KR0128827B1 - 위상반전마스크 제조방법 - Google Patents

위상반전마스크 제조방법

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KR0128827B1 KR1019930031845A KR930031845A KR0128827B1 KR 0128827 B1 KR0128827 B1 KR 0128827B1 KR 1019930031845 A KR1019930031845 A KR 1019930031845A KR 930031845 A KR930031845 A KR 930031845A KR 0128827 B1 KR0128827 B1 KR 0128827B1
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Abstract

본 발명은 위상반전마스크 제조방법에 관한 것으로, 일반적인 노광 크롬마스크의 상부에 위상반전층과 네가티브형 감광막을 도포하고 크롬패턴 사이에만 위상반전층패턴과 감광막패턴을 형성한 후, 크롬식각용액을 이용하여 위상반전층패턴과 접한 크롬패턴의 측면에서부터 식각시간을 조절하여 위상반전효과가 일어나도록 크롬패턴을 식각하고 상부의 감광막패턴을 제거함으로써, 별도의 장비나 설계 없이 위상반전마스크를 형성하여 위상반전효과를 일으켜 공정효과를 향상시키면서 제작비용을 절감시키는 기술이다.

Description

위상반전마스크 제조방법
제1도 내지 제5도는 본 발명의 실시예에 의한 위상반전마스크 제조공정을 도시한 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1, 1' : 크롬패턴 2 : 석영기판
3 : 네가티브형 감광막 3' : 감광막패턴
4 : 위상반전층 4' : 위상반전층패턴
본 발명은 위상반전마스크(phase shift mask) 제조방법에 관한 것으로, 특히 일반적인 노광 크롬마스크의 상부에 위상반전층과 네가티브형 감광막을 도포하고 크롬패턴 사이에만 위상반전층패턴과 감광막패턴을 형성한 후, 크롬식각 용액을 이용하여 위상반전층패턴과 접한 크롬패턴의 측면에서부터 식각시간을 조절하여 위상반전효과가 일어나도록 크롬패턴을 식각하고 상부의 감광막패턴을 제거함으로써, 별도의 장비나 설계 없이 위상반전마스크를 형성하여 위상반전효과를 일으켜 공정효과를 향상시키면서 제작비용을 절감시키는 기술이다. 기존의 크롬마스크는 노광장치의 한계 이하에서는 크롬과 크롬 사이의 간격에서 발생하는 간섭에 의하여 패턴을 형성하기 매우 어렵다. 이것이 광 리소그래피(opticak litho graphy) 기술의 한계가 되며 64M급 이상의 제품을 개발하기 위하여 이 한계를 극복하여야 한다. 상기의 한계를 극복하기 위하여 위상반전마스크를 설계, 제작한다. 상기 위상반전마스크는 기존의 크롬마스크보다 공정능력이 50% 이상 향상되며 노광장치의 한계 이하 영역도 패턴 형성이 가능하다. 그러나, 제작시 설계가 어려우며 제작이 어렵다. 더욱이 새로운 마스크 기판에 새로운 장비를 도입하여 제작되어야 하는 문제점이 발생한다. 따라서 본 발명은 기존의 크롬마스크 상부의 위상반전물질을 도포한 후, 네가티브형 감광막을 이용하여 제작하는 기술로서, 크롬패턴의 사이에 크롬패턴 보다 높은 두께의 위상반전층패턴을 크롬패턴과 일정간격을 두고 크롬패턴간의 중앙에 정열 시킴으로써 공정효과를 증대시키는 위상반전마스크를 제조하는데 그 목적이 있다. 이상의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징은, 석영기판상부에 크롬패턴을 형성하고 전체구조상부에 위상반전층과 네가티브형 감광막을 도포하는 공정과, 상기 크롬패턴을 마스크로 하여 후면노광시키고 현상하여 감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴을 마스크로 하여 위상반전층을 식각함으로써 위상반전층패턴을 형성하는 공정과, 상기 위상반전층패턴과 접하는 크롬패턴의 양측면을 식각하는 공정과, 상기 감광막패턴을 제거하는 공정을 포함하는데 있다. 이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다. 제1도 내지 제5도는 본 발명의 실시예로서 위상반전마스크의 제조공정을 도시한 단면도이다. 제1도는 석영기판(2)상부에 크롬패턴(1)을 형성한 것을 도시한 단면도이다. 제2도는 제1도의 상부에 위상반전층(4)을 도포하여 그 상부에 네가티브형 감광막(3)을 도포한 것을 도시한 단면도이다. 여기서, 상기 위상반전층(4)은 에스오지(SOG ; spin on glass, 이하에서 SOG라 함)나 SiO₂를 사용하여 화학기상증착(CVD ; chemical vapor deposition, 이하에서 CVD라 함)나 스핀코팅(Spin coating) 방식으로 도포한다. 제3도는 제2도의 공정 후에 후면노광하고 현상함으로써, 감광막패턴(3')과 위상반전층패턴(4')을 형성한 것을 도시한 단면도로서, 네가티브형 감광막(4)을 사용하였으므로 노광된 지역에만 감광막패턴(3')이 형성되며, 상기 감광막패턴(3')을 마스크로 하여 위상반전층(4)을 식각하여 위상반전층패턴(4')을 형성한 것을 도시한다. 제4도는 제3도의 공정 후에 크롬식각용액에 담그면 위상반전층패턴(4')과 크롬패턴(1)의 경계부에 상기 크롬식각용액이 흡수되어 크롬패턴(1)이 위상반전층패턴(4')과의 경계부에서부터 식각되어 위상반전효과가 일어나도록 식각된 크롬패턴(1')을 형성한 것을 도시한 단면도로서, 식각시간을 계산하여 크롬패턴(1)의 식각거리를 산출할 수 있으며 위상반전효과를 증가시킬 수 있다. 제5도는 제3도어 공정 후에 상기 감광막패턴(3')을 제거함으로써, 위상반전마스크를 형성한 것을 도시한 단면도이다. 상기한 본 발명에 의하면, 기존의 크롬마스크를 이용하기 때문에 특별한 장치가 필요 없고 별도의 설계가 필요 없어 비용이 절감시킬 수 있으며 기존의 크롬마스크 보다 공정효과가 좋은 위상반전마스크를 제작할 수 있어 반도체소자의 수율을 향상시킨다.

Claims (3)

  1. 석영기판 상부에 크롬패턴을 형성하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 위상반전층을 형성하는 공정과, 상기 위상반전층상에 후면노광 방법으로 네가티브형 감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴을 마스크로 하여 위상반전층을 식각하여 크롬패턴을 노출시키는 위상반전층패턴을 형성하는 공정과, 상기 위상반전층패턴과 접하는 크롬패턴의 양측면을 식각하는 공정과, 상기 감광막패턴을 제거하는 공정을 포함하는 위상반전마스크 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 크롬패턴의 측면식각은 크롬식각용액을 이용한 것으로써, 식각용액이 위상반전층패턴과 크롬패턴의 경계부에 흡수되어 크롬패턴의 측면에서부터 식각되는 것을 특징으로 하는 위상반전마스크 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 크롬패턴의 측면식각 폭은 식각시간을 조절함으로써 조절하는 것을 특징으로 하는 위상반전마스크 제조방법.
KR1019930031845A 1993-12-31 1993-12-31 위상반전마스크 제조방법 KR0128827B1 (ko)

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