substrate on which the contacts can be taken. The contact points are arranged equidistantly between the respective contact points and equally distributed.

이 예에서는, 패들(32)을, 예를 들면 절대값의 평균이 70 내지 100 cm/sec가 되도록, 고속으로 이동시키기 때문에, 도금액의 유동에 의하여 기판 홀더(24)가 소극적인 압력을 받아, 기판 홀더(24)가 흔들리거나, 기판 홀더(24)가 원래의 각도보다 기울어진 상태가 된다는 문제가 새롭게 생긴다. 기판 홀더(24)가 흔들리거나 기울어지면, 전위의 분포가 균일하지 않게 되어, 도금막의 균일성에 영향을 미친다.In this example, since the paddle 32 is moved at a high speed such that the average of the absolute values is 70 to 100 cm / sec, the substrate holder 24 receives a negative pressure by the flow of the plating liquid, There is a problem that the holder 24 is shaken or the substrate holder 24 is tilted from the original angle. When the substrate holder 24 is shaken or tilted, the dislocation distribution becomes uneven, affecting the uniformity of the plated film.

기판 홀더(24)는, 도 9에 나타내는 바와 같이, 도금조(10) 내에 설치될 때에, 도시 생략한 트랜스포터에 의하여 홀더 파지부(60)를 파지하여 윗쪽으로부터 매달리고, 도금조(10)에 고정된 홀더 지지부(62)에, 바깥쪽으로 돌출하는 홀더 아암(64)이 걸려 매달아 유지된다.9, when the substrate holder 24 is installed in the plating tank 10, the substrate holder 24 is gripped by the transporter (not shown) and held from the upper side, The holder arm 64 protruding outward is hooked and held on the fixed holder support portion 62. [

도 10은, 홀더 아암(64)의 주변 확대도, 도 11은 홀더 아암(64)과 홀더 지지부(62)가 접촉한 상태를 나타내는 단면도, 도 12는, 도 11의 우측면도이다. 도 10 내지 도 12에 나타내는 바와 같이, 홀더 아암(64)의 홀더 지지부(62)에 대향하는 면에는, 아암측 접점(66)이 설치되어 있고, 이 아암측 접점(66)은 도시 생략한 전기배선에 의하여 기판(W)에 급전하는 캐소드 접점과 전기적으로 연결되어 있다. 또 홀더 지지부(62)의 홀더 아암(64)과 대향하는 면에는, 지지부측 접점(68)이 설치되어 있고, 이 지지부측 접점(68)은, 도시 생략한 외부 전원과 전기적으로 연결되어 있다. 그리고, 기판 홀더(24)를 도금조(10)에 매달아 지지하였을 때에, 아암측 접점(66)과 지지부측 접점(68)이 접촉하여 접점이 폐쇄됨으로써, 외부 전원과 캐소드 접점이 전기적으로 도통되고, 캐소드 접점에 캐소드 전압을 인가할 수 있다. 통상, 아암측 접점(66)과 지지부측 접점(68)은, 좌우의 홀더 아암(64)과 좌우의 홀더 지지부(62)의 어느 한쪽에 설치된다.  Fig. 10 is a peripheral enlarged view of the holder arm 64, Fig. 11 is a cross-sectional view showing a state in which the holder arm 64 and the holder supporter 62 are in contact with each other, and Fig. 12 is a right side view of Fig. 10 to 12, an arm-side contact point 66 is provided on a surface of the holder arm 64 opposed to the holder supporter 62. The arm-side contact point 66 is electrically connected to an electric power source And is electrically connected to a cathode contact that feeds the substrate W by wiring. A support portion side contact point 68 is provided on a surface of the holder support portion 62 opposite to the holder arm 64. The support portion side contact point 68 is electrically connected to an external power source (not shown). When the substrate holder 24 is suspended from the plating tank 10, the arm-side contact point 66 and the support-side contact point 68 are brought into contact with each other to close the contact, whereby the external power source and the cathode contact point are electrically conducted , The cathode voltage can be applied to the cathode contact. The arm side contact point 66 and the support side contact point 68 are provided on either of the left and right holder arms 64 and the left and right holder support portions 62. [

홀더 아암(64)의 홀더 지지부(62)에 대향하는 면에는, 고정수단으로서 아암측 자석(70)이 설치되고, 홀더 지지부(62)의 홀더 아암(64)과 대향하는 면에도, 고정수단으로서의 지지부측 자석(72)이 설치되어 있다. 자석(70, 72)으로서는, 예를 들면 네오듐 자석이 사용된다. 이에 의하여 기판 홀더(24)를 도금조(10)에 매달아 지지하였을 때에, 아암측 자석(70)과 지지부측 자석(72)이 서로 접촉하여 서로 끌어 당김으로써, 홀더 지지부(62)와 홀더 아암(64)을 거쳐, 기판 홀더(24)가 더욱 강고하게 도금조(10)에 고정되고, 도금액의 유동에 의해 기판 홀더(24)가 흔들리거나 기울어지는 것을 방지할 수 있다. 통상 아암측 자석(70)과 지지부측 자석(72)은 홀더 아암(64)과 홀더 지지부(62)의 좌우 양쪽에 설치된다. The arm-side magnet 70 is provided as a fixing means on the surface of the holder arm 64 opposed to the holder support portion 62 and the surface of the holder support portion 62 facing the holder arm 64 Side magnet 72 is provided. As the magnets 70 and 72, for example, a neodymium magnet is used. The arm side magnet 70 and the support side magnet 72 are brought into contact with and attract each other when the substrate holder 24 is suspended from the plating tank 10 so that the holder support portion 62 and the holder arm The substrate holder 24 is more firmly fixed to the plating tank 10 through the plating liquid supply port 64 and the substrate holder 24 can be prevented from being shaken or tilted by the flow of the plating liquid. The arm side magnet 70 and the support portion side magnet 72 are provided on both the left and right sides of the holder arm 64 and the holder support portion 62. [

또한, 기판 홀더(24)의 도금조(10)에 대한 위치는, 트랜스포터의 반송에 의하여 결정되나, 도 13에 나타내는 바와 같이, 홀더 지지부(62)에 채널형상으로 각(角)부에 테이퍼를 가지는 개구부(62a)를 설치하고, 이 개구부(62a)에서 기판 홀더(24)의 홀더 아암(64)을 가이드하도록 하여도 된다. 이와 같이, 홀더 지지부(62)에 개구부(가이드)(62a)를 설치하여 기판 홀더(32)의 도금조(10)에 대한 위치 결정하여도, 기판 홀더(24)의 위치 결정이나 반송을 위하여, 약간의 치수적 "여유"가 필요하다. 그 "여유"의 범위 내에서, 기판 홀더(24)가 흔들리거나 기울어지면 아암측 접점(66)과 지지부측 접점(68)의 접촉이 떨어지거나 단속적이 될 위험성이 있으나, 접점(66, 68)의 근방에서, 자석(70, 72)에 의하여 기판 홀더(24)를 도금조(10)에 강고하게 지지함으로써, 아암측 접점(66)과 지지부측 접점(68)의 접촉을 확실하게 할 수 있다. 또 접점(66, 68) 사이의 마찰에 의한 접점(66, 68)의 마모도 억제할 수 있고, 접점(66, 68)의 내구성이 향상한다.13, the position of the substrate holder 24 with respect to the plating tank 10 is determined by the transport of the transporter. However, as shown in Fig. 13, And the holder arm 64 of the substrate holder 24 may be guided by the opening 62a. The positioning of the substrate holder 32 with respect to the plating vessel 10 can be carried out in order to position and transport the substrate holder 24 by providing an opening portion (guide) 62a in the holder supporting portion 62, A slight dimensional "margin" is needed. If the substrate holder 24 is shaken or tilted within the range of the margin, there is a danger that the contact between the arm side contact 66 and the support side contact 68 may be dropped or intermittent, The contact between the arm side contact point 66 and the support side contact point 68 can be ensured by supporting the substrate holder 24 firmly to the plating tank 10 by the magnets 70 and 72 in the vicinity of the arm side contact point 66 . The wear of the contacts 66 and 68 due to the friction between the contacts 66 and 68 can be suppressed and the durability of the contacts 66 and 68 is improved.

아암측 자석(70)과 지지부측 자석(72)은, 한쪽이 자석이 아니고 자성체 재료이어도 된다. 또, 자석의 표면을 자성재료로 커버하여 접촉에 의한 손상을 방지하도록 하여도 된다. 또한, 자석의 주위를, 자석의 표면이 노출하도록 자성재료로 둘러 싸고, 자성재료의 일부가 자석의 표면보다 돌출하도록 하여, 자력을 강화하 도록 하여도 된다.One of the arm side magnet 70 and the support side magnet 72 may be a magnetic material instead of a magnet. In addition, the surface of the magnet may be covered with a magnetic material to prevent damage due to contact. The magnet may be surrounded by a magnetic material so that the surface of the magnet is exposed, and a part of the magnetic material may protrude from the surface of the magnet to strengthen the magnetic force.

도 1에 나타내는 바와 같이, 도금조(10)의 바닥부에는, 분리판(80)과 차폐판(82)이 설치되어 있다. 도금조(10)의 바닥에 설치된 도금액 공급구(18)로부터 공급된 도금액(Q)이, 기판(W)의 전면에 균일한 흐름이 되도록, 도금조(10)의 바닥에는 도금액이 분산되도록 공간이 설치되고, 이 공간에, 내부에 다수의 도금액 통구멍을 가지는 분리판(80)이 수평으로 배치되고, 이것에 의하여 도금조(10)의 내부는, 윗쪽의 기판 처리실(84)과 아래쪽의 도금액 분산실(86)로 구획되어 있다.As shown in Fig. 1, a separation plate 80 and a shielding plate 82 are provided at the bottom of the plating tank 10. The plating liquid is supplied to the bottom of the plating tank 10 so that the plating liquid Q supplied from the plating liquid supply port 18 provided on the bottom of the plating tank 10 is uniformly flowed over the entire surface of the substrate W. A partition plate 80 having a plurality of plating liquid passage holes therein is horizontally disposed in this space so that the inside of the plating vessel 10 is divided into the upper substrate processing chamber 84 and the lower And a plating liquid dispersion chamber (86).

도 14에 분리판(80)의 평면도를 나타낸다. 분리판(80)은 도금조(10)의 안쪽의 형상과 대략 동일한 형상으로, 전면에 복수의 작은 구멍으로 이루어지는 도금액 유통구멍(80a)이 설치되어 있다. 분리판(80)으로 도금조(10)를 기판 처리실(84)과 도금액 분산실(86)로 나누고, 분리판(80)에 도금액이 유통하는 복수의 도금액 유통구멍(80a)을 설치함으로써, 도금액(Q)이 기판(W)을 향하여 균일한 흐름을 형성하 도록 하고 있다. 분리판(80)에 설치한 복수의 도금액 유통구멍(80a)은, 지름이 크면, 전장이 애노드(26)로부터 도금액 분산실(86)을 통하여 기판(W)측으로 새고, 기판(W)에 형성하는 도금막의 균일성에 영향을 주기 때문에, 이 예에서는, 도금액 유통구멍(80a)의 지름을 φ 2.5 mm로 하고 있다. Fig. 14 shows a plan view of the separator plate 80. Fig. The separator plate 80 has substantially the same shape as the inner shape of the plating vessel 10 and is provided with a plating liquid flow hole 80a having a plurality of small holes on its front surface. The plating vessel 10 is divided into the substrate processing chamber 84 and the plating liquid dispersion chamber 86 by the separation plate 80 and a plurality of plating liquid flow holes 80a through which the plating liquid flows are provided in the separation plate 80, (Q) forms a uniform flow toward the substrate (W). The plurality of plating liquid flow holes 80a provided in the separator plate 80 are formed such that the entire length of the plating liquid flow hole 80a leaks from the anode 26 to the substrate W side through the plating liquid dispersion chamber 86, In this example, the diameter of the plating liquid flow hole 80a is? 2.5 mm, because it affects the uniformity of the plated film.

이 예에서는, 분리판(80)의 전면에 도금액 유통구멍(80a)을 설치하고 있으나, 분리판(80)의 전면에 도금액 유통구멍(80a)을 설치할 필요는 없고, 예를 들면 도 15에 나타내는 바와 같이, 조정판(34)의 배치위치(A)를 경계로, 기판측에만 도금액 유통구멍(80a)을 분포시켜 설치하고, 애노드(26)의 배치위치(B)를 경계로, 반대 기판측(애노드의 뒤쪽)에만 도금액 유통구멍(80a)을 설치하여도 된다. 도 15에 나타내는 분리판(80)을 채용함으로써, 전장이 애노드(26)로부터 도금액 분산실(86)을 통하여 기판(W)측으로 새는 것을 더욱 효과적으로 방지함과 동시에, 애노드(26)의 뒤쪽에도 도금액 유통구멍(80a)을 설치함으로써, 특히 도금액(Q)을 도금조(10)로부터 배출한 경우의 액 제거를 확실하게 행할 수 있다. In this example, although the plating liquid flow hole 80a is provided on the entire surface of the separator plate 80, it is not necessary to provide the plating liquid flow hole 80a on the entire surface of the separator plate 80, The plating liquid flow hole 80a is distributed only on the substrate side with the arrangement position A of the adjustment plate 34 as a boundary and the plating liquid flow hole 80a is provided on the opposite substrate side The back side of the anode) may be provided with the plating liquid flow hole 80a. It is possible to more effectively prevent the electric field from leaking from the anode 26 through the plating liquid dispersion chamber 86 to the side of the substrate W by using the separation plate 80 shown in Fig. 15, By providing the flow-through hole 80a, it is possible to reliably remove the liquid particularly when the plating liquid Q is discharged from the plating tank 10. [

분리판(80)은, 도 16에 나타내는 바와 같이, 도금조(10)의 측판(10a)에 설치한 분리판 지지부(90)의 위에 겹치도록 수평으로 설치되나, 분리판(80)과 분리판 지지부(90)의 사이에 패킹(92)을 설치함으로써, 분리판(80)을 분리판 지지부(90)에 밀착시켜 설치할 수 있다.16, the separating plate 80 is horizontally provided so as to overlap on the separating plate supporting portion 90 provided on the side plate 10a of the plating tank 10, but the separating plate 80 and the separating plate 80, The packing 92 can be provided between the supporting portions 90 so that the separating plate 80 is brought into close contact with the separating plate supporting portion 90.

분리판(80)을 설치하여도, 전장이 애노드(26)로부터 도금액 분산실(86)을 통하여 기판(W)측으로 새고, 기판(W)상에 형성되는 도금막의 균일성에 영향을 미치는 경우가 있다. 그 때문에, 이 예에서는 분리판(80)의 하면에 연직방향 아래쪽으로 연장 돌출하는 차폐판(82)을 설치하고 있다. 이와 같이, 차폐판(82)을 설치함으로써, 전장이 애노드(26)로부터 도금액 분산실(86)을 통하여 기판(W)측으로 새는 것을 더욱 효과적으로 방지함과 동시에, 도금액(Q)이 도금조(10) 내의 도금액 분산실(86)로 분산되어, 도금조(10) 내의 기판 처리실(84)에 대한 균일한 흐름을 확보할 수 있게 되어 있다. 즉, 도 17에 나타내는 바와 같이, 차폐판(82)은 도금액 공급구(18)의 바로 윗쪽에 위치하여, 도금조(10)의 바닥과의 사이에 간극(S)이 생기 도록 분리판(80)의 하면에 설치된다. 전장의 누설을 방지하기 위하여 이 간극(S)은, 아주 작은 것이 바람직하다.There is a case where the entire length leaks from the anode 26 to the substrate W side through the plating liquid dispersion chamber 86 and affects the uniformity of the plating film formed on the substrate W even if the separation plate 80 is provided . Therefore, in this example, the shield plate 82 is provided on the lower surface of the separator plate 80 so as to protrude downward in the vertical direction. By providing the shielding plate 82 in this way, it is possible to more effectively prevent the electric field from leaking from the anode 26 to the substrate W side through the plating liquid dispersion chamber 86, and at the same time, the plating liquid Q is prevented from leaking from the plating bath 10 The plating liquid dispersion chamber 86 in the plating bath 10 to ensure a uniform flow to the substrate processing chamber 84 in the plating bath 10. [ 17, the shielding plate 82 is positioned just above the plating liquid supply port 18, and the separation plate 80 (not shown) is disposed so as to create a gap S between the shield plate 82 and the bottom of the plating tank 10 As shown in Fig. In order to prevent leakage of the electric field, this gap S is preferably very small.

또한, 도 18에 나타내는 바와 같이, 차폐판(82)을 도금조(10)의 바닥에 접촉시키고, 차폐판(82)에 반원형상의 개구부(82a)를 설치하여, 도금액의 유로를 확보하도록 하여도 된다. 이 예에서도 전장의 누설을 방지하기 위하여, 개구부(82a)는, 아주 작은 것이 바람직하다. 차폐판(82)은, 분리판(80)의 도금액 유통구멍(80a)이 존재하지 않는 하면, 예를 들면 분리판(80)의 조정판(34)의 플랜지부(52)의 바로 밑에 대응하는 하면에 배치된다.18, even when the shielding plate 82 is brought into contact with the bottom of the plating tank 10 and the semicircular opening 82a is provided in the shielding plate 82 to secure the flow path of the plating liquid do. Also in this example, it is preferable that the opening 82a is very small in order to prevent leakage of the electric field. The shielding plate 82 is provided on the lower surface of the separating plate 80 on which the plating liquid flow hole 80a does not exist, for example, below the flange portion 52 of the adjusting plate 34 of the separating plate 80, .

또한, 이 예에서는, 차폐판(82)을 도금액 공급구(18)의 바로 위에 설치하고 있으나, 반드시 도금액 공급구(18)의 바로 위에 있을 필요는 없고, 또한 차폐판(82)이 복수매 있어도 된다. Although the shielding plate 82 is provided directly above the plating liquid supply port 18 in this example, it need not necessarily be directly above the plating liquid supply port 18, and even if there are a plurality of shielding plates 82 do.

도 1에 나타내는 도금장치에 있어서, 도금조(10) 내의 기판(W), 애노드(26),조정판(34), 패들(32)의 위치관계는, 기판(W)에 형성되는 도금막의 균일성에 영향을 미친다. 이 예에서는, 기판(W)의 중심, 애노드(26)의 중심 및 조정판(34)의 통형상부(50)의 축심이 대략 일직선으로 늘어서도록 기판(W), 애노드(26) 및 조정판(34)이 배치되어 있다. 애노드(26)와 기판(W)의 극간 거리는, 이 예에서는 90 mm이나, 애노드(26)는, 극간 거리 60 내지 95 mm의 범위에서 설치할 수 있다. 조정판(34)의 통형상부(50)의 기판(W)측 선단과 기판(W)과의 거리는, 이 예에서는 15 mm이고, 통형상부(50)의 길이가 20 mm이기 때문에, 조정판(34)의 플랜지부(52)와 기판(W)과의 사이의 거리는 35 mm이다.The positional relationship of the substrate W, the anode 26, the adjustment plate 34 and the paddle 32 in the plating tank 10 in the plating apparatus shown in Fig. 1 is determined by the uniformity of the plating film formed on the substrate W It affects. In this example, the substrate W, the anode 26, and the regulating plate 34 are arranged so that the center of the substrate W, the center of the anode 26, and the axis of the tubular portion 50 of the regulating plate 34 are aligned in a substantially straight line . The distance between the anode 26 and the substrate W is 90 mm in this example, while the distance between the anode 26 and the substrate W is 60 mm to 95 mm. The distance between the tip of the tubular portion 50 of the adjusting plate 34 on the side of the substrate W and the substrate W is 15 mm in this example and the length of the tubular portion 50 is 20 mm, The distance between the flange portion 52 of the flange portion 34 and the substrate W is 35 mm.

조정판(34)의 플랜지부(52)의 애노드측 하단에는, 분리판(80)과 플랜지부(52)의 간극으로부터 전장이 새는 것을 방지하기 위하여, 도 19에 나타내는 바와 같이, 예를 들면 고무 시트로 이루어지고, 하단이 분리판(80)과 탄성적으로 접촉하는 전장 차폐부재(94)가 설치되어 있다. 이에 의하여 분리판(80)과 플랜지부(52)의 간극으로부터 전장이 새는 것을 방지할 수 있다. 또한, 플랜지부(52)의 하단면을 분리판(80)의 상면에 밀착시킴으로써, 플랜지부(52) 자신이 전장 차폐부재를 겸하도록 하여도 된다.19, in order to prevent the electric field from leaking from the gap between the separator plate 80 and the flange portion 52 at the lower end of the anode side of the flange portion 52 of the adjustment plate 34, And an electric field shielding member 94 whose lower end is in elastic contact with the separator plate 80 is provided. Thus, leakage of the electric field from the gap between the separator plate 80 and the flange portion 52 can be prevented. The lower end surface of the flange portion 52 may be brought into close contact with the upper surface of the separator plate 80 so that the flange portion 52 itself serves as the electric-field shield member.

조정판(34)을 기판(W)과의 거리가 조정 가능하도록 설치하게 하여도 된다. 즉, 도 20에 나타내는 바와 같이, 도금조(10)의 측판(10a)에, 기설정된 피치로 수직방향으로 연장되는 복수의 슬릿부(96a)를 가지는 조정판 고정용 슬릿판(96)을 설치하여, 조정판(34)의 플랜지부(52)의 측단부를 조정판 고정용 슬릿판(96)의 임의의 슬릿부(96a)에 삽입하도록 하여도 된다. 이 경우, 조정판 고정용 슬릿판(96)을, 긴 구멍(96b)과 고정용 나사(98)에 의하여 도금조 측판(10a)에 설치하도록 함으로써, 도금장치에서 처리하는 기판의 종류에 따라, 조정판(34)의 기판(W)과의 거리를 최적의 위치로 미세 조정할 수 있다.The adjustment plate 34 may be provided so that the distance from the substrate W can be adjusted. 20, the side plate 10a of the plating tank 10 is provided with an adjusting plate fixing slit plate 96 having a plurality of slit portions 96a extending in a vertical direction at a predetermined pitch The side end portion of the flange portion 52 of the adjustment plate 34 may be inserted into any slit portion 96a of the slit plate 96 for fixing the adjustment plate. In this case, since the adjustment plate fixing slit plate 96 is provided on the plating side plate 10a by the long holes 96b and the fixing screws 98, depending on the type of the substrate to be processed in the plating apparatus, It is possible to finely adjust the distance from the substrate W to the optimum position.

또, 플랜지부(52)의 조정판 고정용 슬릿판(96) 근방에, 고무 밀봉으로 이루어지는 전장 차폐부재(100)를 설치하는 것이 바람직하고, 이것에 의하여 전장이 플랜지부(52)의 바깥 둘레의 간극을 통하여 애노드(26)로부터 기판(W)을 향하여 형성되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 이 전장 차폐부재(100)는, 조정판 고정용 슬릿판(96)의 애노드측에만 설치하도록 하여도 된다.It is preferable to provide the electric-field shielding member 100 made of a rubber seal in the vicinity of the slit plate 96 for fixing the adjustment plate of the flange portion 52 so that the electric field is applied to the outer periphery of the flange portion 52 Can be prevented from being formed toward the substrate W from the anode 26 through the gap. The electric-field shielding member 100 may be provided only on the anode side of the slit plate 96 for fixing the adjustment plate.

본 발명의 도금장치에서, 기판상에 형성하는 범프의 대표적인 치수는, 범프지름이 150 ㎛이고, 목표 도금막 두께는, 110 ㎛이다. 이와 같은 범프를 형성하기 위하여, 도금액으로서 황산구리 농도가 150 g/L 이상인 도금액을 사용하는 것이 바람직하다. 도금액으로서는, 예를 들면 하기에 나타내는 바와 같은 조성의 베이스액에, 유기첨가제의 폴리머성분(억제제), 캐리어성분(촉진제), 레벨러성분(억제제)을 함유하는 것을 들 수 있다. In the plating apparatus of the present invention, typical dimensions of the bumps formed on the substrate are 150 mu m in the bump diameter and 110 mu m in the target plating film thickness. In order to form such a bump, it is preferable to use a plating solution having a copper sulfate concentration of 150 g / L or more as a plating solution. Examples of the plating solution include those containing a polymer component (inhibitor), a carrier component (accelerator) and a leveler component (inhibitor) of an organic additive in a base liquid having the composition shown below.

베이스액의Base liquid 조성 Furtherance

황산구리 5수염(CuSO₄·5H₂O) : 200 g/L Copper sulfate 5 hydrate (CuSO ₄ .5H ₂ O): 200 g / L

황산(H₂SO₄) : 10O g/LSulfuric acid (H ₂ SO ₄ ): 100 g / L

염소(Cl) : 60 mg/LChlorine (Cl): 60 mg / L

종래의 일반적인 범프형성을 위한 도금에서의 전류밀도는 3 내지 5 ASD이나, 본 발명의 실시형태의 도금에서의 전류밀도는, 예를 들면 8 ASD이다. 단, 본 발명의 실시형태에서의 도금장치 및 도금방법은, 14 ASD까지 적용 가능하다. 이하의 예에서의 전류밀도의 조건은, 이유가 없는 한 8 ASD이다. The current density in plating for conventional conventional bump formation is 3 to 5 ASD, but the current density in the plating of the embodiment of the present invention is, for example, 8 ASD. However, the plating apparatus and the plating method in the embodiment of the present invention are applicable to 14 ASD. The conditions of the current density in the following examples are 8 ASD unless there is a reason.

다음에, 범프형성에서의 구리 도금 처리공정을 도 21에 나타낸다. 먼저, 기판을 순수에 침지시켜, 예를 들면 10분간의 전수세(前水洗)를 행하고, 다음에 기판을 5 용적%(vol.%)의 황산에 침지시켜, 예를 들면 1분간의 전처리를 행한다. 기판을 순수로 세정하는 수세를, 예를 들면 30초에 걸쳐 2회 행한다. 그리고, 예를 들면 기판을 도금액에 침지시킨 후, 1분간은 무통전 상태를 유지하고, 그 후 통전하여 기판에 대한 구리 도금 처리를 행한다. 다음에, 기판을 순수로 수세하고, 그런 다음, 예를 들면 질소 블로우에 의하여 기판을 건조시킨다. 도금 처리 공정 후는, 전용 레지스트 박리액으로 레지스트를 박리하고, 그런 다음, 수세, 건조처리를 행한다.Next, a copper plating treatment process in bump formation is shown in Fig. First, the substrate is immersed in pure water, and the substrate is immersed in sulfuric acid of 5 vol% (vol.%), For example, pretreated for 1 minute, I do. The substrate is washed twice with pure water, for example, twice over 30 seconds. Then, for example, after the substrate is immersed in the plating solution, the substrate is kept in a non-conductive state for one minute, and then the substrate is energized to perform a copper plating process on the substrate. Next, the substrate is washed with pure water, and then the substrate is dried by, for example, nitrogen blowing. After the plating process, the resist is peeled off with a dedicated resist peeling solution, and then, washing and drying are performed.

도 22 및 도 23은, 패들에 의한 도금액의 교반 속도를 바꾼 경우에 도금으로 형성되는 범프의 형상의 차를 나타낸다. 전류밀도는 8 ASD이다. 도 22는 패들 교반 이동속도의 절대값의 평균이 종래의 일반적인 속도인 20 cm/sec으로 도금을 행한 경우, 도 23은 패들 교반 이동속도의 절대값의 평균을 약 83 cm/sec으로 하여 도금을 행한 경우를 나타내고 있다. 도 22에 나타내는 바와 같이, 고전류 밀도가 8 ASD로 높은 경우에, 종래의 일반적인 낮은 패들 교반 이동속도로 형성된 범프에서는, 그 선단의 볼록부의 높이(h₁)는 30 um이나, 도 23에 나타내는 바와 같이, 패들 교반 이동속도의 절대값의 평균을 약 83 cm/sec로 하는 고속의 패들 교반 이동속도로 형성된 범프에서는, 그 선단의 볼록부의 높이(h₂)가 15 um로 억제되어 있는 것을 알 수 있다. 22 and 23 show the difference in shape of the bumps formed by plating when the stirring speed of the plating liquid by the paddle is changed. The current density is 8 ASD. FIG. 22 shows the case where the average of the absolute values of the paddle stirring moving speed is plated at a conventional normal speed of 20 cm / sec. FIG. 23 shows the average of the absolute values of the paddle stirring moving speed at about 83 cm / Is performed. A As shown in Figure 22, when a high current density as high as 8 ASD, the bump formed by the conventional typical low paddle stirring movement speed, as shown in the front end of the convex portion the height (h ₁₎ is 30 um or 23 bars Similarly, in a bump formed at a high paddle stirring moving speed at which the average of the absolute value of the paddle stirring moving speed is about 83 cm / sec, the height (h ₂ ) of the convex portion at the tip end is suppressed to 15 μm have.

도 24 내지 도 28은, 기본적으로 도 1에 나타내는 도금장치를 사용하여, 패들 및 패들 교반 이동속도를 바꾼 조건으로, 기판(웨이퍼)의 표면에 범프를 형성하였을 때에 있어서의 범프의 현미경 사진을 나타낸다. 도 24는, 패들 교반 이동속도의 절대값의 평균을 40 cm/sec로 설정하고, 두께 2 mm의 패들을 사용하여 도금을 행한 경우이며, 기판 전면에 형성된 범프에 결함이 확인되었다. 도 25는 패들 교반 이동속도의 절대값의 평균을 40 cm/sec로 설정하고, 두께 4 mm의 패들을 사용하여 도금을 행한 경우에, 기판 전면의 범프에 결함이 있고, 범프의 형상이 찌그러지게 되어 있다. 이 도 24 및 도 25에서, 패들 두께를 두껍게 한 것만으로는 불충분한 것을 알 수 있다.24 to 28 show microphotographs of bumps when the bumps are formed on the surface of the substrate (wafer) under the conditions of basically changing the paddle and paddle stirring moving speed using the plating apparatus shown in Fig. 1 . Fig. 24 shows a case where plating was performed using paddles having a thickness of 2 mm by setting an average of the absolute value of the paddle stirring moving speed to 40 cm / sec, and defects were found in the bumps formed on the entire surface of the substrate. 25 shows a case where the average of absolute values of the paddle stirring moving speed is set to 40 cm / sec and plating is performed using paddles having a thickness of 4 mm, defects are present in the bumps on the front surface of the substrate, . In Figs. 24 and 25, it can be seen that it is insufficient to increase the paddle thickness.

도 26은, 패들 교반 이동속도의 절대값의 평균을 67 cm/sec로 설정하고, 두께 4 mm의 패들을 사용하여 도금을 행한 경우에, 기판 전면에 형성된 범프에 결함이 확인된다. 도 27은, 패들 교반 이동속도의 절대값의 평균을 83 cm/sec로 설정하고, 두께 4 mm의 패들을 사용하여 도금을 행한 경우에, 기판 전면에 결함이 없는 양호한 범프가 형성되어 있는 것을 알 수 있다. 이것은, 패들 교반 이동속도가 낮은 경우, 고전류 밀도에서는, 구리이온의 공급이 미치지 않아 범프의 결함이 되고, 패들 교반 이동속도가 빠르면, 구리이온이 충분히 공급되고, 결함이 없는 범프를 형성할 수 있다고 생각된다. 또한, 마찬가지로 고전류 밀도의 조건으로, 패들 교반 이동속도의 절대값의 평균을 83 cm/sec로 설정하고, 두께 3 mm의 패들을 사용하여 도금을 행한 경우, 도 28에 나타내는 바와 같이, 기판 전면에서 범프에 결함은 확인되지 않으나, 패들의 두께가 4 mm인 경우에 비하여 범프의 각이 둥글게 되어 있는 것을 알 수 있다.Fig. 26 shows defects in the bumps formed on the entire surface of the substrate when plating is performed using paddles having a thickness of 4 mm by setting the average of the absolute value of the paddle stirring moving speed to 67 cm / sec. 27 shows that when the average of the absolute value of the paddle stirring moving speed is set to 83 cm / sec and plating is performed using paddles having a thickness of 4 mm, it is found that good bumps having no defects are formed on the entire surface of the substrate . This is because, if the paddle stirring moving speed is low, the supply of copper ions is insufficient at a high current density, resulting in defects of the bumps. If the paddle stirring moving speed is high, copper ions are sufficiently supplied and defective bumps can be formed I think. 28, when the average of the absolute value of the paddle stirring moving speed was set to 83 cm / sec and the plating was performed using paddles having a thickness of 3 mm under the condition of the high current density, No defects were found in the bumps, but it can be seen that the angle of the bumps is rounded compared to the case where the thickness of the paddles is 4 mm.

도 29 및 도 30은, 도금조의 분리판의 밑에 차폐판을 설치하지 않은 도금조를 사용하여 도금을 행한 경우(도 29)와, 도금조의 분리판의 밑에 차폐판을 설치한 도금조를 사용하여 도금을 행한 경우(도 30)에 있어서의, 기판상에 형성되는 범프높이의 분포를 나타낸다. 범례의 수치의 단위는 (㎛)이다. 도 29에 나타내는 바와 같이, 차폐판이 없는 경우는, 기판의 도금조 바닥방향의 기판 에지 근방에서 도금막 두께가 중심부에 비하여 두꺼워져 있으나, 도 30에 나타내는 바와 같이, 차폐판을 넣음으로써, 도금조 바닥방향의 기판 에지 근방에서 도금막 두께가 중심부와 동일한 정도로 억제되어 있는 것을 알 수 있다.29 and 30 show a case in which plating is carried out using a plating tank in which a shielding plate is not provided below a separating plate of a plating tank (Fig. 29) and a plating bath in which a shielding plate is provided under the separating plate of the plating tank Shows the distribution of bump heights formed on the substrate in the case of plating (Fig. 30). The unit of the numerical value of the legend is (mu m). As shown in Fig. 29, when the shielding plate is not provided, the thickness of the plated film in the vicinity of the substrate edge in the direction of the bottom of the plating tank of the substrate is thicker than the central portion. However, as shown in Fig. 30, It can be seen that the plating film thickness in the vicinity of the substrate edge in the direction of the bottom is suppressed to the same extent as the central portion.

도 31 및 도 32는, 패들 교반 이동속도와, 조정판의 형상 및 조정판과 기판의 거리의 양쪽을 바꾼 경우에, 기판상에 형성된 범프의 높이의 면내 균일성을 나타내는 그래프이다. 도 31 및 도 32에서, 도 33에 나타내는 바와 같이, 평면상에서 서로 직교하는 축을 X축, Y축으로 하고 있다. 도 31은, 패들 교반 이동속도의 절대값의 평균을 20 cm/sec로 설정하고, 통형상부가 아닌, 두께 5 mm의 평판으로, 중앙부에 하나의 개구를 가지는 조정판을 사용하고, 기판과의 거리를 35 mm로 하여 도금을 행한 경우이며, 범프(도금막)의 높이는, W형의 경향으로 되어 있는 것을 알 수 있다. 도 32는, 패들 교반 이동속도의 절대값의 평균을 83 cm/sec로 설정하고, 도 7에 나타내는 조정판을 사용하여, 기판과 통형상부의 선단과의 거리를 15 mm로 하여 도금을 행한 경우이다. 이 경우, 범프(도금막)의 높이는, 도 31에 비하여 평탄하게 되어 있어, 면내의 균일성이 개선되어 있는 것을 알 수 있다.Figs. 31 and 32 are graphs showing the in-plane uniformity of the height of the bumps formed on the substrate when the paddle stirring moving speed, the shape of the adjusting plate, and the distance between the adjusting plate and the substrate are changed. In Fig. 31 and Fig. 32, as shown in Fig. 33, axes orthogonal to each other on the plane are X axis and Y axis. 31 is a graph showing the relationship between the absolute value of the paddle stirring moving speed and the distance from the substrate to the substrate by setting an average of the absolute value of the paddle stirring moving speed to 20 cm / Is 35 mm, and the height of the bump (plated film) is of the W-type. 32 shows the case where the average of the absolute value of the paddle stirring moving speed is set to 83 cm / sec and plating is performed with the adjustment plate shown in Fig. 7 at a distance of 15 mm between the substrate and the tip of the cylindrical portion . In this case, the height of the bumps (plated film) is made flat compared with that of FIG. 31, and it is found that the uniformity in the surface is improved.

도 34는, 본 발명의 다른 실시형태의 도금장치를 나타낸다. 이 예의 도금장치는, 차폐판(82)으로서 분리판(80)의 하면으로부터 아래쪽으로 수직하게 연장되어 하단면이 도금조(10)의 바닥벽에 도달하는 것이 사용되고, 이것에 의하여, 분리판(80)의 아래쪽에 형성되는 도금액 분리실(86)은, 차폐판(82)에 의하여 애노드측액 분산실(110)과 캐소드측 액 분산실(112)로 완전하게 분리되어 있다. 이 차폐판(82)의 하단면은, 예를 들면 용접 등에 의하여 도금조(10)의 바닥벽에 고착되어 있다.Fig. 34 shows a plating apparatus according to another embodiment of the present invention. The plating apparatus of this example is used as a shielding plate 82 which extends vertically downward from the lower surface of the separating plate 80 so that the lower end surface reaches the bottom wall of the plating tank 10, The plating liquid separation chamber 86 formed under the cathode side liquid dispersion chamber 110 and the cathode side liquid dispersion chamber 112 is completely separated by the shielding plate 82 from the anode side liquid dispersion chamber 110 and the cathode side liquid dispersion chamber 112. The lower end surface of the shielding plate 82 is fixed to the bottom wall of the plating tank 10 by, for example, welding.

도금액 공급로(16)에는, 항온 유닛(20)과 필터(22)와의 사이에 위치하여, 프라이머리 밸브(114) 및 유량계(116)가 설치되어 있다. 도금액 공급로(16)는, 필터(22)의 하류측에서 2개의 분기경로(16a, 16b)로 분기되고, 이 각 분기경로(16a, 16b)는, 애노드측 액 분리실(110) 및 캐소드측 액 분리실(112)에 각각 접속되어 있다. 각 분기경로(16a, 16b)에는, 밸브(118a, 118b)가 각각 설치되어 있다.A primary valve 114 and a flow meter 116 are provided in the plating liquid supply path 16 between the constant temperature unit 20 and the filter 22. The plating liquid supply path 16 is branched to two branch paths 16a and 16b on the downstream side of the filter 22 and the branch paths 16a and 16b are connected to the anode side liquid separation chamber 110 and the cathode side Liquid separation chamber 112, respectively. Valves 118a and 118b are provided in the branch paths 16a and 16b, respectively.

이와 같이, 도금액 분리실(86)을 차폐판(82)에 의하여 애노드측 액 분산실(110)과 캐소드측 액 분산실(112)로 완전히 분리함으로써, 애노드(26)로부터 발생한 전위선이 도금액 분리실(86) 내의 도금액을 통하여 캐소드(기판)측으로 새는 것을 확실하게 방지하고, 또한 도금액 공급로(16)를 통하여 애노드측 액 분산실(110)과 캐소드측 액 분산실(112)에 도금액을 개별로 공급할 수 있다.As described above, the plating liquid separation chamber 86 is completely separated into the anode side liquid dispersion chamber 110 and the cathode side liquid dispersion chamber 112 by the shielding plate 82 so that the potential line generated from the anode 26 separates the plating liquid It is possible to reliably prevent leakage to the cathode (substrate) side through the plating liquid in the chamber 86 and to prevent the plating solution from flowing into the anode side liquid dispersion chamber 110 and the cathode side liquid dispersion chamber 112 through the plating liquid supply path 16 .

도 35 및 도 36은, 패들(32)의 다른 구동기구를 도금조(10)와 함께 나타낸다. 이 예에서, 패들(32)은 그 상단부에서, 패들 가압(120)이 설치되어 있다. 패들 구동부(42)로부터 연장되는 샤프트(38)는, 샤프트 지지부(40)에서 각각 지지되는 좌우의 끝부 샤프트(38a, 38b)와, 이 끝부 샤프트(38a, 38b)의 사이에 위치하는 중간 샤프트(38c)의 3개로 분할되고, 이 중간 샤프트(38c)가 패들 가압(120)의 내부를 삽입하여 양쪽 끝에서 외부로 노출되어 있다. 그리고, 중간 샤프트(38c)의 한쪽 끝과 끝부 샤프트(38a) 및 중간 샤프트(38c)의 다른쪽 끝과 끝부 샤프트(38b)는, 커플링(122a, 122b)으로 각각 접속되어 있다. 이 예에서는, 커플링(122a, 122b)으로서, 나사식 커플링을 사용하고 있으나, 예를 들면 이른바 퀵커플링 등, 임의의 커플링을 사용하여도 된다.35 and 36 show another driving mechanism of the paddle 32, together with the plating tank 10. Fig. In this example, at the upper end of the paddle 32, a paddle presser 120 is provided. The shaft 38 extending from the paddle drive unit 42 is constituted by the left and right end shafts 38a and 38b respectively supported by the shaft support 40 and the intermediate shafts 38a and 38b positioned between the end shafts 38a and 38b And the intermediate shaft 38c is inserted into the inside of the paddle presser 120 and is exposed to the outside at both ends. One end of the intermediate shaft 38c and the other end of the end shaft 38a and the intermediate shaft 38c and the end shaft 38b are connected to the couplings 122a and 122b, respectively. In this example, a screw coupling is used as the couplings 122a and 122b, but any coupling such as a so-called quick coupling may be used.

이에 의하여, 예를 들면 패들(32)을 교환할 필요가 생겼을 때에, 샤프트 유지부(40)를 도금장치로부터 떼어 내지 않고 커플링(122a, 122b)을 거쳐, 패들(32), 패들 가압(120) 및 중간 샤프트(38c)를 모두 도금장치로부터 떼어낼 수 있고, 이것에 의하여 패들(32)의 교환을 용이하고 또한 신속하게 행할 수 있다. 또한 패들(32)을 도금장치에 다시 설치할 때에도, 기설정된 위치에 재현성 좋게 설치할 수 있다. 또한, 조정판(34)을 도금장치로부터 떼어낼 때에도, 패들(32)을 일단 도금장치로부터 떼어냄으로써 이 조정판(34)의 떼어냄 및 재설치 조작을 용이하게 행할 수 있다.Thus, when it becomes necessary to replace the paddle 32, for example, the shaft holding portion 40 is not removed from the plating apparatus, and the paddle 32, the paddle pressing 120 And the intermediate shaft 38c can be removed from the plating apparatus, whereby the replacement of the paddles 32 can be easily and quickly performed. Further, even when the paddle 32 is installed again in the plating apparatus, it can be installed at a predetermined position with high reproducibility. Further, even when the adjustment plate 34 is detached from the plating apparatus, the paddle 32 is once detached from the plating apparatus, so that the adjustment plate 34 can be easily removed and reinstalled.

도 37은 조정판 이동기구를 구비한 다른 조정판과 다른 도금조를 나타낸다. 이 예의 도금조(10)는, 내조(內槽)(130)와 상기 내조(130)의 주위를 포위하는 외조(外槽)(132)를 가지고 있다. 조정판(134)은, 통형상부(136)를 가지는 직사각형평판형상의 본체부(138)의 상부에 상기 본체부(138)보다 폭이 넓은 파지부(140)를 일체로 연접하여 구성되어 있다. 이 예에서는, 파지부(140)를 거쳐, 조정판 이동기구(142)로 조정판(134)의 기판(W)과 평행한 좌우(수평)방향의 위치 결정을 행한다.37 shows another plating tank different from the other adjusting plate provided with the adjusting plate moving mechanism. The plating tank 10 of this example has an inner tank 130 and an outer tank 132 surrounding the inner tank 130. The adjustment plate 134 is constructed by integrally connecting a grip portion 140 having a width larger than that of the main body portion 138 to the upper portion of a rectangular flat plate-like main body portion 138 having a cylindrical portion 136. In this example, the adjusting plate moving mechanism 142 positions the adjusting plate 134 in the horizontal direction parallel to the substrate W via the gripping section 140.

조정판 이동기구(142)는, 도금조(10)의 상단 개구부에 걸쳐 설치되는 조정판지지부(144)와, 이 조정판 지지부(144)의 바깥 둘레 끝부에 세워 설치한 한 쌍의 브래킷(146)과, 이 각 브래킷(146)에 설치한 암나사에 나사 결합하여 수평방향으로 이동하는 좌우 가압볼트(148)와, 각 브래킷(146)에 설치한 관통구멍을 관통하여 수평으로 연장되는 좌우 고정볼트(150)를 가지고 있다. 좌우 가압볼트(148) 및 좌우 고정 볼트(150)는, 조정판 지지부(144)에 조정판(134)의 파지부(140)를 탑재하여 조정판(134)을 기설정된 위치에 설치하였을 때에, 파지부(140)의 바깥 둘레 끝면에 대향하는 위치에 배치된다. 그리고, 파지부(140)의 바깥 둘레 끝면의 좌우고정 볼트(150)와 대향하는 위치에는 상기 좌우 고정 볼트(150)와 나사 결합하는 암나사가 형성되고, 좌우 가압볼트(148)는, 파지부(140)의 바깥 둘레 끝면에 맞닿아 상기 좌우 가압볼트(148)의 조임에 따라 조정판(134)을 안쪽으로 가압하도록 되어 있다.The adjusting plate moving mechanism 142 includes an adjusting plate supporting portion 144 provided over the top opening of the plating tank 10, a pair of brackets 146 erected on the outer peripheral end portion of the adjusting plate supporting portion 144, Left and right pressing bolts 148 that are screwed to the female screws provided on the respective brackets 146 to move in the horizontal direction and left and right fixing bolts 150 extending horizontally through the through holes provided in the brackets 146, Lt; / RTI > The left and right pressing bolts 148 and the left and right fixing bolts 150 are formed so that when the grip portion 140 of the adjustment plate 134 is mounted on the adjustment plate support portion 144 and the adjustment plate 134 is set at a predetermined position, 140 at a position facing the outer peripheral end surface. The left and right pressing bolts 148 are screwed into the right and left fixing bolts 150 at positions opposite to the left and right fixing bolts 150 on the outer circumferential end surface of the gripping part 140, 140 so that the adjusting plate 134 is pressed inward as the left and right pressing bolts 148 are tightened.

이것에 의하여, 조정판 지지부(142)에 조정판(134)의 파지부(140)를 탑재하여 조정판(134)을 기설정된 위치에 설치한 후, 좌우 가압볼트(148)를 사용하여, 조정판(134)의 기판(W)과 평행한 좌우방향의 조정을 행하고, 좌우 고정 볼트(150)로 조정판(134)을 고정할 수 있다. 좌우 가압볼트(148) 및 좌우 고정 볼트(150)를 사용하여 조정판(134)을 위치 결정하는 위치는, 파지부(140)가 아니어도 되고, 조정판(134)의 다른 부분이어도 된다. 또한, 기설정된 피치를 가지는 좌우 가압볼트(148)의 회전수를 관리함으로써, 조정판(134)의 좌우(수평)방향의 이동량을 용이하게 조정할 수 있다. 좌우 고정 볼트(150)는, 좌우 가압볼트(148)가 파지부(140)의 바깥 둘레 끝면에 맞닿지 않아 조정판(134)을 강요하고 있지 않은 상태이고, 사용하면 슬라이딩 볼트로서 작용한다. The grip portion 140 of the adjustment plate 134 is mounted on the adjustment plate support portion 142 to install the adjustment plate 134 at a predetermined position and then the adjustment plate 134 is fixed to the adjustment plate 134 using the left and right pressing bolts 148. [ And the adjustment plate 134 can be fixed by the left and right fixing bolts 150. In this case, The position for positioning the adjustment plate 134 by using the left and right pressing bolts 148 and the left and right fixing bolts 150 may not be the gripping portion 140 or may be another portion of the adjustment plate 134. [ Also, by controlling the number of revolutions of the left and right pressing bolts 148 having predetermined pitches, it is possible to easily adjust the amount of movement of the adjusting plate 134 in the left and right (horizontal) directions. The left and right fixing bolts 150 are in a state in which the left and right pressing bolts 148 are not in contact with the outer peripheral end surfaces of the grip portions 140 and thus are not forcing the adjustment plate 134 and serve as sliding bolts when used.

조정판(134)을 기판(W)과 평행한 좌우방향으로 이동시키기 위하여, 조정판(134)의 본체부(138)의 바깥 둘레 끝면과 도금조(10)의 내조(130)의 안 둘레면과의 사이에 간극이 설치되어 있다. 이 예에서는, 내조(130)의 조정판(134)의 본체부(138)의 바깥 둘레 끝면과 대향하는 위치에, 안쪽으로 개방한 채널형상의 오목부(152a)를 가지는 안내부(152)를 설치하고, 이 안내부(152)의 오목부(152a) 내에 조정판(134)의 본체부(138)의 바깥 둘레 끝부를 집어 넣도록 하고 있다. 이것에 의하여 조정판(134)과 기판(W)과의 거리를 일정하게 한 상태에서, 안내부(152)를 안내로 하여, 조정판(134)을 기판(W)과 평행으로 좌우(수평)방향으로 이동시킬 수 있다. 또한, 안내부(152)의 오목부(152a) 내에 조정판(134)의 본체부(138)의 바깥 둘레 끝부를 집어 넣음으로써 조정판(134)의 바깥 둘레로부터 전장이 새는 것을 방지할 수 있다.The outer circumferential end surface of the main body portion 138 of the adjustment plate 134 and the inner circumferential surface of the inner tank 130 of the plating tank 10 are positioned so as to move the adjustment plate 134 in the left- As shown in FIG. In this example, a guide portion 152 having a channel-shaped concave portion 152a opened inward is provided at a position facing the outer peripheral end surface of the main body portion 138 of the adjustment plate 134 of the inner tub 130 And the outer peripheral end portion of the main body portion 138 of the adjustment plate 134 is inserted into the recess 152a of the guide portion 152. The guide plate 152 is guided and the adjustment plate 134 is moved in the horizontal direction parallel to the substrate W with the distance between the adjustment plate 134 and the substrate W kept constant Can be moved. It is also possible to prevent the electric field from leaking from the outer periphery of the adjustment plate 134 by inserting the outer peripheral end of the body portion 138 of the adjustment plate 134 into the recess 152a of the guide portion 152. [

안내부(152)의 오목부(152a)의 바닥부와 조정판(134)의 본체부(138)의 바깥 둘레 끝면과의 사이에는, 도 38에 나타내는 바와 같이, 이동간극(t1)이 설치되어 있다. 이 이동간극(t1)은, 예를 들면 1 내지 5 mm이고, 바람직하게는 1 내지 2 mm 이다. 시공의 형편상, 안내부(152)와 내조(130)의 안 둘레면과의 사이에는, 일반적으로 간극(t₂)이 존재한다. 이 예에서는, 이 간극(t₂)으로부터 전위선이 새는 것을 방지하기 위하여, 밀봉 가압(154) 및 고정 볼트(156)를 이용하여, 예를 들면 고무밀봉으로 이루어지는 전장 차폐부재(158)를 상기 전장 차폐부재(158)의 자유단을 내조(130)의 안 둘레면에 압접시켜 안내부(152)에 고정하고 있다. 이 예에서는, 전장 차폐부재(158)를 안내부(152)의 애노드측에 설치하고 있으나, 안내부(152)의 캐소드(기판)측에 설치하여도 되고, 또 안내부(152)의 양쪽에 설치하여도 된다.A moving clearance t1 is provided between the bottom of the recess 152a of the guide 152 and the outer peripheral end surface of the main body 138 of the adjustment plate 134 as shown in Figure 38 . The movement gap t1 is, for example, 1 to 5 mm, preferably 1 to 2 mm. In between the inner circumferential surface of the convenience of construction, the guide portion 152 and the inner tub 130, in general, there is a gap (t _2). In this example, in order to prevent leakage potential line from a gap (t _2), sealing pressure (154) and by using the fixing bolts 156, for example, the full-length shield member 158 made of a rubber seal The free end of the electric-field shielding member 158 is pressed against the inner circumferential surface of the inner tub 130 and fixed to the guide portion 152. [ In this example, the electric-field shielding member 158 is provided on the anode side of the guide portion 152, but may be provided on the cathode (substrate) side of the guide portion 152 and on both sides of the guide portion 152 May be installed.

또한, 상기한 예에서는, 조정판 이동기구(142)에 의하여, 조정판(134)을 기판(W)과 나란히 좌우방향으로 이동시키도록 하고 있으나, 조정판(134)을 기판(W)과 나란히 좌우 및 상하(연직)방향으로 이동시키도록 하여도 된다. 도 39는, 조정판(134)을 기판(W)과 나란히 좌우 및 상하방향으로 이동시키도록 한 조정판 이동기구(160)를 나타낸다. 이 조정판 이동기구(160)의 도 37에 나타내는 조정판 이동기구(142)와 다른 점은, 조정판의 파지부(140)의 바깥쪽으로의 돌출부에 상하를 관통하여 헬리서트 가공을 실시한 암나사를 설치하고, 이 암나사에 상하 가압볼트(162)를 나사 결합시켜, 이 상하 가압볼트(162)의 하단면을 조정판 지지부(144)의 상단면에 맞닿게 하고, 또한 파지부(140)의 바깥쪽으로의 돌출단부에 도금조(10)의 폭방향으로 연장되는 긴 구멍을 설치하고, 이 긴 구멍 내에 상하 고정용 볼트(164)를 삽입시키고, 이 상하 고정 볼트(164)의 하부를 조정판 지지부(144)에 설치한 암나사에 나사 결합시킨 점에 있다. 이 예에서는, 좌우 고정 볼트를 생략하고 있다.In the above example, the adjustment plate moving mechanism 142 moves the adjustment plate 134 in the lateral direction side by side with the substrate W. However, the adjustment plate 134 may be moved side by side and up and down (Vertical) direction. 39 shows an adjusting plate moving mechanism 160 for moving the adjusting plate 134 in the left-right direction and the up-down direction in parallel with the substrate W. 37 differs from the adjusting plate moving mechanism 142 shown in FIG. 37 in that a female screw is vertically passed through a projecting portion of the adjusting plate 140 toward the outside of the holding portion 140, The upper and lower pressing bolts 162 are screwed to the female screw so that the lower end face of the upper and lower pressing bolts 162 is brought into contact with the upper face of the adjusting plate supporting portion 144 and the projecting end The upper and lower fixing bolts 164 are inserted into the elongated hole and the lower portion of the upper and lower fixing bolts 164 is installed in the adjusting plate supporting portion 144 Screwed into one female thread. In this example, the left and right fixing bolts are omitted.

이 예에 의하면, 상하 가압볼트(162)를 체결하는 방향으로 회전시키면, 상하 가압볼트(162)의 선단이 조정판 지지부(144)의 상단면에 맞닿아 상기 상단면을 가압하는 반력으로 조정판(134)이 윗쪽으로 이동한다. 반대로, 상하 가압볼트(162)를 이완하는 방향으로 돌리면 조정판(134)은 아래쪽으로 이동한다. 조정판(134)의 기판(W)에 대한 상하 및 좌우방향이 결정되면, 상하 고정 볼트(164)의 하부를 조정판 지지부(144)에 설치한 암나사에 나사 결합시켜 조정판(134)을 고정한다.According to this example, when the upper and lower pressing bolts 162 are rotated in the fastening direction, the tip ends of the upper and lower pressing bolts 162 come into contact with the upper end surfaces of the adjusting plate supporting portions 144, ) Moves upward. Conversely, when the upper and lower pressing bolts 162 are turned in the direction of loosening, the adjusting plate 134 moves downward. When the upper and lower and left and right directions of the adjustment plate 134 are determined, the lower portion of the upper and lower fixing bolts 164 is screwed to the female screw provided on the adjustment plate support portion 144 to fix the adjustment plate 134.

또한, 가압볼트(148, 162) 대신에, 에어실린더나 서보모터 등을 사용하여도 된다. 또, 도 37에 나타내는 조정판 이동기구(142)와 도 39에 나타내는 조정판 이동기구(160)를 조합하여 조정판(134)의 상하 및 좌우방향의 위치를 조정할 수 있는 구조로 하여도 된다. 그 경우, 브래킷(146)에 좌우 고정 볼트(150)가 지나는 상하방향으로 연장되는 긴 구멍을 설치함으로써, 조정판(134)의 위치가 상하방향으로 어긋나도 좌우 고정 볼트(150)로 조정판(134)을 고정할 수 있다. 도 39에 나타내는 조정판 이동기구(160)에 있어서, 좌우 가압볼트(148)를 생략하여, 조정판(134)의 기판(W)에 대한 상하(연직)방향의 위치 결정만을 행하도록 하여도 된다.Instead of the pressing bolts 148 and 162, an air cylinder, a servo motor, or the like may be used. 37 may be combined with the adjusting plate moving mechanism 160 shown in FIG. 39 to adjust the position of the adjusting plate 134 in the vertical and horizontal directions. In this case, even if the position of the adjustment plate 134 is shifted in the vertical direction by providing a long hole extending in the vertical direction through which the right and left fixing bolts 150 are passed through the bracket 146, Can be fixed. The left and right pressing bolts 148 may be omitted in the adjusting plate moving mechanism 160 shown in Fig. 39 so that only the positioning of the adjusting plate 134 in the vertical direction with respect to the substrate W may be performed.

이와 같이, 조정판 이동기구(142)를 거쳐, 조정판(134)의 기판(W)에 대한 수평방향의 위치를 미세 조정하거나, 조정판 이동기구(160)를 거쳐, 조정판(134)의 기판(W)에 대한 수평 및 수직방향의 위치를 미세 조정함으로써, 기판(W)의 표면에 형성되는 도금막의 막 두께의 면내 균일성을 향상시킬 수 있다. 특히, 조정판(134)은, 기판(W)에 근접한 위치에 배치되기 때문에, 조정판(134)의 기판(W)에 대한 수직 또는 수평방향의 위치를 미세 조정하는 것이, 기판(W)의 표면에 형성되는 도금막의 막 두께의 면내 균일성을 향상시키는 데에 있어서 중요하게 된다.The position of the adjustment plate 134 in the horizontal direction with respect to the substrate W can be finely adjusted via the adjustment plate moving mechanism 142 or the position of the substrate W in the adjustment plate 134 can be adjusted through the adjustment plate moving mechanism 160, The in-plane uniformity of the film thickness of the plated film formed on the surface of the substrate W can be improved by finely adjusting the positions in the horizontal and vertical directions. Particularly, since the adjustment plate 134 is disposed at a position close to the substrate W, fine adjustment of the position of the adjustment plate 134 in the vertical or horizontal direction with respect to the substrate W is required to be performed on the surface of the substrate W Which becomes important in improving the in-plane uniformity of the film thickness of the formed plated film.

도 40 및 도 41은, 조정판의 또 다른 예를 나타내는 것으로, 이것은, 도 37에 나타내는 조정판(134)에 이하의 구성을 부가하고 있다. 즉, 조정판(134)의 본체부(136)의 애노드측 표면에는, 보조 조정판(170)을 설치하기 위한 보조 조정판 설치부가 설치되어 있다. 이 보조 조정판 설치부는, 보조 조정판(170) 주위의 측부 및 하단 모서리부에 대응하는 위치에 고정된, 단면 갈고리형상의 각 한 쌍의 측부 후크(172a)와 바닥부 후크(172b)로 구성되어 있다. 이에 의하여, 조정판(134)의 측부 후크(172a) 및 바닥부 후크(172b)로 이루어지는 보조 조정판 설치부에 보조 조정판(170)을 집어 넣음으로써, 보조 조정판(170)을 조정판(134)에 대한 기설정된 위치에 설치할 수 있게 되어 있다.Fig. 40 and Fig. 41 show another example of the adjustment plate, which adds the following configuration to the adjustment plate 134 shown in Fig. That is, on the anode-side surface of the body portion 136 of the adjustment plate 134, an auxiliary adjustment plate mounting portion for mounting the auxiliary adjustment plate 170 is provided. The auxiliary adjusting plate mounting portion is constituted by a pair of side hooks 172a and a bottom portion hook 172b each of which has a cross-sectional shape and is fixed at a position corresponding to the side and lower edge portions around the auxiliary adjusting plate 170 . Thereby, the auxiliary adjusting plate 170 is inserted into the auxiliary adjusting plate mounting portion including the side hook 172a and the bottom hook 172b of the adjusting plate 134, And can be installed at a set position.

이 예에서는, 조정판(134)으로서, 8 인치 웨이퍼용 개구부(134a)를 가지는 조정판(8 인치 웨이퍼용 조정판)을 사용하고, 보조 조정판(170)으로서, 6 인치 웨이퍼용 개구부(170a)를 가지는 조정판(6 인치 웨이퍼용 조정판)을 사용하고 있다. 이에 의하여, 기판(W)을 8 인치 웨이퍼로부터 6 인치 웨이퍼로 변경하였을 때, 조정판 자체를 교환하지 않고, 보조 조정판(6 인치 웨이퍼용 조정판)(170)을 조정판(8 인치 웨이퍼용 조정판)(134)에 설치하는 것만으로 대처할 수 있다. 보조 조정판(170)의 상부에는, 파지용 개구부(170b)가 설치되어 있다.In this example, an adjustment plate (an 8-inch wafer adjustment plate) having an 8-inch wafer opening portion 134a is used as the adjustment plate 134 and an adjustment plate 170 having a 6-inch wafer opening portion 170a (6-inch wafer control panel) is used. Thus, when the substrate W is changed from the 8-inch wafer to the 6-inch wafer, the adjusting plate itself is not replaced, and the auxiliary adjusting plate (6-inch wafer adjusting plate) It is possible to cope with the problem only by installing it in the terminal. On the upper side of the auxiliary adjusting plate 170, a gripping opening portion 170b is provided.

조정판(134)과 보조 조정판(17O)의 수평방향 겹침 치수(t₃, t₄) 및 연직방향하부 겹침 치수(t₅)는, 일반적으로는 5 mm 이상이고, 1O mm 이상인 것이 바람직하다. 이에 의하여 조정판(134)에 보조 조정판(170)을 설치하였을 때에, 애노드(26)로부터 발생한 전위선이 보조 조정판(170)의 개구부(170a)를 지나는 일 없이, 보조 조정판(170)의 바깥쪽에서 조정판(134)과 보조 조정판(170) 사이의 간극을 통하여, 조정판(134)의 개구부(134a)로부터 빠지는 것을 방지할 수 있다.Adjusting plate 134 and the auxiliary adjusting plate horizontally overlapping dimension of _{(17O) (t 3, t} 4) and the vertical direction, the lower overlapping dimension (t ₅₎ is, in general, is at least 5 mm, preferably not less than 1O mm. When the auxiliary adjusting plate 170 is provided on the adjusting plate 134, the potential generated by the anode 26 does not pass through the opening 170a of the auxiliary adjusting plate 170, Can be prevented from being removed from the opening 134a of the adjusting plate 134 through the gap between the auxiliary adjusting plate 170 and the auxiliary adjusting plate 170. [

또한, 상기한 예에서는 8 인치용 조정판과 6 인치 웨이퍼용 조정판을 조합하는 예를 나타내었으나, 임의의 2개의 조정판(제 1 조정판과 제 2 조정판)을 조합할 수 있는 구조로 함으로써, 통상은 제 1 조정판만을 사용하여 도금을 행하고, 기판(피도금체)의 종류에 따라 전장 분포를 미세 조정할 필요가 생겼을 때에, 제 1 조정판에 제 2 조정판을 조합하여 사용한다는 운전을 할 수 있게 된다.In the above example, the 8-inch adjusting plate and the 6-inch wafer adjusting plate are combined, but any two adjusting plates (the first adjusting plate and the second adjusting plate) can be combined, It is possible to perform the operation of using the second adjusting plate in combination with the first adjusting plate when it is necessary to finely adjust the electric field distribution according to the type of the substrate (plated object).

도 42 및 도 43은, 본 발명의 또 다른 실시형태의 도금장치의 주요부를 나타낸다. 이 예의 도 1에 나타내는 도금장치와 다른 점은, 도 43에 나타내는, 상부에 폭이 넓은 파지부(180)를 가지는 애노드 홀더(28)를, 상기한 도 37 등에 나타내는, 폭이 넓은 파지부(140)를 가지는 조정판(134)을 각각 사용하고, 도금조(10)의 상단 개구부에 걸쳐 설치되는 단일의 위치 결정 유지부(182)상에, 파지부(180)를 거쳐 애노드 홀더(28)를, 파지부(140)를 거쳐 조정판(134)을, 홀더 아암(64)(도 9 참조)을 거쳐 기판 홀더(24)를, 각각 설치하도록 하고 있다. 즉, 애노드 홀더(28)의 파지부(180), 조정판(134)의 파지부(140) 및 기판 홀더(24)의 홀더 아암(64)은, 동일부재인 위치 결정 유지부(182)상에 탑재되어 설치된다. 이에 의하여, 애노드 홀더(28)로 유지되는 애노드(26), 조정판(134)의 통형상부(136) 및 기판 홀더(24)로 유지되는 기판(W)의 각 중심축을 확실하게 일치시킬 수 있다.Fig. 42 and Fig. 43 show the main parts of the plating apparatus according to still another embodiment of the present invention. The plating apparatus shown in Fig. 1 differs from the plating apparatus shown in Fig. 1 in that an anode holder 28 having a wide grip portion 180 on its upper portion as shown in Fig. 43 is used as the grip portion The anode holder 28 is held on the single positioning holding portion 182 provided over the top opening of the plating tank 10 via the grip portion 180 by using the adjusting plate 134 And the grip 134 and the holder arm 64 (see FIG. 9), and the substrate holder 24 through the gripper 140, respectively. That is, the grip portion 180 of the anode holder 28, the grip portion 140 of the adjustment plate 134, and the holder arm 64 of the substrate holder 24 are placed on the positioning holding portion 182 Mounted. This allows the central axes of the anode 26 held by the anode holder 28, the tubular portion 136 of the regulating plate 134 and the substrate W held by the substrate holder 24 to be reliably aligned .

이 예에서는, 애노드 홀더(28)의 파지부(180), 조정판(134)의 파지부(140) 및 기판 홀더(24)의 홀더 아암(64)이 동일 부재인 위치 결정 유지부(182)상에 탑재되도록 하고 있으나, 애노드 홀더(28), 조정판(134), 기판 홀더(24)의 다른 부분이 위치 결정 유지부(182)상에 각각 탑재되도록 하여도 된다. 요컨대, 동일 부재인 위치 결정 유지부(182)를 기준으로 하여, 애노드 홀더(28), 조정판(134) 및 기판 홀더(24)의 수직방향의 위치 결정이 이루어지도록 되어 있으면 된다.In this example, the grip portion 180 of the anode holder 28, the grip portion 140 of the adjustment plate 134, and the holder arm 64 of the substrate holder 24 are on the same position holding portion 182 The other portions of the anode holder 28, the adjustment plate 134 and the substrate holder 24 may be mounted on the positioning holding portion 182, respectively. In other words, the positioning of the anode holder 28, the adjustment plate 134, and the substrate holder 24 in the vertical direction may be performed based on the positioning holding portion 182 which is the same member.

도 44 및 도 45에 조정판의 또 다른 예를 나타낸다. 이 예는, 도 7 등에 나타내는 조정판(134)에 이하의 구성을 부가하고 있다. 즉, 조정판(134)의 애노드측의 본체부(138)의 표면에는, 고정판(184) 및 고정 볼트(186)를 거쳐, 격벽(188)이 중앙의 개구부(134a) 전체를 덮도록 고정되어 있다. 이 격막(188)은, 금속 이온을 통하여 첨가제를 통과시키지 않은 양이온 교환체, 또는 기능막(중성 여과막)으로 구성되어 있는, 이와 같이 조정판(134)의 개구부(134a)를 격벽(188)으로 덮음으로써, 애노드(26)의 표면에서 도금액에 함유되는 첨가제가 분해되어 소모되는 것을 억제할 수 있다.44 and 45 show another example of the adjustment plate. In this example, the following configuration is added to the adjustment plate 134 shown in Fig. 7 or the like. The partition 188 is fixed to the surface of the main body portion 138 on the anode side of the adjustment plate 134 via the fixing plate 184 and the fixing bolt 186 so as to cover the entire central opening 134a . The diaphragm 188 covers the opening 134a of the adjustment plate 134 with the partition 188 as described above, which is composed of a cation exchanger or a functional membrane (neutral filtration membrane) It is possible to prevent the additive contained in the plating liquid from being decomposed and consumed on the surface of the anode 26.

지금까지 본 발명의 실시형태에 대하여 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시형태에 한정되지 않고, 그 기술사상의 범위 내에서, 여러가지 다른 형태로 실시되어도 되는 것은 물론이다. Although the embodiment of the present invention has been described so far, it is needless to say that the present invention is not limited to the above-described embodiment, but may be practiced in various other forms within the scope of the technical idea.

10 : 도금조 12 : 오버 플로우조
18 : 도금액 공급구 20 : 항온 유닛
22 : 필터 24 : 기판 홀더
26 : 애노드 28 : 애노드 홀더
32 : 패들 32a : 긴 구멍
32b : 격자부 34 : 조정판
42 : 패들 구동부 44 : 모터
46 : 제어부 50 : 통형상부
52 : 플랜지부 60 : 홀더 파지부
62 : 홀더 지지부 64 : 홀더 아암
66 : 아암측 접점 68 : 지지부측 접점
70 : 아암측 자석 72 : 지지부측 자석
80 : 분리판 80a : 도금액 유통구멍
82 : 차폐판 84 : 기판 처리실
86 : 도금액 분산실 90 : 분리판 지지부
94 : 전장 차폐부재(고무 시트) 96 : 조정판 고정용 슬릿판
100 : 전장 차폐부재(고무 시트) 110 : 애노드측 액 분리실
112 : 캐소드측 액 분리실 120 : 패들 가압
122a, 122b : 커플링 134 : 조정판
136 : 통형상부 138 : 본체부
140 : 파지부 142 : 조정판 이동기구
144 : 조정판 지지부 146 : 브래킷
148 : 좌우 가압볼트 150 : 좌우 고정볼트
152 : 안내부 158 : 전장 차폐부재(고무 시트)
160 : 조정판 이동기구 162 : 상하 가압볼트
164 : 상하 고정볼트 170 : 보조 조정판
172a : 측부 후크(보조 조정판 설치부)
172b : 바닥부 후크 (보조 조정판 설치부)
180 : 파지부 182 : 위치 결정 유지부
188 : 격벽 10: Plating tank 12: Overflow tank
18: plating liquid supply port 20: constant temperature unit
22: filter 24: substrate holder
26: anode 28: anode holder
32: paddle 32a: long hole
32b: grid portion 34: regulating plate
42: paddle drive part 44: motor
46: control part 50: cylindrical part
52: flange portion 60: holder grip portion
62: holder supporting portion 64: holder arm
66: arm side contact point 68: support side contact point
70: arm side magnet 72: support side magnet
80: separator plate 80a: plating liquid flow hole
82: shield plate 84: substrate processing chamber
86: plating liquid dispersion chamber 90: separation plate support
94: electric field shielding member (rubber sheet) 96: slit plate for fixing the adjustment plate
100: electric field shielding member (rubber sheet) 110: anode side liquid separation chamber
112: cathode side liquid separation chamber 120: paddle pressurization
122a, 122b: coupling 134: regulating plate
136: cylindrical portion 138:
140: grip part 142: adjusting plate moving mechanism
144: adjusting plate supporting member 146: bracket
148: left and right pressing bolts 150: left and right fixing bolts
152: guide portion 158: full length shielding member (rubber sheet)
160: adjusting plate moving mechanism 162: upper and lower pressing bolts
164: upper and lower fixing bolts 170: auxiliary adjusting plate
172a: Side hook (auxiliary adjustment plate mounting part)
172b: Bottom hook (auxiliary adjustment plate mounting part)
180: grip portion 182: positioning and holding portion
188:

Claims (17)

도금액을 유지하는 도금조와,
상기 도금조 내의 도금액에 침지시켜 배치되는 애노드와,
피도금체를 유지하여 상기 애노드와 대향하는 위치에 배치하는 홀더와,
상기 애노드와 상기 홀더로 유지한 피도금체와의 사이에 배치되고, 상기 피도금체와 평행으로 왕복 이동하여 도금액을 교반하는 패들과,
상기 애노드와 상기 패들과의 사이의 위치에 있어서 상기 도금조의 측판에 고정되고, 소정의 피치로 수직 방향으로 연장되는 복수의 슬릿부를 가지는 조정판 고정용 슬릿판과,
전장의 확대를 제한하기 위한 개구를 가지는 조정판을 가지고,
상기 조정판은, 그 측단부를 상기 조정판 고정용 슬릿판의 임의의 슬릿부에 삽입함으로써 당해 조정판과 피도금체와의 거리가 조정 가능하게 상기 도금조에 설치되는 것을 특징으로 하는 도금장치.A plating bath for holding the plating solution,
An anode disposed to be immersed in the plating liquid in the plating tank,
A holder for holding the plated body and arranging the plated body at a position facing the anode;
A paddle disposed between the anode and the plated body held by the holder and reciprocating in parallel with the plated body to stir the plating liquid;
An adjusting plate fixing slit plate fixed to the side plate of the plating tank at a position between the anode and the paddle and having a plurality of slit portions extending in a vertical direction at a predetermined pitch;
And an adjustment plate having an opening for restricting enlargement of the electric field,
Wherein the adjusting plate is provided in the plating vessel so that the distance between the adjusting plate and the plated body can be adjusted by inserting the side end portion of the adjusting plate into an arbitrary slit portion of the adjusting plate fixing slit plate. 제 1 항에 있어서,
상기 도금조와 상기 조정판과의 사이로부터의 전장의 누설을 방지하기 위하여, 상기 조정판의 애노드측 하단부에 전장 차폐부재를 설치한 것을 특징으로 하는 도금장치.The method according to claim 1,
Wherein an electric field shielding member is provided at a lower end portion of the anode side of the adjustment plate to prevent leakage of an electric field from between the plating vessel and the adjustment plate. 제 1 항에 있어서,
상기 조정판과 상기 상기 조정판 고정용 슬릿판과의 사이로부터의 전장의 누설을 방지하기 위하여, 상기 조정판의 애노드측에 전장 차폐부재를 설치한 것을 특징으로 하는 도금장치.The method according to claim 1,
Wherein an electric field shielding member is provided on the anode side of the adjustment plate to prevent leakage of electric field from between the adjustment plate and the slit plate for fixing the adjustment plate. 제 1 항에 있어서,
상기 조정판은,
상기 피도금체의 외형을 따른 내형을 가지는 통형상부와,
상기 통형상부의 애노드측 끝부의 바깥 둘레에 접속된 플랜지부를 가지는 것을 특징으로 하는 도금장치.The method according to claim 1,
The adjustment plate
A tubular portion having an inner shape conforming to an outer shape of the plated body;
And a flange portion connected to the outer periphery of the anode side end portion of the tubular portion. 제 1 항에 있어서,
상기 조정판은,
개구를 가지는 플랜지부와,
금속 이온을 통하여 첨가제를 통과시키지 않은 양이온 교환체, 또는 기능막으로 구성된 격벽과,
상기 격벽이 상기 플랜지부의 개구의 전체를 덮도록, 상기 격벽을 상기 플랜지부의 애노드측 표면에 고정하는 고정판을 가지는 것을 특징으로 하는 도금장치.The method according to claim 1,
The adjustment plate
A flange portion having an opening,
A cation exchanger not passing an additive through metal ions, or a partition made of a functional film,
And a fixing plate for fixing the partition to the anode-side surface of the flange portion so that the partition wall covers the entire opening of the flange portion. 제 1 항에 있어서,
상기 조정판은,
개구를 가지는 플랜지부와,
상기 플랜지부의 개구의 직경보다 작은 직경의 개구를 가지는 보조 조정판과,
상기 보조 조정판을 설치하기 위한 보조 조정판 설치부를 구비하고 있고,
상기 보조 조정판은, 상기 플랜지부의 개구 및 상기 보조 조정판의 개구의 중심축이 서로 일치하도록, 상기 보조 조정판 설치부에 의해 상기 플랜지부의 애노드측 표면에 배치되는 것을 특징으로 하는 도금장치.The method according to claim 1,
The adjustment plate
A flange portion having an opening,
An auxiliary adjusting plate having an opening with a diameter smaller than the diameter of the opening of the flange portion;
And an auxiliary adjusting plate mounting portion for mounting the auxiliary adjusting plate,
Wherein the auxiliary adjusting plate is disposed on the anode side surface of the flange portion by the auxiliary adjusting plate mounting portion so that the opening of the flange portion and the center axis of the opening of the auxiliary adjusting plate are mutually coincident with each other. 도금액을 유지하는 도금조와,
상기 도금조 내의 도금액에 침지시켜 배치되는 애노드와,
피도금체를 유지하여 상기 애노드와 대향하는 위치에 배치하는 홀더와,
상기 애노드와 상기 홀더로 유지한 피도금체와의 사이에 배치되고, 상기 피도금체와 평행으로 왕복 이동하여 도금액을 교반하는 패들과,
상기 패들과 상기 애노드와의 사이에 배치되고, 전장의 확대를 제한하기 위한 개구를 가지는 조정판과,
상기 도금조 내의 상기 조정판의 바깥 둘레 끝부와 대향하는 위치에 배치되고, 안쪽으로 개방한 채널형상의 오목부를 가지며, 당해 오목부 내에 상기 조정판의 바깥 둘레 끝부가 끼워짐으로써 상기 조정판의 이동을 안내하는 안내부와,
상기 조정판을 상기 피도금체와 평행으로 상하방향 또는 좌우방향으로 이동시키는 조정판 이동 기구를 구비하고,
상기 조정판 이동 기구는,
상기 조정판을 지지하는 조정판 지지부와,
상기 조정판 지지부에 지지된 상기 조정판을 가압함으로써, 상기 조정판과 상기 피도금체와의 거리를 일정하게 유지하면서, 상기 조정판을 상하방향 또는 좌우방향으로 이동시키는 가압부재를 구비한 것을 특징으로 하는 도금장치.A plating bath for holding the plating solution,
An anode disposed to be immersed in the plating liquid in the plating tank,
A holder for holding the plated body and arranging the plated body at a position facing the anode;
A paddle disposed between the anode and the plated body held by the holder and reciprocating in parallel with the plated body to stir the plating liquid;
An adjustment plate disposed between the paddle and the anode and having an opening for limiting expansion of the electric field,
And an outer circumferential end portion of the adjusting plate is inserted into the concave portion so as to guide the movement of the adjusting plate so as to guide the movement of the adjusting plate A guide portion,
And an adjusting plate moving mechanism for moving the adjusting plate in the up-down direction or in the left-right direction in parallel with the object to be plated,
The adjusting plate moving mechanism includes:
An adjusting plate supporting portion for supporting the adjusting plate;
And a pressing member which moves the adjusting plate in the up-down direction or in the left-to-right direction while keeping the distance between the adjusting plate and the plated member constant by pressing the adjusting plate supported by the adjusting plate supporting portion. . 제 7 항에 있어서,
상기 도금조와 상기 안내부와의 사이로부터의 전장의 누설을 방지하기 위하여, 상기 안내부의 애노드측에 전장 차폐부재를 설치한 것을 특징으로 하는 도금장치.8. The method of claim 7,
Wherein an electric field shielding member is provided on the anode side of said guide portion to prevent leakage of electric field from between said plating vessel and said guide portion. 제 7 항에 있어서,
상기 조정판은,
상기 피도금체의 외형을 따른 내형을 가지는 통형상부와,
상기 통형상부의 애노드측 끝부의 바깥 둘레에 접속된 플랜지부를 가지는 것을 특징으로 하는 도금장치.8. The method of claim 7,
The adjustment plate
A tubular portion having an inner shape conforming to an outer shape of the plated body;
And a flange portion connected to the outer periphery of the anode side end portion of the tubular portion. 제 7 항에 있어서,
상기 조정판은,
개구를 가지는 플랜지부와,
금속 이온을 통하여 첨가제를 통과시키지 않은 양이온 교환체, 또는 기능막으로 구성된 격벽과,
상기 격벽이 상기 플랜지부의 개구의 전체를 덮도록, 상기 격벽을 상기 플랜지부의 애노드측 표면에 고정하는 고정판을 가지는 것을 특징으로 하는 도금장치.8. The method of claim 7,
The adjustment plate
A flange portion having an opening,
A cation exchanger not passing an additive through metal ions, or a partition made of a functional film,
And a fixing plate for fixing the partition to the anode-side surface of the flange portion so that the partition wall covers the entire opening of the flange portion. 제 7 항에 있어서,
상기 조정판은,
개구를 가지는 플랜지부와,
상기 플랜지부의 개구의 직경보다 작은 직경의 개구를 가지는 보조 조정판과,
상기 보조 조정판을 설치하기 위한 보조 조정판 설치부를 구비하고 있고,
상기 보조 조정판은, 상기 플랜지부의 개구 및 상기 보조 조정판의 개구의 중심축이 서로 일치하도록, 상기 보조 조정판 설치부에 의해 상기 플랜지부의 애노드측 표면에 배치되는 것을 특징으로 하는 도금장치.8. The method of claim 7,
The adjustment plate
A flange portion having an opening,
An auxiliary adjusting plate having an opening with a diameter smaller than the diameter of the opening of the flange portion;
And an auxiliary adjusting plate mounting portion for mounting the auxiliary adjusting plate,
Wherein the auxiliary adjusting plate is disposed on the anode side surface of the flange portion by the auxiliary adjusting plate mounting portion so that the opening of the flange portion and the center axis of the opening of the auxiliary adjusting plate are mutually coincident with each other. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete

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