KR101058483B1 - 반도체 나노결정을 포함하는 발광 소자 - Google Patents
반도체 나노결정을 포함하는 발광 소자 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (108)
- 제1 전극;상기 제1 전극에 대향하는 제2 전극;상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 배치되며, 비중합체 물질을 포함하고, 전자 수송층 및 정공 수송층을 포함하는 1 이상의 매트릭스 층; 및상기 정공 수송층 내에, 또는 상기 전자 수송층 및 정공 수송층과는 구별되는 별개의 방출층에 배치되는 반도체 나노결정의 집단을 포함하는 발광 소자.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 정공 수송층은 유기 발색단을 포함하는 것인 발광 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체 나노결정의 집단은 나노결정의 직경에서의 rms 편차가 15% 미만인 것을 특징으로 하는 발광 소자.
- 제1항에 있어서, 반도체 나노결정의 제2 집단을 더 포함하는 것인 발광 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체 나노결정의 집단은 300 nm 내지 400 nm 파장의 광을 방출하는 것인 발광 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체 나노결정의 집단은 400 nm 내지 700 nm 파장의 광을 방출하는 것인 발광 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체 나노결정의 집단은 700 nm 내지 1100 nm 파장의 광을 방출하는 것인 발광 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체 나노결정의 집단은 1100 nm 내지 2500 nm 파장의 광을 방출하는 것인 발광 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체 나노결정의 집단은 2500 nm 이상의 파장의 광을 방출하는 것인 발광 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체 나노결정의 집단은 개별 반도체 나노결정의 표면에 배위 리간드를 포함하는 것인 발광 소자.
- 제11항에 있어서, 상기 배위 리간드는 다음의 식을 갖는 것인 발광 소자:상기 식에서, k는 2,3 또는 5이고, n은 1,2,3,4 또는 5이며, k-n은 0 이상이고,X는 O, S, S=O, SO2, Se, Se=O, N, N=O, P, P=O, As 또는 As=O이며,Y 및 L 각각은 독립적으로, 아릴, 헤테로아릴, 또는 선택적으로 하나 이상의 이중 결합, 하나 이상의 삼중 결합, 또는 하나 이상의 이중 결합 및 하나 이상의 삼중 결합을 포함하는 직쇄 또는 분지쇄 C2-12 탄화수소쇄이고, 이 탄화수소쇄는 선택적으로 1 이상의 C1-4 알킬, C2-4 알케닐, C2-4 알키닐, C1-4 알콕시, 하이드록실, 할로, 아미노, 니트로, 시아노, C3-5 시클로알킬, 3-5 원 헤테로시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴, C1-4 알킬카르보닐옥시, C1-4 알킬옥시카르보닐, C1-4 알킬카르보닐, 또는 포르밀로 치환되고, 상기 탄화수소쇄는 선택적으로 -O-, -S-, -N(Ra)-, -N(Rb)-C(O)-O-, -O-C(O)-N(Ra)-, -N(Ra)-C(O)-N(Rb)-, -O-C(O)-O-, -P(Ra)- 또는 -P(O)(Ra)가 개재되며,Ra 및 Rb 각각은 독립적으로, 수소, 알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시, 하이드록실알킬, 하이드록실 또는 할로알킬임.
- 제3항에 있어서, 상기 유기 발색단은 TPD인 발광 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 전자 수송층은 Alq3을 포함하는 것인 발광 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 정공 수송층과 전자 수송층 사이에 전자 차단층을 더 포함하는 것인 발광 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 정공 수송층과 전자 수송층 사이에 정공 차단층을 더 포함하는 것인 발광 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 정공 수송층과 전자 수송층 사이에 정공 및 전자 차단층을 더 포함하는 것인 발광 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체 나노결정은 ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, GaSe, InN, InP, InAs, InSb, TlN, TlP, TlAs, TlSb, PbS, PbSe 및 PbTe로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 물질을 포함하는 것인 발광 소자.
- 제18항에 있어서, 상기 반도체 나노결정은 오버코팅을 더 포함하고, 이 오버코팅은 ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, GaSe, InN, InP, InAs, InSb, TlN, TlP, TlAs, TlSb, PbS, PbSe 및 PbTe로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 물질을 포함하는 것인 발광 소자.
- 제1 전극;제1 전극과 전기적으로 접촉하는 정공 수송층;제2 전극;제2 전극과 전기적으로 접촉하는 전자 수송층; 및상기 정공 수송층에, 또는 상기 전자 수송층 및 정공 수송층과는 구별되는 별개의 방출층에 배치되는 반도체 나노결정의 집단을 포함하며,상기 제1 전극은 상기 정공 수송층에 정공을 도입하도록 배열되고, 상기 제2 전극은 전자 수송층에 전자를 도입하도록 배열되는 것인 발광 소자.
- 청구항 21은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제20항에 있어서, 상기 정공 수송층은 유기 발색단 매트릭스 물질을 포함하는 것인 발광 소자.
- 청구항 22은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제21항에 있어서, 상기 유기 발색단은 TPD인 발광 소자.
- 제20항에 있어서, 상기 정공 수송층은 비중합체 매트릭스 물질을 포함하는 것인 발광 소자.
- 청구항 24은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제20항에 있어서, 상기 반도체 나노결정의 집단은 나노결정의 직경에서의 rms 편차가 15% 미만인 것을 특징으로 하는 발광 소자.
- 제20항에 있어서, 반도체 나노결정의 제2 집단을 더 포함하는 것인 발광 소자.
- 청구항 26은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제20항에 있어서, 상기 반도체 나노결정의 집단은 300 nm 내지 400 nm 파장의 광을 방출하는 것인 발광 소자.
- 청구항 27은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제20항에 있어서, 상기 반도체 나노결정의 집단은 400 nm 내지 700 nm 파장의 광을 방출하는 것인 발광 소자.
- 청구항 28은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제20항에 있어서, 상기 반도체 나노결정의 집단은 700 nm 내지 1100 nm 파장의 광을 방출하는 것인 발광 소자.
- 청구항 29은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제20항에 있어서, 상기 반도체 나노결정의 집단은 1100 nm 내지 2500 nm 파장의 광을 방출하는 것인 발광 소자.
- 청구항 30은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제20항에 있어서, 상기 반도체 나노결정의 집단은 2500 nm 이상의 파장의 광을 방출하는 것인 발광 소자.
- 청구항 31은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제20항에 있어서, 상기 반도체 나노결정의 집단은 개별 반도체 나노결정의 표면에 배위 리간드를 포함하는 것인 발광 소자.
- 청구항 32은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제31항에 있어서, 상기 배위 리간드는 다음의 식을 갖는 것인 발광 소자:상기 식에서, k는 2,3 또는 5이고, n은 1,2,3,4 또는 5이며, k-n은 0 이상이고,X는 O, S, S=O, SO2, Se, Se=O, N, N=O, P, P=O, As 또는 As=O이며,Y 및 L 각각은 독립적으로, 아릴, 헤테로아릴, 또는 선택적으로 하나 이상의 이중 결합, 하나 이상의 삼중 결합, 또는 하나 이상의 이중 결합 및 하나 이상의 삼중 결합을 포함하는 직쇄 또는 분지쇄 C2-12 탄화수소쇄이고, 이 탄화수소쇄는 선택적으로 1 이상의 C1-4 알킬, C2-4 알케닐, C2-4 알키닐, C1-4 알콕시, 하이드록실, 할로, 아미노, 니트로, 시아노, C3-5 시클로알킬, 3-5 원 헤테로시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴, C1-4 알킬카르보닐옥시, C1-4 알킬옥시카르보닐, C1-4 알킬카르보닐, 또는 포르밀로 치환되고, 상기 탄화수소쇄는 선택적으로 -O-, -S-, -N(Ra)-, -N(Ra)-C(O)-O-, -O-C(O)-N(Ra)-, -N(Ra)-C(O)-N(Rb)-, -O-C(O)-O-, -P(Ra)- 또는 -P(O)(Ra)가 개재되며,Ra 및 Rb 각각은 독립적으로, 수소, 알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시, 하이드록실알킬, 하이드록실 또는 할로알킬임.
- 제20항에 있어서, 상기 정공 수송층과 전자 수송층 사이에 전자 차단층을 더 포함하는 것인 발광 소자.
- 제20항에 있어서, 상기 정공 수송층과 전자 수송층 사이에 정공 차단층을 더 포함하는 것인 발광 소자.
- 제20항에 있어서, 상기 정공 수송층과 전자 수송층 사이에 정공 및 전자 차단층을 더 포함하는 것인 발광 소자.
- 청구항 36은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제20항에 있어서, 상기 반도체 나노결정은 ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, GaSe, InN, InP, InAs, InSb, TlN, TlP, TlAs, TlSb, PbS, PbSe 및 PbTe로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 물질을 포함하는 것인 발광 소자.
- 청구항 37은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제36항에 있어서, 상기 반도체 나노결정은 오버코팅을 더 포함하고, 이 오버코팅은 ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, GaSe, InN, InP, InAs, InSb, TlN, TlP, TlAs, TlSb, PbS, PbSe 및 PbTe로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 물질을 포함하는 것인 발광 소자.
- 제1 전극;제1 전극에 근접하는 정공 수송층;제2 전극;제2 전극에 근접하는 전자 수송층;상기 정공 수송층 내에, 또는 상기 전자 수송층 및 정공 수송층과는 구별되는 별개의 방출층에 배치되는 반도체 나노결정의 집단; 및상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 차단층을 포함하며,상기 제1 전극은 상기 정공 수송층에 정공을 도입하도록 배열되고, 상기 제2 전극은 전자 수송층에 전자를 도입하도록 배열되는 것인 발광 소자.
- 제38항에 있어서, 상기 차단층은 정공 차단층, 전자 차단층, 또는 정공 및 전자 차단층인 발광 소자.
- 제39항에 있어서, 상기 차단층은 상기 제1 전극 또는 제2 전극과 접촉하는 것인 발광 소자.
- 청구항 41은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제38항에 있어서, 상기 반도체 나노결정의 집단은 나노결정의 직경에서의 rms 편차가 15% 미만인 발광 소자.
- 청구항 42은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제38항에 있어서, 반도체 나노결정의 제2 집단을 더 포함하는 발광 소자.
- 청구항 43은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제38항에 있어서, 상기 반도체 나노결정의 집단은 300 nm 내지 400 nm 파장의 광을 방출하는 것인 발광 소자.
- 청구항 44은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제38항에 있어서, 상기 반도체 나노결정의 집단은 400 nm 내지 700 nm 파장의 광을 방출하는 것인 발광 소자.
- 청구항 45은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제38항에 있어서, 상기 반도체 나노결정의 집단은 700 nm 내지 1100 nm 파장의 광을 방출하는 것인 발광 소자.
- 청구항 46은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제38항에 있어서, 상기 반도체 나노결정의 집단은 1100 nm 내지 2500 nm 파장의 광을 방출하는 것인 발광 소자.
- 청구항 47은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제38항에 있어서, 상기 반도체 나노결정의 집단은 2500 nm 이상 파장의 광을 방출하는 것인 발광 소자.
- 청구항 48은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제38항에 있어서, 상기 정공 수송층은 TPD를 포함하고, 상기 전자 수송층은 Alq3를 포함하며, 상기 차단층은 TAZ를 포함하고 상기 반도체 나노결정과 전자 수송층 사이에 배치되는 것인 발광 소자.
- 제1 전극을 제공하는 단계;비중합체인 매트릭스 물질을 침착하고 반도체 나노결정의 집단을 1 이상 제공하여 제1 전극 상에 발광 및 정공 수송 조합층을 형성하는 단계; 및발광 및 정공 수송 조합층 상에 제2 전극을 위치시키는 단계를 포함하는 발광 소자의 제조 방법.
- 삭제
- 청구항 51은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제49항에 있어서, 상기 매트릭스 물질은 유기 발색단을 포함하는 것인 발광 소자의 제조 방법.
- 청구항 52은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제49항에 있어서, 반도체 나노결정의 집단을 제공하는 단계는 나노결정의 직경에서의 rms 편차가 15% 미만인 것을 특징으로 하는 반도체 나노결정의 집단을 선택하는 단계를 포함하는 것인 발광 소자의 제조 방법.
- 제49항에 있어서, 반도체 나노결정의 제2 집단을 제공하여 발광 소자에 의해 방출되는 광의 파장 2개를 선택하는 단계를 더 포함하는 발광 소자의 제조 방법.
- 청구항 54은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제49항에 있어서, 반도체 나노결정의 집단은 개별 반도체 나노결정의 표면에 배위 리간드를 포함하는 것인 발광 소자의 제조 방법.
- 청구항 55은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제54항에 있어서, 상기 배위 리간드는 다음의 식을 갖는 것인 발광 소자의 제조 방법:상기 식에서, k는 2,3 또는 5이고, n은 1,2,3,4 또는 5이며, k-n은 0 이상이고,X는 O, S, S=O, SO2, Se, Se=O, N, N=O, P, P=O, As 또는 As=O이며,Y 및 L 각각은 독립적으로, 아릴, 헤테로아릴, 또는 선택적으로 하나 이상의 이중 결합, 하나 이상의 삼중 결합, 또는 하나 이상의 이중 결합 및 하나 이상의 삼중 결합을 포함하는 직쇄 또는 분지쇄 C2-12 탄화수소쇄이고, 이 탄화수소쇄는 선택적으로 1 이상의 C1-4 알킬, C2-4 알케닐, C2-4 알키닐, C1-4 알콕시, 하이드록실, 할로, 아미노, 니트로, 시아노, C3-5 시클로알킬, 3-5 원 헤테로시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴, C1-4 알킬카르보닐옥시, C1-4 알킬옥시카르보닐, C1-4 알킬카르보닐, 또는 포르밀로 치환되고, 상기 탄화수소쇄는 선택적으로 -O-, -S-, -N(Ra)-, -N(Ra)-C(O)-O-, -O-C(O)-N(Ra)-, -N(Ra)-C(O)-N(Rb)-, -O-C(O)-O-, -P(Ra)- 또는 -P(O)(Ra)가 개재되며,Ra 및 Rb 각각은 독립적으로, 수소, 알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시, 하이드록실알킬, 하이드록실 또는 할로알킬임.
- 청구항 56은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제49항에 있어서, 반도체 나노결정의 집단을 제공하는 단계는 나노결정의 직경에서의 rms 편차가 10% 미만으로 특징되는 반도체 나노결정의 집단을 선택하는 단계를 포함하는 것인 발광 소자의 제조 방법.
- 제49항에 있어서, 상기 정공 수송층과 제2 전극 사이에 전자 수송층을 침착하는 단계를 더 포함하는 것인 발광 소자의 제조 방법.
- 제57항에 있어서, 상기 정공 수송층과 전자 수송층 사이에 전자 차단층을 침착하는 단계를 더 포함하는 것인 발광 소자의 제조 방법.
- 제57항에 있어서, 상기 정공 수송층과 전자 수송층 사이에 정공 차단층을 침착하는 단계를 더 포함하는 것인 발광 소자의 제조 방법.
- 제57항에 있어서, 상기 정공 수송층과 전자 수송층 사이에 정공 및 전자 차단층을 침착하는 단계를 더 포함하는 발광 소자의 제조 방법.
- 청구항 61은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제49항에 있어서, 상기 반도체 나노결정은 ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, GaSe, InN, InP, InAs, InSb, TlN, TlP, TlAs, TlSb, PbS, PbSe 및 PbTe로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 물질을 포함하는 것인 발광 소자의 제조 방법.
- 청구항 62은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제61항에 있어서, 상기 반도체 나노결정은 오버코팅을 더 포함하고, 이 오버코팅은 ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, GaSe, InN, InP, InAs, InSb, TlN, TlP, TlAs, TlSb, PbS, PbSe 및 PbTe로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 물질을 포함하는 것인 발광 소자의 제조 방법.
- 제1 전극, 제2 전극, 비중합체 물질을 포함하며 정공 수송층을 포함하는 1 이상의 매트릭스 층, 및 정공 수송층 내에 또는 정공 수송층과는 구별되는 별개의 방출층에 배치되는 1 이상의 반도체 나노결정의 집단을 포함하는 소자를 제공하는 단계; 및상기 제1 전극과 제2 전극에 걸쳐 광 발생 전위를 인가하는 단계를 포함하는 광 발생 방법.
- 삭제
- 청구항 65은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제63항에 있어서, 상기 매트릭스 층은 유기 발색단을 포함하는 것인 광 발생 방법.
- 청구항 66은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제63항에 있어서, 상기 소자를 제공하는 단계는 나노결정의 직경에서의 rms 편차가 15% 미만인 것을 특징으로 하는 반도체 나노결정의 집단을 선택하는 단계를 포함하는 것인 광 발생 방법.
- 제63항에 있어서, 상기 소자를 제공하는 단계는 반도체 나노결정의 집단을 2개 이상 선택하여 발생되는 광의 파장을 2개 이상 선택하는 단계를 포함하는 것인 광 발생 방법.
- 청구항 68은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제63항에 있어서, 300 nm 내지 400 nm 파장의 광이 발생되는 것인 광 발생 방법.
- 청구항 69은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제63항에 있어서, 400 nm 내지 700 nm 파장의 광이 발생되는 것인 광 발생 방법.
- 청구항 70은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제63항에 있어서, 700 nm 내지 1100 nm 파장의 광이 발생되는 것인 광 발생 방법.
- 청구항 71은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제63항에 있어서, 1100 nm 내지 2500 nm 파장의 광이 발생되는 것인 광 발생 방법.
- 청구항 72은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제63항에 있어서, 2500 nm 이상의 파장의 광이 발생되는 것인 광 발생 방법.
- 청구항 73은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제63항에 있어서, 상기 반도체 나노결정의 집단은 개별 반도체 나노결정의 표면에 배위 리간드를 포함하는 것인 광 발생 방법.
- 청구항 74은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제73항에 있어서, 상기 배위 리간드는 다음의 식을 갖는 것인 광 발생 방법:상기 식에서, k는 2,3 또는 5이고, n은 1,2,3,4 또는 5이며, k-n은 0 이상이고,X는 O, S, S=O, SO2, Se, Se=O, N, N=O, P, P=O, As 또는 As=O이며,Y 및 L 각각은 독립적으로, 아릴, 헤테로아릴, 또는 선택적으로 하나 이상의 이중 결합, 하나 이상의 삼중 결합, 또는 하나 이상의 이중 결합 및 하나 이상의 삼중 결합을 포함하는 직쇄 또는 분지쇄 C2-12 탄화수소쇄이고, 이 탄화수소쇄는 선택적으로 1 이상의 C1-4 알킬, C2-4 알케닐, C2-4 알키닐, C1-4 알콕시, 하이드록실, 할로, 아미노, 니트로, 시아노, C3-5 시클로알킬, 3-5 원 헤테로시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴, C1-4 알킬카르보닐옥시, C1-4 알킬옥시카르보닐, C1-4 알킬카르보닐, 또는 포르밀로 치환되고, 상기 탄화수소쇄는 선택적으로 -O-, -S-, -N(Ra)-, -N(Ra)-C(O)-O-, -O-C(O)-N(Ra)-, -N(Ra)-C(O)-N(Rb)-, -O-C(O)-O-, -P(Ra)- 또는 -P(O)(Ra)가 개재되며,Ra 및 Rb 각각은 독립적으로, 수소, 알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시, 하이드록실알킬, 하이드록실 또는 할로알킬임.
- 청구항 75은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제65항에 있어서, 상기 유기 발색단은 TPD인 광 발생 방법.
- 청구항 76은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제75항에 있어서, 상기 소자를 제공하는 단계는 상기 제1 전극과 정공 수송층 사이에 전자 수송층이 마련된 소자를 제공하는 단계를 포함하는 것인 광 발생 방법.
- 청구항 77은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제76항에 있어서, 상기 소자를 제공하는 단계는 상기 정공 수송층과 전자 수송층 사이에 전자 차단층이 마련된 소자를 제공하는 단계를 포함하는 것인 광 발생 방법.
- 청구항 78은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제76항에 있어서, 상기 소자를 제공하는 단계는 상기 정공 수송층과 전자 수송층 사이에 정공 차단층이 마련된 소자를 제공하는 단계를 포함하는 것인 광 발생 방법.
- 청구항 79은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제76항에 있어서, 상기 소자를 제공하는 단계는 상기 정공 수송층과 전자 수송층 사이에 정공 및 전자 차단층이 마련된 소자를 제공하는 단계를 포함하는 것인 광 발생 방법.
- 청구항 80은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제63항에 있어서, 상기 반도체 나노결정은 ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, GaSe, InN, InP, InAs, InSb, TlN, TlP, TlAs, TlSb, PbS, PbSe 및 PbTe로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 물질을 포함하는 것인 광 발생 방법.
- 청구항 81은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제80항에 있어서, 상기 반도체 나노결정은 오버코팅을 더 포함하고, 이 오버코팅은 ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, GaSe, InN, InP, InAs, InSb, TlN, TlP, TlAs, TlSb, PbS, PbSe 및 PbTe로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 물질을 포함하는 것인 광 발생 방법.
- 제63항에 있어서, 방출된 광 중 10% 이상이 상기 반도체 나노결정에 의해 방출되는 것인 광 발생 방법.
- 청구항 83은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제63항에 있어서, 40 nm 이하의 반치폭(full width at half max)을 갖는 광이 발생되는 것인 광 발생 방법.
- 청구항 84은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제63항에 있어서, 30 nm 이하의 반치폭을 갖는 광이 발생되는 것인 광 발생 방법.
- 청구항 85은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제63항에 있어서, 외부 양자 효율이 0.1% 이상인 광이 발생되는 것인 광 발생 방법.
- 청구항 86은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제63항에 있어서, 외부 양자 효율이 1.0% 이상인 광이 발생되는 것인 광 발생 방법.
- 청구항 87은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제1항에 있어서, 반도체 나노결정의 집단은 나노결정의 직경에서의 rms 편차가 10% 미만인 것을 특징으로 하는 것인 발광 소자.
- 청구항 88은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제1항에 있어서, 반도체 나노결정의 집단은 나노결정의 직경에서의 rms 편차가 5% 미만인 것을 특징으로 하는 것인 발광 소자.
- 제1항에 있어서, 40 nm 이하의 반치폭을 갖는 광이 발생되는 것인 발광 소자.
- 제1항에 있어서, 30 nm 이하의 반치폭을 갖는 광이 발생되는 것인 발광 소자.
- 제17항에 있어서, 정공 및 전자 차단층은 트리아졸을 포함하는 것인 발광 소자.
- 청구항 92은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제20항에 있어서, 반도체 나노결정의 집단은 나노결정의 직경에서의 rms 편차가 10% 미만인 것을 특징으로 하는 것인 발광 소자.
- 청구항 93은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제20항에 있어서, 반도체 나노결정의 집단은 나노결정의 직경에서의 rms 편차가 5% 미만인 것을 특징으로 하는 것인 발광 소자.
- 제20항에 있어서, 40 nm 이하의 반치폭을 갖는 광이 발생되는 것인 발광 소자.
- 제20항에 있어서, 30 nm 이하의 반치폭을 갖는 광이 발생되는 것인 발광 소자.
- 청구항 96은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제35항에 있어서, 정공 및 전자 차단층은 트리아졸을 포함하는 것인 발광 소자.
- 청구항 97은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제38항에 있어서, 반도체 나노결정의 집단은 나노결정의 직경에서의 rms 편차가 10% 미만인 것을 특징으로 하는 것인 발광 소자.
- 청구항 98은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제38항에 있어서, 반도체 나노결정의 집단은 나노결정의 직경에서의 rms 편차가 5% 미만인 것을 특징으로 하는 것인 발광 소자.
- 청구항 99은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제38항에 있어서, 40 nm 이하의 반치폭을 갖는 광이 발생되는 것인 발광 소자.
- 청구항 100은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제38항에 있어서, 30 nm 이하의 반치폭을 갖는 광이 발생되는 것인 발광 소자.
- 청구항 101은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제49항에 있어서, 반도체 나노결정의 집단을 제공하는 단계는 나노결정의 직경에서 rms 편차가 5% 미만인 것을 특징으로 하는 반도체 나노결정의 집단을 선택하는 단계를 포함하는 것인 발광 소자의 제조 방법.
- 제49항에 있어서, 40 nm 이하의 반치폭을 갖는 광이 발생되는 것인 발광 소자의 제조 방법.
- 제49항에 있어서, 30 nm 이하의 반치폭을 갖는 광이 발생되는 것인 발광 소자의 제조 방법.
- 청구항 104은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제49항에 있어서, 매트릭스의 두께 또는 매트릭스 중의 나노결정의 농도를 모니터링하여 최적의 소자 거동을 결정하는 단계를 더 포함하는 것인 발광 소자의 제조 방법.
- 청구항 105은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제51항에 있어서, 상기 유기 발색단은 TPD인 발광 소자의 제조 방법.
- 청구항 106은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제63항에 있어서, 반도체 나노결정의 집단은 나노결정의 직경에서의 rms 편차가 10% 미만인 것을 특징으로 하는 것인 광 발생 방법.
- 청구항 107은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제63항에 있어서, 반도체 나노결정의 집단은 나노결정의 직경에서의 rms 편차가 5% 미만인 것을 특징으로 하는 것인 광 발생 방법.
- 청구항 108은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제79항에 있어서, 정공 및 전자 차단층은 트리아졸을 포함하는 것인 광 발생 방법.
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