CN102479906A - 发光二极管封装结构 - Google Patents

发光二极管封装结构 Download PDF

Info

Publication number
CN102479906A
CN102479906A CN2010105558196A CN201010555819A CN102479906A CN 102479906 A CN102479906 A CN 102479906A CN 2010105558196 A CN2010105558196 A CN 2010105558196A CN 201010555819 A CN201010555819 A CN 201010555819A CN 102479906 A CN102479906 A CN 102479906A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
led
package structure
emitting diode
groove
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2010105558196A
Other languages
English (en)
Inventor
郭德文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rongchuang Energy Technology Co ltd
Zhanjing Technology Shenzhen Co Ltd
Original Assignee
Rongchuang Energy Technology Co ltd
Zhanjing Technology Shenzhen Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rongchuang Energy Technology Co ltd, Zhanjing Technology Shenzhen Co Ltd filed Critical Rongchuang Energy Technology Co ltd
Priority to CN2010105558196A priority Critical patent/CN102479906A/zh
Publication of CN102479906A publication Critical patent/CN102479906A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明涉及一种发光二极管封装结构，其包括一反射杯，一发光二极管芯片，一荧光粉以及一抗短波层。该反射杯具有一顶面。该反射杯包括一形成在该顶面且向该反射杯凹陷的凹槽，该凹槽具有一底面以及环绕该底面的侧壁；该发光二极管芯片设置在该凹槽的底面。该荧光粉设置在发光二极管芯片的出光面且收容于该反射杯的凹槽内，该荧光粉吸收该发光二极管芯片发出的光并将其转换成白光，并产生短波长光。该抗短波层设置在该凹槽的侧壁，该抗短波层用于反射该短波长光。

Description

发光二极管封装结构
技术领域
本发明涉及一种封装结构，尤其涉及一种发光二极管封装结构。
背景技术
现有的发光二极管封装结构一般包括反射杯，设置在反射杯底面的发光二极管芯片，以及设置在该发光二极管芯片出光面的荧光粉。
一般地，为了得到白光，采用发蓝光发光二极管芯片，并且在其出光面设置黄色荧光粉，蓝光发光二极管芯片发出的蓝光部分被荧光粉吸收，另一部分蓝光与荧光粉发出的黄光混合，从而得到得白光。并且，在混光过程中，会产生较多的热量以及短波长光，一般地，所述短波长的光的波长为380～480纳米。然而，由于发光二极管封装结构的反射杯一般由塑料制成，其耐热性较差，且很容易被短波长的光线破坏，从而造成反射杯性能劣化，进而影响发光二极管封装结构的使用寿命和出光效率。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种使用寿命长且出光效率好的发光二极管封装结构。
一种发光二极管封装结构，其包括一种发光二极管封装结构，其包括一反射杯，一发光二极管芯片，一荧光粉以及一抗短波层。该反射杯具有一顶面。该反射杯包括一形成在该顶面且向该反射杯凹陷的凹槽，该凹槽具有一底面以及环绕该底面的侧壁；该发光二极管芯片设置在该凹槽的底面。该荧光粉设置在发光二极管芯片的出光面且收容于该反射杯的凹槽内，该荧光粉吸收该发光二极管芯片发出的光并将其转换成白光，并产生短波长光。该抗短波层设置在该凹槽的侧壁，该抗短波层用于反射该短波长光。
所述发光二极管封装结构的反射杯的侧壁上设置有抗短波层，该抗短波层将发光二极管芯片发出的光与荧光粉混光过程所产生的短波长光反射并出射，从而，避免了该短波长光被反射杯所吸收而造成其性能劣化。因此，该发光二极管封装结构的使用寿命长且出光效率好。
附图说明
图1是本发明实施例提供的发光二极管封装结构的剖面示意图。
主要元件符号说明
发光二极管封装结构    100
反射杯                20
顶面                  21
凹槽                  22
底面                  225
侧壁                  226
发光二极管芯片        30
封装胶                40
光出射面              41
荧光粉                50
抗短波层              60
具体实施方式
下面将结合附图对本发明实施例作进一步的详细说明。
请参见图1，本发明实施例提供的一种发光二极管封装结构100，其包括一反射杯20，一发光二极管芯片30，一封装胶40，一荧光粉50以及一抗短波层60。
该反射杯20具有一顶面21。该反射杯20包括一形成在其顶面21且向该反射杯20凹陷的凹槽22。该凹槽22包括有一底面225以及环绕该底面225的侧壁226。在本实施例中，该反射杯20由塑料制成。
该发光二极管芯片30设置在该凹槽22的底面225。在本实施例中，该发光二极管芯片30为蓝光发光二极管芯片。
该封装胶40收容于该反射杯20的凹槽22内，且覆盖该发光二极管芯片30。该封装胶40具有一个光出射面41，该光出射面41为一平面，且与该反射杯20的顶面21在同一平面上。该荧光粉50分布在该封装胶40内。在本实施例中，该荧光粉50为黄色荧光粉，其均匀分布在该封装胶40内。该黄色荧光粉50吸收该蓝色发光二极管芯片30发出的光并将其转换成白光，同时，并产生短波长光。一般地，该短波长光的波长为380纳米到480纳米。当然，该光出射面41也可以为其他形状。
该抗短波层60设置在该凹槽22的侧壁226上。在本实施例中，该抗短波层60的厚度小于100微米。该抗短波层60的材料为二氧化钛(SiO2)，二氧化锆(ZrO2)，氧化锌(ZnO)，二氧化锡(SnO2)，磷化镓(GaP)，硅(Si)，钛酸锶(SrTiO3)，三氧化钨(WO3)，或者硫化镉(CdS)。
该抗短波层60用于反射该短波长光，以从该封装胶40的光出射面41出射。从而，防止该短波长光被反射杯20所吸收。
该发光二极管封装结构100具有一抗短波层60，其可以将短波长光反射至该封装胶40的光出射面41出射，从而防止该短波长光被该反射杯20吸收而造成该反射杯20的性能劣化，因此，该发光二极管封装结构100的使用寿命长。并且，由于该短波长光被反射并出射，从而提高了该发光二极管封装结构100的出光效率。
可以理解的是，本领域技术人员还可于本发明精神内做其它变化，只要其不偏离本发明的技术效果均可。这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。

Claims (8)

1.一种发光二极管封装结构，其包括：一反射杯以及一发光二极管芯片，该反射杯具有一顶面，该反射杯包括一形成在该顶面且向该反射杯凹陷的凹槽，该凹槽具有一底面以及环绕该底面的侧壁；该发光二极管芯片设置在该凹槽的底面；其特征在于：该发光二极管封装结构进一步包括一荧光粉以及一抗短波层，该荧光粉设置在发光二极管芯片的出光面且收容于该反射杯的凹槽内，该荧光粉吸收该发光二极管芯片发出的光并将其转换成白光，并产生短波长光；该抗短波层设置在该凹槽的侧壁，该抗短波层用于反射该短波长光。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该发光二极管芯片为蓝光发光二极管芯片。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该荧光粉为黄色荧光粉。
4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该短波长光的波长为380纳米到480纳米。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该抗短波层的厚度小于100微米。
6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该抗短波层的材料为二氧化钛，二氧化锆，氧化锌，二氧化锡，磷化镓，硅，钛酸锶，三氧化钨，或者硫化镉。
7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该反射杯的材料为塑料。
8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该发光二极管封装结构进一步包括封装胶，该封装胶收容于该反射杯的凹槽内，该荧光粉分布在该封装胶内。
CN2010105558196A 2010-11-24 2010-11-24 发光二极管封装结构 Pending CN102479906A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010105558196A CN102479906A (zh) 2010-11-24 2010-11-24 发光二极管封装结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010105558196A CN102479906A (zh) 2010-11-24 2010-11-24 发光二极管封装结构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102479906A true CN102479906A (zh) 2012-05-30

Family

ID=46092456

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010105558196A Pending CN102479906A (zh) 2010-11-24 2010-11-24 发光二极管封装结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102479906A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103441203A (zh) * 2013-07-24 2013-12-11 重庆四联光电科技有限公司 一种半导体器件的封装方法及封装结构

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1497742A (zh) * 2002-10-07 2004-05-19 ������������ʽ���� Led器件
CN1579024A (zh) * 2001-10-31 2005-02-09 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 光电元件
CN1685530A (zh) * 2002-09-30 2005-10-19 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 光电子元件和元件模块
CN1893130A (zh) * 2005-07-04 2007-01-10 三星电机株式会社 具有改进的侧壁反射结构的侧光发光二极管
CN101095244A (zh) * 2004-10-29 2007-12-26 3M创新有限公司 具有非结合的光学元件的led封装
JP2010098160A (ja) * 2008-10-17 2010-04-30 C I Kasei Co Ltd 白色発光装置
CN101800269A (zh) * 2009-02-09 2010-08-11 亿光电子工业股份有限公司 发光装置及其制作方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1579024A (zh) * 2001-10-31 2005-02-09 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 光电元件
CN1685530A (zh) * 2002-09-30 2005-10-19 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 光电子元件和元件模块
CN1497742A (zh) * 2002-10-07 2004-05-19 ������������ʽ���� Led器件
CN101095244A (zh) * 2004-10-29 2007-12-26 3M创新有限公司 具有非结合的光学元件的led封装
CN1893130A (zh) * 2005-07-04 2007-01-10 三星电机株式会社 具有改进的侧壁反射结构的侧光发光二极管
JP2010098160A (ja) * 2008-10-17 2010-04-30 C I Kasei Co Ltd 白色発光装置
CN101800269A (zh) * 2009-02-09 2010-08-11 亿光电子工业股份有限公司 发光装置及其制作方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103441203A (zh) * 2013-07-24 2013-12-11 重庆四联光电科技有限公司 一种半导体器件的封装方法及封装结构
CN103441203B (zh) * 2013-07-24 2017-01-18 重庆四联光电科技有限公司 一种半导体器件的封装方法及封装结构

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101517644B1 (ko) 발광장치 및 그 제조방법
TWI481077B (zh) Semiconductor light emitting device and manufacturing method of semiconductor light emitting device
CN106058006B (zh) 发光装置及其制造方法
TWI574437B (zh) 發光裝置及其製造方法
KR101997247B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치
JP5515992B2 (ja) 発光装置
KR102172934B1 (ko) 플립-칩 측면 방출 led
US20150049486A1 (en) Led illumination module
KR102422380B1 (ko) 발광 소자
US11598509B2 (en) Backlight unit
EP2546894A2 (en) Semiconductor light emitting device
CN107507899B (zh) 单面发光csp光源制造方法
JP2014057061A (ja) 発光素子及びこれを備えた照明システム
CN111540821A (zh) 发光装置及其制造方法
US20110248623A1 (en) Light emitting device
KR20160046198A (ko) 발광 소자 패키지
JP2010062427A (ja) 発光装置
JP5610036B2 (ja) 発光装置
CN109427704A (zh) 半导体封装结构
KR102063482B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치
EP2390937B1 (en) Light emitting device package comprising an optical filter between a light emitting device and a fluorescent layer
JP7469719B2 (ja) 発光装置
CN102479906A (zh) 发光二极管封装结构
JP5678462B2 (ja) 発光装置
KR101641266B1 (ko) 발광소자 패키지를 구비하는 디스플레이 장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20120530