KR101332097B1 - 유압 제어 장치 - Google Patents

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쟈트코 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 전자기 밸브에의 지시 전류의 반환 위치나 반환 횟수에 대응하는 히스테리시스 오차 보정을 행함으로써, 유압 제어 정밀도의 향상을 도모하기 위한 것으로, 유압 제어 장치는, 리니어 솔레노이드 밸브(2)와, 히스테리시스 유압 보정량 연산 수단(도 3, 도 4)과, 클러치압 보정 제어부(40)를 구비하고 있다. 히스테리시스 유압 보정량을 연산하는 히스테리시스 유압 보정량 연산 수단(도 3, 도 4)은, 유압 변화 특성에 대한 히스테리시스를 나타내는 풀 히스테리시스 특성을 기준 맵으로서 갖고, 지시 전류를 유압 변화 특성 범위 내의 도중 위치에서 반환하는 마이너 루프가 계속되고 있을 때, 기준 맵을 반환 위치에 따라서 축소한 축소 맵을 과거로부터 현 시점까지의 마이너 루프마다 복수 작성하고, 동일한 지시 전류 위치에서 복수의 축소 맵에 의해 얻어지는 각 히스테리시스 유압 보정량의 총합에 의해, 히스테리시스 유압 보정량을 연산한다.

Description

유압 제어 장치{HYDRAULIC PRESSURE CONTROL APPARATUS}
본 발명은, 지시 전류에 따라서 개방도가 조정되고, 유압을 증가 혹은 감소 중 어느 한쪽으로 제어하는 전자기 밸브를 구비한 유압 제어 장치에 관한 것이다.
종래, 유압을 제어하는 전자기 밸브의 경우, 솔레노이드의 구동 전류와 출력압에는 전류의 증가측과 감소측에서 히스테리시스(Hysteresis)가 발생한다. 이 대책으로서, 출력압이 최대가 될 때까지 전류값을 증대시키고, 그 후, 전류값을 출력압이 제로를 나타낼 때까지 감소시켰을 때의, 전류값마다의 출력압의 실측값으로부터 실측 맵을 작성하고, 이 실측 맵 상에서 동일 출력압 실측값에 대응하는 상승측 전류값과 하강측 전류값의 전류 평균값을 산출하고, 산출된 전류 평균값과 출력압 실측값의 관계를 나타내는 맵을 작성하고, 이 맵을 사용해서 솔레노이드의 구동 전류를 제어하는 것이 알려져 있다(예를 들어, 특허 문헌 1 참조).
일본 특허 출원 공개 제2003-294126호 공보
그러나, 종래의 전자기 밸브를 사용한 유압 제어 장치에 있어서는, 출력압이 최대가 될 때까지 전류값을 증대시키고, 그 후, 전류값을 감소시켰을 때의, 전류값마다의 출력압의 실측값으로부터 구해진 실측 맵에 기초하여 산출된 전류 평균값을 사용해서 구동 전류의 보정을 행하도록 하고 있다. 이 때문에, 유압이 최대압이 되기 전의 도중 위치에 있어서 지시 전류가 반환된 경우, 히스테리시스 유압 보정량에 편차분이 포함되어 있고, 구동 전류와 출력압의 관계를 고정밀도로 얻을 수 없어, 유압 제어 정밀도의 저하를 초래한다고 하는 문제가 있었다.
즉, 전자기 밸브의 히스테리시스량은, 구동 전류가 증가 방향으로부터 감소 방향(또는, 감소 방향으로부터 증가 방향)으로 전환되는 위치나 사용하는 유압 영역에 따라 달라진다. 따라서, 유압이 최대압이 되기 전의 도중 위치에 있어서 지시 전류가 반환된 경우, 풀 히스테리시스량을 나타내는 실측 맵에 기초하는 보정을 행하면, 히스테리시스 유압 보정량에 편차분이 포함된다. 또한, 지시 전류의 반환이 몇 번이나 계속되는 유압 제어를 행하면, 반환 횟수에 따라서 히스테리시스 유압 보정량의 편차분이 누적되어, 정확한 히스테리시스 유압 보정량으로부터 점차 괴리되어 가는 것처럼, 히스테리시스 유압 보정량의 정밀도 저하를 초래한다.
본 발명은, 상기 문제에 착안해서 이루어진 것으로, 전자기 밸브에의 지시 전류의 반환 위치나 반환 횟수에 대응하는 히스테리시스 오차 보정을 행함으로써, 유압 제어 정밀도의 향상을 도모할 수 있는 유압 제어 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 유압 제어 장치에서는, 지시 전류에 따라서 개방도가 조정되고, 유압을 증가 혹은 감소 중 어느 한쪽으로 제어하는 전자기 밸브와,
상기 지시 전류의 증가 방향과 감소 방향에서의 지시 전류에 대한 출력 유압의 히스테리시스 특성에 의해 정해지는 히스테리시스 유압 보정량을 연산하는 히스테리시스 유압 보정량 연산 수단과,
상기 히스테리시스 유압 보정량을 고려하여, 상기 출력 유압이 목표 출력 유압이 되도록 상기 지시 전류를 제어하는 지시 전류 제어 수단을 구비하고 있다.
이 유압 제어 장치에 있어서, 상기 히스테리시스 유압 보정량 연산 수단은, 상기 지시 전류를 최소값으로부터 최대값까지 변화시켰을 때의 증압 특성과, 상기 지시 전류를 최대값으로부터 최소값까지 변화시켰을 때의 감압 특성으로 이루어지는 유압 변화 특성에 대한 히스테리시스를 나타내는 풀 히스테리시스 특성을 기준 맵으로서 갖고, 상기 지시 전류를 상기 유압 변화 특성 범위 내의 도중 위치에서 반환하는 마이너 루프가 계속되고 있을 때, 상기 기준 맵을 반환 위치에 따라서 축소한 축소 맵을 과거로부터 현 시점까지의 마이너 루프마다 복수 작성하고, 동일한 지시 전류 위치에서 상기 복수의 축소 맵에 의해 얻어지는 각 히스테리시스 유압 보정량의 총합에 의해, 상기 히스테리시스 유압 보정량을 연산하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 지시 전류를 유압 변화 특성 범위 내의 도중 위치에서 반환하는 마이너 루프가 계속되고 있을 때, 히스테리시스 유압 보정량 연산 수단에 있어서, 기준 맵을 반환 위치에 따라서 축소한 축소 맵이 과거로부터 현 시점까지의 마이너 루프마다 복수 작성되고, 동일한 지시 전류 위치에서 복수의 축소 맵에 의해 얻어지는 각 히스테리시스 유압 보정량의 총합에 의해, 히스테리시스 유압 보정량이 연산된다.
즉, 전자기 밸브에서는, 솔레노이드에서 잔류 전자력이 발생하고, 균형점이 바뀌는 것을 원인으로 하여, 지시 전류(=지시 유압)와 출력되는 실유압의 변화 특성에 히스테리시스가 발생한다. 이에 대해, 마이너 루프 시, 반환 위치에 따라서 축소한 축소 맵에 의해 히스테리시스 유압 보정량을 얻도록 하고 있다. 따라서, 전자기 밸브에의 지시 전류의 반환 위치(사용 유압 영역)에 따라 히스테리시스량이 상이하다고 하는 히스테리시스 특성에 대응하여, 히스테리시스 오차가 해소된다. 그리고, 마이너 루프가 계속되고 있을 때, 동일한 지시 전류 위치에서, 마이너 루프마다의 복수의 축소 맵에 의해 얻어지는 각 히스테리시스 유압 보정량의 총합에 의해, 히스테리시스 유압 보정량을 얻도록 하고 있다. 따라서, 마이너 루프가 계속되고 있을 때, 반환 횟수의 증가에 따라서 히스테리시스 유압 보정량의 편차분이 누적되는 일이 없어, 히스테리시스 유압 보정량이 높은 연산 정밀도가 확보된다.
이와 같이, 전자기 밸브에의 지시 전류의 반환 위치나 반환 횟수에 대응하는 히스테리시스 오차 보정을 행함으로써, 유압 제어 정밀도의 향상을 도모할 수 있다.
도 1은 실시예 1의 유압 제어 장치가 적용된 차량용 자동 변속기의 마찰 체결 요소압 제어계를 도시하는 제어 시스템도.
도 2는 실시예 1의 자동 변속기 컨트롤 유닛(4)에 갖는 클러치압 보정 제어부(40)에서의 클러치압 보정 제어 처리의 구성과 흐름을 도시하는 제어 블록도.
도 3은 실시예 1의 자동 변속기 컨트롤 유닛(4)에 갖는 클러치압 보정 제어부(40)에서의 히스테리시스 유압 보정량 연산 처리의 구성과 흐름을 도시하는 플로우차트.
도 4는 도 3의 히스테리시스 유압 보정량 연산 처리 중에 행하여지는 마이너 루프의 히스테리시스 유압 보정량 연산 처리의 구성과 흐름을 도시하는 플로우차트.
도 5는 히스테리시스 유압 보정량 연산 처리에 있어서 사용되는 기준 맵(풀 루프·중앙 특성·마이너 루프)을 도시하는 설명도.
도 6은 도 3의 히스테리시스 유압 보정량 연산 처리와 동시 진행으로 실행되는 반환점 메모리의 세트/리셋 처리의 구성과 흐름을 도시하는 플로우차트.
도 7은 도 6의 반환점 메모리의 세트/리셋 처리 중에 행하여지는 추가 기억 금지 전류 범위 연산 처리의 구성과 흐름을 도시하는 플로우차트.
도 8은 히스테리시스 유압 발생 원칙을 설명하기 위한 유압-전류 특성과 지시 전류의 도중 반환을 도시하는 특성도.
도 9는 마이너 루프의 히스테리시스 특성은 풀 루프의 히스테리시스 특성을 전류 비율로 축소한 상사형이 되는 것을 도시하는 히스테리시스 특성 설명도.
도 10은 유압-전류의 풀 히스테리시스 특성의 중앙 특성을 목표 특성으로 해서 히스테리시스 유압 보정량을 구하는 것을 도시하는 특성도.
도 11은 마이너 루프에 들어갔을 때의 대증압 특성의 유압 변화량의 이미지(a)와 대중앙 특성의 유압 변화량의 이미지(b)를 도시하는 유압 변화량도.
도 12는 증압 특성으로부터의 반환에 의해 마이너 루프에 들어가서 반환점1 내지 반환점4에 반환이 계속되는 경우의 히스테리시스 유압 보정량의 연산 작용을 도시하는 작용 설명도.
도 13은 증압 특성으로부터의 반환에 의해 마이너 루프에 들어가서 반환이 계속된 후 반환점4로부터 반환점3을 경유해서 풀 루프의 반환점1로 복귀되는 경우의 히스테리시스 유압 보정량의 연산 작용을 도시하는 작용 설명도.
도 14는 마이너 루프에 있어서 Rise 금지 전류 범위 내에서의 미소 전류 반환이 계속될 때의 메모리 금지 작용을 도시하는 작용 설명도.
도 15는 마이너 루프에 있어서 Fall 금지 전류 범위 내에서의 반환과 Rise 금지 전류 범위 내에서의 반환이 있었을 때의 메모리 금지 작용을 도시하는 작용 설명도.
이하, 본 발명의 유압 제어 장치를 실현하는 최선의 형태를, 도면에 도시하는 실시예 1에 기초하여 설명한다.
<실시예 1>
우선, 구성을 설명한다.
도 1는, 실시예 1의 유압 제어 장치가 적용된 차량용 자동 변속기의 마찰 체결 요소압 제어계를 도시하는 제어 시스템도이다. 이하, 도 1에 기초하여 전체 구성을 설명한다.
실시예 1의 차량용 자동 변속기의 마찰 체결 요소압 제어계는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 마찰 체결 요소(1)와, 리니어 솔레노이드 밸브(2)(전자기 밸브)와, 컨트롤 밸브(3)와, 자동 변속기 컨트롤 유닛(4)을 구비하고 있다.
상기 마찰 체결 요소(1)는, 차량용 자동 변속기 내에 설치되고, 컨트롤 밸브(3)로부터의 체결 요소압 Pc에 의해 완전 체결·슬립 체결·해방이 제어되는 유압 다판 클러치나 유압 다판 브레이크 등이다.
상기 리니어 솔레노이드 밸브(2)는, 자동 변속기 컨트롤 유닛(4)으로부터 솔레노이드 전류 ISOL(예를 들어, 80O㎐의 듀티 구동 전류)을 인가함으로써, 도시하지 않은 파일럿 밸브에 의해 만들어지는 파일럿압 PP(일정압)를 원압으로 하고, 컨트롤 밸브(3)에의 솔레노이드압 PSOL을 만들어내는 밸브이다. 이 리니어 솔레노이드 밸브(2)는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 솔레노이드 코일(21)과, 볼(22)과, 플런저(23)와, 스프링(24)과, 파일럿압 유로(25)와, 솔레노이드압 유로(26)를 갖는다. 밸브 작동은, 솔레노이드 전류 ISOL이 제로 시, 스프링(24)에 의한 가압력에 의해 볼(22)을 압박 폐쇄하기 위해서 솔레노이드압 PSOL은 제로가 된다. 그리고, 솔레노이드 코일(21)에 대한 지시 전류인 솔레노이드 전류 ISOL을 높이면, 가압력에 저항해서 볼(22)이 개방 측으로 이동하여, 출력 유압인 솔레노이드압 PSOL을 높인다.
상기 컨트롤 밸브(3)는, 리니어 솔레노이드 밸브(2)로부터의 솔레노이드압 PSOL과 피드백된 체결 요소압 Pc를 작동 신호압으로 하고, 도시하지 않은 라인압 제어 밸브로부터의 라인압 PL를 원압으로 하고, 마찰 체결 요소(1)에의 체결 요소압 Pc를 제어하는 압력 조절 스풀 밸브이다. 이 컨트롤 밸브(3)에서는, 솔레노이드압 PSOL이 고압일수록 마찰 체결 요소(1)에의 체결 요소압 Pc를 고압으로 하는 유압 제어를 행한다.
상기 자동 변속기 컨트롤 유닛(4)은, 도 1에 도시하는 바와 같이, AT 유온 센서(5)와, 엔진 회전수 센서(6)와, 스로틀 센서(7)와, 터빈 회전수 센서(8)와, 차속 센서(9)와, 다른 센서·스위치류(10)로부터의 센서 신호나 스위치 신호를 입력한다.
이 자동 변속기 컨트롤 유닛(4)에서는, 미리 설정되어 있는 시프트 스케줄(예를 들어, 전진 7속의 시프트 스케줄) 상에서 스로틀 개방도와 차속에 의한 운전점이 업 시프트선이나 다운 시프트선을 가로지름으로써 변속 개시 지령을 출력하는 변속 제어 처리를 행한다. 또한, 변속 개시 지령이나 터빈 회전수(AT 입력 회전수)와 차속(AT 출력 회전수)에 의해 구해지는 기어비 Gr의 변화 등에 따라, 변속 과도기에 있어서의 클러치압 지령값의 산출 처리나 슬립 체결 제어 시에 있어서의 클러치압 지령값의 산출 처리 등을 행한다.
또한, 이 자동 변속기 컨트롤 유닛(4)에는, 클러치압 지령값(실현하고 싶은 유압)에 대하여 보정량(SOL 경시 열화 보정량이나 히스테리시스 유압 보정량이나 PS 학습량)을 산출하고, 클러치압 지령값을 보정한 클러치 지시압을 취득하고, 클러치 지시압을 온도 보정이나 전류 변환을 경과해서 실 전류인 솔레노이드 전류 ISOL을 만들어내는 클러치압 보정 제어부(40)를 갖는다.
도 2는, 실시예 1의 자동 변속기 컨트롤 유닛(4)에 갖는 클러치압 보정 제어부(40)에서의 클러치압 보정 제어 처리의 구성과 흐름을 도시하는 제어 블록도이다. 이하, 도 2의 각 블록에 대해서 설명한다.
블록 B41은, 제어 기구계에 발생하는 사후적 경시 열화의 영향을 해소하는 것을 목적으로 하고, SOL 경시 열화 보정량을 산출하는 SOL 경시 열화 보정량 산출 블록이다. 이 SOL 경시 열화 보정량은, 학습 보정량을, 고체 편차를 원인으로 하는 초기 학습량과, 제어 기구계의 사후적 열화를 원인으로 하는 경시 열화량으로 나누고, PS 학습 영역 보정량과 PS 초기 학습량의 차에 나타나는 경시 열화 진행도와 지시 전류값에 기초해서 구한다.
블록 B42는, 리니어 솔레노이드 밸브(2)에의 솔레노이드 전류 ISOL(지시 전류)의 반환 위치나 반환 횟수에 대응해서 히스테리시스 오차를 해소하는 히스테리시스 보정을 행하는 것을 목적으로 하고, 히스테리시스 유압 보정량을 산출하는 히스테리시스 유압 보정량 산출 블록이다. 이 히스테리시스 유압 보정량은, 풀 루프를 그리는 풀 히스테리시스 특성을 기준 맵으로서 갖고, 지시 전류를 풀 루프 범위 내의 도중 위치에서 반환하는 마이너 루프가 계속되고 있을 때, 기준 맵을 반환 위치에 따라서 축소한 축소 맵을 과거로부터 현 시점까지의 마이너 루프마다 복수 작성한다. 그리고, 동일한 지시 전류 위치에서 복수의 축소 맵에 의해 얻어지는 각 히스테리시스 유압 보정량의 총합에 의해, 최종의 히스테리시스 유압 보정량을 연산한다. 상세하게는, 도 3 내지 도 7에서 설명한다.
블록 B43은, AT 유온의 변화(작동유의 점성 변화)에 의한 편차분을 해소하는 보정을 행하는 것을 목적으로 하고, AT 유온에 대응하는 PS 학습량을 산출하는 PS 학습량 산출 블록이다. 이 PS 학습량은, 검출되는 AT 유온 영역에 의해 나누어 PS 학습량을 기억해 두고, 검출되는 AT 유온을 반영한 설정 유온 영역에서의 학습 영역 SOL 경시 열화량이 산출되면, PS 학습량과 학습 영역 SOL 경시 열화량의 차에 의해 구한다.
블록 B44는, 클러치압 지령값(실현하고 싶은 유압)에 대하여, 블록 B41에서의 S0L 경시 열화 보정량과, 블록 B42에서의 히스테리시스 유압 보정량과, 블록 B43에서의 PS 학습량을 가산하고, 클러치압 지령값을 보정한 클러치 지시압을 산출하는 클러치 지시압 산출 블록이다.
블록 B45는, 블록 B44로부터 클러치 지시압을 입력하고, 지시압 변환 맵 등을 사용하여, 클러치 지시압을 SOL 지시압으로 변환하는 지시압 변환 블록이다.
블록 B46은, 블록 B45로부터 SOL 지시압을 입력하고, 유압 온도 보정 처리를 실행하여, 온도 보정량을 출력하는 유압 온도 보정 블록이다.
블록 B47은, 블록 B45로부터의 SOL 지시압과, 블록 B46으로부터의 온도 보정량을 가산하고, 보정후 Sol 지시압을 산출하는 보정후 Sol 지시압 산출 블록이다.
블록 B48은, 블록 B47로부터 보정후 Sol 지시압을 입력하고, PI 전류 변환 맵 등을 사용하여, 보정후 Sol 지시압을 지시 전류값으로 변환하는 PI 전류 변환 블록이다.
블록 B49는, 블록 B48로부터의 지시 전류값을, 솔레노이드 구동 회로에 의해 실 전류(솔레노이드 전류 ISOL)로 변환하는 실 전류 변환 블록이다. 이 실 전류(솔레노이드 전류 ISOL)는, 리니어 솔레노이드 밸브(2)의 솔레노이드 코일(21)에 인가된다.
블록 B50은, 블록 B49로부터의 실 전류를 모니터하고, 블록 B48로부터의 지시 전류값에 필요한 피드백 보정을 가하는 실 전류 피드백 블록이다.
또한, 히스테리시스 유압 보정량을 산출하는 블록 B42에서의 보정 입력은, 피드백 보정을 가한 모니터 전류가 아니고, 블록 B48로부터의 지시 전류값으로 한다. 그 이유는, 모니터 전류는, 피드백 보정에 의한 지연이 있기 때문에, 히스테리시스의 추정 자체도 지연되게 되는 것에 의한다.
도 3는, 실시예 1의 자동 변속기 컨트롤 유닛(4)에 갖는 클러치압 보정 제어부(40)에서의 히스테리시스 유압 보정량 연산 처리의 구성과 흐름을 도시하는 플로우차트이다(히스테리시스 유압 보정량 연산 수단). 이하, 도 3의 각 스텝에 대해서 설명한다. 또한, 플로우차트에서 사용하는 「Fall」은, 증압 특성으로부터 감압 특성으로의 반환의 의미이며, 「Rise」는, 감압 특성으로부터 증압 특성으로의 반환의 의미이다.
스텝 S400에서는, 히스테리시스 유압 보정량을 기준 맵(도 5)으로부터 추정하기 위해서 사용하는 전류 진행도를 산출하고, 스텝 S401로 진행한다.
여기서, 「기준 맵」이란, 풀 루프의 중앙 특성에 대한 히스테리시스 특성을 나타낸 맵을 말한다. 「풀 루프」란, 전류를 O㎃(지시 전류의 최소값)로부터 800㎃(지시 전류의 최대값)까지 증가시킨 후, O㎃까지 감소시켰을 때의 전류에 대한 유압 변화 특성을 말한다. 「마이너 루프」란, 전류를 풀 루프의 도중 위치에서 반환하였을 때의 전류에 대한 유압 변화 특성을 말한다. 도 5의 기준 맵은, 미리 행하여진 다수의 실험값에 기초하여, 풀 루프를 그리는 히스테리시스 특성을 갖는 맵으로서 설정된다.
전류 진행도는,
전류 진행도(%)={지시 전류값-max(히스테리시스 보정 전류 범위 하한값, 상승에의 반환 전류값)}/반환 보정 영역 전류폭×100
의 식에 의해 산출된다.
스텝 S401에서는, 스텝 S400에서의 전류 진행도의 산출에 이어, 전류 진행도에 기초하여 기준 맵에 있어서의 히스테리시스 유압 보정량을 산출하고, 스텝 S402로 진행한다.
스텝 S402에서는, 스텝 S401에서의 기준 맵에 있어서의 히스테리시스 유압 보정량의 산출에 이어, 최초의 메모리를 기억하는 직전의 전류 구배가 정인지의 여부를 판단한다. YES(전류 구배 정)인 경우에는 스텝 S403으로 진행하고, NO(전류 구배 부)인 경우에는 스텝 S404로 진행한다.
또한, 전류 구배는, 지시 전류값을 미분 연산 처리함으로써 취득한다.
스텝 S403에서는, 스텝 S402에서의 전류 구배 정이라는 판단에 이어, 뉴트럴 보정 방향을 플러스 방향으로 하고, 증압 특성으로부터 중앙 특성으로 보정하는 뉴트럴 히스테리시스 보정량을 산출하고, 스텝 S405로 진행한다.
스텝 S404에서는, 스텝 S402에서의 전류 구배 부라는 판단에 이어, 뉴트럴 보정 방향을 마이너스 방향으로 하고, 감압 특성으로부터 중앙 특성으로 보정하는 뉴트럴 히스테리시스 보정량을 산출하고, 스텝 S405로 진행한다.
즉, 스텝 S403과 스텝 S404에서는, 도 5에 도시하는 풀 히스테리시스 특성에 의한 기준 맵 중, 유압 상승측 특성(증압 특성)과 유압 하강측 특성(감압 특성)의 중앙 특성을 목표 특성으로 하고, 이 목표 특성에 대한 히스테리시스 유압 보정량을 연산한다.
스텝 S405에서는, 스텝 S403 또는 스텝 S404에서의 뉴트럴 히스테리시스 보정량의 산출에 이어, 지시 전류를 풀 루프 범위 내의 도중 위치에서 반환하는 마이너 루프인지의 여부를 판단한다. YES(마이너 루프)인 경우에는 스텝 S406으로 진행하고, NO(풀 루프)인 경우에는 스텝 S416으로 진행한다.
스텝 S406에서는, 스텝 S405에서의 마이너 루프라는 판단에 이어, 도 4에 도시하는 플로우차트에 따라서 마이너 루프의 히스테리시스 유압 보정량의 연산을 행하고, 스텝 S407로 진행한다.
여기서, 마이너 루프의 히스테리시스 유압 보정량의 연산은, 마이너 루프에 들어가면, 반환점이 나타날 때마다 번호(No1 내지 No20)를 매기고, 기억되어 있는 반환점으로부터 반환점까지의 축소 맵의 각 루프에 대해서 각각 독립적으로 행한다.
스텝 S407에서는, 스텝 S406에서의 마이너 루프의 히스테리시스 유압 보정량의 연산에 이어, 홀수번째끼리의 마이너 루프 히스테리시스 보정량을 합산해서 홀수번째의 총 히스테리시스 유압 보정량으로 하고, 스텝 S407로 진행한다.
스텝 S408에서는, 스텝 S407에서의 홀수번째의 총 히스테리시스 유압 보정량의 산출에 이어, 최초의 반환점이 「Fall」인지의 여부를 판단한다. YES(최초의 반환점이 Fall)인 경우에는 스텝 S409로 진행하고, NO(최초의 반환점이 Rise)인 경우에는 스텝 S410으로 진행한다.
스텝 S409에서는, 스텝 S408에서의 최초의 반환점이 Fall이라는 판단에 이어, 마이너 루프에 있어서의 홀수번째의 총 히스테리시스 유압 보정량을 마이너스 방향으로하고, 스텝 S411로 진행한다.
스텝 S410에서는, 스텝 S408에서의 최초의 반환점이 Rise라는 판단에 이어, 마이너 루프에 있어서의 홀수번째의 총 히스테리시스 유압 보정량을 플러스 방향으로 하고, 스텝 S411로 진행한다.
스텝 S411에서는, 스텝 S409 또는 스텝 S410에서의 홀수번째의 총 히스테리시스 유압 보정량의 부호 매김 연산에 이어, 짝수번째끼리의 마이너 루프 히스테리시스 보정량을 합산해서 짝수번째의 총 히스테리시스 유압 보정량으로 하고, 스텝 S412로 진행한다.
스텝 S412에서는, 스텝 S411에서의 짝수번째의 총 히스테리시스 유압 보정량의 산출에 이어, 최초의 반환점이 「Fall」인지의 여부를 판단한다. YES(최초의 반환점이 Fall)인 경우에는 스텝 S413으로 진행하고, NO(최초의 반환점이 Rise)인 경우에는 스텝 S414로 진행한다.
스텝 S413에서는, 스텝 S412에서의 최초의 반환점이 Fall이라는 판단에 이어, 마이너 루프에 있어서의 짝수번째의 총 히스테리시스 유압 보정량을 플러스 방향으로 하고, 스텝 S415로 진행한다.
스텝 S414에서는, 스텝 S412에서의 최초의 반환점이 Rise라는 판단에 이어, 마이너 루프에 있어서의 짝수번째의 총 히스테리시스 유압 보정량을 마이너스 방향으로 하고, 스텝 S415로 진행한다.
스텝 S415에서는, 스텝 S413 또는 스텝 S414에서의 짝수번째의 총 히스테리시스 유압 보정량의 부호 매김 연산에 이어, 홀수번째의 총 히스테리시스 유압 보정량과 짝수번째의 총 히스테리시스 유압 보정량을 합산하여, 마이너 루프의 총 히스테리시스 유압 보정량으로 하고, 스텝 S416으로 진행한다.
스텝 S416에서는, 스텝 S405에서의 풀 루프라는 판단, 혹은, 스텝 S415에서의 마이너 루프의 총 히스테리시스 유압 보정량의 산출에 이어, 마이너 루프의 총 히스테리시스 유압 보정량과, 풀 루프의 뉴트럴 히스테리시스 보정량을 합산하여, 솔레노이드압 PSOL의 최종적인 히스테리시스 유압 보정량을 산출하고, 리턴으로 진행한다.
도 4는, 도 3의 히스테리시스 유압 보정량 연산 처리 중에 행하여지는 마이너 루프의 히스테리시스 유압 보정량 연산 처리의 구성과 흐름을 도시하는 플로우차트이다. 이하, 도 4의 각 스텝에 대해서 설명한다.
스텝 S420에서는, 마이너 루프에 들어가서 이동하는 지시 전류 자신의 반환점 전류 기억값이 있는지의 여부를 판단한다. YES(반환점 전류 기억값 있음)인 경우에는 스텝 S422로 진행하고, NO(반환점 전류 기억값 없음)인 경우에는 스텝 S421로 진행한다.
스텝 S421에서는, 스텝 S420에서의 반환점 전류 기억값 없음이라는 판단에 이어, 마이너 루프의 히스테리시스 유압 보정량을 제로로 한다.
스텝 S422에서는, 스텝 S420에서의 반환점 전류 기억값 있음이라는 판단에 이어, 쌍이 되는 반환점 전류 기억값이 있는지의 여부를 판단한다. YES(쌍이 되는 반환점 전류 기억값 있음)인 경우에는 스텝 S424로 진행하고, NO(쌍이 되는 반환점 전류 기억값 없음)인 경우에는 스텝 S423으로 진행한다.
스텝 S423에서는, 스텝 S422에서의 쌍이 되는 반환점 전류 기억값 없음이라는 판단에 이어, 마이너 루프에서 이동하는 지시 전류 자신의 반환 방향이 「Fall」인지의 여부를 판단한다. YES(반환 방향이 Fall)인 경우에는 스텝 S425로 진행하고, N0(반환 방향이 Rise)인 경우에는 스텝 S426으로 진행한다.
스텝 S424에서는, 스텝 S422에서의 쌍이 되는 반환점 전류 기억값 있음이라는 판단에 이어, 반환점 전류 기억값을 쌍으로 하는 반환점의 전류값으로서 선택하고, 스텝 S427로 진행한다.
스텝 S425에서는, 스텝 S423에서의 반환 방향이 Fall이라는 판단에 이어, 히스테리시스 보정 전류 범위 하한값을 쌍으로 하는 반환점의 전류값으로서 선택하고, 스텝 S427로 진행한다.
스텝 S426에서는, 스텝 S423에서의 반환 방향이 Rise라는 판단에 이어, 히스테리시스 보정 전류 범위 상한값을 쌍으로 하는 반환점의 전류값으로서 선택하고, 스텝 S427로 진행한다.
스텝 S427에서는, 스텝 S424 또는 스텝 S425 또는 스텝 S426에서의 쌍이 되는 반환점 전류값의 선택에 이어, 마이너 루프에서 이동하는 지시 전류 자신의 반환점 전류 기억값과, 쌍이 되는 반환점 전류 기억값으로부터 마이너 루프의 전류 폭을 산출하고, 스텝 S428로 진행한다.
스텝 S428에서는, 스텝 S427에서의 마이너 루프의 전류 폭 산출에 이어, 마이너 루프의 전류 폭에 있어서의 전류 진행도를 산출하고, 스텝 S429로 진행한다.
스텝 S429에서는, 스텝 S428에서의 전류 진행도의 산출에 이어, 기준 맵의 최대 전류 폭에 대한 마이너 루프의 전류 폭의 전류 비율을 산출하고, 스텝 S430으로 진행한다.
스텝 S430에서는, 스텝 S429에서의 마이너 루프의 전류 비율 산출에 이어, 마이너 루프의 전류 비율에 기초하여, 기준 맵을 전류 비율의 크기에 따라 상사형 축소한 축소 맵을 작성하고, 상기 축소 맵과, 스텝 S428에서의 전류 진행도를 사용하여, 마이너 루프에 있어서의 히스테리시스 유압 보정량을 산출한다.
도 6은, 도 3의 히스테리시스 유압 보정량 연산 처리와 동시 진행으로 실행되는 반환점 메모리의 세트/리셋 처리의 구성과 흐름을 도시하는 플로우차트이다(반환점 기억 제어부). 이하, 도 6의 각 스텝에 대해서 설명한다.
스텝 S440에서는, 지시 전류의 전류 구배를 판정하고, 스텝 S441로 진행한다.
스텝 S441에서는, 스텝 S440에서의 전류 구배 판정에 이어, 전류 구배가 정→부로 전환되었는지의 여부를 판단한다. YES(전류 구배가 정→부)인 경우에는 스텝 S442로 진행하고, NO(전류 구배가 정→부 이외)인 경우에는 스텝 S443으로 진행한다.
스텝 S442에서는, 스텝 S441에서의 전류 구배가 정→부로 전환되었다는 판단에 이어, 「Fall」이라고 판정하고, 스텝 S445로 진행한다.
스텝 S443에서는, 스텝 S441에서의 전류 구배가 정→부 이외라는 판단에 이어, 전류 구배가 부→정으로 전환되었는지의 여부를 판단한다. YES(전류 구배가 부→정)인 경우에는 스텝 S444로 진행하고, NO(전류 구배가 부→정 이외)인 경우에는 스텝 S452로 진행한다.
스텝 S444에서는, 스텝 S443에서의 전류 구배가 부→정으로 전환되었다는 판단에 이어, 「Rise」라고 판정하고, 스텝 S445로 진행한다.
스텝 S445에서는, 스텝(442)에서의 「Fall」 판정, 혹은, 스텝 S444에서의 「Rise」 판정, 혹은, 스텝 S448에서의 추가 기억 금지 전류 범위의 연산에 이어, 반환 판정 시의 전류값이 추가 기억 금지 전류 범위 외(=추가 기억 가능 범위)인지의 여부를 판단한다. YES(추가 기억 금지 전류 범위 외)인 경우에는 스텝 S446으로 진행하고, NO(추가 기억 금지 전류 범위 내)인 경우에는 스텝 S449로 진행한다.
스텝 S446에서는, 스텝 S445에서의 추가 기억 금지 전류 범위 외라는 판단에 이어, 전류 반환점의 「전류값」과 「반환 방향」을 기억하는 세트 지시를 내리고, 스텝 S447로 진행한다.
스텝 S447에서는, 스텝 S446의 전류 반환점의 세트 지시, 혹은, 스텝 S451, S453, S458의 전류 반환점의 리셋 지시에 이어, 세트 지시인 경우에는 전류 반환점의 「전류값」과 「반환 방향」을 메모리에 저장하고, 금지 지시인 경우에는 정보 기억을 금지하고, 리셋 지시인 경우에는 기억하고 있는 정보를 소거하고, 스텝 S448로 진행한다.
스텝 S448에서는, 스텝 S447에서의 메모리 저장에 이어, 도 7에 도시하는 플로우차트에 따라서, 추가 기억 금지 전류 범위를 연산하고, 스텝 S445로 복귀된다.
스텝 S449에서는, 스텝 S445에서의 금지 전류 범위 내라는 판단에 이어, Fall 반환점의 추가 기억 금지 전류 범위에서의 반환인지의 여부를 판단한다. YES(Fall 금지 전류 범위에서의 반환)인 경우에는 스텝 S451로 진행하고, NO(Fall 금지 전류 범위 이외에서의 반환)인 경우에는 스텝 S450으로 진행한다.
스텝 S450에서는, 스텝 S449에서의 Fall 금지 전류 범위 이외에서의 반환이라는 판단에 이어, Rise 반환점의 추가 기억 금지 전류 범위에서의 반환인지의 여부를 판단한다. YES(Rise 금지 전류 범위에서의 반환)인 경우에는 스텝 S451로 진행하고, N0(Rise 금지 전류 범위 이외에서의 반환)인 경우에는 스텝 S452로 진행한다.
스텝 S451에서는, 스텝 S449에서의 Fall 금지 전류 범위에서의 반환 판단, 혹은, 스텝 S450에서의 Rise 금지 전류 범위에서의 반환 판단에 이어, 반환점의 정보 기억을 금지하는 메모리 금지 지시를 내리고, 스텝 S447로 진행한다.
스텝 S452에서는, 스텝 S443에서의 전류가 반환되고 있지 않다는 판단, 혹은, 스텝 S450에서의 Rise 금지 전류 범위 이외에서의 반환이라는 판단에 이어, 현재의 전류값이 히스테리시스 보정 전류 범위 외, 즉, 현재의 전류값이 기준 맵의 풀 루프를 따라 최대 전류값(80O㎃)보다 조금 앞의 전류값(예를 들어, 795㎃), 또는, 마이너 루프로부터 풀 루프로 복귀되어 최소 전류값보다 조금 앞의 전류값(예를 들어, 5㎃)에 도달했는지의 여부를 판단한다. YES(히스테리시스 보정 전류 범위 외)인 경우에는 스텝 S453으로 진행하고, NO(히스테리시스 보정 전류 범위 내)인 경우에는 스텝 S454로 진행한다.
스텝 S453에서는, 스텝 S452에서의 현재의 전류값이 히스테리시스 보정 전류 범위 외라는 판단에 이어, 기억하고 있는 모든 메모리에 기억되어 있는 정보를 소거하는 리셋 지시를 내리고, 스텝 S447로 진행한다.
스텝 S454에서는, 스텝 S452에서의 현재의 전류값이 히스테리시스 보정 전류 범위 내라는 판단에 이어, 전류 기억값이 있는지의 여부를 판단한다. YES(전류 기억값 있음)인 경우에는 스텝 S455로 진행하고, NO(전류 기억값 없음)인 경우에는 스텝 S440으로 복귀된다.
스텝 S455에서는, 스텝 S454에서의 전류 기억값 있음이라는 판단에 이어, Fall 반환에 의한 전류 기억값인지의 여부를 판단한다. YES(Fall 반환 전류 기억값)인 경우에는 스텝 S456으로 진행하고, NO(Rise 반환 전류 기억값)인 경우에는 스텝 S457로 진행한다.
스텝 S456에서는, 스텝 S455에서의 Fall 반환 전류 기억값이라는 판단에 이어, 현재의 전류값이 전류 기억값보다 큰지의 여부를 판단한다. YES(현재의 전류값>전류 기억값)인 경우에는 스텝 S458로 진행하고, NO(현재의 전류값≤전류 기억값)인 경우에는 스텝 S440으로 복귀된다.
스텝 S457에서는, 스텝 S455에서의 Rise 반환 전류 기억값이라는 판단에 이어, 현재의 전류값이 전류 기억값보다 작은지의 여부를 판단한다. YES(현재의 전류값<전류 기억값)인 경우에는 스텝 S458로 진행하고, NO(현재의 전류값≥전류 기억값)인 경우에는 스텝 S440으로 복귀된다.
스텝 S458에서는, 스텝 S456에서의 Fall 시의 현재의 전류값>전류 기억값이라는 판단, 혹은, 스텝 S457에서의 Rise 시의 현재의 전류값<전류 기억값이라는 판단에 이어, 과거의 반환점으로 복귀됨과 함께 과거의 반환점을 지나서 풀 루프 방향으로 이동하고 있다(마이너 루프를 빠져나갔다)는 판단에 기초하여, 기억하고 있는 과거의 반환점 메모리와 그 쌍 메모리에 기억되어 있는 정보를 소거하는 리셋 지시를 내리고, 스텝 S447로 진행한다.
도 7은, 도 6의 반환점 메모리의 세트/리셋 처리 중에 행하여지는 추가 기억 금지 전류 범위 연산 처리의 구성과 흐름을 도시하는 플로우차트이다. 이하, 도 7의 각 스텝에 대해서 설명한다.
스텝 S460에서는, 최신의 Fall 전류 기억값이 있는지의 여부를 판단한다. YES(최신의 Fall 전류 기억값 있음)인 경우에는 스텝 S461로 진행하고, NO(최신의 Fall 전류 기억값 없음)인 경우에는 스텝 S462로 진행한다.
스텝 S461에서는, 스텝 S460에서의 최신의 Fall 전류 기억값 있음이라는 판단에 이어, 전류 구배가 정→부인 반환점 전류 Ifall을, 최신의 Fall 전류 기억값으로 하고, 스텝 S463으로 진행한다.
스텝 S462에서는, 스텝 S460에서의 최신의 Fall 전류 기억값 없음이라는 판단에 이어, 전류 구배가 정→부인 반환점 전류 Ifall을, 히스테리시스 보정 전류 범위 상한값으로 하고, 스텝 S463으로 진행한다.
스텝 S463에서는, 스텝 S461 또는 스텝 S462에서의 Ifall의 결정에 이어, 최신의 Rise 전류 기억값이 있는지의 여부를 판단한다. YES(최신의 Rise 전류 기억값 있음)인 경우에는 스텝 S464로 진행하고, NO(최신의 Rise 전류 기억값 없음)인 경우에는 스텝 S465로 진행한다.
스텝 S464에서는, 스텝 S463에서의 최신의 Rise 전류 기억값 있음이라는 판단에 이어, 전류 구배가 부→정인 반환점 전류 Irise를, 최신의 Rise 전류 기억값으로 하고, 스텝 S466으로 진행한다.
스텝 S465에서는, 스텝 S463에서의 최신의 Rise 전류 기억값 없음이라는 판단에 이어, 전류 구배가 부→정인 반환점 전류 Irise를, 히스테리시스 보정 전류 범위 하한값으로 하고, 스텝 S466으로 진행한다.
스텝 S466에서는, 스텝 S464 또는 스텝 S465에서의 Irise의 결정에 이어, 최신의 전류 기억값(Ifall, Irise)으로부터, 나머지의 전류 폭(=Ifall-Irise)을 연산하고, 스텝 S467로 진행한다.
스텝 S467에서는, 스텝 S466에서의 나머지의 전류 폭의 연산에 이어, 추가 기억 금지 전류 범위를,
추가 기억 금지 전류 범위=(Ifall-Irise)÷(남은 메모리 수+1)
의 식에 의해 연산한다.
단, 연산 결과가 「5」보다 큰 경우에는, 연산 결과를 추가 기억 금지 전류 범위로 하고, 연산 결과가 「5」 이하인 경우에는, 「5」를 추가 기억 금지 전류 범위로 하고, 최소한의 추가 기억 금지 전류 범위를 부여하도록 하고 있다.
다음에, 작용을 설명한다.
우선, 「유압 제어용 전자기 밸브의 과제」의 설명을 행한다. 계속해서, 실시예 1의 유압 제어 장치에 있어서의 작용을, 「히스테리시스 유압의 발생 원칙과 로직의 대응」, 「클러치압 보정 제어 작용」, 「히스테리시스 유압 보정량 연산 작용」, 「반환점 기억 제어 작용」으로 나누어 설명한다.
[유압 제어용 전자기 밸브의 과제]
우선, 전자기 밸브의 경우, 실 전류에 대한 목표(목적)의 유압 특성은, 실 전류가 상승하든 하강하든 동일한 1개의 특성선 상을 추이하는 특성이다. 그러나, 전자기 밸브는, 솔레노이드에서 잔류 전자력이 발생하고, 균형점이 바뀌는 것을 원인으로 하여, 실 전류와 실압(지령압)의 변화 특성에 히스테리시스가 발생한다. 즉, 실 전류가 상승할 때에는, 도 5의 유압 상승측 특성에 나타내는 바와 같이, 실 전류의 상승에 대하여 실압이 목적의 유압보다 낮은 채로 추이하고, 실 전류가 하강할 때에는, 도 5의 유압 하강측 특성에 나타내는 바와 같이, 실 전류의 하강에 대하여 실압이 목적의 유압보다 높은 채로 추이한다. 이 때문에, 목표 유압과 목표 전류값 사이에는, 히스테리시스 편차량을 갖게 되고, 유압의 상승 측에서는, 실 전류값을 높이지 않으면 목표(목적)의 유압을 얻을 수 없고, 반대로, 유압의 하강 측에서는, 실 전류값을 낮추지 않으면 목표(목적)의 유압을 얻을 수 없다.
그리고, 상기 히스테리시스 편차량인 히스테리시스량은, 전류 지령이 증가 방향으로부터 감소 방향으로 반환되는 반환점의 지시 전류값이 낮을 때에는 히스테리시스량이 작고, 반환점의 지시 전류값이 높을 때에는 히스테리시스량이 커진다. 즉, 반환 위치나 사용 유압 영역에 따라 히스테리시스량이 상이한 특성을 나타낸다.
이에 대해, 예를 들어, 일본 특허 출원 공개 제2003-294126호 공보에 기재되어 있는 바와 같이, 출력압이 최대가 될 때까지 전류값을 증대시키고, 그 후, 전류값을 감소시켰을 때의, 전류값마다의 출력압의 실측값으로부터 구해진 실측 맵에 기초하여 산출된 전류 평균값을 사용해서 지시 전류의 히스테리시스 보정을 행하는 것을 비교예로 한다. 이 비교예에 있어서, 유압이 최대압이 되기 전의 도중 위치에서 있어서 전자기 밸브에의 지시 전류가 반환된 경우, 히스테리시스 유압 보정량에, 반환 위치나 사용 유압 영역에 따라 히스테리시스량이 상이한 특성에 의한 편차분이 포함되게 된다. 이 결과, 지시 전류와 출력압의 관계를 고정밀도로 얻을 수 없어, 제어 정밀도의 저하를 초래한다.
또한, 지시 전류의 반환이 몇 번이나 계속되는 유압 제어를 행하면, 반환 횟수에 따라서 히스테리시스 유압 보정량의 편차분이 누적되어, 정확한 히스테리시스 유압 보정량으로부터 점차 괴리되어 가는 것처럼, 히스테리시스 유압 보정량의 정밀도 저하를 초래한다. 예를 들어, 마찰 체결 요소를 슬립 체결하고, 슬립 체결 상태를 유지한 채로 마찰 체결 요소를 경과해서 전달하는 토크를, 드라이버의 액셀러레이터 조작에 따른 요구 토크가 되도록 증감 제어하는 경우에는, 지시 전류의 반환이 몇 번이나 계속되는 유압 제어를 행하게 되어, 반환 횟수에 따라서 히스테리시스 유압 보정량의 편차분이 누적되어 간다.
[히스테리시스 유압의 발생 원칙과 로직의 대응]
유압 제어용 전자기 밸브의 과제에 대하여, 본 발명자는, 우선, 어떤 원칙에 따라서 히스테리시스 유압이 발생하는지를 구명한 결과, 하기의 히스테리시스 유압의 발생 원칙을 지견하였다.
1. 도중 반환점이 풀 루프의 내측에 마이너 루프를 만드는 형태로 계속되고, 그 루프로부터 이탈하는 경우, 도 8의 ○표의 반환점 A, B로 나타내는 바와 같이, 반환점을 반드시 경유한다.
2. 풀 루프에 의한 정특성으로부터 반환해서 마이너 루프를 형성한 후, 최초의 반환점 A로부터 전번의 특성은, 도 8의 굵은 점선 특성 C에 나타내는 바와 같이, 풀 루프에 의한 정특성을 따른다.
3. 마이너 루프의 히스테리시스 특성은, 도 9에 도시하는 바와 같이, 풀 루프의 히스테리시스 특성을 전류 비율로 축소한 상사형이 된다.
그리고, 상기 지견한 히스테리시스 유압의 발생 원칙에 기초하여, 히스테리시스 유압 보정의 로직을 하기와 같이 정하였다.
1. 풀 히스테리시스 특성을 히스 보정 기준 맵으로서 갖는다. 전류 비율에 따라서 맵을 축소해서 지시압을 보정한다. 메모리한 반환점으로부터 축소 맵을 만든다. 내측에 마이너 루프가 계속되고 있는 경우에는, 복수의 맵을 만들고, 복수의 맵의 합계로 히스테리시스 유압 보정량을 정한다.
2. 도 10에 도시하는 바와 같이, 풀 히스테리시스 특성의 중앙 특성을 목적으로 하는 목표 특성으로 하고, 예를 들어, 최초의 반환점을 통과하여, 정특성으로 복귀된 경우에는, 편측 히스테리시스분(=풀 히스테리시스분/2)만 보정한다.
3. 원칙적으로, 반환점의 전류를 메모리에 기억한다. 그리고, 반환점이 계속된 경우에는, 복수의 반환점 메모리로부터 히스테리시스 유압 보정량을 연산한다.
그러나, 로직3의 반환점 메모리에 대해서는, 준비할 수 있는 메모리 수가 유한이고, 무수하게 반환점 메모리를 늘릴 수 없다. 그래서, 메모리 수를 억제하는 대책으로서, 하기의 대책을 로직에 포함시키도록 하였다.
대책1:마이너 루프로부터 루프 밖으로 나온 경우, 내측의 마이너 루프의 반환점 메모리는 불필요하다. 이 때문에, 상하의 메모리 양쪽 모두 소거한다.
대책2:마이너 루프 내에 다시 루프를 만드는 형태로, 이미 기억한 반환점 메모리 부근에서 새롭게 반환한 경우, 메모리를 금지한다.
대책3:마이너 루프로부터 풀 루프로 복귀되어 전류값이 히스테리시스 보정 전류 범위 외로 된 경우, 모든 마이너 루프의 반환점 메모리는 불필요하다. 이 때문에, 모든 반환점 메모리를 소거한다.
그리고, 대책2를 실행하는 경우, 추가 기억 금지 전류 범위를 설정한다. 이 범위는, 미리 준비한 메모리 수 중, 남은 메모리 수를 히스테리시스 보정 상하한 전류 범위로 나눈 수치로 결정된다. 이 수치를 소정의 추가 기억 금지 전류 범위로 하고, 반환점 메모리로부터 소정 범위 내의 전류를 기억하지 않는다.
[클러치압 보정 제어 작용]
실시예 1에서는, 클러치압 지령값에, SOL 경시 열화 보정량과 히스테리시스 유압 보정량과 PS 학습량을 서로 더해서 클러치 지시압으로 하는 클러치압 보정 방법을 채용하였다. 이하, 도 2에 기초하여 클러치압 보정 제어 작용을 설명한다.
클러치압 보정 제어 처리는, 도 2에 도시하는 제어 블록도에 있어서, 블록 B44→블록 B45→블록 B46→블록 B47→블록 B48→블록 B49로 진행함으로써 행하여진다.
즉, 블록 B44에서는, 클러치압 지령값(실현하고 싶은 유압)에 대하여, 블록 B41에서의 SOL 경시 열화 보정량과, 블록 B42에서의 히스테리시스 유압 보정량과, 블록 B43에서의 PS 학습량이 가산되고, 클러치압 지령값을 보정한 클러치 지시압이 산출된다. 다음의 블록 B45에서는, 블록 B44로부터 클러치 지시압을 입력하고, 지시압 변환 맵 등을 사용하여, 클러치 지시압이 SOL 지시압으로 변환된다. 다음의 블록 B46은, 블록 B45로부터 SOL 지시압을 입력하고, 유압 온도 보정 처리를 실행함으로써, 온도 보정량이 출력된다. 다음의 블록 B47에서는, 블록 B45로부터의 SOL 지시압과, 블록 B46으로부터의 온도 보정량이 가산되고, 보정후 Sol 지시압이 산출된다. 다음의 블록 B48에서는, 블록 B47로부터 보정후 Sol 지시압을 입력하고, PI 전류 변환 맵 등을 사용하여, 보정후 Sol 지시압이 지시 전류값으로 변환된다. 다음의 블록 B49에서는, 블록 B48로부터의 지시 전류값이, 솔레노이드 구동 회로에 의해 실 전류(솔레노이드 전류 ISOL)로 변환된다.
그리고, 블록 B49로부터의 실 전류(솔레노이드 전류 ISOL)는, 리니어 솔레노이드 밸브(2)의 솔레노이드 코일(21)에 인가된다. 이때, 블록 B50에 있어서, 블록 B49로부터의 실 전류가 모니터되고, 블록 B48로부터의 지시 전류값에 필요한 피드백 보정이 가해진다.
상기 클러치압 보정 제어에 있어서, SOL 경시 열화 보정량을 산출하는 블록 B41에 있어서, 학습 보정량을, 고체 편차를 원인으로 하는 초기 학습량과, 제어 기구계의 사후적 열화를 원인으로 하는 경시 열화량으로 나누고, PS 학습 영역 보정량과 PS 초기 학습량의 차에 나타나는 경시 열화 진행도와 지시 전류값에 기초하여 SOL 경시 열화 보정량이 구해진다. 따라서, 제어 기구계에 발생하는 사후적 경시 열화의 영향을 해소할 수 있다.
또한, 히스테리시스 유압 보정량을 산출하는 블록 B42에 있어서, 풀 루프를 그리는 풀 히스테리시스 특성을 기준 맵으로서 갖고, 지시 전류를 풀 루프 범위 내의 도중 위치에서 반환하는 마이너 루프가 계속되고 있을 때, 기준 맵을 반환 위치에 따라서 축소한 축소 맵을 과거로부터 현 시점까지의 마이너 루프마다 복수 작성한다. 그리고, 동일한 지시 전류 위치에서 복수의 축소 맵에 의해 얻어지는 각 히스테리시스 유압 보정량의 총합에 의해, 최종의 히스테리시스 유압 보정량이 구해진다.
따라서, 리니어 솔레노이드 밸브(2)에의 솔레노이드 전류 ISOL의 반환 위치나 반환 횟수에 대응해서 히스테리시스 오차를 해소하는 히스테리시스 보정을 행할 수 있다.
또한, AT 유온에 대응하는 PS 학습량을 산출하는 블록 B43에 있어서, 검출되는 AT 유온 영역으로 나누어 PS 학습량을 기억해 두고, 검출되는 AT 유온을 반영한 설정 유온 영역에서의 학습 영역 SOL 경시 열화량이 산출되면, PS 학습량과 학습 영역 SOL 경시 열화량의 차에 의해 PS 학습량이 구해진다.
따라서, AT 유온의 변화(작동유의 점성 변화)에 의한 편차분을 해소하는 보정을 행할 수 있다.
[히스테리시스 유압 보정량 연산 작용]
실시예 1에서는, 상기 히스테리시스 유압의 발생 원칙의 3에 기재한 바와 같이, 마이너 루프의 히스테리시스 특성은, 풀 루프의 히스테리시스 특성을 전류 비율로 축소한 상사형이 되는 점에 착안하고, 이것을 활용해서 히스테리시스 유압 보정량을 추정 연산하는 방법을 채용하였다. 이하, 도 3 및 도 4에 도시하는 플로우차트와, 도 12 및 도 13에 도시하는 타임차트에 기초하여 히스테리시스 유압 보정량 연산 작용을 설명한다.
히스테리시스 유압 보정량 연산 작용을 설명함에 있어서, 도 12 및 도 13의 상부에 도시하는 바와 같이, 지시 전류가, 점 S(xs, ys)로부터 증압 특성을 따라 이동하고, 반환점1(x1, y1)로부터 마이너 루프에 들어간다. 그리고, 마이너 루프에 있어서, 반환점1(x1, y1)→반환점2(x2, y2)→반환점3(x3, y3)→반환점4(x4, y4)로 루프를 그려서 이동한다. 그리고, 반환점4(x4, y4)로부터 반환점3(x3, y3)을 경유하여, 풀 루프 상의 반환점1(x1, y1)으로 복귀되고, 그 후, 풀 루프를 따라서 상한값의 점 E(xe, ye)까지 이동하는 예에 기초하여 설명한다.
(1)점 S(xs, ys)→반환점1(x1, y1)
이 경우, 도 3의 플로우차트에 있어서, 스텝 S400→스텝 S401→스텝 S402→스텝 S403→스텝 S405→스텝 S416으로 진행하는 흐름이 반복된다.
이 점 S(xs, ys)→반환점1(x1, y1)의 영역에서는, 풀 히스테리시스 특성의 증압 특성과 동일하게 되기 때문에, 마이너 루프의 히스테리시스 유압 보정량이 제로이다.
따라서, 스텝 S416에서는, 솔레노이드압 PSOL의 최종적인 히스테리시스 유압 보정량이, 풀 루프의 뉴트럴 히스테리시스 보정량에 의해 산출된다.
(2) 반환점1(x1, y1)→반환점2(x2, y2)
우선, 도 3의 플로우차트에 있어서, 스텝 S400→스텝 S401→스텝 S402→스텝 S403→스텝 S405로 진행하고, 풀 루프의 뉴트럴 히스테리시스 보정량이 산출된다.
그리고, 스텝 S405로부터 마이너 루프의 보정량 연산 No1을 실행하는 스텝 S406-1로 진행한다. 스텝 S406-1에서는, 반환점1(x1, y1)에 도달한 시점에서 반환점1의 전류가 기억되면, 도 4의 플로우차트에 있어서, 스텝 S420→스텝 S422→스텝 S423→스텝 S425→스텝 S427→스텝 S428→스텝 S429→스텝 S430으로 진행한다. 스텝 S430에서는, 도 12(a)에 도시하는 바와 같이, 풀 루프의 기준 맵을, 반환점1(x1, y1)로부터 점 S(xs, ys)로 복귀되도록 축소시킨 축소 맵과, 전류 진행도에 기초하여, 마이너 루프에 있어서의 히스테리시스 보정량이 산출된다.
그리고, 도 3의 플로우차트에 있어서, 스텝 S406-1로부터 스텝 S407→스텝 S408→스텝 S409→스텝 S411→스텝 S412→스텝 S413→스텝 S415→스텝 S416으로 진행하는 흐름이 반복된다.
이 반환점1(x1, y1)→반환점2(x2, y2)의 영역에서는, 마이너 루프의 히스테리시스 유압 보정량이, 1번째의 마이너 루프에 있어서의 히스테리시스 보정량이 된다.
따라서, 스텝 S416에서는, 솔레노이드압 PSOL의 최종적인 히스테리시스 유압 보정량이, 동일한 전류 진행도의 위치에 있어서의 풀 루프의 뉴트럴 히스테리시스 보정량과, 1번째의 마이너 루프에 있어서의 히스테리시스 보정량의 합산에 의해 산출된다.
(3) 반환점2(x2, y2)→반환점3(x3, y3)
우선, 도 3의 플로우차트에 있어서, 스텝 S400→스텝 S401→스텝 S402→스텝 S403→스텝 S405로 진행하고, 풀 루프의 뉴트럴 히스테리시스 보정량이 산출된다.
그리고, 스텝 S405로부터 마이너 루프의 보정량 연산 No1을 실행하는 스텝 S406-1과, 마이너 루프의 보정량 연산 No2를 실행하는 스텝 S406-2로 진행한다. 스텝 S406-2에서는, 반환점2(x2, y2)에 도달한 시점에서 반환점2의 전류가 기억되면, 도 4의 플로우차트에 있어서, 스텝 S420→스텝 S422→스텝 S424→스텝 S427→스텝 S428→스텝 S429→스텝 S430으로 진행한다. 스텝 S430에서는, 도 12(b)에 도시하는 바와 같이, 반환점2(x2, y2)의 쌍을 반환점1(x1, y1)으로 하고, 풀 루프의 기준 맵을, 반환점2(x2, y2)로부터 반환점1(x1, y1)로 복귀되도록 축소시킨 축소 맵과, 전류 진행도에 기초하여, 마이너 루프에 있어서의 히스테리시스 보정량이 산출된다.
그리고, 도 3의 플로우차트에 있어서, 스텝 S406-1, 스텝 S406-2로부터, 스텝 S407→스텝 S408→스텝 S409→스텝 S411→스텝 S412→스텝 S413→스텝 S415→스텝 S416으로 진행하는 흐름이 반복된다.
이 반환점2(x2, y2)→반환점3(x3, y3)의 영역에서는, 마이너 루프의 히스테리시스 유압 보정량이, 1번째의 마이너 루프에 있어서의 히스테리시스 보정량(마이너스 방향)과, 2번째의 마이너 루프에 있어서의 히스테리시스 보정량(플러스 방향)이 된다.
따라서, 스텝 S416에서는, 솔레노이드압 PSOL의 최종적인 히스테리시스 유압 보정량이, 동일한 전류 진행도의 위치에 있어서의 풀 루프의 뉴트럴 히스테리시스 보정량과, 1번째의 마이너 루프에 있어서의 히스테리시스 보정량과, 2번째의 마이너 루프에 있어서의 히스테리시스 보정량의 합산에 의해 산출된다.
(4) 반환점3(x3, y3)→반환점4(x4, y4)
우선, 도 3의 플로우차트에 있어서, 스텝 S400→스텝 S401→스텝 S402→스텝 S403→스텝 S405로 진행하고, 풀 루프의 뉴트럴 히스테리시스 보정량이 산출된다.
그리고, 스텝 S405로부터 마이너 루프의 보정량 연산 No1을 실행하는 스텝 S406-1과, 마이너 루프의 보정량 연산 No2를 실행하는 스텝 S406-2와, 마이너 루프의 보정량 연산 No3을 실행하는 스텝 S406-3으로 진행한다. 스텝 S406-3에서는, 반환점3(x3, y3)에 도달한 시점에서 반환점3의 전류가 기억되면, 도 4의 플로우차트에 있어서, 스텝 S420→스텝 S422→스텝 S424→스텝 S427→스텝 S428→스텝 S429→스텝 S430으로 진행한다. 스텝 S430에서는, 도 12(c)에 도시하는 바와 같이, 반환점3(x3, y3)의 쌍을 반환점2(x2, y2)으로 하고, 풀 루프의 기준 맵을, 반환점3(x3, y3)으로부터 반환점2(x2, y2)로 복귀되도록 축소시킨 축소 맵과, 전류 진행도에 기초하여, 마이너 루프에 있어서의 히스테리시스 보정량이 산출된다. 그리고, 도 3의 플로우차트에 있어서, 스텝 S406-1, 스텝 S406-2, 스텝 S406-3으로부터, 스텝 S407→스텝 S408→스텝 S409→스텝 S411→스텝 S412→스텝 S413→스텝 S415→스텝 S416으로 진행하는 흐름이 반복된다.
이 반환점3(x3, y3)→반환점4(x4, y4)의 영역에서는, 마이너 루프의 히스테리시스 유압 보정량이, 1번째의 마이너 루프에 있어서의 히스테리시스 보정량(마이너스 방향)과, 2번째의 마이너 루프에 있어서의 히스테리시스 보정량(플러스 방향)과, 3번째의 마이너 루프에 있어서의 히스테리시스 보정량(마이너스 방향)이 된다.
따라서, 스텝 S416에서는, 솔레노이드압 PSOL의 최종적인 히스테리시스 유압 보정량이, 동일한 전류 진행도의 위치에 있어서의 풀 루프의 뉴트럴 히스테리시스 보정량과, 1번째의 마이너 루프에 있어서의 히스테리시스 보정량과, 2번째의 마이너 루프에 있어서의 히스테리시스 보정량과, 3번째의 마이너 루프에 있어서의 히스테리시스 보정량의 합산에 의해 산출된다.
(5) 반환점4(x4, y4)→반환점3(x3, y3)
우선, 도 3의 플로우차트에 있어서, 스텝 S400→스텝 S401→스텝 S402→스텝 S403→스텝 S405로 진행하고, 풀 루프의 뉴트럴 히스테리시스 보정량이 산출된다.
그리고, 스텝 S405로부터 마이너 루프의 보정량 연산 No1을 실행하는 스텝 S406-1과, 마이너 루프의 보정량 연산 No2를 실행하는 스텝 S406-2와, 마이너 루프의 보정량 연산 No3을 실행하는 스텝 S406-3과, 마이너 루프의 보정량 연산 No3을 실행하는 스텝 S406-4로 진행한다. 스텝 S406-4에서는, 반환점4(x4, y4)에 도달한 시점에서 반환점4의 전류가 기억되면, 도 4의 플로우차트에 있어서, 스텝 S420→스텝 S422→스텝 S424→스텝 S427→스텝 S428→스텝 S429→스텝 S430으로 진행한다. 스텝 S430에서는, 도 13(d)에 도시하는 바와 같이, 반환점4(x4, y4)의 쌍을 반환점3(x3, y3)으로 하고, 풀 루프의 기준 맵을, 반환점4(x4, y4)로부터 반환점3(x3, y3)으로 복귀되도록 축소시킨 축소 맵과, 전류 진행도에 기초하여, 마이너 루프에 있어서의 히스테리시스 보정량이 산출된다.
그리고, 도 3의 플로우차트에 있어서, 스텝 S406-1, 스텝 S406-2, 스텝 S406-3, 스텝 S406-4로부터, 스텝 S407→스텝 S408→스텝 S409→스텝 S411→스텝 S412→스텝 S413→스텝 S415→스텝 S416으로 진행하는 흐름이 반복된다.
이 반환점4(x4, y4)→반환점3(x3, y3)의 영역에서는, 마이너 루프의 히스테리시스 유압 보정량이, 1번째의 마이너 루프에 있어서의 히스테리시스 보정량(마이너스 방향)과, 2번째의 마이너 루프에 있어서의 히스테리시스 보정량(플러스 방향)과, 3번째의 마이너 루프에 있어서의 히스테리시스 보정량(마이너스 방향)과, 4번째의 마이너 루프에 있어서의 히스테리시스 보정량(플러스 방향)이 된다.
따라서, 스텝 S416에서는, 솔레노이드압 PSOL의 최종적인 히스테리시스 유압 보정량이, 동일한 전류 진행도의 위치에 있어서의 풀 루프의 뉴트럴 히스테리시스 보정량과, 1번째의 마이너 루프에 있어서의 히스테리시스 보정량과, 2번째의 마이너 루프에 있어서의 히스테리시스 보정량과, 3번째의 마이너 루프에 있어서의 히스테리시스 보정량과, 4번째의 마이너 루프에 있어서의 히스테리시스 보정량의 합산에 의해 산출된다.
또한, 반환점3(x3, y3)으로 복귀되어 풀 루프 방향으로 이동하면(마이너 루프를 빠져나오면), 반환점3(x3, y3)과 반환점4(x4, y4)의 메모리는 소거되고, 이 반환점3, 4의 소거에 의해, 도 13(e)에 도시하는 바와 같이, 반환점3, 4를 사용한 축소 맵도 소거된다.
(6) 반환점3(x3, y3)→반환점1(x1, y1)
우선, 도 3의 플로우차트에 있어서, 스텝 S400→스텝 S401→스텝 S402→스텝 S403→스텝 S405로 진행하고, 풀 루프의 뉴트럴 히스테리시스 보정량이 산출된다.
그리고, 반환점3, 4의 소거에 의해, 반환점의 메모리는 반환점1, 2만으로 되고, 상기 (3)과 동일한 상태로 된다. 따라서, 스텝 S405로부터 마이너 루프의 보정량 연산 No1을 실행하는 스텝 S406-1과, 마이너 루프의 보정량 연산 No2를 실행하는 스텝 S406-2로 진행한다. 스텝 S406-2에서는, 도 4의 플로우차트에 있어서, 스텝 S420→스텝 S422→스텝 S424→스텝 S427→스텝 S428→스텝 S429→스텝 S430으로 진행한다. 스텝 S430에서는, 도 13(e)에 도시하는 바와 같이, 반환점2(x2, y2)의 쌍을 반환점1(x1, y1)로 하고, 풀 루프의 기준 맵을, 반환점2(x2, y2)로부터 반환점1(x1, y1)로 복귀되도록 축소시킨 축소 맵과, 전류 진행도에 기초하여, 마이너 루프에 있어서의 히스테리시스 보정량이 산출된다.
그리고, 도 3의 플로우차트에 있어서, 스텝 S406-1, 스텝 S406-2로부터, 스텝 S407→스텝 S408→스텝 S409→스텝 S411→스텝 S412→스텝 S413→스텝 S415→스텝 S416으로 진행하는 흐름이 반복된다.
이 반환점3(x3, y3)→반환점1(x1, y1)의 영역에서는, 마이너 루프의 히스테리시스 유압 보정량이, 1번째의 마이너 루프에 있어서의 히스테리시스 보정량(마이너스 방향)과, 2번째의 마이너 루프에 있어서의 히스테리시스 보정량(플러스 방향)이 된다.
따라서, 스텝 S416에서는, 솔레노이드압 PSOL의 최종적인 히스테리시스 유압 보정량이, 동일한 전류 진행도의 위치에 있어서의 풀 루프의 뉴트럴 히스테리시스 보정량과, 1번째의 마이너 루프에 있어서의 히스테리시스 보정량과, 2번째의 마이너 루프에 있어서의 히스테리시스 보정량의 합산에 의해 산출된다.
또한, 반환점1을 초과하면, 반환점1(x1, y1)과 반환점2(x2, y2)의 메모리는 소거되고, 이 반환점1, 2의 소거에 의해, 반환점1, 2, 3, 4를 사용한 모든 축소 맵이 소거된다.
(7) 반환점1(x1, y1)→점 E(xe, ye)
이 경우, 도 3의 플로우차트에 있어서, 스텝 S400→스텝 S401→스텝 S402→스텝 S403→스텝 S405→스텝 S416으로 진행하는 흐름이 반복된다.
이 반환점1(x1, y1)→점 E(xe, ye)의 영역에서는, 상기 (1)의 경우와 마찬가지로, 풀 히스테리시스 특성의 증압 특성과 동일하게 되기 때문에, 마이너 루프의 히스 유압 보정량이 제로이다.
따라서, 스텝 S416에서는, 솔레노이드압 PSOL의 최종적인 히스테리시스 유압 보정량이, 풀 루프의 뉴트럴 히스테리시스 보정량에 의해 산출된다.
또한, 점 E(xe, ye)로부터 감압 방향으로 구동 전류를 저하시키는 도중에 있어서, 마이너 루프가 계속해서 형성되는 경우도, 상기와 마찬가지로 솔레노이드압 PSOL의 최종적인 히스테리시스 유압 보정량이 산출된다.
이상 설명한 바와 같이, 실시예 1에서는, 마이너 루프가 계속되고 있을 때, 기준 맵을 반환점에 따라서 축소한 축소 맵을 복수 작성하고, 동일한 지시 전류 위치에서 복수의 축소 맵에 의해 얻어지는 각 히스테리시스 유압 보정량의 총합에 의해, 최종의 히스테리시스 유압 보정량을 연산하는 구성을 채용하였다.
즉, 마이너 루프 시, 반환점에 따라서 축소한 축소 맵에 의해 히스테리시스 유압 보정량을 얻도록 하고 있다. 따라서, 리니어 솔레노이드 밸브(2)에의 지시 전류의 반환 위치(사용 유압 영역)에 의해 히스테리시스량이 상이하다고 하는 히스테리시스 특성에 대응하여, 히스테리시스 오차가 해소된다. 그리고, 마이너 루프가 계속되고 있을 때, 동일한 지시 전류 위치에서, 복수의 축소 맵에 의해 얻어지는 각 히스테리시스 유압 보정량의 총합에 의해, 최종의 히스테리시스 유압 보정량을 얻도록 하고 있다. 따라서, 마이너 루프가 계속되고 있을 때, 반환 횟수의 증가에 따라서 히스테리시스 유압 보정량의 편차분이 누적되는 일이 없어, 히스테리시스 유압 보정량이 높은 연산 정밀도가 확보된다.
실시예 1에서는, 지시 전류를 최소값으로부터 최대값까지 변화시켰을 때의 증압 특성과, 지시 전류를 최대값으로부터 최소값까지 변화시켰을 때의 감압 특성으로 이루어지는 유압 변화 특성에 대한 히스테리시스를 나타내는 풀 히스테리시스 특성을 기준 맵으로서 갖는다(도 5). 그리고, 마이너 루프 시, 금회의 반환점으로부터 다음의 반환점까지의 반환 지시 전류 폭을 정하고, 최대 전류 폭에 대한 반환 지시 전류 폭의 비인 전류 비율에 따라서 기준 맵을 축소하고, 축소 맵을 작성한다(도 9).
즉, 마이너 루프의 히스테리시스 특성은, 풀 루프의 히스테리시스 특성을 전류 비율로 축소한 상사형이 된다고 하는 히스테리시스 유압의 발생 원칙에 따라서, 마이너 루프의 축소 맵이 정밀도 좋게 작성되게 된다.
따라서, 기준 맵을 1개 기억 설정해 두기만 하면 메모리 부하를 작게 억제하면서, 정밀도 좋은 마이너 루프에서의 히스테리시스 유압 보정량을 취득할 수 있다.
실시예 1에서는, 풀 히스테리시스 특성에 의한 기준 맵 중, 유압 상승측 특성과 유압 하강측 특성의 중앙 특성을 목표 특성으로 하고, 목표 특성에 대한 히스테리시스 유압 보정량을 연산하는 구성을 채용하였다.
즉, 지시 전류가 증압 특성에서 상승해 갈 때의 비스 유압 보정량과, 지시 전류가 감압 특성에서 하강해 갈 때의 히스테리시스 유압 보정량이 모두 편측 히스테리시스분만큼으로 된다.
따라서, 증압 특성 혹은 감압 특성으로부터 마이너 루프를 개시해도, 플러스/마이너스의 부호를 바꾸기만 하면 마이너 루프의 히스테리시스 유압 보정량이 얻어지는 것처럼, 목적으로 하는 목표 특성에 대한 히스테리시스 유압 보정량의 연산 처리를 간단하게 할 수 있다.
[반환점 기억 제어 작용]
실시예 1에서는, 반환점 메모리의 증가를 억제하고, 적은 메모리 수로 마이너 루프가 계속되는 경우에 대응할 수 있도록 하기 위해서, 다음의 3가지의 방법을 채용하였다. 첫째로, 마이너 루프 내에 다시 루프를 만드는 형태로, 이미 기억한 반환점 메모리 부근에서 새롭게 반환한 경우, 메모리하지 않는다(메모리 금지). 둘째로, 상기 발생 원칙 1에 기초하여, 마이너 루프로부터 루프 밖으로 나온 경우, 마이너 루프의 반환점 메모리는 불필요하기 때문에, 상하의 메모리 양쪽 모두 소거한다(자신의 메모리+쌍 메모리의 리셋). 셋째로, 상기 발생 원칙 2에 기초하여, 풀 루프의 반환점으로 복귀된 후, 풀 루프를 따라 히스테리시스 보정 전류 범위 밖까지 이동하면 모든 반환점 메모리를 소거한다(올 메모리 리셋). 이하, 반환점의 메모리 작용, 자신의 메모리+쌍 메모리의 리셋 작용, 올 메모리 리셋 작용, 메모리 금지 작용을 설명한다.
반환점 기억 제어 작용을 설명함에 있어서, 도 12 및 도 13의 상부에 도시하는 바와 같이, 지시 전류가, 점 S(xs, ys)로부터 증압 특성을 따라 이동하고, 반환점1(x1, y1)으로부터 마이너 루프에 들어간다. 그리고, 마이너 루프에 있어서, 반환점1(x1, y1)→반환점2(x2, y2)→반환점3(x3, y3)→반환점4(x4, y4)로 루프를 그려서 이동한다. 그리고, 반환점4(x4, y4)로부터 반환점3(x3, y3)을 경유하여, 풀 루프 상의 반환점1(x1, y1)로 복귀되고, 그 후, 풀 루프를 따라 상한값의 점 E(xe, ye)까지 이동하는 예에 기초하여 설명한다.
(1) 반환점의 메모리 작용점
점 S(xs, ys)로부터 증압 특성을 따라 이동하고, 반환점1(x1, y1)로부터 마이너 루프에 들어가면, 도 6의 플로우차트에 있어서, 스텝 S440→스텝 S441→스텝 S442→스텝 S445→스텝 S446→스텝 S447로 진행한다. 그리고, 스텝 S447에서는, 반환점1(x1, y1)의 전류값과 반환 방향의 정보를 기억하고, 스텝 S445→스텝 S446→스텝 S447→스텝 S448로 진행하는 흐름이 반복된다. 그리고, 반환점1(x1, y1)로부터 반환점2(x2, y2)로 이동하면, 도 6의 플로우차트에 있어서, 스텝 S440→스텝 S441→스텝 S443→스텝 S444→스텝 S445→스텝 S446→스텝 S447로 진행한다. 그리고, 스텝 S447에서는, 반환점2(x2, y2)의 전류값과 반환 방향의 정보를 기억하고, 스텝 S445→스텝 S446→스텝 S447→스텝 S448로 진행하는 흐름이 반복된다.
그리고, 반환점2(x2, y2)로부터 반환점3(x3, y3)으로 이동하면, 도 6의 플로우차트에 있어서, 스텝 S440→스텝 S441→스텝 S442→스텝 S445→스텝 S446→스텝 S447로 진행한다. 그리고, 스텝 S447에서는, 반환점3(x3, y3)의 전류값과 반환 방향의 정보를 기억하고, 스텝 S445→스텝 S446→스텝 S447→스텝 S448로 진행하는 흐름이 반복된다.
그리고, 반환점3(x3, y3)으로부터 반환점4(x4, y4)로 이동하면, 도 6의 플로우차트에 있어서, 스텝 S440→스텝 S441→스텝 S443→스텝 S444→스텝 S445→스텝 S446→스텝 S447로 진행한다. 그리고, 스텝 S447에서는, 반환점4(x4, y4)의 전류값과 반환 방향의 정보를 기억하고, 스텝 S445→스텝 S446→스텝 S447→스텝 S448로 진행하는 흐름이 반복된다.
즉, 마이너 루프의 반환점1(x1, y1), 반환점2(x2, y2), 반환점3(x3, y3), 반환점4(x4, y4)와 같이, 반환 판정 시의 전류값이 추가 기억 금지 전류 범위 외인 경우에는, 각 반환점1, 2, 3, 4의 전류값과 반환 방향의 정보가 기억된다. 그리고, 이 반환점 정보를 기억할 때, 스텝 S448에서는, 도 7의 플로우차트에 따라서, 추가 기억 금지 전류 범위가 결정된다. 이 추가 기억 금지 전류 범위는, 나머지의 전류 폭과 남은 메모리 수에 의해 연산된다. 예를 들어, 전체 메모리 수를 20개로 한 경우, 반환점2(x2, y2)의 메모리 저장 시에는, 나머지의 전류 폭이 반환점1과 반환점2의 전류 폭으로 되고, 남은 메모리 수가 18개(반환점1과 반환점2의 2개의 반환점 정보가 2개의 메모리에 이미 저장)로 된다.
(2) 자신의 메모리+쌍 메모리의 리셋 작용
반환점4(x4, y4)로부터 반환점3(x3, y3)으로 복귀하여 마이너 루프를 빠져나가면, 도 6의 플로우차트에 있어서, 스텝 S440→스텝 S441→스텝 S443→스텝 S452→스텝 S454→스텝 S455→스텝 S456→스텝 S458→스텝 S447로 진행한다. 그리고, 스텝 S447에서는, 이미 기억하고 있는 반환점3(x3, y3)과 반환점4(x4, y4)의 전류값과 반환 방향의 정보의 기억이 소거된다.
즉, 반환점4로부터 반환점3으로 복귀되어 마이너 루프를 빠져나감으로써, 히스테리시스 유압의 발생 원칙 1에 따라서, 반환점1, 2에 의한 마이너 루프의 내측에 형성되는 반환점3, 4에 의한 마이너 루프로부터 이탈하고, 반환점3, 4의 내측에 다시 마이너 루프를 형성하는 일이 없다. 바꾸어 말하면, 마이너 루프로부터의 이탈에 의해, 이제부터 반환점3, 4의 반환 정보를 사용하는 일이 없다고 해서, 반환점3, 4의 기억이 소거된다.
(3) 올 메모리 리셋 작용
반환점3(x3, y3)으로부터 반환점1(x1, y1)로 복귀되고, 풀 루프 상을 점 E(xe, ye)를 향해서 이동하고, 현재의 전류값이 히스테리시스 보정 전류 범위 외로 되면, 도 6의 플로우차트에 있어서, 스텝 S440→스텝 S441→스텝 S443→스텝 S452→스텝 S453→스텝 S447로 진행한다. 그리고, 스텝 S447에서는, 기억되어 있는 반환점의 전류값과 반환 방향의 정보의 기억이 소거된다.
즉, 반환점3으로부터 풀 루프 상의 반환점1로 복귀되면, 히스테리시스 유압의 발생 원칙 2에 따라서, 정특성(증압 특성)을 따라 유압이 변화된다. 그 후, 반환점1을 초과하여 히스테리시스 보정 전류 범위 외로 되면, 기억되어 있는 반환점이 소거된다. 이것은, 과거의 반환점(예를 들어, 반환점1)을 초과한 것을 가지고 과거의 반환점(예를 들어, 반환점1) 및 쌍이 되는 반환점(예를 들어, 반환점2)을 소거하고 있기 때문에, 예를 들어, 점 E로부터 지시 전류를 감소시키고, 반환점5(점 S보다 큰 지시 전류)에서 반환하여 점 E로 복귀되는 경우, 지시 전류가 점 E에 대응하는 전류값을 초과하는 일이 없어, 점 E 및 반환점5는 소거되지 않게 된다. 이것에 의한 메모리의 소비 증가를 방지하기 위해서, 지시 전류가 히스테리시스 보정 전류 범위 외(예를 들어, 5㎃>지시 전류, 795㎃<지시 전류)로 되면, 기억되어 있는 반환점을 소거한다. 또한, 점 S로부터 지시 전류를 증가시키고, 반환점5에서 반환하여 점 S로 복귀되는 경우도 마찬가지이다. 따라서, 히스테리시스 보정 전류 범위는 점 S 및 점 E로부터 소정 전류 폭을 가지고 설정되어 있다.
(4) 메모리 금지 작용
반환점1로부터 마이너 루프에 들어가고, 반환점2로 이동한 후, 도 14의 D에 도시하는 바와 같이, 추가 기억 금지 전류 범위에서 미소 전류 반환을 행하는 경우, 도 6의 플로우차트에 있어서, 스텝 S440→스텝 S441→스텝 S442→스텝 S445→스텝 S449→스텝 S450→스텝 S451→스텝 S447로 진행한다. 또는, 스텝 S440→스텝 S441→스텝 S443→스텝 S444→스텝 S445→스텝 S449→스텝 S450→스텝 S451→스텝 S447로 진행한다. 그리고, 스텝 S447에서는, 미소 전류 반환점의 전류값과 반환 방향의 정보의 기억이 금지된다.
반환점1로부터 마이너 루프에 들어가고, 반환점2로 이동한 후, 도 15의 E에 도시하는 바와 같이, 추가 기억 금지 전류 범위에서 Fall 반환을 행하는 경우, 도 6의 플로우차트에 있어서, 스텝 S440→스텝 S441→스텝 S442→스텝 S445→스텝 S449→스텝 S451→스텝 S447로 진행한다. 그리고, 스텝 S447에서는, 추가 기억 금지 전류 범위에서의 Fall 반환점의 전류값과 반환 방향의 정보의 기억이 금지된다. 또한, 도 15의 F에 도시하는 바와 같이, 추가 기억 금지 전류 범위에서 Rise 반환을 행하는 경우, 도 6의 플로우차트에 있어서, 스텝 S440→스텝 S441→스텝 S443→스텝 S444→스텝 S445→스텝 S449→스텝 S450→스텝 S451→스텝 S447로 진행한다. 그리고, 스텝 S447에서는, 추가 기억 금지 전류 범위에서 Rise 반환점의 전류값과 반환 방향의 정보의 기억이 금지된다.
즉, 미소 전류 반환이 계속되는 경우나, 이미 기억되어 있는 반환점 메모리에 가까운 범위에서 반환이 있었던 경우에 있어서는, 반환점 메모리의 추가 기억이 금지된다.
이상 설명한 바와 같이, 실시예 1에서는, 마이너 루프가 계속되고 있을 때, 전회의 반환점 전류값과 금회의 반환점 전류값의 차가 소정값 미만인 경우, 금회의 반환점 정보의 추가 기억을 금지한다(도 6의 스텝 S449 내지 스텝 S451).
즉, 이미 기억하고 있는 반환점 메모리에 가까운 범위에서 미소 전류 반환이 계속되는 경우나 반환이 있었던 경우에 있어서도, 모든 반환점을 기억하도록 한 경우에는, 미리 준비해 두는 메모리 수가 방대하게 된다.
이에 대해, 이들의 경우에는, 반환점 메모리의 추가 기억을 금지하기 위해서, 준비해 두는 메모리 수를 삭감할 수 있다.
실시예 1에서는, 소정값을, 반환 방향마다 기억되어 있는 최신의 반환점 전류 기억값으로부터 나머지의 전류 폭을 연산하고, 나머지의 전류 폭을 남은 메모리 수에 1을 더한 값으로 제산한 추가 기억 금지 전류 범위로 하나(도 6의 스텝 S448, 도 7).
즉, 추가 기억 금지 전류 범위인 소정값을, 일정값에 의해 부여한 경우에는, 반환점 메모리를 위해 준비한 메모리 수가, 부족하거나 과잉으로 되거나 하는 일이 있다.
이에 대해, 추가 기억 금지 전류 범위인 소정값을, 나머지의 전류 폭과 남은 메모리 수에 의해 정하고 있으므로, 반환점 메모리를 위해 준비한 메모리 수가, 부족하거나 과잉으로 되거나 하는 일이 없어, 복수회에 걸쳐 마이너 루프가 형성되는 경우도 히스테리시스 유압 보정량의 연산을 행할 수 있다.
실시예 1에서는, 마이너 루프가 계속되고 있을 때, 기억 정보를 갖는 과거의 반환점으로 복귀된 후, 마이너 루프를 빠져나온 경우, 상기 과거의 반환점과 쌍인 반환점의 기억 정보를 소거한다(도 6의 스텝 S454 내지 스텝 S458).
따라서, 마이너 루프의 히스테리시스 유압 보정량의 연산에 지장을 주지않고, 반환점 메모리를 위해 준비해 두는 메모리 수의 증대를 억제할 수 있다.
실시예 1에서는, 마이너 루프가 계속되고, 풀 히스테리시스 특성에 의한 루프 상의 최초의 반환점으로 복귀된 후, 현재의 전류값이 히스테리시스 보정 전류 범위 외로 된 경우, 마이너 루프의 반환점 기억 정보를 모두 소거한다(도 6의 스텝 S452 내지 스텝 S453).
따라서, 다음에 마이너 루프에 들어갔을 때의 히스테리시스 유압 보정량의 연산에 대비하여, 준비한 메모리 수의 전부를 반환점 메모리를 위해 대기시켜 둘 수 있다.
다음에, 효과를 설명한다.
실시예 1의 유압 제어 장치에 있어서는, 하기에 열거하는 효과를 얻을 수 있다.
(1) 지시 전류(솔레노이드 전류 ISOL)에 따라서 개방도가 조정되고, 유압을 증가 혹은 감소 중 어느 한쪽으로 제어하는 전자기 밸브(리니어 솔레노이드 밸브(2))와,
상기 지시 전류의 증가 방향과 감소 방향에서의 지시 전류에 대한 출력 유압(솔레노이드압 PSOL)의 히스테리시스 특성에 의해 정해지는 히스테리시스 유압 보정량을 연산하는 히스테리시스 유압 보정량 연산 수단(도 3, 도 4)과,
상기 히스테리시스 유압 보정량을 고려하여, 상기 출력 유압이 목표 출력 유압이 되도록 상기 지시 전류를 제어하는 지시 전류 제어 수단(클러치압 보정 제어부(40))를 구비한 유압 제어 장치에 있어서,
상기 히스테리시스 유압 보정량 연산 수단(도 3, 도 4)은, 상기 지시 전류를 최소값으로부터 최대값까지 변화시켰을 때의 증압 특성과, 상기 지시 전류를 최대값으로부터 최소값까지 변화시켰을 때의 감압 특성으로 이루어지는 유압 변화 특성에 대한 히스테리시스를 나타내는 풀 히스테리시스 특성을 기준 맵으로서 갖고, 상기 지시 전류를 상기 유압 변화 특성 범위 내의 도중 위치에서 반환하는 마이너 루프가 계속되고 있을 때, 상기 기준 맵을 반환 위치에 따라서 축소한 축소 맵을 과거로부터 현 시점까지의 마이너 루프마다 복수 작성하고, 동일한 지시 전류 위치에서 상기 복수의 축소 맵에 의해 얻어지는 각 히스테리시스 유압 보정량의 총합에 의해, 상기 히스테리시스 유압 보정량을 연산한다.
이 때문에, 전자기 밸브(리니어 솔레노이드 밸브(2))에의 지시 전류의 반환 위치나 반환 횟수에 대응하는 히스테리시스 오차 보정을 행함으로써, 유압 제어 정밀도의 향상을 도모할 수 있다. 특히, 마이너 루프가 계속되는 마찰 요소의 슬립 체결 제어를 행하는 전자기 밸브의 유압 제어에 있어서 유효하다.
(2) 상기 히스테리시스 유압 보정량 연산 수단(도 3, 도 4)은, 상기 지시 전류를 상기 유압 변화 특성 범위 내의 도중 위치에서 반환하는 마이너 루프 시, 금회의 반환점으로부터 다음의 반환점까지의 반환 지시 전류 폭을 정하고, 상기 유압 변화 특성의 전류 폭에 대한 상기 반환 지시 전류 폭의 비인 전류 비율에 따라서 상기 기준 맵을 축소하고, 축소 맵을 작성한다(도 9).
이 때문에, (1)의 효과에 부가하여, 기준 맵을 1개 기억 설정해 두기만 하면 메모리 부하를 작게 억제하면서, 정밀도 좋은 마이너 루프에서의 히스테리시스 유압 보정량을 취득할 수 있다.
(3) 상기 히스테리시스 유압 보정량 연산 수단(도 3, 도 4)은, 풀 히스테리시스 특성에 의한 기준 맵 중, 유압 상승측 특성과 유압 하강측 특성의 중앙 특성을 목표 특성으로 하고, 상기 목표 특성에 대한 히스 유압 보정량을 연산한다(도 10).
이 때문에, (1) 또는 (2)의 효과에 부가하여, 증압 특성 혹은 감압 특성으로부터 마이너 루프를 개시해도, 플러스/마이너스의 부호를 바꾸기만 하면 마이너 루프의 히스테리시스 유압 보정량이 얻어지는 것처럼, 목적으로 하는 목표 특성에 대한 히스테리시스 유압 보정량의 연산 처리를 간단하게 할 수 있다.
(4) 상기 히스테리시스 유압 보정량 연산 수단(도 3, 도 4)은, 상기 지시 전류를 상기 유압 변화 특성 범위 내의 도중 위치에서 반환하는 마이너 루프가 계속되고 있을 때, 전회의 반환점 전류값과 금회의 반환점 전류값의 차가 소정값 미만인 경우, 금회의 반환점 정보의 추가 기억을 금지하는 반환점 기억 제어부(도 6, 도 7)를 갖는다(도 6의 스텝 S449 내지 스텝 S451).
이 때문에, (1) 내지 (3)의 효과에 부가하여, 이미 기억하고 있는 반환점 메모리에 가까운 범위에서 미소 전류 반환이 계속되는 경우나 반환이 있었던 경우, 반환점 메모리의 추가 기억을 금지하기 위해서, 준비해 두는 메모리 수를 삭감할 수 있다.
(5) 상기 반환점 기억 제어부(도 6, 도 7)는, 상기 소정값을, 반환 방향마다 기억되어 있는 최신의 반환점 전류 기억값으로부터 나머지의 전류 폭을 연산하고, 상기 나머지의 전류 폭을 남은 메모리 수에 1을 더한 값으로 제산한 값을 추가 기억 금지 전류 범위로 한다(도 6의 스텝 S448, 도 7).
이 때문에, 상기 (4)의 효과에 부가하여, 반환점 메모리를 위해 준비한 메모리 수가, 부족하거나 과잉으로 되거나 하는 일이 없어, 복수회에 걸쳐 마이너 루프가 형성되는 경우도 히스테리시스 유압 보정량의 연산을 행할 수 있다.
(6) 상기 반환점 기억 제어부(도 6, 도 7)는, 상기 지시 전류를 상기 유압 변화 특성 범위 내의 도중 위치에서 반환하는 마이너 루프가 계속되고 있을 때, 기억 정보를 갖는 과거의 반환점으로 복귀되어 상기 마이너 루프를 빠져나온 경우, 상기 과거의 반환점과 쌍인 반환점의 기억 정보를 소거한다(도 6의 스텝 S454 내지 스텝 S458).
이 때문에, 상기 (4) 또는 (5)의 효과에 부가하여, 마이너 루프의 히스테리시스 유압 보정량의 연산에 지장을 주지않고, 반환점 메모리를 위해 준비해 두는 메모리 수의 증대를 억제할 수 있다.
(7) 상기 반환점 기억 제어부(도 6, 도 7)는, 상기 지시 전류가 히스테리시스 보정 전류 범위 외로 된 경우, 마이너 루프의 반환점 기억 정보를 모두 소거한다(도 6 스텝 S452 내지 스텝 S453).
이 때문에, 상기 (4) 내지 (6)의 효과에 부가하여, 다음에 마이너 루프에 들어갔을 때의 히스테리시스 유압 보정량의 연산에 대비하여, 준비한 메모리 수의 전부를 반환점 메모리를 위해 대기시켜 둘 수 있다.
이상, 본 발명의 유압 제어 장치를 실시예 1에 기초하여 설명하였지만, 구체적인 구성에 대해서는, 이 실시예 1에 한정되는 것이 아니고, 특허청구의 범위의 각 청구항에 따른 발명의 요지를 일탈하지 않는 한, 설계의 변경이나 추가 등은 허용된다.
실시예 1에서는, 풀 히스테리시스 특성에 의한 기준 맵의 중앙 특성을 목표 특성으로 하는 예를 나타냈다. 그러나, 점 S와 점 E를 직선으로 연결하는 특성을 목표 특성으로 하는 예, 혹은, 풀 히스테리시스 특성에 의한 기준 맵의 증압 특성을 목표 특성으로 하는 예, 혹은, 풀 히스테리시스 특성에 의한 기준 맵의 감압 특성을 목표 특성으로 하는 예로 해도 된다.
실시예 1에서는, 지시 전류가 커질수록 비례적으로 유압이 상승하는 노멀 로우형의 리니어 솔레노이드 밸브를 사용한 유압 제어 장치에의 적용예를 나타냈지만, 지시 전류가 제로에서 최대 유압을 발생하고, 지시 전류가 커질수록 비례적으로 유압이 하강하는 노멀 하이형의 리니어 솔레노이드 밸브를 사용한 유압 제어 장치에 대해서도 적용할 수 있다.
또한, 실시예 1에서는, 차량용 자동 변속기의 마찰 체결 요소압을 제어하는 유압 제어 장치에의 적용예를 나타냈지만, 정밀도가 높은 유압 제어가 요구되는 다양한 대상에 적용할 수 있다.
1 : 마찰 체결 요소
2 : 리니어 솔레노이드 밸브(전자기 밸브)
3 : 컨트롤 밸브
4 : 자동 변속기 컨트롤 유닛
40 : 클러치압 보정 제어부(지시 전류 제어 수단)
PC : 체결 요소압
PP : 파일럿압
ISOL : 솔레노이드 전류(지시 전류)
PSOL : 솔레노이드 압(출력 유압)

Claims (19)

  1. 지시 전류에 따라서 개방도가 조정되고, 유압을 증가 혹은 감소 중 어느 한쪽으로 제어하는 전자기 밸브와,
    상기 지시 전류의 증가 방향과 감소 방향에서의 지시 전류에 대한 출력 유압의 히스테리시스 특성에 의해 정해지는 히스테리시스 유압 보정량을 연산하는 히스테리시스 유압 보정량 연산 수단과,
    상기 히스테리시스 유압 보정량을 고려하여, 상기 출력 유압이 목표 출력 유압이 되도록 상기 지시 전류를 제어하는 지시 전류 제어 수단을 구비한 유압 제어 장치에 있어서,
    상기 히스테리시스 유압 보정량 연산 수단은, 상기 지시 전류를 최소값으로부터 최대값까지 변화시켰을 때의 증압 특성과, 상기 지시 전류를 최대값으로부터 최소값까지 변화시켰을 때의 감압 특성으로 이루어지는 유압 변화 특성에 대한 히스테리시스를 나타내는 풀 히스테리시스 특성을 기준 맵으로서 갖고, 상기 지시 전류를 상기 유압 변화 특성 범위 내의 도중 위치에서 반환하는 마이너 루프가 계속되고 있을 때, 상기 기준 맵을 반환 위치에 따라서 축소한 축소 맵을 과거로부터 현 시점까지의 마이너 루프마다 복수 작성하고, 동일한 지시 전류 위치에서 상기 복수의 축소 맵에 의해 얻어지는 각 히스테리시스 유압 보정량의 총합에 의해, 상기 히스테리시스 유압 보정량을 연산하는 것을 특징으로 하는 유압 제어 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 히스테리시스 유압 보정량 연산 수단은, 상기 지시 전류를 상기 유압 변화 특성 범위 내의 도중 위치에서 반환하는 마이너 루프 시, 금회의 반환점으로부터 다음의 반환점까지의 반환 지시 전류 폭을 정하고, 상기 유압 변화 특성의 전류 폭에 대한 상기 반환 지시 전류 폭의 비인 전류 비율에 따라서 상기 기준 맵을 축소하고, 축소 맵을 작성하는 것을 특징으로 하는 유압 제어 장치
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 히스테리시스 유압 보정량 연산 수단은, 풀 히스테리시스 특성에 의한 기준 맵 중, 유압 상승측 특성과 유압 하강측 특성의 중앙 특성을 목표 특성으로 하고, 상기 목표 특성에 대한 히스테리시스 유압 보정량을 연산하는 것을 특징으로 하는 유압 제어 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 히스테리시스 유압 보정량 연산 수단은, 상기 지시 전류를 상기 유압 변화 특성 범위 내의 도중 위치에서 반환하는 마이너 루프가 계속되고 있을 때, 전회의 반환점 전류값과 금회의 반환점 전류값의 차가 소정값 미만인 경우, 금회의 반환점 정보의 추가 기억을 금지하는 반환점 기억 제어부를 갖는 것을 특징으로 하는 유압 제어 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 반환점 기억 제어부는, 상기 소정값을, 반환 방향마다 기억되어 있는 최신의 반환점 전류 기억값으로부터 나머지의 전류 폭을 연산하고, 상기 나머지의 전류 폭을 남은 메모리 수에 1을 더한 값으로 제산한 값을 추가 기억 금지 전류 범위로 하는 것을 특징으로 하는 유압 제어 장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 반환점 기억 제어부는, 상기 지시 전류를 상기 유압 변화 특성 범위 내의 도중 위치에서 반환하는 마이너 루프가 계속되고 있을 때, 기억 정보를 갖는 과거의 반환점으로 복귀되어 상기 마이너 루프를 빠져나온 경우, 이 과거의 반환점과 쌍인 반환점의 기억 정보를 소거하는 것을 특징으로 하는 유압 제어 장치.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 반환점 기억 제어부는, 상기 지시 전류가 히스테리시스 보정 전류 범위 외로 된 경우, 마이너 루프의 반환점 기억 정보를 모두 소거하는 것을 특징으로 하는 유압 제어 장치.
  8. 제3항에 있어서,
    상기 히스테리시스 유압 보정량 연산 수단은, 상기 지시 전류를 상기 유압 변화 특성 범위 내의 도중 위치에서 반환하는 마이너 루프가 계속되고 있을 때, 전회의 반환점 전류값과 금회의 반환점 전류값의 차가 소정값 미만인 경우, 금회의 반환점 정보의 추가 기억을 금지하는 반환점 기억 제어부를 갖는 것을 특징으로 하는 유압 제어 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 반환점 기억 제어부는, 상기 소정값을, 반환 방향마다 기억되어 있는 최신의 반환점 전류 기억값으로부터 나머지의 전류 폭을 연산하고, 상기 나머지의 전류 폭을 남은 메모리 수에 1을 더한 값으로 제산한 값을 추가 기억 금지 전류 범위로 하는 것을 특징으로 하는 유압 제어 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 반환점 기억 제어부는, 상기 지시 전류를 상기 유압 변화 특성 범위 내의 도중 위치에서 반환하는 마이너 루프가 계속되고 있을 때, 기억 정보를 갖는 과거의 반환점으로 복귀되어 상기 마이너 루프를 빠져나온 경우, 이 과거의 반환점과 쌍인 반환점의 기억 정보를 소거하는 것을 특징으로 하는 유압 제어 장치.
  11. 제5항에 있어서,
    상기 반환점 기억 제어부는, 상기 지시 전류를 상기 유압 변화 특성 범위 내의 도중 위치에서 반환하는 마이너 루프가 계속되고 있을 때, 기억 정보를 갖는 과거의 반환점으로 복귀되어 상기 마이너 루프를 빠져나온 경우, 이 과거의 반환점과 쌍인 반환점의 기억 정보를 소거하는 것을 특징으로 하는 유압 제어 장치.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 반환점 기억 제어부는, 상기 지시 전류를 상기 유압 변화 특성 범위 내의 도중 위치에서 반환하는 마이너 루프가 계속되고 있을 때, 기억 정보를 갖는 과거의 반환점으로 복귀되어 상기 마이너 루프를 빠져나온 경우, 이 과거의 반환점과 쌍인 반환점의 기억 정보를 소거하는 것을 특징으로 하는 유압 제어 장치.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 반환점 기억 제어부는, 상기 지시 전류가 히스테리시스 보정 전류 범위 외로 된 경우, 마이너 루프의 반환점 기억 정보를 모두 소거하는 것을 특징으로 하는 유압 제어 장치.
  14. 제5항에 있어서,
    상기 반환점 기억 제어부는, 상기 지시 전류가 히스테리시스 보정 전류 범위 외로 된 경우, 마이너 루프의 반환점 기억 정보를 모두 소거하는 것을 특징으로 하는 유압 제어 장치.
  15. 제9항에 있어서,
    상기 반환점 기억 제어부는, 상기 지시 전류가 히스테리시스 보정 전류 범위 외로 된 경우, 마이너 루프의 반환점 기억 정보를 모두 소거하는 것을 특징으로 하는 유압 제어 장치.
  16. 제6항에 있어서,
    상기 반환점 기억 제어부는, 상기 지시 전류가 히스테리시스 보정 전류 범위 외로 된 경우, 마이너 루프의 반환점 기억 정보를 모두 소거하는 것을 특징으로 하는 유압 제어 장치.
  17. 제10항에 있어서,
    상기 반환점 기억 제어부는, 상기 지시 전류가 히스테리시스 보정 전류 범위 외로 된 경우, 마이너 루프의 반환점 기억 정보를 모두 소거하는 것을 특징으로 하는 유압 제어 장치.
  18. 제11항에 있어서,
    상기 반환점 기억 제어부는, 상기 지시 전류가 히스테리시스 보정 전류 범위 외로 된 경우, 마이너 루프의 반환점 기억 정보를 모두 소거하는 것을 특징으로 하는 유압 제어 장치.
  19. 제12항에 있어서,
    상기 반환점 기억 제어부는, 상기 지시 전류가 히스테리시스 보정 전류 범위 외로 된 경우, 마이너 루프의 반환점 기억 정보를 모두 소거하는 것을 특징으로 하는 유압 제어 장치.
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