KR101021749B1 - 전기 전도 유기 중합체/나노입자 복합체 및 이들의 이용방법 - Google Patents

전기 전도 유기 중합체/나노입자 복합체 및 이들의 이용방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101021749B1
KR101021749B1 KR1020057004948A KR20057004948A KR101021749B1 KR 101021749 B1 KR101021749 B1 KR 101021749B1 KR 1020057004948 A KR1020057004948 A KR 1020057004948A KR 20057004948 A KR20057004948 A KR 20057004948A KR 101021749 B1 KR101021749 B1 KR 101021749B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
nanoparticles
layer
aqueous dispersion
polymer
paampsa
Prior art date
Application number
KR1020057004948A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050084574A (ko
Inventor
체-힝 수
Original Assignee
이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=32043203&utm_source=***_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR101021749(B1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 filed Critical 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
Publication of KR20050084574A publication Critical patent/KR20050084574A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101021749B1 publication Critical patent/KR101021749B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/01—Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L65/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L79/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
    • C08L79/02—Polyamines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09C—TREATMENT OF INORGANIC MATERIALS, OTHER THAN FIBROUS FILLERS, TO ENHANCE THEIR PIGMENTING OR FILLING PROPERTIES ; PREPARATION OF CARBON BLACK  ; PREPARATION OF INORGANIC MATERIALS WHICH ARE NO SINGLE CHEMICAL COMPOUNDS AND WHICH ARE MAINLY USED AS PIGMENTS OR FILLERS
    • C09C1/00—Treatment of specific inorganic materials other than fibrous fillers; Preparation of carbon black
    • C09C1/0081—Composite particulate pigments or fillers, i.e. containing at least two solid phases, except those consisting of coated particles of one compound
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C09D5/02—Emulsion paints including aerosols
    • C09D5/024—Emulsion paints including aerosols characterised by the additives
    • C09D5/028—Pigments; Filters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C09D5/24—Electrically-conducting paints
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40—Additives
    • C09D7/60—Additives non-macromolecular
    • C09D7/61—Additives non-macromolecular inorganic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40—Additives
    • C09D7/65—Additives macromolecular
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40—Additives
    • C09D7/66—Additives characterised by particle size
    • C09D7/67—Particle size smaller than 100 nm
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40—Additives
    • C09D7/66—Additives characterised by particle size
    • C09D7/68—Particle size between 100-1000 nm
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40—Additives
    • C09D7/70—Additives characterised by shape, e.g. fibres, flakes or microspheres
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
    • H01B1/12—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances organic substances
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/10—Particle morphology extending in one dimension, e.g. needle-like
    • C01P2004/13—Nanotubes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/10—Particle morphology extending in one dimension, e.g. needle-like
    • C01P2004/16—Nanowires or nanorods, i.e. solid nanofibres with two nearly equal dimensions between 1-100 nanometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/54—Particles characterised by their aspect ratio, i.e. the ratio of sizes in the longest to the shortest dimension
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/62—Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/40—Electric properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/011—Nanostructured additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02—Elements
    • C08K3/04—Carbon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02—Elements
    • C08K3/08—Metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00—Use of ingredients characterised by shape
    • C08K7/02—Fibres or whiskers
    • C08K7/04—Fibres or whiskers inorganic
    • C08K7/06—Elements
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00—Use of ingredients characterised by shape
    • C08K7/22—Expanded, porous or hollow particles
    • C08K7/24—Expanded, porous or hollow particles inorganic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L25/00—Compositions of, homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L25/18—Homopolymers or copolymers of aromatic monomers containing elements other than carbon and hydrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L33/24—Homopolymers or copolymers of amides or imides
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
    • H10K10/488—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions the channel region comprising a layer of composite material having interpenetrating or embedded materials, e.g. a mixture of donor and acceptor moieties, that form a bulk heterojunction
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
    • H10K85/221—Carbon nanotubes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Other Resins Obtained By Reactions Not Involving Carbon-To-Carbon Unsaturated Bonds (AREA)

Abstract

본 발명은 전기 전도성 유기 중합체 및 다수의 나노입자의 수성 분산액을 포함하는 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 조성물로부터 주조된 필름은 유기 발광 다이오드 (OLED) 및 박막 전계 효과 트랜지스터용 전극과 같은 전계발광 장치에서의 완충층으로 유용하다. 나노입자를 함유하는 완충층은 나노입자가 없는 완충층보다 훨씬 낮은 전도성을 갖는다. 또한, 전계발광 (EL) 장치내에 포함되는 경우, 본 발명에 따른 완충층은 EL 장치의 더 높은 스트레스 수명에 기여한다.
전기 전도성 유기 중합체, 나노입자, 유기 발광 다이오드, 박막 전계 효과 트랜지스터

Description

전기 전도 유기 중합체/나노입자 복합체 및 이들의 이용 방법{ELECTRICALLY CONDUCTING ORGANIC POLYMER/NANOPARTICLE COMPOSITES AND METHODS FOR USE THEREOF}
본 발명은 유기 발광 다이오드와 같은 픽셀화된 전계발광 장치 및 박막 전계 효과 트랜지스터 전극의 생산에 있어서 전도성 유기 중합체의 이용에 관한 것이다.
전도성 유기 중합체는 원래 20여 년 전에 연구자들의 주목을 받았다. 이런 관심은 주로 이들 중합체가 기존의 전도 물질 (예컨대, 금속, 전도성 금속 산화물)에 비해 경량, 유연성, 내구성 및 잠재적인 가공 용이성과 같은 요인이 있었기 때문이었다. 지금까지 가장 상업적으로 성공한 전도성 유기 중합체는 폴리아닐린 및 폴리티오펜인데, 이들은 다양한 상표명으로 판매된다. 이들 물질은 폴리(스티렌술폰산) (PSS)과 같은 수용성 중합체 산이 존재하는 수용액에서 아닐린 또는 디옥시티오펜 단량체를 중합함으로써 제조될 수 있다 (예컨대 미국 특허 제5,300,575호, "Polythiophene dispersions, their production and their use"에 기술됨). 발광 디스플레이에서 사용하기 위한 전계발광 (EL) 장치와 전극으로 이용하기 위한 박막 전계 효과 트랜지스터의 최근 개발은 전도성 유기 중합체에서 새로운 관심 분야를 만들어냈다. 전도성 유기 중합체를 함유하는 유기 발광 다이오드 (OLED)와 같은 EL 장치는 일반적으로 다음 구성을 갖는다:
애노드/완충층/EL 중합체/캐소드
애노드는 일반적으로, 예컨대 인듐/주석 산화물 (ITO)과 같이 반전도성 EL 중합체의 π-밴드에 정공을 주입 (그렇지 않으면 π-밴드는 채워져 있음)할 수 있는 임의의 물질이다. 애노드는 임의로 유리 또는 플라스틱 기판상에 지지된다. EL 중합체는 일반적으로 폴리(파라페닐렌비닐렌) 또는 폴리플루오렌과 같은 콘쥬게이티드 반전도성 유기 중합체이다. 캐소드는 일반적으로 반전도성 EL 중합체의 π*-밴드에 전자를 주입 (그렇지 않으면 π-밴드는 비어 있음)할 수 있는 Ca 또는 Ba과 같은 임의의 물질이다.
완충층은 일반적으로 애노드에서 EL 중합체 층으로의 정공 주입을 용이하게 하는 전도성 유기 중합체이다. 완충층은 또한 정공-주입층, 정공 전달층으로 불릴 수 있고, 또는 이중층 애노드의 일부일 수 있다. 완충층으로 이용되는 전형적인 수분산성 전도성 유기 중합체는 폴리아닐린 (PAni)의 에머랄딘 염 형태 또는 중합성 술폰산으로 도핑된 중합성 디옥시알킬렌티오펜이다.
완충층은 전하 전달이 용이하도록 어느 정도의 전기 전도성을 지녀야 하지만, 통상 알려진 수성 폴리아닐린 또는 폴리티오펜 분산액에서 유도된 완충층 필름의 최고 전도성은 일반적으로 약 10-3S/cm의 범위이다. 이 전도성은 필요한 것보다 약 3 차수 더 크다. 실제로, 애노드 라인 (또는 픽셀) 간의 누화를 방지하기 위해, 완충층의 전기 전도성이 완충층을 함유하는 장치의 발광 특성에 부정적인 영향을 주지 않고 약 10-6S/cm으로 최소화되어야 한다. 예를 들어, 상업적으로 이용가능한 수성 폴리(에틸렌디옥시티오펜) 분산액 (독일 레버쿠센 H. C. 스타르크, 게엠베하 (H. C. Starck, GmbH)의 바이트론 (Baytron)-P VP Al 4083)으로 제조한 필름은 ~10-3S/cm의 전도성을 갖는다. 이는 픽셀 사이의 누화를 방지하기에는 너무 높다. 따라서, 전계발광 장치에서 이용하기 위한 고저항 완충층이 필요하다.
<발명의 요약>
전기 전도성 유기 중합체 및 다수의 나노입자의 수성 분산액을 포함하는 조성물이 제시된다. 발명의 조성물은 유기 발광 다이오드 (OLED)와 같은 전계발광 장치에서 완충층으로, 또는 박막 전계 효과 트랜지스터용의 전극으로서의 연속적이고 평탄한 박막을 제공할 수 있다. 본 발명의 실시에서 사용이 고려되는 나노입자는 무기질 또는 유기질일 수 있다. 무기 또는 유기 나노입자를 함유하는 완충층은 그러한 나노입자가 없는 완충층보다 훨씬 낮은 전도성을 갖는다. 전계발광 (EL) 장치 내에 포함되는 경우, 본 발명에 의한 완충층은 EL 장치의 높은 스트레스 수명에 기여하면서도 높은 저항을 제공한다.
본 발명의 또 다른 실시태양에 따르면, 발명의 수성 분산액으로 주조된 완충층을 포함하는 전계 발광 장치가 제공된다.
본 발명의 추가적인 실시태양에 따르면, 다수의 나노입자를 수성 분산액에 첨가하는 것을 포함하는, 전기 전도성 중합체의 수성 분산액으로부터 기판상에 주조된 전기 전도성 유기 중합체 필름의 전도성을 감소시키는 방법이 제공된다.
본 발명의 더 추가적인 실시태양에서, 전도성 유기 중합체의 수성 분산액에 다수의 나노입자를 첨가하고 상기 수성 분산액으로부터의 완충층을 기판상에 주조하는 것을 포함하는, 두께가 증가한 완충층을 생산하는 방법을 제공한다.
본 발명의 또 다른 실시태양에서, 발명의 수성 분산액으로부터 주조된 박막 전계 효과 트랜지스터 전극이 제공된다.
본 발명의 더 추가적인 실시태양에서, 수성 분산액으로부터 기판상에 주조된 박막 전계 효과 트랜지스터 전극의 전도성을 증가시키는 방법이 제공된다.
<도면의 간단한 설명>
도 1은 본 발명에 의한 완충층을 포함하는 전자 장치의 단면도를 나타낸다.
도 2는 본 발명에 의한 전극을 포함하는 박막 전계 효과 트랜지스터의 단면도를 나타낸다.
<발명의 상세한 설명>
전기 전도성 유기 중합체 및 다수의 나노입자의 수성 분산물을 포함하는 조성물이 제공된다. 본원에서 사용되는 것으로, "분산액"이라는 용어는 작은 입자의 현탁액을 함유하는 연속 매질을 말한다. 본 발명에 의하면, "연속 매질"은 일반적으로 수성 액체, 예컨대, 물이다. 본 발명의 나노입자는 무기질 또는 유기질일 수 있다. 본원에서 사용되는 것으로, "무기"라는 용어는 나노입자에 실질적으로 탄소가 없음을 의미한다. 본원에서 사용되는 것으로, "유기"라는 용어는 나노입자가 실질적으로 탄소로 이루어진 것을 의미한다. 본원에서 사용되는 것으로, "나노입자"는 1000 nm 미만의 크기를 갖는 입자를 말한다.
본 발명에 의한 조성물은 일반적으로 전기 전도성 유기 중합체가 분산된 연속 수성상을 함유한다. 본 발명의 실시에 이용하기 위해 고려되는 전기 전도성 유기 중합체는 예컨대 산/염기 염을 형성하여 중합체에 전기 전도성을 부여할 수 있는 모든 형태의 폴리아닐린 (예를 들어, 류코에머랄딘, 에머랄딘, 니그라닐린 등)을 포함한다. 산화 정도에 따라 상이한 형태의 폴리아닐린 중합체가 합성될 수 있음은 잘 알려져 있다. 폴리아닐린 (PAni)은 일반적으로 하기 화학식 Ⅰ처럼 방향족 아민 질소 원자 및/또는 하기 화학식 Ⅱ처럼 방향족 이민 질소 원자를 갖는 단량체 단위들로 이루어진 것으로 기술된다.
Figure 112005015153059-pct00001
Figure 112005015153059-pct00002
상기 식에서,
n은 0 내지 4의 정수이고,
R은 각 경우에 같거나 상이하도록 독립적으로 선택되고 알킬, 알케닐, 알콕시, 시클로알킬, 시클로알케닐, 알카노일, 알킬티오, 아릴옥시, 알킬티오알킬, 알킬아릴, 아릴알킬, 아미노, 알킬아미노, 디알킬아미노, 아릴, 알킬술피닐, 알콕시알킬, 알킬술포닐, 아릴티오, 아릴술피닐, 알콕시카르보닐, 아릴술포닐, 카르복시산, 할로겐, 시아노, 또는 하나 이상의 술폰산으로 치환된 알킬, 카르복시산, 할로, 니트로, 시아노 또는 에폭시 잔기에서 선택되거나; 또는 임의의 두 R기는 함께 3, 4, 5, 6 또는 7 원 방향족 또는 지환식 고리를 완결하는 알킬렌 또는 알케닐렌 사슬을 형성할 수 있고, 이 고리는 임의로 하나 이상의 두자리 질소, 황 또는 산소 원자를 포함할 수 있다.
화학식 Ⅰ 및 Ⅱ가 비양성자화된 형태인 단량체 단위들을 나타내긴 하지만, 산 (예컨대, 폴리(2-아크릴아미도-2-메틸-1-프로판술폰산 (PAAMPSA), 폴리(스티렌술폰산) (PSS) 등)의 존재하에서 염기성 질소 원자가 양성자화되어 염을 형성할 것이라는 점은 공지되어 있다. 이민 질소 원자 대 아민 질소 원자의 상대 비율은 산 화가 증가함에 따라 증가한다. 일 실시태양에서, 폴리아닐린은 화학식 Ⅰ을 갖는 단량체 단위 대 화학식 Ⅱ를 갖는 단량체 단위의 비가 2:1인 에머랄딘 염기 형태이다. 이 실시태양에서, 아민 질소 원자 대 이민 질소 원자의 비는 1:1이다.
또 다른 실시태양에서, 전기 전도성 유기 중합체는 폴리(디옥시티오펜)이다. 본 발명의 실시에 사용이 고려되는 폴리(디옥시티오펜)은 화학식 Ⅲ 을 갖는다:
Figure 112005015153059-pct00003
상기 식에서,
R1 및 R1'는 각각 독립적으로 수소 및 1 내지 4 개의 탄소 원자를 갖는 알킬에서 선택되거나, 또는
R1 및 R1'는 함께 1 내지 12 개의 탄소 원자를 갖는 방향족기 또는 알킬기로 임의로 치환될 수 있는 1 내지 4 개의 탄소 원자를 갖는 알킬렌 사슬, 또는 1,2-시클로헥실렌 라디칼을 형성하며,
n은 약 9보다 크다.
본 발명의 조성물 및 방법에서 사용되는 전기 전도성 유기 중합체는 일반적으로 중합체 산 (예컨대 PAAMPSA, PSS 등)을 함유하는 수용액에서 해당 단량체들을 산화적으로 중합시켜 제조한다. 산화적 중합은 암모늄 퍼술페이트, 소듐 퍼술페이 트 등과 같은 산화제를 이용하여 수행한다. 따라서, 예를 들어 아닐린이 PAAMPSA의 존재하에서 산화적으로 중합되는 경우, 전기 전도성 산/염기 염 PAni/PAAMPSA이 형성된다. 에틸렌디옥시티오펜 (EDT)이 PSS 존재하에서 산화적으로 중합되는 경우, 전기 전도성 산/염기 염 폴리(에틸렌디옥시티오펜)(PEDT)/PSS이 형성된다.
수용액 역시 황산철, 염화 제2철 등과 같은 중합 촉매를 포함할 수 있다. 중합은 일반적으로 저온, 예컨대 -10 내지 30 ℃에서 수행된다. 중합 반응이 완결된 후에 중합체는 임의로 중합체에 대한 비용매, 예컨대 아세톤 등을 이용하여 수성 분산액으로부터 침전시켜 단리한다. 전기 전도성 유기 중합체가 단리되는 경우, 그 물질은 일반적으로 정제되어 약 1000 nm 미만의 크기를 갖는 중합체 입자를 생성한다. 일 실시태양에서, 중합체 입자는 500 nm 미만이다. 또 다른 실시태양에서, 중합체 입자는 약 50 nm 미만이다. 단리된 전기 전도성 유기 중합체 입자는 이어서 직접 나노입자의 수성 분산액과 혼합되거나 또는 나노입자의 수성 분산액과 혼합되기 전에 물에 재분산된다.
본 발명 방법의 또 다른 실시태양에서, 산화 중합은 나노입자의 존재하에서 수행되어 전기 전도성 유기 중합체의 단리 없이 수성 분산액을 생성한다. 예를 들어, 나노입자는 아닐린 단량체를 함유하는 수용액에 첨가되어 분산액을 형성할 수 있다. 이어서, 나노입자 존재하에서 단량체를 중합하기 위해 산화제를 첨가할 수 있다. 본 발명의 이러한 실시태양은 "원-포트 (one-pot)" 합성에서 발명의 수성 분산액을 제공하기 때문에 경제적으로 매력적이다. 어느 방법으로 제조된 발명의 수성 분산액이건, 예컨대 밀렉스 (Millex) 0.45 ㎛ HV 필터를 통해 쉽게 여과되는 장점을 제공한다. 따라서 발명의 수성 분산액은 용이하게 연속적이고 평탄한 필름을 제공한다.
스테릭 안정화제와 같은 유기 첨가제가 산화 중합 전에 수용액에 임의로 첨가될 수 있다. 이들 첨가제는 나노미터 크기 입자를 갖는 전기 전도성 유기 중합체의 형성을 용이하게 한다. 유기 첨가제는 예컨대 폴리아크릴아미드, 폴리비닐알콜, 폴리(2-비닐피리딘), 폴리(비닐아세테이트), 폴리(비닐메틸에테르), 폴리(비닐피롤리돈), 폴리(비닐 부티랄) 등을 포함한다.
본 발명의 실시에서의 이용을 위해 고려되는 나노입자는 유기질이거나 또는 무기질일 수 있다. 본 발명의 실시에서 이용이 고려되는 무기 나노입자는 알루미나, 실리카, 금속 나노입자, 전기적으로 반전도성인 금속 산화물 등이다. 일 실시태양에서, 전기적으로 반전도성인 금속 산화물은 안티몬산 아연 등과 같은 혼합된 전자가 (valence) 금속 산화물에서 선택된다. 또 다른 실시태양에서, 금속 나노입자는 몰리브데늄 나노입자이다. 본 발명의 실시에서 이용이 고려되는 유기 나노입자는 콜로이드 술폰산 (예컨대 퍼플루오로에틸렌 술포네이트 등), 폴리아크릴레이트, 폴리포스포네이트, 탄소 나노튜브 등을 포함한다.
본 발명의 실시에서 이용이 고려되는 나노입자는 댜양한 모양 및 크기를 지닐 수 있다. 일 실시태양에서, 나노입자는 사실상 구형이다. 또 다른 실시태양에서, 나노입자는 금속 나노와이어와 같이 사실상 연장된다. 본 발명의 실시에서 이용이 고려되는 나노입자는 약 500 nm 미만의 평균 입자 지름을 갖는다. 또 다른 실시태양에서, 나노입자는 약 100 nm 미만의 평균 입자 지름을 갖는다. 또 다른 실시태양에서, 나노입자는 약 50 nm 미만의 평균 입자 지름을 갖는다. 또 다른 실시태양에서, 연장된 나노입자의 가로ㆍ세로 비는 1 대 100 보다 크다. 가로ㆍ세로 비는 입자 폭 대 입자 길이의 비로 정의된다. 연장된 입자에 있어서, "입자 크기"는 입자 폭인 것으로 간주된다. 또 다른 실시태양에서, 나노입자는 불규칙한 입체 구조를 갖는다. 불규칙한 모양의 입자에 있어서, "입자 크기"는 입자가 통과하는 가장 작은 체의 구멍 크기인 것으로 간주된다. 본 발명의 또 다른 실시태양에서, 전기 전도성 유기 중합체 및 나노입자를 포함하는 수성 분산액으로부터 주조된 완충층이 제공된다. 전기 전도성 중합체 및 나노입자 모두 물에 즉시 분산될 수 있다. 따라서, 연속적이고 평탄한 필름이 전기 전도성 중합체 및 나노입자를 함유하는 수성 분산액으로부터 주조하여 생성될 수 있다. 발명의 완충층은 무기 나노입자가 없는 것을 제외하고는 동일한 조성의 완충층과 비교하여 감소된 전도성을 지닌다. 전기 저항성은 전기 전도성에 반비례한다. 따라서, 본원에서 사용된 "고 저항" 및 "저 전도성"이라는 어구는 본원에 기술된 완충층에 대하여 바꾸어 사용될 수 있다. 본원에서 어구 "고 저항" 및 "저 전도성"은 각각 상업적으로 이용가능한 완충층의 전도성 수준보다 낮은 값, 즉 약 1.0 x 10-3 S/cm 미만을 의미한다. 또 다른 실시태양에서, 저항성은 바람직하게는 1.0 x10-5 S/cm 미만이다. 저항성 및 전도성 값은 일반적으로 옴-센티미터 (ohm-cm) 및 지멘스 퍼 센티미터 (S/cm)의 단위로 각각 기록된다. 본원에서는 저항성 값보다는 전도성 값으로 기록한다 (S/cm 단위를 이용).
본 발명의 또 다른 실시태양에서, 두개의 전기 접촉층 사이에 위치한 하나 이상의 전계 발광층 (보통은 반도체 콘쥬게이티드 중합체)을 포함한 전자 장치가 제공되고, 장치의 층 들중 하나 이상은 본 발명의 완충층을 포함한다. 도 1에 나타난 바처럼, 전형적인 장치는 애노드층 (110), 완충층 (120), 전계 발광층 (130) 및 캐소드층 (150)을 갖는다. 캐소드층 (150)에 인접하여 임의의 전자-주입/전달층 (140)이 있다. 완충층 (120) 및 캐소드층 (150) (또는 임의의 전자 주입/전달층 (140)) 사이에 전계 발광층 (130)이 있다.
장치는 애노드층 (110) 또는 캐소드층 (150)에 인접할 수 있는 지지체 또는 기판 (나타나 있지 않음)을 포함할 수 있다. 가장 빈번히는, 지지체는 애노드층 (110)에 인접한다. 지지체는 연질 또는 경질, 유기질 또는 무기질일 수 있다. 일반적으로 유리 또는 연질의 유기 필름이 지지체로 이용된다. 애노드층 (110)은 캐소드층 (150)보다 정공을 주입하는데 더 효율적인 전극이다. 애노드는 금속, 혼합 금속, 합금, 금속 산화물 또는 혼합 산화물을 함유한 물질을 포함할 수 있다. 적당한 물질은 2 족 원소 (예컨대 Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Ra), 11 족 원소, 4, 5 및 6 족 원소, 및 8-10 족 전이 원소의 혼합 산화물을 포함한다. 애노드층 (110)이 투광성이면 인듐-주석-산화물과 같은 12, 13 및 14족 원소의 혼합 산화물이 사용될 수 있다. 본원에서 사용되는 어구 "혼합 산화물"은 2족 원소 또는 12, 13 또는 14족 원소에서 선택된 둘 이상의 상이한 양이온을 지닌 산화물을 의미한다. 애노드층 (110)을 위한 물질의 일부 비제한적이고 구체적인 예는 인듐-주석-산화물 ("ITO"), 알루미늄-주석-산화물, 금, 은, 구리 및 니켈을 포함한다. 애노드는 또 한 폴리아닐린 또는 폴리티오펜과 같은 유기 물질을 포함할 수도 있다.
애노드층 (110)은 화학적 또는 물리적 기상 증착 공정 또는 스핀-주조 공정에 의해 형성될 수 있다. 화학 기상 증착은 플라즈마-증강 화학 기상 증착 ("PECVD") 또는 금속 유기 화학 기상 증착 ("MOCVD")으로써 수행될 수 있다. 물리 기상 증착은 이온빔 스퍼터링 뿐만 아니라 e-빔 증발 및 저항 증발을 비롯한, 모든 형태의 스퍼터링을 포함할 수 있다. 물리 기상 증착의 구체적 형태는 rf 마그네트론 스퍼터링 및 유도 결합 플라즈마 물리 기상 증착 ("IMP-PVD")을 포함한다. 이들 증착 기법은 반도체 제조 분야에서 잘 알려져 있다.
일반적으로, 애노드층 (110)은 리소그라피 조작 동안 패턴 형성된다. 패턴은 원하는 대로 달라질 수 있다. 층들은, 예컨대 제1 전기 접촉층 물질을 도포하기 전에 제1 연성 복합체 배리어 구조상에 패턴된 마스크 또는 레지스트를 위치시킴으로써 패턴 형성될 수 있다. 별법으로, 층들은 총괄적인 층으로 도포될 수 있고 (또한 블랭킷 증착으로 불림), 이어서 예컨대 패턴화된 레지스트층 및 습식 화학 또는 건식 에칭 기법을 이용하여 패턴화될 수 있다. 당업계에 공지된 기타 패터닝 방법도 이용될 수 있다. 전기 장치가 어레이 내에 위치하는 경우, 애노드층 (110)은 사실상 동일한 방향으로 연장된 길이를 갖는 사실상 평행한 스트립 내에 일반적으로 형성된다.
완충층 (120)은 일반적으로 당업자에게 공지된 다양한 기법을 이용하여 기판 상에 주조된다. 일반적인 주조 기법은 예컨대 용액 주조, 적하 주조, 커튼 주조, 스핀-코팅, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 등을 포함한다. 별법으로, 완충층은 잉 크젯 프린팅과 같은 그러한 몇 가지 공정을 이용하여 패턴화될 수 있다.
전계 발광 (EL)층 (130)은 전형적으로 폴리(파라페닐렌비닐렌) 또는 폴리플루오렌과 같은 콘쥬게이티드 중합체일 수 있다. 선택되는 특정 물질은 구체적 용도, 조작 동안 사용되는 전위, 또는 기타 요소에 의존한다. 전계 발광 유기 물질을 함유하는 EL층 (130)은 스핀-코팅, 주조 및 프린팅을 비롯한 통상적인 임의의 기법에 의해 용액으로부터 도포될 수 있다. EL 유기 물질은 물질의 성질에 따라, 기상 증착 공정에 의해 직접 도포될 수 있다. 또 다른 실시태양에서, EL 중합체 전구물질이 도포된 후, 보통 열 또는 기타 외부 에너지원 (예컨대, 가시광 또는 UV 방사)을 이용하여 중합체로 전환될 수 있다.
임의의 층 (140)이 전자 주입/전달 모두를 용이하게 하는 기능을 할수 있고, 또한 층 경계에서 켄칭 반응을 방지하는 가둠층 (confinement layer)으로 작용할 수 있다. 더 구체적으로는, 층 (140)은 전자 이동성을 촉진하고 층 (130)과 (150)이 직접 접촉했더라면 있었을 켄칭 반응의 가능성을 감소시킨다. 임의의 층 (140)에 대한 물질의 예는 금속-킬레이트 옥시노이드 화합물 (예컨대, Alq3 등); 페난트롤린-기재 화합물 (예컨대, 2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린 ("DDPA"), 4,7-디페닐-1,10-페난트롤린 ("DPA") 등); 아졸 화합물 (예컨대, 2-(4-비페닐일)-5-(4-t-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸 ("PBD" 등), 3-(4-비페닐일)-4-페닐-5-(4-t-부틸페닐)-1,2,4-트리아졸 ("TAZ" 등); 기타 유사한 화합물, 또는 이들의 조합중 어느 하나 이상을 포함한다. 별법으로, 임의의 층 (140)은 무기질이고 BaO, LiF,Li2O 등을 포함할 수 있다.
캐소드층 (150)은 전자 또는 음 전하 캐리어를 주입하는데 특히 효율적인 전극이다. 캐소드층 (150)은 제1 전기 접촉층 (이 경우, 애노드층 (110))보다 낮은 일함수를 갖는 임의의 금속 또는 비금속일 수 있다. 본원에서 사용된 용어 "낮은 일함수"는 약 4.4 eV 이하의 일함수를 갖는 물질을 나타내려는 것이다. 본원에서 사용된 "높은 일함수"는 대략 4.4 eV 이상의 일함수를 갖는 물질을 나타내려는 것이다.
캐소드층용 물질은 1 족 금속의 알칼리 금속 (예컨대 Li, Na, K, Rb, Cs), 2 족 금속 (예컨대, Mg, Ca, Ba 등), 12 족 금속, 란타니드 (예컨대, Ce, Sm, Eu 등) 및 악티니드 (예컨대, Th, U 등)에서 선택될 수 있다. 알루미늄, 인듐, 이트륨 및 이들의 조합과 같은 물질 역시 사용될 수 있다. 캐소드층 (150)용 물질의 구체적이고 비제한적인 예는 바륨, 리튬, 세륨, 세슘, 유러퓸, 루비듐, 이트륨, 마그네슘 및 사마륨 등을 포함한다.
캐소드층 (150)은 대개 화학 또는 물리 기상 증착 공정에 의해 형성된다. 일반적으로, 캐소드층은 애노드층 (110)에 대해 상기 언급한 바처럼 패턴화될 것이다. 장치가 어레이 내에 있는 경우, 캐소드층 (150)이 사실상 평행한 스트립으로 패턴화될 수 있고, 여기서 캐소드층 스트립의 길이는 애노드층 스트립의 길이와 사실상 동일 방향 및 사실상 직각으로 연장된다. 픽셀이라 불리는 전자 부품은 교차점 (어레이를 평면도 또는 상면도로 보았을 때 애노드층 스트립이 캐소드층 스트립과 교차하는 곳)에서 형성된다.
다른 실시태양에서, 추가층 (들)이 유기 전자 장치 내에 존재할 수 있다. 예를 들어, 완충층 (120)과 EL층 (130) 사이의 층 (나타나지 않음)은 양 전하 전달, 층들의 밴드-갭 정합, 보호층으로서의 기능 등을 용이하게 할 수 있다. 유사하게, EL층 (130)과 캐소드층 (150) 사이의 추가층들 (나타나지 않음)은 음 전하 전달, 층들 사이의 밴드-갭 정합, 보호층으로서의 기능 등을 용이하게 할 수 있다. 당업계에 공지된 층들이 사용될 수 있다. 또한 상기 기술된 층들 중 임의의 것은 둘 이상의 층으로 제조될 수 있다. 별법으로, 무기 애노드층 (110), 완충층 (120), EL층 (130) 및 캐소드층 (150)의 일부 또는 전부가 전하 캐리어 전달 효율을 증가시키기 위해 표면 처리될 수 있다. 각 구성 층에 대한 물질의 선택은 높은 장치 효율을 갖는 장치를 제공하는 목적과 제조 비용, 제조 복잡성 또는 가능한 기타 요소를 비교하여 결정할 수 있다.
전자 장치의 의도하는 용도에 따라, EL층 (130)이 신호에 의해 활성화되는 발광층 (예컨대, 발광 다이오드 내에서)이거나 또는 인가 전위가 있거나 없이 방사 에너지에 반응하고 신호를 발생시키는 물질의 층 (예컨대 검출기 또는 볼타 전지)일 수 있다. 방사 에너지에 반응할 수 있는 전자 장치의 예는 광도전 셀, 포토레지스터, 포토스위치, 포토트랜지스터 및 포토튜브 및 광전지에서 선택된다. 본 명세서를 읽고 당업자는 구체적 용도에 알맞는 물질(들)을 선택할 수 있을 것이다. 발광 물질은 첨가제가 있거나 없는 또 다른 물질의 매트릭스 내에 분산될 수 있지만, 바람직하게는 단독으로 층을 형성한다. EL층 (130)은 일반적으로 대략 50-500 nm 범위의 두께를 갖는다.
유기 발광 다이오드 (OLED)에서, 캐소드 (150) 및 애노드 (110) 층들에서 각각 EL층 (130) 내로 주입된 전자 및 정공은 중합체 내에 음 및 양으로 하전된 폴라론을 형성한다. 이들 폴라론은 인가된 전기장의 영향하에서 이동하고, 반대로 하전된 종들을 갖는 폴라론 여기자를 형성하고 이어서 방사 재결합한다. 애노드와 캐소드 간의 충분한 전위차, 일반적으로 대략 12 볼트 미만이고 많은 경우 대략 5 볼트 이하가 장치에 인가될 수 있다. 더 큰 전자 부품에서 실제 전위차는 장치의 이용에 따라 다를 수 있다. 많은 실시태양에서, 애노드층 (110)은 양 전압으로 바이어스되고 캐소드층 (150)은 전자 장치 작동 동안 실질적으로 바닥 전위이거나 제로 볼트이다. 배터리 또는 기타 전력원(들)이 회로의 일부로서 전자 장치에 전기적으로 연결될 수 있으나 도 1에는 도시되어 있지 않다.
본 발명은 또한 박막 전계 효과 트랜지스터 전극을 제공한다. 박막 전계 효과 트랜지스터에서, 유전체 중합체 또는 유전체 산화물 박막이 한쪽에서 게이트 전극에, 그리고 다른 쪽에서 드레인 및 소스 전극에 제공된다. 드레인 및 소스 전극 사이에, 유기 반전도성 필름이 증착된다. 유기 반전도성 중합체 필름은 일반적으로 톨루엔과 같은 방향족 용매 또는 클로로포름과 같은 클로르화 유기 용매를 이용하여 유기 용액으로부터 주조된다. 전극 용도에 유용하도록, 전도성 중합체와 전도성 중합체를 분산 또는 용해시키는 액체는 전도성 중합체 또는 반전도성 중합체 중 어느 하나의 재-용해를 피하기 위해 반전도성 중합체 및 반전도성 중합체에 대한 용매와 혼화가능해야 한다. 전도성 중합체로부터 만들어지는 박막 전계 효과 트랜지스터 전극은 10 S/cm를 초과하는 전도성을 지녀야 한다. 그러나, 중합체 산 으로 만들어진 전기 전도성 중합체는 단지 ~10-3 S/cm 이하 범위의 전도성만을 제공한다. 가공성 (예컨대, 주조, 스핀-코팅 등)의 저하 없이 전기 전도성 중합체의 전도성을 향상시키기 위해, 고 전도성 첨가물이 필요하다. 따라서, 본 발명의 또 다른 실시태양에서, 박막 전계 효과 트랜지스터 전극이 제공된다. 발명의 전극은 전기 전도성 중합체 및 나노입자를 함유하는 수성 분산액으로부터 주조된다. 이 실시태양에서, 나노입자는 일반적으로 탄소 나노튜브, 금속 나노입자, 또는 금속 나노와이어여서 약 10 S/cm를 초과하는 전도성을 갖는다. 추가의 실시태양에서, 전기 전도성 중합체는 폴리아닐린/중합체 산, 폴리디옥시알킬렌티오펜/중합체 산 등이다.
본 발명은 또한 발명의 전극을 함유하는 박막 전계 효과 트랜지스터를 제공한다. 도 2에 나타난 바와 같이 박막 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 하기 방식으로 제조된다. 유전체 중합체 또는 유전체 산화물 박막 (210)이 한쪽에서 게이트 전극 (220)과 다른 쪽에서 드레인 및 소스 전극, (230) 및 (240)을 각각 갖는다. 드레인 및 소스 전극 사이에, 유기 반전도성 필름 (250)이 증착된다. 나노와이어 또는 탄소 나노튜브를 함유하는 발명의 수성 분산액은, 용액 박막 증착에서 이들의 유기 기재 유전체 중합체 및 반전도성 중합체와의 혼화성 때문에 게이트, 드레인 및 소스 전극의 용도에 이상적이다.
본 발명의 또 다른 실시태양에 따르면, 수성 분산액으로부터 기판상에 주조된 전기 전도성 유기 중합체 필름의 전도성을 약 1 x 10-5 S/cm 미만의 값으로 감소 시키는 방법이 제공된다. 그러한 방법은 예컨대, 다수의 나노입자를 전기 전도성 중합체의 수성 분산액에 첨가함으로써 수행될 수 있다. 놀랍게도, 전기적으로 반전도성인 무기 나노입자라도 본원에 기재된 것처럼 전기 전도성 유기 중합체 필름 내에 혼입되는 경우, 중합체 필름의 전도성을 감소시키는 것으로 밝혀졌다. 일 실시태양에서, 전기 전도성 유기 중합체 필름이 전계 발광 장치에서의 완충층으로 사용될 수 있다. 또 다른 실시태양에서, 전기 전도성 중합체 필름이 PAni/PAAMPSA이다.
더 추가적인 본 발명의 실시태양에서, 두께가 증가된 완충층을 생산하는 방법을 제공한다. 그러한 방법은 예컨대, 다수의 나노입자를 전기 전도성 유기 중합체의 수성 분산액에 첨가하고, 상기 수성 분산액으로부터의 완충층을 기판상에 주조함으로써 수행될 수 있다. 나노입자를 전도성 중합체의 수성 분산액에 첨가하면 점성이 증가된 수성 분산액이 생성된다. 이 증가된 점성은 수용액으로부터 주조되는 층의 두께 제어를 향상시킨다. 알맞게 기능하는 완충층의 적절한 두께는 완충층이 증착되는 금속 전도성 층의 표면 조도에 어느 정도 의존하기 때문에, 완충층 두께의 제어가 필요하다.
본 발명은 하기 비제한적 실시예를 참고로 하여 더욱 상세하게 기술될 것이다.
비교예 1
본 실시예는 PAni/PAAMPSA의 제조 및 그것의 완충층으로서의 전기 전도성 및 발광 장치 특성을 예시한다.
PAni/PAAMPSA의 합성을 다음 방법으로 수행하였다. 아닐린 (4.08 g)을 PAAMPSA (6.35 g, 미국 미조리주 세인트 루이스 시그마-알드리치 코프.(Sigma-Aldrich Corp.)에서 입수)을 함유한 150 mL 수용액에 15 중량% 수용액의 형태로 용해시켰다 (PAAMPSA의 중량 평균 분자량은 2,000,000). 아닐린 및 PAAMPSA를 함유한 수용액을 500 mL 사구 둥근 바닥 플라스크에 넣고 얼음/수조로 -4 ℃로 냉각시켰다. 용액을 자석 교반기로 계속해서 교반하였다. 차가워진 아닐린/PAAMPSA 수용액에, 4.235 g PAAMPSA 및 2.36 g 암모늄 퍼술페이트를 함유한 수용액 100 mL를 1 시간에 걸쳐 일정한 속도로 첨가하였다. 198 분 동안 중합이 진행되도록 하였다.
반응 혼합물을 이어서 두개의 원심분리 병에 붓고 8000 rpm에서 15 ℃로 30 분간 원심분리하였다. 원심분리 후에 상청액을 아세톤에 서서히 첨가하여 중합체 생성물을 침전시켰다. 침전 후에, 고체 중합체를 아세톤에서 반복하여 세척하고, 여과하고 진공 오븐에서 하루밤 건조시켰다(~18 Hg., N2 블리드, 주변 온도). 수득량은 7.03 g이었다.
앞서 제조한 PAni/PAAMPSA (1.21 g)를 39.12 g 탈이온수에 분산시켰는데, 이는 수용액에서 3.0 wt% 고체를 이루었다. 분산액에 대해 전기 전도성 및 발광 특성을 시험하였다. 인듐 주석 산화물 (ITO)층이 100 내지 150 nm 두께인 시판되는 ITO/유리판을 30 mm x 30 mm 크기의 샘플로 절단하였다. ITO층을 이어서 산소 플라즈마로 에칭하였다. 전기 전도성 측정에 사용될 유리 기판상의 ITO를 평행한 일련의 ITO의 열로 에칭하여 전극으로 사용하였다. 발광 측정을 위해 LED로 제조될 기판상의 ITO를 애노드로 작용하는 15 mm x 20 mm의 ITO 층으로 에칭하였다. 수성 분산액을 그 후 각각의 ITO/유리 기판상에 1,200 rpm의 스피닝 속도에서 스핀-코팅하였다. 생성된 PAni/PAAMPSA층은 약 137 nm 두께였다.
점도 측정을 위한 샘플을 다음과 같이 준비하였다: 0.0989 g의 PAni/PAAMPSA를 9.9081 g의 탈이온수와 혼합하였고, 이는 분산액 내에서 0.99 wt%의 PAni/PAAMPSA를 이루었다. 이 혼합물을 하루밤 동안 자석으로 교반하였다. 실시예 4와 비교했을 때, 낮은 스핀 코팅 속도 (1,200 rpm. vs. 6,000 rpm)에도 불구하고 코팅 두께가 더 작다는 점 (137 nm vs. 300 nm)에 주목해야 한다. 본 비교는 분산액이 실시예 4의 분산액보다 낮은 점성을 갖는다는 점을 보여주었다.
PAni/PAAMPSA로 코팅된 ITO/유리 기판을 전기 전도성을 측정하기 전에 질소에서 90 ℃로 30 분 동안 건조시켰다. 전기 전도성을 두 전극 사이의 저항을 측정함으로써 측정하였는데, 저항, 전도층의 두께 및 저항 측정에 사용되는 두개의 전극간 거리에 기초하여 3.6x10-5 S/cm로 계산되었다. 전도성을 표 Ⅰ나타내었다.
발광 측정을 위해, 발광 다이오드 (LED) 내에 혼입되는 경우 PAni/PAAMPSA층을 수퍼-옐로우 이미터 폴리(치환-페닐렌 비닐렌) (독일 프랑크푸르트 코비온 컴퍼니 (Covion Company)에서 입수한 PDY 131)으로 위코팅 (top-coating)하여 활성 발 광 (EL)층으로 작용하도록 하였다. EL층의 두께는 대략 70 nm였다. 모든 필름 두께를 텐코 500 표면 프로파일러 (TENCOR 500 Surface Profiler)로 측정하였다. 캐소드를 위해, Ba 및 Al층을 EL층에 1.3 x 10-4 Pa의 압력에서 기상 증착하였다. Ba층의 최종 두께는 3 nm이고, Ba층 위의 Al층의 두께는 300 nm였다. LED 장치 성능을 다음과 같이 시험하였다. 전류 대 인가 전압, 발광 광도 대 인가 전압, 및 발광 효율 (칸델라/암페어-cd/A)을 케이트리 (Keithley) 236 소스 측정 유닛 (오하이오주 클리블렌드 케이트리 인스트루먼트 인크.(Keithley Instrument Inc.)) 및 교정된 실리콘 포토다이오드를 갖는 S370 옵토메터 (S370 Optometer) (캘리포니아주 호손 UDT 센서 인크)로 측정하였다. 전류를 각각의 다섯개의 LED에 실온에서 8.3 mA/cm2의 전류 밀도로 인가하였다. 표 1에 요약되어 있듯이, 전류 밀도를 얻기 위한 평균 전압은 4.2 볼트이고 평균 광효율 및 발광 광도는 각각 8.3 cd/A 및 115 cd/m2였다. 표 1은 또한 80 ℃ 및 3.3mA/cm2 전류 밀도에서의 장치 반감기가 12 시간임을 보여준다.
실시예 1
본 실시예는 실리카 나노입자를 포함한 수성 PAni/PAAMPSA 분산액의 제조 및 완충층으로서의 그의 전기 전도성 및 발광 특성을 예시한다.
비교예 1에서 제조한 PAni/PAAMPSA (0.63 g)을 0.75 g 스노우텍스 (Snowtex)-UP (등록상표) (0.75 g, 일본 도쿄 닛산 케미칼 인더스트리 엘티디.)와 혼합하였는데, 이는 0.152 g의 실리카 나노입자 및 24.07 g의 탈이온수를 함유하였 다. 스노우텍스-UP (등록상표)는 9.0 내지 10.5의 pH를 갖고 폭 약 5-20 nm 및 길이 약 40-300 nm의 실리카 입자 크기를 갖는 수성 분산액이다. 실리카 : PAni/PAAMPSA 중량비는 4.1 : 1이었다.
분산액에 대해 비교예 1에서 기술한 방식과 동일하게 전기 전도성 및 발광 특성을 시험하였다. 표 1에 요약된 결과에서 보는 바와 같이, 실시예 1의 분산액에서 주조된 완충층은 비교예 1과 비교하여 낮은 전도성 (8.2x10-7 S/cm vs. 3.6x10-5 S/cm) 및 높은 반감기 (29 시간 vs. 12 시간)를 갖는다. 본 실시예는 장치 수명을 향상시키면서도 전도성을 감소시키는 나노 입자의 효과를 입증한다.
실시예 2
본 실시예는 콜로이드 실리카를 포함한 발명의 수성 PAni/PAAMPSA 분산액의 제조 및 완충층으로서의 그의 전기 전도성 및 발광 특성을 예시한다.
비교예 1에서 제조한 PAni/PAAMPSA (0.61 g)을 스노우텍스-O (등록상표) (일본 도쿄 닛산 케미칼 인더스트리스, 엘티디.)와 혼합하였는데, 이는 0.153 g의 실리카 나노입자 및 23.47 g의 탈이온수를 함유하였다. 스노우텍스-O (등록상표)는 2-4의 pH 범위를 갖고 10-20 nm의 실리카 입자 크기를 갖는 수성 분산액이다. 실리카 : PAni/PAAMPSA의 중량비는 3.99 : 1이었다.
분산액에 대해 비교예 1에서 기술한 방식과 동일하게 전기 전도성 및 발광 특성을 시험하였다. 표 1에 요약된 결과에서 보는 바와 같이, 실시예 2의 분산액에서 주조된 완충층은 비교예 1과 비교하여 낮은 전도성 (7.6x10-7 S/cm vs. 3.6x10-5 S/cm) 및 높은 반감기 (30 시간 vs. 12 시간)를 갖는다. 본 실시예는 또 다시 장치 수명을 향상시키면서도 전도성을 감소시키는 나노 입자의 효과를 입증한다.
실시예 3
본 실시예는 전기 반전도성 산화물을 포함하는 수성 PAni/PAAMPSA 분산액의 제조 및 완충층으로서의 그의 전기 전도성 및 발광 특성을 예시한다.
비교예 1에서 제조한 PAni/PAAMPSA (0.90 g)을 셀낙스 (Celnax) CX-Z300H (등록상표) (1.97 g, 일본 도쿄 닛산 케미칼 인더스트리스, 엘티디.에서 입수한 안티몬산 아연)와 혼합하였는데, 이는 0.601 g의 전도성 산화물 입자 및 48.53 g의 탈이온수를 함유하였다. 셀낙스 CX-Z300H (등록상표)는 6.85의 pH 범위를 갖고 20 nm의 산화물 나노입자를 갖는 수성 분산액이다. 산화물 분말의 전도성은 160Kg/cm2의 압력에서 압축 건조 펠릿상에서 측정하여 3.6 S/cm이었다. 산화물 : PAni/PAAMPSA의 중량비는 1.50 : 1이었다.
분산액에 대해 비교예 1에서 기술한 방식과 동일하게 전기 전도성 및 발광 특성을 시험하였다. 표 1에 요약된 결과에서 보는 바와 같이, 실시예 3의 분산액에서 주조된 완충층은 비교예 1과 비교하여 낮은 전도성 (8.3x10-8 S/cm vs. 3.6x10-5 S/cm) 및 높은 반감기 (61 시간 vs. 12 시간)를 갖는다. 본 실시예는 또 다시 장치 수명을 향상시키면서도 전도성을 감소시키는 나노 입자의 효과를 설명한 다.
실시예 4
본 실시예는 Si02 나노입자가 존재하는 PAni/PAAMPSA의 수성 분산액의 제조 및 완충층으로서의 그의 전기 전도성 및 발광 특성을 예시한다.
SiO2 나노입자의 존재하에서 PAni/PAAMPSA의 합성을 다음과 같은 방식으로 수행하였다. PAAMPSA (미국 미조리주 세인트 루이스 시그마-알드리치 코프에서 입수한 36.32 g의 15 wt% 수용액)를 250 날젠 (Nalgene) (등록상표) 플라스틱 병에 넣었다. 이 PAAMPSA 용액에 스노우텍스-UP (등록상표) (34.33 g 일본 도쿄 닛산 케미칼 인더스트리스, 엘티디.)를 첨가하였다. 스노우텍스-UP (등록상표)는 9.0 내지 10.5의 pH를 갖고, 폭 5-20 nm 및 길이 40-300 nm의 실리카 입자를 함유하는 수성 분산액이다. PAAMPSA/스노우텍스-UP (등록상표) 실리카 혼합물을 탈이온수 (150 mL)에 분산시켰다. 이 분산액에 아닐린 (4.08 g)을 첨가하였다. 수성 PAAMPSA/스노우텍스-UP (등록상표)/아닐린 혼합물을 500 mL 사구 둥근 바닥 플라스크에 넣고 물/얼음 혼합물로 -4 ℃로 냉각하였다. 이 용액을 자석 교반기로 계속해서 교반하였다. 차가워진 PAAMPSA/스노우텍스-UP (등록상표)/아닐린 분산액에 4.493 g PAAMPSA (상기함) 및 암모늄 퍼술페이트 (2.33 g)를 함유한 수용액 100 mL를 1 시간에 걸쳐 첨가하였다. 반응을 180 분 동안 진행되게 하였다.
반응 혼합물을 이어서 두개의 원심분리 병에 붓고 8000 rpm에서 15 ℃로 30 분간 원심분리하였다. 원심분리 후에 상청액을 아세톤에 서서히 첨가하여 중합체 생성물을 침전시켰다. 침전 후에, 고체 중합체를 아세톤에서 반복하여 세척하고, 여과하고 진공 오븐에서 하루밤 건조시켰다(~18 Hg., N2 블리드, 주변 온도) (수득량은 14.19 g이었다). 수득량이 비교예 1의 거의 2 배임에 주목해야 한다. 수득량의 증가는 PAni/PAAMPSA 내에 SiO2 나노입자가 존재함을 나타낸다.
앞서 제조한 PAni/PAAMPSA/SiO2 (1.20 g)를 38.80 g 탈이온수에 분산시켰는데, 이 분산액은 물에서 3.0 wt% 고체를 이루었다. 이전의 실시예에서처럼 완충층을 ITO 기판상에 주조하였다. 발광 측정을 위해, PAni/PAAMPSA/실리카층을 수퍼-옐로우 이미터 폴리(치환-페닐렌 비닐렌) (독일 프랑크푸르트 코비온 컴퍼니에서 입수한 PDY 131)로 위코팅 (top-coating)하여 LED 장치에서 활성 발광 (EL)층으로 작용하도록 하였다. EL층의 두께는 대략 70 nm였다. 모든 필름 두께를 텐코 500 표면 프로파일러 (TENCOR 500 Surface Profiler)로 측정하였다. 캐소드를 위해, Ba 및 Al층을 EL층의 위에 1.3 x 10-4 Pa의 압력하에서 기상 증착하였다. Ba층의 최종 두께는 3 nm이고, Ba층 위의 Al층의 두께는 300 nm였다. LED 장치 성능을 다음과 같이 시험하였다. 전류 대 인가 전압, 발광 광도 대 인가 전압, 및 발광 효율 (칸델라/암페어-cd/A)을 케이트리 (Keithley) 236 소스 측정 유닛 (오하이오주 클리블렌드 케이트리 인스트루먼트 인크.) 및 교정된 실리콘 포토다이오드를 갖는 S370 옵토메터 (캘리포니아 호손 UDT 센서 인크)로 측정하였다. 전류를 각각의 다섯개의 LED 장치에 실온에서 8.3 mA/cm2의 전류 밀도로 인가하였다. 표 1에 요약되 어 있듯이, 전류 밀도를 얻기 위한 평균 전압은 4.3 볼트이고 평균 광효율 및 발광 광도는 각각 5.3 cd/A 및 130 cd/m2였다. 표 1은 또한 80 ℃ 및 3.3mA/cm2 전류 밀도에서의 장치 반감기가 42 시간임을 보여준다. 비교예 1에서 예시된 두께의 2.2 배 두께임에도 불구하고, 실리카가 없는 PAni/PAAMPSA와 비교했을 때 반감기가 4X 증가하고 방출 강도가 높았음 (130 cd/m2 vs. 115)에 주목해야 한다.
PAni/PAAMPSA에 첨가된 무기 나노입자가 유리 기판상의 OLED의 발광 특성에 미치는 영향
실시예 코팅 두께 (nm) 전도성 (S/cm) 전압 (볼트)@ 8.3 mA/cm2 효율 (Cd/A)@8.3 mA/cm2 광도 (Cd/m2)@3.3mA/cm2, 80℃ 반감기 (hr)@3.3 mA/cm2, 80 ℃
비교예 1 137@1,200rpm 3.6X10-5 4.2 8.3 115 12
실시예 1 114@1,200rpm 8.2X10-7 4.8 8.1 135 29
실시예 2 166@1,200rpm 7.6X10-7 4.9 7.4 108 30
실시예 3 113@1,200rpm 8.3X10-8 4.1 8.0 148 61
실시예 4 300@6,000rpm 9.0X10-7 4.3 5.3 130 42
표 2에서 보는 바와 같이, 실시예 4의 수성 분산액은 6,000 rpm의 스피닝 속도에서 300 nm의 코팅 두께를 생성시킨다. 코팅 두께는 높은 스피닝 속도 (6,000 rpm vs. 1,200 rpm)에도 불구하고 비교예 1의 코팅 두께보다 훨씬 두껍다 (300 nm vs. 137nm). 비교 결과 실리카 나노입자와 중합된 PAni/PAAMPSA가 실리카 나노입자 없이 중합된 PAni/PAAMPSA보다 더 높은 점성을 갖는다. 표 2에서 보는 바와 같이, 이러한 점성 증가는 두께가 증가한 완충층을 생성시킨다. 점성 측정을 위한 분산액을 다음과 같이 준비하였다: 0.0999 g의 PAni/PAAMPSA/실리카를 9.9164 g의 탈이온수와 혼합하였고, 이는 분산액에서 1.00 wt%의 PAni/PAAMPSA/실리카를 이루었다.
수성 PAni/PAAMPSA 분산액의 점성
점성 (cps)
샘플 10 s-1 100 s-1 1000 s-1
비교예 1 5.50 4.52 4.10
실시예 4 8.30 6.80 6.15
실시예 5
본 실시예는 유기 용매에서 시판되는 수성 PEDT 분산액으로부터 제조된 고체 필름의 일체성을 설명한다.
본 실시예에서, ~10-3 S/cm의 전도성을 갖는 시판되는 수성 PEDT 분산액 (독일 레버쿠센, H.C. 스타르크 게엠베하 (H.C. Starck, GmbH)에서 입수한 바이트론-P VP Al 4083)을 실온, 질소 흐름 하에서 유리 비이커 내에서 고체 필름으로 건조시켰다. 건조된 필름을 박막 전계 효과 트랜지스터의 제조에서 유기 반전도성 중합체를 용해시키는데 이용하는 통상의 유기 용매 (예컨대, 톨루엔, 클로로포름, 디클로로메탄 등)와 혼합하였다. 필름 조각들은 유기 액체 중 어느 것으로도 팽창되지 않았고 액체를 변색시키지 않았다. 이 결과는 바이트론-P로부터 제조된 PEDT 필름이 반전도성 중합체용 유기 용매와 혼화가능함을 명백히 입증하였고, 따라서 박막 전계 효과 트랜지스터용 전극으로서의 유용성을 입증하였다.
실시예 6
본 실시예는 유기 용매에서 PAni/PAAMPSA 수성 분산액으로부터 제조된 고체 필름의 일체성을 설명한다.
본 실시예에서, 비교예 1에서 제조한 PAni/PAAMPSA의 수성 분산액을 실온, 질소 흐름 하에서 유리 비이커 내에서 고체 필름으로 건조시켰다. 건조된 필름을 박막 전계 효과 트랜지스터의 제조에서 유기 반전도성 중합체를 용해시키는데 이용하는 통상의 유기 용매 (예컨대, 톨루엔, 클로로포름, 디클로로메탄 등)와 혼합하였다. 필름 조각들은 유기 액체 중 어느 것으로도 팽창되지 않았고 액체를 변색시키지 않았다. 이 결과는 PAni/PAAMPSA 수성 분산액으로부터 제조된 PAni/PAAMPSA 필름이 반전도성 중합체용 유기 용매와 혼화가능함을 명백히 입증하였고, 따라서 박막 전계 효과 트랜지스터용 전극으로서의 유용성을 입증하였다.
실시예 7
본 실시예는 폴리아닐린/중합체 산 또는 폴리(디옥시에틸렌 티오펜)/중합체 산 및 고 전도성 나노입자를 함유한 발명의 수성 분산액의 제조를 예시한다.
비교에 1에서 보는 바와 같이, PAni/PAAMPSA의 수성 분산액으로부터 주조된 PAni/PAAMPSA의 전기 전도성은 단지 3.6x10-5 S/cm이었고, 이는 박막 전계 효과 트랜지스터의 게이트, 드레인 또는 소스 전극으로 적용하기에는 불충분하였다. PAni의 수성 분산액 (예컨대, 독일 암메르스베크의 오르메콘 (Ormecon)에서 입수),또는 PEDT (예컨대 바이트론-P)에서 지금까지 획득한 가장 높은 전도성은 약 10-3 S/cm로서, 이는 적용하기에는 여전히 너무 낮은 값이었다. 그러나, 금속의 나노-와이어 또는 나노-입자, 또는 탄소 나노튜브와 같은 나노입자를 함유하는 본 발명의 수성 전도성 중합체 분산액을 이용하면, 이들 수성 분산액으로부터 주조된 전극의 전도성이 극적으로 향상되었다. 예를 들어, 15 nm의 지름 및 1.7x104 S/cm의 전도성을 갖는 금속 몰리브데늄 와이어가 전도성을 향상시키기 위해 사용될 수 있다. 8 nm 지름 및 20 ㎛ 길이의 크기와 60 S/cm의 전도성을 갖는 탄소 나노튜브 역시 전도성을 향상시키기 위해 사용될 수 있다. 나노입자의 높은 전도성 및 물속에서 상기 입자들의 분산성 때문에, 전기 전도성 중합체 및 고 전도성 나노입자로 구성된 복합체 수성 분산액이 박막 전계 효과 트랜지스터에서의 드레인, 소스 또는 게이트 전극으로서의 연속적이고 평탄한 필름을 제조하기 위해 용이하게 준비될 수 있다.
바람직한 특정의 실시태양들에 대하여 본 발명이 자세히 기술되어 있지만, 변형 및 변경은 기술되고 청구된 발명의 취지 및 범위 이내임이 이해될 것이다.

Claims (8)

  1. 전기 전도성 유기 중합체 및 다수의 나노입자의 수성 분산액을 포함하고, 여기서 나노입자가 수성 분산액의 전도성을 전도성 중합체의 전도성 미만의 값으로 감소시키는 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전기 전도성 유기 중합체가 폴리(2-아크릴아미도-2-메틸-1-프로판술폰산)을 반대이온으로 갖는 폴리아닐린 (PAni/PAAMPSA) 및 폴리(스티렌술폰산)을 반대 이온으로 갖는 폴리(에틸렌디옥시티오펜) (PEDT/PSS)에서 선택되는 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 나노입자가 무기 나노입자, 유기 나노입자 또는 이들의 혼합물인 조성물.
  4. 제3항에 있어서, 상기 무기 나노입자가 실리카, 알루미나 및 전기 전도성 금속 산화물, 및 이들의 혼합물에서 선택되고, 상기 유기 나노입자가 폴리아크릴레이트, 탄소 나노튜브 및 퍼플루오로에틸렌 술포네이트, 및 이들의 혼합물에서 선택되는 조성물.
  5. 전기 전도성 유기 중합체의 수성 분산액에 다수의 나노입자를 첨가하는 것을 포함하는, 수성 분산액으로부터 기판상에 주조된 완충층의 전도성을 약 10-3 S/cm 미만의 값으로 감소시키는 방법.
  6. 전도성 유기 중합체의 수성 분산액에 다수의 나노입자를 첨가하는 것과 상기 수성 분산액으로부터 층을 기판상에 주조하는 것을 포함하는 방법으로 제조된 완충층을 하나 이상 갖는 유기 전자 장치.
  7. 제6항에 있어서, 포토센서, 포토스위치, 포토레지스터, 포토트랜지스터, 포토튜브, IR 검출기, 광전지, 태양전지, 발광 다이오드, 바이오센서, 발광 다이오드 디스플레이 또는 다이오드 레이져인 장치.
  8. 폴리(2-아크릴아미도-2-메틸-1-프로판술폰산)을 반대이온으로 갖는 폴리아닐린 (PAni/PAAMPSA) 및 폴리(스티렌술폰산)을 반대 이온으로 갖는 폴리(에틸렌디옥시티오펜) (PEDT/PSS)에서 선택된 하나 이상의 전도성 중합체를 포함하는 전기 전도성 중합체, 및 이와 분산된 다수의 나노입자를 포함하고, 상기 나노입자는 폴리아크릴레이트, 탄소 나노튜브 및 퍼플루오로에틸렌 술포네이트, 및 이들의 혼합물에서 선택되는 것인 고 저항 완충층.
KR1020057004948A 2002-09-24 2003-09-24 전기 전도 유기 중합체/나노입자 복합체 및 이들의 이용방법 KR101021749B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US41311402P 2002-09-24 2002-09-24
US60/413,114 2002-09-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050084574A KR20050084574A (ko) 2005-08-26
KR101021749B1 true KR101021749B1 (ko) 2011-03-15

Family

ID=32043203

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020057004948A KR101021749B1 (ko) 2002-09-24 2003-09-24 전기 전도 유기 중합체/나노입자 복합체 및 이들의 이용방법

Country Status (10)

Country Link
US (3) US20040124504A1 (ko)
EP (2) EP2341118A1 (ko)
JP (2) JP4464277B2 (ko)
KR (1) KR101021749B1 (ko)
CN (1) CN100540628C (ko)
AU (1) AU2003279011A1 (ko)
CA (1) CA2500304A1 (ko)
HK (1) HK1080889A1 (ko)
TW (1) TWI302563B (ko)
WO (1) WO2004029176A1 (ko)

Families Citing this family (102)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1681869B (zh) 2002-09-24 2010-05-26 E.I.内穆尔杜邦公司 用于电子器件用聚合物酸胶体制成的可水分散的聚苯胺
KR101021749B1 (ko) 2002-09-24 2011-03-15 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 전기 전도 유기 중합체/나노입자 복합체 및 이들의 이용방법
US7431866B2 (en) 2002-09-24 2008-10-07 E. I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible polythiophenes made with polymeric acid colloids
US7317047B2 (en) * 2002-09-24 2008-01-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electrically conducting organic polymer/nanoparticle composites and methods for use thereof
JP3913208B2 (ja) * 2002-11-01 2007-05-09 三菱レイヨン株式会社 カーボンナノチューブ含有組成物、これからなる塗膜を有する複合体、及びそれらの製造方法
US7645400B2 (en) * 2002-11-01 2010-01-12 Mitsubishi Rayon Co., Ltd. Composition containing carbon nanotubes having a coating
JP4394890B2 (ja) * 2003-03-10 2010-01-06 株式会社Ｋｒｉ 導電性組成物、導電膜、樹脂複合材料
JP4851323B2 (ja) * 2003-04-22 2012-01-11 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 高分子酸コロイドにより製造された水分散性ポリチオフェン
US7390438B2 (en) * 2003-04-22 2008-06-24 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible substituted polydioxythiophenes made with fluorinated polymeric sulfonic acid colloids
DE10325102B3 (de) * 2003-06-03 2004-05-27 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Dispersionen steifkettiger, konjugierter Polymere, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung zur Herstellung elektronischer Bauelemente
US7351358B2 (en) 2004-03-17 2008-04-01 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible polypyrroles made with polymeric acid colloids for electronics applications
US8147962B2 (en) 2004-04-13 2012-04-03 E. I. Du Pont De Nemours And Company Conductive polymer composites
KR100632632B1 (ko) 2004-05-28 2006-10-12 삼성전자주식회사 나노 결정의 다층 박막 제조 방법 및 이를 이용한유·무기 하이브리드 전기 발광 소자
KR100736521B1 (ko) * 2004-06-09 2007-07-06 삼성전자주식회사 나노 결정 전기발광 소자 및 그의 제조방법
KR20060004158A (ko) * 2004-07-08 2006-01-12 박철용 피티씨 특성을 갖는 수성 도전성 중합체 조성물 및 그제조방법
JP4534673B2 (ja) * 2004-08-31 2010-09-01 日産自動車株式会社 機能性薄膜素子、機能性薄膜素子の製造方法及び機能性薄膜素子を用いた物品
JP4534674B2 (ja) * 2004-08-31 2010-09-01 日産自動車株式会社 機能性薄膜素子、機能性薄膜素子の製造方法及び機能性薄膜素子を用いた物品
JP4824971B2 (ja) * 2004-09-09 2011-11-30 三菱レイヨン株式会社 ナノ物質含有組成物、その製造方法及びそれを用いた複合体
KR101195714B1 (ko) 2004-09-09 2012-10-29 미츠비시 레이온 가부시키가이샤 나노물질 함유 조성물, 그의 제조방법 및 그를 이용한복합체
EP1653529B1 (en) * 2004-10-11 2007-11-21 Samsung SDI Co., Ltd. Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same
KR20060064987A (ko) * 2004-12-09 2006-06-14 한국전자통신연구원 전도성 잉크와 이를 이용한 유기 반도체 트랜지스터 및 그제작 방법
US20060291142A1 (en) * 2004-12-13 2006-12-28 Ohio State University Research Foundation Composite material containing nanotubes and an electrically conductive polymer
DE102005010162B4 (de) 2005-03-02 2007-06-14 Ormecon Gmbh Leitfähige Polymere aus Teilchen mit anisotroper Morphologie
EP1867080A4 (en) * 2005-03-23 2009-08-12 Semiconductor Energy Lab COMPOSITE MATERIAL, MATERIAL FOR A LIGHT-EMITTING ELEMENT, LIGHT-EMITTING ELEMENT, LIGHT-EMITTING EQUIPMENT AND ELECTRONIC EQUIPMENT
JP2006286664A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Toshiba Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
US7593004B2 (en) 2005-06-02 2009-09-22 Eastman Kodak Company Touchscreen with conductive layer comprising carbon nanotubes
US7645497B2 (en) 2005-06-02 2010-01-12 Eastman Kodak Company Multi-layer conductor with carbon nanotubes
US7535462B2 (en) 2005-06-02 2009-05-19 Eastman Kodak Company Touchscreen with one carbon nanotube conductive layer
JP4856900B2 (ja) * 2005-06-13 2012-01-18 パナソニック株式会社 電界効果トランジスタの製造方法
WO2007002740A2 (en) * 2005-06-28 2007-01-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Buffer compositions
EP1897096A4 (en) 2005-06-28 2009-08-12 Du Pont TRANSPARENT CONDUCTORS WITH HIGH EXTRACTION WORK
JP5753338B2 (ja) * 2005-07-01 2015-07-22 ナショナル ユニヴァーシティー オブ シンガポール 導電性複合材料
EP2922099B1 (en) * 2005-08-12 2019-01-02 Cambrios Film Solutions Corporation Nanowires-based transparent conductors
DE102005039608A1 (de) * 2005-08-19 2007-03-01 Ormecon Gmbh Zusammensetzung mit intrinsisch leitfähigem Polymer
US8216680B2 (en) 2006-02-03 2012-07-10 E I Du Pont De Nemours And Company Transparent composite conductors having high work function
JP5325770B2 (ja) * 2006-05-01 2013-10-23 ウェイク フォレスト ユニバーシティ 有機光電子デバイスおよびその応用
CN101523628B (zh) 2006-05-01 2012-05-30 维克森林大学 纤维光电器件及其应用
US8679630B2 (en) * 2006-05-17 2014-03-25 Purdue Research Foundation Vertical carbon nanotube device in nanoporous templates
US7625637B2 (en) * 2006-05-31 2009-12-01 Cabot Corporation Production of metal nanoparticles from precursors having low reduction potentials
KR101386216B1 (ko) * 2006-06-07 2014-04-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
US7796123B1 (en) 2006-06-20 2010-09-14 Eastman Kodak Company Touchscreen with carbon nanotube conductive layers
US20080149178A1 (en) * 2006-06-27 2008-06-26 Marisol Reyes-Reyes Composite organic materials and applications thereof
JP4301260B2 (ja) * 2006-07-06 2009-07-22 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置の製造方法及び電子機器
ES2375418T3 (es) 2006-08-07 2012-02-29 Wake Forest University Método para producir materiales orgánicos compuestos.
JP5161446B2 (ja) * 2006-08-22 2013-03-13 帝人デュポンフィルム株式会社 導電性フィルムおよび当該フィルムを用いたタッチパネル
WO2008033388A2 (en) * 2006-09-12 2008-03-20 Qd Vision, Inc. A composite including nanoparticles, methods, and products including a composite
US8153271B2 (en) * 2006-09-13 2012-04-10 Ormecon Gmbh Article with a coating of electrically conductive polymer and precious/semiprecious metal and process for production thereof
ATE541023T1 (de) * 2006-11-01 2012-01-15 Univ Wake Forest Festkörperbeleuchtungszusammensetzungen und systeme
JP5186757B2 (ja) * 2006-11-27 2013-04-24 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
US8153029B2 (en) 2006-12-28 2012-04-10 E.I. Du Pont De Nemours And Company Laser (230NM) ablatable compositions of electrically conducting polymers made with a perfluoropolymeric acid applications thereof
US8062553B2 (en) * 2006-12-28 2011-11-22 E. I. Du Pont De Nemours And Company Compositions of polyaniline made with perfuoropolymeric acid which are heat-enhanced and electronic devices made therewith
US20080191172A1 (en) 2006-12-29 2008-08-14 Che-Hsiung Hsu High work-function and high conductivity compositions of electrically conducting polymers
US7785496B1 (en) 2007-01-26 2010-08-31 Clemson University Research Foundation Electrochromic inks including conducting polymer colloidal nanocomposites, devices including the electrochromic inks and methods of forming same
US9487877B2 (en) 2007-02-01 2016-11-08 Purdue Research Foundation Contact metallization of carbon nanotubes
US20080251768A1 (en) 2007-04-13 2008-10-16 Che-Hsiung Hsu Electrically conductive polymer compositions
DE102007018540A1 (de) * 2007-04-19 2008-10-30 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Elektrisch leitfähige und transparente Zusammensetzung
JP2008277648A (ja) * 2007-05-02 2008-11-13 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌ素子の製造方法
US8241526B2 (en) * 2007-05-18 2012-08-14 E I Du Pont De Nemours And Company Aqueous dispersions of electrically conducting polymers containing high boiling solvent and additives
JP5618458B2 (ja) * 2007-08-10 2014-11-05 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、製造方法及び塗布液
US7994105B2 (en) * 2007-08-11 2011-08-09 Jagdish Narayan Lubricant having nanoparticles and microparticles to enhance fuel efficiency, and a laser synthesis method to create dispersed nanoparticles
WO2009026376A1 (en) * 2007-08-20 2009-02-26 Board Of Regents, The University Of Texas System Polymer-nanoparticle compositions and methods of making and using same
JP4936069B2 (ja) * 2007-10-31 2012-05-23 株式会社デンソー モータ制御装置
AU2008318362A1 (en) * 2007-11-01 2009-05-07 Wake Forest University Lateral organic optoelectronic devices and applications thereof
JP5096885B2 (ja) * 2007-11-19 2012-12-12 公立大学法人大阪府立大学 有機化合物およびシリカナノ粒子からなる組成物。
US20100283045A1 (en) * 2007-12-28 2010-11-11 Hideki Uchida Organic electroluminescent element
KR20090092051A (ko) 2008-02-26 2009-08-31 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조방법
KR100891489B1 (ko) * 2008-02-28 2009-04-06 경북대학교 산학협력단 나노다공성 실리카-폴리아닐린 혼성 물질
WO2009117460A1 (en) * 2008-03-19 2009-09-24 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electrically conductive polymer compositions and films made therefrom
JP2011529115A (ja) * 2008-07-22 2011-12-01 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 無機ナノ粒子を含有する導電性ポリマーの水性分散体
KR20170005184A (ko) 2008-09-02 2017-01-11 나트릭스 세퍼레이션즈, 인코포레이티드 크로마토그래피 막, 이를 포함하는 장치 및 이의 이용방법
JP5243181B2 (ja) * 2008-10-20 2013-07-24 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 導電性高分子複合体及び導電性高分子材料を用いた熱電素子
TWI422088B (zh) * 2008-10-23 2014-01-01 Nat Univ Tsing Hua 具有奈米點之有機發光二極體及其製造方法
US20100118243A1 (en) * 2008-11-12 2010-05-13 Debasis Majumdar Polymeric conductive donor and transfer method
US8461758B2 (en) * 2008-12-19 2013-06-11 E I Du Pont De Nemours And Company Buffer bilayers for electronic devices
US8715981B2 (en) 2009-01-27 2014-05-06 Purdue Research Foundation Electrochemical biosensor
CN102378773A (zh) * 2009-01-30 2012-03-14 惠普开发有限公司 聚合物和聚合物-纳米粒子组合物
US8709601B2 (en) 2009-01-30 2014-04-29 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Block copolymer nanoparticle compositions
EP2384346A4 (en) 2009-01-30 2012-10-03 Hewlett Packard Development Co FLUORESCENT UV-LIGHT COPOLYMERS
US8945426B2 (en) 2009-03-12 2015-02-03 E I Du Pont De Nemours And Company Electrically conductive polymer compositions for coating applications
BRPI0901577B1 (pt) * 2009-04-01 2020-02-18 Universidade Federal De Pernambuco Dispositivo semicondutor nanoestruturado do tipo varistor constituído de polímero condutor e óxido de zinco e metais
US8872154B2 (en) * 2009-04-06 2014-10-28 Purdue Research Foundation Field effect transistor fabrication from carbon nanotubes
US9536633B2 (en) 2009-04-10 2017-01-03 Sumitomo Chemical Company, Limited Metallic composite and composition thereof
WO2010117075A1 (ja) * 2009-04-10 2010-10-14 住友化学株式会社 金属複合体及びその組成物
CN102395628B (zh) * 2009-04-21 2016-01-20 E.I.内穆尔杜邦公司 导电聚合物组合物和由其制得的膜
TW201100482A (en) * 2009-04-24 2011-01-01 Du Pont Electrically conductive polymer compositions and films made therefrom
JP5740830B2 (ja) * 2010-04-05 2015-07-01 住友化学株式会社 金属複合体及びそれに有用な化合物
CA2836460C (en) 2011-05-17 2021-09-21 Natrix Separations Inc. Methods of using a fluid treatment device
KR101302786B1 (ko) * 2011-05-27 2013-09-03 포항공과대학교 산학협력단 높은 일함수를 가지는 고분자 전극을 채용한 단순화된 유기 전자 소자
US9301367B2 (en) 2011-12-19 2016-03-29 Inoviscoat Gmbh Luminous elements with an electroluminescent arrangement and method for producing a luminous element
JP2014041874A (ja) * 2012-08-21 2014-03-06 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法、並びに電子機器
WO2015077792A1 (en) * 2013-11-25 2015-05-28 Georgetown University Electronic devices with organic nanoparticles
CN103840074A (zh) * 2014-02-12 2014-06-04 中国科学院化学研究所 一种聚吡咯包覆碳纳米管的复合热电材料的制备方法
EP3886194A3 (en) 2014-11-18 2021-10-20 Heraeus Deutschland GmbH & Co KG Fluorinated aromatic small molecules as functional additives for dispersion of conductive polymers
CN105118934B (zh) * 2015-09-17 2017-03-15 京东方科技集团股份有限公司 不平坦粒子层制备方法、有机电致发光器件和显示装置
US11111586B2 (en) 2016-02-23 2021-09-07 South Dakota Board Of Regents Self-organized and electrically conducting PEDOT polymer matrix for applications in sensors and energy generation and storage
KR20180096248A (ko) 2017-02-21 2018-08-29 영남대학교 산학협력단 유기박막 트랜지스터 소스-드레인 전극 형성용 조성물
CN110770307A (zh) * 2017-06-20 2020-02-07 日产化学株式会社 非水性墨液组合物
KR20190081698A (ko) 2017-12-29 2019-07-09 박성민 2d-pani 분산법을 적용한 도전성 코팅액
EP3983834A1 (en) * 2019-06-12 2022-04-20 3M Innovative Properties Company Coated substrate comprising electrically conductive particles and dried aqueous dispersion of organic polymer
US11339246B2 (en) 2020-03-03 2022-05-24 Lg Energy Solution, Ltd. Preparation method of polymer
US11773212B2 (en) 2020-03-03 2023-10-03 Lg Energy Solution, Ltd. Preparation method of polymer
KR102481440B1 (ko) * 2020-11-13 2022-12-26 부경대학교 산학협력단 전도성 고분자의 합성 방법 및 전도성 고분자 박막의 제조방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002500408A (ja) * 1997-12-23 2002-01-08 バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト 導電性コーテイングを製造するためのスクリーン印刷ペースト

Family Cites Families (166)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3282875A (en) 1964-07-22 1966-11-01 Du Pont Fluorocarbon vinyl ether polymers
US4358545A (en) 1980-06-11 1982-11-09 The Dow Chemical Company Sulfonic acid electrolytic cell having flourinated polymer membrane with hydration product less than 22,000
US4433082A (en) 1981-05-01 1984-02-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for making liquid composition of perfluorinated ion exchange polymer, and product thereof
US5378402A (en) 1982-08-02 1995-01-03 Raychem Limited Polymer compositions
US4552927A (en) * 1983-09-09 1985-11-12 Rockwell International Corporation Conducting organic polymer based on polypyrrole
US4731408A (en) 1985-12-20 1988-03-15 Polaroid Corporation Processable conductive polymers
US4940525A (en) 1987-05-08 1990-07-10 The Dow Chemical Company Low equivalent weight sulfonic fluoropolymers
US4795543A (en) 1987-05-26 1989-01-03 Transducer Research, Inc. Spin coating of electrolytes
US5069820A (en) 1987-08-07 1991-12-03 Allied-Signal Inc. Thermally stable forms of electrically conductive polyaniline
US5160457A (en) 1987-08-07 1992-11-03 Allied-Signal Inc. Thermally stable forms of electrically conductive polyaniline
JPH01132052A (ja) 1987-08-10 1989-05-24 Nitto Denko Corp 導電性有機重合体電池
DE3843412A1 (de) * 1988-04-22 1990-06-28 Bayer Ag Neue polythiophene, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung
FR2632979B1 (fr) 1988-06-16 1990-09-21 Commissariat Energie Atomique Procede de preparation d'un polymere conducteur mixte ionique et electronique et polymeres obtenus par ce procede
US4973391A (en) 1988-08-30 1990-11-27 Osaka Gas Company, Ltd. Composite polymers of polyaniline with metal phthalocyanine and polyaniline with organic sulfonic acid and nafion
GB8909011D0 (en) * 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
WO1998021755A2 (en) * 1996-11-12 1998-05-22 International Business Machines Corporation Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts
EP0440957B1 (de) 1990-02-08 1996-03-27 Bayer Ag Neue Polythiophen-Dispersionen, ihre Herstellung und ihre Verwendung
EP0443861B2 (en) * 1990-02-23 2008-05-28 Sumitomo Chemical Company, Limited Organic electroluminescence device
US5185100A (en) 1990-03-29 1993-02-09 Allied-Signal Inc Conductive polymers formed from conjugated backbone polymers doped with non-oxidizing protonic acids
BE1008036A3 (fr) * 1990-08-30 1996-01-03 Solvay Melanges de polymeres polaires et de polymeres conducteurs dedopes, procedes d'obtention de ces melanges et utilisation de ces melanges pour fabriquer des dispositifs electroniques optoelectriques, electrotechniques et electromecaniques.
FR2666443A1 (fr) * 1990-08-31 1992-03-06 Commissariat Energie Atomique Materiau a base de polymere conducteur electronique comprenant des particules magnetiques et son procede de fabrication.
JP3056522B2 (ja) * 1990-11-30 2000-06-26 三菱レイヨン株式会社 金属―導電性高分子複合微粒子及びその製造方法
US5463005A (en) 1992-01-03 1995-10-31 Gas Research Institute Copolymers of tetrafluoroethylene and perfluorinated sulfonyl monomers and membranes made therefrom
DE4334390C2 (de) 1993-10-08 1999-01-21 Nat Science Council Verfahren zur Herstellung eines verarbeitbaren, leitfähigen, kolloidalen Polymeren
US5537000A (en) * 1994-04-29 1996-07-16 The Regents, University Of California Electroluminescent devices formed using semiconductor nanocrystals as an electron transport media and method of making such electroluminescent devices
ES2191057T3 (es) * 1994-09-06 2003-09-01 Koninkl Philips Electronics Nv Dispositivo electroluminiscente que comprende una capa de poli-3,4-dioxitiofeno.
US5567356A (en) * 1994-11-07 1996-10-22 Monsanto Company Emulsion-polymerization process and electrically-conductive polyaniline salts
JP3798484B2 (ja) * 1995-11-15 2006-07-19 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 架橋導電性ポリマー及びその前駆物質
DE19543205A1 (de) * 1995-11-20 1997-05-22 Bayer Ag Zwischenschicht in elektrolumineszierenden Anordnungen enthaltend feinteilige anorganische Partikel
US5798170A (en) 1996-02-29 1998-08-25 Uniax Corporation Long operating life for polymer light-emitting diodes
CN1233267A (zh) * 1996-10-15 1999-10-27 纳幕尔杜邦公司 含有高度氟化的离子交换聚合物颗粒的组合物
EP0850932B1 (fr) 1996-12-30 2009-07-22 Centre National De La Recherche Scientifique (Cnrs) Sels d'anions hétérocycliques, et leurs utilisations comme matéreiaux à conductin ionique
EP0956306B1 (en) 1997-01-22 2002-09-25 E.I. Du Pont De Nemours And Company Grafting of polymers with fluorocarbon compounds
EP1026152B1 (en) 1997-03-31 2006-07-26 Daikin Industries, Limited Process for producing perfluorovinyl ethersulfonic acid derivatives
US6599631B2 (en) 2001-01-26 2003-07-29 Nanogram Corporation Polymer-inorganic particle composites
US6303238B1 (en) 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
JP2001508121A (ja) * 1997-11-05 2001-06-19 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 酸化状態にある共役重合体
JP2002502129A (ja) * 1998-02-02 2002-01-22 ユニアックス コーポレイション 切替え可能な光電感度を有する有機ダイオード
US6866946B2 (en) * 1998-02-02 2005-03-15 Dupont Displays, Inc. High resistance polyaniline useful in high efficiency pixellated polymer electronic displays
US6100324A (en) 1998-04-16 2000-08-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Ionomers and ionically conductive compositions
JP3937113B2 (ja) * 1998-06-05 2007-06-27 日産化学工業株式会社 有機−無機複合導電性ゾル及びその製造法
US6210790B1 (en) 1998-07-15 2001-04-03 Rensselaer Polytechnic Institute Glass-like composites comprising a surface-modified colloidal silica and method of making thereof
US6097147A (en) 1998-09-14 2000-08-01 The Trustees Of Princeton University Structure for high efficiency electroluminescent device
US6830828B2 (en) 1998-09-14 2004-12-14 The Trustees Of Princeton University Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs
US6187522B1 (en) * 1999-03-25 2001-02-13 Eastman Kodak Company Scratch resistant antistatic layer for imaging elements
US20040217877A1 (en) 1999-05-04 2004-11-04 William Kokonaski Flexible electronic display and wireless communication system
CN101312235B (zh) 1999-05-13 2010-06-09 普林斯顿大学理事会 基于电致磷光的极高效有机发光器件
US20020099119A1 (en) * 1999-05-27 2002-07-25 Bradley D. Craig Water-borne ceramer compositions and antistatic abrasion resistant ceramers made therefrom
KR100302326B1 (ko) 1999-06-09 2001-09-22 윤덕용 폴리비닐알콜-실란커플링제를 이용한 무-유기 공중합체 및 그의제조방법
JP2001006878A (ja) 1999-06-22 2001-01-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜ｅｌ素子およびその駆動方法
US6324091B1 (en) 2000-01-14 2001-11-27 The Regents Of The University Of California Tightly coupled porphyrin macrocycles for molecular memory storage
US6620494B2 (en) * 1999-07-03 2003-09-16 Ten Cate Enbi B.V. Conductive roller
US6593690B1 (en) 1999-09-03 2003-07-15 3M Innovative Properties Company Large area organic electronic devices having conducting polymer buffer layers and methods of making same
AU1662601A (en) * 1999-11-24 2001-06-04 Tda Research, Inc. Combustion synthesis of single walled nanotubes
JP3656244B2 (ja) 1999-11-29 2005-06-08 株式会社豊田中央研究所 高耐久性固体高分子電解質及びその高耐久性固体高分子電解質を用いた電極−電解質接合体並びにその電極−電解質接合体を用いた電気化学デバイス
EP1933395B2 (en) 1999-12-01 2019-08-07 The Trustees of Princeton University Complexes of form L2IrX
WO2001041230A1 (en) 1999-12-02 2001-06-07 Uniax Corporation High resistance polyaniline useful in high efficiency pixellated polymer electronic displays
US6821645B2 (en) 1999-12-27 2004-11-23 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light-emitting material comprising orthometalated iridium complex, light-emitting device, high efficiency red light-emitting device, and novel iridium complex
JP2001270999A (ja) * 2000-01-19 2001-10-02 Mitsubishi Rayon Co Ltd 架橋性導電性組成物、耐水性導電体及びその形成方法
KR20010095437A (ko) * 2000-03-30 2001-11-07 윤덕용 발광물질/점토 나노복합소재를 이용한 유기 전기 발광 소자
US6706963B2 (en) 2002-01-25 2004-03-16 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cell interconnection
JP2001325831A (ja) * 2000-05-12 2001-11-22 Bando Chem Ind Ltd 金属コロイド液、導電性インク、導電性被膜及び導電性被膜形成用基底塗膜
US20020038999A1 (en) * 2000-06-20 2002-04-04 Yong Cao High resistance conductive polymers for use in high efficiency pixellated organic electronic devices
US20020036291A1 (en) 2000-06-20 2002-03-28 Parker Ian D. Multilayer structures as stable hole-injecting electrodes for use in high efficiency organic electronic devices
CN1269220C (zh) * 2000-06-20 2006-08-09 杜邦显示器股份有限公司 用于高效像素化有机电子设备的高电阻导电聚合物
US6632472B2 (en) 2000-06-26 2003-10-14 Agfa-Gevaert Redispersable latex comprising a polythiophene
EP1780233B1 (en) 2000-06-26 2009-06-17 Agfa-Gevaert Redispersible latex comprising a polythiophene
US6670645B2 (en) 2000-06-30 2003-12-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds
US20020121638A1 (en) 2000-06-30 2002-09-05 Vladimir Grushin Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds
JP5241053B2 (ja) 2000-08-11 2013-07-17 ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ 有機金属化合物及び放射移行有機電気燐光体
JP2002082082A (ja) * 2000-09-07 2002-03-22 Matsushita Refrig Co Ltd 臭気センサー及びその製造方法
JP4154139B2 (ja) 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 発光素子
JP4154140B2 (ja) 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 金属配位化合物
US6515314B1 (en) * 2000-11-16 2003-02-04 General Electric Company Light-emitting device with organic layer doped with photoluminescent material
EP1231251A1 (en) * 2001-02-07 2002-08-14 Agfa-Gevaert Thin film inorganic light emitting diode
JP4300028B2 (ja) 2001-02-08 2009-07-22 旭化成株式会社 有機ドメイン／無機ドメイン複合材料及びその用途
US6756474B2 (en) 2001-02-09 2004-06-29 E. I. Du Pont De Nemours And Company Aqueous conductive dispersions of polyaniline having enhanced viscosity
JP2002293888A (ja) 2001-03-29 2002-10-09 Fuji Photo Film Co Ltd 新規重合体、それを利用した発光素子用材料および発光素子
DE10126860C2 (de) 2001-06-01 2003-05-28 Siemens Ag Organischer Feldeffekt-Transistor, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung zum Aufbau integrierter Schaltungen
WO2003001569A2 (en) 2001-06-21 2003-01-03 The Trustees Of Princeton University Organic light-emitting devices with blocking and transport layers
US6875523B2 (en) 2001-07-05 2005-04-05 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photoactive lanthanide complexes with phosphine oxides, phosphine oxide-sulfides, pyridine N-oxides, and phosphine oxide-pyridine N-oxides, and devices made with such complexes
US6777515B2 (en) 2001-07-13 2004-08-17 I. Du Pont De Nemours And Company Functional fluorine-containing polymers and ionomers derived therefrom
WO2003006537A1 (en) 2001-07-13 2003-01-23 E.I. Du Pont De Nemours And Company Process for dissolution of highly fluorinated ion-exchange polymers
KR20040018467A (ko) 2001-07-18 2004-03-03 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 이민 리간드와의 발광 란탄족 착물 및 이러한 착물을사용하여 제조된 장치
CA2455819C (en) * 2001-07-27 2013-07-23 Massachusetts Institute Of Technology Battery structures, self-organizing structures and related methods
US6627333B2 (en) 2001-08-15 2003-09-30 Eastman Kodak Company White organic light-emitting devices with improved efficiency
US7112368B2 (en) 2001-11-06 2006-09-26 E. I. Du Pont De Nemours And Company Poly(dioxythiophene)/poly(acrylamidoalkyslufonic acid) complexes
US7166368B2 (en) 2001-11-07 2007-01-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroluminescent platinum compounds and devices made with such compounds
WO2003046540A1 (en) 2001-11-30 2003-06-05 Acreo Ab Electrochemical sensor
EP1326260A1 (en) * 2001-12-11 2003-07-09 Agfa-Gevaert Material for making a conductive pattern
JP2003187983A (ja) 2001-12-17 2003-07-04 Ricoh Co Ltd 有機ｅｌトランジスタ
EP2306788A1 (en) 2001-12-26 2011-04-06 E. I. du Pont de Nemours and Company Iridium compounds and devices made therewith
JP2003217862A (ja) 2002-01-18 2003-07-31 Honda Motor Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4363050B2 (ja) 2002-01-31 2009-11-11 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US6955773B2 (en) 2002-02-28 2005-10-18 E.I. Du Pont De Nemours And Company Polymer buffer layers and their use in light-emitting diodes
EP1483320A2 (en) * 2002-03-01 2004-12-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Printing of organic conductive polymers containing additives
JP2003264083A (ja) 2002-03-08 2003-09-19 Sharp Corp 有機ｌｅｄ素子とその製造方法
US6923881B2 (en) 2002-05-27 2005-08-02 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method for producing organic electroluminescent device and transfer material used therein
JP4288895B2 (ja) 2002-06-04 2009-07-01 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンスの製造方法
US20040004433A1 (en) * 2002-06-26 2004-01-08 3M Innovative Properties Company Buffer layers for organic electroluminescent devices and methods of manufacture and use
JP3606855B2 (ja) 2002-06-28 2005-01-05 ドン ウン インターナショナル カンパニー リミテッド 炭素ナノ粒子の製造方法
US6963005B2 (en) 2002-08-15 2005-11-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Compounds comprising phosphorus-containing metal complexes
US7118836B2 (en) 2002-08-22 2006-10-10 Agfa Gevaert Process for preparing a substantially transparent conductive layer configuration
US20040092700A1 (en) 2002-08-23 2004-05-13 Che-Hsiung Hsu Methods for directly producing stable aqueous dispersions of electrically conducting polyanilines
US6977390B2 (en) 2002-08-23 2005-12-20 Agfa Gevaert Layer configuration comprising an electron-blocking element
JP2004082395A (ja) 2002-08-23 2004-03-18 Eamex Co 積層体形成方法及び積層体
US7307276B2 (en) 2002-08-23 2007-12-11 Agfa-Gevaert Layer configuration comprising an electron-blocking element
US7033646B2 (en) 2002-08-29 2006-04-25 E. I. Du Pont De Nemours And Company High resistance polyaniline blend for use in high efficiency pixellated polymer electroluminescent devices
WO2004020444A1 (en) 2002-09-02 2004-03-11 Agfa-Gevaert New 3,4-alkylenedioxythiophenedioxide compounds and polymers comprising monomeric units thereof
US7317047B2 (en) 2002-09-24 2008-01-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electrically conducting organic polymer/nanoparticle composites and methods for use thereof
KR101021749B1 (ko) * 2002-09-24 2011-03-15 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 전기 전도 유기 중합체/나노입자 복합체 및 이들의 이용방법
US7371336B2 (en) 2002-09-24 2008-05-13 E.I. Du Pont Nemours And Company Water dispersible polyanilines made with polymeric acid colloids for electronics applications
CN1681869B (zh) 2002-09-24 2010-05-26 E.I.内穆尔杜邦公司 用于电子器件用聚合物酸胶体制成的可水分散的聚苯胺
US7431866B2 (en) 2002-09-24 2008-10-07 E. I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible polythiophenes made with polymeric acid colloids
JP4674159B2 (ja) 2002-10-07 2011-04-20 アグフア−ゲヴエルト ３，４−アルキレンジオキシチオフェン化合物及びそのポリマー
US6717358B1 (en) 2002-10-09 2004-04-06 Eastman Kodak Company Cascaded organic electroluminescent devices with improved voltage stability
US6793197B2 (en) 2003-01-30 2004-09-21 Fisher Controls International, Inc. Butterfly valve
US7390438B2 (en) 2003-04-22 2008-06-24 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible substituted polydioxythiophenes made with fluorinated polymeric sulfonic acid colloids
JP4851323B2 (ja) 2003-04-22 2012-01-11 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 高分子酸コロイドにより製造された水分散性ポリチオフェン
US20060261314A1 (en) 2003-05-19 2006-11-23 Lang Charles D Hole transport composition
JP2007528907A (ja) 2003-06-27 2007-10-18 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー トリフルオロスチレン含有化合物、およびポリマー電解質膜におけるそれらの使用
EP1507298A1 (en) 2003-08-14 2005-02-16 Sony International (Europe) GmbH Carbon nanotubes based solar cells
WO2005024853A1 (ja) 2003-09-08 2005-03-17 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. 透明導電積層体とそれを用いた有機ｅｌ素子、及びそれらの製造方法
US7618704B2 (en) 2003-09-29 2009-11-17 E.I. Du Pont De Nemours And Company Spin-printing of electronic and display components
US20050069726A1 (en) 2003-09-30 2005-03-31 Douglas Elliot Paul Light emitting composite material and devices thereof
US7105237B2 (en) 2003-10-01 2006-09-12 The University Of Connecticut Substituted thieno[3,4-B]thiophene polymers, method of making, and use thereof
WO2005041217A1 (ja) 2003-10-28 2005-05-06 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. 透明導電積層体とその製造方法及び透明導電積層体を用いたデバイス
JP4402937B2 (ja) 2003-11-10 2010-01-20 株式会社日立製作所 ナノ粒子分散材料、ナノ粒子分散シート、及び、ナノ粒子分散積層シート
TW201219350A (en) 2003-11-17 2012-05-16 Sumitomo Chemical Co Crosslinkable arylamine compounds
US20050209392A1 (en) 2003-12-17 2005-09-22 Jiazhong Luo Polymer binders for flexible and transparent conductive coatings containing carbon nanotubes
US7960587B2 (en) 2004-02-19 2011-06-14 E.I. Du Pont De Nemours And Company Compositions comprising novel compounds and electronic devices made with such compositions
US7365230B2 (en) 2004-02-20 2008-04-29 E.I. Du Pont De Nemours And Company Cross-linkable polymers and electronic devices made with such polymers
US7112369B2 (en) 2004-03-02 2006-09-26 Bridgestone Corporation Nano-sized polymer-metal composites
US7250461B2 (en) 2004-03-17 2007-07-31 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic formulations of conductive polymers made with polymeric acid colloids for electronics applications, and methods for making such formulations
US7351358B2 (en) 2004-03-17 2008-04-01 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible polypyrroles made with polymeric acid colloids for electronics applications
US7338620B2 (en) 2004-03-17 2008-03-04 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible polydioxythiophenes with polymeric acid colloids and a water-miscible organic liquid
EP1730215B1 (en) 2004-03-18 2017-08-16 Enthone GmbH A composition comprising a conductive polymer in colloidal form and carbon
US20050222333A1 (en) 2004-03-31 2005-10-06 Che-Hsiung Hsu Aqueous electrically doped conductive polymers and polymeric acid colloids
US7455793B2 (en) 2004-03-31 2008-11-25 E.I. Du Pont De Nemours And Company Non-aqueous dispersions comprising electrically doped conductive polymers and colloid-forming polymeric acids
US7354532B2 (en) 2004-04-13 2008-04-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Compositions of electrically conductive polymers and non-polymeric fluorinated organic acids
US7378040B2 (en) 2004-08-11 2008-05-27 Eikos, Inc. Method of forming fluoropolymer binders for carbon nanotube-based transparent conductive coatings
US20060051401A1 (en) 2004-09-07 2006-03-09 Board Of Regents, The University Of Texas System Controlled nanofiber seeding
EP1805825B1 (en) 2004-09-24 2011-08-24 Plextronics, Inc. Heteroatomic regioregular poly(3-substituted thiophenes) in photovoltaic cells
US7211824B2 (en) 2004-09-27 2007-05-01 Nitto Denko Corporation Organic semiconductor diode
US7388235B2 (en) 2004-09-30 2008-06-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy High electron mobility transistors with Sb-based channels
KR100882503B1 (ko) 2004-10-06 2009-02-06 한국과학기술연구원 염료감응 태양전지용 고효율 대향전극 및 그 제조방법
US7569158B2 (en) 2004-10-13 2009-08-04 Air Products And Chemicals, Inc. Aqueous dispersions of polythienothiophenes with fluorinated ion exchange polymers as dopants
US7838688B2 (en) 2004-12-30 2010-11-23 E.I. Du Pont De Nemours And Company Derivatized 3,4-Alkylenedioxythiophene monomers, methods of making them, and use thereof
US7985490B2 (en) 2005-02-14 2011-07-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Composition of conducting polymer and organic opto-electronic device employing the same
US7593004B2 (en) 2005-06-02 2009-09-22 Eastman Kodak Company Touchscreen with conductive layer comprising carbon nanotubes
US7645497B2 (en) 2005-06-02 2010-01-12 Eastman Kodak Company Multi-layer conductor with carbon nanotubes
US7727421B2 (en) 2005-06-27 2010-06-01 E. I. Du Pont De Nemours And Company Dupont Displays Inc Electrically conductive polymer compositions
WO2007002682A2 (en) 2005-06-27 2007-01-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electrically conductive polymer compositions
WO2007002683A2 (en) 2005-06-27 2007-01-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electrically conductive polymer compositions
JP2008546898A (ja) 2005-06-27 2008-12-25 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 導電性ポリマー組成物
WO2007002740A2 (en) 2005-06-28 2007-01-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Buffer compositions
EP1897096A4 (en) 2005-06-28 2009-08-12 Du Pont TRANSPARENT CONDUCTORS WITH HIGH EXTRACTION WORK
EP1913604A4 (en) 2005-06-28 2011-07-20 Du Pont ANODE BICOUCHE
US8088499B1 (en) 2005-10-28 2012-01-03 Agiltron, Inc. Optoelectronic device with nanoparticle embedded hole injection/transport layer
US8216680B2 (en) 2006-02-03 2012-07-10 E I Du Pont De Nemours And Company Transparent composite conductors having high work function
JP2009534831A (ja) 2006-04-18 2009-09-24 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 高エネルギーポテンシャル二重層組成物
US8153029B2 (en) 2006-12-28 2012-04-10 E.I. Du Pont De Nemours And Company Laser (230NM) ablatable compositions of electrically conducting polymers made with a perfluoropolymeric acid applications thereof
US20080251768A1 (en) 2007-04-13 2008-10-16 Che-Hsiung Hsu Electrically conductive polymer compositions
US20080283800A1 (en) 2007-05-18 2008-11-20 Che Hsiung Hsu Electrically conductive polymer compositions and films made therefrom
US8241526B2 (en) 2007-05-18 2012-08-14 E I Du Pont De Nemours And Company Aqueous dispersions of electrically conducting polymers containing high boiling solvent and additives
KR20100065302A (ko) 2007-07-27 2010-06-16 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 무기 나노입자를 포함하는 전기 전도성 중합체의 수성 분산물

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002500408A (ja) * 1997-12-23 2002-01-08 バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト 導電性コーテイングを製造するためのスクリーン印刷ペースト

Also Published As

Publication number Publication date
TW200417592A (en) 2004-09-16
US7189771B2 (en) 2007-03-13
EP1546283A1 (en) 2005-06-29
JP2010100854A (ja) 2010-05-06
US20110155966A1 (en) 2011-06-30
CA2500304A1 (en) 2004-04-08
EP2341118A1 (en) 2011-07-06
KR20050084574A (ko) 2005-08-26
WO2004029176A9 (en) 2007-10-11
US20040124504A1 (en) 2004-07-01
TWI302563B (en) 2008-11-01
JP5222828B2 (ja) 2013-06-26
WO2004029176A1 (en) 2004-04-08
US20050070654A1 (en) 2005-03-31
AU2003279011A1 (en) 2004-04-19
JP4464277B2 (ja) 2010-05-19
EP1546283B1 (en) 2012-06-20
CN100540628C (zh) 2009-09-16
CN1685031A (zh) 2005-10-19
JP2006502254A (ja) 2006-01-19
US8455865B2 (en) 2013-06-04
HK1080889A1 (en) 2006-05-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101021749B1 (ko) 전기 전도 유기 중합체/나노입자 복합체 및 이들의 이용방법
JP4851442B2 (ja) 導電性有機ポリマーと複数のナノ粒子との水性分散物を含む組成物
US8241526B2 (en) Aqueous dispersions of electrically conducting polymers containing high boiling solvent and additives
US8461758B2 (en) Buffer bilayers for electronic devices
EP2173811A1 (en) Aqueous dispersions of electrically conducting polymers containing inorganic nanoparticles
KR20060052222A (ko) 도펀트로서 플루오르화 이온 교환 중합체와폴리티에노티오펜의 수성 분산물
KR20080039883A (ko) 이중층 애노드
WO2010011368A1 (en) Aqueous dispersions of electrically conducting polymers containing inorganic nanoparticles
US20110114925A1 (en) Buffer bilayers for electronic devices
US7033646B2 (en) High resistance polyaniline blend for use in high efficiency pixellated polymer electroluminescent devices
US20070004899A1 (en) Water dispersible polythiophenes made with polymeric acid colloids

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140220

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150224

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160218

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170220

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180219

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200116

Year of fee payment: 10