JP5153296B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
図2は本発明にかかる基板処理装置としての処理ユニットの第1実施形態を示す図である。この処理ユニット100は、半導体ウエハ等の基板Wの表面Wfに付着している不要物を除去するための洗浄処理に用いられる枚葉式の処理ユニットである。より具体的には、基板表面Wfに対してフッ酸などの薬液による薬液処理および純水やDIW(脱イオン水:deionized water)などのリンス液によるリンス処理を施した後、リンス液で濡れた基板表面Wfを乾燥させる装置である。なお、この実施形態では、基板表面Wfとはpoly−Si等からなるデバイスパターンが形成されたパターン形成面をいう。
次に、本発明にかかる基板処理装置としての処理ユニットの第2実施形態について説明する。この実施形態は、ガス噴射ヘッドに処理液を供給するためのノズルを付加している点において第1実施形態と相違しており、この点を除けば基本的な装置構成は上記した第1実施形態と同じである。そこで、以下の説明においては、第1実施形態における構成と同一の構成については同一の符号を付して説明を省略し、本実施形態の特徴部分を重点的に説明する。
以上説明したように、上記各実施形態においては、スピンチャック101が本発明の「基板保持手段」として機能する一方、ガス噴射ヘッド200、300がそれぞれ本発明の「気体噴射手段」として機能している。また、第1実施形態におけるガス吐出口283、第2実施形態におけるガス吐出口383、吐出ノズル362および363が本発明の「流体吐出部」として機能している。
1a,2a,3a,4a,100a…処理チャンバー
101…スピンチャック(基板保持手段)
200,300…ガス噴射ヘッド(気体噴射手段)
201…上部部材
202,501,601…下部部材
293…ガス噴射口
283,383…ガス吐出口(流体吐出部)
362,364…吐出ノズル(流体吐出部)
BF…バッファ空間
Claims (9)
- 処理チャンバ内で基板に所定の処理を行う基板処理装置において、
前記処理チャンバ内で前記基板を略水平に保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された基板の略中央部の上方に配置されて放射状に気体を噴射する気体噴射手段と
を備え、
前記気体噴射手段は、外周部に前記気体を噴射するための噴射口が設けられ、上下方向における該噴射口からの気体の噴射範囲の中心線が、水平線と、前記噴射口および基板周縁を結ぶ直線との間になるように構成されて、上下方向には気体の噴射方向を所定の範囲に規制する一方、水平方向には略等方的に気体を噴射して、前記基板上方に、基板中央部から周縁部に向けて流れ前記基板表面と前記処理チャンバ内雰囲気との間を遮断する気流を生成する
ことを特徴とする基板処理装置。 - 前記気体噴射手段は、加圧された気体を一時的に貯留するバッファ空間を内部に有するとともに、略水平方向に延びるスリット状に形成された噴射口を通して、前記バッファ空間に貯留された気体を噴射する請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記気体噴射手段は、下方に向けて開口するキャビティを有する上部部材と、前記上部部材の開口を覆うとともに前記上部部材の開口端面と対向する対向面を有する下部部材とを備え、前記上部部材の開口端面と、前記下部部材の対向面とが所定のギャップを隔てて対向配置されることにより前記噴射口を形成する請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記気体噴射手段の外径は、前記基板の外径よりも小さい請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記気体噴射手段は、前記基板保持手段により保持された基板の上面略中央に向けて処理流体を吐出する流体吐出部をさらに備える請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記基板保持手段は、基板を略鉛直方向の回転軸中心に回転可能に構成された請求項1ないし5のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記気体噴射手段は、前記気体として不活性ガスを噴射する請求項1ないし6のいずれかに記載の基板処理装置。
- 処理チャンバ内で基板を略水平に保持する基板保持工程と、
前記基板の略中央部上方に、外周部に気体を噴射するための噴射口を有するとともに上下方向における該噴射口からの気体の噴射範囲の中心線が、水平線と、前記噴射口および基板周縁を結ぶ直線との間になるように構成した気体噴射手段を配置し、前記噴射口から、上下方向には噴射方向を所定の範囲に規制する一方、水平方向には略等方的に気体を噴射して、前記基板上方に、基板中央部から周縁部に向けて流れ前記基板表面と前記処理チャンバ内雰囲気との間を遮断する気流を生成しながら、前記基板に対し所定の処理を行う処理工程と
を備えることを特徴とする基板処理方法。 - 前記所定の処理は、湿式処理後に基板を乾燥させる乾燥処理を含み、前記処理工程では、前記乾燥処理が完了するまでの間、前記気体の噴射を継続する請求項8に記載の基板処理方法。
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