KR100819293B1 - 하전 입자 빔 묘화 방법 및 하전 입자 빔 묘화 장치 - Google Patents
하전 입자 빔 묘화 방법 및 하전 입자 빔 묘화 장치 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (19)
- 하전 입자 빔을 이용하여 시료에 패턴을 묘화하는 하전 입자 빔 묘화 방법에 있어서,근접 효과를 보정하는 근접 효과 보정 조사량을 적어도 포함하는 보정 조사량을 계산하고,상기 보정 조사량의 보정 잔여 오차를 보정하는 보정 잔여 오차 보정 조사량을 계산하고,상기 보정 잔여 오차 보정 조사량으로 보정된 상기 보정 조사량에 의해 보정되는 상기 하전 입자 빔의 조사량을 계산하고,상기 조사량이 되도록 상기 시료에 상기 하전 입자 빔을 조사하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 보정 잔여 오차 보정 조사량으로서, 상기 근접 효과 보정 조사량의 보정 잔여 오차를 보정하는 근접 효과 보정 잔여 오차 보정 조사량을 계산하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 시료의 면내 위치에서 변화되는 치수 감도를 이용하여 상기 근접 효과 보정 잔여 오차 보정 조사량을 계산하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 보정 조사량으로서, 상기 근접 효과 보정 조사량 외에, 상기 시료의 면내 위치에서 변화되는 치수 감도를 이용하여 로딩 효과에 기인하는 상기 패턴의 치수 변동을 보정하는 로딩 효과 보정 조사량을 계산하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 로딩 효과 보정 조사량에는 로딩 효과 보정 잔여 오차가 가산되는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 로딩 효과 보정 조사량에는, 상기 시료를 반도체 디바이스의 제조에 이용되는 마스크로서 이용하여 제조되는 웨이퍼 상에 생긴다고 예측되는 치수 오차의 값이 가산되는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 로딩 효과 보정 조사량에는, 로딩 효과 보정 잔여 오차가 더 가산되는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 보정 조사량으로서, 상기 근접 효과 보정 조사량 외에, 흐림에 기인하는 상기 패턴의 치수 변동을 보정하는 흐림 보정 조사량을 계산하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 흐림 보정의 보정 잔여 오차를 흐림 보정 조사량으로 승산하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 시료의 면내 위치에서 변화되는 치수 감도를 이용하여 상기 흐림 보정 조사량을 계산하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 시료는 반도체 디바이스의 제조에 이용되는 마스크를 포함하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 방법.
- 하전 입자 빔을 이용하여 시료에 패턴을 묘화하는 하전 입자 빔 묘화 장치에 있어서,근접 효과에 기인하는 패턴의 치수 변동을 보정하는 근접 효과 보정 조사량을 계산하는 제1 계산부와,상기 근접 효과 보정 조사량의 보정 잔여 오차를 보정하는 근접 효과 보정 잔여 오차 보정 조사량을 계산하는 제2 계산부와,흐림에 기인하는 상기 패턴의 치수 변동을 보정하는 흐림 보정 조사량을 계산하는 제3 계산부와,로딩 효과에 기인하는 상기 패턴의 치수 변동을 보정하는 로딩 효과 보정 조사량을 계산하는 제4 계산부와,상기 근접 효과 보정 조사량과 상기 근접 효과 보정 잔여 오차 보정 조사량 과 상기 흐림 보정 조사량과 상기 로딩 효과 보정 조사량을 합성하여 상기 하전 입자 빔의 조사량을 계산하는 제5 계산부와,상기 조사량의 상기 하전 입자 빔을 조사함으로써 상기 시료에 패턴을 묘화하는 묘화부를 구비한 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 장치.
- 제12항에 있어서, 상기 하전 입자 빔 묘화 장치는,상기 시료의 면내 위치에 따라서 다른 상기 근접 효과 보정 조사량의 보정 잔여 오차를 상기 시료면 내의 소영역마다 복수의 식별자를 이용하여 도시하는 맵을 작성하는 맵 작성부와,상기 제2 계산부에 의해 계산된 상기 근접 효과 보정 잔여 오차 보정 조사량을, 상기 복수의 식별자와 상기 근접 효과 보정 조사량을 인수로서 저장한 테이블을 작성하는 테이블 작성부와,상기 제1 계산부에 의해 계산된 상기 근접 효과 보정 조사량과 상기 맵과 상기 테이블을 이용하여 상기 근접 효과 보정 잔여 오차 보정 조사량을 취득하는 취득부를 더 구비하고,상기 제5 계산부는, 합성하는 상기 근접 효과 보정 잔여 오차 보정 조사량으로서, 상기 취득부에서 취득된 상기 근접 효과 보정 잔여 오차 보정 조사량을 이용하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 장치.
- 제13항에 있어서, 상기 맵 작성부는, 상기 맵에 상기 소영역마다의 흐림 보 정 조사량을 더 저장하고,상기 테이블 작성부는 상기 제3 계산부에 의해 계산된 상기 흐림 보정 조사량을, 상기 근접 효과 보정 조사량을 인수로서 저장한 제2 테이블을 작성하고,상기 취득부는 상기 제1 계산부에 의해 계산된 상기 근접 효과 보정 조사량과 상기 맵과 상기 제2 테이블을 이용하여 상기 흐림 보정 조사량을 취득하고,상기 제5 계산부는, 합성하는 상기 흐림 보정 조사량으로서, 상기 취득부에서 취득된 상기 흐림 보정 조사량을 이용하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 장치.
- 제13항에 있어서, 상기 맵 작성부는 상기 맵에 상기 소영역마다의 로딩 효과에 기인하는 상기 패턴의 치수 변동을 더 저장하고,상기 테이블 작성부는 상기 제4 계산부에 의해 계산된 상기 로딩 효과 보정 조사량을 상기 복수의 식별자와 상기 근접 효과 보정 조사량을 인수로서 저장한 제3 테이블을 작성하고,상기 취득부는 상기 제1 계산부에 의해 계산된 상기 근접 효과 보정 조사량과 상기 맵과 상기 제3 테이블을 이용하여 상기 로딩 효과 보정 조사량을 취득하고,상기 제5 계산부는 합성하는 상기 로딩 효과 보정 조사량으로서, 상기 취득부에서 취득된 상기 로딩 효과 보정 조사량을 이용하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 장치.
- 제12항에 있어서, 상기 제2 내지 제4 계산부가 행하는 계산을 상기 시료로의 묘화 동작이 행해지기 전에 실행해 두는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 장치.
- 제12항에 있어서, 상기 시료의 면내 위치에서 변화되는 치수 감도를 이용하여 상기 근접 효과 보정 잔여 오차 보정 조사량을 계산하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 장치.
- 제12항에 있어서, 상기 시료의 면내 위치에서 변화되는 치수 감도를 이용하여 상기 로딩 효과 보정 조사량을 계산하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 장치.
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Cited By (1)
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KR101352997B1 (ko) * | 2011-11-30 | 2014-01-21 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 하전 입자빔 묘화 장치 및 하전 입자빔 묘화 방법 |
Families Citing this family (39)
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JP4476975B2 (ja) | 2005-10-25 | 2010-06-09 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム照射量演算方法、荷電粒子ビーム描画方法、プログラム及び荷電粒子ビーム描画装置 |
JP5034410B2 (ja) * | 2006-09-25 | 2012-09-26 | 凸版印刷株式会社 | 現像ローディング測定方法および現像ローディング測定基板 |
JP5209200B2 (ja) * | 2006-11-29 | 2013-06-12 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法 |
JP5069052B2 (ja) * | 2007-07-30 | 2012-11-07 | 日本電子株式会社 | ドーズ補正方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
JP5020849B2 (ja) * | 2008-02-13 | 2012-09-05 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置、パターンの寸法誤差補正装置及びパターンの寸法誤差補正方法 |
JP5301312B2 (ja) * | 2008-03-21 | 2013-09-25 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置の較正用基板及び描画方法 |
US20120219886A1 (en) | 2011-02-28 | 2012-08-30 | D2S, Inc. | Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography with variable pattern dosage |
US9341936B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-05-17 | D2S, Inc. | Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography |
JP5495540B2 (ja) * | 2008-09-18 | 2014-05-21 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画方法及び描画装置 |
JP5401135B2 (ja) * | 2009-03-18 | 2014-01-29 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法、荷電粒子ビーム描画装置及びプログラム |
JP5570774B2 (ja) * | 2009-08-04 | 2014-08-13 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置および方法 |
JP5525798B2 (ja) * | 2009-11-20 | 2014-06-18 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置およびその帯電効果補正方法 |
FR2959026B1 (fr) * | 2010-04-15 | 2012-06-01 | Commissariat Energie Atomique | Procede de lithographie a optimisation combinee de l'energie rayonnee et de la geometrie de dessin |
JP5525902B2 (ja) * | 2010-04-20 | 2014-06-18 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP5547567B2 (ja) * | 2010-06-30 | 2014-07-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置およびその制御方法 |
JP5647834B2 (ja) * | 2010-08-31 | 2015-01-07 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置およびその照射量補正方法 |
JP2012060054A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム描画装置の描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
US9612530B2 (en) | 2011-02-28 | 2017-04-04 | D2S, Inc. | Method and system for design of enhanced edge slope patterns for charged particle beam lithography |
JP5764364B2 (ja) | 2011-03-31 | 2015-08-19 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 半導体装置の製造方法、描画装置、プログラム及びパターン転写装置 |
JP5731257B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2015-06-10 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP5692522B2 (ja) * | 2011-04-06 | 2015-04-01 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 偏在率算出方法、半導体装置の製造方法及びプログラム |
US8719739B2 (en) | 2011-09-19 | 2014-05-06 | D2S, Inc. | Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography |
JP5575169B2 (ja) | 2012-03-22 | 2014-08-20 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 |
TWI476806B (zh) * | 2012-03-29 | 2015-03-11 | Nuflare Technology Inc | Charging Particle Beam Mapping Device and Inspection Method for Drawing Data |
JP5956217B2 (ja) * | 2012-03-29 | 2016-07-27 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置、検査装置、及び描画データの検査方法 |
KR20150001834A (ko) * | 2012-04-18 | 2015-01-06 | 디2에스, 인코포레이티드 | 하전 입자 빔 리소그래피를 사용한 임계 치수 균일성을 위한 방법 및 시스템 |
US9343267B2 (en) | 2012-04-18 | 2016-05-17 | D2S, Inc. | Method and system for dimensional uniformity using charged particle beam lithography |
US8959463B2 (en) * | 2012-11-08 | 2015-02-17 | D2S, Inc. | Method and system for dimensional uniformity using charged particle beam lithography |
JP6076708B2 (ja) * | 2012-11-21 | 2017-02-08 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビームの照射量チェック方法 |
USD759603S1 (en) | 2013-07-17 | 2016-06-21 | Nuflare Technology, Inc. | Chamber of charged particle beam drawing apparatus |
JP6283180B2 (ja) * | 2013-08-08 | 2018-02-21 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
FR3010197B1 (fr) * | 2013-08-28 | 2015-09-18 | Aselta Nanographics | Procede de correction des effets de proximite electronique |
KR102403574B1 (ko) * | 2014-02-21 | 2022-05-30 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 하전 입자 리소그래피 시스템에서의 근접 효과 보정 |
US9262578B2 (en) * | 2014-04-25 | 2016-02-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for integrated circuit manufacturing |
JP2016184605A (ja) | 2015-03-25 | 2016-10-20 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び描画データ作成方法 |
JP6951922B2 (ja) * | 2016-09-28 | 2021-10-20 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム装置及び荷電粒子ビームの位置ずれ補正方法 |
FR3068148B1 (fr) | 2017-06-27 | 2019-08-09 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Etalonnage de petits motifs elementaires en lithographie electronique a faisceau forme |
US10921716B1 (en) | 2019-10-08 | 2021-02-16 | International Business Machines Corporation | Lithographic dose characterization |
US11804361B2 (en) * | 2021-05-18 | 2023-10-31 | Nuflare Technology, Inc. | Charged particle beam writing method, charged particle beam writing apparatus, and computer-readable recording medium |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR950033698A (ko) * | 1994-05-25 | 1995-12-26 | 가네꼬 히사시 | 근접 효과를 보정할 수 있는 전자빔 노광시스템 |
KR970003423A (ko) * | 1995-06-30 | 1997-01-28 | ||
KR20040002744A (ko) * | 2002-06-27 | 2004-01-07 | 가부시끼가이샤 도시바 | 전자 빔 노광의 근접 효과 보정 방법, 노광 방법, 반도체장치의 제조 방법 및 근접 효과 보정 모듈 |
KR20060045074A (ko) * | 2004-03-31 | 2006-05-16 | 호야 가부시키가이샤 | 전자빔 묘화방법 및 리소그래피 마스크의 제조방법 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3348586B2 (ja) * | 1995-12-28 | 2002-11-20 | ソニー株式会社 | 電子線リソグラフィ技術における近接効果補正法 |
JP3655622B2 (ja) * | 1996-02-23 | 2005-06-02 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム描画方法及び描画装置 |
JP3680425B2 (ja) | 1996-06-19 | 2005-08-10 | ソニー株式会社 | フォトマスクの作製方法、及び、レジスト材料への電子線ビーム照射補正量の決定方法 |
JP3466900B2 (ja) * | 1998-01-19 | 2003-11-17 | 株式会社東芝 | 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法 |
KR100393227B1 (ko) * | 2001-07-21 | 2003-07-31 | 삼성전자주식회사 | 전자빔 리소그래피시 선폭변화를 보정하여 노광하는 방법및 이를 기록한 기록매체 |
JP4189232B2 (ja) * | 2002-02-08 | 2008-12-03 | 株式会社東芝 | パターン形成方法および描画方法 |
JP4461806B2 (ja) | 2004-01-06 | 2010-05-12 | 凸版印刷株式会社 | パターン描画装置及びパターン描画方法ならびにそのプログラム、フォトマスクとその製造方法および半導体集積回路とその製造方法 |
JP5063071B2 (ja) * | 2006-02-14 | 2012-10-31 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | パタン作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
-
2006
- 2006-07-12 JP JP2006191148A patent/JP4976071B2/ja active Active
-
2007
- 2007-02-06 US US11/671,814 patent/US7511290B2/en active Active
- 2007-02-20 KR KR1020070016884A patent/KR100819293B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR950033698A (ko) * | 1994-05-25 | 1995-12-26 | 가네꼬 히사시 | 근접 효과를 보정할 수 있는 전자빔 노광시스템 |
KR970003423A (ko) * | 1995-06-30 | 1997-01-28 | ||
KR20040002744A (ko) * | 2002-06-27 | 2004-01-07 | 가부시끼가이샤 도시바 | 전자 빔 노광의 근접 효과 보정 방법, 노광 방법, 반도체장치의 제조 방법 및 근접 효과 보정 모듈 |
KR20060045074A (ko) * | 2004-03-31 | 2006-05-16 | 호야 가부시키가이샤 | 전자빔 묘화방법 및 리소그래피 마스크의 제조방법 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101352997B1 (ko) * | 2011-11-30 | 2014-01-21 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 하전 입자빔 묘화 장치 및 하전 입자빔 묘화 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4976071B2 (ja) | 2012-07-18 |
US20070194250A1 (en) | 2007-08-23 |
JP2007258659A (ja) | 2007-10-04 |
US7511290B2 (en) | 2009-03-31 |
KR20070083414A (ko) | 2007-08-24 |
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