JP2001168022A - 加熱処理装置及び加熱処理方法 - Google Patents
加熱処理装置及び加熱処理方法Info
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- JP2001168022A JP2001168022A JP2000291712A JP2000291712A JP2001168022A JP 2001168022 A JP2001168022 A JP 2001168022A JP 2000291712 A JP2000291712 A JP 2000291712A JP 2000291712 A JP2000291712 A JP 2000291712A JP 2001168022 A JP2001168022 A JP 2001168022A
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- Furnace Details (AREA)
- Drying Of Solid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の加熱処理装置に比べて熱板温度を高速
に昇降温できる加熱処理装置を提供する 【解決手段】 ポストエクスポージャーベーキング装置
４４内には，熱伝導性と強度性に優れた窒化アルミニウ
ムからなる熱板７０が設けられ，この熱板７０は，その
下面に印刷されたヒータ７１によって加熱される。断熱
性の優れたＰＴＦＥからなるサポート６５は，前記熱板
７０に密着して，熱板７０の全周囲を支持している。さ
らに前記熱板７０下方に形成された熱交換室Ｔ内にノズ
ル７４を設け，熱板７０を降温させるときには，熱板７
０の裏面に対して冷却用の気体を吹き付けるように構成
されている。
に昇降温できる加熱処理装置を提供する 【解決手段】 ポストエクスポージャーベーキング装置
４４内には，熱伝導性と強度性に優れた窒化アルミニウ
ムからなる熱板７０が設けられ，この熱板７０は，その
下面に印刷されたヒータ７１によって加熱される。断熱
性の優れたＰＴＦＥからなるサポート６５は，前記熱板
７０に密着して，熱板７０の全周囲を支持している。さ
らに前記熱板７０下方に形成された熱交換室Ｔ内にノズ
ル７４を設け，熱板７０を降温させるときには，熱板７
０の裏面に対して冷却用の気体を吹き付けるように構成
されている。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，基板を加熱処理す
る加熱処理装置と加熱処理方法に関する。
る加熱処理装置と加熱処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造におけるフォトレ
ジスト処理工程においては，半導体ウエハ（以下，「ウ
エハ」）の表面にレジスト液を塗布した後の加熱処理
（プリベーキング）や，パターンの露光を行った後の加
熱処理（ポストエクスポージャーベーキング）等，種々
の加熱処理が行われている。
ジスト処理工程においては，半導体ウエハ（以下，「ウ
エハ」）の表面にレジスト液を塗布した後の加熱処理
（プリベーキング）や，パターンの露光を行った後の加
熱処理（ポストエクスポージャーベーキング）等，種々
の加熱処理が行われている。
【０００３】これらの加熱処理は，通常，加熱処理装置
によって行われる。この加熱処理装置は，処理容器内に
アルミニウムからなる厚みのある円盤状の熱板を有して
おり，この熱板上に処理対象となるウエハを載置し，前
記熱板に内蔵されている発熱体によって熱板を所定温度
に加熱することで，ウエハを加熱処理していた。
によって行われる。この加熱処理装置は，処理容器内に
アルミニウムからなる厚みのある円盤状の熱板を有して
おり，この熱板上に処理対象となるウエハを載置し，前
記熱板に内蔵されている発熱体によって熱板を所定温度
に加熱することで，ウエハを加熱処理していた。
【０００４】ところで，形成する半導体デバイスの種類
やレジスト液の種類，プロセスの種類等により，加熱す
る温度が異なるため，熱板温度を変更する必要がある。
このとき，ウェハ製造のスループットを向上させるため
熱板の昇降温を高速で行うことが好ましい。
やレジスト液の種類，プロセスの種類等により，加熱す
る温度が異なるため，熱板温度を変更する必要がある。
このとき，ウェハ製造のスループットを向上させるため
熱板の昇降温を高速で行うことが好ましい。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，熱板を
昇温する場合には，熱板外縁部や熱板下方から熱が逃げ
てしまい，また，熱板を降温する場合には，熱が加熱処
理装置内に蓄熱され，熱の交換がスムーズに行われない
ため，熱板の昇降温に長時間要していた。
昇温する場合には，熱板外縁部や熱板下方から熱が逃げ
てしまい，また，熱板を降温する場合には，熱が加熱処
理装置内に蓄熱され，熱の交換がスムーズに行われない
ため，熱板の昇降温に長時間要していた。
【０００６】本発明は，かかる点に鑑みてなされたもの
であり，従来の加熱処理装置に比べて熱板温度を高速に
昇降温できる加熱処理装置及び加熱処理方法を提供し
て，前記問題の解決を図ることをその目的としている。
であり，従来の加熱処理装置に比べて熱板温度を高速に
昇降温できる加熱処理装置及び加熱処理方法を提供し
て，前記問題の解決を図ることをその目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は，基板
を熱板上で加熱する加熱処理装置において，前記加熱処
理装置は，前記熱板の少なくとも周縁部を支持する支持
部材を有し，前記支持部材の材質が，断熱材であること
を特徴とする，加熱処理装置が提供される。
を熱板上で加熱する加熱処理装置において，前記加熱処
理装置は，前記熱板の少なくとも周縁部を支持する支持
部材を有し，前記支持部材の材質が，断熱材であること
を特徴とする，加熱処理装置が提供される。
【０００８】このように，前記支持部材の材質を断熱材
とすることにより，熱板に蓄えられた熱が熱板の外縁部
から放熱することを抑制できるので，熱板を高速に昇温
できると共に，加熱処理中，熱板面内の温度が均一に保
たれる。
とすることにより，熱板に蓄えられた熱が熱板の外縁部
から放熱することを抑制できるので，熱板を高速に昇温
できると共に，加熱処理中，熱板面内の温度が均一に保
たれる。
【０００９】かかる請求項１の発明は，請求項２のよう
に，前記支持部材が前記熱板に密着し，前記熱板の全周
囲を支持する構造を有することとしてもよい。
に，前記支持部材が前記熱板に密着し，前記熱板の全周
囲を支持する構造を有することとしてもよい。
【００１０】このように，前記支持部材を前記熱板と密
着させて，前記熱板の全周囲を支持することにより，請
求項１の発明に比べてさらに熱板の放射が抑制されるの
で，熱板を高速に昇温でき，また熱板面内の温度の均一
性が向上する。
着させて，前記熱板の全周囲を支持することにより，請
求項１の発明に比べてさらに熱板の放射が抑制されるの
で，熱板を高速に昇温でき，また熱板面内の温度の均一
性が向上する。
【００１１】請求項３の発明によれば，前記請求項１，
２の加熱処理装置において，前記熱板の下方に空間部が
形成され，前記空間部を形成する一部が開閉自在である
ことを特徴としている。
２の加熱処理装置において，前記熱板の下方に空間部が
形成され，前記空間部を形成する一部が開閉自在である
ことを特徴としている。
【００１２】この請求項３の加熱処理装置では，例え
ば，前記熱板下方に，例えばケーシング等により囲まれ
空間部を形成し，その空間部の一部に開閉自在な蓋体や
扉を取り付けることにより，前記熱板を加熱するときに
は，前記空間部を閉鎖して保温し，前記熱板を冷却する
ときには，前記空間部を開放して熱を逃がすことができ
るので，従来に比べて，より高速に熱板を昇降温するこ
とができる。
ば，前記熱板下方に，例えばケーシング等により囲まれ
空間部を形成し，その空間部の一部に開閉自在な蓋体や
扉を取り付けることにより，前記熱板を加熱するときに
は，前記空間部を閉鎖して保温し，前記熱板を冷却する
ときには，前記空間部を開放して熱を逃がすことができ
るので，従来に比べて，より高速に熱板を昇降温するこ
とができる。
【００１３】また請求項４の加熱処理装置は，熱板の下
方に空間部を形成すると共に，この空間部の雰囲気を排
気する排気管を備えたことを特徴としている。したがっ
て，例えば加熱の際には空間部を閉鎖して保温し，熱板
を冷却する際には，この排気管から空間部ないの雰囲気
を積極的に排気することで，より高速に熱板を昇降温す
ることができる。
方に空間部を形成すると共に，この空間部の雰囲気を排
気する排気管を備えたことを特徴としている。したがっ
て，例えば加熱の際には空間部を閉鎖して保温し，熱板
を冷却する際には，この排気管から空間部ないの雰囲気
を積極的に排気することで，より高速に熱板を昇降温す
ることができる。
【００１４】前記した請求項１から４の加熱処理装置に
おいて，請求項５のように，前記熱板裏面に対して冷却
用の気体を吹き付ける気体供給手段を有するようにして
も良い。計客用の気体としては，例えばドライエアが適
しているが，一般的な不活性ガス，その他通常の空気を
用いてもよい。
おいて，請求項５のように，前記熱板裏面に対して冷却
用の気体を吹き付ける気体供給手段を有するようにして
も良い。計客用の気体としては，例えばドライエアが適
しているが，一般的な不活性ガス，その他通常の空気を
用いてもよい。
【００１５】このように，前記熱板の裏面に対して冷却
用の気体を吹き付けることにより，前記熱板を冷却する
際に，前記熱板に蓄えられていた熱が気体により急速に
奪われるため，従来よりも高速に冷却することができ
る。
用の気体を吹き付けることにより，前記熱板を冷却する
際に，前記熱板に蓄えられていた熱が気体により急速に
奪われるため，従来よりも高速に冷却することができ
る。
【００１６】請求項６の発明は，前記請求項１から５の
加熱処理装置において，前記熱板の材質が，窒化アルミ
ニウムであることを特徴としている。
加熱処理装置において，前記熱板の材質が，窒化アルミ
ニウムであることを特徴としている。
【００１７】このように，熱板の材質を窒化アルミニウ
ムにすることにより，熱伝導性が増大し，熱板を従来よ
りも高速に昇降温することができる。また窒化アルミニ
ウムは，従来用いられていたアルミニウムに比べて，強
度性にも優れているので，熱板を薄くすることができる
ため，熱に対する応答性が増し，高速に昇降温すること
ができる。
ムにすることにより，熱伝導性が増大し，熱板を従来よ
りも高速に昇降温することができる。また窒化アルミニ
ウムは，従来用いられていたアルミニウムに比べて，強
度性にも優れているので，熱板を薄くすることができる
ため，熱に対する応答性が増し，高速に昇降温すること
ができる。
【００１８】さらに，請求項１から６の加熱処理装置に
おいて，請求項７のように，前記熱板が，所定のパター
ンに印刷された発熱体を有することとしてもよい。
おいて，請求項７のように，前記熱板が，所定のパター
ンに印刷された発熱体を有することとしてもよい。
【００１９】このように，前記熱板に熱源となる発熱体
を直接印刷することによって，従来のように例えば電熱
線で巻かれた銅板を熱板に内蔵させる必要がないので，
熱板を薄く保つことが可能となり，コンパクト化され
る。
を直接印刷することによって，従来のように例えば電熱
線で巻かれた銅板を熱板に内蔵させる必要がないので，
熱板を薄く保つことが可能となり，コンパクト化され
る。
【００２０】請求項８の発明は，基板を加熱する熱板
と，前記熱板の下方に形成され，一部が開閉自在な空間
部とを有する加熱処理装置を用いて前記基板を加熱処理
するにあたり，少なくとも前記基板の加熱処理中は，前
記空間部が閉鎖され，前記熱板の冷却時には，前記空間
部が開放されることを特徴とする加熱処理方法が提供さ
れる。
と，前記熱板の下方に形成され，一部が開閉自在な空間
部とを有する加熱処理装置を用いて前記基板を加熱処理
するにあたり，少なくとも前記基板の加熱処理中は，前
記空間部が閉鎖され，前記熱板の冷却時には，前記空間
部が開放されることを特徴とする加熱処理方法が提供さ
れる。
【００２１】この請求項８の加熱処理方法によれば，前
記基板の処理中は，前記空間部を閉鎖して保温し，前記
基板を所定の温度で加熱することができる。特に，前記
熱板を昇温する場合には，熱板からの放熱が抑制される
ので，従来よりも高速で昇温できる。また前記熱板を冷
却するときには，前記空間部を開放することにより，従
来に比べてより高速に降温することができる。
記基板の処理中は，前記空間部を閉鎖して保温し，前記
基板を所定の温度で加熱することができる。特に，前記
熱板を昇温する場合には，熱板からの放熱が抑制される
ので，従来よりも高速で昇温できる。また前記熱板を冷
却するときには，前記空間部を開放することにより，従
来に比べてより高速に降温することができる。
【００２２】請求項９の発明は，基板を加熱する熱板
と，前記熱板の下方に形成され，一部が開閉自在な空間
部と，前記熱板裏面に対して冷却用の気体を吹き付ける
気体供給手段とを有する加熱処理装置を用いて前記基板
を加熱処理するにあたり，少なくとも前記基板の加熱処
理中は，前記空間部が閉鎖され，前記熱板の冷却時に
は，前記空間部が開放され，前記気体供給手段から冷却
用の気体が前記熱板裏面に吹き付けられることを特徴と
する加熱処理方法が提供される。
と，前記熱板の下方に形成され，一部が開閉自在な空間
部と，前記熱板裏面に対して冷却用の気体を吹き付ける
気体供給手段とを有する加熱処理装置を用いて前記基板
を加熱処理するにあたり，少なくとも前記基板の加熱処
理中は，前記空間部が閉鎖され，前記熱板の冷却時に
は，前記空間部が開放され，前記気体供給手段から冷却
用の気体が前記熱板裏面に吹き付けられることを特徴と
する加熱処理方法が提供される。
【００２３】この請求項９の加熱処理方法によれば，前
記基板の処理中は，前記空間部を閉鎖して保温し，前記
基板を所定の温度で加熱することができる。特に，前記
熱板を昇温する場合には，熱板からの放熱が抑制される
ので，従来よりも高速で昇温できる。前記熱板を冷却す
るときには，前記空間部を開放し，前記熱板裏面に冷却
用の気体を吹き付けることにより，従来に比べてより高
速に降温することができる。
記基板の処理中は，前記空間部を閉鎖して保温し，前記
基板を所定の温度で加熱することができる。特に，前記
熱板を昇温する場合には，熱板からの放熱が抑制される
ので，従来よりも高速で昇温できる。前記熱板を冷却す
るときには，前記空間部を開放し，前記熱板裏面に冷却
用の気体を吹き付けることにより，従来に比べてより高
速に降温することができる。
【００２４】さらに請求項１０の加熱処理方法では，基
板を加熱する熱板と，前記熱板の下方に形成された空間
部と，前記空間部の雰囲気を排気する排気管と，前記熱
板裏面に対して冷却用の気体を吹き付ける気体供給手段
とを有する加熱処理装置を用いて前記基板を加熱処理す
るにあたり，少なくとも前記基板の加熱処理中は，前記
空間部が閉鎖され，前記熱板の冷却時には，前記排気管
から排気すると共に，前記気体供給手段から冷却用の気
体が前記熱板裏面に吹き付けられることを特徴としてい
る。
板を加熱する熱板と，前記熱板の下方に形成された空間
部と，前記空間部の雰囲気を排気する排気管と，前記熱
板裏面に対して冷却用の気体を吹き付ける気体供給手段
とを有する加熱処理装置を用いて前記基板を加熱処理す
るにあたり，少なくとも前記基板の加熱処理中は，前記
空間部が閉鎖され，前記熱板の冷却時には，前記排気管
から排気すると共に，前記気体供給手段から冷却用の気
体が前記熱板裏面に吹き付けられることを特徴としてい
る。
【００２５】この加熱処理方法によれば，前記請求項９
と同様，前記空間部を閉鎖して保温し，前記基板を所定
の温度で加熱することができ，また前記熱板を昇温する
場合には，熱板からの放熱が抑制されるので，従来より
も高速で昇温できる。そして熱板を冷却するときには，
前記空間部ないの雰囲気が排気管から積極的に排気され
るとともに，前記熱板裏面に冷却用の気体が吹き付けら
れるので，さらに従来よりも高速に熱板を降温すること
ができ，またパーティクルも当該排気管から直接吸引し
てこれを排気できるので空間部内を汚染することはな
い。
と同様，前記空間部を閉鎖して保温し，前記基板を所定
の温度で加熱することができ，また前記熱板を昇温する
場合には，熱板からの放熱が抑制されるので，従来より
も高速で昇温できる。そして熱板を冷却するときには，
前記空間部ないの雰囲気が排気管から積極的に排気され
るとともに，前記熱板裏面に冷却用の気体が吹き付けら
れるので，さらに従来よりも高速に熱板を降温すること
ができ，またパーティクルも当該排気管から直接吸引し
てこれを排気できるので空間部内を汚染することはな
い。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下，本発明の好ましい実施の形
態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる加
熱処理装置としてのポストエクスポージャーベーキング
装置を含む塗布現像処理システム１の平面図であり，図
２は，塗布現像処理システム１の正面図であり，図３
は，塗布現像処理システム１の背面図である。
態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる加
熱処理装置としてのポストエクスポージャーベーキング
装置を含む塗布現像処理システム１の平面図であり，図
２は，塗布現像処理システム１の正面図であり，図３
は，塗布現像処理システム１の背面図である。
【００２７】塗布現像処理システム１は，図１に示すよ
うに，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部か
ら塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセ
ットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットス
テーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定
の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステ
ーション３と，この処理ステーション３に隣接して設け
られている図示しない露光装置との間でウェハＷの受け
渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構
成を有している。
うに，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部か
ら塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセ
ットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットス
テーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定
の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステ
ーション３と，この処理ステーション３に隣接して設け
られている図示しない露光装置との間でウェハＷの受け
渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構
成を有している。
【００２８】カセットステーション２では，載置部とな
るカセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセット
ＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在とな
っている。そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）と
カセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ
方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体７が
搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセッ
トＣに対して選択的にアクセスできるようになってい
る。
るカセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセット
ＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在とな
っている。そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）と
カセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ
方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体７が
搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセッ
トＣに対して選択的にアクセスできるようになってい
る。
【００２９】ウェハ搬送体７は，後述するように処理ス
テーション３側の第３の処理装置群G３に属するアライ
メント装置３２とエクステンション装置３３に対しても
アクセスできるように構成されている。
テーション３側の第３の処理装置群G３に属するアライ
メント装置３２とエクステンション装置３３に対しても
アクセスできるように構成されている。
【００３０】処理ステーション３では，その中心部に主
搬送装置１３が設けられており，主搬送装置１３の周辺
には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を構成
している。該塗布現像処理システム１においては，４つ
の処理装置群G1，G2，G3，G4が配置されており，第１及
び第２の処理装置群G1，G2は現像処理システム１の正面
側に配置され，第３の処理装置群G3は，カセットステー
ション２に隣接して配置され，第４の処理装置群G4は，
インターフェイス部４に隣接して配置されている。さら
にオプションとして破線で示した第５の処理装置群G5を
背面側に別途配置可能となっている。
搬送装置１３が設けられており，主搬送装置１３の周辺
には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を構成
している。該塗布現像処理システム１においては，４つ
の処理装置群G1，G2，G3，G4が配置されており，第１及
び第２の処理装置群G1，G2は現像処理システム１の正面
側に配置され，第３の処理装置群G3は，カセットステー
ション２に隣接して配置され，第４の処理装置群G4は，
インターフェイス部４に隣接して配置されている。さら
にオプションとして破線で示した第５の処理装置群G5を
背面側に別途配置可能となっている。
【００３１】第１の処理装置群G1では図２に示すよう
に，２種類のスピンナ型処理装置，例えばウェハＷに対
してレジストを塗布して処理するレジスト塗布装置１５
と，ウェハＷに現像液を供給して処理する現像処理装置
１６が下から順に２段に配置されている。第２の処理装
置群G2の場合も同様に，レジスト塗布装置１７と，現像
処理装置１８とが下から順に２段に積み重ねられている
に，２種類のスピンナ型処理装置，例えばウェハＷに対
してレジストを塗布して処理するレジスト塗布装置１５
と，ウェハＷに現像液を供給して処理する現像処理装置
１６が下から順に２段に配置されている。第２の処理装
置群G2の場合も同様に，レジスト塗布装置１７と，現像
処理装置１８とが下から順に２段に積み重ねられている
【００３２】第３の処理装置群G3では，図３に示すよう
に，ウェハＷを冷却処理するクーリング装置３０，レジ
スト液とウェハＷとの定着性を高めるためのアドヒージ
ョン装置３１，ウェハＷの位置合わせを行うアライメン
ト装置３２，ウェハＷを待機させるエクステンション装
置３３，レジスト液塗布後にシンナー溶剤の乾燥を行う
プリベーキング装置３４，３５及び現像処理後の加熱処
理を施すポストベーキング装置３６，３７等が下から順
に例えば８段に重ねられている。
に，ウェハＷを冷却処理するクーリング装置３０，レジ
スト液とウェハＷとの定着性を高めるためのアドヒージ
ョン装置３１，ウェハＷの位置合わせを行うアライメン
ト装置３２，ウェハＷを待機させるエクステンション装
置３３，レジスト液塗布後にシンナー溶剤の乾燥を行う
プリベーキング装置３４，３５及び現像処理後の加熱処
理を施すポストベーキング装置３６，３７等が下から順
に例えば８段に重ねられている。
【００３３】第４の処理装置群G4では，例えばクーリン
グ装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエクス
テンション・クーリング装置４１，エクステンション装
置４２，クーリング装置４３，露光処理後の加熱処理を
行う本実施の形態にかかるポストエクスポージャーベー
キング装置４４，４５，ポストベーキング装置４６，４
７等が下から順に例えば８段に積み重ねられている。
グ装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエクス
テンション・クーリング装置４１，エクステンション装
置４２，クーリング装置４３，露光処理後の加熱処理を
行う本実施の形態にかかるポストエクスポージャーベー
キング装置４４，４５，ポストベーキング装置４６，４
７等が下から順に例えば８段に積み重ねられている。
【００３４】次に，インターフェイス部４の中央部には
ウェハ搬送体５０が設けられている。このウェハ搬送体
５０はＸ方向（図１中の上下方向），Ｚ方向（垂直方
向）の移動とθ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回
転が自在にできるように構成されており，第４の処理装
置群G4に属するエクステンション・クーリング装置４
１，エクステンション装置４２，周辺露光装置５１及び
図示しない露光装置に対してアクセスできるように構成
されている。
ウェハ搬送体５０が設けられている。このウェハ搬送体
５０はＸ方向（図１中の上下方向），Ｚ方向（垂直方
向）の移動とθ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回
転が自在にできるように構成されており，第４の処理装
置群G4に属するエクステンション・クーリング装置４
１，エクステンション装置４２，周辺露光装置５１及び
図示しない露光装置に対してアクセスできるように構成
されている。
【００３５】次に，前記加熱処理装置としてのポストエ
クスポージャーベーキング装置４４について詳しく説明
する。図４に示したように，このポストエクスポージャ
ーベーキング装置４１は，ケーシング６１内に，上側に
位置して上下自在な蓋体６２と，下側に位置していて蓋
体６２と一体となって処理室Ｓを形成する熱板収容部６
３とからなっている。
クスポージャーベーキング装置４４について詳しく説明
する。図４に示したように，このポストエクスポージャ
ーベーキング装置４１は，ケーシング６１内に，上側に
位置して上下自在な蓋体６２と，下側に位置していて蓋
体６２と一体となって処理室Ｓを形成する熱板収容部６
３とからなっている。
【００３６】蓋体６２は，中心部に向かって次第に高く
なる略円錐状の形態を有し，頂上部には，排気部６２a
が設けられており，処理部Ｓ内の雰囲気は，排気部６２
aから均一に排気されるようになっている。
なる略円錐状の形態を有し，頂上部には，排気部６２a
が設けられており，処理部Ｓ内の雰囲気は，排気部６２
aから均一に排気されるようになっている。
【００３７】熱板収容部６３は，外周の略円筒状のケー
ス６４，ケース６４内に配置された円盤状の熱板７０，
この熱板７０の全周囲を支持し，断熱性の良好なポリイ
ミド系やフッ素系合成樹脂，例えばＰＢＩ（ポリペンダ
イミダゾール）やＰＴＦＥ（ポリテトラフルオレエチレ
ン）からなる支持部材としてのサポート６５を有してい
る。
ス６４，ケース６４内に配置された円盤状の熱板７０，
この熱板７０の全周囲を支持し，断熱性の良好なポリイ
ミド系やフッ素系合成樹脂，例えばＰＢＩ（ポリペンダ
イミダゾール）やＰＴＦＥ（ポリテトラフルオレエチレ
ン）からなる支持部材としてのサポート６５を有してい
る。
【００３８】サポート６５は，熱板７０の全周辺部に密
着できるようにリング状に構成されている。さらに断熱
材であるフッ素系合成樹脂を使用しているため，加熱処
理中に熱板７０の熱が熱板周辺部から放熱することが抑
制される。したがって，熱板７０面内の温度が均一に保
たれるため，熱板７０上に載置されたウェハＷが均一に
加熱される。なお，このサポート６５は筒状の支持台６
７に支持されている。またサポート６５には，図５に示
したように吹き出し口６６が設けられ，処理室Ｓ内に向
けて例えば空気や不活性ガス等を吹き出すことが可能で
ある。
着できるようにリング状に構成されている。さらに断熱
材であるフッ素系合成樹脂を使用しているため，加熱処
理中に熱板７０の熱が熱板周辺部から放熱することが抑
制される。したがって，熱板７０面内の温度が均一に保
たれるため，熱板７０上に載置されたウェハＷが均一に
加熱される。なお，このサポート６５は筒状の支持台６
７に支持されている。またサポート６５には，図５に示
したように吹き出し口６６が設けられ，処理室Ｓ内に向
けて例えば空気や不活性ガス等を吹き出すことが可能で
ある。
【００３９】熱板７０は，高速に昇降温でき，熱板を薄
くできるように，熱伝導性と強度性に優れた窒化アルミ
ニウムからなり，その厚みは従来より薄い，例えば３ｍ
ｍである。
くできるように，熱伝導性と強度性に優れた窒化アルミ
ニウムからなり，その厚みは従来より薄い，例えば３ｍ
ｍである。
【００４０】熱板７０の裏面には，熱源として従来のよ
うに例えば，銅板に電熱線を巻いたヒータが内蔵されて
いるのではなく，給電によって発熱する銀製のヒータ７
１が例えば同心円状に印刷されている。したがって，ヒ
ータ７１の厚みは，ほとんどなく，熱板７０と併せても
３ｍｍ程度と薄くなっている。
うに例えば，銅板に電熱線を巻いたヒータが内蔵されて
いるのではなく，給電によって発熱する銀製のヒータ７
１が例えば同心円状に印刷されている。したがって，ヒ
ータ７１の厚みは，ほとんどなく，熱板７０と併せても
３ｍｍ程度と薄くなっている。
【００４１】熱板７０の下側には，例えばパンチングメ
タルのように，多数の通気部７２が形成された穴あきの
底板７３が取り付けられており，この底板７３と熱板７
０とサポート６５とにより囲まれた空間部Ｔを形成して
いる。
タルのように，多数の通気部７２が形成された穴あきの
底板７３が取り付けられており，この底板７３と熱板７
０とサポート６５とにより囲まれた空間部Ｔを形成して
いる。
【００４２】前記底板７３上には，熱板７０の裏面に向
けて例えば冷却用の気体，たとえば常温のエアを垂直方
向に吹き出すノズル７４が，例えば８カ所に設けられて
いる。もちろんこのノズルの数は任意，複数であっても
よい。このノズル７４の配置は，図５に示したように，
同心状に各々４カ所ずつ配置されており，平面からみ
て，熱板７０の温度測定用の温度センサ７５（図５中の
ｘで示している）の位置と重ならないように設定されて
いる。各ノズル７４は，エア供給管７６で連通してお
り，ケーシング６１外からエアが供給されると，各ノズ
ル７４から，各々同一風速のエアが熱板７０の裏面に向
けて吹きつけられるようになっている。
けて例えば冷却用の気体，たとえば常温のエアを垂直方
向に吹き出すノズル７４が，例えば８カ所に設けられて
いる。もちろんこのノズルの数は任意，複数であっても
よい。このノズル７４の配置は，図５に示したように，
同心状に各々４カ所ずつ配置されており，平面からみ
て，熱板７０の温度測定用の温度センサ７５（図５中の
ｘで示している）の位置と重ならないように設定されて
いる。各ノズル７４は，エア供給管７６で連通してお
り，ケーシング６１外からエアが供給されると，各ノズ
ル７４から，各々同一風速のエアが熱板７０の裏面に向
けて吹きつけられるようになっている。
【００４３】熱板７０には，ウエハＷを昇降させる際の
３本の昇降ピン８１が熱板７０上から突出するための孔
８２が，３カ所に形成されている。そしてこれら各孔８
２と底板７３との間には，昇降ピン８１の外周を被って
ノズル７４とは雰囲気隔離するための筒状のガイド８３
が各々垂直に配置されている。これらガイド８３によっ
て熱板７０下に配線されている各種コードなどによって
昇降ピン８１の上下動が支障を受けることはなく，また
ノズル７４から吹き出されるエアが孔８２からウエハＷ
に向けて吐出されることを防止できる。なお昇降ピン８
１は，モータ等の適宜の駆動装置８４によって上下動自
在である。
３本の昇降ピン８１が熱板７０上から突出するための孔
８２が，３カ所に形成されている。そしてこれら各孔８
２と底板７３との間には，昇降ピン８１の外周を被って
ノズル７４とは雰囲気隔離するための筒状のガイド８３
が各々垂直に配置されている。これらガイド８３によっ
て熱板７０下に配線されている各種コードなどによって
昇降ピン８１の上下動が支障を受けることはなく，また
ノズル７４から吹き出されるエアが孔８２からウエハＷ
に向けて吐出されることを防止できる。なお昇降ピン８
１は，モータ等の適宜の駆動装置８４によって上下動自
在である。
【００４４】ケース６４の下部周囲には，適宜の排気口
６４ａが形成されており，またポストエクスポージャー
ベーキング装置４４のケーシング６１の下部側方にも適
宜の排気口６１ａが形成され，前記排気口６１ａには，
前記した塗布現像処理システム１の他の処理装置からの
排気を集中して行っている排気部（図示せず）に通ずる
排気管８５が接続されている。
６４ａが形成されており，またポストエクスポージャー
ベーキング装置４４のケーシング６１の下部側方にも適
宜の排気口６１ａが形成され，前記排気口６１ａには，
前記した塗布現像処理システム１の他の処理装置からの
排気を集中して行っている排気部（図示せず）に通ずる
排気管８５が接続されている。
【００４５】次に以上のように構成された加熱処理装置
としてのポストエクスポージャーベーキング装置４４の
作用を，塗布現像処理システム１で行われるウェハＷの
塗布現像処理のプロセスと共に説明する。
としてのポストエクスポージャーベーキング装置４４の
作用を，塗布現像処理システム１で行われるウェハＷの
塗布現像処理のプロセスと共に説明する。
【００４６】先ず，ウェハ搬送体７がカセットＣから未
処理のウェハＷを１枚取りだし，第３の処理装置群G3に
属するアライメント装置３２に搬入する。次いで，アラ
イメント装置３２にて位置合わせの終了したウェハＷ
は，主搬送装置１３によって，アドヒージョン装置３
１，クーリング装置３０，レジスト塗布装置１５又１
７，プリベーキング装置３３又は３４に順次搬送され，
所定の処理が施される。その後，ウェハＷは，エクステ
ンション・クーリング装置４１に搬送される。
処理のウェハＷを１枚取りだし，第３の処理装置群G3に
属するアライメント装置３２に搬入する。次いで，アラ
イメント装置３２にて位置合わせの終了したウェハＷ
は，主搬送装置１３によって，アドヒージョン装置３
１，クーリング装置３０，レジスト塗布装置１５又１
７，プリベーキング装置３３又は３４に順次搬送され，
所定の処理が施される。その後，ウェハＷは，エクステ
ンション・クーリング装置４１に搬送される。
【００４７】次いで，ウェハＷはエクステンション・ク
ーリング装置４１からウェハ搬送体５０によって取り出
され，その後，周辺露光装置５１を経て図示しない露光
装置に搬送される。露光処理の終了したウェハＷは，ウ
ェハ搬送体５０によりエクステンション装置４２に搬送
された後，主搬送装置１３に保持される。次いで，この
ウェハＷはポストエクスポージャベーキング装置４４又
は４５に搬送される。
ーリング装置４１からウェハ搬送体５０によって取り出
され，その後，周辺露光装置５１を経て図示しない露光
装置に搬送される。露光処理の終了したウェハＷは，ウ
ェハ搬送体５０によりエクステンション装置４２に搬送
された後，主搬送装置１３に保持される。次いで，この
ウェハＷはポストエクスポージャベーキング装置４４又
は４５に搬送される。
【００４８】次にポストエクスポージャベーキング装置
４４におけるウェハＷの作用について詳しく説明する。
４４におけるウェハＷの作用について詳しく説明する。
【００４９】先ず，前処理が終了したウェハＷが，搬送
体５０によって，ポストエクスポージャベーキング装置
４４内に搬入され，予め上昇して待機していた昇降ピン
８１に受け渡される。そして，昇降ピン８１の下降に伴
い，ウェハＷが下降し，熱板７０上に載置される。この
時，例えばヒータ７１の加熱により，ウェハＷが１４０
℃に加熱される。また，加熱処理中は，ウェハ表面から
発生した溶剤等を排気口６２ａから排気している。そし
て所定時間の加熱が終了すると，昇降ピン８１が再び上
昇してウェハを支持し，主搬送装置１３に受け渡してポ
ストエクスポージャーベーキング装置４４外に搬出され
る。
体５０によって，ポストエクスポージャベーキング装置
４４内に搬入され，予め上昇して待機していた昇降ピン
８１に受け渡される。そして，昇降ピン８１の下降に伴
い，ウェハＷが下降し，熱板７０上に載置される。この
時，例えばヒータ７１の加熱により，ウェハＷが１４０
℃に加熱される。また，加熱処理中は，ウェハ表面から
発生した溶剤等を排気口６２ａから排気している。そし
て所定時間の加熱が終了すると，昇降ピン８１が再び上
昇してウェハを支持し，主搬送装置１３に受け渡してポ
ストエクスポージャーベーキング装置４４外に搬出され
る。
【００５０】ところで，プロセスやレジストの種類など
によって露光後のポストエキスポージャベーキングの温
度も異なっている。したがって，上記したように１４０
℃で加熱する場合だけではなく，それより低温，たとえ
ば９０℃で加熱する場合もある。この場合，熱板７０を
速やかに冷却して９０℃の加熱準備を行う必要がある
が，本実施の形態にかかるポストエクスポージャーベー
キング装置４４は，そのような熱板の降温に対して好適
に対処できる。
によって露光後のポストエキスポージャベーキングの温
度も異なっている。したがって，上記したように１４０
℃で加熱する場合だけではなく，それより低温，たとえ
ば９０℃で加熱する場合もある。この場合，熱板７０を
速やかに冷却して９０℃の加熱準備を行う必要がある
が，本実施の形態にかかるポストエクスポージャーベー
キング装置４４は，そのような熱板の降温に対して好適
に対処できる。
【００５１】すなわち，１４０℃で加熱処理を行うロッ
トの最後のウエハＷの加熱処理が終了した後，図６に示
したように，ノズル７４から常温のエアを熱板７０の裏
面に吹きつける。
トの最後のウエハＷの加熱処理が終了した後，図６に示
したように，ノズル７４から常温のエアを熱板７０の裏
面に吹きつける。
【００５２】そうすると，熱板７０は，熱伝導性の優れ
た窒化アルミニウムを使用し，薄く形成されていること
から，裏面から吹きつけられる常温のエアによって高速
に冷却される。
た窒化アルミニウムを使用し，薄く形成されていること
から，裏面から吹きつけられる常温のエアによって高速
に冷却される。
【００５３】一方，逆にレシピによりウェハＷを２８０
℃で加熱させる場合もある。この場合，熱板７０を速や
かに加熱して２８０℃の加熱準備を行う必要があるが，
上述したように熱伝導性の優れた熱板７０を使用すると
共に，熱板７０は断熱性の良好なサポート６５によって
支持されているので，熱板７０下面に印刷されたヒータ
７１によって，従来よりも高速に昇温させることができ
る。
℃で加熱させる場合もある。この場合，熱板７０を速や
かに加熱して２８０℃の加熱準備を行う必要があるが，
上述したように熱伝導性の優れた熱板７０を使用すると
共に，熱板７０は断熱性の良好なサポート６５によって
支持されているので，熱板７０下面に印刷されたヒータ
７１によって，従来よりも高速に昇温させることができ
る。
【００５４】以上の実施の形態によれば，ポストエクス
ポージャーベーキング装置４４の加熱処理中は，熱板７
０が断熱材からなるサポート６５に支持されていること
により，熱板７０の熱の放熱が抑えられることから熱板
７０の昇温速度が向上すると共に，熱板７０面内の温度
が均一に保たれるので，ウェハＷが均一に加熱される。
ポージャーベーキング装置４４の加熱処理中は，熱板７
０が断熱材からなるサポート６５に支持されていること
により，熱板７０の熱の放熱が抑えられることから熱板
７０の昇温速度が向上すると共に，熱板７０面内の温度
が均一に保たれるので，ウェハＷが均一に加熱される。
【００５５】また，従来よりも熱板７０が薄く形成さ
れ，その材質が熱伝導性の優れた窒化アルミニウム使用
していることから，熱板７０の応答性が増し，高速に昇
降温されることができる。さらに，熱板７０が薄くされ
たので，ポストエクスポージャーベーキング装置４４全
体もコンパクト化することができる。
れ，その材質が熱伝導性の優れた窒化アルミニウム使用
していることから，熱板７０の応答性が増し，高速に昇
降温されることができる。さらに，熱板７０が薄くされ
たので，ポストエクスポージャーベーキング装置４４全
体もコンパクト化することができる。
【００５６】上述した熱板７０下側の空間部Ｔを形成す
る底板７３の通気部７２は常時開口していたが，前記通
気部７２に例えば適宜の蓋体を取り付けて開閉自在と
し，空間部Ｔを閉鎖できるように構成してもよい。この
ように，空間部Ｔを開閉自在とすることにより，ウェハ
Ｗを加熱処理するときには，前記通気部７２を閉鎖し，
空間部Ｔ内を保温することができるので，ウェハＷを所
定の温度で安定して加熱処理できる。また，熱板７０を
昇温するときにも，通気部７２を閉鎖し，空間部Ｔから
の放熱を防ぐことができるので，より高速に昇温するこ
とができる。一方，熱板７０を冷却するときは，前記空
間部Ｔを開放することにより，速やかに熱を逃がすこと
ができる。
る底板７３の通気部７２は常時開口していたが，前記通
気部７２に例えば適宜の蓋体を取り付けて開閉自在と
し，空間部Ｔを閉鎖できるように構成してもよい。この
ように，空間部Ｔを開閉自在とすることにより，ウェハ
Ｗを加熱処理するときには，前記通気部７２を閉鎖し，
空間部Ｔ内を保温することができるので，ウェハＷを所
定の温度で安定して加熱処理できる。また，熱板７０を
昇温するときにも，通気部７２を閉鎖し，空間部Ｔから
の放熱を防ぐことができるので，より高速に昇温するこ
とができる。一方，熱板７０を冷却するときは，前記空
間部Ｔを開放することにより，速やかに熱を逃がすこと
ができる。
【００５７】このような作用を実現するには，例えば，
図７に示すように，熱板７０下側の空間部Ｔを形成する
底板７３の周辺部に，通気部９０を設けて，図８に示す
ようなリリーフ弁９１を取り付ける。このリリーフ弁９
１は，通気部９０を開閉自在な蓋部９２を有し，さらに
回動部９３を中心として回動自在である。そして，スプ
リング等の付勢部材（図示せず）によって常態では，こ
の蓋部９２は通気部９０を閉鎖するように付勢されてい
る。
図７に示すように，熱板７０下側の空間部Ｔを形成する
底板７３の周辺部に，通気部９０を設けて，図８に示す
ようなリリーフ弁９１を取り付ける。このリリーフ弁９
１は，通気部９０を開閉自在な蓋部９２を有し，さらに
回動部９３を中心として回動自在である。そして，スプ
リング等の付勢部材（図示せず）によって常態では，こ
の蓋部９２は通気部９０を閉鎖するように付勢されてい
る。
【００５８】かかる構成のリリーフ弁９１によれば，上
方からの，すなわち空間部Ｔからの圧力がかかった場合
には，付勢部材の付勢に抗して通気部９０が開放され
る。すなわち，熱板７０を降温させるときに，前記ノズ
ル７４から冷却用の気体を噴出させると，空間部Ｔの内
圧が上昇するので，それによって蓋部９２は開放され，
気体の流出に伴い熱が放出される。また熱板７０を昇温
させるとき，及びウェハＷの加熱処理中には，ノズル７
４からの気体の流出が停止するので，前記蓋部９２は付
勢により，通気部９０を閉鎖し，空間部Ｔを経由して熱
板７０の熱が逃げないようにする。その結果，熱板７０
の昇降温を促進され，より高速に熱板７０を昇降温させ
ることが可能となる。なお，かかる作用を実現するリリ
ーフ弁は，前記したリリーフ弁９１のような構造に限ら
れないことはもちろんである。
方からの，すなわち空間部Ｔからの圧力がかかった場合
には，付勢部材の付勢に抗して通気部９０が開放され
る。すなわち，熱板７０を降温させるときに，前記ノズ
ル７４から冷却用の気体を噴出させると，空間部Ｔの内
圧が上昇するので，それによって蓋部９２は開放され，
気体の流出に伴い熱が放出される。また熱板７０を昇温
させるとき，及びウェハＷの加熱処理中には，ノズル７
４からの気体の流出が停止するので，前記蓋部９２は付
勢により，通気部９０を閉鎖し，空間部Ｔを経由して熱
板７０の熱が逃げないようにする。その結果，熱板７０
の昇降温を促進され，より高速に熱板７０を昇降温させ
ることが可能となる。なお，かかる作用を実現するリリ
ーフ弁は，前記したリリーフ弁９１のような構造に限ら
れないことはもちろんである。
【００５９】次に他の実施の形態について説明する。図
９に示した例は，熱板７０の下方の空間部Ｔ内の雰囲気
を外部に排出する排気管１０１を有するポストエクスポ
ージャベーキング装置１０２である。このポストエクス
ポージャベーキング装置１０１において，図４に示した
ポストエクスポージャベーキング装置４４と同一の符号
で示される部材，構成等は，各々同一の部材，構成等を
示し，重複した説明は省略している。
９に示した例は，熱板７０の下方の空間部Ｔ内の雰囲気
を外部に排出する排気管１０１を有するポストエクスポ
ージャベーキング装置１０２である。このポストエクス
ポージャベーキング装置１０１において，図４に示した
ポストエクスポージャベーキング装置４４と同一の符号
で示される部材，構成等は，各々同一の部材，構成等を
示し，重複した説明は省略している。
【００６０】このポストエクスポージャベーキング装置
１０２においては，熱板７０の下方の空間部Ｔ内は閉鎖
空間としている。そしてノズル７４からエアを吹き出し
て熱板７０を急速に冷却する際には，この排気管１０１
から空間部Ｔ内の雰囲気を外部に排出するようにする。
その結果，空間部Ｔ内でパーティクルなどが舞い上がっ
て周囲を汚染することが防止できる。また熱板７０をよ
り高速に冷却することが可能である。
１０２においては，熱板７０の下方の空間部Ｔ内は閉鎖
空間としている。そしてノズル７４からエアを吹き出し
て熱板７０を急速に冷却する際には，この排気管１０１
から空間部Ｔ内の雰囲気を外部に排出するようにする。
その結果，空間部Ｔ内でパーティクルなどが舞い上がっ
て周囲を汚染することが防止できる。また熱板７０をよ
り高速に冷却することが可能である。
【００６１】なお熱板７０の上にウエハＷを載置して加
熱しているときには，排気管１０１は閉鎖される。これ
によって，空間部Ｔ内の雰囲気が外部に漏れないので，
空間部Ｔはいわば保温状態となっており，これによって
熱板７０に対する加熱効率は向上する。
熱しているときには，排気管１０１は閉鎖される。これ
によって，空間部Ｔ内の雰囲気が外部に漏れないので，
空間部Ｔはいわば保温状態となっており，これによって
熱板７０に対する加熱効率は向上する。
【００６２】また前記各実施の形態は，ポストエクスポ
ージャベーキングを行う加熱処理装置として具体化され
ていたが，もちろんプリベーキング装置等の他の加熱処
理装置としてもよい。さらには，基板はウエハＷであっ
たが，もちろん方形の他の基板，たとえばＬＣＤ基板の
加熱処理装置に対しても適用可能である。
ージャベーキングを行う加熱処理装置として具体化され
ていたが，もちろんプリベーキング装置等の他の加熱処
理装置としてもよい。さらには，基板はウエハＷであっ
たが，もちろん方形の他の基板，たとえばＬＣＤ基板の
加熱処理装置に対しても適用可能である。
【００６３】
【発明の効果】請求項１の発明によれば，熱板に蓄えら
れた熱が熱板の外縁部から放熱することを抑制できるの
で，従来よりも熱板を高速昇温できる。したがって，異
なった温度への設定変更にあたっては，従来よりも時間
がかからず，スループットの向上に寄与する。また熱板
面内の温度の均一性が向上するので，歩留まりの向上も
図られる。
れた熱が熱板の外縁部から放熱することを抑制できるの
で，従来よりも熱板を高速昇温できる。したがって，異
なった温度への設定変更にあたっては，従来よりも時間
がかからず，スループットの向上に寄与する。また熱板
面内の温度の均一性が向上するので，歩留まりの向上も
図られる。
【００６４】請求項２の発明によれば，熱板を支持する
支持部材を熱板と密着させて，熱板の全周囲を支持する
ことにより，請求項１の発明に比べてさらに熱板の放熱
が抑制されるので，熱板を高速に昇温できる。したがっ
て，従来よりも異なった温度への設定変更に時間がかか
らず，スループットの向上に寄与する。また熱板面内の
温度の均一性が向上するので，歩留まりの向上も図られ
る。
支持部材を熱板と密着させて，熱板の全周囲を支持する
ことにより，請求項１の発明に比べてさらに熱板の放熱
が抑制されるので，熱板を高速に昇温できる。したがっ
て，従来よりも異なった温度への設定変更に時間がかか
らず，スループットの向上に寄与する。また熱板面内の
温度の均一性が向上するので，歩留まりの向上も図られ
る。
【００６５】請求項３，４の発明によれば，熱板を加熱
するときには，熱板下方に形成される空間部を閉鎖して
保温し，熱板を冷却するときには，前記空間部を開放し
たり，排気管から排気して熱を逃がすことができるの
で，従来に比べて，より高速に熱板を昇降温することが
できる。したがって，従来よりも異なった温度への設定
変更に時間がかからず，スループットの向上に寄与す
る。
するときには，熱板下方に形成される空間部を閉鎖して
保温し，熱板を冷却するときには，前記空間部を開放し
たり，排気管から排気して熱を逃がすことができるの
で，従来に比べて，より高速に熱板を昇降温することが
できる。したがって，従来よりも異なった温度への設定
変更に時間がかからず，スループットの向上に寄与す
る。
【００６６】請求項５の発明によれば，熱板を冷却する
際に，前記熱板に蓄えられていた熱が気体により急速に
奪われるため，従来よりも高速に冷却することができ
る。したがって，従来よりも異なった温度への設定変更
に時間がかからず，スループットの向上に寄与する。
際に，前記熱板に蓄えられていた熱が気体により急速に
奪われるため，従来よりも高速に冷却することができ
る。したがって，従来よりも異なった温度への設定変更
に時間がかからず，スループットの向上に寄与する。
【００６７】請求項６の発明は，熱板の材質を窒化アル
ミニウムにすることにより，熱伝導性が増大し，熱板を
従来より高速に昇降温することができる。したがって，
従来よりも異なった温度への設定変更に時間がかから
ず，スループットの向上が図られる。さらに，窒化アル
ミニウムは，従来用いられていたアルミニウムに比べ
て，強度性にも優れているので，熱板を薄くすることが
できるため，熱に対する応答性が増し，この点からもス
ループットの向上が図られる。
ミニウムにすることにより，熱伝導性が増大し，熱板を
従来より高速に昇降温することができる。したがって，
従来よりも異なった温度への設定変更に時間がかから
ず，スループットの向上が図られる。さらに，窒化アル
ミニウムは，従来用いられていたアルミニウムに比べ
て，強度性にも優れているので，熱板を薄くすることが
できるため，熱に対する応答性が増し，この点からもス
ループットの向上が図られる。
【００６８】請求項７の発明によれば，前記熱板に熱源
となる発熱体を直接印刷することによって，従来に比べ
て，熱板を薄く保つことが可能となる。したがって，熱
板を高速昇降し，スループットの向上が図られると共
に，コンパクト化される。
となる発熱体を直接印刷することによって，従来に比べ
て，熱板を薄く保つことが可能となる。したがって，熱
板を高速昇降し，スループットの向上が図られると共
に，コンパクト化される。
【００６９】請求項８によれば，基板の処理中は，熱板
下方に形成される空間部を閉鎖して保温し，基板を所定
の温度で加熱することができる。また，熱板を昇温する
場合には，熱板からの放熱が抑制されるので，従来より
も高速で昇温できる。一方前記熱板を冷却するときに
も，前記空間部を開放することにより，従来に比べてよ
り高速に降温することができる。したがって，従来より
も異なった温度への設定変更に時間がかからず，スルー
プットの向上に寄与する。
下方に形成される空間部を閉鎖して保温し，基板を所定
の温度で加熱することができる。また，熱板を昇温する
場合には，熱板からの放熱が抑制されるので，従来より
も高速で昇温できる。一方前記熱板を冷却するときに
も，前記空間部を開放することにより，従来に比べてよ
り高速に降温することができる。したがって，従来より
も異なった温度への設定変更に時間がかからず，スルー
プットの向上に寄与する。
【００７０】請求項９によれば，基板の処理中は，熱板
下方に形成される空間部を閉鎖して保温し，基板を所定
の温度で加熱することができる。特に，熱板を昇温する
場合には，熱板からの放熱が抑制されるので，従来より
も高速で昇温できる。また熱板を冷却するときには，前
記空間部を開放し，前記熱板裏面に冷却用の気体を吹き
付けることにより，従来に比べてより高速に降温するこ
とができる。したがって，従来よりも異なった温度への
設定変更に時間がかからず，スループットの向上に寄与
する。
下方に形成される空間部を閉鎖して保温し，基板を所定
の温度で加熱することができる。特に，熱板を昇温する
場合には，熱板からの放熱が抑制されるので，従来より
も高速で昇温できる。また熱板を冷却するときには，前
記空間部を開放し，前記熱板裏面に冷却用の気体を吹き
付けることにより，従来に比べてより高速に降温するこ
とができる。したがって，従来よりも異なった温度への
設定変更に時間がかからず，スループットの向上に寄与
する。
【００７１】請求項１０の発明によれば，処理中は熱板
下方に形成される空間部を閉鎖して保温するようにした
ので，昇温速度が向上し，また熱板を冷却するときに
は，排気管によって積極的に空間部の雰囲気を排気する
ので，従来に比べてより高速に降温することができる。
したがって，従来よりも異なった温度への設定変更に時
間がかからず，スループットの向上に寄与する。またパ
ーティクルの舞上がりを抑え，浮遊するパーティクルも
直接排気できるから，空間部内を清浄に維持できる。
下方に形成される空間部を閉鎖して保温するようにした
ので，昇温速度が向上し，また熱板を冷却するときに
は，排気管によって積極的に空間部の雰囲気を排気する
ので，従来に比べてより高速に降温することができる。
したがって，従来よりも異なった温度への設定変更に時
間がかからず，スループットの向上に寄与する。またパ
ーティクルの舞上がりを抑え，浮遊するパーティクルも
直接排気できるから，空間部内を清浄に維持できる。
【図１】本実施の形態にかかるポストエクスポージャー
ベーキング装置を備えた塗布現像処理システムの外観を
示す平面図である。
ベーキング装置を備えた塗布現像処理システムの外観を
示す平面図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】本実施の形態にかかるポストエクスポージャー
ベーキング装置の縦断面の説明図である。
ベーキング装置の縦断面の説明図である。
【図５】本実施の形態にかかるポストエクスポージャー
ベーキング装置の平面からの説明図である。
ベーキング装置の平面からの説明図である。
【図６】実施の形態にかかるポストエクスポージャーベ
ーキング装置における熱板の裏面に気体を吹き付けてい
る状態を示す側面からの説明図である。
ーキング装置における熱板の裏面に気体を吹き付けてい
る状態を示す側面からの説明図である。
【図７】熱板下方の底板の周辺部に通気部を設けた場合
のポストエクスポージャーベーキング装置の縦断面の説
明図である。
のポストエクスポージャーベーキング装置の縦断面の説
明図である。
【図８】図７のポストエクスポージャーベーキング装置
内の熱板下方にある底板の通気部に蓋体を取り付けた場
合の拡大説明図である。
内の熱板下方にある底板の通気部に蓋体を取り付けた場
合の拡大説明図である。
【図９】図４のポストエクスポージャーベーキング装置
に排気管を設けた他の実施の形態の縦断面の説明図であ
る。
に排気管を設けた他の実施の形態の縦断面の説明図であ
る。
１ 塗布現像処理システム ６５ サポート ７０ 熱板 ７１ ヒータ ７２，９０ 通気孔 ７３ 底板 ７４ ノズル ９１ リリーフ弁 Ｓ 処理室 Ｔ 空間部 Ｗ ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/30 ５０１ Ｈ０５Ｂ 3/10 Ｃ Ｈ０５Ｂ 3/10 Ａ 3/16 3/16 3/20 ３９３ 3/20 ３９３ 3/68 3/68 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６７
Claims (10)
- 【請求項１】 基板を熱板上で加熱する加熱処理装置に
おいて，前記加熱処理装置は，前記熱板の少なくとも周
縁部を支持する支持部材を有し，前記支持部材の材質
が，断熱材であることを特徴とする，加熱処理装置。 - 【請求項２】 前記支持部材が前記熱板に密着し，前記
熱板の全周囲を支持する構造を有することを特徴とす
る，請求項１に記載の加熱処理装置。 - 【請求項３】 前記熱板の下方に空間部が形成され，こ
の空間部を形成する部材の一部が開閉自在であることを
特徴とする，請求項１又は２のいずれかに記載の加熱処
理装置。 - 【請求項４】 前記熱板の下方に空間部が形成され，こ
の空間部の雰囲気を排気する排気管を有することを特徴
とする，請求項１又は２のいずれかに記載の加熱処理装
置。 - 【請求項５】 前記熱板の裏面に対して冷却用の気体を
吹き付ける気体供給手段を有することを特徴とする，請
求項１，２，３又４のいずれかに記載の加熱処理装置。 - 【請求項６】 前記熱板の材質が，窒化アルミニウムで
あることを特徴とする，請求項１，２，３，４又は５の
いずれかに記載の加熱処理装置。 - 【請求項７】 前記熱板は，所定のパターンに印刷され
た発熱体を有することを特徴とする，請求項１，２，
３，４，５又は６のいずれかに記載の加熱処置装置。 - 【請求項８】 基板を加熱する熱板と，前記熱板の下方
に形成され，一部が開閉自在な空間部とを有する加熱処
理装置を用いて前記基板を加熱処理するにあたり，少な
くとも前記基板の加熱処理中は，前記空間部が閉鎖さ
れ，前記熱板の冷却時には，前記空間部が開放されるこ
とを特徴とする，加熱処理方法。 - 【請求項９】 基板を加熱する熱板と，前記熱板の下方
に形成され，一部が開閉自在な空間部と，前記熱板裏面
に対して冷却用の気体を吹き付ける気体供給手段とを有
する加熱処理装置を用いて前記基板を加熱処理するにあ
たり，少なくとも前記基板の加熱処理中は，前記空間部
が閉鎖され，前記熱板の冷却時には，前記空間部が開放
されると共に，前記気体供給手段から冷却用の気体が前
記熱板裏面に吹き付けられることを特徴とする，加熱処
理方法。 - 【請求項１０】 基板を加熱する熱板と，前記熱板の下
方に形成された空間部と，前記空間部の雰囲気を排気す
る排気管と，前記熱板裏面に対して冷却用の気体を吹き
付ける気体供給手段とを有する加熱処理装置を用いて前
記基板を加熱処理するにあたり，少なくとも前記基板の
加熱処理中は，前記空間部が閉鎖され，前記熱板の冷却
時には，前記排気管から排気すると共に，前記気体供給
手段から冷却用の気体が前記熱板裏面に吹き付けられる
ことを特徴とする，加熱処理方法。
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