KR101160200B1 - 웨이퍼의 분할방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 분할예정라인을 따라 강도가 떨어져 형성된 웨이퍼가 붙은 보유 테이프를 확장하여 웨이퍼에 인장력을 부여함으로써, 개개로 분할된 칩 사이에 소정의 간격을 형성하여 유지할 수 있는 웨이퍼의 분할방법을 제공한다.

표면에 복수의 분할예정라인이 격자모양으로 형성되어 있는 동시에, 복수의 분할예정라인을 따라 구획된 복수의 영역에 기능소자가 형성된 웨이퍼를, 분할예정라인을 따라 개개의 칩으로 분할하는 웨이퍼의 분할방법으로서, 웨이퍼에 대하여 투과성을 가지는 레이저 광선을 분할예정라인을 따라 조사하고 웨이퍼의 내부에 분할예정라인을 따라 변질층을 형성하는 변질층 형성공정과, 웨이퍼보다 넓은 면적을 가지는 점착테이프에 웨이퍼를 붙이는 점착테이프 접착공정과, 웨이퍼가 붙은 점착테이프를 확장하여 웨이퍼를 변질층이 형성된 분할예정라인을 따라 개개의 칩으로 분할하는 동시에, 각 칩 사이에 간격을 형성하는 테이프 확장공정과, 테이프 확장공정 뒤에 점착테이프를 확장한 상태에서, 개개의 칩으로 분할된 웨이퍼를 둘러싸도록 고리모양의 프레임을 점착테이프에 붙이는 프레임 접착공정을 포함한다.

분할예정라인, 웨이퍼, 점착테이프

Description

웨이퍼의 분할방법{Method for Dividing Wafers}

도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 분할방법에 따라 개개의 칩으로 분할되는 반도체 웨이퍼의 사시도이다.

도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 분할방법에서의 변질층 형성공정을 실시하기 위한 레이저 가공장치의 요부사시도이다.

도 3은 도 2에 나타내는 레이저 가공장치에 장착되는 레이저광선 조사수단의 구성을 간략히 나타내는 블록도이다.

도 4는 펄스 레이저 광선의 집광 스폿직경을 설명하기 위한 간략도이다.

도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼 분할방법에서의 변질층 형성공정에 대한 설명도이다.

도 6은 본 발명에 따른 웨이퍼 분할방법에서의 점착테이프 접착공정에 대한 설명도이다.

도 7은 본 발명에 따른 웨이퍼 분할방법에서의 테이프 확장공정에 대한 설명도이다.

도 8은 본 발명에 따른 웨이퍼 분할방법에서의 프레임 접착공정에 대한 설명도이다.

도 9는 본 발명에 따른 웨이퍼의 분할방법에 따라 개개의 칩으로 분할된 웨 이퍼가 점착테이프를 통하여 고리모양의 프레임에 지지된 상태를 나타내는 사시도이다.

**주요 도면부호의 부호설명**

2: 레이저 가공장치 21: 레이저 가공장치의 척 테이블

22: 레이저광선 조사수단 23: 촬상수단

3: 점착테이프 4: 협지부재

5: 고리모양의 프레임 10: 반도체 웨이퍼

101: 분할예정라인 102: 회로

110: 변질층 100: 반도체 칩

본 발명은 표면에 복수의 분할예정라인이 격자모양으로 형성되어 있는 동시에, 상기 복수의 분할예정라인을 따라 구획된 복수의 영역에 기능소자가 형성된 웨이퍼를, 상기 분할예정라인을 따라 개개의 칩으로 분할하는 웨이퍼 분할방법에 관한 것이다.

반도체 디바이스 제조공정에서는 대략 원판형상인 반도체 웨이퍼의 표면에 격자모양으로 배열된 스트리트라고 불리는 분할예정라인을 따라 복수의 영역이 구획되며, 이 구획된 영역에 IC, LSI 등의 회로를 형성한다. 그리고, 반도체 웨이퍼를 분할예정라인을 따라 절단함으로써 회로가 형성된 영역을 분할하여 개개의 반도 체 칩을 제조하고 있다. 또한, 사파이어 기판의 표면에 질화갈륨계 화합물 반도체 등이 적층된 광 디바이스 웨이퍼도 소정의 분할예정라인을 따라 절단함으로써 개개의 발광 다이오드, 레이저 다이오드 등의 광 디바이스로 분할되어, 전기기기에 널리 이용되고 있다.

상술한 반도체 웨이퍼나 광 디바이스 웨이퍼 등의 분할예정라인을 따른 절단은, 통상 다이서라고 불리는 절삭장치에 의해 이루어지고 있다. 이 절삭장치는 반도체 웨이퍼나 광 디바이스 웨이퍼 등의 피가공물을 보유하는 척 테이블과, 상기 척 테이블에 보유된 피가공물을 절삭하기 위한 절삭수단과, 척 테이블과 절삭수단을 상대적으로 이동시키는 절삭이송수단을 구비하고 있다. 절삭수단은 회전 스핀들과 상기 스핀들에 장착된 절삭 블레이드 및 회전 스핀들을 회전구동하는 구동기구를 포함하고 있다. 절삭 블레이드는 원반형의 기대와 상기 기대의 측면 외주부에 장착된 고리모양의 절삭날로 이루어지며, 절삭날은 예를 들어, 입자직경 3㎛ 정도의 다이아몬드 숫돌입자를 전주(電鑄)에 의해 기대에 고정하여 두께 20㎛ 정도로 형성되어 있다.

그런데, 사파이어 기판, 탄화규소 기판 등은 모스 경도가 높기 때문에, 상기 절삭 블레이드에 의한 절단이 반드시 용이하지는 않다. 또한, 절삭 블레이드는 20㎛ 정도의 두께를 가지기 때문에, 디바이스를 구획하는 분할예정라인으로서는 폭이 50㎛ 정도 필요하게 된다. 이 때문에, 예를 들어 크기가 300㎛×300㎛ 정도인 디바이스의 경우, 스트리트가 차지하는 면적비율이 14%로도 되어 생산성이 나쁘다는 문제가 있다.

한편, 근래 반도체 웨이퍼 등의 판모양의 피가공물을 분할하는 방법으로서, 그 피가공물에 대하여 투과성을 가지는 펄스 레이저 광선을 사용하여, 분할해야 할 영역의 내부에 집광점을 맞추어 펄스 레이저 광선을 조사하는 레이저 가공방법도 시도되고 있다. 이 레이저 가공방법을 사용한 분할방법은, 피가공물의 한 쪽 면측으로부터 내부에 집광점을 맞추어 피가공물에 대하여 투과성을 가지는 적외광 영역의 펄스레이저 광선을 조사하여, 피가공물의 내부에 분할예정라인을 따라 변질층을 연속적으로 형성하며, 이 변질층이 형성됨으로써 강도가 떨어진 분할예정라인을 따라 외부 압력을 가함으로써 피가공물을 분할하는 것이다(예를 들어, 일본특허제3408805호 공보).

상술한 바와 같이, 분할예정라인을 따라 변질층이 연속적으로 형성된 웨이퍼의 분할예정라인을 따라 외부압력을 부여하여 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할하는 방법으로서, 본 출원인은 웨이퍼가 붙은 보유테이프를 확장하여 웨이퍼에 인장력을 부여함으로써, 웨이퍼를 변질층이 형성된 분할예정라인을 따라 개개의 칩으로 분할하는 기술을 일본특허출원 2003-361471호로서 제안하였다.

그리고, 분할예정라인을 따라 강도가 떨어져 형성된 웨이퍼가 붙은 보유테이프를 확장하여 웨이퍼에 인장력을 부여함으로써, 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할하는 방법에 있어서는, 보유테이프를 확장하여 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할한 후에 장력을 해제하면, 확장된 보유테이프가 수축하여 반송시 등에 칩끼리 접촉하여 칩이 손상되는 문제가 있다.

본 발명은 상기 사실에 감안하여 이루어진 것으로, 그 주된 기술적 과제는 분할예정라인을 따라 강도가 떨어져 형성된 웨이퍼가 붙은 보유테이프를 확장하여 웨이퍼에 인장력을 부여함으로써, 개개로 분할된 칩 사이에 소정의 간격을 형성하여 유지할 수 있는 웨이퍼의 분할방법을 제공하는 것이다.

상기 주된 기술과제를 해결하기 위하여, 본 발명에 따르면, 표면에 복수의 분할예정라인이 격자모양으로 형성되어 있는 동시에, 상기 복수의 분할예정라인에 따라 구획된 복수의 영역에 기능소자가 형성된 웨이퍼를, 상기 분할예정라인에 따라 개개의 칩으로 분할하는 웨이퍼의 분할방법으로서,

상기 웨이퍼에 대하여 투과성을 가지는 레이저 광선을 상기 분할예정라인을 따라 조사하여, 상기 웨이퍼의 내부에 상기 분할예정라인을 따라 변질층을 형성하는 변질층 형성공정과,

상기 변질층 형성공정을 실시하기 전 또는 후에, 상기 웨이퍼보다 넓은 면적을 가지는 점착테이프에 상기 웨이퍼를 붙이는 점착테이프 접착공정과,

상기 웨이퍼가 붙은 상기 점착테이프를 확장하여 상기 웨이퍼를 상기 변질층이 형성된 상기 분할예정라인을 따라 개개의 칩으로 분할하는 동시에, 각 칩 사이에 간격을 형성하는 테이프 확장공정과,

상기 테이프 확장공정 후에 상기 점착테이프를 확장한 상태에서, 상기 개개의 칩으로 분할된 상기 웨이퍼를 둘러싸도록 고리모양의 프레임을 상기 점착테이프에 붙이는 프레임 접착공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 분할방법이 제공된다.

이하, 본 발명에 따른 웨이퍼 분할방법의 적절한 실시예에 대하여 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도 1에는 본 발명에 따라 개개의 칩으로 분할되는 웨이퍼로서의 반도체 웨이퍼의 사시도가 나타나 있다. 도 1에 나타내는 반도체 웨이퍼(10)는 실리콘 웨이퍼로 이루어져 있으며, 표면(10a)에는 복수의 분할예정라인(101)이 격자모양으로 형성되어 있다. 그리고, 반도체 웨이퍼(10)의 표면(10a)에는 복수의 분할예정라인(101)을 따라 구획된 복수의 영역에 기능소자로서의 회로(102)가 형성되어 있다. 이하, 이 반도체 웨이퍼(10)를 개개의 반도체 칩으로 분할하는 분할방법의 일 실시예에 대하여 설명한다.

반도체 웨이퍼(10)를 개개의 반도체 칩으로 분할하기 위해서는, 반도체 웨이퍼(10)에 대하여 투과성을 가지는 펄스 레이저 광선을 분할예정라인(101)을 따라 조사하고, 반도체 웨이퍼(10)의 내부에 분할예정라인(101)을 따라 변질층을 형성함으로써 분할예정라인을 따라 강도를 떨어뜨리는 변질층 형성공정을 실시한다.

이 변질층 형성공정은 도 2 내지 도 4에 나타내는 레이저 가공장치(2)를 사용하여 실시한다. 도 2 내지 도 4에 나타내는 레이저 가공장치(2)는 피가공물을 보유하는 척 테이블(21)과, 상기 척 테이블(21) 위에 보유된 피가공물에 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사수단(22)과, 척 테이블(21) 위에 보유된 피가공물을 촬상하는 촬상수단(23)을 구비하고 있다. 척 테이블(21)은 피가공물을 흡인 보유하도록 구성되어 있으며, 도시하지 않은 이동기구에 의해 도 2에서 화살표 X로 나타 내는 가공이송방향 및 화살표 Y로 나타내는 분할이송방향으로 이동시키도록 되어 있다.

상기 레이저 광선 조사수단(22)은 실질적으로 수평하게 배치된 원통형상의 케이싱(221)을 포함하고 있다. 케이싱(221) 안에는 도 3에 나타내는 바와 같이 펄스 레이저 광선 발진수단(222)과 전송광학계(223)가 설치되어 있다. 펄스 레이저 광선 발진수단(222)은 YAG 레이저 발진기 또는 YVO4 레이저 발진기로 이루어지는 펄스 레이저 광선 발진기(222a)와, 이것에 함께 설치된 반복주파수 설정수단(222b)으로 구성되어 있다. 전송광학계(223)는 빔 스프리터와 같은 적절한 광학요소를 포함하고 있다. 상기 케이싱(221)의 선단부에는 그 자체는 주지의 형태이면 되는 렌즈 어셈블리로 구성되는 집광렌즈(도시하지 않음)를 수용한 집광기(224)가 장착되어 있다. 상기 펄스 레이저 광선 발진수단(222)으로부터 발진된 레이저 광선은 전송광학계(223)를 통하여 집광기(224)에 이르며, 집광기(224)로부터 상기 척 테이블(21)에 보유되는 피가공물에 소정의 집광 스폿직경(D)으로 조사된다. 이 집광 스폿 직경(D)은 도 4에 나타내는 바와 같이 가우시안 분포를 나타내는 펄스 레이저 광선이 집광기(224)의 대물렌즈(224a)를 통과하여 조사되는 경우, D(㎛)=4×λ×f/(π×W)(여기서, λ는 펄스 레이저 광선의 파장(㎛), W는 대물렌즈(224a)에 입사되는 펄스레이저 광선의 직경(mm), f는 대물렌즈(224a)의 초점거리(mm))로 규정된다.

상기 레이저 광선 조사수단(12)을 구성하는 케이싱(221)의 선단부에 장착된 촬상수단(23)은, 도시한 실시예에서는 가시광선에 의해 촬상하는 통상의 촬상소자(CCD) 외에, 피가공물에 적외선을 조사하는 적외선 조명수단과, 상기 적외선 조명 수단에 의해 조사된 적외선을 붙잡는 광학계와, 상기 광학계에 의해 붙잡힌 적외선에 대응한 전기신호를 출력하는 촬상소자(적외선 CCD) 등으로 구성되어 있으며, 촬상한 화상신호를 후술하는 제어수단으로 보낸다.

상술한 레이저 가공장치(2)를 사용하여 실시하는 변질층 형성공정에 대하여 도 2 및 도 5를 참조하여 설명한다.

이 변질층 형성공정은 먼저 상술한 도 2에 나타내는 레이저 가공장치(2)의 척 테이블(21) 위에 반도체 웨이퍼(10)를 이면(10b)을 위로 하여 놓고, 상기 척 테이블(21) 위에 반도체 웨이퍼(10)를 흡착 보유한다. 반도체 웨이퍼(10)를 흡인보유한 척 테이블(21)은 도시하지 않은 이동기구에 의해 촬상수단(23)의 바로 아래에 위치된다.

척 테이블(21)이 촬상수단(23)의 바로 아래에 위치되면, 촬상수단(23) 및 도시하지 않은 제어수단에 의해 반도체 웨이퍼(10)의 레이저 가공해야 할 가공영역을 검출하는 얼라이먼트 작업을 실행한다. 즉, 촬상수단(23) 및 도시하지 않은 제어수단은 반도체 웨이퍼(10)의 소정 방향으로 형성되어 있는 분할예정라인(101)과, 상기 분할예정라인(101)을 따라 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사수단(22)의 집광기(224)의 위치맞춤을 위한 패턴 매칭 등의 화상처리를 실행하고, 레이저 광선 조사위치의 얼라이먼트를 수행한다. 또한, 반도체 웨이퍼(10)에 형성되어 있는 소정 방향과 직교하는 방향으로 형성되어 있는 분할예정라인(101)에 대해서도, 마찬가지로 레이저 광선 조사위치의 얼라이먼트가 수행된다. 이 때, 반도체 웨이퍼(10)의 분할예정라인(101)이 형성되어 있는 표면(10a)은 아랫쪽으로 위치하고 있는데, 촬상수단(13)이 상술한 바와 같이 적외선 조명수단과 적외선을 붙잡는 광학계 및 적외선에 대응한 전기신호를 출력하는 촬상소자(적외선(CCD)) 등으로 구성된 촬상수단을 구비하고 있기 때문에, 이면(10b)으로부터 비추어 분할예정라인(101)을 촬상할 수 있다.

이상과 같이 하여 척 테이블(21) 위에 보유된 반도체 웨이퍼(10)에 형성되어 있는 분할예정라인(101)을 검출하고, 레이저 광선 조사위치의 얼라이먼트가 이루어졌다면, 도 5의 (a)에 나타내는 바와 같이, 척 테이블(21)을 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사수단(22)의 집광기(224)가 위치하는 레이저 광선 조사영역으로 이동시키고, 소정의 분할예정라인(101)의 일단(도 5의 (a)에서 왼쪽 끝)을 레이저 광선 조사수단(12)의 집광기(224) 바로 아래에 위치시킨다. 그리고, 집광기(224)로부터 반도체 웨이퍼에 대하여 투과성을 가지는 펄스 레이저 광선을 조사하면서 척 테이블(21) 즉, 반도체 웨이퍼(10)를 도 5의 (a)에서 화살표 X1로 나타내는 방향으로 소정의 가공이송 속도로 이동시킨다. 그리고, 도 5의 (b)로 나타내는 바와 같이 레이저 광선 조사수단(22)의 집광기(224)의 조사위치가 분할예정라인(101)의 타단(도 5의 (b)에서 오른쪽 끝)의 위치에 도달하였다면, 펄스 레이저 광선의 조사를 정지시키는 동시에, 척 테이블(21) 즉, 반도체 웨이퍼(10)의 이동을 정지시킨다. 이 변질층 형성공정에서는, 펄스 레이저 광선의 집광점(P)을 반도체 웨이퍼(10)의 표면(10a)(아랫면) 부근에 맞춘다. 그 결과, 반도체 웨이퍼(10)의 표면(10a)(아랫면)으로 노출하는 동시에 표면(10a)으로부터 내부를 향하여 변질층(110)이 형성된다. 이 변질층(110)은 용융 재고화층으로서 형성된다.

상기 변질층 형성공정에서의 가공조건은 예를 들어, 다음과 같이 설정되어 있다.

광원 : LD여기(勵起) Q스위치 Nd : YVO4 레이저

파장 : 1064nm의 펄스레이저

펄스출력 : 10μJ

집광 스폿 직경 : φ1㎛

반복 주파수 : 100kHz

가공이송속도 : 100mm/초

상기 변질층(110)은 표면(10a) 및 이면(10b)에 노출하지 않도록 내부에만 형성하여도 좋고, 또한 상기 집광점(P)을 단계적으로 바꾸어 상술한 레이저 가공공정을 복수회 실행함으로써 복수의 변질층(110)을 형성하여도 좋다.

상술한 변질층 형성공정에 의해 반도체 웨이퍼(10) 내부에 모든 분할예정라인(101)을 따라 변질층(110)을 형성하였다면, 반도체 웨이퍼(10)보다 넓은 면적을 가지는 점착테이프에 반도체 웨이퍼(10)를 붙이는 점착테이프 접착공정을 실행한다.

즉, 도 6에 나타내는 바와 같이 점착테이프(3)의 표면에 분할예정라인(101)을 따라 변질층(110)이 형성된 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)을 붙인다. 따라서, 반도체 웨이퍼(10)는 표면(10a)이 윗쪽이 된다. 상기 점착테이프(3)는 도시한 실시예에서는 두께 70㎛의 폴리염화비닐(PVC) 등의 신축성을 가지는 수지로 이루어지는 시트 기재의 표면에, 아크릴 수지계의 점착층이 두께 5㎛ 정도 도포되어 있다. 이 점착테이프(3)는 직사각형으로 형성되어 있으며, 반도체 웨이퍼(10)의 면적보다 크고, 또한 후술하는 고리모양의 프레임이 붙을 수 있는 면적을 가지고 있다.

한편, 점착테이프 접착공정은 상기 변질층 형성공정 전에 실시하여도 좋으며, 이 경우 점착테이프(3)의 표면에 반도체 웨이퍼(10)의 표면(10a)을 붙인 상태에서 상술한 변질층 형성공정을 실시한다.

이어서, 반도체 웨이퍼(10)가 붙은 점착테이프(3)를 확장하여 반도체 웨이퍼(10)를 변질층(110)이 형성된 분할예정라인(101)을 따라 개개의 칩으로 분할하는 동시에, 각 칩 사이에 간격을 형성하는 테이프 확장공정을 실시한다.

이 테이프 확장공정은 도 7의 (a) 및 (b)에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(10)가 점착된 점착테이프(3)의 4개의 주변부를 각각 협지부재(4, 4, 4, 4)에 의해 끼우고, 이 협지부재(4, 4, 4, 4)를 각각 화살표로 나타내는 바와 같이 바깥쪽으로 잡아당긴다. 그 결과, 점착테이프(3)가 네 방향으로 확장되기 때문에, 점착테이프(3)에 붙어있는 반도체 웨이퍼(10)에는 화살표로 나타내는 방향으로 인장력이 작용하여, 도 7의 (b)에 나타내는 바와 같이 반도체 웨이퍼(10)는 변질층(110)이 형성됨으로써 강도가 떨어진 분할예정라인(101)을 따라 파단되어 개개의 반도체 칩(100)으로 분할된다. 이 테이프 확장공정에서는 상술한 바와 같이 점착테이프(3)는 확장되어 있기 때문에, 반도체 웨이퍼(10)가 개개의 반도체 칩(100)으로 분할되는 동시에, 각 칩 사이에 간격(S)이 형성된다. 한편, 상기 테이프 확장공정에 있어서, 본 발명자 등의 실험에 따르면 점착테이프(3)를 20mm 정도 늘였을 때 반도체 웨이퍼(10)를 변질층(110)이 형성되어 있는 분할예정라인(101)을 따라 파단할 수 있었다. 이 때, 개개로 분할된 각 반도체 칩(100) 사이의 간격(S)은 1mm 정도가 되었다.

상기 테이프 확장공정을 실시하였다면, 상술한 바와 같이 각 칩(100) 사이에 간격(S)이 형성된 상태에서, 도 8의 (a) 및 (b)에 나타내는 바와 같이 개개의 칩(100)으로 분할된 반도체 웨이퍼(10)를 둘러싸도록 고리모양의 프레임(5)을 점착테이프(3)에 붙이는 프레임 접착공정을 실시한다. 이와 같이, 점착테이프(3)가 확장되어 각 칩(100) 사이에 간격(S)이 형성된 상태에서, 고리모양의 프레임(5)을 점착테이프(3)에 붙이기 때문에, 점착테이프(3)는 확장된 상태가 유지되고, 각 칩(100) 사이에는 간격(S)이 유지된다.

이어서, 협지부재(4, 4, 4, 4)에 작용하였던 인장력을 해제하고, 점착테이프(3)를 고리모양의 프레임(5)의 바깥둘레를 따라 잘라냄으로써, 도 9에 나타내는 바와 같이 개개의 칩(100)으로 분할된 반도체 웨이퍼(10)는 점착테이프(3)를 통하여 고리모양의 프레임(5)에 지지된 상태가 된다. 따라서, 개개로 분할된 반도체 칩(100) 끼리가 접촉하지 않고, 반송시 등에 반도체 칩(100) 끼리가 접촉함으로써 손상되는 것을 방지할 수 있다.

한편, 점착테이프(3)로부터 반도체 칩(100)을 용이하게 픽업하기 위하여, 점착테이프(3)로서는 자외선을 조사함으로써 점착층의 점착력이 떨어진 UV 테이프를 사용하는 것이 바람직하다.

본 발명에 따른 웨이퍼 분할방법에 따르면, 웨이퍼가 붙은 점착테이프를 확 장하여 웨이퍼를 변질층이 형성된 분할예정라인을 따라 개개의 칩으로 분할하는 동시에, 각 칩 사이에 간격을 형성한 상태에서 개개의 칩으로 분할된 웨이퍼를 둘러싸도록 고리모양의 프레임을 점착테이프를 붙이기 때문에, 개개로 분할된 칩의 간격이 유지된다. 따라서, 칩끼리 접촉하지 않고, 반송시 등에 칩끼리의 접촉에 의한 손상을 방지할 수 있다.

Claims (1)

1. 표면에 복수의 분할예정라인이 격자모양으로 형성되어 있는 동시에, 상기 복수의 분할예정라인에 따라 구획된 복수의 영역에 기능소자가 형성된 웨이퍼를, 상기 분할예정라인에 따라 개개의 칩으로 분할하는 웨이퍼의 분할방법으로서,

   상기 웨이퍼에 대하여 투과성을 가지는 레이저 광선을 상기 분할예정라인을 따라 조사하고, 상기 웨이퍼의 내부에 상기 분할예정라인을 따라 변질층을 형성하는 변질층 형성공정과,

   상기 변질층 형성공정을 실시하기 전 또는 후에, 상기 웨이퍼보다 넓은 면적을 가지는 협지부재에 끼워진 점착테이프에 상기 웨이퍼를 붙이는 점착테이프 접착공정과,

   상기 웨이퍼가 붙은 상기 점착테이프를 확장하여 상기 웨이퍼를 상기 변질층이 형성된 상기 분할예정라인을 따라 개개의 칩으로 분할하는 동시에, 각 칩 사이에 간격을 형성하는 테이프 확장공정과,

   상기 테이프 확장공정 후 상기 점착테이프를 확장한 상태에서, 상기 개개의 칩으로 분할된 상기 웨이퍼를 둘러싸도록 고리모양의 프레임을 상기 점착테이프에 붙이는 프레임 접착공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 분할방법.

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