JPH05166915A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH05166915A JPH05166915A JP35366691A JP35366691A JPH05166915A JP H05166915 A JPH05166915 A JP H05166915A JP 35366691 A JP35366691 A JP 35366691A JP 35366691 A JP35366691 A JP 35366691A JP H05166915 A JPH05166915 A JP H05166915A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- film
- semiconductor
- lock chamber
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 腐食のない金属膜を有する半導体装置を製造
することができる半導体製造装置を提供する。 【構成】 ロードロックチャンバ１１の周囲に、エッチ
ングチャンバ１２とアッシング兼ベーキングチャンバ１
３とＣＶＤチャンバ１４とが、ロードロックチャンバ１
１に通じる様に順次に配されている。ロードロックチャ
ンバ１１内には、チャンバ１２〜１４に対して半導体ウ
ェハ１６のロード及びアンロードを行うためのロボット
１７が設けられている。このため、金属膜をエッチング
した後、高真空ベークを行い、パッシベーション膜を形
成する過程を、半導体ウェハを大気に曝すことなく、イ
ンラインで行うことができる。
することができる半導体製造装置を提供する。 【構成】 ロードロックチャンバ１１の周囲に、エッチ
ングチャンバ１２とアッシング兼ベーキングチャンバ１
３とＣＶＤチャンバ１４とが、ロードロックチャンバ１
１に通じる様に順次に配されている。ロードロックチャ
ンバ１１内には、チャンバ１２〜１４に対して半導体ウ
ェハ１６のロード及びアンロードを行うためのロボット
１７が設けられている。このため、金属膜をエッチング
した後、高真空ベークを行い、パッシベーション膜を形
成する過程を、半導体ウェハを大気に曝すことなく、イ
ンラインで行うことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置、特
に、金属膜を有する半導体装置を製造するための半導体
製造装置に関するものである。
に、金属膜を有する半導体装置を製造するための半導体
製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置では、シート抵抗が低く、Ｓ
ｉに対してオーミックコンタクトの形成が容易であり、
ＳｉＯ2 膜等の絶縁膜に対する密着性も良い等の理由か
ら、Ａｌ膜から成る配線が多く用いられている。また、
Ａｌ膜よりも熱処理プロセスに対する制約が少なく且つ
マイグレーション耐性も高いＣｕ膜を用いることも考え
られている。
ｉに対してオーミックコンタクトの形成が容易であり、
ＳｉＯ2 膜等の絶縁膜に対する密着性も良い等の理由か
ら、Ａｌ膜から成る配線が多く用いられている。また、
Ａｌ膜よりも熱処理プロセスに対する制約が少なく且つ
マイグレーション耐性も高いＣｕ膜を用いることも考え
られている。
【０００３】上記の様な金属膜を有する半導体装置を製
造するために、従来は、これらの金属膜をスパッタリン
グ等によって堆積させた後、残すべきパターン部以外の
部分を塩化物等として昇華させるエッチングをエッチン
グ装置によって行い、残存している塩化物の昇華を促進
するための高真空ベークをベーキング装置によって行
い、更にＣＶＤ装置によってパッシベーション膜を形成
していた。
造するために、従来は、これらの金属膜をスパッタリン
グ等によって堆積させた後、残すべきパターン部以外の
部分を塩化物等として昇華させるエッチングをエッチン
グ装置によって行い、残存している塩化物の昇華を促進
するための高真空ベークをベーキング装置によって行
い、更にＣＶＤ装置によってパッシベーション膜を形成
していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のエッ
チング、高真空ベーク及びＣＶＤを上述の様な別個の半
導体製造装置を用いて行うと、一つの処理が終了する毎
に、半導体ウェハをその半導体製造装置から取り出して
次の半導体製造装置まで搬送する必要がある。このた
め、これらの処理をインラインで行うことができず、搬
送の途中で半導体ウェハが大気に曝される。
チング、高真空ベーク及びＣＶＤを上述の様な別個の半
導体製造装置を用いて行うと、一つの処理が終了する毎
に、半導体ウェハをその半導体製造装置から取り出して
次の半導体製造装置まで搬送する必要がある。このた
め、これらの処理をインラインで行うことができず、搬
送の途中で半導体ウェハが大気に曝される。
【０００５】一方、金属の塩化物、特にＣｕの塩化物
は、蒸気圧が低いので昇華しにくい。このため、エッチ
ングの終了直後は勿論、高真空ベークを行った後でさえ
も、塩化物が完全には昇華せずに半導体ウェハ上に残存
している。この結果、この状態の半導体ウェハが大気に
曝されると、大気中の水分が塩化物等に吸着して、金属
膜が腐食される。
は、蒸気圧が低いので昇華しにくい。このため、エッチ
ングの終了直後は勿論、高真空ベークを行った後でさえ
も、塩化物が完全には昇華せずに半導体ウェハ上に残存
している。この結果、この状態の半導体ウェハが大気に
曝されると、大気中の水分が塩化物等に吸着して、金属
膜が腐食される。
【０００６】従って、本発明は、金属膜をエッチングし
た後、高真空ベークを行い、パッシベーション膜を形成
する過程を、半導体ウェハを大気に曝すことなく、イン
ラインで行うことができるので、腐食のない金属膜を有
する半導体装置を製造することができる半導体製造装置
を提供することを目的としている。
た後、高真空ベークを行い、パッシベーション膜を形成
する過程を、半導体ウェハを大気に曝すことなく、イン
ラインで行うことができるので、腐食のない金属膜を有
する半導体装置を製造することができる半導体製造装置
を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体製造
装置では、エッチングチャンバとアッシング兼ベーキン
グチャンバとＣＶＤチャンバとの各々がロードロックチ
ャンバに通じており、前記エッチングチャンバ、アッシ
ング兼ベーキングチャンバ及びＣＶＤチャンバの各々と
前記ロードロックチャンバとの間で半導体ウェハを搬送
する搬送手段が設けられている。
装置では、エッチングチャンバとアッシング兼ベーキン
グチャンバとＣＶＤチャンバとの各々がロードロックチ
ャンバに通じており、前記エッチングチャンバ、アッシ
ング兼ベーキングチャンバ及びＣＶＤチャンバの各々と
前記ロードロックチャンバとの間で半導体ウェハを搬送
する搬送手段が設けられている。
【０００８】
【作用】本発明による半導体製造装置では、半導体ウェ
ハを大気に曝すことなく、エッチングとアッシング及び
ベーキングの少なくとも一方とＣＶＤとをインラインで
行うことができる。従って、Ｃｕ膜やＡｌ膜等の金属膜
をエッチングした後、高真空ベークを行い、パッシベー
ション膜を形成する過程を、半導体ウェハを大気に曝す
ことなく、インラインで行うことができる。
ハを大気に曝すことなく、エッチングとアッシング及び
ベーキングの少なくとも一方とＣＶＤとをインラインで
行うことができる。従って、Ｃｕ膜やＡｌ膜等の金属膜
をエッチングした後、高真空ベークを行い、パッシベー
ション膜を形成する過程を、半導体ウェハを大気に曝す
ことなく、インラインで行うことができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例を、図１を参照しな
がら説明する。
がら説明する。
【００１０】本実施例の半導体製造装置では、図１に示
す様に、中央部に１個のロードロックチャンバ１１が設
けられている。このロードロックチャンバ１１の周囲に
は、エッチングチャンバ１２とアッシング兼ベーキング
チャンバ１３とＣＶＤチャンバ１４とが、ロードロック
チャンバ１１に通じる様に順次に配されている。また、
ロードロックチャンバ１１の外側は、ウェハキャリア１
５が保持される様に構成されている。
す様に、中央部に１個のロードロックチャンバ１１が設
けられている。このロードロックチャンバ１１の周囲に
は、エッチングチャンバ１２とアッシング兼ベーキング
チャンバ１３とＣＶＤチャンバ１４とが、ロードロック
チャンバ１１に通じる様に順次に配されている。また、
ロードロックチャンバ１１の外側は、ウェハキャリア１
５が保持される様に構成されている。
【００１１】ロードロックチャンバ１１内には、半導体
ウェハ１６を搬送するためのロボット１７が設けられて
おり、また図示されてはいないが処理前及び処理後の数
枚ずつの半導体ウェハ１６を収納するストレージエレベ
ータが設けられている。更に、ロードロックチャンバ１
１外には、図示されていないが、ウェハキャリア１５と
ストレージエレベータとの間で半導体ウェハ１６のやり
とりを行うためのロボットが設けられている。
ウェハ１６を搬送するためのロボット１７が設けられて
おり、また図示されてはいないが処理前及び処理後の数
枚ずつの半導体ウェハ１６を収納するストレージエレベ
ータが設けられている。更に、ロードロックチャンバ１
１外には、図示されていないが、ウェハキャリア１５と
ストレージエレベータとの間で半導体ウェハ１６のやり
とりを行うためのロボットが設けられている。
【００１２】ロボット１７は、ロードロックチャンバ１
１の中心の周りを回動可能であり、またストレージエレ
ベータ、エッチングチャンバ１２、アッシング兼ベーキ
ングチャンバ１３及びＣＶＤチャンバ１４に対して半導
体ウェハ１６のロード及びアンロードを行うために、こ
れらに対して接近及び退避が可能である。
１の中心の周りを回動可能であり、またストレージエレ
ベータ、エッチングチャンバ１２、アッシング兼ベーキ
ングチャンバ１３及びＣＶＤチャンバ１４に対して半導
体ウェハ１６のロード及びアンロードを行うために、こ
れらに対して接近及び退避が可能である。
【００１３】次に、以上の様な本実施例の半導体製造装
置を用いて、Ｃｕ膜を有する半導体装置を製造する工程
について説明する。この製造工程では、スパッタリング
等によってＣｕ膜を堆積させ且つこのＣｕ膜をパターニ
ングするためのマスクをＣｕ膜上に形成した半導体ウェ
ハ１６をウェハキャリア１５に装填し、図１に示す様
に、ロードロックチャンバ１１の外側にウェハキャリア
１５を保持させる。
置を用いて、Ｃｕ膜を有する半導体装置を製造する工程
について説明する。この製造工程では、スパッタリング
等によってＣｕ膜を堆積させ且つこのＣｕ膜をパターニ
ングするためのマスクをＣｕ膜上に形成した半導体ウェ
ハ１６をウェハキャリア１５に装填し、図１に示す様
に、ロードロックチャンバ１１の外側にウェハキャリア
１５を保持させる。
【００１４】その後、ロードロックチャンバ１１外のロ
ボットでウェハキャリア１５からストレージエレベータ
へ半導体ウェハ１６を移し、ロードロックチャンバ１１
内を真空状態にする。そして、ロボット１７で半導体ウ
ェハ１６をストレージエレベータから取り出してエッチ
ングチャンバ１２へロードし、このエッチングチャンバ
１２内でＣｕ膜を数分でドライエッチングする。
ボットでウェハキャリア１５からストレージエレベータ
へ半導体ウェハ１６を移し、ロードロックチャンバ１１
内を真空状態にする。そして、ロボット１７で半導体ウ
ェハ１６をストレージエレベータから取り出してエッチ
ングチャンバ１２へロードし、このエッチングチャンバ
１２内でＣｕ膜を数分でドライエッチングする。
【００１５】ドライエッチングが終了すると、ロボット
１７で半導体ウェハ１６をエッチングチャンバ１２から
ロードロックチャンバ１１へアンロードし、続いて今度
はアッシング兼ベーキングチャンバ１３へロードする。
Ｃｕ膜上に形成したマスクがレジスト等の有機物マスク
である場合は、アッシングを行ってこの有機物マスクを
剥離してから３分程度の高真空ベークを行う。Ｃｕ膜上
に形成したマスクがＳｉＯ2 膜等の無機物マスクである
場合は、剥離の必要がないのでアッシングは行わず、直
ちに高真空ベークを行う。
１７で半導体ウェハ１６をエッチングチャンバ１２から
ロードロックチャンバ１１へアンロードし、続いて今度
はアッシング兼ベーキングチャンバ１３へロードする。
Ｃｕ膜上に形成したマスクがレジスト等の有機物マスク
である場合は、アッシングを行ってこの有機物マスクを
剥離してから３分程度の高真空ベークを行う。Ｃｕ膜上
に形成したマスクがＳｉＯ2 膜等の無機物マスクである
場合は、剥離の必要がないのでアッシングは行わず、直
ちに高真空ベークを行う。
【００１６】高真空ベークが終了すると、ロボット１７
で半導体ウェハ１６をアッシング兼ベーキングチャンバ
１３からロードロックチャンバ１１へアンロードし、続
いて今度はＣＶＤチャンバ１４へロードする。そして、
数分間のプラズマＣＶＤを行って、パターニング済のＣ
ｕ膜上にパッシベーション膜を形成する。
で半導体ウェハ１６をアッシング兼ベーキングチャンバ
１３からロードロックチャンバ１１へアンロードし、続
いて今度はＣＶＤチャンバ１４へロードする。そして、
数分間のプラズマＣＶＤを行って、パターニング済のＣ
ｕ膜上にパッシベーション膜を形成する。
【００１７】プラズマＣＶＤが終了すると、ロボット１
７で半導体ウェハ１６をＣＶＤチャンバ１４からロード
ロックチャンバ１１へアンロードし、そのままストレー
ジエレベータへ半導体ウェハ１６を移す。ストレージエ
レベータ内の総ての半導体ウェハ１６について以上の様
な処理が終了すると、ロードロックチャンバ１１外のロ
ボットでストレージエレベータからウェハキャリア１５
へ半導体ウェハ１６を移す。
７で半導体ウェハ１６をＣＶＤチャンバ１４からロード
ロックチャンバ１１へアンロードし、そのままストレー
ジエレベータへ半導体ウェハ１６を移す。ストレージエ
レベータ内の総ての半導体ウェハ１６について以上の様
な処理が終了すると、ロードロックチャンバ１１外のロ
ボットでストレージエレベータからウェハキャリア１５
へ半導体ウェハ１６を移す。
【００１８】
【発明の効果】本発明による半導体製造装置では、金属
膜をエッチングした後、高真空ベークを行い、パッシベ
ーション膜を形成する過程を、半導体ウェハを大気に曝
すことなく、インラインで行うことができるので、腐食
のない金属膜を有する半導体装置を製造することができ
る。
膜をエッチングした後、高真空ベークを行い、パッシベ
ーション膜を形成する過程を、半導体ウェハを大気に曝
すことなく、インラインで行うことができるので、腐食
のない金属膜を有する半導体装置を製造することができ
る。
【図１】本発明の一実施例の概略的な平面図である。
１１ ロードロックチャンバ １２ エッチングチャンバ １３ アッシング兼ベーキングチャンバ １４ ＣＶＤチャンバ １６ 半導体ウェハ １７ ロボット
Claims (1)
- 【請求項１】 エッチングチャンバとアッシング兼ベー
キングチャンバとＣＶＤチャンバとの各々がロードロッ
クチャンバに通じており、 前記エッチングチャンバ、アッシング兼ベーキングチャ
ンバ及びＣＶＤチャンバの各々と前記ロードロックチャ
ンバとの間で半導体ウェハを搬送する搬送手段が設けら
れていることを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35366691A JPH05166915A (ja) | 1991-12-18 | 1991-12-18 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35366691A JPH05166915A (ja) | 1991-12-18 | 1991-12-18 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05166915A true JPH05166915A (ja) | 1993-07-02 |
Family
ID=18432397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35366691A Withdrawn JPH05166915A (ja) | 1991-12-18 | 1991-12-18 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05166915A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003220556A (ja) * | 1993-09-21 | 2003-08-05 | Toshiba Corp | ポリッシング装置及び方法 |
| JP2007041599A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-15 | Applied Materials Inc | フォトマスク製造におけるプロセス集積のためのクラスターツールおよび方法 |
| CN102768971A (zh) * | 2012-07-04 | 2012-11-07 | 上海华力微电子有限公司 | 一种消除晶体状凝结缺陷的刻蚀机台 |
-
1991
- 1991-12-18 JP JP35366691A patent/JPH05166915A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003220556A (ja) * | 1993-09-21 | 2003-08-05 | Toshiba Corp | ポリッシング装置及び方法 |
| JP2007041599A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-15 | Applied Materials Inc | フォトマスク製造におけるプロセス集積のためのクラスターツールおよび方法 |
| US7829471B2 (en) | 2005-07-29 | 2010-11-09 | Applied Materials, Inc. | Cluster tool and method for process integration in manufacturing of a photomask |
| US7838433B2 (en) | 2005-07-29 | 2010-11-23 | Applied Materials, Inc. | Cluster tool and method for process integration in manufacturing of a photomask |
| CN102768971A (zh) * | 2012-07-04 | 2012-11-07 | 上海华力微电子有限公司 | 一种消除晶体状凝结缺陷的刻蚀机台 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990311 |