KR100998837B1 - 도포 장치 및 도포 방법 - Google Patents
도포 장치 및 도포 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100998837B1 KR100998837B1 KR1020087017109A KR20087017109A KR100998837B1 KR 100998837 B1 KR100998837 B1 KR 100998837B1 KR 1020087017109 A KR1020087017109 A KR 1020087017109A KR 20087017109 A KR20087017109 A KR 20087017109A KR 100998837 B1 KR100998837 B1 KR 100998837B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- gas
- substrate
- wafer
- nozzle
- center
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/002—Processes for applying liquids or other fluent materials the substrate being rotated
- B05D1/005—Spin coating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
- B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
- B05C11/06—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface with a blast of gas or vapour
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C15/00—Enclosures for apparatus; Booths
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
- B05D3/04—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to gases
- B05D3/0406—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to gases the gas being air
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
- B05D3/04—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to gases
- B05D3/0486—Operating the coating or treatment in a controlled atmosphere
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D2203/00—Other substrates
- B05D2203/30—Other inorganic substrates, e.g. ceramics, silicon
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D2203/00—Other substrates
- B05D2203/30—Other inorganic substrates, e.g. ceramics, silicon
- B05D2203/35—Glass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
Description
Claims (14)
- 도포 장치에 있어서,기판을 수평으로 보지하는 기판 보지부와,기판 보지부에 수평으로 보지된 기판의 중심부에 약액을 공급하는 약액 노즐과,원심력에 의해 기판의 전체 표면에 약액을 확장하여 도포하기 위해, 기판 보지부를 회전시키는 회전 기구와,기판 보지부에 수평으로 보지된 기판의 표면에, 분위기 가스의 다운 플로우를 형성하는 기류 형성 유닛과,기판 주위의 분위기를 배기하는 배기 유닛과,분위기 가스보다도 동적 점성 계수(coefficient of kinematic viscosity)가 큰 층류 형성용 가스를 기판의 표면에 공급하는 가스 노즐을 구비하고,상기 분위기 가스 또는 상기 층류 형성용 가스는 기판의 중심부에 공급되게 되어 있는 것을 특징으로 하는도포 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 가스 노즐은 기판 중심부의 상방의 위치로부터 기판의 직경 방향을 따라 개구하는 가스 토출부를 갖고 있는 것을 특징으로 하는도포 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 가스 노즐은 기판 중심부의 상방의 위치로부터 기판의 직경 방향을 따라 배열된 다수의 구멍으로 이루어지는 가스 토출부를 갖고 있는 것을 특징으로 하는도포 장치.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 가스 노즐은 다공질체를 갖고 있는 것을 특징으로 하는도포 장치.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 가스 노즐은 기판의 중심부보다 기판의 가장자리에 가까운 영역에서, 토출 유량이 더 크게 되어 있는 것을 특징으로 하는도포 장치.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 가스 노즐은 기판의 중심부와 상기 중심부로부터 떨어져 있는 영역의 양쪽에, 층류 형성용 가스를 공급하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는도포 장치.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 가스 노즐은 기판의 중심부로부터 떨어져 있는 영역에 층류 형성용 가스를 공급하도록 구성되어 있고,상기 기판의 중심부는 분위기 가스의 다운 플로우에 노출되도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는도포 장치.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 가스 노즐과는 별개로, 기판의 중심부에 층류 형성용 가스 또는 분위기 가스를 공급하기 위한 제 2 가스 노즐이 마련되어 있는 것을 특징으로 하는도포 장치.
- 기판에 약액을 도포하는 방법에 있어서,기판을 기판 보지부에 수평으로 보지시키는 공정과,기판 보지부에 보지된 기판의 표면에 분위기 가스의 다운 플로우를 형성하면서 기판 주위의 분위기를 배기하는 공정과,기판의 중심부에 약액 노즐로부터 약액을 공급하고, 기판 보지부를 회전시켜, 원심력에 의해 기판의 표면에 약액을 확장하여 도포하는 도포 공정과,상기 도포 공정 후, 기판을 회전시키고 있는 상태에서, 상기 분위기 가스보다도 동적 점성 계수가 큰 층류 형성용 가스를 가스 노즐로부터 기판의 표면에 공급함과 아울러, 기판 보지부에 보지된 기판의 표면에 분위기 가스의 다운 플로우를 형성하면서 기판의 중심부에 상기 분위기 가스 또는 상기 층류 형성용 가스를 공급하여, 약액을 건조시키는 건조 공정을 구비한 것을 특징으로 하는도포 방법.
- 제 9 항에 있어서,층류 형성용 가스를 기판의 표면에 공급함과 아울러 기판의 중심부에 상기 분위기 가스 또는 상기 층류 형성용 가스를 공급하는 타이밍은 약액을 건조시키기 위한 회전수로 기판이 회전하기 시작한 시점 또는 상기 시점보다 이전인 것을 특징으로 하는도포 방법.
- 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 가스 노즐은 기판 중심부의 상방의 위치로부터 기판의 직경 방향을 따라 개구하는 가스 토출부를 갖고 있는 것을 특징으로 하는도포 방법.
- 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 가스 노즐은 기판 중심부의 상방의 위치로부터 기판의 직경 방향을 따 라 배열된 다수의 구멍으로 이루어지는 가스 토출부를 갖고 있는 것을 특징으로 하는도포 방법.
- 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 가스 노즐은 다공질체를 갖고 있는 것을 특징으로 하는도포 방법.
- 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 가스 노즐은 기판의 중심부보다 기판의 가장자리에 가까운 영역에서, 토출 유량이 더 크게 되어 있는 것을 특징으로 하는도포 방법.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005362076 | 2005-12-15 | ||
JPJP-P-2005-00362076 | 2005-12-15 | ||
JP2006126802A JP4760516B2 (ja) | 2005-12-15 | 2006-04-28 | 塗布装置及び塗布方法 |
JPJP-P-2006-00126802 | 2006-04-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080077016A KR20080077016A (ko) | 2008-08-20 |
KR100998837B1 true KR100998837B1 (ko) | 2010-12-06 |
Family
ID=38163030
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020087017109A KR100998837B1 (ko) | 2005-12-15 | 2006-12-15 | 도포 장치 및 도포 방법 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20090162547A1 (ko) |
EP (1) | EP1975979B1 (ko) |
JP (1) | JP4760516B2 (ko) |
KR (1) | KR100998837B1 (ko) |
CN (1) | CN100595887C (ko) |
TW (1) | TWI423303B (ko) |
WO (1) | WO2007069728A1 (ko) |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4979079B2 (ja) * | 2007-07-09 | 2012-07-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP5088036B2 (ja) | 2007-08-06 | 2012-12-05 | ソニー株式会社 | 記憶素子および記憶装置 |
JP5153296B2 (ja) | 2007-10-31 | 2013-02-27 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP4660579B2 (ja) * | 2008-09-11 | 2011-03-30 | 東京エレクトロン株式会社 | キャップメタル形成方法 |
KR101067608B1 (ko) | 2009-03-30 | 2011-09-27 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
DE112010003855T5 (de) * | 2009-10-19 | 2013-06-06 | University Of Western Cape | Sprühbeschichtungsvorrichtung |
JP5584653B2 (ja) * | 2010-11-25 | 2014-09-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP5472169B2 (ja) * | 2011-03-16 | 2014-04-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法および記憶媒体 |
TW201321081A (zh) * | 2011-11-21 | 2013-06-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 吹氣結構 |
US10262880B2 (en) | 2013-02-19 | 2019-04-16 | Tokyo Electron Limited | Cover plate for wind mark control in spin coating process |
CN104634087A (zh) * | 2013-11-07 | 2015-05-20 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 一种快速干燥晶圆表面的吹扫装置 |
JP6032189B2 (ja) * | 2013-12-03 | 2016-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法、記憶媒体 |
CN103811383B (zh) * | 2014-02-28 | 2017-04-19 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 晶圆干燥装置及其干燥方法 |
KR102059313B1 (ko) * | 2014-04-30 | 2019-12-24 | 카티바, 인크. | 가스 쿠션 장비 및 기판 코팅 기술 |
JP6438748B2 (ja) | 2014-11-28 | 2018-12-19 | 株式会社Screenホールディングス | 塗布方法および塗布装置 |
CN104511401A (zh) * | 2014-12-16 | 2015-04-15 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 一种点胶***及其方法 |
JP6655881B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2020-03-04 | 日本電産サンキョー株式会社 | 遮光層付きレンズの製造方法 |
US20180326436A1 (en) * | 2015-12-11 | 2018-11-15 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Mist coating forming apparatus and mist coating forming method |
JP6715019B2 (ja) * | 2016-02-09 | 2020-07-01 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
CN106065495B (zh) * | 2016-08-17 | 2018-10-23 | 上海大族新能源科技有限公司 | 扩散源涂覆装置 |
JP6880664B2 (ja) * | 2016-11-14 | 2021-06-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法及び記憶媒体 |
JP6930251B2 (ja) * | 2017-07-03 | 2021-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置及び記憶媒体 |
JP2019054112A (ja) * | 2017-09-15 | 2019-04-04 | 株式会社Screenホールディングス | 基板乾燥方法および基板乾燥装置 |
WO2019138911A1 (ja) * | 2018-01-09 | 2019-07-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP7090468B2 (ja) * | 2018-05-15 | 2022-06-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
CN110613982B (zh) * | 2018-06-19 | 2022-11-22 | 国家能源投资集团有限责任公司 | 过滤组件及其制备方法 |
JP7166089B2 (ja) * | 2018-06-29 | 2022-11-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理方法 |
KR102139605B1 (ko) * | 2018-11-06 | 2020-08-12 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
CN111318430A (zh) * | 2018-12-13 | 2020-06-23 | 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 | 旋涂方法及旋涂装置 |
CN109698151B (zh) * | 2019-01-11 | 2020-09-08 | 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) | 易于气流控制的晶圆清洗槽 |
CN110854047B (zh) * | 2019-11-27 | 2022-08-16 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 工艺腔室以及半导体加工设备 |
TW202141570A (zh) * | 2020-01-24 | 2021-11-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 塗布膜形成裝置、及塗布膜形成方法 |
US12019370B2 (en) * | 2021-08-31 | 2024-06-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and system for manufacturing a semiconductor device |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4169168A (en) * | 1978-08-24 | 1979-09-25 | Zenith Radio Corporation | Process for manufacturing microporous cathode coatings |
US4587139A (en) * | 1984-12-21 | 1986-05-06 | International Business Machines Corporation | Magnetic disk coating method and apparatus |
US5244501A (en) * | 1986-07-26 | 1993-09-14 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Apparatus for chemical vapor deposition |
US4980204A (en) * | 1987-11-27 | 1990-12-25 | Fujitsu Limited | Metal organic chemical vapor deposition method with controlled gas flow rate |
JP2682185B2 (ja) * | 1990-02-21 | 1997-11-26 | 三菱電機株式会社 | 塗布液塗布装置および塗布液塗布方法 |
JPH05166712A (ja) * | 1991-12-18 | 1993-07-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 回転塗布方法 |
US5358740A (en) * | 1992-06-24 | 1994-10-25 | Massachusetts Institute Of Technology | Method for low pressure spin coating and low pressure spin coating apparatus |
US5453124A (en) * | 1992-12-30 | 1995-09-26 | Texas Instruments Incorporated | Programmable multizone gas injector for single-wafer semiconductor processing equipment |
US7018943B2 (en) * | 1994-10-27 | 2006-03-28 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
US6465043B1 (en) * | 1996-02-09 | 2002-10-15 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing particle contamination in a substrate processing chamber |
US6576062B2 (en) * | 2000-01-06 | 2003-06-10 | Tokyo Electron Limited | Film forming apparatus and film forming method |
JP3792986B2 (ja) * | 2000-04-11 | 2006-07-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 膜形成方法及び膜形成装置 |
JP3587776B2 (ja) * | 2000-10-10 | 2004-11-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置及び塗布方法 |
US6692165B2 (en) * | 2001-03-01 | 2004-02-17 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
JP2002294456A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 膜の形成方法及びその方法を実施するためのcvd装置 |
JP2002307005A (ja) * | 2001-04-12 | 2002-10-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP3898906B2 (ja) * | 2001-05-22 | 2007-03-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の塗布装置 |
JP3727052B2 (ja) * | 2001-08-30 | 2005-12-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布処理方法及び塗布処理装置 |
US6932871B2 (en) * | 2002-04-16 | 2005-08-23 | Applied Materials, Inc. | Multi-station deposition apparatus and method |
JP2004128214A (ja) * | 2002-10-02 | 2004-04-22 | Sharp Corp | 回転塗布装置および回転塗布方法 |
US6736896B2 (en) * | 2002-10-10 | 2004-05-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Gas spray arm for spin coating apparatus |
JP2005000726A (ja) * | 2003-06-09 | 2005-01-06 | Sharp Corp | 回転塗布装置および回転塗布方法 |
JP2005011996A (ja) * | 2003-06-19 | 2005-01-13 | Tokyo Electron Ltd | 塗布処理方法及び塗布処理装置 |
US20050178336A1 (en) * | 2003-07-15 | 2005-08-18 | Heng Liu | Chemical vapor deposition reactor having multiple inlets |
JP4187069B2 (ja) * | 2003-09-18 | 2008-11-26 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
US20050175775A1 (en) * | 2004-02-06 | 2005-08-11 | Shirley Paul D. | Device and method for forming improved resist layer |
JP4343018B2 (ja) * | 2004-04-20 | 2009-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の処理方法及び基板の処理装置 |
US7435692B2 (en) * | 2005-10-19 | 2008-10-14 | Tokyo Electron Limited | Gas jet reduction of iso-dense field thickness bias for gapfill process |
JP5168907B2 (ja) * | 2007-01-15 | 2013-03-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 |
-
2006
- 2006-04-28 JP JP2006126802A patent/JP4760516B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-12-15 US US12/086,520 patent/US20090162547A1/en not_active Abandoned
- 2006-12-15 EP EP06834803A patent/EP1975979B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-12-15 TW TW095147199A patent/TWI423303B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-12-15 CN CN200680046966A patent/CN100595887C/zh active Active
- 2006-12-15 KR KR1020087017109A patent/KR100998837B1/ko active IP Right Grant
- 2006-12-15 WO PCT/JP2006/325060 patent/WO2007069728A1/ja active Application Filing
-
2012
- 2012-07-25 US US13/557,328 patent/US20130011555A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007189185A (ja) | 2007-07-26 |
WO2007069728A1 (ja) | 2007-06-21 |
EP1975979A1 (en) | 2008-10-01 |
US20130011555A1 (en) | 2013-01-10 |
EP1975979A4 (en) | 2011-05-25 |
TWI423303B (zh) | 2014-01-11 |
EP1975979B1 (en) | 2012-08-15 |
CN101331588A (zh) | 2008-12-24 |
US20090162547A1 (en) | 2009-06-25 |
CN100595887C (zh) | 2010-03-24 |
JP4760516B2 (ja) | 2011-08-31 |
KR20080077016A (ko) | 2008-08-20 |
TW200733193A (en) | 2007-09-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100998837B1 (ko) | 도포 장치 및 도포 방법 | |
TW454229B (en) | Film forming method and film forming apparatus | |
TWI441240B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
US7803720B2 (en) | Coating process and equipment for reduced resist consumption | |
JP6873011B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP5454203B2 (ja) | 塗布方法及び塗布装置 | |
JP4043444B2 (ja) | 塗布処理装置及び塗布処理方法 | |
JP6915498B2 (ja) | ノズル待機装置、液処理装置及び液処理装置の運転方法並びに記憶媒体 | |
JP6897849B2 (ja) | 塗布膜形成装置及び塗布膜形成方法 | |
JP4484880B2 (ja) | 溶剤を飽和させたチャンバ内でポリマー溶液を基板に塗布する方法及び装置 | |
JP2005211767A (ja) | スリットコート式塗布装置及びスリットコート式塗布方法 | |
JPH10137665A (ja) | 基板塗布装置の薬液供給ノズル待機方法およびその装置 | |
KR20220158755A (ko) | 세정용 지그, 도포 장치 및 세정 방법 | |
JPH09122560A (ja) | 回転式塗布装置 | |
JP2001068402A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2000167470A (ja) | 塗布装置及び塗布方法 | |
JP7519244B2 (ja) | 液処理装置及び液処理装置の運転方法 | |
CN115365085B (zh) | 涂布处理方法及涂布处理装置 | |
JP2004275887A (ja) | 塗布装置及び塗布方法 | |
JP5477961B2 (ja) | 液処理装置 | |
JP2019102729A (ja) | 塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置 | |
JP2007096156A (ja) | カバー膜除去装置 | |
JP2006007163A (ja) | スプレーコート装置及びこれを用いたスプレーコート方法 | |
JP2001179157A (ja) | 液体の塗布ノズル及び塗布装置及び塗布方法 | |
JP2004063795A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131031 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141103 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151102 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161028 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171030 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181119 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191118 Year of fee payment: 10 |