KR100808694B1 - 포토마스크 제조의 프로세스 통합을 위한 클러스터 툴 및 방법 - Google Patents

포토마스크 제조의 프로세스 통합을 위한 클러스터 툴 및 방법 Download PDF

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Abstract

포토마스크의 제조에서 프로세스 통합을 위한 방법 및 장치가 개시된다. 일 실시예에서, 포토마스크의 제조에서 프로세스 통합을 위해 적합한 클러스터 툴은, 이에 결합된 적어도 하나의 하드 마스크 증착 챔버와 크롬을 에칭하도록 구성된 적어도 하나의 플라즈마 챔버를 갖는 진공 전달 챔버를 포함한다. 다른 실시예에서, 포토마스크의 제조에서 프로세스 통합을 위한 방법은, 제 1 처리 챔버에서 기판상에 하드 마스크를 증착하는 단계, 상기 기판상에 레지스트 층을 증착하는 단계, 상기 레지스트 층을 패턴화하는 단계, 제 2 챔버에서 상기 패턴화된 레지스트 층에 형성된 개구들을 통해 상기 하드 마스크를 에칭하는 단계, 및 제 3 챔버에서 상기 하드 마스크에 형성된 개구들을 통해 크롬층을 에칭하는 단계를 포함한다.

Description

포토마스크 제조의 프로세스 통합을 위한 클러스터 툴 및 방법{CLUSTER TOOL AND METHOD FOR PROCESS INTEGRATION IN MANUFACTURING OF A PHOTOMASK}
도 1은 포토마스크를 제조하기 위한 방법의 일 실시예를 실시하기에 적합한 집적된 반도체 기판 처리 시스템(예, 클러스터 툴)의 일 실시예의 개념도를 도시한다.
도 2a-2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 포토마스크를 제조하는 방법에 대한 흐름도의 일 실시예를 도시한다.
도 3a-3g는 도 2a-2b의 방법에 따라 포토마스크로 제조된 막 적층부의 개념적인 일련의 부분 단면도들을 도시한다.
도 3h-3j는 도 4a-4b의 방법에 따라 포토마스크로 제조된 막 적층부의 개념적인 일련의 부분 단면도들을 도시한다.
도 4a-4b는 포토마스크를 제조하는 다른 방법에 대한 흐름도의 일 실시예를 도시한다.
도 5는 도 1의 시스템에 사용될 수 있는 화학적 기상 증착 챔버의 일 실시예의 개념적인 단면도를 도시한다.
도 6은 도 5의 화학적 기상 증착 챔버의 기판 지지부 및 레티클 어댑터의 사시도이다.
도 7은 도 1의 시스템에 사용될 수 있는 에칭 반응기의 일 실시예의 개념적 단면도를 도시한다.
도 8은 도 1의 시스템에 사용될 수 있는 애슁(ashing) 반응기의 일 실시예의 개념적 단면도를 도시한다.
※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
100: 반도체 기판 처리 시스템 102: 팩토리 인터페이스
104: 전달 챔버 106: 로드 락 챔버들
110: 제 1 챔버 112: 제 2 챔버
114: 제 3 챔버 116: 제 4 챔버
126: 계측 모듈 140: 시스템 제어기
본 발명은 일반적으로 하드 마스크를 이용하는 포토마스크 제조를 위한 방법에 관한 것으로서, 포토마스크의 제조에서 프로세스 통합을 위한 클러스터 툴(cluster tool) 및 방법에 관한 것이다.
집적회로들(IC) 또는 칩들의 제조시, 칩의 상이한 층들을 나타내는 패턴들은 칩 설계자에 의해 생성된다. 일련의 재사용 마스크들 또는 포토마스크들은 제조 프로세스 동안 반도체 기판으로 설계된 각각의 칩 층을 전달하기 위해 이러한 패턴들로부터 생성된다. 마스크 패턴 생성 시스템들은 칩의 각 층의 설계를 각각의 마 스크로 이미징하도록 정밀한 레이저들 또는 전자빔들을 사용한다. 그 다음, 마스크들은 각각의 층을 위한 회로 패턴들을 반도체 기판으로 전달하기 위해 포토그래픽 네거티브들처럼 사용된다. 이러한 층들은 프로세스들의 과정을 이용하여 형성되고 각각의 완성 칩을 포함하는 작은 트랜지스터들과 전기 회로들로 변환된다. 따라서, 마스크에서 임의의 결함들이 칩에 전달될 수 있고, 잠재적으로 성능에 악영향을 준다. 충분히 심각한 결함들은 마스크를 완전히 무용하게 할 수 있다. 통상적으로, 15 내지 30 마스크들의 세트가 칩을 구성하는데 사용되고 반복적으로 사용될 수 있다.
마스크는 통상적으로 일 측면상에 크롬층을 갖는 유리 또는 석영 기판이다. 마스크는 몰리브덴(Mb)으로 도핑된 실리콘 질화물(SiN) 층을 포함할 수도 있다. 크롬층은 반사-방지 코팅 및 감광성 레지스트로 커버된다. 패터닝 프로세스 동안, 회로 설계는 레지스트의 부분들을 자외선 광에 노출시킴으로써 마스크에 기록되고, 노출된 부분들은 현상 용액에서 용해될 수 있다. 그 다음, 레지스트의 용해된 부분이 제거되어 노출된 하부 크롬이 에칭되도록 한다. 에칭 프로세스는 레지스트가 제거된 지점들, 즉 노출된 크롬이 제거된 지점들에서 마스크로부터 크롬과 반사-방지층들을 제거한다.
패터닝을 위해 사용되는 다른 마스크는 석영 위상 시프트 마스크로서 공지되어 있다. 석영 위상 시프트 마스크는 패턴화된 크롬층을 통해 노출되는 석영 영역들의 인접 영역들을 교번시켜서 제조 동안 회로 패턴들을 기판에 전달하는데 사용되는 광의 반파장과 거의 동일한 깊이로 에칭된다는 점을 제외하고, 전술한 마스크와 유사하다. 따라서, 기판상에 배치된 레지스트를 노출시키도록 광이 석영 위상 시프트 마스크를 통해 나타나기 때문에, 마스크의 하나의 개구를 통해 레지스트에서 충돌하는 광은 인접한 개구를 통해 관통하는 광에 대해 180도 위상 반전된다. 따라서, 마스크 개구의 에지에서 분산될 수 있는 광은 인접한 개구의 에지에서 분산되는 180도 광에 의해 상쇄되어, 레지스트의 미리 정해진 영역에서 보다 긴밀한 분포의 광을 초래한다. 보다 긴밀한 분포의 광은 더 작은 임계 치수들(Critical Dimensions: CDs)을 갖는 피쳐(feature)들의 기록을 용이하게 한다. 유사하게, 크롬이 없는 에칭 리소그래피를 위해 사용되는 마스크들은 레지스트를 순차적으로 이미징하기 위해 2개의 마스크들의 석영 부분들을 관통하는 광의 위상 시프트를 사용함으로써, 레지스트 패턴을 현상하는데 사용되는 광 분포를 개선할 수 있다.
포토레지스트 에칭 마스크는 포토마스크의 제조 동안 적어도 하나의 층의 플라즈마 에칭에서 사용된다. 포토레지스트는 에칭 프로세스 동안 약간 에칭되기 때문에, 에칭되는 포토마스크 층들의 임계 치수들의 치수 제어가 어렵다. 10㎛를 초과하는 임계 치수들을 갖는 구조물들에서, 이를 통해 구조물이 에칭되는 포토레지스트의 구멍의 에지를 따라 거칠기(roughness)는 크지 않아서 큰 관심을 유도하지 못한다. 그러나, 임계 치수들, 특히 포토마스크 자체의 임계 치수들은 약 5㎛ 이하로 감소되고 나노미터 영역으로 감소되기 때문에, 포토레지스트 구멍들의 에지 거칠기는 임계 치수 자체의 에지 거칠기와 동일한 크기를 갖고, 이에 따라 약간의 거칠기 변화도 임계 치수들이 성능조건(specification)을 벗어나게 할 수 있다. 더욱이, 포토레지스트 마스크를 이용하는 에칭은 비아(via)들을 에칭하기 때문에( 에칭 동안 레지스트 구멍 확대), 약 5㎛ 미만의 임계 치수들을 제조하기 위한 포토레지스트 마스크들의 사용은 제조자에게 큰 모험이고, 이러한 문제들은 포토마스크의 에칭된 피쳐들의 불균일도를 초래하고 이에 대응하게 마스크를 이용하여 작은 임계 치수들을 갖는 피쳐들을 제조하는 능력을 감소시킨다. 마스크의 임계 치수들은 지속적으로 줄어들고 있기 때문에, 에칭 균일도의 중요성은 커진다.
따라서, 종래기술에서 포토마스크 제조를 위한 개선된 프로세스 및 장치에 대한 필요성이 있다. 개선된 포토마스크 제조 프로세스를 달성하기 위해, 포토마스크들의 제조에서 프로세스 통합을 위한 개선된 클러스터 툴 및 방법에 대한 필요성도 있다.
본 발명의 목적은 개선된 포토마스크 제조 프로세스를 위해 포토마스크들의 제조에서 프로세스 통합을 위한 개선된 클러스터 툴 및 방법을 제공하는 것이다.
포토마스크 제조를 개선하기 위해, 마스킹 기술을 이용하는 개선된 에칭 프로세스가 개발되었으며, 포토마스크에 형성된 피쳐들의 양호한 치수 제어를 달성한다. 개선된 에칭 프로세스의 장점들을 실현하기 위해, 제조 프로세스는 포토마스크 제조에 사용되는 종래의 툴들과 비교하여 증착되어 처리될 물질들의 부가층들을 요구한다. 그러나, 부가적인 툴들과 이에 의해 차지되는 공간은 소유 비용을 크게 증가시키기 때문에, 최소의 재정적 투자로 부가적인 모든 제조 단계들을 수행할 수 있는 시스템이 제공된다.
일 실시예에서, 포토마스크 제조 프로세스는 크롬을 포함하는 막 적층부(filmstack)상에 하드 마스크를 패턴화하는 단계, 상기 패턴화된 포토마스크를 통해 크롬층을 처리 챔버에서 에칭하는 단계, 및 상기 크롬층이 에칭된 처리 챔버내에서 상기 하드 마스크를 제거하는 단계를 포함한다.
다른 실시예들에서, 포토마스크의 제조에서 프로세스 통합을 위한 집적된 기판 처리 시스템(예, 클러스터 툴) 및 방법이 제공된다. 일 실시예에서, 포토마스크의 제조에서 프로세스 통합을 위해 적합한 클러스터 툴은 적어도 하나의 하드 마스크 증착 챔버와 크롬을 에칭하기 위해 구성된 적어도 하나의 플라즈마 챔버가 결합된 진공 전달 챔버를 포함한다.
다른 실시예에서, 포토마스크의 제조에서 프로세스 통합을 위한 방법은 클러스터 툴에 결합된 제 1 처리 챔버에서 기판상에 하드 마스크를 증착하는 단계, 상기 기판상에 레지스트 층을 증착하는 단계, 상기 레지스트 층을 패턴화하는 단계, 상기 클러스터 툴에 결합된 제 2 챔버에서 상기 패턴화된 레지스트 층에 형성된 개구들을 통해 상기 하드 마스크를 에칭하는 단계, 및 상기 클러스터 툴에 결합된 제 3 챔버에서 상기 하드 마스크에 형성된 개구들을 통해 크롬층을 에칭하는 단계를 포함한다. 본 발명의 추가적인 실시예에서, 상기 하드 마스크는 산소 함유 가스로부터 형성된 플라즈마를 이용하여 제 2 챔버 또는 제 3 챔버 중 적어도 하나에서 제거된다.
본 발명의 기술들은 첨부된 도면들과 연계하여 이하의 상세한 설명을 고려함으로써 용이하게 이해될 수 있다.
이해를 돕기 위해, 도면들에 공통인 동일한 엘리먼트들을 지칭하기 위해 가능한 동일한 도면 부호들이 사용되었다. 일 실시예의 엘리먼트들과 특징들은 추가적인 인용 없이 다른 실시예들에 바람직하게 포함될 수 있다는 것을 고려한다.
그러나, 첨부된 도면들은 본 발명의 예시적인 실시예들만을 도시하므로, 그 범주를 제한하는 것으로서 간주되어서는 안되며, 본 발명은 다른 동일한 효과적인 실시예들에 적용될 수 있음을 유의해야 한다.
본 발명의 실시예들은 포토마스크 제조를 위한 개선된 프로세스를 포함하고, 포토마스크들의 제조에서 프로세스 통합을 위한 개선된 클러스터 툴 및 방법을 포함한다. 포토마스크 제조 방법은 포토마스크로 처리되는 막 적층부상에 초박막 하드 마스크를 형성하는 단계를 포함한다. 상기 막 적층부는 일반적으로 크롬 함유층 및 석영층을 포함한다. 상기 막 적층부는 몰리브덴을 함유한 층과 같은 광-감쇠층을 부가적으로 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 하드 마스크 물질은 석영 및/또는 크롬 함유 층들과 같이 에칭되는 하부층에 대한 높은 선택도를 가진 물질로부터 선택될 수 있다. 다른 실시예에서, 하드 마스크 물질은 상기 하드 마스크를 통해 에칭되는 하부층의 에칭 속도(etch rate)에 상당하는 에칭 속도를 갖는 물질로부터 선택될 수 있다. 본 발명의 하드 마스크들은 본 발명에서 기술되는 화학제들을 이용하여 측방향으로 에칭되지 않기 때문에, 하드 마스크에 형성된 개구들의 치수 안정성이 5㎛ 미만 크기의 임계 치수들을 갖고 나노미터 영역으로 정밀하게 제조되는 포토마스크 구조물들을 허용한다.
도 1은 본 발명의 포토마스크를 제조하기 위한 방법의 일 실시예를 실시하기 에 적합한 예시적인 집적된 반도체 기판 처리 시스템(예, 클러스터 툴)(100)의 개념적인 평면도를 도시한다. 시스템(100)은 진공-기밀 중앙 전달 챔버(104), 입력/출력 모듈(예, 팩토리 인터페이스)(102), 및 시스템 제어기(140)를 예시적으로 포함한다. 일 실시예에서, 전달 챔버(104)는 다수의 처리 챔버들과 적어도 하나의 로드 락 챔버(106)(도 1에 2개가 도시됨)를 포함하고, 이들은 중앙 전달 챔버(104)의 둘레 주위에 결합된다.
로드 락 챔버들(106)은 팩토리 인터페이스(102)의 실질적인 대기 환경과 전달 챔버(104)의 진공 환경 사이에서 기판들을 전달하는데 사용된다. 전달 챔버(104)는 로드 락 챔버들(106), 및 전달 챔버(104)에 결합된 다양한 처리 챔버들 사이에서 기판들을 전달하도록 구성되는 그 내부에 배치된 진공 로봇(130)을 구비한다.
전달 챔버(104)에 결합된 처리 챔버들은 일반적으로 하드 마스크를 에칭하도록 구성된 적어도 하나의 에칭 챔버, 크롬층을 에칭하도록 구성된 적어도 하나의 에칭 챔버, 및 적어도 하나의 화학적 기상 증착 챔버를 포함한다. 일 실시예에서, 적어도 하나의 화학적 기상 증착 챔버와 에칭 챔버들, 및/또는 다른 처리 챔버는 산소 함유 가스로부터 형성된 플라즈마에 노출됨으로써 하드 마스크를 제거하는 것과 같은, 애슁 프로세스를 수행할 수 있다. 도 1에 도시된 실시예에서, 4개의 처리 챔버들은 전달 챔버(104)에 결합되고, 하드 마스크 물질을 증착하도록 구성된 제 1 챔버(110), 상기 하드 마스크 물질을 에칭하도록 구성된 제 2 챔버(112), 크롬을 에칭하도록 구성된 제 3 챔버(114), 및 상기 하드 마스크 물질을 제거하도록 구성된 제 4 챔버(116)를 포함한다. 본 발명에 사용하기에 적합한 에칭 챔버들과 애슁 챔버들의 예들은 캘리포니아 산타클레라의 어플라이드 머티어리얼스로부터 이용가능한 TETRA®, TETRA®Ⅱ, DPS®Ⅱ HT, 및 AXIOM™ 처리 챔버들을 포함한다. 처리 챔버들(110, 112, 114, 116)의 각각의 예시적인 실시예들의 상세한 설명들은 도 5-7을 참조로 이하에서 논의된다.
일 실시예에서, 팩토리 인터페이스(102)는 계측 모듈(126), 적어도 하나의 전단 개방 통합 포드(Front Opening Unified Pod: FOUP)(108)를 수용하는 적어도 하나의 도킹 스테이션, 및 적어도 하나의 기판 전달(FI) 로봇(132)을 포함한다. 2개의 FOUP들(108)이 도 1에 예시된 실시예에 도시된다. 계측 모듈(126)은 기판상에 형성된 구조물들의 임계 치수들을 측정하기 위해 적합한 적어도 하나의 비파괴 측정 기술을 사용한다. 본 발명의 장점이 제공될 수 있는 하나의 적합한 계측 모듈은 임계 치수들을 선택적으로 측정하고, 캘리포니아 밀리피타스에 위치한 Nanometrics로부터 이용가능하다. 임계 치수들을 측정하기 위해 적합한 다른 측정 툴들이 대안적으로 사용될 수 있다는 것을 고려한다. FI 로봇(132)은 FOUP들(108), 계측 모듈(126), 및 로드 락 챔버들(106) 간에 전처리 및 후처리되는 기판들을 전달하도록 구성되며, 로봇들의 운동 범위를 증가시키도록 트랙(118)을 따라 위치설정될 수 있다.
선택적으로, 계측 모듈(126)은 예를 들어 처리 챔버들(110, 112, 114, 116) 중 하나를 대신하여 전달 챔버(104)에 직접 결합되거나, 전달 챔버(104)의 다른 면(facet)에 결합될 수 있다. 이러한 구성은 진공 환경 외부로 기판을 전달할 필요 없이 임계 치수 데이터를 수집하는 것을 용이하게 한다. 또한, 2개 이상의 계측 모듈들(126)이 사용될 수 있고, 적어도 하나의 계측 모듈이 시스템(100)의 대기 및 진공 측면들에 위치될 수 있다는 것이 고려된다.
시스템 제어기(140)는 집적된 처리 시스템(100)에 결합되어 제어한다. 시스템 제어기(140)는 시스템(100)의 챔버 및 장치의 직접 제어를 이용하거나, 이러한 챔버 및 장치와 연동되는 컴퓨터들(또는 제어기들)을 제어함으로써, 시스템(100) 동작의 모든 부분들을 제어한다. 동작시, 시스템 제어기(140)는 시스템(100)의 성능을 최적화하고 포토마스크 CD들의 설계 공차들을 유지하도록 돕기 위해 계측 모듈(126)로부터 달성되는 데이터의 앞먹임(feedforward) 및/또는 되먹임(feedback)을 통해 데이터를 수집할 수 있다.
시스템 제어기(140)는 일반적으로 중앙 처리 유닛(CPU)(142), 메모리(144), 및 지원 회로들(146)을 포함한다. CPU(142)는 산업적인 설정에 사용될 수 있는 임의의 형태의 범용 컴퓨터 프로세서 중 하나일 수 있다. 지원 회로들(146)은 전형적으로 CPU(142)에 결합되고 캐쉬, 클럭 회로들, 입력/출력 서브시스템들, 전원들 등을 포함할 수 있다. CPU(142)에 의해 실행될 때 소프트웨어 루틴들은 CPU를 특정 목적의 컴퓨터(제어기)(140)로 변환시킨다. 소프트웨어 루틴들은 시스템(100)으로부터 떨어져 위치된 제 2 제어기(미도시)에 의해 저장 및/또는 실행될 수도 있다.
도 2a-2b는 본 발명의 일 실시예에 따라 도 3a-3g에 도시된 바와 같이 포토마스크(320)를 제조하는 방법(200)에 대한 흐름도의 일 실시예를 도시한다. 일반 적으로, 상기 방법(200)은 전형적으로 소프트웨어 루틴으로서 메모리(144)에 저장된다. 본 발명의 방법(200)은 소프트웨어 루틴으로서 구현되는 것으로 논의되지만, 본 발명에 개시된 방법 단계들의 일부 또는 전부가 소프트웨어 제어기 뿐만 아니라 하드웨어에서 수행될 수 있다. 이와 같이, 본 발명은 컴퓨터 시스템에서 실행디는 소프트웨어, 특정 애플리케이션 집적회로로서 하드웨어 또는 다른 형태의 하드웨어, 또는 소프트웨어 및 하드웨어의 조합으로 구현될 수 있다.
상기 방법(200)은 기판(122)이 FOUP들(108) 중 하나로부터 로드 락 챔버들(106) 중 하나를 통해 제 1 처리 챔버(110)로 전달되는 단계(202)에서 시작된다. 기판(122)은 제조되는 포토마스크 구조물의 막 적층부(300)를 일반적으로 포함한다. 막 적층부(300)는 석영(즉, 이산화 실리콘(SiO2)) 층(302)과 같은 광학적으로 투명한 실리콘 기질의 물질을 포함하고, 석영층(302)의 표면상에 패턴화된 마스크를 형성하는 포토마스크 물질로서 공지된 불투명 광-차폐 크롬층(304)을 갖는다. 크롬층(304)은 크롬 및/또는 크롬 옥시니트라이드일 수 있다. 기판(122)은 도 3a에 도시된 바와 같이, 석영층(302)과 크롬층(304) 사이에 삽입된 몰리브덴(Mo) 또는 몰리브덴 실리콘(MoSi)으로 도핑된 실리콘 질화물(SiN)과 같은 감쇠층(306)(가상선으로 도시됨)을 포함할 수도 있다.
단계(204)에서, 하드 마스크 층(308)은 도 3b에 도시된 바와 같이, 제 1 처리 챔버(110)에서 수행되는 화학적 기상 증착 프로세스를 이용하여 기판(122)상에 증착된다. 하드 마스크 층(308)은 이에 제한됨이 없이 약 50Å 내지 약 1000Å의 두께를 갖는다. 하드 마스크 층(308)은 크롬 옥시니트라이드, 실리콘 옥시니트라이드, 고실리콘(silicon-rich) 산화물, 고실리콘 질화물, 고실리콘 옥시니트라이드, 티타늄 질화물, 몰리브덴 실리사이드, 및 실리콘 카바이드일 수 있고, 다른 적절한 물질들 중에서 SiC, SiCH, SiCOH, SiCNH, SiCONH, 다이어몬드형 탄소, 탄소, 텅스텐, SiO2, 및 Si3N4를 포함할 수 있다. 하드 마스크 층(308)은 α-탄소로 지칭되는 고온 무기 탄소 물질일 수도 있다. α-탄소 물질을 증착하기 위한 하나의 프로세스는 Advanced Patterning Film(AFM™)이란 명칭으로 어플라이드 머티어리얼스로부터 이용가능하다. 다른 α-탄소 물질은 2000년 6월 8일자로 제출된 미국특허출원 일련번호 09/590,322에 개시되어 있다. α-탄소 물질은 막 적층부(300)에 사용되는 다른 물질들에 대한 α-탄소 물질의 에칭 선택도를 개선하기 위해 질소(N2)로 추가로 도핑될 수 있다.
일 실시예에서, 하드 마스크 층(308)은 하나 이상의 수소탄소 화합물들과 불활성 가스를 포함하는 가스 혼합물을 가열하여 가스 혼합물에서 하나 이상의 수소탄소 화합물들을 열적으로 분해시킴으로써 증착되어 비정질 탄소층을 형성한다. 적절한 수소탄소 화합물들은 일반식 CxHy를 갖는 가스들을 포함하고, 여기서 x는 2 내지 4 범위이고 y는 2 내지 10 범위이다. 상기 가스 혼합물은 약 100℃ 내지 약 700℃의 온도로 가열될 수 있다.
일 실시예에서, 2개의 전원들로부터 공급되는 상이한 주파수들의 바이어스 전력은 증착된 물질의 응력을 처리하도록 증착 동안 제공되어, 하부 막에 대한 하드 마스크 층(308)의 접착을 개선할 수 있다. 특히, 포토마스크의 임계 치수들이 45nm 범위에 근접함에 따라, 에칭 바이어스를 촉진시키는 하드 마스크 층(308)의 나쁜 접착성으로 인해 마스크 물질로부터 포토마스크로 CD들의 허용할 수 없는 변화가 생긴다. 예를 들어, 약 1000와트까지의 전체 바이어스 전력이 약 2 내지 약 27㎒의 주파수 범위에서 제공될 수 있다. 고주파수 전원과 저주파수 전원 사이의 전력 비율은 100%에서 약 0% 범위, 및 약 0%에서 약 100% 범위일 수 있다. 또한, 주파수는 막 적층부 조성, 증착되는 하드 마스크 물질, 및 증착된 하드 마스크 막에서 목표된 응력 레벨에 따라, 보다 높은 주파수 및/또는 보다 낮은 주파수로 조정될 수 있다는 것을 고려한다.
일 실시예에서, 하드 마스크 층(308)은 리소그래픽 패터닝 프로세스 동안 광의 반사를 제어하는데 사용되는 유전체 반사-방지 코팅(DARC) 층을 포함할 수 있다. 전형적으로, DARC 층은 이산화 실리콘(SiO2), 실리콘 옥시니트라이드(SiON), 실리콘 질화물(Si3N4) 등을 포함한다. 도시된 일 실시예에서, 하드 마스크 층은 α-탄소 막 및 약 1800Å의 결합된 두께를 가진 DARC 층을 포함한다.
단계(206)에서, 상부에 배치된 하드 마스크 층(308)을 갖는 기판(122)은 제 1 처리 챔버(110)로부터 제거되어 로드 락 챔버들(106) 중 하나를 통해 FOUP들(108) 중 하나로 전달된다. 단계(208)에서, 기판(122)은 종래기술에 공지된 바와 같이, 하드 마스크 층(308)상에 형성된 패턴화된 포토레지스트 마스크(310)를 갖도록 시스템(100)으로부터 제거된다. 단계(210)에서, 상부에 배치된 패턴화된 포토레지스트 마스크(310)를 갖는 기판(122)은 도시된 바와 같이, 시스템(100)으로 리턴된다.
선택적으로, 상부에 배치된 패턴화된 포토레지스트 마스크(310)를 갖는 기판(122)은 단계(212)에서 FOUP(108)로부터 계측 모듈(126)로 전달될 수 있다. 계측 모듈(126)에서, 포토레지스트 마스크(310)를 규정하는 구조물들의 치수들이 단계(214)에서 측정된다. 측정을 수행하기 위해, 측정 툴은 분광법, 간섭법, 분산법(scatterometry), 반사법, 타원편광법 등과 같은 적어도 비파괴 광학 측정 기술들을 사용할 수 있다. 측정된 치수들은 지형(topographic) 치수들, 임계 치수들(CDs), 두께, 프로파일 각도 등을 포함할 수 있다. 본 발명에서 "임계 치수들"이란 용어는 이를 통해 하드 마스크 층(308)이 에칭되는 개구들을 규정하는 패턴화된 마스크(308)의 구조물의 최소 폭들을 지칭한다. 기판들의 배치(batch)의 각 기판상에서 미리 규정된 주기로 수행될 수 있다. 일 실시예에서, 계측 모듈(126)은 각각의 기판(122)상에서 포토레지스트 마스크(310)의 임계 치수 측정들을 수행한다. 통계적으로 유효한 CD 측정을 달성하기 위해 기판의 다수의 영역들에서 측정들이 수행될 수 있다. 이러한 측정들의 결과값들은 트리밍(trimming) 프로세스의 수단을 결정하기 위해 집적된 반도체 기판 처리 시스템에서 사용될 수 있고, 포토레지스트 마스크 형성 프로세스를 변경하기 위한 되먹임(feedback) 정보로서 사용되거나, 프로세스 성능, 품질 제어를 모니터링하는 목적 또는 다른 목적으로 크롬 에칭 프로세스를 변경하기 위한 앞먹임(feedforward) 정보로서 사용될 수 있다. 포토레지스트 패턴화된 마스크들의 사전-트리밍 측정들을 이용하여 에칭된 피쳐들의 치수들을 제어하기 위한 방법들의 예들은 공동 출원된 2003년 5월 1일자로 제출된 미국특허출원 일련번호 10/428,145 및 2003년 9월 19일자로 제출된 미국특허출원 일련번호 10/666,317에 개시되어 있다. 본 발명에 기술되는 임의의 에칭 단계들 이후에 전술한 바와 같이 CD 측정들이 수행될 수 있다는 것이 고려된다.
단계(216)에서, 상부에 배치된 패턴화된 포토레지스트 마스크(310)를 갖는 기판(122)은 로드 락 챔버들(106) 중 하나를 통해 FOUP(108)로부터(또는 계측 모듈(126)로부터) 제 2 처리 챔버(112)로 전달된다. 단계(218)에서, 하드 마스크 층(308)은 도 3d에 도시된 것처럼, 에칭 마스크로서 패턴화된 포토레지스트 마스크(310)를 이용하여 에칭된다.
하드 마스크 층(308)이 SiON으로부터 형성되는 일 실시예에서, 20 내지 200sccm의 유속에서 테트라플루오라이드(CF4)를 제공하고 20 내지 200sccm의 유속에서 아르곤(Ar)을 제공하며(즉, 1:10 내지 10:1 범위의 CF4:Ar 유속), 200W 내지 1500W의 전력을 유도성 결합된 안테나에 인가하고, 20W 내지 150W의 캐소드 바이어스 전력을 인가하며, 2mTorr 내지 20mTorr의 처리 챔버 압력에서 50℃ 내지 200℃의 웨이퍼 온도를 유지함으로써, 하드 마스크 층(308)이 에칭될 수 있다. 하나의 프로세스 수단은 120sccm의 유속에서 CF4, 120sccm의 유속에서 Ar을 제공하고(즉, 약 1:1의 CF4:Ar 유속), 360W의 전력을 안테나에 인가하며, 60W의 바이어스 전력을 인가하고, 80℃의 웨이퍼 온도를 유지하며, 4mTorr의 압력을 유지한다.
하드 마스크 층(308)이 탄소 기질의 물질로부터 형성되는 다른 실시예에서, 20 내지 200sccm의 유속에서 수소 브롬화물(HBr)을 제공하고, 10 내지 40sccm의 유속에서 산소(O2)를 제공하며(즉, 1:2 내지 20:1 범위의 HBr:O2 유속), 20 내지 200sccm의 유속에서 아르곤(Ar)을 제공하고, 200W 내지 1500W의 전력을 유도성 결합된 안테나에 인가하며, 50W 내지 200W의 캐소드 바이어스 전력을 인가하고, 2mTorr 내지 20mTorr의 처리 챔버 압력에서 50℃ 내지 200℃의 웨이퍼 온도를 유지함으로써, 하드 마스크 층(308)이 에칭될 수 있다. 하나의 프로세스 수단은 60 sccm의 유속에서 HBr, 26 sccm의 속도에서 O2를 제공하고(즉, 약 2.3:1의 HBr:O2 유속), 60 sccm의 유속에서 Ar을 제공하며, 600W의 전력을 안테나에 인가하고, 60W의 바이어스 전력을 인가하며, 80℃의 웨이퍼 온도를 유지하고, 4mTorr의 압력을 유지한다.
선택적인 단계(220)에서, 포토레지스트 마스크(310)는 도 3e에 도시된 것처럼, 하드 마스크 층(308)으로부터 제거된다. 일 실시예에서, 포토레지스트 마스크(310)는 단계(218)에서 하드 마스크 층(308)의 에칭과 동시에 제거될 수 있다. 다른 실시예에서, 포토레지스트 마스크(310)는 하드 마스크 에칭 단계(218)이 수행되었던 제 2 처리 챔버(112)에서 인-시튜(in-situ)로 제거될 수 있다. 예를 들어, 포토레지스트 마스크(310)는 산소 함유 플라즈마에 노출됨으로써 하드 마스크 에칭 챔버에서 인-시튜로 제거될 수 있다. 다른 실시예에서, 포토레지스트 마스크(310)는 처리 챔버에서 함께 형성되거나 원격 플라즈마 소스에 의해 제공될 수 있는 산소 함유 플라즈마를 제공하는 스트립핑(stripping) 챔버로서 구성된 제 4 처리 챔버(116)에서 제거될 수 있다.
포토레지스트 마스크(310)는 막 적층부(300)상에 선택적으로 남겨질 수 있다. 포토레지스트 마스크(310)는 순차적인 에칭 프로세스들 동안 점차 소모되거나, 이하에서 기술되는 것처럼, 단계(226)에서, 상기 패턴화된 하드 마스크 층(308)과 함께 제거될 것이다.
단계(222)에서, 기판(112)은 제 2 처리 챔버(112)로부터 제 3 처리 챔버(114)로 전달되고, 여기서 에칭 마스크로서 패턴화된 하드 마스크 층(308)을 이용하여 단계(224)에서 크롬층(304)이 에칭된다. 도 3f는 에칭되는 크롬층(304)을 갖는 막 적층부(300)를 도시한다. 일 실시예에서, 에칭 단계(224)는 처리 챔버(114)로 도입되는 하나 이상의 할로겐 함유 처리 가스들로부터 형성된 플라즈마를 사용한다. 예시적인 프로세스 가스들은 다른 것들 중에서 불화탄소 가스, Cl2, HBr, HCl, CF4, 및 CHF3 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 처리 가스는 또한 O2를 포함할 수 있다. 처리 가스는 He, Ar, Xe, Ne 및 Kr와 같은 불활성 가스를 더 포함할 수 있다.
다른 실시예에서, 크롬층(304)은 2 내지 50 sccm(standard cubic centimeters per minute)의 유속에서 CF4를 제공하고 10 내지 50 sccm의 유속에서 CFH3를 제공함으로써 단계(224)에서 에칭된다. 하나의 특정 프로세스 수단은 9 sccm의 유속에서 CF4를 제공하고 26 sccm의 유속에서 CHF3를 제공한다. 처리 챔버 에서 압력은 약 40 mTorr 미만으로 제어되고, 일 실시예에서 약 1.5 내지 15 mTorr로 제어된다.
크롬 에칭 단계(224)의 다른 실시예에서, 약 600W 미만의 펄스화된 바이어스 전력이 지지 페디스털에 인가되어 기판(122)을 바이어스시킨다. 제 1 예에서, 기판(112)은 약 150W 미만의 펄스화된 RF 전력으로 바이어스되고, 제 2 예에서 기판(112)은 약 10W의 펄스화된 RF로 바이어스된다. 바이어스 전력은 예를 들어, 약 1 내지 약 10㎑ 범위의 주파수와 약 10 내지 약 95%의 듀티 사이클로 상술한 바와 같이 주파수 및 듀티 사이클로 펄스화될 수 있다. 펄스화된 바이어스 전력은 DC 및/또는 RF일 수 있다. 다른 실시예에서, 바이어싱 소스(140)는 약 80 내지 약 95%의 듀티 사이클로 약 2 내지 약 5㎑의 주파수에서 약 10 내지 약 150W의 펄스화된 RF 전력을 제공한다. 또 다른 실시예에서, 상기 바이어싱 소스는 약 10W의 펄스화된 RF 전력을 제공한다.
단계(224) 동안, 처리 가스들로부터 형성된 플라즈마는 플라즈마 전원으로부터 안테나로 약 250 내지 약 600W의 RF 전력을 인가함으로써 유지된다. 플라즈마는 임의의 수의 방법들에 의해 점화될 수 있다는 것을 고려한다.
패턴화된 하드 마스크 층(308)을 통해 기판(122)상에 노출된 크롬층(304)은 종점에 도달할 때까지 에칭된다. 종점은 시간, 광학적 간섭법, 챔버 가스 방출 분광법 또는 다른 적절한 방법들에 의해 결정될 수 있다.
단계(226)에서, 하드 마스크 층(308)은 포토마스크(320)을 형성하도록 제거된다. 일 실시예에서, 하드 마스크 층(308)은 단계(242)에서 크롬층(304)의 에칭과 동시에 제거될 수 있다. 예를 들어, SiON으로부터 제조된 하드 마스크 층(308)은 크롬층의 속도에 근접하는 속도에서 에칭될 것이다. 따라서, 크롬층의 두께보다 다소 더 크거나 동일한 두께로 SiON 하드 마스크 층을 증착함으로써, 크롬층을 제거하는 동안 실질적으로 모든 SiON 하드 마스크 층이 제거될 것이다. 짧은 과도에칭 주기가 잔류 하드 마스크 층(308)을 제거하는데 요구될 수 있다.
다른 실시예에서, 하드 마스크 층(308)은 에칭 단계(224)가 수행된 제 3 처리 챔버(114)에서 인-시튜로 제거될 수 있다. 예를 들어, 탄소 물질로부터 제조되는 하드 마스크 층(308)은 제 3 처리 챔버(114)에서 인-시튜로 산소 함유 플라즈마에 노출된 다음 후속하는 크롬층 에칭에 의해 제거될 수 있다.
다른 실시예에서, 하드 마스크 층(308)은 전달 단계(228) 이후에 제 4 처리 챔버(116)에서 제거될 수 있다. 이러한 실시예에서, 제 4 처리 챔버(116)는 처리 챔버내에 형성되거나 원격 플라즈마 소스에 의해 제공될 수 있는 산소 함유 플라즈마를 제공하는 스트립핑 챔버로서 구성될 수 있다.
α-탄소 하드 마스크 층(308)을 갖는 실시예에서, 하드 마스크 층(308)은 산소 함유 플라즈마를 이용하여 막 적층부(300)로부터 제거(또는 스트립핑)될 수 있다. 다른 실시예에서, α-탄소 하드 마스크 층(308)은 수소 브롬화물 및 산소로부터 형성된 플라즈마를 이용하여 제거된다. HBr:O2 유속은 약 1:10 내지 10:1 범위일 수 있다. 또한, 아르곤이 플라즈마내에 존재할 수 있다. 다른 실시예에서, 200 내지 1000W의 소스 전력과 0 내지 300W의 바이어스 전력으로 활성화되며, 기판 의 온도는 약 20℃ 내지 약 80℃로 유지된다. 선택적으로, 수소(H2), 또는 아르곤(Ar)과 같은 희석 가스와 산소의 혼합물로부터 형성되는 플라즈마는 α-탄소 막 하드 마스크 층(308)을 제거하는데 사용될 수 있다.
하드 마스크 제거 단계(226) 이후, 기판(122)(현재 포토마스크(320)로 제조됨)은 단계(230)에서 로드 락 챔버(106)를 통해 팩토리 인터페이스(102)로 전달된다. 팩토리 인터페이스(102)에서, 기판(122)은 단계(234)로서 FOUP들(108) 중 하나로 로딩되거나, 선택적 단계(232)로서 계측 모듈(126)로 로딩된다.
계측 모듈(126)에서, 포토마스크(320)의 임계 치수들(CDs)이 측정될 수 있다. CD 측정 정보는 포토마스크 처리를 위해 도입되는 기판들상의 포토레지스트 패터닝을 변경하기 위한 되먹임으로서 사용될 수 있고, 포토마스크(320)를 사용하는 제조 기판들상에서 리소그래픽 처리 및/또는 에칭을 변경하기 위한 앞먹임으로서 사용될 수 있으며, 및/또는 다른 것들 중에서 품질 및/또는 프로세스 제어를 모니터링하기 위해 사용될 수 있다. 계측 단계(232) 이후, 기판은 단계(232)에서 FOUP들(108) 중 하나로 로딩된다.
선택적으로, 기판(112)은 본 발명의 다른 실시예에 따라 도 3g-3j에 도시된 것처럼, 위상 시프트 포토마스크(340)를 제조하는 방법(400)의 일 실시예를 도시하는 도 4a-4b의 흐름도에서 나타낸 것처럼 추가로 처리될 수 있다. 방법(400)은 상기 방법(200)에 기술된 과정의 하드 마스크 스트립핑 단계(226) 또는 계측 단계(232) 이후에 시작될 수 있다.
방법(400)은 단계(402)에서 FOUP들(108) 중 하나로 기판을 전달함으로써 시작된다. 단계(404)에서, 기판(122)은 도 3h에 도시된 바와 같이, 막 적층부(300)상에 형성된 제 2 패턴화된 포토레지스트 마스크(320)를 갖도록 시스템(100)으로부터 제거된다. 단계(406)에서, 상부에 배치된 패턴화된 포토레지스트 마스크(320)를 갖는 기판(122)이 시스템(100)으로 리턴된다.
선택적으로, 상부에 배치된 패턴화된 포토레지스트 마스크(320)를 갖는 기판(122)은 단계(408)에서 FOUP(108)로부터 계측 모듈(126)로 전달될 수 있다. 계측 모듈(126)에서, 포토레지스트 마스크(320)를 규정하는 구조물들의 치수들은 단계(410)로서 측정된다. 포토레지스트 마스크(320)의 CD 측정들은 상술한 바와 같이 수행되고 사용될 수 있다.
단계(412)에서, 그 상부에 배치된 패턴화된 포토레지스트 마스크(320)를 갖는 기판(122)은 로드 락 챔버들(106) 중 하나를 통해 FOUP(108)(또는 계측 모듈(126))로부터 처리 챔버들(112, 114, 116) 중 하나로 전달된다. 단계(414)에서, 석영층(302)은 에칭 마스크로서 패턴화된 포토레지스트 마스크(320)를 이용하여 에칭된다.
일 실시예에서, 에칭 단계(414)는 하나 이상의 플루오르화 처리 가스들로부터 형성된 플라즈마를 사용한다. 예시적인 처리 가스들은 다른 것들 중에서 CF4 및 CHF3를 포함할 수 있다. 처리 가스는 He, Ar, Xe, Ne, 및 Kr과 같은 불활성 가스를 더 포함할 수 있다. 석영층(302)의 에칭 동안, 기판에 인가되는 바이어스 전력은 상술한 바와 같이 펄스화될 수 있다.
도 3i에 도시된 에칭된 석영 트랜치(322)의 깊이(330)가 석영 위상 시프트 마스크와 함께 사용되기 위한 광의 미리 규정된 파장에 대해 석영층(302)을 통과하는 180도 위상 시프트 길이와 거의 동일하도록 석영 에칭 단계(414)의 종점이 선택된다. 전형적인 파장들은 193nm 및 248nm이다. 따라서, 깊이(322)는 전형적으로 약 172nm 또는 240nm이지만, 다른 깊이들이 상이한 리소그래픽 광 파장들로 사용하기 위한 마스크들에 대해 사용될 수 있다. 석영 트랜치(322)가 단계(414)에서 에칭된 이후, 포토레지스트 마스크(320)는 잔류하는 막 적층부(300)가 도 3j에 도시된 바와 같이 석영 위상 시프트 마스크(320)를 형성하도록 예를 들어 애슁에 의해 단계(416)에서 제거된다.
포토레지스트 마스크 제거 단계(416) 이후, 기판(122)(현재, 포토마스크(340)로 제조됨)은 단계(418)에서 로드 락 챔버(106)를 통해 팩토리 인터페이스(102)로 전달된다. 팩토리 인터페이스(102)에서, 기판(122)은 단계(424)에서 FOUP들(108) 중 하나로 로딩되거나, 선택적인 단계(230)에서 계측 모듈(422)로 로딩된다.
계측 모듈(126)에서, 포토마스크(340)의 임계 치수들(CDs)이 측정될 수 있다. CD 측정 정보는 포토마스크 처리를 위해 도입되는 기판들상의 포토레지스트 패터닝을 변경하기 위한 되먹임으로서 사용될 수 있고, 포토마스크(340)를 사용하는 제조 기판들상에서 리소그래픽 처리 및/또는 에칭을 변경하기 위한 앞먹임으로서 사용될 수 있으며, 및/또는 다른 것들 중에서 품질 및/또는 프로세스 제어를 모 니터링하기 위해 사용될 수 있다. 계측 단계(226) 이후, 기판은 단계(232)에서 FOUP들(108) 중 하나로 로딩된다.
도 5는 도 1의 시스템(100)에서 제 1 처리 챔버(110)로서 사용될 수 있는 화학적 기상 증착 챔버(500)를 도시한다. 챔버 몸체(502)에 결합된 챔버(500)는 처리 영역(512)내에 배치된 기판 지지부(518)를 갖는다.
예시적인 챔버 몸체(502)는 일반적으로 리드(lid)(506), 저면(508) 및 측벽들(510)을 포함한다. 챔버 몸체(502)를 통해 배치된 배기구(exhaust port)(546)는 처리 영역(512)을 펌핑 시스템(530)에 결합시킨다. 전형적으로, 배기구(546)는 챔버 몸체(502)의 저면(508)을 통해 배치되지만, 챔버 몸체(502)의 다른 부분들에 위치될 수 있다. 펌핑 시스템(530)은 챔버 몸체(502)의 내부 영역(512)을 진공화시키고 증착 부산물들을 제거하며 챔버 몸체(502)내의 압력을 제어하기 위해 사용되는 스로틀 밸브 및 진공 펌프(미도시)를 일반적으로 포함한다.
가스 패널(526)로부터 챔버 몸체(502)의 처리 영역(512)으로 제공되는 가스의 균일한 분배를 제공하기 위해 샤워헤드(520)가 리드(506)에 결합된다. 탄소 함유 하드 마스크 층을 증착하기 위한 일 실시예에서, 가스 패널(526)은 하나 이상의 수소탄소 화합물들 또는 그 유도체들을 처리 챔버(500)에 제공한다. 부가적으로, 산소 함유 및/또는 불소 함유 화합물들이 사용될 수 있다. 수소탄소 화합물들은 선택적으로 질소를 포함하거나 암모니아와 같은 질소-함유 가스로 증착될 수 있다. 또한, 수소탄소 화합물들은 불소 및 산소와 같은 치환체(substituent)들을 가질 수 있다. 사용될 수 있는 하나의 수소탄소 화합물들 도는 그 유도체는 식 CAHBOCFD를 가지며, 여기서 A는 1 내지 24 범위이고, B는 0 내지 50 범위이며, C는 0 내지 10 범위이고, D는 0 내지 50 범위이며, B와 D의 합은 2 이상이다.
샤워헤드(520)는 RF 전원(522)과 정합 회로(524)에 결합된다. RF 전원(522)은 일반적으로 약 10㎒ 내지 약 3㎓ 범위의 주파수와 약 0 내지 10,000W의 전력을 갖는 RF 신호를 생성할 수 있다. 일 실시예에서, RF 소스(522)는 약 60㎒의 주파수를 갖는 RF 신호를 생성할 수 있다. RF 소스(522)에 의해 샤워헤드(520)에 제공되는 RF 에너지는 플라즈마에서 가스들의 해리(dissociation) 및 이온화를 촉진시키는데 사용되고, 이는 일반적으로 증가된 증착 소도로 더 낮은 처리 온도들을 촉진시킨다. 챔버 몸체(502)로부터 RF 핫 샤워헤드(520)를 전기적으로 절연시키기 위해 샤워헤드(520)와 챔버 몸체(502)의 리드(506) 사이에 유전 절연체(538)가 배치된다. 플라즈마 강화 처리는 또한 부가적인 처리 융통성(flexibility)을 제공하고, 다양한 타입들의 증착 프로세스들을 위해 사용되도록 시스템(500) 능력을 제공한다.
세정제 생성기(528)가 샤워헤드를 통해 처리 영역(512)에 결합될 수도 있다. 일 실시예에서, 세정제 생성기(528)는 챔버 컴포넌트들로부터 바람직하지 않은 증착과 다른 오염물들을 제거하는 원자 불소와 같은 세정제를 제공한다. 이러한 세정제 생성기는 Azte Coporation으로부터 이용가능하다.
기판 지지부(518)는 챔버 몸체(502)의 내부 영역(512)에 배치된다. 기판 지지부(518)는 처리 동안 기판(122)을 유지하는 레티클(reticle) 어댑터(582), 기판 온도를 열적으로 제어하는데 사용되는 가열 엘리먼트(544), 처리 동안 기판을 바이어싱하기 위한 전극(590)을 포함한다. 가열 엘리먼트(544)는 다른 온도 제어 장치들 중에서 저항성 히터, 열 전달 유체를 유동시키기 위한 유체 도관, 저항성 가열 엘리먼트 또는 열전 소자일 수 있다. 일 실시예에서, 가열 엘리먼트(544)는 전원(548)에 결합된 저항성 히터이고, 약 100℃ 내지 약 500℃의 온도에서 기판(122)을 가열 및 유지시킬 수 있으며, 일 실시예에서 기판 온도는 약 450℃ 미만으로 유지된다.
전극(590)은 일반적으로 정합 네트워크(596)를 통해 한 쌍의 RF 바이어스 소스들(592, 594)에 결합된다. RF 바이어스 소스들(592, 594)은 일반적으로 약 50㎑ 내지 약 27㎒의 주파수와 약 0 내지 약 1,000W의 전력을 갖는 RF 신호를 생성할 수 있다. 정합 네트워크(596)는 RF 바이어스 소스들(592, 594)의 임피던스를 플라즈마 임피던스에 정합시킨다. 단일 공급부(598)는 두개의 RF 바이어스 소스들로부터의 에너지를 기판 지지부(518)에 배치된 전극(590)에 결합시킨다. 선택적으로, 각각의 RF 바이어스 소스(592, 594)는 개별적인 공급부를 통해 전극(590)에 결합될 수 있다.
레티클 어댑터(582)는 기판 지지부(518)상에 기판(122)을 유지시킨다. 레티클 어댑터(582)는 알루미늄 또는 알루미늄 산화물, 또는 다른 적절한 물질로부터 제조될 수 있다.
도 6은 레티클 어댑터(582)의 일 실시예의 사시도를 도시한다. 레티클 어댑터(582)는 일반적으로 캡쳐 링(602)과 커버 링(604)을 포함한다. 캡쳐 링(602)과 커버 링(604)은 함께 기판 수용 포켓(612)을 규정한다.
커버 링(604)은 일반적으로 증착으로부터 기판 지지부(518)의 상면을 커버 및 보호한다. 커버 링(604)은 리프트 핀들(608)이 이를 통해 선택적으로 돌출할 수 있도록 다수의 홀들(620)을 포함함으로써, 커버 링(604)으로부터 캡쳐 링(602)을 리프팅할 수 있다. 커버 링(604)은 기판 수용 포켓(pocket)(612)의 하나의 경계를 제공하도록 기능하는 상승된 정렬 피쳐(610)와 상기 캡쳐 링이 하부 위치에 있을 때 캡쳐 링(602)과 맞물리는 정렬 피쳐를 갖는다.
캡쳐 링(602)은 기판 수용 포켓(612)의 일부분을 규정하는 내부 에지(614)를 갖는 일반적인 "C-형상"을 가진 아치형 베이스판(606)을 포함한다. 지지 리지들(616, 618)과 같은 하나 이상의 기판 지지부들이 내부 에지(614)상에 배치된다. 기판 지지 리지들(616, 618)은 리프트 핀들(608)에 의해 리프팅될 때 캡쳐 링(602)이 커버 링(604)으로부터 기판(122)을 리프팅하도록 한다. "C-형상" 베이스판(606)의 개방 단부(622)는 기판(122)과 상승된 캡쳐 링(602)이 상호교환되도록 로봇(미도시)의 블레이드를 용이하게 한다.
도 5를 다시 참조하면, 기판 지지부(518)는 샤워헤드(520)에 대해 기판 지지부(518)의 승강을 제어하는 리프트 메커니즘(552)에 결합된다. 기판 지지부(518)는 챔버 몸체(502)의 측벽들(510)에 배치된 기판 접속 포트(미도시)를 통해 기판 전달을 용이하게 하기 위해 리프트 메커니즘(552)에 의해 하강될 수 있다. 반대로, 기판 지지부(518)는 기판(122)과 샤워헤드(520) 사이의 갭(또는 간격)을 설정하도록 샤워헤드(520)를 향해 승강될 수 있다. 진공 누출을 방지하기 위해 리프트 메커니즘(552)과 챔버 저면(508) 사이에 벨로우즈(bellows)(550)가 결합된다.
동작시, 기판(122)은 기판 지지부(518)상의 처리 챔버(500)에 배치된다. 처리 가스는 샤워헤드(520)를 통해 가스 패널(526)로부터 챔버 몸체(502)로 도입된다. 일 실시예에서, RF 소스(522)는 13.56㎒에서 약 600W의 RF 전압을 샤워헤드(520)에 제공함으로써, 챔버 몸체(502) 내부에서 가스를 여기시키고 플라즈마(558)를 형성할 수 있다. RF 바이어스 소스(592)는 약 2㎒의 주파수에서 전력을 생성하도록 선택되고 RF 바이어스 소스(594)는 약 13.56㎒의 주파수에서 전력을 생성하도록 선택된다. RF 바이어스 소스들(592, 594)은 1:0 내지 0:1의 바이어스 소스(592) 대 바이어스 소스(594)의 미리 결정된 전력 비율로 약 1,000W까지의 총 RF 전력을 제공한다. 이러한 RF 바이어스 소스들(592, 594)은 기판을 셀프 바이어스시키고 플라즈마 외피(sheath)를 변조시키는 바이어스 전력을 제공한다. 바이어스 소스들(592, 594) 사이의 비율을 조절함으로써 플라즈마의 특성들을 제어하고, 이는 증착되는 막의 특성들이 제어될 수 있도록 한다. 예를 들어, SiON 또는 탄소 함유 하드 마스크 층은 증착된 막의 응력을 감소시키는 방식으로 증착될 수 있기 때문에, 크롬 함유층과 같은 하부층과 하드 마스크 막 사이의 접착을 개선시킨다. 듀얼 주파수 바이어스의 애플리케이션으로부터 장점을 갖도록 제공될 수 있는 하나의 탄소 함유 하드 마스크 층 증착 프로세스는 2005년 2월 24일자로 제출된 미국특허출원 일련번호 11/065,464에 기술되어 있으며, 이는 그 전체가 참조로 본 발명에 포함된다.
일 실시예에서, 전극(590)상의 주파수들은 전력공급되는 표면 상부의 플라즈마 방출시 강한 셀프-바이어싱 외피(sheath)를 제공하기에 충분히 낮은 주파수가 되도록 선택된다. 제 1 주파수는 넓은 이온 에너지 분포(즉, 저주파수)를 제공한다. 제 2 주파수는 피크값으로 명확히 규정된 이온 에너지 분포(즉, 고주파수)를 제공한다. 전형적으로, 제 1 주파수는 그 사이클 시간이 외피에 있는 이온의 전이 시간보다 훨씬 더 크게 선택되는 반면, 제 2 주파수는 그 주기가 외피의 이온의 전이 시간에 근접하거나 능가하도록 선택된다. 이러한 주파수들은 또한 독립적으로 구동되는 전극(예, 샤워헤드(520))에 의해 제공되는 제 3 전원과 연계하여 사용될 때 플라즈마 이온화 및 해리를 위한 주요 전력을 제공하지 않도록 선택된다.
2개의 주파수 소스들의 조합된 인가 전압은 증착 프로세스를 구동하기 위해 사용되는 셀프 바이어싱된 DC 전위 뿐만 아니라 피크-대-피크 외피 전압을 제어하는데 사용된다. 두 주파수들의 혼합은 이러한 DC 전위에 의해 생성되는 평균 가속도에 대해 에너지 분포를 조정하는데 사용된다. 따라서, 상술한 바와 같이 듀얼 주파수 캐소드를 가진 플라즈마 강화 처리 챔버를 사용하면, 응력과 접착과 같은 막 특성들이 이러한 바이어스 주파수를 조정함으로써 제어되도록 하는 방식으로 플라즈마 내의 이온 에너지 분포가 제어될 수 있다.
도 7은 처리 챔버들(712, 714, 716) 중 하나로서 사용하기 위해 적합한 에칭 반응기(700)의 일 실시예의 개념도를 도시한다. 본 발명에 개시된 특징들을 갖도록 사용하기 위해 제공될 수 있는 적절한 반응기들은 예를 들어, Decoupled Plasma Source(DPS®) Ⅱ 반응기, 또는 Tetra Ⅰ 및 Tetra Ⅱ 포토마스크 에칭 시스템들을 포함하며, 이들 모두는 캘리포니아 산타클레라의 어플라이드 머티어리얼스로부터 이용가능하다. 본 발명에 도시된 에칭 반응기(700)의 특정 실시예는 예시적인 목 적들을 위해 제공되는 것이며 본 발명의 범주를 제한하는 것으로 사용되어서는 안된다.
에칭 반응기(700)는 일반적으로 전도성 몸체(벽)(704)내에 기판 페디스털(724)을 갖는 처리 챔버(702), 및 제어기(746)를 포함한다. 챔버(702)는 실질적으로 평탄한 유전체 실링(ceiling)(708)을 갖는다. 챔버(702)의 다른 변형예들은 다른 형태의 실링들, 예를 들어 돔-형상의 실링을 가질 수 있다. 안테나(710)는 실링(708) 상부에 배치된다. 안테나(710)는 선택적으로 제어될 수 있는 하나 이상의 유도성 코일 엘리먼트들(2개의 동축 엘리먼트들(710a, 710b)가 도 7에 도시됨)을 포함한다. 안테나(710)는 제 1 정합 네트워크(714)를 통해 플라즈마 전원(712)에 결합된다. 플라즈마 전원(712)은 전형적으로 약 50㎑ 내지 약 13.56㎒ 범위의 조정가능한 주파수에서 약 3000와트(W)까지 형성할 수 있다. 일 실시예에서, 플라즈마 전원(712)은 약 300W 내지 약 600W의 유도성 결합된 RF 전력을 제공한다.
기판 페디스털(캐소드)(724)는 제 2 정합 네트워크(742)를 통해 바이어싱 전원(740)에 결합된다. 바이어싱 전원(740)은 약 1 내지 약 10㎑ 범위의 조정가능한 펄스 주파수에서 약 0 내지 약 600W를 제공한다. 바이어싱 전원(740)은 펄스화된 RF 전력 출력을 형성한다. 선택적으로, 바이어싱 전원(740)은 펄스화된 DC 전력 출력을 형성할 수 있다. 바이어싱 전원(740)이 일정한 전력 출력을 제공할 수도 있다는 것을 고려한다.
일 실시예에서, 바이어싱 전원(740)은 약 10% 내지 약 95%의 듀티 사이클로 약 1 내지 약 10㎑의 주파수에서 약 700W 미만의 RF 전력을 제공하도록 구성된다. 다른 실시예에서, 바이어싱 전원(740)은 약 80% 내지 약 95%의 듀티 사이클로 약 2 내지 약 5㎑의 주파수에서 약 20W 내지 150W의 RF 전력을 제공하도록 구성된다.
DPS® Ⅱ 반응기의 일 실시예에서, 기판 지지 페디스털(724)은 정전 척(760)을 포함할 수 있다. 정전 척(760)은 적어도 하나의 클램핑 전극(732)을 포함하고, 척 전력공급기(766)에 의해 제어된다. 선택적 실시예들에서, 기판 페디스털(724)은 서셉터 클램프 링, 기계적 척 등과 같은 기판 유지 메커니즘들을 포함할 수 있다.
가스 패널(720)은 처리 챔버(702) 내부에 처리 가스들 및/또는 다른 가스들을 제공하도록 처리 챔버(702)에 결합된다. 도 7에 도시된 실시예에서, 가스 패널(720)은 챔버(702)의 측벽(704)에서 채널(718)에 형성된 하나 이상의 입구들(716)에 결합된다. 하나 이상의 입구들(716)은 예를 들어 처리 챔버(702)의 실링(708)과 같은 다른 지점들에 제공될 수 있음을 고려한다.
일 실시예에서, 가스 패널(720)은 입구들(716)을 통해 처리 챔버(702)의 내부로 플루오르화 처리 가스를 제공하도록 적응된다. 처리 동안, 플라즈마는 처리 가스로부터 형성되고 플라즈마 전원(712)으로부터의 유동성 결합 전력을 통해 유지된다. 선택적으로, 플라즈마는 다른 방법들에 의해 원격으로 형성되거나 점화될 수 있다. 일 실시예에서, 가스 패널(720)로부터 제공되는 처리 가스는 적어도 CHF2 및/또는 CF4를 포함한다. 다른 플루오르화 가스들은 C2F, C4F6, C3F8, 및 C5F8 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
챔버(702)의 압력은 스로틀 밸브(762)와 진공 펌프(764)를 이용하여 제어된다. 진공 펌프(764)와 스로틀 밸브(762)는 약 1 내지 약 20mTorr 범위의 챔버 압력들을 유지할 수 있다.
벽(704)의 온도는 벽(704)을 통해 연장되는 액체-함유 도관들(미도시)을 이용하여 제어될 수 있다. 벽 온도는 일반적으로 약 65℃에서 유지된다. 전형적으로, 챔버 벽(704)은 금속(예, 알루미늄, 스테인리스 스틸 등)으로부터 형성되고, 전기적 접지(706)에 결합된다. 처리 챔버(702)는 또한 프로세스 제어, 내부 진단,종점 검출 등을 위한 종래의 시스템들을 포함한다. 이러한 시스템들은 지원 시스템들(754)로서 집합적으로 도시된다.
레티클 어댑터(782)는 기판(레티클 또는 다른 공작물과 같은)(722)을 기판 지지 페디스털(724)에 고정시키는데 사용된다. 레티클 어댑터(782)는 일반적으로 페디스털(724)의 하면(예, 정전 척(760))을 커버하도록 밀링된 하부(784), 및 기판(722)을 홀딩하도록 크기와 형상을 가진 개구(788)를 구비한 상부(786)를 포함한다. 개구(788)는 일반적으로 페디스털(724)에 대해 실질적으로 중앙에 있다. 어댑터(782)는 일반적으로 폴리이미드 세라믹 또는 석영과 같은 에칭 저상성, 고온 저항성 물질의 단일 피스(piece)로부터 형성된다. 적절한 레티클 어댑터는 2001년 6월 26일자로 허여된 미국특허번호 6,251,217호에 개시되어 있으며, 이는 본 발명에 참조로 포함된다. 에지 링(726)은 어댑터(782)를 페디스털(724)에 커버 및/또는 고정시킬 수 있다.
리프트 메커니즘(738)은 어댑터(782)를 하강 또는 승강시키는데 사용되고, 이에 따라 기판 지지 페디스털(724)의 기판을 하강 또는 승강시킨다. 일반적으로, 리프트 메커니즘(738)은 각각의 가이드 홀들(736)을 통해 이동하는 다수의 리프트 핀들(하나의 리프트 핀(730)이 도시됨)을 포함한다.
동작시, 기판(722)의 온도는 기판 페디스털(724)의 온도를 안정화시킴으로써 제어된다. 일 실시예에서, 기판 지지 페디스털(724)은 히터(744) 및 선택적인 방열기(728)를 포함한다. 히터(744)는 이를 통해 열 전달 유체를 유동시키도록 구성된 하나 이상의 유체 도관들일 수 있다. 다른 실시예에서, 히터(744)는 히터 전력공급기(768)에 의해 조절되는 적어도 하나의 가열 엘리먼트(734)를 포함할 수 있다. 선택적으로, 가스 소스(756)로부터 후면 가스(예, 헬륨(He))가 가스 도관(758)을 통해 기판(722) 아래의 페디스털 표면에 형성된 채널들에 제공된다. 후면 가스는 페디스털(724)과 기판(722) 사이에서 열 전달을 촉진시키는데 사용된다. 처리 동안, 페디스털(724)은 내장된 히터(744)에 의해 정상-상태 온도로 가열될 수 있으며, 헬륨 후면 가스와 조합되어 기판(722)의 균일한 가열을 촉진시킨다.
도 8은 마스크 제거를 위한 전용 챔버가 요구될 때 제 4 처리 챔버(114)로서 사용될 수 있는 종류의 예시적인 애슁 반응기(800)의 개념도를 도시한다. 적절한 애슁 반응기들은 어플라이드 머티어리얼스사로부터 이용가능하다. 예시적인 반응기(800)의 현저한 특징들은 이하에서 간략히 기술된다.
반응기(800)는 처리 챔버(802), 원격 플라즈마 소스(806), 및 제어기(808)를 포함한다. 처리 챔버(802)는 일반적으로 제 1 부분(810)과 제 2 부분(812)을 포함하는 진공관이다. 일 실시예에서, 제 1 부분(810)은 기판 페디스털(804), 측벽 (816) 및 진공 펌프(814)를 포함한다. 제 2 부분(812)은 가스 혼합 부파(822) 및 반응 부피(824)를 규정하는 가스 분배판(샤워헤드)(820)과 리드(818)를 포함한다. 리드(818)와 측벽(816)은 일반적으로 금속(예, 알루미늄(Al), 스테인리스 스틸 등)으로부터 형성되고 접지(860)에 전기적으로 결합된다.
기판 페디스털(804)은 반응 부피(824)내에서 기판(웨이퍼)(826)을 지지한다. 일 실시예에서, 기판 페디스털(804)은 가스 충진 램프들(828)과 같은 복사열의 소스, 및 내장된 저항성 히터(830)과 도관(832)을 포함할 수 있다. 도관(832)은 페디스털(804)의 웨이퍼 지지 표면의 그루브들(미도시)을 통해 소스(834)로부터 웨이퍼(826)의 후면으로 가스(예, 헬륨)를 제공한다. 가스는 지지 페디스털(804)과 웨이퍼(826) 사이에서 열 교환을 촉진시킨다. 웨이퍼(826)의 온도는 약 20℃ 내지 약 400℃에서 제어될 수 있다.
진공 펌프(814)는 처리 챔버(802)의 측벽(816)에 형성된 배기구(836)에 제공된다. 진공 펌프(814)는 처리 챔버(102)의 목표된 가스 압력을 유지하는데 사용되고, 챔버로부터 후속 처리 가스들과 다른 휘발성 화합물들을 배출시키는데 사용된다. 일 실시예에서, 진공 펌프(814)는 처리 챔버(802)에서 가스 압력을 제어하기 위한 스로틀 밸브(838)를 포함한다.
처리 챔버(802)는 또한 웨이퍼(826)를 유지 및 배출시키고, 프로세스의 종점을 검출하며, 내부 진단 등을 위한 종래의 시스템들을 포함한다. 이러한 시스템들은 지원 시스템들(840)로서 집합적으로 도시된다.
원격 플라즈마 소스(806)는 전원(846), 가스 패널(844), 및 원격 플라즈마 챔버(842)를 포함한다. 일 실시예에서, 전원(846)은 RF 발생기(848), 조정(tuning) 어셈블리(850), 및 도포기(applicator)(852)를 포함한다. RF 발생기(848)는 약 200 내지 700㎑ 주파수에서 약 200W 내지 5000W를 생성할 수 있다. 도포기(852)는 원격 플라즈마 챔버(842)에 유도성 결합되고 챔버의 플라즈마(862)로 처리 가스(또는 가스 혼합물)(864)를 에너지 공급시킨다. 이러한 실시예에서, 원격 플라즈마 챔버(842)는 플라즈마를 제한하고 래디컬 종(radical species)의 효율적인 생성을 촉진시키며 플라즈마의 전자 온도를 감소시키는 토로이드(toroidal) 형상을 갖는다. 다른 실시예들에서, 원격 플라즈마 소스(806)는 마이크로파 플라즈마 소스일 수 있지만, 스트립핑 속도들(stripping rates)은 일반적으로 유도성 결합된 플라즈마를 이용하는 것이 더 높다.
가스 패널(844)은 처리 가스(864)를 원격 플라즈마 챔버(842)로 전달하기 위해 도관(866)을 이용한다. 가스 패널(844)(또는 도관(866))은 챔버(842)로 공급되는 각각의 개별적인 가스를 위한 유속과 가스 압력을 제어하기 위해, 질량 유량 제어기 및 차단 밸브들과 같은 수단(미도시)을 포함한다. 플라즈마(862)에서, 처리 가스(864)가 이온화 및 해리되어 반응성 종을 형성한다.
반응성 종들은 리드(818)의 입구 포트(868)를 통해 혼합 부피(822)로 유도된다. 웨이퍼(826)상의 소자들에 대한 하전 플라즈마 손상을 최소화하기 위해, 가스가 샤워헤드(820)의 다수의 개구들(870)을 통해 반응 부피(824)에 도달하기 이전에 처리 가스(864)의 이온 종들이 혼합 부피(822)내에서 실질적으로 중화된다.
전술한 상세한 설명은 본 발명의 예시적인 실시예에 관한 것이지만, 본 발명 의 기본 범주를 벗어남이 없이 본 발명의 다른 실시예들과 추가적인 실시예들이 안출될 수 있으며, 그 범주는 이하의 청구범위에 의해 결정된다.
본 발명에 의하면, 개선된 포토마스크 제조 프로세스와 포토마스크들의 제조에서 프로세스 통합을 위한 개선된 클러스터 툴 및 방법을 제공할 수 있는 효과가 있다.

Claims (20)

  1. 제 1 처리 챔버에 대해 진공 환경을 갖는 전달(transfer) 챔버에 결합된, 제 1 처리 챔버, 제 2 처리 챔버 및 제 3 처리 챔버를 구비한 처리 시스템에서 기판을 전달하는 단계 - 상기 기판은 크롬층, 석영층, 하드 마스크 층 및 상기 하드 마스크 층에 형성된 패턴화된 포토레지스트 층을 갖는 막 적층부(film stack)를 포함함 -;
    상기 제 2 처리 챔버에서 에칭 마스크로서 상기 패턴화된 포토레지스트 층을 이용하여 상기 하드 마스크 층을 에칭하는 단계;
    상기 제 3 처리 챔버에서 에칭 마스크로서 상기 패턴화된 하드 마스크 층을 이용하여 상기 크롬층을 에칭하는 단계; 및
    상기 제 3 처리 챔버에서 상기 하드 마스크 층을 인-시튜(in-situ)로 제거하는 단계
    를 포함하는 포토마스크 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 시스템내에 있는 계측 모듈을 이용하여 상기 기판상에 형성된 피쳐(feature)의 임계 치수들(critical dimensions)을 측정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 측정 단계는 상기 시스템의 팩토리 인터페이스에 배치된 광학 계측 장치로 상기 기판을 전달하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조 방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 측정 단계는 상기 전달 챔버에 결합된 광학 계측 장치로 상기 기판을 전달하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조 방법.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 피쳐는 상기 포토레지스트 층, 상기 하드 마스크 층, 상기 크롬층 또는 상기 석영층 중 적어도 하나에 규정되는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 시스템내에 있는 계측 모듈을 이용하여 상기 포토레지스트 층에 형성된 제 1 피쳐의 임계 치수들을 측정하는 단계; 및
    상기 하드 마스크 층 또는 상기 크롬층 중 적어도 하나에 형성된 제 2 피쳐의 임계 치수를 측정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 3 처리 챔버에서 상기 하드 마스크 층을 인-시튜로 제거하는 단계는 상기 크롬층의 에칭 동안 상기 하드 마스크 층을 실질적으로 소모(consuming)시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 3 처리 챔버에서 상기 하드 마스크 층을 인-시튜로 제거하는 단계는 상기 크롬층의 에칭 이후 산소 함유 플라즈마를 이용하여 상기 하드 마스크 층을 소모시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 크롬층상에 제 2 패턴화된 포토레지스트 층을 형성하는 단계;
    에칭 마스크로서 상기 제 2 패턴화된 포토레지스트 층을 이용하여 상기 석영층을 노출시키도록 상기 크롬층을 통해 개구들을 에칭하는 단계; 및
    석영 위상 시프트 포토마스크를 형성하기 위해 상기 크롬층을 통해 형성된 상기 개구들을 통해 상기 석영층을 에칭하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조 방법.
  10. 제 1 처리 챔버에 대해 진공 환경을 갖는 전달 챔버에 결합된, 제 1 처리 챔버, 제 2 처리 챔버 및 제 3 처리 챔버를 구비한 처리 시스템에서 기판을 전달하는 단계 - 상기 기판은 크롬층 및 석영층을 갖는 막 적층부를 포함함 -;
    상기 제 1 처리 챔버에서 상기 막 적층부 상에 하드 마스크 층을 증착하는 단계;
    상기 막 적층부 상에 형성된 패턴화된 포토레지스트 층을 갖도록 상기 처리 시스템으로부터 상기 기판을 제거하는 단계;
    상기 패턴화된 포토레지스트 층을 갖는 기판을 상기 처리 시스템으로 리턴시키는 단계;
    상기 제 2 처리 챔버에서 에칭 마스크로서 상기 패턴화된 포토레지스트 층을 이용하여 상기 하드 마스크 층을 에칭하는 단계; 및
    상기 제 3 처리 챔버에서 에칭 마스크로서 상기 패턴화된 하드 마스크 층을 이용하여 상기 크롬층을 에칭하는 단계
    를 포함하는 포토마스크 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 처리 시스템에서 상기 하드 마스크 층을 인-시튜로 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 하드 마스크 층을 제거하는 단계는 상기 제 3 처리 챔버에서 상기 하드 마스크 층을 인-시튜로 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조 방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 하드 마스크 층을 제거하는 단계는,
    상기 전달 챔버에 결합된 제 4 처리 챔버로 상기 기판을 전달하는 단계; 및
    상기 제 4 처리 챔버에서 상기 하드 마스크 층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 하드 마스크 층을 제거하는 단계는,
    상기 제 4 처리 챔버로부터 떨어진 적어도 하나의 가스를 원격으로 여기(excite)시키는 단계; 및
    상기 제 4 처리 챔버로 상기 여기된 가스를 유동시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 여기시키는 단계는 산소 함유 가스를 여기시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조 방법.
  16. 제 10 항에 있어서,
    상기 시스템내에 있는 계측 모듈을 이용하여 상기 기판상에 형성된 피쳐의 임계 치수들을 측정하는 단계; 및
    상기 측정들이 수행되는 상기 기판 또는 후속하여 처리되는 기판 중 적어도 하나의 처리를 조절하기 위해 상기 측정 단계로부터의 데이터를 사용하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 피쳐는 상기 포토레지스트 층, 상기 하드 마스크 층, 상기 크롬층 또는 상기 석영층 중 적어도 하나에 규정되는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조 방법.
  18. 제 10 항에 있어서,
    상기 시스템내에 있는 계측 모듈을 이용하여 상기 포토레지스트 층 상에 형성된 제 1 피쳐의 임계 치수들을 측정하는 단계; 및
    상기 하드 마스크 층 또는 상기 크롬층 중 적어도 하나에 형성된 제 2 피쳐의 임계 치수를 측정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조 방법.
  19. 포토마스크의 제조에서 프로세스 통합을 촉진시키는 클러스터 툴로서,
    진공 전달 챔버;
    상기 전달 챔버에 결합되고 하드 마스크 물질을 증착하도록 구성된 적어도 하나의 화학적 기상 증착 챔버;
    상기 전달 챔버에 결합되고 상기 하드 마스크 물질을 에칭하도록 구성되는 적어도 하나의 제 1 에칭 반응기;
    상기 전달 챔버에 결합되고 크롬을 에칭하도록 구성되는 적어도 하나의 제 2 에칭 반응기;
    상기 전달 챔버에 결합된 적어도 하나의 애슁(ashing) 반응기;
    상기 전달 챔버에 배치되고 상기 화학적 기상 증착 챔버, 상기 에칭 반응기들 및 상기 애슁 반응기 사이에서 기판들을 전달하도록 구성되는 로봇; 및
    다수의 명령어들을 갖는 제어기 - 상기 명렁어들은 실행시,
    a) 상기 화학적 기상 증착 챔버에서 하드 마스크 층을 증착하는 단계,
    b) 상기 제 1 에칭 반응기에서 상기 하드 마스크 층을 에칭하는 단계,
    c) 상기 제 1 에칭 반응기에서 상기 크롬층을 에칭하는 단계, 및
    d) 상기 애슁 반응기에서 상기 하드 마스크 층을 제거하는 단계를 상기 클러스터 툴이 수행하도록 함 -
    를 포함하는 클러스터 툴.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 전달 챔버에 결합된 적어도 하나의 로드 락 챔버;
    상기 적어도 하나의 로드 락 챔버에 결합된 팩토리 인터페이스; 및
    상기 팩토리 인터페이스에 배치된 비파괴 광학 계측 모듈을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 클러스터 툴.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101145032B1 (ko) 2010-06-14 2012-05-11 주식회사 피케이엘 포토마스크 제조 방법

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7431795B2 (en) * 2004-07-29 2008-10-07 Applied Materials, Inc. Cluster tool and method for process integration in manufacture of a gate structure of a field effect transistor
US7829471B2 (en) * 2005-07-29 2010-11-09 Applied Materials, Inc. Cluster tool and method for process integration in manufacturing of a photomask
US20070031609A1 (en) * 2005-07-29 2007-02-08 Ajay Kumar Chemical vapor deposition chamber with dual frequency bias and method for manufacturing a photomask using the same
US7375038B2 (en) * 2005-09-28 2008-05-20 Applied Materials, Inc. Method for plasma etching a chromium layer through a carbon hard mask suitable for photomask fabrication
DE102006004430B4 (de) * 2006-01-31 2010-06-10 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Verfahren und System für eine fortschrittliche Prozesssteuerung in einem Ätzsystem durch Gasflusssteuerung auf der Grundlage von CD-Messungen
KR101150142B1 (ko) * 2006-04-06 2012-06-11 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 대형 기판 상에 아연 산화물 투명 전도성 산화물의 반응성 스퍼터링
US7373215B2 (en) * 2006-08-31 2008-05-13 Advanced Micro Devices, Inc. Transistor gate shape metrology using multiple data sources
US9216850B2 (en) 2006-09-26 2015-12-22 Intercontinental Great Brands Llc Rupturable substrate
JP2010504892A (ja) * 2006-09-26 2010-02-18 キャドバリー アダムス ユーエスエー エルエルシー 破裂可能なブリスター包装
US7694688B2 (en) 2007-01-05 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Wet clean system design
KR100862315B1 (ko) * 2007-03-23 2008-10-13 주식회사 하이닉스반도체 마스크 리워크 방법
KR101603180B1 (ko) * 2007-08-02 2016-03-15 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 박막 반도체 물질들을 이용하는 박막 트랜지스터들
KR100972860B1 (ko) * 2007-09-18 2010-07-28 주식회사 하이닉스반도체 포토마스크의 제조 방법
KR100924342B1 (ko) * 2007-10-15 2009-10-30 주식회사 하이닉스반도체 포토마스크의 결함 수정 방법
US8980066B2 (en) * 2008-03-14 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Thin film metal oxynitride semiconductors
WO2009117438A2 (en) * 2008-03-20 2009-09-24 Applied Materials, Inc. Process to make metal oxide thin film transistor array with etch stopping layer
US20090325387A1 (en) * 2008-06-26 2009-12-31 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for in-situ chamber dry clean during photomask plasma etching
US8258511B2 (en) * 2008-07-02 2012-09-04 Applied Materials, Inc. Thin film transistors using multiple active channel layers
US8232212B2 (en) * 2008-07-11 2012-07-31 Applied Materials, Inc. Within-sequence metrology based process tuning for adaptive self-aligned double patterning
JP4989800B2 (ja) * 2008-09-27 2012-08-01 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク及び転写用マスクの製造方法
JP4853684B2 (ja) * 2009-03-31 2012-01-11 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスク
WO2011037829A2 (en) 2009-09-24 2011-03-31 Applied Materials, Inc. Methods of fabricating metal oxide or metal oxynitride tfts using wet process for source-drain metal etch
US8840763B2 (en) * 2009-09-28 2014-09-23 Applied Materials, Inc. Methods for stable process in a reactive sputtering process using zinc or doped zinc target
JP5823742B2 (ja) 2010-07-02 2015-11-25 芝浦メカトロニクス株式会社 把持装置、搬送装置、処理装置、および電子デバイスの製造方法
JP5916056B2 (ja) * 2010-08-23 2016-05-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
TWI490351B (zh) * 2010-12-29 2015-07-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 鍍膜件及其製備方法
CN104752152B (zh) * 2013-12-29 2018-07-06 北京北方华创微电子装备有限公司 一种沟槽刻蚀方法及刻蚀装置
WO2015122981A1 (en) * 2014-02-11 2015-08-20 Applied Materials, Inc. Cleaning process for cleaning amorphous carbon deposition residuals using low rf bias frequency applications
KR102347185B1 (ko) * 2015-02-03 2022-01-04 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
JP6806704B2 (ja) 2015-05-22 2021-01-06 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 方位角方向に調整可能なマルチゾーン静電チャック
US9659771B2 (en) * 2015-06-11 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Conformal strippable carbon film for line-edge-roughness reduction for advanced patterning
KR102624985B1 (ko) 2016-07-26 2024-01-16 삼성전자주식회사 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 그 제조방법
KR20230117764A (ko) * 2017-01-05 2023-08-09 매직 립, 인코포레이티드 플라즈마 에칭에 의한 고굴절률 유리들의 패터닝
US10840068B2 (en) * 2017-02-15 2020-11-17 Yield Engineering Systems, Inc. Plasma spreading apparatus and method of spreading plasma in process ovens
US10563304B2 (en) * 2017-04-07 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for dynamically treating atomic layer deposition films in physical vapor deposition chambers
US10796912B2 (en) * 2017-05-16 2020-10-06 Lam Research Corporation Eliminating yield impact of stochastics in lithography
DE102017215995B4 (de) * 2017-09-11 2021-05-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Untersuchung von photolithographischen Masken
CN109062002A (zh) * 2018-09-29 2018-12-21 深圳清溢光电股份有限公司 干法蚀刻制备6代ltps用psm
US11640909B2 (en) * 2018-12-14 2023-05-02 Applied Materials, Inc. Techniques and apparatus for unidirectional hole elongation using angled ion beams
WO2022265874A1 (en) * 2021-06-17 2022-12-22 Tokyo Electron Limited Dry resist system and method of using

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010079978A (ko) * 1998-10-03 2001-08-22 조셉 제이. 스위니 다중 챔버 반도체 웨이퍼 처리 시스템중 전이 챔버를사용하여 반도체 웨이퍼상에 재료를 증착하기 위한 방법및 장치
KR20040044624A (ko) * 2002-11-21 2004-05-31 주성엔지니어링(주) 다중 클러스터 장치

Family Cites Families (91)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4579618A (en) * 1984-01-06 1986-04-01 Tegal Corporation Plasma reactor apparatus
JPS61138256A (ja) * 1984-12-10 1986-06-25 Toshiba Corp マスクパタ−ンの形成方法
US4585516A (en) * 1985-03-04 1986-04-29 Tegal Corporation Variable duty cycle, multiple frequency, plasma reactor
JPS63173051A (ja) * 1987-01-13 1988-07-16 Fujitsu Ltd ハ−ドブランクス
US5316616A (en) * 1988-02-09 1994-05-31 Fujitsu Limited Dry etching with hydrogen bromide or bromine
US5556501A (en) * 1989-10-03 1996-09-17 Applied Materials, Inc. Silicon scavenger in an inductively coupled RF plasma reactor
JPH05166915A (ja) 1991-12-18 1993-07-02 Nippon Steel Corp 半導体製造装置
US5280154A (en) 1992-01-30 1994-01-18 International Business Machines Corporation Radio frequency induction plasma processing system utilizing a uniform field coil
JP3176118B2 (ja) 1992-03-27 2001-06-11 株式会社東芝 多室型基板処理装置
US5273610A (en) * 1992-06-23 1993-12-28 Association Institutions For Material Sciences, Inc. Apparatus and method for determining power in plasma processing
JP3251087B2 (ja) 1993-02-16 2002-01-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JPH0749558A (ja) 1993-08-05 1995-02-21 Sony Corp 位相シフトマスクの作製方法
JPH0766265A (ja) * 1993-08-30 1995-03-10 Hitachi Ltd 製造装置
KR0128827B1 (ko) * 1993-12-31 1998-04-07 김주용 위상반전마스크 제조방법
US5512130A (en) * 1994-03-09 1996-04-30 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus of etching a clean trench in a semiconductor material
US6252354B1 (en) * 1996-11-04 2001-06-26 Applied Materials, Inc. RF tuning method for an RF plasma reactor using frequency servoing and power, voltage, current or DI/DT control
US5925494A (en) * 1996-02-16 1999-07-20 Massachusetts Institute Of Technology Vapor deposition of polymer films for photolithography
JP3472022B2 (ja) * 1996-03-18 2003-12-02 株式会社東芝 フォトマスクの作成方法
JP3319568B2 (ja) * 1996-05-20 2002-09-03 株式会社東芝 プラズマエッチング方法
US5689215A (en) * 1996-05-23 1997-11-18 Lam Research Corporation Method of and apparatus for controlling reactive impedances of a matching network connected between an RF source and an RF plasma processor
US6500314B1 (en) * 1996-07-03 2002-12-31 Tegal Corporation Plasma etch reactor and method
JP3220383B2 (ja) * 1996-07-23 2001-10-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びその方法
KR100205318B1 (ko) * 1996-10-11 1999-07-01 구본준 자유전율의 절연막 제조방법
EP0840350A2 (en) 1996-11-04 1998-05-06 Applied Materials, Inc. Plasma apparatus and process with filtering of plasma sheath-generated harmonics
US5889252A (en) * 1996-12-19 1999-03-30 Lam Research Corporation Method of and apparatus for independently controlling electric parameters of an impedance matching network
US5899252A (en) * 1997-07-18 1999-05-04 Freud Usa, Inc. Router bit and routing method
US5959325A (en) * 1997-08-21 1999-09-28 International Business Machines Corporation Method for forming cornered images on a substrate and photomask formed thereby
US6635185B2 (en) * 1997-12-31 2003-10-21 Alliedsignal Inc. Method of etching and cleaning using fluorinated carbonyl compounds
US6112697A (en) 1998-02-19 2000-09-05 Micron Technology, Inc. RF powered plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and methods
US6080132A (en) * 1998-02-27 2000-06-27 Abbott Laboratories Apparatus for altering characteristics of a fluid
US6122566A (en) * 1998-03-03 2000-09-19 Applied Materials Inc. Method and apparatus for sequencing wafers in a multiple chamber, semiconductor wafer processing system
US6060132A (en) * 1998-06-15 2000-05-09 Siemens Aktiengesellschaft High density plasma CVD process for making dielectric anti-reflective coatings
TW434636B (en) * 1998-07-13 2001-05-16 Applied Komatsu Technology Inc RF matching network with distributed outputs
US6171764B1 (en) * 1998-08-22 2001-01-09 Chia-Lin Ku Method for reducing intensity of reflected rays encountered during process of photolithography
US6642149B2 (en) * 1998-09-16 2003-11-04 Tokyo Electron Limited Plasma processing method
US6635583B2 (en) * 1998-10-01 2003-10-21 Applied Materials, Inc. Silicon carbide deposition for use as a low-dielectric constant anti-reflective coating
JP2000138201A (ja) * 1998-10-29 2000-05-16 Ulvac Seimaku Kk ハーフトーン位相シフト膜のドライエッチング方法および装置、ハーフトーン位相シフトフォトマスクおよびその作製方法、ならびに半導体回路およびその製作方法
EP1011135A3 (en) 1998-12-14 2000-07-26 Conexant Systems, Inc. Semiconductor interconnect structure employing a pecvd inorganic dielectric layer and process for making same
US6259334B1 (en) * 1998-12-22 2001-07-10 Lam Research Corporation Methods for controlling an RF matching network
US6251217B1 (en) * 1999-01-27 2001-06-26 Applied Materials, Inc. Reticle adapter for a reactive ion etch system
KR100322545B1 (ko) * 1999-02-10 2002-03-18 윤종용 건식 세정 공정을 전 공정으로 이용하는 반도체 장치의콘택홀 채움 방법
US6228760B1 (en) * 1999-03-08 2001-05-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Use of PE-SiON or PE-OXIDE for contact or via photo and for defect reduction with oxide and W chemical-mechanical polish
JP3531666B2 (ja) * 1999-03-19 2004-05-31 シャープ株式会社 位相シフトマスク及びその製造方法
US6472107B1 (en) * 1999-09-30 2002-10-29 Photronics, Inc. Disposable hard mask for photomask plasma etching
US6682861B2 (en) * 1999-09-30 2004-01-27 Photronics, Inc. Disposable hard mask for phase shift photomask plasma etching
US20010013313A1 (en) * 2000-02-10 2001-08-16 Motorola, Inc. Apparatus for fabricating semiconductor structures and method of forming the structures
US6573030B1 (en) * 2000-02-17 2003-06-03 Applied Materials, Inc. Method for depositing an amorphous carbon layer
US6527968B1 (en) * 2000-03-27 2003-03-04 Applied Materials Inc. Two-stage self-cleaning silicon etch process
JP3976981B2 (ja) * 2000-03-30 2007-09-19 キヤノン株式会社 露光装置、ガス置換方法、デバイス製造方法
US6507155B1 (en) * 2000-04-06 2003-01-14 Applied Materials Inc. Inductively coupled plasma source with controllable power deposition
JP2001338964A (ja) 2000-05-26 2001-12-07 Hitachi Ltd 試料処理装置および処理方法
US6607984B1 (en) * 2000-06-20 2003-08-19 International Business Machines Corporation Removable inorganic anti-reflection coating process
KR20020009410A (ko) * 2000-07-25 2002-02-01 포만 제프리 엘 3원 리소그래픽 ａｔｔ-ＰＳＭ 포토마스크 및 그 제조 방법
US6451705B1 (en) * 2000-08-31 2002-09-17 Micron Technology, Inc. Self-aligned PECVD etch mask
US6465366B1 (en) * 2000-09-12 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Dual frequency plasma enhanced chemical vapor deposition of silicon carbide layers
US6887339B1 (en) * 2000-09-20 2005-05-03 Applied Science And Technology, Inc. RF power supply with integrated matching network
US6391794B1 (en) * 2000-12-07 2002-05-21 Micron Technology, Inc. Composition and method for cleaning residual debris from semiconductor surfaces
JP3897582B2 (ja) 2000-12-12 2007-03-28 キヤノン株式会社 真空処理方法、真空処理装置、半導体装置の製造方法および半導体装置
DE10100822C2 (de) 2001-01-10 2003-04-10 Infineon Technologies Ag Plasmaätzverfahren für MoSi(ON)-Schichten
US20020172766A1 (en) * 2001-03-17 2002-11-21 Laxman Ravi K. Low dielectric constant thin films and chemical vapor deposition method of making same
US20020197509A1 (en) * 2001-04-19 2002-12-26 Carcia Peter Francis Ion-beam deposition process for manufacturing multi-layered attenuated phase shift photomask blanks
JP2003060008A (ja) 2001-05-21 2003-02-28 Tokyo Electron Ltd 処理装置、移載装置、移載方法
JP2002351046A (ja) * 2001-05-24 2002-12-04 Nec Corp 位相シフトマスクおよびその設計方法
JP2003073836A (ja) 2001-08-28 2003-03-12 Canon Inc 真空処理方法及び真空処理装置
CN1158570C (zh) * 2001-09-13 2004-07-21 ***电子第十三研究所 用一次光刻产生t形栅的移相掩模光刻方法
US20030077910A1 (en) * 2001-10-22 2003-04-24 Russell Westerman Etching of thin damage sensitive layers using high frequency pulsed plasma
JP2003133294A (ja) * 2001-10-30 2003-05-09 Mitsubishi Electric Corp エッチング装置およびエッチング方法
US6790770B2 (en) * 2001-11-08 2004-09-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Method for preventing photoresist poisoning
US6887340B2 (en) 2001-11-13 2005-05-03 Lam Research Corporation Etch rate uniformity
DE10307518B4 (de) * 2002-02-22 2011-04-14 Hoya Corp. Halbtonphasenschiebermaskenrohling, Halbtonphasenschiebermaske und Verfahren zu deren Herstellung
KR20040012451A (ko) 2002-05-14 2004-02-11 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 포토리소그래픽 레티클을 에칭하는 방법
US6500756B1 (en) * 2002-06-28 2002-12-31 Advanced Micro Devices, Inc. Method of forming sub-lithographic spaces between polysilicon lines
US20050181604A1 (en) * 2002-07-11 2005-08-18 Hans-Peter Sperlich Method for structuring metal by means of a carbon mask
US6864020B1 (en) * 2002-12-24 2005-03-08 Lsi Logic Corporation Chromeless phase shift mask using non-linear optical materials
US7314690B2 (en) * 2003-04-09 2008-01-01 Hoya Corporation Photomask producing method and photomask blank
US7077973B2 (en) * 2003-04-18 2006-07-18 Applied Materials, Inc. Methods for substrate orientation
US7894348B2 (en) * 2003-07-21 2011-02-22 Qlogic, Corporation Method and system for congestion control in a fibre channel switch
KR100546365B1 (ko) * 2003-08-18 2006-01-26 삼성전자주식회사 블랭크 포토마스크 및 이를 사용한 포토마스크의 제조방법
US7024105B2 (en) * 2003-10-10 2006-04-04 Applied Materials Inc. Substrate heater assembly
US7128806B2 (en) * 2003-10-21 2006-10-31 Applied Materials, Inc. Mask etch processing apparatus
US7838430B2 (en) * 2003-10-28 2010-11-23 Applied Materials, Inc. Plasma control using dual cathode frequency mixing
US7879185B2 (en) * 2003-12-18 2011-02-01 Applied Materials, Inc. Dual frequency RF match
KR100641952B1 (ko) * 2004-02-06 2006-11-02 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
JP2005286102A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置および真空処理方法
US20060000802A1 (en) 2004-06-30 2006-01-05 Ajay Kumar Method and apparatus for photomask plasma etching
US8293430B2 (en) * 2005-01-27 2012-10-23 Applied Materials, Inc. Method for etching a molybdenum layer suitable for photomask fabrication
US7534469B2 (en) * 2005-03-31 2009-05-19 Asm Japan K.K. Semiconductor-processing apparatus provided with self-cleaning device
US20070031609A1 (en) * 2005-07-29 2007-02-08 Ajay Kumar Chemical vapor deposition chamber with dual frequency bias and method for manufacturing a photomask using the same
US7829471B2 (en) * 2005-07-29 2010-11-09 Applied Materials, Inc. Cluster tool and method for process integration in manufacturing of a photomask
US7375038B2 (en) * 2005-09-28 2008-05-20 Applied Materials, Inc. Method for plasma etching a chromium layer through a carbon hard mask suitable for photomask fabrication
NL1035728C2 (en) 2008-07-21 2010-01-22 Magneto Special Anodes B V Device and method for improved electrochemical cell.

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010079978A (ko) * 1998-10-03 2001-08-22 조셉 제이. 스위니 다중 챔버 반도체 웨이퍼 처리 시스템중 전이 챔버를사용하여 반도체 웨이퍼상에 재료를 증착하기 위한 방법및 장치
KR20040044624A (ko) * 2002-11-21 2004-05-31 주성엔지니어링(주) 다중 클러스터 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101145032B1 (ko) 2010-06-14 2012-05-11 주식회사 피케이엘 포토마스크 제조 방법

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