JP2002203781A - 基板の処理装置 - Google Patents
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Abstract
からの気流の流入を抑制する。 【解決手段】 クーリング装置のケーシング55aの外
側面であって,搬送口96の上方に,上端部98aがケ
ーシング55aに取り付けられ,上端部99aから下端
部99bに行くにつれてケーシング55aから離れてい
く誘導板98を設ける。搬送口96のシャッタ97の外
側面に下端部99aがシャッタ97に取り付けられ,下
端部99aから上端部99bに行くにつれてシャッタ9
7から離れていく整流板99を設ける。搬送アーム44
上方には,搬送アーム44の上面を覆う平面板49を設
け,当該平面板49上の搬送口96側の端部には,垂直
板50を設ける。下降気流は誘導板98及び平面板49
によって搬送口96から離れる方向に誘導され,上昇気
流は整流板99によって搬送口96から離れる方向に整
流される。
Description
関する。
おけるフォトリソグラフィー工程では,ウェハ表面にレ
ジスト膜を形成するレジスト塗布処理,ウェハにパター
ンを照射して露光する露光処理,露光後のウェハに対し
て現像を行う現像処理,塗布処理前,露光処理前後及び
現像処理後の加熱処理,冷却処理等が行われ,これらの
処理は,塗布現像処理システム内に各種処理装置におい
て行わている。
ング内に設けられた冷却板にウェハを所定時間載置し,
所定の温度,例えば23℃に冷却することによって行わ
れている。このような冷却処理が行われる冷却処理装置
には,ケーシング内の雰囲気を吸引してウェハ等から発
生する不純物を除去する排気手段が設けられており,ケ
ーシング内の気圧は,ケーシング外の気圧よりも低くな
っている。また,ケーシングには,ウェハを搬入出する
ための搬送口が設けられており,当該搬送口には,冷却
処理装置内を所定の雰囲気に維持するために前記搬送口
を開閉自在とするシャッタが設けられている。
当該塗布現像処理システム内を清浄な雰囲気に維持する
ためのエアが供給され,当該エアによって下降気流が形
成されている。このときのエアには,塗布現像処理シス
テムが設置されているクリーンルーム内の雰囲気が使用
され,エア供給時の温度は,クリーンルーム内の温度と
同じ,例えば23℃である。しかし,塗布現像処理シス
テム内には,熱処理が行われる熱処理装置が多数設けら
れており,これらの熱処理装置からの熱によって当該エ
アの温度は塗布現像処理システム内において変動する。
処理装置を含む各種処理装置間のウェハの搬送を行う搬
送装置が設けられており,前記冷却処理装置内にウェハ
を搬入出する際には,ウェハが搬送口を通過するため
に,前記ケーシングのシャッタが開放される。
たように塗布現像処理システム内にはダウンフローが形
成されており,冷却処理装置内は負圧になっているた
め,冷却処理装置のシャッタが開放された際には,塗布
現像処理システム内のエアが,当該冷却処理装置内に流
れ込む。さらに,冷却処理装置の終了したウェハを搬出
する際には,この流れ込むエアの温度は,当該ウェハの
温度と異なるため,この流れ込んだエアによって,搬送
口に近い側のウェハの温度が変動する。
きが生じる。そして,その状態でレジスト塗布装置に搬
送されて,ウェハ上にレジスト液が塗布されると,温度
の不均一なウェハにレジスト液が塗布されることにな
り,レジスト膜の厚みがばらつき,所定の厚さのレジス
ト膜が得られないので,歩留まりが低下する。
であり,ウェハ等の基板面内の温度がばらつく原因とな
る,冷却処理装置等の処理装置内への気体の流入を抑制
する基板の処理装置を提供することをその目的とする。
めに請求項1の発明によれば,ケーシング内において基
板を処理する処理装置において,前記ケーシングには,
基板を搬送する搬送装置によって基板を当該ケーシング
内に搬送する際に通過する搬送口が設けられ,前記ケー
シング外の雰囲気を制御して,当該搬送口から前記ケー
シング内への前記雰囲気の流入を抑制する流入抑制機構
を有することを特徴とする基板の処理装置が提供され
る。
えることによって,ケーシング外の雰囲気の流れを制御
して,ケーシング内に当該雰囲気が流入することを抑制
することができる。これによって,当該雰囲気によって
処理装置内の基板温度が部分的に変更され,基板面内の
温度分布が不均一になることが抑制される。
の処理装置において前記流入抑制機構は,上方から下方
に流れる前記雰囲気の気流を前記搬送口から離れる方向
に誘導する誘導板を有し,前記誘導板は,当該誘導板の
上端部が当該搬送口の上方に取り付けられており,前記
誘導板の上端部から下端部に行くにつれて前記ケーシン
グから離れていくように構成されていることを特徴とす
る基板の処理装置が提供される。
て,上方から下方に流れるケーシング外の雰囲気が前記
誘導板にあたって,当該誘導板に沿って流れるため,前
記雰囲気を前記搬送口から遠ざける方向に誘導すること
ができる。これによって,前記雰囲気が処理装置内に流
入することが抑制され,請求項1と同様に処理装置内の
基板の面内温度が不均一になることを抑制できる。な
お,前記誘導板は,必ずしも平板である必要は無く,湾
曲していてもよい。
のように前記誘導板の下端部が,水平に形成されていて
もよい。このように,誘導板の下端部を水平にすること
によって,誘導板の上端部から誘導されてきた前記雰囲
気が,更に搬送口から遠く離れた遠方にまで誘導され,
前記雰囲気が処理装置内に流入することをより確実に防
止できる。
において,請求項4のように前記流入抑制機構が,下方
から上方に流れる前記雰囲気の気流を前記搬送口から離
れる方向に整流する整流板を有し,前記整流板は,当該
整流板の下端部が当該搬送口の下方に位置しており,前
記整流板の下端部から上端部に行くにつれて前記ケーシ
ングから離れるように形成されるようにしてもよい。請
求項4によれば,下方から上方に流れるケーシング外の
雰囲気が整流板に沿って流れ,当該雰囲気を前記搬送口
から遠ざけることができる。したがって,上昇気流を形
成した前記雰囲気が搬送口から処理装置内に流入するこ
とを抑制し,その結果処理装置内の基板面内温度が前記
雰囲気によって不均一になることを抑制できる。なお,
前記整流板は,必ずしも平板である必要は無く,湾曲し
ていてもよい。
のように前記整流板の下端部と前記ケーシングとの間に
隙間を設けるようにしてもよい。このように,前記整流
板の下端部と前記ケーシングとの間に隙間を設けること
により,前記整流板と前記ケーシングの間に入り込んだ
ケーシング外の雰囲気の一部を,整流板の下端部の前記
隙間から排出することができる。これによって,前記整
流板と前記ケーシングとの間に入り込んだ前記雰囲気の
一部が搬送口により近い整流板の上端部から流出し,当
該雰囲気が当該搬送口内に流入することを抑制できる。
のように前記整流板と前記ケーシングとの間に,前記搬
送口から流入しようとする前記雰囲気の一部を前記隙間
に誘導する誘導部材が設けらるようにしてもよい。この
ように,前記誘導部材を備えることによって,請求項5
で記載した前記隙間からの前記雰囲気の一部の排出をよ
り効果的に行うことができる。
記搬送口を開閉自在とするシャッタに設けるようにして
もよい。このように前記整流板をシャッタに設けること
により,シャッタを閉鎖したときに,前記誘導板の下端
部と前記整流板の上端部が近づき,上方からの気流及び
下方からの気流が前記誘導板及び前記整流板の内側に流
入することを抑制できる。これによって,シャッタ等の
隙間からケーシング内に前記雰囲気が流入することが抑
制され,処理装置内の雰囲気が好適な雰囲気に維持され
る。
において,請求項8のように前記搬送装置には,前記誘
導板によって誘導された前記雰囲気を前記搬送口の方向
以外の他の方向に誘導する誘導機構が設けられるように
してもよい。このように,前記誘導機構を設け,前記誘
導板によって誘導された雰囲気を更に前記他の方向に誘
導することによって,当該雰囲気が搬送口内に流入する
ことをより確実に防止できる。
のように前記搬送装置が,基板を保持する搬送アームを
有し,前記誘導機構は,前記搬送アームの上方に設けら
れた水平板であってもよい。このように,搬送アームの
上方に水平板を備えることによって,前記誘導板からの
気流をそのまま水平に,前記搬送口から離れる方向に流
すことができる。したがって,前記誘導板からの気流が
搬送口に流入することをより確実に防止できる。この水
平板の後方,すなわち搬送口とは反対の方向には,水平
板を貫通する通気孔が形成されていれば,水平板の下方
にパーティクル等が対流することを防止できる。
11のように前記水平板上に,垂直板を設けるようにし
てもよい。請求項11によれば,例えば上方からの気流
が前記水平板上にあたって前記搬送口方向に流れ出した
場合に,当該気流を前記垂直板によって遮断し,当該気
流が前記搬送口内に流入することを抑制できる。
側に凸の湾曲形状に形成されていてもよい。
って移動自在であってもよい。このように前記垂直板を
前記搬送口に向かって移動自在にすることによって,上
述したような搬送口に向かう気流を最も有効に遮断でき
る位置に前記垂直板を移動させ,より効果的に当該気流
を遮断することができる。以上の各基板の処理装置にお
いて,少なくともケーシング内に基板を搬入する際に前
記ケーシング内に清浄気体を導入して,ケーシング内の
圧力をケーシング外の圧力よりも高くする気体導入部を
有する構成としてもよい。これによって基板搬入時にケ
ーシング外から搬入口を介してパーティクル等がケーシ
ング内に進入することを抑制できる。この場合,前記気
体導入部は,ケーシング内に気体を均一に吹き出すため
の多数の吹出口を持ったバッフル板を有していることが
好ましい。
態について説明する。図1は,本発明にかかる基板の処
理装置を有する塗布現像処理システム1の平面図であ
り,図2は,塗布現像処理システム1の正面図であり,
図3は,塗布現像処理システム1の背面図である。
うに,例えば25枚のウェハWをカセット単位で外部か
ら塗布現像処理システム1に対して搬入出したり,カセ
ットCに対してウェハWを搬入出したりするカセットス
テーション2と,塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定
の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステ
ーション3と,この処理ステーション3に隣接して設け
られている図示しない露光装置との間でウェハWの受け
渡しをするインターフェイス部4とを一体に接続した構
成を有している。また,塗布現像処理システム1上部に
は,図2に示すように所定の温湿度に清浄に調節された
エアを塗布現像処理システム1内に供給するエア供給装
置5が設けられており,当該エアによって塗布現像処理
システム1内に下降気流を形成し,塗布現像処理システ
ム1内をパージできるようになっている。
ように載置部となるカセット載置台6上の所定の位置
に,複数のカセットCをX方向(図1中の上下方向)に
一列に載置自在となっている。そして,このカセット配
列方向(X方向)とカセットCに収容されたウェハWの
ウェハ配列方向(Z方向;鉛直方向)に対して移送可能
なウェハ搬送体8が搬送路9に沿って移動自在に設けら
れており,各カセットCに対して選択的にアクセスでき
るようになっている。
を行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送
体7は後述するように処理ステーション3側の第3の処
理装置群G3に属するエクステンション装置57に対し
てもアクセスできるように構成されている。
搬送装置13が設けられており,この主搬送装置13の
周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を
構成している。該塗布現像処理システム1においては,
4つの処理装置群G1,G2,G3,G4が配置されており,第
1及び第2の処理装置群G1,G2は現像処理システム1の
正面側に配置され,第3の処理装置群G3は,カセットス
テーション2に隣接して配置され,第4の処理装置群G4
は,インターフェイス部4に隣接して配置されている。
さらにオプションとして破線で示した第5の処理装置群
G5を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬送装
置13は,これらの処理装置群G1,G2,G3,G4
に配置されている後述する各種処理装置に対して,ウェ
ハWを搬入出可能である。なお処理装置群の数や配置
は,ウェハWに施される処理の種類によって異なるもの
を適宜選択することができ,また処理装置群の数も任意
である。
しく説明する。主搬送装置13は,図3に示すように略
筒状のケース40を有し,当該ケース40内にウェハW
を保持し搬送する搬送装置としてのウェハ搬送機構41
を有している。
えた回転機構42が設けられており,ケース40全体を
θ方向(Z軸を中心とする回転方向)に回転させること
によって,ウェハ搬送機構41が所望の方向に回転自在
になっている。また,ケース40には,長方形状の開口
部43が設けられており,当該開口部43からウェハW
がケース40内に出し入れされるようになっている。
ようにウェハWを直接保持する3本の搬送アーム44,
45,46と,これらの搬送アーム44,45,46を
支持する搬送基台47とを有している。これらの搬送ア
ーム44,45,46は,搬送基台47上に上から順に
重ねられて配置されている。
に略3/4円環状のC型の支持部44aを有し,この支
持部44aでウェハWを支持するようになっている。ま
た,搬送アーム44は,個別に搬送基台47の前後方向
(図3中のR方向)に移動自在に構成されており,それ
ぞれが独立して,後述する各種処理装置内まで移動する
ことができる。また,搬送基台47自体がケース40に
沿ってZ方向(鉛直方向)に移動自在に構成されてお
り,搬送アーム44もその移動に伴って上下方向に移動
自在になっている。なお,搬送アーム45,46は,搬
送アーム44と同様に構成されているため説明を省略す
る。
ム45との間には,平板状の遮蔽板48が搬送基台47
に固定されて設けられており,搬送アーム44と搬送ア
ーム45,46に保持された各ウェハ間の熱の干渉を抑
制できるようになっている。
4の上面を覆う水平板49が搬送基台47に支持されて
設けられている。また,当該水平板49上のR方向正方
向側には,平面から見てR方向正方向側に凸の湾曲形状
の垂直板50が設けられている。かかる構成により,上
方からのエアを水平板49によって拡散させ,その拡散
されたエアがR方向正方向に流れ出した場合には,当該
エアを垂直板50によって遮断し,当該エアがR方向正
方向に流れるのを抑制できるようになっている。すなわ
ち上方からのエアがウェハWの搬送先である後述する各
種処理装置方向に流れることを抑制できるようになって
いる。
すように,ウェハWにレジスト液を塗布してレジスト膜
を形成するレジスト塗布装置51と,露光後のウェハW
を現像処理する現像処理装置52とが下から順に2段に
配置されている。処理装置群G2の場合も同様に,レジス
ト塗布装置53と,現像処理装置54とが下から順に2
段に積み重ねられている。
すように,上述した本実施の形態にかかる基板の処理装
置としてのクーリング装置55,レジスト液とウェハW
との定着性を高めるためのアドヒージョン装置56,ウ
ェハWを待機させるエクステンション装置57,レジス
ト液中の溶剤を乾燥させるプリベーキング装置58,5
9及び現像処理後の加熱処理を施すポストベーキング装
置60,61等が下から順に例えば7段に重ねられてい
る。
グ装置65,載置したウェハWを自然冷却させるエクス
テンション・クーリング装置66,エクステンション装
置67,クーリング装置68,露光後の加熱処理を行う
ポストエクスポージャーベーキング装置69,70,ポ
ストベーキング装置71,72等が下から順に例えば8
段に積み重ねられている。
に示すようにウェハ搬送体80が設けられている。この
ウェハ搬送体80はX方向(図1中の上下方向),Z方
向(垂直方向)の移動とθ方向(Z軸を中心とする回転
方向)の回転が自在にできるように構成されており,第
4の処理装置群G4に属するエクステンション・クーリン
グ装置66,エクステンション装置67,周辺露光装置
81及び図示しない露光装置に対してアクセスして,各
々に対してウェハWを搬送できるように構成されてい
る。
ついて説明する。図6に示すように,クーリング装置5
5のケーシング55aの中央部には,厚みのある円盤状
に形成された冷却板90が設けられており,この冷却板
90上にウェハWを載置して,ウェハWを冷却できるよ
うになっている。冷却板90には,冷却板90を所定温
度に冷却するための熱源となる,例えばペルチェ素子9
1が内蔵されており,このペルチェ素子91にかかる電
圧を制御することによって,冷却板90の温度を所定の
冷却温度に維持できるようになっている。
する際にウェハWを支持し,昇降させるための昇降ピン
92が設けられており,この昇降ピン92は,昇降駆動
機構93により上下に移動自在に構成されている。ま
た,冷却板90の中央部付近には,冷却板90を鉛直方
向に貫通する孔94が設けられており,昇降ピン92が
この孔94内を上下方向に移動して,冷却板90上に突
出できるように構成されている。
90とケーシング55aとの間には,平面板Aが設けら
れており,ウェハWの冷却処理が行われるケーシング5
5a内上部の処理室Sと,昇降ピン92等が備えられて
いるケーシング55a内下部のメカ室Mとに仕切られて
いる。ただし,平面板Aは,処理室Sとメカ室M間の雰
囲気を完全に遮断するものではなく,平面板Aと冷却板
90との間には,処理室Sとメカ室M間で気体が行き来
できるくらいの隙間Bが設けられている。冷却板90の
下方であって,ケーシング55aの側面には,メカ室M
の雰囲気を排気する排気管95が取り付けられており,
冷却処理中にメカ室M内の雰囲気を排気し,昇降ピン9
2等から発生する塵埃等の不純物をパージできるように
構成されている。
側の側面には,ウェハWを搬入出する際に通過させる搬
送口96が設けられている。搬送口96には,当該搬送
口96を開閉可能とするシャッタ97が設けられてお
り,ウェハWの搬送時以外は当該シャッタ97を閉鎖
し,ケーシング55a内を所定の雰囲気に維持できるよ
うになっている。
6の上方には,図7に示すように処理ステーション3内
において上方から下方に流れるエアを制御し,誘導す
る,請求項1に記載の流入抑制機構を構成する誘導板9
8が設けられている。誘導板98の上端部98aはケー
シング55aに接着されており,上端部98aから下端
部98bに行くにつれてケーシング55aから遠ざかる
ように設けられている。
ステーション3内において下方から上方に向かうエアを
制御し,整流する請求項1に記載の流入抑制機構を構成
する整流板99が設けられている。整流板99は,隙間
dを創出するようにその下端部99aが取り付け部材1
00によってシャッタ97に取り付けられており,下端
部99aから上端部99bに行くにつれてシャッタ97
から遠ざかるように斜めに設けられている。これによっ
て,当該整流板99とシャッタ97との間に入り込んだ
エアを当該隙間dから下方に排出できるようになってい
る。なお,整流板99の上端部99bは,シャッタ97
の上端部とほぼ同じ高さになるように設けられており,
シャッタ97が開放された際に,ウェハWの搬入出を妨
げることのないように構成されている。
間には,上述した整流板99とシャッタ97間に入り込
んだエアを隙間dに誘導する誘導部材101が設けられ
ている。誘導部材101は,整流板99と同様の形状,
すなわち板状であって,その下端部101aがシャッタ
97に接着されており,上端部101bに行くにつれて
シャッタ97から離れていくような形状を有している。
ング装置55の作用について,塗布現像処理システム1
で行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスと共に
説明する。
処理のウェハWを1枚取りだし,第3の処理装置群G3に
属するアドヒージョン装置56に搬入する。このアドヒ
ージョン装置56において,レジスト液との密着性を向
上させるHMDSなどの密着強化剤を塗布されたウェハW
は,主搬送装置13によって,クーリング装置55搬送
され,所定の温度,例えば23℃に冷却される。
主搬送装置13によって,レジスト塗布装置51又53
に搬送され,ウェハW上にレジスト膜が形成される。そ
の後,ウェハWは,再び主搬送装置13によってプリベ
ーキング装置58又は59,エクステンション・クーリ
ング装置66に順次搬送され,所定の処理が施される。
ーリング装置66からウェハ搬送体80によって取り出
され,周辺露光装置81を経てパターンの露光を行う露
光装置(図示せず)に搬送される。露光処理の終了した
ウェハWは,ウェハ搬送体80によりエクステンション
装置67に搬送され,さらに主搬送装置13によって,
ポストエクスポージャーベーキング装置69又は70,
現像処理装置52又は54,ポストベーキング装置6
0,61,71又は72,クーリング装置65と順次搬
送され,各装置において所定の処理が施される。その
後,ウェハWは,エクステンション装置32を介して,
ウェハ搬送体8によってカセットCに戻され,一連の所
定の塗布現像処理が終了する。
置5によって常時所定の温湿度の清浄な気体が塗布現像
処理システム1内に供給されており,塗布現像処理シス
テム1内に下降気流が形成されている。例えば塗布現像
処理システム1内に供給されるエアは,クリーンルーム
内の温度と同じ23℃に温度調節されている。しかし,
処理ステーション3内にある加熱処理装置,例えばポス
トベーキング装置60,61やプリベーキング装置5
8,59等の影響で,当該気流が下方のクーリング装置
55近辺に達するときには,23℃より高い,例えば2
4℃程度に上昇されている場合がある。このような場合
には,クーリング装置55での冷却処理が,当該エアの
温度上昇の影響を受けて適切に行われない恐れがある。
しかしながら,クーリング装置55によれば,このよう
な条件にもかかわらず好適に冷却処理することができ
る。
ついて詳しく説明する。先ず,ウェハWのクーリング装
置が開始される前は,図8に示すようにケーシング55
aのシャッタ97が閉鎖されており,シャッタ97,誘
導板98及び整流板99によって処理ステーション3の
エアがクーリング装置55内に流入することを抑制して
いる。
すると,当該ウェハWは主搬送装置13の搬送アーム4
4に保持される。そして,搬送基台47が下降し,搬送
アーム44がクーリング装置55と同じ高さまで移動さ
れる。次いで,シャッタ97が開放されるともに,搬送
アーム44がR方向に前進し,ウェハWがケーシング5
5a内の冷却板90上方まで移動される。このとき処理
ステーション3内を下降するエアの一部は,図9に示す
ように誘導板98にあたって,平面板49上に誘導さ
れ,クーリング装置55の搬送口96と逆方向のR方向
負方向側に流される。また,上方から直接平面板49に
あたるエアは,平面板49で拡散され,至る方向に流れ
ようとするが,搬送口96方向へ向かうエアは,垂直板
50によって遮断される。さらに,前記エアの一部が整
流板99とシャッタ97との間に進入した場合には,当
該エアが誘導部材101によって誘導され,隙間dから
搬送口96の下方に排出される。このように,処理ステ
ーション3内のエアは,搬送口96から遠ざかる方向に
誘導され,当該エアがケーシング55a内に流入するこ
とが抑制される。
方まで移動されたウェハWは,搬送アーム44から予め
上昇して待機していた昇降ピン92に受け渡される。こ
のとき排気管95からの排気が開始され,メカ室M内の
パージが開始される。そして,ウェハWは,昇降ピン9
2の下降とともに下降され,例えば23℃に維持されて
いる冷却板90上に載置される。また,搬送アーム44
は,R方向負方向に後退し,再びケース40内に戻され
る。そして,搬送アーム44がケーシング55a内から
退避すると,シャッタ97が閉鎖される。
ウェハWの冷却が開始され,ウェハWは,所定時間冷却
される。所定時間経過し,ウェハWが23℃に冷却され
た後,再び昇降ピン92が上昇され,ウェハWの冷却が
終了する。
タ97が開放され,搬送アーム44が搬送口96からケ
ーシング55a内に進入し,昇降ピン92からウェハW
を受け取って,ウェハWをクーリング装置55から搬出
する。このとき,処理ステーション3内を下降するエア
は,ウェハW搬入時と同様に,誘導板98,水平板49
及び垂直板50によって,誘導及び整流され,当該エア
が搬送口96からケーシング55a内に流入することが
抑制される。特に,ウェハWの搬出時には,排気管95
からの排気によってケーシング55a内全体が負圧にな
るため,搬送口96近辺に搬送口96に向かう局所的な
上昇気流が形成されるが,当該上昇気流は整流板99に
よって,搬送口96から離れる方向に整流される。
ら搬出されると,再びシャッタ97が閉じられ,一連の
冷却処理が終了する。
上側に誘導板98を設けたため,処理ステーション3内
に形成される下降気流を搬送口96から離れる方向に誘
導し,当該下降気流のエアがクーリング装置55内に流
入することが抑制される。したがって,クーリング装置
55内のウェハWに,当該ウェハW温度と異なる温度の
エアが接触して,当該ウェハWの温度分布がばらつくこ
とが抑制される。
設けたため,誘導板98によって誘導されたエアをその
まま搬送口96から遠ざかる方向に誘導することができ
る。また,当該水平板49上に垂直板50を設けたた
め,上方から直接水平板49にあたるエアが搬送口96
方向に流れるのを抑制することができる。
設けたため,搬送口96近辺に局所的な上昇気流が形成
された場合においても,当該上昇気流を搬送口96から
離れる方向に整流し,搬送口96内にエアが流入するこ
とを抑制できる。
タ97との間に隙間dを設けたため,整流板99とシャ
ッタ97間に入り込んだエアを当該隙間dから排出する
ことができる。これによって,整流板99とシャッタ9
7間に入り込んだエアが整流板99の下部で跳ね返っ
て,搬送口96に流れ込むことを抑制できる。
部材101を設けたため,上述した隙間dからのエアの
排出を好適に行うことができる。
ため,シャッタ97が閉じられているときに,誘導板9
8と整流板99が近づき,処理ステーション3内のエア
が当該誘導板98と整流板99との内側に流入すること
が抑制できるので,シャッタ97の隙間等からケーシン
グ55a内に当該エアが流入することも抑制できる。
10に示すようにケーシング55aから離れる方向に水
平に形成するようにしてもよい。このように誘導板98
の下端部98bを水平にすることによって,処理ステー
ション3内を下降するエアが搬送口96から更に離れた
ところまで誘導され,搬送口96内に当該エアが流入す
ることをより確実に防止することができる。
タ97に取り付けていたが,ケーシング55aの搬送口
96の下方に取り付けるようにしてもよい。このような
場合においても,局所的に形成される上昇気流を整流
し,搬送口96内に当該上昇気流が流入することを抑制
できる。なお,誘導部材101もケーシング55aに取
り付けるようにしてもよい。
4上の水平板49が搬送基台47に固定して設けられて
いたが,水平板49を搬送アーム44と同様にR方向に
移動自在に設けてもよい。このような場合,気流の強さ
や方向によって,水平板49を移動させ,処理ステーシ
ョン3内のエアを最も効果的に整流できる位置おいて,
当該エアを整流することができる。
50は,平面からみて搬送口96側に凸状の湾曲形状に
形成されていたが,平面からみて直線形状に形成されて
いてもよい。また,垂直板50は,必ずしも垂直でなく
ても,搬送口96側に傾いた形状であってもよい。
のみを設けるようにしてもよい。このような場合におい
ても,誘導板98からのエアが,水平板49に斜めから
あたり,そのまま搬送口96と逆方向に誘導されるた
め,従来に比べて搬送口96に流入するエアの量を抑制
できる。
に示したように,ウエハ搬送機構41の後方側,つまり
水平板49における垂直板50とは反対の側に,通気孔
49aを設けれていもよい。かかる構成により,水平板
49に対するダウンフローの一部がこの通気孔49aを
通過して,その下方に搬送アーム44の方に抜け,搬送
アーム44上にパーティクルが滞留するのを抑えること
が可能である。
も,図12に示したように,清浄な気体,たとえば清浄
な空気を供給する気体導入部55bをケーシング55a
内に設けるとよい。清浄な空気をケーシング55a内に
導入し,シャッタ97が開放してウエハWをケーシング
内に搬入する時点でケーシング55a内を陽圧にして,
つまりケーシング55aの外の圧力よりもケーシング5
5a内の圧力の方を高くすることによって,搬送口96
からパーティクルがケーシング55a内に侵入すること
を防止することができる。
に,例えば導入管55cとバッフル板55dとで構成す
ることができる。バッフル板55dの下面には,多数の
吹出口55eが形成されている。このようなバッフル板
55dを使用すると,ウエハWに対して均一に清浄な空
気が流れ,ウエハWの温度の面内均一性を阻害すること
はない。
ーリング装置55として具体化されていたが,本発明
は,他の基板の処理装置,例えばPEB装置69又は7
0,プリベーク装置58又は59,ポストベーク装置6
0,61,71又は72,クーリング装置65,68,
アドヒージョン装置56,レジスト塗布装置51又は5
3,現像処理装置52又は54等についても応用でき
る。また,塗布現像処理システム1内の複数の処理装置
に適用してもよい。
体ウェハデバイス製造プロセスのフォトリソグラフィー
工程におけるウェハの処理装置であったが,本発明は半
導体ウェハ以外の基板例えばLCD基板の処理装置にお
いても応用できる。
囲気が流入することを抑制できる。これによって,当該
雰囲気によって処理装置内の基板温度が部分的に変更さ
れ,基板面内の温度分布が不均一になることが抑制され
る。したがって,基板が均一な温度で処理されるため,
歩留まりの向上が図られる。
塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図であ
る。
該ウェハ搬送機構の説明図である。
の説明図である。
す拡大図である。
ある。
内に進入している状態を示す説明図である。
概略を示す斜視図である。
装置の縦断面の説明図である。
Claims (15)
- 【請求項1】 ケーシング内において基板を処理する処
理装置において,前記ケーシングには,基板を搬送する
搬送装置によって基板を当該ケーシング内に搬送する際
に通過する搬送口が設けられ,前記ケーシング外の雰囲
気を制御して,当該搬送口から前記ケーシング内への前
記雰囲気の流入を抑制する流入抑制機構を有することを
特徴とする,基板の処理装置。 - 【請求項2】 前記流入抑制機構は,上方から下方に流
れる前記雰囲気の気流を前記搬送口から離れる方向に誘
導する誘導板を有し,前記誘導板は,当該誘導板の上端
部が当該搬送口の上方に取り付けられており,前記誘導
板の上端部から下端部に行くにつれて前記ケーシングか
ら離れていくように構成されていることを特徴とする,
請求項1に記載の基板の処理装置。 - 【請求項3】 前記誘導板の下端部は,水平に形成され
ていることを特徴とする,請求項2に記載の基板の処理
装置。 - 【請求項4】 前記流入抑制機構は,下方から上方に流
れる前記雰囲気の気流を前記搬送口から離れる方向に整
流する整流板を有し,前記整流板は,当該整流板の下端
部が当該搬送口の下方に位置しており,前記整流板の下
端部から上端部に行くにつれて前記ケーシングから離れ
るように形成されていることを特徴とする,請求項1,
2又は3のいずれかに記載の基板の処理装置。 - 【請求項5】 前記整流板の下端部と前記ケーシングと
の間には,隙間が設けられていることを特徴とする,請
求項4に記載の基板の処理装置。 - 【請求項6】 前記整流板と前記ケーシングとの間に,
前記搬送口から流入しようとする前記雰囲気の一部を前
記隙間に誘導する誘導部材が設けられていることを特徴
とする,請求項5に記載の基板の処理装置。 - 【請求項7】 前記整流板は,前記搬送口を開閉自在と
するシャッタに設けられていることを特徴とする,請求
項4,5又は6のいずれかに記載の基板の処理装置。 - 【請求項8】 前記搬送装置には,前記誘導板によって
誘導された前記雰囲気を前記搬送口の方向以外の他の方
向に誘導する誘導機構が設けられていることを特徴とす
る,請求項2,3,4,5,6又は7のいずれかに記載
の基板の処理装置。 - 【請求項9】 前記搬送装置は,基板を保持する搬送ア
ームを有し,前記誘導機構は,前記搬送アームの上方に
設けられた水平板であることを特徴とする,請求項8に
記載の基板の処理装置。 - 【請求項10】 前記水平板の後方には,水平板を貫通
する通気孔が形成されていることを特徴とする,請求項
9に記載の基板の処理装置。 - 【請求項11】 前記水平板上には,垂直板が設けられ
ていることを特徴とする,請求項9又は10に記載の基
板の処理装置。 - 【請求項12】 前記垂直板は,平面からみて搬送口側
に凸の湾曲形状に形成されていることを特徴とする,請
求項11に記載の基板の処理装置。 - 【請求項13】 前記垂直板は,前記搬送口に向かって
移動自在であることを特徴とする,請求項11又は12
のいずれかに記載の基板の処理装置。 - 【請求項14】 少なくともケーシング内に基板を搬入
する際に前記ケーシング内に清浄気体を導入して,ケー
シング内の圧力をケーシング外の圧力よりも高くする気
体導入部を有することを特徴とする,請求項1,2,
3,4,5,6,7,8,9,10,11,12又は1
3のいずれかに記載の基板の処理装置。 - 【請求項15】 前記気体導入部は,ケーシング内に気
体を均一に吹き出すための多数の吹出口を持ったバッフ
ル板を有していることを特徴とする,請求項14に記載
の基板の処理装置。
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