CN109952660B - 发光二极管封装体 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种高光效的发光二极管封装体，具体包括支架，具有相对的上表面和下表面，其中上表面具有一个底部及、与该底部连接的侧壁部，从而形成一个用于安装半导体器件的空间；LED芯片，安装于该空间内；封装材料层，覆盖所述LED芯片，从而将所述LED芯片密封于该支架内。进一步地，所述支架的底部上表面的边缘有两个或者两个以上不同的位置设置有反光体，所述反光体用于缩短所述LED芯片发出的光线在封装体内部的传播路径。
Description
技术领域
本发明涉及半导体照明领域，具体为一种发光二极管的封装体结构。
背景技术
发光二极管（LED）是一种低电压半导体固体发光器件，它是利用固体半导体芯片作为发光材料，当两端加上正向电压，半导体中的载流子会发生复合引起光子发射而产生光，是当今最热门的光源技术。
目前，普通照明LED封装大多采用注塑成型的EMC、PPA等支架，其封装结构如图1示，该LED发光装置110一般包括：具有碗杯的支架110、安装于支架110的碗杯内的LED芯片120和抗静电元件130、以及用于将各电子元件进行密封的封装胶140。随着LED封装技术的不断发展，白光LED的光效在快速的提升，目前市场上的产品的光效已有达到220lm/W，为了达到如此高的光效，对工艺，材料等各个方面进行了优化。其中一个关键的技术是重新设计支架，例如在支架的碗杯底部做一圈凸起，然后在碗杯的侧壁填充反光材料等，例如日本厂商日亚的3030产品。
尽管如此可以提升器件的光效，但是由于要重新设计支架，费用较高；再者需在碗杯的侧面填充一整圈反光材料，降低生产效率且成本增加；此外，由于支架有凸起的设计，芯片的大小和安装位置都受到了限制，针对不同尺寸的芯片需要采用不同的支架，导致灵活度比较差。
发明内容
本发明的目的，在于提供一种高光效的发光二极管封装体结构及其制作方法。
该发光二极管封装体，包括支架，具有相对的上表面和下表面，其中上表面具有一个底部及、与该底部连接的侧壁部，从而形成一个用于安装半导体器件的空间；LED芯片，安装于该空间内；封装材料层，覆盖所述LED芯片，从而将所述LED芯片密封于该支架内。
进一步地，所述支架的底部上表面的边缘有两个或者两个以上不同的位置设置有反光体，所述反光体用于缩短所述LED芯片发出的光线在封装体内部的传播路径。
该发光二极管封装体可以通过下面制作方法获得，（1）提供一支架，该支架具有相对的上表面和下表面，其中上表面具有一个底部及、与该底部连接的侧壁部，从而形成一个用于安装半导体器件的空间；（2）在所述支架的空间内安装LED芯片；（3）在所述支架的底部上表面的边缘有两个或者两个以上不同的位置设置反光体；（4）形成封装材料层，覆盖所述LED芯片，从而将所述LED芯片密封于该支架内。
该发光二极管封装体还可以通过下面制作方法获得，（1）提供一支架，该支架具有相对的上表面和下表面，其中上表面具有一个底部及、与该底部连接的侧壁部，从而形成一个用于安装半导体器件的空间；（2）在所述支架的底部上表面的边缘有两个或者两个以上不同的位置设置反光体；（3）在所述支架的空间内安装LED芯片；（4）形成封装材料层，覆盖所述LED芯片，从而将所述LED芯片密封于该支架内。
较佳的，所述反光体仅形成在所述支架的底部上表面的部分边缘，用于减少所述LED芯片发射的光在不同方向上的传播距离的差异。该反光体可以通过点胶、喷射等方式形成。
该发光发光二极管封装体不用重新设计支架，可以有效提交发光二极管封装体的出光效率，且工艺简单。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。
图1是一个示意图，说明一个习知的发光二极管封装体的结构。
图2是一个立体图，说明该发光二极管封装体的一个第一实施例。
图3是一个剖面示意图，说明该发光二极管封装体的一个第一实施例。
图4是一个局部立体图，说明该发光二极管封装体的一个第一实施例。
图5是一个俯视图，说明该发光二极管封装体的一个第一实施例。
图6是一个局部立体图，说明该发光二极管封装体的一个第二实施例。
图7是一个俯视图，说明该发光二极管封装体的一个第二实施例。
图8是一个俯视图，说明该发光二极管封装体的一个第三实施例。
图9是一个俯视图，说明该发光二极管封装体的一个第四实施例。
图10是一个俯视图，说明该发光二极管封装体的一个第五实施例。
图11是一个俯视图，说明该发光二极管封装体的一个第六实施例。
图12是一个俯视图，说明该发光二极管封装体的一个第七实施例。
具体实施方式
下面各实施例公开了一种发光二极管封装体，其包括：具有碗杯的支架，LED芯片安装于碗杯里，在碗杯底部的边缘之不同位置设置反光体，通过封装材料进行密封，该反光体可以有效缩短所述LED芯片发出的光线在封装体内部的传播路径，从而提升器件的出光效率。
请参看附图2和3，根据本发明的第一个较佳实施例，一种LED封装体200，主要包括：支架210、LED芯片220，密封材料230、反光体240。
如图4所示，该支架210可以为EMC支架、PPA支架、PCT支架或者陶瓷支架。在本实施例中，以EMC支架为例，具有碗杯结构，包含底表面211以及与底表面连接的侧壁部212，形成一个用于安装LED芯片的空间213。其中底表面210具有导电层，该导电层通过间隙2113区域为第一导电区2111和第二导电区2112，其中第一导电区2111的面积远大于第二导电区2112的面积，用于安装LED芯片，底表面210基本平坦，整个表面未刻意进行高差图案化处理，其高、低差值基本保持在10nm以下。侧壁部212优选具有一定的倾斜角度，该倾斜角度可以为45~90°，倾斜角度小于45°，则能够在碗杯内贴LED芯片220的空间相应减小，难以确保用于LED芯片220贴装工序的空间和用于引线键合的空间。内侧表面2121优选具有一定的反射率。
LED芯片220具备一个以上，配置于支架210上，具体为装配在导电层的第一导电区上，并通过引线2201与第一导电区2111连接，通过引线2202与第二导电层2112连接。借助于外部供应的电源，一个以上的LED芯片220可以释放光，从LED芯片220释放的光可以释放到外部。该LED芯片110包括n型半导体层、活性层及p型半导体层，可以为常规正装结构，也可以为倒装结构或者垂直结构。
反光体240设置在碗杯的部分边缘区域，优选远离发光二极管220，其可以为柱状结构或者块装结构，数量优先为两个以上，其位置和尺寸根据实际需求进行设计，主要取决于碗杯内的空间大小及LED芯片220到碗杯的各个侧壁2122之间距离差，以期可以缩短LED芯片220发出的光线在封装体内部的传播路径，同时可以减少LED芯片发射的光在不同方向上的传播距离的差异。以图5所示的结构为例，碗杯的底表面211呈矩形，具有四个顶角213，LED芯片220尽可能地安装于底表面的中间区域，此时矩形的四个顶角213所在的位置与LED芯片220的距离较远，同时碗杯的内侧壁2112在此处相交，可以作为反光体240的支撑部，因此适合设置反光体240，可以通过点胶或者喷射的方式在顶角的位置形成该反光体240。该反光体240的高度为10微米以上为佳，优选介于LED芯片的高度与碗杯的侧壁部212的高度之间，较佳的，以不低于LED芯片220的发光层为佳，更佳的，该反光体240的高度不低于LED芯片220的高度、不高于碗杯的侧壁部212的顶表面2121，例如可以略低于碗杯的侧壁部的顶表面2121。进一步的，该反光体240的表面具有高反射率，优选大于碗杯的内侧表面2121的反射率，可以为到90%以上，更佳的，可以达到95%以上，其材料可以是反光胶材或反光树脂。在本实施例中，在碗杯内的四个角落213采用点胶的方式设置四个反光体240，其材料为反光硅胶，该反光体与侧壁部210的内侧表面2122接触，面向LED芯片的一侧可以具有一定的倾斜角度，该倾斜角度可以为30~90°，倾斜角度小于30°，则碗杯内用于安装LED芯片220的空间相应减小，难以确保用于LED芯片220贴装工序的空间和用于引线键合的空间，该倾斜角度的更佳范围为45~80°。
如图5所示，如果考虑反光体240与该碗杯的面积占比关系，相对于该碗杯内部的底表面211的面积S1，则所有反光体240的面积可以约为5％~60％S1。即，在发光二极管封装件200的大小既定的状态下，反光体240的面积会因LED芯片220的位置及数量而异。如果反光体的面积占比大于发光二极管封装件100的全体面积的60％，此时反光体240在碗杯内不易控制，且在过多占用碗杯内用于安装LED芯片的面积，能够贴装于发光二极管封装件200的LED芯片220的大小受限，使得发光二极管封装件200的利用性会下降，并且会使贴装LED芯片220、进行引线键合的空间减小，在工序过程中可能发生不良。另外，如果小于5％，此时反光体240对于缩短LED芯片发出的光线在封装体内部的传播路径的程度有限，较难有效提升光效。因此，如上所述，反光体240占碗杯底表面211的面积的5%~60%会比较有利。
此外，由于反光体240优选设置在碗杯的四个角落处，此时单个反光体240重点考虑其到LED芯片220的最近距离H2。当反光体240与LED芯片220之间的距离H2过小时，一方面由于碗杯底表面基本平坦，则此时在制作反光体240有可能使得反光体的材料影响LED芯片，例如有可能产生爬胶，另一方面反光体240与LED芯片240的距离过短不利于LED芯片发出的光线射出封装体，造面光线在封装体内部进行多次内反射，造成光损耗，因此反光体240与LED芯片220之间的距离H2为50微米以上为宜，较佳为100微米以上，例如可以为100~500微米，或者500~1000微米，或者1000~5000微米，或者0.5~10毫米等，可以根据封装体的尺寸及芯片的尺寸进行选择。同时反光体240的制作工艺也会影响到反光体240与LED芯片之间距离H2，例如采用点胶的方式，此时较不易控制反光胶的尺寸，此时宜适当的加大反光体240与LED芯片之间距离H2；采用喷射的方式，此时可以更精确控制反光体的尺寸，此时可以反光体与LED芯片之间的距离H2可以根据光学需要尽可能的靠近。再者，反光体240与LED芯片220之间的距离H2在一定程度上受LED芯片220到碗杯的侧壁212的最短距离H1的影响，将H2的值设置为0.3H1~1.3H1会是比较有利的，当H2小于0.3H1时容易造成LED芯片220发出的光线在封装体的出光面的分布不均匀，当H2大于1.3H1时，反光体240对于光路径的调节比较有限。在一个更佳的取值范围中，H2为0.5H1~1.1H1之间，在该区间反光体240可以比较好地调整封装体内部的光路径，达到较为均匀的出光并提升出光效率。当反光体240与LED芯片220之间的距离H2确定时，反光体240的尺寸越大，发光二极管封装体的出光率越大。
在本实施例中，结合常规支架的碗杯结构，不用重新进行支架的设计，在碗杯的四个角落通过点胶、喷射等方式形成反光体，该反光体可以有效缩短LED芯片发出的光线在封装体内部的传播路径，更可以减少LED芯片发射的光在不同方向上的传播距离的差异，进而提升了发光二极管的出光效率。
在本实施例中，该发光二极管封装体200还可以包括抗静电元件250，用于防止LED芯片220因外部供应电源而可能发生的静电而受到损伤。在本实施例中，抗静电元件250安装于碗杯内的情形进行说明，根据需要，抗静电元件250可以位于支架210的内部而不露出于外部。该抗静电元件250可以贴装于第一导电区2111及第二导电区2112中任意一处，并通过引线2501进行电性连接。此时，抗静电元件250在贴装于第一导电区2111及第二导电区2112中的任意一个的状态下，可以被支架210封装，并且以借助于构成封装胶230的树脂等来以完全覆盖的状态。优选地，该抗静电元件250设置于该碗杯内的边缘区域，一个反光体240覆盖该抗静电元件250，从LED芯片220发光的光可以不直接照射抗静电元件250。
在本实施例中，如图3所示，在反光体240的上表面2401与支架210的侧壁部上端面2121之间可以形成高低差△h。即，210的侧壁部上端面2121可以配置得稍高于反光体240的上表面2401。
在本实施例中，发光二极管封装件200可以还包括密封材料230。密封材料150可以为树脂或硅胶，可以覆盖LED芯片220、反光体240和碗杯的内侧。此时，密封材料230在制造过程中可以利用液态的密封材料填充碗杯内侧的状态下硬化形成，在反光体240的上表面2401与支架210的侧壁部上端面2121之间可以形成高低差△h，因而能够防止在此过程中，液态的密封材料230在覆盖过程中溢出到支架210的外部。
图6是图示第二实施例的发光二极管封装件的局部立体图，图7是图示本发明第二实施例的发光二极管封装件的俯视图。该发光二极管封装体200包括支架210、LED芯片220，密封材料230、反光体240和齐纳二极管250，对第二实施例的发光二极管封装件进行说明，与第1实施例及第2实施例相同的说明省略。
在本实施例中，该发光二极管封装200的支架210内装贴的两个LED芯片220A和220B错开排列，即芯片的中心点连线和芯片的边缘夹角不是90°。由于LED芯片220A和220B位置错开，因此芯片到碗杯的距离会不同。如图6和7所示，LED芯片距离碗杯的左上角2301和左下角2303比较远，而距离另两个角2302和2304相对较近，因此碗杯的角落2301和2303设置填充白胶作为反光体240。进一步地，可以在碗杯的角落2303装贴有一颗齐纳二极管250，并用白胶覆盖齐纳二极管。
在本实施例中，由于LED芯片水平错开排列，可以有效减少LED芯片之间的相互吸光，进一步提升发光二极管封装体的出光效率。
图8是图示第三实施例的发光二极管封装件的附视图。本实施例在第二实施例的基础上，在碗杯的边缘且在两颗LED芯片中间的位置设置反光体240B，该反光体240B的尺度小于角落上的反光体240A的尺度。
在本实施例中，可以从两个LED芯片中心位置水平方向的差值为D、反光体240A在碗杯底面211的投影的直径d1、反光体240A的碗杯底面211的投影的直径d2进行优化，进而获得高光效的发光二极管封装体。首先，两个LED芯片中心位置水平方向的差值为D的较佳取值为LED芯片长度L的二分之一以下，当D的取值大于0.5L时，会使得进行引线键合的空间减小，在工序过程中可能发生不良。反光体240A的碗杯底面211的投影的直径d1较佳取值为0.5~2D，例如可以为D~1.5D之间，反光体240A的碗杯底面211的投影的直径d2的较佳取值为0.1~D，例如可以为0.5D~D。
在本实施例中，在碗杯边缘的不同位置设置不同尺寸的反光体，可以进一步提升发光二极管封装体的出光效率。
图9是图示第四实施例的发光二极管封装件的附视图。在本实施例中，在发光二极管封装体200的支架210的碗杯边缘设置三个反光杯240。由于LED芯片220A和220B交错装贴于支架的第一导电区2111，因此碗杯的左上角、右上角、右下角这三个角落到LED芯片的距离相对较远，因此在此三个位置设置反光体240。
前面第一至四个实施例的发光二极管封装体都装贴有两个LED芯片，但本发明所述的发光二极管封装体包含的LED芯片个数并不局限于两个，可以根据需求装贴一个或者多个。
图10图示第五实施例的发光二极管封装件的附视图。在本实施例中，该发光二极管封装体200中只装贴一个LED芯片，在碗杯的四个角落都设置一个反光体。
图11图示第六实施例的发光二极管封装件的附视图。与第一个实施例类似，发光二极管封装体200包含三个LED芯片，未在碗杯内设置齐纳二极管。如图11所示，三颗LED芯片220A、220B和220C中最上方靠左侧，最下方靠右侧。在距离LED芯片较远的碗杯的两个角落填充白胶作为反光体240。
图12图示第七实施例的发光二极管封装件的附视图。与第五个实施例类似，发光二极管封装体包含三个LED芯片，具体摆放位置如图所12示，最上方的靠左侧，中间一颗靠右侧，最下方的靠左侧。在支架的左上角，左下角以及右中部的位置填充白胶作为反光体240。
如以上所作的说明，根据参照附图的实施例，对本发明进行了具体说明，但所述实施例只是列举本发明的优选示例进行说明，因而不得理解为本发明只局限于所述实施例，本发明应理解为本发明的技术方案及其等价概念。
Claims (26)
1.一种发光二极管封装体，包括：
支架，包含底部及与该底部连接的侧壁部，从而形成一个用于安装半导体器件的空间；
两个LED芯片，安装于该空间内；
反光体，设置于所述支架的底部上表面的边缘的两个或者两个以上不同的位置，用于缩短所述LED芯片发出的光线在封装体内部的传播路径；
封装材料层，覆盖所述LED芯片，从而将所述LED芯片密封于该支架内；其特征在于：
所述空间的平面图为矩形，该矩形的一个或多个顶角处设置有所述反光体；
所述LED芯片的平面图为矩形，至少一个反光体对着所述LED芯片的顶角，定义所述LED芯片与所述侧壁部的最近距离为H1，所述反光体与所述LED芯片之间的距离为H2，则H2=0.3~1.3H1，且H2为100微米以上；
所述LED芯片水平错开排列，定义两个LED芯片的中心位置在水平方向上的差值为D，所述反光体的底部横截面的直径为0.1~2D。
2.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于：所述反光体用于减少所述LED芯片发射的光在不同方向上的传播距离的差异。
3.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于：所述支架底部的上表面为一平坦面，其高低差为10微米以下。
4.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于：所述反光体与所述支架的侧壁部接触，并突出于该侧壁部的内壁表面。
5.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于：所述反光体的反射率大于或等于所述侧壁部的内侧表面的反射率。
6.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于：所述反光体的反射率为90%以上。
7.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于：所述反光体与所述芯片的最近距离低于所述侧壁部的内侧表面与所述LED芯片的最短距离。
8.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于：所述反光体的高度不高于所述侧壁部的高度。
9.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于：所述反光体的高度不低于所述侧壁部高度的2/3。
10.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于：所述LED芯片包括第一类型半导体层、第二类型半导体层及夹在两者之间的发光层，所述反光体的高度不低于所述发光层的高度。
11.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于：所述反光体的上表面与所述支架的侧壁部上端面之间形成一个台阶。
12.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于：所述反光体的高度为5~2000μm之间。
13.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于：所述反光体的材料是反光硅胶或反光树脂。
14.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于：所述反光体占所述空间的面积比例为5%~60%。
15.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于：所述反光体为柱状结构或块状结构。
16.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于：所述反光体面向所述LED芯片的一侧具有倾斜角度，该角度为30~90°。
17.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于：所述反光体通过点胶、喷射或者网印的方式形成于所述空间的边缘。
18.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于：所述反光体的材料与所述支架底部的材料不同。
19.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于：所述反光体的材料与所述支架的侧壁部的材料不同。
20.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于：还包括一个抗静电元件，至少一个该反光体覆盖所述抗静电元件。
21.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于：所述支架为EMC支架、PPA支架、PCT支架或者陶瓷支架。
22.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于：所述LED芯片为倒装芯片或者正装芯片。
23.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于：所述反光体设置在所述底部上表面之远离所述LED芯片的位置。
24.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于：包括第一反光体和第二反光体，其中第一反光***于所述空间的顶角处，第二反光***于所述空间的边缘，并位于两个LED芯片中间，所述第一反光体的尺寸大于所述第二反光体的尺寸。
25.根据权利要求24所述的发光二极管封装体，其特征在于：所述第一反光体的底部横截面的直径为0.5~2D。
26.根据权利要求24所述的发光二极管封装体，其特征在于：所述第二反光体的横截面的直径为0.1~D。
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
| KR100665216B1 (ko) * | 2005-07-04 | 2007-01-09 | 삼성전기주식회사 | 개선된 측벽 반사 구조를 갖는 측면형 발광다이오드 |
| KR20100077864A (ko) * | 2008-12-29 | 2010-07-08 | 서울반도체 주식회사 | 발광소자 패키지 |
| CN104854716B (zh) * | 2012-12-10 | 2017-06-20 | 西铁城时计株式会社 | Led装置及其制造方法 |
| US9548419B2 (en) * | 2014-05-20 | 2017-01-17 | Southern Taiwan University Of Science And Technology | Light emitting diode chip having multi microstructure substrate surface |
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Patent Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
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| CN207690828U (zh) * | 2018-01-04 | 2018-08-03 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种led发光装置 |
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